CN113362721B - 阵列基板、阵列基板制造方法及显示面板 - Google Patents

阵列基板、阵列基板制造方法及显示面板 Download PDF

Info

Publication number
CN113362721B
CN113362721B CN202110702781.9A CN202110702781A CN113362721B CN 113362721 B CN113362721 B CN 113362721B CN 202110702781 A CN202110702781 A CN 202110702781A CN 113362721 B CN113362721 B CN 113362721B
Authority
CN
China
Prior art keywords
electrode plate
electrode
insulating layer
array substrate
layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN202110702781.9A
Other languages
English (en)
Other versions
CN113362721A (zh
Inventor
龚帆
艾飞
宋继越
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd
Original Assignee
Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd filed Critical Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd
Priority to CN202110702781.9A priority Critical patent/CN113362721B/zh
Priority to PCT/CN2021/108358 priority patent/WO2022267159A1/zh
Priority to US17/593,659 priority patent/US20230215881A1/en
Publication of CN113362721A publication Critical patent/CN113362721A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN113362721B publication Critical patent/CN113362721B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/1446—Devices controlled by radiation in a repetitive configuration
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09F—DISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
    • G09F9/00—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
    • G09F9/30—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1255—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs integrated with passive devices, e.g. auxiliary capacitors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
    • H01L27/1288—Multistep manufacturing methods employing particular masking sequences or specially adapted masks, e.g. half-tone mask
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/14609—Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
    • H01L27/14692—Thin film technologies, e.g. amorphous, poly, micro- or nanocrystalline silicon
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/13—Active-matrix OLED [AMOLED] displays comprising photosensors that control luminance

Abstract

本申请实施例公开了一种阵列基板、阵列基板制造方法及显示面板。阵列基板包括：基底；薄膜晶体管，设于所述基底上，包括栅极、有源层、连接所述有源层的源极和漏极；感光传感器，所述感光传感器包括感光模块和存储模块，所述感光模块包括感光半导体层，所述存储模块包括第一电极板和第二电极板；其中，所述感光半导体层设置于所述漏极的延伸部之上，所述第一电极板电连接所述感光半导体层远离所述漏极的延伸部的一侧，所述第二电极板电连接所述漏极。本申请实施例的阵列基板包含感光传感器，减小了感光传感器的膜层数量，可以减小阵列基板的制作工序数量，节省光罩。

Description

阵列基板、阵列基板制造方法及显示面板
技术领域
本申请涉及显示领域，具体涉及一种阵列基板、阵列基板制造方法及显示面板。
背景技术
随着面板产业的迅猛发展，人们除了对显示器高分辨、宽视角、低功耗等要求外，也对显示面板提出了其它要求。丰富面板功能，增加人机互动，提高显示面板的竞争力，是目前显示面板的主要发展方向之一。将环境光感光传感器集成到显示面板，可以避免因外挂环境光感光传感器而在屏幕上打孔或缩减屏幕尺寸，避免了影响屏幕的美观和屏占比。然而当前环境光感光传感器集成在显示面板的膜层繁多，工艺复杂的问题。
发明内容
本申请实施例提供了一种阵列基板、阵列基板制造方法及显示面板。阵列基板包括：基底；薄膜晶体管，设于所述基底上，包括栅极、有源层、源极和漏极；感光传感器，所述感光传感器包括感光模块和存储模块，所述感光模块包括感光半导体层，所述存储模块包括第一电极板和第二电极板；其中，所述感光半导体层设置于所述漏极的延伸部之上，所述第一电极板电连接所述感光半导体层远离所述漏极的延伸部的一侧，所述第二电极板电连接所述漏极。感光半导体层设置于漏极的延伸部之上，解决了当前环境光感光传感器集成在显示面板的膜层繁多，工艺复杂的问题。
本申请实施例提供了一种阵列基板，包括：
基底；
薄膜晶体管，设于所述基底上，包括栅极、有源层、源极和漏极；
感光传感器，所述感光传感器包括感光模块和存储模块，所述感光模块包括感光半导体层，所述存储模块包括第一电极板和第二电极板；
其中，所述感光半导体层设置于所述漏极的延伸部之上，所述第一电极板电连接所述感光半导体层远离所述漏极的延伸部的一侧，所述第二电极板电连接所述漏极。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述存储模块包括存储电容，所述第一电极板和所述第二电极板构成所述存储电容。
可选的，在本申请的一些实施例中，还包括：
第一绝缘层，设于所述感光半导体层和所述薄膜晶体管上，所述第二电极板设于所述第一绝缘层上；
第二绝缘层，设于所述第二电极板上，所述第一电极板设于所述第二绝缘层上，所述第一电极板通过所述第一绝缘层和所述第二绝缘层中的第一过孔连接所述感光半导体层。
可选的，在本申请的一些实施例中，还包括：
连接电极，设于所述第二绝缘层上，所述第二绝缘层包括第二过孔，所述第一绝缘层和所述第二绝缘层还包括第三过孔，所述连接电极的一端通过所述第二过孔连接所述第二电极板，所述连接电极的另一端通过所述第三过孔连接所述漏极。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述第一绝缘层包括第四过孔，所述第二电极板通过所述第四过孔连接所述漏极。
可选的，在本申请的一些实施例中，还包括：
第一绝缘层，设于所述感光半导体层和所述薄膜晶体管上，所述第一电极板设于所述第一绝缘层上；
第二绝缘层，设于所述第一电极板上，所述第二电极板设于所述第二绝缘层上，所述第一电极板通过所述第一绝缘层中的第五过孔连接所述感光半导体层，所述第二电极板通过所述第一绝缘层和所述第二绝缘层中的第六过孔连接所述漏极。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述感光半导体层采用非晶硅制备。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述感光半导体层包括设于所述漏极的延伸部上的N型非晶硅、设于所述N型非晶硅上的本征非晶硅；或
所述感光半导体层包括设于所述漏极的延伸部上的N型非晶硅、设于所述N型非晶硅上的本征非晶硅，以及设于所述本征非晶硅上的P型非晶硅。
可选的，在本申请的一些实施例中，还包括：
公共电极，设于所述第一绝缘层上；
像素电极，设于所述第二绝缘层上；
其中，所述公共电极与所述第一绝缘层上的对应电极板采用同一金属制备，所述像素电极与所述第二绝缘层上的对应电极板采用同一金属制备。
可选的，在本申请的一些实施例中，还包括：
像素电极，设于所述第一绝缘层上；
公共电极，设于所述第二绝缘层上；
其中，所述像素电极与所述第一绝缘层上的对应电极板采用同一金属制备，所述公共电极与所述第二绝缘层上的对应电极板采用同一金属制备。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述第一电极板在所述基底上的正投影与所述感光半导体层在所述基底上的正投影至少部分重叠；
所述第一电极板的材料为透明材料。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述第一电极板电连接至所述公共电极。
相应的，本申请实施例还提供了一种阵列基板制造方法，包括如下制造步骤：
步骤S100：提供一衬底基板，在所述衬底基板上制作薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括栅极、有源层、连接所述有源层的源极和漏极；
步骤S200：在所述漏极的延伸部上形成感光半导体层；
步骤S300：在所述感光半导体层上形成第一绝缘层，在所述第一绝缘层上形成具有图案化形状的第一金属层，所述第一金属层包括第一电极板和第二电极板中的一个；
步骤S400：在所述第一金属层上形成第二绝缘层，在所述第二绝缘层上形成具有图案化形状的第二金属层，所述第二金属层包括所述第一电极板和所述第二电极板中的另一个，所述第一电极板通过过孔电连接所述感光半导体层，所述第二电极板通过另一过孔电连接所述漏极；所述第一电极板和所述第二电极板构成存储电容。
相应的，本申请实施例还提供了一种显示面板，包括如上述的任一项阵列基板。
可选的，在本申请的一些实施例中，显示面板还包括驱动芯片，
所述第二电极板通过走线电连接至所述驱动芯片。
本申请实施例中，提供了一种阵列基板、阵列基板制造方法及显示面板。感光半导体层设置于漏极的延伸部之上，感光半导体的一侧电极与漏极同层，减小了感光传感器的膜层数量，可以减小阵列基板的制作工序数量。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本申请一实施例提供的阵列基板的第一种结构示意图；
图2是本申请一实施例提供的阵列基板的第二种结构示意图；
图3是本申请一实施例提供的阵列基板的第三种结构示意图；
图4是本申请一实施例提供的一种阵列基板制造方法的流程步骤示意图图5至图16是本申请一实施例提供的阵列基板的制作过程的示意图；
图17是本申请一实施例提供的显示面板的示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。此外，应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本申请，并不用于限制本申请。在本申请中，在未作相反说明的情况下，使用的方位词如“上”和“下”通常是指装置实际使用或工作状态下的上和下，具体为附图中的图面方向；而“内”和“外”则是针对装置的轮廓而言的。
本申请实施例提供了一种阵列基板，包括：基底；薄膜晶体管，设于基底上，包括栅极、有源层、连接有源层的源极和漏极；感光传感器，感光传感器包括感光模块和存储模块，感光模块包括感光半导体层，存储模块包括第一电极板和第二电极板；其中，感光半导体层设置于漏极的延伸部之上，第一电极板电连接感光半导体层远离漏极的延伸部的一侧，第二电极板电连接漏极。
本申请实施例提供一种阵列基板、阵列基板制造方法及显示面板。以下分别进行详细说明。需说明的是，以下实施例的描述顺序不作为对实施例优选顺序的限定。
实施例一、
请参阅图1，图1为本申请实施例提供的阵列基板的第一种结构示意图，阵列基板10包括基底11、薄膜晶体管20和感光传感器100。薄膜晶体管20设于基底11上，薄膜晶体管20包括栅极22、有源层21、连接有源层21的源极23和漏极24；感光传感器100包括感光模块30和存储模块40，感光模块30包括感光半导体层31，存储模块40包括第一电极板41和第二电极板42；其中，感光半导体层31设置于漏极的延伸部241之上，第一电极板41电连接感光半导体层31远离漏极24的延伸部241的一侧，第二电极板42电连接漏极24。
进一步的，存储模块40包括存储电容412，第一电极板41和第二电极板42构成存储电容412。
具体的，薄膜晶体管20设于基底11上，薄膜晶体管20包括栅极22、有源层21、源极23和漏极24。基底11可以为玻璃等材质，薄膜晶体管20可以为顶栅型薄膜晶体管、底栅型晶体管等，薄膜晶体管20的类型在此不做限定。有源层21的材质可以为多晶硅、非晶硅、金属氧化物半导体等。
具体的，漏极24具有一延伸部241，感光半导体层31设置于漏极24的延伸部241上，漏极24的延伸部241作为感光模块30的一侧电极或用于传递感光半导体层31的电信号。第一电极板41电连接感光半导体层31远离漏极24的延伸部241的一侧，第一电极板41与感光半导体层31连接的部位作为感光模块30的另一侧电极或用于传递感光半导体层31的电信号。
具体的，存储模块40包括第一电极板41和第二电极板42，存储模块40包括存储电容412，第一电极板41和第二电极板42构成存储电容412，即第一电极板41和第二电极板42之间设置有绝缘层，且第一电极板41在基底11上的正投影与第二电极板42在基底11上的正投影具有重叠部位，以构成存储电容412。
具体的，请参阅图1，本申请实施例中阵列基板10包括：设于基底上的遮光层12、设于遮光层12上的缓冲层13、设于缓冲层13上的有源层21、设于有源层21上的栅极绝缘层14、设于栅极绝缘层14上的栅极22、设于栅极22上的层间绝缘层15、设于层间绝缘层15上的源极23和漏极24、设于源极23和漏极24上的保护绝缘层16、设于漏极24的延伸部241上的感光半导体层31、设于感光半导体层31上的覆盖绝缘层17、设于覆盖绝缘层17上的平坦层18、设于平坦层18上的第二电极板42、设于第二电极板42上的第二绝缘层19、设于第二绝缘层19上的第一电极板41。其中，保护绝缘层16具有露出漏极24的延伸部241的开口，感光半导体层31设置于保护绝缘层16的开口上并与漏极24的延伸部241接触；阵列基板10也可以不包括保护绝缘层16，在阵列基板制作时，制作完源极23和漏极24后，直接在漏极24的延伸部241上制作感光半导体层31；保护绝缘层、覆盖绝缘层17和第二绝缘层19的材料可以为无机绝缘材料，例如包括氮化硅(SiNx)和氧化硅(SiOx)中的一种或两种；平坦层18的材料可以为有机材料，具体的可以为有机透明光阻材料；其中，覆盖绝缘层17和平坦层18可以只设置其中之一，也可以两者都设置，第二电极板42与感光半导体层之间的绝缘层称之为第一绝缘层，因此，覆盖绝缘层17或/和平坦层18为第一绝缘层。
在一些实施例中，感光半导体层31采用非晶硅制备。
具体的，非晶硅在可见区域具有高吸收系数，而且红外光区域基本不吸光，与人眼视觉完美匹配，因此将非晶硅作为感光层能与环境光感光传感器完美契合。非晶硅吸收环境光后会产生光电流，在第一电极板41与漏极24的延伸部241之间产生光电流，使得感光半导体层31形成导电通道。
在一些实施例中，感光半导体层31包括设于漏极24的延伸部241上的N型非晶硅32、设于N型非晶硅32上的本征非晶硅33。
N型非晶硅32中为非晶硅中掺杂了五价元素，例如磷元素、砷元素等。本征非晶硅33中没有掺杂其他元素，使用本征非晶硅33吸收环境光后产生光电子和空穴，N型非晶硅32有多余了电子可以提高感光半导体层31中的电流大小，从而提升感光传感器100的灵敏性。
在一些实施例中，感光半导体层31包括设于漏极24的延伸部241上的N型非晶硅32、设于N型非晶硅32上的本征非晶硅33，以及设于本征非晶硅33上的P型非晶硅34。
P型非晶硅34中为非晶硅中掺杂了三价元素，例如硼元素、镓元素等。本征非晶硅33中没有掺杂其他元素，使用本征非晶硅33吸收环境光后产生光电子和空穴，P型非晶硅34有多余了空穴可以提高感光半导体层31中的电流大小。感光半导体层使用N型非晶硅32、本征非晶硅33、P型非晶硅34的三层结构，可以进一步提升感光传感器100的灵敏性。
在一些实施例中，感光半导体层31可以只包括本征非晶硅33，或包括本征非晶硅33和P型非晶硅34的两层结构。
如图1所示，阵列基板10还包括第一绝缘层和第二绝缘层19，第一绝缘层设于感光半导体层31和薄膜晶体管20上，第二电极板42设于第一绝缘层上；第二绝缘层19设于第二电极板42上，第一电极板41设于第二绝缘层19上，第一电极板通过第一绝缘层和第二绝缘层中的第一过孔51连接感光半导体层。
具体的，图1中的第一绝缘层为覆盖绝缘层17和平坦层18，在一些情况中，可以阵列基板可以只设置覆盖绝缘层17和平坦层18的其中之一，此时，第一绝缘层为覆盖绝缘层17和平坦层18的其中之一。
如图1所示，阵列基板10还包括连接电极43，连接电极43设置于第二绝缘层19上，第二绝缘层19包括第二过孔52，第一绝缘层和第二绝缘层19还包括第三过孔53，连接电极43的一端通过第二过孔52连接第二电极板42，连接电极43的另一端通过第三过孔53连接漏极24。
具体的，图1中第三过孔53还贯穿保护绝缘层16。
在本申请实施例中，漏极24具有一延伸部241，感光半导体层31设置于漏极24的延伸部241上，漏极24的延伸部241作为感光模块30的一侧电极或用于传递感光半导体层31的电信号，减小了感光传感器的膜层数量，可以减小阵列基板的制作工序数量，节省光罩。
进一步的，第一电极板41通过第一过孔51电连接感光半导体层31远离漏极24的延伸部241的一侧，第一电极板41与感光半导体层31连接的部位(第一过孔51中延伸的部位)作为感光模块30的另一侧电极或用于传递感光半导体层31的电信号，进一步减小了感光传感器的膜层数量，可以减小阵列基板的制作工序数量，节省光罩。
实施例二、
请参阅图2，图2为本申请实施例提供的阵列基板的第二种结构示意图，本申请实施例的阵列基板10与实施例一相同或相似，相同之处不再赘述，不同之处在于第二电极板42与漏极24的连接关系不同。
第一绝缘层包括第四过孔54，第二电极板42通过第四过孔54连接漏极24。
具体的，图2中的第一绝缘为覆盖绝缘层17和平坦层18，在一些情况中，阵列基板10可以只设置覆盖绝缘层17和平坦层18的其中之一，此时，第一绝缘层为覆盖绝缘层17和平坦层18的其中之一。
本申请实施例中没有实施例一中的连接电极43，第二电极板42直接通过第一绝缘层中的第四过孔54连接到漏极24。
需要说明的是，图2中第四过孔54还贯穿保护绝缘层16。
本申请实施例具有实施例一中相同的有益效果，在此不再赘述，同时，本申请实施例中去掉了连接电极43，进一步的简化了阵列基板的膜层结构，便于阵列基板的制造和版图(layout)布局，利于良率提升。
实施例三、
请参阅图3，图3为本申请实施例提供的阵列基板的第三种结构示意图，本申请实施例的阵列基板10与实施例一、实施例二相同或相似，相同之处不再赘述，不同之处在于第一电极板41与第二电极板42的位置关系不同。
在本申请实施例中，第一绝缘层设于感光半导体层31和薄膜晶体管20上，第一电极板41设于第一绝缘层上。
具体的，图3中的第一绝缘为覆盖绝缘层17和平坦层18，在一些情况中，阵列基板可以只设置覆盖绝缘层17和平坦层18的其中之一，此时，第一绝缘层为覆盖绝缘层17和平坦层18的其中之一。
第二绝缘层19设于第一电极板41上，第二电极板42设于第二绝缘层19上，第一电极板41通过第一绝缘层中的第五过孔55连接感光半导体层31，第二电极板42通过第一绝缘层和第二绝缘层19中的第六过孔56连接漏极24。
在本申请实施例中，第一电极板41设置于第一绝缘层上，第二电极板42设置于第二绝缘层19上，本申请实施例中又提出了一种具有感光传感器100的阵列基板10的结构，具有与实施例一、二相同的有益效果，在此不再赘述。
实施例四、
在上述实施例一、二、三中所述的任一项阵列基板10中，阵列基板10还包括公共电极和像素电极，下面说明公共电极和像素电极的两种设置情况。
第一种情况，公共电极设于第一绝缘层上；像素电极设于第二绝缘层上；其中，公共电极与第一绝缘层上的对应电极板采用同一金属制备，像素电极与第二绝缘层19上的对应电极板采用同一金属制备。
具体的，如实施例一、二之中：第二电极板42设置于第一绝缘层上，公共电极设置于第一绝缘层上，公共电极与第二电极板42采用同一金属制备；第一电极板41设置于第二绝缘层19上，像素电极设于第二绝缘层19上，像素电极与第一电极板41采用同一金属制备。
具体的，如实施例三之中：第一电极板41设于第一绝缘层上，公共电极设置于第一绝缘层上，公共电极与第一电极板41采用同一金属制备；第二电极板42设于第二绝缘层19上，像素电极设于第二绝缘层19上，像素电极与第二电极板42采用同一金属制备。
第二种情况，像素电极设于第一绝缘层上；公共电极设于第二绝缘层19上；其中，像素电极与第一绝缘层上的对应电极板采用同一金属制备，公共电极与第二绝缘层19上的对应电极板采用同一金属制备。
具体的，如实施例一、二之中：第二电极板42设置于第一绝缘层上，像素电极设置于第一绝缘层上，像素电极与第二电极板42采用同一金属制备；第一电极板41设置于第二绝缘层19上，公共电极设于第二绝缘层19上，公共电极与第一电极板41采用同一金属制备。
具体的，如实施例三之中：第一电极板41设于第一绝缘层上，像素电极设置于第一绝缘层上，像素电极与第一电极板41采用同一金属制备；第二电极板42设于第二绝缘层19上，公共电极设于第二绝缘层19上，公共电极与第二电极板42采用同一金属制备。
需要说明的是，在一些实施情况中，在上述任一项所述的阵列基板10中，第一电极板41在基底11上的正投影与感光半导体层31在基底上的正投影至少部分重叠，此时第一电极板41的材料采用半透明或透明材料，例如为铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、氧化锌(ZnO)、氟锡氧化物(FTO)等中的任一种，使得环境光可以透过第一电极板41到达感光半导体层31。
需要说明的是，在一些实施例中，第一电极板41电连接至公共电极，即第一电极板41通过公共电极供给电信号。
在本申请实施例中所述的阵列基板中，公共电极与第一绝缘层上的对应电极板采用同一金属制备，像素电极与第二绝缘层19上的对应电极板采用同一金属制备；或像素电极与第一绝缘层上的对应电极板采用同一金属制备，公共电极与第二绝缘层19上的对应电极板采用同一金属制备，可以进一步减小阵列基板10和感光传感器的膜层数量、膜层复杂性，减小包含感光传感器100的阵列基板10的制作工序，减小光罩。
实施例五、
请参与图4，图4为本申请实施例提供的一种阵列基板制造方法的流程步骤示意图，阵列基板制造方法包括步骤S100、步骤S200、步骤S300、步骤S400。图5至图16为阵列基板的制作过程的示意图。
步骤S100：提供一衬底基板，在衬底基板上制作薄膜晶体管，薄膜晶体管包括栅极、有源层、连接有源层的源极和漏极。
具体的，请参阅图5至图9。如图5所示，在基底11上制作遮光层12，采用曝光蚀刻等方式形成图案化的遮光层12；如图6所示，在遮光层12上制备缓冲层13，在缓冲层13上制备有源层21，采用曝光蚀刻方法形成图案化的有源层21，有源层21的材料可以为多晶硅、非晶硅、金属氧化物半导体等，当有源层21为多晶硅时，还可以包括对多晶硅进行P型离子掺杂，形成N型多晶硅，使得有源层21容易形成欧姆接触；如图7所示，在有源层21上形成栅极绝缘层14，在栅极绝缘层14上形成栅极22；如图8所示，在栅极22上形成层间绝缘层15，层间绝缘层15包括连接有源层的过孔；如图9所示，在层间绝缘层15上形成源极23、漏极24和漏极24的延伸部241，源极23和漏极24分别通过层间绝缘层15中的过孔连接有源层21。
步骤S200：在漏极的延伸部上形成感光半导体层。
具体的，请参阅图10至图12。如图10、图11所示，在源极23、漏极24和漏极24的延伸部241上形成保护绝缘层16，保护绝缘层16具有露出漏极24的延伸部241的开口161；如图12所示，在开口161的漏极24的延伸部241上形成感光半导体层31。
具体的，在一些实施例中，感光半导体层31包括设于漏极24的延伸部241上的N型非晶硅32、设于N型非晶硅32上的本征非晶硅33。
具体的，在一些实施例中，感光半导体层31包括设于漏极24的延伸部241上的N型非晶硅32、设于N型非晶硅32上的本征非晶硅33，以及设于本征非晶硅33上的P型非晶硅34。
具体的，在一些实施例中，感光半导体层31可以只包括本征非晶硅33，或包括本征非晶硅33和P型非晶硅34的两层结构。
步骤S300：在所述感光半导体层上形成第一绝缘层，在所述第一绝缘层上形成具有图案化形状的第一金属层，所述第一金属层包括第一电极板和第二电极板中的一个；
具体的，如图13所示，在感光半导体层31上形成第一绝缘层，第一绝缘层可以包括设于感光半导体层31上的覆盖绝缘层17和设于覆盖绝缘层17上的平坦层18，其中，覆盖绝缘层17和平坦层18可以只设置其中之一，也可以两者都设置，覆盖绝缘层17或/和平坦层18为第一绝缘层。如图14所示，在第一绝缘层上形成第一金属层，第一金属层具有图案化的形状，第一金属层包括第一电极板41和第二电极板42中的一个。
具体的，如图14所示，制作第一绝缘层时，第一绝缘层中包括第一预置过孔511和第二预置过孔531，第二预置过孔531还贯穿保护绝缘层16。
步骤S400：在所述第一金属层上形成第二绝缘层，在所述第二绝缘层上形成具有图案化形状的第二金属层，所述第二金属层包括所述第一电极板和所述第二电极板中的另一个，所述第一电极板通过过孔电连接所述感光半导体层，所述第二电极板通过另一过孔电连接所述漏极；所述第一电极板和所述第二电极板构成存储电容。
具体的，如图15所示，第一金属层上形成第二绝缘层19；如图16所示，在第二绝缘层上形成图案化的第二金属层。
具体的，第一金属层包括第一电极板41和第二电极板42中的一个，第二金属层包括第一电极板41和第二电极板42中的另个，第一电极板41通过过孔电连接感光半导体层31，第二电极板42通过另一过孔电连接漏极24，第一电极板41和第二电极板42构成存储电容。
具体的，如图15所示，在制作第二绝缘层19时，第二绝缘层19中包括第三预置过孔512和第四预置过孔532，第一预置过孔511和第三预置过孔512同轴构成上述实施例中的第一过孔51，第二预置过孔531和第四预置过孔532同轴构成上述实施例中的第三过孔53，这里以实施例一中阵列基板10的结构为例作图示意了阵列基板10的制作过程。
需要说明的是，采用本申请实施例中的阵列基板制造方法，可以制造实施例一、实施例二、实施例三、实施例四中任一项所述的阵列基板，第一电极板41和第二电极板42的位置或连接关系请参阅实施例一、实施例二、实施例三、实施例四。
需要说明的是，在一些实施例中，阵列基板10还包括公共电极和像素电极，下面说明公共电极和像素电极的两种设置情况。
第一种情况，公共电极设于第一绝缘层上；像素电极设于第二绝缘层上；其中，公共电极与第一绝缘层上的对应电极板采用同一金属制备，像素电极与第二绝缘层19上的对应电极板采用同一金属制备。
第二种情况，像素电极设于第一绝缘层上；公共电极设于第二绝缘层19上；其中，像素电极与第一绝缘层上的对应电极板采用同一金属制备，公共电极与第二绝缘层19上的对应电极板采用同一金属制备。
在本申请实施例中，请参阅图15至图16，以顶栅型多晶硅薄膜晶体管为例说明了阵列基板10的制作工序，包含感光传感器100的阵列基板10包括12道光罩，在不包含感光传感器的阵列基板上只增加了两道光罩，因此本申请实施例的包含感光传感器100的阵列基板10工序简单，光罩数量小。
采用本申请实施例的阵列基板制造方法来制造具有感光传感器100的阵列基板10，漏极24具有一延伸部241，感光半导体层31设置于漏极24的延伸部241上，漏极24的延伸部241作为感光模块30的一侧电极或用于传递感光半导体层31的电信号，减小了感光传感器的膜层数量，可以减小阵列基板的制作工序数量，节省了光罩数量。
进一步的，在本申请实施例中所述的阵列基板中，公共电极与第一绝缘层上的对应电极板采用同一金属制备，像素电极与第二绝缘层19上的对应电极板采用同一金属制备；或像素电极与第一绝缘层上的对应电极板采用同一金属制备，公共电极与第二绝缘层19上的对应电极板采用同一金属制备，可以进一步减小阵列基板10和感光传感器的膜层数量，减小包含感光传感器100的阵列基板10的制作工序数量，节省了光罩数量。
采用本申请实施例的阵列基板制造方法来制造具有感光传感器100的阵列基板10具有膜层简单的效果，本申请实施例的阵列基板制造方法具有工序数量小、工艺简单、节省了光罩数量的效果。
实施例六、
请参阅图17，图17为本申请实施例提供的显示面板1000的示意图，显示面板1000包括如上述实施例中所述的任一项阵列基板10。
显示面板1000还包括驱动芯片103，或显示面板1000电连接至驱动芯片103，第二电极板通过走线电连接至驱动芯片。上述实施例中的阵列基板10的第二电极板42通过走线电连接至驱动芯片103。
下面说明显示面板1000的薄膜晶体管20和感光传感器100的工作过程，在一些实施例中，第一电极板41和第二电极板42其中之一电连接驱动芯片103，第一电极板41和第二电极板42中的另一个供给一固有信号。
具体的，在一些实施例中，第一电极板41电连接至阵列基板的公共电极或被供给公共电极信号，第二电极板42通过走线电连接至驱动芯片103，以此为例说明显示面板1000的薄膜晶体管20和感光传感器100的工作过程：薄膜晶体管20开启，供给第二电极板42一起始信号，然后薄膜晶体管20关闭，第二电极板42与第一电极板41之间存在一个存储电容，此时第二电极板42处于浮置状态(floating)，第一电极板41被供给公共电极信号，感光半导体层31中无光电流产生时存储电容保持不变；当环境光照射到感光半导体层31上时，感光半导体层31上产生光电流，第一电极板41和第二电极板42中的电荷发生流动，导致存储电容的大小发生变化，存储电容的大小变化通过第二电极板42连接的走线传递至驱动芯片103，驱动芯片103依据电容大小的变化量就可以判断环境光条件是否发生了变化或变化了多小，然后驱动芯片103采取对显示面板1000的处理动作，例如调整显示面板1000的亮度，在环境光亮度较高的情况下，调高显示面板1000的亮度，可以便于使用者更好的观察图像。
如图17所示，在一些实施例中，显示面板1000包括显示区101和非显示区102，感光传感器100可以设置于非显示区102，这样感光传感器100不影响显示区101的像素设置，从而感光传感器100不影响显示面板1000的像素的开口率。
以上对本申请实施例所提供的一种阵列基板、阵列基板制造方法及显示面板进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的方法及其核心思想；同时，对于本领域的技术人员，依据本申请的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本申请的限制。

Claims (15)

1.一种阵列基板，其特征在于，包括：
基底；
薄膜晶体管，设于所述基底上，包括栅极、有源层、连接所述有源层的源极和漏极；
感光传感器，所述感光传感器包括感光模块和存储模块，所述感光模块包括感光半导体层，所述存储模块包括第一电极板和第二电极板；
第一绝缘层，设于所述感光半导体层和所述薄膜晶体管上，所述存储模块设置于所述第一绝缘层上；
其中，所述感光半导体层设置于所述漏极的延伸部之上，所述第一电极板电连接所述感光半导体层远离所述漏极的延伸部的一侧，所述第二电极板电连接所述漏极。
2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述存储模块包括存储电容，所述第一电极板和所述第二电极板构成所述存储电容。
3.如权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述第二电极板设于所述第一绝缘层上，所述阵列基板还包括：
第二绝缘层，设于所述第二电极板上，所述第一电极板设于所述第二绝缘层上，所述第一电极板通过所述第一绝缘层和所述第二绝缘层中的第一过孔连接所述感光半导体层。
4.如权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，还包括：
连接电极，设于所述第二绝缘层上，所述第二绝缘层包括第二过孔，所述第一绝缘层和所述第二绝缘层还包括第三过孔，所述连接电极的一端通过所述第二过孔连接所述第二电极板，所述连接电极的另一端通过所述第三过孔连接所述漏极。
5.如权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述第一绝缘层包括第四过孔，所述第二电极板通过所述第四过孔连接所述漏极。
6.如权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述第一电极板设于所述第一绝缘层上，所述阵列基板还包括：
第二绝缘层，设于所述第一电极板上，所述第二电极板设于所述第二绝缘层上，所述第一电极板通过所述第一绝缘层中的第五过孔连接所述感光半导体层，所述第二电极板通过所述第一绝缘层和所述第二绝缘层中的第六过孔连接所述漏极。
7.如权利要求3至6任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述感光半导体层采用非晶硅制备。
8.如权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，所述感光半导体层包括设于所述漏极的延伸部上的N型非晶硅、设于所述N型非晶硅上的本征非晶硅；或
所述感光半导体层包括设于所述漏极的延伸部上的N型非晶硅、设于所述N型非晶硅上的本征非晶硅，以及设于所述本征非晶硅上的P型非晶硅。
9.如权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，还包括：
公共电极，设于所述第一绝缘层上；
像素电极，设于所述第二绝缘层上；
其中，所述公共电极与所述第一绝缘层上的对应电极板采用同一金属制备，所述像素电极与所述第二绝缘层上的对应电极板采用同一金属制备。
10.如权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，还包括：
像素电极，设于所述第一绝缘层上；
公共电极，设于所述第二绝缘层上；
其中，所述像素电极与所述第一绝缘层上的对应电极板采用同一金属制备，所述公共电极与所述第二绝缘层上的对应电极板采用同一金属制备。
11.如权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，所述第一电极板在所述基底上的正投影与所述感光半导体层在所述基底上的正投影至少部分重叠；
所述第一电极板的材料为透明材料。
12.如权利要求9所述的阵列基板，其特征在于，所述第一电极板电连接至所述公共电极。
13.一种阵列基板制造方法，其特征在于，包括如下制造步骤：
步骤S100：提供一衬底基板，在所述衬底基板上制作薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括栅极、有源层、连接所述有源层的源极和漏极；
步骤S200：在所述漏极的延伸部上形成感光半导体层；
步骤S300：在所述感光半导体层上形成第一绝缘层，在所述第一绝缘层上形成具有图案化形状的第一金属层，所述第一金属层包括第一电极板和第二电极板中的一个；
步骤S400：在所述第一金属层上形成第二绝缘层，在所述第二绝缘层上形成具有图案化形状的第二金属层，所述第二金属层包括所述第一电极板和所述第二电极板中的另一个，所述第一电极板通过过孔电连接所述感光半导体层，所述第二电极板通过另一过孔电连接所述漏极；所述第一电极板和所述第二电极板构成存储电容。
14.一种显示面板，其特征在于，包括如权利要求1至12任一项所述的阵列基板。
15.如权利要求14所述的显示面板，其特征在于，还包括驱动芯片，
所述第二电极板通过走线电连接至所述驱动芯片。
CN202110702781.9A 2021-06-24 2021-06-24 阵列基板、阵列基板制造方法及显示面板 Active CN113362721B (zh)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202110702781.9A CN113362721B (zh) 2021-06-24 2021-06-24 阵列基板、阵列基板制造方法及显示面板
PCT/CN2021/108358 WO2022267159A1 (zh) 2021-06-24 2021-07-26 阵列基板、阵列基板制造方法及显示面板
US17/593,659 US20230215881A1 (en) 2021-06-24 2021-07-26 Array substrate, manufacturing method of array substrate, and display panel

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202110702781.9A CN113362721B (zh) 2021-06-24 2021-06-24 阵列基板、阵列基板制造方法及显示面板

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN113362721A CN113362721A (zh) 2021-09-07
CN113362721B true CN113362721B (zh) 2022-11-04

Family

ID=77536205

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202110702781.9A Active CN113362721B (zh) 2021-06-24 2021-06-24 阵列基板、阵列基板制造方法及显示面板

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20230215881A1 (zh)
CN (1) CN113362721B (zh)
WO (1) WO2022267159A1 (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114203061A (zh) * 2021-11-09 2022-03-18 北京奕斯伟计算技术有限公司 显示面板及其驱动方法、显示装置

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4947404B2 (ja) * 2004-10-13 2012-06-06 カシオ計算機株式会社 フォトセンサ及びその製造方法
CN103972249B (zh) * 2013-02-05 2017-04-12 群创光电股份有限公司 主动矩阵式影像感测面板及装置
CN105161497A (zh) * 2015-08-06 2015-12-16 友达光电股份有限公司 一种内嵌式触控面板的阵列基板及其制造方法
TWI614694B (zh) * 2016-01-21 2018-02-11 友達光電股份有限公司 指紋感測裝置
CN106229331B (zh) * 2016-08-31 2019-03-29 上海箩箕技术有限公司 自发光显示像素
CN107425038B (zh) * 2017-06-09 2020-01-21 武汉天马微电子有限公司 一种有机发光显示面板及其制造方法、以及电子设备
CN108336100A (zh) * 2018-04-12 2018-07-27 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及其制备方法、显示面板、显示装置
CN108649059B (zh) * 2018-05-14 2020-12-08 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板、显示装置及其驱动方法
CN108878503B (zh) * 2018-07-26 2021-01-05 京东方科技集团股份有限公司 Oled显示基板及其制造方法、oled显示面板、显示装置
CN109728050A (zh) * 2019-01-02 2019-05-07 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及其制备方法、显示面板和显示装置
CN109742113B (zh) * 2019-01-08 2020-12-25 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板、其制备方法及相关装置
CN109727968A (zh) * 2019-02-26 2019-05-07 京东方科技集团股份有限公司 平板探测器及制作方法
CN111584673A (zh) * 2020-05-22 2020-08-25 成都天马微电子有限公司 传感器、传感器的制造方法及电子设备

Also Published As

Publication number Publication date
WO2022267159A1 (zh) 2022-12-29
US20230215881A1 (en) 2023-07-06
CN113362721A (zh) 2021-09-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI453805B (zh) 顯示器及其製作方法
US8143117B2 (en) Active device array substrate and method for fabricating the same
US11315977B2 (en) Photosensitive assembly and method for preparing the same, array substrate, and display device
US8183769B2 (en) Organic electroluminescent display unit and method for fabricating the same
JP2009271524A (ja) 画像表示システムとその製造方法
CN110972507B (zh) 阵列基板及其制造方法、显示装置
CN112928134B (zh) 阵列基板和显示面板
CN112198729B (zh) 阵列基板、显示面板及电子设备
WO2019238026A1 (zh) 光学传感器件及其制作方法、显示器件
CN113362721B (zh) 阵列基板、阵列基板制造方法及显示面板
CN112259556A (zh) 阵列基板及其制备方法
JP4251622B2 (ja) 液晶表示装置
CN112764283B (zh) 显示面板及其制备方法、显示装置
US20240030248A1 (en) Array substrate
US20240021765A1 (en) Array substrate, manufacturing method thereof, and display panel
CN114188358A (zh) 一种显示面板及显示面板制作方法
WO2023193295A1 (zh) 显示面板及其制备方法
CN113066798B (zh) 驱动基板、显示面板及驱动基板的制备方法
JP2004140338A (ja) 光センサ素子、これを用いた平面表示装置、光センサ素子の製造方法、平面表示装置の製造方法
CN112909066B (zh) 显示面板、显示面板的制备方法及显示装置
JP4675580B2 (ja) 表示装置
CN114597244A (zh) 显示面板及移动终端
CN114156288A (zh) 阵列基板及显示面板
WO2023102992A1 (zh) 显示面板及其制造方法
KR20240018005A (ko) 표시 장치

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant