CN117998921A - 一种显示面板及其制备方法、显示装置 - Google Patents

Abstract

本公开提供一种显示面板及其制备方法、显示装置，显示面板包括基底以及位于基底一侧的转接结构，转接结构包括第一导电层、绝缘介质层和第二导电层，第一导电层位于基底的一侧，第一导电层包括第一凸起部；绝缘介质层位于第一导电层背离基底的一侧，绝缘介质层的材料包括有机材料，绝缘介质层设置有过孔，过孔在基底上的正投影与第一凸起部在基底上的正投影至少部分交叠；第二导电层位于绝缘介质层背离基底的一侧，第二导电层通过过孔与第一导电层搭接。本公开实施例的显示面板可以减小过孔材料残留风险，提高工艺余量。

Description

一种显示面板及其制备方法、显示装置

技术领域

本公开涉及显示装置技术领域，尤其涉及一种显示面板及其制备方法、显示装置。

背景技术

有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode，OLED)显示面板具有高响应、高对比度、可柔性化等优点，在手机、平板、电视等显示领域已经有了广泛的应用。OLED显示器件具有全固态结构、高亮度、全视角、响应速度快、可柔性显示等优点，已经成为极具竞争力的发展前景的下一代显示技术。

目前，OLED显示器件包括多层膜层，例如OLED显示器件包括第一导电层和第二导电层，第一导电层和第二导电层之间设置有机材料的绝缘介质层。绝缘介质层上设置过孔将第一导电层和第二导电层桥接，形成过孔过程可能会存在材料残留(Remain)的情况。

发明内容

本公开实施例提供一种显示面板及其制备方法、显示装置，以解决或缓解现有技术中的一项或更多项技术问题。

作为本公开实施例的第一方面，本公开实施例提供一种显示面板，包括：

基底；

位于基底一侧的转接结构，转接结构包括第一导电层、绝缘介质层和第二导电层，第一导电层位于基底的一侧，第一导电层包括第一凸起部；绝缘介质层位于第一导电层背离基底的一侧，绝缘介质层的材料包括有机材料，绝缘介质层设置有过孔，过孔在基底上的正投影与第一凸起部在基底上的正投影至少部分交叠；第二导电层位于绝缘介质层背离基底的一侧，第二导电层通过过孔与第一导电层搭接。

在一些可能的实现方式中，有机材料包括负性有机材料。

在一些可能的实现方式中，显示面板还包括第一有机缓冲层，第一有机缓冲层位于基底和第一导电层之间，第一有机缓冲层包括第二凸起部，第二凸起部在基底上的正投影位于第一导电层在基底上的正投影内，第一导电层的位于第二凸起部上的部分形成第一凸起部。

在一些可能的实现方式中，第一凸起部的凸起表面自边缘朝向中部与基底之间的距离逐渐增大，第一凸起部的凸起顶端在基底上的正投影位于过孔在基底上的正投影内。

在一些可能的实现方式中，包括基板以及位于基板一侧的触控结构层，基板包括基底，触控结构层包括第一触控导电层、第二触控导电层以及位于第一触控导电层和第二触控导电层之间的第一有机绝缘层，第一触控导电层包括沿第一方向排布的多个第一触控电极，第二触控导电层包括触控桥接线，转接结构包括第一转接结构，相邻的两个第一触控电极分别通过第一转接结构与触控桥接线连接；

第一触控电极与第一转接结构中的第一导电层同层设置且相互连接，触控桥接线与第一转接结构中的第二导电层同层设置且相互连接，第一转接结构中的绝缘介质层与第一有机绝缘层同层设置；或者，第一触控电极与第一转接结构中的第二导电层同层设置且相互连接，触控桥接线与第一转接结构中的第一导电层同层设置且相互连接，第一转接结构中的绝缘介质层与第一有机绝缘层同层设置。

在一些可能的实现方式中，显示面板还包括触控信号线，触控信号线包括第一触控部分和第二触控部分，第一触控部分位于第一触控导电层，第二触控部分位于第二触控导电层，转接结构包括第二转接结构，第一触控部分通过第二转接结构与第二触控部分连接；

第一触控部分与第二转接结构中的第一导电层同层设置且相互连接，第二触控部分与第二转接结构中的第二导电层同层设置且相互连接，第二转接结构中的绝缘介质层与第一有机绝缘层同层设置。

在一些可能的实现方式中，显示面板还包括触控信号线，触控信号线包括第一触控部分和第二触控部分，第一触控部分位于第一触控导电层，第二触控部分位于第二触控导电层，转接结构包括第二转接结构，第一触控部分通过第二转接结构与第二触控部分连接；

第一触控部分与第二转接结构中的第一导电层同层设置且相互连接，第二触控部分与第二转接结构中的第二导电层同层设置且相互连接，第二转接结构中的绝缘介质层与第一有机绝缘层同层设置。

在一些可能的实现方式中，显示面板为柔性显示面板，显示面板包括显示区、外围区以及弯折区，外围区围绕显示区的四周设置，弯折区位于外围区远离显示区的一侧且被配置为围绕弯曲轴弯曲，显示面板包括位于外围区和弯折区之间的第一边缘，转接结构还包括第三转接结构，显示面板还包括与第一触控电极连接的触控信号线，触控信号线从显示区引出并沿垂直于弯曲轴的方向延伸至外围区；

基板还包括层叠位于基底一侧的源漏导电层和第二有机绝缘层，触控信号线与源漏导电层通过第三转接结构连接，第三转接结构的过孔位于第一边缘处；

触控信号线与第三转接结构中的第二导电层同层设置且相互连接，源漏导电层与第三转接结构中的第一导电层同层设置且相互连接，第三转接结构中的绝缘介质层与第二有机绝缘层同层设置。

在一些可能的实现方式中，基板还包括第二有机缓冲层，第二有机缓冲层位于基底和源漏导电层之间，第二有机缓冲层包括第三凸起部，第三凸起部在基底上的正投影位于源漏导电层在基底上的正投影内，源漏导电层位于第三凸起部上的部分形成第三转接结构的第一凸起部；或者

第二有机缓冲层的靠近基底的一侧设置有垫块，垫块在基底上的正投影位于第三转接结构的第一凸起部在基底的正投影内。

在一些可能的实现方式中，显示面板还包括焊盘区，弯折区位于外围区和焊盘区之间，焊盘区包括焊盘部，焊盘部包括位于第一触控导电层的第一绑定子焊盘和位于第二触控导电层的第二绑定子焊盘；显示面板包括位于焊盘区和弯折区之间的第二边缘，转接结构还包括第四转接结构；

焊盘部与源漏导电层通过第四转接结构连接，第四转接结构的过孔位于第二边缘处；焊盘部与第四转接结构中的第二导电层同层设置且相互连接，源漏导电层与第四转接结构中的第一导电层同层设置且相互连接，第四转接结构中的绝缘介质层与第二有机绝缘层同层设置。

在一些可能的实现方式中，基板还包括第二有机缓冲层，第二有机缓冲层位于基底和源漏导电层之间，第二有机缓冲层包括第四凸起部，第四凸起部在基底上的正投影位于源漏导电层在基底上的正投影内，源漏导电层位于第四凸起部上的部分形成第四转接结构的第一凸起部；或者

第二有机缓冲层的靠近基底的一侧设置有垫块，垫块在基底上的正投影位于第四转接结构的第一凸起部在基底的正投影内。

作为本公开实施例的第二方面，本公开实施例提供一种显示面板的制备方法，包括：

在基底的一侧形成转接结构，转接结构第一导电层、绝缘介质层和第二导电层，第一导电层位于基底的一侧，第一导电层包括第一凸起部；绝缘介质层位于第一导电层背离基底的一侧，绝缘介质层的材料包括有机材料，绝缘介质层设置有过孔，过孔在基底上的正投影与第一凸起部在基底上的正投影至少部分交叠；第二导电层位于绝缘介质层背离基底的一侧，第二导电层通过过孔与第一导电层搭接。

作为本公开实施例的第三方面，本公开实施例提供一种显示装置，包括本公开任一项实施例所述的显示面板。

本公开实施例的技术方案可以得到如下有益效果：本公开实施例的显示面板可以减小过孔材料残留风险，提高工艺余量。

上述概述仅仅是为了说明书的目的，并不意图以任何方式进行限制。除上述描述的示意性的方面、实施方式和特征之外，通过参考附图和以下的详细描述，本公开进一步的方面、实施方式和特征将会是容易明白的。

附图说明

在附图中，除非另外规定，否则贯穿多个附图相同的附图标记表示相同或相似的部件或元素。这些附图不一定是按照比例绘制的。应该理解，这些附图仅描绘了根据本公开的一些实施方式，而不应将其视为是对本公开范围的限制。

图1为相关技术中显示面板的截面示意图；

图2a为一种有机FMLOC膜层过孔结构结构示意图；

图2b为一种有机FMLOC膜层过孔结构结构示意图；

图3a为一种显示面板的套孔材料残留结构示意图；

图3b为相关技术中显示面板的套孔材料残留机理示意图；

图4a为本公开一实施例中显示面板的截面示意图；

图4b为本公开实施例的显示面板的截面示意图；

图5a为本公开实施例的显示面板平面示意图；

图5b为本公开实施例的显示面板显示区截面示意图；

图5c为本公开实施例的显示面板外围区、弯折区以及焊盘区截面示意图；

图6a为本公开实施例的显示面板的截面示意图；

图6b为本公开实施例的显示面板的截面示意图；

图7a为相关技术的显示面板的平面示意图；

图7b为相关技术的显示面板的截面位置示意图；

图8为本公开实施例的显示面板的截面示意图；

图9为本公开实施例的方形凸起效果示意图

图10a为本公开实施例的显示面板的截面示意图；

图10b为本公开实施例的显示面板的截面示意图；

图10c为本公开实施例的显示面板的截面示意图；

图10d为本公开实施例的显示面板的截面示意图。

具体实施方式

在下文中，仅简单地描述了某些示例性实施例。正如本领域技术人员可认识到的那样，在不脱离本公开的精神或范围的情况下，可通过各种不同方式修改所描述的实施例。因此，附图和描述被认为本质上是示例性的而非限制性的。

图1为相关技术中显示面板的截面示意图。参照图1所示，相关技术的显示面板包括基底1以及位于基底1一侧的转接结构2。转接结构2包括第一导电层201、绝缘介质层202和第二导电层203。第一导电层201位于基底1的一侧，绝缘介质层202位于第一导电层201背离基底1的一侧，绝缘介质层202的材料包括有机材料，绝缘介质层202设置有过孔K1。第二导电层203位于绝缘介质层202背离基底1的一侧，第二导电层203通过过孔K1与第一导电层201搭接。

相关技术中，过孔K1的结构在经过曝光显影等图案化工艺后，过孔K1位置的材料难以刻蚀完全，因此所形成的过孔内会形成材料残留，进而导致相关技术中的第二导电层203在过孔K1处遇到残留材料的阻挡，不能与第一导电层201较好连接。例如，当需求把过孔K1做小的时候，材料残留情况严重，导致第一导电层201和第二导电层203不能形成较好连接，甚至发生断路。

示例性地，绝缘介质层202的材料可以为负性有机材料，例如，绝缘介质层202的材料为负性有机胶。由于负性有机胶的解析力较小，而且过孔K1在基底1上的正投影位于第一导电层201在基底1上的正投影内，第一导电层201为金属材料，第一导电层201会反射光线。在对负性有机胶进行曝光时，反射光等部分光会导致过孔K1内的负性有机胶出现交联反应，从而导致过孔K1出现材料残留的情况。特别是当需求把过孔K1做小时，材料残留的情况严重。

在一个实施例中，目前采用柔性多层一体化集成触控技术(Flexible MultiLayer On Cell，FMLOC)以满足产品轻薄化和折叠需求。采用FMLOC技术的显示装置在设计时，FMLOC膜层直接制作在叠设的发光结构层和封装层上。图2a为一种有机FMLOC膜层过孔结构结构示意图。参照图2a所示，有机FMLOC膜层包括层叠设置的第一触控电极层(Metal1)、触控绝缘层204以及第二触控电极层(Metal2)。触控绝缘层204采用负性有机胶作为第一触控电极层和第二触控电极层之间的介质层，需要在负性有机胶上面开孔以实现桥接。但是由于负性有机胶解析力较低，例如对于2μm厚度的负性有机胶，解析力大于7μm，以及由于过孔K1位置的底部为金属层，在曝光时金属表面会有微弱的光反应，导致负性有机胶出现交联反应，从而导致过孔K1出现材料残留的情况。

图2b为一种有机FMLOC膜层过孔结构结构示意图。如图2b所示，图2b所示的过孔K1的尺寸小于图2a所示的过孔K1的尺寸，比较图2a和图2b，过孔K1尺寸越小，材料残留的情况越严重，影响第一触控电极层和第二触控电极层连接的可靠性。

图3a为一种显示面板的套孔材料残留结构示意图，图3b为相关技术的显示面板的套孔材料残留机理示意图。参照图3a和图3b所示，显示面板还包括第三导电层205，第三导电层205与第二导电层203之间有有机绝缘层206，第一导电层201和第二导电层202通过第一过孔搭接，第二导电层203和第三导电层205通过第二过孔搭接。如图3b所示，由于在曝光显影形成第二过孔时，通过掩模版遮掩区域为无光照区域，负性有机胶正常可以显影去除。由于第二导电层203反射光与负性有机胶发生交联反应导致负性有机胶发生材料残留的情况，从而使得过孔不满足工艺要求。

为了解决相关技术中显示面板转接结构的过孔位置存在材料残留的问题，本公开实施例提供了一种显示面板。下面结合附图对显示面板的技术方案进行说明。

图4a为本公开一实施例中显示面板的截面示意图。参照图4a所示，显示面板包括基底10以及位于基底10一侧的转接结构20。转接结构20包括第一导电层21、绝缘介质层22和第二导电层23，第一导电层21位于基底10的一侧，第一导电层21包括第一凸起部211。绝缘介质层22位于第一导电层21背离基底10的一侧，绝缘介质层22的材料包括有机材料。绝缘介质层22设置有过孔221，过孔221在基底10上的正投影与第一凸起部211在基底10上的正投影至少部分交叠。第二导电层23位于绝缘介质层22背离基底10的一侧，第二导电层23通过过孔221与第一导电层21搭接。

需要说明的是，过孔221在基底10上的正投影与第一凸起部211在基底10上的正投影至少部分交叠。示例性地，过孔221在基底10上的正投影可以完全位于第一凸起部211在基底10上的正投影内，或者过孔221在基底10上的正投影可以部分与第一凸起部211在基底10上的正投影交叠。

需要说明的是，本公开实施例通过在开孔区域提前设置第一凸起部211，使得过孔区域的绝缘介质层22变薄，因此，第一凸起部211的凸起表面为大致平坦或者第一凸起部211的凸起厚度均匀设置，这样形成在第一凸起部211上的绝缘介质层在形成过孔时可以避免厚度不均匀导致部分区域过刻或者部分区域未贯通。例如，第一凸起部211的凸起表面可以为平面或者弧度较小的弧形面。

相关技术中，显示面板的过孔K1的结构在经过曝光显影等图案化工艺后，过孔K1位置的材料由于受解析力制约和交联反应原因，曝光显影后形成的过孔K1内会形成材料残留，进而导致相关技术中的第二导电层203在过孔K1处遇到残留材料的阻挡，不能与第一导电层201较好连接，导致第一导电层201和第二导电层203之间产生连接缺陷，例如第一导电层201和第二导电层203连接不良甚至产生断路。而本公开实施例图4a所示的显示面板，通过在第一导电层21设置第一凸起部211，过孔221在基底10上的正投影与第一凸起部211在基底10上的正投影至少部分交叠。相对于图1所示的显示面板，在过孔221位置的第一导电层21凸起设置，从而使得过孔区域的绝缘介质层22变薄更容易被曝光显影去除，而且凸起位置的第一导电层21受光会下降，从而减小材料残留(Remain)风险，提高过孔工艺余量(Margin)。

本公开实施例的显示面板，第一导电层21位于基底10的一侧，第一导电层21包括第一凸起部211，绝缘介质层22位于第一导电层21背离基底10的一侧，绝缘介质层22的材料包括有机材料。绝缘介质层22设置有过孔221，过孔221在基底10上的正投影与第一凸起部211在基底10上的正投影至少部分交叠，也就是说，过孔221至少通过部分去除位于第一凸起部211上的绝缘介质层22形成。第二导电层23通过过孔221与第一导电层21搭接，在第一导电层21提前形成第一凸起部211，可以使得过孔区域的绝缘介质层22变薄更容易被曝光显影去除，减小材料残留风险，提高过孔工艺余量，提高转接结构20的精度，避免在过孔221内残留材料，而造成第一导电层21和第二导电层23连接不良的问题。

示例性地，基底10可以为柔性基底，例如基底10的材料可以为聚酰亚胺，或者，基底10还可以为硬质基板，例如基底10的材料可以为玻璃。

在一种实施例中，本公开实施例的显示面板可以为主动发光型显示面板，例如显示面板可以为有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode，OLED)显示面板，主动矩阵有机发光二极管(Active-Matrix Organic Light Emitting Diode，AMOLED)显示面板或者被动矩阵有机发光二极管(Passive Matrix OLED)显示面板。

示例性地，第一导电层21和第二导电层23可以为金属材料，例如第一导电层21和第二导电层23地材料可以为金、铝或者铜等材料，或者第一导电层21和第二导电层23还可以为金属氧化物，第一导电层21和第二导电层23的具体材在此不做限定，可以根据实际使用需求进行选择。

在一种实施例中，有机材料包括负性有机材料。示例性地，绝缘介质层22的材料为负性光刻胶。负性光刻胶在显影后保留下来。在相关技术中，在负性光刻胶上形成过孔时，由于负性有机胶解析力较低，以及由于过孔位置的基底为金属，在曝光时金属表面会有微弱的光反应，导致负性光刻胶出现交联反应，出现材料残留情况。特别是当需求把过孔做小时，材料残留的情况会更加严重。而本公开实施例的显示面板针对负性有机胶解析力局限性以及负性有机胶受微弱反射光出现交联反应导致材料残留的问题，通过在过孔区域位置的第一导电层21上形成一个第一凸起部211，可以使绝缘介质层22形成在第一导电层21上后，利用负性光刻胶具有流动性的特点，使得过孔区域的负性光刻胶层相对于相关技术中平坦设置的第一导电层21变薄更容易被显影去除。而且，第一凸起部211位置的受光会下降，减小材料残留风险，从结构上提高了过孔221的工艺设计余量，提高转接结构20的精度。

参照图4a所示，在一种实施例中，显示面板还包括第一有机缓冲层30，第一有机缓冲层30位于基底10和第一导电层21之间。第一有机缓冲层30包括第二凸起部31，第二凸起部31在基底10上的正投影位于第一导电层21在基底10上的正投影内，第一导电层21的位于第二凸起部31上的部分形成第一凸起部211。

示例性地，第二凸起部31在基底10上的正投影位于第一导电层21在基底10上的正投影内，可以理解为，第一导电层21覆盖在第二凸起部31的背离基底10的一侧。第一有机缓冲层30位于第一导电层21和基底10之间，第一有机缓冲层30为有机材料，例如第一有机缓冲层30可以采用有机光刻胶，第一有机缓冲层30的材料可以与绝缘介质层22的材料相同或者不同。本公开实施例通过第一有机缓冲层30上形成第二凸起部31，再将第一导电层21形成在第一有机缓冲层30后，使得第一导电层21位于第二凸起部31上的部分形成第一凸起部211，方便第一凸起部211的形成。

需要说明的是，第一凸起部211可以采用掩膜，例如Halftone mask在第一导电层21上直接形成，或者第一凸起部211可以提前设置凸起或垫块，第一导电层211形成在凸起或垫块上后形成第一凸起部211，第一凸起部211的形成方式在此不做限定。

图4b为本公开实施例的显示面板的截面示意图。参照图4b所示，在一种实施例中，第一凸起部211的凸起表面自边缘朝向中部与基底10之间的距离逐渐增大，第一凸起部211的凸起顶端在基底10上的正投影位于过孔221在基底10上的正投影内。如图4b所示，示例性地，第一凸起部211的凸起表面自边缘朝向中部与基底10之间的距离逐渐增大。第一凸起部211的截面为椭圆弧形或者第一凸起部211还可以为梯形。

示例性地，第一凸起部211的凸起表面还可以为平面，第一凸起部211的凸起表面的具体形状在此不做限定。

示例性地，第一凸起部211的凸起顶端在基底10上的正投影位于过孔221在基底10上的正投影内，第一凸起部211的背离基底10的一侧表面的凸起顶端在过孔221里，这样即可以实现凸起的效果，可以确保第一凸起部211上覆盖的绝缘介质层的厚度可以变薄，从而曝光显影后可以更容易显影去除。

在一个实施例中，过孔221的平面形状可以为圆形或者方形，或者过孔221的平面形状还可以为椭圆形、多边形或其它不规则形状，过孔221的形状在此不做限定。示例性地，过孔221为圆形孔或者方形孔，过孔221的孔径大于2.26μm。本公开实施例可以保证过孔221的最小工艺尺寸为2.26μm，大大提高了过孔221的工艺余量。

在相关技术中，第一导电层21和第二导电层23之间的绝缘介质层22可以采用无机材料制作，例如氮化硅，过孔221的孔径可以保证2.5μm的最小设计值，刻蚀后的过孔的孔径在4μm左右，常规的过孔一般在5μm左右。第一导电层21和第二导电层23之间的绝缘介质层22采用有机材料，例如绝缘介质层22采用负性有机胶后，受负性有机胶自身解析力的限制以及产品对绝缘介质层22的厚度需求(绝缘介质层22的的厚度一般为1.5μm-2μm)，过孔的孔径只能够保证8μm的工艺。

参照图4b所示，过孔221的孔径为d，d的范围大于2.26μm。相关技术的过孔221的尺寸过小可能导致材料残留从而影响第一导电层21和第二导电层23连接的可靠性。本公开实施例的显示面板通过在第一导电层21设置第一凸起部221，第一凸起部211的凸起顶端在基底10上的正投影位于过孔221在基底10上的正投影内，位于凸起顶端的负性光刻胶的厚度为1μm(曝光解析力大于2μm)，这样当第一有机缓冲层30采用负性光刻胶对位绝缘介质层，考虑±0.8μm的交叠偏移(overlay)以及0.8的尺寸调节范围(CD range)，过孔221的最小孔径可以做到2.26μm，而且还可以避免过孔内材料残留。

本公开实施例的显示面板，通过在第一导电层21设置第一凸起部211，绝缘介质层22采用负性光刻胶，第一凸起部211凸起顶端在绝缘介质层22的过孔里，过孔221的孔径大于2.26μm即可，提高了过孔的工艺余量。

在一种实施例中，第一凸起部211在垂直于基底10方向的尺寸小于4.4μm。示例性地，第一凸起部211在垂直于基底10方向的尺寸为h，第一凸起部211在垂直于基底10方向的尺寸可以理解为第一凸起部211的凸起顶端与基底10之间的距离，或者第一凸起部211的凸起表面与基底10之间的平均距离。

本公开实施例的显示面板的第一凸起部211的高度受第一导电层和绝缘介质层工艺影响，由于第一凸起部211的顶部的绝缘介质层变薄，再进行刻蚀工艺时如果绝缘介质层过薄会出现作为搭接层的第一导电层被刻蚀的风险。从而，本公开实施例通过将第一凸起部211在垂直于基底10方向的尺寸h设置小于4.4μm，这样可以避免第一导电层21被刻蚀的风险。

图5a为本公开实施例的显示面板平面示意图，图5b为本公开实施例的显示面板的截面示意图，图5c为本公开实施例的显示面板的截面示意图，图6a为本公开实施例的显示面板的截面示意图。图6a可以为图5a的部分截面放大示意图。参照图5a、图5b以及图6a所示，在一种实施例中，显示面板包括基板40以及位于基板40一侧的触控结构层50。基板40包括基底10，触控结构层50包括第一触控导电层51、第二触控导电层52以及位于第一触控导电层51和第二触控导电层52之间的第一有机绝缘层53。第一触控导电层51包括沿第一方向排布的多个第一触控电极511，第二触控导电层52包括触控桥接线521，转接结构20包括第一转接结构20a，相邻的两个第一触控电极511分别通过第一转接结构20a与触控桥接线521连接。

示例性地，第一有机绝缘层53的材料与第一转接结构20a的绝缘介质层22的材料相同，例如第一有机绝缘层53可以采用负性光刻胶。显示面板包括触控显示区AA，第一触控导电层51包括多个第一触控电极511，第一触控电极511位于触控显示区AA，第一触控电极511包括触控发射电极和触控接收电极，多个触控发射电极构成沿x方向的第一触控电极线，多个触控接收电极构成沿y方向延伸的第二触控电极线，多个第一触控电极线和多个第二触控电极线彼此交叉，由此在第一触控电极线和第二触控电极线交叉位置形成交叉电容，触控发射电极和触控接收电极在交接位置处需要通过第一转接结构20a与触控桥接线521连接。通过在检测触控时，由于例如手指靠近而导致触控电容变化而实现触控位置的检测。

参照图5b所示，示例性地，基底10可以由柔性的有机材料制成，例如聚酰亚胺或者聚碳酸酯等树脂类材料。基板40还包括包括第一阻挡层BRL、缓冲层BFL、有源层60、栅绝缘层GI、栅电极层70、层间绝缘层ILD、第一源漏导电层SD1、第一平坦化层PLN1、第二源漏导电层SD2、第二平坦化层PLN2、像素定义层PLD、有机发光二极管80、封装层EPL、有机缓冲层90、触控结构层50以及覆盖层OC。第一阻挡层BRL1设置在基底10的一侧，第一阻挡层BRL1可以阻挡湿气和/或氧渗透穿过基底10，第一阻挡层BRL1为氧化硅或者氮化硅等无机材料。缓冲层BFL设置在第一阻挡层BRL1背离基底10的一侧，缓冲层BFL可以防止或减少金属原子和/或杂质从基底扩散到半导体层中。缓冲层BFL可以包括氮化硅或者氧化硅等无机材料。

参照图5b所示，有源层60设置在缓冲层BFL背离基底的一侧，有源层60可以包括无机半导体材料、有机半导体材料、氧化物半导体材料，有源层60可以包括半导体层，半导体层可以包括与栅电极叠置的沟道区以及分别设置在沟道区两侧的源区和漏区。栅绝缘层GI设置在有源层上，栅绝缘层GI可以覆盖有源层60，栅绝缘层GI可以包括硅化合物或者金属氧化物。

参照图5b所示，栅电极层70设置在栅绝缘层GI上，栅电极层70可以包括位于显示区的栅电极、显示区的存储电容极板以及数据连接线等。栅电极层70可以包括金属、金属合金等材料。层间绝缘层ILD设置在栅电极层70上，层间绝缘层ILD覆盖栅电极层。第一源漏导电层SD1设置在层间绝缘层ILD背离基底的一侧，第一源漏导电层SD1包括位于显示区内的源电极和漏电极。第一源漏导电层SD1可以包括金属、合金以及导电金属氧化物。

参照图5b所示，第一平坦化层PLN1设置在第一源漏导电层SD1背离基底10的一侧，第一平坦化层PLN1可以包括有机绝缘材料，例如聚酰亚胺或者环氧树脂等材料。第二源漏导电层SD2设置在第一平坦化层PLN1背离基底10的一侧，第二源漏导电层SD2可以包括位于显示区的转接电极，转接电极可以通过形成在第一平坦化层PLN1上的接触孔与漏电极连接。第二源漏导电层还可以包括位于弯折区的第二源漏导图案分别与触控信号线和焊盘部换层连接。

参照图5b所示，有机发光二极管80可以包括第一电极81、有机发光层82和第二电极83。第一电极81设置在第二平坦化层PLN2背离基底10的一侧，第一电极81通过第二平坦化层PLN2中的接触孔与转接电极连接，从而与薄膜晶体管的漏电极连接。第一电极81可以包括金属、金属合金等导电材料。像素定义层PDL设置在第二平坦化层PLN2背离基底的一侧，像素定义层PEL包括位于显示区的开口以暴露第一电极81的一部分。有机发光层82可以包括小分子有机材料或聚合物分子有机材料，可以发红光、蓝光、绿光或者白光。有机发光层82可以包括空穴注入层、空穴传输层、电子注入层以及电子传输层。第二电极82位于有机发光层背离基底的一侧，第二电极83可以包括导电材料。

参照图5b所示，封装层EPL设置在像素定义层PDL背离基底10的一侧，封装层EPL可以覆盖有机发光二极管以及像素定义层的开口以密封有机发光二极管，从而可以减少或防止水汽或氧气导致有机发光二极管劣化。封装层EPL可以为单层结构或者多层结构。例如，封装层EPL可以包括依次设置的第一无机封装层EPL1、有机封装层EPL2以及第二无机封装层EPL3。

参照图5b所示，有机缓冲层位于封装层EPL背离基底的一侧，有机缓冲层设置有凸起部，第二触控导电层52位于有机缓冲层背离基底的一侧，第二触控导电层52覆盖在有机缓冲层的凸起部上，第二触控导电层包括触控桥接线521，第一有机绝缘层53位于第二触控导电层52背离基底10的一侧，第一触控导电层51位于第一有机绝缘层53背离基底10的一侧，第一触控导电层51包括多个第一触控电极511，第一触控电极511通过第一转接结构20a与触控桥接线521连接。

参照图5b所示，显示面板还包括覆盖层OC，覆盖层OC位于第一触控导电层51背离基底10的一侧，覆盖层OC的材料可以包括无机绝缘材料或者有机绝缘材料。

参照图6a所示，在一种实施例中，第一触控电极511与第一转接结构20a中的第一导电层21同层设置且相互连接，触控桥接线521与第一转接结构20a中的第二导电层23同层设置且相互连接，第一转接结构20a中的绝缘介质层22与第一有机绝缘层53同层设置。需要说明的是，A与B同层设置，可以理解为A与B通过一次图案化工艺形成，或者A与B位于基底的同一膜层上。

图6b为本公开实施例的显示面板的截面示意图。参照图6b所示，在一种实施例中，第一触控电极511与第一转接结构20a中的第二导电层23同层设置且相互连接，触控桥接线521与第一转接结构20a中的第一导电层21同层设置且相互连接，第一转接结构20a中的绝缘介质层22与第一有机绝缘层53同层设置。需要说明的是，A与B同层设置，可以理解为A与B通过一次图案化工艺形成，或者A与B位于基底的同一膜层上。

图7a为相关技术的显示面板的平面示意图，图7b为相关技术的显示面板的截面位置示意图。参照图7a和图7b所示，相关技术的第一触控电极511(Metal2)需要通过打孔从触控桥接线521(Metal1)走线，由于相关技术的过孔容易存在材料残留的问题，导致第一触控电极511和触控桥接线521之间产生连接缺陷。而图6a和图6b所示的显示面板，通过将相邻的两个第一触控电极511分别通过第一转接结构20a与触控桥接线521连接，减小材料残留风险，提高过孔工艺余量，避免第一触控电极511和触控桥接线521连接不良。

图8为本公开实施例的显示面板的截面示意图，图9为本公开实施例的方形凸起效果示意图。参照图8和图9所示，在一种实施例中，显示面板还包括触控信号线TR，触控信号线TR包括位于第一触控导电层51的第一触控部分512，触控信号线TR还包括位于第二触控导电层52的第二触控部分522。转接结构20包括第二转接结构20b，第一触控部分512通过第二转接结构20b与第二触控部分522连接。

示例性地，第一触控电极511的触控发射电极通过第一子触控信号线电连接，触发接收电极通过第二子触控信号线电连接，由每个第一触控电极产生的触控信号可以通过触控信号线传输至焊盘区，再通过焊盘区的子焊盘与外部的控制模块(IC)电连接。触控信号线采用第一触控部分512和第二触控部分522双层布线，并且第一触控部分512和第二触控部分522通过第二转接结构20b搭接连接，这样可以减小触控信号线的电阻。

参照图8所示，第一触控部分512与第二转接结构20b中的第一导电层21同层设置且相互连接，第二触控部分522与第二转接结构20b中的第二导电层23同层设置且相互连接，第二转接结构20b中的绝缘介质层22与第一有机绝缘层53同层设置。需要说明的是，A与B同层设置，可以理解为A与B通过一次图案化工艺形成，或者A与B位于基底的同一膜层上。

参照图9所示，示例性地，第二转接结构20b的第一凸起部211可以采用方形凸起，第二转接结构20b的过孔为方形孔。图8所示的显示面板通过将第一触控部分512和第二触控部分522通过第二转接结构20b连接，减小过孔材料残留风险，提高过孔工艺余量，第一触控部分512和第二触控部分522并联，可以减小触控信号线的电阻。

图10a为本公开实施例的显示面板的截面示意图。参照图5a、图5c和图10a所示，在一种实施例中，显示面板为柔性显示面板，显示面板包括显示区AA、外围区PA以及弯折区BA，外围区PA围绕显示区AA的四周设置，弯折区BA位于外围区PA远离显示区AA的一侧且被配置为围绕弯曲轴BX弯折，显示面板包括位于外围区PA和弯折区BA之间的第一边缘E1。转接结构20还包括第三转接结构20c，显示面板还包括与第一触控电极连接的触控信号线TR，触控信号线TR从显示区AA引出并沿垂直于弯曲轴BX的方向延伸至外围区PA。基板40还包括层叠位于基底10一侧的源漏导电层41和第二有机绝缘层42，触控信号线TR与源漏导电层41通过第三转接结构40c连接，第三转接结构40c的过孔221位于第一边缘E1处，第三转接结构40c位于外围区PA内。

示例性地，基底10可以由柔性的有机材料制成，例如基底10可以是聚酰亚胺、聚碳酸酯、聚丙烯酸酯等树脂类材料。

示例性地，第二有机绝缘层42的材料与转接结构中的绝缘介质层的材料相同。例如，第二有机绝缘层42的材料可以为负性有机材料。

示例性地，触控信号线TR与第三转接结构20c中的第二导电层23同层设置且相互连接，源漏导电层41与第三转接结构20c中的第一导电层21同层设置且相互连接，第三转接结构20c中的绝缘介质层22与第二有机绝缘层42同层设置。需要说明的是，A与B同层设置，可以理解为A与B通过一次图案化工艺形成，或者A与B位于基底的同一膜层上。

示例性地，触控信号线TR包括层叠设置的第一触控部分512和第二触控部分522，第一触控部分512位于第一触控导电层51，第二触控部分522位于第二触控导电层52，第一触控部分512与第三转接结构20c中的第二导电层23同层设置且相互连接，源漏导电层41与第三转接结构20c中的第一导电层21同层设置且相互连接，第一触控部分512和第二触控部分522通过在第三转接结构20c中的凸起部分相互连接，提高了触控信号线TR在进入弯折区换层至源漏导电层41后的连接的可靠性。

相关技术中，触控信号线进入控制芯片需要经过外围区、弯折区和焊盘区，触控信号线在外围区和弯折区需要换层设计，触控信号线在弯折区和焊盘区之间也需要换层设计，也就是说，触控信号线在弯折区的部分和位于弯折区之外的部分位于不同的膜层。触控信号线需要通过搭接在基板上预先制作的转接孔与源漏导电层连通，这样首先需要在基板上的源漏导电层上的有机绝缘层(第一负性胶层)开孔，然后将第一触控导电层与源漏导电层搭接，然后在触控结构层的有机绝缘层(第二负性胶层)开孔，将第一触控导电层和第二触控导电层搭接，这样形成的过孔为一个深孔，而且为套孔，孔壁会产生反射，使得负性胶层出现弱曝光，容易出现负性胶的残留。图10a所示的显示面板，在周围区和弯折区之间的部分触控信号线TR通过第三转接结构20c与源漏导电层41连接，这样通过在第三转接结构20c的过孔内设置凸起，能够改善过孔内的残留材料的情况，并且实现了触控信号线TR换层至源漏导电层，使得触控信号线在弯折区和周围区具有不同的走线方式，两部分的桥接位置可以避免过孔材料残留，确保两部分之间的电连接可靠性。

参照图10a所示，在一种实施例中，基板40还包括第二有机缓冲层43，第二有机缓冲层43位于基底10和源漏导电层41之间，第二有机缓冲层43包括第三凸起部431，第三凸起部431在基底10上的正投影位于源漏导电层41在基底10上的正投影内，源漏导电层41位于第三凸起部431上的部分形成第三转接结构20c的第一凸起部。

本公开实施例通过对第二有机缓冲层43进行Halftone设计，增加搭接位置的高度，再将源漏导电层41形成在第二有机缓冲层43上，使得源漏导电层41与触控信号线TR搭接位置凸起，从而避免第二有机绝缘层等负性有机胶堆积，并使其厚度减薄，这样在形成过孔时可以减小材料残留，提高工艺余量。

图10b为本公开实施例的显示面板的截面示意图。参照图10b所示，第二有机缓冲层43的靠近基底10的一侧设置有垫块44，垫块44在基底10上的正投影位于第三转接结构20c的第一凸起部在基底10的正投影内。示例性地，垫块44可以为金属或者无机材料，第二有机缓冲层43位于垫块44上的部分凸起设置，使得源漏导电层41位于第二有机缓冲层43上的部分凸起设置，从而避免第二有机绝缘层等负性有机胶堆积，并使其厚度减薄，这样在形成过孔时可以减小材料残留，提高工艺余量。

参照图5a和图5c所示，显示面板还包括焊盘区WA，弯折区BA位于外围区PA和焊盘区WA之间，焊盘区WA包括焊盘部，焊盘部包括第一绑定子焊盘513和第二绑定子焊盘523，第一绑定子焊盘513位于第一触控导电层，第二绑定子焊盘位于第二触控导电层。显示面板还包括位于焊盘区WA和弯折区BA的第二边缘E2，转接结构20还包括第四转接结构20d。

焊盘部与源漏导电层41通过第四转接结构20d连接，第四转接结构20d的过孔221位于第二边缘E2处；焊盘部与第四转接结构20d中的第二导电层23同层设置且相互连接，源漏导电层41与第四转接结构20d中的第一导电层21同层设置且相互连接，第四转接结构20d中的绝缘介质层22与第二有机绝缘层42同层设置。

如图5a所示，焊盘部还包括焊盘连接线，第一绑定子焊盘和第二绑定子焊盘分别通过焊盘连接线与弯折区的源漏导电层41换层连接。焊盘连接线包括位于第一触控导电层的第一焊盘连接线和位于第二触控导电层的第二焊盘连接线，第一焊盘连接线与第四转接结构20d中的第二导电层23同层设置且相互连接，源漏导电层41与第四转接结构20d中的第一导电层21同层设置且相互连接，第一焊盘连接线和第二焊盘连接线在第四转接结构20d中的凸起区域搭接，提高了第一焊盘连接线和第二焊盘连接线在进入弯折区换层至源漏导电层41后的连接的可靠性。

示例性地，第一绑定子焊盘513和第二绑定子焊盘523之间设置有第一有机绝缘层53，第一绑定子焊盘513和第二绑定子焊盘523之间可以通过转接结构搭接连接，第一绑定子焊盘513可以与源漏导电层通过转接结构连接。

本公开实施例的显示面板，在焊盘区WA和弯折区BA之间的部分焊盘部通过第四转接结构20d与源漏导电层41连接，这样通过在第四转接结构20d的过孔内设置凸起，能够改善过孔内的残留材料的情况，并且实现了焊盘部换层至源漏导电层41，使得焊盘部在弯折区和焊盘区具有不同的走线方式，两部分的桥接位置可以避免过孔材料残留，确保两部分之间的电连接可靠性。

图10c为本公开实施例的显示面板的截面示意图，参照图5c和图10c所示，在一种实施例中，基板40还包括第二有机缓冲层43，第二有机缓冲层43位于基底10和源漏导电层41之间，第二有机缓冲层43包括第四凸起部432，第四凸起部432在基底10上的正投影位于源漏导电层41在基底10上的正投影内，源漏导电层41位于第四凸起部432上的部分形成第四转接结构20c的第一凸起部。

本公开实施例通过对第二有机缓冲层43进行Halftone设计，增加搭接位置的高度，再将源漏导电层41形成在第二有机缓冲层43上，使得源漏导电层41与焊盘部搭接位置凸起，从而避免第二有机绝缘层等负性有机胶堆积，并使其厚度减薄，这样在形成过孔时可以减小材料残留，提高工艺余量。

图10d为本公开实施例的显示面板的截面示意图。参照图10d所示，第二有机缓冲层43的靠近基底10的一侧设置有垫块44，垫块44在基底10上的正投影位于第四转接结构20d的第一凸起部在基底10的正投影内。示例性地，垫块44可以为金属或者无机材料，第二有机缓冲层43位于垫块44上的部分凸起设置，使得源漏导电层41位于第二有机缓冲层43上的部分凸起设置，从而避免第二有机绝缘层等负性有机胶堆积，并使其厚度减薄，这样在形成过孔时可以减小材料残留，提高工艺余量。

本公开实施例提供一种显示面板的制备方法，所述方法包括以下步骤：

在基底10的一侧形成转接结构20，转接结构20第一导电层21、绝缘介质层22和第二导电层23，第一导电层21位于基底10的一侧，第一导电层21包括第一凸起部211。绝缘介质层22位于第一导电层21背离基底10的一侧，绝缘介质层22的材料包括有机材料，绝缘介质层22设置有过孔221，过孔221在基底10上的正投影与第一凸起部211在基底10上的正投影至少部分交叠。第二导电层23位于绝缘介质层22背离基底10的一侧，第二导电层23通过过孔221与第一导电层21搭接。

通过本公开实施例的显示面板的制备方法形成的显示面板，第一导电层21形成第一凸起部211，可以使过孔区域的绝缘介质层22变薄更容易被曝光显影去除，减小过孔材料残留风险，提高过孔工艺余量。

下面通过本公开一实施例中图5a所示显示面板的制备过程进一步说明本公开实施例的技术方案。可以理解地是，本公开实施例中的“图案化工艺”，当图案化的材质为无机材质或者金属层时，“图案化工艺”可以包括涂覆光刻胶、掩膜曝光、显影、刻蚀、剥离光刻胶等工艺。当图案化的材质为有机材质(例如光刻胶或者有机树脂)时，“图案化工艺”可以包括掩膜曝光、显影处理等工艺。本公开中的蒸镀、沉积、涂覆、涂布等均是相关技术中成熟的制备工艺。

提供基底10，在基底10的一侧形成薄膜晶体管层(TFT层)，在薄膜晶体管层的第一源漏导电层背离基底10一侧形成第二有机缓冲层43，对第二有机缓冲层43进行图案化工艺，第二有机缓冲层43包括位于显示区的第一有机平坦层(PLN1)和在弯折区的第一边缘和第二边缘位置分别形成第三凸起部431和第四凸起部432。如图5a至图5c以及图10a至图10d所示。

在第二有机缓冲层43的背离基底10的一侧沉积金属薄膜，通过图案化工艺形成第二源漏导电层，第二源漏导电层包括位于显示区的转接电极和覆盖在第三凸起部431和第四凸起部432上凸起设置的导电图案。在源漏导电层41的背离基底10的一侧涂覆有机材料薄膜，对有机材料薄膜进行图案化工艺形成第二有机绝缘层42，第二有机绝缘层42包括位于显示区的第二平坦层(PLN2)和位于第三凸起部431的第一过孔和第四凸起部432上的第二过孔，如图10a至图10d所示。

在第二有机绝缘层42的背离基底的一侧形成有机发光二极管80。在第二有机绝缘层42沉积金属薄膜并通过图案化工艺形成第一电极81，在第一电极81的背离基底的一侧形成像素定义层，像素定义层形成有开口部分暴露第一电极81，在像素定义层的开口内形成有机发光层82，在有机发光层82的背离基底的一侧形成第二电极83。在有机发光二极管80的背离基底的一侧形成封装层EPL，在封装层EPL的背离基底10的一侧沉积金属薄膜，在封装层EPL的背离基底10的一侧形成有机缓冲层，有机缓冲层形成有凸起，在有机缓冲层的背离衬底的一侧形成第一触控导电层51，第一触控导电层51包括位于显示区第一触控电极511、位于外围区的第一触控部分512以及位于焊盘区的第一绑定子焊盘513，第一绑定子焊盘513通过第二过孔与源漏导电层41连接，第一触控部分512通过第一过孔与源漏导电层41连接。

在第一触控导电层51的背离基底10的一侧沉积有机绝缘薄膜，通过图案化工艺形成第一有机绝缘层53，第一有机绝缘层53形成有多个位于显示区的第三过孔和位于外围区的第四过孔。在第一有机绝缘层53的背离基底10一侧沉积金属薄膜，通过图案化工艺形成第二触控导电层52，第二触控导电层52包括触控桥接线521、第二触控部分522以及第二绑定子焊盘523，第二绑定子焊盘523与第一绑定子焊盘513搭接，触控桥接线521与第一触控电极511通过第三过孔连接，第一触控部分512和第二触控部分522通过第四过孔连接。

本公开又一实施例提供一种显示装置，包括本公开任一实施例所述的显示面板。本公开实施例提供的显示装置可以是例如智能手机、可穿戴式智能手表、智能眼镜、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪、车载显示器、电子书、生物识别设备例如智能皮肤设备、软机器人和生物医学设备等任何具有显示和触控功能的产品或部件。

本公开实施例的显示装置，采用第一方面实施例的显示面板，可以在转接结构20的过孔区域通过在第一导电层21提前形成第一凸起部211，可以使得过孔区域的绝缘介质层22变薄更容易被曝光显影去除，减小材料残留风险，提高过孔工艺余量，提高转接结构20的精度，避免由于在过孔221内残留材料，而造成第一导电层21和第二导电层23连接不良的问题，进而提升了产品性能和竞争力。

上述实施例的显示面板及其显示装置的其他构成可以采用于本领域普通技术人员现在和未来知悉的各种技术方案，这里不再详细描述。

在本说明书的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”、“轴向”、“径向”、“周向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本公开和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本公开的限制。

此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者多个该特征。在本公开的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。

在本公开中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接，还可以是通信；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本公开中的具体含义。

在本公开中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。

上文的公开提供了许多不同的实施方式或例子用来实现本公开的不同结构。为了简化本公开，上文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然，它们仅仅为示例，并且目的不在于限制本公开。此外，本公开可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母，这种重复是为了简化和清楚的目的，其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的关系。

以上，仅为本公开的具体实施方式，但本公开的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本公开揭露的技术范围内，可轻易想到其各种变化或替换，这些都应涵盖在本公开的保护范围之内。因此，本公开的保护范围应以权利要求的保护范围为准。

Claims (12)

1.一种显示面板，其特征在于，包括：

基底；

位于所述基底一侧的转接结构，所述转接结构包括第一导电层、绝缘介质层和第二导电层，所述第一导电层位于所述基底的一侧，所述第一导电层包括第一凸起部；所述绝缘介质层位于所述第一导电层背离所述基底的一侧，所述绝缘介质层的材料包括有机材料，所述绝缘介质层设置有过孔，所述过孔在所述基底上的正投影与所述第一凸起部在所述基底上的正投影至少部分交叠；所述第二导电层位于所述绝缘介质层背离所述基底的一侧，所述第二导电层通过所述过孔与所述第一导电层搭接。

2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述有机材料包括负性有机材料。

3.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括第一有机缓冲层，所述第一有机缓冲层位于所述基底和所述第一导电层之间，所述第一有机缓冲层包括第二凸起部，所述第二凸起部在所述基底上的正投影位于所述第一导电层在所述基底上的正投影内，所述第一导电层的位于所述第二凸起部上的部分形成所述第一凸起部。

4.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一凸起部的凸起表面自边缘朝向中部与所述基底之间的距离逐渐增大，所述第一凸起部的凸起顶端在所述基底上的正投影位于所述过孔在所述基底上的正投影内。

5.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，包括基板以及位于所述基板一侧的触控结构层，所述基板包括所述基底，所述触控结构层包括第一触控导电层、第二触控导电层以及位于所述第一触控导电层和所述第二触控导电层之间的第一有机绝缘层，所述第一触控导电层包括沿第一方向排布的多个第一触控电极，所述第二触控导电层包括触控桥接线，所述转接结构包括第一转接结构，相邻的两个所述第一触控电极分别通过所述第一转接结构与所述触控桥接线连接；

所述第一触控电极与所述第一转接结构中的第一导电层同层设置且相互连接，所述触控桥接线与所述第一转接结构中的第二导电层同层设置且相互连接，所述第一转接结构中的绝缘介质层与所述第一有机绝缘层同层设置；或者，所述第一触控电极与所述第一转接结构中的第二导电层同层设置且相互连接，所述触控桥接线与所述第一转接结构中的第一导电层同层设置且相互连接，所述第一转接结构中的绝缘介质层与所述第一有机绝缘层同层设置。

6.根据权利要求5所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括触控信号线，所述触控信号线包括第一触控部分和第二触控部分，所述第一触控部分位于所述第一触控导电层，所述第二触控部分位于所述第二触控导电层，所述转接结构包括第二转接结构，所述第一触控部分通过所述第二转接结构与所述第二触控部分连接；

所述第一触控部分与所述第二转接结构中的第一导电层同层设置且相互连接，所述第二触控部分与所述第二转接结构中的第二导电层同层设置且相互连接，所述第二转接结构中的绝缘介质层与所述第一有机绝缘层同层设置。

7.根据权利要求5所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板为柔性显示面板，所述显示面板包括显示区、外围区以及弯折区，所述外围区围绕所述显示区的四周设置，所述弯折区位于所述外围区远离所述显示区的一侧且被配置为围绕弯曲轴弯曲，所述显示面板包括位于所述外围区和所述弯折区之间的第一边缘，所述转接结构还包括第三转接结构，所述显示面板还包括与所述第一触控电极连接的触控信号线，所述触控信号线从所述显示区引出并沿垂直于所述弯曲轴的方向延伸至所述外围区；

所述基板还包括层叠位于所述基底一侧的源漏导电层和第二有机绝缘层，所述触控信号线与所述源漏导电层通过所述第三转接结构连接，所述第三转接结构的过孔位于所述第一边缘处；

所述触控信号线与所述第三转接结构中的第二导电层同层设置且相互连接，所述源漏导电层与所述第三转接结构中的第一导电层同层设置且相互连接，所述第三转接结构中的绝缘介质层与所述第二有机绝缘层同层设置。

8.根据权利要求7所述的显示面板，其特征在于，所述基板还包括第二有机缓冲层，所述第二有机缓冲层位于所述基底和所述源漏导电层之间，所述第二有机缓冲层包括第三凸起部，所述第三凸起部在所述基底上的正投影位于所述源漏导电层在所述基底上的正投影内，所述源漏导电层位于所述第三凸起部上的部分形成所述第三转接结构的第一凸起部；或者

所述第二有机缓冲层的靠近所述基底的一侧设置有垫块，所述垫块在所述基底上的正投影位于所述第三转接结构的第一凸起部在所述基底的正投影内。

9.根据权利要求7所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括焊盘区，所述弯折区位于所述外围区和所述焊盘区之间，所述焊盘区包括焊盘部，所述焊盘部包括位于所述第一触控导电层的第一绑定子焊盘和位于所述第二触控导电层的第二绑定子焊盘；所述显示面板包括位于所述焊盘区和所述弯折区之间的第二边缘，所述转接结构还包括第四转接结构；

所述焊盘部与所述源漏导电层通过所述第四转接结构连接，所述第四转接结构的过孔位于所述第二边缘处；所述焊盘部与所述第四转接结构中的第二导电层同层设置且相互连接，所述源漏导电层与所述第四转接结构中的第一导电层同层设置且相互连接，所述第四转接结构中的绝缘介质层与所述第二有机绝缘层同层设置。

10.根据权利要求9所述的显示面板，其特征在于，所述基板还包括第二有机缓冲层，所述第二有机缓冲层位于所述基底和所述源漏导电层之间，所述第二有机缓冲层包括第四凸起部，所述第四凸起部在所述基底上的正投影位于所述源漏导电层在所述基底上的正投影内，所述源漏导电层位于所述第四凸起部上的部分形成所述第四转接结构的第一凸起部；或者

所述第二有机缓冲层的靠近所述基底的一侧设置有垫块，所述垫块在所述基底上的正投影位于所述第四转接结构的第一凸起部在所述基底的正投影内。

11.一种显示面板的制备方法，其特征在于，包括：

在基底的一侧形成转接结构，所述转接结构第一导电层、绝缘介质层和第二导电层，所述第一导电层位于所述基底的一侧，所述第一导电层包括第一凸起部；所述绝缘介质层位于所述第一导电层背离所述基底的一侧，所述绝缘介质层的材料包括有机材料，所述绝缘介质层设置有过孔，所述过孔在所述基底上的正投影与所述第一凸起部在所述基底上的正投影至少部分交叠；所述第二导电层位于所述绝缘介质层背离所述基底的一侧，所述第二导电层通过所述过孔与所述第一导电层搭接。

12.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1至10任一项所述的显示面板。