TW434678B - Multiple image reticle for forming layers - Google Patents

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434β 7 8 Α7 Β7 五、發明說明（1 ) 本發明之技術領域 本發明係廣泛地有關於使用在晶圓上之積體電路及結 構之形成的光學蝕印技術。特別地是，本發明係有關於具 有複數曝光佈局圖案的網線及其使用。 本發明之背景 蝕印方法使用複數影像或光罩，將佈局圖案曝光於一 半導體晶圓上之一光阻層，而形成諸如處理器、特定用途 積體電路（ASICS)以及動態隨機存取記憶體（DRAM) 等積體電路與結構。由於製造需求要求具有愈來愈小尺寸 之佈局圖案的曝光，所以使用能允許現今光學蝕印製程績 效提昇的技術就變得必要。光學蝕印、薄膜成長、沈積以 及雜質植入等複數個連續步驟，將產生完整積體電路及許 多相同之複製品於同一晶圓上。每個複製品皆爲所熟知的 晶粒(die)。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 (請先閱讀背面之注意事項再填冩本頁) 線. 由於積體電路在尺寸上已經變得越來越小，所以光學 倉虫印製程在對齊技術及解析度方面有更複雜的要求。目前 ，光學蝕印製程使用一稱爲步進機（stepper)的儀器，其依 據包含有影像或光罩之網線上的對齊記號作移動並對齊’ 以使得所欲之晶圓上的佈局圖案係依據該影像而曝光。該 網線包括有一個或多個影像，其中該影像可稱爲層（level) ’因爲各影像係用以彤成晶圓上的一層。所欲波長之光線 若非直接穿透由網線所選擇之影像即爲其所反射，以將基 板曝光。相位移（phase shifting)方法與電子束、X射線 3 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4^·格⑵〇 χ 29厂^〕 A7 B7 五、發明說明（y) 以及離子束亦可被用以刻劃晶圓。 起初，各網線僅含有一個影像，以形成一層。基於要 求形成更小之影像線路所需的精確條件，而使得網線的製 作越來越貴。同時，複雜化的積體電路要求越來越多層， 因而要求大量的網線以形成該諸層。要求龄成電路的網線 之成本變得越來越大。此趨勢將因晶片密度不斷增加而繼 續。 一個已被提出之該問題的解決方法，係說明於標題爲“ 複數影像網線”(Mum-Image Reticle)的 U.S,專利 No.4,758,863中。複數影像係形成於一個網線上，其次該 網線被旋轉，以使形成晶圓上之積體電路的各層用不同影 像將晶圓曝光。雖然提出的解決方法將減少不斷更換網線 的需要，惟其仍會將誤差導入影像對齊過程中。首先，各 影像必須相對於網線上之各影像，以不同角度適當地放置 。此舉將導致旋轉對齊誤差。當網線未被完全地置中時， 誤差亦將產生。光罩的旋轉則將產生徑向對齊誤差。此外 ，光罩支架的旋轉角度將產生更進一步的旋轉對齊誤差。 .這些誤差將使基於透過顯微鏡與其他自動對齊系統之對齊 影像，更難以適當地對齊各網線。爲克服旋轉誤差，需要 較僅X及Y方向移動之進一步的自由度。 另外一個有關該解決方法的問題爲其將留下許多未使 用的空間於光罩上。最多四個影像可出現於一個網線上。 其將會有浪費的空間以及大約四個可使用之正方形影像的 實際限制。若使用的正方形影像多於四個時，其必須置於 4 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210x 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁> -1)^---------訂.-----I--線· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 經濟部智慧財產局員工消費合作杜印製 Α7 Β7 五、發明說明（今） 更遠離網線中心處，以置於一片網線中。此舉將更進一步 浪費網線上的空間。 需要減少網線上複數影像的使用所固有的對齊誤差’ 且進一步需要增加影像數目並因而減少網線成本。 本發明之槪要 一複數影像網線，包括有排列於一單獨網線上可控制 間隙的列與行之矩陣中之間隔諸影像或諸光罩佈局圖案的 二維陣列。諸影像係一致地對齊於相同方向’以使得曝光 一晶圓上之諸層時網線不需做旋轉。該晶圓係置於一步進 機上，其可控制將晶圚置於所欲之光罩影像下’以將晶圓 上的光阻曝光。在一實施例中，可控制x與γ之不透明遮 片或快門係用以界定一可移動的孔徑’以允許曝光僅透過 網線上一選擇的影像。在另一實施例中，一聚焦裝置係被 移動，以控制該使用之影像。藉由控制使用之影像’並經 由步進機精確地放置晶圓，精確地以及重複地整齊排列複 數影像，使得形成於晶圓上之電路與其他結構的尺寸上獲 得改善。 在一實施例中，該影像係設計用於相位移反射和/或 折射光罩。在此實施例中’輻射的光線爲各複數層影像所 反射，以利用可控制的干涉佈局圖案而獲致所欲之光阻曝 光。在對應於網線上影像邊緣之接近曝光光阻邊界處，所 接收到的曝光量可能接近於零。此舉將產生所不欲之“印刷 ，，的線路。爲避免所不欲之導線印刷，若非鄰近於第一個影 本纸張尺度適用令國國家標準（CNS)A4規格（210x297公楚） _ 1 ----^---J 訂---------線'? · (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 4341?! A7 ----------- B7 五、發明說明（w) 像便爲置於網線上之任何其他位置的第二個影像，以將第 二佈局圖案曝光於第一曝光上，而於光阻加工前將線路移 除。因爲並無額外的對齊誤差產生，所以可獲致先前曝光 之優質對齊。若有需要的話，進一步的影像亦可在光阻加 工前被對齊並曝光。 因爲有九個或更多個影像置於相同的網線上，而減少 網線成本。因步進機使用全面性X與Y自由度，而無網線 旋轉或必須裝載並精確地對齊於一新光罩時所產生的誤差 ’而能將標的物置於正確影像下方，減少錯誤對齊。使用 最佳化佈局之複數尺寸矩形影像陣列，而使網線空間之使 用最佳化，其將大量減少網線數目以及用以製造其之成本 與時間。此舉將可對於諸如記憶體陣列、ASICs、處理器 以及其他積體電路等複雜裝置之製造，節省大幅的成本。 對於將光阻加工以剝離所欲區域前所使用的複數曝光 ’本發明特別有用。因爲層之間隔係被嚴密地控制，且不 需要新光罩之裝卸，所以二次曝光的排列係極一致。可使 用許多不同开乡式的飽印，所指出的一些包括有使用若非反 射式即爲折射式光罩的光學蝕印、電子束蝕印、X射線蝕 印以及離子束蝕印。 圖式之簡要說明 圖1爲一複數影像網線之實施例的平面圖。 圖2爲舉例說明複數網線之使用的分解區塊圖。 圖3爲用以形成半導體晶圓上各層之圖1網線上影像 6 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210x 297公釐） ---------------.,.裝----^---J 訂-----I--* 辣 (請先閱讀背面之注音心事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 43467i A7 ---- B7 五、發明說明（V ) 的表列。 本發明之細節說明 在下列較佳實施例之細節說明中，將以附圖作爲參考 ，而作爲舉例之本發明將實行於其中的特殊較佳實施例將 圖示於其中。這些實施例將相當詳細地說明，以使得熟習 本技藝之人士能夠執行本發明，並且在不違背本發明之範 疇下，其他實施例可使用邏輯、機械以及電器上的改變係 可瞭解的。因此，下列的細節說明並非被理解爲限制的意 味，且本發明之範疇係所附之申請專利範圍所定義。 在使用光學蝕印而胗成一佈局圖案的製程中，一個用 以在半導體晶圓上刻劃一積體電路的元件，習慣上稱爲網 線（reticle)，而用以將整個晶圚曝光的元件則稱爲光罩 (mask);或者說，對應於一原始片(original sheet)的元件稱 爲網線，而藉由複製該網線而得的元件則稱爲光罩。在本 發明中，用以握持複數個依據該不同定義所分類之光罩及 網線的裝置，爲了方便統稱爲網線。.擊像及光罩佈局圖案 .等詞彙，則意指網線上之一結構，其用以變更光線輻射， 以將位於半導體晶圚上稱爲光阻的光輻射敏感材料以所欲 之方式變更。其亦可藉由反射、折射或結合二者而達成。 該光線輻射可位於任何適用於變更光阻的電磁譜範圍中。 該光線輻射之變更亦包括有相位移方法，以得到適當的干 涉圖案。 參考圖1，一複數影像網線10包括有一透明基板，其 7 本紙張尺度適用令國國家螵準（CNS)A4規格（210x 297公釐） ΐ —ί I *---------訂----111 —線、 (請先間讀背面之沒意事項再填寓本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 434678 A7 _-______Β7____ 五、發明說明（b) 通常爲平坦的，且基本上無缺陷於表面和內部，以及在所 欲之光阻曝光波長下必須有高透光性或反射性。數種形式 的玻璃已用於製作網線，包括：鈣鈉玻璃、硼矽玻璃以及 石英。然而，石英爲使用於本實施例中的一種玻璃。其他 與光阻製程相容的材料亦爲可接受，特別是在曝光光源波 長小於18〇nm時具有優良的透光性質的材料。 在網線10經過硏磨、淸洗以及檢查後，其已準備好被 反射性材料所披覆，而形成列行間隔之長方形陣列的複數 積體電路光罩佈局圖案或影像112a、112b、112c、112d、 112e、112f、112g、112h以及112i。其有九個影像示於圖 1中。該九個影像以三個橫列以及三個縱行而排列，該九 個影像具有實質相等的間距，介於各橫列中的影像之間與 各縱行中的影像之間。應注意：網線上之該影像的數目， 可依據形成半導體電路之設備及設計準則之物理上的限制 而改變，以包含較少的影像或三十個或更多的影像。該影 像的間距亦可爲設計者所改變，但仍須符合下述步進機之 控制參數。該反射性材料具有決定其所提供之反射性以及 相位移的繞射指數與吸收係數=在相位移反射性光罩中， 輻射之光線係爲影像所反射，以使得建設性以及破壞性干 涉發生，而於所欲之表面上形成一高度解析的佈局圖案。 參考圖2所說明的折射性或穿透性光罩中，輻射之光線穿 透網線，將半導體晶圓上的光阻曝光成所欲之佈局圖案。 應注意：包含適用於包括使用反射性與折射性光罩的光學 蝕印、電子束蝕印、X射線蝕印以及離子束蝕印等多種蝕 8 ^] 1 *------------訂--------線 ί- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)AJ規格m〇 X 297公釐） 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 434678 A7 B7 五、發明說明（1 ) 印製程的影像之網線，亦可使用而不偏離本發明之範疇。 複數個對齊影像H4、116、11S以及120亦提供於網 線110的四周。這些影像以所熟知之方法而將網線與投射 在晶圓上的影像對齊，以使得所投射之影像與先前形成於 晶圓上的結構適當地對齊。它們可以放置於不同的位置， 以確保網線之適當對齊與影像套準。 在網線211中的各影像包括適當佈局圖案，以形成電 路於如圖2之210所示之適當製備之半導體晶圓基板上， 基板乃採用所熟知之依所欲施加於晶圓之光阻的蝕印技術 。該光阻使用所選擇之網線上的影像以控制的輻射光線而 曝光，其次該光阻被加工，以將該經過使用傳統式之薄膜 成長、沈積、植入與其他技術加工將被曝光區域移除。然 後，所殘留的光阻通常被移除，並於隨後之下次曝光循環 前再次被塗覆。 一諸如燈等傳統可控制輻射源212選擇性地投射光線 ，首先穿過聚光器213，穿過網線211，並於隨後穿過由傳 統式的孔徑遮片216、218、220與222所提供的孔徑214 。該孔徑遮片可被隨意地移動，以使來自網線211上單一 所欲影像的輻射光線可在任一時刻通過。雖然其係以分解 區塊圖的彤式而圖示，惟應了解遮片較所示更接近網線 211。穿過孔徑的輻射光線爲投影光學鏡片226聚焦到晶圓 210上。晶圓210係與傳統式步進機230結合，以用可控 制之方式提供光阻曝光。晶圓210包括任何尺寸與材料的 傳統式半導體晶圓。在一實施例中，使用介於5至12吋的 9 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210x297公爱） r .-------*----訂---------線 .,r..· ί請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 434678 A7 _______ B7 五、發明說明（2 ) 矽晶圓。 由於許多相同的電路形成於晶圓210上，所以步進機 230用以將輻射佈局圖案步進式移動各個稱爲晶粒的分開 的電路。當其完全形成時，各晶粒將被切割並包封，以形 成積體電路晶片。步進機230爲極精密之裝置，一旦啓始 的影像被適當地對齊後，步進機可在晶粒間重複地步進。 因爲網線包含複數個影像，所以其僅需在步進機的網線支 架中精確地對齊一次，以相對於晶圓精確地放置。其將於 隨後用以協助形成複數個電路層=其後，可移動孔徑214 與步進機230用以控制所該投射的影像以及所該投射的位 置。製作網線以確保晶圓上之影像對齊爲一旦啓始對齊的 步進機所維持時，控制網線上之影像間距乃爲極容易的事 。因步進機使用全面性X與Y自由度，而無網線旋轉或必 須裝載並精確地對齊一新光罩時所產生的誤差，而能將標 的物置於正確影像下方，減少錯誤對齊。網線空間之最佳 化使用，係由一致對齊於相同方向之長方形影像的長方彤 陣列的使用，其允許網線數目以及因而需要用以製造之成 本與時間大量減少。遮片214、216、218以及210僅需前 後移動而移動孔徑，以允許光線投射於正確的影像上。網 線無須做旋轉。網線亦可於X與Y方向上移動，以將影像 定位而利用所欲之透鏡226的特性。單一網線上之複數影 像的使用，在關於諸如記憶體陣列、ASIC、處理器或其他 積體電路等複雜裝置的製造上，可明顯地節省成本。 在另一實施例中，如圖2所示之網線211中的影像 10 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（2H) X 297公釐） (請先間讀背面之注意事項再填寫本頁) Λ}裝 訂----- 經濟部智慧財產局員工消t合作社印製 A7 434678 ____ B7__ 五、發明說明（） 將可爲不同的尺寸與形狀。此舉將可允許如所欲之影像放 置，而有網線上空間的最佳化使用。因爲影像通常爲長方 形，所以其邊界排列很好，影像間空隙微小。此舉與需做 網線旋轉以使用不同影像之習知技術顯著不同。其各影像 必須剛好可置入派形（pie shape)中，其將先天地導致無效 率的網線空間使用。較大的影像必須被置於離網線中心較 遠處，以使其剛好可置入派形中。當正確旋轉時，其仍須 與欲形成的電路排列好。 在一實施例中，本發明網線上的各影像係用以協助形 成一層的電路或結構。多達九個不同層可使用圖1所示之 網線形成之。在網線上具有更多的影像時，可形成更多層 '此舉將提供形成電路之成本大幅節省，因爲各網線的成 本係製造電路成本的一個重要部份。部份電路可能要求形 成超過20個不同層。藉由大幅減少所需的網線數目，可獲 致大幅的成本節約。形成各網線將花費顯著的時間。網線 數目的減少因而可節省大量的時間。 本發明另一個益處係在處理光阻前能執行複數曝光。 此舉在使用相位移蝕印的實施例中係非常有用。在該實施 例中’輻射光線爲各複數層影像所反射，以利用可控制之 干涉佈局圖案而獲致所欲之光阻曝光。在對應於網線上影 像邊緣之接近曝光光阻邊界處，所接收到的曝光量將接近 於零。此舉將產生所不欲“E卩刷”的線路。爲避免該所不欲 之導線印刷，一若非爲鄰近於第一個影像便爲置於網線上 任何其他位置的第二個影像，放置以將第二佈局圖案曝光 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公t ) . ;-}'裳---------—訂---------線·~ (請先閱讀背面之注音？事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 4340783 五、發明說明（p ) 於第一層曝光上，而於光阻加工前將線路移除。因爲並無 額外的對齊誤差產生，所以可獲致先前曝光之優質對齊。 若有需要的話’其餘的影像亦可在光阻加工前被對齊並曝 光。圖3舉例說明使用九個影像網線以形成六層之複數曝 光。其第一層係於光阻加工前使用第一個以及第二個影像 來曝光。第二層係於光阻加工前使用第三個以及第四個影 像而曝光。第三層以及第四層係各使用第五個以及第六個 影像來曝光’而光阻每次都被加工。第五層於光阻加工前 亦爲二個影像，第七個以及第八個，所曝光；而第六層係 僅使用第九個影像曝光。 雖然本發明已以有關的特殊實施例做說明，但是其他 的實施例亦可以本發明使用，係爲熟習本技藝之人士所瞭 解的。每個網線的影像數目以及其形狀與間距可在不違背 本發明之範疇下被改變。此外，不同頻率的輻射光線亦可 爲適當的光阻所使用。 . Γ--表----t----訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員X消費合作社印製 12 本紙诋尺哎過用中國國家標準（CNS)A4規格（21〇 x 297公釐

Claims (1)

1. 4340 7 g a 89t.:.乇 nr* Q _g! —ϋ_· 六、申請專利範圍 1. 一種用以將晶圓以所欲之佈局圖案可控制地曝光之 網線，包括有： 一基板； 複數個間隔之獨立影像，其設置於基板上，而實質一 致地對齊於相同方向。 2. 如申請專利範圍第1項的網線，其中該複數個間隔 的影像包括有排列於橫列以及縱行之實質矩形的影像。 3. 如申請專利範圍第2項的網線，其中該影像係被排 列於橫列以及縱行。 4. 如申請專利範圍第2項的網線，其中各影像對應於 要彫成在晶圓上之不同電路層。 5. 如申請專利範圍第2項的網線，其中至少二個影像 對應於一個要形成於晶圓上之電路層。 6. —種形成複數層電路於一半導體晶圓上的方法，包 括的步驟有： 將一複數影像網線對齊； 將光線投射於網線的第一個影像； =透過第一個影像來變更輻射光線； 將一孔徑置於光源與晶圓之間，以使來自於所選擇之 影像的光線通過； . 將輻射光線聚焦於晶圓上所選擇的部份； 在不旋轉網線的情況下，重複放置、投射、變更以及 聚焦等步驟，以施加複數影像網線上之其他影像。 7. 如申請專利範圍第6項之方法，其中該晶圓曝光於 I 本紙張尺度適用_國國家標準（CNS ) Α4規格（210X 297公釐） (請先Η讀背面之注意事項再填寫本頁) 丁 經滴部智慧財產局員工消費合作社印製 8 8 8 8 ABCD 六、申請專利範圍 輻射光線前先披覆以一光阻。 8. 如申請專利範圍第7項之方法，其中該光阻在各曝 光後被處理。 9. 如申請專利範圍第8項之方法，其中一電路層於光 阻處理後形成。 10. 如申請專利範圍第9項之方法，其中殘留之光阻在 電路層形成後被移除。 11. 如申請專利範圍第10項之方法，其中另一層光阻 於殘留光阻被移除後形成於晶圓上。 12. 如申請專利範圍第11項之方法，其中該光阻包括 光敏光阻。 13. —種用以形成電路於半導體晶圓上之方法，包括的 步驟有： 將晶圓披覆以光照敏感性光阻； 將一複數影像網線對齊； 將光線投射於網線之第一個影像上； 透過第一個影像來變更光線輻射； 將輻射之光線聚焦於晶圓上所選擇的部份； 將輻射之光線投射於網線的第二個影像i; 透過第二個影像來變更光線輻射； 將輻射光線聚焦於晶圓上，至少部份地與所選擇的部 份重疊，以及 在以第一個以及第二個影像改變之光線韓射之晶圓曝 光之後，處理該光阻。 2 --- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本Ϊ ) 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙浪又度逋用中國國家標準（CNS ) A4规格（210X297公釐} 4 3 467S AJ CS D8 六、申請專利範圍 14. 一種用以在積體電路製造中將半導體晶圓成像之製 程，該製程包括的步驟有： 提供包括有複數個積體電路光罩佈局圖案之單一複數 層網線，其中該光罩佈局圖案係置於該網線上分開的區域 j 提供i步進機裝置，其將適以容納複數層網線，並進 一步可控制地將光線投射於所選擇之佈局圖案上； 將網線置入步進機裝置； 將網線對齊； 將光線投射於某一佈局圖案，而將晶圓以第一個佈局 圖案曝光； 將與步進機連結的孔徑以及網線其中至少之一者，僅 在X與γ方向作移動； 藉由網線以及孔徑之相對位置的控制，將光線投射於 男一個不问的佈局圖案上’而將晶圓以與第一個佈局圖案 對齊的第二個佈局圖案來曝光；以及 在至少一些曝光之間使用成長技術，以在晶圓上產生 所欲之積體電路。 15. —種適用於在半導體晶圓基板上形成複數層影像之 光學蝕印系統的網線，該網線包括： 置於網線上分隔區域之複數個可區分的光罩佈局圖案 ，其中該佈局圖案皆一致地以相同的方向對齊，以提供基 板上之影像對齊。 16. 如申請專利範圍第IS相之網線，其中複數個分隔 ___3_ 本紙浪尺度適用中國國家襟华（CNS ) A4規格（21〇ϋ97公釐} " (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智惩財產局員工消費合作社印製 434678 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 的光罩佈局圖案包括有排列於橫列以及縱行的實質矩形佈 局圖案。 如申請專利範圍第16項之網線，其中諸光罩佈局 圖案係排列於橫列與縱行，並且各光罩佈局圖案在各橫列 之間具有實質相等的間隔，以及各光罩佈局圖案在各縱行 之間具有實質相等的間隔。 18.如申請專利範圍第16項之網線，其中各光罩佈局 圖案對應於不同層次之要形成於晶圓上的電路。 如申請專利範圍第16項之網線，其中至少有二個 光罩佈局圖案對應於要形成於晶圓上之電路的一層；以及 該光罩佈局圖案每個對應於要形成於基板上之電路的 不同層。 20. —種包括複數個積體電路光罩佈局圖案的複數層網 線’其中該佈局圖案係置於該網線上分隔區域，其中該網 線係適用於被步進機設備所容納，以使得穿過網線上諸佈 局圖案之一的光線將光罩佈局圖案投射於基板上以形成影 像，其中基板與網線其中至少一者可以一種方法相對於彼 此做X與Y方向的移動，而使得各光罩佈局圖案可與影像 對齊地被投射於基板上，其中該佈局圖案係實質等向地置 於橫列與縱行的陣列中。 21. —種包括複數個積體電路光罩佈局圖案的複數層網 線，其中該佈局圖案係置於該網線上分隔區域，其中該網 線係適用於被步進機設備所容納，以使得來自網線上之某 一佈局圖案之輻射光線做反射，而透過一聚焦裝置將光罩 4 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ,訂. - 經濟部智慧財產局員工消f合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） A8CD 434S1I 六、申請專利範圍 佈局圖案投射於基板上以形成影像，其中基板、聚焦裝置 以及網線其中至少一者可以一種方法相對於彼此做移動， 而使得每個光罩佈局圖案可與影像對齊地投射於基板上， 以及其中諸佈局圖案係以各佈局圖案皆實質等向地置於網 線上。 22, 如申請專利範圍第21項之網線，其中複數個分隔 的光罩佈局圖案包括有排列於橫列與縱行之實質矩形佈局 圖案。 23. 如申請專利範圍第h項之網線，其中該光罩佈局 圖案包括有9個排列於三橫列與三直排的光罩佈局圖案， 其在各橫列的各光罩佈局圖案之間具有實質相等的間隔， 且各直排的各光罩佈局圖案之間具有實質相等的間隔。 如申請專利範圍第21項之網線，其中各光罩佈局 圖案對應於要形成於晶圓上之電路的不同層。 25.如申請專利範圍第21項之網線，其中至少二個光 罩佈局圖案對應於要形成於晶圓上之電路的一層。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本買) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 5 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X29?公釐）