CN112198729B - 阵列基板、显示面板及电子设备 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种阵列基板、显示面板及电子设备，该阵列基板包括基底，包括第一导电层，设于第三绝缘层上；所述第一导电层包括第一连接部；所述第一连接部与所述第一金属部连接；第四绝缘，设于所述第一导电层上；所述第四绝缘上设置有第二过孔；第二导电层，设于所述第四绝缘上和所述第二过孔内，所述第二导电层包括第二电极，所述第二电极覆盖所述PIN二极管；所述第二电极通过所述第二过孔与所述第一连接部连接。本发明的阵列基板、显示面板及电子设备，可以提高光学传感器的稳定性。

Description

阵列基板、显示面板及电子设备
技术领域
本发明涉及显示技术领域，具体涉及一种阵列基板、显示面板及电子设备。
背景技术
光学指纹技术与显示面板相结合是目前主要的方向之一，它的原理是利用指纹的谷和脊反射到显示面板的传感区域内的光的强弱不同，从而将不同的光信号转换成电信号，通过芯片提取出来，形成关键的指纹图样，达到指纹识别的目的。
目前应用于有机发光二极管的光学指纹技术比较广泛，但运用在液晶显示面板的光学指纹技术很少，由于受到背光、开口率等因素的限制，从而需要在阵列基板上制作光学传感器，但是这样会导致上层导电层与下方金属部之间的过孔深度较深，从而增加了曝光和蚀刻过程中的工艺风险，降低了光学传感器的稳定性。
发明内容
本发明提供一种阵列基板、显示面板及电子设备，可以降低曝光和蚀刻过程中的工艺风险，提高了光学传感器的稳定性。
本发明提供一种阵列基板，其包括：
基底，包括控制元件；
第三金属层，设于所述基底上；所述第三金属层包括第一电极和第一金属部，所述第一电极通过第一过孔与所述控制元件连接；
PIN二极管，设于所述第一电极上，所述PIN二极管包括第一半导体层和本征半导体层；
第三绝缘层，设于所述PIN二极管上；
第一导电层，设于所述第三绝缘层上；所述第一导电层包括第一连接部；所述第一连接部与所述第一金属部连接；
第四绝缘层，设于所述第一导电层上；所述第四绝缘上设置有第二过孔；
第二导电层，设于所述第四绝缘上和所述第二过孔内，所述第二导电层包括第二电极，所述第二电极覆盖所述PIN二极管；所述第二电极通过所述第二过孔与所述第一连接部连接。
本发明还提供一种显示面板，其包括上述阵列基板。
本发明还提供一种电子设备，其包括上述显示面板。
本发明的阵列基板、显示面板及电子设备，包括基底，包括控制元件；第三金属层，设于所述基底上；所述第三金属层包括第一电极和第一金属部，所述第一电极与所述控制元件连接；PIN二极管，设于所述第一电极上，所述PIN二极管包括第一半导体层和本征半导体层；第一导电层，设于所述PIN二极管上；所述第一导电层包括第一连接部；所述第一连接部与所述第一金属部连接；第四绝缘层，设于所述第一导电层上；所述第四绝缘上设置有第二过孔；第二导电层，设于所述第四绝缘上和所述第二过孔内，所述第二导电层包括第二电极，所述第二电极覆盖所述PIN二极管；所述第二电极通过所述第二过孔与所述第一连接部连接；因此可以减小第二电极与第一金属部之间的连接孔的深度，进而降低了曝光和蚀刻过程中由深浅孔差异导致的工艺风险，提高了制程的稳定性和工艺可行性，进而提高了光学传感器的稳定性。
附图说明
图1为本发明一实施例提供的阵列基板的剖面示意图。
图2为图1所示的阵列基板的制备工艺流程图。
图3为本发明另一实施例提供的阵列基板的剖面示意图。
图4为本发明一实施例提供的显示面板的结构示意图。
图5为本发明一实施例提供的电子设备的结构示意图。
具体实施方式
以下各实施例的说明是参考附加的图式，用以例示本发明可用以实施的特定实施例。本发明所提到的方向用语，例如「上」、「下」、「前」、「后」、「左」、「右」、「内」、「外」、「侧面」等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本发明，而非用以限制本发明。在图中，结构相似的单元是以相同标号表示。
本发明的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别不同对象，而不是用于描述特定顺序。此外，术语“包括”和“具有”以及它们任何变形，意图在于覆盖不排他的包含。
请参阅图1至图3，图1为本发明一实施例提供的阵列基板的剖面示意图。
如图1所示，本实施例的阵列基板100包括基底10、第三金属层21、PIN二极管30、第一导电层40、第四绝缘层24以及第二导电层50。
基底10包括控制元件T1；该控制元件T1也即为薄膜晶体管。在一实施方式中，基底10可包括：衬底基板11、第一半导体层14、第一绝缘层15、第一金属层16以及第二金属层18。此外该基底10还可包括遮光层12、缓冲层13、栅绝缘层17、平坦层19以及钝化层19’中的至少一种。
衬底基板11可为玻璃基板或者柔性衬底。衬底基板11的材质包括玻璃、二氧化硅、聚乙烯、聚丙烯、聚苯乙烯、聚乳酸、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚酰亚胺或聚氨酯中的一种或多种。
遮光层12设于衬底基板11上，遮光层12的材料可为金属材料。
缓冲层13设于遮光层12上，所述缓冲层13的材料包括但不限于氮化硅或氧化硅。
有源层14设于所述缓冲层13上；在一优选实施方式中，有源层14的材料为多晶硅。结合图2，有源层14可包括第一半导体部141。
第一绝缘层15设于所述有源层14上；第一绝缘层15的材料可包括氮化硅、氧化硅以及有机光阻中的至少一种。
第一金属层16设于所述第一绝缘层15上；所述第一金属层16包括第一栅极161。第一金属层16的材料可包括铜、铝以及钛中的至少一种。
栅绝缘层17设于第一金属层16上，栅绝缘层17的材料可包括氮化硅、氧化硅中的至少一种。
第二金属层18设于所述栅绝缘层17上，所述第二金属层18包括第一源极181和第一漏极182；所述第二金属层18的材料可与第一金属层16的材料相同。
平坦层19设于第二金属层18上，平坦层19的材料可包括氮化硅、氧化硅以及有机光阻中的至少一种。在一优选实施方式中，平坦层19的材料为有机光阻。
钝化层19’设于平坦层19上，钝化层19’的材料可包括氮化硅、氧化硅、有机光阻中的至少一种。
第三金属层21设于所述钝化层19’上；所述第三金属层21包括第一电极211和第一金属部212。所述第一电极211通过第一过孔191与所述控制元件T1连接，具体地第一电极211与第一漏极182连接。
所述第三金属层21的材料可为Ti/Al/Ti、Mo、Mo/Cu、Mo/Al/Mo中的至少一种。所述第三金属层21的材料不限于此。在一实施方式中，为了提高感光传感器的灵敏度，所述第一电极211在所述基底10上的正投影的面积大于所述PIN二极管30在所述基底10上的正投影的面积，也即PIN二极管30部分覆盖第一电极211。所述PIN二极管30至少覆盖部分第一半导体部141，在一优选实施方式中，为了进一步提高开口率，所述PIN二极管30全部覆盖第一半导体部141。也即，所述PIN二极管30至少覆盖部分第一半导体部141和部分第一电极211。
PIN二极管30设于所述第一电极211上，所述PIN二极管30包括第一半导体层31、本征半导体层32以及第二半导体层33；本征半导体层32以及第二半导体层33依次设于第一半导体层31上。在一实施方式中，第一半导体层31的材料为N型非晶硅(N+a-Si)、本征半导体层32的材料为非晶硅(a-Si)，第二半导体层33的材料为P型非晶硅(P+a-Si)。在一优选实施方式中，所述控制元件T1的半导体层的材料为多晶硅，所述本征半导体层32的材料为非晶硅，由于非晶硅可以制作的比较厚，因此利于光的吸收，便于形成高性能的感光传感器，因此提高了指纹识别的准确性。在其他实施例中，所述PIN二极管30也可不包括第二半导体层33，也即所述PIN二极管30包括第一半导体层31和本征半导体层32。
第三绝缘层23设于PIN二极管上；第三绝缘层23的材料也可包括氮化硅、氧化硅、有机光阻中的至少一种。
第一导电层40设于所述第三绝缘层上，所述第一导电层40包括第一连接部44，第一连接部44与所述第一金属部212连接；在一实施方式中，为了减小第一电极的阻抗，所述第一导电层40还可包括第一极板41，所述第一极板41与所述第一电极211连接。当然可以理解的，在其他实施方式中，第一导电层40也可不包括第一极板。在一实施方式中，第一导电层40的材料包括但不限于氧化铟锡。在另一实施方式中，所述第一导电层40还包括第二连接部45，第二连接部45与所述开关元件T2的漏极183连接。在一实施方式中，为了减小第一电极的阻抗，所述第一导电层40还包括第一极板41，所述第一极板41与所述第一电极211连接。当然可以理解的，在其他实施方式中，第一导电层40也可不包括第一极板。在一实施方式中，第一导电层40的材料包括但不限于氧化铟锡。在一实施方式中，所述第一导电层40在所述基底10上的正投影的位置与所述PIN二极管30在所述基底10上的正投影的位置不重叠。
第四绝缘层24设于所述第一导电层40上；结合图2，所述第四绝缘层24上设置有第二过孔241。在另一实施方式中，所述第四绝缘层24上还设置有第三过孔242。第四绝缘层24的材料也可包括氮化硅、氧化硅、有机光阻中的至少一种。所述第四绝缘层24上设置有第一开口(图中未标出)，所述第一开口用于连接所述第二电极51与所述PIN二极管30，也即所述第一开口用于将部分所述PIN二极管30裸露在外。
第二导电层50设于所述PIN二极管30上，所述第二导电层50包括第二电极51。所述第二电极51覆盖所述PIN二极管30。结合图2，所述第二电极51通过所述第二过孔241与所述第一连接部44连接。也即所述第二电极51通过所述第一连接部44与所述第一金属部212连接。在一实施方式中，第二导电层50的材料包括但不限于氧化铟锡。此外第一金属部212可以作为第二电极51的电压接入点，以使驱动芯片通过第一金属部212向第二电极51输入电压，进而缩短了第二电极51与驱动芯片之间的连接线的长度，降低了电压的损耗，进而进一步提高了感光传感器的灵敏度。此外在一实施方式中，第二电极51还可覆盖部分或者全部第一金属部212。其中在一实施方式中，部分第二电极51位于所述第一开口内。
在另一实施方式中，所述基底10还包括开关元件T2，所述开关元件T2包括第三漏极183。所述第二导电层50还包括像素电极53；所述像素电极53通过所述第三过孔242与所述第二连接部45连接，从而进一步减小了像素电极与第三漏极之间的过孔的深度，降低了曝光和蚀刻过程中由于深浅孔差异导致的工艺风险，提高了制程的稳定性和工艺可行性，进而提高了光学传感器的稳定性。
在一优选实施方式中，为了进一步减小连接线的阻抗，所述像素电极53覆盖所述第二连接部45。也即所述像素电极53在所述基底上的正投影面积大于或等于所述第二连接部45在所述基底上的正投影面积。
在一实施方式中，为了进一步提高感光传感器的灵敏度，所述第二电极51覆盖所述第一电极211和第一极板41，也即所述第二电极51在基底上的正投影的面积大于所述第一电极211在基底上的正投影的面积和第一极板41在基底上的正投影的面积之和。其中阵列基板100还可包括第二极板，所述第二极板为所述第二电极51中与所述第一极板41位置对应的部分(图中未标出)；第二极板与第一极板41形成存储电容C1。
在另一实施方式中，为了进一步提高阵列基板的集成度，减小整体厚度，所述第三金属层21还包括公共电极213；所述第一导电层40还包括触控电极线42；所述公共电极213的位置与所述触控电极线42的位置对应，且所述公共电极213与所述触控电极线42连接。在一实施方式中，第一导电层30的材料包括但不限于氧化铟锡。此处的触控电极线42还用于向作为公共电压的接入点。
在一实施方式中，为了简化制程工艺，降低生产成本，第一导电层40还包括第三极板43，第二导电层50还包括第四极板52，其中第四极板52与第三极板43的位置对应，以形成像素电容。
其中在一优选实施方式中，第三漏极183位于第二金属层18。也即开关元件T2的漏极和源极分别与控制元件T1的源极和漏极同层制作，此外开关元件T2的栅极可与控制元件T1的栅极同层制作，开关元件T2的有源层也可与控制元件T1的有源层同层制作。
此外在一实施方式中，上述阵列基板100还可包括第二绝缘层22。
第二绝缘层22设于所述第三金属层21和第一半导体层31之间；第二绝缘层22的材料可包括氮化硅、氧化硅、有机光阻中的至少一种。其中第二绝缘层22上设置有第二开口(图中未标出)，所述第二开口的位置与所述第一开口的位置对应，其中所述第二开口用于连接所述PIN二极管30与所述第一电极211。其中所述PIN二极管30可位于所述第二开口内以及覆盖在部分第二绝缘层22上。在一实施方式中，第二开口的面积大于所述第一开口的面积，或者说第二开口的宽度大于所述第一开口的宽度。其中为了便于PIN二极管30与第一电极211连接，所述第二开口的位置与所述第一电极211的位置对应。
第三绝缘层23设于PIN二极管30和第一导电层40之间；第三绝缘层23的材料也可包括氮化硅、氧化硅、有机光阻中的至少一种。
感光传感器包括PIN二极管30、第一电极以及第二电极，由于在控制元件T1上制作感光传感器，且由于PIN二极管30至少覆盖部分所述控制元件的有源层，使得感光传感器也至少覆盖部分控制元件的有源层，因此提高了开口率，进而提高指纹识别的准确度；此外由于非晶硅的感光层的吸光系数大大优于多晶硅，从而增大感光传感器的灵敏度。
由于第二电极通过所述第二过孔与所述第一连接部连接，因此可以减小第二电极与第一金属部之间的连接孔的深度，进而降低了曝光和蚀刻过程中由深浅孔差异导致的工艺风险，提高了制程的稳定性和工艺可行性，进而提高了光学传感器的稳定性。
如图2所示，在一实施方式中，本实施例的阵列基板的制作方法包括：
S101、在衬底基板11上制备遮光层12；
例如，采用曝光蚀刻等方式对遮光层12进行图案化，以使遮光层12遮挡第一半导体部141。
S102、在遮光层12上依次制备缓冲层13和有源层14。
例如，在缓冲层13上沉积非晶硅，经过准分子激光退火之后，得到多晶硅的有源层14，对有源层14进行曝光、蚀刻，分别形成第一半导体部141和第二半导体部142，并分别对第一半导体部141和第二半导体部142进行P离子掺杂形成N+，使第一半导体部141和第二半导体部142易于欧姆接触。
S103、在第一半导体部和第二半导体部上依次沉积第一绝缘层15以及第一金属层16。
例如，对第一金属层16进行图案化处理形成第一栅极161和第三栅极162。然后采用自对准工艺分别对第一半导体部141和第二半导体部142进行N-离子注入。
S104、在第一金属层16上沉积一层栅绝缘层17。
例如，在一实施方式中，栅绝缘层17可为SiNx/SiOx的叠层结构，在一实施方式中，可采用快速热退火进行氢化和活化，然后对该栅绝缘层17进行曝光、蚀刻，形成源极和漏极的连接孔，该连接孔与第一半导体部141或者第二半导体部142连接。
S105、在连接孔内以及栅绝缘层17沉积第二金属层。
例如，对第二金属层18进行图案化处理形成第一源极181和第一漏极182、以及第三漏极183和第三源极184。
S106、在第二金属层18上依次制备平坦层19和钝化层19’。
例如，钝化层19’上设置有第一过孔191，该第一过孔191贯穿钝化层19’和平坦层19，第一电极211通过第一过孔191与第一漏极182连接。
S107、在钝化层19’沉积第三金属层21。
例如，对所述第三金属层21进行图案化处理形成第一电极211、第一金属部212以及公共电极213。
S108、在第三金属层21沉积第二绝缘层22。
S109、在第二绝缘层22上依次沉积第一半导体层31、本征半导体层32以及第二半导体层33，并对其进行图形化处理。在一实施方式中，第一半导体层31的材料为N型非晶硅(N+a-Si)、本征半导体层32的材料为非晶硅(a-Si)，第二半导体层33的材料为P型非晶硅(P+a-Si)。
S110、在第二半导体层33上依次制作第三绝缘层23和第一导电层40，对第一导电层40进行图案化处理形成第一极板41、触控电极线42以及第三极板43、第一连接部44以及第二连接部45。
在第三绝缘层23上制作第一连接孔、第二连接孔以及第三连接孔(图中均未示出)，其中触控电极线42通过第一连接孔与公共电极213连接、第一极板41通过第二连接孔与第一电极211之间连接，所述第一连接部44通过第三连接孔与所述第一金属部212连接。第一连接孔、第二连接孔以及第三连接孔均贯穿第三绝缘层23和第二绝缘层22。
S111、在第一导电层40上依次沉积第四绝缘层24和第二导电层50。
例如，第四绝缘层24上设置有第二过孔241和第三过孔242，所述第二过孔241用于连接第二电极51和第一连接部44。
该第三过孔242用于连接像素电极53和第二连接部45。第二连接部45与第三漏极183连接。
在第二过孔、第三过孔内以及第四绝缘层24上制作第二导电层50，对第二导电层50进行图案化处理形成第二电极51、像素电极53以及第四极板52。
本实施例的阵列基板的制作方法包括了上述阵列基板的全部技术方案，因此能实现上述全部技术效果，此处不再赘述。
在其他实施例中，如图3所示，所述第三金属层21还可包括辅助部214，所述第二连接部45通过所述辅助部214与所述开关元件T2的漏极连接。从而进一步减小了像素电极与第三漏极之间的过孔的深度，降低了曝光和蚀刻过程中由深浅孔差异导致的工艺风险，提高了制程的稳定性和工艺可行性，进而提高了显示效果。
本实施例的钝化层19’上还设置有第四过孔，其中辅助部214通过第四过孔与第三漏极183连接。
本实施例的阵列基板的制作方法与上一实施例的区别在于：
本实施例的制作方法还包括：在钝化层19’上设置有第四过孔，其中辅助部214通过第四过孔与第三漏极183连接。
如图4所示，本实施例还提供一种显示面板200，其包括上述任意一种阵列基板100，此外该显示面板200还可以包括第二基板201，第二基板201与阵列基板100相对设置。该显示面板200可为液晶显示面板。阵列基板100和第二基板201之间还设置有液晶层(图中未示出)。此外阵列基板100和第二基板201之间还可设置有框胶，用于贴合阵列基板100和第二基板201。在一实施方式中，第二基板201可包括第二衬底基板71和第二电极72，第二电极72设于第二衬底基板71靠近阵列基板的一侧。在另一实施方式中，第二基板201可为彩膜基板，也即第二基板201还可包括彩膜层。可以理解的，第二基板201的结构不限于此。
请参阅图5，图5为本发明提供的电子设备的结构示意图。
该电子设备300可以包括显示面板200、控制电路80以及壳体90。需要说明的是，图5所示的电子设备300并不限于以上内容，其还可以包括其他器件，比如还可以包括摄像头、天线结构、指纹解锁模块等。
其中，显示面板200设置于壳体90上。
在一些实施例中，显示面板200可以固定到壳体90上，显示面板200和壳体90形成密闭空间，以容纳控制电路80等器件。
在一些实施例中，壳体90可以为由柔性材料制成，比如为塑胶壳体或者硅胶壳体等。
其中，该控制电路80安装在壳体90中，该控制电路80可以为电子设备300的主板，控制电路80上可以集成有电池、天线结构、麦克风、扬声器、耳机接口、通用串行总线接口、摄像头、距离传感器、环境光传感器、受话器以及处理器等功能组件中的一个、两个或多个。
其中，该显示面板200安装在壳体90中，同时，该显示面板200电连接至控制电路80上，以形成电子设备300的显示面。该显示面板200可以包括显示区域和非显示区域。该显示区域可以用来显示电子设备300的画面或者供用户进行触摸操控等。该非显示区域可用于设置各种功能组件。
所述电子设备包括但不限定于手机、平板电脑、计算机显示器、游戏机、电视机、显示屏幕、可穿戴设备及其他具有显示功能的生活电器或家用电器等。
本发明的阵列基板、显示面板及电子设备，包括基底，包括控制元件；第三金属层，设于所述基底上；所述第三金属层包括第一电极和第一金属部，所述第一电极与所述控制元件连接；PIN二极管，设于所述第一电极上，所述PIN二极管包括第一半导体层和本征半导体层；第一导电层，设于所述PIN二极管上；所述第一导电层包括第一连接部；所述第一连接部与所述第一金属部连接；第四绝缘层，设于所述第一导电层上；所述第四绝缘上设置有第二过孔；第二导电层，设于所述第四绝缘上和所述第二过孔内，所述第二导电层包括第二电极，所述第二电极覆盖所述PIN二极管；所述第二电极通过所述第二过孔与所述第一连接部连接；因此可以减小第二电极与第一金属部之间的连接孔的深度，进而降低了曝光和蚀刻过程中由深浅孔差异导致的工艺风险，提高了制程的稳定性和工艺可行性，进而提高了光学传感器的稳定性。
以上对本发明提供的阵列基板、显示面板及电子设备进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明。同时，对于本领域的技术人员，依据本发明的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本发明的限制。

Claims (14)

1.一种阵列基板，其特征在于，包括：
基底，包括控制元件；
第三金属层，设于所述基底上；所述第三金属层包括第一电极和第一金属部，所述第一电极通过第一过孔与所述控制元件连接；
PIN二极管，设于所述第一电极上，所述PIN二极管包括第一半导体层和本征半导体层；
第三绝缘层，设于所述PIN二极管上；
第一导电层，设于所述第三绝缘层上；所述第一导电层包括第一连接部；所述第一连接部与所述第一金属部连接；
第四绝缘层，设于所述第一导电层上；所述第四绝缘层 上设置有第二过孔；
第二导电层，设于所述第四绝缘层 上和所述第二过孔内，所述第二导电层包括第二电极，所述第二电极覆盖所述PIN二极管；所述第二电极通过所述第二过孔与所述第一连接部连接；
所述基底还包括开关元件；
所述第四绝缘层上还设置有第三过孔；
所述第一导电层还包括第二连接部；所述第二连接部与所述开关元件的漏极连接；
所述第二导电层还包括像素电极；所述像素电极通过所述第三过孔与所述第二连接部连接；
所述像素电极覆盖所述第二连接部；
所述第三金属层还包括辅助部，所述第二连接部通过所述辅助部与所述开关元件的漏极连接。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述基底还包括：
钝化层，设于所述第三金属层和所述开关元件之间，所述钝化层上设置有第四过孔，所述辅助部通过所述第四过孔与所述开关元件的漏极连接。
3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，
所述第一导电层在所述基底上的正投影的位置与所述PIN二极管所述基底上的正投影的位置不重叠。
4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，
所述第四绝缘层上设置有第一开口，所述第一开口用于连接所述第二电极与所述PIN二极管。
5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括第二绝缘层，所述第二绝缘层上设置有第二开口，所述第二开口的位置与所述第一开口的位置对应，其中所述第二开口用于连接所述PIN二极管与所述第一电极。
6.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，
所述第二开口的面积大于所述第一开口的面积。
7.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，
所述第三绝缘层上设置有第三连接孔，所述第一连接部通过所述第三连接孔与所述第一金属部连接。
8.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，
所述第三金属层还包括公共电极；所述第一导电层还包括触控电极线；所述公共电极的位置与所述触控电极线的位置对应，所述公共电极与所述触控电极线连接。
9.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，
所述第一导电层还包括第三极板；
所述第二导电层还包括第四极板，所述第三极板的位置与所述第四极板的位置对应。
10.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，
所述PIN二极管至少覆盖部分所述控制元件的有源层和部分第一电极。
11.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，
所述控制元件的有源层的材料为多晶硅，所述本征半导体层的材料为非晶硅。
12.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，
所述PIN二极管还包括第二半导体层，第二半导体层设于所述本征半导体层上。
13.一种显示面板，其特征在于，包括如权利要求1至12任意一项所述的阵列基板。
14.一种电子设备，其特征在于，包括如权利要求13所述的显示面板。
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