CN114792715A - 显示面板 - Google Patents

显示面板 Download PDF

Info

Publication number
CN114792715A
CN114792715A CN202210369830.6A CN202210369830A CN114792715A CN 114792715 A CN114792715 A CN 114792715A CN 202210369830 A CN202210369830 A CN 202210369830A CN 114792715 A CN114792715 A CN 114792715A
Authority
CN
China
Prior art keywords
electrode
display panel
layer
disposed
active pattern
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202210369830.6A
Other languages
English (en)
Inventor
宋继越
艾飞
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd
Original Assignee
Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd filed Critical Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd
Priority to CN202210369830.6A priority Critical patent/CN114792715A/zh
Priority to PCT/CN2022/087682 priority patent/WO2023193295A1/zh
Priority to US17/771,508 priority patent/US20240142837A1/en
Publication of CN114792715A publication Critical patent/CN114792715A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/60—OLEDs integrated with inorganic light-sensitive elements, e.g. with inorganic solar cells or inorganic photodiodes
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/13306—Circuit arrangements or driving methods for the control of single liquid crystal cells
    • G02F1/13318—Circuits comprising a photodetector
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1339—Gaskets; Spacers; Sealing of cells
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/1368—Active matrix addressed cells in which the switching element is a three-electrode device
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1222—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or crystalline structure of the active layer
    • H01L27/1225—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or crystalline structure of the active layer with semiconductor materials not belonging to the group IV of the periodic table, e.g. InGaZnO
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
    • H01L27/127—Multistep manufacturing methods with a particular formation, treatment or patterning of the active layer specially adapted to the circuit arrangement
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Sustainable Development (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)

Abstract

本申请实施例公开了一种显示面板，该显示面板包括衬底、设置于衬底上方的薄膜晶体管器件和感光器件，感光器件包括第一电极、第二电极、第二有源图案、阻挡件、连接电极，第二有源图案包括第二轻掺杂部、第二本征部、第二重掺杂部，阻挡件在衬底上的正投影与第二本征部在衬底上的正投影重叠，第二本征部围绕第二轻掺杂部设置，第二重掺杂部围绕第二本征部设置；通过第二本征部降低感光器件的暗态电流，提升灵敏度。

Description

显示面板
技术领域
本申请涉及光感显示技术领域，具体涉及一种显示面板。
背景技术
光电探测传感器应用十分广泛，可用于无接触量测，指纹识别，环境光检测，通信等各方面。随着面板产业的迅猛发展，人们除了对显示器高分辨、宽视角、低功耗等要求外，也对显示面板提出了其它要求。丰富面板功能，增加人机互动，提高显示面板的竞争力，是目前显示面板的主要发展方向之一。其中环境光检测功能可以根据外部环境的亮度自动调节屏幕亮度，也可以根据外界的环境，在拍照时自动打开闪光灯或者进行补光。现在的环境光传感器基本都采用外挂方式，这样无法避免地增加了制作的成本。因此，以较少的光罩数量，将环境光传感器集成于阵列基板内部，从而实现低成本坏境光检测的集成，已成为各面板厂商和终端厂商所公共关注的热点。
因此，现有显示面板存在感光器件较难低成本的集成在显示面板内的技术问题。
发明内容
本申请实施例提供一种显示面板，可以缓解现有显示面板存在感光器件较难低成本的集成在显示面板内的技术问题。
本申请实施例提供一种显示面板，所述显示面板包括阵列基板，所述阵列基板包括：
衬底；
薄膜晶体管器件；
感光器件，所述感光器件包括第一电极、第二电极、第二有源图案、连接电极、阻挡件，所述第二有源图案包括第二本征部、第二重掺杂部、第二轻掺杂部，所述第二电极与所述第二重掺杂部电连接，所述第一电极通过所述连接电极与所述第二轻掺杂部电连接，所述连接电极通过一接触面与所述第二轻掺杂部接触；
其中，所述阻挡件在所述衬底上的正投影与所述第二本征部在所述衬底上的正投影重叠，所述第二本征部围绕所述第二轻掺杂部设置，所述第二重掺杂部围绕所述第二本征部设置。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述显示面板还包括层间绝缘层、平坦层、钝化层，所述层间绝缘层设置于所述衬底上方，所述平坦层设置于所述层间绝缘层上方的，所述钝化层设置于所述平坦层上，所述第二电极通过第一过孔与所述第二重掺杂部连接，所述连接电极包括位于所述第二过孔内的所述第一部分、位于所述第三过孔内的所述第二部分以及连接所述第一部分和所述第二部分的第三部分，所述第一部分与所述第二轻掺杂部连接，所述第二部分与所述第一电极连接，所述第一部分和所述第二部分分别沿膜厚方向设置。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述连接电极与所述第二轻掺杂部接触的接触面的面积小于所述第二轻掺杂部朝向所述连接电极一侧表面的面积。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述阻挡件为环状结构。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述薄膜晶体管器件包括设置于所述衬底上方的第一有源图案、栅极、源极、漏极，所述栅极设置于所述第一有源图案上方，所述源极、所述漏极设置于所述栅极上方，所述第一有源图案包括第一本征部、第一重掺杂部、第一轻掺杂部，所述第一轻掺杂部围绕所述第一本征部设置，所述第一重掺杂部围绕所述第一轻掺杂部设置，所述第一有源图案与所述第二有源图案同层设置。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述第一有源图案与所述第二有源图案的制备材料相同。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述阻挡件与所述栅极同层设置。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述第二电极、所述第一电极、所述源极、漏极同层设置。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述显示面板还包括设置于所述钝化层上的第三电极，所述第三电极与所述源极连接，所述连接电极与所述第三电极同层设置。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述显示面板还包括第四电极，所述第四电极设置于所述平坦层上，所述连接电极与所述第四电极同层设置。
有益效果：通过在感光器件内设置阻挡件，阻挡件在衬底上的正投影与第二本征部在衬底上的正投影重叠，使第二有源图案包括第二轻掺杂部、第二本征部、第二重掺杂部，第二本征部围绕第二轻掺杂部设置，第二重掺杂部围绕第二本征部设置，通过第二本征部降低感光器件的暗态电流，提升灵敏度。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本申请实施例提供的显示面板的截面示意图；
图2是本申请实施例提供的显示面板内感光器件的俯视示意图；
图3是本申请实施例提供的显示面板制备方法的流程示意图；
图4A至图4G是本申请实施例提供的显示面板制备方法的截面示意图。
附图标记说明：
Figure BDA0003587781150000031
Figure BDA0003587781150000041
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。此外，应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本申请，并不用于限制本申请。在本申请中，在未作相反说明的情况下，使用的方位词如“上”和“下”通常是指装置实际使用或工作状态下的上和下，具体为附图中的图面方向；而“内”和“外”则是针对装置的轮廓而言的。
在现有显示面板中，感光器件采用外挂的方式设置于所述显示面板外部，外挂的方式增加了制作的成本；而如何以较少的光罩数量，将感光器件集成于显示面板内部成为各面板厂商和终端厂商所公共关注的热点、重点。
因此，亟需一种能减少光罩数量、降低成本的显示面板，同时其内部集成有感光器件。
请参阅图1，本申请提供的显示面板包括衬底10、设置于所述衬底10上方的薄膜晶体管器件1和感光器件2，所述薄膜晶体管器件1包括设置于所述衬底10上方的第一有源图案401、栅极601、源极801、漏极802，所述第一有源图案401包括第一本征部4011、第一重掺杂部4012、第一轻掺杂部4013，所述感光器件2包括第一电极804、第二电极803、第二有源图案402、连接电极130，所述第二有源图案402包括第二本征部4021、第二重掺杂部4022、第二轻掺杂部4023，所述第二电极803与所述第二重掺杂部4022电连接，所述第一电极804与所述第二轻掺杂部4023电连接，其中，所述第一有源图案401与所述第二有源图案402同层设置。
本申请通过将感光器件2的第二有源图案402与薄膜晶体管器件1的第一有源图案401同层设置，减少了将感光器件2集成在显示面板内所需的光罩数量，降低了成本。
其中，所述感光器件2的阻挡件602、第一电极804、第二电极803、连接电极130均可以与所述薄膜晶体管器件1的现有膜层共用光罩制备得到；具体的，所述第二有源图案402与所述第一有源图案401可以同层设置，所述阻挡件602与所述栅极601可以同层设置，所述第一电极804、所述第二电极803与所述源极801、所述漏极802可以同层设置，所述连接电极130与所述第三电极120/第四电极100可以同层设置；此时，无需增加光罩即可将感光器件2集成于所述显示面板内。
其中，所述感光器件2可以为光感传感器，用于接收光信号，可用于无接触量测、指纹识别、环境光检测、通信等，通过集成感光器件2，丰富了显示面板的功能，增加了人机互动，提高显示面板的竞争力。
现结合具体实施例对本申请的技术方案进行描述。
本申请显示面板可以为OLED显示面板、也可以为液晶显示面板；下述主要以FFS液晶显示面板为例进行说明。
在一种实施例中，所述第一电极804、所述第二电极803、所述连接电极130、所述第二有源图案402构成垂直异质结结构。
其中，所述连接电极包括位于所述第二过孔H2内的所述第一部分、位于所述第三过孔H3内的所述第二部分以及连接所述第一部分和所述第二部分的第三部分，所述第一部分与所述第二轻掺杂部4023连接，所述第二部分与所述第一电极804连接，所述第一部分和所述第二部分分别沿膜厚方向设置。
在一种实施例中，所述接触面为所述垂直异质结结构的受光面，所述接触面的面积小于所述第二轻掺杂部4023朝向所述连接电极130一侧表面的面积。
在一种实施例中，所述显示面板可以为OLED显示面板，所述OLED显示面板包括衬底10、阵列层、平坦层90，以及设置于所述平坦层90上方的阳极、阴极。
其中，所述连接电极130可以与所述阳极或所述阴极同层设置。
可以理解的是，所述连接电极130可以与所述多个电极中的任一者共用同一光罩，无需额外增加光罩用于制备得到连接电极130，降低了成本。
请参阅图1、图2，在一些实施例中，所述显示面板可以为FFS液晶显示面板，所述液晶显示面板包括阵列基板，所述阵列基板包括衬底10、遮光层20、缓冲层30、有源层40、栅绝缘层50、栅极层、层间绝缘层70、源漏极层、平坦层90、第四电极100层、钝化层110、第三电极层。
其中，有源层40包括第一有源图案401和第二有源图案402；以第二有源图案402为例进行说明，所述第二有源图案402位于感光器件2内，所述第二有源图案402包括第二本征部4021、第二重掺杂部4022、第二轻掺杂部4023；其中，所述第二本征部4021为半导体，所述第二重掺杂部4022为导体；所述第二本征部4021的电阻值大于所述第二轻掺杂部4023的电阻值大于所述第二重掺杂部4022的电阻值；因此，通过阻挡件602阻挡N-离子轻掺杂，阻挡件602与第二本征部4021对应，可以使整体第二有源图案402的阻抗增加，从而降低感光器件2暗态电流，提升检测灵敏度；所述第一有源图案401与第二有源图案402相似，在此不再赘述。
可以理解的是，通过控制阻挡件602的阻挡面积，可以控制所述第二有源图案402中第二本征部4021的占比，从而进一步降低感光器件2暗态电流，提升检测灵敏度。
其中，所述栅极层可以包括同层设置的栅极601和阻挡件602。
其中，所述源漏极层可以包括同层设置的源极801、漏极802、第一电极804、第二电极803。
其中，可以所述第四电极100层包括同层设置的所述第四电极100、所述连接电极130，也可以所述第三电极层包括同层设置的所述第三电极120、所述连接电极130。
在一种实施例中，所述遮光层20的膜层厚度范围为500埃至5000埃。
其中，其制备材料可以是Mo，Al，Cu，Ti或合金中的至少一种。
在一种实施例中，所述缓冲层30的厚度范围为1000埃至5000埃。
其中，所述缓冲层30为一层SiOx或一层SiNx或SiNx/SiOx叠层结构。
在一种实施例中，所述有源层40的制备材料包括poly-Si。
在一种实施例中，所述栅极绝缘层为一层SiOx或一层SiNx或SiNx/SiOx叠层结构，其厚度范围为1000埃至5000埃。
在一种实施例中，所述层间绝缘层70的制备材料包括SiOx、SiNx、SiON、金属氧化物中的至少一种。
其中，所述层间绝缘层70可以为SiNx/SiOx叠层结构。
在一种实施例中，所述源漏极层的制备材料包括Mo、Ti、Al、Cu、Ag、合金中的至少一种。
在一种实施例中，所述第二电极803通过第一过孔H1与所述第二重掺杂部4022连接，所述第一电极804通过第二过孔H2与所述连接电极130连接，所述连接电极130通过第三过孔H3与所述第二轻掺杂部4023连接，所述第二电极803、所述第一电极804、所述源极801、所述漏极802同层设置。
其中，所述第一电极804、所述第二电极803、所述连接电极130、所述第二有源图案402构成异质结垂直结构，通过异质结垂直结构增加了设计面积的自由度。
可以理解的是，所述感光器件2的接收光线的感光面积具有可自由调节的特性，其等于所述连接电极130与所述第二轻掺杂部4023的接触面积，通过控制所述第二轻掺杂部4023的表面积，可以调节所述感光面积的最大值；通过调节所述连接电极130与所述第二轻掺杂部4023的接触面积，则可以调节所述感光面积的大小。
在一种实施例中，所述显示面板还包括设置于所述薄膜晶体管器件1上方的第三电极120，所述第三电极120与所述源极801/漏极802连接，所述连接电极130与所述第三电极120同层设置。
在一种实施例中，所述第二本征部4021围绕所述第二轻掺杂部4023设置，所述第二重掺杂部4022围绕所述第二本征部4021设置，在所述第二本征部4021上方设置有阻挡件602，所述阻挡件602与所述栅极601同层设置。
其中，所述阻挡件602可以为环状结构。
可以理解的是，通过增加阻挡件602遮挡，遮挡磷离子轻掺杂，阻挡件602下方对应形成所述第二本征部4021，所述第二本征部4021的电阻较所述第二轻/重掺杂部大，能降低器件的暗态电流，提升检测灵敏度。
在一种实施例中，所述阻挡件602为环状结构，所述阻挡件602在所述衬底10上的正投影与所述第二本征部4021在所述衬底10上的正投影重叠。
其中，所述阻挡件602与所述第二本征部4021对位设置。
在一种实施例中，所述连接电极130通过一接触面与所述第二轻掺杂部4023接触，所述接触面的面积小于所述第二轻掺杂部4023朝向所述连接电极130一侧表面的面积。
在一种实施例中，所述第一有源图案401与所述第二有源图案402的制备材料相同。
在一种实施例中，所述阻挡件602与所述栅极601的制备材料相同。
在一种实施例中，所述第一电极804、所述第二电极803与所述源极801、所述漏极802的制备材料相同。
在一种实施例中，所述连接电极130与所述第三电极120、所述第四电极100的制备材料相同。
其中，所述连接电极130、所述第三电极120、所述第四电极100的制备材料为铜、银、锂、镱、镁、铝、铟、ITO、IZO、AZO中的至少一种。
请参阅图3，本申请实施例提供一种显示面板制备方法，包括：
S1：提供一衬底10；
S2：在所述衬底10上方制备得到有源层40，所述有源层40包括同层设置的第一有源图案401和第二有源图案402；
S3：在所述有源层40上方制备得到栅绝缘层50、栅极层、层间绝缘层70，所述栅极层包括栅极601和阻挡件602，所述栅极601与所述第一有源图案401对应设置，所述阻挡件602与所述第二有源图案402对应设置；
S4：在所述层间绝缘层70上方制备得到源极801、漏极802、第一电极804、第二电极803；
S5：在所述源漏极层上方制备得到平坦层90、连接电极130，其中，所述源极801、所述漏极802、所述栅极601构成薄膜晶体管器件1，所述第一电极804、所述第二电极803、所述连接电极130、所述第二有源图案402构成感光器件2。
在一些实施例中，所述显示面板制备方法为FFS液晶显示面板制备方法，所述FFS液晶显示面板包括阵列基板，请参阅图4A至图4G，为所述阵列基板制备方法。
具体的，在一种实施例中，请参阅图4A，提供衬底10，在所述衬底10上制备得到遮光层20。
具体的，在一种实施例中，请参阅图4B，在图4A的基础上，在所述衬底10、所述遮光层20上制备得到缓冲层30，在所述缓冲层30上制备一层a-Si，经过准分子激光退火之后，将a-Si转变为poly-Si，并采用曝光蚀刻方法制备得到有源层40，所述有源层40包括第一有源图案401和第二有源图案402，对第一有源图案401和第二有源图案402进行磷离子掺杂，制备得到第一有源图案401的第一重掺杂部4012和第二有源图案402的第二重掺杂部4022。
具体的，在一种实施例中，请参阅图4C，在图4B的基础上，在所述缓冲层30、所述有源层40上制备得到栅绝缘层50，在所述栅绝缘层50上制备得到栅极层，所述栅极层包括栅极601和阻挡件602，通过栅极601和阻挡件602遮挡进行N-离子植入，制备得到第一有源图案401的第一轻掺杂部4013和第二有源图案402的第二轻掺杂部4023。
其中，通过增加环状阻挡件602对N-掺杂离子进行遮挡，降低了器件的暗态电流，提升了感光器件2的灵敏度。
具体的，在一种实施例中，请参阅图4D，在图4C的基础上，在所述栅绝缘层50、所述栅极层上制备得到层间绝缘层70，并对所述层间绝缘层70图案化得到第一过孔H1。
其中，所述多个过孔分别对应所述第一重掺杂部4012、第二重掺杂部4022。
其中，所述图案化得到第一过孔H1的步骤包括：通过曝光蚀刻方法得到所述第一过孔H1。
其中，所述层间绝缘层70可为SiNx/SiOx叠层结构。
具体的，在一种实施例中，请参阅图4E，在图4D的基础上，在所述层间绝缘层70上制备得到源漏极层，所述源漏极层包括同层设置的源极801、漏极802、第一电极804、第二电极803；其中，所述源极801/漏极802与所述第一重掺杂部4012分别通过两通孔连接，所述第二电极803与所述第二重掺杂部4022通过第一过孔H1连接。
具体的，在一种实施例中，请参阅图4F，在图4E的基础上，在所述层间绝缘层70、所述源漏极层上制备得到平坦层90，在所述平坦层90上制备得到第四电极100，在所述第四电极100、所述平坦层90上制备得到钝化层110；并对所述平坦层90、所述钝化层110图案化形成第二过孔H2、第三过孔H3。
其中，所述第二过孔H2的孔径可根据需求的感光面积进行适应性调节，增加了设计面积的自由度，当需要较大的感光面积时，所述第二过孔H2底面的面积等于或略小于所述第二轻掺杂部4023的上表面积；例如所述第二过孔H2底面的面积略小于所述第二轻掺杂部4023的上表面积时，所述第二过孔H2底面的面积与所述第二轻掺杂部4023的上表面积的比值范围为0.85：1至1:1。
其中，所述平坦层90可以采用有机材料制备得到，也可以采用SINx、SiOx等无机绝缘层材料制备得到。
在本实施例中，所述第二过孔H2的孔径可根据需求的感光面积进行适应性调节，增加了感光面积设计的自由度。
具体的，在一种实施例中，请参阅图4G，在图4F的基础上，在所述钝化层110上制备得到第三电极层，所述第三电极层包括第三电极120和连接电极130。
其中，所述连接电极130与所述第二轻掺杂部4023通过所述第二过孔H2连接，所述连接电极130与所述第一电极804通过所述第三过孔H3连接。
在一种实施例中，连接电极130还可以与所述第四电极100同层制备得到，即在制备得到所述第四电极100时，同步采用同一光罩制备得到所述连接电极130。
在一种实施例中，在制备得到所述栅极层的步骤中还包括：在所述衬底10上方制备得到所述栅极层，所述栅极层包括同层设置的栅极601和阻挡件602，所述栅极601与所述第一有源图案401对应设置，所述阻挡件602与所述第二有源图案402对应设置，其中，所述阻挡件602为环状结构。
可以理解的是，通过将所述阻挡件602与所述栅极601用同一道光罩制备得到，可以节省一道光罩，减少光罩数量，降低成本。
在一种实施例中，在制备得到源极801、漏极802、第一电极804、第二电极803的步骤中还包括：在所述层间绝缘层70上制备得到源漏极层，所述源漏极层包括同层设置的所述源极801、所述漏极802、所述第一电极804、所述第二电极803。
可以理解的是，通过将所述第一电极804、所述第二电极803与所述源极801、所述漏极802用同一道光罩制备得到，可以进一步的节省一道光罩，减少光罩数量，降低成本。
在一种实施例中，还包括：在所述源漏极层上方制备得到一电极层，所述电极层包括同层设置的第三电极120和所述连接电极130，所述第三电极120通过一贯穿所述平坦层90的通孔与所述源极801/漏极802连接。
可以理解的是，通过将所述连接电极130与所述第三电极120用同一道光罩制备得到，可以更进一步的节省一道光罩，减少光罩数量，降低成本。
需要注意的是，优选的，当所述第二有源图案402与所述第一有源图案401共用一道光罩，所述阻挡件602与所述栅极601共用一道光罩，所述第一电极804、所述第二电极803与所述源极801、所述漏极802共用一道光罩，且所述连接电极130与所述第三电极120/第四电极100共用一道光罩时，将所述感光器件2集成于所述阵列基板或所述显示面板内时，无需额外增加光罩，实现了在不增加光罩、不增加工序的前提下，以更低的成本将感光器件2集成于显示面板内。
在一种实施例中，还包括：通过在显示面板内形成第一过孔H1、第二过孔H2、第三过孔H3，使所述第二电极803通过第一过孔H1与所述第二重掺杂部4022连接，使所述第一电极804通过第二过孔H2与所述连接电极130连接，使所述连接电极130通过第三过孔H3与所述第二轻掺杂部4023连接。
上述显示面板制备方法主要采用LTPS工艺举例说明，但本申请不限于LTPS工艺，也可用于a-Si、IGZO等工艺，可以不增加光罩数量实现感光器件2集成于所述显示面板内或所述阵列基板内。
本申请还提出了一种显示装置、一种显示模组，其中，所述显示模组可以包括上述FFS显示面板以及设置于所述FFS显示面板一侧的背板、胶框、光学膜片、导光板/扩散片等。所述显示装置也包括上述显示面板，此处不再赘述。
本申请实施例提供了一种显示面板，显示面板包括衬底、设置于所述衬底上方的薄膜晶体管器件和感光器件，所述薄膜晶体管器件包括设置于所述衬底上方的第一有源图案、栅极、源极、漏极，所述第一有源图案包括第一本征部、第一重掺杂部、第一轻掺杂部，所述感光器件包括第一电极、第二电极、第二有源图案、连接电极，所述第二有源图案包括第二本征部、第二重掺杂部、第二轻掺杂部，所述第二电极与所述第二重掺杂部电连接，所述第一电极与所述第二轻掺杂部电连接，通过在感光器件内设置阻挡件，阻挡件在衬底上的正投影与第二本征部在衬底上的正投影重叠，使第二有源图案包括第二轻掺杂部、第二本征部、第二重掺杂部，第二本征部围绕第二轻掺杂部设置，第二重掺杂部围绕第二本征部设置，通过第二本征部降低感光器件的暗态电流，提升灵敏度。
优选的，所述感光器件的第一电极、第二电极与所述薄膜晶体管器件的源极、漏极同层设置，第一电极、第二电极、源极、漏极采用同一道光罩制备得到；所述感光器件的连接电极与所述薄膜晶体管器件上方的第三电极/第四电极同层设置，连接电极、第三电极/第四电极采用同一道光罩制备得到；所述感光器件的阻挡件与所述薄膜晶体管器件的栅极同层设置，所述阻挡件与所述栅极采用同一道光罩制备得到；因此，无需增加光罩即可将感光器件集成于显示面板内。
在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述的部分，可以参见其他实施例的相关描述。
以上对本申请实施例所提供的一种显示面板、一种显示面板制备方法进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的方法及其核心思想；同时，对于本领域的技术人员，依据本申请的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本申请的限制。

Claims (10)

1.一种显示面板，包括阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括：
衬底；
薄膜晶体管器件；
感光器件，所述感光器件包括第一电极、第二电极、第二有源层、连接电极、阻挡件，所述第二有源图案包括第二本征部、第二重掺杂部、第二轻掺杂部，所述第二电极与所述第二重掺杂部电连接，所述第一电极通过所述连接电极与所述第二轻掺杂部电连接，所述连接电极与所述第二轻掺杂部接触；
其中，所述阻挡件在所述衬底上的正投影与所述第二本征部在所述衬底上的正投影重叠，所述第二本征部围绕所述第二轻掺杂部设置，所述第二重掺杂部围绕所述第二本征部设置。
2.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括层间绝缘层、平坦层、钝化层，所述层间绝缘层设置于所述衬底上方，所述平坦层设置于所述层间绝缘层上方的，所述钝化层设置于所述平坦层上，所述第二电极通过第一过孔与所述第二重掺杂部连接，所述连接电极包括位于所述第二过孔内的所述第一部分、位于所述第三过孔内的所述第二部分以及连接所述第一部分和所述第二部分的第三部分，所述第一部分与所述第二轻掺杂部连接，所述第二部分与所述第一电极连接，所述第一部分和所述第二部分分别沿膜厚方向设置。
3.如权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述连接电极与所述第二轻掺杂部接触的接触面的面积小于所述第二轻掺杂部朝向所述连接电极一侧表面的面积。
4.如权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述阻挡件为环状结构。
5.如权利要求4所述的显示面板，其特征在于，所述薄膜晶体管器件包括设置于所述衬底上方的第一有源图案、栅极、源极、漏极，所述栅极设置于所述第一有源图案上方，所述源极、所述漏极设置于所述栅极上方，所述第一有源图案包括第一本征部、第一重掺杂部、第一轻掺杂部，所述第一轻掺杂部围绕所述第一本征部设置，所述第一重掺杂部围绕所述第一轻掺杂部设置，所述第一有源图案与所述第二有源图案同层设置。
6.如权利要求5所述的显示面板，其特征在于，所述第一有源图案与所述第二有源图案的制备材料相同。
7.如权利要求6所述的显示面板，其特征在于，所述阻挡件与所述栅极同层设置。
8.如权利要求5所述的显示面板，其特征在于，所述第二电极、所述第一电极、所述源极、漏极同层设置。
9.如权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括设置于所述钝化层上的第三电极，所述第三电极与所述源极连接，所述连接电极与所述第三电极同层设置。
10.如权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括第四电极，所述第四电极设置于所述平坦层上，所述连接电极与所述第四电极同层设置。
CN202210369830.6A 2022-04-08 2022-04-08 显示面板 Pending CN114792715A (zh)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202210369830.6A CN114792715A (zh) 2022-04-08 2022-04-08 显示面板
PCT/CN2022/087682 WO2023193295A1 (zh) 2022-04-08 2022-04-19 显示面板及其制备方法
US17/771,508 US20240142837A1 (en) 2022-04-08 2022-04-19 Display panel and manufacturing method thereof

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202210369830.6A CN114792715A (zh) 2022-04-08 2022-04-08 显示面板

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN114792715A true CN114792715A (zh) 2022-07-26

Family

ID=82461195

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202210369830.6A Pending CN114792715A (zh) 2022-04-08 2022-04-08 显示面板

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20240142837A1 (zh)
CN (1) CN114792715A (zh)
WO (1) WO2023193295A1 (zh)

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050116250A1 (en) * 2003-10-27 2005-06-02 Akira Mizuguchi Solid-state image sensing device and method of fabricating a solid-state image sensing device
CN1870296A (zh) * 2005-04-28 2006-11-29 Lg.菲利浦Lcd株式会社 薄膜晶体管及使用其的液晶显示器件
JP2007194547A (ja) * 2006-01-23 2007-08-02 Seiko Epson Corp 半導体装置および半導体装置の製造方法
CN101996997A (zh) * 2009-08-11 2011-03-30 日本优尼山帝斯电子株式会社 半导体器件及其制造方法
CN110010672A (zh) * 2017-11-27 2019-07-12 台湾积体电路制造股份有限公司 具有高压器件的半导体器件结构
CN112928134A (zh) * 2021-02-03 2021-06-08 武汉华星光电技术有限公司 阵列基板和显示面板

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100984362B1 (ko) * 2004-04-02 2010-09-30 삼성전자주식회사 유기 발광 표시판
CN104916584A (zh) * 2015-04-30 2015-09-16 京东方科技集团股份有限公司 一种制作方法、阵列基板及显示装置
CN106326845B (zh) * 2016-08-15 2017-08-11 京东方科技集团股份有限公司 指纹识别单元及制作方法、阵列基板、显示装置及指纹识别方法
CN107819018B (zh) * 2017-10-31 2020-11-10 武汉天马微电子有限公司 一种电致发光显示面板及显示装置
CN108710237B (zh) * 2018-04-27 2022-08-12 厦门天马微电子有限公司 显示面板及显示装置
CN109993156B (zh) * 2019-04-24 2022-09-06 京东方科技集团股份有限公司 超声波指纹识别面板及显示装置
CN113488507A (zh) * 2021-03-30 2021-10-08 华为技术有限公司 一种显示面板、显示模组及电子设备

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050116250A1 (en) * 2003-10-27 2005-06-02 Akira Mizuguchi Solid-state image sensing device and method of fabricating a solid-state image sensing device
CN1870296A (zh) * 2005-04-28 2006-11-29 Lg.菲利浦Lcd株式会社 薄膜晶体管及使用其的液晶显示器件
JP2007194547A (ja) * 2006-01-23 2007-08-02 Seiko Epson Corp 半導体装置および半導体装置の製造方法
CN101996997A (zh) * 2009-08-11 2011-03-30 日本优尼山帝斯电子株式会社 半导体器件及其制造方法
CN110010672A (zh) * 2017-11-27 2019-07-12 台湾积体电路制造股份有限公司 具有高压器件的半导体器件结构
CN112928134A (zh) * 2021-02-03 2021-06-08 武汉华星光电技术有限公司 阵列基板和显示面板

Also Published As

Publication number Publication date
WO2023193295A1 (zh) 2023-10-12
US20240142837A1 (en) 2024-05-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US20210273194A1 (en) Electroluminescent display substrate, manufacturing method thereof, and electroluminescent display device
US8619208B2 (en) Display and method for manufacturing display
JP4737956B2 (ja) 表示装置および光電変換素子
US8198149B2 (en) Method for fabricating active device array substrate
CN111244196B (zh) 光感薄膜晶体管、显示面板及显示装置
US20160365465A1 (en) Sensor and manufacturing method of sensor
US20220029137A1 (en) Electroluminescent display substrate and display device
WO2020191981A1 (zh) 一种tft阵列基板以及全面屏显示装置
CN112198729B (zh) 阵列基板、显示面板及电子设备
WO2019238026A1 (zh) 光学传感器件及其制作方法、显示器件
CN112259556A (zh) 阵列基板及其制备方法
TWI383502B (zh) 畫素結構及其製造方法
CN112242407B (zh) 阵列基板及其制备方法
CN114122017A (zh) 一种显示面板及其制作方法
CN113362721B (zh) 阵列基板、阵列基板制造方法及显示面板
WO2023102974A1 (zh) 一种显示面板及显示面板制作方法
CN114792715A (zh) 显示面板
CN112992951B (zh) 显示面板及其制备方法、显示装置
CN114975543A (zh) 显示面板、显示装置及显示面板的制作方法
WO2022236868A1 (zh) 阵列基板
WO2022241863A1 (zh) 阵列基板及其制作方法、显示面板
US10777686B2 (en) Thin film transistor and method for manufacturing the same, array substrate and display panel
CN110993645A (zh) 显示面板及其制备方法、显示装置
JP2004140338A (ja) 光センサ素子、これを用いた平面表示装置、光センサ素子の製造方法、平面表示装置の製造方法
CN114597244A (zh) 显示面板及移动终端

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination