CN112748598A - 一种阵列基板、显示面板以及显示装置 - Google Patents

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Abstract

本申请提供了一种阵列基板、显示面板以及显示装置，所述阵列基板包括：衬底基板；感光元件层，设置于所述衬底基板上，所述感光元件层上间隔设置有多个感光元件；第一遮光层，设置于所述感光元件层上，所述第一遮光层在所述阵列基板的正投影与每个所述感光元件在所述阵列基板的正投影部分重叠。本申请提供的一种阵列基板、显示面板以及显示装置，通过将衬底基板、感光元件层以及黑色矩阵层三层采用叠层设计，以提高阵列基板的指纹识别功能的集成度，同时降低光学噪声干扰，提高指纹识别的灵敏度。

Description

一种阵列基板、显示面板以及显示装置
技术领域
本申请涉及显示器件技术领域，尤其涉及一种阵列基板、显示面板以及显示装置。
背景技术
随着全面屏技术的不断发展，显示面板中显示区的占比不断扩大。将指纹识别区集成到显示面板内，成为了提高屏占比，实现全面屏的一个趋势。
指纹识别技术已广泛应用于中小尺寸的面板中，其中主要有电容式、超声波式和光学式等几种方式。目前较为成熟的方案为电容式指纹识别，其工作原理是利用硅晶元与导电的皮下电解液形成电场，指纹谷脊之间的高低不同导致二者之间的压差不同，从而实现准确的指纹测定。但是，对于电容式指纹识别，当手指潮湿的时候，其检测效果会显著变差。超声波指纹识别技术相较电容式指纹识别具有高穿透能力、更稳定和更精确等优点，但是其成本相对较高。
光学指纹识别技术利用光的折射和反射原理，当光照射到手指上，被手指反射到感光的指纹传感器(sensor)上，由于指纹谷和脊对光的反射不同，指纹传感器所接收到谷和脊的反射光强不同，然后再将光信号转换为电学信号，从而进行指纹识别。光学指纹识别技术稳定性较好，穿透能力强，造价成本相对较低。
然而，目前搭载光学指纹识别功能的手机或者平板均为自发光的OLED屏幕。对于液晶(Liquid Crystal Display，LCD)屏幕的手机，由于受到背光，开口率等因素的限制，因此增加了在液晶屏幕内部集成光学指纹识别功能的难度，使得指纹识别的准确度降低。
发明内容
本申请提供一种阵列基板、显示面板以及显示装置，以解决现有液晶显示面板指纹识别集成难度高的问题。
一方面，本申请提供一种阵列基板显示面板，包括：
衬底基板，包括显示区和指纹识别区；
感光元件层，设置于所述衬底基板上，所述感光元件层上间隔设置有多个感光元件；
第一遮光层，设置于所述感光元件层上，所述第一遮光层在所述衬底基板的正投影与每个所述感光元件在所述衬底基板的正投影部分重叠。
在本申请一种可能的实现方式中，所述第一遮光层为黑色矩阵层，所述黑色矩阵层包括多个间隔设置的黑色矩阵，每个所述黑色矩阵在所述衬底基板的正投影与每个所述感光元件在所述衬底基板的正投影部分重叠，
在本申请一种可能的实现方式中，所述黑色矩阵层的厚度范围为0.3微米-1微米。
在本申请一种可能的实现方式中，所述阵列基板还包括：
第一金属层，设置于所述衬底基板上，触控走线和阴极在所述第一金属层中同层间隔设置，所述阴极为所述感光元件的阴极。
在本申请一种可能的实现方式中，所述阵列基板还包括：
第一电极层，设置于所述感光元件上，所述第一电极层包括触控电极，所述触控走线与所述触控电极连接；
第二电极层，设置于所述黑色矩阵上，像素电极和阳极在所述第二电极层中同层间隔设置，所述阳极为所述感光元件的阳极。
在本申请一种可能的实现方式中，所述感光元件层还包括：
第一绝缘层，设置于所述第一金属层上，所述第一绝缘层上设置有过孔；
第一半导体层，设置于所述过孔内；
本征半导体层，设置于所述第一半导体上。
在本申请一种可能的实现方式中，所述感光元件层还包括：
第二半导体层，设置于所述本征半导体层上。
在本申请一种可能的实现方式中，所述第一半导体层的材料为N型非晶硅，所述本征半导体层的材料为非晶硅，所述第二半导体层的材料为P型非晶硅。
在本申请一种可能的实现方式中，所述第一遮光层上设置有准直孔，所述感光元件在所述衬底基板的正投影部分位于所述准直孔内。
在本申请一种可能的实现方式中，所述准直孔的直径范围5微米-10微米。
在本申请一种可能的实现方式中，所述感光元件的中部在所述衬底基板的正投影位于所述准直孔内，所述感光元件的两端部在所述衬底基板上的正投影分别与所述第一遮光层重叠。
另一方，本申请还提供一种显示面板，包括所述的阵列基板。
另一方，本申请还提供一种显示装置，包括所述的显示面板。
本申请提供的一种阵列基板、显示面板以及显示装置，通过将衬底基板、感光元件层以及第一遮光层三层采用叠层设计，以提高阵列基板的指纹识别功能的集成度，同时降低光学噪声干扰，提高指纹识别的灵敏度。
附图说明
下面结合附图，通过对本申请的具体实施方式详细描述，将使本申请的技术方案及其它有益效果显而易见。
图1为本申请提供的阵列基板的结构示意图。
图2为本申请实施例提供的阵列基板的剖面示意图。
图3为本申请实施例提供的感光元件层的剖面示意图。
图4为本申请又一实施例提供的阵列基板的剖面示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
在本申请的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本申请的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
在本申请的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接或可以相互通讯；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。
在本申请中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
下文的公开提供了许多不同的实施方式或例子用来实现本申请的不同结构。为了简化本申请的公开，下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然，它们仅仅为示例，并且目的不在于限制本申请。此外，本申请可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母，这种重复是为了简化和清楚的目的，其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的关系。此外，本申请提供了的各种特定的工艺和材料的例子，但是本领域普通技术人员可以意识到其他工艺的应用和/或其他材料的使用。
请参考图1和图2，本申请提供一种阵列基板，其包括：衬底基板10、感光元件层20以及第一遮光层30。
衬底基板10设置有显示区101和指纹识别区102，衬底基板10上阵列设置有多个薄膜晶体管(Thin Film Transistor,TFT)；
感光元件层20，设置于所述衬底基板10上，所述感光元件层20上设置有多个感光元件203；在本申请实施例中，指纹识别区102位于显示区101，多个感光元件203之间间隔设置，可以设置于指纹识别区102内的子像素间隙，以使指纹识别区102既能进行指纹识别，同时显示画面；或者感光元件203也可设置于阵列基板的显示区101内任意子像素间隙中，以实现全屏指纹识别，本发明实施例对此不做具体限定。
第一遮光层30设置于所述感光元件层20上，所述第一遮光层30在所述阵列基板的正投影与每个所述感光元件203在所述阵列基板的正投影部分重叠。其中，第一遮光层30与所述感光元件203部分重叠可以例如是通过在第一遮光层上开设通孔，使得所述感光元件203暴露于通孔中以实现部分重叠设置。
本申请实施例提供的阵列基板通过将衬底基板10、感光元件层20以及黑色矩阵层30三层采用叠层设计，以提高阵列基板指纹识别功能的集成度，同时降低光学噪声干扰，提高指纹识别的灵敏度。
在一些实施例中，所述第一遮光层30为黑色矩阵层，所述黑色矩阵层30包括多个间隔设置的黑色矩阵，每个所述黑色矩阵在所述衬底基板的正投影与每个所述感光元件203在所述衬底基板10的正投影部分重叠。可以理解的是，第一遮光层除了采用黑色矩阵材料，也可以采用油墨等黑色的、具有遮光效果的材料。
在一些实施例中，所述黑色矩阵层30的厚度范围为0.3微米-1微米，例如，所述黑色矩阵层的厚度可以为0.3μm，通过设置黑色矩阵层的厚度较薄，有利于减薄阵列基板的厚度，从而实现阵列基板的轻量化。所述黑色矩阵层30的厚度也可以为1μm，后续在黑色矩阵层上进行开孔等制作工艺时，降低加工难度，而且制作其他膜层时，不会由于黑色矩阵层过厚而导致其他膜层爬坡难度较大，降低断线问题的出现，有利于降低后续膜层制作的不良率。
在一些实施例中，如图4所示，所述黑色矩阵层30上设置有准直孔301，所述感光元件203在所述衬底基板10的正投影部分位于所述准直孔301内，指纹反射的光线经过准直孔301后更准确的导向其对应的感光元件203，所述准直孔301遮用于挡杂散光，有利于降低干扰，提高指纹识别的灵敏度。其中，所述准直孔301具体可以是圆孔，也可以是方孔。具体地，在一些实施例中，所述感光元件203的中部在所述衬底基板10的正投影位于所述准直孔301内，所述感光元件203的两端部在所述衬底基板10上的正投影分别与所述第一遮光层30重叠。通过在第一遮光层30上设置准直孔301，在提高阵列基板指纹识别功能的集成度的同时，有利于降低光噪声干扰，从而提高指纹识别的灵敏度。
在一些实施例中，所述准直孔的直径范围5微米-10微米。其中，准直孔的直径大小一般由黑色矩阵层的膜层厚度决定，厚度越大，所述准直孔的直径也可以越大，所述准直孔的直径越大，感光元件的感光面积越大，有利于提高元件的灵敏度。
在一些实施例中，所述感光元件层20还包括第一金属层202，触控走线和阴极在所述第一金属层中202同层间隔设置，所述阴极为所述感光元件203的阴极。所述第一金属层202设置于所述衬底基板10上，示例性地，所述第一金属层202可采用Mo等金属材料或者Ti/Al/Ti，Mo/Cu，Mo/Al/Mo等金属叠层材料。所述第一金属层202在所述指纹识别区102作为所述感光元件203的阴极。通过将阴极和触控电极同层设置于第一金属层202中，可以有效提高阵列基板的指纹识别功能的集成度，有利于提高指纹识别的准确度，也有利于节约膜层的制作工序。
在一些实施例中，所述感光元件层20还可以包括第一绝缘层201。所述第一绝缘层201设置于所述第一金属层202上，所述第一绝缘层201上设置有过孔。感光元件203设置于所述第一绝缘层201上，所述感光元件可以例如为PIN二极管，包括第一半导体层2031和本征半导体层2032。本征半导体层2032上设置于第一半导体层上203。其中，第一半导体层2031设置于所述过孔内。
在一些实施例中，所述感光元件层20还包括：第二半导体层2033，所述第二半导体层2033设置于所述本征半导体层2032上。
在一些实施例中，第一半导体层2031的材料为N型非晶硅(N+a-Si)、本征半导体层2032的材料为非晶硅(a-Si)。第二半导体层2033的材料为P型非晶硅(P+a-Si)。由于非晶硅可以制作得比较厚，因此利于光的吸收，便于形成高性能的感光传感器，因此提高了指纹识别的准确性。
在一些实施例中，如图4所示，所述阵列基板还包括：第二电极层205和第一电极层204。
第一电极层204为BITO层(Bottom-Indium Tin Oxides,BITO)，所述第一电极层204设置于所述感光元件层20上，所述第一电极层204包括触控电极，所述触控走线与第一金属层202中的所述触控电极连接，所述第一金属层202在阵所述显示区101的触控阶段作为阵列基板的触控电极，所述触控电极在阵所述显示区101的显示阶段还可以作为阵列基板的公共电极。
第二电极层205为TITO层(Top-Indium Tin Oxides,TITO)，第二电极层205设置于所述黑色矩阵层30上。像素电极和阳极在所述第二电极层205中同层间隔设置，所述阳极为所述感光元件203的阳极。具体地，所述第二电极层205和第一电极层204之间还设置有第二绝缘层206。结合图3和图4所示，由于黑色矩阵层30上设置有准直孔301，第二电极层205通过所述准直孔301覆盖于感光元件203的表面，具体覆盖于第二半导体层2033的表面。其中，所述第二电极层205在所述指纹识别区102作为所述感光元件203的阳极，所述第二电极层205在所述显示区101作为像素电极。如图4所示，阵列基板上还设置有存储电容207，用于存储所述感光元件203的电荷，所述存储电容207包括上极板和下极板，所述存储电容207的下极板位于第一电极层204中，所述存储电容207的上极板位于第二电极层205中，所述上极板和所述下极板通过所述第二绝缘层206绝缘连接，所述上极板与感光元件的阳极连接，所述下极板通过所述第二电极层与感光元件的阴极连接。通过将阳极和像素电极同层设置，可以有效提高阵列基板的指纹识别功能的集成度，有利于提高指纹识别的准确度，也有利于节约膜层的制作工序。
在一些实施例中，请参考图4，所述衬底基板10具体包括：
衬底基板101，衬底基板101可为玻璃基板或者柔性衬底。衬底基板101的材质包括玻璃、二氧化硅、聚乙烯、聚丙烯、聚苯乙烯、聚乳酸、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚酰亚胺或聚氨酯中的一种或多种。
多晶硅层102设置于所述衬底基板101上；所述多晶硅(Poly-Si)层102对由非晶硅(a-Si)层进行激光退火形成。
栅极层104设置于所述第二绝缘层103上；栅极层104为金属制成，包括栅极以及与栅极电性连接的扫描线。
层间绝缘层105设置于所述栅极层104上，所述层间绝缘层(ILD)105上设置有通孔；层间绝缘层105采用叠层结构设计，可以由氮化硅、氧化硅等陶瓷材料制成。
源漏极层106包括源极和漏极，设置于所述层间绝缘层105上，通过对层间绝缘层105进行蚀刻，形成至有源层的源极端的过孔和漏极端过孔，过孔均将有源层的部分裸露，接着制作金属层，金属层包括该源漏极层106。所述漏极通过所述通孔与所述多晶硅层201连接。其中源极和漏极为导电材料，适合的材料选自但不限于透明导电材料，如氧化铟锡(ITO)、掺铝氧化锌(AZO)等。
平坦化层107设置于所述源漏极层106上。平坦化层107包括丙烯酸基树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺基树脂、聚酰亚胺基树脂、不饱和聚酯树脂、聚丙烯酸酯、聚碳酸酯类、聚酰亚胺、聚苯乙烯类中一种或一种以上的组合材料。
在一些实施例中，所述衬底基板10还包括：第二遮光层108和缓冲层109。
第二遮光层108设置于所述衬底基板101上，第二遮光层108为金属遮光层，并通过曝光刻蚀的方式图案化。
缓冲层109设置于所述衬底第二遮光层108上，缓冲层109可以起到缓冲应力的作用，可以为有机层。
所述多晶硅层102设置于所述缓冲层109上。其中，在对所述非晶硅层进行激光退火时，部分激光能量穿过其下方的缓冲层109，并经由所述第二遮光层108反射至所述非晶硅层；通过第一道光罩工序对所述多晶硅层102、所述缓冲层109和第二遮光层108进行刻蚀，以一次性形成遮光图案、缓冲图案和多晶硅图案，再通过对Poly-Si层102进行磷离子掺杂，形成N+掺杂区。第二绝缘层103设置于所述多晶硅层102上。
在一些实施例中，如图4所示，所述感光元件203至少部分覆盖于所述多晶硅层102上，有利于提高开口率以及提高指纹识别的准确度。
另一方面，为了更好地本申请实施例的显示面板，本申请实施例还提供一种显示面板，所述显示面板包括所述阵列基板，所述显示面板可以液晶显示面板，OLED面板等，在此不作具体限定。
另一方面，为了更好地本申请实施例的显示面板，本申请实施例还提供一种显示装置，所述显示装置为具备显示功能的显示装置，包括所述的显示面板。由于本申请实施例的显示装置采用了所述显示面板，具有前述的有益效果，在此不再赘述。所述显示装置可以是手持设备(智能手机、平板电脑等)、可穿戴设备(智能手环、无线耳机、智能手表、智能眼镜等)、车载设备(导航仪、辅助倒车系统、行车记录仪、车载冰箱等)、虚拟现实设备、增强现实设备、终端设备(Terminal Device)等等，在此不做限制。
在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述的部分，可以参见其他实施例的相关描述。
以上对本申请实施例所提供的一种阵列基板、显示面板以及显示装置进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的技术方案及其核心思想；本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例的技术方案的范围。

Claims (13)

1.一种阵列基板，其特征在于，包括：
衬底基板；
感光元件层，设置于所述衬底基板上，所述感光元件层上间隔设置有多个感光元件；
第一遮光层，设置于所述感光元件层上，所述第一遮光层在所述阵列基板的正投影与每个所述感光元件在所述阵列基板的正投影部分重叠。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一遮光层为黑色矩阵层，所述黑色矩阵层包括多个间隔设置的黑色矩阵，每个所述黑色矩阵在所述衬底基板的正投影与每个所述感光元件在所述衬底基板的正投影部分重叠。
3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述黑色矩阵层的厚度范围为0.3微米-1微米。
4.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括：
第一金属层，设置于所述衬底基板上，触控走线和阴极在所述第一金属层中同层间隔设置，所述阴极为所述感光元件的阴极。
5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括：
第一电极层，设置于所述感光元件上，所述第一电极层包括触控电极，所述触控走线与所述触控电极连接；
第二电极层，设置于所述黑色矩阵上，像素电极和阳极在所述第二电极层中同层间隔设置，所述阳极为所述感光元件的阳极。
6.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述感光元件层还包括：
第一绝缘层，设置于所述第一金属层上，所述第一绝缘层上设置有过孔；
第一半导体层，设置于所述过孔内；
本征半导体层，设置于所述第一半导体上。
7.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述感光元件层还包括：
第二半导体层，设置于所述本征半导体层上。
8.根据权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，所述第一半导体层的材料为N型非晶硅，所述本征半导体层的材料为非晶硅，所述第二半导体层的材料为P型非晶硅。
9.根据权利要求1-8任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述第一遮光层上设置有准直孔，所述感光元件在所述衬底基板的正投影部分位于所述准直孔内。
10.权利要求9所述的阵列基板，其特征在于，所述准直孔的直径范围5微米-10微米。
11.权利要求9所述的阵列基板，其特征在于，所述感光元件的中部在所述衬底基板的正投影位于所述准直孔内，所述感光元件的两端部在所述衬底基板上的正投影分别与所述第一遮光层重叠。
12.一种显示面板，其特征在于，包括如权利要求1-11任一项所述的阵列基板。
13.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求12所述的显示面板。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2023087322A1 (zh) * 2021-11-22 2023-05-25 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及显示装置

Citations (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105723381A (zh) * 2013-09-17 2016-06-29 硅显示技术有限公司 光学指纹传感器
CN106022324A (zh) * 2016-08-04 2016-10-12 京东方科技集团股份有限公司 一种纹路识别显示装置
CN106684202A (zh) * 2017-01-04 2017-05-17 京东方科技集团股份有限公司 一种感光组件、指纹识别面板及装置
CN107423723A (zh) * 2017-08-09 2017-12-01 京东方科技集团股份有限公司 一种纹路识别器件、阵列基板及显示装置
CN107845666A (zh) * 2017-10-31 2018-03-27 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及其制造方法、显示装置
CN108140125A (zh) * 2015-09-15 2018-06-08 上海箩箕技术有限公司 光学指纹成像系统和面阵传感器
CN108596096A (zh) * 2018-04-24 2018-09-28 京东方科技集团股份有限公司 指纹识别装置、显示面板及其制作方法、显示装置
CN108735786A (zh) * 2018-05-29 2018-11-02 上海天马有机发光显示技术有限公司 有机发光显示面板及有机发光显示装置
CN109686808A (zh) * 2018-12-27 2019-04-26 厦门天马微电子有限公司 二极管及其制作方法、阵列基板、显示面板
CN110427931A (zh) * 2019-07-31 2019-11-08 厦门天马微电子有限公司 一种阵列基板及显示装置
CN110596979A (zh) * 2019-09-27 2019-12-20 厦门天马微电子有限公司 一种阵列基板及显示装置
CN110729309A (zh) * 2019-09-27 2020-01-24 武汉华星光电技术有限公司 显示面板及其制备方法以及显示装置
CN110750020A (zh) * 2019-10-31 2020-02-04 厦门天马微电子有限公司 显示模组和显示装置
CN110750021A (zh) * 2019-10-31 2020-02-04 厦门天马微电子有限公司 一种阵列基板、显示面板及显示装置
CN111160323A (zh) * 2020-02-19 2020-05-15 武汉华星光电技术有限公司 一种显示面板及电子装置

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040252867A1 (en) * 2000-01-05 2004-12-16 Je-Hsiung Lan Biometric sensor
CN106815573B (zh) * 2017-01-06 2019-11-19 武汉华星光电技术有限公司 显示屏及电子装置
CN109144311B (zh) * 2018-07-26 2022-06-07 京东方科技集团股份有限公司 显示基板、指纹识别方法、触控显示装置
CN109685003A (zh) * 2018-12-24 2019-04-26 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 Oled显示面板及屏下光学指纹识别方法
CN109709696A (zh) * 2019-01-11 2019-05-03 惠科股份有限公司 一种感光面板、感光面板的制作方法和显示面板
CN110164937A (zh) * 2019-05-30 2019-08-23 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 Oled显示面板
CN110286796B (zh) * 2019-06-27 2023-10-27 京东方科技集团股份有限公司 电子基板及其制作方法、显示面板
CN111430567A (zh) * 2020-03-31 2020-07-17 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示面板及其制备方法
CN111752028A (zh) * 2020-07-09 2020-10-09 武汉华星光电技术有限公司 液晶显示面板
CN112071861A (zh) * 2020-09-03 2020-12-11 Tcl华星光电技术有限公司 一种阵列基板及其制备方法、液晶显示面板

Patent Citations (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105723381A (zh) * 2013-09-17 2016-06-29 硅显示技术有限公司 光学指纹传感器
CN108140125A (zh) * 2015-09-15 2018-06-08 上海箩箕技术有限公司 光学指纹成像系统和面阵传感器
CN106022324A (zh) * 2016-08-04 2016-10-12 京东方科技集团股份有限公司 一种纹路识别显示装置
CN106684202A (zh) * 2017-01-04 2017-05-17 京东方科技集团股份有限公司 一种感光组件、指纹识别面板及装置
CN107423723A (zh) * 2017-08-09 2017-12-01 京东方科技集团股份有限公司 一种纹路识别器件、阵列基板及显示装置
CN107845666A (zh) * 2017-10-31 2018-03-27 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及其制造方法、显示装置
CN108596096A (zh) * 2018-04-24 2018-09-28 京东方科技集团股份有限公司 指纹识别装置、显示面板及其制作方法、显示装置
CN108735786A (zh) * 2018-05-29 2018-11-02 上海天马有机发光显示技术有限公司 有机发光显示面板及有机发光显示装置
CN109686808A (zh) * 2018-12-27 2019-04-26 厦门天马微电子有限公司 二极管及其制作方法、阵列基板、显示面板
CN110427931A (zh) * 2019-07-31 2019-11-08 厦门天马微电子有限公司 一种阵列基板及显示装置
CN110596979A (zh) * 2019-09-27 2019-12-20 厦门天马微电子有限公司 一种阵列基板及显示装置
CN110729309A (zh) * 2019-09-27 2020-01-24 武汉华星光电技术有限公司 显示面板及其制备方法以及显示装置
CN110750020A (zh) * 2019-10-31 2020-02-04 厦门天马微电子有限公司 显示模组和显示装置
CN110750021A (zh) * 2019-10-31 2020-02-04 厦门天马微电子有限公司 一种阵列基板、显示面板及显示装置
CN111160323A (zh) * 2020-02-19 2020-05-15 武汉华星光电技术有限公司 一种显示面板及电子装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2023087322A1 (zh) * 2021-11-22 2023-05-25 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及显示装置

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