KR100453472B1 - 층을 형성하기 위한 다중 이미지 레티클 - Google Patents

층을 형성하기 위한 다중 이미지 레티클 Download PDF

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Abstract

집적 회로를 형성하는데 사용되는 다중 이미지 레티클(19,211)은 단일 레티클 상에 이격된 행과 열 이미지로 정렬된 이격된 이미지(112a-112i)의 2차원 어레이를 포함한다. 반도체 웨이퍼(210) 상에 다양한 레벨의 회로를 노광시키기 위해 레티클의 어떠한 회전도 필요하지 않다. 웨이퍼 상의 레지스트를 노광시키기 위한 마스크의 소정의 이미지 밑에 웨이퍼를 제어 가능하게 위치 정렬시키는 스테퍼 장치에 웨이퍼가 고정된다. 이동 가능한 개구(214)는 레티클 상의 선택된 이미지 또는 마스크 패턴을 통해 노광을 제어한다. 어떤 이미지가 사용될 것인지를 제어함으로써 그리고 스테퍼(230)를 통해 웨이퍼를 정확하게 위치 정렬시킴으로써, 다중 이미지가 정확하게 레지스트되어, 웨이퍼 상에 형성된 회로 및 다른 기구의 치수를 개선한다.

Description

층을 형성하기 위한 다중 이미지 레티클 {MULTIPLE IMAGE RETICLE FOR FORMING LAYERS}
리소그래피 방법은 집적 회로와, 프로세서, ASIC 및 DRAM과 같은 구조의 형성을 위한 반도체 웨이퍼 상에서 레지스트 층에 패턴을 노광하기 위하여 다중 이미지 또는 마스크를 사용한다. 제조 설비에 점점 더 작은 치수의 패턴 노광이 요구됨에 따라, 현재의 포토리소그래피의 프로세스 성능을 강화하는 기술을 사용할 필요가 있게 되었다. 포토리소그래피, 막 성장, 증착 및 불순물 주입의 여러 연속적인 단계들은 동일 웨이퍼 상에서 많은 동일한 복사본을 갖는 완성된 집적 회로를 생성한다. 각각의 복사본은 다이(die)로 알려져 있다.
집적 회로의 치수가 작아짐에 따라, 포토리소그래피 프로세스는 정렬 기술 및 해상도에서 보다 복잡함을 요구한다. 현재, 프토리소그래피 프로세스는 웨이퍼 상의 소정의 패턴이 이미지를 기초로 노광되도록 이미지 또는 마스크를 포함하는 레티클 상의 정렬 마스크를 기초로 하여 웨이퍼를 이동하여 정렬하는 스테퍼(stepper)라고 하는 설비를 활용한다. 레티클은 각각의 이미지가 웨이퍼 상의 레벨을 형성하는데 사용되기 때문에 레벨이라고 하는 하나 이상의 이미지를 포함한다. 소정의 파장의 광은 기판을 노광하기 위하여 레티클로부터 선택된 이미지를 통해 투영되거나 또는 이 선택된 이미지에 의해 반사된다. 위상 시프트 방법, 및 전자빔, X선 및 이온빔이 웨이퍼를 패턴화하기 위하여 또한 사용된다.
초기에, 각각의 레티클은 하나의 레벨을 형성하기 위한 하나의 이미지만을 포함했다. 레티클은 점점 더 작은 이미지 라인을 형성하기 위해 요구되는 정확한 조건에 기인하여 고비용화 된다. 동시에, 복잡한 집적 회로는 점점 더 많은 레벨을 요구하여, 많은 수의 레티클이 이들을 형성하는데 요구되었다. 회로를 형성하는데 요구되는 레티클의 비용은 커지게 되었다. 이런 경향은 칩 밀도가 계속 증가함에 따라 증가하고 있다.
이런 문제점에 대한 하나의 해결책은 미국특허(특허 번호 4,758,863, "Multi-Image Reticle")에 개시되어 있다. 다중 이미지는 웨이퍼 상에 형성된 집적 회로의 각각의 레벨에 대해 다른 이미지를 사용하여 웨이퍼를 노광시키기 위하여 회전되는 레티클 상에 형성된다. 이런 제안된 해결책은 레티클의 변화를 유지하기 위한 필요를 감소시키는 반면에, 이미지 정렬 프로세스에 여전히 에러를 유발한다. 먼저, 각각의 이미지는 레티클 상에서 서로에 대하여 다른 각도로 적절히 놓여지게 된다. 이는 회전 정렬 에러를 초래한다. 에러는 또한 레티클이 완벽하게 중심이 맞지 않을 때에 일어난다. 그 후 마스크의 회전은 반경 레지스트레이션 에러를 유발한다. 또한, 마스크 홀더의 회전 각은 추가적인 회전 정렬 에러를 유발한다. 이들 에러는 마이크로스코프 및 다른 자동 정렬 시스템의 사용을 통하여 정렬 이미지에 기초로 한 각각의 레티클을 적절히 정렬하는 것을 어렵게 한다. 회전 에러를 극복하기 위하여, X 및 Y 방향의 이동 보다 더욱 큰 자유도가 요구된다.
이런 해결책의 다른 하나의 문제점은 마스크 상에 사용되지 않는 많은 공간을 남겨둔다는 점이다. 레티클 상에 4개의 이미지까지 나타난다. 쓸모없는 공간이 있고, 사용될 수 있는 약 4개의 직사각형 이미지의 실질적인 제한이 있다. 4개 이상의 직사각형 이미지가 사용된다면, 이들은 레티클의 슬라이스 내에 맞추기 위하여 레티클의 중심으로부터 위치되야만 한다. 이는 더욱이 레티클 상의 공간을 낭비하는 것일 수 있다.레티클 상의 다중 이미지의 사용에 있어서 정렬 에러를 감소시키고, 이미지의 수를 증가시킴으로써 레티클 비용을 절감하는 것이 필요하다.
본 발명은 일반적으로 웨이퍼 상에서 집적 회로와 구조를 형성하는데 사용되는 포토리소그래피 기술에 관한 것이다. 특히, 본 발명은 다중 노광 패턴을 갖는 레티클(reticle) 및 그 용도에 관한 것이다.
도 1은 다중 이미지 레티클에 대한 일실시예의 평면도.
도 2는 다중 이미지 레티클의 사용을 예시하는 정면 블럭도.
도 3은 반도체 웨이퍼 상의 각 층을 형성하는데 이용되는 도 1의 레티클 상의 이미지에 대한 도표.
다중 이미지 레티클은 이격된(spaced) 이미지, 또는 단일 레티클 상의 제어 가능하게 이격된 행 및 열의 매트릭스에서의 마스크 패턴의 2차원 어레이를 포함한다. 이미지는 어떠한 레티클의 회전도 웨이퍼 상의 레벨을 노광시키는데 요구되지 않도록 동일 방향으로 일정하게 정렬된다. 웨이퍼는, 웨이퍼 상에서 레지스트의 노광 동안에 마스크의 소정 이미지 하에서 웨이퍼를 제어 가능하게 위치시키는, 스테퍼 상에 위치한다. 일 실시예에서, X 및 Y 방향으로 제어 가능한 불투명 블레이드 또는 셔터는 레티클 상에서 선택된 이미지를 통해서만 노광이 일어나게 하기 위하여 이동 가능한 어퍼쳐를 한정하는데 사용된다. 다른 실시예에서, 초점 장치는 어느 이미지가 사용될 것인가를 제어하기 위하여 이동된다. 이미지 사용을 제어하고 스테퍼를 경유해서 웨이퍼를 위치시킴으로써, 다중 이미지는 정확하게 반복적으로 레지스트되며, 웨이퍼 상에 형성된 회로 및 다른 구조의 치수가 개선된다.
일 실시예에서, 이미지는 위상 시프트 반사 및/또는 굴절 마스크를 사용하도록 설계된다. 이 실시예에서, 복사는 레지스트의 소정의 노광을 획득하기 위하여 제어되는 간섭 패턴을 이용하기 위하여 각각의 다중 층 이미지에 의해 반사된다. 레티클 상의 이미지의 에지에 대응하는 노광된 레지스트의 경계 근처에서, 수용된 노광은 거의 0일 수 있다. 이는 "인쇄된" 바람직하지 않은 라인을 초래할 수 있다. 이런 바람직하지 않은 라인의 인쇄를 방지하기 위하여, 제1 이미지에 인접하거나 레티클 상의 다른 임의의 장소에 위치하는 레티클 상의 제2 이미지는 레지스트의 처리 이전에 이런 라인을 제거하기 위하여 제1 노광 위에 제2 패턴을 노광시키도록 위치된다. 어떠한 부가적인 정렬 에러가 일어나지 않기 때문에, 이전의 노광으로 뛰어난 레지스트레이션이 얻어진다. 더욱이 이미지는 바람직하게는 레지스트의 처리 이전에 정렬되어 노광될 수 있다.
레티클 비용은 9개 이상의 이미지 패턴이 동일 레티클 상에 위치하기 때문에 감소된다. 레티클의 회전을 통해 에러를 유발하거나 새로운 마스크를 로드하여 정확히 레지스트할 필요 없이, 전체의 x 및 y의 자유도를 사용하여 정확한 이미지 하에 타겟을 위치시키는 스테퍼의 능력에 기인하여, 오 레지스트레이션 (misregistration)이 감소된다. 다중 크기 직사각형 이미지의 최적화된 어레이의 사용에 의해 이루어지는 레티클 공간의 최적 사용은 레티클 수를 상당히 감소시킴으로써 이들을 제조하는데 요구되는 비용 및 시간이 감소되게 한다. 이는 메모리 어레이, ASICs, 프로세서 및 다른 집적 회로와 같은 복잡한 디바이스의 제조에 있어서 상당한 비용 감소를 가져올 수 있다.
본 발명은 소정 영역을 제거하기 위해 레지스트를 처리하기 전에 다중 노광을 이용하는데 있어서 특히 유용하다. 레벨 공간이 엄격하게 제어되기 때문에, 신규 마스크를 언로드 및 로드할 필요가 없고, 두 노광의 레지스트레이션이 매우 일정하다. 반사 또는 굴절 포토마스크, 전자빔 리소그래피, X선 리소그래피 및 이온빔 리소그래피를 이용하는 포토 리소그래피를 포함하여, 다수의 서로 다른 형태의 리소그래피가 이용될 수 있다.
바람직한 실시예에 대한 다음의 상세한 설명에서, 본 발명이 실시될 수 있는 특정한 바람직한 실시예가 예시되고, 본 명세서의 일부를 형성하는 첨부 도면을 참조하도록 한다. 이러한 실시예는 당업자가 본 발명을 실시할 수 있도록 충분히 상세하게 설명되어 있으며, 본 발명의 범위를 벗어나지 않고 다른 실시예가 이용될 수 있고, 논리적, 기계적 및 전기적인 변형이 이루어질 수 있음이 이해될 것이다. 그러므로, 다음의 상세한 설명은 제한적인 의미로 간주되지 않으며, 본 발명의 범위는 첨부된 특허청구범위에 의해 한정된다.
포토 리소그래피의 사용에 의한 패턴 형성 공정에서, 반도체 웨이퍼 상의 하나의 집적 회로를 패턴하는데 사용되는 부재가 레티클로 명명되고, 전체 웨이퍼를 노광시키기 위한 부재가 마스크로 명명되거나, 오리지날 시트에 대응하는 부재가 레티클로 명명되고, 이와 같은 레티클을 중복시킴으로써 얻어지는 부재가 마스크로 명명되는 것이 통례적이다. 본 발명에서, 이와 같은 다양한 정의에 의해 분류된 다수의 이러한 마스크를 보유하는 장치는 편의상 레티클로 지칭된다. 이미지 및 마스크 패턴이라는 용어는 반도체 웨이퍼 상의 레지스트라고 하는 복사 민감성 재료에 소정 방식으로 복사하도록 복사를 가공하는데 이용되는 레티클 상의 구조를 지칭하는데 사용된다. 반사, 굴절 또는 둘의 조합이 가능하다. 복사는 레지스트를 가공하는데 적당한 전자기 스펙트럼의 임의 범위에서 발생할 수 있다. 복사의 가공은 또한 적당한 간섭 패턴을 얻기 위해 위상 시프트 방법을 포함할 수 있다.
도 1을 참조하면, 다중 이미지 레티클(10)은 일반적으로 평탄하고 내부적으로 뿐만 아니라 실질적으로 표면에 결점이 없고, 소정의 레지스트 노광 파장에서 높은 광 투과 또는 반사가 가능한 투명 기판을 구비한다. 몇몇 종류의 유리가 레티클의 제조에 사용되어 왔는데, 이는 석회 유리, 보로실리케이트 유리, 및 석영을 포함한다. 그러나, 석영은 본 실시예에서 사용된 유리의 종류이다. 레지스트 공정과 양립하는 다른 재료가 허용 가능한데, 특히 노광원의 파장이 180 nm 미만일 때 재료가 양호한 광 투과 특성을 가지는 재료가 허용될 수 있다.
레티클(10)을 연마하고, 세정하며 검사한 후, 직사각형 어레이의 행 및 열로 이격된 다중 집적 회로 마스크 패턴 또는 이미지(112a, 112b, 112c, 112d, 112e, 112f, 112g, 112h 및 112i)를 형성하기 위해 반사 재료에 의해 도포할 준비를 한다. 9개의 이러한 이미지가 도 1에 도시되어 있다. 9개의 이미지는 각 행에서의 각 이미지 사이와 각 열에서의 각 이미지 사이에 실질적으로 동일한 이격을 갖는 3개의 행 및 3개의 열로 배열되어 있다. 레티클 상의 이러한 이미지의 수는 장비가 가리키는 물리적 한계 및 반도체 회로를 형성하기 위한 설계 규칙에 따라 보다 적은 또는 30 이상의 이미지를 포함하도록 변경될 수 있다는 것을 알아야 한다. 이와 같은 이미지의 이격은 설계자에 의해 변경될 수 있지만, 이하 설명될 스테퍼의 제어 변수와 일치하여야 한다. 반사 재료는 제공되는 반사성 및 위상 시프트를 결정하는 굴절률 및 흡수 계수를 가진다. 위상 시프트 반사 포토마스크에서, 보강 간섭 및 소멸 간섭이 소정 표면 상의 높은 해상도의 패턴을 형성하기 위해 양호하게 발생하도록 이미지에 의해 복사가 반사된다. 도 2를 참조하여 설명되는 바와 같이 굴절성 또는 투과성 포토 마스크에서, 반도체 웨이퍼 상의 소정 패턴으로 포토 레지스트를 노광하기 위해 레티클을 통해 복사가 투과된다. 반사 및 굴절 포토마스크, 전자빔 리소그래피, X선 리소그래피 및 이온빔 리소그래피를 포함하여, 많은 종류의 리소그래피 공정에 적당한 이미지를 포함하는 레티클이 또한 본 발명의 범위를 벗어나지 않고 사용될 수 있다.
다수의 정렬 이미지(114, 116, 118 및 120)가 또한 레티클(110)의 주변에 제공될 수 있다. 투영된 이미지가 웨이퍼 상에 이전에 형성된 구조와 적당하게 정렬되도록 웨이퍼 상에 투영된 레티클 및 이미지의 레지스트레이션을 제공하기 위해이와 같은 이미지가 공지된 방식으로 이용된다. 이들 이미지는 레티클의 적당한 정렬 및 이미지의 레지스트레이션을 보장하기 위해 다양한 지점에 위치할 수 있다.
종래 웨이퍼에 소정 증착된 레지스트를 이용하는 공지된 리소그래피 기술을 이용하여 도 2에 210으로 도시된 바와 같이, 레티클(211)에서의 각각의 이미지는 반도체 웨이퍼의 적당하게 준비된 기판 상에 회로를 형성하기 위한 적당한 패턴을 포함한다. 레지스트는 레티클 상에 선택 이미지에 의해 제어된 복사를 이용하여 노광된 다음, 종래 막 성장, 증착, 주입 및 다른 기술을 이용하여 처리되는 노광 영역을 제거하기 위해 처리된다. 다음 레지스트의 나머지 부분이 통상 제거된 다음, 다음 노광 주기 이전에 재증착된다.
램프와 같은 종래의 제어 복사원(2312)은 컨덴서(213)를 통하여 레티클(211)을 통한 다음 종래 개구 블레이드(216, 218, 220 및 222)에 의해 제공된 개구(214)를 통해 먼저 복사를 투사한다. 개구 블레이드는 레티클(211) 상의 단일 소정 이미지로부터 복사를 임의로 한번 통과시키기 위해 필요에 따라 제거할 수 있다. 점선 블럭도 형태로 도시되어 있지만, 개구 블레이드는 도시된 것보다 레티클(211)에 훨씬 더 가깝다는 것을 알 수 있다. 개구를 통과하는 복사는 웨이퍼(210) 상으로 투사 광학계(226)에 의해 초점화된다. 웨이퍼(210)는 조절 방식으로 레지스트의 노광을 제공하기 위해 종래 스테퍼(230)에 결합된다. 웨이퍼(210)는 임의의 크기 및 재료를 갖는 종래 반도체 웨이퍼를 구비한다. 일 실시예에서, 5 및 12 사이의 인치를 갖는 실리콘 웨이퍼가 사용된다.
동일한 많은 회로들이 웨이퍼(210) 상에 형성되기 때문에, 다이라고 하는 개별적인 회로의 각각을 통해 복사를 스텝(step)하는데 스테퍼(230)를 사용한다. 이들이 완전히 형성되면, 각각의 다이를 절단하여 캡슐화함으로서 집적 회로 칩을 형성할 것이다. 스테퍼(230)는, 일단 초기 이미지가 적절히 레지스터되면 다이마다 반복적으로 스텝할 수 있는 극히 정밀한 기구이다. 레티클이 다수의 이미지를 포함하고 있기 때문에, 웨이퍼에 대해 정확하게 위치 정렬되도록 하기 위해 스테퍼의 레티클 홀더에 일단 정밀하게 정렬될 필요가 있다. 다음에, 이는 회로의 다수의 층들을 형성하는데 도움이 되는데 사용된다. 그후, 이동 가능한 개구(214)와 스테퍼(230)를 사용하여 어떤 이미지를 투사할 것인가와 어디에 이미지를 투사할 것인가를 제어한다. 일단 초기에 정렬된 스테퍼에 의해 유지되는 웨이퍼 상에 레티클이 이미지의 레지스트레이션을 형성할 때 레티클 상의 이미지의 공간 이격을 제어하는 것은 쉬운 문제이다. 레티클의 회전을 통한 에러 없이 또는 새로운 마스크를 로드하여 정확하게 레지스트할 필요 없이, 전체의 x 및 y 자유도를 사용하여 타겟을 정확한 이미지 하에 위치시키는 스테퍼의 능력으로 인해 오 레지스트레이션이 감소된다. 레티클 수를 크게 감소시키고 이들을 제조하는데 필요한 비용과 시간을 감소시키기 위해 동일한 방향으로 일관되게 정렬된 직사각형 이미지의 직사각형 이미지를 사용함으로써 레티클 공간을 최적으로 사용한다. 블레이드(214,216,218 및 220)는 정확한 이미지 상에 광이 투사하도록 개구를 전후로 이동시킬 필요가 있다. 레티클의 어떠한 회전도 필요하지 않다. 레티클은 또한 소정의 렌즈(226) 특성을 사용하여 이미지를 위치 정렬시키기 위해 x 및 y 방향으로 이동될 수 있다. 단일 레티클 상에 다수의 이미지를 사용하면, 메모리 어레이, ASIC, 프로세서 및 다른 집적 회로와 같은 복잡한 장치를 제조하는데 필요한 비용을 크게 줄일 수 있다.
다른 실시예에서, 이미지는 도 2의 레티클(211)에 도시된 바와 같이 서로 다른 크기와 형태를 갖는다. 이는 필요에 따라 이미지를 배치를 가능하게 함으로써 레티클 상의 공간을 최적으로 사용하는 것을 가능하게 한다. 이미지의 형태가 흔히 직사각형이기 때문에, 그 에지는 그들 간의 작은 공간과 잘 정렬한다. 이는 서로 다른 이미지를 사용하는 레티클의 회전을 필요로 하는 종래의 방법과 크게 구별되는 것이다. 각각의 이와 같은 이미지는 파이 형태 내에 끼워져야 하는데, 이는 반드시 레티클 공간의 불충분한 이용을 초래한다. 파이 형태 내에 끼우기 위해서는 레티클의 중심으로부터 보다 큰 이미지가 더 위치되야만 한다. 이들은 정확하게 회전될 때 형성되는 회로와 여전히 정렬하여야만 한다.
하나의 실시예에서, 본 발명의 레티클 상의 각각의 이미지는 회로 또는 구조의 하나의 레벨을 형성하는데 도움을 주는데 사용된다. 최대 9개의 서로 다른 레벨들이 도 1에 도시된 레티클을 사용하여 형성될 수 있다. 보다 많은 이미지가 레티클 상에 놓임으로써, 보다 많은 레벨들이 형성될 수 있다. 각 레티클의 비용이 회로를 제조하는 비용의 큰 부분일 수 있기 때문에, 이는 회로를 형성하는 비용을 크게 줄인다. 일부 회로는 그 형성에 서로 다른 20개 이상의 레벨을 필요로 할 수 있다. 필요한 레티클의 수를 크게 줄임으로써, 비용을 크게 줄일 수 있다. 많은 수의 레티클은 또한 각 레티클을 형성하는데 많은 시간을 요할 수 있다. 레티클 수의 이와 같은 감소는 시간을 크게 감소시킨다.
본 발명의 또 다른 이점은, 레지스트를 처리하게 전에 다수의 노광을 수행하는 능력이다. 이는 위상 쉬프트에 근거하여 리소그래피를 사용하는 실시예에 극히 유용하다. 이와 같은 실시예에서, 레지스트의 소정의 노광을 달성하기 위해 제어되는 간섭 패턴을 이용하기 위해, 각각의 다수의 층 이미지에 의해 복사가 반사된다. 레티클 상의 이미지의 에지에 대응하는 노광된 레지스트의 경계 부근에, 수용된 노광은 거의 제로일 수 있다. 이는 "인쇄되는" 바람직하지 않은 라인을 초래할 수 있다. 이와 같은 바람직하지 않은 라인의 인쇄를 방지하기 위해, 첫번째에 인접하거나 레티클 어느 곳에 위치되는 레티클 상의 두번째 이미지를 첫번째 노광 위에 두번째 패턴을 노광시키도록 정렬하여, 레지스트의 처리 이전의 이와 같은 라인을 제거한다. 어떠한 부수적인 정렬 에러도 유발되지 않기 때문에, 이전의 노광과의 뛰어난 레지스트레이션이 얻어진다. 필요에 따라 레지스트를 처리하기 이전에 부수적인 이미지가 또한 정렬되어 노광될 수 있다. 도 3은 6개의 레벨을 형성하는 9개의 이미지 레티클을 사용하여 다수의 노광을 사용하는 것을 도시한다. 첫번째 레벨은 레지스트의 처리 이전에 첫번째 및 두번째 이미지 모두를 사용하여 노광된다. 두번째 레벨은 레지스트를 처리하기 이전에 세번째 및 네번째 이미지를 사용하여 노광된다. 세번째 및 네번째 레벨은 레지스트가 매번 처리됨에 따라 각각 다섯번째와 여섯번째 이미지를 사용하여 노광된다. 다섯번째 레벨은 또한 레지스트 처리 이전에 두개의 이미지, 즉 일곱번째와 여덟번째 이미지에 노광되는 한편, 여섯번째 레벨은 아홉번째 이미지를 사용하여서만 노광된다.
비록 본 발명이 특정 실시예를 참조하여 서술되었지만, 기술분야의 숙련자는 다른 실시예가 본 발명과 함께 사용될 수 있다는 것을 알 것이다. 레티클당 이미지의 수, 및 그 형태와 공간은 본 발명의 범위를 벗어나지 않고 변경될 수 있다. 또한, 적합한 레지스트에 의해 다른 횟수의 복사가 사용될 수 있다.

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  21. 다수의 집적 회로 마스크 패턴을 구비하는 다중 레벨 레티클로서,
    상기 패턴들이 상기 레티클 상의 개별적인 영역에 위치되며,
    상기 레티클이 이미지의 형성을 위해 초점 장치를 통해 기판 상으로 마스크 패턴을 투사하도록 하여, 상기 레티클 상의 패턴들 중 하나의 패턴으로부터의 복사의 반사가 스테퍼 장치에 수용되어,
    상기 기판, 상기 초점 장치 및 상기 레티클 중 적어도 하나는 상기 마스크 패턴들의 각각이 상기 이미지에 맞추어 상기 기판 상에 투사될 수 있도록 서로에 대해 이동되고,
    상기 패턴들은 서로 실질적으로 동일한 배향으로 상기 레티클 상에 위치되는 것
    을 특징으로 하는 다중 레벨 레티클.
  22. 제21항에 있어서,
    상기 다수의 이격된 마스크 패턴들은 행과 열로 정렬된 실질적으로 직사각형인 패턴을 포함하는 다중 레벨 레티클.
  23. 제21항에 있어서,
    상기 마스크 패턴들은 각 행 내의 각각의 마스크 패턴과 각 열 내의 각각의 마스크 패턴 간에 실질적으로 균일한 이격을 갖는 3개 행과 3개 열로 정렬된 9개의 마스크 패턴들을 포함하는 것을 특징으로 하는 다중 레벨 레티클.
  24. 제21항에 있어서,
    상기 각각의 마스크 패턴은 상기 웨이퍼 상에 형성되는 서로 다른 레벨의 회로에 대응하는 것을 특징으로 하는 다중 레벨 레티클.
  25. 제21항에 있어서,
    상기 마스크 패턴들 중 적어도 두 개는 상기 웨이퍼 상에 형성되는 하나의 회로 레벨에 대응하는 것을 특징으로 하는 다중 레벨 레티클.
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