CN112602199B - 显示基板及显示装置 - Google Patents

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Abstract

本申请公开了一种显示基板及显示装置，涉及显示技术领域。该显示基板包括衬底基板，多个像素单元，至少一条第一电源线，阻挡结构，转接结构，阴极层，以及第一有机图案。通过将靠近至少一条第一电源线中第一部分的第一区域与转接结构的连接处，与阻挡结构之间的间距设置的较大，可以减少该第一电源线的第一部分带入的水汽，通过阻挡结构中的亲水材料引入至多个像素单元，保证了显示基板的良率，从而确保显示基板的显示效果。

Description

显示基板及显示装置
技术领域
本申请涉及显示技术领域，特别涉及一种显示基板及显示装置。
背景技术
显示基板通常包括阵列排布在衬底基板的显示区域的多个像素单元，用于为每个像素单元提供正极电源信号的电源走线(一般称为VDD走线)，以及用于为显示基板中的阴极层提供负极电源信号的电源走线(一般称为VSS走线)。电源走线在从驱动芯片的一侧进入到封装区域内时，例如从绑定区进入围堰结构靠近像素单元一侧的区域时，也即是围堰结构供电源线穿过的部分(进线口)附近时，存在将水氧引入的风险，封装的性能有待提高。
发明内容
本申请提供了一种显示基板及显示装置，可以改善现有技术中显示基板的水氧侵蚀的问题。所述技术方案如下：
一方面，提供了一种显示基板，所述显示基板包括：
衬底基板；
多个像素单元，所述多个像素单元位于所述衬底基板上；
至少一条第一电源线，位于所述衬底基板上；
阻挡结构，所述阻挡结构围绕所述多个像素单元；
转接结构，包括相对的第一侧面以及第二侧面，所述第一侧面较所述第二侧面更靠近所述多个像素单元；
阴极层，位于所述转接结构远离所述衬底基板的一侧；
第一有机图案，位于所述转接结构远离所述衬底基板的一侧；
其中，所述至少一条第一电源线包括第一部分和第二部分，所述第一部分位于所述阻挡结构远离所述多个像素单元的一侧，用于接收电源信号，所述第二部分通过所述转接结构与所述阴极层连接；
所述第二部分包括与所述转接结构连接的第一连接处和第二连接处，所述第一连接处与所述阻挡结构之间的间距大于所述第二连接处与所述转接结构之间的间距。
可选的，所述显示基板具有绑定区域，所述绑定区域位于所述阻挡结构远离所述多个像素单元的一侧；
所述第一连接处相对于所述第二连接处更靠近所述绑定区域。
可选的，所述转接结构在所述衬底基板上的正投影包括第一投影区域和第二投影区域，所述第一投影区域与所述阻挡结构在所述衬底基板上的正投影不重叠，所述第二投影区域与所述阻挡结构在所述衬底基板上的正投影包括相互重叠的第一重叠区域；
所述第一投影区域相对于所述第二投影区域靠近所述第一部分。
可选的，所述第一有机图案覆盖所述第二侧面的至少部分。
可选的，所述第二侧面包括被所述第一有机图案和所述阻挡结构覆盖的部分。
可选的，所述转接结构为环绕所述多个像素单元的环状结构。
可选的，所述显示基板还包括：至少一条第二电源线；
所述至少一条第二电源线的一端位于所述阻挡结构远离所述多个像素单元的一侧，用于接收电源信号，另一端位于所述阻挡结构与所述多个像素单元之间，且通过所述转接结构与所述阴极层连接；
所述第一有机图案与所述至少一条第二电源线在所述衬底基板上的正投影包括相互重叠的第二重叠区域，所述第二重叠区域不与所述阻挡结构在所述衬底基板上的正投影重叠。
可选的，所述至少一条第二电源线的一端位于所述阻挡结构远离所述多个像素单元的一侧的中部。
可选的，所述第二重叠区域与所述阻挡结构在所述衬底基板上的正投影之间的间距大于间距阈值。
可选的，所述间距阈值的范围为80微米至150微米。
可选的，所述显示基板还具有：位于所述多个像素单元与所述阻挡结构之间的行驱动区域；
所述至少一条第二电源线在所述衬底基板上的正投影与所述行驱动区域之间的间距，大于所述至少一条第一电源线在所述衬底基板上的正投影与所述行驱动区域之间的间距。
可选的，所述显示基板还包括：
钝化层，覆盖所述至少一条第一电源线；
所述钝化层中还设置有开口，所述转接结构靠近所述衬底基板的一侧通过所述开口与所述至少一条第一电源线连接，所述转接结构远离所述衬底基板的一侧与所述阴极层连接。
可选的，所述阻挡结构包括：第一阻挡坝和第二阻挡坝；
所述第一阻挡坝相对于所述第二阻挡坝远离所述多个像素单元，且所述第一阻挡坝的厚度大于所述第二阻挡坝的厚度；
所述第一阻挡坝包括：沿远离所述衬底基板的方向设置的第一平坦层图案，第二平坦层图案，以及第二有机图案；
所述第二阻挡坝包括：沿远离所述衬底基板的方向设置的第三平坦层图案，第三有机图案；
其中，所述第二平坦层图案和所述第三平坦层图案包括相同材料，所述第一有机图案，所述第二有机图案和所述第三有机图案包括相同材料。
可选的，所述阻挡结构包括：第一阻挡坝和第二阻挡坝；
所述第一阻挡坝相对于所述第二阻挡坝远离所述多个像素单元，且所述第一阻挡坝的厚度大于所述第二阻挡坝的厚度；
所述第一阻挡坝包括：沿远离所述衬底基板的方向依次层叠设置的平坦层图案，以及第二有机图案；
所述第二阻挡坝包括：在所述衬底基板上设置的第三有机图案；
其中，所述第一有机图案，所述第二有机图案和所述第三有机图案包括相同材料。
可选的，第一阻挡坝还包括：设置在所述第二有机图案远离所述衬底基板一侧的第四有机图案；
所述第二阻挡坝还包括：设置在所述第三有机图案远离所述衬底基板一侧的第五有机图案；
所述第四有机图案和所述第五有机图案采用包括相同材料。
可选的，所述阻挡结构包括：第一阻挡坝和第二阻挡坝；
所述第一阻挡坝相对于所述第二阻挡坝远离所述多个像素单元，且所述第一阻挡坝的厚度大于所述第二阻挡坝的厚度；
所述第一有机图案包括与所述第二阻挡坝直接接触的部分。
可选的，所述第一电源线包括：环绕所述多个像素单元所在区域的直边部分以及弧状部分；
所述第一有机图案中与所述第二阻挡坝直接接触的部分在所述衬底基板上的正投影，位于所述弧状部分在所述衬底基板上的正投影内。
可选的，所述第一电源线的第二部分包括：环绕所述多个像素单元所在区域的直边部分以及弧状部分。
所述第一阻挡坝为第一环形，所述第二阻挡坝为第二环形；
所述第一有机图案，与所述第三有机图案中的部分图案围成第三环形，所述第三环形在所述衬底基板上的正投影，位于所述第二环形在所述衬底基板上的正投影内，所述第二环形在所述衬底基板上的正投影，位于所述第一环形在所述衬底基板上的正投影内；
其中，所述第三环形围绕所述多个像素单元。
可选的，所述至少一条第一电源线包括：第一金属层；所述显示基板还包括：位于所述第一金属层远离所述衬底基板的一侧的辅助金属层；
所述辅助金属层远离所述第一金属层的一侧与所述转接结构接触。
可选的，所述显示基板中的所述第一金属层，钝化层，第一平坦层图案，所述辅助金属层，第二平坦层图案，以及所述第一有机图案沿远离所述衬底基板的方向层叠设置。
可选的，所述至少一条第一电源线包括：沿远离所述衬底基板的方向设置的第一金属层和第二金属层；
所述第二金属层远离所述第一金属层的一侧与所述转接结构接触。
可选的，所述显示基板中的所述第一金属层，第一平坦层图案，所述第二金属层，钝化层，第二平坦层图案，以及所述第一有机图案沿远离所述衬底基板的方向层叠设置。
可选的，所述至少一条第一电源线的第一部分位于所述阻挡结构远离所述多个像素单元的一端的侧面形成有多个齿状的凸起结构。
可选的，所述凸起结构在所述衬底基板上的正投影，与所述阻挡结构在所述衬底基板上的正投影不重叠。
可选的，所述显示基板还包括：封装膜层；
所述封装膜层位于所述第一电源线远离所述衬底基板的一侧，所述封装膜层覆盖所述阻挡结构围成的区域。
可选的，所述显示基板还包括：多条第三电源线，位于所述衬底基板上；
所述多条第三电源线与所述像素单元中的晶体管电连。
可选的，所述多条第三电源线中的至少一条所述第三电源线在所述衬底基板上的正投影，与所述第一电源线在衬底基板上的正投影相邻；
所述多条第三电源线在所述衬底基板上的正投影，与所述转接结构在所述衬底基板上的正投影存在交叠区域，且在所述交叠区域内，所述多条第三电源线与所述转接结构之间设置有钝化层。
另一方面，提供了一种显示装置，所述显示装置包括：上述方面所述的显示基板。
本申请提供的技术方案带来的有益效果至少包括：
本公开实施例提供了一种显示基板及显示装置，该显示基板包括衬底基板，多个像素单元，至少一条第一电源线，阻挡结构，转接结构，阴极层，以及第一有机图案。通过将靠近至少一条第一电源线中第一部分的第一连接处，与阻挡结构之间的间距设置的较大，可以减少该第一电源线的第一部分带入的水汽，通过阻挡结构中的亲水材料引入至多个像素单元，保证了显示基板的良率，从而确保显示基板的显示效果。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本公开实施例提供的一种显示基板的结构示意图；
图2是图1所示的显示基板沿BB方向的截面图；
图3是图1所示的显示基板的局部结构示意图；
图4是本公开实施例提供的另一种显示基板的结构示意图；
图5是本公开实施例提供的一种显示基板的局部结构示意图；
图6是本公开实施例提供的又一种显示基板的结构示意图；
图7是本公开实施例提供的另一种显示基板的局部结构示意图；
图8是本公开实施例提供的再一种显示基板的结构示意图；
图9是本公开实施例提供的再一种显示基板的结构示意图；
图10是本公开实施例提供的再一种显示基板的结构示意图；
图11是本公开实施例提供的再一种显示基板的结构示意图；
图12是本公开实施例提供的又一种显示基板的局部结构示意图；
图13是本公开实施例提供的再一种显示基板的局部结构示意图；
图14是本公开实施例提供的再一种显示基板的局部结构示意图；
图15是图1所示的显示基板沿CC方向的截面图；
图16是本公开实施例提供的再一种显示基板的局部结构示意图；
图17是本公开实施例提供的再一种显示基板的结构示意图；
图18是本公开实施例提供的再一种显示基板的结构示意图；
图19是本公开实施例提供的再一种显示基板的结构示意图；
图20是本公开实施例提供的再一种显示基板的结构示意图；
图21是本公开实施例提供的再一种显示基板的结构示意图；
图22是本公开实施例提供的一种显示基板的制造方法的流程图。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明实施方式作进一步地详细描述。
相关技术中，为了减少电源走线从封装区域外部进入封装区域带来的水氧风险，通常会减少进入封装区域电源走线的数量，这样为了进一步保证电源走线的电信号传输，如为了保证阴极VSS走线与阴极的电连接，VSS走线的一端进入封装区域后，例如进入围堰结构(阻挡结构)后，需要通过位于衬底基板的封装区域内的转接结构与阴极层连接。但是，发明人发现，如此增加转接结构，如导电金属结构，虽然可以提升阴极与阴极电源线的搭接效果，但是由于转接结构的设置，其侧面可能会存在刻蚀缺陷，这样也给进线口附近增加了水氧侵蚀的风险。
图1是本公开实施例提供的一种显示基板的结构示意图。图2是图1所示的显示基板沿BB方向的截面图。该显示基板可以为柔性面板，例如可以为可折叠面板。结合图1和图2可以看出，该显示基板可以包括：衬底基板001，多个像素单元002，至少一条第一电源线003，阻挡结构004，转接结构005，阴极层006，以及第一有机图案007。该多个像素单元002可以位于衬底基板001上。示例的，图1中示出了一条第一电源线003。
其中，该至少一条第一电源线003位于衬底基板001上。该阻挡结构(围堰结构)004可以围绕多个像素单元002。该转接结构005可以包括相对的第一侧面005a和第二侧面005b，该第一侧面005a较第二侧面005b更靠近多个像素单元002。该阴极层006可以位于转接结构005远离衬底基板001的一侧。第一有机图案007可以位于转接结构005远离衬底基板001的一侧。
参考图1可以看出，该至少一条第一电源线003可以包括第一部分0031和第二部分0032，该第一部分0031可以位于阻挡结构004远离多个像素单元002的一侧，用于接收电源信号。例如，该第一部分0031可以与驱动芯片连接，用于接收该驱动芯片提供的电源信号。该第二部分0032可以通过转接结构005与阴极层006连接。
图3是图1所示的显示基板的局部结构示意图。参考图1和图3，该第二部分0032可以包括与转接结构005连接的第一连接处0032a和第二连接处0032b，该第一连接处0032a与阻挡结构004之间的间距可以大于第二连接处0032b与阻挡结构004之间的间距。也即是，该至少一条第一电源线003的第二部分0032的第一连接处0032a不与阻挡结构004接触，例如该第一连接处0032a在衬底基板001上的正投影与阻挡结构004在衬底基板001上的正投影不重叠，第二连接处0032b可以位于阻挡结构004覆盖的区域内，例如，第二连接处0032b可以与阻挡结构004接触。为了清楚示意第一电源线003和转接结构005的位置关系，图1中未示出阴极层006。
在本公开实施例中，通过将靠近第一部分0031的第一连接处0032a，与阻挡结构004之间的间距设置的较大，可以减少该至少一条第一电源线003的第一部分0031中的水汽，通过阻挡结构004中的亲水材料引入至多个像素单元002中，保证了显示基板的良率。
并且，由于第二连接处0032b相对于第一连接处0032a远离第一部分0031，水汽进入的路径较长，因此，即使将该第二连接处0032b与阻挡结构004之间的间距设置的较小，该第一电源线003的第一部分0031中的水汽也不会引入至多个像素单元002中。并且，将第二连接处0032b，与阻挡结构004之间的间距设置的较小，可以减小该转接结构005和阻挡结构004占用的衬底基板001的面积，便于窄边框显示基板的实现。
其中，该第一连接处0032a和第二连接处0032b中的每个连接处可以是指：第一电源线003的第二部分0032中与转接结构005接触的部分。在本公开实施例中，可以是指第二部分0032中与转接结构005直接接触的部分。该两个连接处的形状可以与第二部分0032与转接结构005在衬底基板001上的正投影重叠的区域的形状大致相同。
综上所述，本公开实施例提供了一种显示基板，该显示基板包括衬底基板，多个像素单元，至少一条第一电源线，阻挡结构，转接结构，阴极层，以及第一有机图案。通过将靠近至少一条第一电源线中第一部分的第一连接处，与阻挡结构之间的间距设置的较大，可以减少该第一电源线的第一部分带入的水汽，通过阻挡结构中的亲水材料引入至多个像素单元，保证了显示基板的良率，从而确保显示基板的显示效果。
可选的，如图1所示，该显示基板还可以具有绑定区域00a，该绑定区域00a可以位于阻挡结构004远离该多个像素单元002的一侧。第一连接处0032a相对于第二连接处0032b更靠近该绑定区域00b。其中，更靠近可以是指第一连接处0032a上各点与绑定区域00b之间的距离的最小值，大于第二连接处0032b上各点与绑定区域00b之间的距离的最小值。
需要说明的是，在本公开实施例中，多个像素单元002在衬底基板001上的正投影所在的区域为显示基板的有效显示区域(active area，AA)。因此，该阻挡结构004可以围绕该AA区设置。该阴极层006可以整层覆盖该AA区。
可选的，在本公开实施例中，阴极层006在衬底基板001上的正投影可以覆盖多个像素单元002在衬底基板001上的正投影，并且该阴极层006在衬底001上的正投影可以位于该阻挡结构004围成的区域在衬底基板001上的正投影之内。
图4是本公开实施例提供的另一种显示基板的结构示意图。图5是本公开实施例提供的一种显示基板的局部结构示意图，参考图4和图5可以看出，转接结构005在衬底基板001上的正投影可以包括第一投影区域005c和第二投影区域005d。结合图1可以看出，第一投影区域005c相对于第二投影区域005d靠近第一部分0031。该第一投影区域005c与阻挡结构004在衬底基板001上的正投影不重叠，第二投影区域005d与阻挡结构004在衬底基板001上的正投影包括相互重叠的第一重叠区域00b。
由于制成阻挡结构004的有机材料为亲水材料，因此通过将转接结构005在衬底基板001上的正投影的第一投影区域005c与阻挡结构004在衬底基板001上的正投影不重叠，可以使得第一部分0031中的水汽不会通过覆盖在转接结构005上的亲水材料进入多个像素单元002中，进一步保证显示基板的显示效果。
可选的，转接结构005中与第一电源线003的搭接处的宽度可以较宽，从而可以保证该转接结构005与第一电源线003的接触电阻尽量小。其中，参考图5，该搭接处在衬底基板001上的正投影即为第一投影区域005c，与第一电源线003在衬底基板001上的正投影的重叠区域。该转接结构005远离搭接处的部分的宽度可以较窄，从而可以减小对该转接结构005靠近衬底基板001的一侧设置的其他信号线的电容耦合影响，如可以减小对数据线电容耦合的影响。
在本公开实施例中，转接结构005的第二侧面005b可以被阻挡结构004覆盖。也即是，第二投影区域005d的转接结构005的第二侧面005b可以被阻挡结构004覆盖。
通过将转接结构005的第二侧面005b被阻挡结构004覆盖，可以减小该转接结构005和阻挡结构004占用的衬底基板001的面积，便于窄边框显示基板的实现。并且，转接结构005的第二投影区域005d，与至少一条第一电源线003的第一部分0031之间的间距较远，远离第一进线口00c的位置，水汽进入的路径较长，因此，即使转接结构005的第二侧面005b被阻挡结构004覆盖，水汽也不会进入像素单元002。其中，参考图6，阻挡结构004中供电源线穿过的部分可以称为进线口(port口)，如供第一电源线003穿过的部分可以称为第一进线口00c。
参考图1和图4，转接结构005可以为环绕多个像素单元002的环状结构，从而便于阴极层006通过该转接结构005与至少一条第一电源线003连接，保证为该显示基板的像素单元002提供的电源信号的电位均一性，显示效果较好。
参考图1，该显示基板还可以包括：至少一条第二电源线008。该至少一条第二电源线008的一端008a位于阻挡结构004远离多个像素单元002的一侧，用于接收电源信号，另一端008b位于阻挡结构004与多个像素单元002之间，且通过转接结构005与阴极层006连接，从而可以使得第二电源线008可以为阴极层006提供电源信号。
在本公开实施例中，每条第二电源线008的一端008a位于阻挡结构004围成的区域之外，另一端位于阻挡结构004围成的区域之内。即每条第二电源线008可以穿过阻挡结构004进入该阻挡结构004围成的区域内。其中，供第二电源线008穿过的部分可以称为第二进线口00d。
示例的，图1中示出了两条第二电源线008，每条第二电源线008的一端008a可以与驱动芯片连接，用于接收该驱动芯片提供的电源信号。
结合图1至图4还可以看出，第一有机图案007可以覆盖转接结构005的第二侧面005b的至少部分，且该第一有机图案007与至少一条第二电源线008在衬底基板001上的正投影包括相互重叠的第二重叠区域00e，该第二重叠区域00e不与阻挡结构004在衬底基板001上的正投影重叠。
通过第一有机图案007覆盖转接结构005的第二侧面005b的至少部分，可以减少转接结构005的第二侧面005b如因刻蚀缺陷而被水汽或氧气腐蚀的风险，保证该转接结构005能够有效传输来自第一电源线003的电源信号。并且，由于制成第一有机图案007的有机材料通常为亲水材料，因此通过使第二重叠区域00e不与阻挡结构004在衬底基板上的正投影重叠，即使得第一有机图案007与阻挡结构004间隔设置，可以减少第二电源线008用于接收电源信号的一端008a带入的水汽通过该阻挡结构004和第一有机图案007引入至像素单元002，保证了显示基板的良率。
参考图1还可以看出，该至少一条第二电源线008的一端008a可以位于阻挡结构004远离多个像素单元002的一侧的中部，例如可以位于绑定区域00a的中部。
其中，该中部可以为衬底基板的纵轴线X所在区域，该纵轴线X为平行于衬底基板001上的数据线的轴线。该纵轴线X与显示基板的一个侧边之间的距离，可以大致等于该纵轴线X与显示基板的另一个侧边之间的距离。该一个侧边和另一个侧边均大致平行于数据线的延伸方向。示例的，该显示基板中与数据线的延伸方向大致平行的两个侧边中的任一侧边，如与数据线的延伸方向的夹角的范围可以为0度至10度。
需要说明的是，本公开实施例中的“大致”指的是可以允许有15％以内的误差范围。如距离“大致”相等，可以是两者的距离偏差不超过15％，延伸方向“大致平行”可以是两者延伸方向的夹角在0度至30度之间，如可以为0度至10度，0度至15度等，形状“大致”相同可以是两者形状为同一类型，如矩形，折线型，弧形，条状，“L”型等，面积“大致”相同可以可以是两者面积偏差不超过15％等。
示例的，参考图1，该显示基板可以包括两条第二电源线008。该两条第二电源线008可以相邻排布在阻挡结构004远离多个像素单元002的一侧的中部。或者，该两条第二电源线008还可以以该衬底基板的纵轴线X为轴对称间隔排布在阻挡结构004远离多个像素单元002的一侧的中部。本公开实施例对该第二电源线008的设置位置不做限定。
若该两条第二电源线008相邻排布在阻挡结构004远离多个像素单元002的一侧的中部时，该两条第二电源线008可以为一体结构。
示例的，该两条第二电源线008为一体结构时，也即是第二电源线008为一条时，第一电源线008的一端008a位于阻挡结构004远离多个像素单元002的一侧的中部，例如位于绑定区域00a的中部，可以是第二电源线008的一端008a到纵轴线X的距离小于该第二电源线008的一端008a到显示基板上与纵轴线X大致平行的两个侧边中任一侧边的距离。
需要说明的是，若本公开实施例提供的显示基板为可折叠面板时，该可折叠面板的折叠线可以垂直于该纵轴线X。例如，该折叠面板的折叠线可以为该纵轴线X的中垂线。
在本公开实施例中，第一电源线003可以包括两个第一部分0031。该两个第一部分0031可以以衬底基板001的纵轴线X为轴大致对称设置在阻挡结构004远离多个像素单元002的一侧的边缘处。
在本公开实施例中，第以电源线003可以包括两个第一部分0031。例如该两个第一部分0031可以位于纵轴线X的两侧，如位于绑定区域00a的两侧。
在本公开实施例中，第一电源线003可以包括两个第一部分0031。例如该两个第一部分0031在第一进线口00c附近的部分位于显示基板的两侧，又如分别靠近与纵轴线X平行的两个侧边。
本公开实施例中，可以通过位于中部的第二电源线008和位于边缘处的第一电源线003同时为该显示基板中的阴极层006提供电源信号，从而能够进一步缓解因电压降导致为不同区域的阴极层006加载的电源信号的电位差异较大的问题，阴极层006的长程均一性(long range unifinity，LRU)较好，显示效果较好。
本公开实施例中，位于中部的第二电源线008和位于边缘处的第一电源线003均可以为该显示基板中的阴极层006提供电源信号。同时，即使增加中部的第二电源线008，本公开实施例中的第二电源线008的设计，也可以很好的减小水氧的侵蚀，保证良好的封装性能。
需要说明的是，对于尺寸较大的显示基板，还可以设置更多的第二电源线008，通过更多的第二电源线008为该阴极层006提供电源信号，可以确保阴极层006各区域的电位的均一性，显示基板的显示效果较好。
还需要说明的是，在本公开实施例中，由于该第一电源线003和第二电源线008均用于为阴极层006提供电源信号，因此该第一电源线003和第二电源线008也可以称为VSS电源线或者VSS走线。
在本公开实施例中，图2所示为第一电源线003进入阻挡结构004包围的区域内的部分的剖视图。第二电源线008进入阻挡结构004包围的区域内的部分的层级结构与该第一电源线003相同。参考图2可以看出，第一有机图案007与至少一条第二电源线008在衬底基板001上的正投影相互重叠的第二重叠区域00e，与阻挡结构004在该衬底基板001上的正投影之间的间距d可以大于间距阈值。其中，该间距阈值的范围可以为80微米(μm)至150μm。如可以是90μm，100μm，110μm，120μm，130μm，140μm等。也即是，该第二重叠区域00e与阻挡结构004之间设置有一定的间距。由此，可以避免在第二电源线008的第二进线口00d附近，第一有机图案007与阻挡结构004直接接触，进而可以减少水汽通过该第一有机图案007引入至像素单元002，保证封装效果。其中，该间距阈值可以是预先通过实验确定的能够避免水汽进入像素单元002的阈值。也即是，在第二重叠区域00e与阻挡结构004之间的间距大于该间距阈值时，水汽难以进入该显示基板中的像素单元002中。
其中，该间距阈值可以是预先通过实验确定的能够避免水汽进入像素单元002的阈值。也即是，在第二重叠区域00e与阻挡结构004之间的间距大于该间距阈值时，水汽不会进入该显示基板中的像素单元002中。
参考图4还可以看出，该显示基板还可以具有：位于多个像素单元002与阻挡结构004之间的行驱动区域00f。至少一条第二电源线008在衬底基板001上的正投影与行驱动区域00f之间的间距，可以大于至少一条第一电源线003在衬底基板上的正投影与行驱动区域00f之间的间距。例如，位于中部的至少一条第二电源线008，相较于至少一条第一电源线003，与行驱动区域00f之间的距离更远。为了清楚示意转接结构005与阻挡结构的位置关系，图4中未示出第一电源线003，第二电源线008以及阴极层006。
或者可以理解为，每条第二电源线008上各点与行驱动区域00f之间的距离的最小值，大于该任一条第一电源线003上各点与行驱动区域00f之间的距离的最小值。例如，参考图6，该至少一条第二电源线008上的a1点与行驱动区域00f之间的距离h1，大于该至少一条第一电源线003上的b1点与行驱动区域00f之间的距离h2。
其中，该行驱动区域00f可以设置有多个级联的移位寄存器单元，该多个级联的移位寄存器单元可以用于驱动各行像素单元002。
示例的，如图4和图6所示，该显示基板可以具有两个行驱动区域00f，该两个行驱动区域00f可以以衬底基板001的纵轴线X为轴对称设置在多个像素单元002的两侧。
在本公开实施例中，参考图2，显示基板还可以包括：钝化层009，该钝化层009可以覆盖至少一条第一电源线003。图7是本公开实施例提供的另一种显示基板的局部结构示意图。该钝化层009中还设置有开口009a，转接结构005靠近衬底基板001的一侧可以通过该开口009a与至少一条第一电源线003连接，转接结构005远离衬底基板001的一侧可以与阴极层006连接。其中，图7中所示的009a为钝化层009中设置的开口。也即是，图7中除了开口009a所在的区域，其余区域均覆盖有钝化层009。
由于在制备显示基板的过程中，该至少一条第一电源线003容易被水汽或氧气腐蚀，因此通过在至少一条第一电源线003上覆盖钝化层009，可以保证在后续形成其他膜层时，该至少一条第一电源线003不会被水汽或氧气腐蚀，保证该至少一条第一电源线003可以为阴极层006提供电源信号，确保显示基板的显示效果。
在本公开实施例中，钝化层009中的开口可以为过孔或者可以为开槽，本公开实施例对此不做限定。制成该钝化层009的材料可以包括：SiNx(氮化硅)、SiOx(氧化硅)和SiOxNy(氮氧化硅)等一种或多种无机氧化物。本公开实施例对制成该钝化层009的材料不做限定。
需要说明的是，在本公开实施例中，该钝化层009还可以覆盖该至少一条第二电源线008，保证该至少一条第二电源线008不会被水汽或氧气腐蚀，确保显示基板的显示效果。
参在本公开实施例中，参考图1，图4和图6，阻挡结构004可以为环绕多个像素单元002的环状结构，用于阻挡显示基板中位于该阻挡结构004围成的区域内的有机层溢流。结合图1至图7，该阻挡结构004可以包括：第一阻挡坝0041和第二阻挡坝0042。该第一阻挡坝0041相对于该第二阻挡坝0042远离该多个像素单元002，且该第一阻挡坝0041的厚度可以大于该第二阻挡坝0042的厚度。
通过设置两个阻挡坝，且远离多个像素单元002的第一阻挡坝0041的厚度大于靠近多个像素单元002的第二阻挡坝0042的厚度，可以进一步防止位于该阻挡结构004围成的区域内的有机层溢流。当然，该阻挡结构004还可以包括一个阻挡坝，或两个以上的阻挡坝，本公开实施例对此不做限定。
作为一种可选的实现方式，图8是本公开实施例提供的又一种显示基板的结构示意图。参考图8可以看出，第一阻挡坝0041可以包括：沿远离衬底基板001的方向设置的第一平坦层图案010，第二平坦层图案011，以及第二有机图案012。该第二阻挡坝0042可以包括：沿远离衬底基板001的方向设置的第三平坦层图案013，以及第三有机图案014。
其中，第二平坦层图案011和第三平坦层图案013可以包括相同材料，第一有机图案007，第二有机图案012和第三有机图案014可以包括相同材料。例如，第二平坦层图案011和第三平坦层图案013可以采用相同材料，并由同一次构图工艺制得，第一有机图案007，第二有机图案012和第三有机图案014可以采用相同材料，并由同一次构图工艺制得。
在本公开实施例中，第一平坦层图案010可以属于第一平坦层，第二平坦层图案011和第三平坦层图案013可以属于第二平坦层，第一有机图案007，第二有机图案012和第三有机图案014可以属于第一有机层，该第一有机层可以为像素界定层(pixel definitionlayer，PDL)。
可选的，制成该第一平坦层，第二平坦层，以及第一有机层的材料可以包括：树脂等有机材料。本公开实施例对此不做限定。
作为另一种可选的实现方式，参考图2，第一阻挡坝0041可以包括：沿远离衬底基板001的方向依次层叠设置的平坦层图案015，以及第二有机图案012。第二阻挡坝0042可以包括：在衬底基板001上设置的第三有机图案014。
其中，第一有机图案007，第二有机图案012和第三有机图案014可以包括相同材料。例如，第一有机图案007，第二有机图案012和第三有机图案014可以采用相同材料，并由同一次构图工艺制得。
在本公开实施例中，平坦层图案015可以属于平坦层，第一有机图案007，第二有机图案012，以及第三有机图案014可以属于第一有机层。
可选的，制成该平坦层的材料可以包括：树脂等有机材料。本公开实施例对此不做限定。
需要说明的是，图7中所示的开口015a为平坦层图案015未覆盖的区域，例如，图7所示的区域中，衬底基板001上除了开口015a所在的区域，其余区域均覆盖有平坦层图案015。从图7可以看出，该平坦层图案015可以覆盖第一电源线003位于阻挡结构004包围区域内的部分的边界。
结合图2和图7，对于至少一条第一电源线003在衬底基板001上的正投影与第一投影区域005c的交叠区域，钝化层009的开口009a在衬底基板001上的正投影与该交叠区域的重叠区域，可以覆盖平坦层图案015的开口015a在衬底基板上001的正投影与该交叠区域的重叠区域。也即是，在该交叠区域内，钝化层009的开口009a的尺寸，大于平坦层图案015的开口015a的尺寸。
参考图2和图8可以看出，第一阻挡坝0041相对于第二阻挡坝0042多一层平坦层图案，从而可以使得该第一阻挡坝0041的厚度大于该第二阻挡坝0042的厚度，防止有机层溢流。
图9是本公开实施例提供的再一种显示基板的结构示意图。参考图9可以看出，该第一阻挡坝0041还可以包括：设置在第二有机图案012远离衬底基板一侧的第四有机图案016。该第二阻挡坝0042可以包括：设置在第三有机图案014远离衬底基板001一侧的第五有机图案017。
其中，第四有机图案016和第五有机图案017可以包括相同材料。例如，该第四有机图案016和第五有机图案017可以采用相同材料，并由同一次构图工艺制得。并且，该第四有机图案016和第五有机图案017均可以属于第二有机层，该第二有机层可以为支撑层(photospacer，PS)。
可选的，制成该第二有机层的材料可以包括：树脂等有机材料。本公开实施例对此不做限定。
图10是本公开实施例提供的再一种显示基板的结构示意图。参考图10可以看出，第一有机图案007可以覆盖转接结构005的第二侧面005b。参考图1，图4，图6和图10，第一阻挡坝0041可以为第一环形，第二阻挡坝0042可以为第二环形。第一有机图案007与第三有机图案014中的部分图案可以围成第三环形，该第三环形在衬底基板001上的正投影，可以位于第二环形在衬底基板001上的正投影内，该第二环形在衬底基板001上的正投影，可以位于第一环形在衬底基板001上的正投影内。其中，该第三环形可以围绕多个像素单元002。该第三有机图案014的形状可以与第二阻挡坝0042的形状大致相同，即该第三有机图案014也为环形。
该部分图案可以为第三有机图案014中位于第一有机图案007靠近多个像素单元002的一侧的图案。例如，参考图10，该部分图案可以为第三有机图案014的左侧，上侧，以及右侧的图案。
在本公开实施例中，第一有机图案007可以包括与第二阻挡坝0042直接接触的部分。参考图1，图6和图11，第一电源线003可以包括两个第一部分0031和一个第二部分0032。该两个第一部分0031可以以衬底基板001的纵轴线X对称设置在该衬底基板001的两侧，例如该两个第一部分0031在第一进线口00c附近的部分位于显示基板上的两侧，又如靠近与纵轴线X平行的两个侧边中的其中一个侧边。其中，图4中示出了两个第一部分0031的第一进线口00c。该第二部分0032可以环绕该多个像素单元002，且该第二部分0032的两端可以分别与一个第一部分0031连接。
在本公开实施例中，第一部分0031和第二部分0032可以直接接触，例如为一体结构。
在本公开实施例中，第二电源线008可以包括：环绕多个像素单元002所在区域的直边部分0032c以及弧状部分0032d。
在本公开实施例中，该第二部分0032可以包括：环绕多个像素单元002所在区域的直边部分0032c以及弧状部分0032d。并且，该第一电源线003的第二部分0032可以为非封闭结构，本公开实施例以该第二部分0032至少围绕显示基板的两条边进行说明。该第一有机图案007中与第二阻挡坝0042的直接接触的部分在衬底基板001上的正投影，可以位于弧状部分0032d在衬底基板001上的正投影内。也即是，该第一有机图案007与第二阻挡坝0042直接接触的部分在衬底基板001上的正投影，不超出弧状部分0032d在衬底基板001上的正投影。
本公开实施例中，弧状部分0032d相对于直边部分0032c靠近至少一条第一电源线003中用于接收电源信号的第一部分0031。
作为一种可选的实现方式，参考图8，至少一条第一电源线003可以包括：第一金属层003a。显示基板还可以包括：位于该第一金属层003a远离衬底基板的一侧的辅助金属层018。
本公开实施例中，该辅助金属层018远离第一金属层003a的一侧可以与转接结构005接触，且该辅助金属层018在衬底基板001上的正投影可以与阻挡结构004在该衬底基板001上的正投影重叠。例如，该辅助金属层018在该衬底基板001上的正投影包括位于阻挡结构004在该衬底基板001上的正投影所包围的区域内的部分。
图12是本公开实施例提供的再一种显示基板的局部结构示意图。参考图12，该辅助金属层018在该衬底基板001上的正投影包括位于第二阻挡坝0042在该衬底基板001上的正投影内的部分。
本公开实施例中，在阻挡结构004所在的区域，第一金属层003a远离衬底基板001的一侧未设置该辅助金属层018，即该阻挡结构004所在的区域的辅助金属层018被去除，即该第一进线口00c所在的区域的辅助金属层018被去除。例如，阻挡结构004远离多个像素单元002的一侧可以设置有辅助金属层018，阻挡结构004包围的区域内也可以设置有辅助金属层018。
该辅助金属层018的边界的形状可以与第一金属层003a的边界的形状大致相同，或者，该辅助金属层018的边界的形状也可以与第一金属层003a的边界的形状不同，本公开实施例对此不做限定。
其中，第一金属层003a接收到的电源信号可以通过设置在钝化层009的开口内的辅助金属层018传输至转接结构005。通过该转接结构005将电源信号传输至阴极层006。
本公开实施例中，参考图8，该辅助金属层018远离衬底基板001的一侧可以被包括第二平坦层图案011和第三平坦层图案013的第二平坦层覆盖其靠近边缘的部分以及覆盖其侧边，该第二平坦层可以用于避免该辅助金属层018的侧壁因刻蚀缺陷，而引起的显示不良。
由于制成第二平坦层的有机材料通常为亲水材料，因此为了避免辅助金属层018将水汽引入像素单元002中，可以使得该辅助金属层018在衬底基板001上的正投影与阻挡结构004在该衬底基板001上的正投影不重叠，从而可以阻断水汽从阻挡结构004中进入，并沿第二平坦层进入像素单元002所在区域的路径，保证了显示基板的显示效果。
图13是本公开实施例提供的另一种显示基板的局部结构示意图。参考图13可以看出，辅助金属层018与第一金属层003a接触的部分在衬底基板001上的正投影，可以位于该辅助金属层018在衬底基板001上的正投影内，从而使得该第一金属层003a的边界，与辅助金属层018的边界存在间距，避免该第一金属层003a和辅助金属层018被水汽或氧气腐蚀。图14是本公开实施例提供的再一种显示基板的局部结构示意图。图14中所示的010a为第一平坦层中设置的开口。也即是，图14中除了开口010a所在的区域，其余区域均覆盖有第一平坦层。图14中所示的011a为第二平坦层中设置的开口。也即是，图14中除了开口011a所在的区域，其余区域均覆盖有第二平坦层。
在该实现方式中，显示基板中的第一金属层003a，钝化层009，第一平坦层图案010，辅助金属层018，第二平坦层图案011，以及第一有机图案007可以沿远离衬底基板001的方向层叠设置。也即是，显示基板中的第一电源线003，钝化层009，第一平坦层，辅助金属层018，第二平坦层，以及第一有机层可以沿衬底基板001的方向层叠设置。
需要说明的是，第一金属层003a和辅助金属层018均可以包括三层金属膜层，例如，该三层金属膜层的材料可以依次为：钛(Ti)，铝(Al)以及Ti。
还需要说明的是，图15是图1所示的显示基板沿CC方向的截面图。参考图15，至少一条第二电源线008可以包括：第二金属层008c。显示基板还可以包括：位于该第二金属层008c远离衬底基板001的一侧的辅助走线层019。
本公开实施例中，该辅助走线层019远离第二金属层008c的一侧可以与转接结构005接触，且该辅助走线层019在该衬底基板001上的正投影可以与阻挡结构004在该衬底基板001上的正投影不重叠。例如，该辅助走线层019在该衬底基板001上的正投影包括位于阻挡结构004在该衬底基板001上的正投影所包围的区域内的部分。
图16是本公开实施例提供的再一种显示基板的局部结构示意图。参考图16，该辅助走线层019在该衬底基板001上的正投影包括位于第二阻挡坝0042在该衬底基板001上的正投影所包围的区域内的部分。
在本公开实施例中，在阻挡结构004所在的区域，第二金属层008c远离衬底基板001的一侧未设置该辅助走线层019，即该阻挡结构004所在的区域的辅助走线层019被去除，即第二进线口00d所在的区域的辅助走线层019被去除。例如，阻挡结构004远离多个像素单元的一侧可以设置有辅助走线层019，阻挡结构004包括的区域内可以设置有辅助走线层019。
该辅助走线层019的边界的形状可以与第二金属层008c的边界的形状大致相同，或者，该辅助走线层019的边界的形状也可以与第二金属层008c的边界的形状不同，本公开实施例对此不做限定。
作为另一种可选的实现方式，参考图17，至少一条第一电源线003包括：沿远离衬底基板001的方向设置的第一金属层003a和第三金属层003b。第三金属层003b远离第一金属层003a的一侧与转接结构005接触。
该第一金属层003a在该衬底基板001上的正投影，以及该第三金属层003b在该衬底基板001上的正投影，可以均与该阻挡结构004在该衬底基板001上的正投影重叠。也即是，该第一金属层003a和该第三金属层003b远离多个像素单元002的第一部分0031可以均用于接收电源信号，从而可以通过第一金属层003a和第三金属层003b的两层金属层向阴极层006传输电源信号，可以减小电阻，进而减小电源信号的电压降。
参考图17，该第一金属层003a在衬底基板001上的正投影，可以与第三金属层003b和转接结构005接触的区域不重叠。
或者，参考图18，该第一金属层003a在衬底基板001上的正投影，可以与第三金属层003b和转接结构005接触的区域重叠。
其中，第一平坦层可以覆盖该第一金属层003a靠近多个像素单元002的另一端，减少该第一金属层003a的另一端被氧气或水汽腐蚀，或者可以减少因为金属层侧面因刻蚀缺陷而引起的最终显示不良。
参考图17和图18可以看出，该显示基板中的第一金属层003a，第一平坦层图案010，第三金属层003b，钝化层009，第二平坦层图案011，第一有机图案007可以沿远离衬底基板001的方向层叠设置。也即是，显示基板中的第一金属层图案003a，第一平坦层，第三金属层003b，钝化层009，第二平坦层，以及第一有机层可以沿衬底基板001的方向层叠设置。
需要说明的是，第一金属层003a和第三金属层003b均可以包括三层金属膜层，例如，该三层金属膜层的材料可以依次为：Ti，Al以及Ti。
还需要说明的是，参考图9和图18，当第一阻挡坝0041还包括：设置在第二有机图案012远离衬底基板一侧的第四有机图案016，第二阻挡坝0042还包括：设置在第三有机图案014远离衬底基板001一侧的第五有机图案017时，包括该第四有机图案016和第五有机图案017的第二有机层可以设置在第一有机层远离衬底基板001的一侧。
图19是本公开实施例提供的再一种显示基板的结构示意图。参考图5和图19可以看出，至少一条第一电源线003的第一部分0031位于阻挡结构004远离多个像素单元002的一端的侧面形成有多个齿状的凸起结构，从而可以进一步延长水汽进入的路径，避免水汽被引入至多个像素单元002中。
参考图5和图19，凸起结构在衬底基板001上的正投影，与阻挡结构004在衬底基板001上的正投影不重叠。并且，该至少一条第一电源线003的第一部分0031位于阻挡结构004围成的区域内的另一端的侧面可以为平面，即该至少一条第一电源线003的第一部分0031位于阻挡结构004围成的区域内的另一端的侧面未形成凸起结构。
在制备该显示基板时，转接结构005是依次通过曝光，显影以及刻蚀等工艺制备得到的。在刻蚀工艺中需要采用刻蚀剂对膜层进行刻蚀，若将第一电源线003的第一部分0031位于阻挡结构004围成的区域内的另一端的侧面也设置为齿状的凸起结构，则会使得刻蚀剂残留在该第一电源线003相邻的凸起结构之间，使得第一电源线003的第一部分0031的另一端的侧壁被腐蚀。因此将第一电源线003位于该阻挡结构004围成的区域内的第一部分0031的另一端的侧面设置为平面，可以避免在制造显示基板的过程中，由于该第一电源线003的侧壁被腐蚀，刺穿位于该第一电源线003远离衬底基板001一侧的膜质较脆的钝化层009，保证该钝化层009的质量。
参考图19还可以看出，至少一条第一电源线003的第一部分0031远离多个像素单元002的一端的侧面也形成有多个齿状的凸起结构，可以延长水汽沿第一电源线003进入的路径，避免水汽被引入至多个像素单元002。并且，该至少一条第一电源线003位于阻挡结构004围成的区域内的另一端008b的侧面可以为平面。
参考图19可以看出，该显示基板还可以包括：多条第三电源线020，该多条第三电源线020可以位于衬底基板001上。该多条第三电源线020与显示基板中的像素单元002中的晶体管电连。例如，可以与像素单元002中晶体管的源极或者漏极连接。该第三电源线020可以用于为像素单元002中的晶体管提供正极电源信号，因此该第三电源线020也可以称为VDD电源线或者VDD走线。
在本公开实施例中，该多条第三电源线020可以对称设置在至少一条第一电源线003的两侧。例如，参考图19，该显示基板可以包括：四条第三电源线020，其中两条第三电源线020可以位于阻挡结构004远离多个像素单元002的一侧的中部，且该两条第三电源线020可以以衬底基板001的纵轴线X为轴对称设置在第二电源线008的两侧。其余两条第三电源线020可以均位于阻挡结构远离多个像素单元002的一侧的边缘处。每条第三电源线020可以位于第一电源线003中一个第一部分0031靠近该第二电源线008的一侧。
参考图19，该多条第三电源线020位于阻挡结构004远离多个像素单元002的一端的侧面也可以形成有多个齿状的凸起结构，从而可以延长水汽沿该第三电源线020进入的路径，避免水汽被引入至多个像素单元002中。并且，该第三电源线0200位于阻挡结构004围成的区域内的另一端的侧面可以为平面。
参考图2，图8至图9，图15，以及图17至图18可以看出，该显示基板还可以包括：封装膜层021。该封装膜层021可以位于多个第一电源线远离衬底基板001的一侧，该封装膜层021可以覆盖阻挡结构004围成的区域。参考图10，该封装膜层021覆盖的区域00g的边界可以位于阻挡结构004远离多个像素单元002的一侧。
在本公开实施例中，封装膜层021可以包括：沿远离衬底基板001的方向层叠设置的第一膜层0211，第二膜层0212以及第三膜层0213。
可选的，该第一膜层0211和该第三膜层0213可以由无机材料制成，该第二膜层0212可以由有机材料制成。例如，该第一膜层0211和该第三膜层0213可以由SiNx、SiOx和SiOxNy等一种或多种无机氧化物制成。第二膜层0212可以由树脂材料制成。该树脂可以为热塑性树脂或热塑性树脂，热塑性树脂可以包括亚克力(PMMA)树脂，热固性树脂可以包括环氧树脂。
需要说明的是，该第二膜层0212可以位于阻挡结构004围成的区域内，第一膜层0211和第三膜层0213可以覆盖阻挡结构004围成的区域，且覆盖该阻挡结构004。即阻挡结构004在衬底基板001上的正投影，位于该封装膜层021覆盖的区域内，由此确保该封装膜层021对位于阻挡结构004围成的区域内的各个结构的有效封装。
在本公开实施例中，第二膜层0212可以采用喷墨打印(ink jet printing，IJP)的方法制作。第一膜层0211和第三膜层0213可以采用化学气相沉积(chemical vapordeposition，CVD)的方法制作。
图20是本公开实施例提供的再一种显示基板的结构示意图。参考图20可以看出，衬底基板001上可以依次设置有缓冲层022，半导体层023，栅极绝缘层024，栅极025，层间介电层026和源漏极层027，源漏极层027可以包括源极0271和漏极0272。源极0271和漏极0272彼此间隔并可分别通过过孔与半导体层023连接。沿源漏极层027远离衬底基板001的方向依次设置有钝化层009，第一平坦层028，第二平坦层029，以及发光元件。该发光元件可以包括依次层叠的阳极层030，发光层031以及阴极层006。该阳极层030可以通过过孔与漏极0272电连。其中，栅极025，源极0271和漏极0272构成一个晶体管，每个发光元件和其所连接的晶体管可以构成一个像素单元002。
参考图20可以看出，第一电源线003包括的第一金属层003a可以与源漏极层027同层设置。转接结构005可以与像素的阳极层030同层设置。该转接结构005可以包括三层膜层，例如，该三层膜层的材料可以依次为：氧化铟锡(indium tin oxide，ITO)，银(Ag)，以及ITO。
参考图19可以看出，多条第三电源线020中的至少一条第三电源线020在衬底基板001上的正投影，可以与第一电源线003在衬底基板上的正投影相邻。图21是本公开实施例提供的再一种显示基板的结构示意图。参考图21，多条第三电源线020在衬底基板001上的正投影，可以与转接结构005在衬底基板001上的正投影存在交叠区域。且在该交叠区域内，该多条第三电源线020与转接结构005之间可以设置有钝化层009。并且，该多条第三电源线020不与转接结构005接触。
综上所述，本公开实施例提供了一种显示基板，该显示基板包括衬底基板，多个像素单元，至少一条第一电源线，阻挡结构，转接结构，阴极层，以及第一有机图案。通过将靠近至少一条第一电源线中第一部分的第一连接处，与阻挡结构之间的间距设置的较大，可以减少该第一电源线的第一部分带入的水汽，通过阻挡结构中的亲水材料引入至多个像素单元，保证了显示基板的良率，从而确保显示基板的显示效果。
图22是本公开实施例提供的一种显示基板的制造方法的流程图。该方法可以用于制造上述实施例提供的显示基板。参考图22可以看出，该方法可以包括：
步骤101、提供一衬底基板。
步骤102、在该衬底基板上形成多个像素单元，至少一条第一电源线，阻挡结构，转接结构，第一有机图案，以及阴极层。
该至少一条第一电源线003包括第一部分0031和第二部分0032，该第一部分0031可以位于阻挡结构004远离多个像素单元002的一侧，用于接收电源信息后，该第二部分0032可以通过转接结构005与阴极层006连接。
该第二部分0032可以包括与转接结构005连接的第一连接处0032a和第二连接处0032b，该第一连接处0032a与阻挡结构004之间的间距大于第二连接处0032b与阻挡结构004之间的间距。
需要说明的是，在上述步骤102中，可以先在衬底基板001上形成至少一条第一电源线003，然后在该第一电源线003远离衬底基板001的一侧形成阻挡结构004和转接结构005。之后在该转接结构005远离衬底基板001的一侧形成第一有机图案007，最后在该第一有机图案007远离衬底基板001的一侧形成阴极层006。
其中，该至少一条第一电源线003可以与像素单元002中的薄膜晶体管的源漏极通过一次构图工艺形成，该阻挡结构004可以在平坦层，像素界定层以及支撑层的形成过程中形成。该第一有机图案005可以在该像素界定层的形成过程中形成。该转接结构005可以与像素单元002中的阳极层030通过一次构图工艺形成。
综上所述，本公开实施例提供了一种显示基板的制造方法，该方法可以包括在衬底基板上依次形成的多个像素单元，至少一条第一电源线，阻挡结构，转接结构，第一有机图案，以及阴极层。通过将靠近至少一条第一电源线中第一部分的第一连接处，与阻挡结构之间的间距设置的较大，可以减少该第一电源线的第一部分带入的水汽，通过阻挡结构中的亲水材料引入至多个像素单元，保证了显示基板的良率，从而确保显示基板的显示效果。
本公开实施例还提供了一种显示装置，该显示装置可以包括：上述实施例所述的显示基板。该显示装置可以为折叠显示装置，例如可以为：液晶面板、电子纸、有机发光二极管(organic light-emitting diode，OLED)面板、有源矩阵有机发光二极管(active-matrix organic light-emitting diode，AMOLED)面板、手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
以上所述仅为本申请的可选实施例，并不用以限制本申请，凡在本申请的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本申请的保护范围之内。

Claims (29)

1.一种显示基板，其特征在于，包括：
衬底基板；
多个像素单元，所述多个像素单元位于所述衬底基板上；
至少一条第一电源线，位于所述衬底基板上；
阻挡结构，所述阻挡结构围绕所述多个像素单元；
转接结构，包括相对的第一侧面以及第二侧面，所述第一侧面较所述第二侧面更靠近所述多个像素单元；
阴极层，位于所述转接结构远离所述衬底基板的一侧；
第一有机图案，位于所述转接结构远离所述衬底基板的一侧；
其中，所述至少一条第一电源线包括第一部分和第二部分，所述第一部分位于所述阻挡结构远离所述多个像素单元的一侧，用于接收电源信号，所述第二部分通过所述转接结构与所述阴极层连接；
所述第二部分包括与所述转接结构连接的第一连接处和第二连接处，所述第一连接处与所述阻挡结构之间的间距大于所述第二连接处与所述阻挡结构之间的间距，所述第一连接处相对于所述第二连接处更靠近所述第一部分，其中，所述第一连接处和所述第二连接处是所述第二部分中与所述转接结构接触的部分。
2.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板具有绑定区域，所述绑定区域位于所述阻挡结构远离所述多个像素单元的一侧；
所述第一连接处相对于所述第二连接处更靠近所述绑定区域。
3.根据权利要求1或2所述的显示基板，其特征在于，
所述转接结构在所述衬底基板上的正投影包括第一投影区域和第二投影区域，所述第一投影区域与所述阻挡结构在所述衬底基板上的正投影不重叠，所述第二投影区域与所述阻挡结构在所述衬底基板上的正投影包括相互重叠的第一重叠区域；
所述第一投影区域相对于所述第二投影区域靠近所述第一部分。
4.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述第一有机图案覆盖所述第二侧面的至少部分。
5.根据权利要求4所述的显示基板，所述第二侧面包括被所述第一有机图案和所述阻挡结构覆盖的部分。
6.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述转接结构为环绕所述多个像素单元的环状结构。
7.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板还包括：至少一条第二电源线；
所述至少一条第二电源线的一端位于所述阻挡结构远离所述多个像素单元的一侧，用于接收电源信号，另一端位于所述阻挡结构与所述多个像素单元之间，且通过所述转接结构与所述阴极层连接；
所述第一有机图案与所述至少一条第二电源线在所述衬底基板上的正投影包括相互重叠的第二重叠区域，所述第二重叠区域不与所述阻挡结构在所述衬底基板上的正投影重叠。
8.根据权利要求7所述的显示基板，其特征在于，
所述至少一条第二电源线的一端位于所述阻挡结构远离所述多个像素单元的一侧的中部。
9.根据权利要求7所述的显示基板，其特征在于，
所述第二重叠区域与所述阻挡结构在所述衬底基板上的正投影之间的间距大于间距阈值。
10.根据权利要求9所述的显示基板，其特征在于，
所述间距阈值的范围为80微米至150微米。
11.根据权利要求8至10任一所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板还具有：位于所述多个像素单元与所述阻挡结构之间的行驱动区域；
所述至少一条第二电源线在所述衬底基板上的正投影与所述行驱动区域之间的间距，大于所述至少一条第一电源线在所述衬底基板上的正投影与所述行驱动区域之间的间距。
12.根据权利要求1或2所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板还包括：
钝化层，覆盖所述至少一条第一电源线；
所述钝化层中还设置有开口，所述转接结构靠近所述衬底基板的一侧通过所述开口与所述至少一条第一电源线连接，所述转接结构远离所述衬底基板的一侧与所述阴极层连接。
13.根据权利要求1或2所述的显示基板，其特征在于，所述阻挡结构包括：第一阻挡坝和第二阻挡坝；
所述第一阻挡坝相对于所述第二阻挡坝远离所述多个像素单元，且所述第一阻挡坝的厚度大于所述第二阻挡坝的厚度；
所述第一阻挡坝包括：沿远离所述衬底基板的方向设置的第一平坦层图案，第二平坦层图案，以及第二有机图案；
所述第二阻挡坝包括：沿远离所述衬底基板的方向设置的第三平坦层图案，第三有机图案；
其中，所述第二平坦层图案和所述第三平坦层图案包括相同材料，所述第一有机图案，所述第二有机图案和所述第三有机图案包括相同材料。
14.根据权利要求1或2所述的显示基板，其特征在于，所述阻挡结构包括：第一阻挡坝和第二阻挡坝；
所述第一阻挡坝相对于所述第二阻挡坝远离所述多个像素单元，且所述第一阻挡坝的厚度大于所述第二阻挡坝的厚度；
所述第一阻挡坝包括：沿远离所述衬底基板的方向依次层叠设置的平坦层图案，以及第二有机图案；
所述第二阻挡坝包括：在所述衬底基板上设置的第三有机图案；
其中，所述第一有机图案，所述第二有机图案和所述第三有机图案包括相同材料。
15.根据权利要求13所述的显示基板，其特征在于，第一阻挡坝还包括：设置在所述第二有机图案远离所述衬底基板一侧的第四有机图案；
所述第二阻挡坝还包括：设置在所述第三有机图案远离所述衬底基板一侧的第五有机图案；
所述第四有机图案和所述第五有机图案采用包括材料。
16.根据权利要求1或2所述的显示基板，其特征在于，所述阻挡结构包括：第一阻挡坝和第二阻挡坝；
所述第一阻挡坝相对于所述第二阻挡坝远离所述多个像素单元，且所述第一阻挡坝的厚度大于所述第二阻挡坝的厚度；
所述第一有机图案包括与所述第二阻挡坝直接接触的部分。
17.根据权利要求16所述的显示基板，其特征在于，所述第一电源线包括：环绕所述多个像素单元所在区域的直边部分以及弧状部分；
所述第一有机图案中与所述第二阻挡坝直接接触的部分在所述衬底基板上的正投影，位于所述弧状部分在所述衬底基板上的正投影内。
18.根据权利要求17所述的显示基板，其特征在于，所述第一电源线的第二部分包括：环绕所述多个像素单元所在区域的直边部分以及弧状部分。
19.根据权利要求13所述的显示基板，其特征在于，所述第一阻挡坝为第一环形，所述第二阻挡坝为第二环形；
所述第一有机图案，与所述第三有机图案中的部分图案围成第三环形，所述第三环形在所述衬底基板上的正投影，位于所述第二环形在所述衬底基板上的正投影内，所述第二环形在所述衬底基板上的正投影，位于所述第一环形在所述衬底基板上的正投影内；
其中，所述第三环形围绕所述多个像素单元。
20.根据权利要求1或2所述的显示基板，其特征在于，所述至少一条第一电源线包括：第一金属层；所述显示基板还包括：位于所述第一金属层远离所述衬底基板的一侧的辅助金属层；
所述辅助金属层远离所述第一金属层的一侧与所述转接结构接触。
21.根据权利要求20所述的显示基板，其特征在于，
所述显示基板中的所述第一金属层，钝化层，第一平坦层图案，所述辅助金属层，第二平坦层图案，以及所述第一有机图案沿远离所述衬底基板的方向层叠设置。
22.根据权利要求1或2所述的显示基板，其特征在于，所述至少一条第一电源线包括：沿远离所述衬底基板的方向设置的第一金属层和第二金属层；
所述第二金属层远离所述第一金属层的一侧与所述转接结构接触。
23.根据权利要求22所述的显示基板，其特征在于，
所述显示基板中的所述第一金属层，第一平坦层图案，所述第二金属层，钝化层，第二平坦层图案，以及所述第一有机图案沿远离所述衬底基板的方向层叠设置。
24.根据权利要求1或2所述的显示基板，其特征在于，所述至少一条第一电源线的第一部分位于所述阻挡结构远离所述多个像素单元的一端的侧面形成有多个齿状的凸起结构。
25.根据权利要求24所述的显示基板，其特征在于，所述凸起结构在所述衬底基板上的正投影，与所述阻挡结构在所述衬底基板上的正投影不重叠。
26.根据权利要求1或2所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板还包括：封装膜层；
所述封装膜层位于所述第一电源线远离所述衬底基板的一侧，所述封装膜层覆盖所述阻挡结构围成的区域。
27.根据权利要求1或2所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板还包括：多条第三电源线，位于所述衬底基板上；
所述多条第三电源线与所述像素单元中的晶体管电连。
28.根据权利要求27所述的显示基板，其特征在于，
所述多条第三电源线中的至少一条所述第三电源线在所述衬底基板上的正投影，与所述第一电源线在衬底基板上的正投影相邻；
所述多条第三电源线在所述衬底基板上的正投影，与所述转接结构在所述衬底基板上的正投影存在交叠区域，且在所述交叠区域内，所述多条第三电源线与所述转接结构之间设置有钝化层。
29.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括：权利要求1至28任一所述的显示基板。
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