CN112002733B - Oled显示装置及制备方法 - Google Patents

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Abstract

一种OLED显示装置，包括OLED显示面板，所述OLED显示面板具有显示区以及位于所述显示区外围的非显示区，所述非显示区的边缘两端还设置有GOA走线区；其中，所述显示区内包括：像素区和设置在所述像素区之间的光敏结构区，所述光敏结构区包括指纹识别模块，所述指纹识别模块包括第一薄膜晶体管，所述像素区包括OLED发光单元，所述OLED发光单元包括第二薄膜晶体管，所述GOA走线区包括GOA电路，所述GOA电路包括第三薄膜晶体管；所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管为同类型晶体管，所述第三薄膜晶体管与所述第一薄膜晶体管为不同类型的晶体管。本申请还提供了上述OLED显示装置的制备方法。

Description

OLED显示装置及制备方法
技术领域
本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种OLED显示装置及制备方法。
背景技术
有机发光二极管显示器件(Organic Light Emitting Display，OLED)由于同时具备自发光，不需背光源、对比度高、厚度薄、视角广、反应速度快、可用于挠曲性面板、使用温度范围广、构造及制程较简单等优异特性，被认为是下一代平面显示器的新兴应用技术。
指纹识别技术作为生物识别技术中的一种，具有普遍性、唯一性、安全性及可采集性等特点，已经在智能手机等产品中广泛应用，随着全面屏技术兴起，指纹识别也逐渐由设计在显示屏外部发展至设计到显示屏内部，即屏下指纹识别技术，以追求更高的屏占比。目前屏下指纹解锁的方式分为电容式，光学式，超声波式三种，以光学式为主。以光学式指纹解锁为例，其原理为光学传感器识别指纹脊部与谷部反射光光强差，获得指纹形貌，其指纹传感器放置于OLED面板下，且目前大部分指纹解锁手机都局限于某个特定区域，影响用户体验。
因此，有必要提供一种OLED显示装置及制备方法，以解决现有技术所存在的问题。
发明内容
本申请实施例提供一种OLED显示装置及制备方法，具有屏内指纹识别功能，以解决现有的OLED显示装置及制备方法中的指纹识别模块局限于某个特定区域，影响用户体验的技术问题。
本申请实施例提供一种OLED显示装置，包括OLED显示面板，所述OLED显示面板具有显示区以及位于所述显示区外围的非显示区，所述非显示区的边缘两端还设置有GOA走线区；
其中，所述显示区内包括：像素区和设置在所述像素区之间的光敏结构区，所述光敏结构区包括指纹识别模块，所述指纹识别模块包括第一薄膜晶体管，所述像素区包括OLED发光单元，所述OLED发光单元包括第二薄膜晶体管，所述GOA走线区包括GOA电路，所述GOA电路包括第三薄膜晶体管；所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管为同类型晶体管，所述第三薄膜晶体管与所述第一薄膜晶体管为不同类型的晶体管。
在一些实施例中，所述第一薄膜晶体管、所述第二薄膜晶体管以及所述第三薄膜晶体管均包括由下至上层叠设置的柔性衬底、阻挡层以及缓冲层。
在一些实施例中，所述第一薄膜晶体管以及所述第二薄膜晶体管在所述缓冲层上均设置有第一栅极绝缘层，所述第三薄膜晶体管在所述缓冲层上设置有第二有源层以及所述第一栅极绝缘层，所述第一栅极绝缘层完全覆盖所述第二有源层；所述第二有源层的材质包括高迁移率材料，所述高迁移率材料包括多晶硅材料。
在一些实施例中，所述第一薄膜晶体管、所述第二薄膜晶体管以及所述第三薄膜晶体管在所述第一栅极绝缘层上均设置有第一栅极以及第二栅极绝缘层，所述第二栅极绝缘层完全覆盖所述第一栅极，所述第三薄膜晶体管中的所述第一栅极设置于所述第二有源层的上方。
在一些实施例中，所述第一薄膜晶体管以及所述第二薄膜晶体管在所述第二栅极绝缘层上均设置有第一有源层，所述第一有源层设置于对应的所述第一栅极的上方；所述第三薄膜晶体管在所述第二栅极绝缘层上设置有第二栅极，所述第二栅极设置于对应的所述第一栅极的上方；所述第一有源层的材质为低漏电流材料，所述低漏电流材料包括铟镓锌氧化物或非晶硅材料。
在一些实施例中，所述第一薄膜晶体管、所述第二薄膜晶体管以及所述第三薄膜晶体管在所述第二栅极绝缘层上均设置有层间绝缘层以及源漏级金属层，所述层间金属层完全覆盖所述第一有源层以及所述第二栅极，所述源漏级金属层经由过孔分别与所述第一有源层以及所述第二有源层相连。
在一些实施例中，所述第二薄膜晶体管在所述层间绝缘层上还设置有遮光层，所述遮光层设置于对应的所述第一有源层的上方，所述遮光层的材质为钛铝钛合金。
在一些实施例中，所述第一薄膜晶体管在所述层间绝缘层上还设置有平坦化层，所述平坦化层完全覆盖所述源漏级金属层；所述第二薄膜晶体管在所述层间绝缘层上还设置有所述平坦化层、阳极金属层以及像素定义层；所述第三薄膜晶体管在所述层间绝缘层上还设置有所述平坦化层以及所述像素定义层。
本申请实施例又提供一种如上所述的OLED显示装置的制备方法，所述方法包括：
S10，在一柔性衬底上先后沉积阻挡层以及缓冲层，之后在所述缓冲层上形成第二有源层；
S20，在所述缓冲层上形成第一栅极绝缘层，所述第一栅极绝缘层完全覆盖所述第二有源层，之后在所述第一栅极绝缘层上形成第一栅极；
S30，在所述第一栅极绝缘层上形成第二栅极绝缘层，所述第二栅极绝缘层完全覆盖所述第一栅极，之后在所述第二栅极绝缘层上形成第二栅极以及第一有源层；
S40，在所述第二栅极绝缘层上形成层间绝缘层，所述层间绝缘层完全覆盖所述第二栅极以及所述第一有源层，之后在所述层间绝缘层分别开设第一过孔、第二过孔以及第三过孔；
S50，在所述层间绝缘层上形成源漏级金属层以及遮光层，所述遮光层设置于部分所述第一有源层的正上方；
S60，在所述层间绝缘层上形成平坦化层，所述平坦化层完全覆盖所述源漏级金属层以及所述遮光层，并在所述平坦化层上开设第四过孔，最后在所述平坦化层上依次形成阳极金属层以及像素定义层。
在一些实施例中，所述第一有源层的材质为低漏电流材料，所述低漏电流材料包括铟镓锌氧化物或非晶硅材料；所述第二有源层的材质包括高迁移率材料，所述高迁移率材料包括多晶硅材料。
本申请实施例所提供的OLED显示装置及制备方法，将指纹识别的传感器集成于OLED屏幕阵列设计中，增加屏幕解锁的面积的同时，进一步降低了OLED显示装置的制作成本。
附图说明
下面结合附图，通过对本申请的具体实施方式详细描述，将使本申请的技术方案及其它有益效果显而易见。
图1为本申请实施例提供的OLED显示装置的平面示意图。
图2为本申请实施例提供的OLED显示装置的阵列设计结构示意图。
图3为本申请实施例提供的OLED显示装置的制备方法流程图。
图4A-4F为本申请实施例提供的OLED显示装置的制备方法结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
在本申请的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本申请的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
在本申请的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接或可以相互通讯；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。
在本申请中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
下文的公开提供了许多不同的实施方式或例子用来实现本申请的不同结构。为了简化本申请的公开，下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然，它们仅仅为示例，并且目的不在于限制本申请。此外，本申请可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母，这种重复是为了简化和清楚的目的，其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的关系。此外，本申请提供了的各种特定的工艺和材料的例子，但是本领域普通技术人员可以意识到其他工艺的应用和/或其他材料的使用。
本申请实施例针对现有的OLED显示装置及制备方法中的指纹识别模块局限于某个特定区域，影响用户体验的技术问题，本实施例能够解决该缺陷。如图1所示，为本申请实施例提供的OLED显示装置的平面示意图。从图中可以很直观地看到本申请实施例的各组成部分，以及各组成部分之间的相对位置关系。
其中，所述OLED显示装置包括OLED显示面板，所述OLED显示面板具有显示区11以及位于所述显示区11外围的非显示区12；所述非显示区12还包括绑定区121、第一扇出走线区123、弯折区124以及第二扇出走线区125，所述弯折区124位于所述第一扇出走线区123与所述第二扇出走线区125之间，所述第一扇出走线区123与所述第二扇出走线区125均设有多条扇出数据线，所述绑定区121设有集成电路芯片和多个焊盘，所述扇出数据线经由所述绑定区121与所述焊盘连接；
具体地，所述绑定区121与所述第一扇出走线区123之间还设置有绑定测试区122，所述绑定测试区122内设置有绑定测试电路，所述绑定测试电路用于检测经过所述绑定区121的所述扇出数据线是否存在异常。
进一步地，靠近所述显示区11边缘两端的部分所述非显示区12内还设置有GOA(Gate on array，栅极行驱动电路)走线区126，所述GOA走线区126用于提供所述显示区11内像素的扫描信号。
进一步地，所述绑定区121的边缘两端还设置有成盒测试衬垫(Cell TestPad)127，所述成盒测试衬垫用于对所述OLED显示面板进行成盒测试。
进一步地，所述显示区内包括：像素区和设置在所述像素区之间的光敏结构区，所述光敏结构区包括指纹识别模块，所述指纹识别模块用于采集手指谷脊反射的OLED发光单元出射的光信号，将所述光信号转变为电信号进行输出。如图2所示，为本申请实施例提供的OLED显示装置的阵列设计结构示意图。其中，所述指纹识别模块包括第一薄膜晶体管(T1)，所述第一薄膜晶体管(T1)用于提供所述指纹识别模块的扫描信号。
其中，所述指纹识别模块包括第一薄膜晶体管(T1)，所述像素区包括OLED发光单元，所述OLED发光单元包括第二薄膜晶体管(T2)，所述GOA走线区包括GOA电路，所述GOA电路包括第三薄膜晶体管(T3)；所述第一薄膜晶体管(T1)和所述第二薄膜晶体管(T2)为同类型晶体管，所述第三薄膜晶体管(T3)与所述第一薄膜晶体管(T2)为不同类型的晶体管。具体地，所述第一薄膜晶体管(T1)为底栅型结构薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管(T1)包括由下至上层叠设置的柔性衬底201、阻挡层202、缓冲层203、第一栅极绝缘层205、第一栅极206、设置于所述第一栅极绝缘层205上并覆盖所述第一栅极206的第二栅极绝缘层207、第一有源层209、设置于所述第二栅极绝缘层207上并覆盖所述第一有源层209的层间绝缘层210、源漏级金属层211以及平坦化层213。
进一步地，所述指纹识别模块为光学式指纹解锁方式，当手指触摸在手机屏幕任意位置时，该块区域OLED点亮，光源照射在手指指纹的脊部和谷部，反射不同的光强至所述第一薄膜晶体管(T1)上，所述第一薄膜晶体管(T1)由于光照产生不同的感应电流，从而得到指纹脊部和谷部位置信息。
优选地，所述指纹识别模块的驱动电流采用1T1C(1个薄膜晶体管和1个电容组成的电路结构)、2T1C(2个薄膜晶体管和1个电容组成的电路结构)以及2T2C(2个薄膜晶体管和2个电容组成的电路结构)等结构模式。
优选地，所述第一有源层209的材质为低漏电流材料，所述低漏电流材料包括铟镓锌氧化物(IGZO)或非晶硅材料(a-Si)。
具体地，所述显示区内不含光敏结构区的部分设置有所述OLED发光单元，所述OLED发光单元包括第二薄膜晶体管(T2)，所述第二薄膜晶体管(T2)用于驱动所述OLED显示装置内的像素发光。
进一步地，所述第二薄膜晶体管(T2)包括由下至上层叠设置的所述柔性衬底201、所述阻挡层202、所述缓冲层203、所述第一栅极绝缘层205、所述第一栅极206、所述第二栅极绝缘层207、所述第一有源层209、所述层间绝缘层210、设置于所述层间绝缘层210上且位于所述第一有源层209正上方的遮光层212、所述源漏级金属层211、所述平坦化层213、阳极金属层214以及像素定义层214。
优选地，所述遮光层212以及所述源漏级金属层211的材质均为钛铝钛合金(TiAlTi),所述遮光层212用于防止光照时产生的电流影响所述第一薄膜晶体管(T1)。
优选地，所述第一薄膜晶体管(T1)以及所述第二薄膜晶体管(T2)的厚度范围为500埃～15000埃。
具体地，所述GOA走线区采用低温多晶硅(Low Temperature Polysilicon，LTPS)的结构背板技术。所述GOA走线区包括第三薄膜晶体管(T3)，所述第三薄膜晶体管(T3)包括由下至上层叠设置的所述柔性衬底201、所述阻挡层202、所述缓冲层203、设置于所述缓冲层203上的第二有源层204、所述第一栅极绝缘层205、所述第一栅极206、所述第二栅极绝缘层207、设置于所述第二栅极绝缘层207上的第二栅极208、所述层间绝缘层210、所述源漏级金属层211、所述平坦化层213以及像素定义层215。
进一步地，所述第二有源层204的材质包括高迁移率材料，所述高迁移率材料包括多晶硅材料(Poly-silicon)。
优选地，所述柔性衬底201为单层聚酰亚胺薄膜或者双层聚酰亚胺薄膜，所述阻挡层202以及所述缓冲层203的材料为硅氮化物或者硅氧化物构成的无机膜层。
优选地，所述第一栅极绝缘层205以及所述第二栅极绝缘层207的材料为硅氮化物或者硅氧化物构成的无机膜层，所述第一栅极206以及所述第二栅极206的材料为铜钼合金。
优选地，所述平坦化层213以及所述像素定义层215的材质均为有机光阻。
本申请实施例提供的OLED显示装置的特点在于将指纹识别感光的传感器薄膜晶体管镶嵌入显示区域，使其可实现全面屏幕识别。
如图3所示，为本申请实施例提供的OLED显示装置的制备方法流程图，所述方法包括：
S10，在一柔性衬底201上先后沉积阻挡层202以及缓冲层203，之后在所述缓冲层203上形成第二有源层204。
具体地，所述S10还包括：
首先提供一柔性衬底201，所述柔性衬底上划分有显示区11以及GOA走线区12，所述显示区11内还设置有光敏结构区12。之后，在所述柔性衬底201上先后沉积阻挡层202以及缓冲层203，来充当缓冲及保护作用；然后，在所述缓冲层203位于所述GOA走线区12的部分沉积半导体薄膜层(Poly)，利用准分子激光晶化技术实现所述半导体薄膜层的多晶硅化，并使用光刻胶(Photo Resist，PR)和掩膜版(mask)对所述半导体薄膜层进行图案化，最终得到第二有源层204。优选地，所述柔性衬底201为单层聚酰亚胺薄膜或者双层聚酰亚胺薄膜，所述阻挡层202以及所述缓冲层203的材料为硅氮化物或者硅氧化物构成的无机膜层；所述第二有源层204的材质包括高迁移率材料，所述高迁移率材料包括多晶硅材料(Poly-silicon)，如图4A所示。
S20，在所述缓冲层203上形成第一栅极绝缘层205，所述第一栅极绝缘层205完全覆盖所述第二有源层204，之后在所述第一栅极绝缘层205上形成第一栅极206。
具体地，所述S20还包括：
首先，在所述缓冲层203上先后沉积第一栅极绝缘层205以及第一栅极206，并使用光刻胶(Photo Resist，PR)和掩膜版(mask)进行图案化，所述第一栅极绝缘层205完全覆盖所述第二有源层204；之后，利用自对准工艺对所述第二有源层204进行离子注入工艺(IMP)重掺杂。优选地，所述第一栅极绝缘层205的材料为硅氮化物或者硅氧化物构成的无机膜层，所述第一栅极206的材料为铜钼合金，如图4B所示。
S30，在所述第一栅极绝缘层205上形成第二栅极绝缘层207，所述第二栅极绝缘层207完全覆盖所述第一栅极206，之后在所述第二栅极绝缘层207上形成第二栅极208以及第一有源层209。
具体地，所述S30还包括：
在所述第一栅极绝缘层205上形成第二栅极绝缘层207，并使用光刻胶(PhotoResist，PR)和掩膜版(mask)进行图案化，所述第二栅极绝缘层207完全覆盖所述第一栅极206；之后在所述第二栅极绝缘层207上位于所述GOA走线区12的部分形成第二栅极208，并使用光刻胶(Photo Resist，PR)和掩膜版(mask)进行图案化；最后，在所述第二栅极绝缘层207上位于所述显示区11的部分形成第一有源层209，并使用光刻胶(Photo Resist，PR)和掩膜版(mask)进行图案化。优选地，所述第二栅极绝缘层207的材料为硅氮化物或者硅氧化物构成的无机膜层，所述第二栅极208的材料为铜钼合金；优选地，所述第一有源层209的材质为低漏电流材料，所述低漏电流材料包括铟镓锌氧化物(IGZO)或非晶硅材料(a-Si)，如图4C所示。
S40，在所述第二栅极绝缘层207上形成层间绝缘层210，所述层间绝缘层210完全覆盖所述第二栅极208以及所述第一有源层209，之后在所述层间绝缘层210分别开设第一过孔2101、第二过孔2102以及第三过孔2103。
具体地，所述S40还包括：
首先在所述第二栅极绝缘层207上形成层间绝缘层210，所述层间绝缘层210完全覆盖所述第二栅极208以及所述第一有源层209，之后在所述层间绝缘层210分别开设第一过孔2101、第二过孔2102以及第三过孔2103；其中，所述第三过孔2103暴露出所述第二有源层204的边缘两端，所述第一过孔2101暴露出位于所述光敏结构区的所述第一有源层209的边缘两端，所述第二过孔2102暴露出位于所述显示区11中非所述光敏结构区12部分的所述第一有源层209的边缘两端；优选地，所述层间绝缘层的材料为硅氮化物或者硅氧化物构成的无机膜层，如图4D所示。
S50，在所述层间绝缘层210上形成源漏级金属层211以及遮光层212，所述遮光层212设置于部分所述第一有源层209的正上方。
具体地，所述S50还包括：
在所述层间绝缘层210上形成源漏级金属层211以及遮光层212，所述源漏级金属层211通过所述第三过孔2103与所述第二有源层204的边缘两端相连；所述源漏级金属层211还通过所述第一过孔2101以及所述第二过孔2102与所述第一有源层209的边缘两端相连；所述遮光层212设置于位于所述显示区11中非所述光敏结构区12部分的所述第一有源层209的正上方。优选地，所述遮光层212以及所述源漏级金属层211的材质均为钛铝钛合金(TiAlTi),所述遮光层212用于防止光照时产生的电流影响所述光敏结构区111中的薄膜晶体管，如图4E所示。
S60，在所述层间绝缘层210上形成平坦化层213，所述平坦化层213完全覆盖所述源漏级金属层211以及所述遮光层212，并在所述平坦化层213上开设第四过孔，最后在所述平坦化层213上依次形成阳极金属层214以及像素定义层215。
具体地，所述S60还包括：
首先，在所述层间绝缘层210上通过光刻工艺涂布有机光阻形成平坦化层213，并对所述平坦化层213开设第四过孔，所述第四过孔位于所述显示区11中非所述光敏结构区12部分；之后在所述平坦化层213上沉积一层金属层，得到阳极金属层214，所述阳极金属层214通过所述第四过孔与所述第一有源层209的一端相连；最后，在所述层间绝缘层210通过光刻工艺涂布有机光阻形成像素定义层215，所述像素定义层215位于所述GOA走线区12以及所述显示区11内的非所述光敏结构区12部分，如图4F所示。
综上所述，本申请实施例所提供的OLED显示装置及制备方法，将指纹识别的传感器集成于OLED屏幕阵列设计中，增加屏幕解锁的面积的同时，进一步降低了OLED显示装置的制作成本。
在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述的部分，可以参见其他实施例的相关描述。
以上对本申请实施例所提供的一种OLED显示装置及制备方法进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的技术方案及其核心思想；本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例的技术方案的范围。

Claims (9)

1.一种OLED显示装置，其特征在于，所述OLED显示装置包括OLED显示面板，所述OLED显示面板具有显示区以及位于所述显示区外围的非显示区，其中，所述显示区内包括：
像素区，包括OLED发光单元，所述OLED发光单元包括第二薄膜晶体管；
光敏结构区，设置在所述像素区之间，所述光敏结构区包括指纹识别模块，所述指纹识别模块包括第一薄膜晶体管，所述指纹识别模块用于采集手指谷脊反射的OLED发光单元出射的光信号，将所述光信号转变为电信号进行输出，所述第一薄膜晶体管用于提供所述指纹识别模块的扫描信号，通过接受指纹脊部和谷部反射的不同的光强而产生不同的感应电流，从而得到指纹脊部和谷部位置信息；所述指纹识别模块的驱动电流采用1T1C电路结构模式、2T1C电路结构模式或2T2C电路结构模式；
所述非显示区的边缘两端还设置有GOA走线区，所述GOA走线区包括GOA电路，所述GOA电路包括第三薄膜晶体管，所述GOA走线区用于提供所述显示区内像素的扫描信号；
所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管为同类型晶体管，所述第三薄膜晶体管与所述第一薄膜晶体管为不同类型的晶体管，所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管均包括第一有源层，所述第三薄膜晶体管包括第二有源层，所述第一有源层和所述第二有源层位于同一绝缘膜层上；
所述第一薄膜晶体管、所述第二薄膜晶体管以及所述第三薄膜晶体管的源漏极金属层位于同一绝缘膜层上；
其中，所述第二薄膜晶体管还设置有遮光层，所述遮光层设置于对应的所述第一有源层的上方，所述遮光层的材质为钛铝钛合金。
2.根据权利要求1所述的OLED显示装置，其特征在于，所述第一薄膜晶体管、所述第二薄膜晶体管以及所述第三薄膜晶体管均包括由下至上层叠设置的柔性衬底、阻挡层以及缓冲层。
3.根据权利要求2所述的OLED显示装置，其特征在于，所述第一薄膜晶体管以及所述第二薄膜晶体管在所述缓冲层上均设置有第一栅极绝缘层，所述第三薄膜晶体管在所述缓冲层上设置有第二有源层以及所述第一栅极绝缘层，所述第一栅极绝缘层完全覆盖所述第二有源层；所述第二有源层的材质包括高迁移率材料，所述高迁移率材料包括多晶硅材料。
4.根据权利要求3所述的OLED显示装置，其特征在于，所述第一薄膜晶体管、所述第二薄膜晶体管以及所述第三薄膜晶体管在所述第一栅极绝缘层上均设置有第一栅极以及第二栅极绝缘层，所述第二栅极绝缘层完全覆盖所述第一栅极，所述第三薄膜晶体管中的所述第一栅极设置于所述第二有源层的上方。
5.根据权利要求4所述的OLED显示装置，其特征在于，所述第一薄膜晶体管以及所述第二薄膜晶体管在所述第二栅极绝缘层上均设置有第一有源层，所述第一有源层设置于对应的所述第一栅极的上方；所述第三薄膜晶体管在所述第二栅极绝缘层上设置有第二栅极，所述第二栅极设置于对应的所述第一栅极的上方；所述第一有源层的材质为低漏电流材料，所述低漏电流材料包括铟镓锌氧化物或非晶硅材料。
6.根据权利要求5所述的OLED显示装置，其特征在于，所述第一薄膜晶体管、所述第二薄膜晶体管以及所述第三薄膜晶体管在所述第二栅极绝缘层上均设置有层间绝缘层以及源漏级金属层，所述层间绝缘层完全覆盖所述第一有源层以及所述第二栅极，所述源漏级金属层经由过孔分别与所述第一有源层以及所述第二有源层相连。
7.根据权利要求6所述的OLED显示装置，其特征在于，所述第一薄膜晶体管在所述层间绝缘层上还设置有平坦化层，所述平坦化层完全覆盖所述源漏级金属层；所述第二薄膜晶体管在所述层间绝缘层上还设置有所述平坦化层、阳极金属层以及像素定义层；所述第三薄膜晶体管在所述层间绝缘层上还设置有所述平坦化层以及所述像素定义层。
8.一种如权利要求1至7任一项所述的OLED显示装置的制备方法，其特征在于，包括：
S10，在一柔性衬底上先后沉积阻挡层以及缓冲层，之后在所述缓冲层上形成第二有源层；
S20，在所述缓冲层上形成第一栅极绝缘层，所述第一栅极绝缘层完全覆盖所述第二有源层，之后在所述第一栅极绝缘层上形成第一栅极；
S30，在所述第一栅极绝缘层上形成第二栅极绝缘层，所述第二栅极绝缘层完全覆盖所述第一栅极，之后在所述第二栅极绝缘层上形成第二栅极以及第一有源层；
S40，在所述第二栅极绝缘层上形成层间绝缘层，所述层间绝缘层完全覆盖所述第二栅极以及所述第一有源层，之后在所述层间绝缘层分别开设第一过孔、第二过孔以及第三过孔；
S50，在所述层间绝缘层上形成源漏级金属层以及遮光层，所述遮光层设置于部分所述第一有源层的正上方；
S60，在所述层间绝缘层上形成平坦化层，所述平坦化层完全覆盖所述源漏级金属层以及所述遮光层，并在所述平坦化层上开设第四过孔，最后在所述平坦化层上依次形成阳极金属层以及像素定义层。
9.根据权利要求8所述的OLED显示装置的制备方法，其特征在于，所述第一有源层的材质为低漏电流材料，所述低漏电流材料包括铟镓锌氧化物或非晶硅材料；所述第二有源层的材质包括高迁移率材料，所述高迁移率材料包括多晶硅材料。
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