TWI753513B - 顯示基板及顯示裝置 - Google Patents

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黃煒贇
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李孟
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中國商成都京東方光電科技有限公司
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Abstract

本申請公開了一種顯示基板及顯示裝置，涉及顯示技術領域。該顯示基板包括襯底基板，多個畫素單元，至少一條第一電源線，阻擋結構，轉接結構，陰極層，以及第一有機圖案。通過將靠近至少一條第一電源線中第一部分的第一區域與轉接結構的連接處，與阻擋結構之間的間距設置的較大，可以減少該第一電源線的第一部分帶入的水氣，通過阻擋結構中的親水材料引入至多個畫素單元，保證了顯示基板的良率，從而確保顯示基板的顯示效果。

Description

顯示基板及顯示裝置
本申請涉及顯示技術領域，特別涉及一種顯示基板及顯示裝置。
顯示基板通常包括陣列排列在襯底基板的顯示區域的多個畫素單元，用於為每個畫素單元提供正極電源信號的電源走線（一般稱為VDD走線），以及用於為顯示基板中的陰極層提供負極電源信號的電源走線（一般稱為VSS走線）。電源走線在從驅動晶片的一側進入到封裝區域內時，例如從綁定區進入圍堰結構靠近畫素單元一側的區域時，也即是圍堰結構供電源線穿過的部分（進線口）附近時，存在將水氧引入的風險，封裝的性能有待提高。
本申請提供了一種顯示基板及顯示裝置，可以改善現有技術中顯示基板的水氧侵蝕的問題。所述技術方案如下：
一方面，提供了一種顯示基板，所述顯示基板包括：襯底基板；多個畫素單元，所述多個畫素單元位於所述襯底基板上；至少一條第一電源線，位於所述襯底基板上；阻擋結構，所述阻擋結構圍繞所述多個畫素單元；轉接結構，包括相對的第一側面以及第二側面，所述第一側面較所述第二側面更靠近所述多個畫素單元；陰極層，位於所述轉接結構遠離所述襯底基板的一側；第一有機圖案，位於所述轉接結構遠離所述襯底基板的一側；其中，所述至少一條第一電源線包括第一部分和第二部分，所述第一部分位於所述阻擋結構遠離所述多個畫素單元的一側，用於接收電源信號，所述第二部分通過所述轉接結構與所述陰極層連接；所述第二部分包括與所述轉接結構連接的第一連接處和第二連接處，所述第一連接處與所述阻擋結構之間的間距大於所述第二連接處與所述轉接結構之間的間距。
可選的，所述顯示基板具有綁定區域，所述綁定區域位於所述阻擋結構遠離所述多個畫素單元的一側；所述第一連接處相對於所述第二連接處更靠近所述綁定區域。
可選的，所述轉接結構在所述襯底基板上的正投影包括第一投影區域和第二投影區域，所述第一投影區域與所述阻擋結構在所述襯底基板上的正投影不重疊，所述第二投影區域與所述阻擋結構在所述襯底基板上的正投影包括相互重疊的第一重疊區域；所述第一投影區域相對於所述第二投影區域靠近所述第一部分。
可選的，所述第一有機圖案覆蓋所述第二側面的至少部分。
可選的，所述第二側面包括被所述第一有機圖案和所述阻擋結構覆蓋的部分。
可選的，所述轉接結構為環繞所述多個畫素單元的環狀結構。
可選的，所述顯示基板還包括：至少一條第二電源線；所述至少一條第二電源線的一端位於所述阻擋結構遠離所述多個畫素單元的一側，用於接收電源信號，另一端位於所述阻擋結構與所述多個畫素單元之間，且通過所述轉接結構與所述陰極層連接；所述第一有機圖案與所述至少一條第二電源線在所述襯底基板上的正投影包括相互重疊的第二重疊區域，所述第二重疊區域不與所述阻擋結構在所述襯底基板上的正投影重疊。
可選的，所述至少一條第二電源線的一端位於所述阻擋結構遠離所述多個畫素單元的一側的中部。
可選的，所述第二重疊區域與所述阻擋結構在所述襯底基板上的正投影之間的間距大於間距臨界值。
可選的，所述間距臨界值的範圍為80微米至150微米。
可選的，所述顯示基板還具有：位於所述多個畫素單元與所述阻擋結構之間的行驅動區域；所述至少一條第二電源線在所述襯底基板上的正投影與所述行驅動區域之間的間距，大於所述至少一條第一電源線在所述襯底基板上的正投影與所述行驅動區域之間的間距。
可選的，所述顯示基板還包括：鈍化層，覆蓋所述至少一條第一電源線；所述鈍化層中還設置有開口，所述轉接結構靠近所述襯底基板的一側通過所述開口與所述至少一條第一電源線連接，所述轉接結構遠離所述襯底基板的一側與所述陰極層連接。
可選的，所述阻擋結構包括：第一阻擋壩和第二阻擋壩；所述第一阻擋壩相對於所述第二阻擋壩遠離所述多個畫素單元，且所述第一阻擋壩的厚度大於所述第二阻擋壩的厚度；所述第一阻擋壩包括：沿遠離所述襯底基板的方向設置的第一平坦層圖案，第二平坦層圖案，以及第二有機圖案；所述第二阻擋壩包括：沿遠離所述襯底基板的方向設置的第三平坦層圖案，第三有機圖案；其中，所述第二平坦層圖案和所述第三平坦層圖案包括相同材料，所述第一有機圖案，所述第二有機圖案和所述第三有機圖案包括相同材料。
可選的，所述阻擋結構包括：第一阻擋壩和第二阻擋壩；所述第一阻擋壩相對於所述第二阻擋壩遠離所述多個畫素單元，且所述第一阻擋壩的厚度大於所述第二阻擋壩的厚度；所述第一阻擋壩包括：沿遠離所述襯底基板的方向依次層疊設置的平坦層圖案，以及第二有機圖案；所述第二阻擋壩包括：在所述襯底基板上設置的第三有機圖案；其中，所述第一有機圖案，所述第二有機圖案和所述第三有機圖案包括相同材料。
可選的，第一阻擋壩還包括：設置在所述第二有機圖案遠離所述襯底基板一側的第四有機圖案；所述第二阻擋壩還包括：設置在所述第三有機圖案遠離所述襯底基板一側的第五有機圖案；所述第四有機圖案和所述第五有機圖案採用包括相同材料。
可選的，所述阻擋結構包括：第一阻擋壩和第二阻擋壩；所述第一阻擋壩相對於所述第二阻擋壩遠離所述多個畫素單元，且所述第一阻擋壩的厚度大於所述第二阻擋壩的厚度；所述第一有機圖案包括與所述第二阻擋壩直接接觸的部分。
可選的，所述第一電源線包括：環繞所述多個畫素單元所在區域的直邊部分以及弧狀部分；所述第一有機圖案中與所述第二阻擋壩直接接觸的部分在所述襯底基板上的正投影，位於所述弧狀部分在所述襯底基板上的正投影內。
可選的，所述第一電源線的第二部分包括：環繞所述多個畫素單元所在區域的直邊部分以及弧狀部分。
所述第一阻擋壩為第一環形，所述第二阻擋壩為第二環形；所述第一有機圖案，與所述第三有機圖案中的部分圖案圍成第三環形，所述第三環形在所述襯底基板上的正投影，位於所述第二環形在所述襯底基板上的正投影內，所述第二環形在所述襯底基板上的正投影，位於所述第一環形在所述襯底基板上的正投影內；其中，所述第三環形圍繞所述多個畫素單元。
可選的，所述至少一條第一電源線包括：第一金屬層；所述顯示基板還包括：位於所述第一金屬層遠離所述襯底基板的一側的輔助金屬層；所述輔助金屬層遠離所述第一金屬層的一側與所述轉接結構接觸。
可選的，所述顯示基板中的所述第一金屬層，鈍化層，第一平坦層圖案，所述輔助金屬層，第二平坦層圖案，以及所述第一有機圖案沿遠離所述襯底基板的方向層疊設置。
可選的，所述至少一條第一電源線包括：沿遠離所述襯底基板的方向設置的第一金屬層和第二金屬層；所述第二金屬層遠離所述第一金屬層的一側與所述轉接結構接觸。
可選的，所述顯示基板中的所述第一金屬層，第一平坦層圖案，所述第二金屬層，鈍化層，第二平坦層圖案，以及所述第一有機圖案沿遠離所述襯底基板的方向層疊設置。
可選的，所述至少一條第一電源線的第一部分位於所述阻擋結構遠離所述多個畫素單元的一端的側面形成有多個齒狀的凸起結構。
可選的，所述凸起結構在所述襯底基板上的正投影，與所述阻擋結構在所述襯底基板上的正投影不重疊。
可選的，所述顯示基板還包括：封裝膜層；所述封裝膜層位於所述第一電源線遠離所述襯底基板的一側，所述封裝膜層覆蓋所述阻擋結構圍成的區域。
可選的，所述顯示基板還包括：多條第三電源線，位於所述襯底基板上；所述多條第三電源線與所述畫素單元中的電晶體電連。
可選的，所述多條第三電源線中的至少一條所述第三電源線在所述襯底基板上的正投影，與所述第一電源線在襯底基板上的正投影相鄰；所述多條第三電源線在所述襯底基板上的正投影，與所述轉接結構在所述襯底基板上的正投影存在交疊區域，且在所述交疊區域內，所述多條第三電源線與所述轉接結構之間設置有鈍化層。
另一方面，提供了一種顯示裝置，所述顯示裝置包括：上述方面所述的顯示基板。
本申請提供的技術方案帶來的有益效果至少包括：本公開實施例提供了一種顯示基板及顯示裝置，該顯示基板包括襯底基板，多個畫素單元，至少一條第一電源線，阻擋結構，轉接結構，陰極層，以及第一有機圖案。通過將靠近至少一條第一電源線中第一部分的第一連接處，與阻擋結構之間的間距設置的較大，可以減少該第一電源線的第一部分帶入的水氣，通過阻擋結構中的親水材料引入至多個畫素單元，保證了顯示基板的良率，從而確保顯示基板的顯示效果。
為使本發明的目的、技術方案和優點更加清楚，下面將結合附圖對本發明實施方式作進一步地詳細描述。
相關技術中，為了減少電源走線從封裝區域外部進入封裝區域帶來的水氧風險，通常會減少進入封裝區域電源走線的數量，這樣為了進一步保證電源走線的電信號傳輸，如為了保證陰極VSS走線與陰極的電連接，VSS走線的一端進入封裝區域後，例如進入圍堰結構（阻擋結構）後，需要通過位於襯底基板的封裝區域內的轉接結構與陰極層連接。但是，發明人發現，如此增加轉接結構，如導電金屬結構，雖然可以提升陰極與陰極電源線的搭接效果，但是由於轉接結構的設置，其側面可能會存在刻蝕缺陷，這樣也給進線口附近增加了水氧侵蝕的風險。
圖1是本公開實施例提供的一種顯示基板的結構示意圖。圖2是圖1所示的顯示基板沿BB方向的截面圖。該顯示基板可以為軟性面板，例如可以為可折疊面板。結合圖1和圖2可以看出，該顯示基板可以包括：襯底基板001，多個畫素單元002，至少一條第一電源線003，阻擋結構004，轉接結構005，陰極層006，以及第一有機圖案007。該多個畫素單元002可以位於襯底基板001上。示例的，圖1中示出了一條第一電源線003。
其中，該至少一條第一電源線003位於襯底基板001上。該阻擋結構（圍堰結構）004可以圍繞多個畫素單元002。該轉接結構005可以包括相對的第一側面005a和第二側面005b，該第一側面005a較第二側面005b更靠近多個畫素單元002。該陰極層006可以位於轉接結構005遠離襯底基板001的一側。第一有機圖案007可以位於轉接結構005遠離襯底基板001的一側。
參考圖1可以看出，該至少一條第一電源線003可以包括第一部分0031和第二部分0032，該第一部分0031可以位於阻擋結構004遠離多個畫素單元002的一側，用於接收電源信號。例如，該第一部分0031可以與驅動晶片連接，用於接收該驅動晶片提供的電源信號。該第二部分0032可以通過轉接結構005與陰極層006連接。
圖3是圖1所示的顯示基板的局部結構示意圖。參考圖1和圖3，該第二部分0032可以包括與轉接結構005連接的第一連接處0032a和第二連接處0032b，該第一連接處0032a與阻擋結構004之間的間距可以大於第二連接處0032b與阻擋結構004之間的間距。也即是，該至少一條第一電源線003的第二部分0032的第一連接處0032a不與阻擋結構004接觸，例如該第一連接處0032a在襯底基板001上的正投影與阻擋結構004在襯底基板001上的正投影不重疊，第二連接處0032b可以位於阻擋結構004覆蓋的區域內，例如，第二連接處0032b可以與阻擋結構004接觸。為了清楚示意第一電源線003和轉接結構005的位置關係，圖1中未示出陰極層006。
在本公開實施例中，通過將靠近第一部分0031的第一連接處0032a，與阻擋結構004之間的間距設置的較大，可以減少該至少一條第一電源線003的第一部分0031中的水氣，通過阻擋結構004中的親水材料引入至多個畫素單元002中，保證了顯示基板的良率。
並且，由於第二連接處0032b相對於第一連接處0032a遠離第一部分0031，水氣進入的路徑較長，因此，即使將該第二連接處0032b與阻擋結構004之間的間距設置的較小，該第一電源線003的第一部分0031中的水氣也不會引入至多個畫素單元002中。並且，將第二連接處0032b，與阻擋結構004之間的間距設置的較小，可以減小該轉接結構005和阻擋結構004佔用的襯底基板001的面積，便於窄邊框顯示基板的實現。
其中，該第一連接處0032a和第二連接處0032b中的每個連接處可以是指：第一電源線003的第二部分0032中與轉接結構005接觸的部分。在本公開實施例中，可以是指第二部分0032中與轉接結構005直接接觸的部分。該兩個連接處的形狀可以與第二部分0032與轉接結構005在襯底基板001上的正投影重疊的區域的形狀大致相同。
綜上所述，本公開實施例提供了一種顯示基板，該顯示基板包括襯底基板，多個畫素單元，至少一條第一電源線，阻擋結構，轉接結構，陰極層，以及第一有機圖案。通過將靠近至少一條第一電源線中第一部分的第一連接處，與阻擋結構之間的間距設置的較大，可以減少該第一電源線的第一部分帶入的水氣，通過阻擋結構中的親水材料引入至多個畫素單元，保證了顯示基板的良率，從而確保顯示基板的顯示效果。
可選的，如圖1所示，該顯示基板還可以具有綁定區域00a，該綁定區域00a可以位於阻擋結構004遠離該多個畫素單元002的一側。第一連接處0032a相對於第二連接處0032b更靠近該綁定區域00b。其中，更靠近可以是指第一連接處0032a上各點與綁定區域00b之間的距離的最小值，大於第二連接處0032b上各點與綁定區域00b之間的距離的最小值。
需要說明的是，在本公開實施例中，多個畫素單元002在襯底基板001上的正投影所在的區域為顯示基板的有效顯示區域（active area，AA）。因此，該阻擋結構004可以圍繞該AA區設置。該陰極層006可以整層覆蓋該AA區。
可選的，在本公開實施例中，陰極層006在襯底基板001上的正投影可以覆蓋多個畫素單元002在襯底基板001上的正投影，並且該陰極層006在襯底001上的正投影可以位於該阻擋結構004圍成的區域在襯底基板001上的正投影之內。
圖4是本公開實施例提供的另一種顯示基板的結構示意圖。圖5是本公開實施例提供的一種顯示基板的局部結構示意圖，參考圖4和圖5可以看出，轉接結構005在襯底基板001上的正投影可以包括第一投影區域005c和第二投影區域005d。結合圖1可以看出，第一投影區域005c相對於第二投影區域005d靠近第一部分0031。該第一投影區域005c與阻擋結構004在襯底基板001上的正投影不重疊，第二投影區域005d與阻擋結構004在襯底基板001上的正投影包括相互重疊的第一重疊區域00b。
由於製成阻擋結構004的有機材料為親水材料，因此通過將轉接結構005在襯底基板001上的正投影的第一投影區域005c與阻擋結構004在襯底基板001上的正投影不重疊，可以使得第一部分0031中的水氣不會通過覆蓋在轉接結構005上的親水材料進入多個畫素單元002中，進一步保證顯示基板的顯示效果。
可選的，轉接結構005中與第一電源線003的搭接處的寬度可以較寬，從而可以保證該轉接結構005與第一電源線003的接觸電阻儘量小。其中，參考圖5，該搭接處在襯底基板001上的正投影即為第一投影區域005c，與第一電源線003在襯底基板001上的正投影的重疊區域。該轉接結構005遠離搭接處的部分的寬度可以較窄，從而可以減小對該轉接結構005靠近襯底基板001的一側設置的其他信號線的電容耦合影響，如可以減小對資料線電容耦合的影響。
在本公開實施例中，轉接結構005的第二側面005b可以被阻擋結構004覆蓋。也即是，第二投影區域005d的轉接結構005的第二側面005b可以被阻擋結構004覆蓋。
通過將轉接結構005的第二側面005b被阻擋結構004覆蓋，可以減小該轉接結構005和阻擋結構004佔用的襯底基板001的面積，便於窄邊框顯示基板的實現。並且，轉接結構005的第二投影區域005d，與至少一條第一電源線003的第一部分0031之間的間距較遠，遠離第一進線口00c的位置，水氣進入的路徑較長，因此，即使轉接結構005的第二側面005b被阻擋結構004覆蓋，水氣也不會進入畫素單元002。其中，參考圖6，阻擋結構004中供電源線穿過的部分可以稱為進線口（port口），如供第一電源線003穿過的部分可以稱為第一進線口00c。
參考圖1和圖4，轉接結構005可以為環繞多個畫素單元002的環狀結構，從而便於陰極層006通過該轉接結構005與至少一條第一電源線003連接，保證為該顯示基板的畫素單元002提供的電源信號的電位均一性，顯示效果較好。
參考圖1，該顯示基板還可以包括：至少一條第二電源線008。該至少一條第二電源線008的一端008a位於阻擋結構004遠離多個畫素單元002的一側，用於接收電源信號，另一端008b位於阻擋結構004與多個畫素單元002之間，且通過轉接結構005與陰極層006連接，從而可以使得第二電源線008可以為陰極層006提供電源信號。
在本公開實施例中，每條第二電源線008的一端008a位於阻擋結構004圍成的區域之外，另一端位於阻擋結構004圍成的區域之內。即每條第二電源線008可以穿過阻擋結構004進入該阻擋結構004圍成的區域內。其中，供第二電源線008穿過的部分可以稱為第二進線口00d。
示例的，圖1中示出了兩條第二電源線008，每條第二電源線008的一端008a可以與驅動晶片連接，用於接收該驅動晶片提供的電源信號。
結合圖1至圖4還可以看出，第一有機圖案007可以覆蓋轉接結構005的第二側面005b的至少部分，且該第一有機圖案007與至少一條第二電源線008在襯底基板001上的正投影包括相互重疊的第二重疊區域00e，該第二重疊區域00e不與阻擋結構004在襯底基板001上的正投影重疊。
通過第一有機圖案007覆蓋轉接結構005的第二側面005b的至少部分，可以減少轉接結構005的第二側面005b如因刻蝕缺陷而被水氣或氧氣腐蝕的風險，保證該轉接結構005能夠有效傳輸來自第一電源線003的電源信號。並且，由於製成第一有機圖案007的有機材料通常為親水材料，因此通過使第二重疊區域00e不與阻擋結構004在襯底基板上的正投影重疊，即使得第一有機圖案007與阻擋結構004間隔設置，可以減少第二電源線008用於接收電源信號的一端008a帶入的水氣通過該阻擋結構004和第一有機圖案007引入至畫素單元002，保證了顯示基板的良率。
參考圖1還可以看出，該至少一條第二電源線008的一端008a可以位於阻擋結構004遠離多個畫素單元002的一側的中部，例如可以位於綁定區域00a的中部。
其中，該中部可以為襯底基板的縱軸線X所在區域，該縱軸線X為平行於襯底基板001上的數據線的軸線。該縱軸線X與顯示基板的一個側邊之間的距離，可以大致等於該縱軸線X與顯示基板的另一個側邊之間的距離。該一個側邊和另一個側邊均大致平行於資料線的延伸方向。示例的，該顯示基板中與資料線的延伸方向大致平行的兩個側邊中的任一側邊，如與資料線的延伸方向的夾角的範圍可以為0度至10度。
需要說明的是，本公開實施例中的“大致”指的是可以允許有15%以內的誤差範圍。如距離“大致”相等，可以是兩者的距離偏差不超過15%，延伸方向“大致平行”可以是兩者延伸方向的夾角在0度至30度之間，如可以為0度至10度，0度至15度等，形狀“大致”相同可以是兩者形狀為同一類型，如矩形，折線型，弧形，條狀，“L”型等，面積“大致”相同可以可以是兩者面積偏差不超過15%等。
示例的，參考圖1，該顯示基板可以包括兩條第二電源線008。該兩條第二電源線008可以相鄰排列在阻擋結構004遠離多個畫素單元002的一側的中部。或者，該兩條第二電源線008還可以以該襯底基板的縱軸線X為軸對稱間隔排列在阻擋結構004遠離多個畫素單元002的一側的中部。本公開實施例對該第二電源線008的設置位置不做限定。
若該兩條第二電源線008相鄰排列在阻擋結構004遠離多個畫素單元002的一側的中部時，該兩條第二電源線008可以為一體結構。
示例的，該兩條第二電源線008為一體結構時，也即是第二電源線008為一條時，第一電源線008的一端008a位於阻擋結構004遠離多個畫素單元002的一側的中部，例如位於綁定區域00a的中部，可以是第二電源線008的一端008a到縱軸線X的距離小於該第二電源線008的一端008a到顯示基板上與縱軸線X大致平行的兩個側邊中任一側邊的距離。
需要說明的是，若本公開實施例提供的顯示基板為可折疊面板時，該可折疊面板的折疊線可以垂直於該縱軸線X。例如，該折疊面板的折疊線可以為該縱軸線X的中垂線。
在本公開實施例中，第一電源線003可以包括兩個第一部分0031。該兩個第一部分0031可以以襯底基板001的縱軸線X為軸大致對稱設置在阻擋結構004遠離多個畫素單元002的一側的邊緣處。
在本公開實施例中，第以電源線003可以包括兩個第一部分0031。例如該兩個第一部分0031可以位於縱軸線X的兩側，如位於綁定區域00a的兩側。
在本公開實施例中，第一電源線003可以包括兩個第一部分0031。例如該兩個第一部分0031在第一進線口00c附近的部分位於顯示基板的兩側，又如分別靠近與縱軸線X平行的兩個側邊。
本公開實施例中，可以通過位於中部的第二電源線008和位於邊緣處的第一電源線003同時為該顯示基板中的陰極層006提供電源信號，從而能夠進一步緩解因電壓降導致為不同區域的陰極層006載入的電源信號的電位差異較大的問題，陰極層006的長程均一性（long range unifinity，LRU）較好，顯示效果較好。
本公開實施例中，位於中部的第二電源線008和位於邊緣處的第一電源線003均可以為該顯示基板中的陰極層006提供電源信號。同時，即使增加中部的第二電源線008，本公開實施例中的第二電源線008的設計，也可以很好的減小水氧的侵蝕，保證良好的封裝性能。
需要說明的是，對於尺寸較大的顯示基板，還可以設置更多的第二電源線008，通過更多的第二電源線008為該陰極層006提供電源信號，可以確保陰極層006各區域的電位的均一性，顯示基板的顯示效果較好。
還需要說明的是，在本公開實施例中，由於該第一電源線003和第二電源線008均用於為陰極層006提供電源信號，因此該第一電源線003和第二電源線008也可以稱為VSS電源線或者VSS走線。
在本公開實施例中，圖2所示為第一電源線003進入阻擋結構004包圍的區域內的部分的剖視圖。第二電源線008進入阻擋結構004包圍的區域內的部分的層級結構與該第一電源線003相同。參考圖2可以看出，第一有機圖案007與至少一條第二電源線008在襯底基板001上的正投影相互重疊的第二重疊區域00e，與阻擋結構004在該襯底基板001上的正投影之間的間距d可以大於間距臨界值。其中，該間距臨界值的範圍可以為80微米（μm）至150μm。如可以是90μm，100μm，110μm，120μm，130μm，140μm等。也即是，該第二重疊區域00e與阻擋結構004之間設置有一定的間距。由此，可以避免在第二電源線008的第二進線口00d附近，第一有機圖案007與阻擋結構004直接接觸，進而可以減少水氣通過該第一有機圖案007引入至畫素單元002，保證封裝效果。其中，該間距臨界值可以是預先通過實驗確定的能夠避免水氣進入畫素單元002的臨界值。也即是，在第二重疊區域00e與阻擋結構004之間的間距大於該間距臨界值時，水氣難以進入該顯示基板中的畫素單元002中。
其中，該間距臨界值可以是預先通過實驗確定的能夠避免水氣進入畫素單元002的臨界值。也即是，在第二重疊區域00e與阻擋結構004之間的間距大於該間距臨界值時，水氣不會進入該顯示基板中的畫素單元002中。
參考圖4還可以看出，該顯示基板還可以具有：位於多個畫素單元002與阻擋結構004之間的行驅動區域00f。至少一條第二電源線008在襯底基板001上的正投影與行驅動區域00f之間的間距，可以大於至少一條第一電源線003在襯底基板上的正投影與行驅動區域00f之間的間距。例如，位於中部的至少一條第二電源線008，相較於至少一條第一電源線003，與行驅動區域00f之間的距離更遠。為了清楚示意轉接結構005與阻擋結構的位置關係，圖4中未示出第一電源線003，第二電源線008以及陰極層006。
或者可以理解為，每條第二電源線008上各點與行驅動區域00f之間的距離的最小值，大於該任一條第一電源線003上各點與行驅動區域00f之間的距離的最小值。例如，參考圖6，該至少一條第二電源線008上的a1點與行驅動區域00f之間的距離h1，大於該至少一條第一電源線003上的b1點與行驅動區域00f之間的距離h2。
其中，該行驅動區域00f可以設置有多個級聯的移位暫存器單元，該多個級聯的移位暫存器單元可以用於驅動各行畫素單元002。
示例的，如圖4和圖6所示，該顯示基板可以具有兩個行驅動區域00f，該兩個行驅動區域00f可以以襯底基板001的縱軸線X為軸對稱設置在多個畫素單元002的兩側。
在本公開實施例中，參考圖2，顯示基板還可以包括：鈍化層009，該鈍化層009可以覆蓋至少一條第一電源線003。圖7是本公開實施例提供的另一種顯示基板的局部結構示意圖。該鈍化層009中還設置有開口009a，轉接結構005靠近襯底基板001的一側可以通過該開口009a與至少一條第一電源線003連接，轉接結構005遠離襯底基板001的一側可以與陰極層006連接。其中，圖7中所示的009a為鈍化層009中設置的開口。也即是，圖7中除了開口009a所在的區域，其餘區域均覆蓋有鈍化層009。
由於在製備顯示基板的過程中，該至少一條第一電源線003容易被水氣或氧氣腐蝕，因此通過在至少一條第一電源線003上覆蓋鈍化層009，可以保證在後續形成其他膜層時，該至少一條第一電源線003不會被水氣或氧氣腐蝕，保證該至少一條第一電源線003可以為陰極層006提供電源信號，確保顯示基板的顯示效果。
在本公開實施例中，鈍化層009中的開口可以為過孔或者可以為開槽，本公開實施例對此不做限定。製成該鈍化層009的材料可以包括：SiNx（氮化矽）、SiOx（氧化矽）和SiOxNy（氮氧化矽）等一種或多種無機氧化物。本公開實施例對製成該鈍化層009的材料不做限定。
需要說明的是，在本公開實施例中，該鈍化層009還可以覆蓋該至少一條第二電源線008，保證該至少一條第二電源線008不會被水氣或氧氣腐蝕，確保顯示基板的顯示效果。
參在本公開實施例中，參考圖1，圖4和圖6，阻擋結構004可以為環繞多個畫素單元002的環狀結構，用於阻擋顯示基板中位於該阻擋結構004圍成的區域內的有機層溢流。結合圖1至圖7，該阻擋結構004可以包括：第一阻擋壩0041和第二阻擋壩0042。該第一阻擋壩0041相對於該第二阻擋壩0042遠離該多個畫素單元002，且該第一阻擋壩0041的厚度可以大於該第二阻擋壩0042的厚度。
通過設置兩個阻擋壩，且遠離多個畫素單元002的第一阻擋壩0041的厚度大於靠近多個畫素單元002的第二阻擋壩0042的厚度，可以進一步防止位於該阻擋結構004圍成的區域內的有機層溢流。當然，該阻擋結構004還可以包括一個阻擋壩，或兩個以上的阻擋壩，本公開實施例對此不做限定。
作為一種可選的實現方式，圖8是本公開實施例提供的又一種顯示基板的結構示意圖。參考圖8可以看出，第一阻擋壩0041可以包括：沿遠離襯底基板001的方向設置的第一平坦層圖案010，第二平坦層圖案011，以及第二有機圖案012。該第二阻擋壩0042可以包括：沿遠離襯底基板001的方向設置的第三平坦層圖案013，以及第三有機圖案014。
其中，第二平坦層圖案011和第三平坦層圖案013可以包括相同材料，第一有機圖案007，第二有機圖案012和第三有機圖案014可以包括相同材料。例如，第二平坦層圖案011和第三平坦層圖案013可以採用相同材料，並由同一次圖案化程序制得，第一有機圖案007，第二有機圖案012和第三有機圖案014可以採用相同材料，並由同一次圖案化程序制得。
在本公開實施例中，第一平坦層圖案010可以屬於第一平坦層，第二平坦層圖案011和第三平坦層圖案013可以屬於第二平坦層，第一有機圖案007，第二有機圖案012和第三有機圖案014可以屬於第一有機層，該第一有機層可以為畫素界定層（pixel definition layer，PDL）。
可選的，製成該第一平坦層，第二平坦層，以及第一有機層的材料可以包括：樹脂等有機材料。本公開實施例對此不做限定。
作為另一種可選的實現方式，參考圖2，第一阻擋壩0041可以包括：沿遠離襯底基板001的方向依次層疊設置的平坦層圖案015，以及第二有機圖案012。第二阻擋壩0042可以包括：在襯底基板001上設置的第三有機圖案014。
其中，第一有機圖案007，第二有機圖案012和第三有機圖案014可以包括相同材料。例如，第一有機圖案007，第二有機圖案012和第三有機圖案014可以採用相同材料，並由同一次圖案化程序制得。
在本公開實施例中，平坦層圖案015可以屬於平坦層，第一有機圖案007，第二有機圖案012，以及第三有機圖案014可以屬於第一有機層。
可選的，製成該平坦層的材料可以包括：樹脂等有機材料。本公開實施例對此不做限定。
需要說明的是，圖7中所示的開口015a為平坦層圖案015未覆蓋的區域，例如，圖7所示的區域中，襯底基板001上除了開口015a所在的區域，其餘區域均覆蓋有平坦層圖案015。從圖7可以看出，該平坦層圖案015可以覆蓋第一電源線003位於阻擋結構004包圍區域內的部分的邊界。
結合圖2和圖7，對於至少一條第一電源線003在襯底基板001上的正投影與第一投影區域005c的交疊區域，鈍化層009的開口009a在襯底基板001上的正投影與該交疊區域的重疊區域，可以覆蓋平坦層圖案015的開口015a在襯底基板上001的正投影與該交疊區域的重疊區域。也即是，在該交疊區域內，鈍化層009的開口009a的尺寸，大於平坦層圖案015的開口015a的尺寸。
參考圖2和圖8可以看出，第一阻擋壩0041相對於第二阻擋壩0042多一層平坦層圖案，從而可以使得該第一阻擋壩0041的厚度大於該第二阻擋壩0042的厚度，防止有機層溢流。
圖9是本公開實施例提供的再一種顯示基板的結構示意圖。參考圖9可以看出，該第一阻擋壩0041還可以包括：設置在第二有機圖案012遠離襯底基板一側的第四有機圖案016。該第二阻擋壩0042可以包括：設置在第三有機圖案014遠離襯底基板001一側的第五有機圖案017。
其中，第四有機圖案016和第五有機圖案017可以包括相同材料。例如，該第四有機圖案016和第五有機圖案017可以採用相同材料，並由同一次圖案化程序制得。並且，該第四有機圖案016和第五有機圖案017均可以屬於第二有機層，該第二有機層可以為支撐層（photo spacer，PS）。
可選的，製成該第二有機層的材料可以包括：樹脂等有機材料。本公開實施例對此不做限定。
圖10是本公開實施例提供的再一種顯示基板的結構示意圖。參考圖10可以看出，第一有機圖案007可以覆蓋轉接結構005的第二側面005b。參考圖1，圖4，圖6和圖10，第一阻擋壩0041可以為第一環形，第二阻擋壩0042可以為第二環形。第一有機圖案007與第三有機圖案014中的部分圖案可以圍成第三環形，該第三環形在襯底基板001上的正投影，可以位於第二環形在襯底基板001上的正投影內，該第二環形在襯底基板001上的正投影，可以位於第一環形在襯底基板001上的正投影內。其中，該第三環形可以圍繞多個畫素單元002。該第三有機圖案014的形狀可以與第二阻擋壩0042的形狀大致相同，即該第三有機圖案014也為環形。
該部分圖案可以為第三有機圖案014中位於第一有機圖案007靠近多個畫素單元002的一側的圖案。例如，參考圖10，該部分圖案可以為第三有機圖案014的左側，上側，以及右側的圖案。
在本公開實施例中，第一有機圖案007可以包括與第二阻擋壩0042直接接觸的部分。參考圖1，圖6和圖11，第一電源線003可以包括兩個第一部分0031和一個第二部分0032。該兩個第一部分0031可以以襯底基板001的縱軸線X對稱設置在該襯底基板001的兩側，例如該兩個第一部分0031在第一進線口00c附近的部分位於顯示基板上的兩側，又如靠近與縱軸線X平行的兩個側邊中的其中一個側邊。其中，圖4中示出了兩個第一部分0031的第一進線口00c。該第二部分0032可以環繞該多個畫素單元002，且該第二部分0032的兩端可以分別與一個第一部分0031連接。
在本公開實施例中，第一部分0031和第二部分0032可以直接接觸，例如為一體結構。
在本公開實施例中，第二電源線008可以包括：環繞多個畫素單元002所在區域的直邊部分0032c以及弧狀部分0032d。
在本公開實施例中，該第二部分0032可以包括：環繞多個畫素單元002所在區域的直邊部分0032c以及弧狀部分0032d。並且，該第一電源線003的第二部分0032可以為非封閉結構，本公開實施例以該第二部分0032至少圍繞顯示基板的兩條邊進行說明。該第一有機圖案007中與第二阻擋壩0042的直接接觸的部分在襯底基板001上的正投影，可以位於弧狀部分0032d在襯底基板001上的正投影內。也即是，該第一有機圖案007與第二阻擋壩0042直接接觸的部分在襯底基板001上的正投影，不超出弧狀部分0032d在襯底基板001上的正投影。
本公開實施例中，弧狀部分0032d相對于直邊部分0032c靠近至少一條第一電源線003中用於接收電源信號的第一部分0031。
作為一種可選的實現方式，參考圖8，至少一條第一電源線003可以包括：第一金屬層003a。顯示基板還可以包括：位於該第一金屬層003a遠離襯底基板的一側的輔助金屬層018。
本公開實施例中，該輔助金屬層018遠離第一金屬層003a的一側可以與轉接結構005接觸，且該輔助金屬層018在襯底基板001上的正投影可以與阻擋結構004在該襯底基板001上的正投影重疊。例如，該輔助金屬層018在該襯底基板001上的正投影包括位於阻擋結構004在該襯底基板001上的正投影所包圍的區域內的部分。
圖12是本公開實施例提供的再一種顯示基板的局部結構示意圖。參考圖12，該輔助金屬層018在該襯底基板001上的正投影包括位於第二阻擋壩0042在該襯底基板001上的正投影內的部分。
本公開實施例中，在阻擋結構004所在的區域，第一金屬層003a遠離襯底基板001的一側未設置該輔助金屬層018，即該阻擋結構004所在的區域的輔助金屬層018被去除，即該第一進線口00c所在的區域的輔助金屬層018被去除。例如，阻擋結構004遠離多個畫素單元002的一側可以設置有輔助金屬層018，阻擋結構004包圍的區域內也可以設置有輔助金屬層018。
該輔助金屬層018的邊界的形狀可以與第一金屬層003a的邊界的形狀大致相同，或者，該輔助金屬層018的邊界的形狀也可以與第一金屬層003a的邊界的形狀不同，本公開實施例對此不做限定。
其中，第一金屬層003a接收到的電源信號可以通過設置在鈍化層009的開口內的輔助金屬層018傳輸至轉接結構005。通過該轉接結構005將電源信號傳輸至陰極層006。
本公開實施例中，參考圖8，該輔助金屬層018遠離襯底基板001的一側可以被包括第二平坦層圖案011和第三平坦層圖案013的第二平坦層覆蓋其靠近邊緣的部分以及覆蓋其側邊，該第二平坦層可以用於避免該輔助金屬層018的側壁因刻蝕缺陷，而引起的顯示不良。
由於製成第二平坦層的有機材料通常為親水材料，因此為了避免輔助金屬層018將水氣引入畫素單元002中，可以使得該輔助金屬層018在襯底基板001上的正投影與阻擋結構004在該襯底基板001上的正投影不重疊，從而可以阻斷水氣從阻擋結構004中進入，並沿第二平坦層進入畫素單元002所在區域的路徑，保證了顯示基板的顯示效果。
圖13是本公開實施例提供的另一種顯示基板的局部結構示意圖。參考圖13可以看出，輔助金屬層018與第一金屬層003a接觸的部分在襯底基板001上的正投影，可以位於該輔助金屬層018在襯底基板001上的正投影內，從而使得該第一金屬層003a的邊界，與輔助金屬層018的邊界存在間距，避免該第一金屬層003a和輔助金屬層018被水氣或氧氣腐蝕。圖14是本公開實施例提供的再一種顯示基板的局部結構示意圖。圖14中所示的010a為第一平坦層中設置的開口。也即是，圖14中除了開口010a所在的區域，其餘區域均覆蓋有第一平坦層。圖14中所示的開口011a為第二平坦層中設置的開口。也即是，圖14中除了開口011a所在的區域，其餘區域均覆蓋有第二平坦層。
在該實現方式中，顯示基板中的第一金屬層003a，鈍化層009，第一平坦層圖案010，輔助金屬層018，第二平坦層圖案011，以及第一有機圖案007可以沿遠離襯底基板001的方向層疊設置。也即是，顯示基板中的第一電源線003，鈍化層009，第一平坦層，輔助金屬層018，第二平坦層，以及第一有機層可以沿襯底基板001的方向層疊設置。
需要說明的是，第一金屬層003a和輔助金屬層018均可以包括三層金屬膜層，例如，該三層金屬膜層的材料可以依次為：鈦(Ti)，鋁(Al)以及Ti。
還需要說明的是，圖15是圖1所示的顯示基板沿CC方向的截面圖。參考圖15，至少一條第二電源線008可以包括：第二金屬層008c。顯示基板還可以包括：位於該第二金屬層008c遠離襯底基板001的一側的輔助走線層019。
本公開實施例中，該輔助走線層019遠離第二金屬層008c的一側可以與轉接結構005接觸，且該輔助走線層019在該襯底基板001上的正投影可以與阻擋結構004在該襯底基板001上的正投影不重疊。例如，該輔助走線層019在該襯底基板001上的正投影包括位於阻擋結構004在該襯底基板001上的正投影所包圍的區域內的部分。
圖16是本公開實施例提供的再一種顯示基板的局部結構示意圖。參考圖16，該輔助走線層019在該襯底基板001上的正投影包括位於第二阻擋壩0042在該襯底基板001上的正投影所包圍的區域內的部分。
在本公開實施例中，在阻擋結構004所在的區域，第二金屬層008c遠離襯底基板001的一側未設置該輔助走線層019，即該阻擋結構004所在的區域的輔助走線層019被去除，即第二進線口00d所在的區域的輔助走線層019被去除。例如，阻擋結構004遠離多個畫素單元的一側可以設置有輔助走線層019，阻擋結構004包括的區域內可以設置有輔助走線層019。
該輔助走線層019的邊界的形狀可以與第二金屬層008c的邊界的形狀大致相同，或者，該輔助走線層019的邊界的形狀也可以與第二金屬層008c的邊界的形狀不同，本公開實施例對此不做限定。
作為另一種可選的實現方式，參考圖17，至少一條第一電源線003包括：沿遠離襯底基板001的方向設置的第一金屬層003a和第三金屬層003b。第三金屬層003b遠離第一金屬層003a的一側與轉接結構005接觸。
該第一金屬層003a在該襯底基板001上的正投影，以及該第三金屬層003b在該襯底基板001上的正投影，可以均與該阻擋結構004在該襯底基板001上的正投影重疊。也即是，該第一金屬層003a和該第三金屬層003b遠離多個畫素單元002的第一部分0031可以均用於接收電源信號，從而可以通過第一金屬層003a和第三金屬層003b的兩層金屬層向陰極層006傳輸電源信號，可以減小電阻，進而減小電源信號的電壓降。
參考圖17，該第一金屬層003a在襯底基板001上的正投影，可以與第三金屬層003b和轉接結構005接觸的區域不重疊。
或者，參考圖18，該第一金屬層003a在襯底基板001上的正投影，可以與第三金屬層003b和轉接結構005接觸的區域重疊。
其中，第一平坦層可以覆蓋該第一金屬層003a靠近多個畫素單元002的另一端，減少該第一金屬層003a的另一端被氧氣或水氣腐蝕，或者可以減少因為金屬層側面因刻蝕缺陷而引起的最終顯示不良。
參考圖17和圖18可以看出，該顯示基板中的第一金屬層003a，第一平坦層圖案010，第三金屬層003b，鈍化層009，第二平坦層圖案011，第一有機圖案007可以沿遠離襯底基板001的方向層疊設置。也即是，顯示基板中的第一金屬層圖案003a，第一平坦層，第三金屬層003b，鈍化層009，第二平坦層，以及第一有機層可以沿襯底基板001的方向層疊設置。
需要說明的是，第一金屬層003a和第三金屬層003b均可以包括三層金屬膜層，例如，該三層金屬膜層的材料可以依次為：Ti，Al以及Ti。
還需要說明的是，參考圖9和圖18，當第一阻擋壩0041還包括：設置在第二有機圖案012遠離襯底基板一側的第四有機圖案016，第二阻擋壩0042還包括：設置在第三有機圖案014遠離襯底基板001一側的第五有機圖案017時，包括該第四有機圖案016和第五有機圖案017的第二有機層可以設置在第一有機層遠離襯底基板001的一側。
圖19是本公開實施例提供的再一種顯示基板的結構示意圖。參考圖5和圖19可以看出，至少一條第一電源線003的第一部分0031位於阻擋結構004遠離多個畫素單元002的一端的側面形成有多個齒狀的凸起結構，從而可以進一步延長水氣進入的路徑，避免水氣被引入至多個畫素單元002中。
參考圖5和圖19，凸起結構在襯底基板001上的正投影，與阻擋結構004在襯底基板001上的正投影不重疊。並且，該至少一條第一電源線003的第一部分0031位於阻擋結構004圍成的區域內的另一端的側面可以為平面，即該至少一條第一電源線003的第一部分0031位於阻擋結構004圍成的區域內的另一端的側面未形成凸起結構。
在製備該顯示基板時，轉接結構005是依次通過曝光，顯影以及刻蝕等程序得到的。在刻蝕程序中需要採用刻蝕劑對膜層進行刻蝕，若將第一電源線003的第一部分0031位於阻擋結構004圍成的區域內的另一端的側面也設置為齒狀的凸起結構，則會使得刻蝕劑殘留在該第一電源線003相鄰的凸起結構之間，使得第一電源線003的第一部分0031的另一端的側壁被腐蝕。因此將第一電源線003位於該阻擋結構004圍成的區域內的第一部分0031的另一端的側面設置為平面，可以避免在製造顯示基板的過程中，由於該第一電源線003的側壁被腐蝕，刺穿位於該第一電源線003遠離襯底基板001一側的膜質較脆的鈍化層009，保證該鈍化層009的品質。
參考圖19還可以看出，至少一條第一電源線003的第一部分0031遠離多個畫素單元002的一端的側面也形成有多個齒狀的凸起結構，可以延長水氣沿第一電源線003進入的路徑，避免水氣被引入至多個畫素單元002。並且，該至少一條第一電源線003位於阻擋結構004圍成的區域內的另一端008b的側面可以為平面。
參考圖19可以看出，該顯示基板還可以包括：多條第三電源線020，該多條第三電源線020可以位於襯底基板001上。該多條第三電源線020與顯示基板中的畫素單元002中的電晶體電性連接。例如，可以與畫素單元002中電晶體的源極或者汲極連接。該第三電源線020可以用於為畫素單元002中的電晶體提供正極電源信號，因此該第三電源線020也可以稱為VDD電源線或者VDD走線。
在本公開實施例中，該多條第三電源線020可以對稱設置在至少一條第一電源線003的兩側。例如，參考圖19，該顯示基板可以包括：四條第三電源線020，其中兩條第三電源線020可以位於阻擋結構004遠離多個畫素單元002的一側的中部，且該兩條第三電源線020可以以襯底基板001的縱軸線X為軸對稱設置在第二電源線008的兩側。其餘兩條第三電源線020可以均位於阻擋結構遠離多個畫素單元002的一側的邊緣處。每條第三電源線020可以位於第一電源線003中一個第一部分0031靠近該第二電源線008的一側。
參考圖19，該多條第三電源線020位於阻擋結構004遠離多個畫素單元002的一端的側面也可以形成有多個齒狀的凸起結構，從而可以延長水氣沿該第三電源線020進入的路徑，避免水氣被引入至多個畫素單元002中。並且，該第三電源線0200位於阻擋結構004圍成的區域內的另一端的側面可以為平面。
參考圖2，圖8至圖9，圖15，以及圖17至圖18可以看出，該顯示基板還可以包括：封裝膜層021。該封裝膜層021可以位於多個第一電源線遠離襯底基板001的一側，該封裝膜層021可以覆蓋阻擋結構004圍成的區域。參考圖10，該封裝膜層021覆蓋的區域00g的邊界可以位於阻擋結構004遠離多個畫素單元002的一側。
在本公開實施例中，封裝膜層021可以包括：沿遠離襯底基板001的方向層疊設置的第一膜層0211，第二膜層0212以及第三膜層0213。
可選的，該第一膜層0211和該第三膜層0213可以由無機材料製成，該第二膜層0212可以由有機材料製成。例如，該第一膜層0211和該第三膜層0213可以由SiNx、SiOx和SiOxNy等一種或多種無機氧化物製成。第二膜層0212可以由樹脂材料製成。該樹脂可以為熱塑性樹脂或熱塑性樹脂，熱塑性樹脂可以包括亞克力(PMMA)樹脂，熱固性樹脂可以包括環氧樹脂。
需要說明的是，該第二膜層0212可以位於阻擋結構004圍成的區域內，第一膜層0211和第三膜層0213可以覆蓋阻擋結構004圍成的區域，且覆蓋該阻擋結構004。即阻擋結構004在襯底基板001上的正投影，位於該封裝膜層021覆蓋的區域內，由此確保該封裝膜層021對位於阻擋結構004圍成的區域內的各個結構的有效封裝。
在本公開實施例中，第二膜層0212可以採用噴墨列印(ink jet printing，IJP)的方法製作。第一膜層0211和第三膜層0213可以採用化學氣相沉積(chemical vapor deposition，CVD)的方法製作。
圖20是本公開實施例提供的再一種顯示基板的結構示意圖。參考圖20可以看出，襯底基板001上可以依次設置有緩衝層022，半導體層023，閘極絕緣層024，閘極025，層間介電層026和源汲極層027，源汲極層027可以包括源極0271和汲極0272。源極0271和汲極0272彼此間隔並可分別通過過孔與半導體層023連接。沿源汲極層027遠離襯底基板001的方向依次設置有鈍化層009，第一平坦層028，第二平坦層029，以及發光元件。該發光元件可以包括依次層疊的陽極層030，發光層031以及陰極層006。該陽極層030可以通過過孔與汲極0272電連。其中，閘極025，源極0271和汲極0272構成一個電晶體，每個發光元件和其所連接的電晶體可以構成一個畫素單元002。
參考圖20可以看出，第一電源線003包括的第一金屬層003a可以與源汲極層027同層設置。轉接結構005可以與畫素的陽極層030同層設置。該轉接結構005可以包括三層膜層，例如，該三層膜層的材料可以依次為：氧化銦錫（indium tin oxide，ITO），銀（Ag），以及ITO。
參考圖19可以看出，多條第三電源線020中的至少一條第三電源線020在襯底基板001上的正投影，可以與第一電源線003在襯底基板上的正投影相鄰。圖21是本公開實施例提供的再一種顯示基板的結構示意圖。參考圖21，多條第三電源線020在襯底基板001上的正投影，可以與轉接結構005在襯底基板001上的正投影存在交疊區域。且在該交疊區域內，該多條第三電源線020與轉接結構005之間可以設置有鈍化層009。並且，該多條第三電源線020不與轉接結構005接觸。
綜上所述，本公開實施例提供了一種顯示基板，該顯示基板包括襯底基板，多個畫素單元，至少一條第一電源線，阻擋結構，轉接結構，陰極層，以及第一有機圖案。通過將靠近至少一條第一電源線中第一部分的第一連接處，與阻擋結構之間的間距設置的較大，可以減少該第一電源線的第一部分帶入的水氣，通過阻擋結構中的親水材料引入至多個畫素單元，保證了顯示基板的良率，從而確保顯示基板的顯示效果。
圖22是本公開實施例提供的一種顯示基板的製造方法的流程圖。該方法可以用於製造上述實施例提供的顯示基板。參考圖22可以看出，該方法可以包括：
步驟101、提供一襯底基板。
步驟102、在該襯底基板上形成多個畫素單元，至少一條第一電源線，阻擋結構，轉接結構，第一有機圖案，以及陰極層。
該至少一條第一電源線003包括第一部分0031和第二部分0032，該第一部分0031可以位於阻擋結構004遠離多個畫素單元002的一側，用於接收電源資訊後，該第二部分0032可以通過轉接結構005與陰極層006連接。
該第二部分0032可以包括與轉接結構005連接的第一連接處0032a和第二連接處0032b，該第一連接處0032a與阻擋結構004之間的間距大於第二連接處0032b與阻擋結構004之間的間距。
需要說明的是，在上述步驟102中，可以先在襯底基板001上形成至少一條第一電源線003，然後在該第一電源線003遠離襯底基板001的一側形成阻擋結構004和轉接結構005。之後在該轉接結構005遠離襯底基板001的一側形成第一有機圖案007，最後在該第一有機圖案007遠離襯底基板001的一側形成陰極層006。
其中，該至少一條第一電源線003可以與畫素單元002中的薄膜電晶體的源汲極通過一次圖案化程序形成，該阻擋結構004可以在平坦層，畫素界定層以及支撐層的形成過程中形成。該第一有機圖案005可以在該畫素界定層的形成過程中形成。該轉接結構005可以與畫素單元002中的陽極層030通過一次圖案化程序形成。
綜上所述，本公開實施例提供了一種顯示基板的製造方法，該方法可以包括在襯底基板上依次形成的多個畫素單元，至少一條第一電源線，阻擋結構，轉接結構，第一有機圖案，以及陰極層。通過將靠近至少一條第一電源線中第一部分的第一連接處，與阻擋結構之間的間距設置的較大，可以減少該第一電源線的第一部分帶入的水氣，通過阻擋結構中的親水材料引入至多個畫素單元，保證了顯示基板的良率，從而確保顯示基板的顯示效果。
本公開實施例還提供了一種顯示裝置，該顯示裝置可以包括：上述實施例所述的顯示基板。該顯示裝置可以為折疊顯示裝置，例如可以為：液晶面板、電子紙、有機發光二極體（organic light-emitting diode，OLED）面板、主動矩陣有機發光二極體（active-matrix organic light-emitting diode，AMOLED）面板、手機、平板電腦、電視機、顯示器、筆記型電腦、數位相框、導航儀等任何具有顯示功能的產品或部件。
以上所述僅為本申請的可選實施例，並不用以限制本申請，凡在本申請的精神和原則之內，所作的任何修改、等同替換、改進等，均應包含在本申請的保護範圍之內。
001:襯底基板 002:畫素單元 003,008,020:電源線 004:阻擋結構 005:轉接結構 006:陰極層 007,012,014,010,011,012,013,014,015,016,017:圖案 005a,005b:側面 0031,0032,0032c,0032d:部分 0032a,0032b:連接處 008a,008b:端 X:縱軸線 021:封裝膜層 0211,0212,0213:膜層 0041,0042:阻擋壩 00b,00e,00f,00g:區域 018,019:輔助金屬層 00c,00d:進線口 a1,b1:點 h1,h2:距離 009a,015a,010a,011a:開口 018,003a,003b,008c:金屬層 0211,0212,0213:膜層 022:緩衝層 023:半導體層 024:閘極絕緣層 025:閘極 026:層間介電層 027:源汲極層 0271:源極 0272:汲極 028,029:平坦層 030:陽極層 031:發光層 101,102:步驟
為了更清楚地說明本申請實施例中的技術方案，下面將對實施例描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本申請的一些實施例，對於本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。
圖1是本公開實施例提供的一種顯示基板的結構示意圖； 圖2是圖1所示的顯示基板沿BB方向的截面圖； 圖3是圖1所示的顯示基板的局部結構示意圖； 圖4是本公開實施例提供的另一種顯示基板的結構示意圖； 圖5是本公開實施例提供的一種顯示基板的局部結構示意圖； 圖6是本公開實施例提供的又一種顯示基板的結構示意圖； 圖7是本公開實施例提供的另一種顯示基板的局部結構示意圖； 圖8是本公開實施例提供的再一種顯示基板的結構示意圖； 圖9是本公開實施例提供的再一種顯示基板的結構示意圖； 圖10是本公開實施例提供的再一種顯示基板的結構示意圖； 圖11是本公開實施例提供的再一種顯示基板的結構示意圖； 圖12是本公開實施例提供的又一種顯示基板的局部結構示意圖； 圖13是本公開實施例提供的再一種顯示基板的局部結構示意圖； 圖14是本公開實施例提供的再一種顯示基板的局部結構示意圖； 圖15是圖1所示的顯示基板沿CC方向的截面圖； 圖16是本公開實施例提供的再一種顯示基板的局部結構示意圖； 圖17是本公開實施例提供的再一種顯示基板的結構示意圖； 圖18是本公開實施例提供的再一種顯示基板的結構示意圖； 圖19是本公開實施例提供的再一種顯示基板的結構示意圖； 圖20是本公開實施例提供的再一種顯示基板的結構示意圖； 圖21是本公開實施例提供的再一種顯示基板的結構示意圖； 圖22是本公開實施例提供的一種顯示基板的製造方法的流程圖。
001:襯底基板
002:畫素單元
003,008:電源線
004:阻擋結構
005:轉接結構
006:陰極層
007:第一有機圖案
005a,005b:側面
0031:第一部分
0032:第二部分
0032a,0032b:連接處
008a,008b:端
X:縱軸線

Claims (29)

  1. 一種顯示基板，包括：襯底基板；多個畫素單元，所述多個畫素單元位於所述襯底基板上；至少一條第一電源線，位於所述襯底基板上；阻擋結構，所述阻擋結構圍繞所述多個畫素單元；轉接結構，包括相對的第一側面以及第二側面，所述第一側面較所述第二側面更靠近所述多個畫素單元；陰極層，位於所述轉接結構遠離所述襯底基板的一側；第一有機圖案，位於所述轉接結構遠離所述襯底基板的一側；其中，所述至少一條第一電源線包括第一部分和第二部分，所述第一部分位於所述阻擋結構遠離所述多個畫素單元的一側，用於接收電源信號，所述第二部分通過所述轉接結構與所述陰極層連接；所述第二部分包括與所述轉接結構連接的第一連接處和第二連接處，所述第一連接處與所述阻擋結構之間的間距大於所述第二連接處與所述阻擋結構之間的間距，所述阻擋結構包括有機材料。
  2. 如請求項1的顯示基板，其中所述顯示基板具有綁定區域，所述綁定區域位於所述阻擋結構遠離所述多個畫素單元的一側；所述第一連接處相對於所述第二連接處更靠近所述綁定區域。
  3. 如請求項1或2的顯示基板，其中所述轉接結構在所述襯底基板上的正投影包括第一投影區域和第二投影區域，所述第一投影區域與所述阻擋結構在所述襯底基板上的正投影不重疊，所述第二投影區域與所述阻擋結構在所述襯底基板上的正投影包括 相互重疊的第一重疊區域；所述第一投影區域相對於所述第二投影區域靠近所述第一部分。
  4. 如請求項1的顯示基板，其中所述第一有機圖案覆蓋所述第二側面的至少部分。
  5. 如請求項4的顯示基板，其中所述第二側面包括被所述第一有機圖案和所述阻擋結構覆蓋的部分。
  6. 如請求項1的顯示基板，其中所述轉接結構為環繞所述多個畫素單元的環狀結構。
  7. 如請求項1的顯示基板，其中所述顯示基板還包括：至少一條第二電源線；所述至少一條第二電源線的一端位於所述阻擋結構遠離所述多個畫素單元的一側，用於接收電源信號，另一端位於所述阻擋結構與所述多個畫素單元之間，且通過所述轉接結構與所述陰極層連接；所述第一有機圖案與所述至少一條第二電源線在所述襯底基板上的正投影包括相互重疊的第二重疊區域，所述第二重疊區域不與所述阻擋結構在所述襯底基板上的正投影重疊。
  8. 如請求項7的顯示基板，其中所述至少一條第二電源線的一端位於所述阻擋結構遠離所述多個畫素單元的一側的中部。
  9. 如請求項7的顯示基板，其中所述第二重疊區域與所述阻擋結構在所述襯底基板上的正投影之間的間距大於間距臨界值。
  10. 如請求項9的顯示基板，其中所述間距臨界值的範圍為80微米至150微米。
  11. 如請求項8至10任一者的顯示基板，其中所述顯示基板還具有：位於所述多個畫素單元與所述阻擋結構之間的行驅動區域；所述至少一條第二電源線在所述襯底基板上的正投影與所述行驅動區域之間的間距，大於所述至少一條第一電源線在所述襯底基板上的正投影與所述行驅動區域之間的間距。
  12. 如請求項1的顯示基板，其中所述顯示基板還包括：鈍化層，覆蓋所述至少一條第一電源線；所述鈍化層中還設置有開口，所述轉接結構靠近所述襯底基板的一側通過所述開口與所述至少一條第一電源線連接，所述轉接結構遠離所述襯底基板的一側與所述陰極層連接。
  13. 如請求項1的顯示基板，其中所述阻擋結構包括：第一阻擋壩和第二阻擋壩；所述第一阻擋壩相對於所述第二阻擋壩遠離所述多個畫素單元，且所述第一阻擋壩的厚度大於所述第二阻擋壩的厚度；所述第一阻擋壩包括：沿遠離所述襯底基板的方向設置的第一平坦層圖案，第二平坦層圖案，以及第二有機圖案；所述第二阻擋壩包括：沿遠離所述襯底基板的方向設置的第三平坦層圖案，第三有機圖案；其中，所述第二平坦層圖案和所述第三平坦層圖案包括相同材料，所述第一有機圖案，所述第二有機圖案和所述第三有機圖案包括相同材料。
  14. 如請求項1的顯示基板，其中所述阻擋結構包括：第一阻擋壩和第二阻擋壩；所述第一阻擋壩相對於所述第二阻擋壩遠離所述多個畫素單元，且所述第一阻擋壩的厚度大於所述第二阻擋壩的厚度； 所述第一阻擋壩包括：沿遠離所述襯底基板的方向依次層疊設置的平坦層圖案，以及第二有機圖案；所述第二阻擋壩包括：在所述襯底基板上設置的第三有機圖案；其中，所述第一有機圖案，所述第二有機圖案和所述第三有機圖案包括相同材料。
  15. 如請求項13或14的顯示基板，其中第一阻擋壩還包括：設置在所述第二有機圖案遠離所述襯底基板一側的第四有機圖案；所述第二阻擋壩還包括：設置在所述第三有機圖案遠離所述襯底基板一側的第五有機圖案；所述第四有機圖案和所述第五有機圖案採用包括材料。
  16. 如請求項1的顯示基板，其中所述阻擋結構包括：第一阻擋壩和第二阻擋壩；所述第一阻擋壩相對於所述第二阻擋壩遠離所述多個畫素單元，且所述第一阻擋壩的厚度大於所述第二阻擋壩的厚度；所述第一有機圖案包括與所述第二阻擋壩直接接觸的部分。
  17. 如請求項16的顯示基板，其中所述第一電源線包括：環繞所述多個畫素單元所在區域的直邊部分以及弧狀部分；所述第一有機圖案中與所述第二阻擋壩直接接觸的部分在所述襯底基板上的正投影，位於所述弧狀部分在所述襯底基板上的正投影內。
  18. 如請求項17的顯示基板，其中所述第一電源線的第二部分包括：環繞所述多個畫素單元所在區域的直邊部分以及弧狀部分。
  19. 如請求項13或14的顯示基板，其中所述第一阻擋壩為第一環形，所述第二阻擋壩為第二環形；所述第一有機圖案，與所述第三有機圖案中的部分圖案圍成第三環形，所 述第三環形在所述襯底基板上的正投影，位於所述第二環形在所述襯底基板上的正投影內，所述第二環形在所述襯底基板上的正投影，位於所述第一環形在所述襯底基板上的正投影內；其中，所述第三環形圍繞所述多個畫素單元。
  20. 如請求項1的顯示基板，其中所述至少一條第一電源線包括：第一金屬層；所述顯示基板還包括：位於所述第一金屬層遠離所述襯底基板的一側的輔助金屬層；所述輔助金屬層遠離所述第一金屬層的一側與所述轉接結構接觸。
  21. 如請求項20的顯示基板，其中所述顯示基板中的所述第一金屬層，鈍化層，第一平坦層圖案，所述輔助金屬層，第二平坦層圖案，以及所述第一有機圖案沿遠離所述襯底基板的方向層疊設置。
  22. 如請求項1的顯示基板，其中所述至少一條第一電源線包括：沿遠離所述襯底基板的方向設置的第一金屬層和第二金屬層；所述第二金屬層遠離所述第一金屬層的一側與所述轉接結構接觸。
  23. 如請求項22的顯示基板，其中所述顯示基板中的所述第一金屬層，第一平坦層圖案，所述第二金屬層，鈍化層，第二平坦層圖案，以及所述第一有機圖案沿遠離所述襯底基板的方向層疊設置。
  24. 如請求項1的顯示基板，其中所述至少一條第一電源線的第一部分位於所述阻擋結構遠離所述多個畫素單元的一端的側面形成有多個齒狀的凸起結構。
  25. 如請求項24的顯示基板，其中所述凸起結構在所述襯底基板上的正投影，與所述阻擋結構在所述襯底基板上的正投影不重疊。
  26. 如請求項1的顯示基板，其中所述顯示基板還包括：封裝膜層；所述封裝膜層位於所述第一電源線遠離所述襯底基板的一側，所述封裝膜層覆蓋所述阻擋結構圍成的區域。
  27. 如請求項1的顯示基板，其中所述顯示基板還包括：多條第三電源線，位於所述襯底基板上；所述多條第三電源線與所述畫素單元中的電晶體電連。
  28. 如請求項27的顯示基板，其中所述多條第三電源線中的至少一條所述第三電源線在所述襯底基板上的正投影，與所述第一電源線在襯底基板上的正投影相鄰；所述多條第三電源線在所述襯底基板上的正投影，與所述轉接結構在所述襯底基板上的正投影存在交疊區域，且在所述交疊區域內，所述多條第三電源線與所述轉接結構之間設置有鈍化層。
  29. 一種顯示裝置，所述顯示裝置包括：如請求項1至28任一項所述的顯示基板。
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