JP5090658B2 - 薄膜トランジスタ、及びその製造方法、並びにアクティブマトリクス型表示装置 - Google Patents
薄膜トランジスタ、及びその製造方法、並びにアクティブマトリクス型表示装置 Download PDFInfo
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Description
Y. R. Luo et al.,"The Electrical Characteristics of Low Temperature Polycrystalline Silicon Thin Film Transistor Fabricated on Stainless Foil", Proceedings of AM-LCD'05, (2005), p.231 N. Young et al.,"LTPS on Passivated Stainless Steel Substrate for AMOLEDs and Other Applications", Proceedings of AM-LCD'05, (2005), p.239
本発明の実施の形態1にかかる薄膜トランジスタを用いたアクティブマトリクス型表示装置について図1を参照して説明する。図1は、本実施の形態にかかるアクティブマトリクス型表示装置の構成を示す断面図である。ここでは、アクティブマトリクス型表示装置の一例として、コプラナ型のTFTを有する有機EL表示装置について説明する。ここでは、有機EL表示装置に用いられる駆動用TFT、及びその周辺の構成について説明する。もちろん、本実施の形態にかかるTFTは、有機EL表示装置の駆動用TFTに対する使用に限られるものではない。
・武山他、「ULSIにおける置換型複合窒化物合金バリヤを用いた一体型極微細Cu配線に関する研究」、NEDO平成14年度研究助成事業(2事業合同)成果報告会予稿集、情報通信技術、B−2、(プロジェクトID:00A22021a)
この文献を考慮して、第1の導電性バリア層2の材料として、高融点金属又は導電性の高融点金属窒化物であるTi、Ta、W、Mo、TiN、TaN、WN、MoN、ZrN、VN、HfN、NbN、TiZrN、ZrVNなどを選択することができる。
・M. Taketama et al., "Solid-Phase Reaction of Diffusion Barriers of Ti and TiN to Copper Layers on SiO2", Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 35 (1996), p.4027-4033
・K. Huseyin et al., "TiN and TaN diffusion Brriers in copper interconnect technology: Towards a consistent testing methodology", Jounal of Electronic Materials,Apr 2001
したがって、第1の導電性バリア層2としては、TiN、TaN、ZrN、VNの単層膜や、TiN、TaN、ZrN、VNを上層として積層される複合膜を用いることが好ましい。
本発明の実施の形態2にかかるアクティブマトリクス型表示装置について図2を参照して説明する。図2は、本実施の形態にかかる有機EL表示装置の構成を示す断面図である。本実施の形態において、実施の形態1と異なる点は、保護絶縁膜3に形成された第1の開口部3aが第1の導電性バリア層2により埋め込まれている点である。図2において、図1と同一の構成要素には同一の符号を付し、説明を省略する。
本発明の実施の形態3にかかるアクティブマトリクス型表示装置について図3を参照して説明する。図3は、本実施の形態にかかる有機EL表示装置の構成を示す断面図である。本実施の形態において、実施の形態1、2と異なる点は、保護絶縁膜3に形成された第1の開口部3aの一部又は全部が第1の導電性バリア層2により埋め込まれ、さらに、保護絶縁膜3の上まで延在して設けられている点である。図3において、図1と同一の構成要素には同一の符号を付し、説明を省略する。
本発明の実施の形態4にかかるアクティブマトリクス型表示装置について図4を参照して説明する。図4は、本実施の形態にかかる有機EL表示装置の構成を示す断面図である。本実施の形態において、実施の形態1と異なる点は、キャパシタの構造である。図4において、図1と同一の構成要素には同一の符号を付し、説明を省略する。
本発明の実施の形態5にかかるアクティブマトリクス型表示装置について図5を参照して説明する。図5は、本実施の形態にかかる有機EL表示装置の構成を示す断面図である。本実施の形態において、実施の形態2と異なる点は、キャパシタの構造である。図5において、図1と同一の構成要素には同一の符号を付し、説明を省略する。
本発明の実施の形態6にかかるアクティブマトリクス型表示装置について図6を参照して説明する。図6は、本実施の形態にかかる有機EL表示装置の構成を示す断面図である。本実施の形態において、実施の形態3と異なる点は、キャパシタの構造である。図6において、図1と同一の構成要素には同一の符号を付し、説明を省略する。
本発明の他の実施の形態にかかるアクティブマトリクス型表示装置について図7〜12を参照して説明する。TFT及びキャパシタの構造については、図7〜12はそれぞれ図1〜6に示す構造と略一致しており、異なる点は対向電極18が配線12dを介さず、直接第1の導電性バリア層2と電気的に接続されている点である。従って、図7〜12においては、実施の形態1において説明した配線12dが設けられていない構成となる。
2 第1の導電性バリア層
3 保護絶縁膜
3a 第1の開口部
3b 第2の開口部
4 半導体層
4a ドレイン領域
4b チャネル領域
4c ソース領域
5 ゲート絶縁膜
6 ゲート電極
7 第1のキャパシタ電極
8 キャパシタ絶縁膜
9 第2のキャパシタ電極
10 第1の層間絶縁膜
11 コンタクトホール
12 配線
13 第2の層間絶縁膜
14 コンタクトホール
15 画素電極
16 開口絶縁膜
17 発光層
18 対向電極
19 コンタクトホール
20 第2の導電性バリア層
21 ドレイン電極
22 ソース電極
23 コンタクトホール
Claims (22)
- 金属基板と、
前記金属基板上に直接接触して設けられ、前記金属基板物質の拡散を防ぐ第1の導電性バリア層と、
前記第1の導電性バリア層上に設けられた保護絶縁膜と、
前記保護絶縁膜上に設けられ、ソース領域、ドレイン領域、及びチャネル領域を含む半導体層と、
前記半導体層の上に設けられたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜を介して前記半導体層の上に設けられたゲート電極とを備え、
前記保護絶縁膜の前記半導体層の下に対応する位置に設けられた第1の開口部を介して前記第1の導電性バリア層と前記半導体層のチャネル領域とが直接接触し、前記金属基板と前記半導体層とが電気的に接続されている薄膜トランジスタ。 - 前記金属基板が共通電位とされる請求項1に記載の薄膜トランジスタ。
- 前記保護絶縁膜に設けられた前記第1の開口部の少なくとも一部に、前記第1の導電性バリア層が埋め込まれている請求項1又は2に記載の薄膜トランジスタ。
- 前記第1の開口部に埋め込まれた前記第1の導電性バリア層が、前記保護絶縁膜の上に延在して設けられている請求項3に記載の薄膜トランジスタ。
- 前記第1の導電性バリア層は、高融点金属又は導電性の高融点金属窒化物を含んでいる請求項1乃至4のいずれかに記載の薄膜トランジスタ。
- 前記第1の導電性バリア層は、Ti、Ta、W、Mo、TiN、TaN、W、MoN、ZrN、VN、HfN、NbN、TiZrN、ZrVNのうちの一つ以上を含む膜である請求項1乃至5のいずれかに記載の薄膜トランジスタ。
- 前記保護絶縁膜は、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜及びシリコン窒化酸化膜の内の一つ以上を含む単層膜又は複合膜である請求項1乃至6のいずれか1項記載の薄膜トランジスタ。
- 請求項1乃至7のいずれか1項に記載の薄膜トランジスタと、
前記金属基板上に設けられ、第1のキャパシタ電極と第2のキャパシタ電極とを有するキャパシタとを備えるアクティブマトリクス型表示装置。 - 前記第1のキャパシタ電極が前記半導体層と同一の材料で形成されている請求項8に記載のアクティブマトリクス型表示装置。
- 前記第1のキャパシタ電極と前記保護絶縁膜との間に、第2の導電性バリア層が設けられている請求項8又は9に記載のアクティブマトリクス型表示装置。
- 前記保護絶縁膜には、前記半導体層の直下を除き、かつ前記第1の導電性バリア層の上に対応する位置に第2の開口部が設けられ、
前記第2の開口部に対応する位置に前記キャパシタが形成され、第1のキャパシタ電極が前記第1の導電性バリア層により形成されている請求項7に記載のアクティブマトリクス型表示装置。 - 前記第1の開口部及び前記第2の開口部それぞれの少なくとも一部には、前記第1の導電性バリア層が埋め込まれている請求項11に記載のアクティブマトリクス型表示装置。
- 前記第1のキャパシタ電極と前記第2のキャパシタ電極との間に配置されたキャパシタ絶縁膜が、前記ゲート絶縁膜と同一の物質で形成されている請求項8乃至12のいずれかに記載のアクティブマトリクス型表示装置。
- 前記ゲート電極と前記第2のキャパシタ電極とは同一の物質で構成されている請求項8乃至13のいずれかに記載のアクティブマトリクス型表示装置。
- 前記薄膜トランジスタ及び前記キャパシタを覆う第1の層間絶縁膜と、
前記第1の層間絶縁膜に設けられたコンタクトホールを介して前記第1の導電性バリア層と電気的に接続されている配線と、
前記第1の層間絶縁膜及び前記配線を覆う第2の層間絶縁膜と、
前記第2の層間絶縁膜に設けられたコンタクトホールを介して前記ドレイン領域と電気的に接続された画素電極とをさらに備える請求項8乃至14のいずれかに記載のアクティブマトリクス型表示装置。 - 前記第2の層間絶縁膜の表面粗さは100μm2領域のRMS値で50nm以下である請求項15に記載のアクティブマトリクス型表示装置。
- 前記画素電極の表面粗さは100μm2領域のRMS値で50nm以下である請求項14又は15に記載のアクティブマトリクス型表示装置。
- 前記画素電極に対して発光層を挟んで対向する対向電極を備え、
前記対向電極は前記第2の層間絶縁膜に形成された第3の開口部を介して前記配線若しくは前記第1の導電性バリア層と電気的に接続されている請求項15乃至17のいずれか1項に記載のアクティブマトリクス型表示装置。 - 金属基板上に直接接触して前記金属基板物質の拡散を防ぐ第1の導電性バリア層を形成し、
前記第1の導電性バリア層の上に、第1の開口部を有する保護絶縁層を形成し、
前記保護絶縁層の第1の開口部の上に、当該第1の開口部を介して前記第1の導電性バリア層と直接接触するチャネル領域を含む半導体層を形成し、
前記半導体層の上に、ゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜の上にゲート電極を形成する薄膜トランジスタの製造方法。 - 前記保護絶縁膜に設けられた第1の開口部の一部に前記第1の導電性バリア層が埋め込まれている請求項19に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
- 前記保護絶縁膜に設けられた第1の開口部の一部に、前記半導体層の一部が埋め込まれている請求項19に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
- 前記第1の開口部は、前記チャネル領域の下に対応する位置に設けられている請求項1又は2に記載の薄膜トランジスタ。
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