CN104218052A - 有机发光二极管(oled)显示器 - Google Patents
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Abstract
公开了一种有机发光二极管（OLED）显示器。在一方面中，所述OLED显示器包括具有充当发光区域的多个像素区域和充当不发光区域的非像素区域的基板。所述OLED显示器还包括形成在分别与所述像素区域相对应的区域内的所述基板上的多个第一电极，和形成在所述第一电极上的多个有机发光层。所述OLED显示器进一步包括形成在所述基板的所述非像素区域内以覆盖所述有机发光层的边界表面并且限定所述像素区域的像素限定层，和形成在所述有机发光层和所述像素限定层上的第二电极。
Description
对相关申请的交叉引用
本专利申请要求2013年5月30日提交的第10-2013-0061828号韩国专利申请的优先权，其内容通过引用合并于此。
技术领域
所述技术总地涉及有机发光二极管（OLED）显示器。
背景技术
通常，有机发光二极管（OLED）显示器具有特佳的亮度和宽视角。由于OLED显示器不需要包括独立的光源，因此它们通常也薄而且重量轻。此外，OLED显示器通常具有其它特性，例如快响应速度、低功耗、高亮度等。
OLED显示器通常包括包含阳极电极、有机发光层和阴极电极的OLED。空穴和电子通过阳极电极和阴极电极被注入有机发光层并且在有机发射层中结合产生激子。激子以光发射能量，当激子转为基态时发出光。
一般而言，许多阳极电极形成在基板上，并且有机绝缘层形成在基板上以覆盖阳极电极。有机绝缘层被图案化以具有许多开口，并且因此形成像素限定层。阳极电极的一部分通过像素限定层的开口露出。被开口限定的区域与像素区域相对应。
有机发光层在像素区域内形成在阳极电极上。有机发光层能够通过印刷方法，例如喷墨印刷法、喷嘴印刷法等形成。形成阴极电极以覆盖有机发光层和像素限定层。
发明内容
一个发明的方面在于具有减小的厚度和相同的亮度的有机发光二极管（OLED）显示器（下文中与OLED显示装置可互换地使用）。
另一方面在于一种OLED显示装置，该OLED显示装置包括：包括充当发光区域的多个像素区域和设置在所述像素区域之间并且充当不发光区域的非像素区域的基板，设置在分别与所述多个像素区域相对应的区域内的所述基板上的多个第一电极，设置在所述多个第一电极上的多个有机发光层；限定所述像素区域并且设置在所述非像素区域内以覆盖所述有机发光层的边界表面的像素限定层，以及设置在所述有机发光层和所述像素限定层上的第二电极。
每个所述第一电极和每个所述有机发光层具有比相应的像素区域更大的区域，并且所述像素限定层露出所述有机发光层的基本上平坦区域。
所述像素限定层包括金属氟化物离子的化合物，并且所述金属氟化物离子的化合物包括LiF、BaF2、或CsF中的一种。
另一方面在于一种OLED显示装置，该OLED显示装置包括：包括充当发光区域的多个像素区域和设置在所述像素区域之间并且充当不发光区域的非像素区域的基板，形成在分别与所述像素区域相对应的区域内的所述基板上的多个第一电极，每个所述第一电极具有比相应的像素区域更大的区域，设置在所述基板上以覆盖所述第一电极上的有机发光层，设置在所述非像素区域内的所述有机发光层上以覆盖所述有机发光层的具有预定的倾角的边界表面并露出所述像素区域内的所述有机发光层的基本上平坦区域的像素限定层，设置在所述有机发光层和所述像素限定层上的第二电极，以及设置在所述第二电极上的多个颜色过滤器。所述多个颜色过滤器被重复地布置在四个相邻的像素区域中的三个连续的像素区域内。
根据一些实施例，OLED显示装置可以具有减小的厚度和基本上相同的亮度。
附图说明
所公开技术的上述和其它优点当与附图结合考虑时参考下面详细描述将变得更加明显。
图1为示意性地示出根据第一示例性实施例的OLED显示装置的平面图。
图2为沿图1的线Ⅰ-Ⅰ'截取的剖视图。
图3为示出连接到图2中所示的OLED显示装置的薄膜晶体管的剖视图。
图4A到图4C为示出根据第一示例性实施例的OLED显示装置的制造方法的剖视图。
图5为示出根据第二示例性实施例的OLED显示装置的剖视图。
图6A到图6E为示出根据第二示例性实施例的OLED显示装置的制造方法的剖视图。
图7为示出根据第三示例性实施例的OLED显示装置的剖视图。
图8A到图8D为示出根据第三示例性实施例的OLED显示装置的制造方法的剖视图。
具体实施方式
将理解，当一元件或层被称作为在另一元件或层“上”，“连接到”或“联接到”另一元件或层时，它能够直接在该另一元件或层上，直接连接或联接到该另一元件或层，或者可以存在有中间元件或层。相反，当一元件被称为直接在另一元件或层“上”，“直接连接到”或“直接联接到”另一元件或层时，没有中间元件或层存在。整个说明书中，“连接”和“联接”分别包括“电连接”和“电联接”。相同的附图标记始终指代相同的元件。如本文中所使用地，术语“和/或”包括一个或多个相关联列出项目的任何和所有组合。
将理解，虽然术语第一、第二等在本文中可被用来描述各种元件、组件、区域、层和/或部分，但这些元件、组件、区域、层和/或部分不应被这些术语限制。这些术语仅用来将一个元件、组件、区域、层或部分与另一个元件、组件、区域、层或部分区分开。因此，下述第一元件、组件、区域、层或部分可以被称为第二元件、组件、区域、层或部分，而不偏离所述技术的教导。
空间相对术语，例如“下方”、“下面”、“以下”、“上面”、“上方”等可在本文中为了容易描述而用来描述图中所示的一个元件或特征与另一个（一些）元件或特征的关系。将理解，空间相对术语意在包含使用中或操作中的装置的除图中所描绘的方位之外的不同方位。例如，如果图中的装置被翻转，则被描述为在其它元件或特征“下面”或“下方”的元件则将被定位在该其它元件或特征的“上面”。因此，示例性术语“下面”能够包含上面的方位和下面的方位二者。装置可被另外定位（旋转90度或者在其它方位）并且本文中使用的空间相对描述符应被相应地解释。
本文中使用的术语仅为了描述特定的实施例，并不意在限制本公开。如本文中所使用地，单数形式“一”、“一个”和“该”意在也包含复数形式，除非上下文清楚地另外指明。将进一步理解，在本说明书中使用的术语“包括”和/或者“包含”指明规定的特征、整体、步骤、操作、元件和/或部件的存在，但并不排除一个或多个其它特征、整体、步骤、操作、元件、部件和/或其组的存在或增加。
除非另外限定，否则本文中使用的所有术语（包括技术术语和科学术语）具有与所述技术所属的领域的普通技术人员通常理解的相同的意思。将进一步理解，例如那些在常用字典中定义的术语，应该被解释为具有与其在相关领域的上下文中的意思相一致的意思，而不用理想的或过于正式的意思来解释，除非本文中明确地如此指定。
在下文中，将参考附图详细解释所述技术。
图1为示意性地示出根据第一示例性实施例的有机发光二极管（OLED）显示装置的平面图。
参考图1，根据第一示例性实施例的OLED显示装置100包括显示面板DP。显示面板DP包括在其上显示图像的显示区域DA和围绕显示区域DA的不显示图像的非显示区域NDA。
显示面板DP的显示区域DA包括与发光区域相对应的多个像素区域PA和设置在像素区域之间的与不发光区域相对应的非像素区域NPA。像素区域PA产生光以显示图像并且以基本上矩阵的结构被布置。
像素区域PA被像素限定层（参考图2和图3）限定。OLED（参考图2和图3）设置在像素区域PA内。每个OLED接收相应的驱动电压以显示图像并且产生光。
在下文中，将详细描述OLED显示装置100的横截面结构。
图2为沿图1的线Ⅰ-Ⅰ＇截取的剖视图。图3为示出连接到图2中所示的OLED的薄膜晶体管的剖视图。
图2示出彼此相邻的三个任意的像素区域的剖视图；其它的像素区域PA具有与图2中所示的像素相同的结构。此外，图3示出连接到一个任意的OLED的薄膜晶体管的剖视图，然而，其它的OLED连接到具有与图3中所示的薄膜晶体管TFT相同的结构的相应的薄膜晶体管TFT。
参考图2和图3，显示面板DP包括基板110、设置在基板110上的多个OLED和在显示区域DA中限定OLED的像素限定层PDL。
在显示区域DA内，基板110包括与发光区域相对应的像素区域PA和与不发光区域相对应的非像素区域NPA。
多个第一电极E1设置在基板110上。第一电极E1设置在分别与像素区域PA相对应的区域内。每个第一电极E1具有比相应的像素区域PA更大的尺寸。每个第一电极E1可充当像素电极或阳极电极。
第一电极E1被形成为透明电极或反射型电极。当第一电极E1为透明电极时，第一电极E1可以包括氧化铟锡（ITO）、氧化铟锌（IZO）、氧化锌（ZnO）等。当第一电极E1为反射型电极时，第一电极E1可以包括由Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、或者其合金形成的透明层以及由ITO、IZO、ZnO等形成的透明导电层。
有机发光层OEL设置在第一电极E1上。每个有机发光层OEL具有比相应的像素区域PA更大的尺寸。有机发光层OEL可以包括产生红光、绿光、或蓝光的有机材料，但并不仅限于此。亦即，有机发光层OEL可以产生白光。
每个有机发光层OEL可以由低分子量有机材料或高分子量有机材料形成。虽然图中未示出，但是每个有机发光层OEL可以具有包括空穴注入层、空穴传输层、发射层、电子传输层和电子注入层的多层结构。例如，空穴注入层可以设置在第一电极E1上，并且空穴传输层、发射层、电子传输层和电子注入层可以顺序地堆叠在空穴注入层上。
可以通过印刷过程形成有机发光层OEL。可以通过印刷过程印刷并干燥流体有机材料以形成有机发光层OEL。当通过印刷流体有机材料形成有机发光层OEL时，每个有机发光层OEL的边界表面具有预定的倾角。在一实施例中，边界表面包括有机发光层OEL的形成在其相对端的边缘部分。在一实施例中，边界表面形成相对于第一电极E1的锐角。
像素限定层PDL设置在基板110上的非像素区域NPA内以覆盖有机发光层OEL的具有预定的倾角的边界表面。此外，像素限定层PDL设置在基板110上的非像素区域NPA内以露出有机发光层OEL的基本上平坦区域（下文中被可互换地称作为“平坦区域”）。因此，像素区域PA被像素限定层PDL限定。像素限定层PDL具有绝缘性能。
像素限定层PDL可以包括金属氟化物离子的化合物。详细地，像素限定层PDL可以由例如LiF、BaF2、或CsF的金属氟化物离子的化合物形成。当金属氟化物离子的化合物具有预定的厚度时，金属氟化物离子的化合物具有绝缘性能。例如，当像素限定层PDL具有至少约10纳米的厚度时，像素限定层PDL具有绝缘性能。在本示例性实施例中，像素限定层PDL具有约10纳米到约100纳米的厚度。然而，根据一些实施例，像素限定层PDL的厚度可以小于约10纳米或者可以大于约100纳米。
第二电极E2设置在像素限定层PDL和有机发光层OEL上。第二电极E2可以充当公共电极或阴极电极。
第二电极E2可以被形成为透明电极或反射型电极。当第二电极E2为透明电极时，第二电极E2可以包括通过在有机发光层上沉积Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Mg、或者其化合物中的一种所形成的层和利用例如ITO、IZO、ZnO等的透明导电材料形成在该层上的子电极。当第二电极E2为反射型电极时，第二电极E2可以由Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、或者其化合物形成。
在OLED显示装置100是前表面发光型的情况下，第一电极E1用作反射型电极并且第二电极E2用作透明电极，在OLED显示装置100是后表面发光型的情况下，第一电极E1用作透明电极并且第二电极E2用作反射型电极。
有机发光器件OLED由像素区域PA内的第一电极E1、有机发光层OEL和第二电极E2形成。亦即，有机发光器件OLED设置在像素区域PA内，并且包括在每个像素区域PA内的第一电极E1、有机发光层OEL和第二电极E2。
第一电极E1可以是注入空穴的正极并且第二电极E2可以是注入电子的负极，但是第一电极E1和第二电极E2并不局限于此。亦即，第一电极E1可以是注入电子的负极并且第二电极E2可以是注入空穴的正极。
基板110包括底基板111、第一绝缘层112、第二绝缘层113、保护层114和薄膜晶体管TFT。每个薄膜晶体管TFT连接到相应的OLED并且驱动相应的OLED。
底基板111可以是可由玻璃、石英、陶瓷等形成的透明绝缘基板，或者可由塑料形成的透明柔性基板。此外，底基板111可以是由不锈钢形成的金属基板。
每个薄膜晶体管TFT具有基板上相同的结构。因此，下文中将详细描述一个薄膜晶体管TFT的结构。
薄膜晶体管TFT的半导体层SM设置在底基板111上。半导体层SM可以由例如非晶硅、多晶硅等的无机半导体材料或者有机半导体材料形成。此外，半导体层SM可以由氧化物半导体材料形成。虽然图3中未示出，不过半导体层SM可以包括源区域、漏区域、以及位于源区域和漏区域之间的沟道区域。
形成第一绝缘层112以覆盖半导体层SM。第一绝缘层112可以充当栅绝缘层。
薄膜晶体管TFT的栅电极GE形成在第一绝缘层112上，以重叠半导体层SM。详细地，栅电极GE基本上重叠半导体层SM的沟道区域。栅电极GE连接到施加开/关信号到薄膜晶体管TFT的栅极线（未示出）。
形成第二绝缘层113以覆盖栅电极GE。第二绝缘层113可以充当中间绝缘层。
薄膜晶体管TFT的源电极SE和漏电极DE形成在第二绝缘层113上并且彼此隔开。源电极SE通过被形成为穿过第一绝缘层112和第二绝缘层113的第一接触孔H1连接到半导体层SM。详细地，源电极SE连接到半导体层SM的源区域。漏电极DE通过被形成为穿过第一绝缘层112和第二绝缘层113的第二接触孔H2连接到半导体层SM。详细地，漏电极DE连接到半导体层SM的漏区域。
设置保护层114以覆盖薄膜晶体管TFT的源电极SE和漏电极DE。OLED的第一电极E1设置在保护层114上。第一电极E1通过被形成为穿过保护层114的接触孔H3连接到薄膜晶体管TFT的漏电极DE。
通过薄膜晶体管TFT，驱动电压被施加到第一电极E1以允许OLED的有机发光层OEL发射光。具有与驱动电压相反极性的电压被施加到第二电极E2。然后，被注入有机发光层OEL的空穴和电子彼此复合以产生激子。当激子从激发态转为基态时，激子以光发射能量，并且因此OLED产生光。从而，为了显示所需的图像，OLED根据流到OLED的电流产生红光、绿光和蓝光。
在制造OLED显示装置的典型的方法中，第一电极E1设置在基板110上，并且有机绝缘层设置在基板110上以覆盖第一电极E1。此外，有机绝缘层通常具有等于或大于约1μm的厚度，并且有机绝缘层被图案化以具有多个开口，由此形成像素限定层。第一电极E1的预定的部分通过像素限定层的开口露出。通过开口漏出的部分被用作像素区域。有机发光层形成在像素区域内的第一电极E1上。
由有机绝缘层形成的像素限定层可以具有等于或大于约1μm的厚度。为了形成有机发光层，将流体有机材料提供给像素限定层的开口。有机材料被硬化并且形成有机发光层。在该情况下，由于有机材料的表面张力，接触像素限定层的侧面的有机材料的量增加。亦即，与像素限定层的侧面相邻的有机发光层的厚度变得比其余有机发光层更厚（参考图7）。因此，在像素区域中有机发光层的厚度可以是不均匀的并且像素区域的亮度可以是不相同的。
在本示例性实施例中，OLED显示装置100的像素限定层PDL具有约10纳米到约100纳米的厚度。亦即，本示例性实施例中的像素限定层PDL具有比如通过典型方法形成的、由有机绝缘层形成的像素限定层更小的厚度。因此，OLED显示装置100的总厚度可以被减小。
此外，在本示例性实施例中，像素限定层PDL形成在基板110上的非像素区域NPA内以覆盖有机发光层OEL的具有倾角的边界表面并且露出有机发光层OEL的基本上平坦区域。因此，在像素区域PA中有机发光层OEL具有基本上相同的厚度，导致像素区域PA中的基本上相同的亮度。
结果，根据第一示例性实施例的OLED显示装置100可以减小其总厚度并且具有基本上相同的亮度。
图4A到图4C为示出根据第一示例性实施例的OLED显示装置的制造方法的剖视图。
为了方便描述，图4A到图4C示出图2的彼此相邻的三个任意的像素区域的制造方法。
参考图4A，制备包括像素区域PA和非像素区域NPA的基板110，并且第一电极E1形成在基板110上。第一电极E1设置在分别与像素区域PA相对应的区域内。
有机发光层OEL通过印刷过程（未示出）形成在第一电极E1上。每个第一电极E1和每个有机发光层OEL具有比相应的像素区域PA更大的区域。
参考图4B，具有与非像素区域NPA相对应的开口区域OPA的掩膜M设置在基板110上方。通过掩膜M的开口区域OPA将金属氟化物离子的化合物提供给基板110。如前面所述，金属氟化物离子的化合物可以包括LiF、BaF2、和CsF中的一种。像素限定层PDL由金属氟化物离子的化合物形成。
像素限定层PDL形成在基板110上的非像素区域NPA内以覆盖有机发光层OEL的具有预定的倾角的边界表面并且露出有机发光层OEL的基本上平坦区域。像素限定层PDL具有绝缘性能和约10纳米到约100纳米的厚度。然而，根据一些实施例，像素限定层PDL的厚度可以小于约10纳米或者可以大于约100纳米。
参考图4C，第二电极E2形成在像素限定层PDL和有机发光层OEL上。
由于根据本示例性实施例的像素限定层PDL具有比通过典型方法形成的像素限定层更小的厚度，因此OLED显示装置100的厚度可以被减小。
当如在典型的方法中那样首先形成由有机绝缘层形成的像素限定层并且然后形成有机发光层时，在像素区域中有机发光层的厚度可以是不相同的。然而，在根据第一示例性实施例的OLED显示装置100的制造方法中，在形成像素限定层PDL之前形成有机发光层OEL。
通过印刷过程形成的有机发光层OEL的边界表面可以具有预定的倾角。由于首先形成有机发光层OEL并且在有机发光层OEL之后形成像素限定层PDL，因此像素限定层PDL可以形成在基板110的非像素区域NPA内以覆盖有机发光层OEL的边界表面。因此，在像素区域PA中有机发光层OEL可以具有基本上相同的厚度，并且像素区域PA中的亮度可以相同。
结果，根据该示例性实施例制造的OLED显示装置100可以减小其厚度并且具有基本上相同的亮度。
图5为示出根据第二示例性实施例的OLED显示装置的剖视图。
根据第二示例性实施例的OLED显示装置200在平面图中具有与图1中所示的OLED显示装置100基本上相同的结构。因此，图5仅示出沿图1的线Ⅰ-Ⅰ＇截取的剖视图。
根据本例性实施例的OLED显示装置200，除有机发光层OEL、像素限定层PDL和颜色过滤器CF的结构之外，具有与图1中所示的OLED显示装置100基本上相同的结构。因此，相同的附图标记指代图1中的相同的元件，并且描述将集中在与图1的OLED显示装置100的差异。
参考图5，第一电极E1设置在基板110上。第一电极E1设置在分别与像素区域相对应的区域内。每个第一电极E1具有比相应的像素区域PA更大的区域。
有机发光层OEL设置在基板110上以覆盖第一电极E1。有机发光层OEL的边界表面具有预定的倾角。有机发光层OEL可以发射白光。如图5中所示，有机发光层OEL除在具有预定的倾角的边界表面之外，具有基本上平坦区域。
像素限定层PDL设置在基板110上以覆盖有机发光层OEL的具有预定的倾角的边界表面。此外，形成像素限定层PDL，以露出像素区域PA内的有机发光层OEL的基本上平坦区域并且覆盖非像素区域NPA内的有机发光层OEL。因此，像素区域PA被像素限定层PDL限定。
像素限定层PDL可以包括金属氟化物离子的化合物，例如LiF、BaF2、或CsF等。像素限定层PDL可以具有等于或大于约10纳米的厚度并且具有绝缘性能。例如，像素限定层PDL可以具有约10纳米到约100纳米的厚度。然而，根据一些实施例，像素限定层PDL的厚度可以小于约10纳米或者可以大于约100纳米。
第二电极E2形成在像素限定层PDL和有机发光层OEL上。
有机发光装置OLED由像素区域PA内的第一电极E1、有机发光层OEL和第二电极E2形成。亦即，有机发光装置OLED设置在像素区域PA内并且包括在每个像素区域PA内的第一电极E1、有机发光层OEL和第二电极E2。有机发光装置OLED为白色有机发光装置OLED并且发射白光。
薄膜密封层120设置在第二电极E2上。虽然图中未示出，薄膜密封层120可以包括无机层或有机层。薄膜密封层120保护有机发光器件OLED。
多个颜色过滤器CF形成在薄膜密封层120上。如图5中所示，颜色过滤器CF重复地设置在四个相邻的像素区域PA的三个连续的像素区域PA内。颜色过滤器CF不设置在四个相邻的像素区域PA中的剩余像素区域PA内。
为了显示红色、绿色和蓝色中的一种，颜色过滤器CF被包括在各个像素内。在本示例性实施例中，颜色过滤器可以按红、绿、和蓝的顺序从左侧像素区域被布置在像素区域PA内。在一实施例中，颜色过滤器CF包括红色过滤器、绿色过滤器和蓝色过滤器。
驱动电压被施加到第一电极E1以允许有机发光层OEL发射光，并且具有与驱动电压相反极性的电压被施加到第二电极E2。
像素限定层PDL具有绝缘性能。在被像素限定层PDL限定的非像素区域NPA内，有机发光层OEL不接触第二电极E2。亦即，施加到第二电极E2的电压不被提供给非像素区域NPA内的有机发光层OEL。因此，在非像素区域NPA中有机发光层OEL不产生光。结果，由于施加到第一电极E1和第二电极E2的电压，在像素区域PA中有机发光层OEL产生白光。
例如，根据本示例性实施例的有机发光显示装置200可以是前表面发光型OLED显示装置。在该情况下，从有机发光层OEL产生的白光被第一电极E1反射，并且通过第二电极E2后，在向上的方向上传播。
从有机发光器件OLED产生的白光根据颜色过滤器CF被过滤以显示预定的颜色。亦即，红光RL、绿光GL和蓝光BL可以通过分配到像素区域PA的颜色过滤器被发射。
在没有设置颜色过滤器CF的区域PA内产生的光仍然是白光。因此，根据本示例性实施例的OLED显示装置200可以产生红光、绿光、蓝光和白光。
在本示例性实施例中，OLED显示装置200是前表面发光型，但并不局限于此。亦即，OLED显示装置200可以是后表面发光型。当OLED显示装置200是后表面发光型时，颜色过滤器CF设置在第一电极E1的下面。对四个相邻的像素区域PA的三个连续的像素区域PA重复地设置颜色过滤器CF。颜色过滤器CF不设置在四个相邻的像素区域PA中的剩余像素区域PA内。从有机发光层OEL产生的白光被第二电极E2反射，并且通过第一电极E1后，在向下的方向上传播。
如前面所述，在典型的OLED显示装置中，像素限定层由有机绝缘层形成并且具有约1μm的厚度。然而，根据本示例性实施例的OLED显示装置200的像素限定层PDL具有约10纳米到约100纳米的厚度。因此，OLED显示装置200的厚度可以被减小了。然而，根据一些实施例，像素限定层PDL的厚度可以小于约10纳米或者可以大于约100纳米。
在本示例性实施例中，像素限定层PDL形成在非像素区域NPA内以覆盖有机发光层OEL的具有预定的倾角的边界表面并且露出像素区域PA内的有机发光层OEL的基本上平坦区域。因此，有机发光装置OLED包括在像素区域PA内的具有基本上相同的厚度的有机发光层OEL，导致像素区域PA中的基本上相同的亮度。
结果，根据本示例性实施例的OLED显示装置200可以具有减小的厚度和基本上相同的亮度。
图6A到图6E为示出根据本示例性实施例的有机发光显示装置的制造方法的剖视图。
为了方便描述，图6A到图6E示出图5中的彼此相邻的四个任意的像素区域PA的制造方法。
参考图6A，制备包括像素区域PA和非像素区域NPA的基板110，并且第一电极E1形成在基板110上。设置第一电极E1以与各个像素区域PA相对应，并且每个第一电极E1具有比相应的像素区域PA更大的区域。
参考图6B，有机发光层OEL通过印刷过程（未示出）形成在基板110上以覆盖第一电极E1。有机发光层OEL产生白光。如先前所述，有机发光层OEL的边界表面具有预定的倾角。
参考图6C，具有与非像素区域NPA相对应的开口区域OPA的掩膜M设置在基板110上。通过掩膜M的开口区域OPA将金属氟化物离子的化合物提供给基板110。如上所述，金属氟化物离子的化合物可以包括例如LiF、BaF2、和CsF等的金属氟化物离子的化合物。通过使用金属氟化物离子的化合物形成像素限定层PDL。像素限定层PDL具有绝缘性能和约10纳米到约100纳米的厚度。然而，根据一些实施例，像素限定层PDL可以具有小于约10纳米或者可以大于约100纳米的厚度。
像素限定层PDL形成在基板110上以覆盖有机发光层OEL的具有预定的倾角的边界表面。此外，像素限定层PDL露出像素区域PA内的有机发光层OEL的基本上平坦区域，并且覆盖非像素区域NPA内的有机发光层OEL。
参考图6D，第二电极E2形成在像素限定层PDL和有机发光层OEL上。
参考图6E，薄膜密封层120形成在第二电极E2上。颜色过滤器CF形成在薄膜密封层120上。
颜色过滤器CF重复地设置在四个相邻的像素区域PA的三个连续的像素区域PA内。颜色过滤器CF不设置在四个相邻的像素区域PA中的剩余像素区域PA内。为了显示红色、绿色、和蓝色中的一种，颜色过滤器CF被包括在各个像素内。
由于根据本实施例的像素限定层PDL具有比由有机绝缘层形成的典型的像素限定层更小的厚度。因此，OLED显示装置200的厚度可以被减小。
在本示例性实施例中，像素限定层PDL形成在非像素区域NPA内的有机发光层OEL上，以覆盖有机发光层OEL的具有预定的倾角的边界表面并且露出像素区域PA内的有机发光层OEL的基本上平坦区域。因此，在像素区域PA内，有机发光装置OLED的有机发光层OEL具有基本上相同的厚度，并且像素区域PA中的亮度变得基本上相同。
结果，根据第二示例性实施例的OLED显示装置200可以具有减小的厚度和基本上相同的亮度。
图7为示出根据第三示例性实施例的OLED显示装置的剖视图。
根据第三示例性实施例的OLED显示装置300在平面图中具有与图1中所示的OLED显示装置100基本上相同的结构。因此，图7示出沿图1的线Ⅰ-Ⅰ＇截取的剖视图。
根据本例性实施例的OLED显示装置300，除有机发光层OEL和像素限定层PDL的结构之外，具有与图1中所示的OLED显示装置100相同的结构。因此，相同的附图标记指代图1中的相同的元件，并且描述将集中在与图1的OLED显示装置100的差异。
参考图7，第一电极E1设置在基板110上。第一电极E1设置在与各个像素区域PA相对应的区域内。每个第一电极E1具有比相应的像素区域PA更大的区域。
OLED显示装置300的像素限定层PDL包括第一像素限定层PDL1和第二像素限定层PDL2。亦即，像素区域PA被第一像素限定层PDL1和第二像素限定层PDL2限定。
第一像素限定层PDL1设置在基板110上以覆盖第一电极E1的边界表面。第一像素限定层PDL1包括与像素区域PA相对应的多个开口OP。每个开口OP具有比相应的像素区域PA更大的区域。第一像素限定层PDL1的每个开口OP露出相应的第一电极E1的预定的部分。第一像素限定层PDL1包括有机绝缘层并且具有等于或大于约1μm的厚度。然而，根据一些实施例，第一像素限定层PDL1的厚度可以小于约1μm。
有机发光层OEL设置在第一像素限定层PDL1的开口OP内的第一电极E1上。有机发光层OEL可以包括产生红光、绿光和蓝光的有机材料。
将流体有机材料提供到第一像素限定层PDL1的开口内以形成有机发光层OEL。有机材料被硬化以形成有机发光层OEL。在该情况下，由于流体有机材料的表面张力，接触第一像素限定层PDL1的侧面的一定量的有机材料具有增加的厚度。亦即，如图7中所示，与第一像素限定层PDL1的侧面相邻的有机发光层OEL的厚度变得比其余有机发光层OEL更厚。
设置第二像素限定层PDL2以覆盖与有机发光层OEL相邻的第一像素限定层PDL1的侧面的一部分和与第一像素限定层PDL1的侧面相邻的有机发光层OEL的一部分。与第一像素限定层PDL1的侧面相邻的有机发光层OEL的该部分被限定为具有比其余的有机发光层OEL更大的厚度。因此，通过第二像素限定层PDL2，露出有机发光层OEL的基本上平坦区域。此外，像素区域PA和非像素区域NPA之间的边界表面由第二像素限定层PDL2形成。
第二像素限定层PDL2可以包括金属氟化物离子的化合物，例如LiF、BaF2、或CsF等。第二像素限定层PDL2可以具有等于或大于约10纳米的厚度并且具有绝缘性能。例如，第二像素限定层PDL2具有约10纳米到约100纳米的厚度。然而，根据一些实施例，第二像素限定层PDL2的厚度可以小于约10纳米或者可以大于约100纳米。
第二电极E2设置在第一像素限定层PDL1和第二像素限定层PDL2以及有机发光层OEL上。
驱动电压通过薄膜晶体管TFT被施加到第一电极E1以允许有机发光层OEL发射光，并且具有与驱动电压相反极性的电压被施加到第二电极E2。
第二像素限定层PDL2具有绝缘性能。由于第二像素限定层PDL2，与第一像素限定层PDL1的侧面相邻的有机发光层OEL的一部分不接触第二电极E2。亦即，施加到第二电极E2的电压不被施加到与第一像素限定层PDL1的侧面相邻的有机发光层OEL的一部分。因此，光不从与第一像素限定层PDL1的侧面相邻的有机发光层OEL的一部分发生。
通过使用具有比第一像素限定层PDL1更小的厚度的第二像素限定层PDL2，有机发光层OEL的基本上平坦区域可以被露出。因此，在像素区域PA内，有机发光装置OLED的有机发光层OEL具有基本上相同的厚度。由于光从具有基本上相同的厚度的有机发光层OEL产生，因此像素区域PA中的亮度变得基本上相同。
结果，根据本示例性实施例的有机发光二极管显示装置300可以具有基本上相同的亮度。
图8A到图8D为示出根据第三示例性实施例的有机发光二极管显示装置的制造方法的剖视图。
为了方便描述，图8A到图8D示出图7中所示的彼此相邻的三个任意的像素区域PA的制造方法。
参考图8A，制备包括像素区域PA和非像素区域NPA的基板110，并且第一电极E1形成在基板110上。第一电极E1设置在与各个像素区域PA相对应的区域内。每个第一电极E1具有比相应的像素区域PA更大的区域。
第一像素限定层PDL1形成在基板110上以覆盖第一电极E1的边界表面。第一像素限定层PDL1包括形成在分别与像素区域PA相对应区域内的开口OP。每个开口OP具有比相应的像素区域PA更大的区域。第一像素限定层PDL1的每个开口OP露出相应的第一电极E1的预定的部分。
虽然图中未示出，不过有机绝缘层形成在基板110上以覆盖第一电极E1。有机绝缘层具有等于或大于约1μm的厚度。有机绝缘层被图案化以具有开口OP，因而形成第一像素限定层PDL1。因此，第一像素限定层PDL1由有机绝缘层形成并且具有等于或大于约1μm的厚度。然而，根据一些实施例，第一像素限定层PDL1的厚度可以小于约1μm。
参考图8B，有机发光层OEL形成在第一像素限定层PDL1的开口OP内的第一电极E1上。
虽然图中未示出，不过将流体有机材料提供到第一像素限定层PDL1的开口OP内以形成有机发光层OEL，并且有机材料被硬化以形成有机发光层OEL。如上所述，与第一像素限定层PDL1的侧面相邻的有机发光层OEL的厚度大于其余的有机发光层的厚度。
参考图8C，具有与有机发光层OEL相邻的第一像素限定层PDL1的侧面的一部分和与第一像素限定层PDL1的侧面相邻的有机发光层OEL的一部分相对应的开口区域OPA的掩膜M设置在基板110上，以对应于非像素区域NPA。通过掩膜M的开口区域OPA将金属氟化物离子的化合物提供给基板110。金属氟化物离子的化合物可以包括例如LiF、BaF2和CsF等的金属氟化物离子的化合物。通过使用金属氟化物的化合物可以形成第二像素限定层PDL2。
形成第二像素限定层PDL2以覆盖与有机发光层OEL相邻的第一像素限定层PDL1的侧面的一部分和与第一像素限定层PDL1的侧面相邻的有机发光层OEL的一部分。像素限定层PDL2具有绝缘性能并且具有约10纳米到约100纳米的厚度。然而，根据一些实施例，第二像素限定层PDL2的厚度可以小于约10纳米或者可以大于约100纳米。
通过第二像素限定层PDL2，露出有机发光层OEL的基本上平坦区域。此外，像素区域PA和非像素区域NPA之间的边界表面由第二像素限定层PDL2形成。
参考图8D，第二电极E2形成在第一像素限定层PDL1和第二像素限定层PDL2以及有机发光层OEL上。
通过使用具有比第一像素限定层PDL1更小的厚度的第二像素限定层PDL2，露出有机发光层的基本上平坦区域。因此，在像素区域PA内，有机发光器件OLED的有机发光层OEL具有基本上相同的厚度。由于光从具有基本上相同的厚度的有机发光层OEL产生，因此像素区域PA中的亮度变得基本上相同。
结果，根据第三示例性实施例制造的OLED显示装置300可以具有基本上相同的亮度。
尽管已经描述了所公开技术的示例性实施例，但要理解的是，所描述的技术不应该限于这些示例性实施例，而是可以由本领域普通技术人员在所附权利要求限定的所述技术的精神和范围内进行各种改变和修改。
Claims (10)
1.一种有机发光二极管显示器包括：
包括多个像素区域和形成在所述多个像素区域之间的多个非像素区域的基板；
形成在分别与所述多个像素区域相对应的区域内的所述基板上的多个第一电极；
形成在所述多个第一电极上的多个有机发光层；
像素限定层，限定所述像素区域并且形成在所述非像素区域内，并且覆盖所述有机发光层的边界表面；以及
形成在所述有机发光层和所述像素限定层上的第二电极。
2.如权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其中每个所述第一电极和每个所述有机发光层具有比相应的像素区域更大的区域，并且其中所述像素限定层露出所述有机发光层的平坦区域。
3.如权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其中所述像素限定层至少部分地由金属氟化物离子的化合物形成。
4.如权利要求3所述的有机发光二极管显示器，其中所述金属氟化物离子的化合物包括LiF、BaF2或CsF中的至少一种。
5.如权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其中所述边界表面包括所述有机发光层的形成在其相对端的边缘部分。
6.如权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其中所述边界表面形成相对于所述第一电极的锐角。
7.一种有机发光二极管显示器包括：
包括多个像素区域和形成在所述像素区域之间的非像素区域的基板；
形成在分别与所述像素区域相对应的区域内的所述基板上的多个第一电极，每个所述第一电极具有比相应的像素区域更大的区域；
形成在所述基板上以覆盖所述第一电极上的有机发光层；
像素限定层，形成在所述非像素区域内的所述有机发光层上并且覆盖所述有机发光层的具有预定的倾角的边界表面，其中所述像素限定层露出所述像素区域内的所述有机发光层的平坦区域；
形成在所述有机发光层和所述像素限定层上的第二电极；以及
形成在所述第二电极上的多个颜色过滤器，其中所述多个颜色过滤器被重复地布置在四个相邻的像素区域中的三个连续的像素区域内。
8.如权利要求7所述的有机发光二极管显示器，其中所述有机发光层被配置为产生白光，并且其中所述颜色过滤器包括红色过滤器、绿色过滤器和蓝色过滤器。
9.如权利要求7所述的有机发光二极管显示器，其中所述像素限定层至少部分地由金属氟化物离子的化合物形成，并且其中所述金属氟化物离子的化合物包括LiF、BaF2或CsF中的至少一种。
10.如权利要求7所述的有机发光二极管显示器，进一步包括形成在所述第二电极和所述颜色过滤器之间的薄膜密封层。
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