WO2016199739A1 - Ｅｌ表示装置及びｅｌ表示装置の製造方法 - Google Patents

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organic
display device
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石田　守
岡本　哲也
剛 平瀬
亨 妹尾
通 園田
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シャープ株式会社
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Definitions

  • the present invention relates to an EL display device and a method for manufacturing the EL display device.
  • the EL display device has, for example, a configuration in which an EL element connected to a TFT is provided on a TFT substrate in which a TFT (thin film transistor) is provided on a support made of a glass substrate or the like.
  • EL elements are generally easily affected by moisture, oxygen, and the like, and react with trace amounts of moisture and oxygen to deteriorate their characteristics and impair the life of the display device.
  • the sealing film can be formed by a method such as vapor deposition.
  • the thicker the film the higher the blocking effect for preventing moisture and oxygen from entering the EL element.
  • the film thickness of the sealing film is increased, the film stress of the sealing film increases, and there is a possibility that film floating occurs in which the sealing film is peeled off from the TFT substrate. Further, when an external force is applied to the EL display device, there is a possibility that a crack is generated in the sealing film.
  • Patent Document 1 describes a light emitting device in which an inorganic insulating film as a sealing film provided on an organic EL element, a stress relaxation film containing an organic compound, and an inorganic insulating film are provided in this order. ing.
  • a stress relaxation film having a stress smaller than that of the inorganic insulating film is provided between the two layers of the inorganic insulating film, thereby reducing the film stress of the inorganic insulating film. The film peeling can be prevented.
  • Patent Document 2 discloses a gas barrier film in which a SiOx thin film is formed on a base film, and the compressive residual strain is applied to the thin film to increase the fracture strain of the SiOx thin film and suppress the generation of cracks. A gas barrier film is described.
  • Patent Document 3 a buffer layer is provided on a resin film, and a TFT, an organic EL element, and a sealing film formed in this order on the buffer layer by a vacuum deposition method or the like are provided in this order.
  • An EL display device is described.
  • the buffer layer of the organic EL display device of Patent Document 2 has a stacked structure in which a compressive stress layer made of an inorganic film, a tensile stress layer, and a compressive stress layer are stacked in this order. Yes. Thereby, the compressive stress layer and the tensile stress layer cancel each other's stress, and the occurrence of cracks in the TFT can be suppressed.
  • Japanese Patent Publication Japanese Patent Laid-Open No. 2004-95551 (published on March 25, 2004)” Japanese Patent Registration “Patent No. 4196440 (Registered on October 10, 2008)” Japanese Patent Registration “Patent No. 5448960 (Registered on January 10, 2014)”
  • an object of the present invention is to improve the adhesion between the substrate and the sealing film and suppress the generation of cracks in the sealing film and the EL.
  • the object is to provide a method for manufacturing a display device.
  • an EL display device includes an EL element formed over a substrate and the substrate and the substrate so that the EL element is sealed between the substrate and the EL element.
  • An EL display device including a sealing film formed on an EL element, wherein the sealing film includes a first inorganic film, and the first inorganic film includes the substrate and It has a laminated structure of a first layer in contact with the EL element and a second layer formed on the first layer, and the absolute value of the film stress of the first layer is the first layer.
  • the absolute value of the film stress of the two layers is smaller, and the film thickness of the first layer is smaller than the film thickness of the second layer.
  • a method for manufacturing an EL display device is to seal the EL element between the EL element formed over the substrate and the substrate.
  • a sealing film formed on the substrate and the EL element, and the sealing film is a method for manufacturing an EL display device including a first inorganic film.
  • the first inorganic film is formed.
  • an EL display device and an EL display device manufacturing method in which adhesion between the substrate and the sealing film is enhanced and cracks in the sealing film are suppressed.
  • FIG. (A) is sectional drawing which shows the structure of the 2nd electrode and sealing film of the organic electroluminescent display apparatus concerning Embodiment 1 of this invention
  • (b) is schematic structure of the sub pixel of the organic electroluminescent display apparatus shown to (a).
  • FIG. (A) is sectional drawing which shows the structure of the 2nd electrode and sealing film of the conventional organic electroluminescence display
  • (b) is the 2nd electrode and sealing when a conventional organic electroluminescence display is bent.
  • (A) is a table
  • (b) is a graph which shows the result of a tension test. It is a table
  • (A)-(c) is sectional drawing of a part of organic electroluminescence display concerning the modification of Embodiment 4 of this invention.
  • an organic EL display device will be described as an example of the EL display device.
  • FIG. 2A is a cross-sectional view illustrating an example of a schematic configuration of the organic EL display device according to the present embodiment
  • FIG. 2B is a cross-sectional view of the organic EL display device illustrated in FIG. It is a top view which shows schematic structure of a sub pixel.
  • the organic EL display device 100 includes an organic EL element 20 (EL element) and a sealing film 30 on a TFT (Thin Film Transistor) substrate 10.
  • the structure is provided in this order from the TFT substrate 10 side.
  • the TFT substrate 10 includes an insulating support 1 (substrate) made of a glass substrate, a plastic film, or the like. On the support 1, a TFT 2, a signal line 3, an interlayer insulating film 4 and the like are provided.
  • the signal line 3 includes a plurality of gate lines, a plurality of source lines, a plurality of power supply lines, and the like.
  • sub-pixels 14 of each color are arranged. For example, one pixel is formed by a set of red (R), green (G), and blue (B) sub-pixels 14.
  • Each subpixel 14 is provided with a TFT 2.
  • Each of the TFTs 2 is connected to the signal line 3, selects a subpixel to which a signal is input through the gate line, determines an amount of electric charge to be input into the selected subpixel through the source line, and supplies current from the power supply line.
  • the organic EL element 20 is flowed.
  • the TFT 2 and the signal line 3 are covered with an interlayer insulating film 4.
  • an insulating material such as an acrylic resin or a polyimide resin can be used.
  • the thickness of the interlayer insulating film 4 is not particularly limited as long as the steps on the upper surfaces of the TFT 2 and the signal line 3 can be eliminated.
  • the organic EL element 20 includes a first electrode 21 (anode), an organic EL layer 22, a second electrode 23 (cathode), and the like.
  • the first electrode 21 is formed on the interlayer insulating film 4.
  • the first electrode 21 injects (supply) holes into the organic EL layer 22, and the second electrode 23 injects electrons into the organic EL layer 22.
  • the first electrode 21 is electrically connected to the TFT 2 through a contact hole 4 a formed in the interlayer insulating film 4.
  • the end of the first electrode 21 is covered with the edge cover 5.
  • the edge cover 5 is an insulating film and is made of, for example, a photosensitive resin.
  • the edge cover 5 prevents the electrode concentration or the organic EL layer 22 from becoming thin at the end of the first electrode 21 and short-circuiting with the second electrode 23.
  • the edge cover 5 also functions as a pixel separation film so that current does not leak to the adjacent sub-pixels 14.
  • the edge cover 5 is provided with an opening 5 a for each sub-pixel 14. An exposed portion of the first electrode 21 through the opening 5 a is a light emitting region of each sub-pixel 14.
  • the organic EL layer 22 is provided between the first electrode 21 and the second electrode 23.
  • the organic EL layer 22 has a configuration in which, for example, a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, an electron injection layer, and the like are stacked in this order from the first electrode 21 side.
  • one layer may have a plurality of functions.
  • a hole injection layer / hole transport layer having the functions of both layers may be provided.
  • an electron injection layer / electron transport layer having the functions of both layers may be provided.
  • a carrier blocking layer may be appropriately provided between the layers.
  • the first electrode 21 is an anode (pattern electrode, pixel electrode) and the second electrode 23 is a cathode (common electrode), but the first electrode 21 is a cathode and the second electrode. 23 may be an anode.
  • the order of the layers constituting the organic EL layer 22 is reversed.
  • the organic EL display device 100 is a bottom emission type that emits light from the back side of the support 1
  • the second electrode 23 is formed of a reflective electrode material
  • the first electrode 21 is transparent or translucent. It is preferable to form the transparent electrode material.
  • the organic EL display device 100 is a top emission type that emits light from the sealing film 30 side
  • the first electrode 21 is formed of a reflective electrode material
  • the second electrode 23 is transparent or translucent. It is preferable to form the transparent electrode material.
  • the sealing film 30 is formed on the support 1 and the second electrode 23 so as to seal the organic EL element 20 between the support 1 and the sealing film 30.
  • the sealing film 30 prevents the organic EL element 20 from being deteriorated by moisture or oxygen that has entered from the outside.
  • the organic layer which is not shown in figure may be formed in order to adjust an optical characteristic, and the 2nd electrode 23 is protected.
  • An electrode protective layer may be formed.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view showing configurations of a second electrode and a sealing film of the organic EL display device according to the present embodiment.
  • the sealing film 30 of the organic EL display device 100 includes a lower inorganic film 31 (first inorganic film) formed on the second electrode 23 and an organic film 32.
  • the upper inorganic film 33 (second inorganic film) is laminated in this order from the second electrode 23 side.
  • the sealing film 30 is formed on the second electrode 23. As shown in FIG. 2A, the sealing film 30 is formed on the support 1. Is formed in a similar manner, and is formed so as to completely cover the organic EL element 20 in the display region of the organic EL display device 100.
  • the lower inorganic film 31 has a laminated structure of a first inorganic layer 34 (first layer) in contact with the second electrode 23 and a second inorganic layer 35 (second layer). is doing.
  • the film thickness of the first inorganic layer 34 is thinner than the film thickness of the second inorganic layer 35.
  • the first inorganic layer 34 and the second inorganic layer 35 have film stress, and the absolute value of the film stress of the first inorganic layer 34 is smaller than the absolute value of the film stress of the second inorganic layer 35.
  • the film stress of the 1st inorganic layer 34 and the 2nd inorganic layer 35 may be a tensile stress or a compressive stress, below, the 1st inorganic layer 34 and the 2nd inorganic layer 35 are used. Will be described as having compressive stress.
  • an inorganic film has a higher moisture-proof function than an organic film.
  • the sealing film 30 of this embodiment includes a lower inorganic film 31 and an upper inorganic film 33 as inorganic films. Thereby, the sealing film 30 has high moisture resistance.
  • the thickness of the lower layer inorganic film 31 and the upper layer inorganic film 33 is thin, the moisture resistance is lowered. Therefore, the thickness of the lower layer inorganic film 31 and the upper layer inorganic film 33 should be designed according to the required degree of moisture resistance. Is preferred.
  • first inorganic layer 34 and the second inorganic layer 35 have compressive stress (film stress). Thereby, the breaking elongation (breaking strength) of the sealing film 30 can be improved.
  • the first inorganic layer 34 is thinner than the second inorganic layer 35 and has an absolute value of compressive stress smaller than that of the second inorganic layer 35.
  • the adhesiveness of the lower layer inorganic film 31, the 2nd electrode 23, and the support body 1 can be improved.
  • the thickness of the first inorganic layer 34 the force applied three-dimensionally to the first inorganic layer 34 when the organic EL display device 100 is bent is reduced. The elongation at break can be improved.
  • the second inorganic layer 35 has a larger absolute value of compressive stress than the first inorganic layer 34.
  • the lower inorganic film 31 can be formed using a material such as silicon nitride (SiN), silicon oxide (SiO), silicon oxynitride (SiON), aluminum oxide (Al 2 O 3 ), for example.
  • the film thickness of the first inorganic layer 34 is 100 nm or more and less than 200 nm, the compressive stress of the first inorganic layer 34 is ⁇ 100 MPa or more and less than 0 MPa, the film thickness of the second inorganic layer 35 is 200 nm or more and 300 nm or less, 2
  • the compressive stress of the inorganic layer 35 is preferably ⁇ 300 MPa or more and ⁇ 100 MPa or less.
  • Organic film 32 The organic film 32 is provided between the lower inorganic film 31 and the upper inorganic film 33. Thereby, the compressive stress of the lower inorganic film 31 and the upper inorganic film 33 can be relieved, and the lower inorganic film 31 and the upper inorganic film 33 can be prevented from being broken when the organic EL display device 100 is bent. . Furthermore, it is possible to cancel the pinhole and prevent film loss due to foreign matter.
  • the organic film 32 can be formed using a material such as polysiloxane, silicon oxide carbide (SiOC), acrylate, polyurea, parylene, polyimide, polyamide or the like.
  • the organic film 32 is vulnerable to moisture. Therefore, the moisture resistance of the sealing film 30 can be improved by providing the upper inorganic film 33 on the organic film 32.
  • the upper inorganic film 33 has a stacked structure similar to that of the lower inorganic film 31, and specifically, a third inorganic layer 36 (third layer) formed on the organic film 32, and a fourth inorganic film
  • the layer 37 (fourth layer) has a structure laminated in this order from the organic film 32 side.
  • the film thickness of the third inorganic layer 36 is thinner than the film thickness of the fourth inorganic layer 37.
  • the third inorganic layer 36 and the fourth inorganic layer 37 have a compressive stress, and the absolute value of the compressive stress of the third inorganic layer 36 is smaller than the absolute value of the compressive stress of the fourth inorganic layer 37.
  • the film thickness, compressive stress, and composition of the third inorganic layer 36 are the same as the film thickness, compressive stress, and composition of the first inorganic layer 34.
  • the film thickness, compressive stress, and composition of the fourth inorganic layer 37 are the same as the film thickness, compressive stress, and composition of the second inorganic layer 35.
  • the third inorganic layer 36 and the fourth inorganic layer 37 have a compressive stress. Thereby, the breaking elongation (breaking strength) of the sealing film 30 can be improved.
  • the third inorganic layer 36 is thinner than the fourth inorganic layer 37 and has an absolute value of compressive stress smaller than that of the fourth inorganic layer 37.
  • the adhesiveness between the upper inorganic film 33 and the organic film 32 can be improved as compared with the case where the upper inorganic film 33 is composed of only the fourth inorganic layer 37 having a high compressive stress.
  • the thickness of the third inorganic layer 36 by reducing the thickness of the third inorganic layer 36, the force applied three-dimensionally to the third inorganic layer 36 when the organic EL display device 100 is bent is reduced. The elongation at break can be improved.
  • the fourth inorganic layer 37 has an absolute value of compressive stress larger than that of the third inorganic layer 36. Therefore, the breaking elongation rate of the sealing film 30 can be improved as compared with the case where the sealing film 30 is configured by only the third inorganic layer 36.
  • the upper inorganic film 33 can be formed using a material such as silicon nitride (SiN), silicon oxide (SiO), silicon oxynitride (SiON), alumina (Al 2 O 3 ), for example.
  • the film thickness of the third inorganic layer 36 is 100 nm or more and less than 200 nm
  • the compressive stress of the fourth inorganic layer 37 is ⁇ 100 MPa or more and less than 0 MPa
  • the film thickness of the fourth inorganic layer 37 is 200 nm or more and 300 nm or less
  • the compressive stress of the four inorganic layers 37 is preferably ⁇ 300 MPa or more and less than ⁇ 100 MPa.
  • FIG. 3A is a cross-sectional view showing the configuration of the second electrode and the sealing film of the conventional organic EL display device
  • FIG. 3B is a view when the conventional organic EL display device is bent. It is sectional drawing which shows the structure of this 2nd electrode and sealing film.
  • the sealing film 330 of the conventional organic EL display device has a lower inorganic film 331, an organic film 332, and an upper inorganic film 333 on the second electrode 23. It has a laminated structure formed in this order from the 23rd side.
  • the lower inorganic film 331 preferably has a higher compressive stress.
  • the adhesion between the lower inorganic film 331 and the second electrode 23 is improved. Therefore, the compressive stress of the lower inorganic film 331 is limited to a certain value or less.
  • the first inorganic layer 34 ensures adhesion between the organic EL element 20 and the support 1 while The elongation at break can be improved by the second inorganic layer 35.
  • the organic EL display device 100 can be suitably used as a flexible display device that can be bent like paper, such as electronic paper.
  • the tensile test is a test based on JIS K 7127. Pull a test piece with two parallel marked lines separated by 50 mm in a direction parallel to the pulling direction from both sides, and between the marked lines before pulling the test piece. In this test, the elongation at break of the test piece is evaluated based on the distance and the distance between the marked lines when the test piece is broken. For the tensile test, an autograph manufactured by Shimadzu Corporation was used.
  • a sealing film formed in a sheet shape is used as a test piece used in the tensile test.
  • the test piece 1 is a test piece having a film stress of ⁇ 51 MPa and a film thickness of 500 nm.
  • the test piece 2 is a test piece having a film stress of ⁇ 51 MPa and a film thickness of 300 nm.
  • the test piece 3 is a test piece having a film stress of ⁇ 51 MPa and a film thickness of 200 nm.
  • the test piece 4 is a test piece having a film stress of ⁇ 51 MPa and a film thickness of 150 nm.
  • the test piece 5 is a test piece having a film stress of ⁇ 51 MPa and a film thickness of 100 nm.
  • the test piece 6 is a test piece having a film stress of ⁇ 222 Pa and a film thickness of 500 nm.
  • the test piece 7 is a test piece having a film stress of ⁇ 222 Pa and a film thickness of 300 nm.
  • the test piece 8 is a test piece having a film stress of ⁇ 222 Pa and a film thickness of 150 nm.
  • FIG. 4 (a) is a table showing the results of the tensile test
  • FIG. 4 (b) is a graph showing the results of the tensile test.
  • the inorganic film having a high absolute value of the film stress has low adhesion to the second electrode 23 and the support 1, and the first inorganic layer 34 that is in direct contact with the second electrode 23 and the support 1
  • adhesion between the first inorganic layer 34, the second electrode 23, and the support 1 can be improved.
  • the absolute value of the film stress is relatively small.
  • the inorganic film has a lower elongation at break than an inorganic film having a relatively large absolute value of film stress. That is, the elongation at break and the adhesion are in a trade-off relationship with each other.
  • the adhesion between the first inorganic layer 34, the second electrode 23, and the support 1 can be improved.
  • the elongation at break of the first inorganic layer 34 is reduced. Breaking occurs from a film having a low elongation at break. Therefore, the first inorganic layer 34 is broken.
  • the breaking elongation rate increases as the film thickness decreases regardless of the absolute value of the film stress. That is, by reducing the thickness of the inorganic film, the force applied three-dimensionally to the inorganic film is reduced, so that the elongation at break is improved.
  • the moisture resistance decreases with a thin inorganic film. That is, the elongation at break and moisture resistance are also in a trade-off relationship with each other. In order to improve the elongation at break, it is preferable to form a thin inorganic film, while in order to ensure moisture resistance, it is preferable to form a thick inorganic film.
  • the elongation at break of the test pieces 1 to 5 and the elongation at break of the test pieces 6 to 8 are compared, for example, when the compressive stress is ⁇ 51 MPa, as shown by the test pieces 4 and 5,
  • the thickness is less than 200 nm, it is possible to obtain an elongation at break almost equal to that of the test piece 7 having a compressive stress of ⁇ 222 MPa and a film thickness of 300 nm.
  • the elongation at break of the test pieces 4 and 5 is larger than that of the test piece 8 having a compressive stress of ⁇ 222 MPa and a film thickness of 200 nm.
  • test piece 3 having a compressive stress of ⁇ 51 MPa and a film thickness of 200 nm can obtain an elongation at break that is not an exaggeration to say that it is almost equivalent to the test piece 8 having a compressive stress of ⁇ 222 MPa and a film thickness of 500 nm. .
  • the film thickness of the inorganic film having a relatively small absolute value of the film stress, particularly the first inorganic layer 34 is increased, the film stress of the entire inorganic film (for example, the film thickness and the film stress of the first inorganic layer 34). Product) increases. As a result, the adhesion decreases. For this reason, it is desirable that the film thickness of the first inorganic layer 34 be relatively thin.
  • the inorganic film having a relatively small absolute value of the film stress is the first inorganic layer 34
  • the inorganic film having the relatively large absolute value of the film stress is the second inorganic layer 35
  • the film thickness of the first inorganic layer 34 Is made thinner than the film thickness of the second inorganic layer 35 to ensure the moisture resistance of the lower inorganic film 31, the adhesion between the lower inorganic film 31, the second electrode 23 and the support 1, and the lower inorganic layer
  • the breaking elongation of the film 31 can be improved.
  • preferred film thicknesses of the first inorganic layer 34 and the second inorganic layer 35 and further preferred films of an inorganic film having a relatively small absolute value of film stress and an inorganic film having a relatively large absolute value of film stress. Further study on thickness.
  • the film of the inorganic film having the smaller absolute value of the film stress when an inorganic layer having different absolute values of film stress is laminated, such as the first inorganic layer 34 and the second inorganic layer 35, as described above, the film of the inorganic film having the smaller absolute value of the film stress.
  • the thickness is set thinner than the thickness of the inorganic film having the larger absolute value of the film stress, the above-described effect can be obtained, but the inorganic film having the smaller absolute value of the film stress can be obtained.
  • the thickness, particularly the thickness of the first inorganic layer 34 is set to less than 200 nm.
  • the film stress of the lower inorganic film 31 as a whole increases as the film thickness increases.
  • the absolute value of the film stress is increased when the film thickness of the inorganic film having the larger absolute value of the film stress exceeds 300 nm. Compared to the breaking elongation of the smaller inorganic film, the breaking elongation tends to decrease.
  • the thickness of the inorganic film having the smaller absolute value of the film stress is set to less than 200 nm
  • the thickness of the inorganic film having the larger absolute value of the film stress is preferably set to 300 nm or less, for example. .
  • the inorganic film having a smaller absolute value of film stress is formed thin enough to ensure moisture resistance.
  • the Ca test is a test in which calcium covered with a test piece is placed in a high-temperature and high-humidity environment, and the moisture resistance of the test piece is evaluated based on the residual rate of calcium after partial corrosion by water vapor.
  • a sealing film formed in a sheet shape on a glass substrate was used as a test piece used for the Ca test.
  • the moisture resistance of the test piece was evaluated based on the calcium residual rate after placing the calcium covered with the test piece in a high temperature and high humidity environment in an environment of 80 ° C. and 85% humidity for 220 hours.
  • FIG. 5 is a table showing the results of the Ca test.
  • the test piece 1 has a thickness of 500 nm in which an inorganic film 100 nm having a low compressive stress, an inorganic film 300 nm having a high compressive stress, and an inorganic film 100 nm having a low compressive stress are laminated on a glass substrate in this order from the glass substrate side. It is a test piece.
  • Test piece 2 is a test piece having a thickness of 500 nm in which an inorganic film having a high compressive stress is 200 nm, an inorganic film having a low compressive stress is 100 nm, and an inorganic film having a high compressive stress is laminated in this order.
  • the test piece 3 has a thickness of 500 nm, in which an inorganic film 100 nm having a high compressive stress and an inorganic film 100 nm having a low compressive stress are alternately stacked so that the inorganic film 100 nm having a high compressive stress is a layer at both ends. It is a piece.
  • the test piece 4 is a test having a film thickness of 495 nm, in which an inorganic film 55 nm having a high compressive stress and an inorganic film 55 nm having a low compressive stress are alternately laminated so that the inorganic film 55 nm having a high compressive stress is a layer at both ends. It is a piece.
  • the inorganic film having a low compressive stress is a film having a compressive stress (-100 MPa or more and less than 0 MPa) equivalent to that of the first inorganic layer 34 in the sealing film 30 of Embodiment 1.
  • the inorganic film having a high stress is a film having a compressive stress ( ⁇ 300 MPa or more and less than ⁇ 100 MPa) equivalent to that of the second inorganic layer 35 in the sealing film 30 of the first embodiment.
  • the column of compressive stress in the table of FIG. 5 shows the stacking order of the inorganic film having a low compressive stress and the inorganic film having a high compressive stress in each test piece. It means that the inorganic film described in (1) is laminated in this order from the glass substrate side.
  • the film thickness of a film having a high compressive stress is set to 100 nm, as in the lower inorganic film 31 and the upper inorganic film 33 of the sealing film 30 according to the present embodiment.
  • the residual ratio of Ca was 70.2%. From this, it has been confirmed that the lower inorganic film 31 and the upper inorganic film 33 of the sealing film 30 according to the present embodiment have sufficient moisture resistance.
  • the total film thickness of the inorganic film with low compressive stress contained in the test piece 1 and the test piece 3 is 200 nm.
  • the total film thickness of the inorganic film having a low compressive stress contained in the piece 4 is 220 nm, and the total film thickness of the inorganic film having a low compressive stress contained in the test pieces 1, 3, 4 is the same.
  • the film thickness of each layer of the inorganic film having a low compressive stress contained in the test pieces 1 and 3 is 100 nm, and the film thickness of each layer of the inorganic film having a low compressive stress contained in the test piece 4 is 55 nm.
  • the moisture resistance is better when the thickness of the inorganic film having a low compressive stress is 100 nm or more. It turns out that becomes high.
  • the film thickness of the inorganic film with low compressive stress contained in the test piece 2 and the test piece 3 is equal to 100 nm, and the total film thickness of the test piece 2 and the test piece 3 is Equal at 500 nm.
  • the film thickness of the inorganic film with high compressive stress contained in the test piece 2 is 200 nm, and the film thickness of the inorganic film with high compressive stress contained in the test piece 3 is 100 nm. Since the Ca residual rate after the test of the test piece 2 is higher than the Ca residual rate after the test of the test piece 3, the moisture resistance is higher when the thickness of the inorganic film having a high compressive stress is 200 nm or more.
  • the total film thickness of the inorganic film with high compressive stress contained in the test piece 1 and the test piece 3 is equal to 300 nm, and the total film thickness of the test piece 1 and the test piece 3 is the same. Are equal at 500 nm.
  • the film thickness of the inorganic film with high compressive stress contained in the test piece 1 is 300 nm, and the film thickness of each layer of the inorganic film with high compressive stress contained in the test piece 3 is 100 nm.
  • the Ca residual rate after the test of the test piece 3 is higher than the Ca residual rate after the test of the test piece 1.
  • the film thickness of the inorganic film having a high absolute value of the film stress to 300 nm or less from the test piece 1, even if the film thickness of the inorganic film having a low film stress is reduced to 100 nm, sufficient moisture resistance can be obtained. Although it can be obtained, it can be seen that the moisture resistance can be further improved by setting the thickness of the inorganic film having a high absolute value of the film stress to less than 300 nm.
  • the thickness of the first inorganic layer 34 which is an inorganic film having a low absolute value of the film stress, is preferably 100 nm or more.
  • the film thickness of the second inorganic layer 35 which is an inorganic film having a high absolute value of film stress is preferably 200 nm or more and 300 nm or less, and more preferably 200 nm or more and less than 300 nm.
  • the film thickness of the first inorganic layer 34 having a low compressive stress of ⁇ 100 MPa or more and less than 0 MPa is considered in consideration of both the moisture resistance and the elongation at break of the sealing film 30.
  • the film thickness of the second inorganic layer 35 having a high compressive stress of ⁇ 300 MPa or more and less than ⁇ 100 MPa is preferably 200 nm or more and less than 300 nm, and preferably 200 nm or more and less than 300 nm. Is more preferable.
  • the upper inorganic film 33 has the same laminated structure as the lower inorganic film 31, and the film thickness, compressive stress, and composition of the third inorganic layer 36 are the same as those of the first inorganic layer 34.
  • the thickness, compressive stress, and composition are the same, and the film thickness, compressive stress, and composition of the fourth inorganic layer 37 have been described as being the same as the film thickness, compressive stress, and composition of the second inorganic layer 35.
  • the configuration of the sealing film 30 according to the present embodiment is not limited to this.
  • the upper inorganic film 33 only needs to have at least the absolute value of the compressive stress of the fourth inorganic layer 37 higher than the absolute value of the compressive stress of the third inorganic layer 36, and the film of the third inorganic layer 36 and the fourth inorganic layer 37.
  • the thickness, compressive stress, and composition may be different from the film thickness, compressive stress, and composition of the first inorganic layer 34 and the second inorganic layer 35.
  • the sealing film 30 can be formed using a plasma CVD (Chemical Vapor Deposition) apparatus.
  • the support 1 on which the organic EL element 20 is formed is placed in a vacuum chamber, a mixed gas such as monosilane, ammonia, nitrogen, hydrogen, or the like is introduced into the vacuum chamber, and plasma discharge is performed.
  • the first inorganic layer 34 is formed on the support 1.
  • the support 1 on which the first inorganic layer 34 is formed is placed in a vacuum chamber, a mixed gas of monosilane, ammonia, nitrogen, hydrogen, or the like is introduced into the vacuum chamber, and plasma discharge is performed.
  • a second inorganic layer 35 is formed on the first inorganic layer 34.
  • the support 1 on which the lower inorganic film 31 is formed is placed in a vacuum chamber, and an organic film 32 is formed on the lower inorganic film 31 by a known vapor deposition method.
  • the support 1 on which the organic film 32 is formed is placed in a vacuum chamber, and a mixed gas such as monosilane, ammonia, nitrogen, and hydrogen is introduced into the vacuum chamber, and plasma discharge is performed.
  • a mixed gas such as monosilane, ammonia, nitrogen, and hydrogen is introduced into the vacuum chamber, and plasma discharge is performed.
  • the third inorganic layer 36 is formed.
  • the support 1 on which the third inorganic layer 36 is formed is placed in a vacuum chamber, a mixed gas such as monosilane, ammonia, nitrogen, hydrogen, or the like is introduced into the vacuum chamber, and plasma discharge is performed.
  • a fourth inorganic layer 37 is formed on the third inorganic layer 36.
  • the film stress of the formed film can be adjusted by controlling the flow rate of gas such as monosilane, ammonia, nitrogen, hydrogen, etc. it can.
  • the plasma discharge power is 900 W
  • the monosilane flow rate is 243 sccm
  • the ammonia flow rate is 435 sccm.
  • the first inorganic layer 34 of the lower inorganic film 31 has a thickness of 100 nm to less than 200 nm and a compressive stress of ⁇ 100 MPa.
  • the second inorganic layer 35 of the lower inorganic film 31 is sealed so that the film thickness is 200 nm or more and 300 nm or less and the compressive stress is ⁇ 300 MPa or more and less than ⁇ 100 MPa.
  • a stop film 30 was formed.
  • the film-forming method of the sealing film 30 by CVD method using a plasma CVD apparatus was mentioned as an example, the film-forming method of the sealing film 30 is not restricted to this.
  • the sealing film 30 may be formed by sputtering or ALD (Atomic Layer Deposition) method.
  • the CVD method and the ALD method can be preferably used because of high step coverage.
  • the sealing film 30 is used only at a position where film formation is required using a film formation mask having an opening. May be formed.
  • FIG. 6 is a cross-sectional view showing the configuration of the second electrode and the sealing film of the organic EL display device according to the present embodiment.
  • the organic EL display device includes the organic EL display device according to the first embodiment except that the lower inorganic film 131 and the upper inorganic film 133 of the sealing film 130 each have a four-layer structure. It has the same configuration as the EL display device 100.
  • the lower inorganic film 131 includes a first inorganic layer 34 (first layer), a second inorganic layer 35 (second layer), a fifth inorganic layer 38, and a sixth inorganic layer formed on the second electrode 23.
  • the layer 39 has a structure in which the layers are stacked in this order from the second electrode 23 side.
  • the film thickness of the first inorganic layer 34 is thinner than the film thickness of the second inorganic layer 35.
  • the first inorganic layer 34 and the second inorganic layer 35 have a compressive stress, and the absolute value of the compressive stress of the first inorganic layer 34 is smaller than the absolute value of the compressive stress of the second inorganic layer 35.
  • the film thickness and compressive stress of the fifth inorganic layer 38 are the same as the film thickness and compressive stress of the first inorganic layer 34, and the film thickness and compressive stress of the sixth inorganic layer 39 are the film thickness of the second inorganic layer 35. And compressive stress.
  • the upper inorganic film 133 includes a third inorganic layer 36, a fourth inorganic layer 37, a seventh inorganic layer 40, and an eighth inorganic layer 41 formed on the organic film 32 from the second electrode 23 side. It has a structure laminated in this order.
  • the film thickness of the third inorganic layer 36 is thinner than the film thickness of the fourth inorganic layer 37.
  • the third inorganic layer 36 and the fourth inorganic layer 37 have a compressive stress, and the absolute value of the compressive stress of the third inorganic layer 36 is smaller than the absolute value of the compressive stress of the fourth inorganic layer 37.
  • the film thickness and compressive stress of the seventh inorganic layer 40 are the same as the film thickness and compressive stress of the third inorganic layer 36, and the film thickness and compressive stress of the eighth inorganic layer 41 are the film thickness of the fourth inorganic layer 37. And compressive stress.
  • the lower inorganic film 131 of the sealing film 130 includes a thin film (first inorganic layer 34 and fifth inorganic layer 38) having a small compressive stress and a thick film (second inorganic layer 35 and The sixth inorganic layer 39) has a structure in which it is laminated twice.
  • the upper inorganic film 133 includes a thin film (the third inorganic layer 36 and the seventh inorganic layer 40) having a small compressive stress and a thick film (the fourth inorganic layer 37 and the eighth inorganic layer 41) having a large compressive stress. It has a structure in which it is laminated twice.
  • the lower inorganic film 131 and the upper inorganic film 133 each have a four-layer structure, while the organic film 32 having low moisture resistance is provided only between the lower inorganic film 131 and the upper inorganic film 133.
  • the sealing performance (barrier property) of the sealing film 130 is increased as compared with the sealing film 30 according to the first embodiment without increasing the number of layers of the organic film 32 and increasing the thickness of the sealing film 130. Can be improved.
  • the lower inorganic film 131 and the upper inorganic film 133 are described as having a structure in which a thin film having a small compressive stress and a thick film having a large compressive stress are laminated twice.
  • the laminated structure of the lower layer inorganic film 131 and the upper layer inorganic film 133 of the present embodiment is not limited to this.
  • the lower inorganic film 131 and the upper inorganic film 133 may have a structure in which a thin film having a small compressive stress and a thick film having a large compressive stress are stacked three or more times.
  • FIG. 7 is a cross-sectional view showing the configuration of the second electrode and the sealing film of the organic EL display device according to the present embodiment.
  • the organic EL display device according to the present embodiment is the same as the organic EL display device according to the first embodiment except that the lower inorganic film 231 and the upper inorganic film 233 of the sealing film 230 each have a three-layer structure. It has the same configuration as the EL display device 100.
  • the lower inorganic film 231 includes a first inorganic layer 34 (first layer), a second inorganic layer 35 (second layer), and a ninth inorganic layer 42 formed on the second electrode 23. It has a structure in which they are stacked in this order from the electrode 23 side.
  • the film thickness of the first inorganic layer 34 and the ninth inorganic layer 42 is smaller than the film thickness of the second inorganic layer 35.
  • the first inorganic layer 34, the second inorganic layer 35, and the ninth inorganic layer 42 have compressive stress, and the absolute value of the compressive stress of the first inorganic layer 34 and the ninth inorganic layer 42 is the second value.
  • the absolute value of the compressive stress of the inorganic layer 35 is smaller.
  • the film thickness and compressive stress of the ninth inorganic layer 42 are the same as the film thickness and compressive stress of the first inorganic layer 34.
  • the upper inorganic film 233 has a structure in which a third inorganic layer 36, a fourth inorganic layer 37, and a tenth inorganic layer 43 formed on the organic film 32 are laminated in this order from the organic film 32 side. is doing.
  • the film thickness of the third inorganic layer 36 and the tenth inorganic layer 43 is thinner than the film thickness of the fourth inorganic layer 37. Further, the third inorganic layer 36, the fourth inorganic layer 37, and the tenth inorganic layer 43 have compressive stress, and the absolute value of the compressive stress of the third inorganic layer 36 and the tenth inorganic layer 43 is fourth. The absolute value of the compressive stress of the inorganic layer 37 is smaller.
  • the film thickness and compressive stress of the tenth inorganic layer 43 are the same as the film thickness and compressive stress of the third inorganic layer 36.
  • the sealing film 230 according to the present embodiment since the lower inorganic film 231 and the upper inorganic film 233 each have a three-layer structure, the sealing performance of the sealing film 230 compared to the sealing film 30 according to the first embodiment. (Barrier property) can be improved.
  • FIG. 8 is a cross-sectional view showing an example of a schematic configuration of the organic EL display device according to the present embodiment.
  • the organic EL display device 200 includes a counter substrate and according to the first embodiment, except that a filler is filled between the counter substrate and the TFT substrate. It has the same configuration as the organic EL display device 100.
  • the organic EL display device 200 includes a counter substrate 50 that is bonded so as to face the TFT substrate 10.
  • the counter substrate 50 includes a counter support 51 and a color filter 52 provided on the surface of the counter support 51 on the TFT substrate 10 side.
  • the counter substrate 50 and the TFT substrate 10 are aligned so that each light transmission region of the color filter 52 and each sub-pixel of the TFT substrate 10 face each other. It is pasted together.
  • the color filter 52 has a function of modulating the light emitted from the organic EL element 20.
  • the red (R), green (G), and blue (B) color filters 52 are used to convert white light into red, green, and sub-pixels. Or can be emitted after being modulated into a blue color.
  • the color filter 52 is used to modulate the light of each color. It is possible to improve the color purity of each color and to suppress the color shift when the viewing angle changes.
  • the color filter 52 may be omitted when there is no problem with monochromatic light emission or when there is no need to suppress the color purity or the color shift of the light emitted from the organic EL element 20.
  • the organic EL display device 200 can be a flexible display or a bendable display.
  • a gap spacer may be provided on the TFT substrate 10 in order to prevent the counter substrate 50 from colliding with the organic EL element 20 and damaging the organic EL element 20.
  • a sealing material 6 is provided between the TFT substrate 10 and the counter substrate 50 so as to surround the display area.
  • a region surrounded by the TFT substrate 10, the counter substrate 50, and the sealing material 6 is filled with a filler 7.
  • sealing material 6 a low moisture-permeable material may be used.
  • the filler 7 a material having low moisture permeability or a material containing a desiccant or an oxygen absorber may be used.
  • the filler 7 is liquid and exists between the two substrates. This is a case where a curable filler 7 is used as the filler 7, and the filler 7 and the sealing film 30 sufficiently prevent moisture and oxygen from entering the organic EL element 20 to ensure reliability. If possible, the sealing material 6 may be omitted.
  • the filler 7 is injected into a region surrounded by the sealing material 6 after forming the sealing film 30 and irradiating the sealing film 30 with laser.
  • FIG. 9 is a partial cross-sectional view of the organic EL display device according to this embodiment.
  • the counter substrate 50 and the sealing material 6 By filling the region surrounded by the TFT substrate 10, the counter substrate 50 and the sealing material 6 with the filler 7 and encapsulating the organic EL element 20 and the sealing film 30, as shown in FIG.
  • the laminated end face of the stop film 30 (laminated sealing film) is covered with the filler 7. Thereby, the penetration
  • the lower inorganic film 31 is formed on the support 1 so as to cover the end face of the second electrode 23.
  • the organic film 32 is laminated on the lower inorganic film 31, and the upper inorganic film 33 is laminated on the organic film 32.
  • the laminated end face of the sealing film 30, which is composed of the end face of the lower inorganic film 31, the end face of the organic film 32, and the end face of the upper inorganic film 33, is formed flush.
  • the sealing material 6 and the filler 7 suppress the intrusion of moisture and oxygen from the stacked end surface of the sealing film 30 into the organic EL element 20. Therefore, the deterioration of the organic EL element 20 can be further suppressed, and the reliability of the organic EL display device 200 can be improved.
  • FIGS. 10A to 10C are partial cross-sectional views of an organic EL display device according to a modification of the present embodiment.
  • FIG. 10A is a cross-sectional view of a part of the organic EL display device according to the first modification.
  • the sealing film 30A of the organic EL display device according to Modification 1 the lower inorganic film 31A, the organic film 32A, and the upper inorganic film 33A are laminated in this order from the support 1 side, and the upper inorganic film 33A. Covers the laminated end face of the lower inorganic film 31A and the organic film 32A (end faces of the lower inorganic film 31A and the organic film 32A).
  • the lower layer inorganic film 31 ⁇ / b> A is formed on the support 1 so as to cover the end face of the second electrode 23.
  • the organic film 32A is laminated on the lower inorganic film 31, and the upper inorganic film 33A covers the upper surface of the organic film 32A and supports the laminated end face of the lower inorganic film 31A and the organic film 32A. Formed on top.
  • the laminated end surface of the lower inorganic film 31A and the organic film 32A is formed flush.
  • the lower inorganic film 31A has the same configuration as the lower inorganic film 31 of the first embodiment, and the organic film 32A is the same as the organic film 32 of the first embodiment.
  • the upper inorganic film 33A has the same configuration as that of the upper inorganic film 33 of the first embodiment.
  • the lower inorganic film 31A has a laminated structure of a first inorganic layer 34 and a second inorganic layer 35, and the upper inorganic film 33A includes a third inorganic layer 36 and a fourth inorganic layer 37. It has the laminated structure of.
  • the organic film is less moisture-proof than the inorganic film, but according to the configuration of the first modification, the surface (upper surface and end surface) of the organic film 32A is covered with the upper inorganic film 33A. The surface of the film 32A is not exposed. Therefore, it is possible to suppress moisture and oxygen from entering the organic EL element 20 from the surface of the organic film 32A.
  • FIG. 10B is a cross-sectional view of a part of the organic EL display device according to the second modification.
  • the sealing film 30B of the organic EL display device according to Modification 2 the lower inorganic film 31B, the organic film 32B, and the upper inorganic film 33B are laminated in this order from the support 1 side, and the organic film 32B is The surface of the lower inorganic film 31B is covered, and the upper inorganic film 33B covers the surface of the organic film 32B.
  • the lower inorganic film 31 ⁇ / b> B is formed on the support 1 so as to cover the end face of the second electrode 23.
  • the organic film 32B is formed on the support 1 so as to cover the upper surface and the end surface of the lower inorganic film 31B.
  • the upper inorganic film 33B is formed on the support 1 so as to cover the upper surface and the end surface of the organic film 32B.
  • the lower inorganic film 31B has the same configuration as the lower inorganic film 31 of the first embodiment, and the organic film 32B is the same as the organic film 32 of the first embodiment.
  • the upper inorganic film 33B has the same configuration as that of the upper inorganic film 33 of the first embodiment.
  • the lower inorganic film 31B has a laminated structure of the first inorganic layer 34 and the second inorganic layer 35, and the upper inorganic film 33B includes the third inorganic layer 36 and the fourth inorganic layer 37. It has the laminated structure of.
  • the surface of the lower inorganic film 31B that is the film closest to the organic EL element 20 among the films constituting the sealing film 30B is doubly covered with the organic film 32B and the upper inorganic film 33B. It has been broken. Therefore, it is possible to suppress the penetration of moisture and oxygen into the lower inorganic film 31B, and as a result, it is possible to inhibit the penetration of moisture and oxygen into the organic EL element 20.
  • FIG. 10C is a cross-sectional view of a part of the organic EL display device according to the third modification.
  • a lower inorganic film 31C, an organic film 32C, and an upper inorganic film 33C are laminated in this order from the support 1 side, and the upper inorganic film 33C. Covers the end face of the organic film 32C.
  • the lower inorganic film 31C is formed on the support 1 so as to cover the end face of the second electrode 23.
  • the organic film 32C and the upper inorganic film 33C are laminated so that the organic film 32C covers a part of the upper surface of the lower inorganic film 31C, and the upper inorganic film 33C covers the surface of the organic film 32C and the upper surface of the lower inorganic film 31C.
  • the upper inorganic film 33C is laminated on the lower inorganic film 31C so that the end face is flush with the end face of the lower inorganic film 31C.
  • the lower inorganic film 31C has the same configuration as the lower inorganic film 31 of the first embodiment, and the organic film 32C is the same as the organic film 32 of the first embodiment.
  • the upper inorganic film 33C has the same structure as the upper inorganic film 33 of the first embodiment.
  • the lower inorganic film 31C has a laminated structure of a first inorganic layer 34 and a second inorganic layer 35, and the upper inorganic film 33C includes a third inorganic layer 36 and a fourth inorganic layer 37. It has the laminated structure of.
  • moisture and oxygen can be prevented from entering the organic EL element 20 from the surfaces of the organic films 32A, 32B, and 32C.
  • the organic EL display device 100 is described as an example of the EL display device.
  • the present invention is not limited to this, and the EL display device according to the present invention may be an inorganic EL display device including an inorganic EL layer composed of an inorganic compound layer, and the present invention is applied to the inorganic EL display device.
  • the sealing film 30 can be prevented from cracking and the sealing performance of the inorganic EL element can be improved.
  • the EL display device (organic EL display device 100/200) according to the aspect 1 of the present invention includes the EL element between the EL element (organic EL element 20) formed on the substrate (support 1) and the substrate.
  • An EL display device comprising the substrate and a sealing film (30) formed on the EL element so as to seal the element, wherein the sealing film is a first inorganic film (lower layer)
  • the first inorganic film is formed on the first layer (first inorganic layer 34) in contact with the substrate and the EL element, and the first layer.
  • a second layer (second inorganic layer 35), and the absolute value of the film stress of the first layer is smaller than the absolute value of the film stress of the second layer.
  • the film thickness is smaller than the film thickness of the second layer.
  • the first inorganic film includes the first layer, adhesion between the first inorganic film, the substrate, and the EL element can be improved.
  • the breaking elongation of the first inorganic film can be improved.
  • the sealing film is provided on the organic film (32) provided on the first inorganic film and on the organic film.
  • a configuration including the second inorganic film (upper inorganic film 33) may be employed.
  • the stress of a 1st inorganic film can be relieved by providing an organic film, and moisture resistance can be improved by providing a 2nd inorganic film.
  • the second inorganic film includes a third layer (third inorganic layer 36) in contact with the organic film, and the third layer. And a fourth layer (fourth inorganic layer 37) formed thereon, and the absolute value of the film stress of the third layer is smaller than the absolute value of the film stress of the fourth layer.
  • the film thickness of the third layer may be thinner than the film thickness of the fourth layer.
  • the 2nd inorganic film is provided with the 3rd layer, the adhesiveness of a 2nd inorganic film and an organic film can be improved, and a 2nd inorganic film is 4th.
  • the layer By providing the layer, the elongation at break of the second inorganic film can be improved.
  • the first layer has a film thickness of 100 nm or more and less than 200 nm, and a compressive stress of ⁇ 100 MPa or more and less than 0 MPa.
  • the second layer may have a thickness of 200 nm to 300 nm and a compressive stress of ⁇ 300 MPa to less than ⁇ 100 MPa.
  • the moisture resistance and elongation at break of the sealing film can be improved.
  • An EL display device includes the counter substrate arranged to face the substrate in any one of the above aspects 1 to 4, and the EL element and the sealing film are formed. Between the said board
  • the laminated end face of the sealing film is covered with the filler, it is possible to suppress intrusion of moisture and oxygen from the boundary portion of each layer of the sealing film. Thereby, invasion of moisture and oxygen into the EL element can be suppressed.
  • the EL display device may be configured such that, in aspect 2, the second inorganic film is provided so as to cover the upper surface and the end surface of the organic film.
  • the organic film is less moisture-proof than the inorganic film, according to the above configuration, the surface of the organic film (upper surface and end surface) is covered with the second inorganic film, so that the surface of the organic film is exposed. There is nothing. Therefore, it is possible to suppress moisture and oxygen from entering the EL element from the surface of the organic film.
  • the EL display device may be configured such that, in Aspect 6, the second inorganic film covers a laminated end face of the first inorganic film and the organic film.
  • the EL display device according to aspect 8 of the present invention is the EL display device according to aspect 6, wherein the organic film covers an upper surface and an end surface of the first inorganic film, and the second inorganic film is an upper surface of the organic film. And the structure which has covered the end surface may be sufficient.
  • the surface of the first inorganic film that is the film closest to the EL element among the films constituting the sealing film is doubly covered with the organic film and the second inorganic film. Therefore, intrusion of moisture and oxygen into the first inorganic film can be suppressed, and as a result, entry of moisture and oxygen into the EL element can be suppressed.
  • the organic film is provided so as to cover a part of an upper surface of the first inorganic film
  • the second inorganic film is The upper surface and the end surface of the organic film and the upper surface of the first inorganic film may be covered.
  • An EL display device manufacturing method is formed on the substrate and the EL element so that the EL element is sealed between the EL element formed on the substrate and the substrate.
  • the sealing film is a method for manufacturing an EL display device including a first inorganic film, and is a first layer that is a layer in contact with the substrate and the EL element. And a second layer formed on the first layer, and a film forming step of forming the first inorganic film having a stacked structure, wherein the first step
  • the first inorganic film is formed so that the absolute value of the film stress of the layer is smaller than the absolute value of the film stress of the second layer, and the film thickness of the first layer is smaller than the film thickness of the second layer. It is characterized by forming a film.
  • the first inorganic film having the first layer and the second layer is formed, thereby improving the adhesion between the substrate and the EL element and improving the elongation at break.
  • An EL display device including a sealing film having an inorganic film can be manufactured.
  • the method for manufacturing an EL display device according to aspect 11 of the present invention may be the manufacturing method according to aspect 10 in which the sealing film is formed by plasma CVD in the film forming step.
  • a sealing film can be uniformly formed on the surface of the substrate even when there are irregularities on the surface of the substrate. .
  • the present invention can be suitably used for forming a sealing film that covers an EL element in an EL display device.

Abstract

　基板と封止膜との密着性を高め、かつ、封止膜におけるクラックの発生を抑制したＥＬ表示装置を提供する。下層無機膜（３１）は、基板及びＥＬ素子に接触している第１無機層（３４）と、第２無機層（３５）と、の積層構造を有しており、第１無機層（３４）の膜応力の絶対値は第２無機層（３５）の膜応力の絶対値よりも小さく、第１無機層（３４）の膜厚は第２無機層（３５）の膜厚よりも薄い。

Description

ＥＬ表示装置及びＥＬ表示装置の製造方法
　本発明はＥＬ表示装置及びＥＬ表示装置の製造方法に関する。
　発光材料の電界発光（Electro luminescence；以下、「ＥＬ」と記す）を利用したＥＬ表示装置は、液晶表示装置に比べて応答速度が速く、視野角も広い表示装置として注目されている。
　ＥＬ表示装置は、例えば、ガラス基板等からなる支持体上にＴＦＴ（薄膜トランジスタ）が設けられてなるＴＦＴ基板上に、ＴＦＴに接続されたＥＬ素子が設けられた構成を有している。
　しかしながら、ＥＬ素子は、一般的に、水分や酸素等による影響を受け易く、微量の水分や酸素と反応することでその特性が劣化し、表示装置の寿命を損なう。
　そこで、ＥＬ素子内への水分や酸素の浸入を防止するために、例えば、ＥＬ素子上に封止膜を形成することでＥＬ素子を封止する技術が知られている。
　封止膜は蒸着等の方法によって成膜することができ、その膜厚が厚いほど、ＥＬ素子内への水分及び酸素の侵入を防止するブロッキング効果が高まる。しかしながら、封止膜の膜厚を厚くすると、封止膜の膜応力が増大し、封止膜がＴＦＴ基板から剥がれる膜浮きが生じるおそれがある。また、ＥＬ表示装置に外力が加わることにより、封止膜にクラックが生じるおそれがある。
　封止膜の膜浮きやクラックが生じると、膜浮き部分やクラック部分からＥＬ素子に水分及び酸素等が侵入し、ダークスポットやシュリンク等の発光不良を生じる。
　特許文献１には、有機ＥＬ素子の上に設けられた封止膜としての無機絶縁膜と、有機化合物を含む応力緩和膜と、無機絶縁膜とがこの順で設けられた発光装置が記載されている。特許文献１の発光装置は、２層の無機絶縁膜の間に、無機絶縁膜よりも応力が小さい応力緩和膜が設けられていることにより、無機絶縁膜の膜応力を緩和し、無機絶縁膜の膜剥がれを防止することができる。
　また、特許文献２には、基材フィルムの上にＳｉＯｘ薄膜が形成されたガスバリアフィルムであって、薄膜に圧縮残留ひずみを与えることによってＳｉＯｘ薄膜の破壊ひずみを大きくしてクラックの発生を抑制したガスバリアフィルムが記載されている。
　また、特許文献３には、樹脂フィルムの上にバッファ層を設け、バッファ層の上に、真空蒸着法等によって形成されたＴＦＴ、有機ＥＬ素子、及び封止膜がこの順で設けられた有機ＥＬ表示装置が記載されている。特許文献２の有機ＥＬ表示装置のバッファ層は、無機膜からなる圧縮応力性の層と、引張応力性の層と、圧縮応力性の層とがこの順で積層された積層構造を有している。これにより、圧縮応力性の層と引張応力性の層とが互いの応力を相殺し、ＴＦＴへのクラックの発生を抑制することができる。
日本国公開特許公報「特開２００４－９５５５１号公報（２００４年３月２５日公開）」 日本国登録特許公報「特許第４１９６４４０号（２００８年１０月１０日登録）」 日本国登録特許公報「特許第５４４８９６０号（２０１４年１月１０日登録）」
　特許文献１の発光装置では、ＥＬ素子の上に設けられた無機絶縁膜の厚みが厚いほど防湿性が高まり、ＥＬ素子への水分の侵入を防止することができる。しかしながら、無機絶縁膜の厚みを厚くすると、無機絶縁膜が有する圧縮応力の影響により、無機絶縁膜とＥＬ素子との密着性が低下する。特許文献１の発光装置では、無機絶縁膜の防湿性と密着性とを両立することができない。
　特許文献２のガスバリアフィルムでは、ＳｉＯｘ薄膜と基材フィルムとの密着性が考慮されていないため、特許文献２に記載の技術をＥＬ表示装置の封止膜の成膜に適用した場合、封止膜とＴＦＴ基板との密着性が低くなり、封止膜がＴＦＴ基板から剥がれてしまうおそれがある。
　特許文献３の有機ＥＬ表示装置では、バッファ層と樹脂フィルムとの密着性が考慮されていないため、特許文献２に記載の技術をＥＬ表示装置の封止膜の成膜に適用した場合、封止膜とＴＦＴ基板との密着性が低くなり、封止膜がＴＦＴ基板から剥がれてしまうおそれがある。
　そこで、本発明は上記の課題に鑑みなされたものであって、その目的は、基板と封止膜との密着性を高め、かつ、封止膜におけるクラックの発生を抑制したＥＬ表示装置及びＥＬ表示装置の製造方法を提供することにある。
　上記の課題を解決するために、本発明の一態様に係るＥＬ表示装置は、基板上に形成されたＥＬ素子と、上記基板との間に上記ＥＬ素子を封止するように上記基板及び上記ＥＬ素子の上に形成された封止膜とを備えているＥＬ表示装置であって、上記封止膜は、第１の無機膜を含んでおり、上記第１の無機膜は、上記基板及び上記ＥＬ素子に接触している第１層と、上記第１層の上に形成された第２層と、の積層構造を有しており、上記第１層の膜応力の絶対値は上記第２層の膜応力の絶対値よりも小さく、上記第１層の膜厚は上記第２層の膜厚よりも薄いことを特徴とする。
　また、上記の課題を解決するために、本発明の一態様に係るＥＬ表示装置の製造方法は、基板上に形成されたＥＬ素子と、上記基板との間に上記ＥＬ素子を封止するように上記基板及び上記ＥＬ素子の上に形成された封止膜とを備えており、上記封止膜は第１の無機膜を含んでいるＥＬ表示装置の製造方法であって、上記基板及び上記ＥＬ素子に接触する第１層と、上記第１層の上に形成された第２層と、の積層構造を有している上記第１の無機膜を成膜する成膜工程を含み、上記成膜工程では、上記第１層の膜応力の絶対値が上記第２層の膜応力の絶対値よりも小さく、上記第１層の膜厚が上記第２層の膜厚よりも薄くなるように上記第１の無機膜を成膜することを特徴とする。
　本発明の一態様によれば、基板と封止膜との密着性を高め、かつ、封止膜におけるクラックの発生を抑制したＥＬ表示装置及びＥＬ表示装置の製造方法を提供することができる。
本発明の実施形態１にかかる有機ＥＬ表示装置の第２電極及び封止膜の構成を示す断面図である。 （ａ）は、本発明の実施形態１にかかる有機ＥＬ表示装置の概略構成の一例を示す断面図であり、（ｂ）は、（ａ）に示す有機ＥＬ表示装置のサブ画素の概略構成を示す平面図である。 （ａ）は、従来の有機ＥＬ表示装置の第２電極及び封止膜の構成を示す断面図であり、（ｂ）は、従来の有機ＥＬ表示装置を屈曲させたときの第２電極及び封止膜の構成を示す断面図である。 （ａ）は、引張試験の結果を示す表であり、（ｂ）は、引張試験の結果を示すグラフである。 Ｃａ試験の結果を示す表である。 本発明の実施形態２にかかる有機ＥＬ表示装置の第２電極及び封止膜の構成を示す断面図である。 本発明の実施形態３にかかる有機ＥＬ表示装置の第２電極及び封止膜の構成を示す断面図である。 本発明の実施形態４にかかる有機ＥＬ表示装置の概略構成の一例を示す断面図である。 本発明の実施形態４にかかる有機ＥＬ表示装置の一部の断面図である。 （ａ）～（ｃ）は、本発明の実施形態４の変形例にかかる有機ＥＬ表示装置の一部の断面図である。
　〔実施形態１〕
　以下、本発明の実施の形態について、図１ないし図５の（ａ）・（ｂ）に基づいて詳細に説明する。
　以下の説明では、ＥＬ表示装置として、有機ＥＬ表示装置を例に挙げて説明する。
　＜有機ＥＬ表示装置の概略構成＞
　図２の（ａ）は、本実施形態にかかる有機ＥＬ表示装置の概略構成の一例を示す断面図であり、図２の（ｂ）は、図２の（ａ）に示す有機ＥＬ表示装置のサブ画素の概略構成を示す平面図である。
　図２の（ａ）に示すように、有機ＥＬ表示装置１００（ＥＬ表示装置）は、ＴＦＴ（Thin Film Transistor：薄膜トランジスタ）基板１０上に、有機ＥＬ素子２０（ＥＬ素子）、封止膜３０が、ＴＦＴ基板１０側からこの順に設けられた構成を有している。
　ＴＦＴ基板１０は、ガラス基板やプラスチックフィルム等からなる絶縁性の支持体１（基板）を備えている。支持体１上には、ＴＦＴ２、信号線３、層間絶縁膜４等が設けられている。
　信号線３は、複数のゲート線、複数のソース線、及び複数の電源線等で構成されている。これら信号線３で格子状に囲まれた領域の各々には、各色のサブ画素１４が配置されている。例えば、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）のサブ画素１４のセットで、一つの画素を形成している。
　各サブ画素１４には、それぞれＴＦＴ２が設けられている。ＴＦＴ２は、それぞれ、信号線３に接続されており、ゲート線で信号入力するサブ画素を選択し、ソース線で、選択されたサブ画素に入力する電荷の量を決定し、電源線から電流を有機ＥＬ素子２０に流す。
　ＴＦＴ２及び信号線３は、層間絶縁膜４で覆われている。層間絶縁膜４の材料としては、例えばアクリル樹脂やポリイミド樹脂等の絶縁性材料を用いることができる。層間絶縁膜４の厚さは、ＴＦＴ２及び信号線３の上面の段差を解消することができればよく、特に限定されない。
　有機ＥＬ素子２０は、第１電極２１（陽極）、有機ＥＬ層２２、第２電極２３（陰極）等で構成されている。
　第１電極２１は、層間絶縁膜４上に形成されている。第１電極２１は、有機ＥＬ層２２に正孔を注入（供給）し、第２電極２３は、有機ＥＬ層２２に電子を注入する。第１電極２１は、層間絶縁膜４に形成されたコンタクトホール４ａを介して、ＴＦＴ２に電気的に接続されている。
　第１電極２１の端部はエッジカバー５で覆われている。エッジカバー５は絶縁膜であり、例えば感光性樹脂で構成されている。エッジカバー５は、第１電極２１の端部で、電極集中や有機ＥＬ層２２が薄くなって第２電極２３と短絡することを防止する。また、エッジカバー５は、隣接するサブ画素１４に電流が漏れないように、画素分離膜としても機能している。
　エッジカバー５には、サブ画素１４毎に開口５ａが設けられている。この開口５ａによる第１電極２１の露出部が各サブ画素１４の発光領域となっている。
　有機ＥＬ層２２は、第１電極２１と第２電極２３との間に設けられている。有機ＥＬ層２２は、第１電極２１側から、例えば、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層等が、この順に積層された構成を有している。なお、一つの層が複数の機能を有していてもよい。例えば、正孔注入層及び正孔輸送層に代えて、これら両層の機能を有する正孔注入層兼正孔輸送層が設けられていてもよい。また、電子注入層及び電子輸送層に代えて、これら両層の機能を有する電子注入層兼電子輸送層が設けられていてもよい。また、各層の間に、適宜、キャリアブロッキング層が設けられていてもよい。
　なお、図２の（ａ）では、第１電極２１を陽極（パターン電極、画素電極）とし、第２電極２３を陰極（共通電極）としているが、第１電極２１を陰極とし、第２電極２３を陽極としてもよい。但し、この場合、有機ＥＬ層２２を構成する各層の順序は反転する。
　また、有機ＥＬ表示装置１００が支持体１の裏面側から光を放出するボトムエミッション型である場合には、第２電極２３を反射性電極材料で形成し、第１電極２１を透明または半透明の透光性電極材料で形成することが好ましい。
　一方、有機ＥＬ表示装置１００が、封止膜３０側から光を放出するトップエミッション型である場合には、第１電極２１を反射性電極材料で形成し、第２電極２３を透明または半透明の透光性電極材料で形成することが好ましい。
　封止膜３０は、支持体１との間に有機ＥＬ素子２０を封止するように支持体１及び第２電極２３の上に形成されている。封止膜３０は、外部から浸入した水分や酸素によって有機ＥＬ素子２０が劣化するのを防止する。
　なお、第２電極２３と封止膜３０との間には、光学特性の調整のために、図示しない有機層（光学調整層）が形成されていてもよいし、第２電極２３を保護するための電極保護層が形成されていてもよい。
　＜封止膜の構成＞
　図１は、本実施形態にかかる有機ＥＬ表示装置の第２電極及び封止膜の構成を示す断面図である。
　図１に示すように、本実施形態にかかる有機ＥＬ表示装置１００の封止膜３０は、第２電極２３の上に形成された下層無機膜３１（第１の無機膜）と、有機膜３２と、上層無機膜３３（第２の無機膜）とが、第２電極２３側からこの順に積層された構造を有している。
　なお、図１は、第２電極２３の上に形成された封止膜３０を図示するものであるが、図２の（ａ）に示すように、封止膜３０は支持体１の上にも同様に形成されており、有機ＥＬ表示装置１００の表示領域にある有機ＥＬ素子２０を完全に覆うように形成されている。
　（下層無機膜３１）
　図１に示すように、下層無機膜３１は、第２電極２３に接触している第１無機層３４（第１層）と、第２無機層３５（第２層）との積層構造を有している。第１無機層３４の膜厚は、第２無機層３５の膜厚よりも薄い。また、第１無機層３４及び第２無機層３５は膜応力を有しており、第１無機層３４の膜応力の絶対値は、第２無機層３５の膜応力の絶対値よりも小さい。
　なお、第１無機層３４及び第２無機層３５の膜応力は、引張応力であってもよいし、圧縮応力であってもよいが、以下では、第１無機層３４及び第２無機層３５は圧縮応力を有しているものとして説明する。
　一般的に無機膜は、有機膜に比べて高い防湿機能を有している。本実施形態の封止膜３０は、無機膜として、下層無機膜３１及び上層無機膜３３を備えている。これにより、封止膜３０は、高い防湿性を有している。なお、下層無機膜３１及び上層無機膜３３の厚みが薄い場合、防湿性が低下するため、要求される防湿性の程度に応じて、下層無機膜３１及び上層無機膜３３の厚みを設計することが好ましい。
　また、第１無機層３４及び第２無機層３５は圧縮応力（膜応力）を有している。これにより、封止膜３０の破断伸び率（破断強度）を向上させることができる。
　また、第１無機層３４は、第２無機層３５よりも膜厚が薄く、第２無機層３５よりも圧縮応力の絶対値が小さい。これにより、下層無機膜３１を、圧縮応力が高い第２無機層３５のみで構成した場合に比べて、下層無機膜３１と第２電極２３及び支持体１との密着性を向上させることができる。また、第１無機層３４の厚みを薄くすることによって、有機ＥＬ表示装置１００を屈曲させたときに第１無機層３４に対して３次元的に加わる力が低減されるため、封止膜３０の破断伸び率を向上させることができる。
　また、第２無機層３５は、第１無機層３４よりも圧縮応力の絶対値が大きい。これにより、封止膜３０を第１無機層３４のみで構成した場合に比べて、封止膜３０の破断伸び率を向上させることができ、封止膜３０におけるクラックの発生を防止することができる。
　下層無機膜３１は、例えば、窒化シリコン（ＳｉＮ）、酸化シリコン（ＳｉＯ）、酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）等の材料を用いて形成することができる。
　第１無機層３４の膜厚は１００ｎｍ以上２００ｎｍ未満であり、第１無機層３４の圧縮応力は－１００ＭＰａ以上０ＭＰａ未満であり、第２無機層３５の膜厚は２００ｎｍ以上３００ｎｍ以下であり、第２無機層３５の圧縮応力は－３００ＭＰａ以上－１００ＭＰａ以下であることが好ましい。
　（有機膜３２）
　有機膜３２は、下層無機膜３１と上層無機膜３３との間に設けられている。これにより、下層無機膜３１及び上層無機膜３３の圧縮応力を緩和することができ、有機ＥＬ表示装置１００を屈曲させた際の下層無機膜３１及び上層無機膜３３の破断を防止することができる。さらに、ピンホールを打ち消したり、異物による膜欠損を防止したりすることができる。
　有機膜３２は、例えば、ポリシロキサン、酸化炭化シリコン（ＳｉＯＣ）、アクリレート、ポリ尿素、パリレン、ポリイミド、ポリアミド等の材料を用いて形成することができる。
　（上層無機膜３３）
　一般的に有機膜３２は水分に弱い。そこで、有機膜３２の上に上層無機膜３３を設けることによって、封止膜３０の防湿性を向上させることができる。
　上層無機膜３３は、下層無機膜３１と同様の積層構造を有しており、具体的には、有機膜３２の上に形成された第３無機層３６（第３層）と、第４無機層３７（第４層）とが、有機膜３２側からこの順に積層された構造を有している。
　第３無機層３６の膜厚は、第４無機層３７の膜厚よりも薄い。また、第３無機層３６及び第４無機層３７は圧縮応力を有しており、第３無機層３６の圧縮応力の絶対値は、第４無機層３７の圧縮応力の絶対値よりも小さい。
　第３無機層３６の膜厚、圧縮応力、及び組成は、第１無機層３４の膜厚、圧縮応力、及び組成と同じである。また、第４無機層３７の膜厚、圧縮応力、及び組成は、第２無機層３５の膜厚、圧縮応力、及び組成と同じである。
　第３無機層３６及び第４無機層３７は圧縮応力を有している。これにより、封止膜３０の破断伸び率（破断強度）を向上させることができる。
　また、第３無機層３６は、第４無機層３７よりも膜厚が薄く、第４無機層３７よりも圧縮応力の絶対値が小さい。これにより、上層無機膜３３を、圧縮応力が高い第４無機層３７のみで構成した場合に比べて、上層無機膜３３と有機膜３２との密着性を向上させることができる。また、第３無機層３６の厚みを薄くすることによって、有機ＥＬ表示装置１００を屈曲させたときに第３無機層３６に対して３次元的に加わる力が低減されるため、封止膜３０の破断伸び率を向上させることができる。
　また、第４無機層３７は、第３無機層３６よりも圧縮応力の絶対値が大きい。これにより、封止膜３０を第３無機層３６のみで構成した場合に比べて、封止膜３０の破断伸び率を向上させることができる。
　上層無機膜３３は、例えば、窒化シリコン（ＳｉＮ）、酸化シリコン（ＳｉＯ）、酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）等の材料を用いて形成することができる。
　第３無機層３６の膜厚は１００ｎｍ以上２００ｎｍ未満であり、第４無機層３７の圧縮応力は－１００ＭＰａ以上０ＭＰａ未満であり、第４無機層３７の膜厚は２００ｎｍ以上３００ｎｍ以下であり、第４無機層３７の圧縮応力は－３００ＭＰａ以上－１００ＭＰａ未満であることが好ましい。
　＜フレキシブル性＞
　図３の（ａ）は、従来の有機ＥＬ表示装置の第２電極及び封止膜の構成を示す断面図であり、図３の（ｂ）は、従来の有機ＥＬ表示装置を屈曲させたときの第２電極及び封止膜の構成を示す断面図である。
　図３の（ａ）に示すように、従来の有機ＥＬ表示装置の封止膜３３０は、第２電極２３の上に、下層無機膜３３１、有機膜３３２、上層無機膜３３３が、第２電極２３側からこの順に形成された積層構造を有している。
　下層無機膜３３１の破断伸び率を向上させるためには、下層無機膜３３１の圧縮応力は高い方が好ましいが、従来の有機ＥＬ表示装置では、下層無機膜３３１と第２電極２３との密着性を確保するために、下層無機膜３３１の圧縮応力は一定の値以下に制限される。
　そのため、従来の有機ＥＬ表示装置を屈曲させた場合、図３の（ｂ）に示すように、下層無機膜３３１が破断して下層無機膜３３１にクラック３３４が生じ、封止膜３３０の封止性能が低下する。
　これに対して、本実施形態にかかる有機ＥＬ表示装置１００の封止膜３０の積層構造によれば、第１無機層３４により有機ＥＬ素子２０及び支持体１との密着性を確保しつつ、第２無機層３５により破断伸び率を向上させることができる。
　これにより、封止膜３０の膜剥がれを防止するとともに、屈曲強度を向上させて屈曲時のクラックの発生を抑制することができる。そのため、支持体１にフレキシブルな支持体を用いた場合の有機ＥＬ表示装置１００の耐屈曲性を向上させることができる。上記有機ＥＬ表示装置１００は、例えば電子ペーパー等、紙のように折り曲げ可能なフレキシブルな表示装置として好適に用いることができる。
　＜引張試験＞
　ここで、封止膜の破断伸び率を評価するための引張試験について説明する。
　引張試験は、ＪＩＳ　Ｋ　７１２７に基づく試験であり、引っ張り方向と平行な方向に５０ｍｍ離れた平行な２本の標線をつけた試験片を両側から引っ張り、試験片を引っ張る前の標線間の距離と試験片が破断したときの標線間の距離とに基づいて試験片の破断伸び率を評価する試験である。引張試験には、株式会社島津製作所製のオートグラフを使用した。
　本実施形態では、引張試験に用いる試験片として、シート状に形成された封止膜を用いた。
　引張試験では、８種類の試験片１～試験片８の破断伸び率を評価した。試験片１は、膜応力が－５１ＭＰａで膜厚が５００ｎｍの試験片である。試験片２は、膜応力が－５１ＭＰａで膜厚が３００ｎｍの試験片である。試験片３は、膜応力が－５１ＭＰａで膜厚が２００ｎｍの試験片である。試験片４は、膜応力が－５１ＭＰａで膜厚が１５０ｎｍの試験片である。試験片５は、膜応力が－５１ＭＰａで膜厚が１００ｎｍの試験片である。試験片６は、膜応力が－２２２Ｐａで膜厚が５００ｎｍの試験片である。試験片７は、膜応力が－２２２Ｐａで膜厚が３００ｎｍの試験片である。試験片８は、膜応力が－２２２Ｐａで膜厚が１５０ｎｍの試験片である。
　図４の（ａ）は、引張試験の結果を示す表であり、図４の（ｂ）は、引張試験の結果を示すグラフである。
　前述したように、膜応力の絶対値が高い無機膜は、第２電極２３及び支持体１との密着性が低く、第２電極２３及び支持体１に直接接触する第１無機層３４に、膜応力の絶対値が低い無機膜を使用することで、第１無機層３４と第２電極２３及び支持体１との密着性を向上させることができる。
　しかしながら、図４の（ａ）・（ｂ）に示す試験片１～試験片８の破断伸び率からわかるように、膜厚が同じ場合、膜応力（圧縮応力）の絶対値が相対的に小さい無機膜は、膜応力の絶対値が相対的に大きい無機膜よりも破断伸び率が低い。すなわち、破断伸び率と密着性とは、互いにトレードオフの関係にある。
　したがって、膜応力の絶対値が相対的に小さい無機膜を第１無機層３４として積層することで、第１無機層３４と第２電極２３及び支持体１との密着性を向上させることができる一方で、第１無機層３４の破断伸び率が低下することになる。破断は、破断伸び率が低い膜から起こる。したがって、第１無機層３４から破断することになる。
　ここで、試験片１～試験片８の破断伸び率からわかるように、破断伸び率は、膜応力の絶対値に拘らず、膜厚が薄いほど大きい。つまり、無機膜を薄くすることで、無機膜に３次元的に加わる力が低減するので、破断伸び率が向上する。
　しかしながら、薄い無機膜では、防湿性が低下する。つまり、破断伸び率と防湿性もまた、互いにトレードオフの関係にある。破断伸び率を向上させるためには、無機膜を薄く成膜することが好ましい一方で、防湿性を確保するためには、無機膜を厚く成膜することが好ましい。
　試験片１～試験片５の破断伸び率と、試験片６～試験片８の破断伸び率とを比較すると、例えば、圧縮応力が－５１ＭＰａの場合、試験片４・５で示すように、膜厚を２００ｎｍ未満とした場合、圧縮応力が－２２２ＭＰａで膜厚が３００ｎｍの試験片７とほぼ同等の破断伸び率を得ることができる。試験片４・５の破断伸び率は、圧縮応力が－２２２ＭＰａで膜厚が２００ｎｍの試験片８よりも大きい。また、圧縮応力が－５１ＭＰａで膜厚が２００ｎｍの試験片３は、圧縮応力が－２２２ＭＰａで膜厚が５００ｎｍの試験片８とほぼ同等といっても過言ではない破断伸び率を得ることができる。
　このことから、膜応力の絶対値が相対的に小さい無機膜であっても、膜厚を薄くすることで、膜応力の絶対値が相対的に高い無機膜と同程度に破断伸び率を向上させることができることがわかる。
　さらに、膜応力の絶対値が相対的に小さい無機膜、特に、第１無機層３４の膜厚が大きくなると、該無機膜全体の膜応力（例えば、第１無機層３４の膜厚と膜応力との積）が大きくなる。この結果、密着性が低下する。このため、第１無機層３４の膜厚は、相対的に薄いことが望ましい。
　したがって、膜応力の絶対値が相対的に小さい無機膜を第１無機層３４とし、膜応力の絶対値が相対的に大きい無機膜を第２無機層３５とし、第１無機層３４の膜厚を第２無機層３５の膜厚よりも薄くすることで、下層無機膜３１の防湿性を確保した上で、下層無機膜３１と、第２電極２３及び支持体１との密着性および下層無機膜３１の破断伸び率を向上させることができる。
　ここで、第１無機層３４および第２無機層３５の好ましい膜厚、さらには、膜応力の絶対値が相対的に小さい無機膜および膜応力の絶対値が相対的に大きい無機膜の好ましい膜厚についてさらに検討する。
　試験片１～試験片５の破断伸び率から、圧縮応力が－５１ＭＰａの場合、膜厚が１００ｎｍ以上５００ｎｍ以下の範囲内では、膜厚が薄いほど破断伸び率が大きく、膜厚が２００ｎｍ以上になると、破断伸び率が急激に低下することがわかる。また、試験片６～試験片８の破断伸び率から、圧縮応力が－２２２ＭＰａの場合、膜厚の増加に伴って、破断伸び率が緩やかに低下することがわかる。
　したがって、第１無機層３４及び第２無機層３５のように、膜応力の絶対値が互いに異なる無機層を積層する場合、上述したように、膜応力の絶対値が小さい方の無機膜の膜厚が、膜応力の絶対値が大きい方の無機膜の膜厚よりも薄く設定されてさえいれば、上述した効果を得ることができるものの、膜応力の絶対値が小さい方の無機膜の膜厚、特に、第１無機層３４の膜厚は、２００ｎｍ未満に設定されていることが、特に好ましい。
　一方、膜応力の絶対値が大きい方の無機膜は、破断伸び率に目立った変曲点は見られないものの、膜厚が大きくなると、下層無機膜３１全体の膜応力が大きくなる。また、膜応力の絶対値が小さい方の無機膜の膜厚を２００ｎｍ未満に設定した場合、膜応力の絶対値が大きい方の無機膜の膜厚が３００ｎｍを越えると、膜応力の絶対値が小さい方の無機膜の破断延び率と比較して、破断延び率が低下する傾向にある。このため、膜応力の絶対値が小さい方の無機膜の膜厚を２００ｎｍ未満に設定した場合、膜応力の絶対値が大きい方の無機膜の膜厚は、例えば、３００ｎｍ以下とすることが好ましい。
　また、上述したように、防湿性の観点からは、膜応力の絶対値が小さい方の無機膜の膜厚は、防湿性が確保できる程度に薄く形成されることが好ましい。
　＜Ｃａ試験＞
　そこで、封止膜の防湿性を評価するためのＣａ試験について説明する。
　Ｃａ試験は、試験片で覆われたカルシウムを高温高湿環境下に置き、水蒸気により一部が腐食された後のカルシウムの残存率に基づいて試験片の防湿性を評価する試験である。
　本実施形態では、Ｃａ試験に用いる試験片として、ガラス基板上にシート状に形成された封止膜を用いた。
　Ｃａ試験では、試験片で覆われたカルシウムを、高温高湿環境として温度８０℃湿度８５％の環境下に２２０時間置いた後のカルシウム残存率に基づいて試験片の防湿性を評価した。
　図５は、Ｃａ試験の結果を示す表である。
　Ｃａ試験では、４種類の試験片１～試験片４の防湿性を評価した。
　試験片１は、圧縮応力が低い無機膜１００ｎｍと圧縮応力が高い無機膜３００ｎｍと圧縮応力が低い無機膜１００ｎｍとが、ガラス基板上に、該ガラス基板側からこの順に積層された膜厚５００ｎｍの試験片である。
　試験片２は、圧縮応力が高い無機膜２００ｎｍと圧縮応力が低い無機膜１００ｎｍと圧縮応力が高い無機膜２００ｎｍとがこの順に積層された膜厚５００ｎｍの試験片である。
　試験片３は、圧縮応力が高い無機膜１００ｎｍと圧縮応力が低い無機膜１００ｎｍとが、圧縮応力が高い無機膜１００ｎｍが両端の層となるように交互に５層積層された膜厚５００ｎｍの試験片である。
　試験片４は、圧縮応力が高い無機膜５５ｎｍと圧縮応力が低い無機膜５５ｎｍとが、圧縮応力が高い無機膜５５ｎｍが両端の層となるように交互に９層積層された膜厚４９５ｎｍの試験片である。
　なお、各試験片において、圧縮応力が低い無機膜とは、実施形態１の封止膜３０における第１無機層３４と同等の圧縮応力（－１００ＭＰａ以上０ＭＰａ未満）を備えた膜であり、圧縮応力が高い無機膜とは、実施形態１の封止膜３０における第２無機層３５と同等の圧縮応力（－３００ＭＰａ以上－１００ＭＰａ未満）を備えた膜である。
　また、図５の表中の圧縮応力の列は、各試験片における圧縮応力が低い無機膜と圧縮応力が高い無機膜との積層順を示し、ガラス基板上に、左側に記す無機膜から右側に記す無機膜までが、ガラス基板側からこの記載順に積層されていることを意味する。
　図５に示すように、本実施形態にかかる封止膜３０の下層無機膜３１及び上層無機膜３３のように、圧縮応力が低い膜の膜厚を１００ｎｍとし、圧縮応力が高い膜の膜厚を３００ｎｍとした試験片１では、Ｃａ残存率が７０．２％であった。このことから、本実施形態にかかる封止膜３０の下層無機膜３１及び上層無機膜３３は十分な防湿性を備えていることを確認することができた。
　また、図５に示すように、試験片１、試験片３、試験片４を比較すると、試験片１及び試験片３に含まれる圧縮応力が低い無機膜の合計膜厚は２００ｎｍであり、試験片４に含まれる圧縮応力が低い無機膜の合計膜厚は２２０ｎｍであり、試験片１、３、４に含まれる圧縮応力が低い無機膜の合計膜厚は同等である。一方で、試験片１、３に含まれる圧縮応力が低い無機膜の各層の膜厚は１００ｎｍであり、試験片４に含まれる圧縮応力が低い無機膜の各層の膜厚は５５ｎｍである。試験片４の試験後のＣａ残存率よりも試験片１、３の試験後のＣａ残存率の方が高いことから、圧縮応力が低い無機膜の膜厚を１００ｎｍ以上とした方が、防湿性が高くなることがわかる。
　また、試験片２と試験片３とを比較すると、試験片２及び試験片３に含まれる圧縮応力が低い無機膜の膜厚は１００ｎｍで等しく、試験片２及び試験片３の合計膜厚は５００ｎｍで等しい。一方で、試験片２に含まれる圧縮応力が高い無機膜の膜厚は２００ｎｍであり、試験片３に含まれる圧縮応力が高い無機膜の膜厚は１００ｎｍである。試験片３の試験後のＣａ残存率よりも試験片２の試験後のＣａ残存率の方が高いことから、圧縮応力が高い無機膜の膜厚を２００ｎｍ以上とした方が、防湿性が高くなることがわかる。
　また、試験片１と試験片３とを比較すると、試験片１及び試験片３に含まれる圧縮応力が高い無機膜の合計膜厚は３００ｎｍで等しく、試験片１及び試験片３の合計膜厚は５００ｎｍで等しい。一方で、試験片１に含まれる圧縮応力が高い無機膜の膜厚は３００ｎｍであり、試験片３に含まれる圧縮応力が高い無機膜の各層の膜厚は１００ｎｍである。試験片１の試験後のＣａ残存率よりも試験片３の試験後のＣａ残存率の方が高い。このため、試験片１から、膜応力の絶対値が高い無機膜の膜厚を３００ｎｍ以下とすることで、たとえ膜応力が低い無機膜の膜厚を１００ｎｍと薄くしたとしても十分な防湿性を得ることができるものの、膜応力の絶対値が高い無機膜の膜厚を３００ｎｍ未満とすることで、より防湿性を向上させることができることがわかる。
　以上のＣａ試験の結果に基づけば、封止膜３０の防湿性を高めるためには、膜応力の絶対値が低い無機膜である第１無機層３４の膜厚は１００ｎｍ以上であることが好ましく、膜応力の絶対値が高い無機膜である第２無機層３５の膜厚は、２００ｎｍ以上３００ｎｍ以下であることが好ましく、２００ｎｍ以上３００ｎｍ未満であることがより好ましい。
　また、Ｃａ試験及び引張試験の結果に基づけば、封止膜３０の防湿性及び破断伸び率の両方を考慮すると、－１００ＭＰａ以上０ＭＰａ未満の低い圧縮応力を有する第１無機層３４の膜厚は、１００ｎｍ以上２００未満であることが好ましく、－３００ＭＰａ以上－１００ＭＰａ未満の高い圧縮応力を有する第２無機層３５の膜厚は、２００ｎｍ以上３００ｎｍ以下であることが好ましく、２００ｎｍ以上３００ｎｍ未満であることがより好ましい。
　＜その他＞
　なお、上記の説明では、上層無機膜３３は下層無機膜３１と同様の積層構造を有しており、第３無機層３６の膜厚、圧縮応力、及び組成は、第１無機層３４の膜厚、圧縮応力、及び組成と同じであり、第４無機層３７の膜厚、圧縮応力、及び組成は、第２無機層３５の膜厚、圧縮応力、及び組成と同じであるものとして説明したが、本実施形態にかかる封止膜３０の構成はこれに限られない。
　上層無機膜３３は、少なくとも、第４無機層３７の圧縮応力の絶対値が第３無機層３６の圧縮応力の絶対値よりも高ければよく、第３無機層３６及び第４無機層３７の膜厚、圧縮応力、及び組成は、第１無機層３４及び第２無機層３５の膜厚、圧縮応力、及び組成とは異なっていてもよい。
　＜封止膜の成膜方法＞
　次に、本実施形態にかかる封止膜の成膜方法について説明する。以下では、下層無機膜３１及び上層無機膜３３として、窒化シリコン膜を形成する場合を例に挙げて説明する。
　封止膜３０は、プラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）装置を用いて成膜することができる。
　まず、有機ＥＬ素子２０が形成された支持体１を真空室内に配置し、真空室内に、モノシラン、アンモニア、窒素、水素等の混合ガスを導入し、プラズマ放電を行うことによって、第２電極２３及び支持体１の上に第１無機層３４を形成する。
　次に、第１無機層３４が形成された支持体１を真空室内に配置し、真空室内に、モノシラン、アンモニア、窒素、水素、等の混合ガスを導入し、プラズマ放電を行うことによって、第１無機層３４の上に第２無機層３５を形成する。
　次に、下層無機膜３１が形成された支持体１を真空室内に配置し、周知の蒸着方法により、下層無機膜３１の上に有機膜３２を形成する。
　次に、有機膜３２が形成された支持体１を真空室内に配置し、真空室内に、モノシラン、アンモニア、窒素、水素等の混合ガスを導入し、プラズマ放電を行うことによって、有機膜３２上に第３無機層３６を形成する。
　次に、第３無機層３６が形成された支持体１を真空室内に配置し、真空室内に、モノシラン、アンモニア、窒素、水素、等の混合ガスを導入し、プラズマ放電を行うことによって、第３無機層３６の上に第４無機層３７を形成する。
　下層無機膜３１及び上層無機膜３３を形成する工程（成膜工程）において、モノシラン、アンモニア、窒素、水素等のガスの流量を制御することにより、形成される膜の膜応力を調整することができる。
　本実施形態にかかる有機ＥＬ表示装置１００の製造方法では、下層無機膜３１及び上層無機膜３３を形成する工程において、例えば、プラズマ放電の電力を９００Ｗとし、モノシラン流量を２４３ｓｃｃｍとし、アンモニア流量を４３５ｓｃｃｍとし、窒素流量を４０００ｓｃｃｍとし、水素流量を２５００ｓｃｃｍとして無機層を形成することにより、下層無機膜３１の第１無機層３４を、膜厚が１００ｎｍ以上２００ｎｍ未満であり、かつ、圧縮応力が－１００ＭＰａ以上０ＭＰａ未満となるように成膜するとともに、下層無機膜３１の第２無機層３５を、膜厚が２００ｎｍ以上３００ｎｍ以下であり、かつ、圧縮応力が－３００ＭＰａ以上－１００ＭＰａ未満となるように封止膜３０を形成した。
　なお、プラズマＣＶＤ装置を用いたＣＶＤ法による封止膜３０の成膜方法を例に挙げて説明したが、封止膜３０の成膜方法はこれに限られない。スパッタ法やＡＬＤ（Atomic Layer Deposition）法により封止膜３０を成膜してもよい。ＣＶＤ法及びＡＬＤ法は、段差被覆性が高いため、好適に用いることができる。外部電気配線接続部（端子部）などの領域に封止膜３０が成膜されないようにするために、開口部を有する成膜マスクを用いて、成膜が必要な箇所にのみ封止膜３０を成膜してもよい。
　〔実施形態２〕
　本発明の他の実施形態について、図６に基づいて説明すれば、以下のとおりである。なお、説明の便宜上、前記実施形態にて説明した部材と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付記し、その説明を省略する。
　図６は、本実施形態にかかる有機ＥＬ表示装置の第２電極及び封止膜の構成を示す断面図である。
　図６に示すように、本実施形態にかかる有機ＥＬ表示装置は、封止膜１３０の下層無機膜１３１及び上層無機膜１３３がそれぞれ４層構造である点を除けば、実施形態１にかかる有機ＥＬ表示装置１００と同じ構成を有している。
　（下層無機膜１３１）
　下層無機膜１３１は、第２電極２３の上に形成された第１無機層３４（第１層）と、第２無機層３５（第２層）と、第５無機層３８と、第６無機層３９とが、第２電極２３側からこの順に積層された構造を有している。
　第１無機層３４の膜厚は、第２無機層３５の膜厚よりも薄い。また、第１無機層３４及び第２無機層３５は圧縮応力を有しており、第１無機層３４の圧縮応力の絶対値は、第２無機層３５の圧縮応力の絶対値よりも小さい。
　第５無機層３８の膜厚及び圧縮応力は、第１無機層３４の膜厚及び圧縮応力と同じであり、第６無機層３９の膜厚及び圧縮応力は、第２無機層３５の膜厚及び圧縮応力と同じである。
　（上層無機膜１３３）
　上層無機膜１３３は、有機膜３２の上に形成された第３無機層３６と、第４無機層３７と、第７無機層４０と、第８無機層４１とが、第２電極２３側からこの順に積層された構造を有している。
　第３無機層３６の膜厚は、第４無機層３７の膜厚よりも薄い。また、第３無機層３６及び第４無機層３７は圧縮応力を有しており、第３無機層３６の圧縮応力の絶対値は、第４無機層３７の圧縮応力の絶対値よりも小さい。
　第７無機層４０の膜厚及び圧縮応力は、第３無機層３６の膜厚及び圧縮応力と同じであり、第８無機層４１の膜厚及び圧縮応力は、第４無機層３７の膜厚及び圧縮応力と同じである。
　本実施形態にかかる封止膜１３０の下層無機膜１３１は、圧縮応力が小さい薄い膜（第１無機層３４及び第５無機層３８）と、圧縮応力が大きい厚い膜（第２無機層３５及び第６無機層３９）とが２回繰り返して積層された構造を有している。また、上層無機膜１３３は、圧縮応力が小さい薄い膜（第３無機層３６及び第７無機層４０）と、圧縮応力が大きい厚い膜（第４無機層３７及び第８無機層４１）とが２回繰り返して積層された構造を有している。
　また、下層無機膜１３１及び上層無機膜１３３をそれぞれ４層構造とする一方で、防湿性が低い有機膜３２は下層無機膜１３１と上層無機膜１３３との間にのみ設けられている。
　これにより、有機膜３２の層の数を増やして封止膜１３０の厚みを増大させることなく、実施形態１にかかる封止膜３０に比べて、封止膜１３０の封止性能（バリア性）を向上させることができる。
　なお、上記の説明では、下層無機膜１３１及び上層無機膜１３３は、圧縮応力が小さい薄い膜と、圧縮応力が大きい厚い膜とが２回繰り返して積層された構造を有しているものとして説明したが、本実施形態の下層無機膜１３１及び上層無機膜１３３の積層構造はこれに限られない。下層無機膜１３１及び上層無機膜１３３は、圧縮応力が小さい薄い膜と、圧縮応力が大きい厚い膜とが３回以上繰り返して積層された構造を有していてもよい。
　〔実施形態３〕
　本発明の他の実施形態について、図７に基づいて説明すれば、以下のとおりである。なお、説明の便宜上、前記実施形態にて説明した部材と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付記し、その説明を省略する。
　図７は、本実施形態にかかる有機ＥＬ表示装置の第２電極及び封止膜の構成を示す断面図である。
　図７に示すように、本実施形態にかかる有機ＥＬ表示装置は、封止膜２３０の下層無機膜２３１及び上層無機膜２３３がそれぞれ３層構造である点を除けば、実施形態１にかかる有機ＥＬ表示装置１００と同じ構成を有している。
　（下層無機膜２３１）
　下層無機膜２３１は、第２電極２３の上に形成された第１無機層３４（第１層）と、第２無機層３５（第２層）と、第９無機層４２とが、第２電極２３側からこの順に積層された構造を有している。
　第１無機層３４及び第９無機層４２の膜厚は、第２無機層３５の膜厚よりも薄い。また、第１無機層３４、第２無機層３５、及び第９無機層４２は圧縮応力を有しており、第１無機層３４及び第９無機層４２の圧縮応力の絶対値は、第２無機層３５の圧縮応力の絶対値よりも小さい。
　第９無機層４２の膜厚及び圧縮応力は、第１無機層３４の膜厚及び圧縮応力と同じである。
　（上層無機膜２３３）
　上層無機膜２３３は、有機膜３２の上に形成された第３無機層３６と、第４無機層３７と、第１０無機層４３とが、有機膜３２側からこの順に積層された構造を有している。
　第３無機層３６及び第１０無機層４３の膜厚は、第４無機層３７の膜厚よりも薄い。また、第３無機層３６、第４無機層３７、及び第１０無機層４３は圧縮応力を有しており、第３無機層３６及び第１０無機層４３の圧縮応力の絶対値は、第４無機層３７の圧縮応力の絶対値よりも小さい。
　第１０無機層４３の膜厚及び圧縮応力は、第３無機層３６の膜厚及び圧縮応力と同じである。
　本実施形態にかかる封止膜２３０は、下層無機膜２３１及び上層無機膜２３３がそれぞれ３層構造であるため、実施形態１にかかる封止膜３０に比べて、封止膜２３０の封止性能（バリア性）を向上させることができる。
　〔実施形態４〕
　本発明の他の実施形態について、図８ないし図１０の（ａ）～（ｃ）に基づいて説明すれば、以下のとおりである。なお、説明の便宜上、前記実施形態にて説明した部材と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付記し、その説明を省略する。
　図８は、本実施形態にかかる有機ＥＬ表示装置の概略構成の一例を示す断面図である。
　図８に示すように、本実施形態にかかる有機ＥＬ表示装置２００は、対向基板を備え、対向基板とＴＦＴ基板との間に充填材が充填されている点を除けば、実施形態１にかかる有機ＥＬ表示装置１００と同じ構成を有している。
　有機ＥＬ表示装置２００は、ＴＦＴ基板１０に対向するように貼り合わされた対向基板５０を備えている。対向基板５０は、対向支持体５１と、対向支持体５１のＴＦＴ基板１０側の面に設けられたカラーフィルター５２とを備えている。
　対向基板５０とＴＦＴ基板１０（有機ＥＬ素子２０が形成された基板）とは、カラーフィルター５２の各光透過領域と、ＴＦＴ基板１０の各サブ画素とが対向するように位置合わせされた状態で貼り合わされている。
　カラーフィルター５２は、有機ＥＬ素子２０から射出された光を変調する機能を有する。例えば、白色に発光する有機ＥＬ素子２０を用いた場合には、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）のカラーフィルター５２を用いることによって、白色光をサブ画素毎に赤、緑、または青の色に変調して出射することができる。
　また、例えば、サブ画素毎に赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）に発光する有機ＥＬ素子２０を用いた場合には、カラーフィルター５２を用いて各色の光を変調することによって、各色の色純度の向上や視野角が変化した時の色味シフトの抑制を図ることができる。
　なお、単色発光で問題ない場合や、有機ＥＬ素子２０から射出された光の色純度や色味シフトを抑制する必要がない場合には、カラーフィルター５２を省略してもよい。
　また、ＴＦＴ基板１０の支持体１、対向基板５０の対向支持体５１として屈曲性を有する支持体を用いることで、有機ＥＬ表示装置２００をフレキシブルディスプレイ、ベンダブルディスプレイとすることができる。
　さらに、対向基板５０が有機ＥＬ素子２０に衝突して有機ＥＬ素子２０が損傷するのを防ぐために、ＴＦＴ基板１０上にギャップスペーサを設けてもよい。
　ＴＦＴ基板１０と対向基板５０との間には、表示領域を囲むようにしてシール材６が設けられている。ＴＦＴ基板１０と、対向基板５０と、シール材６とで囲まれた領域には、充填材７が充填されている。
　シール材６として、低透湿性の材料を用いてもよい。
　充填材７として、低透湿性を有するものや、乾燥剤や酸素吸収材を含む材料を用いてもよい。充填材７として非硬化型の充填材７を用いた場合、充填材７は液状で両基板間に存在する。充填材７として硬化型の充填材７を用いた場合であって、充填材７と封止膜３０とによって有機ＥＬ素子２０への水分や酸素の侵入を十分に防止して信頼性を確保することができる場合、シール材６を省略してもよい。有機ＥＬ表示装置２００の製造工程において、充填材７は、封止膜３０を形成して封止膜３０にレーザ照射を行った後、シール材６で囲まれた領域に注入される。
　図９は、本実施形態にかかる有機ＥＬ表示装置の一部の断面図である。
　ＴＦＴ基板１０と、対向基板５０と、シール材６とで囲まれた領域に充填材７を充填して有機ＥＬ素子２０及び封止膜３０を封入することによって、図９に示すように、封止膜３０（積層封止膜）の積層端面が充填材７によって覆われる。これにより、封止膜３０の各層の境界部からの水分や酸素の侵入を抑制することができる。
　下層無機膜３１は、第２電極２３の端面を覆うように支持体１上に形成されている。有機膜３２は、下層無機膜３１上に積層されており、上層無機膜３３は、有機膜３２上に積層されている。下層無機膜３１の端面、有機膜３２の端面、上層無機膜３３の端面からなる、封止膜３０の積層端面は、面一に形成されている。
　このように、本実施形態の有機ＥＬ表示装置２００の構成によれば、シール材６及び充填材７によって、封止膜３０の積層端面からの有機ＥＬ素子２０への水分及び酸素の侵入を抑制することができるため、有機ＥＬ素子２０の劣化をさらに抑制することができ、有機ＥＬ表示装置２００の信頼性を向上することができる。
　＜変形例＞
　図１０の（ａ）～（ｃ）は、本実施形態の変形例にかかる有機ＥＬ表示装置の一部の断面図である。
　図１０の（ａ）は変形例１にかかる有機ＥＬ表示装置の一部の断面図である。変形例１にかかる有機ＥＬ表示装置の封止膜３０Ａは、下層無機膜３１Ａと、有機膜３２Ａと、上層無機膜３３Ａとが、支持体１側からこの順に積層されており、上層無機膜３３Ａが、下層無機膜３１Ａと有機膜３２Ａとの積層端面（下層無機膜３１Ａ及び有機膜３２Ａの端面）を覆っている。
　具体的には、下層無機膜３１Ａは、第２電極２３の端面を覆うように支持体１上に形成されている。有機膜３２Ａは、下層無機膜３１上に積層されており、上層無機膜３３Ａは、有機膜３２Ａの上面を覆うとともに、下層無機膜３１Ａと有機膜３２Ａとの積層端面を覆うように支持体１上に形成されている。下層無機膜３１Ａと有機膜３２Ａとの積層端面は、面一に形成されている。
　なお、図示は省略するが、変形例１において、下層無機膜３１Ａは実施形態１の下層無機膜３１と同様の構成を有しており、有機膜３２Ａは実施形態１の有機膜３２と同様の構成を有しており、上層無機膜３３Ａは実施形態１の上層無機膜３３と同様の構成を有している。具体的には、下層無機膜３１Ａは、第１無機層３４と第２無機層３５との積層構造を有しており、上層無機膜３３Ａは、第３無機層３６と第４無機層３７との積層構造を有している。
　一般的に、有機膜は無機膜に比べて防湿性が低いが、変形例１の構成によれば、有機膜３２Ａの表面（上面および端面）は上層無機膜３３Ａによって覆われているため、有機膜３２Ａの表面が露出することがない。そのため、有機膜３２Ａの表面から有機ＥＬ素子２０への水分や酸素の侵入を抑制することができる。
　図１０の（ｂ）は変形例２にかかる有機ＥＬ表示装置の一部の断面図である。変形例２にかかる有機ＥＬ表示装置の封止膜３０Ｂは、下層無機膜３１Ｂと、有機膜３２Ｂと、上層無機膜３３Ｂとが、支持体１側からこの順に積層されており、有機膜３２Ｂが下層無機膜３１Ｂの表面を覆っており、上層無機膜３３Ｂが有機膜３２Ｂの表面を覆っている。
　具体的には、下層無機膜３１Ｂは、第２電極２３の端面を覆うように支持体１上に形成されている。有機膜３２Ｂは、下層無機膜３１Ｂの上面および端面を覆うように支持体１上に形成されている。上層無機膜３３Ｂは、有機膜３２Ｂの上面および端面を覆うように支持体１上に形成されている。
　なお、図示は省略するが、変形例２において、下層無機膜３１Ｂは実施形態１の下層無機膜３１と同様の構成を有しており、有機膜３２Ｂは実施形態１の有機膜３２と同様の構成を有しており、上層無機膜３３Ｂは実施形態１の上層無機膜３３と同様の構成を有している。具体的には、下層無機膜３１Ｂは、第１無機層３４と第２無機層３５との積層構造を有しており、上層無機膜３３Ｂは、第３無機層３６と第４無機層３７との積層構造を有している。
　変形例２の構成によれば、封止膜３０Ｂを構成する膜のうち有機ＥＬ素子２０に最も近い膜である下層無機膜３１Ｂの表面が、有機膜３２Ｂおよび上層無機膜３３Ｂによって二重に覆われている。そのため、下層無機膜３１Ｂへの水分や酸素の侵入を抑制することができ、その結果、有機ＥＬ素子２０への水分や酸素の侵入を抑制することができる。
　図１０の（ｃ）は変形例３にかかる有機ＥＬ表示装置の一部の断面図である。変形例３にかかる有機ＥＬ表示装置の封止膜３０Ｃは、下層無機膜３１Ｃと、有機膜３２Ｃと、上層無機膜３３Ｃとが、支持体１側からこの順に積層されており、上層無機膜３３Ｃが有機膜３２Ｃの端面を覆っている。
　具体的には、下層無機膜３１Ｃは、第２電極２３の端面を覆うように支持体１上に形成されている。有機膜３２Ｃおよび上層無機膜３３Ｃは、有機膜３２Ｃが下層無機膜３１Ｃの上面の一部を覆い、上層無機膜３３Ｃが有機膜３２Ｃの表面および下層無機膜３１Ｃの上面を覆うように、積層されている。また、上層無機膜３３Ｃは、端面が下層無機膜３１Ｃの端面と面一になるように、下層無機膜３１Ｃ上に積層されている。
　なお、図示は省略するが、変形例３において、下層無機膜３１Ｃは実施形態１の下層無機膜３１と同様の構成を有しており、有機膜３２Ｃは実施形態１の有機膜３２と同様の構成を有しており、上層無機膜３３Ｃは実施形態１の上層無機膜３３と同様の構成を有している。具体的には、下層無機膜３１Ｃは、第１無機層３４と第２無機層３５との積層構造を有しており、上層無機膜３３Ｃは、第３無機層３６と第４無機層３７との積層構造を有している。
　変形例１～３の構成によれば、有機膜３２Ａ・３２Ｂ・３２Ｃの表面から有機ＥＬ素子２０への水分や酸素の侵入を抑制することができる。また、封止膜の各層の境界部からの水分や酸素の侵入をより確実に抑制することができる。
　なお、上記の説明では、ＥＬ表示装置として、有機ＥＬ表示装置１００を例に挙げて説明した。しかしながら、本発明はこれに限定されず、本発明にかかるＥＬ表示装置は、無機化合物層からなる無機ＥＬ層を備えた無機ＥＬ表示装置であってもよく、無機ＥＬ表示装置に本発明を適用することにより、封止膜３０のクラックを防止し、無機ＥＬ素子の封止性能を向上することができる。
　〔まとめ〕
　本発明の態様１に係るＥＬ表示装置（有機ＥＬ表示装置１００・２００）は、基板（支持体１）上に形成されたＥＬ素子（有機ＥＬ素子２０）と、上記基板との間に上記ＥＬ素子を封止するように上記基板及び上記ＥＬ素子の上に形成された封止膜（３０）とを備えているＥＬ表示装置であって、上記封止膜は、第１の無機膜（下層無機膜３１）を含んでおり、上記第１の無機膜は、上記基板及び上記ＥＬ素子に接触している第１層（第１無機層３４）と、上記第１層の上に形成された第２層（第２無機層３５）と、の積層構造を有しており、上記第１層の膜応力の絶対値は上記第２層の膜応力の絶対値よりも小さく、上記第１層の膜厚は上記第２層の膜厚よりも薄いことを特徴とする。
　上記の構成によれば、第１の無機膜が第１層を備えていることにより、第１の無機膜と基板及びＥＬ素子との密着性を向上させることができ、第１の無機膜が第２層を備えていることにより、第１の無機膜の破断伸び率を向上させることができる。
　これにより、第１の無機膜とＥＬ素子との密着性の向上、及び第１の無機膜の破断伸び率の向上を両立することができる。
　本発明の態様２に係るＥＬ表示装置は、上記態様１において、上記封止膜は、上記第１の無機膜の上に設けられた有機膜（３２）と、上記有機膜の上に設けられた第２の無機膜（上層無機膜３３）とを含んでいる構成であってもよい。
　上記の構成によれば、有機膜を備えていることにより、第１の無機膜の応力を緩和することができ、第２の無機膜を備えていることにより、防湿性を向上させることができる。
　本発明の態様３に係るＥＬ表示装置は、上記態様２において、上記第２の無機膜は、上記有機膜に接触している第３層（第３無機層３６）と、上記第３層の上に形成された第４層（第４無機層３７）と、の積層構造を有しており、上記第３層の膜応力の絶対値は上記第４層の膜応力の絶対値よりも小さく、上記第３層の膜厚は上記第４層の膜厚よりも薄い構成であってもよい。
　上記の構成によれば、第２の無機膜が第３層を備えていることにより、第２の無機膜と有機膜との密着性を向上させることができ、第２の無機膜が第４層を備えていることにより、第２の無機膜の破断伸び率を向上させることができる。
　これにより、第２の無機膜と有機膜との密着性の向上、及び第２の無機膜の破断伸び率の向上を両立することができる。
　本発明の態様４に係るＥＬ表示装置は、上記態様１～３の何れかにおいて、上記第１層は、膜厚が１００ｎｍ以上２００ｎｍ未満であり、かつ、圧縮応力が－１００ＭＰａ以上０ＭＰａ未満であり、上記第２層は、膜厚が２００ｎｍ以上３００ｎｍ以下であり、かつ、圧縮応力が－３００ＭＰａ以上－１００ＭＰａ未満である構成であってもよい。
　上記の構成によれば、封止膜の防湿性及び破断伸び率を向上させることができる。
　本発明の態様５に係るＥＬ表示装置は、上記態様１～４の何れかにおいて、上記基板に対向して配置された対向基板を備えており、上記ＥＬ素子および上記封止膜が形成された上記基板と上記対向基板との間には、充填材（７）が充填されており、上記封止膜の積層端面は、上記充填材で覆われている構成であってもよい。
　上記の構成によれば、封止膜の積層端面が充填材によって覆われているため、封止膜の各層の境界部からの水分や酸素の侵入を抑制することができる。これにより、ＥＬ素子への水分及び酸素の侵入を抑制することができる。
　本発明の態様６に係るＥＬ表示装置は、上記態様２において、上記第２の無機膜は、上記有機膜の上面および端面を覆うように設けられている構成であってもよい。
　有機膜は無機膜に比べて防湿性が低いが、上記の構成によれば、有機膜の表面（上面および端面）は第２の無機膜によって覆われているため、有機膜の表面が露出することがない。そのため、有機膜の表面からＥＬ素子への水分や酸素の侵入を抑制することができる。
　本発明の態様７に係るＥＬ表示装置は、上記態様６において、上記第２の無機膜は、上記第１の無機膜と上記有機膜との積層端面を覆っている構成であってもよい。
　上記の構成によれば、有機膜と第１の無機膜との境界部からＥＬ素子への水分や酸素の侵入を抑制することができる。
　本発明の態様８に係るＥＬ表示装置は、上記態様６において、上記有機膜は、上記第１の無機膜の上面および端面を覆っており、上記第２の無機膜は、上記有機膜の上面および端面を覆っている構成であってもよい。
　上記の構成によれば、封止膜を構成する膜のうちＥＬ素子に最も近い膜である第１の無機膜の表面が、有機膜および第２の無機膜によって二重に覆われている。そのため、第１の無機膜への水分や酸素の侵入を抑制することができ、その結果、ＥＬ素子への水分や酸素の侵入を抑制することができる。
　本発明の態様９に係るＥＬ表示装置は、上記態様６において、上記有機膜は、上記第１の無機膜の上面の一部を覆うように設けられており、上記第２の無機膜は、上記有機膜の上面および端面、並びに上記第１の無機膜の上面を覆っている構成であってもよい。
　本発明の態様１０に係るＥＬ表示装置の製造方法は、基板上に形成されたＥＬ素子と、上記基板との間に上記ＥＬ素子を封止するように上記基板及び上記ＥＬ素子の上に形成された封止膜とを備えており、上記封止膜は第１の無機膜を含んでいるＥＬ表示装置の製造方法であって、上記基板及び上記ＥＬ素子に接触する層である第１層と、上記第１層の上に形成された第２層と、の積層構造を有している上記第１の無機膜を成膜する成膜工程を含み、上記成膜工程では、上記第１層の膜応力の絶対値が上記第２層の膜応力の絶対値よりも小さく、上記第１層の膜厚が上記第２層の膜厚よりも薄くなるように上記第１の無機膜を成膜することを特徴とする。
　上記の製造方法によれば、第１層及び第２層を有する第１の無機膜を成膜することにより、基板及びＥＬ素子との密着性を向上させ、破断伸び率を向上させた第１の無機膜を有する封止膜を備えたＥＬ表示装置を製造することができる。
　本発明の態様１１に係るＥＬ表示装置の製造方法は、上記態様１０において、上記成膜工程では、プラズマＣＶＤにより上記封止膜を成膜する製造方法であってもよい。
　プラズマＣＶＤは段差被覆性が高いため、上記の製造方法によれば、基板の表面に凹凸が存在している場合であっても、基板の表面に均一に封止膜を成膜することができる。
　本発明は上述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。さらに、各実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を組み合わせることにより、新しい技術的特徴を形成することができる。
　本発明は、ＥＬ表示装置におけるＥＬ素子を覆う封止膜の成膜に好適に利用することができる。
　７　充填材
　１０　ＴＦＴ基板
　２０　有機ＥＬ素子
　３０、１３０、２３０　封止膜
　３１、１３１，２３１　下層無機膜（第１の無機膜）
　３２　有機膜
　３３、１３３、２３３　上層無機膜（第２の無機膜）
　３４　第１無機層（第１層）
　３５　第２無機層（第２層）
　５０　対向基板
　１００、２００　有機ＥＬ表示装置（ＥＬ表示装置）

Claims (11)

  1. 　基板上に形成されたＥＬ素子と、
    　上記基板との間に上記ＥＬ素子を封止するように上記基板及び上記ＥＬ素子の上に形成された封止膜とを備えているＥＬ表示装置であって、
    　上記封止膜は、第１の無機膜を含んでおり、
    　上記第１の無機膜は、上記基板及び上記ＥＬ素子に接触している第１層と、上記第１層の上に形成された第２層と、の積層構造を有しており、
    　上記第１層の膜応力の絶対値は上記第２層の膜応力の絶対値よりも小さく、上記第１層の膜厚は上記第２層の膜厚よりも薄いことを特徴とするＥＬ表示装置。
  2. 　上記封止膜は、上記第１の無機膜の上に設けられた有機膜と、上記有機膜の上に設けられた第２の無機膜とを含んでいることを特徴とする請求項１に記載のＥＬ表示装置。
  3. 　上記第２の無機膜は、上記有機膜に接触している第３層と、上記第３層の上に形成された第４層と、の積層構造を有しており、
    　上記第３層の膜応力の絶対値は上記第４層の膜応力の絶対値よりも小さく、上記第３層の膜厚は上記第４層の膜厚よりも薄いことを特徴とする請求項２に記載のＥＬ表示装置。
  4. 　上記第１層は、膜厚が１００ｎｍ以上２００ｎｍ未満であり、かつ、圧縮応力が－１００ＭＰａ以上０ＭＰａ未満であり、
    　上記第２層は、膜厚が２００ｎｍ以上３００ｎｍ以下であり、かつ、圧縮応力が－３００ＭＰａ以上－１００ＭＰａ未満であることを特徴とする請求項１～３の何れか１項に記載のＥＬ表示装置。
  5. 　上記基板に対向して配置された対向基板を備えており、
    　上記ＥＬ素子および上記封止膜が形成された上記基板と上記対向基板との間には、充填材が充填されており、
    　上記封止膜の積層端面は、上記充填材で覆われていることを特徴とする請求項１～４の何れか１項に記載のＥＬ表示装置。
  6. 　上記第２の無機膜は、上記有機膜の上面および端面を覆うように設けられていることを特徴とする請求項２に記載のＥＬ表示装置。
  7. 　上記第２の無機膜は、上記第１の無機膜と上記有機膜との積層端面を覆っていることを特徴とする請求項６に記載のＥＬ表示装置。
  8. 　上記有機膜は、上記第１の無機膜の上面および端面を覆っており、
    　上記第２の無機膜は、上記有機膜の上面および端面を覆っていることを特徴とする請求項６に記載のＥＬ表示装置。
  9. 　上記有機膜は、上記第１の無機膜の上面の一部を覆うように設けられており、
    　上記第２の無機膜は、上記有機膜の上面および端面、並びに上記第１の無機膜の上面を覆っていることを特徴とする請求項６に記載のＥＬ表示装置。
  10. 　基板上に形成されたＥＬ素子と、上記基板との間に上記ＥＬ素子を封止するように上記基板及び上記ＥＬ素子の上に形成された封止膜とを備えており、上記封止膜は第１の無機膜を含んでいるＥＬ表示装置の製造方法であって、
    　上記基板及び上記ＥＬ素子に接触する第１層と、上記第１層の上に形成された第２層と、の積層構造を有している上記第１の無機膜を成膜する成膜工程を含み、
    　上記成膜工程では、上記第１層の膜応力の絶対値が上記第２層の膜応力の絶対値よりも小さく、上記第１層の膜厚が上記第２層の膜厚よりも薄くなるように上記第１の無機膜を成膜することを特徴とするＥＬ表示装置の製造方法。
  11. 　上記成膜工程では、プラズマＣＶＤにより上記封止膜を成膜することを特徴とする請求項１０に記載のＥＬ表示装置の製造方法。
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