CN117501835A - 显示基板及显示装置 - Google Patents
显示基板及显示装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN117501835A CN117501835A CN202180003635.5A CN202180003635A CN117501835A CN 117501835 A CN117501835 A CN 117501835A CN 202180003635 A CN202180003635 A CN 202180003635A CN 117501835 A CN117501835 A CN 117501835A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- boundary line
- conductive layer
- line
- substrate
- display
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 226
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims abstract description 84
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 482
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims description 35
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims description 29
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 claims description 17
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 13
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 20
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 19
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 17
- 230000002035 prolonged effect Effects 0.000 description 17
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 239000000463 material Substances 0.000 description 14
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 description 10
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 10
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 239000010408 film Substances 0.000 description 5
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 5
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 5
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 230000009545 invasion Effects 0.000 description 3
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 3
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 3
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 241001391944 Commicarpus scandens Species 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- -1 for example Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/873—Encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
一种显示基板及显示装置,可解决现有的水汽随着缝隙进入显示基板内部,形成不断扩大的黑点不良的问题。显示基板包括:基底(101)、位于基底(101)上且设置于非显示区(20)的阳挡结构(200);显示基板还包括:位于基底(101)上且沿着背离基底(101)方向依次设置的第一导电层(102)、第二导电层(103)和阳极导电层(104);第一导电层(102)具有第一边界线(1021);阳极导电层(104)具有与第一边界线(1021)的延伸方向基本平行的第二边界线(1041);第二边界线(1041)位于第一边界线(1021)远离显示区(10)的一侧;在扇出区(20a),第一导电层(102)截止,第二导电层(102)连续设置;在拐角区(20b),阳极导电层(104)截止,阻挡结构(200)在基底(101)上的正投影至少部分覆盖第一边界线(1021)和第二边界线(1041)在基底(101)上的正投影。
Description
本公开属于显示技术领域,具体涉及一种显示基板及显示装置。
有机电致发光二极管(Organic Light-Emitting Diode,OLED)和量子点发光二极管(Quantum Dot Light Emitting Diodes,QLED)面板一般采用化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition,CVD)形成封装层,对其中的发光器件进行保护,以确保发光器件不与外界发生氧化反应。
然而,封装一旦失败,例如封装层发生断裂、产生裂缝等,水汽会沿着缝隙进入OLED或QLED面板的内部,导致发光器件的有机发光层氧化而失效,不能进行正常发光。随着水汽不断侵入,不能进行正常发光的发光器件越来越多,OLED或QLED面板会出现不断扩大的暗点的不良,影响显示效果。
发明内容
本公开旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一,提供一种显示基板及显示装置。
第一方面,本公开实施例提供一种显示基板,具有显示区及围绕所述显示区的非显示区,其中,所述显示基板包括:基底、位于所述基底上且设置于所述非显示区的阻挡结构;所述显示基板还包括:位于所述基底上且沿着背离所述基底方向依次设置的第一导电层、第二导电层和阳极导电层;所述第一导电层具有第一边界线;所述阳极导电层具有与所述第一边界线的延伸方向基本平行的第二边界线;所述第二边界线位于所述第一边界线远离所述 显示区的一侧;所述非显示区包括:设置于所述显示区一侧的扇出区及与所述扇出区连接的拐角区;
在所述扇出区,所述第一导电层截止,所述第二导电层连续设置;
在所述拐角区,所述阳极导电层截止,所述阻挡结构在所述基底上的正投影至少部分覆盖所述第一边界线和所述第二边界线在所述基底上的正投影。
可选地,所述阻挡结构包括:第一阻挡坝;
所述第一阻挡坝在所述基底上的正投影至少部分覆盖所述第一边界线和所述第二边界线在所述基底上的正投影。
可选地,所述第一导电层还具有与所述第一边界线的延伸方向基本平行的第三边界线;所述第三边界线位于所述第一边界线远离所述显示区的一侧;
所述阳极导电层还具有与所述第二边界线的延伸方向基本平行的第四边界线;所述第四边界线位于所述第二边界线远离所述显示区的一侧,且所述第四边界线位于所述第三边界线远离所述显示区的一侧。
可选地,所述阻挡结构还包括:第二阻挡坝;所述第二阻挡坝位于所述第一阻挡坝远离所述显示区的一侧;
所述第二阻挡坝在所述基底上的正投影至少部分覆盖所述第三边界线和所述第四边界线在所述基底上的正投影。
可选地,所述第一导电层还具有连接所述第一边界线和所述第三边界线的第一连接线;所述阳极导电层还具有连接所述第二边界线和所述第四边界线的第二连接线;所述第二连接线位于所述第一连接线靠近所述扇出区的一侧;
所述第一连接线的延伸方向与所述第一边界线及所述第三边界线的延伸方向之间的夹角大于或等于90度;
所述第二连接线的延伸方向与所述第二边界线及所述第四边界线的延伸方向之间的夹角大于或等于90度。
可选地,所述第一导电层还具有与所述第三边界线的延伸方向基本平行的第五边界线;所述第五边界线位于所述第三边界线远离所述显示区的一侧;
所述阳极导电层还具有所述第四边界线的延伸方向基本平行的第六边界线;所述第六边界线位于所述第四边界线远离所述显示区的一侧,且所述第六边界线位于所述第五边界线远离所述显示区的一侧。
可选地,所述显示基板还包括:位于所述基底上且设置于所述非显示区的拦截结构;
所述拦截结构较所述第二阻挡坝远离所述显示区。
可选地,所述拦截结构在所述基底上的正投影至少部分覆盖所述第五边界线和所述第六边界线在所述基底上的正投影。
可选地,所述第一导电层还具有连接所述第三边界线和所述第五边界线的第三连接线;所述阳极导电层还具有连接所述第四边界线和所述第六边界线的第四连接线;所述第四连接线位于所述第三连接线靠近所述扇出区的一侧;
所述第三连接线的延伸方向与所述第三边界线及所述第五边界线的延伸方向之间的夹角大于或等于90度;
所述第四连接线的延伸方向与所述第四边界线及所述第六边界线的延伸方向之间的夹角大于或等于90度。
可选地,所述第一导电层还具有与所述第三边界线的延伸方向基本平行的第七边界线;所述第七边界线位于所述第一边界线和所述第三边界线之间;
所述阳极导电层还具有与所述第四边界线的延伸方向基本平行的第八 边界线;所述第八边界线位于所述第二边界线和所述第四边界线之间,且所述第八边界线位于所述第七边界线远离所述显示区的一侧。
可选地,所述第一阻挡坝包括:第一子阻挡坝和第二子阻挡坝;所述第一子阻挡坝较所述第二子阻挡坝靠近所述显示区;
所述第一子阻挡坝在所述基底上的正投影至少部分覆盖所述第一边界线和所述第二边界线在所述基底上的正投影;
所述第二子阻挡坝在所述基底上的正投影至少部分覆盖所述第七边界线和所述第八边界线在所述基底上的正投影。
可选地,所述第一导电层还具有连接所述第一边界线和所述第七边界线的第五连接线、及连接所述第三边界线和所述第七边界线的第六连接线;所述阳极导电层还具有连接所述第二边界线和所述第八边界线的第七连接线、及连接所述第四边界线和所述第八边界线的第八连接线;所述第七连接线位于所述第五连接线靠近所述扇出区的一侧,所述第八连接线位于所述第六连接线靠近所述扇出区的一侧;
所述第五连接线的延伸方向与所述第一边界线及所述第七边界线的延伸方向之间的夹角大于或等于90度;所述第六连接线的延伸方向与所述第三边界线及所述第七边界线的延伸方向之间的夹角大于或等于90度;
所述第七连接线的延伸方向与所述第二边界线及所述第八边界线的延伸方向之间的夹角大于或等于90度;所述第八连接线的延伸方向与所述第四边界线及所述第八边界线的延伸方向之间的夹角大于或等于90度。
可选地,所述第一导电层还具有与所述第三边界线的延伸方向基本平行的第九边界线;所述第九边界线位于所述第三边界线远离所述显示区的一侧;
所述阳极导电层还具有与所述第四边界线的延伸方向基本平行的第十边界线;所述第十边界线位于所述第四边界线远离所述显示区的一侧,且所 述第十边界线位于所述第九边界线远离所述显示区的一侧。
可选地,所述第二阻挡坝包括:第三子阻挡坝和第四子阻挡坝;所述第三子阻挡坝较所述第四子阻挡坝靠近所述显示区;
所述第三子阻挡坝在所述基底上的正投影至少部分覆盖所述第三边界线和所述第四边界线在所述基底上的正投影;
所述第四子阻挡坝在所述基底上的正投影至少部分覆盖所述第九边界线和所述第十边界线在所述基底上的正投影。
可选地,所述第一导电层还具有连接所述第三边界线和所述第九边界线的第九连接线、及连接所述第五边界线和所述第九边界线的第十连接线;所述阳极导电层还具有连接所述第四边界线和所述第十边界线的第十一连接线、及连接所述第六边界线和所述第十边界线的第十二连接线;所述第十一连接线位于所述第九连接线靠近所述扇出区的一侧,所述第十二连接线位于所述第十连接线靠近所述扇出区的一侧;
所述第九连接线的延伸方向与所述第三边界线及所述第九边界线的延伸方向之间的夹角大于或等于90度;所述第十连接线的延伸方向与所述第五边界线及所述第九边界线的延伸方向之间的夹角大于或等于90度;
所述第十一连接线的延伸方向与所述第四边界线及所述第十边界线的延伸方向之间的夹角大于或等于90度;所述第十二连接线的延伸方向与所述第六边界线及所述第十边界线的延伸方向之间的夹角大于或等于90度。
可选地,所述显示基板还包括:位于所述阳极导电层上的像素限定层;
所述像素限定层在所述扇出区的厚度大于在所述拐角区的厚度。
可选地,所述显示基板还包括:位于所述像素限定层限定区域的发光器件;所述发光器件包括:相对设置的第一电极和第二电极、及位于所述第一电极和所述第二电极之间的有机发光层;
所述第一电极与所述阳极导电层同层设置。
可选地,所述显示基板还包括:位于所述基底与所述阳极导电层之间且设置于所述显示区的像素电路;所述像素电路包括:薄膜晶体管;所述薄膜晶体管包括:依次设置在基底上的有源层、栅绝缘层、栅极、层间绝缘层、源极和漏极;所述第一电极通过转接电极与所述源极或所述漏极电连接;
所述第一导电层与所述源极及所述漏极同层设置;
所述第二导电层与所述转接电极同层设置。
可选地,所述显示基板还包括:与所述第二电极连接的电源电压线;
所述电源电压线包括:第一子电源电压线和第二子电源电压线;
所述第一子电源电压线与所述第一导电层同层设置;所述第二子电源电压线与所述第二导电层同层设置。
可选地,所述显示基板还包括:位于所述像素限定层上的封装层;所述封装层包括:沿着背离所述基底方向依次设置的第一无机封装层、有机封装层和第二无机封装层;
所述第一无机封装层和所述第二无机封装层覆盖所述阻挡结构,且在所述阻挡结构远离所述显示区一侧截止;
所述有机封装层在所述阻挡结构靠近所述显示区一侧截止。
可选地,所述显示基板还包括:第一有机绝缘层和第二有机绝缘层;
所述第一有机绝缘层位于所述第一导电层和所述第二导电层之间;
所述第二有机绝缘层位于所述第二导电层和所述阳极导电层之间。
可选地,所述第一有机绝缘层和所述第二有机绝缘层在所述拦截结构与所述阻挡结构之间的对应区域均设置有挖槽。
可选地,所述第二导电层具有第十一边界线;在所述拐角区,所述第十一边界线位于所述第六边界线远离所述显示区的一侧。
可选地,所述第一导电层还具有与所述第一边界线延伸方向相交的第十二边界线;所述阳极导电层还具有与所述第二边界线延伸方向相交的十三边 界线;
所述第十二边界线线位于所述扇出区,所述第十三边界线位于所述拐角区。
可选地,在所述拐角区,所述第一导电层、所述第二导电层和所述阳极导电层的至少部分电连接。
第二方面,本公开实施例提供一种显示装置,其中,所述显示装置包括如上述提供的显示基板。
图1为一种示例性的显示基板的结构示意图;;
图2为图1所示的显示基板中拐角区的放大结构示意图;
图3为图2所示的显示基板沿A-A’方向的截面结构示意图;
图4a为本公开实施例提供的一种显示基板的结构示意图;
图4b为本公开实施例提供的另一种显示基板的结构示意图;
图4c为本公开实施例提供的又一种显示基板的结构示意图;
图4d为本公开实施例提供的再一种显示基板的结构示意图;
图5a为图4a所示的显示基板中拐角区的放大结构示意图;
图5b-5e为图4b所示的显示基板中拐角区的放大结构示意图;
图5f-5g为图4c所示的显示基板中拐角区的放大结构示意图;
图5h-5i为图4d所示的显示基板中拐角区的放大结构示意图;
图5j为图4b所示的显示基板中拐角区的放大结构示意图;
图6为图5a-5i所示的显示基板沿B-B’方向的截面结构示意图;
图7为图4a-4d所示的显示基板沿C-C’方向的截面结构示意图;
图8为图4b所示的显示基板沿D-D’方向的截面结构示意图。
为使本领域技术人员更好地理解本公开的技术方案,下面结合附图和具体实施方式对本公开作进一步详细描述。
除非另外定义,本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性,而只是用来区分不同的组成部分。同样,“一个”、“一”或者“该”等类似词语也不表示数量限制,而是表示存在至少一个。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同,而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接,而是可以包括电性的连接,不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系,当被描述对象的绝对位置改变后,则该相对位置关系也可能相应地改变。
图1为一种示例性的显示基板的结构示意图,图2为图1所示的显示基板中拐角区的放大结构示意图,如图1和图2所示,该显示基板具有显示区10及围绕显示区10的非显示区20,显示基板包括:基底101、位于基底101上且设置于非显示区20的阻挡结构200和拦截结构300;阻挡结构200较拦截结构300靠近显示区10;显示基板还包括:位于基底101上且沿着背离基底101方向依次设置的第一导电层102、第二导电层103和阳极导电层104。其中,第一导电层102和第二导电层103可以形成显示区10中各个薄膜晶体管器件的膜层,也可以形成与显示区10中的薄膜晶体管以及发光器件连接的信号线,阳极导电层104可以形成显示区10中各个发光器件的阳极。
需要说明的是,上述的显示基板以及之后的描述中是以OLED显示基板为为例进行说明的,当然上述的显示基板也可以为QLED显示基板,其实现原理基本相同,将不在赘述。
第一导电层102和第二导电层103可以由显示区10延伸至非显示区20 中,具体地,第一导电层102和第二导电层103可以为电源电压线,例如低电平电源电压线VSS。可以理解的是,第一导电层102和第二导电层103还可以为其他类型的信号线,在此不在一一列举,在本公开实施例及之后的描述中将以低电平信号线VSS为例进行说明。阻挡结构200和拦截结构300均采用有机材料制成,具体地,阻挡结构200包括第一阻挡坝201和第二阻挡坝202。
在常规的显示基板中,第一导电层102和第二导电层103之间设置有两层绝缘层,其中一层为有机绝缘层,另一层为无机绝缘层。目前为了节约制备成本,提高显示基板的产能,往往将其中的无机绝缘层取消,即第一导电层102和第二导电层103之间仅设置有一层有机绝缘层。在非显示区20中,为了减少信号线的阻抗,低电平电源线VSS一般采用双层导电层制成,但是由于无机绝缘层取消后,在扇出区20a中,如果仅使用第一导电层102穿过阻挡结构200及拦截结构300与驱动芯片连接,第二导电层103需要在拐角区20b中进行截止,由于第一导电层102和第二导电层103采用相同材料制成,第一导电层102裸露出会在第二导电层103刻蚀时被刻蚀掉,影响电路结构。并且第二导电层103在第一导电层102之后制备,后续工艺较少,第二导电层103的刻蚀深度相对于第一导电层102的刻蚀深度较小。因此,必须仅使用一层第二导电层103穿过阻挡结构200及拦截结构300,以连接驱动芯片。
当仅使用第二导电层103连接驱动芯片时,第一导电层102需要从拦截结构300的位置收缩至显示区10内以在扇出区20a位置截止,保证扇出区20a位置仅有第二导电层103穿过阻挡结构200和拦截结构300,由于在第一导电层102上往往设置有有机材料层覆盖,在第一导电层102向显示区10收缩的位置,即1位置处和2位置处,容易形成水汽通道(图中箭头标识处)。具体地,第一导电层102的边界线在拦截结构300的下方,并沿着拦截结构 300延伸至1位置处;在1位置处,第一导电层102由拦截结构300收缩至第二阻挡坝202的下方,并沿着第二阻挡坝202延伸至3位置处,同时,阳极导电层104在2位置处由第二阻挡坝202收缩至第一阻挡坝201靠近显示区10的一侧。在1位置处,第一导电层102在由拦截结构300至第二阻挡坝202之间时需要有有机材料层包覆;在2位置处,阳极导电层104由第二阻挡坝202收缩至第一阻挡坝201内侧,且被像素限定层包覆;第一导电层102由第二阻挡坝202收缩至第一阻挡坝201下方,并沿着第一阻挡坝201延伸至3位置处,以最终收缩至显示区10,在3位置处,为了减少水汽通道,第一导电层102未覆盖有机材料层。可以看出,在1位置处和2位置处第一导电层102均采用最短的路径进行收缩,形成1位置处至2位置处之间的水汽通道。封装一旦失败,例如封装层发生断裂、产生裂缝等,水汽会沿着缝隙通过水汽通道进入显示基板的内部,导致发光器件的有机发光层氧化而失效,不能进行正常发光。随着水汽不断侵入,不能进行正常发光的发光器件越来越多,OLED面板会出现不断扩大的暗点的不良,影响显示效果。
图3为图2所示的显示基板中3位置处沿A-A’方向的截面结构示意图,如图3所示,在3位置处,第一导电层102截止,但是第二导电层103依然连续设置,此时第二导电层103容易在此处发生断裂,由于此处无阳极导电层104覆盖,此处容易形成段差,其上的封装层在断裂处容易形成裂缝,导致封装失败,使得水汽通过水汽通道进入显示基板的内部,导致发光器件的有机发光层氧化而失效不能进行正常发光。
为了至少解决上述的技术问题之一,本公开实施例提供了一种显示基板及显示装置,下面将结合附图和具体实施方式对本公开实施例提供的显示基板及显示装置进行进一步详细描述。
图4a为本公开实施例提供的一种显示基板的结构示意图,图5a为图4a所示的显示基板中拐角区的放大结构示意图,可以理解的是,本公开实施例 的图5a中仅示出了显示基板的左下角的拐角区的结构,其右下角的拐角区结构与左下角的拐角区的结构类似,本公开实施例将以显示基板的左下角的拐角区的结构为了进行说明。如图4a和图5a所示,本公开实施例提供的显示基板具有显示区10及围绕显示区10的非显示区20,显示基板包括:基底101、位于基底101上且设置于非显示区20的阻挡结构200;显示基板还包括:位于基底101上且沿着背离基底101方向依次设置的第一导电层102、第二导电层103和阳极导电层104;第一导电层102具有第一边界线1021;阳极导电层104具有与第一边界线的延伸方向基本平行的第二边界线1041第二边界线1041位于第一边界线1021远离显示区10的一侧;非显示区20包括:设置于显示区10一侧的扇出区20a及与扇出区20a连接的拐角区20b;在扇出区20a,第一导电层102截止,第二导电层103连续设置;在拐角区20b,阳极导电层104截止,阻挡结构200在基底101上的正投影至少部分覆盖第一边界线1021和第二边界线1041在基底101上的正投影。
例如,基底101可以采用玻璃等刚性材料制成,可以提高基底101对其上的其他膜层的承载能力。当然,基底101还可以采用聚酰亚胺(polyimide,PI)等柔性材料制成,可以提高整体显示基板的抗弯折、抗拉伸性能,避免在弯折、拉伸、扭曲过程中产生的应力使得基底101发生断裂,造成断路不良。在实际应用中,可以根据实际需要,合理选择基底101的材料,以保证显示基板具有良好的性能。
阻挡结构200可以采用有机材料制成,例如,聚酰亚胺、环氧树脂等有机材料,同时,阻挡结构200可以采用单层结构制成,也可以采用多层结构制成,阻挡结构200可以形成在显示基板的非显示区20中,并且围绕整个显示区10,以使得显示基板中封装层等膜层由于外力作用造成的裂缝在阻挡结构200的位置截止,避免裂缝由非显示区20延伸至显示区10,影响显示区10中发光器件的性能。
第一导电层102和第二导电层103可以采用相同的导电材料制成,例如,铝、钛、铜、钼等金属材料,同时,第一导电层102和第二导电层103可以采用单层结构制成,也可以采用多层结构制成,例如钛/铝/钛、钼/铝/钼、钛/铜/钛或者钼/铜/钼等三层金属层结构。第一导电层102和第二导电层103可以由显示区10延伸至非显示区20中,具体地,第一导电层102和第二导电层103可以形成显示区10中薄膜晶体管的膜层,也可以形成用于传输信号的信号线,例如电源电压线,具体地电源电压线可以为低电平电源电压线VSS。可以理解的是,第一导电层102和第二导电层103还可以为其他类型的信号线,在此不在一一列举,在本公开实施例及之后的描述中将以低电平信号线VSS为例进行说明。
在扇出区20a,第一导电层102截止,处于断开状态,第二导电层103穿过阻挡结构200,处于连续状态,使用第二导电层103穿过阻挡结构200,以连接驱动芯片。在拐角区20b,阳极导电层104截止。第一导电层102具有第一边界线1021,阳极导电层104具有第二边界线1041,在拐角区20b,第二边界线1041位于第一边界线1021远离显示区10的一侧,且阻挡结构200在基底101上的正投影至少部分覆盖第一边界线1021和第二边界线1041在基底101上的正投影,即阻挡结构200覆盖阳极导电层104的第二边界线1041,阳极导电层104覆盖第一导电层102的第一边界线1021。在此需要说明的是,第一边界线1021与第二边界线1041基本平行,此处的基本平行是指在工艺误差范围允许内的平行,在之后的描述中,基本平行的含义是相同的,将不再进行详述。
本公开实施例提供的显示基板中,阻挡结构200覆盖阳极导电层104的第二边界线1041,阳极导电层104覆盖第一导电层102的第一边界线1021,由于阳极导电层104上一般覆盖有像素限定层,可以不必为阳极导电层104的第二边界线1041以及第一导电层102的第一边界线1021单独设置有机材 料层进行覆盖。第一导电层102的第一边界线1021和阳极导电层104的第二边界线1041均位于阻挡结构200之下并朝着扇出区20a延伸一段距离,即第一导电层102和阳极导电层104一起向显示区10进行收缩,不必延伸至阻挡结构200之外的区域,这样可以保证有机材料层挖槽完整,避免形成水汽通道,因此可以避免水汽通过水汽通道进入显示基板的显示区10内部,而导致发光器件的有机发光层失效,从而可以避免由于有机发光层失效造成出现不断扩大的暗点的不良,进而提高显示基板的显示效果。
在一些实施例中,如图图4a和5a所示,阻挡结构200包括:第一阻挡坝201;第一阻挡坝201在基底101上的正投影至少部分覆盖第一边界线1021和第二边界线1041在基底101上的正投影。
阻挡结构200可以由一个阻挡坝构成,即第一阻挡坝201,第一导电层102的第一边界线1021和阳极导电层104的第二边界线1041均位于第一阻挡坝201之下并朝着扇出区20a方向延伸一段距离,即第一导电层102和阳极导电层104一起向显示区10进行收缩,不必延伸至阻挡结构200之外的区域,这样可以保证有机材料层挖槽完整,避免形成水汽通道,因此可以避免水汽通过水汽通道进入显示基板的显示区10内部,而导致发光器件的有机发光层失效,从而可以避免由于有机发光层失效造成出现不断扩大的暗点的不良,进而提高显示基板的显示效果。
在一些实施例中,如图4b和图5b所示,第一导电层102还具有与第一边界线1021的延伸方向基本平行的第三边界线1022;第三边界线1022位于第一边界线1021远离显示区10的一侧;阳极导电层104还具有与第二边界线1041的延伸方向基本平行的第四边界线1042;第四边界线1042位于第二边界线1041远离显示区10的一侧,且第四边界线1042位于第三边界线1022远离显示区10的一侧。
第一导电层102的第三边界线1022和阳极导电层104的第四边界1042 朝着扇出区20a方向延伸一段距离后向第一阻挡坝201方向收缩,之后第一导电层102的第三边界线1022与第一边界线1021连接,阳极导电层104的第四边界线1042与第二边界线1041连接,并且阳极导电层104覆盖第一导电层102的第三边界线1022。可以看出,第一导电层102和阳极导电层104均经过了两次收缩,并且朝着扇出区20a方向延伸一段距离,这样可以不必将第一导电层102以最短路径直接收缩至显示区10,可以延长可能形成的水汽通道的距离,延缓水汽侵入,因此可以避免水汽通过水汽通道进入显示基板的显示区10内部,而导致发光器件的有机发光层失效,从而可以避免由于有机发光层失效造成出现不断扩大的暗点的不良,进而提高显示基板的显示效果。
在一些实施例中,如图4b和5b所示,阻挡结构200还包括:第二阻挡坝202;第二阻挡坝202位于第一阻挡坝201远离显示区10的一侧;第二阻挡坝202在基底101上的正投影至少部分覆盖第三边界线1022和第四边界线1042在基底101上的正投影。
具体地,与上述图5a所示显示基板的结构不同的是,图5b中所示的显示基板中的阻挡结构200可以包括两个阻挡坝,即第一阻挡坝201和第二阻挡坝202,第二阻挡坝202较第一阻挡坝201更远离显示区10。第一导电层102的第三边界线1022和阳极导电层104的第四边界线1042均位于第二阻挡坝202之下,朝着扇出区20a方向延伸一段距离后收缩至第一阻挡坝201之下,之后再朝着扇出区20a方向延伸一段距离后收缩至显示区10,可以看出,第一导电层102和阳极导电层104均经过了两次收缩,这样可以延长可能形成的水汽通道的距离,延缓水汽侵入,因此可以避免水汽通过水汽通道进入显示基板的显示区10内部,而导致发光器件的有机发光层失效,从而可以避免由于有机发光层失效造成出现不断扩大的暗点的不良,进而提高显示基板的显示效果。另一方面,可以保证有机材料层挖槽的完整,避免形成 水汽通道。
在一些实施例中,如图5b和图5c所示,第一导电层102还具有连接第一边界线1021和第三边界线1022的第一连接线1023;阳极导电层104还具有连接第二边界线1041和第四边界线1042的第二连接线1043;第二连接线1043位于第一连接线1023靠近扇出区20a的一侧;第一连接线1023的延伸方向与第一边界线1021及第三边界线1022的延伸方向之间的夹角大于或等于90度;第二连接线1043的延伸方向与第二边界线1041及第四边界线1042的延伸方向之间的夹角大于或等于90度。
在此需要说明的是,本公开实施例提供的显示基板中的边界线以及连接线是由于第一导电层102和阳极导电层104等膜层在拐角区20b内朝着靠近显示区的方向收缩形成的。如图5c所示,第一连接线1023的延伸方向与第一边界线1021及第三边界线1022的延伸方向是不垂直的,第二连接线1043的延伸方向与第二边界线1041及第四边界线1042的延伸方向是不垂直的,即第一连接线1023和第二连接线1043均倾斜设置,这样可以延长第一连接线1023和第二连接线1043的距离,可以进一步延长可能形成的水汽通道的距离,延缓水汽侵入,因此可以避免水汽通过水汽通道进入显示基板显示区10的内部,而导致发光器件的有机发光层失效,从而可以避免由于有机发光层失效造成出现不断扩大的暗点的不良,进而提高显示基板的显示效果。可以理解的是,如图5b所示,第一连接线1023的延伸方向也可以与第一边界线1021及第三边界线1022的延伸方向垂直,第二连接线1043的延伸方向也可以与第二边界线1041及第四边界线1042的延伸方向垂直,这样可以降低第一导电层102和阳极导电层104的制备难度,节约第一导电层102和阳极导电层104的材料,从而可以节约制备成本。
在一些实施例中,如图5d和图5e,第一导电层102还具有与第三边界线1022的延伸方向基本平行的第五边界线1024;第五边界线1024位于第三 边界线1022远离显示区10的一侧;阳极导电层104还具有第四边界线1042的延伸方向基本平行的第六边界线1044;第六边界线1044位于第四边界线1042远离显示区的一侧,且第六边界线1044位于第五边界线1024远离显示区的一侧。
第一导电层102的第五边界线1024可以朝着扇出区20a方向延伸一段距离后,向第二阻挡坝202收缩形成第三边界线1022,第三边界线1022向第一阻挡坝201收缩并朝着扇出区20a方向延伸一段距离形成第一边界线1021,之后第一边界线1021再收缩至显示区10内,相应地,阳极导电层103的第六边界线1044也可以朝着扇出区20a方向延伸一段距离后,向第二阻挡坝202收缩形成第四边界线1042,第四边界线1042向第一阻挡坝201收缩并朝着扇出区20a方向延伸一段距离形成第二边界线1041,之后第二边界线1041再收缩至显示区10内。可以看出,第一导电层102和阳极导电层104均经过了三次收缩,并且在收缩后朝着扇出区20a延伸一段距离,这样可以延长可能形成的水汽通道的距离,延缓水汽侵入,因此可以避免水汽通过水汽通道进入显示基板的显示区10内部,而导致发光器件的有机发光层失效,从而可以避免由于有机发光层失效造成出现不断扩大的暗点的不良,进而提高显示基板的显示效果。
在一些实施例中,如图5d和图5e,显示基板还包括:位于基底101上且设置于非显示区20的拦截结构300;拦截结构300较第二阻挡坝202远离显示区10;拦截结构300在基底101上的正投影至少部分覆盖第五边界线1024和第六边界线1044在基底101上的正投影。
第一导电层102的第五边界线1024可以在拦截结构300之下,并朝着扇出区20a方向延伸一段距离后,向第二阻挡坝202收缩形成第三边界线1022,第三边界线向第一阻挡坝201收缩并朝着扇出区20a方向延伸一段距离形成第一边界线1021,之后第一边界线1021再收缩至显示区10内,相应 地,阳极导电层103的第六边界线1044也可以在拦截结构300之下,并朝着扇出区20a方向延伸一段距离后,向第二阻挡坝202收缩形成第四边界线1042,第四边界线1042向第一阻挡坝201收缩并朝着扇出区20a方向延伸一段距离形成第二边界线1041,之后第二边界线1041再收缩至显示区10内。可以看出,第一导电层102和阳极导电层104均经过了三次收缩,并且在收缩后朝着扇出区20a延伸一段距离,这样可以延长可能形成的水汽通道的距离,延缓水汽侵入,因此可以避免水汽通过水汽通道进入显示基板的显示区10内部,而导致发光器件的有机发光层失效,从而可以避免由于有机发光层失效造成出现不断扩大的暗点的不良,进而提高显示基板的显示效果。
在一些实施例中,如图5d和图5e所示,第一导电层102还具有连接第三边界线1022和第五边界线1024的第三连接线1025;阳极导电层104还具有连接第四边界线1042和第六边界线1044的第四连接线1045;第四连接线1045位于第三连接线1025靠近扇出区20a的一侧;第三连接线1025的延伸方向与第三边界线1022及第五边界线1024的延伸方向之间的夹角大于或等于90度;第四连接线1045的延伸方向与第四边界线1042及第六边界线1044的延伸方向之间的夹角大于或等于90度。
如图5e所示,第三连接线1025的延伸方向与第三边界线1022及第五边界线1024的延伸方向是不垂直的,第四连接线1045的延伸方向与第四边界线1042及第六边界线1044的延伸方向是不垂直的,即第三连接线1025和第四连接线1045均倾斜设置,这样可以延长第三连接线1025和第四连接线1045的距离,可以进一步延长可能形成的水汽通道的距离,延缓水汽侵入,因此可以避免水汽通过水汽通道进入显示基板显示区10的内部,而导致发光器件的有机发光层失效,从而可以避免由于有机发光层失效造成出现不断扩大的暗点的不良,进而提高显示基板的显示效果。可以理解的是,如图5d所示,第三连接线1025的延伸方向与第三边界线1022及第五边界线 1024的延伸方向也可以是垂直的,第四连接线1045的延伸方向与第四边界线1042及第六边界线1044的延伸方向也可以是垂直的,这样可以降低第一导电层102和阳极导电层104的制备难度,节约第一导电层102和阳极导电层104的材料,从而可以节约制备成本。
在一些实施例中,如图5f和图5g所示,第一导电层102还具有与第三边界线1022的延伸方向基本平行的第七边界线1026;第七边界线1026位于第一边界线1021和第三边界线1022之间;阳极导电层104还具有与第四边界线1042的延伸方向基本平行的第八边界线1046;第八边界线1046位于第二边界线1041和第四边界线1042之间,且第八边界线1046位于第七边界线1026远离显示区10的一侧。
第一导电层102的第五边界线1024收缩形成第三边界线1022,第三边界线1022可以朝着扇出区20a方向延伸一段距离后,收缩形成第七边界线1026,第七边界线1026收缩并朝着扇出区20a方向延伸一段距离之后再形成第一边界线1021,第一边界线1021收缩至显示区10内。相应地,阳极导电层103的第六边界线1044收缩形成第四边界线1042,第四边界线1042可以朝着扇出区20a方向延伸一段距离后,收缩形成第八边界线1046,第八边界线1046收缩并朝着扇出区20a方向延伸一段距离之后再形成第二边界线1041,第二边界线1041收缩至显示区10内。可以看出,第一导电层102和阳极导电层104均经过了四次收缩,并且在收缩后朝着扇出区20a延伸一段距离,这样可以延长可能形成的水汽通道的距离,延缓水汽侵入,因此可以避免水汽通过水汽通道进入显示基板的显示区10内部,而导致发光器件的有机发光层失效,从而可以避免由于有机发光层失效造成出现不断扩大的暗点的不良,进而提高显示基板的显示效果。
在一些实施例中,如图5f和图5g所示,第一阻挡坝201包括:第一子阻挡坝2011和第二子阻挡坝2012;第一子阻挡坝2011较第二子阻挡坝2012 靠近显示区10;第一子阻挡坝2011在基底101上的正投影至少部分覆盖第一边界线1021和第二边界线1041在基底101上的正投影;第二子阻挡坝2012在基底101上的正投影至少部分覆盖第七边界线1026和第八边界线1046在基底101上的正投影。
第一阻挡坝201可以由第一子阻挡坝2011和第二子阻挡坝2022构成,第一子阻挡坝2011和第二子阻挡坝2012在远离扇出区20a的一端连接在一起。第一导电层102的第七边界线1026可以在第二子阻挡坝2012之下,第七边界线1026收缩形成第一边界线1021,第一边界线1021可以在第一子阻挡坝2011之下。相应地,阳极导电层104的第八边界线1046可以在第二子阻挡坝2012之下,第八边界线1046收缩形成第二边界线1041,第二边界线1041可以在第一子阻挡坝2011之下。这样第一导电层102和阳极导电层104均经过了四次收缩,并且在收缩后朝着扇出区20a延伸一段距离,这样可以延长可能形成的水汽通道的距离,延缓水汽侵入,因此可以避免水汽通过水汽通道进入显示基板的显示区10内部,而导致发光器件的有机发光层失效,从而可以避免由于有机发光层失效造成出现不断扩大的暗点的不良,进而提高显示基板的显示效果。
在一些实施例中,如图5f和图5g所示,第一导电层102还具有连接第一边界线1021和第七边界线1026的第五连接线1027、及连接第三边界线1022和第七边界线1026的第六连接线1028;阳极导电层104还具有连接第二边界线1041和第八边界线1046的第七连接线1047、及连接第四边界线1042和第八边界线1046的第八连接线1048;第七连接线1047位于第五连接线1027靠近扇出区20a的一侧,第八连接线1048位于第六连接线1028靠近扇出区20a的一侧;第五连接线1027的延伸方向与第一边界线1021及第七边界线1026的延伸方向之间的夹角大于或等于90度;第六连接线1028的延伸方向与第三边界线1022及第七边界线1026的延伸方向之间的夹角大 于或等于90度;第七连接线1047的延伸方向与第二边界线1041及第八边界线1046的延伸方向之间的夹角大于或等于90度;第八连接线1048的延伸方向与第四边界线1042及第八边界线1046的延伸方向之间的夹角大于或等于90度。
如图5g所示,第五连接线1027的延伸方向与第一边界线1021和第七边界线1026的延伸方向是不垂直的,第六连接线1028的延伸方向与第三边界线1022和第七边界线1026的延伸方向是不垂直的,即第五连接线1027和第六连接线1028均倾斜设置,这样可以延长第五连接线1027和第六连接线1028的距离,可以进一步延长可能形成的水汽通道的距离,延缓水汽侵入,因此可以避免水汽通过水汽通道进入显示基板显示区10的内部,而导致发光器件的有机发光层失效,从而可以避免由于有机发光层失效造成出现不断扩大的暗点的不良,进而提高显示基板的显示效果。同样地,第七连接线1047和第八连接线1048也可以均倾斜设置,这样可以延长第七连接线1047和第八连接线1048的距离,可以进一步延长可能形成的水汽通道的距离,延缓水汽侵入,因此可以避免水汽通过水汽通道进入显示基板显示区10的内部,而导致发光器件的有机发光层失效,从而可以避免由于有机发光层失效造成出现不断扩大的暗点的不良,进而提高显示基板的显示效果。可以理解的是,如图5f所示,第五连接线1027、第六连接线1028、第七连接线1047和第八连接线1048也可以与其对应的边界线垂直设置,这样可以降低第一导电层102和阳极导电层104的制备难度,节约第一导电层102和阳极导电层104的材料,从而可以节约制备成本。
在一些实施例中,如图5h和图5i所示,第一导电层102还具有与第三边界线1022的延伸方向基本平行的第九边界线1029;第九边界线1029位于第三边界线1022远离显示区10的一侧;阳极导电层104还具有与第四边界线1042的延伸方向基本平行的第十边界线1049;第十边界线1049位于第四 边界线1042远离显示区10的一侧,且第十边界线1049位于第九边界线1029远离显示区10的一侧。
第一导电层102的第五边界线1024可以朝着扇出区20a方向延伸一段距离后,收缩形成第九边界线1029,第九边界线1029收缩并朝着扇出区20a方向延伸一段距离之后再形成第三边界线1022,第三边界线1022收缩形成第一边界线1021,第一边界线1021收缩至显示区10内。相应地,阳极导电层103的第六边界线1044可以朝着扇出区20a方向延伸一段距离后,收缩形成第十边界线1049,第十边界线1049收缩并朝着扇出区20a方向延伸一段距离之后再形成第四边界线1042,第四边界线1042收缩形成第二边界线1041,第二边界线1041收缩至显示区10内。可以看出,第一导电层102和阳极导电层104均经过了四次收缩,并且在收缩后朝着扇出区20a延伸一段距离,这样可以延长可能形成的水汽通道的距离,延缓水汽侵入,因此可以避免水汽通过水汽通道进入显示基板的显示区10内部,而导致发光器件的有机发光层失效,从而可以避免由于有机发光层失效造成出现不断扩大的暗点的不良,进而提高显示基板的显示效果。
在一些实施例中,如图5h和图5i所示,第二阻挡坝202包括:第三子阻挡坝2021和第四子阻挡坝2022;第三子阻挡坝2021较第四子阻挡坝2022靠近显示区10;第三子阻挡坝2021在基底101上的正投影至少部分覆盖第三边界线1022和第四边界线1042在基底上101的正投影;第四子阻挡坝2022在基底101上的正投影至少部分覆盖第九边界线1029和第十边界线1049在基底101上的正投影。
第二阻挡坝202可以由第三子阻挡坝2021和第四子阻挡坝2022构成,第三子阻挡坝2021和第四子阻挡坝2022在远离扇出区20a的一端连接在一起。第一导电层102的第九边界线1029可以在第四子阻挡坝2022之下,第九边界线1029收缩形成第三边界线1022,第三边界线1022可以在第三子阻 挡坝2021之下。相应地,阳极导电层104的第十边界线1049可以在第四子阻挡坝2022之下,第十边界线1049收缩形成第四边界线1042,第四边界线1042可以在第三子阻挡坝2021之下。这样第一导电层102和阳极导电层104均经过了四次收缩,并且在收缩后朝着扇出区20a延伸一段距离,这样可以延长可能形成的水汽通道的距离,延缓水汽侵入,因此可以避免水汽通过水汽通道进入显示基板的显示区10内部,而导致发光器件的有机发光层失效,从而可以避免由于有机发光层失效造成出现不断扩大的暗点的不良,进而提高显示基板的显示效果。
在一些实施例中,如图5h和图5i所示,第一导电层102还具有连接第三边界线1022和第九边界线1029的第九连接线1030、及连接第五边界线1024和第九边界线1029的第十连接线1031;阳极导电层104还具有连接第四边界线1042和第十边界线1049的第十一连接线1050、及连接第六边界线1044和第十边界线1049的第十二连接线1051;第十一连接线1050位于第九连接线1030靠近扇出区20a的一侧,第十二连接线1051位于第十连接线1031靠近扇出区20a的一侧;第九连接线1030的延伸方向与第三边界线1022及第九边界线1029的延伸方向之间的夹角大于或等于90度;第十连接线1031的延伸方向与第五边界线1024及第九边界线1029的延伸方向之间的夹角大于或等于90度;第十一连接线1050的延伸方向与第四边界线1042及第十边界线1049的延伸方向之间的夹角大于或等于90度;第十二连接线1051的延伸方向与第六边界线1044及第十边界线1049的延伸方向之间的夹角大于或等于90度。
如图5i所示,第九连接线1030的延伸方向与第三边界线1022和第九边界线1029的延伸方向是不垂直的,第十连接线1031的延伸方向与第五边界线1024和第九边界线1029的延伸方向是不垂直的,即第九连接线1030和第十连接线1031均倾斜设置,这样可以延长第九连接线1030和第十连接线 1031的距离,可以进一步延长可能形成的水汽通道的距离,延缓水汽侵入,因此可以避免水汽通过水汽通道进入显示基板显示区10的内部,而导致发光器件的有机发光层失效,从而可以避免由于有机发光层失效造成出现不断扩大的暗点的不良,进而提高显示基板的显示效果。同样地,同样地,第十一连接线1050和第十二连接线1051也可以均倾斜设置,这样可以延长第十一连接线1050和第十二连接线1051的距离,可以进一步延长可能形成的水汽通道的距离,延缓水汽侵入,因此可以避免水汽通过水汽通道进入显示基板显示区10的内部,而导致发光器件的有机发光层失效,从而可以避免由于有机发光层失效造成出现不断扩大的暗点的不良,进而提高显示基板的显示效果。如图5h所示,第九连接线1030、第十连接线1031、第十一连接线1050、第十二连接线1051也可以与其对应的边界线垂直设置,这样可以降低第一导电层102和阳极导电层104的制备难度,节约第一导电层102和阳极导电层104的材料,从而可以节约制备成本。
在一些实施例中,如图6所示,显示基板还包括:位于阳极导电层104上的像素限定层105;像素限定层105在扇出区20a的厚度大于在拐角区20b的厚度。
如图6所示,像素限定层105在不同区域的厚度是不同的,像素限定层105设置于阳极导电层104上,其可以起到平坦化的作用,在第一导电层102截止且第二导电层103连续设置的位置,即扇出区20a,像素限定层105的厚度较厚,可以避免此处产生段差,这样可以避免覆盖在其上的封装层等膜层由于段差的存在而产生裂缝,避免封装失败,从而可以防止水汽通过水汽通道进入显示基板的内部,导致发光器件的有机发光层氧化而失效不能进行正常发光。
在一些实施例中,如图7所示,显示基板还包括:位于基底101与阳极导电层104之间且设置于显示区10的像素电路,及位于像素限定层105限 定区域的发光器件40;像素电路包括:薄膜晶体管50;薄膜晶体管50包括:依次设置在基底101上的有源层501、栅绝缘层502、栅极503,层间绝缘层504、源极505和漏极506;发光器件40包括:相对设置的第一电极401和第二电极402、及位于第一电极401和第二电极402之间的有机发光层403;漏极506与第一电极401通过转接电极507连接;阳极导电层104与第一电极401同层设置。
薄膜晶体管50包括依次设置在基底101上的有源层501、栅绝缘层502、栅极503,层间绝缘层504和源漏电极(包括源极505和漏极506),源极505和漏极506分别通过贯穿层间绝缘层504及栅绝缘层503的过孔与有源层501的两端连接。薄膜晶体管50的漏极506通过转接电极507与发光器件40的第一电极401连接,以为发光器件40提供阳极电压信号。转接电极507的设置可以与漏极506形成并联结构,可以降低薄膜晶体管50中电极的电阻,有利于阳极电压信号的传输。
发光器件40的第一电极401可以为阳极,可以为发光器件输入阳极电压信号,以形成空穴,阳极可以由像素限定层105的容纳部裸露出来,阳极可以与上述的阳极导电层104同层设置,在制备过程中采用相同的材料,同一工艺制备形成,以降低工艺难度,节约制备成本。发光器件40的第二电极402可以为阴极,可以为发光器件输入阴极电压信号,以形成电子,阴极可以覆盖在像素限定层105上,在实际应用中可,阴极可以整面设置,以便于接入阴极电压信号。发光器件40的有机发光层403可以利用有机发光材料通过喷墨打印工艺形成在像素限定层104的容纳部内,在阳极和阴极的电压信号的驱动下形成激子,以进行发光。
阳极导电层104可以与第一电极401同层设置,在制备过程中可以采用相同材料,同一制备工艺形成,以降低工艺难度,节约制备成本。
在一些实施例中,第一导电层102与源极505及漏极506同层设置;第 二导电层103与转接电极507同层设置。
薄膜晶体管50的源极505和漏极506可以与第一导电层102同层设置,在制备过程中可以采用相同材料,同一制备工艺形成,以降低工艺难度,节约制备成本。相应地,转接电极507可以与第二导电层103同层设置,在制备过程中可以采用相同材料,同一制备工艺形成,以降低工艺难度,节约制备成本。
在一些实施例中,显示基板还包括:与第二电极402连接的电源电压线;电源电压线包括:第一子电源电压线和第二子电源电压线;第一子电源电压线与第一导电层同层设置;第二子电源电压线与第二导电层同层设置。具体地,电源电压线可以为低电平电源电压线VSS,低电平电源电压线VSS可以采用第一子电源电压线和第二子电源电压线的双层结构制成,以降低低电平电源电压线VSS的电阻,保证低电平电源电压信号的传输。第一子电源电压线可以与第一导电层102同层设置,第二子电源电压线可以与第二导电层103同层设置,在制备过程中可以采用相同材料,同一制备工艺形成,以降低工艺难度,节约制备成本。
在一些实施例中,如图7和图8所示,显示基板还包括:位于像素限定层105上的封装层106;封装层106可以包括:沿着背离基底101方向依次设置的第一无机封装层1061、有机封装层1063和第二无机封装层1062;第一无机封装层1061和第二无机封装层1062覆盖阻挡结构200,且在阻挡结构200远离显示区10一侧截止;有机封装层1062在阻挡结构200靠近显示区10一侧截止。
封装层106可以对发光器件40的第二电极402等结构进行封装,以防止水汽进入发光器件的有机发光层403,避免有机发光层403氧化,造成显示不良。具体地,封装层106可以包括:沿着背离基底101方向依次设置的第一无机封装层1061、有机封装层1063和第二无机封装层1062。第一无机 封装层和第二无机封装层可以采用氮化硅、氧化硅、氮氧化硅等无机材料形成,有机封装层可以采用环氧树脂等有机材料形成。同时,封装层106中的第一无机封装层1061和第二无机封装层1062可以覆盖阻挡结构200,且在阻挡结构200远离显示区10一侧截止,当阻挡结构200远离显示区10一侧设置有拦截结构时,第一无机封装层1061和第二无机封装层1062在拦截结构处截止。有机封装层1062在阻挡结构200靠近显示区10一侧截止,可以避免水汽通过其中的有机封装层1063由非显示区20向显示区10内传导。
在一些实施例中,显示基板还包括:第一有机绝缘层(图中未示出)和第二有机绝缘层(图中未示出);第一有机绝缘层位于第一导电层和第二导电层之间;第二有机绝缘层位于第二导电层和阳极导电层之间。
第一有机绝缘层一方面可以对第一导电层102和第二导电层103进行绝缘,避免二者在相应区域发生短接,影响信号传输,另一方面可以对第一导电层102进行覆盖,避免水汽对第一导电层102造成腐蚀。同样地,第二有机绝缘层也可以对第二导电层103与阳极导电层104进行绝缘,避免二者在相应区域发生短接,影响信号传输,另一方面可以对第二导电层103进行覆盖,避免水汽对第二导电层103造成腐蚀。
在一些实施例中,第一有机绝缘层和所述第二有机绝缘层在拦截结构与阻挡结构之间的对应区域均设置有挖槽。
挖槽可以使得第一有机绝缘层和第二有机绝缘层在相应的位置断开,可以防止在拦截结构300和拦截结构200之间形成水汽通道,因此可以避免水汽通过水汽通道进入显示基板的显示区10内部,而导致发光器件的有机发光层失效,从而可以避免由于有机发光层失效造成出现不断扩大的暗点的不良,进而提高显示基板的显示效果。
在一些实施例中,如图5j所示,第二导电层103具有第十一边界线1032;在拐角区20b,第十一边界线1032位于第六边界线1044远离显示区10的一 侧。
可以理解的是,在图5a-图5i中为了更清楚的表示第一导电层102与阳极导电层104的边界线及连接线之间的位置关系,未示出第二导电层103的结构,在图5j中示出了第二导电层103的结构,如图5j所示,在拐角区20b,第二导电层103的第十一边界线1032位于第六边界线1044远离显示区10的一侧,这样第二导电层103可以覆盖阳极导电层104的第六边界线以及覆盖第一导电层102的第五边界线1024,在刻蚀第二导电层103时可以避免将第一导电层102造成损坏。
在一些实施例中,如图5a-图5j所示,第一导电层102还具有与第一边界线1021延伸方向相交的第十二边界线1033;阳极导电层104还具有与第二边界线1041延伸方向相交的十三边界线1052;第十二边界线线1033位于扇出区20a,第十三边界线1052位于拐角区20b。
第一导电层102的第十二边界线1033可以由扇出区20a延伸至显示区10,阳极导电层104的第十三边界线1052可以由拐角区20b延伸至显示区10,以为显示区10中的发光器件40提供低电平电源信号。
在一些实施例中,如图8所示,在拐角区20b,第一导电层102、第二导电层103和阳极导电层104的至少部分电连接。
在拐角区20b,第一导电层102和第二导电层103电连接可以形成双层结构的低电平电源电压线VSS,其与阳极导电层104连接,阳极导电层104由拐角区20b延伸至显示区10并与显示区10中的发光器件40的阴极连接,以为显示区10中的发光器件提供低电平电源信号,使得发光器件40发光,实现显示功能。
本公开实施例还提供了一种显示装置,该显示装置包括如上述任一实施例提供的显示基板,该显示装置可以为手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件,本公开 的实施例对此不做限定。其实现原理及技术效果与上述任一实施例提供的显示基板的实现原理及技术效果相同,在此不再赘述。
可以理解的是,以上实施方式仅仅是为了说明本公开的原理而采用的示例性实施方式,然而本公开并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言,在不脱离本公开的精神和实质的情况下,可以做出各种变型和改进,这些变型和改进也视为本公开的保护范围。
Claims (26)
- 一种显示基板,具有显示区及围绕所述显示区的非显示区,其中,所述显示基板包括:基底、位于所述基底上且设置于所述非显示区的阻挡结构;所述显示基板还包括:位于所述基底上且沿着背离所述基底方向依次设置的第一导电层、第二导电层和阳极导电层;所述第一导电层具有第一边界线;所述阳极导电层具有与所述第一边界线的延伸方向基本平行的第二边界线;所述第二边界线位于所述第一边界线远离所述显示区的一侧;所述非显示区包括:设置于所述显示区一侧的扇出区及与所述扇出区连接的拐角区;在所述扇出区,所述第一导电层截止,所述第二导电层连续设置;在所述拐角区,所述阳极导电层截止,所述阻挡结构在所述基底上的正投影至少部分覆盖所述第一边界线和所述第二边界线在所述基底上的正投影。
- 根据权利要求1所述的显示基板,其中,所述阻挡结构包括:第一阻挡坝;所述第一阻挡坝在所述基底上的正投影至少部分覆盖所述第一边界线和所述第二边界线在所述基底上的正投影。
- 根据权利要求1或2所述的显示基板,其中,所述第一导电层还具有与所述第一边界线的延伸方向基本平行的第三边界线;所述第三边界线位于所述第一边界线远离所述显示区的一侧;所述阳极导电层还具有与所述第二边界线的延伸方向基本平行的第四边界线;所述第四边界线位于所述第二边界线远离所述显示区的一侧,且所述第四边界线位于所述第三边界线远离所述显示区的一侧。
- 根据权利要求2或3所述的显示基板,其中,所述阻挡结构还包括:第二阻挡坝;所述第二阻挡坝位于所述第一阻挡坝远离所述显示区的一侧;所述第二阻挡坝在所述基底上的正投影至少部分覆盖所述第三边界线和所述第四边界线在所述基底上的正投影。
- 根据权利要求3或4所述的显示基板,其中,所述第一导电层还具有连接所述第一边界线和所述第三边界线的第一连接线;所述阳极导电层还具有连接所述第二边界线和所述第四边界线的第二连接线;所述第二连接线位于所述第一连接线靠近所述扇出区的一侧;所述第一连接线的延伸方向与所述第一边界线及所述第三边界线的延伸方向之间的夹角大于或等于90度;所述第二连接线的延伸方向与所述第二边界线及所述第四边界线的延伸方向之间的夹角大于或等于90度。
- 根据权利要求3-5任一项所述的显示基板,其中,所述第一导电层还具有与所述第三边界线的延伸方向基本平行的第五边界线;所述第五边界线位于所述第三边界线远离所述显示区的一侧;所述阳极导电层还具有所述第四边界线的延伸方向基本平行的第六边界线;所述第六边界线位于所述第四边界线远离所述显示区的一侧,且所述第六边界线位于所述第五边界线远离所述显示区的一侧。
- 根据权利要求4-6任一项所述的显示基板,其中,所述显示基板还包括:位于所述基底上且设置于所述非显示区的拦截结构;所述拦截结构较所述第二阻挡坝远离所述显示区。
- 根据权利要求7所述的显示基板,其中,所述拦截结构在所述基底上的正投影至少部分覆盖所述第五边界线和所述第六边界线在所述基底上的正投影。
- 根据权利要求4-6任一项所述的显示基板,其中,所述第一导电层还具有连接所述第三边界线和所述第五边界线的第三连接线;所述阳极导电层还具有连接所述第四边界线和所述第六边界线的第四连接线;所述第四连接线位于所述第三连接线靠近所述扇出区的一侧;所述第三连接线的延伸方向与所述第三边界线及所述第五边界线的延伸方向之间的夹角大于或等于90度;所述第四连接线的延伸方向与所述第四边界线及所述第六边界线的延伸方向之间的夹角大于或等于90度。
- 根据权利要求3或4所述的显示基板,其中,所述第一导电层还具有与所述第三边界线的延伸方向基本平行的第七边界线;所述第七边界线位于所述第一边界线和所述第三边界线之间;所述阳极导电层还具有与所述第四边界线的延伸方向基本平行的第八边界线;所述第八边界线位于所述第二边界线和所述第四边界线之间,且所述第八边界线位于所述第七边界线远离所述显示区的一侧。
- 根据权利要求2-10任一项所述的显示基板,其中,所述第一阻挡坝包括:第一子阻挡坝和第二子阻挡坝;所述第一子阻挡坝较所述第二子阻挡坝靠近所述显示区;所述第一子阻挡坝在所述基底上的正投影至少部分覆盖所述第一边界线和所述第二边界线在所述基底上的正投影;所述第二子阻挡坝在所述基底上的正投影至少部分覆盖所述第七边界线和所述第八边界线在所述基底上的正投影。
- 根据权利要求2-10任一项所述的显示基板,其中,所述第一导电层还具有连接所述第一边界线和所述第七边界线的第五连接线、及连接所述第三边界线和所述第七边界线的第六连接线;所述阳极导电层还具有连接所述第二边界线和所述第八边界线的第七连接线、及连接所述第四边界线和所述第八边界线的第八连接线;所述第七连接线位于所述第五连接线靠近所述扇出区的一侧,所述第八连接线位于所述第六连接线靠近所述扇出区的一侧;所述第五连接线的延伸方向与所述第一边界线及所述第七边界线的延伸方向之间的夹角大于或等于90度;所述第六连接线的延伸方向与所述第三边界线及所述第七边界线的延伸方向之间的夹角大于或等于90度;所述第七连接线的延伸方向与所述第二边界线及所述第八边界线的延 伸方向之间的夹角大于或等于90度;所述第八连接线的延伸方向与所述第四边界线及所述第八边界线的延伸方向之间的夹角大于或等于90度。
- 根据权利要求3或4所述的显示基板,其中,所述第一导电层还具有与所述第三边界线的延伸方向基本平行的第九边界线;所述第九边界线位于所述第三边界线远离所述显示区的一侧;所述阳极导电层还具有与所述第四边界线的延伸方向基本平行的第十边界线;所述第十边界线位于所述第四边界线远离所述显示区的一侧,且所述第十边界线位于所述第九边界线远离所述显示区的一侧。
- 根据权利要求4-13任一项所述的显示基板,其中,所述第二阻挡坝包括:第三子阻挡坝和第四子阻挡坝;所述第三子阻挡坝较所述第四子阻挡坝靠近所述显示区;所述第三子阻挡坝在所述基底上的正投影至少部分覆盖所述第三边界线和所述第四边界线在所述基底上的正投影;所述第四子阻挡坝在所述基底上的正投影至少部分覆盖所述第九边界线和所述第十边界线在所述基底上的正投影。
- 根据权利要求4-13任一项所述的显示基板,其中,所述第一导电层还具有连接所述第三边界线和所述第九边界线的第九连接线、及连接所述第五边界线和所述第九边界线的第十连接线;所述阳极导电层还具有连接所述第四边界线和所述第十边界线的第十一连接线、及连接所述第六边界线和所述第十边界线的第十二连接线;所述第十一连接线位于所述第九连接线靠近所述扇出区的一侧,所述第十二连接线位于所述第十连接线靠近所述扇出区的一侧;所述第九连接线的延伸方向与所述第三边界线及所述第九边界线的延伸方向之间的夹角大于或等于90度;所述第十连接线的延伸方向与所述第五边界线及所述第九边界线的延伸方向之间的夹角大于或等于90度;所述第十一连接线的延伸方向与所述第四边界线及所述第十边界线的 延伸方向之间的夹角大于或等于90度;所述第十二连接线的延伸方向与所述第六边界线及所述第十边界线的延伸方向之间的夹角大于或等于90度。
- 根据权利要求1-15任一项所述的显示基板,其中,所述显示基板还包括:位于所述阳极导电层上的像素限定层;所述像素限定层在所述扇出区的厚度大于在所述拐角区的厚度。
- 根据权利要求16所述的显示基板,其中,所述显示基板还包括:位于所述像素限定层限定区域的发光器件;所述发光器件包括:相对设置的第一电极和第二电极、及位于所述第一电极和所述第二电极之间的有机发光层;所述第一电极与所述阳极导电层同层设置。
- 根据权利要求17所述的显示基板,其中,所述显示基板还包括:位于所述基底与所述阳极导电层之间且设置于所述显示区的像素电路;所述像素电路包括:薄膜晶体管;所述薄膜晶体管包括:依次设置在基底上的有源层、栅绝缘层、栅极、层间绝缘层、源极和漏极;所述第一电极通过转接电极与所述源极或所述漏极电连接;所述第一导电层与所述源极及所述漏极同层设置;所述第二导电层与所述转接电极同层设置。
- 根据权利要求17所述的显示基板,其中,所述显示基板还包括:与所述第二电极连接的电源电压线;所述电源电压线包括:第一子电源电压线和第二子电源电压线;所述第一子电源电压线与所述第一导电层同层设置;所述第二子电源电压线与所述第二导电层同层设置。
- 根据权利要求17所述的显示基板,其中,所述显示基板还包括:位于所述像素限定层上的封装层;所述封装层包括:沿着背离所述基底方向依次设置的第一无机封装层、有机封装层和第二无机封装层;所述第一无机封装层和所述第二无机封装层覆盖所述阻挡结构,且在所 述阻挡结构远离所述显示区一侧截止;所述有机封装层在所述阻挡结构靠近所述显示区一侧截止。
- 根据权利要求1所述的显示基板,其中,所述显示基板还包括:第一有机绝缘层和第二有机绝缘层;所述第一有机绝缘层位于所述第一导电层和所述第二导电层之间;所述第二有机绝缘层位于所述第二导电层和所述阳极导电层之间。
- 根据权利要求21所述的显示基板,其中,所述第一有机绝缘层和所述第二有机绝缘层在所述拦截结构与所述阻挡结构之间的对应区域均设置有挖槽。
- 根据权利要求6所述的显示基板,其中,所述第二导电层具有第十一边界线;在所述拐角区,所述第十一边界线位于所述第六边界线远离所述显示区的一侧。
- 根据权利要求1所述的显示基板,其中,所述第一导电层还具有与所述第一边界线延伸方向相交的第十二边界线;所述阳极导电层还具有与所述第二边界线延伸方向相交的十三边界线;所述第十二边界线线位于所述扇出区,所述第十三边界线位于所述拐角区。
- 根据权利要求1所述的显示基板,其中,在所述拐角区,所述第一导电层、所述第二导电层和所述阳极导电层的至少部分电连接。
- 一种显示装置,其中,所述显示装置包括如权利要求1-25任一项所述的显示基板。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
PCT/CN2021/133450 WO2023092444A1 (zh) | 2021-11-26 | 2021-11-26 | 显示基板及显示装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN117501835A true CN117501835A (zh) | 2024-02-02 |
Family
ID=86538524
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202180003635.5A Pending CN117501835A (zh) | 2021-11-26 | 2021-11-26 | 显示基板及显示装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20240057452A1 (zh) |
CN (1) | CN117501835A (zh) |
WO (1) | WO2023092444A1 (zh) |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100984352B1 (ko) * | 2003-09-08 | 2010-09-30 | 삼성전자주식회사 | 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법 |
US11394009B2 (en) * | 2019-06-14 | 2022-07-19 | Chengdu Boe Optoelectronics Technology Co., Ltd. | Display substrate and display device |
BR112020000834A2 (pt) * | 2019-08-01 | 2022-02-08 | Boe Technology Group Co Ltd | Substrato de display e dispositivo de display |
WO2021062588A1 (zh) * | 2019-09-30 | 2021-04-08 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板、显示面板和显示装置 |
CN110690365A (zh) * | 2019-11-08 | 2020-01-14 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及其显示装置 |
JP7452778B2 (ja) * | 2019-11-25 | 2024-03-19 | 京東方科技集團股▲ふん▼有限公司 | 表示基板及びその製造方法並びに表示装置 |
CN113130822B (zh) * | 2021-04-20 | 2023-04-18 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板、显示面板及显示装置 |
CN113284935B (zh) * | 2021-05-20 | 2024-02-27 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及其制备方法、显示装置 |
-
2021
- 2021-11-26 US US18/267,538 patent/US20240057452A1/en active Pending
- 2021-11-26 WO PCT/CN2021/133450 patent/WO2023092444A1/zh active Application Filing
- 2021-11-26 CN CN202180003635.5A patent/CN117501835A/zh active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20240057452A1 (en) | 2024-02-15 |
WO2023092444A1 (zh) | 2023-06-01 |
WO2023092444A9 (zh) | 2023-09-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US10367167B2 (en) | Display device | |
US11217642B2 (en) | Display panel, manufacturing method thereof, and display device | |
US20200235333A1 (en) | Display device | |
US9997589B2 (en) | Display device | |
US10495915B2 (en) | Multiple panel substrate, display device and method of manufacturing display device | |
JP2018087863A (ja) | 表示装置 | |
US20120026074A1 (en) | Display device and organic light emitting diode display | |
WO2007088813A1 (ja) | El装置 | |
CN109713017B (zh) | 一种显示基板及其制备方法、显示装置 | |
TWI699024B (zh) | 有機發光顯示器 | |
KR20120115838A (ko) | 유기 발광 표시 장치 | |
US20240040862A1 (en) | Display panel and a display device | |
CN113299862A (zh) | 显示面板及其制备方法、显示装置 | |
JP2005107492A (ja) | エレクトロルミネセンスディスプレイ装置 | |
US20200403179A1 (en) | Oled display panel and oled display device | |
CN215644561U (zh) | 显示面板和显示装置 | |
US20240113152A1 (en) | Display apparatus having a substrate hole | |
US20240063230A1 (en) | Display panel and electronic terminal | |
US10761626B2 (en) | Touch sensor and manufacturing method thereof, and display device including the same | |
CN117501835A (zh) | 显示基板及显示装置 | |
CN112310327B (zh) | 显示面板和显示装置 | |
US20240196700A1 (en) | Display panel and display device | |
US11997891B2 (en) | Display substrate, fabricating method thereof and display panel | |
US20240155911A1 (en) | Display panel and method for repairing the same | |
CN116799015A (zh) | 阵列基板及制造方法、显示面板 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination |