KR100871788B1 - 포토리소그래피 장치 및 방법 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (10)
- 선형편광 필터와,상기 선형편광 필터와 이격 되어 위치하며 패턴이 형성된 마스크와,상기 마스크에 형성된 특정 패턴 영역에 대해 상기 특정 패턴 영역의 하부에 위치하여 노광량을 감소시키는 선편광층이 포함되는 것을 특징으로 하는 포토리소그래피 장치.
- 제 1항에 있어서,상기 선형편광 필터는 노광기의 최종 노광단 앞쪽에 위치하며 상기 노광기에서 노광되는 빛을 편광상태로 상기 마스크에 입사시키도록 하는 것을 특징으로 하는 포토리소그래피 장치.
- 제 1항에 있어서,상기 패턴은 상기 마스크를 통과하는 광에 의해 포토레지스트가 모두 제거되도록 하는 영역과, 포토레지스트가 표면으로부터 일부분이 제거되도록 하는 영역으로 나뉘어 짐을 특징으로 하는 포토리소그래피 장치.
- 제 1항 또는 제 3항에 있어서,상기 마스크에 형성된 특정 패턴 영역은 상기 마스크를 통과하는 광에 의해 상기 포토레지스트가 표면으로부터 일부분이 제거되도록 하는 영역임을 특징으로 하는 포토리소그래피 장치.
- 제 1항 또는 제 3항에 있어서,상기 포토레지스트가 표면으로부터 일부분이 제거되는 것은 상기 선형편광 필터에 의해 선편광된 광의 광축과 상기 선편광층을 투과하는 광의 광축이 이루는 각의 차이에 의해 노광량이 감소하여 이루어짐을 특징으로 하는 포토리소그래피 장치.
- 제 1항에 있어서,상기 선편광층은 상기 마스크 하부에 밀착되어 있음을 특징으로 하는 포토리소그래피 장치.
- 노광된 광이 선형편광 필터를 통과하여 편광상태로 변환되는 단계와,상기 편광상태로 변환된 광이 패턴이 형성된 마스크로 입사되는 단계와,상기 마스크의 특정 패턴 영역에 입사되는 광이 선편광되는 단계와,상기 마스크의 특정 패턴 영역의 하부에 구비된 선편광층에 의해 노광량이 감소되어 기판상에 위치한 포토레지스트의 두께가 다르게 형성되는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 포토리소그래피 방법.
- 제 7항에 있어서,상기 패턴은 상기 마스크를 통과하는 광에 의해 포토레지스트가 모두 제거되도록 하는 영역과, 포토레지스트가 표면으로부터 일부분이 제거되도록 하는 영역으로 나뉘어 짐을 특징으로 하는 포토리소그래피 방법.
- 제 7항 또는 제 8항에 있어서,상기 마스크의 특정 패턴 영역은 상기 마스크를 통과하는 광에 의해 상기 포토레지스트가 표면으로부터 일부분이 제거되도록 하는 영역임을 특징으로 하는 포토리소그래피 방법.
- 제 7항 또는 제 8항에 있어서,상기 포토레지스트가 표면으로부터 일부분이 제거되는 것은 상기 선형편광 필터에 의해 선편광된 광의 광축과 상기 마스크 하부에 밀착되어 형성된 선편광층을 투과하는 광의 광축이 이루는 각의 차이에 의해 상기 특정패턴 영역에 노광되는 노광량이 감소하여 이루어짐을 특징으로 하는 포토리소그래피 방법.
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US8367281B2 (en) | 2009-12-04 | 2013-02-05 | Samsung Display Co., Ltd. | Method of exposing substrate, apparatus for performing the same, and method of manufacturing display substrate using the same |
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KR19980082225A (ko) * | 1997-05-02 | 1998-12-05 | 김영환 | 반도체 소자의 미세패턴 형성방법 |
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