JP7011149B2 - 表示装置及びその製造方法 - Google Patents

Description

本開示は、表示装置及びその製造方法に関する。

タッチパネルを備えた液晶表示装置が提案されている（特開２０１４－２１９６０６号公報参照）。かかる表示装置では、例えば装置サイズを縮小するためや、部品点数を少なくするために、構造を単純にすることが望まれる。

また、液晶表示装置に替わり、アクティブマトリックス型のＯＬＥＤ（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｌｉｇｈｔ－Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）表示装置が提案されている。

特開２０１４－２１９６０６号公報

タッチパネルを備えた、アクティブマトリックス型のOLED表示装置の構造を単純にすることが望まれる。

本実施の形態の表示装置の一態様は、絶縁基板と、前記絶縁基板と対向する封止構造部と、前記絶縁基板と前記封止構造部との間に配置された、複数の下部電極と、１つの上部電極と、それぞれが前記１つの上部電極と前記複数の下部電極のそれぞれとの間に配置された複数の有機発光層と、前記封止構造部に向かって立ち上がる複数の穿孔壁と、前記絶縁基板と前記下部電極との間に形成され、前記下部電極それぞれに供給する電流を制御する複数の回路と、前記絶縁基板と前記下部電極との間に形成された、タッチパネル電極とを含む。そして、前記上部電極は、前記有機発光層からの光を前記封止構造部に向けて透過させる電極であって、前記複数の穿孔壁それぞれが貫通するように形成されている孔を有し、前記上部電極の孔を介して、前記タッチパネル電極により形成される電界が通過する。

本実施の形態の一態様によれば、アクティブマトリックス型のＯＬＥＤ表示装置の構造を単純にすることができる。

表示装置の構成例を模式的に示す。 ＴＦＴ基板上の回路構成を模式的に示す。 副画素の回路（画素回路）の構成例を示す。 副画素の回路（画素回路）の構成例を示す。 表示装置の断面構造の一部を模式的に示す。 表示装置の製造方法の一例を模式的に示す。 表示装置の製造方法の一例を模式的に示す。 表示装置の製造方法の一例を模式的に示す。 表示装置の製造方法の一例を模式的に示す。 表示装置の製造方法の一例を模式的に示す。 表示装置の製造方法の一例を模式的に示す。 表示装置の製造方法の一例を模式的に示す。 表示装置の製造方法の一例を模式的に示す。 表示装置の製造方法の一例を模式的に示す。 表示装置の、副画素及び穿孔壁の配列例を模式的に示す。 副画素及び穿孔壁の他の配列例を模式的に示す。 副画素及び穿孔壁の他の配列例を模式的に示す。 副画素及び穿孔壁の他の配列例を模式的に示す。 タッチパネル電極の構成例（配列例）を模式的に示す。 タッチパネル電極と画素（副画素）とのサイズ関係例を模式的に示す。

以下、添付図面を参照して本発明の実施形態を説明する。本実施形態は本発明を実現するための一例に過ぎず、本発明の技術的範囲を限定するものではないことに注意すべきである。各図において共通の構成については同一の参照符号が付されている。

以下において、タッチパネル一体型であり、アクティブマトリックス型のＯＬＥＤ表示装置（以下、表示装置と適宜略記する）を開示する。表示装置は、トップエミッション型の画素構造を有する。

本実施の形態の表示装置では、構造を単純にするために、図４で説明するように、光が出射する側と反対側に配置された絶縁基板と、画素との間にタッチパネル用の電極（タッチパネル電極）が配置されている。そして、タッチパネル電極の電界を接触面（画面が表示される面）に通過させるために、画素の前面（光が出射する側）を覆う上部電極に、複数の孔を形成する。この孔は、例えば、穿孔壁により形成されている。タッチパネル電極により形成される電界は、孔から通過し、指や手などの指示体が接触する接触面に至る。すなわち、タッチパネル電極は、孔を介して、接触面に電界を形成することができる。そして、タッチパネル電極を駆動し接触位置を検出する検出回路は、指示体による電界の変化（指示体と電極と間の静電容量変化）を検出し接触位置を検出する。

図１～図３を参照して、本実施形態に係る、表示装置１０の全体構成を説明する。次いで、図４を参照して、前記した孔の説明など、表示装置１０の詳細について説明する。なお、説明をわかりやすくするため、図示した物の寸法、形状については、誇張して記載している場合もある。

［全体構成］
図１は、本実施形態に係る、表示装置１０の構成例を模式的に示す。表示装置１０は、発光素子が形成されるＴＦＴ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）基板１００と、発光素子を封止する封止基板２００と、ＴＦＴ基板１００と封止基板２００とを接合する接合部（ガラスフリットシール部）３００を含んで構成されている。ＴＦＴ基板１００と封止基板２００との間には、例えば、乾燥空気が封入されており、接合部３００により封止されている。

ＴＦＴ基板１００の表示領域１２５の外側のカソード電極形成領域１１４の周囲に、走査ドライバ１３１、エミッションドライバ１３２、保護回路１３３、ドライバＩＣ１３４が配置されている。これらは、ＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ Ｐｒｉｎｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）１３５を介して外部の機器と接続される。

走査ドライバ１３１はＴＦＴ基板１００の走査線を駆動する。エミッションドライバ１３２は、エミッション制御線を駆動して、各副画素の発光期間を制御する。ドライバＩＣ１３４は、例えば、異方性導電フィルム（ＡＣＦ：Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｆｉｌｍ）を用いて実装される。ＦＰＣ１３５は、静電気放電による破損を防ぐ。

ドライバＩＣ１３４は、走査ドライバ１３１及びエミッションドライバ１３２に電源及びタイミング信号（制御信号）を与え、さらに、データ線に映像データに対応するデータ電圧を与える。すなわち、ドライバＩＣ１３４は、表示制御機能を有する。ドライバＩＣ１３４は、表示制御機能に加え、タッチパネルの電極（タッチパネル電極と呼ぶ）を制御する機能を有する。表示画素のドライバＩＣ１３４にタッチパネル制御機能を含めることで、部品点数を低減し配線構成を単純化できる。

［基板上の回路構成］
図２は、ＴＦＴ基板１００上の回路構成を模式的に示す。本実施形態の表示装置１０は、いわゆるタッチパネル内蔵型であり、ＴＦＴ基板１００上にタッチパネル電極が配置されている。後記するように、このタッチパネル電極の配置により、表示画素のドライバＩＣ１３４にタッチパネル制御機能を含めることができる。また、封止基板２００にタッチパネル電極を形成する構成と比較して、製造を簡略化することができる。

絶縁基板１１１上に表示及びタッチパネルのための回路が配置されている。絶縁基板１１１上の表示領域１２５内に、タッチパネル電極であるＴｘ電極１０１及びＲｘ電極１０３、データ線１０５、走査線１０６、並びにエミッション制御線１０７が配置されている。タッチパネル電極であるＴｘ電極１０１及びＲｘ電極１０３は、マトリックス状に配置されている。後述するように、Ｔｘ電極１０１及びＲｘ電極１０３は、データ線１０５、走査線１０６、及びエミッション制御線１０７よりも下層に形成されている。

図２は、Ｔｘ電極１０１、Ｒｘ電極１０３、データ線１０５、走査線１０６、及びエミッション制御線１０７の一部のみ図示している。データ線１０５と並列するように形成され、ドライバＩＣ１３４に接続される電力供給線は省略されている。

図２の例において、Ｔｘ電極１０１、走査線１０６及びエミッション制御線１０７は、左右方向に延在し、上下方向に配列されている。走査線１０６及びエミッション制御線１０７は、交互に配置されている。Ｒｘ電極１０３及びデータ線１０５は、上下方向に延在し、左右方向に配列されている。

データ線１０５はドライバＩＣ１３４及び保護回路１３３に接続されている。走査線１０６は走査ドライバ１３１に接続され、エミッション制御線１０７はエミッションドライバ１３２に接続されている。

Ｔｘ電極１０１及びＲｘ電極１０３は、ドライバＩＣ１３４に接続されている。具体的には、Ｔｘ電極１０１は、表示領域１２５外において、Ｔｘ配線１０２の第１端にコンタクト２５１を介して接続されている。なお、Ｔｘ配線１０２は第１配線とも呼ばれる。そして、表示領域１２５外において、Ｔｘ配線１０２の第２端がドライバＩＣ１３４の端子に接続されている。Ｒｘ電極１０３は、表示領域１２５外において、Ｒｘ配線１０４の第１端にコンタクト４５１を介して接続されている。なお、Ｒｘ配線１０４は第２配線とも呼ばれる。そして、表示領域１２５外において、Ｒｘ配線１０４の第２端がドライバＩＣ１３４の端子に接続されている。

［画素回路］
絶縁基板１１１上には、複数の副画素のアノード電極にそれぞれ供給する電流を制御する複数の回路（画素回路）が形成されている。図３Ａは、画素回路の構成例を示す。各副画素は、第１のトランジスタＴ１と、第２のトランジスタＴ２と、第３のトランジスタＴ３と、保持容量Ｃ１とを含む画素回路と、ＯＬＥＤ素子Ｅ１とを含む。トランジスタは、ＴＦＴ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）である。以下、第１のトランジスタＴ１～第３のトランジスタＴ３をそれぞれトランジスタＴ１～トランジスタＴ３と略記する。

トランジスタＴ１は副画素選択用のスイッチである。トランジスタＴ１はｐチャネル型ＦＥＴ（Ｆｉｅｌｄ Ｅｆｆｅｃｔ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）であり、ゲート端子は、走査線１０６に接続されている。ドレイン端子は、データ線１０５に接続されている。ソース端子は、トランジスタＴ２のゲート端子に接続されている。

トランジスタＴ２はＯＬＥＤ素子Ｅ１の駆動用のトランジスタである。トランジスタＴ２はｐチャネル型ＦＥＴであり、そのゲート端子はＴ１のソース端子に接続されている。また、トランジスタＴ２のソース端子は電力供給線１０８（Ｖｄｄ）に接続されている。ドレイン端子は、トランジスタＴ３のソース端子に接続されている。トランジスタＴ２のゲート端子とソース端子との間に保持容量Ｃ１が形成されている。

トランジスタＴ３は、ＯＬＥＤ素子Ｅ１への駆動電流の供給と停止を制御するスイッチである。トランジスタＴ３はｐチャネル型ＦＥＴであり、ゲート端子はエミッション制御線１０７に接続されている。トランジスタＴ３のソース端子はトランジスタＴ２のドレイン端子に接続されている。ドレイン端子は、ＯＬＥＤ素子Ｅ１に接続されている。

次に、画素回路の動作を説明する。走査ドライバ１３１が走査線１０６に選択パルスを出力し、トランジスタＴ１を開状態にする。データ線１０５を介してドライバＩＣ１３４から供給されたデータ電圧は、保持容量Ｃ１に格納される。保持容量Ｃ１は、格納された電圧を、１フレーム期間を通じて保持する。保持電圧によって、トランジスタＴ２のコンダクタンスがアナログ的に変化し、トランジスタＴ２は、発光諧調に対応した順バイアス電流をＯＬＥＤ素子Ｅ１に供給する。

トランジスタＴ３は、駆動電流の供給経路上に位置する。エミッションドライバ１３２は、エミッション制御線１０７に制御信号を出力して、トランジスタＴ３開閉状態を制御する。トランジスタＴ３が開状態のとき、駆動電流がＯＬＥＤ素子Ｅ１に供給される。トランジスタＴ３が閉状態のとき、この供給が停止される。トランジスタＴ３の開閉を制御することにより、１フィールド周期内の点灯期間（デューティ比）を制御することができる。

図３Ｂは、画素回路の他の構成例を示す。図３Ａの画素回路との相違は、トランジスタＴ１ａと、トランジスタＴ３である。トランジスタＴ１ａは、図３ＡのトランジスタＴ１の機能（副画素選択用のスイッチ）と同じ機能を有するスイッチである。なお、トランジスタＴ１ａは、オフ電流を低減させるためにデュアルゲート構造を有する。

トランジスタＴ３は、様々な目的で使用することができる。トランジスタＴ３は、例えば、ＯＬＥＤ素子Ｅ１間のリーク電流によるクロストークを抑制するために、一旦、ＯＬＥＤ素子Ｅ１のアノード電極を黒信号レベル以下の十分低い電圧にリセットする目的で使用しても良い。なお、トランジスタＴ３は、オフ電流を低減させるためにデュアルゲート構造を有する。

他にも、トランジスタＴ３は、トランジスタＴ２の特性を測定する目的で使用してもよい。例えば、トランジスタＴ２を飽和領域、スイッチングトランジスタＴ３を線形領域で動作するようにバイアス条件を選んで、電力供給線１０８（Ｖｄｄ）から基準電圧供給線１０９（Ｖｒｅｆ）に流れる電流を測定すれば、トランジスタＴ２の電圧・電流変換特性を正確に測定することができる。画素毎のトランジスタＴ２の電圧・電流変換特性の違いを補償するデータ信号を外部回路で生成すれば、均一性の高い表示画像を実現できる。

一方、トランジスタＴ２をオフ状態にしてトランジスタＴ３をリニア領域で動作させ、ＯＬＥＤ素子Ｅ１を発光させる電圧を基準電圧供給線１０９から印加すれば、画素毎のＯＬＥＤ素子Ｅ１の電圧・電流特性を正確に測定することができる。例えば、長時間の使用によってＯＬＥＤ素子Ｅ１が劣化した場合にも、その劣化量を補償するデータ信号を外部回路で生成すれば、長寿命化を実現できる。

［タッチパネル］
次に、表示装置１０が備えるタッチパネルについて説明する。表示装置１０において、ドライバＩＣ１３４のタッチパネル制御機能は、ユーザがタッチした接触面（表示画面）上の座標を検出する。表示装置１０には、静電容量方式のタッチパネルが組み込まれている。図２は、相互容量検出方式の投射型容量方式タッチパネルを例示する。

静電容量方式のタッチパネルは、電極と指示体との間の静電容量変化を検出して、指示体の接触位置を検出する。静電容量方式のタッチパネルは、投影型と表面型とに分類される。

投射型容量方式のタッチパネルは、短冊状の複数のＸ電極と複数のＹ電極を有する。Ｘ電極及びＹ電極はマトリックス状に配置され、Ｘ電極とＹ電極とは、絶縁膜を介して形成されている。Ｘ－Ｙ電極に指示体が近づくと電極間の静電容量が増加し、Ｘ－Ｙのラインの静電容量の変化をタッチパネルコントローラが検出し、指示体の位置を検出する。

投射型容量方式のタッチパネルの容量検出方式として、自己容量検出方式と相互容量検出方式が存在する。自己容量検出方式は、Ｘ電極、Ｙ電極を独立にスキャンし、それぞれの電極における静電容量値の変化を検出する。

相互容量方式のタッチパネルは、駆動電極としてのＴｘ電極と検出電極としてのＲｘ電極が絶縁体を挟んで直交するように配置され、各交点に容量（交点容量）が構成される。交点容量の近傍に指示体による容量が存在すると、この交点における相互容量は、指示体による容量によって充電される電荷が分割される分だけ、交点容量から減少する。ドライバＩＣ１３４のタッチパネル制御機能は、この相互容量の変化がどの交点でどの程度の大きさで発生したかを検出する。

なお、本実施形態のＴＦＴ基板構造は、相互容量検出方式及び自己容量検出方式等の投射型容量方式以外の任意の容量方式タッチパネルに適用することができる。

［表示装置の詳細構造］
次に、表示装置１０の詳細構造について、図４～図１１を参照して説明する。図４は、表示装置１０の断面構造の一部を模式的に示す。表示装置１０は、ＴＦＴ基板１００（図２参照）と、ＴＦＴ基板１００に対向する封止基板（透明基板）２００とを含む。図４は、ＴＦＴ基板１００における一部の構成のみを模式的に示す。また、以下の説明において、上下は、図面における上下を示す。表示装置１０では、構造を単純にするために、タッチパネル電極がカソード電極の下側（光が出射する側と反対側）に配置されている。

図４に示すように、表示装置１０は、絶縁基板１５１と、絶縁基板１５１と対向する封止構造部とを含む。ここで、封止構造部の一例としては、可撓性又は不撓性の封止基板２００である。また、封止構造部は、例えば、薄膜封止（ＴＦＥ：Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｅｎｃａｐｓｕｌａｔｉｏｎ）構造であってもよい。なお、絶縁基板１５１は、図１の絶縁基板１１１とみなすことができる。

表示装置１０は、絶縁基板１５１と封止構造部との間に配置された、複数の下部電極（例えば、アノード電極１６２）と、１つの上部電極（例えば、カソード電極１６６）と、複数の有機発光層１６５とを含む。なお、カソード電極１６６は、有機発光層１６５からの光を封止構造部に向けて透過させる透明電極である。

１つのカソード電極１６６と１つのアノード電極１６２との間に、１つの有機発光層１６５（有機発光膜１６５とも呼ぶ）が配置されている。より詳しく説明すると、複数のアノード電極１６２は、同一面上（例えば、平坦化膜１６１の上）に配置され、１つのアノード電極１６２の上に１つの有機発光層１６５が配置されている。

さらに、表示装置１０は、封止構造部に向かって立ち上がる複数の穿孔壁１６４と、複数の回路とを有する。穿孔壁は、凸状の構造体（構造部）とも呼ばれる。複数の回路の各々は、例えば図３Ａ、図３Ｂに示した画素回路である。複数の回路の各々は、絶縁基板１５１とアノード電極１６２との間に形成され、複数のアノード電極１６２の各々に供給する電流を制御する。

さらに、表示装置１０は、絶縁基板１５１とアノード電極１６２との間に形成された、タッチパネル電極とを含む。タッチパネル電極は、例えば、駆動電極として機能するＴｘ電極１０１、検出電極として機能するＲｘ電極１０３である。

図４に示すように、トップエミッション型の画素構造は、光が出射する側（図面上側）に、複数の画素に共通のカソード電極１６６が配置される。従来のトップエミッション型のＯＬＥＤ表示装置におけるカソード電極は、表示領域１２５の全面を完全に覆う形状を有する。カソード電極が表示領域１２５の全面を完全に覆う場合、ただ単に、カソード電極の下にタッチパネル電極を配置しても、従来の金属製カソード電極がタッチパネル電極の電界を遮断する。そのため、指示体の接触位置を検知するための電界が、表示装置の表示面側に形成されない。従って、タッチパネル制御回路が指示体の接触位置を正確に検出することが困難である。

しかし、本実施の形態におけるカソード電極１６６は、複数の孔１６７を有する。孔１６７は、穿孔壁１６４が貫通するように形成されている。孔１６７は、例えばＴｘ電極１０１により形成される電界が通過する孔である。この電界が孔１６７から通過し、指や手などの指示体が接触する接触面に至る。この接触面は、画面が表示される面（表示装置１０の外側の面）である。換言すれば、接触面は、例えば、封止構造部（例えば、封止基板２００）や、その上面に偏光板２０２がある場合、その偏光板２０２の面である。

本実施の形態のカソード電極１６６の形状により、検出回路（例えば、図２のドライバＩＣ１３４）は、Ｔｘ電極１０１を駆動してＴｘ電極１０１により電界を形成させ、指示体による電界の変化による静電容量の変化をＲｘ電極１０３により検出することができる。そして、検出回路は、この変化を参照して、接触面に対する指示体の接触位置を検出することができる。

本実施の形態の表示装置における、タッチパネル電極の配置により、装置サイズの縮小、部品数の削減、製造工程の削減を実現できる。例えば、ＯＬＥＤ表示装置にタッチパネルを実装する場合、タッチパネルそのものをＯＬＥＤ表示装置の表示面に貼り合わせる方式（以下、第１方式）がある。第１方式では、タッチパネルは、接触面として機能する透明の第１基板と、表示装置の表示面に貼り合わせる透明の第２基板と、第１基板と第２基板との間に配置されたタッチパネル電極を含む。第１方式のように、タッチパネルをＯＬＥＤ表示装置の表示面に貼り合わせると、表示装置全体の厚みが増し、装置サイズが大きくなる。また、部品点数も増える。

第１方式に対して本実施の形態の表示装置では、タッチパネル電極を内蔵しているので、前記した第１基板、第２基板が不要になり、装置サイズを縮小できる。また、部品点数も削減できる。また、貼り合わせが不要になり、工数、コストの削減が可能である。

また、ＯＬＥＤ表示装置にタッチパネルを実装する場合、タッチパネル電極を表示装置の表示面に直接配置し、その上に接触面として機能する第１基板を配置する方式（以下、第２方式）がある。第２方式では、第１方式と異なり、第２基板が不要になる。しかし、第２方式でも、タッチパネル電極の駆動回路をＣＯＦ（Ｃｈｉｐ ｏｎ Ｆｉｌｍ）で実装し、このＣＯＦの駆動回路とタッチパネル電極とを外付けのＦＰＣを介して電気的に接続する。この実装のため、表示制御を行うドライバＩＣとタッチパネル電極の駆動回路とを一体化することができず、構造が複雑になる。この構造の複雑化は、第１方式でも同様である。

第１方式、第２方式に対して本実施の形態の表示装置では、Ｔｘ電極１０１とＲｘ電極１０３と、絶縁基板１５１に配置されたドライバＩＣ１３４とを、絶縁基板１５１に配置された配線（１０２、１０４）を介して電気的に接続することができる。そのため、ドライバＩＣ１３４とタッチパネルの駆動回路とを一体化することができる。従って、本実施の形態の表示装置において、単純構造が実現できる。その結果、サイズ縮小が可能になる。

また、本実施の形態の表示装置では、前記したＣＯＦの実装方式が不要であり、その結果、ＣＯＦの実装方式で必要なＦＰＣが不要になる。従って、製造工程を簡略化でき、部品点数も削減できる。

さらに、第１、第２方式では、タッチパネル電極を透明性の電極にして、表示面の上側に配置している。そのため、外部からの光（例えば、太陽光、照明光）の影響や、視点位置によって、使用者は、この透明性の電極を知覚することがある。たとえば、使用者は、タッチパネル電極により筋状の模様を知覚する。使用者は、この模様を知覚すると違和感を覚える。一方、本実施の形態の表示装置は、タッチパネル電極を画素の下側に配置しているので、タッチパネル電極を知覚することがない。そのため、使用者は、かかる違和感を知覚することがない。

以下、表示装置１０についてより詳しく説明する。ＴＦＴ基板１００は、表示領域１２５内に配列されたタッチパネル電極及び副画素（画素）、並びに、表示領域１２５の周囲の配線領域１２６に形成された配線を含む。配線は、タッチパネル電極及び画素回路と、配線領域１２６に配置された制御回路（１３１、１３２、１３３、１３５）とを接続する。なお、本実施の形態の断面構造においては、図示を簡略化するため、表示領域１２５、配線領域１２６を狭く図示している。換言すれば、断面構造において、表示領域１２５、配線領域１２６の一部を図示している。

副画素は、赤、緑、又は青のいずれかの色を表示する。赤、緑、及び青の副画素により一つの画素（主画素）が構成される。副画素は、ＯＬＥＤ素子及び複数のトランジスタを含む画素回路（図３参照）を、含んで構成されている。ＯＬＥＤ素子は、下部電極であるアノード電極、有機発光層、及び上部電極であるカソード電極を含んで構成される。すなわち、複数のＯＬＥＤ素子は、１つのカソード電極１６６と、複数のアノード電極１６２と、複数の有機発光層１６５により形成されている。

図４において、副画素（ＯＬＥＤ素子）は、トップエミッション構造を有する。絶縁基板１５１上に、第１絶縁膜１５２を介して、Ｔｘ電極１０１及びＲｘ電極１０３が形成されている。絶縁基板１５１は、例えばガラス又は樹脂で形成されており、不撓性又は可撓性基板である。なお、以下の説明において、絶縁基板１５１に近い側を下側、遠い側を上側と呼ぶ。

Ｔｘ電極１０１及びＲｘ電極１０３は、第２絶縁膜１５３によって互いに絶縁されている。Ｔｘ電極１０１及びＲｘ電極１０３は、高融点金属材料で形成され、例えば、Ｍｏ（モリブデン）、Ｎｂ（ニオブ）、Ｗ（タングステン）、又は高融点金属の合金で形成されている。

図４の例において、Ｒｘ電極１０３は、Ｔｘ電極１０１より上層に形成されているが、これらの位置関係はこれに限定されず、互いに絶縁されていれば、どのような層配置であってもよい。

Ｔｘ電極１０１及びＲｘ電極１０３の上に、第３絶縁膜１５４を介して、チャネル部（半導体層）１５５が形成されている。チャネル部１５５は、例えば、低温ポリシリコン（ＬＴＰＳ：Ｌｏｗ－ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ ｐｏｌｙ ｓｉｌｉｃｏｎ）を含む。

チャネル部１５５の上に、ゲート絶縁膜１５６を介して、ゲート電極１５７が形成されている。ゲート電極１５７の層上に層間絶縁膜１５８が形成されている。表示領域１２５内において、層間絶縁膜１５８上にソース電極１５９及びドレイン電極１６０が形成されている。配線領域１２６に、Ｔｘ配線の下層部１７２Ａ、及びＲｘ配線の下層部１７４Ａが形成されている。ソース電極１５９、ドレイン電極１６０、Ｔｘ配線の下層部１７２Ａ、及びＲｘ配線の下層部１７４Ａは、例えば、高融点金属又はその合金で形成される。

ソース電極１５９及びドレイン電極１６０は、層間絶縁膜１５８のコンタクトホールに形成されたコンタクト部１６８、１６９によって、チャネル部１５５に接続されている。Ｔｘ配線の下層部１７２Ａ、及びＲｘ配線の下層部１７４Ａは、層間絶縁膜１５８のコンタクトホールに形成されたコンタクト部１７３、１７５によって、それぞれ、Ｔｘ電極１０１及びＲｘ電極１０３に接続されている。

ソース電極１５９、ドレイン電極１６０、Ｔｘ配線の下層部１７２Ａ、及びＲｘ配線の下層部１７４Ａの上に、絶縁性の平坦化膜１６１が形成される。そして、絶縁性の平坦化膜１６１の上に、アノード電極１６２、Ｔｘ配線の一部である上層部１７２Ｂ、及びＲｘ配線の一部である上層部１７４Ｂが形成されている。なお、Ｔｘ配線の下層部１７２ＡとＴｘ配線の上層部１７２Ｂとの間の平坦化膜１６１、及び、Ｒｘ配線の下層部１７４ＡとＲｘ配線の上層部１７４Ｂとの間の平坦化膜１６１は、削除されていてもよい。

アノード電極１６２は、平坦化膜１６１のコンタクトホールに形成されたコンタクト部によってドレイン電極１６０に接続されている。Ｔｘ配線の上層部１７２Ｂ及びＲｘ配線の上層部１７４Ｂは、それぞれ、平坦化膜１６１のコンタクトホールに形成されたコンタクト部によってＴｘ配線の下層部１７２Ａ及びＲｘ配線の下層部１７４Ａに接続されている。画素回路（ＴＦＴ）は、アノード電極１６２の下側に形成されている。

アノード電極１６２の上に、ＯＬＥＤ素子を分離する絶縁性の画素定義層（Ｐｉｘｅｌ Ｄｅｆｉｎｉｎｇ Ｌａｙｅｒ：ＰＤＬ）１６３が形成されている。ＯＬＥＤ素子は、積層された、アノード電極１６２、有機発光層１６５、及びカソード電極１６６（の部分）で構成される。ＯＬＥＤ素子は、画素定義層１６３の開口に形成されている。図４に示すように、副画素（ＯＬＥＤ素子）は、トップエミッション構造を有する。

絶縁性の穿孔壁１６４は、２つのアノード電極１６２の間における、画素定義層１６３の面上に形成されている。すなわち、穿孔壁１６４は、画素定義層１６３の非開口部に形成されている。穿孔壁１６４は、ＯＬＥＤ素子の外側において、ＯＬＥＤ素子の間に配置されている。このため、穿孔壁１６４がＯＬＥＤ素子の表示機能を阻害することはない。

穿孔壁１６４は、画素定義層１６３面上で、前面の封止基板２００に向かって立ち上がっており、穿孔壁１６４の頂面は画素定義層１６３の上面よりも高い（封止基板２００に近い）位置にある。穿孔壁１６４の頂面は、ＯＬＥＤ素子よりも高い（封止基板２００に近い）位置にあり、封止基板２００が変形した場合に、封止基板２００を支持して、ＯＬＥＤ素子と封止基板２００との間隔を維持するスペーサの効果をも奏する。

図４の例において、穿孔壁１６４は逆テーパ形状を有している。つまり、穿孔壁１６４の絶縁基板１５１の面内方向の寸法は、上から下に向かって徐々に減少しており、穿孔壁１６４の頂面は、絶縁基板１５１に垂直な方向において見た場合、穿孔壁１６４の底面を覆っていている。なお、穿孔壁は順テーパ形状を有していてもよい。つまり、順テーパ状の穿孔壁の絶縁基板１５１の面内方向の寸法は、上から下に向かって徐々に増加しており、この穿孔壁の頂面は、絶縁基板１５１に垂直な方向において見た場合、この穿孔壁の底面に含まれる。また、穿孔壁は、垂直形状を有していてもよい。つまり、穿孔壁の壁面（側面）は垂直であってもよい。

アノード電極１６２の上に、有機発光層１６５が形成されている。有機発光層１６５は、画素定義層１６３の開口及びその周囲において、画素定義層１６３に付着している。有機発光層１６５の上にカソード電極１６６が形成されている。カソード電極１６６は、透明電極である。カソード電極１６６は、有機発光層１６５からの可視光の全て又は一部を透過させる。

画素定義層１６３の開口に形成された、アノード電極１６２、有機発光層１６５及びカソード電極１６６の積層膜が、ＯＬＥＤ素子を構成する。カソード電極１６６は、分離して形成されているアノード電極１６２及び有機発光層１６５（ＯＬＥＤ素子）に共通である。なお、カソード電極１６６の上には、不図示のキャップ層が形成されてもよい。

図４に示すように、本実施形態のカソード電極１６６は孔１６７を有している。穿孔壁１６４がカソード電極１６６を貫通し、この貫通により孔１６７が形成されている。

後述するように、穿孔壁１６４をカソード電極１６６の前に形成することで、カソード電極１６６の材料の付着時に、孔１６７を形成することができる。カソード電極１６６の層の形成時に、穿孔壁１６４によってカソード電極１６６の層が切断され、孔１６７が形成される。この形成時において、穿孔壁１６４の上にカソード電極１６６の材料が残部１６６ａとして付着する。

ＴＦＴ基板１００と封止基板２００とは所定の間隔で固定される。封止基板２００は、透明な絶縁基板であって、例えばガラス基板である。封止基板２００の光出射面（前面）に、λ／４位相差板２０１と偏光板２０２とが配置され、外部から入射した光の反射を抑制する。

本実施形態の画素構造は、前記したように、トップエミッション型である。有機発光層１６５からの光の一部は、アノード電極１６２によって反射され、カソード電極１６６を透過して、封止基板２００を通って表示装置１０の表示面（接触面）に出射する。ＯＬＥＤ素子がキャビティ構造を有する場合、有機発光層１６５からの光は、反射アノード電極１６２と半透過カソード電極１６６との間において反射を繰り返す。この多重反射により共振波長の光が増幅される共振効果が発生する。共振効果によって副画素の色の波長成分が強調されて、光が半透過の透明カソード電極１６６から表示装置１０の表示面に出射される。

タッチパネルのためのＴｘ電極１０１及びＲｘ電極１０３は、副画素の下（図面下側）に配置されている。この配置により、有機発光層及び画素回路の形成に実質的な影響を及ぼすことなくタッチパネル電極をＴＦＴ基板１００上に形成できる。

［製造方法］
図５Ａから図５Ｉは、表示装置１０の製造方法の一例を模式的に示す。以下の製造方法は一例であり、本実施形態のパネル構造が実現できれば、他の製造方法を使用することができる。以下の説明において、同一工程で（同時に）形成される要素は、同一層の要素である。

表示装置１０の製造方法は、まず、図５Ａに示すように、ガラス等の絶縁基板１５１上に、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）等によって例えばシリコン窒化物を堆積して、第１絶縁膜１５２を形成する。次に、スパッタ法等により第１絶縁膜１５２上に高融点金属材料を堆積し、パターニングを行って、Ｔｘ電極１０１（の層）を形成する。なお、Ｔｘ電極は第１電極とも呼ばれる。

次に、図５Ｂに示すように、Ｔｘ電極１０１及び第１絶縁膜１５２上に、ＣＶＤ等によって例えばシリコン窒化物を堆積して、第２絶縁膜１５３を形成する。次に、スパッタ法等により第２絶縁膜１５３上に高融点金属材料を堆積して、パターニングを行って、Ｒｘ電極１０３（の層）を形成する。なお、Ｒｘ電極は第２電極とも呼ばれる。高融点金属材料は、高融点純金属又は高融点合金であり、例えば、Ｍｏ、Ｗ、Ｎｂ、ＭｏＷ又はＭｏＮｂである。以上により、タッチパネル部（タッチパネル電極）が形成される。高融点金属材料を使用することで、後工程のタッチパネル電極への影響を回避することができる。

次に、第２絶縁膜１５３及びＲｘ電極１０３の上、すなわちタッチパネル電極上にＣＶＤ等によって例えばシリコン窒化物を堆積して、第３絶縁膜１５４を形成する。次に、公知の低温ポリシリコンＴＦＴ製造技術を用いて、チャネル部１５５を含む層（ポリシシリコン層等の半導体層）を形成する。例えば、ＣＶＤ法によってアモルファスシリコンを堆積し、ＥＬＡ（Ｅｘｃｉｍｅｒ Ｌａｓｅｒ Ａｎｎｅａｌｉｎｇ）により結晶化してポリシリコン層を形成できる。ポリシリコン層は、表示領域１２５内において要素間の接続にも利用される。

次に、図５Ｃに示すように、チャネル部１５５を含むポリシリコン層及び第３絶縁膜１５４上に、ＣＶＤ法等によって、例えばシリコン酸化膜を付着してゲート絶縁膜１５６を形成する。なお、ゲート絶縁膜は第４絶縁膜とも呼ばれる。更に、スパッタ法等により金属材料を堆積し、パターニングを行って、ゲート電極１５７を含む金属層を形成する。具体的には、ゲート電極１５７は、チャネル部１５５の上方であってゲート絶縁膜１５６の上に形成されている。金属材料は、例えば、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｗ、又はＭｏとＮｂ若しくはＷとの合金である。

金属層は、ゲート電極１５７の他、例えば、保持容量電極、走査線１０６、エミッション制御線１０７、電力供給線を含む。金属層として、例えばＭｏ、Ｗ、Ｎｂ、ＭｏＷ、ＭｏＮｂ、Ａｌ、Ｎｄ、Ｔｉ、Ｃｕ、Ｃｕ合金、Ａｌ合金、Ａｇ、Ａｇ合金からなる群より選択される一つの物質で単一層を形成する、又は、配線抵抗を減少させるために低抵抗物質であるＭｏ、Ｃｕ、ＡｌまたはＡｇの２層構造またはそれ以上の多重膜構造からなる群より選択される一つの積層を形成してもよい。

次に、ゲート電極１５７の形成前に高濃度不純物をドーピングしておいたチャネル部１５５に、ゲート電極１５７をマスクとして追加不純物ドーピングを施して低濃度不純物層を形成することにより、ＴＦＴにＬＤＤ（Ｌｉｇｈｔｌｙ Ｄｏｐｅｄ Ｄｒａｉｎ）構造を形成する。次に、ＣＶＤ法等によって、例えばシリコン酸化膜等を堆積して、ゲート電極１５７及びゲート絶縁膜１５６を覆う層間絶縁膜１５８を形成する。なお、層間絶縁膜は第５絶縁膜とも呼ばれる。

図５Ｄに示すように、層間絶縁膜１５８、ゲート絶縁膜１５６、第３絶縁膜１５４、及び第２絶縁膜１５３に異方性エッチングを行い、コンタクトホールを開口する。ソース電極１５９及びドレイン電極１６０と、チャネル部１５５と、を接続するコンタクト部１６８及び１６９のためのコンタクトホールは、層間絶縁膜１５８及びゲート絶縁膜１５６に形成される。

Ｒｘ電極１０３とＲｘ配線１０４とを接続するコンタクト部１７５（図２のコンタクト４５１参照）のためのコンタクトホールは、層間絶縁膜１５８、ゲート絶縁膜１５６及び第３絶縁膜１５４に開口される。

Ｔｘ電極１０１とＴｘ配線１０２とを接続するコンタクト部１７３（図２のコンタクト２５１参照）のためのコンタクトホールは、層間絶縁膜１５８、ゲート絶縁膜１５６、第３絶縁膜１５４及び第２絶縁膜１５３に開口される。タッチパネル電極とタッチパネル配線との接続のためのコンタクトホールを、ＴＦＴのためのコンタクトホールと同時に開口し、製造工程の増加を避けることができる。

Ｔｘ配線１０２、Ｒｘ配線１０４は、図２で説明したように、表示制御機能とタッチパネル制御機能とを一体化しているドライバＩＣ１３４と接続し、さらに、Ｔｘ電極１０１、Ｔｘ配線１０２、Ｒｘ電極１０３、Ｒｘ配線１０４、ドライバＩＣ１３４は、同一基板上（絶縁基板１５１）に配置されている。そのため、タッチパネル電極とドライバＩＣとを接続する、外付けのＦＰＣが不要になる。その結果、構造を単純にでき、さらに、部品点数を削減できる。

次に、スパッタ法等によって、例えば、Ｔｉ／Ａｌ／Ｔｉ等のアルミ合金を堆積し、パターニングを行って、金属層を形成する。金属層は、ソース電極１５９、ドレイン電極１６０、コンタクト部１６８、１６９、Ｔｘ配線下層部１７２Ａ、コンタクト部１７３、Ｒｘ配線下層部１７４Ａ及びコンタクト部１７５を含む。この他、データ線１０５や電力供給線等も形成される。タッチパネル配線とＴＦＴの電極を同時に形成し、製造工程の増加を避けることができる。

次に、図５Ｅに示すように、感光性の有機材料を堆積し、平坦化膜１６１を形成する。図５Ｆに示すように、ＴＦＴのドレイン電極１６０に接続するためのコンタクトホール、並びに、Ｔｘ配線下層部１７２Ａ及びＲｘ配線下層部１７４Ａに接続するためのコンタクトホールを開口する。タッチパネル配線の接続のためのコンタクトホールを、ＴＦＴのためのコンタクトホールと同時に開口し、製造工程の増加を避けることができる。

コンタクトホールを形成した平坦化膜１６１上に、アノード電極１６２を形成する。また、Ｔｘ配線上層部１７２Ｂ及びＲｘ配線上層部１７４Ｂを形成する。アノード電極１６２は、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯ、Ｉｎ_２Ｏ_３等の透明膜、Ａｇ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｎｄ、Ｉｒ、Ｃｒ又はこれらの化合物金属の反射膜、前記した透明膜の３層を含む。なお、アノード電極１６２の３層構成は、一例であり２層でもよい。Ｔｘ配線上層部１７２Ｂ及びＲｘ配線上層部１７４Ｂは、例えばＡｇ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｎｄ、Ｉｒ、Ｃｒ又はこれらの化合物金属の金属層である。このＴｘ配線上層部１７２Ｂ及びＲｘ配線上層部１７４Ｂの構成も一例である。

アノード電極１６２、Ｔｘ配線上層部１７２Ｂ及びＲｘ配線上層部１７４Ｂは、それぞれ、コンタクト部を介して、ドレイン電極１６０、Ｔｘ配線下層部１７２Ａ及びＲｘ配線下層部１７４Ａと接続される。タッチパネル配線とＴＦＴの電極を同時に形成し、製造工程の増加を避けることができる。

次に、図５Ｇに示すように、スピンコート法等によって、例えば感光性の有機樹脂膜を堆積し、パターニングを行って画素定義層１６３を形成する。パターニングにより画素定義層１６３には孔が形成され、各副画素のアノード電極１６２が形成された孔の底で露出する。画素定義層１６３の孔の側面は順テーパである。画素定義層１６３により、各副画素の発光領域が分離される。

さらに、スピンコート法等によって、例えば感光性の有機樹脂膜を堆積し、パターニングを行って、画素定義層１６３上に穿孔壁１６４を形成する。穿孔壁１６４は、逆テーパ形状を有するようにパターニングされる。穿孔壁１６４の形成は、例えば、ネガ形感光性樹脂又は画像反転機能を付与したポジ型感光性樹脂を使用することができる。

例えば、ネガ形感光性樹脂に対する露光光照射により、露光光が当たった露光領域において、ネガ形感光性樹脂は、現像液に対して不溶性となる。露光光はネガ形感光性樹脂に吸収され、ネガ形感光性樹脂の露光領域における露光強度は、画素定義層１６３に近づくほど低下する。

露光されたネガ形感光性樹脂を現像において、露光強度が比較的小さい画素定義層１６３の近傍では、溶解速度がネガ形感光性樹脂の表面近傍よりも大きい。そのため、逆テーパ形の断面形状を有する穿孔壁１６４が形成される。露光条件及びキュア温度などの条件を適切に選択し、所望の逆テーパ形状を形成できる。

穿孔壁１６４は、他の方法で形成されてもよい。穿孔壁１６４は、カソード電極１６６に孔を開口することができれば、どのような断面形状を有してもよい。例えば、穿孔壁１６４は、逆テーパ形状とは異なる、オーバハング形状を有してもよい。オーバハング形状は、頂面において底面よりも大きい寸法を有し、頂面が底面を覆う形状である。本開示において、逆テーパ形状はオーバハング形状に含まれる。オーバハング形状の他の例は、断面Ｔ字状のアンダーカット形状である。

次に、図５Ｈに示すように、画素定義層１６３を形成した絶縁基板１５１に対して有機発光材料付着して有機発光層１６５を成膜する。ＲＧＢの色毎に、有機ＥＬ材料を成膜して、アノード電極１６２上に、有機発光層１６５を形成する。

有機発光層１６５の成膜は、メタルマスク（ＭＭ）を使用する。異なる色の副画素パターンそれぞれにメタルマスクが用意される。ＴＦＴ基板１００の表面にメタルマスクを位置合わせして配置し、メタルマスクをＴＦＴ基板１００に固定する。メタルマスクの開口を介して、ＴＦＴ基板１００の副画素に対応する位置に有機発光材料を蒸着させる。

有機発光層１６５は、下層側から、例えば、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層によって構成される。有機発光層１６５は、電子輸送層／発光層／正孔輸送層、電子輸送層／発光層／正孔輸送層／正孔注入層、電子注入層／電子輸送層／発光層／正孔輸送層、又は発光層単独の、いずれの構造を有してもよい。電子ブロッキング層のような他の層を追加されてもよい。発光層の材料は副画素の色毎に異なり、必要に応じて正孔注入層や正孔輸送層等の膜厚も色毎に制御する。

次に、図５Ｈに示すように、画素定義層１６３、穿孔壁１６４及び有機発光層１６５（画素定義層１６３の開口における）が露出した、ＴＦＴ基板１００に対して、カソード電極１６６のための金属材料を付着する。金属材料は、有機発光層１６５上及び穿孔壁１６４の頂面上に付着する。有機発光層１６５上に付着した金属材料は、カソード電極１６６である。また、穿孔壁１６４の頂面上に付着した金属材料は、残部１６６ａである。図５Ｉは、１つのカソード電極１６６の平面形状を模式的に示している。複数の穿孔壁１６４の各々に残部１６６ａが付着している。そして、図４、図５Ｈに示したように、穿孔壁１６４により孔１６７（図４、図５Ｈ参照）が形成されている。

図４に示したように、穿孔壁１６４の頂面が有機発光層１６５表面より高い位置にあり、穿孔壁１６４が逆テーパ形状を有している。従って、金属材料層（カソード電極１６６）は、穿孔壁１６４に切断され、孔１６７が形成される。テーパ形状を有する穿孔壁１６４によって、別のパターニングを行うことなく、金属材料の付着時に、カソード電極１６６（の層）に孔を穿つことができる。

透明カソード電極１６６の層は、例えば、Ｌｉ、Ｃａ、ＬｉＦ／Ｃａ、ＬｉＦ／Ａｌ、Ａｌ、Ｍｇ又はこれらの合金を蒸着して、形成する。カソード電極１６６の膜厚は、光取り出し効率を向上させ良好な視野角依存性を確保するため最適化される。カソード電極１６６の抵抗が高く発光輝度の均一性が損なわれる場合には、さらに、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯまたはＩｎ_２Ｏ_３などの透明電極形成用の材料で補助電極層を追加する。カソード電極１６６の形成後、光取り出し効率向上のため、ガラスより屈折率の高い絶縁膜を堆積させキャップ層を形成してもよい。

以上により、ＲＧＢの各副画素に対応するＯＬＥＤ素子が形成され、アノード電極１６２と有機発光層１６５とが接触した部分（画素定義層１６３の開口内）が各々、Ｒ発光領域、Ｇ発光領域、Ｂ発光領域となる。

次に、ＴＦＴ基板１００の外周にガラスフリットを塗設し、その上に封止基板２００を載置し、ガラスフリット部をレーザ光により加熱し、溶融させＴＦＴ基板１００と封止基板２００を密封する。その後、封止基板２００の光出射側にλ／４位相差板２０１、偏光板２０２を形成し、表示装置１０が完成する。

本実施の形態では、有機発光層１６５を形成する前に所定位置に逆テーパの断面形状を有する穿孔壁１６４を形成することで、カソード電極１６６の材料の付着と同時に、孔１６７を形成する。また、上記製造方法により、少ないフォトマスク数で、単純構造のタッチパネル一体型の表示装置を実現できる。

図６は、表示装置１０の、副画素及び穿孔壁の配列例を模式的に示す。ＲＧＢの副画素は、発光素子として機能する発光領域（破線）３１３、３３３、３５３に対応する。発光領域は、画素定義層１６３の開口部を示している。発光領域３１３、３３３、３５３を囲う矩形３１１、３３１、３５１は、アノード電極１６２に対応する。

メタルマスクを用いて有機発光材料を選択的に堆積させる場合には、発光領域３１３、３３３、３５３よりやや大きめの開口部３０１、３０３、３０５を有するメタルマスクを、順次、ＴＦＴ基板１００にアライメントしてセットし、選択的に各色の有機発光材料を堆積させる。実際に電流が流れるのは画素定義層１６３の開口部のみであるので、この部分が発光領域となる。

なお、各画素の境界は、ＴＦＴ基板１００の構成部材によって規定されるものではなく、副画素の組を繰り返し配置した場合における隣り合う副画素の組との関係で規定されるものであり、矩形でもよく、矩形以外の形状でもよい。

図６の画素配列は、Ｓストライプ方式の基本画素配列構造を有する。Ｓストライプ方式の画素配列構造は、Ｒ副画素とＧ副画素とが列方向に配列され、Ｂ副画素がＲ副画素及びＧ副画素に対して行方向に配置される画素配列構造である。さらに、奇数列に関しては奇数行と次の偶数行の２つの画素を１組とし、偶数列に関しては偶数行と次の奇数行の２つの画素を１組とする。各組の２つの画素のＢ副画素の有機発光材料が連続する。

同じ組の２つのＢ副画素は別々に駆動されるため、アノード電極１６２は分離されている。アノード電極１６２がない部分の有機発光材料は発光に寄与しないため、画素を跨いで有機発光層１６５を形成しても問題はない。Ｂ発光領域の面積を大きくすることで、Ｂ発光領域における電流密度が下がり青色の有機発光材料の劣化が抑制される。その結果、表示装置の長寿命化を図ることができる。

有機発光材料の堆積領域はメタルマスクの開口部３０１、３０３、３０５によって規定され、発光領域３１３、３３３、３５３は画素定義層１６３の開口部によって規定される。アノード電極１６２とカソード電極１６６とのショート及び異なる発光色が混ざる色ずれを防止するため、製造プロセスの精度で規定されるマージンを見込んで、画素定義層１６３の開口部は、有機発光材料の堆積領域よりも内側に形成される。Ｂの有機発光材料の堆積領域において、２つのＢ発光領域（一つのＢ発光領域は二つの副画素に対応）は、製造プロセスの精度で規定されるマージンを見込んで、所定の間隔を空けて形成される。

穿孔壁１６４は、表示機能を阻害しないように、ＯＬＥＤ素子の外側において、ＯＬＥＤ素子の間に配置される。図６の例において、穿孔壁１６４は、隣接するＢ発光領域の間に配置されるように、配列されている。一例において、穿孔壁１６４は、表示領域１２５内において規則的に配列され、好適なタッチパネル機能を提供する。

例えば、一つの画素に対する穿孔壁１６４の数（整数でなくてもよく、１未満でもよい）が一定である。図６の例において、例えば、隣接するＢ発光領域の各ペアに対して一つの穿孔壁１６４が配置される。また、一つの画素に対して０．５個の穿孔壁１６４が配置されている。

図７は、副画素及び穿孔壁の他の配列例を模式的に示す。図６の配列との違いは、一つのＢ発光領域（Ｂ有機発光層１６５）が二つの画素に跨っておらず、副画素毎に分離されている点である。穿孔壁１６４は、隣接するＢ副画素のＯＬＥＤ素子の間に配置されている。一つの画素に対して一つの穿孔壁１６４が配置されている。

図８及び図９は、副画素及び穿孔壁の他の配列例を模式的に示す。図８及び図９の画素配列は、デルタ配列である。行方向において、ＲＧＢの副画素が、同一順序で繰り返すように配列されている。各行の副画素の順序は同一である。副画素行は、行毎に、画素の横幅において半ピッチずれている。穿孔壁１６４は、隣接する副画素行の間に配置されている。図８の例において、画素当たり三つの穿孔壁１６４が配置されており、図９の例において、画素当たり六つの穿孔壁１６４が配置されている。穿孔壁１６４の行が、隣接する副画素行の間に配列されている。

本実施形態のパネル構造を適用する画素配列は特に限定されない。例えば、ストライプ配列、モザイク配列、ペンタイル配列等から選択された任意の画素配列を、本実施形態の表示装置に使用することができる。

図１０は、タッチパネル電極の構成例（配列例）を模式的に示す。Ｘ電極（例えばＴｘ電極）Ｘ０～Ｘｍ（ｍは５以上の整数）は、複数の菱形の電極片が接続部を介して数珠状に連結された形状を有する。即ち、一つのＸ電極は、左右に隣り合う菱形の電極片を、接続部を介して電気的に接続し、左右方向に延在する。Ｙ電極（例えばＲｘ電極）Ｙ０～Ｙｎ（ｎは６以上の整数）も、同様に、複数の菱形の電極片が接続部を介して数珠状に連結された形状を有する。一つのＹ電極は、上下に隣り合う菱形の電極片を接続部を介して電気的に接続し、上下方向に延在する。

Ｘ電極Ｘ０～Ｘｍ及びＹ電極Ｙ０～Ｙｎは、絶縁基板１５１に垂直に見た時に、菱形の電極片の接続部同士が絶縁膜を介して重なりあうように形成されている。Ｘ電極Ｘ０～Ｘｍの菱形の電極片とＹ電極Ｙ０～Ｙｎの菱形の電極片とは重ならないように形成されている。Ｘ電極の菱形の電極片とＹ電極Ｙ０～Ｙｎの菱形の電極片とは、同一層に形成されてもよく、異なる層に形成されてもよい。

タッチパネル電極の形状は、特に限定されない。例えば、Ｘ電極及びＹ電極は、四角形電極片を有し、各電極片の四辺は絶縁基板１５１の四辺とそれぞれ平行であってもよい。Ｘ電極又はＹ電極は、一方向に延在する一つの矩形電極であってもよい。

図１１は、タッチパネル電極と画素（副画素）とのサイズ関係例を模式的に示す。Ｔｘ電極１０１及びＲｘ電極１０３は、図１０に示す斜めモザイク配列構造を有する。Ｔｘ電極１０１は、複数の菱形電極片３２１を含む。Ｒｘ電極１０３は、複数の菱形電極片３２２を含む。図１１に示すように、一つの菱形電極片３２１又は３２２の領域内に、複数の画素３１０が含まれ、例えば、数十から数百の画素３１０が、一つの菱形電極片３２１又は３２２と重なるように配列される。

以上、本発明の実施形態を説明したが、本発明が上記の実施形態に限定されるものではない。当業者であれば、上記の実施形態の各要素を、本発明の範囲において容易に変更、追加、変換することが可能である。ある実施形態の構成の一部を他の実施形態の構成に置き換えることが可能であり、ある実施形態の構成に他の実施形態の構成を加えることも可能である。

１０ 表示装置、１００ ＴＦＴ基板、１０１ Ｔｘ電極、１０２ Ｔｘ配線、１０３ Ｒｘ電極、１０４ Ｒｘ配線、１０５ データ線、１０６ 走査線、１０７ エミッション制御線、１１１ 絶縁基板、１１４ カソード電極形成領域、１２５ 表示領域、１２６ 配線領域、１３１ 走査ドライバ、１３２ エミッションドライバ、１３３ 保護回路、１５１ 絶縁基板、１５２ 第１絶縁膜、１５３ 第２絶縁膜、１５４ 第３絶縁膜、１５５ チャネル部、１５６ ゲート絶縁膜、１５７ ゲート電極、１５８ 層間絶縁膜、１５９ ソース電極、１６０ ドレイン電極、１６１ 平坦化膜、１６２ アノード電極、１６３ 画素定義層、１６４ 穿孔壁、１６５ 有機発光層、１６６ カソード電極、１６７ 孔、１６８ コンタクト部、１７２Ａ Ｔｘ配線下層部、１７２Ｂ Ｔｘ配線上層部、１７３ コンタクト部、１７４Ａ Ｒｘ配線下層部、１７４Ｂ ＴＲ配線上層部、１７５ コンタクト部、２００ 封止基板、２０１ 位相差板、２０２ 偏光板、２５１、４５１ コンタクト、３００ 接合部、３０１、３０３、３０５ 開口部、３１１、３３１、３５１ アノード電極、３１３、３３３、３５３ 発光領域

Claims (19)

1. 絶縁基板と、
   前記絶縁基板と対向する封止構造部と、
   前記絶縁基板と前記封止構造部との間に配置された、複数の下部電極と、１つの上部電極と、それぞれが前記１つの上部電極と前記複数の下部電極のそれぞれとの間に配置された複数の有機発光層と、
   前記封止構造部に向かって立ち上がる複数の穿孔壁と、
   前記絶縁基板と前記下部電極との間に形成され、前記下部電極それぞれに供給する電流を制御する複数の回路と、
   前記絶縁基板と前記下部電極との間に形成された、タッチパネル電極とを含み、
   前記複数の穿孔壁の頂面は、前記複数の有機発光層の表面よりも高い位置にあり、
   前記上部電極は、前記複数の有機発光層からの光を前記封止構造部に向けて透過させる電極であって、前記複数の穿孔壁それぞれが貫通するように形成されている孔を有し、
   前記複数の穿孔壁の頂面に、前記上部電極の材料が残部として付着し、
   前記上部電極の孔は、前記タッチパネル電極により形成される電界が通過する、表示装置。
2. 請求項１に記載の表示装置であって、
   前記複数の下部電極は同一面上に配置され、１つの下部電極の上に１つの有機発光層が配置されている、表示装置。
3. 請求項１に記載の表示装置であって、
   前記１つの上部電極と、前記複数の下部電極と、前記有機発光層により、複数の有機発光素子が形成され、
   前記有機発光素子の各々は、画素定義層により分離され、
   前記穿孔壁は、前記画素定義層の面上に形成されている、表示装置。
4. 請求項１に記載の表示装置であって、
   前記複数の回路は、前記下部電極の下側に配置されている、表示装置。
5. 請求項１に記載の表示装置であって、
   さらに、前記電界の変化に基づき、前記封止構造部に対する指示体の接触位置を検出する検出回路を含む、表示装置。
6. 請求項１に記載の表示装置であって、
   前記複数の穿孔壁のそれぞれは、逆テーパ形状、順テーパ形状、又は垂直形状を有する、表示装置。
7. 請求項１に記載の表示装置であって、
   前記タッチパネル電極は、Ｍｏ、Ｗ、Ｎｂ、ＭｏＷ又はＭｏＮｂで構成されている、表示装置。
8. 請求項１に記載の表示装置であって、
   前記タッチパネル電極は、前記絶縁基板と前記複数の回路との間に形成されている、表示装置。
9. 請求項８に記載の表示装置であって、
   前記複数の回路におけるチャネル部と接続するソース電極及びドレイン電極と、前記タッチパネル電極と接続するタッチパネル配線とは、同一金属層を含む、表示装置。
10. 請求項１に記載の表示装置であって、
    前記複数の穿孔壁のそれぞれは、前記下部電極の間に位置する、表示装置。
11. 請求項１に記載の表示装置であって、
    前記複数の穿孔壁は、一つの画素に対する穿孔壁の数が一定であるように、規則的に配列されている、表示装置。
12. 請求項２に記載の表示装置であって、
    さらに、前記電界の変化に基づき、前記封止構造部に対する指示体の接触位置を検出する検出回路に接続する第１配線と第２配線とを含み、
    前記タッチパネル電極は、
    前記絶縁基板上に形成された第１絶縁膜の上に形成され、
    前記第１配線と電気的に接続する第１電極と、前記第１電極及び前記第１絶縁膜の上に形成された第２絶縁膜の上に形成され、前記第２配線と電気的に接続する第２電極と、を含み、
    前記複数の回路は、前記第２絶縁膜及び前記第２電極の上に形成された第３絶縁膜と前記下部電極との間に形成されている、表示装置。
13. 請求項１２に記載の表示装置であって、
    前記複数の回路は、前記第３絶縁膜の上に形成された半導体層と、前記半導体層及び前記第３絶縁膜を覆う第４絶縁膜と、前記半導体層の上方であって前記第４絶縁膜の上に形成されたゲート電極と、前記ゲート電極及び前記第４絶縁膜を覆う第５絶縁膜と、前記第５絶縁膜の上に形成された平坦化膜と、を含む、表示装置。
14. 請求項１３に記載の表示装置であって、
    前記複数の下部電極と、前記第１配線の一部と、前記第２配線の一部とは、平坦化膜の上に形成され、
    前記第１配線は、積層された前記第２～第５絶縁膜及び前記平坦化膜に形成されたホールを介して前記第１電極と電気的に接続し、
    前記第２配線は、積層された前記第３～第５絶縁膜及び前記平坦化膜に形成されたホールを介して前記第２電極と電気的に接続する、表示装置。
15. 請求項１３に記載の表示装置であって、
    前記複数の下部電極は、前記平坦化膜の上に形成され、
    前記第１配線の一部と、前記第２配線の一部とは、前記第５絶縁膜の上に形成され、
    前記第１配線は、積層された前記第２～第５絶縁膜に形成されたホールを介して前記第１電極と電気的に接続し、
    前記第２配線は、積層された前記第３～第５絶縁膜に形成されたホールを介して前記第２電極と電気的に接続する、表示装置。
16. 表示装置の製造方法であって、
    絶縁基板上にタッチパネル電極を形成し、
    前記絶縁基板上に複数の回路を形成し、
    前記複数の回路より上層に、前記複数の回路それぞれに接続される複数の下部電極を形成し、
    前記複数の下部電極より上層に、前記絶縁基板から立ち上がり、前記絶縁基板に対向する封止構造部と前記絶縁基板と間隔を維持するスペーサとなる、複数の穿孔壁を形成し、
    前記複数の穿孔壁を形成した後に、前記複数の下部電極上に有機発光層を形成し、
    前記有機発光層及び前記複数の穿孔壁が露出した前記絶縁基板上に透明導電材料を付着することによって、前記透明導電材料の付着と同時に前記複数の穿孔壁それぞれが貫通する複数の孔を形成し、前記複数の孔を有し前記複数の下部電極に共通の上部電極を形成する、製造方法。
17. 絶縁基板と、
    前記絶縁基板と対向する封止構造部と、
    前記絶縁基板と前記封止構造部との間に配置された、複数の下部電極と、１つの上部電極と、それぞれが前記１つの上部電極と前記複数の下部電極のそれぞれとの間に配置された複数の有機発光層と、
    前記絶縁基板と前記下部電極との間に形成され、前記下部電極それぞれに供給する電流を制御する複数の回路と、
    前記絶縁基板と前記下部電極との間に形成された、タッチパネル電極と、
    前記封止構造部と前記絶縁基板との間隔を維持する複数のスペーサと、を含み、
    前記複数のスペーサは、前記上部電極を貫通して複数の孔を形成し、
    前記複数のスペーサの頂面に、前記上部電極の材料が残部として付着し、
    前記上部電極は、前記有機発光層が出射する光を前記封止構造部に向けて透過させる電極であり、
    前記タッチパネル電極により形成される電界が、前記複数の孔を通過する表示装置。
18. 請求項１に記載の表示装置であって、
    ３色の副画素を含む複数の第１画素と、前記３色の副画素を前記第１画素とは異なる配置で含む複数の第２画素とが、行及び列方向に互い違いに配列された表示部を含み、
    前記表示部は、複数の緑色の副画素と、複数の赤色の副画素と、複数の青色の副画素と、を含み、
    前記複数の第１画素の各々は、前記複数の第１画素各々の第１列に配置され、列方向に隣接する１個の緑色の副画素と１個の赤色の副画素と、前記複数の第１画素各々の前記第１列に隣接する前記複数の第１画素各々の第２列に配置された１個の青色の副画素を含み、
    複数の前記第２画素の各々は、前記複数の第２画素各々の前記第１列に配置され、列方向に隣接する１個の緑色の副画素と１個の赤色の副画素と、前記複数の第２画素各々の前記第１列に隣接する複数の第２画素の前記第２列に配置された１個の青色の副画素を含み、
    前記複数の穿孔壁は、前記複数の第１画素及び前記複数の第２画素の前記第２列に配置され、前記複数の穿孔壁は奇数列と複数列とで非対称に配置され、
    前記複数の緑色の副画素のそれぞれと、前記複数の赤色の副画素のそれぞれとは、同一の形状及び同一の寸法を備え、
    前記複数の青色の副画素のそれぞれは、行方向に比べて列方向に長く、かつ、行方向の長さは前記緑色の副画素及び前記赤色の副画素それぞれの行方向の長さに比べて短く、
    前記複数の青色の副画素は、奇数列と偶数列とで非対称に配置されており、
    前記複数の第１画素各々の青色の副画素と、前記複数の第１画素各々に列方向に隣接する前記第２画素の青色の副画素とは、近接配置されてペアを構成し、
    前記ペアは千鳥状に配置されており、
    前記複数の緑色の副画素の各行は、前記行方向において直線的に配置された緑色の副画素からなり、
    前記複数の赤色の副画素の各行は、前記行方向において直線的に配置された赤色の副画素からなる、表示装置。
19. 請求項１に記載の表示装置であって、
    ３色の副画素を含む複数の画素が行及び列方向に配列された表示部を含み、
    前記表示部は、複数の緑色の副画素と、複数の赤色の副画素と、複数の青色の副画素と、を含み、
    前記複数の画素の各々は、前記複数の画素各々の第１列で列方向に隣接する１個の緑色の副画素と１個の赤色の副画素と、前記複数の画素各々の第２列に配置された１個の青色の副画素を含み、
    前記複数の穿孔壁は、前記複数の画素の前記第２列に配置され、前記複数の穿孔壁は、前記青の副画素と列方向に交互に配置されるとともに、奇数列と偶数列とで対称に配置されており、
    前記複数の緑色の副画素のそれぞれと、前記複数の赤色の副画素のそれぞれとは、同一の形状及び同一の寸法を備え、
    前記複数の青色の副画素のそれぞれは、行方向に比べて列方向に長く、かつ、行方向の長さは前記複数の緑色の副画素及び前記複数の赤色の副画素それぞれの行方向の長さに比べて短く、
    前記複数の青色の副画素は、奇数列と偶数列とで対称に配置されており、
    前記複数の緑色の副画素、前記複数の赤色の副画素、前記複数の青色の副画素及び前記穿孔壁は、行方向において、それぞれ直線的に配置されている、表示装置。

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