TW201445725A

TW201445725A - 有機發光二極體顯示器

Info

Publication number: TW201445725A
Application number: TW103101888A
Authority: TW
Inventors: Jun Hwang
Original assignee: Samsung Display Co Ltd
Priority date: 2013-05-30
Filing date: 2014-01-17
Publication date: 2014-12-01
Also published as: KR102096887B1; US20140353612A1; US9099408B2; KR20140140869A; CN104218052A

Abstract

揭露一種有機發光二極體(OLED)顯示器。在一態樣中，有機發光二極體顯示器包含具有作為發光區之複數個像素區以及作為非發光區之非像素區之基板。有機發光二極體顯示器也包含於分別對應於像素區之區域中形成於基板上之複數個第一電極以及形成於第一電極上之複數個有機發光層。有機發光顯示器進一步包含形成於基板之非像素區中以覆蓋有機發光層之邊界表面且定義像素區之像素定義層，以及形成於有機發光層與像素定義層上之第二電極。

Description

有機發光二極體顯示器

相關申請案之交互參照

【0001】

本申請案主張在2013年5月30日於韓國智慧財產局提出之申請案10-2013-0061828之優先權，其內容藉參照整合於文中。

【0002】

所述技術大致上相關於有機發光二極體(OLED)顯示器以及製造有機發光二極體顯示器之方法。

【0003】

大致上，有機發光二極體(OLED)顯示器具有優良的亮度與廣視角。因為有機發光二極體顯示器不需包含獨立光源，其也典型地為薄而輕的。此外，有機發光二極體顯示器典型地具有如快速反應速率、低功耗及高亮度等等之其他特性。

【0004】

有機發光二極體顯示器大致上包含其包含陽極電極、有機發光層與陰極電極之有機發光二極體。電洞與電子透過陰極與陽極電極注入到有機發光層中並再結合於有機發光層中以產生激子。激子發出當激子返回基態時被釋放之能量作為光。

【0005】

大致上，數個陽極電極形成於基板上且有機絕緣層形成於基板上以覆蓋陽極電極。有機絕緣層圖案化以具有數個開口，且因此形成像素定義層。部份陽極電極透過像素定義層之開口而暴露。藉由對應於像素區之開口定義區域。

【0006】

有機發光層於像素區中形成於陽極電極上。有機發光層可藉由例如噴墨印刷法、噴嘴印刷法等等之印刷法而形成。陰極電極形成以覆蓋有機發光層與像素定義層。

【0007】

一種發明態樣為具有減少厚度與均勻亮度之有機發光二極體(OLED)顯示器(在下文中可互換地寫作OLED顯示裝置)。

【0008】

另一態樣為製造OLED顯示器之方法。

【0009】

另一態樣為一種有機發光二極體顯示裝置，其包含：包含用作發光區之複數個像素區與設置於複數個像素區間並作為非發光區之非像素區之基板、設置於基板上之分別地對應像素區之區域中之複數個第一電極、設置於第一電極上之複數個有機發光層、定義像素區並設置於非像素區中以覆蓋有機發光層之邊界表面之像素定義層以及設置於有機發光層與像素定義層上之第二電極。

【0010】

各第一電極與各有機發光層具有之面積大於相對應之像素區之面積，且像素定義層暴露有機發光層之實質平坦表面。

【0011】

像素定義層包含金屬-氟離子化合物，且金屬-氟離子化合物包含氟化鋰、氟化鋇與氟化銫的其中之一。

【0012】

另一態樣為一種有機發光二極體顯示裝置，其包含：包含用作發光區之複數個像素區與設置於複數個像素區間並作為非發光區之非像素區之基板、設置於基板上之分別地對應像素區之區域中之複數個第一電極，各第一電極具有之面積大於相對應之像素區之面積、設置於基板上以覆蓋之第一電極之有機發光層、設置於於非像素區中之有機發光層上以覆蓋具有預定傾斜角度之有機發光層之邊界表面並暴露有機發光層之實質平坦區域於像素區中之像素定義層、設置於有機發光層與像素定義層上之第二電極以及設置於第二電極上之複數個濾光器。濾光器重複地安排於像素區中之四個相鄰的像素區中之三個連續的像素區中。

【0013】

根據一些實施例，有機發光二極體顯示裝置可具有減少的厚度與質上均勻的亮度。

100、200、300．．．有機發光二極體顯示裝置

110．．．基板

111．．．基底基板

112．．．第一絕緣層

113．．．第二絕緣層

114．．．保護層

120．．．薄膜密封層

BL．．．藍光

CF．．．濾光器

DA．．．顯示區

DE．．．汲極電極

DP．．．顯示面板

E1．．．第一電極

E2．．．第二電極

GE．．．閘極電極

GL．．．綠光

H1．．．第一接觸孔洞

H2．．．第二接觸孔洞

H3．．．第三接觸孔洞

M．．．遮罩

NDA．．．非顯示區

NPA．．．非像素區

OEL．．．有機發光層

OLED．．．有機發光裝置

OP．．．開口

OPA．．．開口區

PA．．．像素區

PDL．．．像素定義層

PDL1．．．第一像素定義層

PDL2．．．第二像素定義層

RL．．．紅光

SE．．．源極電極

SM．．．半導體層

TFT．．．薄膜電晶體

WL．．．白光

I-I’、II-II’．．．線

【0014】

所揭露技術之以上所述與其他優點當結合所附圖式考量時將藉參閱以下詳述之實施方式而變得顯而易見。

【0015】

第1圖係為顯示根據第一例示性實施例之有機發光二極體顯示裝置之俯視示意圖。

【0016】

第2圖係為沿第1圖之線I-I’所取之剖面圖。

【0017】

第3圖係為顯示連接於第2圖中所顯示之有機發光二極體顯示裝置之薄膜電晶體之剖面圖。

【0018】

第4A圖至第4C圖係為顯示根據第一例示性實施例之有機發光二極體顯示裝置之製造方法之剖面圖。

【0019】

第5圖係為顯示根據第二例示性實施例之有機發光二極體顯示裝置之剖面圖。

【0020】

第6A圖至第6E圖係為顯示根據第二例示性實施例之有機發光二極體顯示裝置之製造方法之剖面圖。

【0021】

第7圖係為顯示根據第三例示性實施例之有機發光二極體顯示裝置之剖面圖。

【0022】

第8A圖至第8D圖係為顯示根據第三例示性實施例之有機發光二極體顯示裝置之製造方法之剖面圖。

【0023】

其將被了解的是當元件或層被表示為「於…上(on)」、「連接於(connected to)」或「結合於(coupled to)」另一元件或層，其能直接地位於其他元件或層上、直接地連接於或結合於其他元件或層，或者可存在中間元件或層。相對地，當元件被稱為「直接於…上(directly on)」、「直接連接於(directly connected to)」或「直接結合於(directly coupled to)」另一元件或層，則無中間層或元件存在。於說明書各處，「連接(connected)」及「結合(coupled)」分別包含「電性連接(electrically connected)」及「電性結合(electrically coupled)」。相同參考符號代表於各處之相同元件。如文中所使用的，詞彙「以及/或(and/or)」包含一或多個相關表列物件之任意且所有組合。

【0024】

其將被了解的是，雖然詞彙第一、第二等等可被用於文中以描述各種元件、部件、區域、層以及/或區塊，這些元件、部件、區域、層以及/或區塊不應受限於此類詞彙。此類詞彙僅用於區分一元件、部件、區域、層或區塊與另一元件、部件、區域、層或區塊。因此，以下所討論之第一元件、部件、區域、層或區塊可被稱為第二元件、部件、區域、層或區塊而不從所述技術之教示中偏離。

【0025】

空間相關詞彙，例如「於…下(beneath)」、「於…下(below)」、「較低的(lower)」、「於…上(above)」、「較高的(upper)」等等，可為了描述如圖式中所顯示之元件或特徵對另一元件或特徵之相對關係之說明之簡化而被用於文中。其將被了解的是空間相關詞彙意於涵蓋除了圖式中所描繪之方向外之使用或操作中之裝置之不同方向。舉例來說，如果圖式中之裝置被倒過來，描述為於其他元件或特徵下(below)或下(beneath)之元件將隨後轉為於其他元件或特徵上(above)。因此，例示性詞彙「於…下(below)」可涵蓋上與下之方向兩者。裝置可另外轉向(旋轉90度或是於其他方向)而用於文中之空間相關描述詞應據此詮釋。

【0026】

所用於文中之術語僅是為了描述具體實施例而非意於限制本揭露。如文中所使用，單數形式「一(a)」、「一(an)」與「該(the)」也意於包含複數形式，除非內容另有清楚地指示。其將被進一步了解的是當用於說明書中時，詞彙「包含(includes)」以及/或「包含(including)」特指所述特徵、整數、步驟、操作元件以及/或部件之存在，但並不排除一或多個其他特徵、整數、步驟、操作元件、部件以及/或其群組之存在或增加。

【0027】

除非另有定義，用於文中之所有詞彙(包含技術或科學用語)具有與所述技術所屬之領域中具有通常知識者之通常理解相同的意義。其將進一步被了解的是例如那些定義於一般使用之字典中之詞彙應被解釋為具有與其相關技術之語境中之意義相同之意義而將不以理想化的或過度正式的意思解釋，除非文中清楚地如此定義。

【0028】

在下文中，所述技術將藉參閱所附圖式而詳細解釋。

【0029】

【0030】

參閱第1圖，根據第一例示性實施例之有機發光二極體顯示裝置100包含顯示面板DP。顯示面板DP包含顯示影像於其上之顯示區DA以及圍繞顯示區DA且不顯示影像之非顯示區NDA。

【0031】

顯示面板DP之顯示區DA包含相對應於發光區之複數個像素區PA以及設置於像素區PA間且相對應於非發光區之非像素區NPA。像素區PA產生光以顯示影像並以實質上矩陣之配置排列。

【0032】

像素區PA藉由像素定義層而定義(參閱第2圖與第3圖)。有機發光二極體(參閱第2圖與第3圖)設置於像素區PA中。各有機發光二極體接收相對應之驅動電壓以顯示影像並產生光。

【0033】

在下文中，有機發光二極體顯示裝置100之剖面結構將被詳細描述。

【0034】

第2圖係為沿第1圖之線I-I’所取之剖面圖。第3圖係為顯示連接於第2圖中所顯示之有機發光二極體之薄膜電晶體之剖面圖。

【0035】

第2圖顯示相鄰於彼此之任意三個像素區之剖面圖；其他像素區PA具有與第2圖中所顯示之像素相同之結構。此外，第3圖顯示連接於一任意有機發光二極體之薄膜電晶體TFT之剖面圖，然而，其他有機發光二極體連接於具有與第3圖中所示之薄膜電晶體TFT相同之結構之相對應之薄膜電晶體TFT。

【0036】

參閱第2圖與第3圖，顯示面板DP包含基板110、設置於基板110上之複數個有機發光二極體以及定義有機發光二極體於顯示區DA中之像素定義層PDL。

【0037】

在顯示區DA中，基板110包含相對應於發光區之像素區PA以及相對應於非發光區之非像素區NPA。

【0038】

複數個第一電極E1設置於基板110上。第一電極E1設置於分別相對應於像素區PA之區域中。各第一電極E1具有之尺寸大於相對應之像素區PA之尺寸。各第一電極E1可作為像素電極或陽極電極。

【0039】

第一電極E1形成為透明電極或反射型電極。當第一電極E1為透明電極時，第一電極可包含氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化鋅(ZnO)等等。當第一電極E1為反射型電極時，第一電極E1可包含以銀、鎂、鋁、鉑、鈀、金、鎳、釹、銥、鉻或其合金形成之反射層與以氧化銦錫、氧化銦鋅、氧化鋅等等形成之透明導電層。

【0040】

有機發光層OEL設置於第一電極E1上。各有機發光層OEL具有之尺寸大於相對應之像素區PA之尺寸。有機發光層OEL可包含產生紅、綠或藍光之有機材料，但並不限於此。也就是說，有機發光層OEL可產生白光。

【0041】

各有機發光層OEL可用低分子有機材料或高分子有機材料形成。雖然未顯示於圖式中，各有機發光層OEL可具有包含電洞注入層、電洞傳輸層、發射層、電子傳輸層與電子注入層之多層結構。舉例來說，電洞注入層可設置於第一電極E1上，而電洞傳輸層、發射層、電子傳輸層與電子注入層可依序地堆疊於電洞注入層上。

【0042】

有機發光層OEL可藉由印刷製程而形成。流體有機材料可藉由印刷製程印刷並乾燥以形成有機發光層OEL。當有機發光層OEL藉由印刷流體有機材料而形成時，各有機發光層OEL之邊界表面具有預定傾斜角度。

【0043】

像素定義層PDL設置於非像素區NPA中之基板110上以覆蓋有機發光層OEL之具有預定傾斜角度之邊界表面。此外，像素定義層PDL設置於非像素區NPA中之基板110上以暴露有機發光層OEL之實質平坦區域(在下文中可互換地稱為平坦區域(flat area))。因此，像素區PA被像素定義層PDL定義。像素定義層PDL具有絕緣性質。

【0044】

像素定義層PDL可包含金屬-氟離子化合物。細節地，像素定義層PDL可用例如氟化鋰、氟化鋇或氟化銫之金屬-氟離子化合物形成。當金屬-氟離子化合物具有預定厚度時，金屬-氟離子化合物具有絕緣性質。舉例來說，當像素定義層PDL具有至少約10奈米之厚度時，像素定義層PDL具有絕緣性質。在此例示性實施例中，像素定義層PDL具有約10奈米至約100奈米之厚度。然而，根據一些實施例，像素定義層PDL之厚度可少於約10奈米或可大於約100奈米。

【0045】

第二電極E2設置於像素定義層PDL與有機發光層OEL上。第二電極E2可作為共同電極或陰極電極。

【0046】

第二電極E2可形成為透明電極或反射型電極。當第二電極E2為透明型電極時，第二電極E2可包含藉由沉積鋰、鈣、氟化鋰/鈣(LiF/Ca)、氟化鋰/鋁(LiF/Al)、鋁、鎂或其化合物的其中之一於有機發光層上而形成之層以及以如氧化銦錫、氧化銦鋅、氧化鋅等等之透明導電材料形成於該層上之次電極。當第二電極E2為反射型電極時，第二電極E2可用銀、鎂、鋁、鉑、金、鎳、釹、銥、鉻、鋰、鈣、氟化鋰/鈣(CaF/Ca)、氟化鋰/鋁(CaF/Al)或其化合物形成。

【0047】

在有機發光二極體顯示裝置100為前表面發光型之情況中，第一電極E1作為反射型電極而第二電極E2作為透明電極。在有機發光二極體顯示裝置100為後表面發光型之情況中，第一電極E1作為透明電極而第二電極E2作為反射型電極。

【0048】

有機發光裝置OLED藉由像素區PA中之第一電極E1、有機發光層OEL、以及第二電極E2形成。也就是說，有機發光裝置OLED設置於像素區PA中且包含第一電極E1、有機發光層OEL以及第二電極E2於各像素區PA中。

【0049】

第一電極E1可為注入電洞之正電極而第二電極E2可為注入電子之負電極，但第一與第二電極E1與E2並不限於此。也就是說，第一電極E1可為注入電子之負電極而第二電極E2可為注入電洞之正電極。

【0050】

基板110包含基底基板111、第一絕緣層112、第二絕緣層113、保護層114以及薄膜電晶體TFT。各薄膜電晶體TFT連接於並驅動相對應之有機發光裝置OLED。

【0051】

基底基板111可為可用玻璃、石英、陶瓷等等形成之透明絕緣基板，或者可用塑膠形成之透明可撓式基板。此外，基底基板111可為用不鏽鋼形成之金屬基板。

【0052】

各薄膜電晶體TFTs具有實質上相同之結構。因此，於下文中，將詳細描述一個薄膜電晶體TFT之結構。

【0053】

薄膜電晶體TFT之半導體層SM設置於基底基板111上。半導體層SM可用例如非晶矽、多晶矽等等之無機半導體材料或是有機半導體材料形成。此外，半導體層SM可用氧化物半導體材料形成。雖然未顯示於第3圖中，半導體層SM可包含源極區、汲極區以及源極區與汲極區間之通道區。

【0054】

第一絕緣層112形成以覆蓋半導體層SM。第一絕緣層112可作為閘極絕緣層。

【0055】

薄膜電晶體TFT之閘極電極GE形成於第一絕緣層112上以重疊於半導體層SM。細節上，閘極電極GE實質上重疊半導體層SM之通道區。閘極電極GE連接於施加開/關訊號給薄膜電晶體TFT之閘極線(未顯示)。

【0056】

第二絕緣層113形成以覆蓋閘極電極GE。第二絕緣層113可作為層間絕緣層。

【0057】

薄膜電晶體TFT之源極電極SE與汲極電極DE形成於第二絕緣層113上並彼此分離。源極電極SE透過形成以穿透第一與第二絕緣層112與113之第一接觸孔洞H1連接於半導體層SM。細節上，源極電極SE連接於半導體層SM之源極區。汲極電極DE透過形成以穿透第一與第二絕緣層112與113之第二接觸孔洞H2連接於半導體層SM。細節上，汲極電極DE連接於半導體層SM之汲極區。

【0058】

保護層114設置以覆蓋薄膜電晶體TFT之源極電極SE與汲極電極DE。有機發光裝置OLED之第一電極E1設置於保護層114上。第一電極E1透過形成以穿透保護層114之第三接觸孔洞H3連接於汲極電極DE。

【0059】

驅動電壓藉由薄膜電晶體TFT施加於第一電極E1以允許有機發光裝置OLED之有機發光層OEL發光。具有與驅動電壓之極性相反之極性之電壓施加於第二電極E2。然後，注入到有機發光層OEL中之電洞與電子彼此再結合以產生激子。當激子從激發態回到基態時，激子發出能量作為光，且因此有機發光裝置OLED產生光。於是，有機發光裝置OLED取決於流到有機發光裝置OLED之電流而產生紅、綠與藍光以顯示所需之影像。

【0060】

在製造有機發光二極體顯示裝置之典型方法中，第一電極E1設置於基板110上，而有機絕緣層設置於基板110上以覆蓋第一電極E1。此外，有機絕緣層典型地具有等於或大於約1um之厚度，且有機絕緣層形成圖案以具有複數個開口，藉此形成像素定義層。第一電極E1之預定部份藉由像素定義層之開口而暴露。透過開口所暴露之部分用為像素區。有機發光層形成於像素區中之第一電極E1上。

【0061】

用有機絕緣層形成之像素定義層可具有等於或大於1um之厚度。為了形成有機發光層，流體有機材料被提供於像素定義層之開口。有機材料固化而有機發光層形成。在此情況中，接觸像素定義層之側邊表面之有機材料之量由於有機材料之表面張力而提高。也就是說，相鄰於像素定義層之側邊表面之有機發光層之厚度變得比有機發光層之其他部位厚(參閱第7圖)。因此，於像素中有機發光層之厚度可為不均勻且像素區之亮度可為不均勻。

【0062】

在此例示性實施例中，有機發光二極體顯示裝置100之像素定義層PDL具有約10奈米至約100奈米之厚度。也就是說，此例示性實施例中之像素定義層PDL具有之厚度少於當用藉由典型方法形成之有機絕緣層而形成之像素定義層厚度。因此，可降低有機發光二極體顯示裝置100之整體厚度。

【0063】

此外，於此例示性實施例中，像素定義層PDL形成於非像素區NPA中之基板上110上以覆蓋具有傾斜角度之有機發光層OEL之邊界表面並暴露有機發光層OEL之實質上平坦表面。於是，有機發光層OEL具有實質上均勻之厚度於像素區PA中，導致實質上均勻之亮度於像素區PA中。

【0064】

結果，根據第一例示性實施例之有機發光二極體顯示裝置100可減少其整體厚度並具有實質上均勻之亮度。

【0065】

【0066】

為了描述之便利，第4A圖至第4C圖顯示第2圖之彼此相鄰之三個任意像素區之製造方法。

【0067】

參閱第4A圖，準備包含像素區PA與非像素區NPA之基板110，且第一電極E1形成於基板110上。第一電極E1設置於分別地相對應於像素區PA之區域中。

【0068】

有機發光層OEL藉由印刷製程(未顯示)而形成於第一電極E1上。各第一電極E1與各有機發光層OEL具有之面積大於相對應之像素區PA之面積。

【0069】

參閱第4B圖，具有相對應於非像素區NPA之開口區OPA之遮罩M設置於基板110上。金屬-氟離子化合物透過遮罩M之開口區OPA而提供於基板110。如先前所述，金屬-氟離子化合物可包含氟化鋰、氟化鋇與氟化銫的其中之一。像素定義層PDL藉由金屬氟離子化合物形成。

【0070】

像素定義層PDL形成於非像素區NPA中之基板110上以覆蓋具有預定傾斜角度之有機發光層OEL之邊界表面並暴露有機發光層OEL之實質平坦區域。像素定義層PDL具有絕緣性質與約10奈米至約100奈米之厚度。然而，根據一些實施例，像素定義層PDL之厚度可少於約10奈米或大於約100奈米。

【0071】

參閱第4C圖，第二電極E2形成於像素定義層PDL與有機發光層OEL上。

【0072】

因為根據此例示性實施例之像素定義層PDL具有之厚度少於藉由典型方法所形成之像素定義層之厚度，可減少有機發光二極體顯示裝置100之厚度。

【0073】

當用有機絕緣層形成之像素定義層先形成而後有機發光層再形成時，如於典型方法中，於像素區中有機發光層之厚度可為不均勻。然而，於根據第一例示性實施例之有機發光二極體顯示裝置100之製造方法中，有機發光層OEL形成於像素定義層PDL形成之前。

【0074】

藉由印刷製程而形成之有機發光層OEL之邊界表面可具有預定傾斜角度。因為有機發光層OEL形成在先而像素定義層PDL形成在有機發光層OEL後，像素定義層PDL可形成於非像素區中之基板110上以覆蓋有機發光層OEL之邊界表面。於是，有機發光層OEL可具有實質上均勻之厚度於像素區PA中，而像素區PA中之亮度可為均勻的。

【0075】

結果，根據此例示性實施例所製造之有機發光二極體顯示裝置100可降低其厚度並具有實質上均勻之亮度。

【0076】

【0077】

根據第二例示性實施例之有機發光二極體顯示裝置200具有於俯視圖中與第1圖中所示之有機發光二極體顯示裝置100之結構之實質上相同之結構。第5圖僅顯示第1圖之線II-II’之剖面圖。

【0078】

根據本例示性實施例之有機發光二極體顯示裝置200具有除了有機發光層OEL、像素定義層PDL與濾光器CF之結構外與第1圖中所示之有機發光二極體顯示裝置100之結構之實質上相同之結構。因此，相同參考符號代表於第1圖中相同之元件，且描述將聚焦於與第1圖之有機發光二極體顯示裝置100之差異。

【0079】

參閱第5圖，第一電極E1設置於基板110上。第一電極E1設置於分別地相對應於像素區之區域中。各第一電極E1具有之面積大於像素區PA之相對應像素區PA之面積。

【0080】

有機發光層OEL設置於基板110上以覆蓋第一電極E1。有機發光層OEL之邊界表面具有預定傾斜角度。有機發光層OEL可發出白光。如第5圖中所示，除了預定傾斜角度之邊界表面外，有機發光層OEL具有實質平坦區域。

【0081】

像素定義層PDL設置於基板110以覆蓋具有預定傾斜角度之有機發光層OEL之邊界表面。此外，像素定義層PDL形成以暴露於像素區PA中之有機發光層OEL之實質平坦區域並覆蓋於非像素區NPA中之有機發光層OEL。因此，像素區PA被像素定義層PDL定義。

【0082】

像素定義層PDL可包含例如氟化鋰、氟化鋇或氟化銫等等之金屬-氟離子化合物。像素定義層PDL可具有等於或大於約10奈米之厚度並具有絕緣性質。舉例來說，像素定義層PDL可具有約10奈米至約100奈米之厚度。然而，根據一些實施例，像素定義層PDL之厚度可少於約10奈米或大於約100奈米。

【0083】

第二電極E2形成於像素定義層PDL與有機發光層OEL上。

【0084】

有機發光裝置OLED藉由像素區PA中之第一電極E1、有機發光層OLED、以及第二電極E2形成。也就是說，有機發光裝置OLED設置於像素區PA中並包含第一電極E1、有機發光層OEL以及第二電極E2於各像素區PA中。有機發光裝置OLED為白光有機發光裝置OLED並發射白光。

【0085】

薄膜密封層120設置於第二電極E2上。雖然未顯示於圖式中，薄膜密封層120可包含無機層或有機層。薄膜密封層120保護有機發光裝置OLED。

【0086】

複數個濾光器CF形成於薄膜密封層120上。如第5圖中所示，濾光器CF重複地設置於四個相鄰之像素區PA中之三個連續的像素區PA中。濾光器CF不設置於該四個相鄰之像素區PA中剩下的像素區PA。

【0087】

濾光器CF包含於個別像素中以顯示紅色、綠色與藍色的其中之一。在此例示性實施例中，濾光器可從左側像素區以紅色、綠色與藍色之順序安排於像素區PA中。

【0088】

驅動電壓施加於第一電極E1以允許有機發光層OEL發光，以及具有與驅動電壓極性相反之極性之電壓施加於第二電極E2。

【0089】

像素定義層PDL具有絕緣性質。有機發光層OL不接觸位於藉由像素定義層PDL所定義之非像素區NPA中之第二電極E2。也就是說，施加於第二電極E2之電壓不提供給於非像素區NPA中之有機發光層OEL。因此，於非像素區NPA中之有機發光層OEL不產生光。結果，於像素區PA中有機發光層OEL由於施加於第一與第二電極E1與E2之電壓而產生白光。

【0090】

舉例來說，根據此例示性實施例之有機發光二極體顯示裝置200可為前表面發光射型有機發光二極體顯示裝置。在此情況中，由有機發光層OEL產生之白光被第一電極E1反射而於通過第二電極E2後於朝上之方向傳播。

【0091】

從有機發光裝置OLED所產生之白光根據濾光器CF過濾以顯示預定顏色。也就是說，紅光RL、綠光GL與藍光BL可透過分配給像素區PA之濾光器而發射。

【0092】

於無設置濾光器CF之像素區PA中產生之光保持白色，也就是說，白光WL。因此，根據此例示性實施例之有機發光二極體顯示裝置200可產生紅、綠、藍與白光。

【0093】

在此例示性實施例中，有機發光二極體顯示裝置200為前表面發光型，但不受限於此。也就是說，有機發光二極體顯示裝置200可為後表面發光型。當有機發光二極體顯示裝置200為後表面發光型時，濾光器CF設置於第一電極E1下。濾光器CF重複地設置於四個相鄰之像素區PA中之三個連續的像素區PA中。濾光器CF不設置於該四個相鄰之像素區PA中剩下的像素區PA。從有機發光層OEL產生之白光被第二電極E2反射且於通過第一電極E1後於朝下之方向傳播。

【0094】

如前面所述，於典型有機發光二極體顯示裝置中，像素定義層用有機絕緣層形成且具有約1um之厚度。然而，根據此例示性實施例之有機發光二極體顯示裝置200之像素定義層PDL具有約10奈米至約100奈米之厚度。因此，可降低有機發光二極體顯示裝置200之厚度。然而，根據一些實施例，像素定義層PDL之厚度可少於約10奈米或大於約100奈米。

【0095】

在此例示性實施例中，像素定義層PDL形成於非像素區NPA中以覆蓋具有預定傾斜角度之有機發光層OEL之邊界表面以暴露於像素區PA中之有機發光層OEL之實質平坦區域。因此，有機發光裝置OLED包含具有實質均勻厚度之有機發光層OEL於像素區PA中，而導致實質均勻之亮度於像素區PA中。

【0096】

結果，根據此例示性實施例之有機發光二極體顯示裝置200可具有降低之厚度與實質均勻之亮度。

【0097】

第6A圖至第6E圖係為顯示根據本例示性實施例之有機發光二極體顯示裝置之製造方法之剖面圖。

【0098】

為了描述之便利，第6A圖至第6E圖顯示第5圖中彼此相鄰之四個任意像素區PA之製造方法。

【0099】

參閱第6A圖，準備包含像素區PA與非像素區NPA之基板110，且第一電極E1形成於基板110上。第一基板E1設置以相對應於個別像素區PA，且各第一電極具有之面積大於相對應之像素區PA之面積。

【0100】

參閱第6B圖，有機發光層OEL藉由印刷製程(未顯示)形成於基板110上以覆蓋第一電極E1。有機發光層OEL產生白光。如先前所述，有機發光層OEL之邊界表面具有預定傾斜角度。

【0101】

參閱第6C圖，具有相對應於非像素區NPA之開口區OPA之遮罩M設置於基板110上。金屬-氟離子化合物透過遮罩M之開口區OPA而提供於基板110。如上所述，金屬-氟離子化合物可包含例如氟化鋰、氟化鋇、氟化銫等等之金屬-氟離子化合物。像素定義層PDL藉由使用金屬-氟離子化合物而形成。像素定義層PDL具有絕緣性質與約10奈米至約100奈米之厚度。然而，根據一些實施例像素定義層PDL可具有小於約10奈米或大於約100奈米之厚度。

【0102】

像素定義層PDL形成於基板110上以覆蓋具有預定傾斜角度之有機發光層OEL之邊界表面。此外，像素定義層PDL暴露於像素區PA中之有機發光層OEL之實質平坦區域並覆蓋於非像素區NPA中之有機發光層OEL。

【0103】

參閱第6D圖，第二電極E2形成於像素定義層PDL與有機發光層OEL上。

【0104】

參閱第6E圖，薄膜密封層120形成於第二電極E2上。濾光器CF形成於薄膜密封層120上。

【0105】

濾光器CF重複地設置於四個相鄰之像素區PA中之三個連續的像素區PA中。濾光器CF不設置於該四個相鄰之像素區PA中剩下的像素區PA。濾光器CF包含於個別像素中以顯示紅色、綠色與藍色的其中之一。

【0106】

因為根據此實施例之像素定義層PDL具有之厚度小於以有機絕緣層形成之典型像素定義層之厚度，可減少有機發光二極體顯示裝置200之厚度。

【0107】

在此例示性實施例中，像素定義層PDL形成於非像素區NPA中之有機發光層OEL上以覆蓋具有預定傾斜角度之有機發光層OEL之邊界表面並暴露於像素區PA中之有機發光層OEL之實質平坦表面。因此，有機發光裝置OLED之有機發光層OEL於像素區PA中具有實質上均勻厚度，且於像素區PA中之亮度變為實質上均勻。

【0108】

結果，根據第二例示性實施例之有機發光二極體顯示裝置200可具有減少之厚度與實質上均勻亮度。

【0109】

【0110】

根據第三例示性實施例之有機發光二極體顯示裝置300於俯視圖中具有與第1圖中所示之有機發光二極體顯示裝置100實質上相同之結構。第7圖顯示沿第1圖之線I-I’之剖面圖。

【0111】

根據此例示性實施例之有機發光二極體顯示裝置300除了有機發光層OEL與像素定義層PDL之結構外，具有與第1圖中所示之有機發光二極體顯示裝置100之結構相同之結構。因此，相同參考符號代表第1圖中之相同元件，且描述將聚焦於與第1圖之有機發光二極體顯示裝置100之差異。

【0112】

參閱第7圖，第一電極E1設置於基板110上。第一電極E1設置於相對應於個別像素區PA之區域中。各第一電極E1具有之面積大於相對應之像素區PA之面積。

【0113】

有機發光二極體顯示裝置300之像素定義層PDL包含第一像素定義層PDL1與第二像素定義層PDL2。也就是說，像素區PA係由第一與第二像素定義層PDL1與PDL2定義。

【0114】

第一像素定義層PDL1設置於基板110上以覆蓋第一電極E1之邊界表面。第一像素定義層PDL1包含相對應於像素區PA之複數個開口OP。各開口OP具有之面積大於相對應之像素區PA之面積。第一像素定義層PDL1之各開口OP暴露相對應之第一電極E1之預定部份。第一像素定義層PDL1包含有機絕緣層並具有等於或大於約1um之厚度。然而，根據一些實施例，第一像素定義層PDL1之厚度可少於約1um。

【0115】

有機發光層OEL設置於位於第一像素定義層PDL1之開口OP中之第一電極E1上。有機發光層OEL可包含產生紅色、綠色與藍色光之有機材料。

【0116】

流體有機材料被提供於第一像素定義層PDL1之開口OP中以形成有機發光層OEL。有機材料固化以形成有機發光層OEL。在此情況中，接觸第一像素定義層PDL1之側邊表面之有機材料之特定量由於流體有機材料之表面張力而具有增加之厚度。也就是說，如第7圖中所示，相鄰於第一像素定義層PDL1之側邊表面之有機發光層OEL之厚度變為厚於其他有機發光層OEL。

【0117】

第二像素定義層PDL2設置以覆蓋相鄰於有機發光層OEL之第一像素定義層PDL1之側邊表面部分與相鄰於第一像素定義層PDL1之側邊表面之有機發光層OEL部分。相鄰於第一像素定義層PDL1之側邊表面之有機發光層OEL部分定義為具有之厚度大於其他有機發光層OEL之厚度之區域。因此，有機發光層OEL之實質平坦區域被第二像素定義層PDL2暴露。此外，像素區PA與非像素區NPA間之邊界表面藉由第二像素定義層PDL2形成。

【0118】

第二像素定義層PDL2可包含例如氟化鋰、氟化鋇、氟化銫等等之金屬-氟離子化合物。第二像素定義層PDL2可具有等於或大於10奈米之厚度並具有絕緣性質。舉例來說，第二像素定義層PDL2具有約10奈米至約100奈米之厚度。然而，根據一些實施例，第二像素定義層PDL2之厚度可少於約10奈米或大於約100奈米。

【0119】

第二電極E2設置於第一與第二像素定義層PDL1與PDL2以及有機發光層OEL上。

【0120】

驅動電壓藉由薄膜電晶體TFT施加於第一電極E1以允許有機發光層OEL發出光，且具有與驅動電壓極性相反之極性之電壓施加於第二電極E2。

【0121】

第二像素定義層PDL2具有絕緣性質。相鄰於第一像素定義層PDL1之側邊表面之有機發光層OEL部分由於第二像素定義層PDL2而不接觸第二電極E2。也就是說，施加於第二電極E2之電壓並不施加於相鄰於第一像素定義層PDL1之側邊表面之有機發光層OEL部分。因此，光不從相鄰於第一像素定義層PDL1之側邊表面之有機發光層OEL部分產生。

【0122】

有機發光層OEL之實質平坦區域可藉由使用具有之厚度小於第一像素定義層PDL1之厚度之第二像素定義層PDL2而暴露。因此，有機發光裝置OLED之有機發光層OEL具有實質上均勻厚度於像素區PA中。因此，有機發光裝置OLED之有機發光層OEL具有實質上均勻厚度於像素區PA中。因為光由具有實質上均勻厚度之有機發光層OEL產生，於像素區PA中之亮度變為實質上均勻。

【0123】

結果，根據此例示性實施例之有機發光二極體顯示裝置300可具有實質上均勻之亮度。

【0124】

【0125】

為了描述之便利，第8A圖至第8D圖顯示第7圖中所示之彼此相鄰之三個任意像素區PA之製造方法。

【0126】

參閱第8A圖，準備包含像素區PA與非像素區NPA之基板110，而第一電極E1形成於基板110上。第一電極E1設置於相對應於個別像素區PA之區域中。各第一電極E1具有之面積大於相對應像素區PA之面積。

【0127】

第一像素定義層PDL1形成於基板110上以覆蓋第一電極E1之邊界表面。第一像素定義層PDL1包含形成於分別地對應於像素區PA之區域中之開口OP。各開口OP具有之面積大於相對應之像素區PA之面積。第一像素定義層PDL1之各開口OP暴露相對應之第一電極E1之預定部份。

【0128】

雖然未顯示於圖式中，有機絕緣層形成於基板110上以覆蓋第一電極E1。有機絕緣層具有等於或大於1um之厚度。有機絕緣層被圖案化以具有開口OP，藉此形成第一像素定義層PDL1。因此，第一像素定義層PDL1以有機絕緣層形成並具有等於或大於約1um之厚度。然而，根據一些實施例，第一像素定義層PDL1之厚度可少於1um。

【0129】

參閱第8B圖，有機發光層OEL形成於位於第一像素定義層PDL1之開口OP中之第一電極E1上。

【0130】

雖然未顯示於圖式中，流體有機材料被提供於第一像素定義層PDL1之開口OP中以形成有機發光層OEL，且有機材料固化以形成有機發光層OEL。如上所述，相鄰於第一像素定義層PDL1之邊界表面之有機發光層OEL之厚度大於其他有機發光層OEL之厚度。

【0131】

參閱第8C圖，具有相對應於相鄰於有機發光層OEL之第一像素定義層PDL1之側邊表面部分與相鄰於第一像素定義層PDL1之側邊表面之有機發光層OEL部分之開口區OPA之遮罩M設置於基板110上以相對應於非像素區NPA。金屬-氟離子化合物透過遮罩M之開口區OPA被提供於基板110上。金屬-氟離子化合物可包含例如氟化鋰、氟化鋇、氟化銫等等之金屬-氟離子化合物。第二像素定義層PDL2可藉由使用金屬-氟離子化合物形成。

【0132】

第二像素定義層PDL2形成以覆蓋相鄰於有機發光層OEL之第一像素定義層PDL1之側邊表面部分與相鄰於第一像素定義層PDL1之側邊表面之有機發光層OEL部分。第二像素定義層PDL2具有絕緣性質與約10奈米至100奈米之厚度。然而，根據一些實施例，第二像素定義層PDL2之厚度可少於約10奈米或大於約100奈米。

【0133】

有機發光層OEL之實質平坦區域被第二像素定義層PDL2暴露。此外，像素區PA與非像素區NPA間之邊界表面藉由第二像素定義層PDL2形成。

【0134】

參閱第8D圖，第二電極E2形成於第一與第二像素定義層PDL1與PDL2以及有機發光層OEL上。

【0135】

有機發光層之實質平坦區域藉由使用具有之厚度小於第一像素定義層PDL1之厚度之第二像素定義層PDL2而暴露。因此，有機發光裝置OLED之有機發光層OEL具有實質上均勻厚度於像素區PA中。因為光由具有實質上均勻厚度之有機發光層OEL產生，於像素區PA中之亮度變為實質上均勻。

【0136】

結果，根據第三例示性實施例所製造之有機發光二極體顯示裝置300可具有實質上均勻之亮度。

【0137】

雖然已描述所揭露技術之例示性實施例，其被了解的是所述技術不應受限於這些例示性實施例而是各種變化與修改可被此領域中具有通常知識者於如所附發明申請專利範圍所定義之所述技術之精神與範疇中實行。