CN110364552B - 显示设备和制造显示设备的方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种显示设备和制造显示设备的方法,所述显示设备包括:多个第一类型像素线,多个第二类型像素线,第一类型像素线包括第一类型端部像素,该第一类型端部像素被设置在第一方向的相对侧上的端部处以及在第二方向上像素线的第二方向的相对侧上的端部处。第二类型像素线包括第二类型端部像素,第二类型端部像素被设置在第一方向的相对侧上的端部处以及在第二方向上像素线的第二方向的相对侧上的端部处。用于第一类型端部像素的发光元件的驱动晶体管的沟道宽度窄于用于在第一方向、第一方向的相对方向、第二方向、第二方向的相对方向的四个方向上由其他像素围绕的内部像素的发光元件的驱动晶体管的沟道宽度。

Description

显示设备和制造显示设备的方法
技术领域
本公开涉及显示设备和制造显示设备的方法。
背景技术
彩色显示设备的显示区域通常由排列在显示面板的基板上的红色(R)子像素、绿色(G)子像素和蓝色(B)子像素组成。已经提出了各种子像素布置(像素布置);例如,RGB条纹布置和delta-nabla布置(也简称为delta布置)是已知的(例如,参考JP 2003-271088A)。
近年来,由于显示区域的弯曲角,许多产品在设计方面已被改进。然而,关于delta-nabla布置,沿着弯曲角(也称为R角)的锯齿(jag)往往是显著的,从而损害了图像质量。
发明内容
因此,需要一种用于消除采用delta-nabla布置的显示设备的R角中的图像质量损害的技术。
本公开的一个方面是一种显示设备,包括:多个第一类型像素线,其均由设置在显示区域中的第一方向上的多个第一类型像素组成;以及多个第二类型像素线,其均由设置在显示区域中的第一方向上的多个第二类型像素组成。多个第一类型像素线和多个第二类型像素线被交替设置在垂直于第一方向的第二方向上。每个第一类型像素由在第二方向上设置的第一红色子像素和第一蓝色子像素、以及在第一方向的相对方向上沿第一红色子像素和第一蓝色子像素的相对侧设置并且在第二方向上在第一红色子像素和第一蓝色子像素之间的第一绿色子像素组成。每个第二类型像素由在第二方向上设置的第二红色子像素和第二蓝色子像素、以及在第一方向上沿第二红色子像素和第二蓝色子像素的相对侧设置并且在第二方向上在第二红色子像素和第二蓝色子像素之间的第二绿色子像素组成。多个第一类型像素线包括多个第一类型端部像素,每个第一类型端部像素被设置在第一方向的相对侧上的端部处以及在第二方向上延伸的像素线的第二方向的相对侧上的端部处。多个第二类型像素线包括多个第二类型端部像素,每个第二类型端部像素被设置在第一方向的相对侧上的端部处以及在第二方向上延伸的像素线的第二方向的相对侧上的端部处。用于多个第一类型端部像素的发光元件的驱动晶体管的沟道宽度窄于用于在第一方向、第一方向的相对方向、第二方向和第二方向的相对方向的四个方向上被其他像素围绕的内部像素的发光元件的驱动晶体管的沟道宽度,。
本公开的一个方面消除或减少了采用delta-nabla布置的显示设备中的图像质量的损害。要理解的是前面的总体性描述和以下的详细描述两者都是示例性和说明性的,而不是对此公开的限制。
附图说明
图1示意性地示出了OLED显示设备的配置示例;
图2示出了顶部发射像素结构的示例;
图3A示出了像素电路的示例;
图3B示出了像素电路的另一示例;
图4示出了驱动器IC的逻辑元件;
图5示出了delta-nabla面板中的像素设置;
图6示出了图5所示的显示区域的部分中所包括的端部像素;
图7示出了向包括凸R角上的向外定向的绿色子像素的端部像素分配不同亮度值的示例;
图8示出了包括向外定向的绿色子像素的端部像素与包括向外定向的绿色子像素的相邻端部像素的角度的示例;
图9示意性地示出了包括显示区域的边界的部分区域;
图10示出了凹R角上的第一类型端部像素和第二类型端部像素;
图11示出了包括凹R角上的向外定向的绿色子像素的端部像素的位置关系;
图12A是正常像素的内部像素和低亮度像素的第一类型端部像素的像素电路的平面图;
图12B示出了像素电路的半导体层的图案;
图12C示出了像素电路的M1金属层的图案;
图12D示出了像素电路的半导体层和M1金属层的图案;
图12E示出了像素电路的M2金属层的图案;以及
图12F示出了像素电路的阳极层的图案。
具体实施方式
在下文中,将参考附图来描述此公开的实施例。应当注意的是,实施例仅是用于实施此公开的示例,而不是限制此公开的技术范围。图中共有的元件由相同的附图标记来表示。
显示设备的配置
参考图1描述该实施例中的显示设备的整体配置。为了清楚地理解描述,图可以夸大元件的尺寸或形状。在下文中,有机发光二极管(OLED)显示设备被描述为显示设备的示例;然而,本公开的特征适用于除OLED显示设备之外的任何类型的显示设备,诸如液晶显示设备或量子点显示设备。
图1示意性地示出了OLED显示设备10的配置示例。OLED显示设备10包括OLED显示面板和控制设备。OLED显示面板包括其上形成有OLED元件的薄膜晶体管(TFT)基板100、用于封装OLED元件的封装基板200、以及用于将TFT基板100与封装基板200进行粘合的粘合剂(玻璃熔料密封剂)300。TFT基板100和封装基板200之间的空间填充有干燥空气并用粘合剂300密封住。
在形成比TFT基板100的显示区域125更靠外的区域114的阴极的外周中,提供了扫描驱动器131、发射驱动器132、保护电路133和驱动器IC 134。它们经由柔性印刷电路(FPC)135连接到外部设备。驱动器IC 134被包括在控制设备中。扫描驱动器131、发射驱动器132和保护电路133被包括在控制设备或OLED显示面板和显示设备的组合中。
扫描驱动器131驱动TFT基板100上的扫描线。发射驱动器132驱动发射控制线以控制子像素的发光周期。保护电路133保护元件免受静电放电。驱动器IC 134安装有例如各向异性导电膜(ACF)。
驱动器IC 134向扫描驱动器131和发射驱动器132提供功率和定时信号(控制信号),并且还向数据线提供与画面数据相对应的信号。换句话说,驱动器IC134具有显示控制功能。如稍后将描述的,驱动器IC 134具有将画面帧的像素的相对亮度数据转换为显示面板的子像素的相对亮度数据的功能。
在图1中,从左向右延伸的轴被称为X轴,并且从顶部向底部延伸的轴被称为Y轴。扫描线沿X轴延伸。在显示区域125内沿X轴的线中设置的像素或子像素被称为像素行或子像素行;在显示区域125内沿Y轴的线中设置的像素或子像素被称为像素列或子像素列。
接下来,描述OLED显示设备10的详细结构。图2示意性地示出了OLED显示设备10的横截面结构的一部分。OLED显示设备10包括TFT基板100和与TFT基板100相对的封装结构单元。封装结构单元的示例是柔性或非柔性封装基板200。例如,封装结构单元可以是薄膜封装(TFE)结构。
TFT基板100包括多个下电极(例如,阳极162)、一个上电极(例如,阴极166)、以及设置在绝缘基板151和封装结构单元之间的多个有机发光膜165。阴极166是透明电极,其将来自有机发光膜165的光传输到封装结构单元。
有机发光膜165被设置在阴极166和阳极162之间。多个阳极162被设置在相同平面上(例如,在平坦化膜161上),并且有机发光膜165被设置在阳极162上。
OLED显示设备10还包括朝向封装结构单元竖立的多个间隔部164和各自包括多个开关的多个电路。多个电路中的每一个被形成在绝缘基板151和阳极162之间,并控制供应给阳极162的电流。
图2示出了顶部发射像素结构的示例。顶部发射像素结构以这样的方式配置:将多个像素共用的阴极166提供在发光侧(图中的上侧)。阴极166具有完全覆盖整个显示区域125的形状。本公开的特征还适用于具有底部发射像素结构的OLED显示设备。底部发射像素结构具有透明阳极和反射阴极,以通过TFT基板100向外部发射光。
在下文中,更详细地描述OLED显示设备10。TFT基板100包括排列在显示区域125内的子像素和提供在显示区域125周围的布线区域中的线。这些线将像素电路与提供在布线区域中的电路131、132和134连接。
该实施例中的显示区域125由以delta-nabla布置而被排列的子像素组成。稍后将描述delta-nabla布置的细节。在下文中,OLED显示面板可以被称为delta-nabla面板。子像素是用于显示红色(R)、绿色(G)和蓝色(B)中的一种颜色的发光区域。尽管下面描述的示例以这三种颜色的组合来显示图像,但是OLED显示设备10可以以与这三种颜色不同的三种颜色的组合来显示图像。
发光区域被包括在OLED元件中,该OLED元件由下电极的阳极、有机发光膜和上电极的阴极组成。多个OLED元件由一个阴极166、多个阳极162和多个有机发光膜165形成。
绝缘基板151例如由玻璃或树脂制成,并且是柔性的或非柔性的。在以下描述中,将靠近绝缘基板151的一侧定义为下侧,并且将远离绝缘基板151的一侧定义为上侧。栅极157被提供在栅极绝缘膜156上。层间绝缘膜158被提供在栅极157上方。
在显示区域125内,源极159和漏极160被提供在层间绝缘膜158上方。源极159和漏极160由具有高熔点的金属或这种金属的合金形成。每个源极159和每个漏极160通过层间绝缘膜158的接触孔中所提供的接触部(contact)168和169而与绝缘层152上的沟道155连接。
在源极159和漏极160上方,提供了绝缘平坦化膜161。在绝缘平坦化膜161上方,提供了阳极162。每个阳极162通过平坦化膜161中的接触孔中所提供的接触部而与漏极160连接。像素电路(TFT)被形成在阳极162下方。
在阳极162上方,提供了绝缘像素限定层(PDL)163以分离OLED元件。OLED元件由层压在一起的阳极162、有机发光膜165和阴极166(其一部分)组成。OLED元件的发光区域被形成在像素限定层163的开口167中。
每个绝缘间隔部164被提供在像素限定层163上并且在阳极162之间。间隔部164的顶面位于比像素限定层163的顶面更高或更靠近封装基板200,并且在封装基板200变形时通过支撑封装基板200而维持OLED元件和封装基板200之间的空间。
在每个阳极162上方,提供了有机发光膜165。有机发光膜165与像素限定层163的开口167及其外周中的像素限定层163接触。阴极166被提供在有机发光膜165上。阴极166是透明电极。阴极166透射来自有机发光膜165的全部或部分可见光。
形成在像素限定层163的开口167中的阳极162、有机发光膜165和阴极166的层压膜对应于OLED元件。电流仅在像素限定层163的开口167内流动,并且因此,暴露在开口167中的有机发光膜165的区域是OLED元件的发光区域或子像素。阴极166对于分别形成的阳极162和有机发光膜165(OLED元件)是共用的。未示出的盖层可以被提供在阴极166上方。
封装基板200是透明绝缘基板,其可以由玻璃制成。λ/4板201和偏振板202被提供在封装基板200的发光表面(顶面)上方,以防止从外部进入的光的反射。
像素电路的配置
多个像素电路被形成在基板100上以控制要供应给子像素的阳极的电流。图3A示出了像素电路的配置示例。每个像素电路包括第一晶体管T1、第二晶体管T2、第三晶体管T3和存储电容器C1。像素电路控制子像素的OLED元件E1的发光。晶体管是薄膜晶体管(TFT)。在下文中,第一晶体管T1至第三晶体管T3被简称为晶体管T1至晶体管T3。
晶体管T2是用于选择子像素的开关。晶体管T2是p沟道TFT,并且其栅极端子与扫描线106连接。漏极端子与数据线105连接。源极端子与晶体管T1的栅极端子连接。
晶体管T1是用于驱动OLED元件E1的晶体管(驱动TFT)。晶体管T1是p沟道TFT,并且其栅极端子与晶体管T2的源极端子连接。晶体管T1的源极端子与电源线(Vdd)108连接。漏极端子与晶体管T3的源极端子连接。存储电容器C1被提供在晶体管T1的栅极端子和源极端子之间。
晶体管T3是用于控制到OLED元件E1的驱动电流的供应/停止的开关。晶体管T3是p沟道TFT,并且其栅极端子与发射控制线107连接。晶体管T3的源极端子与晶体管T1的漏极端子连接。漏极端子与OLED元件E1连接。
接下来,描述像素电路的操作。扫描驱动器131将选择脉冲输出给扫描线106以开启晶体管T2。从驱动器IC 134通过数据线105供应的数据电压被存储到存储电容器C1。存储电容器C1在一帧的周期期间保持所存储的电压。晶体管T1的电导根据所存储的电压以模拟方式改变,使得晶体管T1将对应于发光电平的正向偏置电流供应给OLED元件E1。
晶体管T3位于驱动电流的供应路径上。发射驱动器132将控制信号输出到发射控制线107,以控制晶体管T3开启或关闭。当晶体管T3开启时,驱动电流被供应给OLED元件E1。当晶体管T3关闭时,该供应停止。可以通过开启和关闭晶体管T3来控制一个场的周期中的点亮周期(占空比)。
图3B示出了像素电路的配置示例。与图3A中的像素电路的不同之处在于晶体管T3。晶体管T2是具有与图3A中的晶体管T2相同功能的开关,或者是用于选择子像素的开关。
晶体管T3可被用于各种目的。例如,晶体管T3可被用于将OLED元件E1的阳极一次复位到低于黑信号电平的足够低的电压,以防止由OLED元件E1之间的漏电流引起的串扰。为方便起见,用于控制晶体管T3的栅极的复位线由附图标记107表示,其与图3A中的发射控制线107的附图标记相同。
晶体管T3还可以被用于测量晶体管T1的特性。例如,通过在使得晶体管T1将在饱和区域中操作并且开关晶体管T3将在线性区域中操作所选择的偏置条件下测量从电源线(Vdd)108流到参考电压供应线(Vref)109的电流,可以准确地测量晶体管T1的电压-电流特性。如果通过在外部电路生成数据信号来补偿各个子像素的晶体管T1之间的电压-电流特性的差异,则可以获得高度均匀的显示图像。
同时,当晶体管T1截止且晶体管T3在线性区域中操作时,通过施加来自参考电压供应线109的用于点亮OLED元件E1的电压,可以准确地测量OLED元件E1的电压-电流特性。在OLED元件E1由于长期使用而劣化的情况下,例如,如果通过在外部电路处生成数据信号来补偿该劣化,则显示设备可以具有长寿命。
图3A和图3B中的电路配置是示例;像素电路可以具有不同的电路配置。尽管图3A和图3B中的像素电路采用p沟道TFT,但像素电路可以采用n沟道TFT。
驱动器IC的配置
图4示出了驱动器IC 134的逻辑元件。驱动器IC 134包括伽马转换器341、相对亮度转换器342、逆伽马转换器343、驱动信号发生器344和数据驱动器345。
驱动器IC 134从未示出的主控制器接收画面信号和画面信号定时信号。画面信号包括连续画面帧的数据(信号)。伽马转换器341将包括在输入画面信号中的RGB标度值(信号)转换为RGB相对亮度值。更具体地,伽马转换器341将每个画面帧的各个像素的R标度值、G标度值和B标度值转换为R相对亮度值(LRin)、G相对亮度值(LGin)和B相对亮度值(LBin)。像素的相对亮度值是画面帧中归一化的亮度值。
相对亮度转换器342将画面帧的各个像素的R、G、B相对亮度值(LRin、LGin、LBin)转换为用于OLED显示面板的子像素的R、G、B相对亮度值(LRp、LGp、LBp)。子像素的相对亮度值是OLED显示面板中归一化的子像素的亮度值。
要显示的图像数据的像素数量不总是等于显示面板的像素数量;可见分辨率(apparent resolution)可以通过渲染来提高。在这种情况下,驱动器IC 134首先执行渲染,并且然后执行上述处理,以将分配给显示面板的子像素的像素的R、G、B相对亮度值转换为OLED显示面板的子像素的R、G、B相对亮度值。
逆伽马转换器343将由相对亮度转换器342计算出的R子像素、G子像素和B子像素的相对亮度值转换为R子像素、G子像素和B子像素的标度值。数据驱动器345根据R子像素、G子像素和B子像素的标度值将驱动信号发送到像素电路。
驱动信号发生器344将输入画面信号定时信号转换为OLED显示面板的显示控制驱动信号。画面信号定时信号包括用于确定数据传输速率的点时钟(像素时钟)、水平同步信号、垂直同步信号和数据使能信号。
驱动信号发生器344从输入画面信号定时信号中的点时钟、数据使能信号、垂直同步信号和水平同步信号生成delta-nabla面板的数据驱动器345、扫描驱动器131和发射驱动器132的控制信号(或面板的驱动信号),并且将该信号输出给驱动器。
Delta-Nabla面板中的像素配置
图5示出了delta-nabla面板中的像素设置。图5示意性地示出了包括显示区域125的边界(边缘)的部分区域。图5示出了具有凸状弯曲边界的部分。曲线255表示显示区域125的虚拟设计边界。根据曲线255确定显示区域125的边缘上的像素和子像素的设置。在下文中,包括凸状或凹状弯曲边界的部分被称为R角。
显示区域125由设置在平面中的多个红色子像素41R、多个绿色子像素41G和多个蓝色子像素41B组成。在图5中,作为示例,红色子像素中的一个、绿色子像素中的一个和蓝色子像素中的一个提供有附图标记。图5中相同阴影线的圆角矩形表示相同颜色的子像素。尽管图5中的子像素具有矩形形状,但是子像素可以具有期望的形状,诸如六边形或八边形。
显示区域125包括在X方向上并排设置的多个子像素列42。在图5中,作为示例,子像素列中的一个提供有附图标记42。每个子像素列42由在图5中的Y方向上一个在另一个上设置的子像素组成。X方向(第一方向)是从图5的左侧向右侧延伸的方向,并且Y方向(第二方向)是从图5的顶部向底部延伸的方向。X方向和Y方向在设置了子像素的平面中彼此垂直。
每个子像素列42由以预定节距依次设置的红色子像素41R、绿色子像素41G和蓝色子像素41B组成。在图5的示例中,子像素以红色子像素41R、蓝色子像素41B和绿色子像素41G的顺序循环地设置。彼此相邻的两个子像素列42在Y方向上被不同地定位;一个子像素列42的每个子像素在Y方向上位于另一个子像素列42中的另外两种颜色的子像素之间。
在图5的示例中,每个子像素列相对于相邻的子像素列被移位半个节距。一个节距是Y方向上相同颜色的子像素之间的距离。例如,绿色子像素位于Y方向上的相邻子像素列42的红色子像素和蓝色子像素之间的中间处。
显示区域125包括在Y方向上一个在另一个上设置的多个子像素行43。在图5中,作为示例,绿色子像素行中的一个提供有附图标记43。每个子像素行43由以预定节距在X方向上并排布置的子像素组成。在图5的示例中,每个子像素行43由相同颜色的子像素组成。每个子像素行43被Y方向上的其他两种颜色的子像素行夹在中间。
在X方向上,子像素行43的每个子像素位于相邻的子像素行43中彼此相邻的子像素之间。在图5的示例中,每个子像素行相对于相邻的子像素行被移位半个节距。一个节距是子像素行43中彼此相邻的子像素之间的距离。子像素位于X方向上的相邻子像素行43中彼此相邻的两个子像素之间的中间处。
在本实施例中,为了描述的目的,在X方向上延伸的子像素线被称为子像素行,并且在Y方向上延伸的子像素线被称为子像素列;然而,子像素行和子像素列的定向不限于这些示例。
显示区域125包括以矩阵设置的两种类型的像素。两种类型的像素是第一类型像素51和第二类型像素52。在图5中,作为示例,仅一个第一类型像素提供有附图标记51,并且仅一个第二类型像素提供有附图标记52。第一类型像素或第二类型像素是delta-nabla布置中的delta像素,并且剩余的是nabla像素。
在图5中,第一类型像素51中的一些由被定向为使得顶点中的一个位于左侧且其他两个顶点位于右侧的三角形指示。另外,第二类型像素52中的一些由被定向为使得顶点中的一个位于右侧且其他两个顶点位于左侧的三角形指示。图5中的右侧在X方向侧,并且图5中的左侧在X方向的相对侧。像素51可以被称为第二类型像素,并且像素52可以被称为第一类型像素。
第一类型像素51和第二类型像素52均由一个绿色子像素41G以及邻近该子像素41G的子像素列42中的邻近(最接近)该绿色子像素41G的红色子像素41R和蓝色子像素41B组成。
在第一类型像素51中,红色子像素41R和蓝色子像素41B被连续地设置在相同的子像素列42中。包括绿色子像素41G的子像素列42与X方向侧上或图5中的右侧上包括红色子像素41R和蓝色子像素41B的子像素列42相邻。绿色子像素41G位于红色子像素41R和蓝色子像素41B之间,更具体地,位于Y方向上红色子像素41R和蓝色子像素41B之间的中间处。
在第二类型像素52中,红色子像素41R和蓝色子像素41B被连续地设置在相同的子像素列42中。包括绿色子像素41G的子像素列42与在X方向的相对侧上或图5中的左侧上包括红色子像素41R和蓝色子像素41B的子像素列42相邻。绿色子像素41G位于红色子像素41R和蓝色子像素41B之间,更具体地,位于Y方向上红色子像素41R和蓝色子像素41B之间的中间处。
显示区域125包括在X方向上延伸并且在Y方向上一个在另一个上设置的多个像素行(在X方向上延伸的像素线)。多个像素行包括两种类型的像素行:第一类型像素行61和第二类型像素行62。在图5中,作为示例,第一类型像素行中的一个提供有附图标记61。此外,作为示例,第二类型像素行中的一个提供有附图标记62。
第一类型像素行61由在X方向上并排设置的第一类型像素51组成。第二类型像素行62由在X方向上并排设置的第二类型像素52组成。在显示区域125中,第一类型像素行61和第二类型像素行62在Y方向上交替设置。
显示区域125包括在Y方向上延伸并且在X方向上并排设置的多个像素列(在Y方向上延伸的像素线)63。在图5中,作为示例,像素列中的一个提供有附图标记63。每个像素列由以预定节距在Y方向上交替设置的第一类型像素51和第二类型像素52组成。
图6示出了图5中所示的显示区域125的一部分中所包括的端部像素。端部像素是设置在像素行的端部和像素列的端部处的像素。第一类型像素的端部像素被称为第一类型端部像素,并且第二类型像素的端部像素被称为第二类型端部像素。设置在至少像素行的端部处或像素列的端部处的像素被称为边界像素。端部像素也是边界像素。边界像素的位置根据边界255确定。
图6包括第一类型端部像素51A至51E和第二类型端部像素52A、52B和52C。例如,第一类型端部像素51D位于第一类型像素行61A的左端部处以及还位于像素列63B的上端部处。第二类型端部像素52A位于第二类型像素行62A的左端部处以及还位于像素列63A的上端部处。像素行或像素列可以由单个像素组成。单个像素被设置在像素行或像素列的端部处。
由于端部像素位于像素行的端部和像素列的端部处,所以端部像素在沿像素行和像素列的两个方向上暴露于显示区域的外部。在图6的示例中,第一类型端部像素51A至51E和第二类型端部像素52A、52B和52C被设置在像素行的左端部(X方向的相对侧上的端部)处且在像素列的上端部(Y方向的相对侧上的端部)处。第一类型端部像素51A至51E和第二类型端部像素52A、52B和52C在左侧(X方向的相对侧上)和顶部(Y方向的相对侧上)处被暴露。
第一类型端部像素51A至51E在其中的绿色子像素41G处被暴露。第二类型端部像素52A、52B和52C在其中的绿色子像素41G的相对处(在其中的红色子像素41R和蓝色子像素41B处)被暴露。换句话说,第一类型端部像素51A至51E的绿色子像素41G被朝着显示区域125的外部定向,并且第二类型端部像素52A、52B和52C的绿色子像素41G被朝着显示区域125的内部定向。
如图6所示,在第一类型端部像素51A至51E中的每一个中,从像素的质心朝向其绿色子像素41G指向的矢量与显示区域边界255上的最接近上述质心的点处向外指向的法向矢量之间的角度是锐角。相反,在第二类型端部像素52A、52B和52C中的每一个中,从像素的质心朝向其绿色子像素41G指向的矢量与显示区域边界255上的最接近上述质心的点处向外指向的法向矢量之间的角度是钝角。
亮度调整
发明人的研究揭示了,如果绿色子像素向外定向,则明显地看到R角上的端部像素(其绿色子像素)使R角上的锯齿突出。由于这个原因,OLED显示设备10相对地降低了明显看到的R角上的像素的亮度。
OLED显示设备10响应于相同的输入信号,将特定端部像素的亮度降低到低于其他像素的亮度的水平。这种操作(平滑)使R角上的锯齿不那么显著。如稍后将描述的,通过向驱动晶体管T1提供不同的沟道宽度,使相同输入画面信号的像素的亮度不同。
具体地,OLED显示设备10将第一类型端部像素51A至51E的亮度降低至相对低于内部像素56的亮度的水平。内部像素56是由其他像素围绕的像素,更具体地,是与X方向、X方向的相对方向、Y方向和Y方向的相对方向的四个方向上的其他像素相邻的像素。
OLED显示设备10响应于相同的输入画面信号,将第一类型端部像素51A至51E的亮度降低至低于内部像素56的亮度的水平。OLED显示设备10可以将第一类型端部像素51A至51E中的一部分(例如,仅第一类型端部像素51A和52B)的亮度降低至低于内部像素56的亮度的水平。
包括向外定向的绿色子像素的端部像素比包括向内定向的绿色子像素的端部像素以及除端部像素之外的边界像素被更明显地看到。OLED显示设备10响应于相同的输入画面信号,将第一类型端部像素51A至51E的亮度降低至低于第二类型端部像素52A、52B和52C的亮度的水平。另外,OLED显示设备10响应于相同的输入画面信号,将第一类型端部像素51A至51E的亮度降低至低于不是端部像素的边界像素的亮度的水平。
OLED显示设备10响应于相同的输入画面信号,使包括向内定向的绿色子像素的端部像素的亮度与内部像素以及不是端部像素的边界像素的亮度相等。这是因为包括向内定向的绿色子像素的端部像素和内部像素或不是端部像素的边界像素之间的可见性方面不存在显著差异。包括向内定向的绿色子像素的端部像素的亮度可以低于内部像素和/或不是端部像素的边界像素的亮度。
图6示出了凸R角。OLED显示设备10可以向包括凸R角中所包括的向外定向的绿色子像素的端部像素分配不同的亮度值。图7示出了向凸R角上的包括向外定向的绿色子像素的端部像素分配不同亮度值的示例。
如图7所示,R角包括在X方向和Y方向上不同地定位的多个端部像素。在图7的示例中,第一类型端部像素51A至51E和第二类型端部像素52A、52B和52C的位置在X方向和Y方向上不同。此外,在凸R角中,第一类型端部像素51A和51E的绿色子像素41G之间的第一类型端部像素51B、51C和51D的绿色子像素41G位于比连接第一类型端部像素51A和51E的绿色子像素41G的线256更外处。
在图7所示的示例中,OLED显示设备10响应于相同的输入画面信号,将第一类型端部像素51B的亮度降低至低于第一类型端部像素51C、51D和51E的亮度的水平。这是因为第一类型端部像素51B可以比第一类型端部像素51C、51D和51E更明显地看到。
第一类型端部像素51B在下侧或Y方向上与第二类型像素53A相邻。第二类型像素53A是位于第二类型像素行的端部处的边界像素,并且在左侧或在X方向的相对侧上被暴露(不具有相邻的第二类型像素)。
相反,第一类型端部像素51C例如在Y方向上(在下侧上)与第二类型像素53B相邻。在第二类型像素53B的左侧存在另一第二类型端部像素52A。换句话说,第二类型像素53B与设置在X方向的相对侧上的第二类型端部像素52A相邻。另一第一类型端部像素51D和51E均具有设置在左下方的另一第二类型像素。
在OLED显示设备10中,具有相对低亮度的像素的驱动晶体管T1比具有相对高亮度的像素的驱动晶体管T1具有更窄的沟道。根据对应像素的亮度的校正系数来确定驱动晶体管T1的沟道宽度。
例如,像素YR,G,B的亮度值可以由αk×(d/255)γ来表示,其中αk表示校正系数,d表示标度值,并且γ表示伽马值。在示例中,令第一类型端部像素51A、51C和51D的校正系数为α2,第一类型端部像素51B的校正系数为α3,并且第一类型端部像素51E的校正系数为α1,则满足α0(=1.0)>α123的关系。图7中其他边界像素的校正系数是α0(=1.0)。因此,在图7所示的像素中,第一类型端部像素51B的亮度对于相同的输入信号是最低的。
根据校正系数αk来设计像素的驱动晶体管T1的沟道宽度。当校正系数αk取较小值时,沟道宽度被确定为较窄。响应于相同的栅极信号,具有窄沟道的驱动晶体管T1向发光元件提供较小的驱动电流。当沟道宽度较窄时,像素的亮度较低。
像素的亮度调整保持色度。因此,防止了由亮度调整引起的颜色变化。使包括向外定向的绿色子像素的端部像素中被更明显看到的像素的亮度相对降低的这种操作可以更有效地防止图像质量的损害。
包括向外定向的绿色子像素的端部像素的亮度校正系数αk根据像素的设置来确定。在示例中,亮度校正系数αk根据包括向外定向的绿色子像素的端部像素处的边界255的曲率半径来确定。例如,在包括向外定向的绿色子像素的端部像素中,边界255上的最接近端部像素的质心的点被选择并且边界255在该点处的曲率半径被确定。当曲率半径较大时,分配较小的亮度校正系数αk。例如,多个曲率半径范围被定义,并且每个范围被分配亮度校正系数αk
在另一示例中,基于与具有向外定向的绿色子像素的相邻端部像素的角度来确定包括向外定向的绿色子像素的端部像素的亮度校正系数αk。图8示出了包括向外定向的绿色子像素的端部像素与包括向外定向的绿色子像素的相邻端部像素的角度的示例。第一类型端部像素511A被与其相邻的第一类型端部像素511B和511C夹在中间。
在连接第一类型端部像素511A的特定点和第一类型端部像素511B的对应点的线与连接第一类型端部像素511A的相同点和第一类型端部像素511C的对应点的线之间的内侧角或开口朝向显示区域的角由θ1表示。基于角度θ1确定要分配给第一类型端部像素511A的亮度校正系数αk。当角度θ1较小时,分配较小的亮度校正系数αk。例如,针对角度θ1定义多个范围,并且每个范围被分配亮度校正系数αk
接下来,描述凹R角的示例。图9示出了delta-nabla面板中的像素设置的另一示例。图9示意性地示出了包括显示区域125的边界(边缘)的部分区域。图9示出了具有凹状弯曲边界255的部分。
在图9中,作为示例,第一类型像素中的仅一个提供有附图标记51,并且第二类型像素中的仅一个提供有附图标记52。在图9中,作为示例,第一类型像素行中的一个提供有附图标记61,并且第二类型像素行中的一个提供有附图标记62。此外,在图9中,作为示例,像素列中的一个提供有附图标记63。参考图5所提供的描述适用于第一类型像素、第二类型像素、第一类型像素行、第二类型像素行和像素列。
图10示出了凹R角上的第一类型端部像素51A至51D和第二类型端部像素52A至52D。例如,第一类型端部像素51C位于第一类型像素行61A的左端部和像素列63B的上端部处。第二类型端部像素52D位于第二类型像素行62A的左端部和像素列63A的上端部处。
由于端部像素位于像素行的端部和像素列的端部处,所以端部像素在沿像素行和像素列的两个方向上暴露于显示区域的外部。在图10的示例中,第一类型端部像素51A至51D和第二类型端部像素52A至52D被设置在像素行的左端部(X方向的相对侧上的端部)和像素列的上端部(Y方向的相对侧上的端部)处。第一类型端部像素51A至51D和第二类型端部像素52A至52D在左侧(X方向的相对侧上)和顶部(Y方向的相对侧上)处被暴露。
第一类型端部像素51A至51D在其中的绿色子像素41G处被暴露。第二类型端部像素52A至52D在其中的绿色子像素41G的相对处(在其中的红色子像素41R和蓝色子像素41B处)被暴露。换句话说,第一类型端部像素51A至51D的绿色子像素41G被朝着显示区域125的外部定向,并且第二类型端部像素52A至52D的绿色子像素41G被朝着显示区域125的内部定向。
如图10所示,在第一类型端部像素51A至51D中的每一个中,从像素的质心朝向其绿色子像素41G指向的矢量与显示区域边界255上的最接近上述质心的点处向外指向的法向矢量之间的角度是锐角。相反,在第二类型端部像素52A至52D中的每一个中,从像素的质心朝向其绿色子像素41G指向的矢量与显示区域边界255上的最接近上述质心的点处向外指向的法向矢量之间的角度是钝角。
OLED显示设备10响应于相同的输入画面信号,将第一类型端部像素51A至51D的亮度降低至低于内部像素56的亮度的水平。OLED显示设备10可以降低第一类型端部像素51A至51D中的一部分的亮度。例如,OLED显示设备10响应于相同的输入画面信号,将第一类型端部像素51A至51D的亮度降低至低于第二类型端部像素52A至52D的亮度的水平。另外,OLED显示设备10响应于相同的输入信号,将第一类型端部像素51A至51D的亮度降低至低于不是端部像素的边界像素的亮度的水平。
OLED显示设备10使第二类型端部像素52A至52D的亮度与内部像素56和不是端部像素的边界像素的亮度相等。第二类型端部像素52A至52D的亮度可以低于内部像素56和/或不是端部像素的边界像素的亮度。
图10示出了凹R角。图11示出了包括凹R角上的向外定向的绿色子像素的端部像素的位置关系。在凹R角中,第一类型端部像素51A和51D的绿色子像素41G之间的第一类型端部像素51B和51C的绿色子像素41G位于比连接第一类型端部像素51A和51D的绿色子像素41G的线256更内处。
OLED显示设备10可以向包括凹R角中所包括的向外定向的绿色子像素的端部像素分配不同的亮度值。例如,OLED显示设备10可以根据边界255的曲率半径或与包括向外定向的绿色子像素的相邻端部像素的角度来确定包括向外定向的绿色子像素的端部像素的亮度校正系数。
包括向外定向的绿色子像素的端部像素的亮度校正系数在凹R角和凸R角之间可以是不同的。具体地,将包括凸R角中的向外定向的绿色子像素的端部像素的亮度调整为低于包括凹R角中的向外定向的绿色子像素的端部像素的亮度。这是因为包括凸R角中的向外定向的绿色子像素的端部像素被更明显地看到。
例如,对于相同的输入画面信号,在显示区域125中包括凸R角中的向外定向的绿色子像素的端部像素的最小亮度值可以小于包括凹R角中的向外定向的绿色子像素的端部像素的最小亮度值。也就是说,包括凸R角中的向外定向的绿色子像素的端部像素的最小亮度校正系数低于包括凹R角中的向外定向的绿色子像素的端部像素的最小亮度校正系数。
可替选地,对于相同的输入画面信号,要分配给包括所有凸R角中的向外定向的绿色子像素的端部像素的亮度值的平均值可以小于要分配给包括所有凹R角中的向外定向的绿色子像素的端部像素的亮度值的平均值。包括凸R角中的向外定向的绿色子像素的端部像素的亮度校正系数的平均值小于包括凹R角中的向外定向的绿色子像素的端部像素的亮度校正系数的平均值。如上所述,在凹R角中,可以通过相对降低包括向外定向的绿色子像素的端部像素的亮度来防止显示质量的损害。
驱动晶体管的结构和制造方法
描述了像素电路中的驱动晶体管的结构的示例和制造OLED显示设备10的方法。如上所述,OLED显示设备10向特定位置处的像素(诸如包括向外定向的绿色子像素的端部像素)的驱动晶体管提供比正常像素的内部像素56的驱动晶体管的沟道更窄的沟道,使得特定位置处的像素响应于相同的信号而将具有低亮度。
图12A是示意性地示出了正常像素(亮度校正系数αk=1.0)的内部像素56和低亮度像素(亮度校正系数αk<1.0)的第一类型端部像素51A的像素电路的结构的平面图。为了便于内部像素56的像素电路和第一类型端部像素51A的像素电路之间的比较,图12A并排提供了这些像素电路。
在图12A中,多个相同种类元件中的仅一个提供有附图标记。由每个阳极162内的由附图标记167表示的虚线表示PDL的开口。阳极162内的字母R、G和B分别表示子像素是红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素。
除了三个驱动晶体管的沟道宽度之外,内部像素56和第一类型端部像素51A具有相同的结构。这些像素的像素电路包括用于驱动红色子像素、蓝色子像素和绿色子像素的电路(称为子像素电路)。图12A中的每个子像素电路将参考电压供应线109从图3B所示的电路中排除,并且将晶体管T3与数据线105而不是参考电压供应线109连接。当晶体管T3被选择时,数据线105供应复位电压。
一个像素中所包括的子像素的三个驱动晶体管T1可以具有不同的结构。内部像素56和第一类型端部像素51A中的相同颜色的子像素的驱动晶体管T1具有不同的沟道宽度。在该示例中,除了通道宽度之外的结构对于子像素是共同的。
在下文中,描述了制造OLED显示设备10和像素电路的层的图案。在以下描述中,在相同过程中(同时)形成的元件是在相同层上的元件。制造OLED显示设备10的方法首先例如通过化学气相沉积(CVD)将例如氮化硅沉积到玻璃的绝缘基板151上以形成绝缘膜152。
接下来,该方法通过已知的低温多晶硅TFT制造技术在绝缘膜152上形成多晶硅层。例如,该方法通过CVD沉积非晶硅,并通过准分子激光退火(ELA)使非晶硅结晶,以形成多晶硅层。该方法通过用光掩模进行图案化来形成期望的多晶硅层图案。
更具体地,该方法将光刻胶涂覆在多晶硅层上,并通过光掩模对光刻胶进行曝光和显影,以形成光刻胶图案。该方法通过光刻胶图案来蚀刻多晶硅层以获得期望的多晶硅图案。该方法还通过光刻胶图案将高含量杂质注入到存储电容器电极上。
图12B示出了多晶硅层(半导体层)的图案。多晶硅层包括晶体管T1、T2和T3的半导体区域(包括它们的沟道)和存储电容器电极。在图12B中,内部像素56中的晶体管T1的半导体区域和第一类型端部像素51A中的晶体管T1的半导体区域分别提供有附图标记701A和701B。此外,作为示例,晶体管T2中的一个的半导体区域、晶体管T3中的一个的半导体区域和存储电容器电极中的一个分别提供有附图标记702、703和191。
如图12B所示,第一类型端部像素51A中的晶体管T1的沟道宽度W1窄于内部像素56中的晶体管T1的沟道宽度W2。因此,第一类型端部像素51A响应于相同的栅极信号(画面信号)提供低于内部像素56的亮度的亮度。
接下来,该方法例如通过CVD将氧化硅沉积到多晶硅层上以形成栅极绝缘膜156。此外,该方法通过溅射来沉积金属并用光掩模和光刻胶来对金属进行图案化以形成M1金属层。图12C示出了M1金属层,其包括驱动晶体管T1的栅极157、存储电容器电极192、扫描线106和复位线107。
栅极157和存储电容器电极192共享单个导体区域。金属层的材料可以是Mo、W、Nb、MoW、MoNb、Al、Nd、Ti、Cu、Cu合金、Al合金、Ag或Ag合金。金属层可以是单层或多层。
图12D示出了M1金属层的图案以及较低层上的多晶硅层的图案,所述M1金属层包括驱动晶体管T1的栅极157、存储电容器电极192、扫描线106和复位线107。图12D还包括由实心方块表示的一些接触部。
接下来,该方法通过离子注入来用杂质掺杂半导体层,例如,使用M1金属层的图案作为掩模(自对准工艺)。杂质包括例如元素硼或铝。通过该掺杂步骤,制备了晶体管T1、T2和T3的源极/漏极接触区域。
接下来,该方法例如通过CVD来沉积氧化硅以形成层间绝缘膜158。该方法通过各向异性蚀刻来打开层间绝缘膜158和栅极绝缘膜156中的接触孔。
接下来,该方法通过溅射来沉积诸如Ti/Al/Ti的铝合金,并使用光掩模和光刻胶对合金进行图案化以形成M2金属层。图12E示出了M2金属层的图案。M2金属层包括数据线105、电源线108和导体区域171和172。每个导体区171包括晶体管T1和T3的漏极。每个导体区域172互连晶体管T1、T2和存储电容器C1。
接下来,该方法沉积光敏有机材料以形成平坦化膜161并打开用于连接阳极162和驱动TFT的漏极的接触孔。该方法在具有接触孔的平坦化膜161上形成阳极162。图12F提供了内部像素56和第一类型的端部像素51A的阳极162。每个阳极162通过导体区域171与驱动晶体管T1连接。
阳极162包括三层由ITO、IZO、ZnO、In2O3等制成的透明膜、由Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr或其金属化合物制成的反射膜以及如上所述的另一种透明薄膜。阳极162的三层结构是个示例;阳极162可以具有两层结构。
接下来,该方法通过旋涂来沉积光敏有机树脂,并用光掩模对光敏有机树脂进行图案化,以形成像素限定层163。图案化在像素限定层163中创建孔,以暴露所创建的孔的底部处的像素的阳极162。像素限定层163形成像素的单独发光区域。
接下来,该方法将有机发光材料涂覆到绝缘基板151上,其中提供像素限定层163以形成有机发光膜。通过金属掩模将用于R、G和B各个颜色的有机发光材料选择性地沉积到阳极162上来形成有机发光膜。
在用金属掩模选择性地沉积有机发光材料的情况下,该方法将具有比绝缘基板151上的发光区域稍大的开口的金属掩模设置为一个接一个地正确对准,以选择性地沉积用于各个颜色的有机发光材料。由于电流仅在像素限定层163的开口167内流动,因此这些区域变为发光区域。
有机发光膜的示例从底部由按这种顺序的空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层组成。有机发光膜可以具有从电子传输层/发光层/空穴传输层、电子传输层/发光层/空穴传输层/空穴注入层、电子注入层/电子传输层/发光层/空穴传输层、以及单个发光层中选择的任何结构。发光层的材料根据子像素的颜色而不同;根据颜色来控制空穴注入层和空穴传输层的膜厚度。
接下来,该方法将用于阴极166的金属涂覆到TFT基板100上,其中像素限定层163和有机发光膜(在像素限定层163的开口167中)被暴露。金属沉积在有机发光膜上。
透明阴极166的层例如通过气相沉积Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Mg或其合金形成。优化阴极166的膜厚度以提高光提取效率并确保更好的视角依赖性。如果阴极166的电阻高到使发射的光的亮度均匀性受损,则附加的辅助电极层可以由用于透明电极的材料形成,诸如ITO、IZO、ZnO或In2O3。为了提高光提取效率,该方法可以通过在形成阴极166之后沉积折射率高于玻璃的绝缘体来形成盖层。
通过上述过程,形成了对应于R、G和B子像素的OLED元件;阳极162与有机发光膜接触的区域(在像素限定层163中的开口167内)变为红发光区域、绿发光区域和蓝发光区域。
接下来,该方法将玻璃熔料涂覆到TFT基板100的外围,在其上放置封装基板200,并用激光束加热和熔化玻璃熔料以密封TFT基板100和封装基板200。此后,该方法在封装基板200的发光侧上形成λ/4板201和偏振板202,以完成显示设备10的制造。
通过调整沟道宽度进行的上述亮度调整适用于具有以delta-nabla布置的显示区域和由电流驱动的发光元件的其它类型的显示设备,其与OLED显示设备不同。
如上所述,已经描述了此公开的实施例;然而,此公开不限于前述实施例。本领域技术人员可以在此发明的范围内容易地修改、添加或转换前述实施例中的每个元件。一个实施例的配置的一部分可以用另一个实施例的配置代替,或者实施例的配置可以合并到另一个实施例的配置中。

Claims (14)

1.一种显示设备,包括:
多个第一类型像素线,每个第一类型像素线由在显示区域中的第一方向上设置的多个第一类型像素组成;以及
多个第二类型像素线,每个第二类型像素线由在所述显示区域中的第一方向上设置的多个第二类型像素组成,
其中,所述多个第一类型像素线和所述多个第二类型像素线被交替设置在垂直于所述第一方向的第二方向上,
其中,每个第一类型像素由在所述第二方向上设置的第一红色子像素和第一蓝色子像素、以及在所述第一方向的相对方向上沿所述第一红色子像素和所述第一蓝色子像素的相对侧设置并且在所述第二方向上在所述第一红色子像素和所述第一蓝色子像素之间的第一绿色子像素组成,
其中,每个第二类型像素由在所述第二方向上设置的第二红色子像素和第二蓝色子像素、以及在所述第一方向上沿所述第二红色子像素和所述第二蓝色子像素的相对侧设置并且在所述第二方向上在所述第二红色子像素和所述第二蓝色子像素之间的第二绿色子像素组成,
其中,所述多个第一类型像素线包括多个第一类型端部像素,每个第一类型端部像素被设置在所述第一方向的相对侧上的端部处以及在所述第二方向上延伸的像素线的第二方向的相对侧上的端部处,
其中,所述多个第二类型像素线包括多个第二类型端部像素,每个第二类型端部像素被设置在所述第一方向的相对侧上的端部处以及在所述第二方向上延伸的像素线的第二方向的相对侧上的端部处,并且
其中,用于所述多个第一类型端部像素的发光元件的驱动晶体管的沟道宽度窄于用于在所述第一方向、所述第一方向的相对方向、所述第二方向和所述第二方向的相对方向的四个方向中由其他像素围绕的内部像素的发光元件的驱动晶体管的沟道宽度。
2.根据权利要求1所述的显示设备,其中,用于所述多个第一类型端部像素中的驱动晶体管的栅极电压和用于所述内部像素中的驱动晶体管的栅极电压响应于相同的输入画面信号而是相同的。
3.根据权利要求1所述的显示设备,
其中,所述多个第一类型端部像素包括第一个第一类型端部像素和第二个第一类型端部像素,
其中,在所述第二方向上与所述第一个第一类型端部像素相邻的第二类型像素被设置在所述第一方向的相对侧上的第二类型像素线的端部处,
其中,在所述第二方向上与所述第二个第一类型端部像素相邻的第二类型像素与在所述第一方向的相对侧上设置的另一第二类型像素相邻,并且
其中,所述第一个第一类型端部像素中的驱动晶体管的沟道宽度窄于所述第二个第一类型端部像素中的驱动晶体管的沟道宽度。
4.根据权利要求1所述的显示设备,其中,所述多个第二类型端部像素中的驱动晶体管的沟道宽度宽于所述多个第一类型端部像素中的驱动晶体管的沟道宽度。
5.根据权利要求4所述的显示设备,其中,所述多个第二类型端部像素中的驱动晶体管的沟道宽度等于所述内部像素中的驱动晶体管的沟道宽度。
6.根据权利要求1所述的显示设备,其中,在所述多个第一类型端部像素中由两个端部处的第一类型端部像素夹在中间的第一类型端部像素的绿色子像素位于比连接所述两个端部处的第一类型端部像素的绿色子像素的直线更靠外处。
7.根据权利要求6所述的显示设备,
其中,所述多个第一类型端部像素包括第一个第一类型端部像素和第二个第一类型端部像素,
其中,连接所述第一个第一类型端部像素与所述第一个第一类型端部像素的两侧上的第一类型端部像素的直线之间的角度小于连接所述第二个第一类型端部像素与所述第二个第一类型端部像素的两侧上的第一类型端部像素的直线之间的角度,并且
其中,所述第一个第一类型端部像素中的驱动晶体管的沟道宽度窄于所述第二个第一类型端部像素中的驱动晶体管的沟道宽度。
8.根据权利要求1所述的显示设备,
其中,所述显示区域包括由多个第一类型端部像素组成的第一组以及由与所述第一组的所述多个第一类型端部像素不同的多个第一类型端部像素组成的第二组,
其中,在所述第一组中,由两个端部处的第一类型端部像素夹在中间的第一类型端部像素的绿色子像素位于比连接所述两个端部处的所述第一类型端部像素的绿色子像素的直线更靠外处,
其中,在所述第二组中,由两个端部处的第一类型端部像素夹在中间的第一类型端部像素的绿色子像素位于比连接所述两个端部处的第一类型端部像素的绿色子像素的直线更靠内处,并且
其中,所述第一组中的驱动晶体管的最小沟道宽度窄于所述第二组中的驱动晶体管的最小沟道宽度。
9.一种制造显示设备的方法,
所述显示设备包括:
多个第一类型像素线,每个第一类型像素线由在显示区域中的第一方向上设置的多个第一类型像素组成;以及
多个第二类型像素线,每个第二类型像素线由在所述显示区域中的第一方向上设置的多个第二类型像素组成;
所述多个第一类型像素线和所述多个第二类型像素线被交替设置在垂直于所述第一方向的第二方向上,
每个第一类型像素由在所述第二方向上设置的第一红色子像素和第一蓝色子像素、以及在所述第一方向的相对方向上沿所述第一红色子像素和所述第一蓝色子像素的相对侧设置并且在所述第二方向上在所述第一红色子像素和所述第一蓝色子像素之间的第一绿色子像素组成,
每个第二类型像素由在所述第二方向上设置的第二红色子像素和第二蓝色子像素、以及在所述第一方向上沿所述第二红色子像素和所述第二蓝色子像素的相对侧设置并且在所述第二方向上在所述第二红色子像素和所述第二蓝色子像素之间的第二绿色子像素组成,
所述多个第一类型像素线包括多个第一类型端部像素,每个第一类型端部像素被设置在所述第一方向的相对侧上的端部处以及在所述第二方向上延伸的像素线的第二方向的相对侧上的端部处,
所述多个第二类型像素线包括多个第二类型端部像素,每个第二类型端部像素被设置在所述第一方向的相对侧上的端部处以及在所述第二方向上延伸的像素线的第二方向的相对侧上的端部处,并且
制造所述显示设备的方法包括:
在基板上形成用于所述多个第一类型像素和所述多个第二类型像素的驱动晶体管的步骤;以及
在所述基板上形成要由所述驱动晶体管驱动的发光元件的步骤,
其中,形成所述驱动晶体管的步骤包括:
形成半导体层的步骤;以及
通过用光掩模对所述半导体层进行图案化来形成包括用于所述多个第一类型像素和所述多个第二类型像素的驱动晶体管的沟道的半导体图案的步骤,并且
其中,所述光掩模具有用于使所述多个第一类型端部像素中的驱动晶体管的沟道宽度窄于在所述第一方向、所述第一方向的相对方向、所述第二方向以及所述第二方向的相对方向的四个方向上由其他像素围绕的内部像素中的驱动晶体管的沟道宽度的图案。
10.根据权利要求9所述的方法,
其中,所述多个第一类型端部像素包括第一个第一类型端部像素和第二个第一类型端部像素,
其中,在所述第二方向上与所述第一个第一类型端部像素相邻的第二类型像素被设置在所述第一方向的相对侧上的第二类型像素线的端部处,
其中,在所述第二方向上与所述第二个第一类型端部像素相邻的第二类型像素与在所述第一方向的相对侧上设置的另一个第二类型像素相邻,并且
其中,所述光掩模具有用于使所述第一个第一类型端部像素中的驱动晶体管的沟道宽度窄于所述第二个第一类型端部像素中的驱动晶体管的沟道宽度的图案。
11.根据权利要求9所述的方法,其中,所述光掩模具有用于使所述多个第二类型端部像素中的驱动晶体管的沟道宽度宽于所述多个第一类型端部像素中的驱动晶体管的沟道宽度的图案。
12.根据权利要求11所述的方法,其中,所述光掩模具有用于使所述多个第二类型端部像素中的驱动晶体管的沟道宽度等于所述内部像素的驱动晶体管的沟道宽度的图案。
13.根据权利要求12所述的方法,
其中,所述多个第一类型端部像素包括第一个第一类型端部像素和第二个第一类型端部像素,
其中,连接所述第一个第一类型端部像素与所述第一个第一类型端部像素的两侧上的第一类型端部像素的直线之间的角度小于连接所述第二个第一类型端部像素与所述第二个第一类型端部像素的两侧上的第一类型端部像素的直线之间的角度,并且
其中,所述光掩模具有用于使所述第一个第一类型端部像素中的驱动晶体管的沟道宽度窄于所述第二个第一类型端部像素中的驱动晶体管的沟道宽度的图案。
14.根据权利要求9所述的方法,
其中,所述显示区域包括由多个第一类型端部像素组成的第一组以及由与所述第一组的所述多个第一类型端部像素不同的多个第一类型端部像素组成的第二组,
其中,在所述第一组中,由两个端部处的第一类型端部像素夹在中间的第一类型端部像素的绿色子像素位于比连接所述两个端部处的所述第一类型端部像素的绿色子像素的直线更靠外处,
其中,在所述第二组中,由两个端部处的第一类型端部像素夹在中间的第一类型端部像素的绿色子像素位于比连接所述两个端部处的所述第一类型端部像素的绿色子像素的直线更靠内处,并且
其中,所述光掩模具有用于使所述第一组中的驱动晶体管的最小沟道宽度窄于所述第二组中的驱动晶体管的最小沟道宽度的图案。
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