JP5217889B2 - 有機ｅｌ装置、有機ｅｌ装置の製造方法、電子機器 - Google Patents

Description

本発明は、発光素子を有する有機ＥＬ（エレクトロルミネセンス）装置、有機ＥＬ装置の製造方法、電子機器に関する。

上記有機ＥＬ装置としては、隔壁によって区画された略矩形状の開口領域に発光層を含む機能層を有し、開口領域には長辺部間の幅が狭められてなる狭窄部が長辺部の長さ方向における中央部に設けられた発光装置が知られている（特許文献１）。

また、他の有機ＥＬ装置として、異なる発光色の画素間を区切る第１の隔壁と、同一発光色の画素間を部分的に仕切る第２の隔壁とを有し、同一発光色の隣接する画素に形成された有機機能層同士が第２の隔壁の非形成領域で繋がっている発光装置が知られている（特許文献２）。

上記特許文献１および上記特許文献２の発光装置は、いずれも隔壁の形状や配置が工夫され、隔壁で区画された領域に形成される有機機能層の膜厚のばらつきを低減可能とするものである。また、有機機能層に含まれる発光層は、液滴吐出法（インクジェット法）により発光層形成材料を含む液状組成物を上記隔壁で区画された領域に吐出して、固化することにより形成されている。

特開２００７−１０３０３２号公報 特開２００７−２２７１２７号公報

上記特許文献１および上記特許文献２に開示された発光装置は、アクティブ駆動型の発光装置であり、基板上において駆動回路上に有機機能層を有する発光素子が積層形成されたものである。駆動回路は、少なくとも２つの薄膜トランジスタと、保持容量と、これらに接続する配線とにより構成されている。
したがって、基板上には、これらの電気的な構成要素が配置されていることから、隔壁により区画された領域の表面は、必ずしも平坦ではなく、段差が生じている。それゆえ、特に液滴吐出法（インクジェット法）を用いて有機機能層を形成すると、吐出された液状組成物が段差の最も低い部分に集まり易く、乾燥後に必ずしも均一な膜厚が得られないというおそれがあった。

本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。

［適用例１］本適用例の有機ＥＬ装置は、基板表面に設けられた駆動回路部を有する発光制御単位と、１つの機能層における発光が１つの前記発光制御単位によって制御される発光単位とを備えた有機ＥＬ装置であって、前記発光制御単位であって、隣り合う第１発光制御単位と第２発光制御単位とを、前記基板表面における前記駆動回路部の段差に応じて、平面的に少なくとも第１膜形成領域と第２膜形成領域とに区分する隔壁部を有し、前記第１膜形成領域は、少なくとも前記第１発光制御単位の駆動回路部の一部と前記第２発光制御単位の駆動回路部の一部とに跨っており、前記第２膜形成領域は、前記第１膜形成領域以外の少なくとも前記第１発光制御単位の駆動回路部の一部と前記第２発光制御単位の駆動回路部の一部とに跨っており、前記発光単位であって、前記第１発光制御単位により制御される第１発光単位は、前記第１膜形成領域に対応して設けられ、前記第２発光制御単位により制御される第２発光単位は、前記第２膜形成領域に対応して設けられていることを特徴とする。

この構成によれば、隔壁部は、基板表面に設けられた駆動回路部に起因する表面の段差に応じて隣り合う第１発光制御単位と第２発光制御単位とを平面的に少なくとも第１膜形成領域と第２膜形成領域とに区分している。このような隔壁部によって区画された少なくとも２つの膜形成領域に発光単位がそれぞれ設けられているので、１つの発光制御単位に１つの発光単位を設ける場合に比べて、１つの機能層が上記段差に跨らずに設けられている。したがって、基板表面における駆動回路部の段差に起因する機能層の膜厚変動が回避される。すなわち、機能層の膜厚変動に起因する輝度ムラが低減された有機ＥＬ装置を提供することができる。

［適用例２］上記適用例の有機ＥＬ装置において、前記駆動回路部は、少なくとも２つの薄膜トランジスタを含む半導体素子部と、保持容量と、これらを電気的に接続する配線とを含み、前記発光制御単位と前記発光単位との間に光反射性を有する反射層を有し、前記隔壁部は、前記第１膜形成領域が前記半導体素子部を含み、前記第２膜形成領域が前記保持容量を含むように、隣り合う前記第１発光制御単位と前記第２発光制御単位とを少なくとも平面的に区画していることを特徴とする。
通常、半導体素子部は、半導体層と、半導体層に電気的に繋がる配線と、絶縁膜からなる保護膜を有している。したがって、基板の厚み方向における断面構造が複雑となる。これに対して保持容量は、一対の電極と、一対の電極間に挟まれたほぼ一定膜厚の誘電体層とを有する。したがって、基板の厚み方向における断面構造が半導体素子部に比べて単純な積層構造となる。この構成によれば、隔壁部は、隣り合う少なくとも第１発光制御単位と第２発光制御単位とを断面構造が複雑な半導体素子部を含む第１膜形成領域と、断面構造が比較的に単純な保持容量を含む第２膜形成領域とに少なくとも区分する。それゆえに、第２膜形成領域は第１膜形成領域に比べて表面が平坦な状態となり易く、当該第２膜形成領域に設けられる機能層も平坦な状態を実現することができる。
また、発光制御単位と発光単位との間には反射層が設けられ、反射層の下層に発光制御単位が位置することになるため、駆動回路部の配置が発光を阻害せず、発光単位での発光を効率よく取り出すことができる。すなわち、機能層の膜厚変動に起因する輝度ムラがより低減されたトップエミッション型の有機ＥＬ装置を提供することができる。

［適用例３］上記適用例の有機ＥＬ装置において、前記隔壁部は、隣り合う前記第１発光制御単位と前記第２発光制御単位とを、前記基板表面における前記駆動回路部の段差に応じて、平面的に前記第１膜形成領域及び前記第２膜形成領域に加えて、第３膜形成領域に区分しており、前記第１膜形成領域が前記半導体素子部を含み、前記第２膜形成領域が前記保持容量を含み、前記第３膜形成領域が前記半導体素子部および前記保持容量を除く前記駆動回路部を含むように、隣り合う前記第１発光制御単位と前記第２発光制御単位とを少なくとも平面的に区画しており、前記第１膜形成領域、前記第２膜形成領域、前記第３膜形成領域にそれぞれ異なる発光色の前記発光単位が設けられているとしてもよい。
この構成によれば、例えば赤色、緑色、青色の異なる発光色が得られる発光単位を第１膜形成領域、第２膜形成領域、第３膜形成領域に分けて設ければ、輝度ムラが低減されフルカラーの発光（表示）が可能な見映えのよい有機ＥＬ装置を提供することができる。

［適用例４］上記適用例の有機ＥＬ装置において、前記第１膜形成領域と、前記第２膜形成領域と、前記第３膜形成領域とがほぼ同一の平面積を有することを特徴とする。
この構成によれば、各発光色の輝度が均衡した見映えのよい有機ＥＬ装置を提供することができる。

［適用例５］上記適用例の有機ＥＬ装置において、前記第１膜形成領域と前記第２膜形成領域および前記第３膜形成領域のうち最も大きな平面積を有する膜形成領域に、他に比べて発光寿命が短い前記発光単位が設けられていることが好ましい。
発光単位における輝度は、機能層を流れる電流と機能層の平面積に依存している。また、発光単位の発光寿命は、機能層を流れる電流が大きいほど短くなる。この構成によれば、最も大きな平面積を有する膜形成領域に、他に比べて発光寿命が短い発光単位が設けられているので、他の発光色の発光単位の輝度と同一の輝度を得ようとすれば、当該発光単位の機能層に流す電流を小さく設定することができる。すなわち、発光寿命が改善された有機ＥＬ装置を提供することができる。

［適用例６］上記適用例の有機ＥＬ装置において、前記第１膜形成領域と前記第２膜形成領域および前記第３膜形成領域のうち最も小さな平面積を有する膜形成領域に、他に比べて発光寿命が長い前記発光単位が設けられていることが好ましい。
この構成によれば、最も小さな平面積を有する膜形成領域に、他に比べて発光寿命が長い発光単位が設けられているので、他の発光色の発光単位の輝度と同一の輝度を得ようとすれば、当該発光単位の機能層に流す電流を大きく設定する必要がある。言い換えれば、他の発光色の発光単位に流す電流を当該発光単位よりも小さくすることができる。すなわち、発光寿命が改善された有機ＥＬ装置を提供することができる。

［適用例７］本適用例の有機ＥＬ装置の製造方法は、駆動回路部を有する発光制御単位と、１つの機能層における発光が１つの前記発光制御単位によって制御される発光単位とを具備する有機ＥＬ装置の製造方法であって、基板上に前記駆動回路部を形成する駆動回路形成工程と、前記駆動回路部に電気的に接続するように前記画素電極を形成する画素電極形成工程と、前記画素電極を含む膜形成領域を区画するように隔壁部を形成する隔壁形成工程と、前記膜形成領域に前記機能層を形成する機能層形成工程と、前記隔壁部と前記機能層とを覆うように共通電極を形成する共通電極形成工程とを備え、隔壁形成工程は、前記発光制御単位であって、隣り合う第１発光制御単位と第２発光制御単位とを、前記基板表面における前記駆動回路部の段差に応じて、平面的に少なくとも第１膜形成領域と第２膜形成領域とに区画するように前記隔壁を形成し、前記画素電極形成工程は、少なくとも前記第１膜形成領域と前記第２膜形成領域とに、それぞれ前記画素電極を形成し、前記第１膜形成領域は、少なくとも前記第１発光制御単位の駆動回路部の一部と前記第２発光制御単位の駆動回路部の一部とに跨っており、前記第２膜形成領域は、前記第１膜形成領域以外の少なくとも前記第１発光制御単位の駆動回路部の一部と前記第２発光制御単位の駆動回路部の一部とに跨っていることを特徴とする。

この方法によれば、画素電極形成工程は、基板表面における駆動回路部の段差に応じて隣り合う第１発光制御単位と第２発光制御単位とを少なくとも平面的に区分した少なくとも第１膜形成領域と第２膜形成領域とに画素電極を形成する。したがって、画素電極は、基板表面の段差に跨って形成されず、その表面が比較的平坦な状態となる。機能層形成工程では、基板表面の段差の影響を低減して膜形成領域の画素電極上に機能層を膜厚変動が少ない状態で積層形成することができる。ゆえに、機能層の膜厚変動に起因する輝度ムラが低減された有機ＥＬ装置を歩留りよく製造することができる。

［適用例８］上記適用例の有機ＥＬ装置の製造方法において、前記駆動回路部は、少なくとも２つの薄膜トランジスタを含む半導体素子部と、保持容量と、これらを電気的に接続する配線とを含み、前記発光制御単位と前記画素電極との間に光反射性を有する反射層を形成する反射層形成工程を有し、前記第１膜形成領域は、隣り合う前記第１発光制御単位および前記第２発光制御単位の前記半導体素子部を含み、前記第２膜形成領域は、隣り合う前記第１発光制御単位および前記第２発光制御単位の前記保持容量を含み、前記画素電極形成工程は、前記第１膜形成領域と、前記第２膜形成領域とに前記画素電極を形成することを特徴とする。
この方法によれば、画素電極形成工程では、画素電極を断面構造が複雑な半導体素子部を含む第１膜形成領域と、断面構造が比較的に単純な保持容量を含む第２膜形成領域とに少なくとも形成する。それゆえに、第２膜形成領域は第１膜形成領域に比べて表面が平坦な状態となり易く、機能層形成工程では、第２膜形成領域に機能層をより平坦な状態で形成することができる。
また、反射層形成工程では、発光制御単位と発光単位との間に反射層が形成され、反射層の下層に発光制御単位が位置することになるため、駆動回路部の配置が発光を阻害せず、発光単位での発光を効率よく取り出すことができる。すなわち、機能層の膜厚変動に起因する輝度ムラがより低減されたトップエミッション型の有機ＥＬ装置を製造することができる。

［適用例９］上記適用例の有機ＥＬ装置の製造方法において、前記隔壁形成工程は、隣り合う前記第１発光制御単位と前記第２発光制御単位とを、前記基板表面における前記駆動回路部の段差に応じて、平面的に前記第１膜形成領域及び前記第２膜形成領域に加えて、第３膜形成領域に区分しており、前記画素電極形成工程は、隣り合う前記第１発光制御単位および前記第２発光制御単位に跨る、前記半導体素子部を含む前記第１膜形成領域と、前記保持容量を含む前記第２膜形成領域と、前記半導体素子部および前記保持容量を除く前記駆動回路部を含む前記第３膜形成領域とに前記画素電極を形成し、前記機能層形成工程は、前記隔壁部により区画された前記第１膜形成領域と前記第２膜形成領域および前記第３膜形成領域にそれぞれ異なる種類の液状体を塗布して、前記機能層のうち異なる発光色の発光層を形成する発光層形成工程を含むことを特徴とする。
この方法によれば、発光層形成工程では、基板表面の段差に応じて隔壁部により区画された第１膜形成領域と第２膜形成領域および第３膜形成領域にそれぞれ異なる種類の液状体を塗布する。塗布された液状体は、基板表面の段差の影響を受け難い状態で、各膜形成領域ごとに濡れ広がる。塗布された液状体を加熱乾燥して固化すれば、各膜形成領域ごとに所望の膜厚を有する発光層を形成することができる。例えば赤色、緑色、青色の発光色が得られる発光層形成材料を含む異なる種類の液状体を第１膜形成領域と第２膜形成領域と第３膜形成領域とに分けて塗布すれば、輝度ムラが低減され見映えのよいフルカラーの発光（表示）が可能な有機ＥＬ装置を製造することができる。

［適用例１０］上記適用例の有機ＥＬ装置の製造方法において、前記隔壁形成工程では、前記第１膜形成領域と、前記第２膜形成領域と、前記第３膜形成領域とがほぼ同一の平面積となるように前記隔壁部を形成することを特徴とする。
この方法によれば、機能層形成工程では、ほぼ同一の平面積を有する機能層が膜形成領域ごとに形成される。したがって、各発光色の輝度が均衡した見映えのよい有機ＥＬ装置を製造することができる。

［適用例１１］上記適用例の有機ＥＬ装置の製造方法において、前記発光層形成工程では、前記第１膜形成領域と前記第２膜形成領域および前記第３膜形成領域のうち最も大きな平面積の膜形成領域に、他に比べて発光寿命が短い発光層形成材料を含む前記液状体を塗布することが好ましい。
この方法によれば、最も大きな平面積の膜形成領域に、他に比べて発光寿命が短い発光層が形成される。同一の輝度を得ようとすれば、当該発光層が形成された発光単位の機能層に流す電流を少なくすることができ、その結果、発光寿命が改善された有機ＥＬ装置を製造することができる。

［適用例１２］上記適用例の有機ＥＬ装置の製造方法において、前記発光層形成工程では、前記第１膜形成領域と前記第２膜形成領域および前記第３膜形成領域のうち最も小さな平面積の膜形成領域に、他に比べて発光寿命が長い発光層形成材料を含む前記液状体を塗布することが好ましい。
この方法によれば、最も小さな平面積の膜形成領域に、他に比べて発光寿命が長い発光層が形成される。同一の輝度を得ようとすれば、当該発光層が形成された発光単位の機能層に流す電流を大きくする必要がある。言い換えれば、他の発光単位に流す電流を小さくすることができ、その結果、発光寿命が改善された有機ＥＬ装置を製造することができる。

［適用例１３］上記適用例の有機ＥＬ装置の製造方法において、前記発光層形成工程では、前記第１膜形成領域と前記第２膜形成領域および前記第３膜形成領域に対して、平面積の大きい順に前記液状体を塗布することが好ましい。
液状体の塗布面積が異なると自然乾燥や加熱乾燥の進み方も異なる。当然ながら塗布面積が小さいほど乾燥が進みやすくなる。この方法によれば、異種の液状体を塗布しても膜形成領域の平面積が大きい順に塗布するので、乾燥速度の差によって膜厚が変動することを抑制することができる。すなわち、より安定した膜厚を有する発光層、惹いては機能層を形成することができ、発光輝度が安定した有機ＥＬ装置を製造することができる。

［適用例１４］上記適用例の有機ＥＬ装置の製造方法において、前記発光層形成工程では、前記第１膜形成領域と前記第２膜形成領域および前記第３膜形成領域に対して、前記異なる種類の液状体を濡れ性が低い順に塗布することが好ましい。
発光層の膜形状は、各膜形成領域に塗布された液状体の濡れ性にも依存する。この方法によれば、濡れ性が低い順に液状体を塗布するので、濡れ性が高い順に液状体を塗布する場合に比べて、後から塗布される液状体の濡れ性が低下することを防ぐことができる。その結果、より安定した膜形状を有する発光層を形成することができる。

［適用例１５］本適用例の電子機器は、上記適用例の有機ＥＬ装置が搭載されたことを特徴とする。
この構成によれば、輝度ムラが低減され見映えのよい電子機器を提供することができる。

［適用例１６］本適用例の他の電子機器は、上記適用例の有機ＥＬ装置の製造方法を用いて製造された有機ＥＬ装置が搭載されたことを特徴とする。
この構成によれば、輝度ムラが低減され歩留りよく製造された有機ＥＬ装置を搭載しているので、コストパフォーマンスが優れた見映えのよい電子機器を提供することができる。

以下、本発明を具体化した実施形態について図面に従って説明する。なお、使用する図面は、説明する部分が認識可能な状態となるように、適宜拡大または縮小して表示している。

（実施形態１）
＜有機ＥＬ装置＞
まず、本実施形態の有機ＥＬ装置について、図１〜図７を参照して説明する。図１は有機ＥＬ装置を示す模式平面図、図２は有機ＥＬ装置の等価回路図、図３は発光画素の構成を示す模式平面図、図４は発光画素の詳細な構成を示す平面図、図５は図４のＡ−Ａ'線で切った発光画素の構造を示す断面図、図６は比較例の有機ＥＬ装置の発光画素の構成を示す平面図、図７は図６のＢ−Ｂ'線で切った比較例の発光画素の構造を示す断面図である。

図１に示すように、本実施形態の有機ＥＬ装置１０は、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）の発光（発光色）が得られる発光画素７を有している。発光画素７は略矩形状であり、発光領域（表示領域）６においてマトリクス状に配置されている。同色の発光が得られる発光画素７が図面上において水平方向（行方向あるいは発光画素の長手方向）に配列し、異なる発光色の発光画素７が図面上において垂直方向（列方向あるいは発光画素の短手方向）にＧ，Ｂ，Ｒの順で配列している。すなわち、異なる発光色の発光画素７が所謂ストライプ方式で配置されている。

このような有機ＥＬ装置１０を表示装置として用いるならば、異なる発光色が得られる３つの発光画素７を１つの表示画素単位として、それぞれの発光画素７は電気的に制御される。これによりフルカラー表示が可能となる。

図２に示すように、有機ＥＬ装置１０は、発光画素７を駆動するスイッチング素子として薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor、以下ＴＦＴと略記する）を用いたアクティブマトリクス型の有機ＥＬ装置である。

有機ＥＬ装置１０は、走査線駆動部３に接続された複数の走査線３１と、データ線駆動部４に接続された複数の信号線４１と、各走査線３１に並列して設けられた複数の電源線４２と、を備えている。互いに絶縁され交差する走査線３１と信号線４１とによって区画された領域に対応して設けられた駆動回路部によって発光画素７の発光制御が行われている。

駆動回路部は、走査線３１を介して走査信号がゲート電極に供給されるスイッチング用のＴＦＴ１１と、このＴＦＴ１１を介して信号線４１から供給される画素信号を保持する保持容量１３と、該保持容量１３によって保持された画素信号がゲート電極に供給される駆動用ＴＦＴ１２とを備えている。この駆動用ＴＦＴ１２を介して電源線４２に電気的に接続したときに該電源線４２から駆動電流が流れ込む画素電極２３と、この画素電極２３と共通電極２５との間に挟み込まれた機能層２４とを有している。

走査線３１が駆動されてスイッチング用のＴＦＴ１１がオン状態になると、そのときの信号線４１の電位が保持容量１３に保持され、該保持容量１３の状態に応じて、駆動用ＴＦＴ１２のオン・オフ状態が決まる。そして、駆動用ＴＦＴ１２を介して、電源線４２から画素電極２３に電流が流れ、さらに機能層２４を介して共通電極２５に電流が流れる。機能層２４は、これを流れる電流量に応じて発光する。すなわち、画素電極２３と共通電極２５と機能層２４とにより、発光単位としての有機ＥＬ素子２０が構成されている。

次に、有機ＥＬ装置１０における各構成の基板上における配置について、図３および図４を参照して説明する。

図３に示すように、格子状に配置され互いに絶縁された走査線３１と信号線４１とにより区画された領域に対応して、前記駆動回路部と一対一の対応となるように発光制御単位Ｌｕが設けられている。各発光制御単位Ｌｕは、前述したように２つのＴＦＴ１１，１２と、保持容量１３と、これらに繋がる配線とを有している。

走査線３１に沿った隣り合う３つの発光制御単位Ｌｕに跨る領域は、基板上に駆動回路部を設けた後の表面の段差（凹凸）に応じて、駆動回路部の一部としてのＴＦＴ１１，１２を含む第１膜形成領域７ａと、同じく駆動回路部の一部としての保持容量１３を含む第２膜形成領域７ｂと、ＴＦＴ１１，１２および保持容量１３を除く駆動回路部を含む第３膜形成領域７ｃとに区分されている。

第１膜形成領域７ａには緑色（Ｇ）の発光が得られる機能層２４ｇを有する有機ＥＬ素子２０が設けられ、第２膜形成領域７ｂには青色（Ｂ）の発光が得られる機能層２４ｂを有する有機ＥＬ素子２０が設けられ、第３膜形成領域７ｃには赤色（Ｒ）の発光が得られる機能層２４ｒを有する有機ＥＬ素子２０が設けられている。言い換えれば、異なる発光色が得られる３つの有機ＥＬ素子２０がそれぞれ同数の発光制御単位Ｌｕに跨って設けられている。

電源線４２は、基板上において走査線３１や信号線４１が設けられた層と、有機ＥＬ素子２０が設けられた層との間に設けられている。また、走査線３１に沿うと共に、第２膜形成領域７ｂと第３膜形成領域７ｃに亘って設けられている。

具体的には、図４に示すように、ＴＦＴ１１，１２は、走査線３１や信号線４１の近傍に設けられている。ＴＦＴ１１，１２には、それぞれ走査線３１や信号線４１、保持容量１３に接続する配線と、ＴＦＴ１１（ドレイン）とＴＦＴ１２（ゲート）とを繋ぐ配線とが設けられている。
ＴＦＴ１２は、３端子（ゲート、ソース、ドレイン）のうちの１つ（ソース）が電源線４２に接続し、有機ＥＬ素子２０に電源線４２から流れ込む電流を制御するものであり、有機ＥＬ素子２０のスイッチングを行うＴＦＴ１１に比べて耐電流、耐電圧等の関係からより大きな平面積を有する。

保持容量１３は、平面的に略四角形であり、発光制御単位Ｌｕのほぼ中央部分に設けられ、発光制御単位Ｌｕの平面積のほぼ１／３の大きさを占めている。なお、保持容量１３の電気容量は、走査信号におけるフレーム周波数や駆動用のＴＦＴ１２のオフ（ＯＦＦ）時漏れ電流、有機ＥＬ素子２０の発光特性を考慮して設計される。それゆえに実際には、適正な電気容量を定めることにより、保持容量１３の平面積が決まる。

隣り合う３つの発光制御単位ＬｕのＴＦＴ１１，１２が設けられた領域、すなわち第１膜形成領域７ａに亘って、緑色（Ｇ）の発光が得られる有機ＥＬ素子２０の画素電極２３ｇが設けられている。画素電極２３ｇは、走査線３１に沿って配列する３つの発光制御単位Ｌｕのうち右端の発光制御単位ＬｕのＴＦＴ１２（ドレイン）に接続している。

隣り合う３つの発光制御単位Ｌｕの保持容量１３が設けられた領域、すなわち第２膜形成領域７ｂに亘って、青色（Ｂ）の発光が得られる有機ＥＬ素子２０の画素電極２３ｂが設けられている。画素電極２３ｂは、走査線３１に沿って配列する３つの発光制御単位Ｌｕのうち左端の発光制御単位ＬｕのＴＦＴ１２（ドレイン）に接続している。

隣り合う３つの発光制御単位ＬｕのＴＦＴ１１，１２や保持容量１３が設けられていない領域、すなわち第３膜形成領域７ｃに亘って、赤色（Ｒ）の発光が得られる有機ＥＬ素子２０の画素電極２３ｒが設けられている。画素電極２３ｒは、走査線３１に沿って配列する３つの発光制御単位Ｌｕのうち中央の発光制御単位ＬｕのＴＦＴ１２（ドレイン）に接続している。

画素電極２３ｂ，２３ｒは、実際には配線の都合上、３つの発光制御単位Ｌｕに対して信号線４１に沿って隣り合う他の３つの発光制御単位Ｌｕに設けられたＴＦＴ１２（ドレイン）にそれぞれ接続している。なお、画素電極２３ｂ，２３ｇ，２３ｒとＴＦＴ１２との接続方法は、これに限定されるものではない。

次に、有機ＥＬ装置１０の厚み方向における構造について図５を参照して説明する。
図５に示すように、発光制御単位Ｌｕと、各発光色の有機ＥＬ素子２０（個々には有機ＥＬ素子２０Ｂ、有機ＥＬ素子２０Ｇ、有機ＥＬ素子２０Ｒと呼ぶ）とは、基板としての素子基板１上に積層形成されている。

素子基板１は、透明なガラスや樹脂等の基板あるいは、不透明なシリコン等の基板が用いられる。まず、素子基板１の表面に例えばポリシリコン膜からなる半導体層１１ａ，１２ａ，１３ａがそれぞれ島状に設けられる。半導体層１１ａはＴＦＴ１１を構成するものであり、半導体層１２ａはＴＦＴ１２を構成するものである。半導体層１３ａは、保持容量１３を構成するものであり一方の電極となる。したがって、一方の電極１３ａと呼ぶこともある。

島状の半導体層１１ａ，１２ａの外縁およびゲートと、半導体層１３ａの一部を除くほぼ全面を覆うようにゲート絶縁膜１ａが設けられている。半導体層１３ａを覆うゲート絶縁膜１ａは誘電体層として機能する。ゲート絶縁膜１ａの厚みは、およそ５０ｎｍ〜１００ｎｍである。

ゲート絶縁膜１ａ上には、例えばＡｌ（アルミ）、Ｔａ（タンタル）、Ｗ（タングステン）、あるいはこれらの金属化合物などの低抵抗金属配線層が設けられ、これをパターニングすることにより、走査線３１、信号線４１（図示省略）、ＴＦＴ１１，１２の各ゲート電極１１ｄ，１２ｄを構成している。また、保持容量１３の他方の電極１３ｂや一方の電極１３ａに繋がる配線１３ｃを構成している。そして、これらを覆うように層間絶縁膜１４が設けられている。該低抵抗金属配線層の厚みはおよそ５００ｎｍ〜６００ｎｍである。層間絶縁膜１４の厚みもおよそ５００ｎｍ〜６００ｎｍである。

層間絶縁膜１４には、ＴＦＴ１１，１２のソースやドレインとの接続を図るためのコンタクトホール１４ａ，１４ｂ，１４ｃ，１４ｄが設けられている。また、保持容量１３と電源線４２およびＴＦＴ１２との接続を図るためのコンタクトホール（図示省略）が設けられている。

層間絶縁膜１４上に例えばＡｌ、Ｔａ、Ｗ、あるいはこれらの金属化合物などの低抵抗金属配線層が設けられ、これをパターニングすることにより、電源線４２やコンタクトホール１４ｂ，１４ｃ間を繋ぐ配線、電源線４２とコンタクトホール１４ｄ間を繋ぐ配線等を構成している。該低抵抗金属配線層の厚みはおよそ５００ｎｍ〜６００ｎｍである。

そして、電源線４２や層間絶縁膜１４を覆うように保護膜１５が設けられ、さらに保護膜１５を覆うように平坦化層１６が設けられている。上述したゲート絶縁膜１ａ、層間絶縁膜１４、保護膜１５は、例えばＳｉＮやＳｉＯ、ＳｉＯ₂あるいはこれらシリコン化合物などの無機混合物からなる。保護膜１５の厚みはおよそ２００ｎｍ〜３００ｎｍである。平坦化層１６は、例えばアクリル系やエポキシ系の有機樹脂からなり、厚みはおよそ１μｍ〜２μｍである。

このように低抵抗金属配線層や層間絶縁膜１４などに比べて厚い平坦化層１６を設けても、素子基板１上における平坦化層１６の表面には段差が生じてしまう。特に、ＴＦＴ１１，１２が設けられた第１膜形成領域７ａの表面は、ＴＦＴ１１，１２に接続を図るためのコンタクトホール１４ａ，１４ｂ，１４ｃ，１４ｄや配線の形成により、保持容量１３が設けられた第２膜形成領域７ｂや第３膜形成領域７ｃに比べてより多くの凹凸を有する。

この場合、平坦化層１６上の段差は、半導体層やこれに繋がる低抵抗金属配線層がない第３膜形成領域７ｃが最も低く、凹凸が多い第１膜形成領域７ａ、第２膜形成領域７ｂの順に高くなっている。

このような素子基板１における駆動回路部の段差に対応して、異なる発光色の有機ＥＬ素子２０Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒが設けられている。具体的には、第１膜形成領域７ａに有機ＥＬ素子２０Ｇが設けられ、第２膜形成領域７ｂに有機ＥＬ素子２０Ｂが設けられ、第３膜形成領域７ｃに有機ＥＬ素子２０Ｒが設けられている。

第１膜形成領域７ａに設けられた有機ＥＬ素子２０Ｇは、平坦化層１６上において順に積層形成された反射層２１、絶縁膜１７、画素電極２３ｇ、機能層２４ｇ、共通電極２５を含んでいる。他の有機ＥＬ素子２０Ｂ，２０Ｒも同様である。

反射層２１は、例えばＡｌ−Ｎｄの反射性金属材料からなり、厚みはおよそ５０ｎｍ〜１００ｎｍである。反射層２１を覆う絶縁膜１７は、ＳｉＮやＳｉＯなど透明な無機材料からなり、厚みはおよそ５０ｎｍ〜１００ｎｍである。画素電極２３ｂ，２３ｇ，２３ｒは、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）、ＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）などの透明導電膜であり、厚みはおよそ５０ｎｍ〜１００ｎｍである。

各画素電極２３ｂ，２３ｇ，２３ｒを実質的に区画しているのは、各画素電極２３ｂ，２３ｇ，２３ｒの外縁を覆うように形成された絶縁膜１８と、絶縁膜１８上に設けられた隔壁部１９である。絶縁膜１８は、ＳｉＯ₂などの無機絶縁材料からなり、厚みはおよそ５０ｎｍ〜１００ｎｍである。隔壁部１９は、フェノール系あるいはポリイミド系の樹脂材料からなり、厚みはおよそ１μｍ〜２μｍである。

異なる発光色が得られる機能層２４ｇ，２４ｂ，２４ｒは、隔壁部１９によって実質的に区画された第１膜形成領域７ａ、第２膜形成領域７ｂ、第３膜形成領域７ｃに機能性材料を含む液状体を塗布して、固化することにより形成されている。詳細については、後述する有機ＥＬ装置１０の製造方法において述べる。

共通電極２５は、隔壁部１９と各機能層２４ｇ，２４ｂ，２４ｒとを覆うように設けられている。共通電極２５は、ＩＴＯ、ＩＺＯなどの透明導電膜であり、厚みはおよそ５０ｎｍ〜１００ｎｍである。

有機ＥＬ装置１０は、発光制御単位Ｌｕと各有機ＥＬ素子２０Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒが設けられた素子基板１を透明なガラス等からなる封止基板（図示省略）と接合され、外部から水分や酸素等のガスが機能層２４ｂ，２４ｇ，２４ｒに浸入しないように封止される。

各機能層２４ｂ，２４ｇ，２４ｒでの発光は、反射層２１により反射され、効率よく封止基板側から取り出すことができる。なお、有機ＥＬ素子２０Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒの構成は、これに限定されない。例えば、発光色ごとの輝度を向上させるために、各機能層２４ｂ，２４ｇ，２４ｒと反射層２１との間に光共振構造を導入してもよい。

次に、図６および図７を参照して比較例の有機ＥＬ装置について説明する。なお、本実施形態の有機ＥＬ装置１０と同じ構成の部分については、同じ符号を付して、詳細の説明を省く。

図６に示すように、比較例の有機ＥＬ装置３０は、有機ＥＬ装置１０に対して、２つのＴＦＴ１１，１２と保持容量１３とこれらを繋ぐ配線とを含む発光制御単位Ｌｕの配置は同じだが、有機ＥＬ素子２０Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒの平面的な配置が異なるものである。具体的には、発光制御単位Ｌｕが設けられた略矩形状の領域（膜形成領域）ごとに、略矩形状の有機ＥＬ素子２０（２０Ｂ、２０Ｇ、２０Ｒ）が設けられている。１つの有機ＥＬ素子２０は、複数の発光制御単位Ｌｕに跨って設けられていない。

図７に示すように、例えば、赤色の発光が得られる機能層２４ｒは、隔壁部１９によって区画された発光制御単位Ｌｕを有する膜形成領域に亘って設けられている。特に、膜形成領域に機能性材料を含む液状体を塗布することにより機能層２４ｒを形成する場合、塗布された液状体は、最も低い段差となっている部分、すなわち、ＴＦＴ１１，１２や保持容量１３が設けられていない部分に流れ込み易い。したがって、塗布された液状体を固化すると、段差に跨って形成された機能層２４ｒは場所によって膜厚が変動してしまう。

このような機能層２４ｒに電流を流して発光させると、膜厚ムラに起因する輝度ムラが発生する。また、信頼性品質においても、最も膜厚が薄い部分に集中して電流が流れ易く、発光寿命が短くなるというおそれがある。

比較例の有機ＥＬ装置３０に対して、本実施形態の有機ＥＬ装置１０は、素子基板１上の平坦化層１６の段差に応じて区分された、第１膜形成領域７ａ、第２膜形成領域７ｂ、第３膜形成領域７ｃごとに有機ＥＬ素子２０が設けられている。したがって、各機能層２４ｂ，２４ｇ，２４ｒの膜厚の変動が抑制され、輝度ムラが低減された有機ＥＬ装置１０を実現することができる。

特に、半導体素子部を有する第１膜形成領域７ａには、緑色の機能層２４ｇを設けることが望ましい。第１膜形成領域７ａにおける表面の凹凸に起因して機能層２４ｇの膜厚が変動しても、緑色の機能層２４ｇの発光寿命が他に比べて長いので、輝度ムラを低減するために電流を余計に流しても有機ＥＬ装置１０としての発光寿命の低下には結びつかない。

＜有機ＥＬ装置の製造方法＞
次に、本実施形態の有機ＥＬ装置１０の製造方法について、図８〜図１０を参照して説明する。図８（ａ）および（ｂ）、図９（ｃ）および（ｄ）、図１０（ｅ）〜（ｇ）は、有機ＥＬ装置の製造方法を示す概略図である。

本実施形態の有機ＥＬ装置１０の製造方法は、素子基板１上に駆動回路部を形成する駆動回路形成工程と、駆動回路部上に反射層２１を形成する反射層形成工程と、駆動回路部に電気的に接続するように画素電極２３ｂ，２３ｇ，２３ｒを形成する画素電極形成工程と、画素電極２３ｂ，２３ｇ，２３ｒを含む膜形成領域を区画するように隔壁部１９を形成する隔壁形成工程と、隔壁部１９により区画された膜形成領域に機能層２４ｂ，２４ｇ，２４ｒを形成する機能層形成工程と、隔壁部１９と機能層２４ｂ，２４ｇ，２４ｒとを覆うように共通電極２５を形成する共通電極形成工程とを備えている。

駆動回路形成工程では、まず図８（ａ）に示すように、素子基板１上にポリシリコン膜を成膜して、フォトリソグラフィ法により各半導体層１１ａ，１２ａ，１３ａを島状に形成する。ポリシリコン膜の形成方法としては、公知の技術を用いることができ、例えば減圧ＣＶＤ法等が挙げられる。
そして、ＴＦＴ１１，１２に対応する半導体層１１ａ，１２ａでは、ソースおよびドレイン側をマスクし、半導体層１３ａでは、電気的な接続部をマスクした状態で、素子基板１を覆うようにゲート絶縁膜１ａを形成する。ゲート絶縁膜１ａの形成方法としては、例えば、ＳｉＮやＳｉＯをターゲットとして、膜厚がおよそ５０ｎｍ〜１００ｎｍとなるように真空中で成膜するスパッタ法などが挙げられる。

次に、ゲート絶縁膜１ａ上に例えば、Ａｌからなる低抵抗金属膜を厚みおよそ５００ｎｍ〜６００ｎｍとなるように同じくスパッタ法などにより成膜する。これをフォトリソグラフィ法によりパターニングして、図８（ｂ）に示すように、走査線３１、信号線４１、走査線３１から半導体層１１ａ上に延びてゲート電極１１ｄとなる配線３１ａ、半導体層１２ａ上から半導体層１３ａの接続部まで延びる配線１３ｃ（ゲート電極１２ｄを含む）、保持容量１３の他方の電極１３ｂを形成する。このとき、信号線４１に対して直交するように延在する走査線３１は、一旦信号線４１上を切り欠くように形成しておく。

次に、素子基板１のほぼ全面を覆うように層間絶縁膜１４を形成する。層間絶縁膜１４を形成する方法としては、同じくスパッタ法を用い、ＳｉＮやＳｉＯをターゲットとして、膜厚がおよそ５００ｎｍ〜６００ｎｍとなるように真空中で成膜する。このとき、後の電源線形成工程で電源線４２以外の配線を形成する部分は、予め感光性樹脂材料等を用いてマスクしておく。層間絶縁膜１４を形成した後にマスクした部分を取り除けば、図９（ｃ）に示すように、コンタクトホール１４ａ，１４ｂ，１４ｃ，１４ｄ，１４ｅ，１４ｆ，１４ｇ，１４ｈを形成することができる。

次に、再びＡｌからなる低抵抗金属膜を厚みおよそ５００ｎｍ〜６００ｎｍとなるように同じくスパッタ法などにより層間絶縁膜１４上に成膜する。これをフォトリソグラフィ法によりパターニングして、図９（ｃ）に示すように、電源線４２と、各種の配線とを形成する。例えば、コンタクトホール１４ｄとコンタクトホール１４ｆとを低抵抗金属膜で埋めることにより、信号線４１とＴＦＴ１１のソースとを繋ぐ配線１１ｅを形成することができる。コンタクトホール１４ｃとコンタクトホール１４ｅとを低抵抗金属膜で埋めることにより、ＴＦＴ１１のドレインとＴＦＴ１２のゲートとを繋ぐ配線１１ｆを形成することができる。２つのコンタクトホール１４ｇ間を低抵抗金属膜で埋めることにより、途切れていた走査線３１を信号線４１上において電気的に繋げる配線３１ｃを形成することができる。コンタクトホール１４ｂとコンタクトホール１４ｈを低抵抗金属膜で埋めることにより、電源線４２とＴＦＴ１２のソースおよび保持容量１３の他方の電極１３ｂとを繋ぐ配線１２ｆを形成することができる。

次に、このようにしてできあがった駆動回路部を覆うように保護膜１５を成膜する。保護膜１５の形成方法としては、例えばＳｉＮをターゲットとして厚みが２００ｎｍ〜３００ｎｍとなるように同じくスパッタ法などにより成膜する。さらに、保護膜１５を覆うように平坦化層１６を形成する。平坦化層１６の形成方法としては、感光性のアクリル系樹脂をスピンコートまたはロールコートなどの方法により厚みおよそ１μｍ〜２μｍで塗布して固化させ、フォトリソグラフィ法によりパターニングする方法が挙げられる。パターニングするのは、主に、各画素電極２３ｂ，２３ｇ，２３ｒとＴＦＴ１２のドレインとの接続を図るコンタクトホール１４ａに連通するコンタクトホール１６ａである。または、当該コンタクトホール１６ａの部分をマスクしてから平坦化層形成材料をコーティングしてもよい。

次に、図９（ｄ）に示すように、反射層形成工程では、平坦化層１６上の段差に応じて区分された第１膜形成領域７ａ、第２膜形成領域７ｂ、第３膜形成領域７ｃごとに反射層２１を形成する。反射層２１の形成方法としては、前述した反射層形成材料であるＡｌ−Ｎｄを厚みおよそ５０ｎｍ〜１００ｎｍとなるようにスパッタ法で成膜する方法が挙げられる。そして、フォトリソグラフィ法により画素電極２３ｂ，２３ｇ，２３ｒよりもやや広い平面積を有する反射層２１を形成する。続いて、反射層２１を覆うように絶縁膜１７を成膜する。絶縁膜１７の形成方法は、ＳｉＮやＳｉＯをターゲットとして、膜厚がおよそ５０ｎｍ〜１００ｎｍとなるように真空中で成膜するスパッタ法などが挙げられる。

画素電極形成工程では、絶縁膜１７上にＩＴＯ膜をスパッタ法などにより厚みおよそ１００ｎｍとなるように成膜する。そして、これをフォトグラフィ法によりパターニングして反射層２１の上方に各画素電極２３ｂ，２３ｇ，２３ｒを形成する。また、コンタクトホール１６ａをＩＴＯ膜で埋めて画素電極２３ｂ，２３ｇ，２３ｒとＴＦＴ１２（ドレイン）とを接続させる。この場合、各画素電極２３ｂ，２３ｇ，２３ｒの平面積はほぼ同等である。

続いて、各画素電極２３ｂ，２３ｇ，２３ｒの外縁部を覆うように絶縁膜１８を形成する。絶縁膜１８の形成方法としては、各画素電極２３ｂ，２３ｇ，２３ｒの外縁部以外をマスクした状態で、ＳｉＮやＳｉＯをターゲットとしてスパッタし、厚みが５０ｎｍ〜１００ｎｍとなるように成膜する方法が挙げられる。

さらに、隔壁形成工程では、素子基板１の表面にフェノール系あるいはポリイミド系の感光性樹脂材料を厚みが１μｍ〜２μｍとなるようにコーティングし固化して、露光・現像することにより、絶縁膜１８上に隔壁部１９を形成する。これにより、図９（ｄ）に示すように、隔壁部１９は実質的に第１膜形成領域７ａ、第２膜形成領域７ｂ、第３膜形成領域７ｃを区画する。第１膜形成領域７ａ、第２膜形成領域７ｂ、第３膜形成領域７ｃの平面積もほぼ同等である。

次に、機能層形成工程について説明する。本実施形態の機能層形成工程は、正孔注入輸送層形成材料を含む液状体を塗布し固化して正孔注入輸送層を形成する正孔注入輸送層形成工程と、発光層形成材料を含む液状体を塗布し固化して発光層を形成する発光層形成工程とを含んでいる。

正孔注入輸送層形成工程では、図９（ｄ）に示すように、ノズルから液状体を吐出可能な吐出ヘッド（インクジェットヘッド）５０を用いて、第１膜形成領域７ａ、第２膜形成領域７ｂ、第３膜形成領域７ｃごとに、所定量の液状体６０を液滴として塗布する。液状体６０は、例えば溶媒としてジエチレングリコールと水（純水）とを含み、正孔注入輸送層形成材料として、ポリエチレンジオキシチオフェン（ＰＥＤＯＴ）等のポリチオフェン誘導体にドーパントとしてのポリスチレンスルホン酸（ＰＳＳ）を加えた混合物（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）を重量比で０．５％含んだ溶液である。粘度がおよそ２０ｍＰａ・ｓ以下となるように溶媒の割合が調整されている。
なお、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ以外の正孔注入輸送層形成材料としては、ポリスチレン、ポリピロール、ポリアニリン、ポリアセチレンやその誘導体が挙げられる。

液状体６０が塗布された素子基板１を例えばランプアニール等の方法で加熱乾燥して溶媒を蒸発させることにより、図１０（ｅ）に示すように、第１膜形成領域７ａ、第２膜形成領域７ｂ、第３膜形成領域７ｃごとに、正孔注入輸送層２６を形成する。なお、液状体６０を塗布する前に、画素電極２３ｂ，２３ｇ，２３ｒの表面を親液処理すると共に、隔壁部１９の表面を撥液処理する表面処理を素子基板１に施してもよい。親液処理は酸素を処理ガスとしてプラズマ処理する方法、撥液処理はフッソ系ガスを処理ガスとしてプラズマ処理する方法が挙げられる。このようにすれば、画素電極２３ｂ，２３ｇ，２３ｒ上に着弾した液状体６０はムラなく濡れ広がる。

発光層形成工程では、図９（ｄ）に示すように、異なる吐出ヘッド５０Ｇ，５０Ｂ，５０Ｒにそれぞれ異なる液状体７０Ｇ，７０Ｂ，７０Ｒを充填して、それぞれ対応する第１膜形成領域７ａ、第２膜形成領域７ｂ、第３膜形成領域７ｃに液滴として塗布する。
液状体７０Ｇ，７０Ｂ，７０Ｒは、例えば溶媒としてシクロヘキシルベンゼンを含んでおり、発光層形成材料として赤色、緑色、青色の発光が得られるポリフルオレン誘導体（ＰＦ）を重量比で０．７％含んだものを用いた。粘度はおよそ１４ｍＰａ・ｓである。なお、ＰＦ以外の発光層形成材料としては、ポリパラフェニレンビニレン誘導体（ＰＰＶ）、ポリフェニレン誘導体（ＰＰ）、ポリパラフェニレン誘導体（ＰＰＰ）、ポリビニルカルバゾール（ＰＶＫ）、ＰＥＤＯＴ等のポリチオフェニレン誘導体、ポリメチルフェニレンシラン（ＰＭＰＳ）等を用いることができる。また、これらの高分子材料に、ペリレン系色素、クマリン系色素、ローダミン系色素等の高分子材料や、ルブレン、ペリレン、９，１０−ジフェニルアントラセン、テトラフェニルブタジエン、ナイルレッド、クマリン６、キナクドリン等低分子材料をドープしたものを用いてもよい。

塗布された液状体７０Ｇ，７０Ｂ，７０Ｒの乾燥方法（固化方法）としては、一般的な加熱乾燥に比べて溶媒成分を比較的均一に乾燥可能な減圧乾燥法を用いている。これにより、図１０（ｆ）に示すように、正孔注入輸送層２６上に発光層２７ｇ，２７ｂ，２７ｒをムラ無く形成することができる。こうして正孔注入輸送層２６と発光層２７ｇとを含む機能層２４ｇが形成される。他の機能層２４ｂ，２４ｒも同様である。

なお、機能層形成工程における機能層２４ｂ，２４ｇ，２４ｒの形成方法は、これに限定されない。例えば、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳを主体とする正孔注入層とＰＦを主体とする発光層２７ｂ，２７ｇ，２７ｒとの間に、中間層を形成してもよい。中間層形成材料を含む液状体としては、例えば、溶媒としてシクロヘキシルベンゼンを含み、中間層形成材料として、トリフェニルアミン系ポリマーを重量比で０．１％程度含んだものが挙げられる。
中間層は、発光層２７ｂ，２７ｇ，２７ｒに対する正孔の輸送性（注入性）を向上させると共に、発光層から正孔注入層に電子が浸入することを抑制する機能を有する。すなわち、発光層２７ｂ，２７ｇ，２７ｒにおける正孔と電子との結合による発光の効率を改善するものである。

次に、共通電極形成工程では、図１０（ｇ）に示すように、隔壁部１９と各機能層２４ｂ，２４ｇ，２４ｒとを覆うように共通電極２５を形成する。これにより有機ＥＬ素子２０が完成する。
共通電極２５の材料としては、ＩＴＯとＣａ、Ｂａ、Ａｌ等の金属やＬｉＦ等のフッ化物とを組み合わせて用いるのが好ましい。特に機能層２４ｂ，２４ｇ，２４ｒに近い側に仕事関数が小さいＣａ、Ｂａ、ＬｉＦの膜を形成し、遠い側に仕事関数が大きいＩＴＯを形成するのが好ましい。また、共通電極２５の上にＳｉＯ₂、ＳｉＮ等の保護層を積層してもよい。このようにすれば、共通電極２５の酸化を防止することができる。共通電極２５の形成方法としては、蒸着法、スパッタ法、ＣＶＤ法等が挙げられる。特に機能層２４ｂ，２４ｇ，２４ｒの熱による損傷を防止できるという点では、蒸着法が好ましい。

次に、発光制御単位Ｌｕと有機ＥＬ素子２０とが形成された素子基板１と、封止基板とを接合することにより有機ＥＬ装置１０が完成する。

このような有機ＥＬ装置１０の製造方法によれば、発光に寄与する部分の平面積がほぼ同等で、膜厚ムラが低減された機能層２４ｂ，２４ｇ，２４ｒを歩留りよく形成することができる。すなわち、異なる発光色間の輝度が均衡し、且つ輝度ムラが低減されたトップエミッション型の有機ＥＬ装置１０を歩留りよく製造することができる。

（実施形態２）
次に、本実施形態の他の有機ＥＬ装置について、図１１を参照して説明する。図１１は、実施形態２の有機ＥＬ装置の画素の構成を示す模式図である。なお、実施形態１の有機ＥＬ装置１０と同じ構成の部分は、同じ符号を付して説明する。

図１１に示すように、実施形態２の有機ＥＬ装置１００は、互いに絶縁され格子状に配置された走査線３１および信号線４１と、走査線３１に沿って配置された電源線４２とを有する。また、走査線３１と信号線４１とにより区画された領域に発光制御単位Ｌｕを有する。すなわち、発光制御単位Ｌｕの構成と配置は、有機ＥＬ装置１０と同じである。

走査線３１に沿って配列する隣り合う３つの発光制御単位Ｌｕは、基板上に形成された駆動回路部の段差に対応して、半導体素子部を含む第１膜形成領域７ａと、保持容量を含む２つの膜形成領域、すなわち第２膜形成領域７ｂと第４膜形成領域７ｄとに区分されている。
第１膜形成領域７ａは、３つの発光制御単位Ｌｕに跨っており、第２膜形成領域７ｂは左端と中央の発光制御単位Ｌｕに跨っている。第４膜形成領域７ｄは中央と右端の発光制御単位Ｌｕに跨っている。

略矩形状の第１膜形成領域７ａに対して正四角形の第２膜形成領域７ｂおよび第４膜形成領域７ｄは、実質的にほぼ同等の平面積を有する。

第１膜形成領域７ａには、緑色の発光が得られる発光単位としての有機ＥＬ素子２０が設けられ発光画素７を構成している。第２膜形成領域７ｂには、青色の発光が得られる発光単位としての有機ＥＬ素子２０が設けられ発光画素７を構成している。第４膜形成領域７ｄには、赤色の発光が得られる発光単位としての有機ＥＬ素子２０が設けられ発光画素７を構成している。

反射層を有するトップエミッション型の場合、駆動回路部の構成は、反射層の下層に形成されるため、比較的自由な配置が可能である。したがって、図１１に示すように、電源線４２が配置された領域に対応して、保持容量や段差を緩和するダミー配線層を形成すれば、第２膜形成領域７ｂと第４膜形成領域７ｄとを高さがほぼ同等な段差内において区分することができる。

これによって、異なる発光が得られる発光画素７の配置は、実施形態１の有機ＥＬ装置１０のようなストライプ方式に限定されず、実施形態２の有機ＥＬ装置１００のような擬似デルタ方式の配置も可能となる。

有機ＥＬ装置１００の製造方法は、実施形態１の有機ＥＬ装置１０の製造方法と一緒の工程を経ることにより製造可能である。画素電極と、画素電極を区画する隔壁部を各膜形成領域に対応して形成すればよい。

（実施形態３）
次に、本実施形態の電子機器について図１２を参照して説明する。図１２は、電子機器としての携帯型電話機を示す概略斜視図である。

図１２に示すように、本実施形態の電子機器としての携帯型電話機２００は、操作ボタン２０３を備えた本体２０２と、本体２０２にヒンジを介して折畳式に取り付けられた表示部２０１とを備えている。
表示部２０１には、上記実施形態１の有機ＥＬ装置１０または上記実施形態２の有機ＥＬ装置１００が搭載されている。
したがって、発光色ごとの輝度が均衡しており、輝度ムラが低減され見映えのよい携帯型電話機２００を提供することができる。

上記実施形態以外にも様々な変形例が考えられる。以下、変形例を挙げて説明する。

（変形例１）実施形態１の有機ＥＬ装置１０および実施形態２の有機ＥＬ装置１００において、隣り合う発光制御単位Ｌｕを平面的に異なる領域に区分する方法は、３つの領域に限定されない。例えば、最も凹凸が多い半導体素子部を含む第１膜形成領域７ａと、それ以外の領域の少なくとも２つの膜形成領域に区分してもよい。そして、それぞれの膜形成領域に単色の発光が得られる有機ＥＬ素子を設ける。これによれば、基板上における駆動回路部の段差に起因する機能層の膜厚変動を抑制して、単色の発光における輝度ムラを低減することができる。

（変形例２）実施形態１の有機ＥＬ装置１０および実施形態２の有機ＥＬ装置１００において、第１膜形成領域７ａ、第２膜形成領域７ｂ、第３膜形成領域７ｃ、第４膜形成領域７ｄの平面積が同等であることに限定されない。例えば、ＴＦＴ１１，１２や保持容量１３の電気的に必要な特性に鑑みて、その配置や大きさ、形状を決定すればよく、第１膜形成領域７ａ、第２膜形成領域７ｂ、第３膜形成領域７ｃ、第４膜形成領域７ｄのうち、少なくとも１つの平面積を異ならせてもよい。あるいは互いの平面積を異ならせてもよい。これによれば、異なる発光色が得られる機能層２４ｂ，２４ｇ，２４ｒの発光特性（輝度、色度）に応じて、発光面積を調整することができる。

（変形例３）上記変形例２において、最も平面積が大きい膜形成領域には、他に比べて発光寿命が短い機能層を設けることが望ましい。具体的には、赤色、緑色、青色の発光が得られる機能層形成材料のうち、青色が他に比べて発光寿命が短いので、青色の機能層２４ｂを設ける。発光寿命は、機能層を流れる電流量に比例する。したがって、各発光色間の輝度をほぼ同一とする場合には、所定の電流量に対して平面積が最も大きい膜形成領域に形成された青色の機能層２４ｂには、他に比べて少ない電流を流せばよい。その結果、有機ＥＬ装置１０または有機ＥＬ装置１００としての発光寿命を延ばすことができる。
また、最も平面積が小さい膜形成領域には、他に比べて発光寿命が長い機能層を設けることが望ましい。具体的には、赤色、緑色、青色の発光が得られる機能層形成材料のうち、赤色、緑色が青色に比べて発光寿命が長いので、赤色または緑色の機能層を設ける。特に赤色と緑色とを比較すると緑色の方が視感度が高い。発光寿命は、機能層を流れる電流量に比例する。したがって、各発光色間の輝度をほぼ同一とする場合には、所定の電流量に対して平面積が最も小さい膜形成領域に緑色の機能層２４ｇを設けることが好ましい。他に比べて多い電流を流す必要があるものの、緑色は視感度が高いので、緑色を基準とすれば他の色の機能層２４ｂ，２４ｒを流れる電流量を抑えることができる。その結果、有機ＥＬ装置１０または有機ＥＬ装置１００としての発光寿命を延ばすことができる。

（変形例４）実施形態１の有機ＥＬ装置１０の製造方法において、第１膜形成領域７ａ、第２膜形成領域７ｂ、第３膜形成領域７ｃのうちの少なくとも１つの平面積が他と異なる場合、発光層形成工程では、平面積が小さいほど塗布後の乾燥が進み易く、乾燥速度の違いで成膜後の膜形状が安定しないおそれがある。したがって、平面積が大きい順に液状体７０Ｂ，７０Ｇ，７０Ｒを塗布することが望ましい。これによって、第１膜形成領域〜第３膜形成領域間の乾燥速度の差を抑制して、安定した膜形状の発光層２７ｂ，２７ｇ，２７ｒを形成することができる。

（変形例５）実施形態１の有機ＥＬ装置１０の製造方法において、発光層形成工程では、第１膜形成領域７ａ、第２膜形成領域７ｂ、第３膜形成領域７ｃに対して、異なる種類の液状体７０Ｂ，７０Ｇ，７０Ｒを分けて塗布すると、後から塗布した液状体の膜形成領域に対する濡れ性が低下する。したがって、異なる種類の液状体７０Ｂ，７０Ｇ，７０Ｒのうち膜形成領域に対する濡れ性が低い順に塗布することが望ましい。このようにすれば、液状体７０Ｂ，７０Ｇ，７０Ｒの各膜形成領域における濡れ性を安定的に確保してムラなく塗布することができる。

（変形例６）上記実施形態１の有機ＥＬ装置１０の製造方法において、異なる発光層形成材料を含む液状体７０Ｂ，７０Ｇ，７０Ｒのうち、例えば、水分や酸素に曝露されたり、加熱等を受けることによって失活し易い発光層形成材料を含む液状体は、一番最後に塗布することが望ましい。これにより歩留りを向上させることができる。

（変形例７）上記実施形態１の有機ＥＬ装置１０の製造方法において、機能層形成工程は、機能性材料を含む液状体を塗布して固化する方法に限定されない。例えば、蒸着法を用いて、低分子あるいは高分子の有機薄膜を成膜して機能層としてもよい。このような蒸着法を用いても上記実施形態１の作用・効果を期待できる。

（変形例８）上記実施形態１の有機ＥＬ装置１０および上記実施形態２の有機ＥＬ装置１００が搭載された電子機器は、携帯型電話機２００に限定されない。例えば、パーソナルコンピュータや携帯型情報端末、ナビゲータ、ビューワーなどの表示部を有する電子機器が挙げられる。また、有機ＥＬ装置１０および有機ＥＬ装置１００はフルカラーの発光（表示）が可能なものに限らず、単色発光としてもよいので、単色の場合には照明装置として用いてもよい。

実施形態１の有機ＥＬ装置を示す模式平面図。 実施形態１の有機ＥＬ装置の等価回路図。 実施形態１の有機ＥＬ装置の発光画素の構成を示す模式平面図。 実施形態１の有機ＥＬ装置の発光画素の詳細な構成を示す平面図。 図４のＡ−Ａ'線で切った発光画素の構造を示す断面図。 比較例の有機ＥＬ装置の発光画素の構成を示す平面図。 図６のＢ−Ｂ'線で切った比較例の発光画素の構造を示す断面図。 （ａ）および（ｂ）は有機ＥＬ装置の製造方法を示す概略平面図。 （ｃ）は有機ＥＬ装置の製造方法を示す概略平面図、（ｄ）は有機ＥＬ装置の製造方法を示す概略断面図。 （ｅ）〜（ｇ）は有機ＥＬ装置の製造方法を示す概略断面図。 実施形態２の有機ＥＬ装置を示す模式平面図。 実施形態３の電子機器としての携帯型電話機を示す概略斜視図。

符号の説明

１…基板としての素子基板、７ａ…第１膜形成領域、７ｂ…第２膜形成領域、７ｃ…第３膜形成領域、１０，１００…有機ＥＬ装置、１１，１２…薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）、１３…保持容量、１９…隔壁部、２０，２０Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒ…発光単位としての有機ＥＬ素子、２１…反射層、２３，２３ｂ，２３ｇ，２３ｒ…画素電極、２４，２４ｂ，２４ｇ，２４ｒ…機能層、２５…共通電極、７０Ｂ，７０Ｇ，７０Ｒ…異なる種類の液状体、２００…電子機器としての携帯型電話機、Ｌｕ…発光制御単位。

Claims (8)

1. 第１の色を発光する第１の機能層を有する第１の有機ＥＬ素子と、
   前記第１の色とは異なる第２の色を発光する第２の機能層を有する第２の有機ＥＬ素子と、
   前記第１の色及び前記第２の色とは異なる第３の色を発光する第３の機能層を有する第３の有機ＥＬ素子と、
   前記第１の機能層と前記第２の機能層と前記第３の機能層とを区分する隔壁部と、
   前記第１の有機ＥＬ素子を制御する第１の発光制御単位と、
   前記第２の有機ＥＬ素子を制御する第２の発光制御単位と、
   前記第３の有機ＥＬ素子を制御する第３の発光制御単位と、を有し、
   前記第１の発光制御単位は、第１の駆動トランジスタと、第１のスイッチングトランジスタと、第１の保持容量と、を備え、
   前記第２の発光制御単位は、第２の駆動トランジスタと、第２のスイッチングトランジスタと、第２の保持容量と、を備え、
   前記第３の発光制御単位は、第３の駆動トランジスタと、第３のスイッチングトランジスタと、第３の保持容量と、を備え、
   前記第１の膜形成領域は、平面視において前記第１の駆動トランジスタと前記第２の駆動トランジスタと前記第３の駆動トランジスタと、前記第１のスイッチングトランジスタと前記第２のスイッチングトランジスタと前記第３のスイッチングトランジスタとを含みむように形成され、
   前記第２の膜形成領域は、平面視において前記第１の保持容量と前記第２の保持容量と前記第３の保持容量とを含むように形成され、
   第３の膜形成領域は、平面視において、前記第１の駆動トランジスタと前記第２の駆動トランジスタと前記第３の駆動トランジスタと、前記第１のスイッチングトランジスタと前記第２のスイッチングトランジスタと前記第３のスイッチングトランジスタと、前記第１の保持容量と前記第２の保持容量と前記第３の保持容量と、重畳しないように形成され、
   前記隔壁部は、前記第１の膜形成領域と前記第２の膜形成領域と前記第３の膜形成領域に区分し、
   前記第１の機能層は前記第１の膜形成領域に形成され、
   前記第２の機能層は前記第２の膜形成領域に形成され、
   前記第３の機能層は前記第３の膜形成領域に形成されていることを特徴とする有機ＥＬ装置。
2. 前記第１膜形成領域と、前記第２膜形成領域と、前記第３膜形成領域とがほぼ同一の平面積を有することを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ装置。
3. 前記第１膜形成領域と前記第２膜形成領域および前記第３膜形成領域のうち最も大きな平面積を有する膜形成領域に、他に比べて発光寿命が短い前記発光単位が設けられていることを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ装置。
4. 前記第１膜形成領域と前記第２膜形成領域および前記第３膜形成領域のうち最も小さな平面積を有する膜形成領域に、他に比べて発光寿命が長い前記発光単位が設けられていることを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ装置。
5. 第１の色を発光する第１の機能層を有する第１の有機ＥＬ素子と、
   前記第１の色とは異なる第２の色を発光する第２の機能層を有する第２の有機ＥＬ素子と、
   前記第１の色および前記第２の色とは異なる第３の色を発光する第３の機能層を有する第３の有機ＥＬ素子と、
   前記第１の機能層と前記第２の機能層と前記第３の機能層とを区分する隔壁と、
   第１の画素電極と電気的に接続された第１の駆動トランジスタと、第１のスイッチングトランジスタと、第１の保持容量と、を備えた前記第１の有機ＥＬ素子を制御する第１の発光制御単位と、
   第２の画素電極と電気的に接続された第２の駆動トランジスタと、第２のスイッチングトランジスタと、第２の保持容量と、を備えた前記第２の有機ＥＬ素子を制御する第２の発光制御単位と、
   第３の画素電極と電気的に接続された第３の駆動トランジスタと、第３のスイッチングトランジスタと、第３の保持容量と、を備えた前記第３の有機ＥＬ素子を制御する第３発光制御単位を少なくとも含む駆動回路部と、
   を有する有機ＥＬ装置の製造方法であって、
   基板上に前記駆動回路部を形成する工程と、
   前記第１の画素電極と前記第２の画素電極と前記第３の画素電極とを形成する工程と、
   平面視において前記第１の駆動トランジスタ、前記第１のスイッチングトランジスタ、前記第２の駆動トランジスタ、前記第２のスイッチングトランジスタ、前記第３の駆動トランジスタ、前記第３のスイッチングトランジスタ及び前記第１の画素電極とを含む第１の膜形成領域と、平面視において前記第１の保持容量、前記第２の保持容量、前記第３の保持容量及び前記第２の画素電極を含む第２の膜形成領域と、平面視において、前記第１の駆動トランジスタと前記第２の駆動トランジスタと前記第３の駆動トランジスタと、前記第１のスイッチングトランジスタと前記第２のスイッチングトランジスタと前記第３のトランジスタと、前記第１の保持容量と前記第２の保持容量と前記第３の保持容量と、重畳しないように形成され、かつ、前記第３の画素電極を含むように形成された第３の膜形成領域に区分する前記隔壁を形成する工程と、
   前記第１の膜形成領域に前記第１の機能層を形成し、前記第２の膜形成領域に前記第２の機能層を形成し、前記第３の膜形成領域に前記第３の機能層を形成する工程と、
   前記隔壁部と前記第１の機能層と前記第２の機能層と前記第３の機能層とを覆うように共通電極を形成する工程と、
   を有することを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。
6. 請求項７に記載の有機ＥＬ装置の製造方法であって、
   前記第１の発光制御単位、前記第２の発光制御単位及び前記第３の発光制御単位と、前記第１の画素電極、前記第２の画素電極及び前記第３の画素電極との間に光反射性を有する反射層を形成する工程と、をさらに含むことを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。
7. 請求項１乃至４のいずれか一項に記載の有機ＥＬ装置が搭載されたことを特徴とする電子機器。
8. 請求項５乃至７のいずれか一項に記載の有機ＥＬ装置の製造方法を用いて製造された有機ＥＬ装置が搭載されたことを特徴とする電子機器。

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