JP2021026220A - 表示装置 - Google Patents

Abstract

【課題】表示装置の表示品質の低下を抑制する。【解決手段】表示領域は、複数の副画素ラインを含む。複数の副画素ラインは、それぞれ、代る代る第１軸Ｘに沿って配列されている、第１色の副画素４１Ｒ、第２色の副画素ペア４１Ｇ１，４１Ｇ２及び第３色の副画素４１Ｂを含む。隣接する副画素ライン４２Ａ，４２Ｂの間において、第１色の副画素は第１軸に沿ってずれて配置されている。隣接する副画素ラインの間において、第２色の副画素ペアは第１軸に沿ってずれて配置されている。隣接する副画素ラインの間において、第３色の副画素は第１軸に沿ってずれて配置されている。第２色の副画素ペアを構成する二つの副画素の重心は、第１軸及び第１軸に垂直な第２軸Ｙそれぞれに沿って見て、異なる位置にある。【選択図】図５

Description

本開示は、表示装置に関する。

カラー表示装置の表示領域は、一般に、表示パネルの基板上に配列された赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の副画素で構成されている。副画素の様々なレイアウト（画素レイアウト）が提案されおり、例えば、ＲＧＢ Ｓｔｒｉｐｅレイアウトや、デルタナブラレイアウト（単にデルタレイアウトとも呼ぶ）が知られている。例えば、米国特許出願公開第２０１８／００８８２６０号は、赤及び青の副画素の数が緑の副画素の数の半分であるレイアウトを開示している。

米国特許出願公開第２０１８／００８８２６０号

異なる色の副画素の数が異なる表示装置においては、表示品質の低下を抑制できる副画素レイアウトが重要である。

本開示の一態様の表示装置は、基板と、前記基板上に形成された表示領域と、を含む。前記表示領域は、複数の副画素ラインを含む。前記複数の副画素ラインは、それぞれ、代る代る第１軸に沿って配列されている、第１色の副画素、第２色の副画素ペア及び第３色の副画素を含む。隣接する副画素ラインの間において、前記第１色の副画素は前記第１軸に沿ってずれて配置されている。前記隣接する副画素ラインの間において、前記第２色の副画素ペアは前記第１軸に沿ってずれて配置されている。前記隣接する副画素ラインの間において、前記第３色の副画素は前記第１軸に沿ってずれて配置されている。前記第２色の副画素ペアを構成する二つの副画素の重心は、前記第１軸及び前記第１軸に垂直な第２軸それぞれに沿って見て、異なる位置にある。

本開示の一態様によれば、表示装置の表示品質の低下を抑制できる。

ＯＬＥＤ表示装置の構成例を模式的に示す。 画素構造の例を示す。 画素回路の例を示す。 画素回路の例を示す。 本実施形態のデルタナブラパネルにおける副画素レイアウトを示す。 表示領域に含まれる副画素の一部のレイアウトを示す。 図５における副画素行に含まれる緑副画素ペアの構成を示す。 図５における副画素行に含まれる緑副画素ペアの構成を示す。 副画素行内において、緑副画素ペアと、それに隣接する赤副画素及び青副画素との関係を示す。 比較例の副画素レイアウト及び比較例が表示するＹ軸に沿った白線を模式的に示す。 本実施形態の副画素レイアウトにおけるＹ軸に沿って延びる白線の例を示す。 副画素レイアウトの他の例を示す。 表示領域における、画素回路、配線及びアノード電極の間の位置関係を模式的に示している。 アノード電極、ＰＤＬ開口、及び有機ＥＬ材料の蒸着に使用するメタルマスクの開口の間の位置関係を模式的に示す。 ドライバＩＣの論理要素を示す。 映像フレームにおける一部のフレーム画素群とＯＬＥＤ表示パネルの一部の副画素群との間の関係を示す。 赤副画素と、それに対して相対輝度値が割り当てられるフレーム画素と、を示す。 緑副画素と、それらに対して相対輝度値が割り当てられるフレーム画素と、を示す。 青副画素と、それに対して相対輝度値が割り当てられるフレーム画素と、を示す。 赤副画素と、それに対して相対輝度値が割り当てられるフレーム画素と、を示す。 緑副画素と、それらに対して相対輝度値が割り当てられるフレーム画素と、を示す。 青副画素と、それに対して相対輝度値が割り当てられるフレーム画素と、を示す。 フレーム画素と、その相対輝度値が割り当てられる副画素を示す。 フレーム画素と、その相対輝度値が割り当てられる副画素を示す。 フレーム画素と、その相対輝度値が割り当てられる副画素を示す。 フレーム画素と、その相対輝度値が割り当てられる副画素を示す。 フレーム画素と、その相対輝度値が割り当てられる副画素を示す。 フレーム画素と、その相対輝度値が割り当てられる副画素を示す。 フレーム画素と、その相対輝度値が割り当てられる副画素を示す。 フレーム画素と、その相対輝度値が割り当てられる副画素を示す。 緑副画素と、それらに対して相対輝度値が割り当てられるフレーム画素と、を示す。 緑副画素と、それらに対して相対輝度値が割り当てられるフレーム画素と、を示す。 フレーム画素と、その相対輝度値が割り当てられる副画素を示す。 フレーム画素と、その相対輝度値が割り当てられる副画素を示す。 フレーム画素と、その相対輝度値が割り当てられる副画素を示す。 フレーム画素と、その相対輝度値が割り当てられる副画素を示す。

以下、添付図面を参照して本開示の実施形態を説明する。本実施形態は本開示の特徴を実現するための一例に過ぎず、本開示の技術的範囲を限定するものではないことに注意すべきである。各図において共通の構成については同一の参照符号が付されている。

［表示装置の構成］
図１を参照して、本実施形態に係る、表示装置の全体構成を説明する。なお、説明をわかりやすくするため、図示した物の寸法、形状については、誇張して記載している場合もある。以下において、表示装置の例として、ＯＬＥＤ（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｌｉｇｈｔ−Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）表示装置を説明するが、本開示の特徴は、マイクロＬＥＤ表示装置のような、任意の種類の自発光素子を含む表示装置に適用することができる。

図１は、ＯＬＥＤ表示装置１０の構成例を模式的に示す。ＯＬＥＤ表示装置１０は、ＯＬＥＤ表示パネルと制御装置とを含む。ＯＬＥＤ表示パネルは、ＯＬＥＤ素子（発光素子）が形成されるＴＦＴ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）基板１００と、ＯＬＥＤ素子を封止する封止基板２００と、ＴＦＴ基板１００と封止基板２００とを接合する接合部（ガラスフリットシール部）３００を含む。ＴＦＴ基板１００と封止基板２００との間には、例えば、乾燥窒素が封入されており、接合部３００により封止されている。封止基板２００を接合部３００で密閉する中空封止の代わりに、封止基板２００の領域部分全面を無機膜と有機膜の積層構造で覆う薄膜封止（ＴＦＥ：Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｅｎｃａｐｓｕｌａｔｉｏｎ）を使用することもできる。

ＴＦＴ基板１００の表示領域１２５の外側のカソード電極形成領域１１４の周囲に、走査ドライバ１３１、エミッションドライバ１３２、保護回路１３３、及びドライバＩＣ１３４が配置されている。これらは、ＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ Ｐｒｉｎｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）１３５を介して外部の機器と接続される。ドライバＩＣ１３４、走査ドライバ１３１、エミッションドライバ１３２、及び保護回路１３３は、制御装置に含まれる。

走査ドライバ１３１はＴＦＴ基板１００の走査線を駆動する。エミッションドライバ１３２は、例えば、エミッション制御線を駆動して各副画素の発光期間を制御する。保護回路１３３は素子を静電気放電から保護する。ドライバＩＣ１３４は、例えば、異方性導電フィルム（ＡＣＦ：Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｆｉｌｍ）を用いて実装される。

ドライバＩＣ１３４は、走査ドライバ１３１及びエミッションドライバ１３２に電源及びタイミング信号（制御信号）を与え、さらに、データ線に映像データに対応する信号を与える。すなわち、ドライバＩＣ１３４は、表示制御機能を有する。

図１において、左右に延びる軸をＸ軸、上下に延びる軸をＹ軸と呼ぶ。走査線はＸ軸に沿って延びている。以下において、便宜的に、表示領域１２５において、Ｘ軸に沿って配列された画素又は副画素を画素又は副画素の行と呼び、Ｙ軸に沿って配列された画素又は副画素を画素列又は副画素の列と呼ぶ。しかし、行及び列の方向は、この例に限定されない。画素ラインは画素行及び画素列を包含する語であり、副画素ラインは、副画素行及び副画素列を包含する語である。

次に、画素回路及びＯＬＥＤ素子の構造の概略を説明する。図２は、ＴＦＴ基板１００の駆動ＴＦＴを含む部分の断面構造を模式的に示す。ＴＦＴ基板１００は、絶縁基板１５１を含む。ＯＬＥＤ表示装置１０は、さらに、絶縁基板１５１と対向する、図２において不図示の封止構造部を含む。封止構造部の一例は、可撓性又は不撓性の封止基板２００である。封止構造部は、例えば、薄膜封止構造であってもよい。

ＴＦＴ基板１００は、絶縁基板１５１と封止構造部との間に配置された、下部電極（例えば、アノード電極１６２）と、上部電極（例えば、カソード電極１６６）と、複数の有機発光膜１６５とを含む。

カソード電極１６６とアノード電極１６２との間に、有機発光膜１６５が配置されている。複数のアノード電極１６２は、同一面上（例えば、平坦化膜１６１の上）に配置され、１つのアノード電極１６２の上に１つの有機発光膜１６５が配置されている。図２の例において、一つの副画素に対応するカソード電極は、連続する導体膜の一部である。連続する導体膜もカソード電極と呼ぶ。

ＴＦＴ基板１００は、封止構造部に向かって立ち上がる複数のスペーサ（Ｐｏｓｔ Ｓｐａｃｅｒ：ＰＳ）１６４と、それぞれが複数のスイッチを含む複数の画素回路（副画素のための回路）とを有する。複数の画素回路の各々は、絶縁基板１５１とアノード電極１６２との間に形成され、複数のアノード電極１６２の各々に供給する電流を制御する。

図２は、トップエミッション型（ＯＬＥＤ素子）の画素構造の例である。トップエミッション型の画素構造は、光が出射する側（図面上側）に、複数の画素に共通のカソード電極１６６が配置される。カソード電極１６６は、表示領域１２５の全面を完全に覆う形状を有する。トップエミッション型の画素構造の特徴は、アノード電極１６２は光を反射し、カソード電極１６６は光透過性をもっていることである。これにより、有機発光膜１６５からの光を封止構造部に向けて出射させる構成となっている。

トップエミッション型では、光を絶縁基板１５１側に取り出すボトムエミッション型と比べて、光取出しのための透過領域を画素領域内に設ける必要がないため、発光部を画素回路や配線の上にも形成することができるといった、画素回路のレイアウトにおいて高い自由度を有する。なお、ボトムエミッション型の画素構造は、透明アノード電極と反射カソード電極を有し、絶縁基板１５１を介して外部に光を出射する。本開示の特徴は、ボトムエミッション型の画素構造にも適用できる。

副画素は、フルカラーＯＬＥＤ表示装置において一般に、赤、緑、又は青のいずれかの色を表示する。複数の薄膜トランジスタを含む画素回路は、対応するＯＬＥＤ素子の発光を制御する。ＯＬＥＤ素子は、下部電極であるアノード電極、有機発光膜、及び上部電極であるカソード電極で構成される。

絶縁基板１５１は、例えばガラス又は樹脂で形成されており、不撓性又は可撓性基板である。絶縁基板の上には絶縁膜１５２を介して、ポリシリコン層が存在し、ポリシリコン層にはＴＦＴのトランジスタ特性をもたらすチャネル１５５が、のちに形成されるゲート電極１５７と重なる位置に存在する。その両端には、上部の配線層と電気的に接続するために高濃度不純物がドープされたソース／ドレイン領域１６８、１６９が存在する。

チャネル１５５とソース／ドレイン領域１６８、１６９の間には、低濃度の不純物をドープされたＬＤＤ（Ｌｉｇｈｔｌｙ Ｄｏｐｅｄ Ｄｒａｉｎ）を形成する場合もある。なお、ＬＤＤについては、煩雑になるため図示を省略している。ポリシリコン層の上には、ゲート絶縁膜１５６を介して、ゲート電極１５７が形成されている。ゲート電極１５７の層上に層間絶縁膜１５８が形成されている。

表示領域１２５内において、層間絶縁膜１５８上にソース／ドレイン電極１５９、１６０が形成されている。ソース／ドレイン電極１５９、１６０は、例えば、高融点金属又はその合金で形成される。ソース／ドレイン電極１５９、１６０は、層間絶縁膜１５８及びゲート絶縁膜１５６に形成されたコンタクトホール１７０、１７１を介してポリシリコン層のソース／ドレイン領域１６８、１６９に接続されている。

ソース／ドレイン電極１５９、１６０の上に、絶縁性の平坦化膜１６１が形成される。絶縁性の平坦化膜１６１の上に、アノード電極１６２が形成されている。アノード電極１６２は、平坦化膜１６１のコンタクトホール１７２を介してソース／ドレイン電極１６０に接続されている。画素回路のＴＦＴは、アノード電極１６２の下側に形成されている。

アノード電極１６２の上に、ＯＬＥＤ素子を分離する絶縁性の画素定義層（Ｐｉｘｅｌ Ｄｅｆｉｎｉｎｇ Ｌａｙｅｒ：ＰＤＬ）１６３が形成されている。ＯＬＥＤ素子は、画素定義層１６３の開口１６７に形成されている。絶縁性のスペーサ１６４は、２つのアノード電極１６２の間における、画素定義層１６３の面上に形成され、ＯＬＥＤ素子と封止基板２００との間隔を維持する。

アノード電極１６２の上に、有機発光膜１６５が形成されている。有機発光膜１６５は、画素定義層１６３の開口１６７及びその周囲において、画素定義層１６３に付着している。有機発光膜１６５の上にカソード電極１６６が形成されている。カソード電極１６６は、光透過性を有する電極である。カソード電極１６６は、有機発光膜１６５からの可視光の一部を透過させる。画素定義層１６３の開口１６７に形成された、アノード電極１６２、有機発光膜１６５及びカソード電極１６６の積層膜が、ＯＬＥＤ素子を構成する。なお、カソード電極１６６の上には、不図示のキャップ層が形成されてもよい。

［製造方法］
次に、ＯＬＥＤ表示装置１０の製造方法の一例を説明する。ＯＬＥＤ表示装置１０の製造は、まず、絶縁基板１５１上に、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）等によって例えばシリコン窒化物を堆積して、絶縁膜１５２を形成する。次に、公知の低温ポリシリコンＴＦＴ製造技術を用いて、チャネル１５５を含む層（ポリシシリコン層）を形成する。

具体的には、例えばＣＶＤ法によってアモルファスシリコンを堆積し、レーザアニールにより結晶化して、ポリシリコン膜を形成する。ポリシリコン膜は島状に加工され、ソース／ドレイン電極１５９、１６０と接続するためのソース／ドレイン領域１６８、１６９には高濃度に不純物をドープして低抵抗化する。同様に低抵抗化したポリシリコン層は表示領域１２５内において要素間の接続にも利用できる。

次に、チャネル１５５を含むポリシリコン層上に、ＣＶＤ法等によって、例えばシリコン酸化膜を付着してゲート絶縁膜１５６を形成する。更に、スパッタ法等により金属材料を堆積し、パターニングを行って、ゲート電極１５７を含む金属層を形成する。

金属層は、ゲート電極１５７の他、例えば、保持容量電極、走査線１０６、エミッション制御線を含む。金属層として、例えばＭｏ、Ｗ、Ｎｂ、ＭｏＷ、ＭｏＮｂ、Ａｌ、Ｎｄ、Ｔｉ、Ｃｕ、Ｃｕ合金、Ａｌ合金、Ａｇ、Ａｇ合金からなる群より選択される一つの物質で単一層を形成する、又は、配線抵抗を減少させるために低抵抗物質であるＭｏ、Ｃｕ、ＡｌまたはＡｇから選択された１又は複数材料の２層構造またはそれ以上の多重構造を形成してもよい。

次に、ゲート電極１５７の形成前に高濃度不純物をドーピングしておいたソース／ドレイン領域１６８、１６９には、ゲート電極１５７との間にオフセット領域をもうけておく。このポリシリコン膜に、ゲート電極１５７をマスクとして追加不純物ドーピングを施してソース／ドレイン領域１６８、１６９とゲート電極直下のチャネル１５５の間に低濃度不純物層を形成する。その結果、ＴＦＴがＬＤＤ（Ｌｉｇｈｔｌｙ Ｄｏｐｅｄ Ｄｒａｉｎ）構造となる。次に、ＣＶＤ法等によって、例えばシリコン酸化膜等を堆積して層間絶縁膜１５８を形成する。

層間絶縁膜１５８及びゲート絶縁膜１５６に、異方性エッチングを行い、コンタクトホールを開口する。ソース／ドレイン電極１５９、１６０とソース／ドレイン領域１６８、１６９とを接続するコンタクトホール１７０、１７１が、層間絶縁膜１５８及びゲート絶縁膜１５６に形成される。

次に、スパッタ法等によって、例えば、Ｔｉ／Ａｌ／Ｔｉ等の導電膜を堆積し、パターニングを行って、金属層を形成する。金属層は、ソース／ドレイン電極１５９、１６０及びコンタクトホール１７０、１７１の内側を含む。この他に同じ層で、データ線１０５や電源線１０８等も形成される。

次に、感光性の有機材料を堆積し、平坦化膜１６１を形成する。露光、現像によってＴＦＴのソース／ドレイン電極１６０に接続するためのコンタクトホール１７２を含むコンタクトホールを開口する。コンタクトホール１７２を形成した平坦化膜１６１上に、アノード電極１６２を形成する。アノード電極１６２は、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯ、Ｉｎ２Ｏ３等の透明膜、Ａｇ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｎｄ、Ｉｒ、Ｃｒ等の金属又はこれらの金属を含む合金の反射膜、前記した透明膜の３層を含む。なお、アノード電極１６２の３層構成は、一例であり２層でもよい。アノード電極１６２は、コンタクトホール１７２を介して、ソース／ドレイン電極１６０と接続される。

次に、スピンコート法等によって、例えば感光性の有機樹脂膜を堆積し、パターニングを行って画素定義層１６３を形成する。パターニングにより画素定義層１６３には開口１６７が形成され、各副画素のアノード電極１６２が形成された開口１６７の底で露出する。画素定義層１６３の開口１６７の側面は順テーパである。画素定義層１６３により、各副画素の発光領域が分離される。さらに、スピンコート法等によって、例えば感光性の有機樹脂膜を堆積し、パターニングを行って、画素定義層１６３上にスペーサ１６４を形成する。

次に、画素定義層１６３を形成した絶縁基板１５１に対して有機発光材料を付着して有機発光膜１６５を成膜する。ＲＧＢの色毎に、有機発光材料を成膜して、アノード電極１６２上に、有機発光膜１６５を形成する。有機発光膜１６５の成膜は、各色用のメタルマスクを使用して、画素に対応する位置に有機発光材料を蒸着させる。有機発光膜１６５は、下層側から、例えば、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層によって構成される。有機発光膜１６５の積層構造は設計により決められる。

次に、画素定義層１６３、スペーサ１６４及び有機発光膜１６５（画素定義層１６３の開口における）が露出したＴＦＴ基板１００に対して、カソード電極１６６のための金属材料を付着する。一つの副画素の有機発光膜１６５上に付着した金属材料部は、画素定義層１６３の開口領域においてこの副画素のカソード電極として機能する。

カソード電極１６６の層は、例えば、Ａｌ、Ｍｇ等の金属又はこれらの金属を含む合金を蒸着して、形成する。カソード電極１６６の抵抗が高く発光輝度の均一性が損なわれる場合には、さらに、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯまたはＩｎ_２Ｏ_３などの透明電極形成用の材料で補助電極層を追加する。

［画素回路］
ＴＦＴ基板１００上には、複数の副画素のアノード電極にそれぞれ供給する電流を制御する複数の画素回路が形成されている。図３Ａは、画素回路の構成例を示す。各画素回路は、駆動トランジスタＴ１と、選択トランジスタＴ２と、エミッショントランジスタＴ３と、保持容量Ｃ１とを含む。画素回路は、ＯＬＥＤ素子Ｅ１の発光を制御する。トランジスタは、ＴＦＴである。

選択トランジスタＴ２は副画素を選択するスイッチである。選択トランジスタＴ２はｐチャネル型ＴＦＴであり、ゲート端子は、走査線１０６に接続されている。ソース端子は、データ線１０５に接続されている。ドレイン端子は、駆動トランジスタＴ１のゲート端子に接続されている。

駆動トランジスタＴ１はＯＬＥＤ素子Ｅ１の駆動用のトランジスタ（駆動ＴＦＴ）である。駆動トランジスタＴ１はｐチャネル型ＴＦＴであり、そのゲート端子は選択トランジスタＴ２のドレイン端子に接続されている。駆動トランジスタＴ１のソース端子は電源線１０８（Ｖｄｄ）に接続されている。ドレイン端子は、エミッショントランジスタＴ３のソース端子に接続されている。駆動トランジスタＴ１のゲート端子とソース端子との間に保持容量Ｃ１が形成されている。

エミッショントランジスタＴ３は、ＯＬＥＤ素子Ｅ１への駆動電流の供給と停止を制御するスイッチである。エミッショントランジスタＴ３はｐチャネル型ＴＦＴであり、ゲート端子はエミッション制御線１０７に接続されている。エミッショントランジスタＴ３のソース端子は駆動トランジスタＴ１のドレイン端子に接続されている。エミッショントランジスタＴ３のドレイン端子は、ＯＬＥＤ素子Ｅ１に接続されている。

次に、画素回路の動作を説明する。走査ドライバ１３１が走査線１０６に選択パルスを出力し、選択トランジスタＴ２をオン状態にする。データ線１０５を介してドライバＩＣ１３４から供給されたデータ電圧は、保持容量Ｃ１に格納される。保持容量Ｃ１は、格納された電圧を、１フレーム期間を通じて保持する。保持電圧によって、駆動トランジスタＴ１のコンダクタンスがアナログ的に変化し、駆動トランジスタＴ１は、発光階調に対応した順バイアス電流をＯＬＥＤ素子Ｅ１に供給する。

エミッショントランジスタＴ３は、駆動電流の供給経路上に位置する。エミッションドライバ１３２は、エミッション制御線１０７に制御信号を出力して、エミッショントランジスタＴ３のオンオフを制御する。エミッショントランジスタＴ３がオン状態のとき、駆動電流がＯＬＥＤ素子Ｅ１に供給される。エミッショントランジスタＴ３がオフ状態のとき、この供給が停止される。エミッショントランジスタＴ３のオンオフを制御することにより、１フレーム周期内の点灯期間（デューティ比）を制御することができる。

図３Ｂは、画素回路の他の構成例を示す。当該画素回路は、図３ＡのエミッショントランジスタＴ３に代えて、リセットトランジスタＴ４を有する。リセットトランジスタＴ４は、基準電圧供給線１１０とＯＬＥＤ素子Ｅ１のアノードとの電気的接続を制御する。エミッションドライバ１３２がリセットトランジスタＴ４のゲートにリセット制御線１０９からリセット制御信号が供給することで、この制御が行われる。

リセットトランジスタＴ４は、様々な目的で使用することができる。リセットトランジスタＴ４は、例えば、ＯＬＥＤ素子Ｅ１間のリーク電流によるクロストークを抑制するために、一旦、ＯＬＥＤ素子Ｅ１のアノードを黒信号レベル以下の十分低い電圧にリセットする目的で使用してもよい。

他にも、リセットトランジスタＴ４は、駆動トランジスタＴ１の特性を測定する目的で使用してもよい。例えば、駆動トランジスタＴ１を飽和領域、リセットトランジスタＴ４を線形領域で動作するようにバイアス条件を選んで、電源線１０８（Ｖｄｄ）から基準電圧供給線１１０（Ｖｒｅｆ）に流れる電流を測定すれば、駆動トランジスタＴ１の電圧・電流変換特性を正確に測定することができる。副画素間の駆動トランジスタＴ１の電圧・電流変換特性の違いを補償するデータ信号を外部回路で生成すれば、均一性の高い表示画像を実現できる。

一方、駆動トランジスタＴ１をオフ状態にしてリセットトランジスタＴ４を線形領域で動作させ、ＯＬＥＤ素子Ｅ１を発光させる電圧を基準電圧供給線１１０から印加すれば、ＯＬＥＤ素子Ｅ１の電圧・電流特性を正確に測定することができる。例えば、長時間の使用によってＯＬＥＤ素子Ｅ１が劣化した場合にも、その劣化量を補償するデータ信号を外部回路で生成すれば、長寿命化を実現できる。

図３Ａ及び３Ｂの画素回路は例であって、画素回路は他の回路構成を有してよい。図３Ａ及び３Ｂの画素回路はｐチャネル型ＴＦＴを使用しているが、画素回路はｎチャネル型ＴＦＴを使用してもよい。

［デルタナブラパネルにおける画素配置］
図４は、本実施形態のデルタナブラパネルにおける副画素レイアウトを示す。デルタナブラパネルの表示領域１２５は、デルタナブラレイアウトの副画素で構成されている。デルタナブラレイアウトは、同一色の発光領域（有機発光膜）の距離を大きくすることができる。このため、メタルマスクの開口間の距離を大きくすることができる。本願では、緑のメタルマスクの一つの開口内に二つの緑副画素を配置することで、視感度の高い緑副画素の空間解像度を向上させながら、メタルマスクパターンの解像度を低く抑えることができる。このため、十分な表示解像度を確保しながら、メタルマスクの変形やメタルマスクに付着したパーティクルによる歩留り低下を抑制することができる。

図４は、表示領域１２５の一部域を模式的に示す。表示領域１２５は、面内に配置されている、複数の赤副画素４１Ｒ、複数の緑副画素ペア４１ＧＰ、及び複数の青副画素４１Ｂで構成されている。緑副画素ペア４１ＧＰは、二つの緑副画素４１Ｇ１、４１Ｇ２で構成されており、緑のメタルマスクの同一開口内に配置されている。なお、任意の緑副画素を緑副画素４１Ｇと記載する。各副画素は、各ＯＬＥＤ素子の発光領域に対応し、副画素の輝度は個別に制御される。

図４において、一つの赤副画素、一つの緑副画素ペア、及び一つの青副画素が、例として、符号で指示されている。図４において、Ｒと記載された（丸い角の）四角は赤の副画素を表し、Ｇと記載された（一部角が丸い）四角は緑の副画素を表し、Ｂと記載された（丸い角の）四角は青の副画素を表す。

図４において、副画素の形状は四角であるが、副画素の形状は任意であって、例えば、六角形又は八角形であってもよい。赤、緑、青において、緑の比視感度が最も高く、青の比視感度が最も低い。カラー表示装置は、３色の副画素を含むが、それらの色は、赤、緑、青の組み合わせと異なる第１色、第２色及び第３色の組み合わせであってもよい。

表示領域１２５は、Ｙ軸（第２軸）に沿って延び、Ｘ軸（第１軸）に沿って配列されている、複数の副画素列で構成されている。図４において、例として、一つの赤の副画素列が符号４３Ｒで指示され、一つの緑の副画素列が符号４３Ｇで指示され、一つの青の副画素列が符号４３Ｂで指示されている。Ｘ軸とＹ軸とは副画素が配置されている面内において垂直である。ここで、Ｘ方向は、Ｘ軸に沿った２方向において、図４において左から右に向かう方向である。Ｙ方向は、Ｙ軸に沿った２方向において、図４において上から下に向かう方向である。

図４の例において、各副画素列は、所定ピッチで配列されている同一色の副画素で構成されている。具体的には、副画素列４３Ｒ、４３Ｂ及び４３Ｇは、それぞれ、Ｙ軸に沿って配列されている赤副画素４１Ｒ、青副画素４１Ｂ及び緑副画素ペア４１ＧＰ（緑副画素４１Ｇ）で構成されている。副画素列を構成する副画素又は副画素ペアの重心は、Ｙ軸に平行な直線上に位置するが、重心は直線上からずれていてもよい。

Ｘ軸に沿って、赤副画素列４３Ｒ、青副画素列４３Ｂ及び緑副画素列４３Ｇは、代る代る配列されている。つまり、副画素列は、他の２色の副画素列に挟まれている。例えば、緑副画素列４３Ｇは、赤副画素列４３Ｒと青副画素列４３Ｂとの間に配置されている。図４の例において、赤副画素列４３Ｒ、青副画素列４３Ｂ及び緑副画素列４３Ｇは、この順で代る代る配列されている。代る代る配列される色の順序はこれと異なっていてもよい。

隣接する副画素列は、Ｙ軸に沿ってずれて配置されている。言い換えれば、Ｘ軸に沿って見たとき、隣接する副画素列はずれている。つまり、各副画素列の各副画素（緑副画素列については緑副画素ペア）は、Ｘ軸に沿って見たとき、隣接する副画素列の隣接する二つの副画素又は副画素ペアの間に位置する。図４の例において、隣接する副画素列は半ピッチずれている。１ピッチは、副画素列において隣接する赤若しくは青の副画素間の距離又は緑副画素ペア間の距離である。

第１の副画素列に含まれる副画素又は副画素ペアは、Ｘ軸に沿って見たとき、第１列の副画素列に隣接する副画素列に含まれる隣接する二つの副画素の間に位置する。例えば、緑副画素ペア４１ＧＰの重心は、Ｙ軸に沿って、隣接赤副画素列における二つの赤副画素４１Ｒの中央に位置し、また、逆側の隣接青副画素列における二つの青副画素４１Ｂの中央に位置している。

表示領域１２５は、Ｘ軸に沿って延び、Ｙ軸に沿って配列されている、複数の副画素行で構成されている。図４において、二つの隣接する副画素行が、例として、符号４２Ａ及び４２Ｂで指示されている。副画素行は、Ｘ軸に沿って配列されている赤副画素４１Ｒ、青副画素４１Ｂ及び緑副画素ペア４１ＧＰで構成されている。

副画素行は、所定ピッチで代わる代わる配列された赤副画素４１Ｒ、緑副画素４１ペアＧ及び青副画素４１Ｂで構成されている。図４の例において、赤副画素４１Ｒ、緑副画素ペア４１ＧＰ及び青副画素４１Ｂは、この順でＸ方向（図４における左から右への方向）に配列されている。色の順序はこれと異なってもよい。

隣接する副画素行の位置は、Ｘ軸に沿ってずれている。言い換えれば、隣接する副画素行の位置は、Ｙ軸に沿って見たときにずれている。各色の副画素に着目すると、隣接する副画素行の間において、赤副画素４１ＲはＸ軸に沿ってずれており、緑副画素ペア４１ＧＰ（緑副画素４１Ｇ）はＸ軸に沿ってずれており、青副画素４１ＢはＸ軸に沿ってずれている。

第１の副画素行に含まれる赤副画素４１Ｒ、青副画素４１Ｂ又は緑副画素ペア４１ＧＰは、第１の副画素行に隣接する副画素行に含まれる他の二色の副画素の間、又は、他の二色の副画素と副画素ペアとの間にある。図４の例において、隣接する副画素行は半ピッチずれている。１ピッチは、同一色の副画素又は副画素ペアの間のＸ軸に沿った距離である。

各色の副画素に着目すると、赤副画素４１Ｒは、Ｙ軸に沿って見たとき、隣接する画素行の隣接する赤副画素４１Ｒの間に位置し、図４の例において、隣接する赤副画素４１Ｒの中央に位置する。青副画素４１Ｂは、Ｙ軸に沿って見たとき、隣接する画素行の隣接する青副画素４１Ｂの間に位置し、図４の例において、隣接する青副画素４１Ｂの中央に位置する。緑副画素ペア４１ＧＰは、Ｙ軸に沿って見たとき、隣接する画素行の隣接する緑副画素ペア４１ＧＰの間に位置し、図４の例において、隣接する緑副画素ペア４１ＧＰの中央に位置する。

なお、本実施形態においては、便宜的に、Ｘ軸に沿って延びる副画素ラインを副画素行、Ｙ軸に沿って延びる副画素ラインを副画素列と呼ぶが、副画素行及び副画素列の方向は、これに限定されない。

図５は、表示領域１２５に含まれる副画素の一部のレイアウトを示す。各副画素行において、赤副画素４１Ｒ、青副画素４１Ｂ及び緑副画素ペア４１ＧＰは、Ｙ軸及びＸ軸に対して傾いている。図５の例において、副画素行４２Ａの赤副画素４１Ｒ、青副画素４１Ｂ及び緑副画素ペア４１ＧＰは、Ｙ軸に対して右側に傾いている。副画素行４２Ｂの赤副画素４１Ｒ、青副画素４１Ｂ及び緑副画素ペア４１ＧＰは、Ｙ軸に対して左側に傾いている。隣接する副画素行の間において、副画素又は副画素ペアがＹ軸に対して逆の方向に傾いている。これにより表示品質を向上する。他の例において、隣接行の副画素の傾く方向は同一でもよい。

図５の例において、緑副画素４１Ｇ１及び４１Ｇ２並びにこれらの間の領域からなる領域は、赤副画素４１Ｒ及び青副画素４１Ｂと同一の形状を有しているが、これらは異なる形状を有してよい。図５の例において、副画素行における隣接する副画素の重心（輝度又は発光領域の重心）間の距離又は隣接する副画素と副画素ペアの重心間の距離は一定である。他の例において、これらは一定でなくてもよい。

緑副画素ペア４１ＧＰの重心は、二つの緑副画素４１Ｇ１及び４１Ｇ２の重心の間の中心である。図５の例において、副画素行を構成する赤副画素４１Ｒ、青副画素４１Ｂ及び緑副画素ペア４１ＧＰの重心はＸ軸に沿った直線上に配置されている。他の例において、これらの重心はＸ軸に沿った直線から外れていてもよい。

図６Ａは、図５における副画素行４２Ａに含まれる緑副画素ペア４１ＧＰＡの構成を示す。図６Ｂは、図５における副画素行４２Ｂに含まれる緑副画素ペア４１ＧＰＢの構成を示す。図６Ａに示すように、緑副画素ペア４１ＧＰＡは、Ｙ軸に沿って配置された（分離された）緑副画素４１Ｇ１Ａ（第１緑副画素）及び緑副画素４１Ｇ２Ａ（第２緑副画素）で構成されている。図６Ｂに示すように、緑副画素ペア４１ＧＰＢは、Ｙ軸に沿って配置された（分離された）緑副画素４１Ｇ１Ｂ（第１緑副画素）及び緑副画素４１Ｇ２Ｂ（第２緑副画素）で構成されている。図６Ａ及び６Ｂの例において、緑副画素ペアを構成する二つの緑副画素は同一形状を有する。

図６Ａにおいて、緑副画素４１Ｇ１Ａは重心４１１Ａを有し、緑副画素４１Ｇ２Ａは重心４１２Ａを有している。これら重心４１１Ａ及び４１２Ａの中間点が、緑副画素ペア４１ＧＰＡの重心４１３Ａである。図６Ａにおいて、緑副画素４１Ｇ１Ａは、緑副画素４１Ｇ２Ａの上側に配置されており、緑副画素４１Ｇ１Ａ及び４１Ｇ２Ａは、緑副画素ペア４１ＧＰＡの重心４１３Ａについて、点対称である。

図６Ｂにおいて、緑副画素４１Ｇ１Ｂは重心４１１Ｂを有し、緑副画素４１Ｇ２Ｂは重心４１２Ｂを有している。これら重心４１１Ｂ及び４１２Ｂの中間点が、緑副画素ペア４１ＧＰＢの重心４１３Ｂである。図６Ｂにおいて、緑副画素４１Ｇ１Ｂは、緑副画素４１Ｇ２Ｂの上側に配置されており、緑副画素４１Ｇ１Ｂ及び４１Ｇ２Ｂは、緑副画素ペア４１ＧＰＢの重心４１３Ｂについて、点対称である。

図６Ａに示すように、緑副画素４１Ｇ１Ａの重心４１１Ａと緑副画素４１Ｇ２Ａの重心４１２Ａとは、Ｘ軸に沿って見て異なる位置にあり、さらに、Ｙ軸に沿って見て異なる位置にある。図６Ａにおいて、重心４１１Ａは、Ｘ軸における座標Ｘ１Ａ、Ｙ軸における座標Ｙ１Ａを有する。重心４１２Ａは、Ｘ軸における座標Ｘ２Ａ、Ｙ軸における座標Ｙ２Ａを有する。重心４１３Ａは、Ｘ軸における座標Ｘ３Ａ、Ｙ軸における座標Ｙ３Ａを有する。座標Ｘ１Ａ、Ｘ２Ａ及びＸ３Ａは異なる値であり、座標Ｙ１Ａ、Ｙ２Ａ及びＹ３Ａは異なる値である。

図６Ｂに示すように、緑副画素４１Ｇ１Ｂの重心４１１Ｂと緑副画素４１Ｇ２Ｂの重心４１２Ｂとは、Ｘ軸に沿って見て異なる位置にあり、さらに、Ｙ軸に沿って見て異なる位置にある。図６Ｂにおいて、重心４１１Ｂは、Ｘ軸における座標Ｘ１Ｂ、Ｙ軸における座標Ｙ１Ｂを有する。重心４１２Ｂは、Ｘ軸における座標Ｘ２Ｂ、Ｙ軸における座標Ｙ２Ｂを有する。重心４１３Ｂは、Ｘ軸における座標Ｘ３Ｂ、Ｙ軸における座標Ｙ３Ｂを有する。座標Ｘ１Ｂ、Ｘ２Ｂ及びＸ３Ｂは異なる値であり、座標Ｙ１Ｂ、Ｙ２Ｂ及びＹ３Ｂは異なる値である。

図６Ａに示す副画素行４２Ａにおいて、緑副画素４１Ｇ１Ａの重心４１１Ａ及び緑副画素４１Ｇ２Ａの４１２ＡをＸ方向（図６Ａにおいて左から右への方向）において見たとき、重心４１１Ａは左側にあり、重心４１２Ａは右側にある。また、Ｙ方向（図６Ａにおいて上から下への方向）において見たとき、重心４１１Ａは左側にあり、重心４１２Ａは右側にある。

図６Ｂに示す副画素行４２Ｂにおいて、緑副画素４１Ｇ１Ｂの重心４１１Ｂ及び緑副画素４１Ｇ２Ｂの４１２ＢをＸ方向（図６Ｂにおいて左から右への方向）において見たとき、重心４１１Ｂは左側にあり、重心４１２Ｂは右側にある。また、Ｙ方向（図６Ｂにおいて上から下への方向）において見たとき、重心４１１Ｂは右側にあり、重心４１２Ｂは左側にある。

図６Ａ及び６Ｂを参照した説明の観点を、同一副画素行の赤副画素４１Ｒ及び青副画素４１Ｂの形状に適用することができる。赤副画素４１Ｒ又は青副画素４１Ｂの重心を通過するＸ軸に沿った仮想線により、赤副画素４１Ｒ又は青副画素４１Ｂを分けるとする。一方の部分が緑副画素４１Ｇ１Ａ又は４１Ｇ１Ｂに対応し、他方の部分が緑副画素４１Ｇ２Ａ又は４１Ｇ２Ｂに対応する。分離された部分の重心について、上記説明が適用できる。

図６Ａ及び図６Ｂに示すように、隣接する副画素行の間において、緑副画素ペアを構成する緑副画素の重心の位置が、Ｙ軸に沿って見たとき、逆になっている。赤副画素及び青副画素を分離することで定義される重心の位置についても同様である。これにより、副画素の混色性が向上し、表示品質を改善できる。

図７は、副画素行４２Ａ内において、緑副画素ペア４１ＧＰと、それに隣接する赤副画素４１Ｒ及び青副画素４１Ｂとの関係を示す。線４１５Ｒは、赤副画素４１Ｒの重心を通過するＸ軸に沿った線で上下に分割した場合の上下部分の重心４１１Ｃ、４１２Ｃを通過する線である。線４１５Ｇは、二つの緑副画素４１Ｇ１、４１Ｇ２の重心４１１Ａ、４１２Ａを通過する線である。線４１５Ｂは、青副画素４１Ｂの重心を通過するＸ軸に沿った線で上下に分割した場合の上下部分の重心４１１Ｄ、４１２Ｄを通過する線である。図７に示す構成例において、線４１５Ｒ、４１５Ｇ及び４１５Ｂは平行であり、Ｙ軸に対して傾いている。

図７に示す構成例において、緑副画素４１Ｇ１と赤副画素４１Ｒとの距離Ｌ１Ｒと、緑副画素４１Ｇ２と赤副画素４１Ｒとの距離Ｌ２Ｒとは、同一である。緑副画素４１Ｇ１と青副画素４１Ｂとの距離Ｌ１Ｂと、緑副画素４１Ｇ２と青副画素４１Ｂとの距離Ｌ２Ｂとは、同一である。これにより、副画素（発光領域）を最大化できる。

以下において、Ｙ軸に沿った白線を表示する例を説明する。図８は、比較例の副画素レイアウト及び比較例が表示するＹ軸に沿った白線を模式的に示す。比較例の副画素レイアウトはデルタナブラレイアウトであり、副画素はＹ軸に対して傾いていない。他の点は、図５に示すレイアウトと同様である。

図８の例において、白線５００は、発光している複数の副画素で構成されており、それらは、赤副画素５０１〜５０４、緑副画素５１１〜５２２、及び青副画素５４１〜５４４である。赤副画素５０１〜５０４、青副画素５４１〜５４４及び中央列の緑副画素５１５〜５１８は、それぞれ白を表示するための所定輝度で発光している。左列の緑副画素５１１〜５１４及び右列の緑副画素５１９〜５２２の輝度は同一であり、中央列の緑副画素５１５〜５１８の輝度よりも低い。

比較例において、中央列の緑副画素と左右列の緑副画素との間のＸ軸に沿った距離が大きく、Ｘ軸に沿った方向における解像度が低くなる。例えば、図８に示す白線５００の太さは不均一であると視認されやすい。具体的には、左右列の緑副画素を含む部分は太く、中央列の緑副画素を含む部分は細く視認されやすい。

図９は、本実施形態の副画素レイアウトにおけるＹ軸に沿って延びる白線の例を示す。図９の副画素レイアウトは、図４〜７を参照して説明したレイアウトと同様である。図９の例において、線幅ＬＷを有する白線６００は、発光している複数の副画素で構成されており、隣接する二つの赤副画素列、三つの緑副画素列及び二つの青副画素列で構成されている。白線６００を構成する副画素は、赤副画素６０１〜６０４、緑副画素６１１〜６２２、及び青副画素６４１〜６４４である。

白線６００は、Ｙ軸に沿って連続する複数の副画素グループで構成されており、各副画素グループは同一副画素行の赤副画素、青副画素及び一つ又は二つの緑副画素ペアで構成されている。第１副画素グループと第２副画素グループが、Ｙ軸に沿って交互に配列されている。第１副画素グループは、二つの隣接する緑副画素ペアと、それらの間に挟まれた赤副画素及び青副画素で構成されている。第２副画素グループは、一つの緑副画素ペアと、それに隣接する（それを挟む）赤副画素及び青副画素で構成されている。

赤副画素６０１〜６０４、青副画素６４１〜６４４及び中央列の緑副画素６１５〜６１８は、それぞれ白を表示するための所定輝度で発光している。左列の緑副画素６１１〜６１４及び右列の緑副画素６１９〜６２２の輝度は、中央列の緑副画素６１５〜６１８の輝度よりも低い。緑副画素６１１、６１３、６２０、６２２の輝度は同一である。緑副画素６１２、６１４、６１９、６２１の輝度は同一であり、緑副画素６１１、６１３、６２０、６２２の輝度よりも低い。これにより、より均一な白線を描くことができる。緑副画素６１２、６１４、６１９、６２１の輝度はゼロでもよい。

図８に示す比較例に対して、本実施形態の副画素レイアウトにおける緑副画素のＸ軸の座標がより分散しており、Ｘ軸に沿った解像度が高い。図８の比較例において、同一の緑副画素列内の緑副画素の重心のＸ座標は共通である。図９に示す本実施形態の副画素レイアウトにおいて、緑副画素ペアを構成する緑副画素の重心のＸ座標は異なっている。

例えば、緑副画素６１２、６１１、６１５、６１６、６２０、６１９の重心は、全て異なるＸ座標値を有している。緑副画素６１１、６１３、６２０、６２２の重心のＸ座標は、中央列の緑副画素ペアの重心のＸ座標により近く、緑副画素６１２、６１４、６１９、６２１の重心のＸ座標は、中央列の緑副画素ペアの重心からより遠い。つまり、緑副画素６１１、６１３、６２０、６２２の重心と中央列の緑副画素ペアの重心との間のＸ軸における距離は、緑副画素６１２、６１４、６１９、６２１の重心と中央列の緑副画素ペアの重心との間のＸ軸における距離より小さい。

上述のように、ドライバＩＣ１３４は、サブピクセルレンダリング技術により、中央列の緑副画素により近い左右列の緑副画素６１１、６１３、６２０、６２２をより高い輝度で発光させ、中央列の緑副画素からより遠い左右列の緑副画素６１２、６１４、６１９、６２１をより低い輝度（ゼロでもよい）で発光させる。

ドライバＩＣ１３４は、不図示の主制御部から、映像信号及び映像信号用タイミング信号を受信する。映像信号は、連続する映像フレームのデータ（信号）を含む。ドライバＩＣ１３４は、サブピクセルレンダリング技術により、映像フレーム内の画素のデータ（１画素のデータ（情報）は３色の情報を含む）から、副画素の駆動信号値（輝度値）を決定する。サブレンダリング技術は、映像フレームにおける１又は複数の画素のデータから、一つの副画素の輝度を決定する。

ドライバＩＣ１３４は、映像信号用タイミング信号から生成した表示制御用駆動信号を走査ドライバ１３１及びエミッションドライバ１３２に送信し、副画素の駆動信号を表示領域１２５の画素回路に出力する。

上述のように、本実施形態の副画素レイアウトはＸ軸における解像度を向上する。ドライバＩＣ１３４は、緑副画素の輝度を調整することで白線６００の線幅ＬＷを微調整することができる。

図１０は、副画素レイアウトの他の例を示す。図１０が示す副画素レイアウトは、図５に示す副画素レイアウトと比較して、Ｙ軸に対してより大きい傾き角度（図１０の例において３０°）を有する副画素で構成されている。図１０において、Ｙ軸に沿って延びる線６８１〜６８４は、それぞれ、緑副画素の重心を通過する隣接する仮想線を示す。図１０の副画素レイアウトにおいて、線６８１〜６８４において隣接する線の間の間隔Ｄは一定である。このように、緑副画素のＸ座標が均等となることで、Ｘ方向においてより均等な輝度分布を実現できる。

図１１は、表示領域１２５における、画素回路、配線及びアノード電極の間の位置関係を模式的に示している。図１１において、図示の容易のため、一部の構成要素のみが符号で指示されている。

赤副画素のアノード電極１６２Ｒは、スルーホール１７２Ｒを介して、画素回路１８１Ｒに接続されている。緑副画素ペアの一つの緑副画素のアノード電極１６２Ｇ１は、スルーホール１７２Ｇ１を介して、画素回路１８１Ｇ１に接続されている。緑副画素ペアの他の緑副画素のアノード電極１６２Ｇ２は、スルーホール１７２Ｇ２を介して、画素回路１８１Ｇ２に接続されている。青副画素のアノード電極１６２Ｂは、スルーホール１７２Ｂを介して、画素回路１８１Ｂに接続されている。本例の副画素の回路構成はトップエミッション構造を有しており、アノード電極を画素回路より上層において自由に形成、配置することができる。

図１２は、アノード電極、ＰＤＬ開口、及び有機ＥＬ材料の蒸着に使用するメタルマスクの開口の間の位置関係を模式的に示す。図１２において、図示の容易のため、一部の構成要素のみが符号で指示されている。メタルマスクは色毎に用意される。各メタルマスクは複数の開口を有し、各開口は対応する色の各副画素又は各副画素ペアに対応する。本実施形態の副画素レイアウトは、デルタナブラレイアウトであるので、各メタルマスクにおいて開口に対して大きな開口間距離を実現できる。

図１２に示すように、赤副画素のためのメタルマスクの開口３０１Ｒは、平面視において、赤副画素のアノード電極１６２Ｒ及びＰＤＬ開口１６７Ｒを包含している。赤副画素のアノード電極１６２Ｒの外周は、平面視において、ＰＤＬ開口１６７Ｒを包含している。図１２の構成例において、コンタクトホール１７２ＲはＰＤＬ開口１６７Ｒの外側に位置する。

緑副画素のためのメタルマスクの開口３０１Ｇは、緑副画素ペアを構成する二つの緑副画素のアノード電極１６２Ｇ１、１６２Ｇ２及びＰＤＬ開口１６７Ｇ１、１６７Ｇ２を包含している。アノード電極１６２Ｇ１の外周はＰＤＬ開口１６７Ｇ１を包含し、アノード電極１６２Ｇ２の外周はＰＤＬ開口１６７Ｇ２を包含している。図１２の構成例において、コンタクトホール１７２Ｇ１、１７２Ｇ２は、それぞれ、ＰＤＬ開口１６７Ｇ１、１６７Ｇ２の外側に位置する。

青副画素のためのメタルマスクの開口３０１Ｂは、平面視において、青副画素のアノード電極１６２Ｂ及びＰＤＬ開口１６７Ｂを包含している。青副画素のアノード電極１６２Ｂの外周は、平面視において、ＰＤＬ開口１６７Ｂを包含している。図１２の構成例において、コンタクトホール１７２ＢはＰＤＬ開口１６７Ｂの外側に位置する。

以下において、ドライバＩＣ１３４が、サブピクセルレンダリング技術により、映像フレーム内の画素（フレーム画素）のデータ（１画素のデータ（情報）は３色の情報を含む）から、副画素の駆動信号値（輝度値）を決定する方法の例を説明する。

図１３は、ドライバＩＣ１３４の論理要素を示す。ドライバＩＣ１３４は、ガンマ変換部３４１、相対輝度変換部３４２、逆ガンマ変換部３４３、駆動信号生成部３４４、及びデータドライバ３４５を含む。

ドライバＩＣ１３４は、不図示の主制御部から、映像信号及び映像信号用タイミング信号を受信する。映像信号は、連続する映像フレームのデータ（信号）を含む。ガンマ変換部３４１は、入力された映像信号に含まれるＲＧＢ階調値（信号）を、ＲＧＢ相対輝度値に変換する。より具体的には、ガンマ変換部３４１は、各映像フレームの各画素のＲ階調値、Ｇ階調値、Ｂ階調値を、Ｒ相対輝度値、Ｇ相対輝度値、Ｂ相対輝度値（ＬＲｉｎ、ＬＧｉｎ、ＬＢｉｎ）に変換する。フレーム画素の相対輝度値は、映像フレーム内で正規化された輝度値である。

相対輝度変換部３４２は、映像フレーム内の各画素のＲ、Ｇ、Ｂ相対輝度値（ＬＲｉｎ、ＬＧｉｎ、ＬＢｉｎ）を、ＯＬＥＤ表示パネルの副画素のＲ、Ｇ、Ｂ相対輝度値（ＬＲｐ、ＬＧｐ、ＬＢｐ）に変換する。相対輝度変換部３４２による演算処理の詳細は後述する。副画素の相対輝度値は、ＯＬＥＤ表示パネルにおいて正規化された副画素の輝度値である。

逆ガンマ変換部３４３は、相対輝度変換部３４２による演算後のＲ副画素、Ｇ副画素、Ｂ副画素の相対輝度値を、Ｒ副画素、Ｇ副画素、Ｂ副画素の階調値に変換する。データドライバ３４５は、Ｒ副画素、Ｇ副画素、Ｂ副画素の階調値に応じた駆動信号を、画素回路に送信する。

駆動信号生成部３４４は、入力された映像信号用タイミング信号を、ＯＬＥＤ表示パネルの表示制御用駆動信号に変換する。映像信号用タイミング信号は、データ転送レートを決定するドットクロック（ピクセルクロック）、水平同期信号、垂直同期信号、データイネーブル信号を含む。

駆動信号生成部３４４は、入力された映像信号用タイミング信号のドットクロックを、ＯＬＥＤ表示パネルの画素数に合わせて変換する。駆動信号生成部３４４は、さらに、データイネーブル信号、垂直同期信号、水平同期信号から、データドライバ３４５、走査ドライバ１３１、及びエミッションドライバ１３２の制御信号（又は、パネルの駆動信号）を生成し、それらに出力する。

図１４は、映像フレームにおける一部のフレーム画素群８１とＯＬＥＤ表示パネルの一部の副画素群との間の関係を示す。映像フレームの表示画像は、行方向（Ｘ軸に沿った方向）及び列方向（Ｙ軸に沿った方向）にマトリックス状に配列されたフレーム画素で構成される。図１４において、フレーム画素の形状は共通であり、破線の正方形で示されている。Ｘ軸に沿ったフレーム画素のピッチは、Ｘ軸に沿った副画素のピッチの２／３である。Ｙ軸に沿ったフレーム画素のピッチは、副画素又は副画素ペア（副画素行）のピッチの２倍である。

図１４は、Ｘ座標が２ｎ−１から２（ｎ＋１）、Ｙ座標が４ｍ−１から４（ｍ＋１）のフレーム画素を示す。ｎ及びｍは、例えば、それぞれ自然数である。以下において、Ｘ軸に沿って配列されたフレーム画素からなるフレーム行をＸ座標で同定し、Ｙ軸に沿って配列されたフレーム画素からなるフレーム画素列をＹ座標で同定する。また、各フレーム画素を、（Ｘ座標、Ｙ座標）で同定する。例えば、図１４における左上隅のフレーム画素は、フレーム画素（２ｎ−１，４ｍ−１）と表記する。フレーム画素列及びフレーム画素行を、共に、フレーム画素ラインと呼ぶ。

図１４において、各副画素は破線又は実線の長方形で模式的に示されている。上述のように、各副画素の形状は長方形に限定されない。副画素を示す長方形内のＲ（赤）、Ｇ（緑）及びＢ（青）は、それぞれ、副画素の色を示す。実線で示されている副画素Ｒ１、Ｒ２は、赤の副画素である。実線で示されている副画素Ｂ１、Ｂ２は、青の副画素である。実線で示されている副画素Ｇ１１、Ｇ１２、Ｇ２１、Ｇ２２は、緑の副画素である。緑副画素Ｇ１１、Ｇ１２が一つの緑副画素ペアを構成し、緑副画素Ｇ２１、Ｇ２２が一つの緑副画素ペアを構成する。

副画素Ｒ１、Ｇ１１、Ｇ１２、Ｂ１は、同一の副画素行における、隣接する副画素及び副画素ペアである。副画素Ｒ２、Ｇ２１、Ｇ２２、Ｂ２は、上記副画素行に隣接する同一の副画素行における、隣接する副画素及び副画素ペアである。二つの隣接副画素行の間において、副画素又は副画素ペアがＸ軸に対して傾く方向は逆である。

以下において、実線で示されている副画素Ｒ１、Ｒ２、Ｂ１、Ｂ２、Ｇ１１、Ｇ１２、Ｇ２１、Ｇ２２それぞれの相対輝度値を決定する方法を説明する。以下に説明する例は、副画素及びフレーム画素の相対輝度を直接に示す相対輝度値を使用するが、結果的にフレーム画素の相対輝度から副画素の相対輝度を決定することができれば、相対輝度を表すどのような数値を使用してもよい。

各副画素に対して、所定の位置関係にある複数のフレーム画素が割り当てられ、各副画素の相対輝度値は、割り当てられているフレーム画素の相対輝度値の積和により計算される。副画素Ｒ１、Ｒ２、Ｂ１、Ｂ２、Ｇ１１、Ｇ１２、Ｇ２１、Ｇ２２は、表示領域における単位を構成する。当該単位を面内で並べることで表示領域を構成できる。従って、任意の副画素の相対輝度値は、上記８つの副画素の同色のいずれかの副画素と同様の方法で決定され得る。

図９を参照して説明したように、１本のフレーム画素列の白線を表示する場合、緑副画素ペアの白線に対して外側の緑副画素の輝度値（相対輝度値）は、内側の緑副画素の輝度値より小さい。まず、外側の緑副画素の輝度値がゼロであるＯＬＥＤ表示装置における、副画素それぞれの相対輝度値の決定方法を説明する。

図１５は、赤副画素Ｒ１と、それに対して相対輝度値が割り当てられるフレーム画素と、を示す。副画素Ｒ１に対して、フレーム画素列（２ｎ−１）の４つの連続するフレーム画素（２ｎ−１，４ｍ−１）、（２ｎ−１，４ｍ）、（２ｎ−１，４ｍ＋１）、（２ｎ−１，４ｍ＋２）の相対輝度値が割り当てられている。さらに、フレーム画素列（２ｎ）の４つの連続するフレーム画素（２ｎ，４ｍ−１）、（２ｎ，４ｍ）、（２ｎ，４ｍ＋１）、（２ｎ，４ｍ＋２）の相対輝度値が割り当てられている。

副画素Ｒ１の相対輝度値ＬＲ１は、例えば、次の数式で表わされる。ＬＲｉｎ（ｘ，ｙ）は、座標（ｘ、ｙ）のフレーム画素の赤の相対輝度値を示す。
ＬＲ１＝ＬＲｉｎ（２ｎ−１，４ｍ−１）＊（３／２４）
＋ＬＲｉｎ（２ｎ，４ｍ−１）＊（１／２４）
＋ＬＲｉｎ（２ｎ−１，４ｍ）＊（５／２４）
＋ＬＲｉｎ（２ｎ，４ｍ）＊（３／２４）
＋ＬＲｉｎ（２ｎ−１，４ｍ＋１）＊（５／２４）
＋ＬＲｉｎ（２ｎ，４ｍ＋１）＊（３／２４）
＋ＬＲｉｎ（２ｎ−１，４ｍ＋２）＊（３／２４）
＋ＬＲｉｎ（２ｎ，４ｍ＋２）＊（１／２４）

図１５の例において、副画素Ｒ１の重心ＣＲ１は、フレーム画素列（２ｎ−１）に含まれており、フレーム画素行（４ｍ）とフレーム画素行（４ｍ＋１）の境界上にある。また、重心ＣＲ１は、フレーム画素列（２ｎ−１）のＹ軸に沿った中心線より、フレーム画素列（２ｎ）に近い。

フレーム画素列（２ｎ−１）、（２ｎ）は、副画素Ｒ１の重心ＣＲ１からの距離が最も近い２つのフレーム画素列である。副画素の重心とフレーム画素列との距離は、例えば、フレーム画素列のフレーム画素の重心を通過する線（Ｙ軸に沿った中心線）と副画素の重心との距離であってよい。

フレーム画素（２ｎ−１，４ｍ−１）、（２ｎ−１，４ｍ）、（２ｎ−１，４ｍ＋１）、（２ｎ−１，４ｍ＋２）は、フレーム画素列（２ｎ−１）において、副画素Ｒ１に最も近い４つのフレーム画素である。フレーム画素と副画素との距離は、例えば、それぞれの重心間の距離であってよい。

また、フレーム画素（２ｎ，４ｍ−１）、（２ｎ，４ｍ）、（２ｎ，４ｍ＋１）、（２ｎ，４ｍ＋２）は、フレーム画素列（２ｎ）において、副画素Ｒ１に最も近い４つのフレーム画素である。上記８つのフレーム画素は、フレーム画素列（２ｎ−１）、（２ｎ）において、副画素Ｒ１に最も近い８つのフレーム画素である。

上記数式が示すように、赤副画素Ｒ１（の重心）に最も近いフレーム画素（２ｎ−１，４ｍ）、（２ｎ−１，４ｍ＋１）の重みが最も大きく、最も遠いフレーム画素（２ｎ，４ｍ−１）、（２ｎ，４ｍ＋２）の重みが最も小さい。他のフレーム画素（２ｎ−１，４ｍ−１）、（２ｎ−１，４ｍ＋２）、（２ｎ，４ｍ）、（２ｎ，４ｍ＋１）の重みは、最小値と最大値の間であって、同一である。

図１６は、緑副画素Ｇ１１、Ｇ１２と、それらに対して相対輝度値が割り当てられるフレーム画素と、を示す。副画素Ｇ１１に対して、フレーム画素行（４ｍ−１）の２つの隣接するフレーム画素（２ｎ，４ｍ−１）、（２ｎ＋１，４ｍ−１）の相対輝度値が割り当てられている。さらに、フレーム画素行（４ｍ）の２つの隣接するフレーム画素（２ｎ，４ｍ）、（２ｎ＋１，４ｍ）の相対輝度値が割り当てられている。

副画素Ｇ１１の相対輝度値ＬＧ１１は、例えば、次の数式で表わされる。ＬＧｉｎ（ｘ，ｙ）は、座標（ｘ、ｙ）のフレーム画素の緑の相対輝度値を示す。
ＬＧ１１＝ＬＧｉｎ（２ｎ，４ｍ−１）＊（３／１２）
＋ＬＧｉｎ（２ｎ＋１，４ｍ−１）＊（１／１２）
＋ＬＧｉｎ（２ｎ，４ｍ）＊（５／１２）
＋ＬＧｉｎ（２ｎ＋１，４ｍ）＊（３／１２）

図１６の例において、副画素Ｇ１１の重心ＣＧ１１は、フレーム画素行（４ｍ）及びフレーム画素列（２ｎ）に含まれている、つまり、フレーム画素（２ｎ，４ｍ）に含まれている。また、重心ＣＧ１１は、フレーム画素列（２ｎ）のＹ軸に沿った中心線より、フレーム画素列（２ｎ＋１）に近い。

フレーム画素行（４ｍ）は、副画素Ｇ１１の重心ＣＧ１１から最も近いフレーム画素行である。副画素の重心とフレーム画素行との距離は、例えば、フレーム画素行のフレーム画素の重心を通過する線（Ｘ軸に沿った中心線）と副画素の重心との距離であってよい。フレーム画素（２ｎ，４ｍ）、（２ｎ＋１，４ｍ）は、フレーム画素行（４ｍ）において、副画素Ｇ１１の重心ＣＧ１１に最も近い２つのフレーム画素である。

フレーム画素行（４ｍ−１）は、副画素Ｇ１２と反対側において、フレーム画素行（４ｍ）に隣接する。フレーム画素（２ｎ，４ｍ−１）、（２ｎ＋１，４ｍ−１）は、フレーム画素行（４ｍ−１）において、副画素Ｇ１１の重心ＣＧ１１に最も近い２つのフレーム画素である。

上記数式が示すように、緑副画素Ｇ１１（の重心）に最も近いフレーム画素（２ｎ，４ｍ）の重みが最も大きく、最も遠いフレーム画素（２ｎ＋１，４ｍ−１）の重みが最も小さい。他の２つのフレーム画素（２ｎ，４ｍ−１）、（２ｎ＋１，４ｍ）の重みは、最小値と最大値の間であって、同一である。

次に、副画素Ｇ１２に対して、フレーム画素行（４ｍ＋１）の２つの隣接するフレーム画素（２ｎ−１，４ｍ＋１）、（２ｎ，４ｍ＋１）の相対輝度値が割り当てられている。さらに、フレーム画素行（４ｍ＋２）の２つの隣接するフレーム画素（２ｎ−１，４ｍ＋２）、（２ｎ，４ｍ＋２）の相対輝度値が割り当てられている。

副画素Ｇ１２の相対輝度値ＬＧ１２は、例えば、次の数式で表わされる。
ＬＧ１２＝ＬＧｉｎ（２ｎ−１，４ｍ＋１）＊（３／１２）
＋ＬＧｉｎ（２ｎ，４ｍ＋１）＊（５／１２）
＋ＬＧｉｎ（２ｎ−１，４ｍ＋２）＊（１／１２）
＋ＬＧｉｎ（２ｎ，４ｍ＋２）＊（３／１２）

図１６の例において、副画素Ｇ１２の重心ＣＧ１２は、フレーム画素行（４ｍ＋１）及びフレーム画素列（２ｎ）に含まれている、つまり、フレーム画素（２ｎ，４ｍ＋１）に含まれている。また、重心ＣＧ１２は、フレーム画素列（２ｎ）のＹ軸に沿った中心線より、フレーム画素列（２ｎ−１）に近い。

フレーム画素行（４ｍ＋１）は、副画素Ｇ１２の重心ＣＧ１２から最も近いフレーム画素行である。フレーム画素（２ｎ−１，４ｍ＋１）、（２ｎ，４ｍ＋１）は、フレーム画素行（４ｍ＋１）において、副画素Ｇ１２の重心ＣＧ１２に最も近い２つのフレーム画素である。

フレーム画素行（４ｍ＋２）は、副画素Ｇ１１と反対側において、フレーム画素行（４ｍ＋１）に隣接する。フレーム画素（２ｎ−１，４ｍ＋２）、（２ｎ，４ｍ＋２）は、フレーム画素行（４ｍ＋２）において、副画素Ｇ１２の重心ＣＧ１２に最も近い２つのフレーム画素である。

上記数式が示すように、緑副画素Ｇ１２（の重心）に最も近いフレーム画素（２ｎ，４ｍ＋１）の重みが最も大きく、最も遠いフレーム画素（２ｎ−１，４ｍ＋２）の重みが最も小さい。他の２つのフレーム画素（２ｎ−１，４ｍ＋１）、（２ｎ，４ｍ＋２）の重みは、最小値と最大値の間であって、同一である。

図１７は、青副画素Ｂ１と、それに対して相対輝度値が割り当てられるフレーム画素と、を示す。副画素Ｂ１に対して、フレーム画素列（２ｎ）の４つの連続するフレーム画素（２ｎ，４ｍ−１）、（２ｎ，４ｍ）、（２ｎ，４ｍ＋１）、（２ｎ，４ｍ＋２）の相対輝度値が割り当てられている。さらに、フレーム画素列（２ｎ＋１）の４つの連続するフレーム画素（２ｎ＋１，４ｍ−１）、（２ｎ＋１，４ｍ）、（２ｎ＋１，４ｍ＋１）、（２ｎ＋１，４ｍ＋２）の相対輝度値が割り当てられている。

副画素Ｂ１の相対輝度値ＬＢ１は、例えば、次の数式で表わされる。ＬＢｉｎ（ｘ，ｙ）は、座標（ｘ、ｙ）のフレーム画素の青の相対輝度値を示す。
ＬＢ１＝ＬＢｉｎ（２ｎ，４ｍ−１）＊（１／２４）
＋ＬＢｉｎ（２ｎ＋１，４ｍ−１）＊（３／２４）
＋ＬＢｉｎ（２ｎ，４ｍ）＊（３／２４）
＋ＬＢｉｎ（２ｎ＋１，４ｍ）＊（５／２４）
＋ＬＢｉｎ（２ｎ，４ｍ＋１）＊（３／２４）
＋ＬＢｉｎ（２ｎ＋１，４ｍ＋１）＊（５／２４）
＋ＬＢｉｎ（２ｎ，４ｍ＋２）＊（１／２４）
＋ＬＢｉｎ（２ｎ＋１，４ｍ＋２）＊（３／２４）

図１７の例において、副画素Ｂ１の重心ＣＢ１は、フレーム画素列（２ｎ＋１）に含まれており、フレーム画素行（４ｍ）とフレーム画素行（４ｍ＋１）の境界上にある。また、重心ＣＢ１は、フレーム画素列（２ｎ＋１）のＹ軸に沿った中心線より、フレーム画素列（２ｎ）に近い。

フレーム画素列（２ｎ）、（２ｎ＋１）は、副画素Ｂ１の重心ＣＢ１からの距離が最も近い２つのフレーム画素列である。フレーム画素（２ｎ，４ｍ−１）、（２ｎ，４ｍ）、（２ｎ，４ｍ＋１）、（２ｎ，４ｍ＋２）は、フレーム画素列（２ｎ）において、副画素Ｂ１に最も近い４つのフレーム画素である。フレーム画素（２ｎ＋１，４ｍ−１）、（２ｎ＋１，４ｍ）、（２ｎ＋１，４ｍ＋１）、（２ｎ＋１，４ｍ＋２）は、フレーム画素列（２ｎ＋１）において、副画素Ｂ１に最も近い４つのフレーム画素である。上記８つのフレーム画素は、フレーム画素列（２ｎ）、（２ｎ＋１）において、副画素Ｂ１に最も近い８つのフレーム画素である。

上記数式が示すように、副画素Ｂ１（の重心）に最も近いフレーム画素（２ｎ＋１，４ｍ）、（２ｎ＋１，４ｍ＋１）の重みが最も大きく、最も遠いフレーム画素（２ｎ，４ｍ−１）、（２ｎ，４ｍ＋２）の重みが最も小さい。他のフレーム画素（２ｎ，４ｍ）、（２ｎ，４ｍ＋１）、（２ｎ＋１，４ｍ−１）、（２ｎ＋１，４ｍ＋２）の重みは、最小値と最大値の間であって、同一である。

図１８は、赤副画素Ｒ２と、それに対して相対輝度値が割り当てられるフレーム画素と、を示す。副画素Ｒ２に対して、フレーム画素列（２ｎ）の４つの連続するフレーム画素（２ｎ，４ｍ＋１）、（２ｎ，４ｍ＋２）、（２ｎ，４ｍ＋３）、（２ｎ，４（ｍ＋１））の相対輝度値が割り当てられている。さらに、フレーム画素列（２ｎ＋１）の４つの連続するフレーム画素（２ｎ＋１，４ｍ＋１）、（２ｎ＋１，４ｍ＋２）、（２ｎ＋１，４ｍ＋３）、（２ｎ＋１，４（ｍ＋１））の相対輝度値が割り当てられている。

副画素Ｒ２の相対輝度値ＬＲ２は、例えば、次の数式で表わされる。
ＬＲ２＝ＬＲｉｎ（２ｎ，４ｍ＋１）＊（３／２４）
＋ＬＲｉｎ（２ｎ＋１，４ｍ＋１）＊（１／２４）
＋ＬＲｉｎ（２ｎ，４ｍ＋２）＊（５／２４）
＋ＬＲｉｎ（２ｎ＋１，４ｍ＋２）＊（３／２４）
＋ＬＲｉｎ（２ｎ，４ｍ＋３）＊（５／２４）
＋ＬＲｉｎ（２ｎ＋１，４ｍ＋３）＊（３／２４）
＋ＬＲｉｎ（２ｎ，４（ｍ＋１））＊（３／２４）
＋ＬＲｉｎ（２ｎ＋１，４（ｍ＋１））＊（１／２４）

図１８の例において、副画素Ｒ２の重心ＣＲ２は、フレーム画素列（２ｎ）に含まれており、フレーム画素行（４ｍ＋２）とフレーム画素行（４ｍ＋３）の境界上にある。また、重心ＣＲ２は、フレーム画素列（２ｎ）のＹ軸に沿った中心線より、フレーム画素列（２ｎ＋１）に近い。

フレーム画素列（２ｎ）、（２ｎ＋１）は、副画素Ｒ２の重心ＣＲ２からの距離が最も近い２つのフレーム画素列である。フレーム画素（２ｎ，４ｍ＋１）、（２ｎ，４ｍ＋２）、（２ｎ，４ｍ＋３）、（２ｎ，４（ｍ＋１））は、フレーム画素列（２ｎ）において、副画素Ｒ２に最も近い４つのフレーム画素である。

また、フレーム画素（２ｎ＋１，４ｍ＋１）、（２ｎ＋１，４ｍ＋２）、（２ｎ＋１，４ｍ＋３）、（２ｎ＋１，４（ｍ＋１））は、フレーム画素列（２ｎ＋１）において、副画素Ｒ２に最も近い４つのフレーム画素である。上記８つのフレーム画素は、フレーム画素列（２ｎ）、（２ｎ＋１）において、副画素Ｒ２に最も近い８つのフレーム画素である。

上記数式が示すように、赤副画素Ｒ２（の重心）に最も近いフレーム画素（２ｎ，４ｍ＋２）、（２ｎ，４ｍ＋３）の重みが最も大きく、最も遠いフレーム画素（２ｎ＋１，４ｍ＋１）、（２ｎ＋１，４（ｍ＋１））の重みが最も小さい。他のフレーム画素（２ｎ，４ｍ＋１）、（２ｎ，４（ｍ＋１））、（２ｎ＋１，４ｍ＋２）、（２ｎ＋１，４ｍ＋３）の重みは、最小値と最大値の間であって、同一である。

図１９は、緑副画素Ｇ２１、Ｇ２２と、それらに対して相対輝度値が割り当てられるフレーム画素と、を示す。副画素Ｇ２１に対して、フレーム画素行（４ｍ＋１）の２つの隣接するフレーム画素（２ｎ，４ｍ＋１）、（２ｎ＋１，４ｍ＋１）の相対輝度値が割り当てられている。さらに、フレーム画素行（４ｍ＋２）の２つの隣接するフレーム画素（２ｎ，４ｍ＋２）、（２ｎ＋１，４ｍ＋２）の相対輝度値が割り当てられている。

副画素Ｇ２１の相対輝度値ＬＧ２１は、例えば、次の数式で表わされる。
ＬＧ２１＝ＬＧｉｎ（２ｎ，４ｍ＋１）＊（１／１２）
＋ＬＧｉｎ（２ｎ＋１，４ｍ＋１）＊（３／１２）
＋ＬＧｉｎ（２ｎ，４ｍ＋２）＊（３／１２）
＋ＬＧｉｎ（２ｎ＋１，４ｍ＋２）＊（５／１２）

図１９の例において、副画素Ｇ２１の重心ＣＧ２１は、フレーム画素行（４ｍ＋２）及びフレーム画素列（２ｎ＋１）に含まれている、つまり、フレーム画素（２ｎ＋１，４ｍ＋２）に含まれている。また、重心ＣＧ２１は、フレーム画素列（２ｎ＋１）のＹ軸に沿った中心線より、フレーム画素列（２ｎ）に近い。

フレーム画素行（４ｍ＋２）は、副画素Ｇ２１の重心ＣＧ２１から最も近いフレーム画素行である。フレーム画素（２ｎ，４ｍ＋２）、（２ｎ＋１，４ｍ＋２）は、フレーム画素行（４ｍ＋２）において、副画素Ｇ２１の重心ＣＧ２１に最も近い２つのフレーム画素である。

フレーム画素行（４ｍ＋１）は、副画素Ｇ２２と反対側において、フレーム画素行（４ｍ＋２）に隣接する。フレーム画素（２ｎ，４ｍ＋１）、（２ｎ＋１，４ｍ＋１）は、フレーム画素行（４ｍ＋１）において、副画素Ｇ２１の重心ＣＧ２１に最も近い２つのフレーム画素である。

上記数式が示すように、緑副画素Ｇ２１（の重心）に最も近いフレーム画素（２ｎ＋１，４ｍ＋２）の重みが最も大きく、最も遠いフレーム画素（２ｎ，４ｍ＋１）の重みが最も小さい。他の２つのフレーム画素（２ｎ＋１，４ｍ＋１）、（２ｎ，４ｍ＋２）の重みは、最小値と最大値の間であって、同一である。

次に、副画素Ｇ２２に対して、フレーム画素行（４ｍ＋３）の２つの隣接するフレーム画素（２ｎ＋１，４ｍ＋３）、（２（ｎ＋１），４ｍ＋３）の相対輝度値が割り当てられている。さらに、フレーム画素行（４（ｍ＋１））の２つの隣接するフレーム画素（２ｎ＋１，４（ｍ＋１））、（２（ｎ＋１），４（ｍ＋１））の相対輝度値が割り当てられている。

副画素Ｇ２２の相対輝度値ＬＧ２２は、例えば、次の数式で表わされる。
ＬＧ２２＝ＬＧｉｎ（２ｎ＋１，４ｍ＋３）＊（５／１２）
＋ＬＧｉｎ（２（ｎ＋１），４ｍ＋３）＊（３／１２）
＋ＬＧｉｎ（２ｎ＋１，４（ｍ＋１））＊（３／１２）
＋ＬＧｉｎ（２（ｎ＋１），４（ｍ＋１））＊（１／１２）

図１９の例において、副画素Ｇ２２の重心ＣＧ２２は、フレーム画素行（４ｍ＋３）及びフレーム画素列（２ｎ＋１）に含まれている、つまり、フレーム画素（２ｎ＋１，４ｍ＋３）に含まれている。また、重心ＣＧ２２は、フレーム画素列（２ｎ＋１）のＹ軸に沿った中心線より、フレーム画素列（２（ｎ＋１））に近い。

フレーム画素行（４ｍ＋３）は、副画素Ｇ２２の重心ＣＧ２２から最も近いフレーム画素行である。フレーム画素（２ｎ＋１，４ｍ＋３）、（２（ｎ＋１），４ｍ＋３）は、フレーム画素行（４ｍ＋３）において、副画素Ｇ２２の重心ＣＧ２２に最も近い２つのフレーム画素である。

フレーム画素行（４（ｍ＋１））は、副画素Ｇ２１と反対側において、フレーム画素行（４ｍ＋３）に隣接する。フレーム画素（２ｎ＋１，４（ｍ＋１））、（２（ｎ＋１），４（ｍ＋１））は、フレーム画素行（４（ｍ＋１））において、副画素Ｇ２２の重心ＣＧ２２に最も近い２つのフレーム画素である。

上記数式が示すように、緑副画素Ｇ２２（の重心）に最も近いフレーム画素（２ｎ＋１，４ｍ＋３）の重みが最も大きく、最も遠いフレーム画素（２（ｎ＋１），４（ｍ＋１））の重みが最も小さい。他の２つのフレーム画素（２（ｎ＋１），４ｍ＋３）、（２ｎ＋１，４（ｍ＋１））の重みは、最小値と最大値の間であって、同一である。

図２０は、青副画素Ｂ２と、それに対して相対輝度値が割り当てられるフレーム画素と、を示す。副画素Ｂ２に対して、フレーム画素列（２ｎ＋１）の４つの連続するフレーム画素（２ｎ＋１，４ｍ＋１）、（２ｎ＋１，４ｍ＋２）、（２ｎ＋１，４ｍ＋３）、（２ｎ＋１，４（ｍ＋１））の相対輝度値が割り当てられている。さらに、フレーム画素列（２（ｎ＋１））の４つの連続するフレーム画素（２（ｎ＋１），４ｍ＋１）、（２（ｎ＋１），４ｍ＋２）、（２（ｎ＋１），４ｍ＋３）、（２（ｎ＋１），４（ｍ＋１））の相対輝度値が割り当てられている。

副画素Ｂ２の相対輝度値ＬＢ２は、例えば、次の数式で表わされる。
ＬＢ２＝ＬＢｉｎ（２ｎ＋１，４ｍ＋１）＊（１／２４）
＋ＬＢｉｎ（２（ｎ＋１），４ｍ＋１）＊（３／２４）
＋ＬＢｉｎ（２ｎ＋１，４ｍ＋２）＊（３／２４）
＋ＬＢｉｎ（２（ｎ＋１），４ｍ＋２）＊（５／２４）
＋ＬＢｉｎ（２ｎ＋１，４ｍ＋３）＊（３／２４）
＋ＬＢｉｎ（２（ｎ＋１），４ｍ＋３）＊（５／２４）
＋ＬＢｉｎ（２ｎ＋１，４（ｍ＋１））＊（１／２４）
＋ＬＢｉｎ（２（ｎ＋１），４（ｍ＋１））＊（３／２４）

図２０の例において、副画素Ｂ２の重心ＣＢ２は、フレーム画素列（２（ｎ＋１））に含まれており、フレーム画素行（４ｍ＋２）とフレーム画素行（４ｍ＋３）の境界上にある。また、重心ＣＢ２は、フレーム画素列（２（ｎ＋１））のＹ軸に沿った中心線より、フレーム画素列（２ｎ＋１）に近い。

フレーム画素列（２ｎ＋１）、（２（ｎ＋１））は、副画素Ｂ２の重心ＣＢ２からの距離が最も近い２つのフレーム画素列である。フレーム画素（２ｎ＋１，４ｍ＋１）、（２ｎ＋１，４ｍ＋２）、（２ｎ＋１，４ｍ＋３）、（２ｎ＋１，４（ｍ＋１））は、フレーム画素列（２ｎ＋１）において、副画素Ｂ２に最も近い４つのフレーム画素である。フレーム画素（２（ｎ＋１），４ｍ＋１）、（２（ｎ＋１），４ｍ＋２）、（２（ｎ＋１），４ｍ＋３）、（２（ｎ＋１），４（ｍ＋１））は、フレーム画素列（２（ｎ＋１））において、副画素Ｂ２に最も近い４つのフレーム画素である。上記８つのフレーム画素は、フレーム画素列（２ｎ＋１）、（２（ｎ＋１））において、副画素Ｂ２に最も近い８つのフレーム画素である。

上記数式が示すように、副画素Ｂ２（の重心）に最も近いフレーム画素（２（ｎ＋１），４ｍ＋２）、（２（ｎ＋１），４ｍ＋３）の重みが最も大きく、最も遠いフレーム画素（２ｎ＋１，４ｍ＋１）、（２ｎ＋１，４（ｍ＋１））の重みが最も小さい。他のフレーム画素（２（ｎ＋１），４ｍ＋１）、（２ｎ＋１，４ｍ＋２）、（２ｎ＋１，４ｍ＋３）、（２（ｎ＋１），４（ｍ＋１））の重みは、最小値と最大値の間であって、同一である。

次に、一つのフレーム画素と、そのフレーム画素（の相対輝度値）が割り当てられる副画素との間の関係を説明する。以下において、フレーム画素（２ｎ，４ｍ）、（２ｎ＋１，４ｍ）、（２ｎ，４ｍ＋１）、（２ｎ＋１，４ｍ＋１）、（２ｎ，４ｍ＋２）、（２ｎ＋１，４ｍ＋２）、（２ｎ，４ｍ＋３）、（２ｎ＋１，４ｍ＋３）の説明を行う。これらフレーム画素は、映像フレームにおける単位を構成する。当該単位を面内で並べることで映像フレームを構成できる。従って、任意のフレーム画素の相対輝度値の割り当て方法は、上記８つのフレーム画素のいずれかのフレーム画素と同様である。

図２１は、フレーム画素（２ｎ，４ｍ）と、その相対輝度値が割り当てられる副画素を示す。フレーム画素（２ｎ，４ｍ）の相対輝度値は、上からｋ番目及び（ｋ＋１）番目の副画素行４２１Ａ、４２１Ｂ内の副画素に割り当てられる。ｋは例えば自然数である。

副画素行４２１Ａ、４２１Ｂは、フレーム画素（２ｎ，４ｍ）の重心に最も近い２つの副画素行である。副画素行とフレーム画素の重心との距離は、例えば、副画素行のＸ軸に沿った中心線とフレーム画素の重心との距離であってよい。副画素行４２１Ｂは、フレーム画素（２ｎ，４ｍ）の重心に最も近い副画素行である。

フレーム画素（２ｎ，４ｍ）は、副画素行４２１Ａ、４２１Ｂそれぞれにおいて、フレーム画素（２ｎ，４ｍ）の重心に、重心が最も近い赤若しくは青副画素、又は重心が最も近い緑副画素ペアに、関連付けられている。さらに、フレーム画素（２ｎ，４ｍ）は、最も近い副画素又は副画素ペアの、両側の異なる色の副画素又は副画素ペアに関連付けられている。フレーム画素（２ｎ，４ｍ）の相対輝度値は、関連付けられている赤副画素及び青副画素、並びに、関連づけられている緑副画素ペアにおいてより近い緑副画素に割り当てられる。

具体的には、副画素行４２１Ａにおいて、フレーム画素（２ｎ，４ｍ）に最も近い青副画素Ｂ６１並びにその両側の赤副画素Ｒ６１及び緑副画素Ｇ６１に割り当てられる。緑副画素Ｇ６１は、フレーム画素列（２ｎ）により近い。副画素行４２１Ｂにおいて、フレーム画素（２ｎ，４ｍ）に最も近い緑副画素Ｇ１１と、その両側の赤副画素Ｒ１及び青副画素Ｂ１に割り当てられている。

図２２は、フレーム画素（２ｎ＋１，４ｍ）と、その相対輝度値が割り当てられる副画素を示す。フレーム画素（２ｎ＋１，４ｍ）の相対輝度値は、上からｋ番目及び（ｋ＋１）番目の副画素行４２１Ａ、４２１Ｂ内の副画素に割り当てられる。副画素行４２１Ａ、４２１Ｂは、フレーム画素（２ｎ＋１，４ｍ）の重心に最も近い２つの副画素行である。副画素行４２１Ｂは、フレーム画素（２ｎ＋１，４ｍ）の重心に最も近い副画素行である。

フレーム画素（２ｎ＋１，４ｍ）は、副画素行４２１Ａ、４２１Ｂそれぞれにおいて、フレーム画素（２ｎ＋１，４ｍ）の重心に、重心が最も近い赤若しくは青副画素、又は重心が最も近い緑副画素ペアに、関連付けられている。さらに、フレーム画素（２ｎ＋１，４ｍ）は、最も近い副画素又は副画素ペアの、両側の異なる色の副画素又は副画素ペアに関連付けられている。フレーム画素（２ｎ＋１，４ｍ）の相対輝度値は、関連付けられている赤副画素及び青副画素、並びに、関連づけられている緑副画素ペアにおいてより近い緑副画素に割り当てられる。

具体的には、副画素行４２１Ａにおいて、フレーム画素（２ｎ＋１，４ｍ）に最も近い緑副画素Ｇ６２並びにその両側の赤副画素Ｒ６１及び青副画素Ｂ６２に割り当てられる。副画素行４２１Ｂにおいて、フレーム画素（２ｎ＋１，４ｍ）に最も近い青副画素Ｂ１と、その両側の赤副画素Ｒ６２及びより近い緑副画素Ｇ１１に割り当てられている。この緑副画素Ｇ１１は、緑副画素ペアにおいて、フレーム画素列（２ｎ＋１）により近い。

図２３は、フレーム画素（２ｎ，４ｍ＋１）と、その相対輝度値が割り当てられる副画素を示す。フレーム画素（２ｎ，４ｍ＋１）の相対輝度値は、上から（ｋ＋１）番目及び（ｋ＋２）番目の副画素行４２１Ｂ、４２１Ｃ内の副画素に割り当てられる。副画素行４２１Ｂ、４２１Ｃは、フレーム画素（２ｎ，４ｍ＋１）の重心に最も近い２つの副画素行である。副画素行４２１Ｂは、フレーム画素（２ｎ，４ｍ＋１）の重心に最も近い副画素行である。

フレーム画素（２ｎ，４ｍ＋１）は、副画素行４２１Ｂ、４２１Ｃそれぞれにおいて、フレーム画素（２ｎ，４ｍ＋１）の重心に、重心が最も近い赤若しくは青副画素、又は重心が最も近い緑副画素ペアに、関連付けられている。さらに、フレーム画素（２ｎ，４ｍ＋１）は、最も近い副画素又は副画素ペアの、両側の異なる色の副画素又は副画素ペアに関連付けられている。フレーム画素（２ｎ，４ｍ＋１）の相対輝度値は、関連付けられている赤副画素及び青副画素、並びに、関連づけられている緑副画素ペアにおいてより近い緑副画素に割り当てられる。

具体的には、副画素行４２１Ｂにおいて、フレーム画素（２ｎ，４ｍ＋１）に最も近い緑副画素Ｇ１２並びにその両側の赤副画素Ｒ１及び青副画素Ｂ１に割り当てられる。副画素行４２１Ｃにおいて、フレーム画素（２ｎ，４ｍ＋１）に最も近い赤副画素Ｒ２と、その両側の青副画素Ｂ６３及びより近い緑副画素Ｇ２１に割り当てられている。この緑副画素Ｇ２１は、緑副画素ペアにおいて、フレーム画素列（２ｎ）により近い。

図２４は、フレーム画素（２ｎ＋１，４ｍ＋１）と、その相対輝度値が割り当てられる副画素を示す。フレーム画素（２ｎ＋１，４ｍ＋１）の相対輝度値は、上から（ｋ＋１）番目及び（ｋ＋２）番目の副画素行４２１Ｂ、４２１Ｃ内の副画素に割り当てられる。副画素行４２１Ｂ、４２１Ｃは、フレーム画素（２ｎ＋１，４ｍ＋１）の重心に最も近い２つの副画素行である。副画素行４２１Ｂは、フレーム画素（２ｎ＋１，４ｍ＋１）の重心に最も近い副画素行である。

フレーム画素（２ｎ＋１，４ｍ＋１）は、副画素行４２１Ｂ、４２１Ｃそれぞれにおいて、フレーム画素（２ｎ＋１，４ｍ＋１）の重心に、重心が最も近い赤若しくは青副画素、又は重心が最も近い緑副画素ペアに、関連付けられている。さらに、フレーム画素（２ｎ＋１，４ｍ＋１）は、最も近い副画素又は副画素ペアの、両側の異なる色の副画素又は副画素ペアに関連付けられている。フレーム画素（２ｎ＋１，４ｍ＋１）の相対輝度値は、関連付けられている赤副画素及び青副画素、並びに、関連づけられている緑副画素ペアにおいてより近い緑副画素に割り当てられる。

具体的には、副画素行４２１Ｂにおいて、フレーム画素（２ｎ＋１，４ｍ＋１）に最も近い赤副画素Ｒ６２並びにその両側の青副画素Ｂ１及びより近い緑副画素Ｇ６３に割り当てられる。この緑副画素Ｇ６３は、緑副画素ペアにおいて、フレーム画素列（２ｎ＋１）により近い。副画素行４２１Ｃにおいて、フレーム画素（２ｎ＋１，４ｍ＋１）に最も近い緑副画素Ｇ２１並びにその両側の赤副画素Ｒ２及び青副画素Ｂ２に割り当てられている。

図２５は、フレーム画素（２ｎ，４ｍ＋２）と、その相対輝度値が割り当てられる副画素を示す。フレーム画素（２ｎ，４ｍ＋２）の相対輝度値は、上から（ｋ＋１）番目及び（ｋ＋２）番目の副画素行４２１Ｂ、４２１Ｃ内の副画素に割り当てられる。副画素行４２１Ｂ、４２１Ｃは、フレーム画素（２ｎ，４ｍ＋２）の重心に最も近い２つの副画素行である。副画素行４２１Ｃは、フレーム画素（２ｎ，４ｍ＋２）の重心に最も近い副画素行である。

フレーム画素（２ｎ，４ｍ＋２）は、副画素行４２１Ｂ、４２１Ｃそれぞれにおいて、フレーム画素（２ｎ，４ｍ＋２）の重心に、重心が最も近い赤若しくは青副画素、又は重心が最も近い緑副画素ペアに、関連付けられている。さらに、フレーム画素（２ｎ，４ｍ＋２）は、最も近い副画素又は副画素ペアの、両側の異なる色の副画素又は副画素ペアに関連付けられている。フレーム画素（２ｎ，４ｍ＋２）の相対輝度値は、関連付けられている赤副画素及び青副画素、並びに、関連づけられている緑副画素ペアにおいてより近い緑副画素に割り当てられる。

具体的には、副画素行４２１Ｂにおいて、フレーム画素（２ｎ，４ｍ＋２）に最も近い緑副画素Ｇ１２並びにその両側の赤副画素Ｒ１及び青副画素Ｂ１に割り当てられる。副画素行４２１Ｃにおいて、フレーム画素（２ｎ，４ｍ＋２）に最も近い赤副画素Ｒ２並びにその両側の青副画素Ｂ６３及びより近い緑副画素Ｇ２１に割り当てられている。この緑副画素Ｇ２１は、緑副画素ペアにおいて、フレーム画素列（２ｎ）により近い。

図２６は、フレーム画素（２ｎ＋１，４ｍ＋２）と、その相対輝度値が割り当てられる副画素を示す。フレーム画素（２ｎ＋１，４ｍ＋２）の相対輝度値は、上から（ｋ＋１）番目及び（ｋ＋２）番目の副画素行４２１Ｂ、４２１Ｃ内の副画素に割り当てられる。副画素行４２１Ｂ、４２１Ｃは、フレーム画素（２ｎ＋１，４ｍ＋２）の重心に最も近い２つの副画素行である。副画素行４２１Ｃは、フレーム画素（２ｎ＋１，４ｍ＋２）の重心に最も近い副画素行である。

フレーム画素（２ｎ＋１，４ｍ＋２）は、副画素行４２１Ｂ、４２１Ｃそれぞれにおいて、フレーム画素（２ｎ＋１，４ｍ＋２）の重心に、重心が最も近い赤若しくは青副画素、又は重心が最も近い緑副画素ペアに、関連付けられている。さらに、フレーム画素（２ｎ＋１，４ｍ＋２）は、最も近い副画素又は副画素ペアの、両側の異なる色の副画素又は副画素ペアに関連付けられている。フレーム画素（２ｎ＋１，４ｍ＋２）の相対輝度値は、関連付けられている赤副画素及び青副画素、並びに、関連づけられている緑副画素ペアにおいてより近い緑副画素に割り当てられる。

具体的には、副画素行４２１Ｂにおいて、フレーム画素（２ｎ＋１，４ｍ＋２）に最も近い赤副画素Ｒ６２並びにその両側の青副画素Ｂ１及びより近い緑副画素Ｇ６３に割り当てられる。この緑副画素Ｇ６３は、緑副画素ペアにおいて、フレーム画素列（２ｎ＋１）により近い。副画素行４２１Ｃにおいて、フレーム画素（２ｎ＋１，４ｍ＋２）に最も近い緑副画素Ｇ２１並びにその両側の赤副画素Ｒ２及び青副画素Ｂ２に割り当てられている。

図２７は、フレーム画素（２ｎ，４ｍ＋３）と、その相対輝度値が割り当てられる副画素を示す。フレーム画素（２ｎ，４ｍ＋３）の相対輝度値は、上から（ｋ＋２）番目及び（ｋ＋３）番目の副画素行４２１Ｃ、４２１Ｄ内の副画素に割り当てられる。副画素行４２１Ｃ、４２１Ｄは、フレーム画素（２ｎ，４ｍ＋３）の重心に最も近い２つの副画素行である。副画素行４２１Ｃは、フレーム画素（２ｎ，４ｍ＋３）の重心に最も近い副画素行である。

フレーム画素（２ｎ，４ｍ＋３）は、副画素行４２１Ｃ、４２１Ｄそれぞれにおいて、フレーム画素（２ｎ，４ｍ＋３）の重心に、重心が最も近い赤若しくは青副画素、又は重心が最も近い緑副画素ペアに、関連付けられている。さらに、フレーム画素（２ｎ，４ｍ＋３）は、最も近い副画素又は副画素ペアの、両側の異なる色の副画素又は副画素ペアに関連付けられている。フレーム画素（２ｎ，４ｍ＋３）の相対輝度値は、関連付けられている赤副画素及び青副画素、並びに、関連づけられている緑副画素ペアにおいてより近い緑副画素に割り当てられる。

具体的には、副画素行４２１Ｃにおいて、フレーム画素（２ｎ，４ｍ＋３）に最も近い青副画素Ｂ６３並びにその両側の赤副画素Ｒ２及びより近い緑副画素Ｇ６４に割り当てられる。この緑副画素Ｇ６４は、緑副画素ペアにおいて、フレーム画素列（２ｎ）により近い。副画素行４２１Ｄにおいて、フレーム画素（２ｎ，４ｍ＋３）に最も近い緑副画素Ｇ６５並びにその両側の赤副画素Ｒ６３及び青副画素Ｂ６４に割り当てられている。

図２８は、フレーム画素（２ｎ＋１，４ｍ＋３）と、その相対輝度値が割り当てられる副画素を示す。フレーム画素（２ｎ＋１，４ｍ＋３）の相対輝度値は、上から（ｋ＋２）番目及び（ｋ＋３）番目の副画素行４２１Ｃ、４２１Ｄ内の副画素に割り当てられる。副画素行４２１Ｃ、４２１Ｄは、フレーム画素（２ｎ＋１，４ｍ＋３）の重心に最も近い２つの副画素行である。副画素行４２１Ｃは、フレーム画素（２ｎ＋１，４ｍ＋３）の重心に最も近い副画素行である。

フレーム画素（２ｎ＋１，４ｍ＋３）は、副画素行４２１Ｃ、４２１Ｄそれぞれにおいて、フレーム画素（２ｎ＋１，４ｍ＋３）の重心に、重心が最も近い赤若しくは青副画素、又は重心が最も近い緑副画素ペアに、関連付けられている。さらに、フレーム画素（２ｎ＋１，４ｍ＋３）は、最も近い副画素又は副画素ペアの、両側の異なる色の副画素又は副画素ペアに関連付けられている。フレーム画素（２ｎ＋１，４ｍ＋３）の相対輝度値は、関連付けられている赤副画素及び青副画素、並びに、関連づけられている緑副画素ペアにおいてより近い緑副画素に割り当てられる。

具体的には、副画素行４２１Ｃにおいて、フレーム画素（２ｎ＋１，４ｍ＋３）に最も近い緑副画素Ｇ２２並びにその両側の赤副画素Ｒ２及び青副画素Ｂ２に割り当てられる。副画素行４２１Ｄにおいて、フレーム画素（２ｎ＋１，４ｍ＋３）に最も近い青副画素Ｂ６４並びにその両側の赤副画素Ｒ６４及び緑副画素Ｇ６５に割り当てられている。この緑副画素Ｇ６５は、緑副画素ペアにおいて、フレーム画素列（２ｎ＋１）により近い。

次に、１本のフレーム画素列の白線を表示する場合に、緑副画素ペアの白線に対して外側の緑副画素の輝度値（相対輝度値）がゼロより大きいＯＬＥＤ表示装置における、副画素それぞれの相対輝度値の決定方法を説明する。

赤副画素及び青副画素の相対輝度値の決定方法は、図１５〜２８を参照して説明した、外側の緑副画素の輝度値がゼロである上記例と同様である。緑副画素の相対輝度値の決定方法が、上記例と異なる。

図２９は、緑副画素Ｇ１１、Ｇ１２と、それらに対して相対輝度値が割り当てられるフレーム画素と、を示す。副画素Ｇ１１に対して、フレーム画素行（４ｍ−１）の２つの隣接するフレーム画素（２ｎ，４ｍ−１）、（２ｎ＋１，４ｍ−１）の相対輝度値が割り当てられている。さらに、フレーム画素行（４ｍ）の３つの隣接するフレーム画素（２ｎ−１，４ｍ）、（２ｎ，４ｍ）、（２ｎ＋１，４ｍ）の相対輝度値が割り当てられている。図１６の例と比較して、フレーム画素（２ｎ−１，４ｍ）が追加されている。

副画素Ｇ１１の相対輝度値ＬＧ１１は、例えば、次の数式で表わされる。
ＬＧ１１＝ＬＧｉｎ（２ｎ，４ｍ−１）＊（１５／４８）
＋ＬＧｉｎ（２ｎ＋１，４ｍ−１）＊（１／４８）
＋ＬＧｉｎ（２ｎ−１，４ｍ）＊（１／４８）
＋ＬＧｉｎ（２ｎ，４ｍ）＊（２３／４８）
＋ＬＧｉｎ（２ｎ＋１，４ｍ）＊（８／４８）

図２９の例において、副画素Ｇ１１の重心ＣＧ１１は、フレーム画素行（４ｍ）及びフレーム画素列（２ｎ）に含まれている、つまり、フレーム画素（２ｎ，４ｍ）に含まれている。また、重心ＣＧ１１は、フレーム画素列（２ｎ）のＹ軸に沿った中心線より、フレーム画素列（２ｎ＋１）に近い。

フレーム画素行（４ｍ）は、副画素Ｇ１１の重心ＣＧ１１から最も近いフレーム画素行である。フレーム画素（２ｎ，４ｍ）は、フレーム画素行（４ｍ）において、副画素Ｇ１１の重心ＣＧ１１に最も近いフレーム画素であり、フレーム画素（２ｎ−１，４ｍ）、（２ｎ＋１，４ｍ）は、フレーム画素（２ｎ，４ｍ）の両側のフレーム画素である。

フレーム画素行（４ｍ−１）は、副画素Ｇ１２と反対側において、フレーム画素行（４ｍ）に隣接する。フレーム画素（２ｎ，４ｍ−１）、（２ｎ＋１，４ｍ−１）は、フレーム画素行（４ｍ−１）において、副画素Ｇ１１の重心ＣＧ１１に最も近い２つのフレーム画素である。

上記数式が示すように、緑副画素Ｇ１１（の重心）に最も近いフレーム画素（２ｎ，４ｍ）の重みが最も大きい。フレーム画素行（４ｍ）において、次に近いフレーム画素（２ｎ＋１，４ｍ）の重みが次に大きく、最も遠いフレーム画素（２ｎ−１，４ｍ）の重みが最も小さい。フレーム画素行（４ｍ−１）において、緑副画素Ｇ１１（の重心）により近いフレーム画素（２ｎ，４ｍ−１）の重みが、より遠いフレーム画素（２ｎ＋１，４ｍ−１）の重みより大きい。

次に、副画素Ｇ１２に対して、フレーム画素行（４ｍ＋１）の３つの隣接するフレーム画素（２ｎ−１，４ｍ＋１）、（２ｎ，４ｍ＋１）、（２ｎ＋１，４ｍ＋１）の相対輝度値が割り当てられている。さらに、フレーム画素行（４ｍ＋２）の２つの隣接するフレーム画素（２ｎ−１，４ｍ＋２）、（２ｎ，４ｍ＋２）の相対輝度値が割り当てられている。図１６の例と比較して、フレーム画素（２ｎ＋１，４ｍ＋１）が追加されている。

副画素Ｇ１２の相対輝度値ＬＧ１２は、例えば、次の数式で表わされる。
ＬＧ１２＝ＬＧｉｎ（２ｎ−１，４ｍ＋１）＊（８／４８）
＋ＬＧｉｎ（２ｎ，４ｍ＋１）＊（２３／４８）
＋ＬＧｉｎ（２ｎ＋１，４ｍ＋１）＊（１／４８）
＋ＬＧｉｎ（２ｎ−１，４ｍ＋２）＊（１／４８）
＋ＬＧｉｎ（２ｎ，４ｍ＋２）＊（１５／４８）

図２９の例において、副画素Ｇ１２の重心ＣＧ１２は、フレーム画素行（４ｍ＋１）及びフレーム画素列（２ｎ）に含まれている、つまり、フレーム画素（２ｎ，４ｍ＋１）に含まれている。また、重心ＣＧ１２は、フレーム画素列（２ｎ）のＹ軸に沿った中心線より、フレーム画素列（２ｎ−１）に近い。

フレーム画素行（４ｍ＋１）は、副画素Ｇ１２の重心ＣＧ１２から最も近いフレーム画素行である。フレーム画素（２ｎ，４ｍ＋１）は、フレーム画素行（４ｍ＋１）において、副画素Ｇ１２の重心ＣＧ１２に最も近いフレーム画素であり、フレーム画素（２ｎ−１，４ｍ＋１）、（２ｎ＋１，４ｍ＋１）は、フレーム画素（２ｎ，４ｍ＋１）の両側のフレーム画素である。

フレーム画素行（４ｍ＋２）は、副画素Ｇ１１と反対側において、フレーム画素行（４ｍ＋１）に隣接する。フレーム画素（２ｎ−１，４ｍ＋２）、（２ｎ，４ｍ＋２）は、フレーム画素行（４ｍ＋２）において、副画素Ｇ１２の重心ＣＧ１２に最も近い２つのフレーム画素である。

上記数式が示すように、緑副画素Ｇ１２（の重心）に最も近いフレーム画素（２ｎ，４ｍ＋１）の重みが最も大きい。フレーム画素行（４ｍ＋１）において、次に近いフレーム画素（２ｎ−１，４ｍ＋１）の重みが次に大きく、最も遠いフレーム画素（２ｎ＋１，４ｍ＋１）の重みが最も小さい。フレーム画素行（４ｍ＋２）において、緑副画素Ｇ１２（の重心）により近いフレーム画素（２ｎ，４ｍ＋２）の重みが、より遠いフレーム画素（２ｎ−１，４ｍ＋２）の重みより大きい。

図３０は、緑副画素Ｇ２１、Ｇ２２と、それらに対して相対輝度値が割り当てられるフレーム画素と、を示す。副画素Ｇ２１に対して、フレーム画素行（４ｍ＋１）の２つの隣接するフレーム画素（２ｎ，４ｍ＋１）、（２ｎ＋１，４ｍ＋１）の相対輝度値が割り当てられている。さらに、フレーム画素行（４ｍ＋２）の３つの隣接するフレーム画素（２ｎ，４ｍ＋２）、（２ｎ＋１，４ｍ＋２）、（２（ｎ＋１），４ｍ＋２）の相対輝度値が割り当てられている。図１９の例と比較して、フレーム画素（２（ｎ＋１），４ｍ＋２）が追加されている。

副画素Ｇ２１の相対輝度値ＬＧ２１は、例えば、次の数式で表わされる。
ＬＧ２１＝ＬＧｉｎ（２ｎ，４ｍ＋１）＊（１／４８）
＋ＬＧｉｎ（２ｎ＋１，４ｍ＋１）＊（１５／４８）
＋ＬＧｉｎ（２ｎ，４ｍ＋２）＊（８／４８）
＋ＬＧｉｎ（２ｎ＋１，４ｍ＋２）＊（２３／４８）
＋ＬＧｉｎ（２（ｎ＋１），４ｍ＋２）＊（１／４８）

図３０の例において、副画素Ｇ２１の重心ＣＧ２１は、フレーム画素行（４ｍ＋２）及びフレーム画素列（２ｎ＋１）に含まれている、つまり、フレーム画素（２ｎ＋１，４ｍ＋２）に含まれている。また、重心ＣＧ２１は、フレーム画素列（２ｎ＋１）のＹ軸に沿った中心線より、フレーム画素列（２ｎ）に近い。

フレーム画素行（４ｍ＋２）は、副画素Ｇ２１の重心ＣＧ２１から最も近いフレーム画素行である。フレーム画素（２ｎ＋１，４ｍ＋２）は、フレーム画素行（４ｍ＋２）において、副画素Ｇ２１の重心ＣＧ２１に最も近いフレーム画素であり、フレーム画素（２ｎ，４ｍ＋２）、（２（ｎ＋１），４ｍ＋２）は、フレーム画ｓ素（２ｎ＋１，４ｍ＋２）の両側のフレーム画素である。

フレーム画素行（４ｍ＋１）は、副画素Ｇ２２と反対側において、フレーム画素行（４ｍ＋２）に隣接する。フレーム画素（２ｎ，４ｍ＋１）、（２ｎ＋１，４ｍ＋１）は、フレーム画素行（４ｍ＋１）において、副画素Ｇ２１の重心ＣＧ２１に最も近い２つのフレーム画素である。

上記数式が示すように、緑副画素Ｇ２１（の重心）に最も近いフレーム画素（２ｎ＋１，４ｍ＋２）の重みが最も大きい。フレーム画素行（４ｍ＋２）において、次に近いフレーム画素（２ｎ，４ｍ＋２）の重みが次に大きく、最も遠いフレーム画素（２（ｎ＋１），４ｍ＋２）の重みが最も小さい。フレーム画素行（４ｍ＋１）において、緑副画素Ｇ２１（の重心）により近いフレーム画素（２ｎ＋１，４ｍ＋１）の重みが、より遠いフレーム画素（２ｎ，４ｍ＋１）の重みより大きい。

次に、副画素Ｇ２２に対して、フレーム画素行（４ｍ＋３）の３つの隣接するフレーム画素（２ｎ，４ｍ＋３）、（２ｎ＋１，４ｍ＋３）、（２（ｎ＋１），４ｍ＋３）の相対輝度値が割り当てられている。さらに、フレーム画素行（４（ｍ＋１））の２つの隣接するフレーム画素（２ｎ＋１，４（ｍ＋１））、（２（ｎ＋１），４（ｍ＋１））の相対輝度値が割り当てられている。図１９の例と比較して、フレーム画素（２ｎ，４ｍ＋３）が追加されている。

副画素Ｇ２２の相対輝度値ＬＧ２２は、例えば、次の数式で表わされる。
ＬＧ２２＝ＬＧｉｎ（２ｎ，４ｍ＋３）＊（１／４８）
＋ＬＧｉｎ（２ｎ＋１，４ｍ＋３）＊（２３／４８）
＋ＬＧｉｎ（２（ｎ＋１），４ｍ＋３）＊（８／４８）
＋ＬＧｉｎ（２ｎ＋１，４（ｍ＋１））＊（１５／４８）
＋ＬＧｉｎ（２（ｎ＋１），４（ｍ＋１））＊（１／４８）

図３０の例において、副画素Ｇ２２の重心ＣＧ２２は、フレーム画素行（４ｍ＋３）及びフレーム画素列（２ｎ＋１）に含まれている、つまり、フレーム画素（２ｎ＋１，４ｍ＋３）に含まれている。また、重心ＣＧ２２は、フレーム画素列（２ｎ＋１）のＹ軸に沿った中心線より、フレーム画素列（２（ｎ＋１））に近い。

フレーム画素行（４ｍ＋３）は、副画素Ｇ２２の重心ＣＧ２２から最も近いフレーム画素行である。フレーム画素（２ｎ＋１，４ｍ＋３）は、フレーム画素行（４ｍ＋３）において、副画素Ｇ２２の重心ＣＧ２２に最も近いフレーム画素であり、フレーム画素（２ｎ，４ｍ＋３）、（２（ｎ＋１），４ｍ＋３）は、フレーム画素（２ｎ＋１，４ｍ＋３）の両側のフレーム画素である。

フレーム画素行（４（ｍ＋１））は、副画素Ｇ２１と反対側において、フレーム画素行（４ｍ＋３）に隣接する。フレーム画素（２ｎ＋１，４（ｍ＋１））、（２（ｎ＋１），４（ｍ＋１））は、フレーム画素行（４（ｍ＋１））において、副画素Ｇ２２の重心ＣＧ２２に最も近い２つのフレーム画素である。

上記数式が示すように、緑副画素Ｇ２２（の重心）に最も近いフレーム画素（２ｎ＋１，４ｍ＋３）の重みが最も大きい。フレーム画素行（４ｍ＋３）において、次に近いフレーム画素（２（ｎ＋１），４ｍ＋３）の重みが次に大きく、最も遠いフレーム画素（２ｎ，４ｍ＋３）の重みが最も小さい。フレーム画素行（４（ｍ＋１））において、緑副画素Ｇ２２（の重心）により近いフレーム画素（２ｎ＋１，４（ｍ＋１））の重みが、より遠いフレーム画素（２（ｎ＋１），４（ｍ＋１））の重みより大きい。

次に、一つのフレーム画素と、そのフレーム画素（の相対輝度値）が割り当てられる副画素との間の関係を説明する。図２１〜２８を参照した説明と異なる割り当てが適用されるフレーム画素（２ｎ＋１，４ｍ）、（２ｎ＋１，４ｍ＋１）、（２ｎ，４ｍ＋２）、（２ｎ，４ｍ＋３）について説明する。

図３１は、フレーム画素（２ｎ＋１，４ｍ）と、その相対輝度値が割り当てられる副画素を示す。図２２に示す副画素に、さらに、副画素行４２１Ｂにおける一つの緑副画素Ｇ５１が追加されている。副画素行４２１Ｂにおける緑副画素Ｇ１１、Ｇ５１の間に、フレーム画素（２ｎ＋１，４ｍ）が挟まれている。副画素行４２１Ｂ内の緑副画素のみに着目すると、緑副画素Ｇ５１は、緑副画素Ｇ１１と隣接している。

追加されている緑副画素Ｇ５１は、緑副画素ペアにおいて、フレーム画素列（２ｎ＋１）からより遠い。緑副画素Ｇ５１の重心のＹ座標は、フレーム画素（２ｎ＋１，４ｍ）の相対輝度値が割り当てられるもう一つの緑副画素Ｇ１１のＹ座標と同一である。二つの緑副画素Ｇ１１、Ｇ５１の間に赤副画素及び青副画素が挟まれている。

図３２は、フレーム画素（２ｎ＋１，４ｍ＋１）と、その相対輝度値が割り当てられる副画素を示す。図２４に示す副画素に、さらに、副画素行４２１Ｂにおける一つの緑副画素Ｇ１２が追加されている。副画素行４２１Ｂにおける緑副画素Ｇ６３、Ｇ１２の間に、フレーム画素（２ｎ＋１，４ｍ＋１）が挟まれている。副画素行４２１Ｂ内の緑副画素のみに着目すると、緑副画素Ｇ１２は、緑副画素Ｇ６３と隣接している。

追加されている緑副画素Ｇ１２は、緑副画素ペアにおいて、フレーム画素列（２ｎ＋１）からより遠い。緑副画素Ｇ１２の重心のＹ座標は、フレーム画素（２ｎ＋１，４ｍ＋１）の相対輝度値が割り当てられるもう一つの緑副画素Ｇ１２のＹ座標と同一である。二つの緑副画素Ｇ６３、Ｇ１２の間に赤副画素及び青副画素が挟まれている。

図３３は、フレーム画素（２ｎ，４ｍ＋２）と、その相対輝度値が割り当てられる副画素を示す。図２５に示す副画素に、さらに、副画素行４２１Ｃにおける一つの緑副画素Ｇ５５が追加されている。副画素行４２１Ｃにおける緑副画素Ｇ２１、Ｇ５５の間に、フレーム画素（２ｎ，４ｍ＋２）が挟まれている。副画素行４２１Ｃ内の緑副画素のみに着目すると、緑副画素Ｇ５５は、緑副画素Ｇ２１と隣接している。

追加されている緑副画素Ｇ５５は、緑副画素ペアにおいて、フレーム画素列（２ｎ）からより遠い。緑副画素Ｇ５５の重心のＹ座標は、フレーム画素（２ｎ，４ｍ＋２）の相対輝度値が割り当てられるもう一つの緑副画素Ｇ２１のＹ座標と同一である。二つの緑副画素Ｇ２１、Ｇ５５の間に赤副画素及び青副画素が挟まれている。

図３４は、フレーム画素（２ｎ，４ｍ＋３）と、その相対輝度値が割り当てられる副画素を示す。図２７に示す副画素に、さらに、副画素行４２１Ｃにおける一つの緑副画素Ｇ２２が追加されている。副画素行４２１Ｃにおける緑副画素Ｇ６４、Ｇ２２の間に、フレーム画素（２ｎ，４ｍ＋３）が挟まれている。副画素行４２１Ｃ内の緑副画素のみに着目すると、緑副画素Ｇ２２は、緑副画素Ｇ６４と隣接している。

追加されている緑副画素Ｇ２２は、緑副画素ペアにおいて、フレーム画素列（２ｎ）からより遠い。緑副画素Ｇ２２の重心のＹ座標は、フレーム画素（２ｎ，４ｍ＋３）の相対輝度値が割り当てられるもう一つの緑副画素Ｇ６４のＹ座標と同一である。二つの緑副画素Ｇ６４、Ｇ２２の間に赤副画素及び青副画素が挟まれている。

以上、本開示の実施形態を説明したが、本開示が上記の実施形態に限定されるものではない。当業者であれば、上記の実施形態の各要素を、本開示の範囲において容易に変更、追加、変換することが可能である。ある実施形態の構成の一部を他の実施形態の構成に置き換えることが可能であり、ある実施形態の構成に他の実施形態の構成を加えることも可能である。

１０ ＯＬＥＤ表示装置、４１Ｂ 青副画素、４１Ｇ１、４１Ｇ２ 緑副画素、４１ＧＰ緑副画素ペア、４１Ｒ 赤副画素、４２Ａ、４２Ｂ 副画素行、４３Ｒ 赤副画素列、４３Ｇ 緑副画素列、４３Ｂ 青副画素列、８１ フレーム画素群、１００ ＴＦＴ基板、１１４ カソード電極形成領域、１２５ 表示領域、１３１ 走査ドライバ、１３２ エミッションドライバ、１３３ 保護回路、１５１ 絶縁基板、１６２ アノード電極、１６７ ＰＤＬ開口、１７１ コンタクトホール、３０１ メタルマスク開口、４１１Ａ−４１１Ｄ、４１２Ａ−４１２Ｄ 重心、４２１ 副画素行、６００ 白線、６０１−６０４ 赤副画素、６１１−６２２ 緑副画素、６４１−６４４ 青副画素、Ｂ６１−Ｂ６４ 青副画素、Ｇ６１−Ｇ６５ 緑副画後、Ｒ６１−Ｒ６４ 赤副画素、ＣＲ１、ＣＲ２、ＣＢ１、ＣＢ２、ＣＧ１１、ＣＧ１２、ＣＧ２１、ＣＧ２２ 副画素重心、Ｇ５１、Ｇ５５ 緑副画素

Claims (9)

1. 表示装置であって、
   基板と、
   前記基板上に形成された表示領域と、
   を含み、
   前記表示領域は、複数の副画素ラインを含み、
   前記複数の副画素ラインは、それぞれ、代る代る第１軸に沿って配列されている、第１色の副画素、第２色の副画素ペア及び第３色の副画素を含み、
   隣接する副画素ラインの間において、前記第１色の副画素は前記第１軸に沿ってずれて配置されており、
   前記隣接する副画素ラインの間において、前記第２色の副画素ペアは前記第１軸に沿ってずれて配置されており、
   前記隣接する副画素ラインの間において、前記第３色の副画素は前記第１軸に沿ってずれて配置されており、
   前記第２色の副画素ペアを構成する二つの副画素の重心は、前記第１軸及び前記第１軸に垂直な第２軸それぞれに沿って見て、異なる位置にある、
   表示装置。
2. 請求項１に記載の表示装置であって、
   前記第２色の比視感度は、前記第１色及び前記第３色の比視感度よりも大きい、
   表示装置。
3. 請求項１に記載の表示装置であって、
   前記第２色の各副画素ペアは、前記第１軸に沿って見たときに左側の第１副画素と右側の第２副画素と、で構成され、
   前記隣接する副画素ラインの一方において、前記第２軸に沿って見たときに、前記第１副画素の重心は左側にあり、前記第２副画素の重心は右側にあり、
   前記隣接する副画素ラインの他方において、前記第２軸に沿って見たときに、前記第１副画素の重心は右側にあり、前記第２副画素の重心は左側にある、
   表示装置。
4. 請求項１に記載の表示装置であって、
   前記第２色の各副画素ペアを構成する二つの副画素は、前記二つの副画素の重心間の中心について点対称である、
   表示装置。
5. 請求項１に記載の表示装置であって、
   前記第２色の副画素ペアを構成する前記二つの副画素それぞれと、前記二つの副画素と同一副画素ラインにおいて前記二つの副画素に隣接する前記第１色又は前記第３色の副画素との間の距離は、同一である、
   表示装置。
6. 請求項１に記載の表示装置であって、
   前記表示装置は、前記第２軸に沿った白線を表示し、
   前記白線は、前記第２軸に沿って交互に配列された、第１副画素グループと第２副画素グループとで構成され、前記第１副画素グループ及び前記第２副画素グループはそれぞれ一つの副画素ラインの副画素で構成され、
   前記第１副画素グループは、二つの隣接する前記第２色の副画素ペアと、前記二つの隣接する前記第２色の副画素ペアの間に挟まれた前記第１色の副画素及び前記第３色の副画素、で構成され、
   前記第２副画素グループは、一つの前記第２色の副画素ペアと、前記一つの前記第２色の副画素ペアに隣接する前記第１色の副画素及び前記第２色の副画素、で構成され、
   前記第２副画素グループの前記一つの前記第２色の副画素ペアの輝度は、前記第１副画素グループにおける前記二つの隣接する前記第２色の副画素ペアの輝度よりも高く、
   前記二つの隣接する前記第２色の副画素ペアそれぞれにおいて、一方の副画素の輝度は他方の副画素の輝度より高く、
   前記一方の副画素の重心と前記第２副画素グループの前記一つの前記第２色の副画素ペアの重心との間の前記第１軸における距離は、前記他方の副画素の重心と前記第２副画素グループの前記一つの前記第２色の副画素ペアの重心との間の前記第１軸における距離よりも小さい、
   表示装置。
7. 請求項３に記載の表示装置であって、
   前記第２色の副画素ペアの副画素の重心を通過し、前記第２軸に沿った仮想線、の間隔は、一定である、
   表示装置。
8. 請求項１に記載の表示装置であって、
   映像フレームを構成するフレーム画素の相対輝度から、前記第１色、前記第２色及び前記第３色の副画素の相対輝度を決定する、回路をさらに含み、
   前記映像フレームは、前記第１軸及び前記第２軸に沿ってマトリックス状に配列されたフレーム画素を含み、
   前記第２色の副画素ペアは、第１の第２色の副画素と第２の第２色の副画素とで構成され、
   前記回路は、
   前記第１色の副画素の相対輝度を、前記第１色の副画素の重心から最も近い前記第２軸に沿った２つのフレーム画素ラインにおいて、前記第１色の副画素の重心から最も近い８つのフレーム画素の相対輝度から決定し、
   前記第３色の副画素の相対輝度を、前記第３色の副画素の重心から最も近い前記第２軸に沿った２つのフレーム画素ラインにおいて、前記第３色の副画素の重心から最も近い８つのフレーム画素の相対輝度から決定し、
   前記第１の第２色の副画素の相対輝度を、前記第１の第２色の副画素の重心から最も近い前記第１軸に沿った第１フレーム画素ラインにおいて前記第１の第２色の副画素の重心に最も近い２つのフレーム画素の相対輝度と、前記第２の第２色の副画素と反対側で前記第１フレーム画素ラインに隣接する前記第１軸に沿ったフレーム画素ラインにおいて前記第１の第２色の副画素の重心に最も近い２つのフレーム画素の相対輝度と、から決定し、
   前記第２の第２色の副画素の相対輝度を、前記第２の第２色の副画素の重心から最も近い前記第１軸に沿った第２フレーム画素ラインにおいて前記第２の第２色の副画素の重心に最も近い２つのフレーム画素の相対輝度と、前記第１の第２色の副画素と反対側で前記第２フレーム画素ラインに隣接する前記第１軸に沿ったフレーム画素ラインにおいて前記第２の第２色の副画素の重心に最も近い２つのフレーム画素と、から決定する、
   表示装置。
9. 請求項１に記載の表示装置であって、
   映像フレームを構成するフレーム画素の相対輝度から、前記第１色、前記第２色及び前記第３色の副画素の相対輝度を決定する、回路をさらに含み、
   前記映像フレームは、前記第１軸及び前記第２軸に沿ってマトリックス状に配列されたフレーム画素を含み、
   前記第２色の副画素ペアは、第１の第２色の副画素と第２の第２色の副画素とで構成され、
   前記回路は、
   前記第１色の副画素の相対輝度を、前記第１色の副画素の重心から最も近い前記第２軸に沿った２つのフレーム画素ラインにおいて、前記第１色の副画素の重心から最も近い８つのフレーム画素の相対輝度から決定し、
   前記第３色の副画素の相対輝度を、前記第３色の副画素の重心から最も近い前記第２軸に沿った２つのフレーム画素ラインにおいて、前記第３色の副画素の重心から最も近い８つのフレーム画素の相対輝度から決定し、
   前記第１の第２色の副画素の相対輝度を、前記第１の第２色の副画素の重心から最も近い前記第１軸に沿った第１フレーム画素ラインにおいて前記第１の第２色の副画素の重心に最も近いフレーム画素及びその両側のフレーム画素の相対輝度と、前記第２の第２色の副画素と反対側で前記第１フレーム画素ラインに隣接する前記第１軸に沿ったフレーム画素ラインにおいて前記第１の第２色の副画素の重心に最も近い２つのフレーム画素の相対輝度と、から決定し、
   前記第２の第２色の副画素の相対輝度を、前記第２の第２色の副画素の重心から最も近い前記第１軸に沿った第２フレーム画素ラインにおいて前記第２の第２色の副画素の重心に最も近いフレーム画素及びその両側のフレーム画素の相対輝度と、前記第１の第２色の副画素と反対側で前記第２フレーム画素ラインに隣接する前記第１軸に沿ったフレーム画素ラインにおいて前記第２の第２色の副画素の重心に最も近い２つのフレーム画素と、から決定する、
   表示装置。

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