WO2023102992A1 - 显示面板及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

显示面板(10)及其制造方法。显示面板(10)包括指纹辨识层(100)、光路层(200)及显示面板主体(300)。其中指纹辨识层(100)包括阵列设置的多个晶体管(A)及分别电连接于多个晶体管(A)的多个光传感器(B)。晶体管(A)的有源层图案(105a)及光传感器(B)的感光层图案(105b)同层设置。由于晶体管(A)与光传感器(B)的非晶硅膜层可于同一制程中制成，因而节省了光罩和制备工艺。

Description

显示面板及其制造方法 技术领域
本申请涉及显示面板技术领域，尤其涉及一种显示面板及其制造方法。
 背景技术
指纹识别技术已广泛应用于中小尺寸的面板中，其中，指纹识别技术主要包括电容式、超声波式和光学式等方式。
目前较为成熟的方案为电容式指纹识别，其工作原理是利用硅晶元与导电的皮下电解液形成电场。由于指纹谷脊之间的高低不同，导致指纹谷脊之间的压差不同，从而实现准确的指纹测定。但是，以电容式指纹识别而言，当手指潮湿的时，由于电性改变，其检测效果会显着变差。
超声波指纹识别技术相较电容式指纹识别具有高穿透能力、更稳定和更精确等优点，但是其成本相对较高。光学指纹识别技术利用光的折射和反射原理，当光照射到手指上，被手指反射到光传感器上，然后光传感器再将光信号转换为电信号。由于指纹谷和指纹脊对光的反射不同，因此光传感器所接受到纹谷和指纹脊的反射光强不同，从而利用不同的电信号进行指纹识别。
光学指纹识别技术稳定性较好，穿透能力强，造价成本相对较低。目前搭载光学指纹识别功能的手机或者平板均为自发光的有机发光二极管(organic light emitting diode, OLED)屏幕。然而，对于液晶显示(liquid crystal display, LCD)屏幕的手机，由于此种手机具有背光模组，且制造时受到开口率等因素的限制，从而增加了在液晶屏幕内部集成光学指纹识别功能的难度。
 技术问题
为解决上述技术问题，本申请提供显示面板及其制造方法。
 技术解决方案
基于上述目的，本申请提供一种显示面板，其包括：
指纹辨识层；
光路层，设置于所述指纹辨识层上；以及
显示面板主体，设置于所述光路层上，其中
所述指纹辨识层包括阵列设置的多个晶体管及分别电连接于所述多个晶体管的多个光传感器；
所述晶体管的有源层图案及所述光传感器的感光层图案同层设置。
在本申请的实施例中，所述指纹辨识层还包括第一金属层及第一透明导电层，所述第一金属层与所述第一透明导电层同层设置，所述第一金属层包括所述晶体管的栅极图案，所述第一透明导电层包括所述光传感器的下电极图案。
在本申请的实施例中，所述指纹辨识层还包括基板层、第一金属层及第一透明导电层，所述第一金属层与所述第一透明导电层均设置于所述基板层表面上，所述光路层设置于所述基板层的另一表面上。
在本申请的实施例中，所述第一金属层包括层叠的第一金属膜层以及第二金属膜层。
在本申请的实施例中，所述第一金属层还包括层叠于第二金属膜层上的第三金属膜层，第一金属膜层为钛所制成，第二金属膜层为铝所制成，第三金属膜层为钛所制成。
在本申请的实施例中，所述指纹辨识层还包括栅极绝缘层，覆盖于所述第一金属层及所述第一透明导电层的表面上，且所述栅极绝缘层对应于每个所述下电极图案开设有第一通孔，所述感光层图案设置于所述第一通孔内。
在本申请的实施例中，所述栅极绝缘层包括第一栅极绝缘膜层及第二栅极绝缘膜层，第一栅极绝缘膜层及第二栅极绝缘膜层分别由氮化硅物及氧化硅物制成。
在本申请的实施例中，所述有源层图案设置于所述栅极绝缘层远离所述第一金属层的表面上且对应于所述栅极图案，其中所述有源层图案于所述基板层上的正投影落在所述栅极图案于所述基板层上的正投影内。
在本申请的实施例中，所述指纹辨识层还包括N +非晶硅层及第二金属层，所述第二金属层设置于所述N +非晶硅层表面，所述第二金属层包括所述晶体管的源/漏极图案以及所述光传感器的上电极图案，所述N +非晶硅层包括位于所述源/漏极图案与所述有源层图案之间的欧姆接触层图案以及位于所述上电极图案与所述感光层图案之间的欧姆接触层图案。
在本申请的实施例中，所述有源层图案及所述感光层图案的材料均为非晶硅，所述N+非晶硅层为所述有源层图案及所述感光层图案的表面进行高浓度的N型杂质离子布植形成。
在本申请的实施例中，所述晶体管的源极或漏极通过所述栅极绝缘层上的第二通孔连接于所述下电极图案。
在本申请的实施例中，所述指纹辨识层还包括第二透明导电层设置于所述第二金属层远离所述N +非晶硅层的表面。
在本申请的实施例中，所述指纹辨识层还包括绑定端子，所述第一金属层还包括所述绑定端子的走线图案，所述第一透明导电层还包括所述绑定端子的透明导电图案，所述透明导电图案覆盖于所述走线图案，所述第二金属层还包括所述绑定端子的接垫图案，所述接垫图案通过所述栅极绝缘层上的第三通孔连接于所述透明导电图案，所述第二透明导电层还包括所述绑定端子的保护图案，所述保护图案覆盖于所述接垫图案。
本申请还提供一种显示面板的制造方法，包括：
提供基板层；
设置第一金属层于所述基板层的第一表面上并图案化所述第一金属层形成栅极图案；
设置第一透明导电层于所述基板层的所述第一表面上并图案化所述第一透明导电层形成下电极图案；
设置栅极绝缘层于所述第一金属层及所述第一透明导电层上并图案化所述栅极绝缘层形成对应所述下电极图案的第一通孔；
设置非晶硅层于所述栅极绝缘层上；
设置N +型非晶硅层于所述非晶硅层上并图案化所述N +型非晶硅层及所述非晶硅层形成对应所述栅极图案的有源层图案、位于所述第一通孔内的感光层图案、位于所述有源层图案上的欧姆接触层图案及位于所述感光层图案上的欧姆接触层图案；
设置第二金属层于所述N +型非晶硅层上并图案化所述第二金属层形成对应所述有源层图案的源/漏极图案及对应所述感光层图案的上电极图案；
设置绝缘保护层于所述第二金属层上；
倒置所述基板层并于所述基板层的第二表面上设置光路层，其中所述第二表面为所述基板层远离所述非晶硅层的表面；以及
于所述光路层上设置显示面板主体。
在本申请的实施例中，所述设置N+型非晶硅层于所述非晶硅层上的步骤包括：于非晶硅层上进行高浓度的N型杂质离子布植以形成N+型非晶硅层。
在本申请的实施例的显示面板的制造方法中，其中，所述第一金属层包括层叠的第一金属膜层以及第二金属膜层。
在本申请的实施例的显示面板的制造方法中，其中，所述第一金属层还包括层叠于第二金属膜层上的第三金属膜层，第一金属膜层为钛所制成，第二金属膜层为铝所制成，第三金属膜层为钛所制成。
在本申请的实施例的显示面板的制造方法中，其中，所述显示面板包括指纹辨识层，所述指纹辨识层包括阵列设置的多个晶体管及电连接于所述多个晶体管的多个光传感器。
在本申请的实施例的显示面板的制造方法中，其中，所述栅极绝缘层包括第一栅极绝缘膜层及第二栅极绝缘膜层，第一栅极绝缘膜层及第二栅极绝缘膜层分别由氮化硅物及氧化硅物制成。
在本申请的实施例的显示面板的制造方法中，其中，所述有源层图案设置于所述栅极绝缘层远离所述第一金属层的表面上且对应于所述栅极图案，其中所述有源层图案于所述基板层上的正投影落在所述栅极图案于所述基板层上的正投影内。
 有益效果
本申请所提供的显示面板及其制造方法中，相较于现有技术，由于光传感器倒置，使得晶体管与光传感器的非晶硅(amorphous silicon, a-Si)或N +型非晶硅(N +a-Si)膜层可于同一制程中制成，因而节省了光罩和制备工艺。另外，本申请的指纹辨识层翻转贴合至光路层下，因此晶体管的栅极也可充当遮光层使用，克服了在上述液晶屏幕内部集成光学指纹识别功能的问题。
附图说明
下面结合附图，通过对本申请的具体实施方式详细描述，将使本申请的技术方案及其它有益效果显而易见。
图1为本申请的显示面板的制作过程的第一示意图。
图2为本申请的显示面板的制作过程的第二示意图。
图3为本申请的显示面板的制作过程的第三示意图。
图4为本申请的显示面板的制作过程的第四示意图。
图5为本申请的显示面板的制作过程的第五示意图。
图6为本申请的显示面板的制作过程的第六示意图。
图7为本申请的显示面板的制作过程的第七示意图。
图8为本申请的显示面板的制作过程的第八示意图。
图9为本申请的显示面板的制作过程的第九示意图。
图10为本申请的显示面板的制作过程的第十示意图。
图11为本申请的显示面板的结构示意图。
图12为本申请的显示面板的制造方法的流程示意图。
 本发明的实施方式
这里所公开的具体结构和功能细节仅仅是代表性的，并且是用于描述本申请的示例性实施例的目的。但是本申请可以通过许多替换形式来具体实现，并且不应当被解释成仅仅受限于这里所阐述的实施例。
在本申请的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“横向”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本申请的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。另外，术语“包括”及其任何变形，意图在于覆盖不排他的包含。
在本申请的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是支撑连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。
这里所使用的术语仅仅是为了描述具体实施例而不意图限制示例性实施例。除非上下文明确地另有所指，否则这里所使用的单数形式“一个”、“一项”还意图包括复数。还应当理解的是，这里所使用的术语“包括”和/或“包含”规定所陈述的特征、整数、步骤、操作、单元和/或组件的存在，而不排除存在或添加一个或更多其他特征、整数、步骤、操作、单元、组件和/或其组合。
下面结合附图和实施例对本申请作进一步说明。
在图中，结构相似的单元是以相同标号表示。
请参阅图9及图11。本申请实施例提供一种显示面板10，其包括：
指纹辨识层100；光路层200，设置于所述指纹辨识层100上；以及显示面板主体300，设置于所述光路层上200，其中所述指纹辨识层100包括阵列设置的多个晶体管A(图9仅绘示一个晶体管为代表)及分别电连接于所述多个晶体管A的多个光传感器B(图9仅绘示一个光传感器为代表)；所述晶体管A的有源层图案105a及所述光传感器B的感光层图案105b同层设置。
具体的，所述晶体管A的有源层图案105a及所述光传感器B的感光层图案105b的材料均为非晶硅。具体的，所述指纹辨识层100还包括非晶硅层105，所述非晶硅层105包括所述晶体管A的有源层图案105a及所述光传感器B的感光层图案105b。
具体的，本申请的显示面板10，包括指纹辨识层100、光路层200及显示面板主体300。显示面板10可为具有触控及显示功能的装置，例如手机、平板电脑、触控萤幕、智慧型穿戴装置等。指纹辨识层100包括光学式的指纹辨识组件。显示面板主体300可为有机发光二极管显示面板、液晶显示面板等显示面板，并无限定。
进一步说明，显示面板10的指纹辨识层100包括基板层101、第一金属层102、第一透明导电层103、栅极绝缘层104、非晶硅层105、N +型非晶硅层106、第二金属层107、第二透明导电层108及绝缘保护层109。
在一实施例中，所述指纹辨识层100的指纹辨识电路包括晶体管A，光传感器B包括PIN型传感器。
在一实施例中，基板层101为透明材质所制成，例如玻璃等，在其他实施例中，若是指纹辨识层100需应用于柔性的显示面板10，基板层101可为柔性透明材质所制成，例如聚酰亚胺。
第一金属层102可设置于基板层101的第一表面S1上，可作为晶体管A的栅极102a。
在本申请的实施例中，所述指纹辨识层100还包括第一金属层102及第一透明导电层103，所述第一金属层102与所述第一透明导电层103同层设置，所述第一金属层102包括所述晶体管A的栅极图案102a，所述第一透明导电层103包括所述光传感器B的下电极图案103b。
进一步说明，第一金属层102可为由钼、钨、铜、钛、铝等不透明导电性良好的金属所形成的单层膜。而在另一实施例中，如图2所示，第一金属层102亦可为由钼、钨、铜、钛、铝等导电性良好的金属所形成的层叠的第一金属膜层1021、第二金属膜层1022。举例来说，第一金属膜层1021及第二金属膜层1022可为钼及钨、或是钼及铜所形成的叠层结构。例如第一金属膜层1021为钼所制成，第二金属膜层1022为钨所制成。在其他实施例中，如图3所示，第一金属膜层1021、第二金属膜层1022、第三金属膜层1023可为钛及铝所形成的叠层结构，例如第一金属膜层1021为钛所制成，第二金属膜层1022为铝所制成，第三金属膜层1023为钛所制成。
具体的，如图4所示，第一透明导电层103可设置于基板层101的第一表面S1上，且部分第一透明导电层103(103a)覆盖部分第一金属层102(102b)。在一实施例中，第一透明导电层103可由氧化铟锡所制成，并可作为光传感器的下电极，但并不以此为限。第一透明导电层103亦可由其他材料所制成，例如可由氧化锡(SnO 2)、氧化锌(ZnO)等材质所制成，并无限定。另外，下电极图案103b及栅极图案102a于基板层上的正投影之间存在间距。具体的，如图10及图11所示，下电极图案103b位于感光层图案105b及光路层200之间，栅极图案102a位于有源层图案105a与光路层200之间。
在本申请的实施例中，所述指纹辨识层100还包括栅极绝缘层104，覆盖于所述第一金属层102及所述第一透明导电层103的表面上。参照图6与图7，所述栅极绝缘层104对应于每个所述下电极图案103b开设有第一通孔1041及第二通孔1044。所述感光层图案105b设置于所述第一通孔1041内。具体的，所述栅极绝缘层104对应于所述第一透明导电层103(103a)还开设所述第三通孔1045。
具体的，如图6所示，栅极绝缘层104可设置于第一金属层102及第一透明导电层103上，且所述第一通孔1041、所述第二通孔1044及所述第三通孔1045定义于栅极绝缘层104上。在一实施例中，栅极绝缘层104包括氮化硅物(SiN x)、氧化硅物(SiO x)、氮氧化硅物(SiN xO y)中的一种或多种，且栅极绝缘层104包括至少一膜层。具体地，栅极绝缘层104可为单层膜，仅包括第一栅极绝缘膜层1042，亦可为双层膜，包括第一栅极绝缘膜层1042及第二栅极绝缘膜层1043。第一栅极绝缘膜层1042及第二栅极绝缘膜层1043可分别由氮化硅物及氧化硅物制成，并形成叠层结构。
如图9所示，在本申请的实施例中，所述指纹辨识层100还包括N +非晶硅层106及第二金属层107，所述第二金属层107设置于所述N +非晶硅层106表面，所述第二金属层107包括所述晶体管A的源/漏极图案107a以及所述光传感器B的上电极图案107b，所述N +非晶硅层106包括位于所述源/漏极图案107a与所述有源层图案105a之间的欧姆接触层图案106a以及位于所述上电极图案107b与所述感光层图案105b之间的欧姆接触层图案106b。
具体的，如图9所示，在本申请的实施例中，所述源/漏极图案107a包括晶体管A的源极及漏极。所述源极与所述有源层图案105a之间设置有欧姆接触层图案106a。所述漏极与所述有源层图案105a之间也设置有欧姆接触层图案106a，两者的欧姆接触层图案106a之间并未相连。具体的，如图9所示，所述上电极图案107b与所述感光层图案105b之间可设置一层的欧姆接触层图案106b。
具体的，如图6、图8及图9所示，在本申请的实施例中，所述晶体管A的源极或漏极通过所述栅极绝缘层104上的第二通孔1044连接于所述下电极图案103b。
具体的，如图6、图7、图8及图9所示，非晶硅层105可设置于栅极绝缘层104上，N +型非晶硅层106设置于非晶硅层105上。具体地，部分非晶硅层105是设置于第一通孔1041中，以作为光传感器B的感光层图案105b；另一部分的非晶硅层105是设置于栅极绝缘层104上且对应栅极图案102a，作为晶体管A的有源层图案105a。部分N +型非晶硅层106设置于感光层图案105b上，以作为所述上电极图案107b与所述感光层图案105b之间的欧姆接触层图案106b。另一部分的N +型非晶硅层106是设置于有源层图案105a上，以作为所述源/漏极图案107a与所述有源层图案105a之间的欧姆接触层图案106a。N +型非晶硅层106在本实施例中均是作为半导体层与金属层之间的欧姆接触层之用，用以降低半导体层与金属层之间的阻抗。
另外，在一实施例中，所述有源层图案105a设置于所述栅极绝缘层104远离所述第一金属层102的表面上且对应于所述栅极图案102a，其中所述有源层图案105a于所述基板层101上的正投影落在所述栅极图案102a于所述基板层101上的正投影内，因此所述栅极图案102a可兼有挡光的作用，不使所述有源层图案105a的阈值电压受到环境光的影响。
具体的，如图8及图9所示，第二金属层107可设置于N +型非晶硅层106上，当第二金属层107形成后，可通过图案化工艺形成晶体管A的源/漏极图案107a。而在光传感器B中的第二金属层107可作为光传感器的上电极图案107b。
另外，如图8所示，在一实施例中，所述指纹辨识层100还包括第二透明导电层108设置于所述第二金属层107远离所述N +非晶硅层106的表面。
具体的，第二透明导电层108可设置于第二金属层107上，以避免第二金属层107氧化，避免影响后续与其它器件进行绑定。第二透明导电层108也可做为指纹辨识层100的电路内走线。且在一实施例中，亦可以第二透明导电层108作为光传感器的上电极，而非以第二金属层107作为光传感器的上电极。
如图9所示，绝缘保护层109可设置于第二金属层107上，且绝缘保护层109上可开设第四通孔1091。在一实施例中，集成电路，例如控制芯片、驱动芯片等，可通过第四通孔1091与指纹辨识层100的绑定端子C进行绑定。
如图9、图10及图11所示，光路层200可设置于基板层101的第二表面S2上，且第一表面S1与第二表面S2为不同的表面，具体的，将图9所示的指纹辨识层100翻转，如图10所示。接着将光路层200设置于基板层101的第二表面S2上。换言之，光路层200与基板层101上的膜层是相对设置的。具体而言，光路层200可将指纹的反射光线导入指纹辨识层100，且光路层200可包括导光结构或孔径阵列结构。另外光路层200可依据指纹辨识层100的传感用光源进行设置，例如指纹辨识层100的传感用光源可设置于光路层200侧面也可设置于指纹辨识层100底部，指纹辨识层100的光传感器亦需对应设置遮光结构以避免误动作，可依实际需求进行配置。
如图11所示，显示面板主体300可设置于光路层200上，以进行显示。另外，显示面板主体300例如包括显示基板层、阴极层、阳极层、显示功能膜层等。显示面板主体300所包括的膜层依据显示面板主体300的种类进行设置，图11中并未绘示。
本申请中，相较于现有技术，由于光传感器倒置，晶体管与光传感器的非晶硅(amorphous silicon, a-Si)膜层或N +型非晶硅(N +a-Si)膜层可于同一制程中制成，因而节省了光罩和制备工艺。另外，本申请的指纹辨识层100翻转贴合至光路层下，因此晶体管的栅极也可充当遮光层使用，克服了在上述液晶屏幕内部集成光学指纹识别功能的问题。
如图7及图9所示，在本申请的实施例中，所述指纹辨识层100还包括绑定端子C，所述第一金属层102还包括所述绑定端子C的走线图案102b，所述第一透明导电层103还包括所述绑定端子C的透明导电图案103a，所述透明导电图案103a覆盖于所述走线图案102b，所述第二金属层107还包括所述绑定端子C的接垫图案107c，所述接垫图案107c通过所述栅极绝缘层104上的第三通孔1045连接于所述透明导电图案103a，所述第二透明导电层108还包括所述绑定端子C的保护图案108a，所述保护图案108a覆盖于所述接垫图案107c。
如图12所示，本申请还提供一种显示面板的制造方法，包括：
S101：提供基板层101；
S102：设置第一金属层102于所述基板层101的第一表面S1上并图案化所述第一金属层102形成栅极图案102a；
S103：设置第一透明导电层103于所述基板层101的所述第一表面S1上并图案化所述第一透明导电层103形成下电极图案103b；
S104：设置栅极绝缘层104于所述第一金属层102及所述第一透明导电层103上并图案化所述栅极绝缘层104形成对应所述下电极图案103b的第一通孔1041；
S105：设置非晶硅层105于所述栅极绝缘层104上；
S106：设置N +型非晶硅层106于所述非晶硅层105上并图案化所述N +型非晶硅层106及所述非晶硅层105形成对应所述栅极图案102a的有源层图案105a、位于所述第一通孔1041内的感光层图案105b、位于所述有源层图案105a上的欧姆接触层图案106a及位于所述感光层图案105b上的欧姆接触层图案106b；
S107：设置第二金属层107于所述N +型非晶硅层106上并图案化所述第二金属层107形成对应所述有源层图案105a的源/漏极图案107a及对应所述感光层图案105b的上电极图案107b；
S108：设置绝缘保护层109于所述第二金属层上107；
S109：倒置所述基板层101并于所述基板层101的第二表面S2上设置光路层200，其中所述第二表面S2为所述基板层101远离所述非晶硅层105的表面；以及
S110：于所述光路层200上设置显示面板主体300。
以下详细说明本申请中显示面板10的制造方法。显示面板10的制造方法包含下列步骤。
如图1所示，于步骤S101中：提供基板层101。基板层101为透明材质所制成，例如玻璃等，在其他实施例中，若是指纹辨识层100需应用于柔性的显示面板10，基板层101可为柔性透明材质所制成，例如聚酰亚胺。
如图1所示，于步骤S102中：设置第一金属层102于基板层101的第一表面S1上。金属膜层可以沉积、曝光、蚀刻等制程形成于基板层101的第一表面S1上。而是否要形成多个膜层则可依据实际需求进行制程的调整。
如图2及图3所示，进一步说明，第一金属层102可为由钼、钨、铜、钛、铝等不透明导电性良好的金属所形成的单层膜。而在另一实施例中，如图2所示，第一金属层102亦可为由钼、钨、铜、钛、铝等导电性良好的金属所形成的层叠的第一金属膜层1021、第二金属膜层1022。举例来说，第一金属膜层1021及第二金属膜层1022可为钼及钨、或是钼及铜所形成的叠层结构。例如第一金属膜层1021为钼所制成，第二金属膜层1022为钨所制成。在其他实施例中，如图3所示，第一金属膜层1021、第二金属膜层1022、第三金属膜层1023可为钛及铝所形成的叠层结构，例如第一金属膜层1021为钛所制成，第二金属膜层1022为铝所制成，第三金属膜层1023为钛所制成。
如图4所示，于步骤S103中：设置第一透明导电层103于基板层101的第一表面S1上及部分第一金属层102(102b)上。在一实施例中，第一透明导电层103可以涂布方式设置于基板层101的第一表面S1上及部分第一金属层102(102b)上。
在一实施例中，第一透明导电层103可由氧化铟锡所制成，并可作为光传感器的下电极，但并不以此为限。第一透明导电层103亦可由其他材料所制成，例如可由氧化锡(SnO 2)、氧化锌(ZnO)等材质所制成，并无限定。
如图5及图6所示，于步骤S104中：设置栅极绝缘层104于第一金属层102及第一透明导电层103上。并可依实际需求以沉积方式沉积单一材料形成的栅极绝缘层104或是形成具有叠层结构的栅极绝缘层104。
在一实施例中，栅极绝缘层104包括氮化硅物(SiN x)、氧化硅物(SiO x)、氮氧化硅物(SiN xO y)中的一种或多种，且栅极绝缘层104包括至少一膜层。具体地，栅极绝缘层104可为单层膜，仅包括第一栅极绝缘膜层1042，亦可为双层膜，包括第一栅极绝缘膜层1042及第二栅极绝缘膜层1043。第一栅极绝缘膜层1042及第二栅极绝缘膜层1043可分别由氮化硅物及氧化硅物制成，并形成叠层结构。
如图5及图6所示，于步骤S104中：图案化所述栅极绝缘层104形成对应所述下电极图案103b的第一通孔1041。第一通孔1041可以蚀刻方式定义于栅极绝缘层104上。
如图7所示，于步骤S105中：设置非晶硅层105于栅极绝缘层104上。具体的，可以使用气相沉积非晶态硅膜，包括真空蒸发、辉光放电、溅射及化学气相沉积等方法制作非晶硅层105。
如图7所示，于步骤S106中：设置N +型非晶硅层106于非晶硅层105上。具体地，于步骤S105完成非晶硅层105的沉积后，于非晶硅层105上进行高浓度的离子布植以形成N +型非晶硅层106。具体的，N型的杂质例如磷。
接下来，图案化所述N +型非晶硅层106及所述非晶硅层105形成对应所述栅极图案102a的有源层图案105a、位于所述第一通孔1041内的感光层图案105b、位于所述有源层图案105a上的欧姆接触层图案106a及位于所述感光层图案105b上的欧姆接触层图案106b。
换言之，非晶硅层105及N +型非晶硅层106于单一制程中形成有源层图案105a、感光层图案105b、欧姆接触层图案106a及106b，因而减少了光罩及制备工艺。
如图8所示，于步骤S107中：利用蒸镀等方式设置第二金属层107于N +型非晶硅层106上。当第二金属层107形成后，利用曝光显影及蚀刻等方式图案化所述第二金属层107形成对应所述有源层图案105a的源/漏极图案107a及对应所述感光层图案105b的上电极图案107b。
如图8所示，于步骤S107后，还可包括步骤：设置第二透明导电层108于第二金属层107上。在一实施例中，也可省略设置第二透明导电层108，以节省制作的流程。有关第二透明导电层108的细节可参考前述说明，在此不再赘述。如图9所示，于步骤S108中：设置绝缘保护层109于第二金属层107上或第二透明导电层108上。
如图9所示，可以于绝缘保护层109上通過蚀刻等方式开设第四通孔1091，以供集成电路绑定。
如图10所示，于步骤S109中：倒置基板层101。
如图11所示，将光路层200设置于基板层101的第二表面S2上。且基板层101的第一表面S1与第二表面S2为不同的表面。具体的，所述第二表面S2为所述基板层101远离所述非晶硅层105的表面。换言之，光路层200与其它设置于基板层101上的膜层是相对设置的，但不以此为限，可依实际需求进行配置。
如图11所示，于步骤S110中：将显示面板主体300设置于光路层200上。于步骤S110之后，还可包括绑定工艺、测试工艺等。
因此，综上所述，于本申请所提供的显示面板10及其制造方法中，相较于现有技术由于光传感器倒置，使得晶体管与光传感器的a-Si或N +a-Si膜层可于同一制程中制成，因而节省了光罩和制备工艺。另外，本申请的指纹辨识层100翻转贴合至光路层200下，因此晶体管的栅极也可充当遮光层使用。以上各个操作的具体实施可参见前面的实施例，在此不再赘述。
综上所述，虽然本申请已以优选实施例揭露如上，但上述优选实施例并非用以限制本申请，本领域的普通技术人员，在不脱离本申请的精神和范围内，均可作各种更动与润饰，因此本申请的保护范围以权利要求界定的范围为准。

Claims (20)

  1. 一种显示面板，包括：
    指纹辨识层；
    光路层，设置于所述指纹辨识层上；以及
    显示面板主体，设置于所述光路层上，其中
    所述指纹辨识层包括阵列设置的多个晶体管及电连接于所述多个晶体管的多个光传感器；
    所述晶体管的有源层图案及所述光传感器的感光层图案同层设置。
  2. 如权利要求1所述的显示面板，其中，所述指纹辨识层还包括第一金属层及第一透明导电层，所述第一金属层与所述第一透明导电层同层设置，所述第一金属层包括所述晶体管的栅极图案，所述第一透明导电层包括所述光传感器的下电极图案。
  3. 如权利要求2所述的显示面板，其中，所述指纹辨识层还包括基板层，所述第一金属层与所述第一透明导电层均设置于所述基板层表面上，所述光路层设置于所述基板层的另一表面上。
  4. 如权利要求3所述的显示面板，其中，所述第一金属层包括层叠的第一金属膜层以及第二金属膜层。
  5. 如权利要求4所述的显示面板，其中，所述第一金属层还包括层叠于第二金属膜层上的第三金属膜层，第一金属膜层为钛所制成，第二金属膜层为铝所制成，第三金属膜层为钛所制成。
  6. 如权利要求3所述的显示面板，其中，所述指纹辨识层还包括栅极绝缘层，覆盖于所述第一金属层及所述第一透明导电层的表面上，且所述栅极绝缘层对应于每个所述下电极图案开设有第一通孔，所述感光层图案设置于所述第一通孔内。
  7. 如权利要求6所述的显示面板，其中，所述栅极绝缘层包括第一栅极绝缘膜层及第二栅极绝缘膜层，第一栅极绝缘膜层及第二栅极绝缘膜层分别由氮化硅物及氧化硅物制成。
  8. 如权利要求3所述的显示面板，其中，所述有源层图案设置于所述栅极绝缘层远离所述第一金属层的表面上且对应于所述栅极图案，其中所述有源层图案于所述基板层上的正投影落在所述栅极图案于所述基板层上的正投影内。
  9. 如权利要求3所述的显示面板，其中，所述指纹辨识层还包括N +非晶硅层及第二金属层，所述第二金属层设置于所述N +非晶硅层表面，所述第二金属层包括所述晶体管的源/漏极图案以及所述光传感器的上电极图案，所述N +非晶硅层包括位于所述源/漏极图案与所述有源层图案之间的欧姆接触层图案以及位于所述上电极图案与所述感光层图案之间的欧姆接触层图案。
  10. 如权利要求9所述的显示面板，其中，所述有源层图案及所述感光层图案的材料均为非晶硅，所述N+非晶硅层为所述有源层图案及所述感光层图案的表面进行高浓度的N型杂质离子布植形成。
  11. 如权利要求9所述的显示面板，其中，所述晶体管的源极或漏极通过所述栅极绝缘层上的第二通孔连接于所述下电极图案。
  12. 如权利要求9所述的显示面板，其中，所述指纹辨识层还包括第二透明导电层设置于所述第二金属层远离所述N +非晶硅层的表面。
  13. 如权利要求12所述的显示面板，其中，所述指纹辨识层还包括绑定端子，所述第一金属层还包括所述绑定端子的走线图案，所述第一透明导电层还包括所述绑定端子的透明导电图案，所述透明导电图案覆盖于所述走线图案，所述第二金属层还包括所述绑定端子的接垫图案，所述接垫图案通过所述栅极绝缘层上的第三通孔连接于所述透明导电图案，所述第二透明导电层还包括所述绑定端子的保护图案，所述保护图案覆盖于所述接垫图案。
  14. 一种显示面板的制造方法，包括：
    提供基板层；
    设置第一金属层于所述基板层的第一表面上并图案化所述第一金属层形成栅极图案；
    设置第一透明导电层于所述基板层的所述第一表面上并图案化所述第一透明导电层形成下电极图案；
    设置栅极绝缘层于所述第一金属层及所述第一透明导电层上并图案化所述栅极绝缘层形成对应所述下电极图案的第一通孔；
    设置非晶硅层于所述栅极绝缘层上；
    设置N +型非晶硅层于所述非晶硅层上并图案化所述N +型非晶硅层及所述非晶硅层形成对应所述栅极图案的有源层图案、位于所述第一通孔内的感光层图案、位于所述有源层图案上的欧姆接触层图案及位于所述感光层图案上的欧姆接触层图案；
    设置第二金属层于所述N +型非晶硅层上并图案化所述第二金属层形成对应所述有源层图案的源/漏极图案及对应所述感光层图案的上电极图案；
    设置绝缘保护层于所述第二金属层上；
    倒置所述基板层并于所述基板层的第二表面上设置光路层，其中所述第二表面为所述基板层远离所述非晶硅层的表面；以及
    于所述光路层上设置显示面板主体。
  15. 如权利要求14所述的显示面板的制造方法，其中，所述设置N+型非晶硅层于所述非晶硅层上的步骤包括：于非晶硅层上进行高浓度的N型杂质离子布植以形成N+型非晶硅层。
  16. 如权利要求14所述的显示面板的制造方法，其中，所述第一金属层包括层叠的第一金属膜层以及第二金属膜层。
  17. 如权利要求14所述的显示面板的制造方法，其中，所述第一金属层还包括层叠于第二金属膜层上的第三金属膜层，第一金属膜层为钛所制成，第二金属膜层为铝所制成，第三金属膜层为钛所制成。
  18. 如权利要求14所述的显示面板的制造方法，其中，所述显示面板包括指纹辨识层，所述指纹辨识层包括阵列设置的多个晶体管及电连接于所述多个晶体管的多个光传感器。
  19. 如权利要求14所述的显示面板的制造方法，其中，所述栅极绝缘层包括第一栅极绝缘膜层及第二栅极绝缘膜层，第一栅极绝缘膜层及第二栅极绝缘膜层分别由氮化硅物及氧化硅物制成。
  20. 如权利要求14所述的显示面板的制造方法，其中，所述有源层图案设置于所述栅极绝缘层远离所述第一金属层的表面上且对应于所述栅极图案，其中所述有源层图案于所述基板层上的正投影落在所述栅极图案于所述基板层上的正投影内。
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