JP2010287562A

JP2010287562A - 表示装置

Info

Publication number: JP2010287562A
Application number: JP2010052026A
Authority: JP
Inventors: Koichi Fukuda; 浩一福田; Tamayoshi Kurashima; 玲伊倉島; Hideo Mori; 秀雄森
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 2009-05-13
Filing date: 2010-03-09
Publication date: 2010-12-24
Also published as: US20100289038A1; US8482194B2

Abstract

【課題】光取り出し効率が高く、外光反射の抑制機能が良好な表示装置を提供する。
【解決手段】赤色を発光する発光素子と、緑色を発光する発光素子と、青色を発光する発光素子を有し、各発光素子の光取り出し側に円偏光板４０があり、発光層で発生し基板の面内方向に導波する光を発光素子の光取り出し側から取り出す周期構造３０が各発光素子に配置され、各発光素子の周期構造３０の周期は同じであり、周期構造３０の周期が、２００ｎｍより大きく、３８０ｎｍ以下である。
【選択図】図４

Description

本発明は表示装置に関するもので、光取り出し効率を向上させ、かつ、明所コントラストを良好にするものに関する。

有機ＥＬ素子（発光素子）は、薄膜で自発光を特徴としており、新方式のフラットパネルディスプレイとして応用されている。有機ＥＬ素子は、陰極と陽極から成る一対の電極と、この一対の電極の間に形成される有機化合物層とから構成されている。有機ＥＬ素子の発光は、陰極から電子、陽極からホールを有機化合物層に注入し、有機化合物層中の発光層で励起子を生成させ、この励起子によって発光層内の分子が励起状態にされ、分子が励起状態から基底状態にもどる際に光が放出される原理を利用している。発光層は、蛍光性有機化合物もしくは燐光性有機化合物、量子ドットなどの発光性材料からなる。

有機ＥＬ素子の屋外での視認性を良くするために、明所コントラストを高めることが重要である。明所コントラストを高めるための一つの要素は、外光反射を抑制することであり、有機ＥＬ素子の光取り出し側に円偏光板を配置することが提案されている。また、もう一つの要素は、発光効率を向上して最大発光輝度を大きくすることである。特許文献１では、素子内部に発光した光が閉じ込められることを抑制して発光効率を向上させるために、有機化合物層の上部や下部（光取り出し側やその反対側）に周期構造（回折格子）を配置する有機ＥＬ素子が開示されている。

特開平１１−２８３７５１号公報

しかしながら、この２つの要素を組み合せた構成、つまり円偏光板を配置した有機ＥＬ素子に周期構造を設ける構成の場合、周期構造が素子内部に侵入した外光の円偏光状態を乱すために、円偏光板による外光反射の抑制機能が低下してしまうという課題がある。

なお、このような問題は有機ＥＬ素子に限らず、円偏光板と回折格子のような周期構造を有する発光素子においても問題となる。

本発明は、上記課題に鑑み、光取り出し効率が高く、外光反射の抑制機能が良好な表示装置を提供することを目的とする。

よって本発明の発光素子は、基板の上に、第１電極と、光取り出し側にある第２電極と、前記第１電極と前記第２電極の間にある発光層と、前記発光層で発生した光を前記光取り出し側から取り出すための周期構造と、前記光取り出し側に設けられる円偏光板と、を有する発光素子を複数有し、前記複数の発光素子は、赤色を発光する発光素子と、緑色を発光する発光素子と、青色を発光する発光素子を有し、前記周期構造の周期が、各発光素子で同じであり、前記周期構造の周期は、２００ｎｍより大きく、３８０ｎｍ以下であることを特徴とする。

本発明によれば、光取り出し効率が高く、外光反射の抑制機能が良好な表示装置を提供することが可能となる。

（ａ）本発明の表示装置に用いる発光素子の断面概略図、（ｂ）本発明の表示装置に用いる発光素子の平面概略図（ａ）周期構造により円偏光板の外光反射の抑制機能が低下してしまう場合の模式図、（ｂ）周期構造により円偏光板の外光反射の抑制機能が維持される場合の模式図本発明の表示装置に用いる他の発光素子の断面概略図本発明の表示装置の断面概略図

以下、本発明の原理を構成例に基づいて説明する。本発明では、発光素子の光取り出し効率を向上するために、周期構造が形成され、また、外光反射を抑制するために素子の光取り出し側に円偏光板が配置される。周期構造は、発光層で発生し基板の面内方向に導波する光を発光素子の外に取り出す構造のことである。さらに、周期構造の周期が、発光素子の発光層の屈折率ｎに対して、３８０／（ｎ＋１）ｎｍより大きく、３８０ｎｍ以下であるように構成される。

以下、本発明の発光素子として、有機ＥＬ素子を例示して説明するが、周期構造を有する無機ＥＬ素子や発光層に量子ドット（ＱＤ）を用いたＱＤ−ＬＥＤ素子などであっても実施できる。また、本明細書で特に図示または記載されない部分は、当該技術分野の周知または公知技術を適用する。

図１（ａ）は本発明の有機ＥＬ素子（以下、素子と記す場合がある）の構成例を模式的に表した断面概略図である。図１（ａ）において、１０は基板、１１は反射層、１２は平坦化層、１３は第１電極、１４は有機化合物層、１５は第２電極、１６は隔壁、３０は周期構造、４０は円偏光板である。また、２０は発光点、２１は伝播光（素子から外部に取り出される光）、２２は導波光（基板１０の面内方向に伝播する光）、２３は回折光である。なお、第１電極１３と第２電極１５は、光透過性を有する透明又は半透明の電極である。なお、光透過性を有するとは、素子から取り出される光のスペクトルの最大ピーク波長において、５０％以上１００％以下の透過率を有していることである。

図１（ｂ）は本発明の素子の構成例を模式的に表した断面概略図であり、３２は発光領域である。本発明の素子は、この発光領域３２にフォトニック結晶（周期構造３０）を有している。図１（ｂ）では、周期構造３０の周期を規定する２つの基本格子ベクトルをａ_１、ａ_２としている。なお、発光領域とは、基板に垂直な方向において、有機化合物層を挟む２つの電極のうち、一方の電極を他方の電極に投影させたときに重なる領域であって、この２つの電極の間に隔壁が形成されていない領域を指す。

図１（ａ）に示した素子は、まず、基板１０上に反射層１１が形成されている。この反射層１１上に周期構造３０が形成され、平坦化層１２により周期構造３０が覆われ、周期構造３０の凹凸が平坦化されている。本構成例では、凹構造が反射層１１と平坦化層１２との間に周期的に形成されている。周期構造３０は、凹構造だけでなく凸構造などでも良い。つまり、周期構造３０は、凹構造と凸構造とが基板１０の面内方向において周期的に配列された構造である。また、周期構造３０は、図１（ａ）に示すように直角の頂点をなす構造である必要はなく、順テーパ構造、逆テーパ構造等の様々な構造を採ることができる。また、平坦化層１２は、必要に応じて省略しても良い。周期構造３０は、基板１０の面内方向に周期的に屈折率が変化する構造である。図１（ａ）においては、周期構造３０は、基板１０の面内方向において陽極材料と平坦化層の材料とが周期的に配置される構造である。平坦化層１２上に、第１電極１３（陽極）が形成される。この第１電極１３の周縁を覆うように絶縁材料からなる隔壁１６が形成されている。隔壁１６の開口部から露出する第１電極１３の露出部の上に、発光層を含む有機化合物層１４が積層され、その上に第２電極１５（陰極）が形成されている。第１電極１３と第２電極１５に電圧を印加することによって、もしくは電流を流すことによって、第１電極１３と第２電極１５の間に配置された発光層が発光する。なお、第１電極１３を陽極、第２電極１５を陰極としたが、第１電極１３を陰極、第２電極１５を陽極としてもよい。

また、本発明の発光素子は、発光層よりも第１電極１３側に反射面がある。反射面は、反射層１１と平坦化層１２の界面である。また、平坦化層１２を設けない場合には、反射層１１と第１電極１３との界面が反射面となる。また、平坦化層１２及び第１電極１３を設けず、反射層１１が第１電極１３を兼ねる場合には、反射層１１と有機化合物層１４との界面が反射面となる。また、有機化合物層１４上に形成される第２電極１５が光取り出し側にある電極となり、発光層で発生した光が第２電極１５側から素子の外部に取り出される。

さらに、外光反射を抑制するために、発光素子の光取り出し側に円偏光板４０が設けられる。しかし、光取り出し効率を向上するために、単に周期構造を設けただけでは、円偏光板の外光反射の抑制機能が低下してしまう。

そこで、本発明では、上記構成に加え、周期構造３０の周期を、有機化合物層１４に含まれる発光層の屈折率ｎに対して、３８０／（ｎ＋１）ｎｍより大きく、３８０ｎｍ以下としている。この構成により、後述するように、発光素子の外光反射の抑制機能を維持したまま、光取り出し効率が向上する。したがって、本発明により、光取り出し効率が高く、外光反射の抑制機能が良好な発光素子が提供できる。

＜周期構造の周期＞
まず、周期構造の周期の上限について説明する。周期の上限は、外光反射の抑制機能を維持するための条件として決定される。

一般に、光取り出し効率を向上するために周期構造や散乱構造などの平坦ではない光取り出し構造を設けることにより、円偏光板の外光反射の抑制機能が低下してしまう。図２（ａ）は、この外光反射の抑制機能の低下を模式的に示す図である。ここで、円偏光板４０は、右円偏光のみを透過し、左円偏光は吸収する特性であるとする。素子の外部から入射する環境光２４は、円偏光板４０により、右円偏光入射光２５のみが透過する。右円偏光入射光２５の大部分は、素子の各層の界面で奇数回反射され、左円偏光正反射光２６となり、円偏光板４０により吸収される。しかしながら、光取り出し構造によって、右円偏光入射光２５の一部は、円偏光状態が乱された非円偏光成分２７となる。特に、周期構造の周期が波長に対して大きい場合や散乱構造の場合は、任意の角度に非円偏光成分２７が放射されることになる。非円偏光成分２７の約半分の右円偏光成分は、円偏光板４０で吸収されずに反射光２８として素子の外部に取り出され、外光の反射率が増加してしまう。つまり、外光反射の抑制機能が低下してしまう。一般的に人は正面から素子を見るので、素子に侵入した外光が、光取り出し構造によって、この正面方向Ｘ（基板に対して略垂直な方向）に放射されることが特に問題となる。略垂直とは、基板に水平な面から８５°以上９０°以下である角度のことである。

一方、図２（ｂ）に示すように、非円偏光成分２７が放射される角度を、正面方向Ｘとは異なる方向だけに制限できれば、外光反射の抑制機能を良好なものにすることができる。これは、光取り出し構造を周期構造とし、入射光に対して、０次の回折光（正反射の光）以外を発生しない周期に限定することで、正面方向Ｘに放射される外光の反射光を抑制することが可能となる。ここで、正反射とは、入射角と等しい反射角で反射されることである。

図１に示した素子において、周期構造３０の周期をａとし、光取り出し側媒体（通常は空気）の屈折率をｎ_ａｉｒとし、素子内に侵入した環境光（外光）の波長をΛとする。

まず、環境光の入射角度をθ_ａｍｂとすると、基板１０に略垂直な方向（視認方向Ｘ）に回折光が生じるための回折条件は、位相整合条件から整数ｍとして、数１で与えられる。

数１から、環境光の入射角度θ_ａｍｂが、−９０°＜θ_ａｍｂ＜９０°の全ての場合に、回折光が生じないための条件は数２で与えられ、整理すると数３となる。なお、ここで、ｎ_ａｉｒ＝１．０としている。

外光反射の抑制機能を維持するためには、可視光域３８０ｎｍ以上７８０ｎｍ以下の全域で、数３を満たす必要がある。したがって、周期構造３０の周期ａは３８０ｎｍ以下であればよい。図１（ｂ）のように、周期ａの正方格子（ａ１＝ａ２＝ａ）の場合、４５°傾けた対角線の周期は約１．４倍となる。したがって、周期ａは、３８０／１．４≒２７０ｎｍ以下であることが望ましい。

次に、周期構造３０の周期ａの下限について説明する。周期ａの下限は、光取り出し効率を向上するための条件から決定される。光取り出し効率を向上するためには、図１（ａ）の光導波路３１を基板１０に水平な方向に伝播する導波光２２に対して、周期構造３０が回折光２３を生じる必要がある。導波光２２に対する有効屈折率をｎ_ｇｍとする。ここで、有効屈折率ｎ_ｇｍは、条件ｎ_ａｉｒ＜ｎ_ｇｍ＜ｎを満たす。また、発光素子の外に取り出される光のスペクトルの最大ピーク波長をλ、発光層の屈折率をｎとする。このとき、回折光が生じる回折条件は位相整合条件から、整数ｍ、回折角度θ_ｍとして、数４で与えられる。

数４から、回折光が発生するための条件が、数５で与えられ、整理すると数６となる。なお、ここで、ｎ_ａｉｒ＝１．０としている。

数６と条件ｎ_ａｉｒ＜ｎ_ｇｍ＜ｎから、導波光に対して回折光を生じるためには、数７の条件が必要となる。さらに、少なくともｍ＝１とすれば、光取り出し効率が向上するので、数７を整理すると数８の条件式となる。

可視光域３８０ｎｍ以上７８０ｎｍ以下のいずれかで光取り出し効率向上の効果が生じる必要があるため、周期構造３０の周期ａは３８０／（ｎ＋１）ｎｍより大きければよい。なお、有機ＥＬ素子では、通常、発光層の屈折率はｎ＝１．６乃至２．０程度である。したがって、周期構造３０の周期ａは、１２５ｎｍより大きいことが望ましい。

したがって、周期構造３０の周期ａを、有機化合物層１４に含まれる発光層の屈折率ｎに対して、３８０／（ｎ＋１）ｎｍより大きく、３８０ｎｍ以下とすることにより、光取り出し効率が高く、かつ、外光反射の抑制機能が良好な発光素子が提供可能となる。

これまでは、周期構造が、発光層よりも第１電極側にある反射面に配置される構成について説明してきたが、光取り出し側である第２電極側に配置される構成であってもよい。具体的には、第２電極の発光層側とは反対側に、金属薄膜で形成される周期構造が配置される構成であってもよい。

さらに、これまでは、基板と反対側が光取り出し側となるトップエミッション型の構成について説明してきたが、基板側が光取り出し側となるボトムエミッション構成においても本発明は実施可能である。この場合、例えば図３のような素子の構成を採ることができる。具体的には、基板１０上に、光透過性を有する周期構造３０が配置され、その上に、平坦化層を兼ねた第２電極１５が形成される。さらに、その第２電極１５上に、発光層を含む有機化合物層１４が形成され、その上に反射層を兼ねる第１電極１３が形成されている。発光層で発生した光は、第２電極１５側から取り出される。そして、光取り出し側である基板１０側に円偏光板４０が配置され、周期構造３０の周期は発光層の屈折率ｎに対して、３８０／（ｎ＋１）ｎｍより大きく、３８０ｎｍ以下である。この構成においても、本発明の効果が得られる。また、周期構造３０が発光層を含む有機化合物層１４よりも基板１０側に配置されるので、有機化合物層１４に周期構造３０の製造プロセスによる損傷を与えることがなく、良好な発光を得ることができる。また、周期構造３０は金属薄膜で形成され、第２電極１５はＩＴＯなどの酸化物透明導電材料からなることが好ましい。

また、本発明の他の素子の構成例としては、基板側から順に、第２電極、発光層、第１電極、周期構造、反射層の順に形成され、反射面が第１電極と反射層との界面であり、反射面に周期構造が形成される構成を挙げることができる。つまり、発光層よりも第１電極側にある反射面に周期構造が形成される構成である。この場合も基板側が光取り出し側となるボトムエミッション構成であり、基板側に円偏光板が配置される。この周期構造の周期を、発光層の屈折率ｎに対して、３８０／（ｎ＋１）ｎｍより大きく、３８０ｎｍ以下とすることで、本発明の効果が得られる。

また、図４で示すように、本発明の発光素子を基板の上に複数有する表示装置に応用することも考えられる。特に、赤色を発光する発光素子Ｒと緑色を発光する発光素子Ｇと青色を発光する発光素子Ｂとをそれぞれ複数有するフルカラーの表示装置において、製造を容易にする上で、各発光素子の周期構造３０を共通に形成し、その周期を各発光素子で同じにすることが好ましい。なお、可視光のうち、赤色は６００ｎｍ以上７５０ｎｍ以下の波長帯域、緑色は４９５ｎｍ以上５７０ｎｍ以下の波長帯域、青色は４３０ｎｍ以上４９５ｎｍ以下の波長帯域にあたる。この表示装置において、最も波長の長い素子である赤色の発光素子においても光取り出し効率を向上させるには、全ての発光素子で共通に形成される周期構造３０の周期が、６００／（ｎ＋１）より大きいことが好ましい。なお、ｎは発光素子の発光層の屈折率であり、ｎ＝１．６乃至２．０である。よって、全ての発光素子の光取り出し効率を向上させ、かつ、外光反射の抑制機能を良好にするためには、全ての発光素子で共通に形成される周期構造３０の周期が、２００ｎｍより大きく３８０ｎｍ以下であることが望ましい。さらに、周期構造３０の周期は、２３０ｎｍより大きく３８０ｎｍ以下であることが望ましい。さらに、周期構造３０が正方格子の場合、その周期は、３８０／１．４≒２７０ｎｍ以下であることが望ましい。また、この表示装置においては、円偏光板４０は、各発光素子に共通で一体に設けられることが、製造を容易にする上で好ましい。

また、図４では、発光層よりも第１電極１３側にある反射層１１上に周期構造３０が配置される構成であるが、発光層よりも光取り出し側にある第２電極１５側に周期構造３０が設けられる構成であってもよい。さらに、図４では、発光素子Ｒ，Ｇ，Ｂ間に周期構造３０は配置されていないが、発光素子Ｒ，Ｇ，Ｂ間（隔壁１６の下部）に周期構造３０が設けられる構成であってもよい。後者の構成の場合には、隔壁１６にまで伝播した光を外部に取り出すことができ、光取り出し効率が大きくなる。

以下、本発明の発光素子の製造方法を実施例として説明するが、本発明は本実施例によって何ら限定されるものではない。

＜実施例１＞
図１（ａ）に示す構成の有機ＥＬ素子を以下に示す方法で作製する。まず、基板１０上の反射層１１に、周期構造３０を形成する。

石英からなる基板１０上に、ポジ型のレジストをスピンコートしプリベークを行う。その後、レジストに図１（ｂ）に示すような正方格子の周期構造パターンをＫｒＦ露光機により露光し、現像、ポストベークを行い、レジストパターンを形成する。本実施例では、周期構造３０は周期ａが２００ｎｍ、直径が１２０ｎｍとする。次に、エッチング深さ４０ｎｍでドライエッチング加工し、レジストを剥離して基板１０上に周期構造（非図示）を形成する。この上に、スパッタリングにより、Ａｌ合金（ＡｌＳｉ）を１００ｎｍの膜厚で成膜し、周期構造３０が設けられた反射層１１を形成する。反射層１１は、周期構造３０がない平坦な場合に、可視光の波長域（λ＝３８０ｎｍ以上７８０ｎｍ以下）で分光反射率７０％以上の高反射層である。Ａｌ合金以外に、Ａｇ合金などを用いてもよい。

次に、平坦化層１２として、スピンコートによりＳＯＧを３０ｎｍの膜厚で形成し、周期構造３０の凹凸を平坦化する。さらに、スパッタリングによりＩＺＯ（登録商標）を５０ｎｍの膜厚で形成して、電極のパターニングを行い、フォトニック結晶（周期構造３０）付きの第１電極（陽極）１３を形成する。

さらに、ポリイミドの隔壁１６を１μｍの膜厚で形成した後、図１（ｂ）の発光領域３２となる開口部をエッチングし、第１電極１３を露出させる。

これをイソプロピルアルコール（ＩＰＡ）で超音波洗浄し、次いで、煮沸洗浄後乾燥する。その後、ＵＶ／オゾン洗浄してから有機化合物層１４を真空蒸着により形成する。

まず、下記構造式で示される化合物［Ｉ］を、ホール輸送層として５５ｎｍの膜厚で形成する。この際の真空度は１×１０^−４Ｐａ、蒸着レートは、０．２ｎｍ／ｓｅｃである。

次に、青色を発光する発光層を形成する。この発光層としては、ホストとして上記に示す化合物［ＩＩ］と発光性化合物［ＩＩＩ］とを共蒸着して３５ｎｍの膜厚で発光層を形成する。蒸着時の真空度は１×１０^−４Ｐａ、成膜速度は０．２ｎｍ／ｓｅｃである。

さらに、電子輸送層として、１，１０‐Ｂａｔｈｏｐｈｅｎａｎｔｈｒｏｌｉｎｅ（以下Ｂｐｈｅｎという）を真空蒸着法にて２０ｎｍの膜厚で形成する。蒸着時の真空度は１×１０^−４Ｐａ、成膜速度は０．２ｎｍ／ｓｅｃである。次に、電子注入層として、ＢｐｈｅｎとＣｓ_２ＣＯ_３とを共蒸着（重量比９０：１０）し、６０ｎｍの膜厚で形成する。蒸着時の真空度は３×１０^−４Ｐａ、成膜速度は０．２ｎｍ／ｓｅｃである。電子注入層まで形成した基板を、真空を破ること無しにスパッタ装置に移動し、光取り出し側の第２電極１５として、スパッタリングによりＩＺＯを３０ｎｍの膜厚で形成する。

その後、有機ＥＬ素子の周辺部に吸湿剤を配置し、エッチングされたキャップガラス（非図示）で封止する。最後に、キャップガラス上に円偏光板４０を粘着材により張り合わせることにより、有機ＥＬ素子を得る。

つまり、反射層と円偏光板の間に周期構造を有し、周期構造の周期が２００ｎｍであり、３８０ｎｍ以下である構成とされている。また、有機化合物層１４の形成前に、基板１０上の反射層１１に周期構造３０を形成するので、有機化合物層１４に製造プロセスでの損傷を与えることが抑制される。

＜実施例２＞
周期構造３０の周期ａが２５０ｎｍ、直径が１５０ｎｍであること以外は、実施例１と同様である。

＜比較例１＞
図１（ａ）において、周期構造３０が形成されず、反射層１１が平坦であること以外は、実施例１と同様である。

＜比較例２＞
周期構造３０の周期ａが１５００ｎｍ、直径が９００ｎｍであること以外は、実施例１と同様である。

＜比較例３＞
周期構造３０の周期ａが３０００ｎｍ、直径が１５００ｎｍであること以外は、実施例１と同様である。

＜比較例４＞
図１（ａ）において、周期構造３０が形成されず、反射層１１が平坦であること以外は、光取り出し側の第２電極１５として、ＩＺＯを３０ｎｍの膜厚で形成するまで、実施例１と同様である。次に、別基板（非図示）上に、窒化酸化シリコン（ＳｉＮ_ｘＯ_ｙ）膜中に直径２００ｎｍ程度の空孔を単層で不規則に分散した拡散構造（非図示）を形成する。この別基板に形成された拡散構造をエポキシ樹脂により、第２電極１５上に配置する。最後に、円偏光板４０を粘着材により張り合わせることにより、有機ＥＬ素子を得る。

表１に、実施例１（Ｐ２００ｎｍ）、実施例２（Ｐ２５０ｎｍ）、比較例１（構造なし）、比較例２（Ｐ１５００ｎｍ）、比較例３（Ｐ３０００ｎｍ）、比較例４（拡散構造）の視感反射率Ｒｖの測定値と相対値を示す。視感反射率Ｒ_Ｖは、反射スペクトルＲ（λ）、環境光スペクトルＳ（λ）、比視感効率Ｖ（λ）として、数９で定義されている。なお、視感反射率Ｒｖの測定値は、照度１７０００ｌｘの環境光が４５°で入射した際の基板１０に垂直な方向（正面方向Ｘ）で測定した視感反射率Ｒｖの値であり、相対値は比較例１の値を基準としている。また、Ｐ２００ｎｍの表記は、周期構造３０の周期ａが２００ｎｍであることを表している。

表１から、実施例１と実施例２の視感反射率は、比較例１の視感反射率とほぼ同等で、良好な外光反射の抑制機能を維持することが可能である。一方、周期構造の周期が環境光の波長サイズより大きい比較例２と比較例３の場合、比較例１よりも視感反射率が４倍から１０倍と大きく、外光反射の抑制機能が低下してしまうことがわかる。同様に、拡散構造の大きさが環境光のサブ波長程度であるが周期的でなく不規則な比較例４の場合も、比較例１よりも視感反射率が５倍と大きく、外光反射の抑制機能が低下してしまうことがわかる。

さらに、周期構造を有する実施例１と実施例２は、発光効率が比較例１よりも１．１倍改善し、光取り出し効率が向上する。

したがって、本発明により、光取り出し効率が高く、外光反射の抑制機能が良好な発光素子が提供可能となる。

１３第１電極
１５第２電極
３０周期構造
４０円偏光板

Claims

基板の上に、第１電極と、光取り出し側にある第２電極と、前記第１電極と前記第２電極の間にある発光層と、前記発光層で発生した光を前記光取り出し側から取り出すための周期構造と、前記光取り出し側に設けられる円偏光板と、を有する発光素子を複数有し、
前記複数の発光素子は、赤色を発光する発光素子と、緑色を発光する発光素子と、青色を発光する発光素子を有し、
前記周期構造の周期が、各発光素子で同じであり、
前記周期構造の周期は、２００ｎｍより大きく、３８０ｎｍ以下であることを特徴とする表示装置。
前記周期構造が、前記発光層よりも前記基板側に配置されていることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
前記周期構造が、前記発光層よりも第１電極側にある反射面に配置されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の表示装置。
前記周期構造の周期が、２３０ｎｍより大きく、３８０ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の表示装置。