JP2022550490A - 表示基板及び表示装置 - Google Patents

Abstract

本発明は、表示基板及び表示装置を開示し、表示技術分野に関する。当該表示基板は、ベース基板、複数の画素セル、少なくとも一つの第１の電源コード、ブロック構造、トランス構造、陰極層、及び第１の有機パターンを備える。少なくとも一つの第１の電源コードにおける、第１の部分に接近する第１の領域がトランス構造に接続する接続先と、ブロック構造との間の距離を比較的に大きく設置することによって、当該第１の電源コードの第１の部分に持込まれる水蒸気を低減することができ、ブロック構造における親水性材料を複数の画素セルに引込むことによって、表示基板の優良率を保証し、従って、表示基板の表示効果を確保する。

Description

本発明は、表示の技術分野に関し、特に表示基板及び表示装置に関する。

表示基板は、通常、ベース基板の表示領域に配列された複数の画素セル、各々の画素セルにプラス電源信号を提供する電源トレース（一般的にＶＤＤトレースと称す）、及び表示基板の陰極層にマイナス電源信号を提供する電源トレース（一般的にＶＳＳトレースと称す）を備える。電源トレースは、駆動チップ側から封止領域内に入る際、例えば、束縛領域から締切構造の画素セル側に接近する領域に入る際、つまり、締切構造が電源コードを通る部分（線入口）の附近にある際、水と酸素を引込むリスクがあるため、封止性能を向上させる必要がある。

本発明に提供される表示基板及び表示装置は、従来技術における表示基板の水と酸素浸食課題を改善することができる。その技術は下記の通りである。

一方、表示基板を提供し、前記表示基板は、
ベース基板と、
前記ベース基板に位置する、複数の画素セルと、
前記ベース基板に位置する、少なくとも一つの第１の電源コードと、
前記複数の画素セルを取り囲む、ブロック構造と、
対向する第１の側面及び第２の側面を備え、前記第１の側面が前記第２の側面より前記複数の画素セルに位置する、トランス構造と、
前記トランス構造の前記ベース基板から離れた片側に位置する、陰極層と、
前記トランス構造の前記ベース基板から離れた片側に位置する、第１の有機パターンと、を備え、
前記少なくとも一つの第１の電源コードは、第１の部分と第２の部分とを備え、前記第１の部分は、前記ブロック構造の前記複数の画素セルから離れた片側に位置され、電源信号を受信し、前記第２の部分は、前記トランス構造を介して前記陰極層に接続され、
前記第２の部分は、前記トランス構造に接続する第１の接続先と第２の接続先とを備え、前記第１の接続先と前記ブロック構造との間の距離は、前記第２の接続先と前記トランス構造との間の距離より大きい。

好ましくは、前記表示基板は、前記ブロック構造の前記複数の画素セルから離れた片側に位置する束縛領域を有し、
前記第１の接続先は、前記第２の接続先より前記束縛領域に位置する。

好ましくは、前記トランス構造の前記ベース基板における正投影は、第１の投影領域と第２の投影領域とを備え、前記第１の投影領域は、前記ブロック構造の前記ベース基板における正投影と重ならず、前記第２の投影領域は、前記ブロック構造の前記ベース基板における正投影と互いに重なる第１の重複領域を含み、
前記第１の投影領域は、前記第２の投影領域より前記第１の部分に位置する。

好ましくは、前記第１の有機パターンは、前記第２の側面の少なくとも一部を覆う。

好ましくは、前記第２の側面は、前記第１の有機パターンと前記ブロック構造により覆われた一部を備える。

好ましくは、前記トランス構造は、前記複数の画素セルを取り囲む環状構造である。

好ましくは、前記表示基板は、一端が前記ブロック構造の前記複数の画素セルから離れた片側に位置され、電源信号を受信し、他端が前記ブロック構造と前記複数の画素セルとの間に位置され、且つ前記トランス構造を介して前記陰極層に接続する少なくとも１つの第２の電源コードをさらに備え、
前記第１の有機パターンは、前記少なくとも１つの第２の電源コードの前記ベース基板における正投影と、互いに重なる第２の重複領域を含み、前記第２の重複領域は、前記ブロック構造の前記ベース基板における正投影と重ならない。

好ましくは、前記少なくとも一つの第２の電源コードの一端は、前記ブロック構造の前記複数の画素セルから離れた片側の中央部に位置する。

好ましくは、前記第２の重複領域は前記ブロック構造の前記ベース基板における正投影との間の距離は、距離閾値より大きい。

好ましくは、前記距離閾値は、８０μｍ～１５０μｍの範囲である。

好ましくは、前記表示基板は、前記複数の画素セルと前記ブロック構造との間に位置する行ドライバ領域をさらに備え、
前記少なくとも一つの第２の電源コードの前記ベース基板における正投影と前記行ドライバ領域との間の距離は、前記少なくとも１つの第１の電源コードの前記ベース基板における正投影と前記行ドライバ領域との間の距離より大きい。

好ましくは、前記表示基板は、
前記少なくとも１つの第１の電源コードを覆う不活性層をさらに備え、
前記不活性層にはさらに開口が設けられ、前記トランス構造の前記ベース基板に接近する片側は、前記開口を介して前記少なくとも１つの第１の電源コードに接続し、前記トランス構造の前記ベース基板から離れた片側は前記陰極層に接続する。

好ましくは、前記ブロック構造は、第１のブロックダムと第２のブロックダムとを備え、
前記第１のブロックダムは、前記第２のブロックダムに対して前記複数の画素セルから離れており、且つ前記第１のブロックダムの厚さは、前記第２のブロックダムの厚さより大きく、
前記第１のブロックダムは、前記ベース基板から離れる方向に沿って設けられた第１の平坦層パターン、第２の平坦層パターン、及び第２の有機パターンを備え、
前記第２のブロックダムは、前記ベース基板から離れる方向に沿って設けられた第３の平坦層パターンと、第３の有機パターンとを備え、
前記第２の平坦層パターンと前記第３の平坦層パターンは同じ材料を含み、前記第１の有機パターン、前記第２の有機パターン及び前記第３の有機パターンは同じ材料を含む。

好ましくは、前記ブロック構造は、第１のブロックダムと第２のブロックダムとを備え、
前記第１のブロックダムは、前記第２のブロックダムに対して前記複数の画素セルから離れており、且つ前記第１のブロックダムの厚さは、前記第２のブロックダムの厚さより大きく、
前記第１のブロックダムは、前記ベース基板から離れる方向に沿って、順次に積層して設けられた平坦層パターン、及び第２の有機パターンを備え、
前記第２のブロックダムは、前記ベース基板に設けられた第３の有機パターンを備え、
前記第１の有機パターン、前記第２の有機パターン及び前記第３の有機パターンは同じ材料を含む。

好ましくは、前記第１のブロックダムは、前記第２の有機パターンの前記ベース基板から離れた片側に設けられた第４の有機パターンをさらに備え、
前記第２のブロックダムは、前記第３の有機パターンの前記ベース基板から離れた片側に設けられた第５の有機パターンをさらに備え、
前記第４の有機パターンと前記第５の有機パターンは同じ材料を採用する。

好ましくは、前記ブロック構造は、第１のブロックダムと第２のブロックダムとを備え、
前記第１のブロックダムは、前記第２のブロックバムに対して、前記複数の画素セルから離れており、且つ前記第１のブロックダムの厚さは、前記第２のブロックダムの厚さより大きく、
前記第１の有機パターンは、前記第２のブロックダムに直接接触する部分を備える。

好ましくは、前記第１の電源コードは、前記複数の画素セルが所在する領域を取り囲むストレートエッジ部分と弧状部分とを備え、
前記第１の有機パターンにおいて、前記第２のブロックダムに直接接触する部分の前記ベース基板における正投影は、前記弧状部分の前記ベース基板における正投影の内側に位置する。

好ましくは、前記第１の電源コードの第２の部分は、前記複数の画素セルが所在する領域を取り囲むストレートエッジ部分と弧状部分とを備える。

前記第１のブロックダムは第１の環状で、前記第２のブロックダムは第２の環状であり、
前記第１の有機パターンは、前記第３の有機パターンにおける一部パターンと第３の環状に囲まれて、前記第３の環状の前記ベース基板における正投影は、前記第２の環状の前記ベース基板における正投影の内側に位置し、前記第２の環状の前記ベース基板における正投影は、前記第１の環状の前記ベース基板における正投影の内側に位置し、
前記第３の環状は前記複数の画素セルを取り囲む。

好ましくは、前記少なくとも１つの第１の電源コードは第１の金属層を備え、前記表示基板は、前記第１の金属層の前記ベース基板から離れた片側に位置する補助金属層をさらに備え、
前記補助金属層の前記第１の金属層から離れた片側は、前記トランス構造に接触する。

好ましくは、前記表示基板における、前記第１の金属層、不活性層、第１の平坦層パターン、前記補助金属層、第２の平坦層パターン、及び前記第１の有機パターンは、前記ベース基板から離れる方向に沿って積層して設けられた。

好ましくは、前記少なくとも１つの第１の電源コードは、前記ベース基板から離れる方向に沿って設けられた第１の金属層と第２の金属層とを備え、
前記第２の金属層の前記第１の金属層から離れた片側は、前記トランス構造に接触する。

好ましくは、前記表示基板における、前記第１の金属層、第１の平坦層パターン、前記第２の金属層、不活性層、第２の平坦層パターン、及び前記第１の有機パターンは、前記ベース基板から離れる方向に沿って積層して設けられた。

好ましくは、前記少なくとも１つの第１の電源コードの第１の部分が、前記ブロック構造の前記複数の画素セルから離れた一端に位置する側面には、複数の歯状の突起構造が形成されている。

好ましくは、前記突起構造の前記ベース基板における正投影は、前記ブロック構造の前記ベース基板における正投影と重ならない。

好ましくは、前記表示基板は、前記第１の電源コードの前記ベース基板から離れた片側に位置し、前記ブロック構造により囲まれた領域を覆う封止膜層をさらに備える。

好ましくは、前記表示基板は、前記ベース基板に位置し、前記画素セルにおけるトランジスターに電気接続される、複数の第３の電源コードをさらに備える。

好ましくは、前記複数の第３の電源コードにおいて、少なくとも１つの前記第３の電源コードの前記ベース基板における正投影は、前記第１の電源コードの前記ベース基板における正投影と隣り合い、
前記複数の第３の電源コードの前記ベース基板における正投影は、前記トランス構造の前記ベース基板における正投影と重複領域が存在し、且つ前記重複領域内において、前記複数の第３の電源コードと前記トランス構造との間には不活性層が設けられた。
他の一方、表示装置を提供し、前記表示装置は、上記に記載された表示基板を備える。

本発明にて提供される技術は、少なくとも以下の有益効果をもたらす。

本開示の実施例では表示基板及び表示装置を提供しており、当該表示基板は、ベース基板、複数の画素セル、少なくとも１つの第１の電源コード、ブロック構造、トランス構造、陰極層、及び第１の有機パターンを備える。少なくとも１つの第１の電源コードにおける第１の部分に接近する第１の接続先と、ブロック構造との間の距離を比較的に大きく設置することによって、当該第１の電源コートの第１の部分により持込まれる水蒸気を低減することができ、ブロック構造における親水性材料を複数の画素セルに引込むことによって、表示基板の優良率を保証し、従って、表示基板の表示効果を確保する。

本発明の実施例における技術をより明確に説明するために、以下、実施例の説明にて使用する必要がある図面に対して簡単に紹介する。自明なことは、以下の説明における図面は本発明の一部の実施例のみであって、当業者にとって、創意工夫を付しなくても、これらの図面に基づいて他の図面を獲得することができる。

本開示の実施例にて提供される表示基板構造の模式図である。 図１に示された表示基板のＢＢ方向に沿う断面図である。 図１に示された表示基板の局部構造の模式図である。 本開示の実施例にて提供される他の１つの表示基板構造の模式図である。 本開示の実施例にて提供される表示基板の局部構造の模式図である。 本開示の実施例にて提供される又１つの表示基板構造の模式図である。 本開示の実施例にて提供される他の１つの表示基板の局部構造の模式図である。 本開示の実施例にて提供されるさらに１つの表示基板構造の模式図である。 本開示の実施例にて提供されるさらに１つの表示基板構造の模式図である。 本開示の実施例にて提供されるさらに１つの表示基板構造の模式図である。 本開示の実施例にて提供されるさらに１つの表示基板構造の模式図である。 本開示の実施例にて提供される又１つの表示基板の局部構造の模式図である。 本開示の実施例にて提供されるさらに１つの表示基板の局部構造の模式図である。 本開示の実施例にて提供されるさらに１つの表示基板の局部構造の模式図である。 図１に示された表示基板のＣＣ方向に沿う断面図である。 本開示の実施例にて提供されるさらに１つの表示基板の局部構造の模式図である。 本開示の実施例にて提供されるさらに１つの表示基板構造の模式図である。 本開示の実施例にて提供されるさらに１つの表示基板構造の模式図である。 本開示の実施例にて提供されるさらに１つの表示基板構造の模式図である。 本開示の実施例にて提供されるさらに１つの表示基板構造の模式図である。 本開示の実施例にて提供されるさらに１つの表示基板構造の模式図である。 本開示の実施例にて提供される表示基板の製造方法のフローチャートである。

本発明の目的、技術及び利点をより明確にするため、以下、図面を結合して本発明の実施の形態をさらに詳細に説明する。

従来技術において、電源トレースが封止領域の外部から封止領域に入ることによる水と酸素のリスクを低減するために、通常、封止領域に入る電源トレースの数量を減らしている。これは、電源トレースの電気信号の伝送をさらに保証するためである。例えば、陰極ＶＳＳトレースと陰極の電気連結を保証するために、ＶＳＳトレースの一端が封止領域に入った後、例えば、締切構造（ブロック構造）に入った後、ベース基板の封止領域内に位置するトランス構造を介して陰極層に接続する必要がある。しかし、発明者は、このように、導電金属構造のようなトランス構造を増加することは、陰極と陰極電源コードのボンディング効果を向上させるが、トランス構造の設置により、その側面にはエッチング欠陥が存在する可能性があり、これも線入口の付近に水と酸素浸食のリスクを増加させる。

図１は、本開示の実施例にて提供される表示基板構造の模式図である。図２は、図１に示された表示基板のＢＢ方向に沿う断面図である。当該表示基板は、折り畳み可能なフレキシブルパネルである。図１と図２を結合すると分かるように、当該表示基板は、ベース基板００１、複数の画素セル００２、少なくとも１つの第１の電源コード００３、ブロック構造００４、トランス構造００５、陰極層００６、及び第１の有機パターン００７を備える。当該複数の画素セル００２はベース基板００１に位置する。例示の図１には１つの第１の電源コード００３が示されている。

そのうち、当該少なくとも１つの第１の電源コード００３はベース基板００１に位置する。当該ブロック構造（締切構造）００４は、複数の画素セル００２を取り囲む。当該トランス構造００５は、対向する第１の側面００５ａと第２の側面００５ｂを備え、当該第１の側面００５ａは、第２の側面００５ｂよりも複数の画素セル００２に位置する。当該陰極層００６は、トランス構造００５のベース基板００１から離れた片側に位置する。第１の有機パターン００７は、トランス構造００５のベース基板００１から離れた片側に位置する。

図１を参照すると分かるように、当該少なくとも１つの第１の電源コード００３は、第１の部分００３１と第２の部分００３２とを備え、当該第１の部分００３１は、トランス構造００４の複数の画素セル００２から離れた片側に位置され、電源信号を受信する。例えば、当該第１の部分００３１は駆動チップに接続され、当該駆動チップが提供する電源信号を受信する。当該第２の部分００３２は、トランス構造００５を介して陰極層００６に接続する。

図３は、図１に示された表示基板の局部構造の模式図である。図１と図３を参照すると、当該第２の部分００３２は、トランス構造００５に接続する第１の接続先００３２ａと第２の接続先００３２ｂとを備え、当該第１の接続先００３２ａとブロック構造００４との間の距離は、第２の接続先００３２ｂとブロック構造００４との間の距離より大きい。つまり、当該少なくとも１つの第１の電源コード００３の第２の部分００３２の第１の接続先００３２ａは、ブロック構造００４に接触せず、例えば、当該第１の接続先００３２ａのベース基板００１における正投影は、ブロック構造００４のベース基板００１における正投影と重ならず、第２の接続先００３２ｂは、ブロック構造００４により覆われた領域内に位置し、例えば、第２の接続先００３２ｂはブロック構造００４に接触する。第１の電源コード００３とトランス構造００５の位置関係を明確に指し示すために、図１では陰極層００６を示していない。

本開示の実施例において、第１の部分００３１に接近する第１の接続先００３２ａと、ブロック構造００４との間の距離を比較的に大きくすることによって、当該少なくとも１つの第１の電源コード００３の第１の部分００３１における水蒸気を低減し、ブロック構造００４の親水性材料を複数の画素セル００２に引込むことによって、表示基板の優良率を保証した。

また、第２の接続先００３２ｂは、第１の接続先００３２ａに対して第１の部分００３１から離れているため、水蒸気の進入トレースは比較的に長い。従って、当該第２の接続先００３２ｂとブロック構造００４との間の距離を比較的に小さく設置しても、当該第１の電源コード００３の第１の部分００３１における水蒸気は、複数の画素セル００２に引込まれない。且つ、第２の接続先００３２ｂと、ブロック構造００４との間の距離を比較的に小さく設置することによって、当該トランス構造００５とブロック構造００４が占用するベース基板００１の面積を低減し、狭いベゼルの表示基板を容易に実現できる。

そのうち、当該第１の接続先００３２ａと第２の接続先００３２ｂにおける各々の接続先は、第１の電源コード００３の第２の部分００３２において、トランス構造００５に接触する部分を指す。本開示の実施例において、第２の部分００３２において、トランス構造００５に直接接触する部分を指すことができる。当該２つの接続先の形状は、第２の部分００３２が、トランス構造００５のベース基板００１における正投影と重なる領域の形状と略同じである。

上記をまとめると、本開示の実施例では表示基板を提供している。当該表示基板は、ベース基板、複数の画素セル、少なくとも１つの第１の電源コード、ブロック構造、トランス構造、陰極層、及び第１の有機パターンを備える。少なくとも１つの第１の電源コードの第１の部分に接近する第１の接続先と、ブロック構造との間の距離を比較的に大きく設置することによって、当該第１の電源コードの第１の部分が持込む水蒸気を低減することができ、ブロック構造の親水性材料を複数の画素セルに引込むことによって、表示基板の優良率を保証し、従って、表示基板の表示効果を確保した。

好ましくは、図１に示すように、当該表示基板は、ブロック構造００４の当該複数の画素セル００２から離れた片側に位置する束縛領域００ａをさらに備える。第１の接続先００３２ａは、第２の接続先００３２ｂより当該束縛領域００ｂに位置する。そのうち、より位置することは、第１の接続先００３２ａにおける各々の点と束縛領域００ｂとの間の距離の最小値が、第２の接続先００３２ｂにおける各々の点と束縛領域００ｂとの間の距離の最小値より大きいことを指す。

なお、本開示の実施例において、複数の画素セル００２のベース基板００１における正投影が所在する領域は、表示基板の有効な表示領域（ａｃｔｉｖｅ ａｒｅａ、ＡＡ）である。従って、当該ブロック構造００４は、当該ＡＡゾーンを取り囲んで設置されることができる。当該陰極層００６は、ＡＡゾーン全体を覆うことができる。

好ましくは、本開示の実施例において、陰極層００６のベース基板００１における正投影は、複数の画素セル００２のベース基板００１における正投影を覆うことができ、且つ当該陰極層００６のベース基板００１における正投影は、当該ブロック構造００４により囲まれた領域のベース基板００１における正投影の内側に位置する。

図４は、本開示の実施例にて提供される他の１つの表示基板構造の模式図である。図５は、本開示の実施例にて提供される表示基板の局部構造の模式図である。図４と図５を参照すると分かるように、トランス構造００５のベース基板００１における正投影は、第１の投影領域００５ｃと第２の投影領域００５ｄとを備える。図１を結合すると分かるように、第１の投影領域００５ｃは、第２の投影領域００５ｄに対して第１の部分００３１に接近する。第１の投影領域００５ｃは、ブロック構造００４のベース基板００１における正投影と重ならない。第２の投影領域００５ｄは、ブロック構造００４のベース基板００１における正投影と、互いに重なる第１の重複領域００ｂを備える。

ブロック構造００４を作る有機材料は親水性材料であるため、トランス構造００５のベース基板００１における正投影の第１の投影領域００５ｃは、ブロック構造００４のベース基板００１における正投影と重ならないことにより、第１の部分００３１の水蒸気は、トランス構造００５に覆われている親水性材料を通じて複数の画素セル００２に入ることができず、表示基板の表示効果をさらに保証する。

好ましくは、トランス構造００５において、第１の電源コード００３にボンディングするボンディング先の幅を比較的に広くすることによって、当該トランス構造００５が第１の電源コード００３に接触する抵抗をできるだけ小さくするように保証する。そのうち、図５を参照すると、当該ボンディング先のベース基板００１における正投影は、即ち、第１の投影領域００５ｃと、第１の電源コード００３のベース基板００１における正投影の重複領域である。当該トランス構造００５のボンディング先から離れた部分の幅を比較的に狭くすることによって、当該トランス構造００５のベース基板００１に接近する片側に設置された、他の信号ラインに対する容量結合の影響を低減することができ、例えば、データ線に対する容量結合の影響を低減することができる。

本開示の実施例において、トランス構造００５の第２の側面００５ｂはブロック構造００４によって覆われる。つまり、第２の投影領域００５ｄのトランス構造００５の第２の側面００５ｂは、ブロック構造００４によって覆われる。

トランス構造００５の第２の側面００５ｂをブロック構造００４で覆うことによって、当該トランス構造００５とブロック構造００４が占用するベース基板００１の面積を低減し、狭いベゼルの表示基板を容易に実現できる。また、トランス構造００５の第２の投影領域００５ｄは、少なくとも１つの第１の電源コード００３の第１の部分００３１との間との距離が比較的に遠く、第１の線入口００ｃ位置から離れており、水蒸気が入るルートは比較的に長い。従って、トランス結合００５の第２の側面００５ｂがブロック構造００４にて覆われても、水蒸気は画素セル００２に入らない。そのうち、図６を参照すると、ブロック構造００４において、電源コードを通る部分は線入口（ポート口）と称し、例えば、第１の電源コード００３を通る部分は第１の線入り口００ｃと称す。

図１と図４を参照すると、トランス構造００５は複数の画素セル００２を取り囲んだ環状構造で、これによって、陰極層００６は当該トランス構造００５を介して少なくとも１つの第１の電源コード００３に接続しやすくなり、当該表示基板の画素セル００２に提供する電源信号の電位の均一性を保証し、表示効果は比較的に良い。

図１を参照すると、当該表示基板は、少なくとも１つの第２の電源コード００８をさらに備える。当該少なくとも１つの第２の電源コード００８は、一端００８ａがブロック構造００４の複数の画素セル００２から離れた片側に位置され、電源信号を受信し、他の一端００８ｂがブロック構造００４と複数の画素セル００２との間に位置し、且つ、トランス構造００５を介して陰極層００６に接続し、これによって、第２の電源コード００８は陰極層００６に電源信号を提供する。

本開示の実施例において、各々の第２の電源コード００８は、一端００８ａがブロック構造００４により囲まれた領域の外側に位置し、他端がブロック構造００４により囲まれた領域の内側に位置する。つまり、各々の第２の電源コード００８は、ブロック構造００４を通って当該ブロック構造００４により囲まれた領域の内側に入る。そのうち、第２の電源コード００８を通る部分は第２の線入口００ｄと称す。

例示の図１には２つの第２の電源コード００８が示されており、各々の第２の電源コード００８は、一端００８ａが駆動チップに接続され、当該駆動チップが提供する電源信号を受信する。

図１～図４を結合すると分かるように、第１の有機パターン００７は、トランス構造００５の第２の側面００５ｂの少なくとも一部を覆い、且つ第１の有機パターン００７は、少なくとも１つの第２の電源コード００８のベース基板００１における正投影と、互いに重なる第２の重複領域００ｅを備え、当該第２の重複領域００ｅは、ブロック構造００４のベース基板００１における正投影と重ならない。

第１の有機パターン００７でトランス構造００５の第２の側面００５ｂの少なくとも一部を覆うことによって、トランス構造００５の第２の側面００５ｂが、エッチング欠陥により水蒸気又は酸素腐食されるリスクを低下し、当該トランス構造００５が有効的に第１の電源コード００３からの電源信号の伝送を保証することができる。また、第１の有機パターン００７を作る有機材料は一般的に親水性材料であるため、第２の重複領域００ｅは、ブロック構造００４のベース基板における正投影と重ならず、第１の有機パターン００７をブロック構造００４と距離を置いて設置ようにして、第２の電源コード００８の電源信号を受信する一端００８ａにより持込まれる水蒸気が、ブロック構造００４と第１の有機パターン００７を介して、画素セル００２に引込まれることを低下し、表示基板の優良率を保証した。

図１を参照すると分かるように、当該少なくとも１つの第２の電源コード００８は、一端００８ａがブロック構造００４の複数の画素セル００２から離れた片側の中央部、例えば、束縛領域００ａの中央部に位置する。

そのうち、当該中央部は、ベース基板の縦軸線Ｘが所在する領域であり、当該縦軸線Ｘはベース基板００１上のデータ線に並行する軸線である。当該縦軸線Ｘと表示基板の１つの側辺との間の距離は、当該縦軸線Ｘと表示基板の他の１つの側辺との間の距離と略同じである。当該１つの側辺と他の１つの側辺は、いずれもデータ線の延長方向に略平行する。例示のように、当該表示基板において、データ線の延長方向とほぼ並行する２つの側辺のうちのいずれか１つの側辺は、例えば、データ線の延長方向との角度は０～１０度の範囲である。

なお、本開示の実施例において、「略」は１５％以内の誤差範囲が許容できることを指す。例えば、距離が「略」同じ等は、両者の距離の偏差が１５％を超えず、延長方向と「略並行する」ことは、両者の延長方向の角度が０～３０度の間、例えば、０～１０度、０～１５度等であることを指す。形状は「略」同じと言うことは、両者の形状は同一類型、例えば、矩形、折れ線型、弧形、ストライブ状、「Ｌ」字状等であること、面積は「略」同じと言うことは、両者の面積の偏差が１５％を超えないことを指す。

例示のように、図１を参照すると、当該表示基板は、２つの第２の電源コード００８を備える。当該２つの第２の電源コード００８は、ブロック構造００４の複数の画素セル００２から離れた片側の中央部に隣り合って配置される。または、当該２つの第２の電源コード００８は、当該ベース基板の縦軸線Ｘを軸として対称的に距離を置いて、ブロック構造００４の複数の画素セル００２から離れた片側の中央部に配置される。本開示の実施例では、当該第２の電源コード００８の設置位置に対して限定しない。

当該２つの第２の電源コード００８が、ブロック構造００４の複数の画素セル００２から離れた片側の中央部に、隣り合って配置される場合、当該２つの第２の電源コード００８は一体構造であっても良い。

例示のように、当該２つの第２の電源コード００８が一体構造である場合、つまり、第２の電源コード００８が１つである場合、第１の電源コード００８は、一端００８ａがブロック構造００４の複数の画素セル００２から離れた片側の中央部、例えば、束縛領域００ａの中央部に位置し、第２の電源コード００８の一端００８ａから縦軸線Ｘまでの距離は、当該第２の電源コード００８の一端００８ａから表示基板上の縦軸線Ｘに略並行する、２つの側辺中のいずれか１つの側辺までの距離より小さい。

なお、本開示の実施例にて提供される表示基板が折り畳み可能なパネルである場合、当該折り畳み可能なパネルの折れ線は、当該縦軸線Ｘに垂直する。例えば、当該折り畳みパネルの折れ線は、当該縦軸線Ｘの垂直線であっても良い。

本開示の実施例において、第１の電源コード００３は２つの第１の部分００３１を備える。当該２つの第１の部分００３１は、ベース基板００１の縦軸線Ｘを軸として略対称的に、ブロック構造００４の複数の画素セル００２から離れた片側のエッジ部に設置される。

本開示の実施例において、第１の電源コード００３は２つの第１の部分００３１を備える。例えば、当該２つの第１の部分００３１は、縦軸線Ｘの両側、例えば、束縛領域００ａの両側に位置する。

本開示の実施例において、第１の電源コード００３は２つの第１の部分００３１を備える。例えば、当該２つの第１の部分００３１の第１の線入口００ｃ付近における部位は、表示基板の両側に位置し、また、例えば、それぞれ、縦軸線Ｘに並行する２つの側辺に接近する。

本開示の実施例において、中央部に位置する第２の電源コード００８と、エッジ部に位置する第１の電源コード００３を通じて、同時に当該表示基板中の陰極層００６に電源信号を提供することによって、電圧の降下による異なる領域の、陰極層００６に負荷される電源信号の電位差が比較的に大きい問題を緩和し、陰極層の００６の長距離の均一性（ｌｏｎｇ ｒａｎｇｅ ｕｎｉｆｉｎｉｔｙ，ＬＲＵ）が比較的に良く、表示効果も比較的に良い。

本開示の実施例において、中央部に位置する第２の電源コード００８と、エッジ部に位置する第１の電源コード００３は、いずれも当該表示基板における陰極層００６に電源信号を提供する。また、中央部の第２の電源コード００８を増加しても、本開示の実施例における、第２の電源コード００８の設計により、水と酸素の浸食をうまく低減し、良好な封止性能を保証することができる。

なお、比較的にサイズの大きい表示基板に対して、より多くの第２の電源コード００８を設置することができ、より多くの第２の電源コード００８で当該陰極層００６に電源信号を提供することによって、陰極層００６の各々領域における電位の均一性を確保し、表示基板の表示効果は比較的に良い。

さらになお、本開示の実施例において、当該第１の電源コード００３と第２の電源コード００８は、いずれも陰極層００６に電源信号を提供するため、当該第１の電源コード００３と第２の電源コード００８は、ＶＳＳ電源コードまたはＶＳＳトレースと称すこともできる。

本開示の実施例において、図２では、第１の電源コード００３がブロック構造００４により囲まれた領域内に入った一部の断面図を示している。第２の電源コード００８がブロック構造００４により囲まれた領域内に入った一部のレベル構造は、第１の電源コード００３と同じである。図２を参照すると分かるように、第１の有機パターン００７は、少なくとも１つの第２の電源コード００８のベース基板００１における正投影と互いに重なる第２の重複領域００ｅと、ブロック構造００４の当該ベース基板００１における正投影との間の距離ｄは、距離閾値より大きい。そのうち、当該距離閾値は８０μｍ～１５０μｍ範囲で、例えば、９０μｍ、１００μｍ、１１０μｍ、１２０μｍ、１３０μｍ、１４０μｍ等である。つまり、当該第２の重複領域００ｅとブロック構造００４との間には所定の距離が設けられる。これにより、第２の電源コード００８の第２の線入口００ｄの付近において、第１の有機パターン００７がブロック構造００４に直接接触することを回避することによって、水蒸気が当該第１の有機パターン００７を介して画素セル００２に引込まれることを低下し、封止効果を保証した。そのうち、当該距離閾値は、予め実験を通じて確定された、水蒸気が画素セル００２に入ることを回避できる閾値である。つまり、第２の重複領域００ｅとブロック構造００４との間の距離が当該距離閾値より大きい場合、水蒸気は当該表示基板中の画素セル００２に入りにくくなる。

そのうち、当該距離閾値は、予め実験を通じて確定された、水蒸気が画素セル００２に入ることを回避できる閾値である。つまり、第２の重複領域００ｅとブロック構造００４との間の距離が、当該距離閾値より大きい場合、水蒸気は当該表示基板中の画素セル００２に入りにくくなる。

図４を参照すると分かるように、当該表示基板は、複数の画素セル００２とブロック構造００４との間に位置する行駆動領域００ｆをさらに備える。少なくとも１つの第２の電源コード００８のベース基板００１における正投影と、行駆動領域００ｆとの間の距離は、少なくとも１つの第１の電源コード００３のベース基板における正投影と、行駆動領域００ｆとの間の距離より大きい。例えば、中央部に位置する少なくとも１つの第２の電源コード００８は、少なくとも１つの第１の電源コード００３よりも、行駆動領域００ｆとの間の距離が更なる遠い。トランス構造００５とブロック構造の位置関係を明確に指し示すために、図４では、第１の電源コード００３、第２の電源コード００８及び陰極層００６を示していない。

また、各々の第２の電源コード００８における各点と、行駆動領域００ｆとの間の距離の最小値は、当該いずれか１つの第１の電源コード００３における各点と、行駆動領域００ｆとの間の距離の最小値より大きいと、理解することができる。例えば、図６を参照すると、当該少なくとも１つの第２の電源コード００８におけるａ１点と、行駆動領域００ｆとの間の距離ｈ１は、当該少なくとも１つの第１の電源コード００３におけるｂ１点と、行駆動領域００ｆとの間の距離ｈ２より大きい。

そのうち、当該行駆動領域００ｆには、複数のカスケードのシフトレジスタユニットが設置され、当該複数のカスケードのシフトレジスタユニットは、各々行の画素セル００２を駆動する。

例示の図４と図６に示すように、当該表示基板は２つの行駆動領域００ｆを備え、当該２つの行駆動領域００ｆは、ベース基板００１の縦軸線Ｘを軸として、対称的に複数の画素セル００２の両側に設置される。

本開示の実施例において、図２を参照すると、表示基板は、不活性層００９をさらに備え、当該不活性層００９は少なくとも１つの第１の電源コード００３を覆う。図７は、本開示の実施例にて提供される他の１つの表示基板の局部構造の模式図である。当該不活性層００９には、開口００９ａがさらに設けられ、トランス構造００５のベース基板００１に接近した片側は、当該開口００９ａを介して、少なくとも１つの第１の電源コード００３に接続され、トランス構造００５のベース基板００１から離れた片側は、陰極層００６に接続する。そのうち、図７に示される００９ａは不活性層００９に設けた開口である。つまり、図７において、開口００９ａが所在する領域以外の余りの領域には、いずれも不活性層００９が覆われる。

表示基板の製造過程において、当該少なくとも１つの第１の電源コード００３は、水蒸気または酸素に腐食されやすいため、少なくとも１つの第１の電源コード００３に不活性層００９を覆うことによって、継続して他の膜層を形成する際、当該少なくとも１つの第１の電源コード００３が水蒸気または酸素により腐食されないように保証し、当該少なくとも１つの第１の電源コード００３が陰極層００６に電源信号を提供することを保証し、表示基板の表示効果を確保する。

本開示の実施例において、不活性層００９における開口は、ビアホールまたはスロットであってもよく、これに対して、本開示の実施例では限定しない。当該不活性層００９を作る材料は、ＳｉＮｘ（窒化ケイ素）、ＳｉＯｘ（酸化ケイ素）及びＳｉＯｘＮｙ（オキシ窒化ケイ素）など、１つまたは複数の無機酸化物を含む。本開示の実施例では、当該不活性層００９を作る材料に対して限定しない。

なお、本開示の実施例において、当該不活性層００９は、当該少なくとも１つの第２の電源コード００８をさらに覆うことによって、当該少なくとも１つの第２の電源コード００８が水蒸気または酸素により腐食されないように保証し、表示基板の表示効果を確保した。

本開示の実施例において、図１、図４及び図６を参照すると、ブロック構造００４は、複数の画素セル００２を取り囲んだ環状構造で、表示基板において、当該ブロック構造００４により囲まれた領域内に位置する有機層のオーバーフローをブロックする。図１～図７を結合すると、当該ブロック構造００４は、第１のブロックダム００４１と第２のブロックダム００４２とを備える。当該第１のブロックダム００４１は、当該第２のブロックダム００４２に対して、当該複数の画素セル００２から離れており、且つ当該第１のブロックダム００４１の厚さは、当該第２のブロックダム００４２の厚さより大きい。

２つのブロックダムを設置し、且つ複数の画素セル００２から離れた第１のブロックダム００４１の厚さが、複数の画素セル００２に接近する第２のブロックダム００４２の厚さより大きいことによって、当該ブロック構造００４により囲まれた領域内に位置する有機層のオーバーフローをさらに防止することができる。当然、当該ブロック構造００４は１つのブロックダム、または２つ以上のブロックダムをさらに備えることができ、本開示の実施例ではこれに対して限定しない。

１つの好ましい実現方法として、図８は、本開示の実施例にて提供されるさらに１つの表示基板構造の模式図である。図８を参照すると分かるように、第１のブロックダム００４１は、ベース基板００１から離れる方向に沿って設置された第１の平坦層パターン０１０、第２の平坦層パターン０１１、及び第２の有機パターン０１２を備える。当該第２のブロックダム００４２は、ベース基板００１から離れる方向に沿って設置された第３の平坦層パターン０１３、及び第３の有機パターン０１４を備える。

そのうち、第２の平坦層パターン０１１と第３の平坦層パターン０１３は同じ材料を含み、第１の有機パターン００７、第２の有機パターン０１２と第３の有機パターン０１４は同じ材料を含む。例えば、第２の平坦層パターン０１１と第３の平坦層パターン０１３は同じ材料を採用し、且つ同じパターン工程にて作られ、第１の有機パターン００７、第２の有機パターン０１２と第３の有機パターン０１４は同じ材料を採用し、且つ同じパターン工程にて作られる。

本開示の実施例において、第１の平坦層パターン０１０は第１の平坦層に属し、第２の平坦層パターン０１１と第３の平坦層パターン０１３は第２の平坦層に属し、第１の有機パターン００７、第２の有機パターン０１２と第３の有機パターン０１４は第１の有機層に属し、当該第１の有機層は画素定義層（ｐｉｘｅｌ ｄｅｆｉｎｉｔｉｏｎ ｌａｙｅｒ，ＰＤＬ）である。

好ましくは、当該第１の平坦層、第２の平坦層、及び第１の有機層を作る材料は、樹脂等の有機材料を含む。本開示の実施例ではこれに対して限定しない。

他の１つの好ましい実現方法として、図２を参照すると、第１のブロックダム００４１は、ベース基板００１から離れる方向に沿って順次に積層して設置された平坦層パターン０１５、及び第２の有機パターン０１２を含む。第２のブロックダム００４２は、ベース基板００１に設置された第３の有機パターン０１４を含む。

そのうち、第１の有機パターン００７、第２の有機パターン０１２と第３の有機パターン０１４は同じ材料を含む。例えば、第１の有機パターン００７、第２の有機パターン０１２と第３の有機パターン０１４は同じ材料を採用し、且つ同じパターン工程にて作られる。

本開示の実施例において、平坦層パターン０１５は平坦層に属し、第１の有機パターン００７、第２の有機パターン０１２、及び第３の有機パターン０１４は第１の有機層に属する。

好ましくは、当該平坦層を作る材料は、樹脂等の有機材料を含む。本開示の実施例ではこれに対して限定しない。

なお、図７に示される開口０１５ａは、平坦層パターン０１５が覆われていない領域であり、例えば、図７に示す領域において、ベース基板００１における開口０１５ａが所在する領域以外の他の領域には、いずれも平坦層パターン０１５が覆われている。図７から分かるように、当該平坦パターン０１５は、第１の電源コード００３のブロック構造００４により囲まれた領域内に位置する一部の境界を覆う。

図２と図７を結合すると、少なくとも１つの第１の電源コード００３のベース基板００１における正投影と、第１の投影領域００５ｃのオーバーラップ領域に対して、不活性層００９の開口００９ａのベース基板００１における正投影と、当該オーバーラップ領域の重複領域は、平坦層パターン０１５の開口０１５ａのベース基板００１における正投影と当該オーバーラップ領域の重複領域を覆う。つまり、当該オーバーラップ領域内において、不活性層００９の開口００９ａのサイズは、平坦層パターン０１５の開口０１５ａのサイズより大きい。

図２と図８を参照すると分かるように、第１のブロックダム００４１は、第２のブロックダム００４２に対して、１つの平坦層パターンが多く、従って、当該第１のブロックダム００４１の厚さを、当該第２のブロックダム００４２の厚さより大きくし、有機層のオーバーフローを防止させる。

図９は、本開示の実施例にて提供されるさらに１つの表示基板構造の模式図である。図９を参照すると分かるように、当該第１のブロックダム００４１は、第２の有機パターン０１２のベース基板から離れた片側に設けられた第４の有機パターン０１６をさらに備える。当該第２のブロックダム００４２は、第３の有機パターン０１４のベース基板００１から離れた片側に設けられた第５の有機パターン０１７を備える。

そのうち、第４の有機パターン０１６と第５の有機パターン０１７は同じ材料を含む。例えば、当該第４の有機パターン０１６と第５の有機パターン０１７は同じ材料を採用し、且つ同じパターン工程にて作られる。また、当該第４の有機パターン０１６と第５の有機パターン０１７は、いずれも第２の有機層に属し、当該第２の有機層は支持層（ｐｈｏｔｏ ｓｐａｃｅｒ，ＰＳ）である。

好ましくは、当該第２の有機層を作る材料は、樹脂などの有機材料を含む。本開示の実施例ではこれに対して限定しない。

図１０は、本開示の実施例にて提供されるさらに１つの表示基板構造の模式図である。図１０を参照すると分かるように、第１の有機パターン００７はトランス構造００５の第２の側面００５ｂを覆う。図１、図４、図６及び図１０を参照と、第１のブロックダム００４１は第１の環状であり、第２のブロックダム００４２は第２の環状である。第１の有機パターン００７は、第３の有機パターン０１４の一部のパターンと第３の環状に囲まれて、当該第３の環状のベース基板００１における正投影は、第２の環状のベース基板００１における正投影の内側に位置する。そのうち、当該第３の環状は複数の画素セル００２を取り囲む。当該第３の有機パターン０１４の形状は、第２のブロックダム００４２の形状と略同じで、つまり、当該第３の有機パターン０１４も環状である。

当該一部のパターンは、第３の有機パターン０１４において、第１の有機パターン００７の複数の画素セル００２に接近する片側に位置するパターンである。例えば、図１０を参照すると、当該一部パターンは、第３の有機パターン０１４の左側、上側、及び左側のパターンである。

本開示の実施例において、第１の有機パターン００７は、第２のブロックダム００４２に直接接触する部分を含む。図１、図６及び図１１を参照すると、第１の電源コード００３は、２つの第１の部分００３１と、１つの第２の部分００３２を備える。当該２つの第１の部分は、ベース基板００１の縦軸線Ｘを軸として対称的に、当該ベース基板００１の両側に設けられ、例えば、当該２つの第１の部分００３１の第１の線入口００ｃ付近の部分は、表示基板の両側に位置し、また、縦軸線Ｘに並行する２つの側辺中の１つの側辺に接近する。そのうち、図４には、２つの第１の部分００３１の第１の線入口００ｃが示されている。当該第２の部分００３２は、当該複数の画素セル００２を取り囲み、且つ当該第２の部分００３２は、両端がそれぞれ１つの第１の部分００３１に接続する。

本開示の実施例において、第１の部分００３１と第２の部分００３２は直接接続し、例えば、一体構造である。

本開示の実施例において、第２の電源コード００８は、複数の画素セル００２が所在する領域を取り囲む、ストレートエッジ 部分００３２ｃ及び弧状部分００３２ｄを含む。

本開示の実施例において、当該第２の部分００３２は、複数の画素セル００２が所在する領域を取り囲むストレートエッジ部分００３２ｃ及び弧状部分００３２ｄを備える。また、当該第１の電源コード００３の第２の部分００３２は非閉鎖構造であり、本開示の実施例では、当該第２の部分００３２が、少なくとも表示基板の２つの辺を取り囲むことを説明する。当該第１の有機パターン００７において、第２のブロックダム００４２に直接接続する部分のベース基板００１における正投影は、弧状部分００３２ｄのベース基板００１における正投影の内側に位置する。つまり、当該第１の有機パターン００７が第２のブロックダム００４２に直接接触する部分のベース基板００１における正投影は、弧状部分００３２ｄのベース基板００１における正投影を超えない。

本開示の実施例において、弧状部分００３２ｄは、ストレートエッジ部分００３２ｃよりも、少なくとも１つの第１の電源コード００３の電源信号を受信する第１の部分００３１に位置する。

１つの好ましい実現方法として、図８を参照すると、少なくとも１つの第１の電源コード００３は、第１の金属層００３ａを含む。表示基板は、当該第１の金属層００３ａのベース基板から離れた片側に位置する補助金属層０１８をさらに備える。

本開示の実施例において、当該補助金属層０１８の第１の金属層００３ａから離れた片側はトランス構造００５に接触し、且つ当該補助金属層０１８のベース基板００１における正投影は、ブロック構造００４の当該ベース基板００１における正投影と重なる。例えば、当該補助金属層０１８の当該ベース基板００１における正投影は、ブロック構造００４のベース基板００１における正投影が囲む領域内に位置する部分を含む。

図１２は、本開示の実施例にて提供される、さらに１つの表示基板の局部構造の模式図である。図１２を参照すると、当該補助金属層０１８の当該ベース基板００１における正投影は、第２のブロックダム００４２の当該ベース基板００１における正投影の内側に位置する部分を含む。

本開示の実施例において、ブロック構造００４が所在する領域において、第１の金属層００３ａのベース基板００１から離れた片側には、当該補助金属層０１８が設置されておらず、つまり、当該ブロック構造００４が所在する領域の補助金属層０１８は除去され、つまり、当該第１の線入口００ｃが所在する領域の補助金属層０１８は除去される。例えば、ブロック構造００４の複数の画素セル００２から離れた片側には、補助金属層０１８を設け、ブロック構造００４が囲む領域内にも補助金属層０１８を設ける。

当該補助金属層０１８の境界の形状は、第１の金属層００３ａの境界の形状と略同じ、または、当該補助金属層０１８の境界の形状は、第１の金属層００３ａの境界の形状と異なっても良く、本開示の実施例ではこれに対して限定しない。

そのうち、第１の金属層００３ａが受信した電源信号は、不活性層００９の開口内に設けられた補助金属層０１８を通じて、トランス構造００５に伝送される。電源信号は、当該トランス構造００５を通じて陰極層００６に伝送される。

本開示の実施例において、図８を参照すると、当該補助金属層０１８のベース基板００１から離れた片側は、第２の平坦層パターン０１１と第３の平坦層パターン０１３を含む第２の平坦層により、そのエッジに接近する部分及びその側辺を覆う。当該第２の平坦層は、当該補助金属層０１８の側壁がエッチング欠陥により引起こす表示不良を回避することができる。

一般的に、第２の平坦層を作る有機材料は親水性材料であり、水蒸気が補助金属層０１８により画素セル００２へ引込まれることを回避するために、当該補助金属層０１８のベース基板００１における正投影と、ブロック構造００４の当該ベース基板００１における正投影とを重複させないことによって、水蒸気がブロック構造００４から入り、且つ第２の平坦層に沿って画素セル００２が所在する領域に入るルートを遮断し、表示基板の表示効果を保証した。

図１３は、本開示の実施例にて提供されるさらに１つの表示基板の局部構造の模式図である。図１３を参照すると分かるように、補助金属層０１８が第１の金属層００３ａに接触する部分のベース基板００１における正投影は、当該補助金属層０１８のベース基板００１における正投影の内側に位置し、従って、当該第１の金属層００３ａの境界と、補助金属層０１８の境界との間に距離を置くことによって、当該第１の金属層００３ａと補助金属層０１８が水蒸気または酸素により腐食されることを回避した。図１４は、本開示の実施例にて提供されるさらに１つの表示基板の局部構造の模式図である。図１４に示す０１０ａは第１の平坦層に設けられた開口である。つまり、図１４において、開口０１０ａが所在する領域以外の、他の領域はいずれも第１の平坦層が覆われる。図１４に示す０１１ａは第２の平坦層に設けられた開口である。つまり、図１４において、開口０１１ａが所在する領域以外の、他の領域にはいずれも第２の平坦層が覆われる。

当該実現方法において、表示基板の第１の金属層００３ａ、不活性層００９、第１の平坦層パターン０１０、補助金属層０１８、第２の平坦層パターン０１１、及び第１の有機パターン００７は、ベース基板００１から離れる方向に沿って積層して設置される。つまり、表示基板の第１の電源コード００３、不活性層００９、第１の平坦層、補助金属層０１８、第２の平坦層、及び第１の有機層はベース基板００１の方向に沿って積層して設置される。

なお、第１の金属層００３ａと補助金属層０１８は、いずれも３層の金属膜層を含み、例えば、当該３層の金属膜層の材料は順次に、チタン（Ｔｉ）、アルミニウム（Ａｌ）及びチタン（Ｔｉ）である。

また、なお、図１５は、図１に示された表示基板のＣＣ方向に沿う断面図である。図１５を参照すると、少なくとも１つの第２の電源コード００８は、第２の金属層００８ｃを含む。表示基板は、当該第２の金属層００８ｃのベース基板００１から離れた片側に位置する補助トレース層０１９をさらに含む。

本開示の実施例において、当該補助トレース層０１９の第２の金属層００８ｃから離れた片側は、トランス構造００５に接触し、且つ当該補助トレース層０１９の当該ベース基板００１における正投影は、ブロック構造００４の当該ベース基板００１における正投影と重ならない。例えば、当該補助トレース層０１９の当該ベース基板００１における正投影は、ブロック構造００４の当該ベース基板００１における正投影により囲まれた領域内に位置する部分を含む。

図１６は、本開示の実施例にて提供される、さらに１つの表示基板の局部構造の模式図である。図１６を参照すると、当該補助トレース層０１９の当該ベース基板００１における正投影は、第２のブロックダム００４２の当該ベース基板００１における正投影により囲まれた領域内に位置する部分を含む。

本開示の実施例において、ブロック構造００４が所在する領域における、第２の金属層００８ｃのベース基板００１から離れた片側には、当該補助トレース層０１９を設置せず、つまり、当該ブロック構造００４が所在する領域の補助トレース層０１９は除去され、つまり、第２の線入口００ｄが所在する領域の補助トレース層０１９は除去される。例えば、ブロック構造００４の複数の画素セルから離れた片側には、補助トレース層０１９が設置され、ブロック構造００４が含む領域内には補助トレース層０１９が設置される。

当該補助トレース層０１９の境界の形状は、第２の金属層００８ｃの境界の形状と略同じ、または、当該補助トレース層０１９の境界の形状は、第２の金属層００８ｃの境界の形状と異なり、本開示の実施例ではこれに対して限定しない。

他の１つの好ましい実現方法として、図１７を参照すると、少なくとも１つの第１の電源コード００３は、ベース基板００１から離れる方向に沿って設置された第１の金属層００３ａと第３の金属層００３ｂを含む。第３の金属層００３ｂの第１の金属層００３ａから離れた片側は、トランス構造００５に接触する。

当該第１の金属層００３aの当該ベース基板００１における正投影、及び当該第３の金属層００３ｂの当該ベース基板００１における正投影は、いずれも当該ブロック構造００４の当該ベース基板００１における正投影と重なる。つまり、当該第１の金属層００３ａと、当該第３の金属層００３ｂの複数の画素セル００２から離れた第１の部分００３１は、いずれも電源信号を受信し、従って、第１の金属層００３ａと第３の金属層００３ｂの２層の金属層が陰極層００６に向けて電源信号を伝送することによって、抵抗を低減し、さらに電源信号の電圧ドロップを低下させる。

図１７を参照すると、当該第１の金属層００３ａのベース基板００１における正投影は、第３の金属層００３ｂがトランス構造００５に接触する領域と重ならない。

または、図１８を参照すると、当該第１の金属層００３ａのベース基板００１における正投影は、第３の金属層００３ｂがトランス構造００５に接触する領域と重なる。

そのうち、第１の平坦層は、当該第１の金属層００３ａの複数の画素セル００２に接近する他端を覆うことによって、当該第１の金属層００３ａの他端が酸素または水蒸気により腐食されることを低減し、または、金属層の側面がエッチング欠陥による表示不良を減少することができる。

図１７と図１８を参照すると分かるように、当該表示基板における第１の金属層００３ａ、第１の平坦層パターン０１０、第３の金属層００３ｂ、不活性層００９、第２の平坦層パターン０１１、第１の有機パターン００７は、ベース基板００１から離れる方向に沿って積層して設置される。つまり、表示基板における、第１の金属層パターン００３ａ、第１の平坦層、第３の金属層００３ｂ、不活性層００９、第２の平坦層、及び第１の有機層は、ベース基板００１の方向に沿って積層して設置される。

なお、第１の金属層００３ａと第３の金属層００３ｂは、いずれも３層の金属膜層を含み、例えば、当該３層の金属膜層の材料は順次に、Ｔｉ、Ａｌ及びＴｉである。

またなお、図９と図１８を参照すると、当該第１のブロックダム００４１は、第２の有機パターン０１２のベース基板から離れた片側に設置された第４の有機パターン０１６をさらに備え、第２のブロックダム００４２は、第３の有機パターン０１４のベース基板００１から離れた片側に設置された第５の有機パターン０１７をさらに備える場合、当該第４の有機パターン０１６と第５の有機パターン０１７を含む第２の有機層は、第１の有機層のベース基板００１から離れた片側に設置される。

図１９は、本開示の実施例にて提供される、さらに１つの表示基板構造の模式図である。図５と図１９を参照すると分かるように、少なくとも１つの第１の電源コード００３の第１の部分００３１が、ブロック構造００４の複数の画素セル００２から離れた一端に位置する側面には、複数の歯状の突起構造が形成されており、従って、水蒸気が入るルートをさらに延長し、水蒸気が複数の画素セル００２の中に引込まれることを回避することができる。

図５と図１９を参照すると、突起構造のベース基板００１における正投影は、ブロック構造００４のベース基板００１における正投影と重ならない。且つ、当該少なくとも１つの第１の電源コード００３の第１の部分００３１が、ブロック構造００４により囲まれた領域内に位置する他端の側面は平面であり、つまり、当該少なくとも１つの第１の電源コード００３の第１の部分００３１は、ブロック構造００４により囲まれた領域内の他端の側面には突起構造を形成しない。

当該表示基板を製造する際、トランス構造００５は、順次に露光、現像、エッチング等のプロセスにより作製される。エッチングプロセスにおいて、エッチング剤を採用して、膜層に対してエッチングを行う必要がある。第１の電源コード００３の第１の部分００３１の、ブロック構造００４により囲まれた領域内に位置する他端の側面にも、歯状の突起構造を設置すると、エッチング剤は当該第１の電源コード００３に隣り合う突起構造の間に残され、第１の電源コード００３の第１の部分００３１の他端の側壁は腐食される。従って、第１の電源コード００３の当該ブロック構造００４により囲まれた領域内に位置する、第１の部分００３１の他端の側面を平面に設置することによって、表示基板の製造過程における当該第１の電源コード００３の側壁が腐食され、当該第１の電源コード００３のベース基板００１から離れた片側に位置する膜質が、比較的に脆い不活性層００９を突き通すことを回避し、当該不活性層００９の質量を保証した。

図１９を参照すると分かるように、少なくとも１つの第１の電源コード００３の、第１の部分００３１の複数の画素セル００２から離れた一端の側面にも、複数の歯状の突起構造を形成し、水蒸気が第１の電源コード００３に沿って入るルートを延長し、水蒸気が複数の画素セル００２に引込まれることを回避した。且つ、当該少なくとも１つの第１の電源コード００３の、ブロック構造００４により囲まれた領域内に位置する、他端００８ｂの側面は平面である。

図１９を参照すると分かるように、当該表示基板は、複数の第３の電源コード０２０をさらに備え、当該複数の第３の電源コード０２０は、ベース基板００１に位置する。当該複数の第３の電源コード０２０は、表示基板における画素セル００２のトランジスターに電気連結される。例えば、画素セル００２のトランジスターのソース電極またはドレイン電極に連結される。当該第３の電源コード０２０は、画素セル００２のトランジスターに正極電源信号を提供し、従って、当該第３の電源コード０２０はＶＤＤ電源コードまたはＶＤＤトレースとも称すことができる。

本開示の実施例において、当該複数の第３の電源コード０２０は、対称的に少なくとも１つの第１の電源コード００３の両側に設置される。例えば、図１９を参照すると、当該表示基板は、４つの第３の電源コード０２０を備え、そのうち、２つの第３の電源コード０２０は、ブロック構造００４の複数の画素セル００２から離れた片側の中央部に位置し、且つ当該２つの第３の電源コード０２０は、ベース基板００１の縦軸戦Ｘを軸として、対称的に第２の電源コード００８の両側に設置される。余りの２つの第３の電源コード０２０は、いずれもブロック構造の複数の画素セル００２から離れた片側のエッジ先に位置する。各々の第３の電源コード０２０は、第１の電源コード００３における、１つの第１の部分００３１の当該第２の電源コード００８に接近する片側に位置する。

図１９を参照すると、当該複数の第３の電源コード０２０が、ブロック構造００４の複数の画素セル００２から離れた片側に位置する、他端の側面にも複数の歯状の突起構造を形成することによって、水蒸気が当該第３の電源コード０２０に沿って入るルートを延長し、水蒸気が複数の画素セル００２の中に引込まれることを回避する。且つ、当該第３の電源コード０２０が、ブロック構造００４により囲まれた領域内に位置する、他端の側面は平面である。

図２、図８～図９、図１５、及び図１７～図１８を参照すると分かるように、当該表示基板は、封止膜層０２１をさらに備える。当該封止膜層０２１は、複数の第１の電源コードのベース基板００１から離れた片側に位置し、当該封止膜層０２１はブロック構造００４により囲まれた領域を覆う。図１０を参照すると、当該封止膜層０２１が覆う領域００ｇの境界は、ブロック構造００４の複数の画素セル００２から離れた片側に位置する。

本開示の実施例において、封止膜層０２１は、ベース基板００１を離れる方向に沿って積層して設置された第１の膜層０２１１、第２の膜層０２１２及び第３の膜層０２１３を備える。

好ましくは、当該第１の膜層０２１１と当該第３の膜層０２１３は無機材料で作られ、当該第２の膜層０２１２は有機材料で作られた。例えば、当該第１の膜層０２１１と当該第３の膜層０２１３は、ＳｉＮｘ、ＳｉＯｘとＳｉＯｘＮｙ等の１つまたは複数の無機酸化物により作られる。第２の膜層０２１２は樹脂材料で作られる。当該樹脂は、熱可塑性樹脂または熱硬化性樹脂で、熱可塑性樹脂は、アクリル（ＰＭＭＡ）樹脂を含み、熱硬化性樹脂はエポキシ樹脂を含む。

なお、当該第２の膜層０２１２は、ブロック構造００４により囲まれた領域内に位置し、第１の膜層０２１１と第３の膜層０２１３は、ブロック構造００４により囲まれた領域を覆い、且つ当該ブロック構造００４を覆う。つまり、ブロック構造００４のベース基板００１における正投影は、当該封止膜層０２１により覆われた領域内に位置し、よって、当該封止膜層０２１が、ブロック構造００４により囲まれた領域内に位置する各々の構造に対する有効的な封止を確保する。

本開示の実施例において、第２の膜層０２１２はインクジェットプリンター法（ｉｎｋ ｊｅｔ ｐｒｉｎｔｉｎｇ、ＩＪＰ）を採用して作られる。第１の膜層０２１１と第３の膜層０２１３は、化学気相成長法（ｃｈｅｍｉｃａｌ ｖａｐｏｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ、ＣＶＤ）を採用して作られる。

図２０は、本開示の実施例にて提供されるさらに１つの表示基板構造の模式図である。図２０を参照すると分かるように、ベース基板００１には、順次にバッファ層０２２、半導体層０２３、ゲーン絶縁層０２４、ゲーン電極０２５、層間誘電層０２６とソースドレイン極層０２７が設置されており、ソースドレイン極層０２７はソース電極０２７１とドレイン電極０２７２とを含む。ソース電極０２７１とドレイン電極０２７２は、互いに距離を置いており、且つそれぞれビアホールを介して、半導体層０２３に接続される。ソースドレイン電極層０２７のベース基板００１から離れた方向に沿って、順次に不活性層００９、第１の平坦層０２８、第２の平坦層０２９、及び発光素子が設置されている。当該発光素子は、順次に積層した陽極層０３０、発光層０３１及び陰極層００６を備える。当該陽極層０３０は、ビアホールを介して、ドレイン電極０２７２に電気連結される。そのうち、ゲーン電極０２５、ソース電極０２７１とドレイン電極０２７２は1つのトランジスターを構成し、各々の発光素子と、それに接続されるトランジスターは1つの画素セル００２を構成する。

図２０を参照すると分かるように、第１の電源コード００３が備える第１の金属層００３ａは、ソースドレイン電極層０２７と同じ層に設置される。トランス構造００５は、画素の陽極層０３０と同じ層に設置される。当該トランス構造００５は、３層の膜層を備え、例えば、当該３層の膜層の材料は順次に、インジウムスズ酸化物（ｉｎｄｉｕｍ ｔｉｎ ｏｘｉｄｅ、ＩＴＯ）、銀（Ａｇ）、及びＩＴＯである。

図１９を参照すると分かるように、複数の第３の電源コード０２０において、少なくとも１つの第３の電源コード０２０のベース基板００１における正投影は、第１の電源コード００３のベース基板における正投影と隣り合う。図２１は、本開示の実施例にて提供されるさらに１つの表示基板構造の模式図である。図２１を参照すると、複数の第３の電源コード０２０のベース基板００１における正投影は、トランス構造００５のベース基板００１における正投影とオーバーラップ領域が存在する。且つ当該オーバーラップ領域内において、当該複数の第３の電源コード０２０とトランス構造００５との間には、不活性層００９が設置される。且つ、当該複数の第３の電源コード０２０はトランス構造００５に接触しない。

上述をまとめると、本開示の実施例では表示基板を提供し、当該表示基板は、ベース基板、複数の画素セル、少なくとも１つの第１の電源コード、ブロック構造、トランス構造、陰極層、及び第１の有機パターンを備える。少なくとも１つの第１の電源コードにおける、第１の部分に接近する第１の接続先と、ブロック構造との間の距離を比較的に大きく設置することによって、当該第１の電源コードの第１の部分により持込まれる水蒸気を低減し、ブロック構造における親水性材料を複数の画素セルに引込むことによって、表示基板の優良率を保証し、従って、表示基板の表示効果を確保する。

図２２は、本開示の実施例にて提供される表示基板の製造方法のフローチャートである。当該方法は、上述の実施例にて提供される表示基板の製造に用いられる。図２２を参照すると分かるように、当該方法は、
ベース基板を提供するステップ１０１と、
当該ベース基板に複数の画素セル、少なくとも１つの第１の電源コード、ブロック構造、トランス構造、第１の有機パターン、及び陰極層を形成するステップ１０２と、を含む。

当該少なくとも１つの第１の電源コード００３は、第１の部分００３１と第２の部分００３２を備え、当該第１の部分００３１は、ブロック構造００４の複数の画素セル００２から離れた片側に位置し、電源信号を受信した後、当該第２の部分００３２はトランス構造００５を介して陰極層００６に接続する。

当該第２の部分００３２は、トランス構造００５に接続する第１の接続先００３２ａと第２の接続先００３２ｂとを備え、当該第１の接続先００３２ａとブロック構造００４との間の距離は、第２の接続先００３２ｂとブロック構造００４との間の距離より大きい。

なお、上述のステップ１０２において、まず、ベース基板００１に少なくとも１つの第１の電源コード００３を形成し、その後、当該第１の電源コード００３のベース基板００１から離れた片側に、ブロック構造００４とトランス構造００５を形成する。その後、当該トランス構造００５のベース基板００１から離れた片側に第１の有機パターン００７を形成し、最後に、当該第１の有機パターン００７のベース基板００１から離れた片側に陰極層００６を形成する。

そのうち、当該少なくとも１つの第１の電源コード００３は、画素セル００２における薄膜トランジスターのソースドレイン電極と共に、一次パターン工程を通じて形成される。当該ブロック構造００４は、平坦層、画素定義層及び支持層の形成過程に形成される。当該第１の有機パターン００５は、当該画素定義層の形成過程に形成される。当該トランス構造００５は、画素セル００２における陰極層０３０と共に、一次パターン工程を通じて形成される。

上述をまとめると、本開示の実施例では表示基板の製造方法を提供し、当該方法は、ベース基板に順次に形成される複数の画素セル、少なくとも１つの第１の電源コード、ブロック構造、トランス構造、第１の有機パターン、及び陰極層を含む。少なくとも１つの第１の電源コードにおける、第１の部分に接近する第１の接続先と、ブロック構造との間の距離を比較的に大きく設置することによって、当該第１の電源コードの第１の部分により持込まれる水蒸気を低減し、ブロック構造における親水性材料を複数の画素セルに引込むことによって、表示基板の優良率を保証し、従って、表示基板の表示効果を確保した。

本開示の実施例では表示装置を提供し、当該表示装置は、上述の実施例に記載された表示基板を備える。当該表示装置は、折畳む表示装置で、例えば、液晶面板、電子ペーパー、有機発光ダイオード（ｏｒｇａｎｉｃ ｌｉｇｈｔ－ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｄｉｏｄｅ、ＯＬＥＤ）パネル、アクティブマトリクス有機発光ダイオード（ａｃｔｉｖｅ－ｍａｔｒｉｘ ｏｒｇａｎｉｃ ｌｉｇｈｔ－ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｄｉｏｄｅ、ＡＭＯＬＥＤ）パネル、携帯電話、タブレットＰＣ、テレビジョン、ディスプレー、ノートパソコン、デジタルフォトフレーム、ナビゲーション等任意の表示機能を有する製品または部品である。

以上の記載は、本発明の好ましい実施例であり、本発明を制限するものではなく、本発明の趣旨と原則内で行われた任意の修正、均等置換、改善などは、いずれも本発明の保護範囲内に含まれる。

００１ ベース基板
００２ 画素セル
００３ 第１の電源コード
００４ ブロック構造
００５ トランス構造
００６ 陰極層
００７ 第１の有機パターン
００３２ａ 第１の接続先
００３２ｂ 第２の接続先

Claims (29)

1. ベース基板と、
   前記ベース基板に位置する、複数の画素セルと、
   前記ベース基板に位置する、少なくとも一つの第１の電源コードと、
   前記複数の画素セルを取り囲む、ブロック構造と、
   対向する第１の側面及び第２の側面を備え、前記第１の側面が前記第２の側面より前記複数の画素セルに位置する、トランス構造と、
   前記トランス構造の前記ベース基板から離れた片側に位置する、陰極層と、
   前記トランス構造の前記ベース基板から離れた片側に位置する、第１の有機パターンと、を備え、
   前記少なくとも一つの第１の電源コードは、第１の部分と第２の部分とを備え、前記第１の部分は、前記ブロック構造の前記複数の画素セルから離れた片側に位置され、電源信号を受信し、前記第２の部分は、前記トランス構造を介して前記陰極層に接続され、
   前記第２の部分は、前記トランス構造に接続する第１の接続先と第２の接続先とを備え、前記第１の接続先と前記ブロック構造との間の距離は、前記第２の接続先と前記ブロック構造との間の距離より大きいことを特徴とする表示基板。
2. 前記表示基板は、前記ブロック構造の前記複数の画素セルから離れた片側に位置する束縛領域を有し、
   前記第１の接続先は、前記第２の接続先より前記束縛領域に位置する請求項１に記載の表示基板。
3. 前記トランス構造の前記ベース基板における正投影は、第１の投影領域と第２の投影領域とを備え、前記第１の投影領域は、前記ブロック構造の前記ベース基板における正投影と重ならず、前記第２の投影領域は、前記ブロック構造の前記ベース基板における正投影と互いに重なる第１の重複領域を含み、
   前記第１の投影領域は、前記第２の投影領域より前記第１の部分に位置する請求項１または２に記載の表示基板。
4. 前記第１の有機パターンは、前記第２の側面の少なくとも一部を覆う請求項１～３のいずれか１項に記載の表示基板。
5. 前記第２の側面は、前記第１の有機パターンと前記ブロック構造により覆われた一部を備える請求項４に記載の表示基板。
6. 前記トランス構造は、前記複数の画素セルを取り囲む環状構造である請求項１～５のいずれか１項に記載の表示基板。
7. 前記表示基板は、一端が前記ブロック構造の前記複数の画素セルから離れた片側に位置され、電源信号を受信し、他端が前記ブロック構造と前記複数の画素セルとの間に位置され、且つ前記トランス構造を介して前記陰極層に接続する少なくとも１つの第２の電源コードをさらに備え、
   前記第１の有機パターンは、前記少なくとも１つの第２の電源コードの前記ベース基板における正投影と互いに重なる第２の重複領域を含み、前記第２の重複領域は、前記ブロック構造の前記ベース基板における正投影と重ならない請求項１～６のいずれか１項に記載の表示基板。
8. 前記少なくとも一つの第２の電源コードは、一端が前記ブロック構造の前記複数の画素セルから離れた片側の中央部に位置する請求項７に記載の表示基板。
9. 前記ベース基板の第２の重複領域は、前記ブロック構造の前記ベース基板における正投影との間の距離は、距離閾値より大きい請求項７または８に記載の表示基板。
10. 前記距離閾値は、８０μｍ～１５０μｍの範囲である請求項９に記載の表示基板。
11. 前記表示基板は、前記複数の画素セルと前記ブロック構造との間に位置する行ドライバ領域をさらに備え、
    前記少なくとも一つの第２の電源コードの前記ベース基板における正投影と、前記行ドライバ領域との間の距離は、前記少なくとも１つの第１の電源コードの前記ベース基板における正投影と、前記行ドライバ領域との間の距離よりも大きい請求項８～１０のいずれか１項に記載の表示基板。
12. 前記表示基板は、
    前記少なくとも１つの第１の電源コードを覆う不活性層をさらに備え、
    前記不活性層にはさらに開口が設けられ、前記トランス構造の前記ベース基板に接近する片側は、前記開口を介して前記少なくとも１つの第１の電源コードに接続し、前記トランス構造の前記ベース基板から離れた片側は前記陰極層に接続する請求項１～１１のいずれか１項に記載の表示基板。
13. 前記ブロック構造は、第１のブロックダムと第２のブロックダムとを備え、
    前記第１のブロックダムは、前記第２のブロックダムに対して前記複数の画素セルから離れており、且つ前記第１のブロックダムの厚さは、前記第２のブロックダムの厚さより大きく、
    前記第１のブロックダムは、前記ベース基板から離れる方向に沿って設けられた第１の平坦層パターン、第２の平坦層パターン、及び第２の有機パターンを備え、
    前記第２のブロックダムは、前記ベース基板から離れる方向に沿って設けられた第３の平坦層パターンと、第３の有機パターンとを備え、
    前記第２の平坦層パターンと前記第３の平坦層パターンは同じ材料を含み、前記第１の有機パターン、前記第２の有機パターン及び前記第３の有機パターンは同じ材料を含む請求項１～１２のいずれか１項に記載の表示基板。
14. 前記ブロック構造は、第１のブロックダムと第２のブロックダムとを備え、
    前記第１のブロックダムは、前記第２のブロックダムに対して前記複数の画素セルから離れており、且つ前記第１のブロックダムの厚さは、前記第２のブロックダムの厚さより大きく、
    前記第１のブロックダムは、前記ベース基板から離れる方向に沿って、順次に積層して設けられた平坦層パターン、及び第２の有機パターンを備え、
    前記第２のブロックダムは、前記ベース基板に設けられた第３の有機パターンを備え、
    前記第１の有機パターン、前記第２の有機パターン及び前記第３の有機パターンは同じ材料を含む請求項１～１２のいずれか１項に記載の表示基板。
15. 前記第１のブロックダムは、前記第２の有機パターンの前記ベース基板から離れた片側に設けられた第４の有機パターンをさらに備え、
    前記第２のブロックダムは、前記第３の有機パターンの前記ベース基板から離れた片側に設けられた第５の有機パターンをさらに備え、
    前記第４の有機パターンと前記第５の有機パターンは同じ材料を採用する請求項１３または１４に記載の表示基板。
16. 前記ブロック構造は、第１のブロックダムと第２のブロックダムとを備え、
    前記第１のブロックダムは、前記第２のブロックダムに対して、前記複数の画素セルから離れており、且つ前記第１のブロックダムの厚さは、前記第２のブロックダムの厚さより大きく、
    前記第１の有機パターンは、前記第２のブロックダムに直接接触する部分を備える請求項１～１２のいずれか１項に記載の表示基板。
17. 前記第１の電源コードは、前記複数の画素セルが所在する領域を取り囲むストレートエッジ部分と弧状部分とを備え、
    前記第１の有機パターンにおいて、前記第２のブロックダムに直接接触する部分の前記ベース基板における正投影は、前記弧状部分の前記ベース基板における正投影の内側に位置する請求項１６に記載の表示基板。
18. 前記第１の電源コードの第２の部分は、前記複数の画素セルが所在する領域を取り囲むストレートエッジ部分と弧状部分とを備える請求項１７に記載の表示基板。
19. 前記第１のブロックダムは第１の環状であり、前記第２のブロックダムは第２の環状であり、
    前記第１の有機パターンは、前記第３の有機パターンにおける一部パターンと第３の環状に囲まれて、前記第３の環状の前記ベース基板における正投影は、前記第２の環状の前記ベース基板における正投影の内側に位置し、前記第２の環状の前記ベース基板における正投影は、前記第１の環状の前記ベース基板における正投影の内側に位置し、
    前記第３の環状は前記複数の画素セルを取り囲む請求項１３～１８のいずれか１項に記載の表示基板。
20. 前記少なくとも１つの第１の電源コードは第１の金属層を備え、
    前記表示基板は、前記第１の金属層の前記ベース基板から離れた片側に位置する補助金属層をさらに備え、
    前記補助金属層の前記第１の金属層から離れた片側は、前記トランス構造に接触する請求項１～１３のいずれか１項に記載の表示基板。
21. 前記表示基板における、前記第１の金属層、不活性層、第１の平坦層パターン、前記補助金属層、第２の平坦層パターン、及び前記第１の有機パターンは、前記ベース基板から離れる方向に沿って積層して設けられる請求項２０に記載の表示基板。
22. 前記少なくとも１つの第１の電源コードは、前記ベース基板から離れる方向に沿って設けられる第１の金属層と第２の金属層とを備え、
    前記第２の金属層の前記第１の金属層から離れた片側は、前記トランス構造に接触する請求項１～１３のいずれか１項に記載の表示基板。
23. 前記表示基板における、前記第１の金属層、第１の平坦層パターン、前記第２の金属層、不活性層、第２の平坦層パターン、及び前記第１の有機パターンは、前記ベース基板から離れる方向に沿って積層して設けられる請求項２２に記載の表示基板。
24. 前記少なくとも１つの第１の電源コードの第１の部分が、前記ブロック構造の前記複数の画素セルから離れた一端に位置する側面には、複数の歯状の突起構造が形成される請求項１～２３のいずれか１項に記載の表示基板。
25. 前記突起構造の前記ベース基板における正投影は、前記ブロック構造の前記ベース基板における正投影と重ならない請求項２４に記載の表示基板。
26. 前記表示基板は、前記第１の電源コードの前記ベース基板から離れた片側に位置し、前記ブロック構造により囲まれた領域を覆う封止膜層をさらに備える請求項１～２５のいずれか１項に記載の表示基板。
27. 前記表示基板は、前記ベース基板に位置し、前記画素セルにおけるトランジスターに電気接続される、複数の第３の電源コードをさらに備える請求項１～２６のいずれか１項に記載の表示基板。
28. 前記複数の第３の電源コードにおいて、少なくとも１つの前記第３の電源コードの前記ベース基板における正投影は、前記第１の電源コードの前記ベース基板における正投影と隣り合い、
    前記複数の第３の電源コードの前記ベース基板における正投影は、前記トランス構造の前記ベース基板における正投影と重複領域が存在し、且つ前記重複領域内において、前記複数の第３の電源コードと前記トランス構造との間に不活性層が設けられる請求項２７に記載の表示基板。
29. 表示装置であって、請求項１～２８のいずれか１項に記載の表示基板を備えることを特徴とする表示装置。

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