JP2016130780A - 画素アレイ及び電気光学装置並びに電気機器並びに画素アレイの駆動方法 - Google Patents

画素アレイ及び電気光学装置並びに電気機器並びに画素アレイの駆動方法 Download PDF

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Abstract

【課題】表示装置の製造を困難にすることなく、解像度を向上させる。【解決手段】視感度最高色である第一色のサブ画素と第二色のサブ画素と視感度最低色である第三色のサブ画素とで構成される画素が２次元に配列された画素アレイであって、各画素の第一色乃至第三色のサブ画素の回路要素は行方向に配列され、第一色及び第二色のサブ画素の発光領域は行方向に対して傾斜した第１の方向に配列され、第三色のサブ画素の発光領域は第一色及び第二色のサブ画素の発光領域に対して第１の方向に直交する第２の方向に配置され、サブ画素の回路要素に接続されるデータ線は列方向に延在し、第一色及び第二色の２色のサブ画素の回路要素に接続されるデータ線と、第二色及び第三色の２色のサブ画素の回路要素に接続されるデータ線と、第三色及び第一色の２色のサブ画素の回路要素に接続されるデータ線とが繰り返し配置される。【選択図】図２

Description

本発明は、画素アレイ及び当該画素アレイを備える電気光学装置並びに当該電気光学装置を表示装置として利用する電気機器並びに画素アレイの駆動方法に関する。
有機ＥＬ（Electro Luminescence）素子は電流駆動型の自発光素子であるため、バックライトが不要となる上に、低消費電力、高視野角、高コントラスト比が得られるなどのメリットがあり、フラットパネルディスプレイの開発において期待されている。
このような有機ＥＬ素子を用いる有機ＥＬ表示装置は、Ｒ（Red）、Ｇ（Green）、Ｂ（Blue）の各色のサブ画素を利用して多数の画素を構成する。これによって多様なカラー映像を表示する。これらのＲＧＢのサブ画素は多様な形態で配列することができるが、図３５に示すように、一般的に同じ色のサブ画素を平等に並べて配置するストライプ型（いわゆるＲＧＢ縦ストライプ方式）で配列される。この３色のサブ画素間の明るさを調整することで総ての色を表示することができる。通常は、隣接するＲ、Ｇ、Ｂの３つのサブ画素をまとめて１つの矩形状の画素として扱い、この画素を正方配置することでドットマトリクスディスプレイを実現している。ドットマトリクス型の表示装置では、表示すべき画像データはｎ×ｍのマトリクス配置となっており、画素にこの画像データを１対１に対応させることによって、正しい画像を表示することができる。
また、有機ＥＬ表示装置は、白色の有機ＥＬ素子を基準に、ＲＧＢ３色をカラーフィルターにより作り出すカラーフィルター方式と、ＲＧＢ３色の有機ＥＬ材料を個別に塗り分ける塗り分け方式とがある。カラーフィルター方式は、カラーフィルターが光を吸収するために光利用率が落ち、消費電力が上がる欠点がある。対して、塗り分け方式では、高い色純度により広色域化が簡単で、カラーフィルターが無いために光利用率が高くなることから、広く利用されている。
上記塗り分け方式では、有機ＥＬ材料を個別に塗り分けるために、ＦＭＭ（Fine Metal Mask）が用いられる。近年の有機ＥＬ表示装置の高精細化に伴い、ＦＭＭのピッチも細かくなり、製造が難しいという課題がある。このような課題に対して、人間の色覚がＲとＢに鈍感でＧに敏感であることを利用して、図３６に示すように、サブ画素をＧとＢ、あるいはＧとＲの２色ずつで構成し、ＲＧＢ配列と比較して欠落する色のサブ画素が必要な色表現を、隣接するその色のサブ画素を持った画素と組み合わせて擬似的に再現する画素配列構造（いわゆるペンタイル方式）が提案されている（例えば、特許文献１乃至４参照）。
このペンタイル方式では、サブ画素数を減らすことにより、ＲとＢのドット幅は縦ストライプの２個分確保することができるため、ＦＭＭの開口サイズを大きくすることができ、高精細化な有機ＥＬ表示装置の製造を容易にすることができる。しかしながら、ペンタイル方式は、サブ画素数の減少による色の破綻をタイリングの手法によって緩和するものである。そのため、本来なめらかに表示される曲線が階段状になるジャギーが発生したり、連続的に色の階調や輝度が変化する画像において色の変化がライン状に見えたりするなどの不具合が発生する。
このような背景から、従来のＲＧＢ縦ストライプ方式よりもサブ画素の寸法を大きくすることができ、かつ、ペンタイル方式のような表示品質の低下が起こりにくい画素配列構造が提案されている。図３７に示すように、ＲとＧを同じ列に並べて配置し、ＲとＧの次の列かつＲとＧの行にＢを配置した画素配列構造（いわゆるＳストライプ方式）である（例えば、下記特許文献５）。このＳストライプ方式では、ＲＧＢ縦ストライプ方式よりもサブ画素の幅を広くすることができるため、ＦＭＭの開口サイズを大きくすることができ、また、１画素内にＲＧＢのサブ画素が配置されるため、ペンタイル方式よりも表示品質を向上させることができる。
米国特許第６７７１０２８号明細書 米国特許出願公開第２００２／０１８６２１４号明細書 米国特許出願公開第２００４／０１１３８７５号明細書 米国特許出願公開第２００４／０２０１５５８号明細書 特開２０１１−２４９３３４号公報
上記Ｓストライプ方式により、ある程度の解像度のディスプレイを製造することは可能であるが、より高解像度のディスプレイを製造するためには、画素サイズを更に小さくする必要がある。しかしながら、画素サイズを小さくするためにＦＭＭの開口サイズを小さくすると、Ｓストライプ方式を採用したとしても、有機ＥＬ材料の塗り分けが困難になり、高解像度の有機ＥＬディスプレイを高い歩留まりで製造することができないという問題があった。
本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであって、その主たる目的は、表示装置の製造を困難にすることなく、解像度を向上させることができる画素アレイ及び当該画素アレイを備える電気光学装置並びに当該電気光学装置を表示装置として利用する電気機器並びに画素アレイの駆動方法を提供することにある。
本発明の一側面は、視感度最高色である第一色のサブ画素と第二色のサブ画素と視感度最低色である第三色のサブ画素とで構成される画素が２次元に配列された画素アレイであって、各々の前記画素の前記第一色乃至第三色のサブ画素の回路要素は、行方向に配列され、前記第一色のサブ画素及び前記第二色のサブ画素の発光領域は、前記行方向に対して傾斜した第１の方向に配列され、前記第三色のサブ画素の発光領域は、前記第一色のサブ画素及び前記第二色のサブ画素の発光領域に対して、前記第１の方向に直交する第２の方向に配置され、前記サブ画素の回路要素に接続されるデータ線は列方向に延在し、前記第一色及び前記第二色の２色のサブ画素の回路要素に接続されるデータ線と、前記第二色及び前記第三色の２色のサブ画素の回路要素に接続されるデータ線と、前記第三色及び前記第一色の２色のサブ画素の回路要素に接続されるデータ線とが繰り返し配置されることを特徴とする。
本発明の一側面は、電気光学機器であって、前記画素アレイと、前記画素アレイを駆動する回路部と、を備えることを特徴とする。
本発明の一側面は、電気機器であって、前記発光領域が有機エレクトロルミネッセンス材料を含む前記画素アレイと、前記画素アレイを駆動する回路部と、が基板上に形成された有機エレクトロルミネッセンス装置を表示装置として備えることを特徴とする。
本発明の一側面は、視感度最高色である第一色のサブ画素と第二色のサブ画素と視感度最低色である第三色のサブ画素とで構成される画素が２次元に配列された画素アレイの駆動方法であって、前記第一色のサブ画素及び前記第二色のサブ画素の発光領域は、表示領域の辺に対して傾斜した第１の方向に配列され、前記第三色のサブ画素の発光領域は、前記第一色のサブ画素及び前記第二色のサブ画素の発光領域に対して、前記第１の方向に直交する第２の方向に配置されており、前記画素の駆動パターンを、前記第一色のサブ画素と前記第二色のサブ画素と前記第三色のサブ画素の全てを点灯する第１パターン、前記第一色のサブ画素と前記第二色のサブ画素とを点灯する第２パターン、前記第一色のサブ画素と前記第三色のサブ画素とを点灯する第３パターン、前記第二色のサブ画素と前記第三色のサブ画素とを点灯する第４パターン、前記第一色のサブ画素を点灯する第５パターン、前記第二色のサブ画素を点灯する第６パターン、前記第三色のサブ画素を点灯する第７パターンに分類し、前記表示領域に表示する画像に応じて、前記画像の境界近傍の前記第１の方向又は前記第２の方向に隣接する複数の画素に対応するパターンの組み合わせを決定し、前記複数の画素を決定したパターンの組み合わせで駆動することを特徴とする。
本発明の画素アレイによれば、Ｓストライプ方式の画素アレイを所定の角度（好ましくは４５度）で傾斜させた画素配列構造（各サブ画素の回路要素及び配線の延在方向を変えずに各サブ画素の発光領域を傾斜させた画素配列構造）を採用すると共に、各サブ画素を駆動するデータ線を２色のサブ画素に接続し、２色の組み合わせをローテーションさせることにより、ＦＭＭの開口部のサイズを小さくすることなく、水平方向及び垂直方向の画素ピッチを実質的に狭めて解像度を向上させることができる。
また、各々の画素の駆動パターンを、サブ画素の組合せに応じた７つのパターンに分類し、表示する画像に応じて、隣接する画素をこの７つのパターンを組み合わせて駆動させることにより、任意の画像の境界をなめらかに表示することができる。
本発明の一実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置の平面図である。 本発明の一実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置の画素（サブ画素９つ分）の構成を模式的に示す平面図である。 本発明の一実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置の画素（サブ画素１つ分）の構成を模式的に示す断面図である。 本発明の一実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置の画素の主要回路構成図である。 本発明の一実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置の画素の波形図である。 本発明の一実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置の駆動ＴＦＴの出力特性図である。 本発明の一実施の形態に係る画素配列構造（第１の画素配列構造）を示す平面図である。 第１の画素配列構造における配線と素子のレイアウト図である。 本発明の一実施の形態に係る画素配列構造（第２の画素配列構造）を示す平面図である。 第２の画素配列構造における配線と素子のレイアウト図である。 本発明の一実施の形態に係る画素配列構造における画像の表示パターンを示す平面図である。 本発明の一実施の形態に係る画素配列構造における画像（左上角がＢサブ画素の白黒四角）の表示例を示す平面図である。 本発明の一実施の形態に係る画素配列構造における画像（左上角がＧサブ画素の白黒四角）の表示例を示す平面図である。 本発明の一実施の形態に係る画素配列構造における画像（角がＢサブ画素の白黒四角）の表示例を示す平面図である。 本発明の一実施の形態に係る画素配列構造における画像（角がＧサブ画素の白黒四角）の表示例を示す平面図である。 本発明の一実施の形態に係る画素配列構造における画像（斜め４５度の白線）の表示例を示す平面図である。 本発明の一実施の形態に係る画素配列構造における画像（別の角度の斜めの白線）の表示例を示す平面図である。 本発明の一実施の形態に係る画素配列構造における画像（別の角度の斜めの白線）の表示例を示す平面図である。 本発明の第１の実施例に係る有機ＥＬ表示装置の製造工程（第１工程）を説明する平面図である。 本発明の第１の実施例に係る有機ＥＬ表示装置の製造工程（第１工程）を説明する断面図である。 本発明の第１の実施例に係る有機ＥＬ表示装置の製造工程（第２工程）を説明する平面図である。 本発明の第１の実施例に係る有機ＥＬ表示装置の製造工程（第２工程）を説明する断面図である。 本発明の第１の実施例に係る有機ＥＬ表示装置の製造工程（第３工程）を説明する平面図である。 本発明の第１の実施例に係る有機ＥＬ表示装置の製造工程（第３工程）を説明する断面図である。 本発明の第１の実施例に係る有機ＥＬ表示装置の製造工程（第４工程）を説明する平面図である。 本発明の第１の実施例に係る有機ＥＬ表示装置の製造工程（第４工程）を説明する断面図である。 本発明の第２の実施例に係る有機ＥＬ表示装置の応用例を示す模式図である。 本発明の第２の実施例に係る有機ＥＬ表示装置の応用例を示す模式図である。 本発明の第２の実施例に係る有機ＥＬ表示装置の応用例を示す模式図である。 本発明の第２の実施例に係る有機ＥＬ表示装置の応用例を示す模式図である。 本発明の第３の実施例に係る有機ＥＬ表示装置の構造を模式的に示す断面図である。 本発明の第３の実施例に係る有機ＥＬ表示装置の応用例を示す模式図である。 本発明の第３の実施例に係る有機ＥＬ表示装置の他の応用例を示す模式図である。 本発明の第３の実施例に係る有機ＥＬ表示装置の他の応用例を示す模式図である。 従来の有機ＥＬ表示装置の画素配列構造（ＲＧＢ縦ストライプ方式）を模式的に示す平面図である。 従来の有機ＥＬ表示装置の画素配列構造（ペンタイル方式）を模式的に示す平面図である。 従来の有機ＥＬ表示装置の画素配列構造（Ｓストライプ方式）を模式的に示す平面図である。
背景技術で示したように、ＲとＧを同じ列に並べて配置し、ＲとＧの次の列かつＲとＧの行にＢを配置した画素配列構造（いわゆるＳストライプ方式）が提案されている。このＳストライプ方式では、ＲＧＢ縦ストライプ方式よりもサブ画素の幅を広くすることができるため、ＦＭＭの開口サイズを大きくすることができ、また、１画素内にＲＧＢのサブ画素が配置されるため、ペンタイル方式よりも表示品質を向上させることができる。
上記Ｓストライプ方式により、ある程度（例えばフルハイビジョン（１９２０×１０８０ピクセル）程度）の解像度のディスプレイを製造することは可能であるが、より高解像度（例えば４Ｋ（３８４０×２１６０ピクセル）程度）のディスプレイを製造するためには、画素サイズを更に小さくする必要がある。しかしながら、画素サイズを小さくするためにＦＭＭの開口サイズを小さくすると、Ｓストライプ方式を採用したとしても有機ＥＬ材料の塗り分けが困難になり、高解像度の有機ＥＬディスプレイを高い歩留まりで製造することができないという問題があった。
そこで、本発明の一実施の形態では、画素サイズを小さくすることなく（すなわち、各色のサブ画素の発光領域を規定するＦＭＭの開口部のサイズを小さくすることなく）、Ｓストライプ方式よりも高解像度のディスプレイを製造できるようにするために、Ｓストライプ方式の画素アレイを所定の角度で傾斜させ、水平方向及び垂直方向の画素ピッチを実質的に狭めて解像度を上げる。その際、各サブ画素を駆動する回路要素及び配線の延在方向を変えずに各サブ画素の発光領域を傾斜させるために、各サブ画素を駆動するデータ線を２色のサブ画素（奇数列では一方の色のサブ画素、偶数列では他方の色のサブ画素）に接続し、２色の組み合わせをローテーションさせる。
また、画素アレイを傾斜させた場合、水平方向又は垂直方向に延在する直線などを表示するためには、画素をジグザグに点灯する必要があり、上記画像の境界をなめらかに表示することができない。そこで、本発明の一実施の形態では、各々の画素内のＲＧＢのサブ画素を用いて画像を表示するのではなく、隣接する画素のサブ画素を組み合わせて画像を表示するようにする。具体的には、各々の画素の駆動パターンを、ＲＧＢの全サブ画素を点灯する１つのパターン、ＲＧＢのサブ画素の内の２つを点灯する３つのパターン、ＲＧＢのサブ画素の内の１つを点灯する３つのパターンの計７つのパターンに分類し、表示する画像に応じて、隣接する画素をこの７つのパターンを組み合わせて駆動することによって、任意の画像の境界をなめらかに表示する。
以下、図面を参照して詳細に説明する。なお、電気光学素子とは、電気的作用により光の光学的状態を変化させる電子素子一般をいい、有機ＥＬ素子などの自発光素子の他に、液晶素子のように光の偏向状態を変化させることで階調表示する電子素子を含む。また、電気光学装置とは、電気光学素子を利用して表示を行う表示装置である。本発明では有機ＥＬ素子が好適であり、有機ＥＬ素子を用いることで電流駆動により自発光する電流駆動型発光素子を得ることができることから、以下では有機ＥＬ素子を前提にして説明する。
図１は、本発明の電気光学装置の一例としての有機ＥＬ表示装置を示している。この有機ＥＬ表示装置は、大別して、発光素子が形成されるＴＦＴ（Thin Film Transistor）基板１００と、発光素子を封止する封止ガラス基板２００と、ＴＦＴ基板１００と封止ガラス基板２００とを接合する接合手段（ガラスフリットシール部）３００などで構成される。また、ＴＦＴ基板１００の表示領域外側のカソード電極形成領域１１４ａの周囲に、ＴＦＴ基板１００の走査線を駆動する走査ドライバ１３１、各画素の発光期間を制御するエミッション制御ドライバ１３２、静電気放電による破損を防ぐデータ線ＥＳＤ（Electro-Static-Discharge）保護回路１３３、高転送レートのストリームを本来の低転送レートの複数のストリームに戻すデマルチプレクサ（1:n DeMUX１３４）、異方性導電フィルム（ＡＣＦ：Anisotropic Conductive Film）を用いて実装される、データ線を駆動するデータドライバＩＣ１３５などが配置され、ＦＰＣ（Flexible Printed Circuit）１３６を介して外部の機器と接続される。なお、図１は、本実施形態の有機ＥＬ表示装置の一例であり、その形状や構成は適宜変更可能である。
図２は、ＴＦＴ基板１００上に形成される９つのサブ画素と各々のサブ画素に接続される発光領域に着目した平面図であり、３つのサブ画素に接続されるＲＧＢ３色の発光領域で構成される画素がデータ線の延在方向（図の上下方向）及び走査線（ゲート電極）の延在方向（図の水平方向）に対して傾いた方向（ここでは４５度傾斜した方向）に繰り返し形成される。また、図３は、１つのサブ画素に着目した断面図である。なお、図３では、本実施形態のサブ画素の構造を分かりやすくするために、図２の平面図の中のＴＦＴ部１０８ｂ（Ｍ２駆動ＴＦＴ）と保持容量部１０９の領域を抜き出し、簡略化して記載している。
ＴＦＴ基板１００は、ガラス基板１０１上に下地絶縁膜１０２を介して形成された低温ポリシリコン（ＬＴＰＳ：Low-temperature poly silicon）等からなるポリシリコン層１０３と、ゲート絶縁膜１０４を介して形成された第１金属層１０５（ゲート電極１０５ａ及び保持容量電極１０５ｂ）と、層間絶縁膜１０６に形成された開口を介してポリシリコン層１０３に接続される第２金属層１０７（データ線１０７ａ、電力供給線１０７ｂ、ソース／ドレイン電極、第１コンタクト部１０７ｃ）と、平坦化膜１１０を介して形成される発光素子１１６（アノード電極１１１、有機ＥＬ層１１３、カソード電極１１４及びキャップ層１１５）とで構成され、ソース／ドレイン電極とアノード電極１１１とは第２コンタクト部１１１ａを介して接続される。
上記発光素子１１６と封止ガラス基板２００との間に乾燥空気が封入され、ガラスフリットシール部３００により封止され、有機ＥＬ表示装置が形成される。この発光素子１１６はトップエミッション構造であり、発光素子１１６と封止ガラス基板２００とは所定の間隔に設定されると共に、封止ガラス基板２００の光出射面側にλ／４位相差板２０１と偏光板２０２とが形成され、外部から入射した光の反射が抑制されるようになっている。
図２において、１つの画素（太い実線で示す単位画素）は、行方向に連続する３つのサブ画素によって駆動される。また、各々のサブ画素は、データ線１０７ａと電力供給線１０７ｂとゲート電極１０５ａとで挟まれた領域に形成され、各々の領域に、ＴＦＴ部１０８ａ（Ｍ１スイッチＴＦＴ）、ＴＦＴ部１０８ｂ（Ｍ２駆動ＴＦＴ）及び保持容量部１０９が配置される。ここで、本実施形態の画素配列構造では、サブ画素の配列方向に対してＲＧＢ３色の発光領域で構成される画素の配列方向が傾斜しているため、各々のサブ画素のＭ２駆動ＴＦＴに各色の発光領域のアノード電極１１１を適切に接続するための工夫が必要である。そこで、本実施形態では、奇数行と偶数行とでサブ画素内の構成要素のレイアウトに変えると共に、データ線１０７ａを、Ｒ／Ｂのサブ画素用のデータ線（Vdata(R/B)と表記）と、Ｇ／Ｒのサブ画素用のデータ線（Vdata(G/R)と表記）と、Ｂ／Ｇのサブ画素用のデータ線（Vdata(B/G)と表記）の３つに分け、これら３つのデータ線をローテーションさせる。
具体的には、視感度が最も低い色であるＢのサブ画素に関して、奇数行のサブ画素（ここでは図の上の行及び下の行の右側のサブ画素）では、ゲート電極１０５ａとＢ／Ｇのデータ線１０７ａと電力供給線１０７ｂとで囲まれる領域に、図のようにＴＦＴ部１０８ａ（Ｍ１スイッチＴＦＴ）及びＴＦＴ部１０８ｂ（Ｍ２駆動ＴＦＴ）を配置し、Ｍ２駆動ＴＦＴのソース／ドレイン電極とアノード電極１１１とを接続する第２コンタクト部１１１ａをサブ画素の左上側に配置する。また、偶数行のサブ画素（図の中央の行の左側のサブ画素）では、ゲート電極１０５ａとＲ／Ｂのデータ線１０７ａと電力供給線１０７ｂとで囲まれる領域に、図のようにＴＦＴ部１０８ａ及びＴＦＴ部１０８ｂを配置し、第２コンタクト部１１１ａをサブ画素の中央やや上に配置する。
また、Ｒのサブ画素に関して、奇数行のサブ画素（図の上の行及び下の行の左側のサブ画素）では、ゲート電極１０５ａとＲ／Ｂのデータ線１０７ａと電力供給線１０７ｂとで囲まれる領域に、図のようにＴＦＴ部１０８ａ及びＴＦＴ部１０８ｂを配置し、第２コンタクト部１１１ａをサブ画素の中央やや下に配置する。また、偶数行のサブ画素（図の中央の行の中央のサブ画素）では、ゲート電極１０５ａとＧ／Ｒのデータ線１０７ａと電力供給線１０７ｂとで囲まれる領域に、図のようにＴＦＴ部１０８ａ及びＴＦＴ部１０８ｂを配置し、第２コンタクト部１１１ａをサブ画素の中央やや上に配置する。
また、視感度が最も高い色であるＧのサブ画素に関して、奇数行のサブ画素（図の上の行及び下の行の中央のサブ画素）では、ゲート電極１０５ａとＧ／Ｒのデータ線１０７ａと電力供給線１０７ｂとで囲まれる領域に、図のようにＴＦＴ部１０８ａ及びＴＦＴ部１０８ｂを配置し、第２コンタクト部１１１ａをサブ画素の中央やや左上に配置する。また、偶数行のサブ画素（図の中央の行の右側のサブ画素）では、ゲート電極１０５ａとＢ／Ｇのデータ線１０７ａと電力供給線１０７ｂとで囲まれる領域に、図のようにＴＦＴ部１０８ａ及びＴＦＴ部１０８ｂを配置し、第２コンタクト部１１１ａをサブ画素の中央やや右下に配置する。
すなわち、本実施形態の画素配列構造では、ゲート電極１０５ａとデータ線１０７ａと電力供給線１０７ｂとで囲まれた領域の配列に対して、ＲＧＢ３色の発光領域で構成される画素の配列が傾いており、配線で囲まれた領域と発光領域との位置関係が一定にならないため、サブ画素の回路要素（Ｍ１スイッチＴＦＴ、Ｍ２駆動ＴＦＴ、保持容量部１０９及び第２コンタクト部１１１ａ）のレイアウトを色毎及び行毎に変化させている。また、各色の発光領域（アノード電極１１１）は一列に並ばない（ジグザグに配置される）ため、データ線を色毎に分けるのではなく、Ｒ／Ｂ、Ｇ／Ｒ、Ｂ／Ｇの各２色で共有し、この色の組み合わせをローテーションさせている。
なお、本明細書及び請求の範囲における視感度最高色及び視感度最低色とは、相対的な意味であり、１画素の中で含まれる複数のサブ画素同士間で比較する場合の「最高」／「最低」を指す。また、ＴＦＴ部１０８ａ（Ｍ１スイッチＴＦＴ）はデータ線１０７ａからのクロストークを抑えるため、図のようなデュアルゲート構造とする。電圧を電流に変換するＴＦＴ部１０８ｂ（Ｍ２駆動ＴＦＴ）は製造プロセスのばらつきを最小限に抑えるため図のような引き回し形状とすることで十分なチャネル長を確保している。また、このＭ２駆動ＴＦＴのゲート電極を延長して保持容量部１０９の電極としても使うことで、限られた面積で十分な保持容量を確保することができる。このような画素構造とすることにより、ＲＧＢ各色の発光領域を大きくできるため、必要輝度を得るための各色の単位面積あたりの電流密度を下げ、発光素子の長寿命化が可能となる。
また、図３では、発光素子１１６の各放射光が、封止ガラス基板２００を介して外部に放射されるトップエミッション構造を示したが、ガラス基板１０１を介して外部に放射されるボトムエミッション構造とすることもできる。
次に、各サブ画素の駆動方法について図４乃至図６を参照して説明する。図４はサブ画素の主要回路構成図であり、図５は波形図、図６は駆動ＴＦＴの出力特性図である。各サブ画素は、Ｍ１スイッチＴＦＴと、Ｍ２駆動ＴＦＴと、Ｃ１保持容量と、発光素子（ＯＬＥＤ）とを備えて構成されており、２トランジスタ方式により駆動制御される。Ｍ１スイッチＴＦＴはｐチャネル型ＦＥＴ（Field Effect Transistor）であり、そのゲート端子には走査線（Scan）が接続され、ドレイン端子にはデータ線（Vdata）が接続されている。Ｍ２駆動ＴＦＴはｐチャネル型ＦＥＴであり、そのゲート端子はＭ１スイッチＴＦＴのソース端子に接続されている。また、Ｍ２駆動ＴＦＴのソース端子は電力供給線（ＶＤＤ）に接続されており、ドレイン端子は発光素子（ＯＬＥＤ）に接続されている。さらに、Ｍ２駆動ＴＦＴのゲート／ソース間にはＣ１保持容量が形成されている。
上記の構成において、走査線（Scan）に選択パルスを出力し、Ｍ１スイッチＴＦＴを開状態にすると、データ線（Vdata）を介して供給されたデータ信号は電圧値としてＣ１保持容量に書き込まれる。Ｃ１保持容量に書き込まれた保持電圧は１フレーム期間を通じて保持され、当該保持電圧によって、Ｍ２駆動ＴＦＴのコンダクタンスがアナログ的に変化し、発光諧調に対応した順バイアス電流を発光素子（ＯＬＥＤ）に供給する。
このように、発光素子（ＯＬＥＤ）を定電流で駆動することにより、発光素子（ＯＬＥＤ）の劣化によって抵抗が変化しても発光輝度を一定に保つことができる。そのため、本実施形態の有機ＥＬ表示装置の駆動方法として好適である。
次に、上記構造の有機ＥＬ表示装置の画素配列構造について、図７乃至図１０を参照して説明する。なお、図７乃至図１０に示すＲＧＢのサブ画素は、発光素子として機能する発光領域（図３において有機ＥＬ層１１３がアノード電極１１１とカソード電極１１４に挟まれた部分）を示している。この発光領域は、素子分離膜１１２の開口部を示している。ＦＭＭを用いて有機ＥＬ材料を選択的に堆積させる場合には、この発光領域よりやや大きめの開口部を有するＦＭＭをＴＦＴ基板にアライメントしてセットして選択的に有機ＥＬ材料を堆積させる。実際に電流が流れるのは素子分離膜１１２の開口部のみであるので、この部分が発光領域となる。ＦＭＭの開口部パターンが他の色の開口部に重なると（すなわち、有機ＥＬ材料を堆積させる領域が広がってしまうと）、他の発光色が混ざる不良（色ずれ）が生じる。また、開口部より内側に入ってしまうと（すなわち、有機ＥＬ材料を堆積させる領域が狭まってしまうと）、アノード電極１１１とカソード電極１１４とがショートしてしまう不良（上下ショート不良）が生じる危険性がある。従って、ＦＭＭの開口パターンは、概ね自色の発光領域の外側で他色の発光領域までのほぼ中間の境界線上に開口するように設計される。ＦＭＭのアライメント精度や変形量はフォトプロセスの精度に比べると悪いが、実際の発光領域はフォトプロセスによって開口される発光領域によって決定されるので、どのような形状であっても正確に面積を制御することができる。また、図７乃至図１０における各画素の境界線（破線）は、ＴＦＴ基板１００の構成部材によって規定されるものではなく、サブ画素の組を繰り返し配置した場合における隣り合うサブ画素の組との関係で規定されるものであり、ここでは矩形としているが、矩形以外の形状でもよい。
図７に示すように、本実施形態の画素配列の基本構造は、図３７に示すＳストライプ方式の画素アレイを反時計回りに４５度回転させた画素配列構造である。すなわち、左上から右下に向かう斜め４５度の方向（右下がりの方向）に関して、Ｂのサブ画素が連続して配置されると共にＲのサブ画素とＧのサブ画素が交互に配置される。また、左下から右上に向かう斜め４５度の方向（右上がりの方向）に関して、Ｂのサブ画素とＲのサブ画素が交互に配置されると共に、Ｂのサブ画素とＧのサブ画素が交互に配置される。このような画素配列構造を第１の画素配列構造と呼ぶ。
ここで、通常のＳストライプ方式の画素配列構造では、ＲＧＢの各サブ画素に電力を供給する電力供給線、画素信号を供給するデータ線、走査信号を供給するゲート電極（走査線）は画素の配列方向（水平／垂直方向）に延在するように配置すればよい。しかしながら、本実施形態の画素配列構造では、電力供給線やデータ線、走査線を画素の配列方向（斜め方向）に延在させると、例えば、水平位置が同じ画素を制御する際に、電力供給線やデータ線のみならず、走査線も切り替えなければならず、駆動制御が複雑になる。
そこで、図８に示すように、各色のサブ画素に対応するデータ線及び電力供給線（図では説明を容易にするためにデータ線のみを記載し、色毎に線の太さを変えている。）を図の上下方向に延在させ、走査線を図の左右方向に延在させ、これらの配線をその交点に配置されるＴＦＴ（図示せず）に接続することよって各サブ画素を駆動する。その際、各データ線を１色のサブ画素のみに接続するのではなく、２色のサブ画素に接続することによって、データ線の本数の増加を抑制して各サブ画素を駆動できるようにしている。
具体的には、Ｒ／Ｂのデータ線１０７は、奇数列（Ｙ１、Ｙ３、…）の画素ではＢのサブ画素に接続し、偶数列（Ｙ２、Ｙ４、…）の画素ではＲのサブ画素に接続する。また、Ｇ／Ｒのデータ線１０７は、奇数列の画素ではＲのサブ画素に接続し、偶数列の画素ではＧのサブ画素に接続する。また、Ｂ／Ｇのデータ線１０７は、奇数列の画素ではＧのサブ画素に接続し、偶数列の画素ではＢのサブ画素に接続する。このように、ＲＧＢの各サブ画素（発光領域）のレイアウトはＳストライプ方式の画素アレイを回転させた構造にするが、ＲＧＢの各サブ画素に接続する電力供給線やデータ線、走査線を水平方向／垂直方向に延在させることにより、Ｓストライプ方式と同様の駆動制御が可能となる。また、データ線を２色のサブ画素に接続することにより、データ線の本数の増加を抑制して各サブ画素の発光領域を大きくすることができる。
図７では、Ｓストライプ方式の画素アレイを反時計回りに４５度回転させた画素配列構造を示したが、本実施例の画素配列構造は、各画素内のサブ画素のみで画像を表示するのではなく、後述するように、隣接する画素のサブ画素との組合せにより画像を表示するため、特定の画像をなめらかに表示するために、各色のサブ画素の発光領域をずらすこともできる。例えば、図９に示すように、左上から右下に向かう斜め４５度の方向（右下がりの方向）に関して、Ｒのサブ画素及びＧのサブ画素を右下方向にずらすこともできる。このような画素配列構造を第２の画素配列構造と呼ぶ。なお、第２の画素配列構造において、単位画素の形状を矩形とし、Gのサブ画素が矩形からはみ出しているが、この単位画素の形状は隣り合う画素との関係を示す便宜的な形状であり、ＴＦＴ基板１００の構成部材によって形状を規定する場合は、全てのサブ画素を含む形状となる。
この場合も、図１０に示すように、各色のサブ画素に対応するデータ線及び電力供給線（電力供給線は図示せず）を図の上下方向に延在させ、各色のサブ画素に対応する走査線を図の左右方向に延在させ、これらの配線をその交点に配置されるＴＦＴ（図示せず）に接続することよって各サブ画素を駆動する。また、各データ線を１色のサブ画素のみに接続するのではなく、２色のサブ画素に接続することによって、データ線の本数の増加を抑制して各サブ画素を駆動できるようにする。このようなサブ画素及び配線のレイアウトによっても、Ｓストライプ方式と同様の駆動制御が可能となり、各サブ画素の発光領域を大きくすることができる。
上記図７乃至図１０のＲＧＢのサブ画素の配置や形状は一例であり、適宜変更することができる。例えば、図７及び図８では、Ｓストライプ方式の画素アレイを反時計回りに４５度回転させた画素配列構造としたが、本実施形態の画素配列構造は、Ｓストライプ方式の画素アレイを任意の角度で傾けた構造であればよく、例えば、時計回りに４５度回転させた画素配列構造、時計回り（反時計回り）に３０度若しくは６０度回転させた画素配列構造などとすることができる。また、図９及び図１０では、Ｒのサブ画素及びＧのサブ画素を右下方向にずらしたが、Ｒのサブ画素及びＧのサブ画素を左上方向にずらすようにすることもできる。また、ＲＧＢの各サブ画素の配置も適宜変更可能であり、Ｒのサブ画素とＧのサブ画素の位置を逆にしたり、Ｒ及びＧのサブ画素とＢのサブ画素の位置を逆にしたりすることもできる。また、図７乃至図１０では、ＲＧＢの各発光領域を矩形にしたが、六角形や八角形、円、楕円などの形状にすることも可能である。
図７及び図９の画素配列構造の場合、画素は斜め４５度方向に延在しているため、斜め方向に隣接する画素間のＸ、Ｙ方向のピッチは１／２１／２（すなわち、０．７０７倍）になり、Ｘ、Ｙ方向の解像度を２１／２（すなわち、１．４１４倍）に上げることができるが、この画素配列構造で水平方向／垂直方向に延在する線を含む画像を表示する際、画素をジグザグに点灯させると、画像の境界をなめらかに表示することができない。そこで、この問題を回避するために、画素の駆動パターンを、点灯するサブ画素の組合せに応じた７つのパターンに分類し、表示データを解析して表示する画像の境界を検出し、表示する画像に応じて、画像の境界近傍の複数の画素に対応するパターンの組み合わせを決定し、複数の画素を決定したパターンの組み合わせで駆動することにより、水平方向／垂直方向の画像の境界がなめらかに表示されるようにする。
具体的には、図１１に示すように、第１の画素配列構造及び第２の画素配列構造に対して、画素の駆動パターンを、ＲＧＢの全サブ画素を点灯するパターン１、ＲＧＢの３つのサブ画素の内の２つのサブ画素を点灯するパターン（ＲとＧのサブ画素を点灯させるパターン２、ＧとＢのサブ画素を点灯させるパターン３、ＲとＢのサブ画素を点灯させるパターン４）、ＲＧＢの３つのサブ画素の内の１つのサブ画素を点灯するパターン（Ｇのサブ画素のみを点灯させるパターン５、Ｒのサブ画素のみを点灯させるパターン６、Ｂのサブ画素のみを点灯させるパターン７）の７つのパターン（必要に応じてＲＧＢの全サブ画素を点灯させないパターン８を加えた８つのパターン）に分類し、表示する画像に応じてパターンの組み合わせを決定することにより、様々な画像の境界をなめらかに表示できるようにする。
図１２乃至図１８は、垂直方向に１６列（ｘ１〜ｘ１６）、水平方向に１６行（ｙ１〜ｙ１６）の画素が配列されている場合において、様々な画像を表示する場合のパターンの組合せを示している。なお、図８及び図１０のデータ線、走査線の表記と区別するために、図１２乃至図１８では小文字のｘ、ｙで画素の位置を表している。
図１２は、左上角がＢのサブ画素の場合の白抜きの矩形（白枠）の画像を表示する場合のパターンの組合せ例を示している。この場合、図７に示す第１の画素配列構造を用い、上辺に関しては、右下がり方向に連続する２つの画素に対して（右端は左上の画素のみ）、左上の画素（（ｘ４，ｙ２）、（ｘ６，ｙ２）、（ｘ８，ｙ２）、（ｘ１０，ｙ２）、（ｘ１２，ｙ２）の５つの画素）はＧのサブ画素のみを点灯させるパターン５で点灯させ、右下の画素（（ｘ５，ｙ３）、（ｘ７，ｙ３）、（ｘ９，ｙ３）、（ｘ１１，ｙ３）の４つの画素）はＲとＢのサブ画素を点灯させるパターン４で点灯させる。また、右上角に関しては、（ｘ１３，ｙ３）の画素を、ＲＧＢの全サブ画素を点灯させるパターン１で点灯させる。また、右辺に関しては、右上がり方向に連続する２つの画素に対して（下端は右上の画素のみ）、右上の画素（（ｘ１４，ｙ４）、（ｘ１４，ｙ６）、（ｘ１４，ｙ８）、（ｘ１４，ｙ１０）、（ｘ１４，ｙ１２）の５つの画素）はＲのサブ画素のみを点灯させるパターン６で点灯させ、左下の画素（（ｘ１３，ｙ５）、（ｘ１３，ｙ７）、（ｘ１３，ｙ９）、（ｘ１３，ｙ１１）の４つの画素）はＧとＢのサブ画素を点灯させるパターン３で点灯させる。また、下辺に関しては、右下がり方向に連続する２つの画素に対して（左端は右下の画素のみ）、右下の画素（（ｘ１３，ｙ１３）、（ｘ１１，ｙ１３）、（ｘ９，ｙ１３）、（ｘ７，ｙ１３）、（ｘ５，ｙ１３）の５つの画素）はＲとＢのサブ画素を点灯させるパターン４で点灯させ、左上の画素（（ｘ１２，ｙ１２）、（ｘ１０，ｙ１２）、（ｘ８，ｙ１２）、（ｘ６，ｙ１２）の４つの画素）はＧのサブ画素のみを点灯させるパターン５で点灯させる。また、左下角に関しては、（ｘ３，ｙ１３）の画素を、Ｂのサブ画素のみを点灯させるパターン７で点灯させると共に、（ｘ４，ｙ１２）の画素を、ＲとＧのサブ画素を点灯させるパターン２で点灯させる。また、左辺に関しては、右上がり方向に連続する２つの画素に対して（上端は左下の画素のみ）、左下の画素（（ｘ３，ｙ１１）、（ｘ３，ｙ９）、（ｘ３，ｙ７）、（ｘ３，ｙ５）、（ｘ３，ｙ３）の５つの画素）はＧとＢのサブ画素を点灯させるパターン３で点灯させ、右上の画素（（ｘ４，ｙ１０）、（ｘ４，ｙ８）、（ｘ４，ｙ６）、（ｘ４，ｙ４）の４つの画素）はＲのサブ画素のみを点灯させるパターン６で点灯させる。すなわち、図１１に示すパターン１〜７を利用して、左上角がＢの白枠を表示する。
図１３は、左上角がＧのサブ画素の場合の白枠の画像を表示する場合のパターンの組合せ例を示している。この場合、上記と同様に、図７に示す第１の画素配列構造を用い、上辺に関しては、右下がり方向に連続する２つの画素に対して（右端は左上の画素のみ）、左上の画素（（ｘ３，ｙ３）、（ｘ５，ｙ３）、（ｘ７，ｙ３）、（ｘ９，ｙ３）、（ｘ１１，ｙ３）、（ｘ１３，ｙ３）の６つの画素）はＧのサブ画素のみを点灯させるパターン５で点灯させ、右下の画素（（ｘ４，ｙ４）、（ｘ６，ｙ４）、（ｘ８，ｙ４）、（ｘ１０，ｙ４）、（ｘ１２，ｙ４）の５つの画素）はＲとＢのサブ画素を点灯させるパターン４で点灯させる。また、右辺に関しては、右上がり方向に連続する２つの画素に対して（下端は右上の画素のみ）、右上の画素（（ｘ１４，ｙ４）、（ｘ１４，ｙ６）、（ｘ１４，ｙ８）、（ｘ１４，ｙ１０）、（ｘ１４，ｙ１２）、（ｘ１４，ｙ１４）の６つの画素）はＲのサブ画素を点灯させるパターン６で点灯させ、左下の画素（（ｘ１３，ｙ５）、（ｘ１３，ｙ７）、（ｘ１３，ｙ９）、（ｘ１３，ｙ１１）、（ｘ１３，ｙ１３）の５つの画素）はＧとＢのサブ画素のみを点灯させるパターン３で点灯させる。また、下辺に関しては、右下がり方向に連続する２つの画素に対して（左端は右下の画素のみ）、右下の画素（（ｘ１２，ｙ１４）、（ｘ１０，ｙ１４）、（ｘ８，ｙ１４）、（ｘ６，ｙ１４）、（ｘ４，ｙ１４）の５つの画素）はＲとＢのサブ画素のみを点灯させるパターン４で点灯させ、左上の画素（（ｘ１１，ｙ１３）、（ｘ９，ｙ１３）、（ｘ７，ｙ１３）、（ｘ５，ｙ１３）の４つの画素）はＧのサブ画素のみを点灯させるパターン５で点灯させる。また、左辺に関しては、右上がり方向に連続する２つの画素に対して（上端は左下の画素のみ）、左下の画素（（ｘ３，ｙ１３）、（ｘ３，ｙ１１）、（ｘ３，ｙ９）、（ｘ３，ｙ７）、（ｘ３，ｙ５）の５つの画素）はＧとＢのサブ画素を点灯させるパターン３で点灯させ、右上の画素（（ｘ４，ｙ１２）、（ｘ４，ｙ１０）、（ｘ４，ｙ８）、（ｘ４，ｙ６）の４つの画素）はＲのサブ画素のみを点灯させるパターン６で点灯させる。すなわち、図１１に示すパターン３、４、５、６を利用して、左上角がＧの白枠を表示する。
図１４は、角がＢのサブ画素の場合の白枠の画像を表示する場合のパターンの組合せ例を示している。この場合、図９に示す第２の画素配列構造を用い、上辺に関しては、右下がり方向に連続する２つの画素に対して（右端は左上の画素のみ）、左上の画素（（ｘ４，ｙ２）、（ｘ６，ｙ２）、（ｘ８，ｙ２）、（ｘ１０，ｙ２）、（ｘ１２，ｙ２）の５つの画素）はＧのサブ画素のみを点灯させるパターン５で点灯させ、右下の画素（（ｘ５，ｙ３）、（ｘ７，ｙ３）、（ｘ９，ｙ３）、（ｘ１１，ｙ３）の４つの画素）はＲとＢのサブ画素を点灯させるパターン４で点灯させる。また、右上角に関しては、（ｘ１３，ｙ３）の画素を、ＲＧＢの全サブ画素を点灯させるパターン１で点灯させる。また、右辺に関しては、右上がり方向に連続する２つの画素に対して（下端は右上の画素のみ）、右上の画素（（ｘ１４，ｙ４）、（ｘ１４，ｙ６）、（ｘ１４，ｙ８）、（ｘ１４，ｙ１０）、（ｘ１４，ｙ１２）の５つの画素）はＲのサブ画素のみを点灯させるパターン６で点灯させ、左下の画素（（ｘ１３，ｙ５）、（ｘ１３，ｙ７）、（ｘ１３，ｙ９）、（ｘ１３，ｙ１１）の４つの画素）はＧとＢのサブ画素を点灯させるパターン３で点灯させる。また、下辺に関しては、右下がり方向に連続する２つの画素に対して（左端は右下の画素のみ）、右下の画素（（ｘ１３，ｙ１３）、（ｘ１１，ｙ１３）、（ｘ９，ｙ１３）、（ｘ７，ｙ１３）、（ｘ５，ｙ１３）の５つの画素）はＲとＢのサブ画素を点灯させるパターン４で点灯させ、左上の画素（（ｘ１２，ｙ１２）、（ｘ１０，ｙ１２）、（ｘ８，ｙ１２）、（ｘ６，ｙ１２）の４つの画素）はＧのサブ画素のみを点灯させるパターン５で点灯させる。また、左下角に関しては、（ｘ３，ｙ１３）の画素を、Ｂのサブ画素のみを点灯させるパターン７で点灯させると共に、（ｘ４，ｙ１２）の画素を、ＲとＧのサブ画素を点灯させるパターン２で点灯させる。また、左辺に関しては、右上がり方向に連続する２つの画素に対して（上端は左下の画素のみ）、左下の画素（（ｘ３，ｙ１１）、（ｘ３，ｙ９）、（ｘ３，ｙ７）、（ｘ３，ｙ５）、（ｘ３，ｙ３）の５つの画素）はＧとＢのサブ画素を点灯させるパターン３で点灯させ、右上の画素（（ｘ４，ｙ１０）、（ｘ４，ｙ８）、（ｘ４，ｙ６）、（ｘ４，ｙ４）の４つの画素）はＲのサブ画素のみを点灯させるパターン６で点灯させる。すなわち、図１１に示すパターン１〜７を利用して、角がＢの白枠を表示する。
図１５は、角がＧのサブ画素の場合の白枠の画像を表示する場合のパターンの組合せ例を示している。この場合、上記と同様に、図９に示す第２の画素配列構造を用い、上辺に関しては、右下がり方向に連続する２つの画素に対して（右端は左上の画素のみ）、左上の画素（（ｘ４，ｙ２）、（ｘ６，ｙ２）、（ｘ８，ｙ２）、（ｘ１０，ｙ２）、（ｘ１２，ｙ２）、（ｘ１４，ｙ２）の６つの画素）はＧのサブ画素のみを点灯させるパターン５で点灯させ、右下の画素（（ｘ５，ｙ３）、（ｘ７，ｙ３）、（ｘ９，ｙ３）、（ｘ１１，ｙ３）、（ｘ１３，ｙ３）の５つの画素）はＲとＢのサブ画素を点灯させるパターン４で点灯させる。また、右辺に関しては、右上がり方向に連続する２つの画素に対して（下端は右上の画素のみ）、右上の画素（（ｘ１５，ｙ３）、（ｘ１５，ｙ５）、（ｘ１５，ｙ７）、（ｘ１５，ｙ９）、（ｘ１５，ｙ１１）、（ｘ１５，ｙ１３）、（ｘ１５，ｙ１５）の７つの画素）はＲのサブ画素のみを点灯させるパターン６で点灯させ、左下の画素（（ｘ１４，ｙ４）、（ｘ１４，ｙ６）、（ｘ１４，ｙ８）、（ｘ１４，ｙ１０）、（ｘ１４，ｙ１２）、（ｘ１４，ｙ１４）の６つの画素）はＧとＢのサブ画素を点灯させるパターン３で点灯させる。また、下辺に関しては、右下がり方向に連続する２つの画素に対して（左端は右下の画素のみ）について、右下の画素（（ｘ１３，ｙ１５）、（ｘ１１，ｙ１５）、（ｘ９，ｙ１５）、（ｘ７，ｙ１５）、（ｘ５，ｙ１５）の５つの画素）はＲとＢのサブ画素のみを点灯させるパターン４で点灯させ、左上の画素（（ｘ１２，ｙ１４）、（ｘ１０，ｙ１４）、（ｘ８，ｙ１４）、（ｘ６，ｙ１４）の４つの画素）はＧのサブ画素のみを点灯させるパターン５で点灯させる。また、左辺に関しては、右上がり方向に連続する２つの画素に対して（上端は左下の画素のみ）、左下の画素（（ｘ４，ｙ１４）、（ｘ４，ｙ１２）、（ｘ４，ｙ１０）、（ｘ４，ｙ８）、（ｘ４，ｙ６）、（ｘ４，ｙ４）の６つの画素）はＧとＢのサブ画素を点灯させるパターン３で点灯させ、右上の画素（（ｘ５，ｙ１３）、（ｘ５，ｙ１１）、（ｘ５，ｙ９）、（ｘ５，ｙ７）、（ｘ５，ｙ５）の５つの画素）はＲのサブ画素のみを点灯させるパターン６で点灯させる。すなわち、図１１に示すパターン３、４、５、６を利用して、角がＧの白枠を表示する。また、図９に示す第２の画素配列構造を用いることにより、Ｇの位置を連続する２つの画素の中心に近づけることができ、視認性を向上させることができる。
図１２乃至１５では、水平方向／垂直方向に延在する直線を表示する場合について記載したが、斜め線を表示する場合は図１６乃至図１８のようになる。図１６は、斜め４５度の白線を表示する場合のパターンの組合せ例を示している。この場合、図７に示す第１の画素配列構造を用い、右下がり方向の線及び右上がりの線の双方について、各画素を、ＲＧＢの全サブ画素を点灯させるパターン１で点灯させる。
図１７は、４５度以外の角度の斜めの白線を表示する場合のパターンの組合せ例を示している。この場合、上記と同様に、図７に示す第１の画素配列構造を用い、右下がり方向の線については、右下がり方向に連続する２つの画素に対し、ｍを正数とすると、左上の画素（（ｘ５，ｙ１）、（ｘ６，ｙ４）、…、すなわち（ｘ（ｍ＋４），ｙ（３ｍ−２）の画素）はＢのサブ画素のみを点灯させるパターン７で点灯させ、右下の画素（（ｘ６，ｙ２）、（ｘ７，ｙ５）、…、すなわち（ｘ（ｍ＋５），Ｙ（３ｍ−１）の画素）は、ＲＧＢの全サブ画素を点灯させるパターン１で点灯させる。また、右上がり方向の線については、右上がり方向に連続する３つの画素に対し、ｎを正数とすると、左下の画素（（ｘ１，ｙ１１）、（ｘ４，ｙ１０）、…、すなわち（ｘ（３ｎ−２），７（１２−ｎ）の画素）はＲとＢのサブ画素を点灯させるパターン４で点灯させ、中央の画素（（ｘ２，ｙ１０）、（ｘ５，ｙ９）、…、すなわち（ｘ（３ｎ−１），Ｙ（１１−ｎ）の画素）はＲＧＢの全サブ画素を点灯させるパターン１で点灯させ、右上の画素（（ｘ３，ｙ９）、（ｘ６，ｙ８）、…、すなわち（ｘ（３ｎ），Ｙ（１０−ｎ）の画素）は、Ｇのサブ画素のみを点灯させるパターン５で点灯させる。すなわち、図１１に示すパターン１、４、５、７を利用して、斜めの白線を表示する。
図１８は、更に別の角度の斜めの白線を表示する場合のパターンの組合せ例を示している。この場合、上記と同様に、図７に示す第１の画素配列構造を用い、右上がり方向の線については、右上がり方向に連続する３つの画素に対し、ｍを正数とすると、左下の画素（（ｘ５，ｙ１５）、（ｘ６，ｙ１２）、…、すなわち（ｘ（ｍ＋４），ｙ（１８−３ｍ）の画素）はＧとＢのサブ画素を点灯させるパターン３で点灯させ、中央の画素（（ｘ６，ｙ１４）、（ｘ７，ｙ１１）、…、すなわち（ｘ（ｍ＋５），Ｙ（１７−３ｍ）の画素）はＲＧＢの全サブ画素を点灯させるパターン１で点灯させ、右上の画素（（ｘ７，ｙ１３）、（ｘ８，ｙ１０）、…、すなわち（ｘ（ｍ＋６），ｙ（１６−３ｍ）の画素）は、Ｒのサブ画素のみを点灯させるパターン６で点灯させる。また、右下がり方向の線については、右下がり方向に連続する３つの画素に対し、ｎを正数とすると、左上の画素（（ｘ１，ｙ５）、（ｘ４，ｙ６）、…、すなわち（ｘ（３ｎ−２），ｙ（ｎ＋４）の画素）はＲとＧのサブ画素を点灯させるパターン２で点灯させ、中央の画素（（ｘ２，ｙ６）、（ｘ５，ｙ７）、…、すなわち（ｘ（３ｎ−１），ｙ（ｎ＋５）の画素）はＲＧＢの全サブ画素を点灯させるパターン１で点灯させ、右下の画素（（ｘ３，ｙ７）、（ｘ６，ｙ８）、…、すなわち（ｘ（３ｎ），ｙ（ｎ＋６）の画素）は、Ｂのサブ画素のみを点灯させるパターン７で点灯させる。すなわち、図１１に示すパターン１、２、３、６、７を利用して、斜めの白線を表示する。
このように、画素の駆動パターンを、ＲＧＢの全サブ画素を点灯させるパターン１、ＲＧＢの３つのサブ画素の内の２つのサブ画素を点灯させるパターン２〜４、ＲＧＢの３つのサブ画素の内の１つのサブ画素を点灯させるパターン５〜７の７つのパターンに分類し、表示データを解析して表示する画像の境界を検出し、表示する画像に応じて、画像の境界近傍の複数の画素に対応するパターンの組み合わせを決定し、複数の画素を決定したパターンの組み合わせで駆動することにより、水平／垂直方向に延在する線を含む画像をなめらかに表示することができると共に、任意の角度の線もなめらかに表示することができ、表示品質を向上させることができる。
なお、図１２乃至図１８は表示する画像の一例であり、任意の形状の画像に対して、７つのパターンから選択されるパターンを組み合わせることにより、適切に表示することができる。
次に、本発明の第１の実施例に係る画素アレイ及び電気光学装置について、図１９乃至図２６を参照して説明する。
前記した実施形態では、本発明の電気光学装置（有機ＥＬ表示装置）の画素配列構造に着目して説明したが、本実施例では、この画素配列構造の画素アレイを備えた有機ＥＬ表示装置の製造方法について説明する。なお、図１９、２１、２３、２５は図７の画素配列構造の画素の平面図であり、図２０、２２、２４、２６は一つのサブ画素に着目したＴＦＴ部、保持容量部及び発光素子の断面図である。
まず、図１９及び図２０に示すように、ガラス等の透光性の基板（ガラス基板１０１）上にＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法等によって、例えばシリコン窒化膜等を堆積して下地絶縁膜１０２を形成する。次に、公知の低温ポリシリコンＴＦＴ製造技術を用いて、ＴＦＴ部及び保持容量部を形成する。具体的には、ＣＶＤ法等によってアモルファスシリコンを堆積し、ＥＬＡ（Excimer Laser Annealing）により結晶化してポリシリコン層１０３を形成する。その際、電圧電流変換増幅器として用いるＭ２駆動ＴＦＴのチャネル長を十分長く確保して出力電流のばらつきを抑え、Ｍ１スイッチＴＦＴのソースとデータ線１０７ａとの接続、Ｍ１スイッチＴＦＴのドレインとＣ１保持容量との接続、Ｃ１保持容量と電力供給線１０７ｂとの接続、Ｍ２駆動ＴＦＴのソースと電力供給線１０７ｂとの接続、Ｍ２駆動ＴＦＴのドレインと各サブ画素のアノード電極１１１との接続を可能にするために、図のようにポリシリコン層１０３を引き回している。
次に、図２１及び図２２に示すように、ポリシリコン層１０３上にＣＶＤ法等によって、例えばシリコン酸化膜等を堆積してゲート絶縁膜１０４を形成し、更に、スパッタ法等により第１金属層１０５としてＭｏ（モリブデン）やＮｂ（ニオブ）、Ｗ（タングステン）との合金等を堆積してゲート電極１０５ａ及び保持容量電極１０５ｂを形成する。この第１金属層１０５は、例えばＭｏ、Ｗ、Ｎｂ、ＭｏＷ、ＭｏＮｂ、Ａｌ、Ｎｄ、Ｔｉ、Ｃｕ、Ｃｕ合金、Ａｌ合金、Ａｇ、Ａｇ合金などからなる群より選択される一つの物質で単一層を形成したり、配線抵抗を減少させるために低抵抗物質であるＭｏ、Ｃｕ、ＡｌまたはＡｇの２層構造またはそれ以上の多重膜構造からなる群より選択される一つの積層構造で形成したりしても良い。その際、各サブ画素における保持容量を大きくすると共に、各サブ画素のＭ１スイッチＴＦＴのドレインと保持容量電極１０５ｂとの接続を容易にするために、図のような形状で第１金属層１０５を形成している。次に、ゲート電極形成前に高濃度不純物層（ｐ＋層１０３ｃ）をドーピングしておいたポリシリコン層１０３に、ゲート電極１０５をマスクとして追加不純物ドーピングを施して低濃度不純物層（ｐ−層１０３ｂ）を形成することにより、ＴＦＴ部にＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造を形成する。
次に、図２３及び図２４に示すように、ＣＶＤ法等によって、例えばシリコン酸化膜等を堆積して層間絶縁膜１０６を形成する。この層間絶縁膜１０６及びゲート絶縁膜１０４に異方性エッチングを行い、ポリシリコン層１０３に接続するためのコンタクトホール及び電力供給線１０５ｃに接続するためのコンタクトホールを開口する。次に、スパッタ法等によって、例えばＴｉ／Ａｌ／Ｔｉ等のアルミ合金の第２金属層１０７を堆積し、パターニングを行ってソース／ドレイン電極、データ線１０７ａ、電力供給線１０７ｂ、第１コンタクト部１０７ｃ（黒塗りの矩形部分）を形成する。これにより、データ線１０７ａとＭ１スイッチＴＦＴのソース、Ｍ１スイッチＴＦＴのドレインと保持容量電極１０５ｂ及びＭ２駆動ＴＦＴのゲート、Ｍ２駆動ＴＦＴのソースと電力供給線１０７ｂとが接続される。なお、Ｍ２駆動ＴＦＴのドレイン電極は、次の工程で形成されるＲＧＢ各色のアノード電極と接続できるように、図のように行毎及びサブ画素毎に異なった形状で形成する。
次に、図２５及び図２６に示すように、感光性の有機材料を堆積し平坦化膜１１０を形成する。そして、露光条件を最適化してテーパー角を調整し、Ｍ２駆動ＴＦＴのドレインに接続するためのコンタクトホール（×印を付した太い実線の部分）を開口する。その際、各サブ画素のＭ２駆動ＴＦＴのドレインとＲＧＢ各色のアノード電極１１１とを接続できるように、コンタクトホールを図のように行毎及びサブ画素毎に異なった場所に形成する。この上にＡｇ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｎｄ、Ｉｒ、Ｃｒおよびこれらの化合物金属で反射膜を堆積し、その上に続けてＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯ、Ｉｎ２Ｏ３等の透明膜を堆積し、同時にパターニングして各サブ画素のアノード電極１１１を形成する。その際、ＲＧＢ各色の発光領域を、データ線１０７ａ及びゲート電極１０５ａの延在方向に対して傾斜した方向に配列させるため、アノード電極１１１を図のように形成し、第２コンタクト部１１１ａでＭ２駆動ＴＦＴのドレインと接続する。なお、アノード電極１１１は、トップエミッション構造の場合は反射膜としても機能させるため反射膜が必要だが、ボトムエミッション構造の場合には反射膜を省き、ＩＴＯ等の透明膜のみで形成する。次に、スピンコート法等によって、例えば感光性の有機樹脂膜を堆積して素子分離膜１１２を形成し、パターニングを行って、各サブ画素のアノード電極１１１を底部に露出させた素子分離層を形成する。この素子分離層により、各サブ画素の発光領域が分離される。
次に、素子分離膜１１２を形成したガラス基板１０１を蒸着機にセットし、必要に応じてサブ画素の同色部のみに開口が形成されたＦＭＭ、または表示画面領域とその周辺のみを開口したオープンマスクを位置合わせして固定し、有機材料を蒸着してアノード電極１１１上に、有機ＥＬ層１１３を形成する。有機ＥＬ層１１３は、下層側から、例えば正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層などによって構成される。また、有機ＥＬ層１１３は、電子輸送層／発光層／正孔輸送層、電子輸送層／発光層／正孔輸送層／正孔注入層、電子注入層／電子輸送層／発光層／正孔輸送層あるいは発光層単独のいずれの構造でもよく、電子ブロッキング層等を追加してもよい。発光層の材質はサブ画素の色毎に異なり、必要に応じて正孔注入層や正孔輸送層等の膜厚もサブ画素毎に個別に制御する。
この有機ＥＬ層１１３の上に仕事関数が小さな金属、すなわちＬｉ、Ｃａ、ＬｉＦ／Ｃａ、ＬｉＦ／Ａｌ、Ａｌ、Ｍｇ及びこれらの化合物を蒸着してカソード電極１１４を形成する。カソード電極の膜厚は光取り出し効率を向上させ良好な視野角依存性を確保するため最適化される。カソード電極の抵抗が高く発光輝度の均一性が損なわれる場合には、その上にＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯまたはＩｎ２Ｏ３などの透明電極形成用の物質で補助電極層を追加する。さらに光取り出し効率向上のため、ガラスより屈折率の高い絶縁膜を堆積させキャップ層１１５を形成する。キャップ層は有機ＥＬ素子の保護層としての役割も果たす。
以上により、ＲＧＢの各サブ画素に対応する発光素子１１６が形成され、アノード電極１１１と有機ＥＬ層１１３とが接触した部分（素子分離膜１１２の開口部分）が各々、Ｒ発光領域１１７、Ｇ発光領域１１８、Ｂ発光領域１１９となる。
なお、発光素子１１６をボトムエミッション構造とする場合は、平坦化膜１１０の上層にカソード電極１１４（ＩＴＯなどの透明電極）を形成し、有機ＥＬ層１１３の上に、アノード電極１１１（反射電極）を形成すればよい。ボトムエミッション構造では光を上面に取り出す必要が無いため、Ａｌ等の金属膜を厚く形成することができ、カソード電極の抵抗値を大幅に減少させることができるため大型化に適しているが、ＴＦＴ素子や配線部分は光が透過できないため、発光領域が極端に小さくなり高精細化には適していない。
次に、ＴＦＴ基板１００の外周にガラスフリットを塗設し、その上に封止ガラス基板２００を載置し、ガラスフリット部をレーザー等を用いて加熱し、溶融させＴＦＴ基板１００と封止ガラス基板２００を密封する。その後、封止ガラス基板２００の光出射側にλ／４位相差板２０１、偏光板２０２を形成し、有機ＥＬ表示装置が完成する。
なお、図１９乃至図２６は、本実施例での有機ＥＬ表示装置の製造方法の一例であり、実施形態で示した画素配列構造が実現可能であれば、その製造方法は特に限定されない。
次に、本発明の第２の実施例に係る電気光学装置及び電気機器について、図２７乃至図３０を参照して説明する。本実施例では、有機ＥＬ表示装置の応用例として、有機ＥＬ表示装置を表示手段として備えた各種電気機器について説明する。
図２７乃至図３０は、本発明の電気光学装置（有機ＥＬ表示装置）を適用可能な電気機器の例を示している。図２７は、パーソナルコンピュータへの適用例、図２８は、ＰＤＡ（Personal Digital Assistants）や電子手帳、電子ブック、タブレット端末などの携帯端末機器への適用例、図２９は、スマートフォンへの適用例、図３０は携帯電話機への適用例である。これらの電気機器の表示部に、本発明の有機ＥＬ表示装置を利用することができる。なお、電気機器としては、表示装置を備えるものであれば特に限定はなく、例えば、デジタルカメラ、ビデオカメラ、ヘッドマウントディスプレイ、プロジェクタ、ファックス装置、携帯型ＴＶ、ＤＳＰ（Demand Side Platform）装置などに適用することができる。
次に、本発明の第３の実施例に係る電気光学装置及び電気機器について、図３１乃至図３４を参照して説明する。前記した第２の実施例では、本発明の電気光学装置としての有機ＥＬ表示装置を平面状の表示部を備える電気機器に適用する場合について説明したが、有機ＥＬ表示装置を変形可能な構造にすることにより、曲面状の表示部を必要とする電気機器に適用することができる。
図３１は、変形可能な有機ＥＬ表示装置の構造を示す断面図である。前記した第１の実施例と異なる点は、（１）ＴＦＴ部１０８ａ、１０８ｂ及び保持容量部１０９がフレキシブルな基板上に形成されること、（２）発光素子１１６上に封止ガラス基板２００を配置しないことである。
まず、（１）に関して、ガラス基板１０１上に、剥離液で除去可能な有機樹脂等の剥離膜１２０を形成し、その上にポリイミドなどの可撓性を有するフレキシブル基板１２１を形成する。次に、シリコン酸化膜やシリコン窒化膜等の無機薄膜１２２と有機樹脂等の有機膜１２３とを交互に積層する。そして、最上層の膜（ここでは無機薄膜１２４）の上に、第１の実施例で示した製造方法に従って、下地絶縁膜１０２、ポリシリコン層１０３、ゲート絶縁膜１０４、第１金属層１０５、層間絶縁膜１０６、第２金属層１０７、平坦化膜１１０を順次形成し、ＴＦＴ部１０８ａ、１０８ｂ及び保持容量部１０９を形成する。
また、（２）に関しては、平坦化膜１１０上にアノード電極１１１、素子分離膜１１２を形成し、素子分離膜１１２を除去したバンク層に有機ＥＬ層１１３、カソード電極１１４、キャップ層１１５を順次形成して発光素子１１６を形成する。その後、キャップ層１１５の上に、シリコン酸化膜やシリコン窒化膜等の無機薄膜１２４と有機樹脂等の有機膜１２５とを交互に積層し、最上層の膜（ここでは有機膜１２５）の上にλ／４位相差板１２６と偏光板１２７を形成する。
その後、ガラス基板１０１上の剥離膜１２０を剥離液などで除去し、ガラス基板１０１を取り外す。この構造では、ガラス基板１０１や封止ガラス基板２００がなく、有機ＥＬ表示装置全体が変形可能であるため、曲面状の表示部を必要とする様々な用途の電気機器、特に、ウェアラブルな電気機器に利用可能になる。
例えば、図３２に示すような手首に装着するリストバンド型電気機器（例えば、スマートフォンと連動する端末、ＧＰＳ（Global Positioning System）機能を備えた端末、脈拍や体温などの人体情報を測定する端末など）の表示部に本発明の有機ＥＬ表示装置を利用することができる。スマートフォンと連動する端末の場合は、端末に予め設けられた通信手段（例えば、Bluetooth（登録商標）やＮＦＣ（Near Field Communication）等の規格に従って動作する近距離無線通信部）を用いて受信した画像データや映像データを有機ＥＬ表示装置に表示させることができる。また、ＧＰＳ機能を備えた端末の場合は、ＧＰＳ信号に基づいて特定した位置情報や移動距離情報、移動速度情報などを有機ＥＬ表示装置に表示させることができる。また、人体情報を測定する端末の場合は、測定した情報を有機ＥＬ表示装置に表示させることができる。
また、図３３に示すような電子ペーパーに本発明の有機ＥＬ表示装置を利用することができる。例えば、電子ペーパーの端部に設けられた記憶部に記憶した画像データや映像データを有機ＥＬ表示装置に表示させたり、電子ペーパーの端部に設けられたインターフェイス手段（例えば、ＵＳＢ（Universal Serial Bus）などの有線通信部やイーサネット（登録商標）、ＦＤＤＩ（Fiber-Distributed Data Interface）、トークンリング等の規格に従って動作する無線通信部）を用いて受信した画像データや映像データを有機ＥＬ表示装置に表示させたりすることができる。
また、図３４に示すような顔に装着するグラス型電子機器の表示部に本発明の有機ＥＬ表示装置を利用することができる。例えば、眼鏡やサングラス、ゴーグルのツル（テンプル）などに設けられた記憶部に記憶した画像データや映像データを有機ＥＬ表示装置に表示させたり、ツル（テンプル）などに設けられたインターフェイス手段（例えば、ＵＳＢなどの有線通信部やBluetooth（登録商標）やＮＦＣ等の規格に従って動作する近距離無線通信部、ＬＴＥ（Long Term Evolution）／３Ｇなどの移動体通信網を利用して通信を行う移動体通信部）を用いて受信した画像データや映像データを有機ＥＬ表示装置に表示させたりすることができる。
なお、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない限りにおいて、電気光学装置の種類や構造、各構成物の材料、製造方法などは適宜変更可能である。
例えば、上記実施形態及び実施例では、サブ画素をＲＧＢの３色としたが、視感度が異なる任意の３色に対して本発明の画素配列構造を適用することができる。
また、本発明の電気光学装置は実施形態及び実施例で示した有機ＥＬ表示装置に限定されない。また、画素を構成する基板も実施形態及び実施例で示したＴＦＴ基板に限られない。また、画素を構成する基板は、アクティブ型の基板のみならず、パッシブ型の基板にも適用可能である。また、画素の制御する回路としてＭ１スイッチＴＦＴとＭ２駆動ＴＦＴとＣ１保持容量とで構成される回路（いわゆる２Ｔ１Ｃ回路）を例示したが、３つ以上のトランジスタを備える回路（例えば３Ｔ１Ｃ回路）などとしてもよい。
本発明は、ＲとＧを同じ列に並べて配置し、ＲとＧの次の列かつＲとＧの行にＢを配置したＳストライプ方式の画素アレイの開口部を任意の角度で回転させた画素配列構造の画素アレイ、当該画素アレイを備える有機ＥＬ表示装置などの電気光学装置、及びその電気光学装置を表示装置として利用する電気機器に利用可能である。
１００ ＴＦＴ基板
１０１ ガラス基板
１０２ 下地絶縁膜
１０３ ポリシリコン層
１０３ａ ｉ層
１０３ｂ ｐ−層
１０３ｃ ｐ＋層
１０４ ゲート絶縁膜
１０５ 第１金属層
１０５ａ ゲート電極
１０５ｂ 保持容量電極
１０６ 層間絶縁膜
１０７ 第２金属層
１０７ａ データ線
１０７ｂ 電力供給線
１０７ｃ 第１コンタクト部
１０８ ＴＦＴ部
１０８ａ Ｍ１スイッチＴＦＴ
１０８ｂ Ｍ２駆動ＴＦＴ
１０９ 保持容量部
１１０ 平坦化膜
１１１ アノード電極
１１１ａ 第２コンタクト部
１１２ 素子分離膜
１１３ 有機ＥＬ層
１１４ カソード電極
１１４ａ カソード電極形成領域
１１５ キャップ層
１１６ 発光素子
１１７ Ｒ発光領域
１１８ Ｇ発光領域
１１９ Ｂ発光領域
１２０ 剥離膜
１２１ フレキシブル基板
１２２ 無機薄膜
１２３ 有機膜
１２４ 無機薄膜
１２５ 有機膜
１２６ λ／４位相差板
１２７ 偏光板
１３１ 走査ドライバ
１３２ エミッション制御ドライバ
１３３ データ線ＥＳＤ保護回路
１３４ １：ｎ ＤｅＭＵＸ
１３５ ドライバＩＣ
１３６ ＦＰＣ
２００ 封止ガラス基板
２０１ λ／４位相差板
２０２ 偏光板
２１０ 多層膜封止基板
３００ ガラスフリットシール部

Claims (13)

  1. 視感度最高色である第一色のサブ画素と第二色のサブ画素と視感度最低色である第三色のサブ画素とで構成される画素が２次元に配列された画素アレイであって、
    各々の前記画素の前記第一色乃至第三色のサブ画素の回路要素は、行方向に配列され、
    前記第一色のサブ画素及び前記第二色のサブ画素の発光領域は、前記行方向に対して傾斜した第１の方向に配列され、
    前記第三色のサブ画素の発光領域は、前記第一色のサブ画素及び前記第二色のサブ画素の発光領域に対して、前記第１の方向に直交する第２の方向に配置され、
    前記サブ画素の回路要素に接続されるデータ線は列方向に延在し、
    前記第一色及び前記第二色の２色のサブ画素の回路要素に接続されるデータ線と、前記第二色及び前記第三色の２色のサブ画素の回路要素に接続されるデータ線と、前記第三色及び前記第一色の２色のサブ画素の回路要素に接続されるデータ線とが繰り返し配置される、
    ことを特徴とする画素アレイ。
  2. 各々の前記データ線は、奇数列では、前記２色の内の前者の色のサブ画素の回路要素に接続され、偶数列では、前記２色の内の後者の色のサブ画素の回路要素に接続される、
    ことを特徴とする請求項１に記載の画素アレイ。
  3. 前記第二色のサブ画素の回路要素と、前記第一色のサブ画素の回路要素と、前記第三色のサブ画素の回路要素と、がこの順に前記行方向に配置され、
    奇数列の前記第二色のサブ画素の回路要素に接続される前記データ線は、偶数列では、前記第三色のサブ画素の回路要素に接続され、
    奇数列の前記第一色のサブ画素の回路要素に接続される前記データ線は、偶数列では、前記第二色のサブ画素の回路要素に接続され、
    奇数列の前記第三色のサブ画素の回路要素に接続される前記データ線は、偶数列では、前記第一色のサブ画素の回路要素に接続される、
    ことを特徴とする請求項２に記載の画素アレイ。
  4. 前記第１の方向又は前記第２の方向に隣接する２つの画素の、各々１つの前記第一色のサブ画素と前記第二色のサブ画素と前記第三色のサブ画素とを組み合わせて、画像の境界が表示される、
    ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一に記載の画素アレイ。
  5. 前記画像の境界の延在方向に応じて、前記２つの画素の３色のサブ画素の組み合わせが変化する、
    ことを特徴とする請求項４に記載の画素アレイ。
  6. 前記第一色のサブ画素及び前記第二色のサブ画素の発光領域は、前記第三色のサブ画素の発光領域の中心を通る前記第２の方向の線に対して、前記第１の方向に沿って前記第一色のサブ画素側にずれている、
    ことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一に記載の画素アレイ。
  7. 前記第一色はＧ（Green）、前記第二色はＲ（Red）、前記第三色はＢ（Blue）である、ことを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一に記載の画素アレイ。
  8. 請求項１乃至７のいずれか一に記載の画素アレイと、前記画素アレイを駆動する回路部と、を備える、ことを特徴とする電気光学機器。
  9. 前記発光領域が有機エレクトロルミネッセンス材料を含む請求項１乃至７のいずれか一に記載の画素アレイと、前記画素アレイを駆動する回路部と、が基板上に形成された有機エレクトロルミネッセンス装置を表示装置として備える、ことを特徴とする電気機器。
  10. 視感度最高色である第一色のサブ画素と第二色のサブ画素と視感度最低色である第三色のサブ画素とで構成される画素が２次元に配列された画素アレイの駆動方法であって、
    前記第一色のサブ画素及び前記第二色のサブ画素の発光領域は、表示領域の辺に対して傾斜した第１の方向に配列され、
    前記第三色のサブ画素の発光領域は、前記第一色のサブ画素及び前記第二色のサブ画素の発光領域に対して、前記第１の方向に直交する第２の方向に配置されており、
    前記画素の駆動パターンを、
    前記第一色のサブ画素と前記第二色のサブ画素と前記第三色のサブ画素の全てを点灯する第１パターン、
    前記第一色のサブ画素と前記第二色のサブ画素とを点灯する第２パターン、
    前記第一色のサブ画素と前記第三色のサブ画素とを点灯する第３パターン、
    前記第二色のサブ画素と前記第三色のサブ画素とを点灯する第４パターン、
    前記第一色のサブ画素を点灯する第５パターン、
    前記第二色のサブ画素を点灯する第６パターン、
    前記第三色のサブ画素を点灯する第７パターンに分類し、
    前記表示領域に表示する画像に応じて、前記画像の境界近傍の前記第１の方向又は前記第２の方向に隣接する複数の画素に対応するパターンの組み合わせを決定し、
    前記複数の画素を決定したパターンの組み合わせで駆動する、
    ことを特徴とする画素アレイの駆動方法。
  11. 前記境界近傍の前記第１の方向又は前記第２の方向に隣接する２つの画素を、前記第２パターンと前記第７パターン、又は、前記第３パターンと前記第６パターン、又は、前記第４パターンと前記第５パターン、の組み合わせで駆動する、
    ことを特徴とする請求項１０に記載の画素アレイの駆動方法。
  12. 前記境界近傍の前記第１の方向又は前記第２の方向に隣接する３つの画素を、前記第１パターンと前記第２パターンと前記第７パターン、又は、前記第１パターンと前記第３パターンと前記第６パターン、又は、前記第１パターンと前記第４パターンと前記第５パターン、の組み合わせで駆動する、
    ことを特徴とする請求項１０に記載の画素アレイの駆動方法。
  13. 前記第一色はＧ（Green）、前記第二色はＲ（Red）、前記第三色はＢ（Blue）である、ことを特徴とする請求項１０乃至１２のいずれか一に記載の画素アレイの駆動方法。
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