CN110750021A - 一种阵列基板、显示面板及显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明实施例公开了一种阵列基板、显示面板及显示装置。阵列基板包括：衬底基板以及位于衬底基板一侧的第一遮光层；光感结构，位于第一遮光层背离衬底基板的一侧；第二遮光层，位于光感结构背离衬底基板的一侧；遮光结构，位于第一遮光层和第二遮光层之间；在垂直于衬底基板的方向上，遮光结构包围光感结构，且遮光结构至少包括第一遮光分部和第二遮光分部，第一遮光分部位于靠近第一遮光层的一侧，第一遮光分部和第二遮光分部采用不同的制备工序制备形成。本发明提供的技术方案可以防止串扰光线进入光感结构，提高指纹识别精度，同时，遮光结构包括第一遮光分部和第二遮光分部，可以降低遮光结构的制备工艺难度。

Description

一种阵列基板、显示面板及显示装置
技术领域
本发明实施例涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板、显示面板及显示装置。
背景技术
目前，屏内指纹识别，即将指纹识别装置嵌入显示区内是当前显示领域研究的热点，将指纹识别装置从非显示区嵌入至显示区内有利于提高显示屏的屏占比。
现有的指纹识别技术包括光学指纹识别技术、半导体硅指纹识别技术和超声波指纹识别技术。其中，光学指纹识别技术一般是采用光电二极管作为光感结构，其工作原理为：光经由触摸主体反射后形成的反射光照射在光电二极管上，使光电二极管产生光电流，由于指纹纹谷与纹脊的反射率存在差异，即纹谷位置反射的光和纹脊位置反射的光的强度不同，使得纹谷位置对应的光电二极管产生的光电流和纹脊位置对应的光电二极管产生的光电流不同，从而实现指纹识别。
通常，阵列基板中包括多个光感结构，每个光感结构用于接收其正上方对应的指纹识别区域反射回的光线，若相邻指纹识别区域反射的串扰光线反射到光感结构上，会影响光感结构产生的光电流大小，进而影响指纹识别精度。
发明内容
本发明提供一种阵列基板、显示面板及显示装置，以实现提高指纹识别精度，降低遮光结构的制备工艺难度。
第一方面，本发明实施例提供了一种阵列基板，包括：
衬底基板以及位于衬底基板一侧的第一遮光层；
光感结构，位于第一遮光层背离衬底基板的一侧；
第二遮光层，位于光感结构背离衬底基板的一侧；
遮光结构，位于第一遮光层和第二遮光层之间；在垂直于衬底基板的方向上，遮光结构包围光感结构，且遮光结构至少包括第一遮光分部和第二遮光分部，第一遮光分部位于靠近第一遮光层的一侧，第一遮光分部和第二遮光分部采用不同的制备工序制备形成。
第二方面，本发明实施例还提供了一种显示面板，包括本发明任意实施例所述的阵列基板。
第三方面，本发明实施例还提供了一种显示装置，包括本发明任意实施例所述的显示面板。
本发明实施例提供的阵列基板，通过设置包围光感结构的遮光结构，使得遮光结构能够阻挡从光感结构侧面入射至光感结构上的串扰光线，从而防止串扰光线照射在光感结构上，避免光感结构受到干扰，解决光感结构受串扰光线干扰的问题，实现提高指纹识别精度；同时，通过设置遮光结构至少包括第一遮光分部和第二遮光分部，且第一遮光分部和第二遮光分部采用不同的制备工序制备形成，可以降低遮光结构的制备工艺难度，简化遮光结构的制备工艺，从而有利于提高阵列基板的制备良率。
附图说明
图1是本发明实施例提供的一种阵列基板的结构示意图；
图2是本发明实施例提供的另一种阵列基板的结构示意图；
图3是本发明实施例提供的又一种阵列基板的结构示意图；
图4是本发明实施例提供的再一种阵列基板的结构示意图；
图5是本发明实施例提供的一种阵列基板的结构示意图；
图6是本发明实施例提供的另一种阵列基板的结构示意图；
图7是本发明实施例提供的又一种阵列基板的结构示意图；
图8是本发明实施例提供的再一种阵列基板的结构示意图；
图9是本发明实施例提供的一种阵列基板的结构示意图；
图10是本发明实施例提供的另一种阵列基板的结构示意图；
图11是本发明实施例提供的又一种阵列基板的结构示意图；
图12是本发明实施例提供的再一种阵列基板的结构示意图；
图13是本发明实施例提供的一种阵列基板的结构示意图；
图14是本发明实施例提供的另一种阵列基板的结构示意图；
图15是本发明实施例提供的又一种阵列基板的结构示意图；
图16是本发明实施例提供的再一种阵列基板的结构示意图；
图17是本发明实施例提供的一种阵列基板的结构示意图；
图18是本发明实施例提供的另一种阵列基板的结构示意图；
图19是本发明实施例提供的又一种阵列基板的结构示意图；
图20是本发明实施例提供的再一种阵列基板的结构示意图；
图21是本发明实施例提供的一种阵列基板的结构示意图；
图22是本发明实施例提供的另一种阵列基板的结构示意图；
图23是本发明实施例提供的又一种阵列基板的结构示意图；
图24是本发明实施例提供的再一种阵列基板的结构示意图；
图25是本发明实施例提供的一种显示面板的结构示意图；
图26是本发明实施例提供的另一种显示面板的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明，而非对本发明的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部结构。
图1是本发明实施例提供的一种阵列基板，参见图1，该阵列基板包括：衬底基板210以及位于衬底基板210一侧的第一遮光层121；光感结构110，位于第一遮光层121背离衬底基板210的一侧；第二遮光层122，位于光感结构110背离衬底基板210的一侧；遮光结构130，位于第一遮光层121和第二遮光层122之间；在垂直于衬底基板210的方向上，遮光结构130包围光感结构110，且遮光结构130至少包括第一遮光分部131和第二遮光分部132，第一遮光分部131位于靠近第一遮光层121的一侧，第一遮光分部131和第二遮光分部132采用不同的制备工序制备形成。
具体的，第一遮光层121和第二遮光层122的材料可以为遮光金属，也可以为黑色绝缘材料，可根据实际情况设置，此处不作限定。若第二遮光层122靠近触摸主体，则第二遮光层122主要用于防止串扰光线照射到光感结构110上，第一遮光层121主要用于防止背光模组中的背光源出射的光直接照射到光感结构110上或者防止外界的光直接照射到光感结构110上。若第一遮光层121靠近触摸主体，则第一遮光层121主要用于防止串扰光线照射到光感结构110上，第二遮光层122主要用于防止背光模组中的背光源出射的光直接照射到光感结构110上或者防止外界的光直接照射到光感结构110上。
具体的，光感结构110用于将经由触摸主体反射回的反射光转换为光电流，并将该光电流通过指纹识别信号线传输至指纹识别信号接收单元(图中为示出)，由于光线照射到手指指纹的谷线和脊线上时，谷线和脊线的反射角度以及反射回去的光照强度不同，因此，指纹识别信号接收单元可以识别出指纹的谷线和脊线。可选地，沿垂直于衬底基板210所在平面的方向，光感结构110可以包括依次层叠设置的N型半导体层、本征半导体层以及P型半导体层。
具体的，第一遮光分部131的材料可以为金属，也可以为黑色绝缘材料，第二遮光分部132的材料可以为金属，也可以为黑色绝缘材料，第一遮光分部131的材料和第二遮光分部132的材料可以相同也可以不同，此处不作限定。第一遮光分部131在衬底基板210上的垂直投影的形状可以为圆形、椭圆形或者矩形等，第二遮光分部132在衬底基板210上的垂直投影的形状可以为圆形或者矩形等，第一遮光分部131在衬底基板210上的垂直投影的形状和第二遮光分部132在衬底基板210上的垂直投影的形状可以相同也可以不同，此处不作限定。
可以理解的是，遮光结构130包围光感结构110的程度越大，遮光结构130防止串扰光线干扰的能力越强，这里所说的遮光结构130包围光感结构110的程度指的是，存在一设定平面，该设定平面垂直于衬底基板210，光感结构110在该设定平面上的垂直投影的面积为S1，光感结构110在该设定平面上的垂直投影与遮光结构130在该设定平面上的垂直投影交叠的面积为S2，可以用
Figure BDA0002256222200000051
来表示遮光结构130包围光感结构110的程度，
Figure BDA0002256222200000061
越大，遮光结构130包围光感结构110的程度越大。
可以理解的是，将遮光结构130分为至少两个遮光分部，使得沿垂直于衬底基板210的方向，每个遮光分部的高度相对较低，可以降低遮光分部制备工艺中在显示面板中的打孔深度，相应地，用于制备遮光分部的材料的填充深度可以降低，使得用于制备遮光分部的材料容易连续填充过孔而不易断裂，进而有利于降低遮光分部的制备工艺难度以及提高遮光分部的制备良率。具体的，每个遮光分部的高度本领域技术人员可根据实际工艺设定，此处不作限定。此外，遮光结构130包括的遮光分部的个数，也可根据实际情况设置，此处不作限定。示例性的，图1所示的阵列基板中，遮光结构130分为第一遮光分部131和第二遮光分部132。
具体的，遮光结构130包括的遮光分部中，可以设置至少一个遮光分部与阵列基板中的现有膜层同层设置且采用相同的材料，如此，可以简化阵列基板的制备工序，提高制备效率，有利于实现阵列基板的薄化；也可以在阵列基板中新增膜层以设置遮光分部，如此，可以灵活设置每个遮光分部的材料，还可以灵活设置遮光分部贯穿的阵列基板中的膜层的情况。
本发明实施例提供的阵列基板，通过设置包围光感结构110的遮光结构130，使得遮光结构130能够阻挡从光感结构110侧面入射至光感结构110上的串扰光线，从而防止串扰光线照射在光感结构110上，避免光感结构110受到干扰，解决光感结构110受串扰光线干扰的问题，实现提高指纹识别精度；同时，通过设置遮光结构130至少包括第一遮光分部131和第二遮光分部132，且第一遮光分部131和第二遮光分部132采用不同的制备工序制备形成，可以降低遮光结构130的制备工艺难度，简化遮光结构130的制备工艺，从而有利于提高阵列基板的制备良率。
在上述技术方案的基础上，可选地，继续参见图1，阵列基板还包括：栅极层和源漏电极层；栅极层位于衬底基板210和源漏电极层之间；源漏电极层位于第二遮光层122靠近衬底基板210的一侧；多个驱动电路，驱动电路包括薄膜晶体管T，薄膜晶体管T包括栅极G、源极S和漏极D，栅极G位于栅极层，源极S和漏极D位于源漏电极层；第一遮光分部131与栅极层或者源漏电极层采用相同的制备工序制备形成。
需要说明的是，这里所说的采用相同的制备工序制备形成指的是同层设置、采用相同的材料且采用同一道制备工序。
这样设置的好处在于，通过将第一遮光分部131与栅极层采用相同的制备工序制备，或者，将第一遮光分部131与源漏电极层采用相同的制备工序制备，可以保证第一遮光分部131的制备工艺与现有阵列基板的制备工艺相匹配，保证第一遮光分部131的制备工艺简单。
本发明实施例提供的薄膜晶体管T可以包括顶栅结构的薄膜晶体管T和底栅结构的薄膜晶体管T，遮光结构130可以包括两个遮光分部也可以包括三个遮光分部，甚至更多个遮光分部。下面将根据薄膜晶体管的结构类型以及遮光结构包括的遮光分部的数量来分类对阵列基板的具体结构进行说明。
首先，对薄膜晶体管T为顶栅结构且遮光结构130包括第一遮光分部131和第二遮光分部132时，阵列基板的具体结构进行说明。
图2是本发明实施例提供的另一种阵列基板的结构示意图。图3是本发明实施例提供的又一种阵列基板的结构示意图。图4是本发明实施例提供的再一种阵列基板的结构示意图。参见图1-图4，可选地，该阵列基板还包括缓冲层220、栅极绝缘层230、层间介质层240和平坦化层250；缓冲层220位于第一遮光层121背离衬底基板210的一侧；平坦化层250位于源漏电极层朝向第二遮光层122的一侧；层间介质层240位于平坦化层250和栅极绝缘层230之间；栅极绝缘层230位于栅极层朝向第一遮光层121的一侧。可选地，第二遮光分部132贯穿平坦化层250，且与第二遮光层122采用相同的制备工序制备形成；第一遮光分部131至少贯穿层间介质层240，且与源漏电极层采用相同的制备工序制备形成。
具体的，本发明实施例提供的阵列基板应用于显示面板中时，第一遮光层121可以位于远离触摸主体的一侧，也可以位于靠近触摸主体的一侧，以液晶显示面板为例的话，当如图1和图2所示，第一遮光层121位于远离触摸主体的一侧时，阵列基板位于彩膜基板和背光模组之间，彩膜基板背离阵列基板的一侧为液晶显示面板的出光侧，背光模组中的背光源发出的光依次穿过阵列基板和彩膜基板照射在触摸主体上；当如图3和图4所示，第一遮光层121位于靠近触摸主体的一侧时，彩膜基板位于阵列基板和背光模组之间，衬底基板背离这一遮光层121的一侧为液晶显示面板的出光侧，背光模组中的背光源发出的光依次穿过彩膜基板和阵列基板照射在触摸主体上。
示例性的，第一遮光分部131可以贯穿层间介质层240，如图1或图3所示。或者，第一遮光分部131可以贯穿层间介质层240和栅极绝缘层230。或者，第一遮光分部131可以贯穿层间介质层240、栅极绝缘层230以及缓冲层220，如图2和图4所示。可以理解的是，该三种情况中，第一遮光分部131贯穿层间介质层240、栅极绝缘层230以及缓冲层220时，遮光结构130包围光感结构110的程度更大，遮光结构130能够阻挡更多从侧面照射在光感结构110上的串扰光线，有利于提高指纹识别精度。
需要说明的是，通过将第一遮光分部131与源漏电极层采用相同的制备工序制备，将第二遮光分部132与第二遮光层122采用相同的制备工序制备，可以保证第一遮光分部131以及第二遮光分部132的制备工艺与现有阵列基板的制备工艺相匹配，保证第一遮光分部131以及第二遮光分部132的制备工艺简单。
图5是本发明实施例提供的一种阵列基板的结构示意图。图6是本发明实施例提供的另一种阵列基板的结构示意图。其中，图5是第一遮光层位于远离触摸主体的一侧时阵列基板的结构示意图，图6是第一遮光层位于靠近触摸主体的一侧时阵列基板的结构示意图。参见图5和图6，可选地，该阵列基板还包括缓冲层220、栅极绝缘层230、层间介质层240和平坦化层250；缓冲层220位于第一遮光层121背离衬底基板210的一侧；平坦化层250位于源漏电极层朝向第二遮光层122的一侧；层间介质层240位于平坦化层250和栅极绝缘层230之间；栅极绝缘层230位于栅极层朝向第一遮光层121的一侧。可选地，第二遮光分部132贯穿平坦化层250和层间介质层240，且与第二遮光层122采用相同的制备工序制备形成；第一遮光分部131至少贯穿栅极绝缘层230，且与栅极层采用相同的制备工序制备形成。
示例性的，第一遮光分部131可以贯穿栅极绝缘层230，或者，第一遮光分部131可以贯穿栅极绝缘层230和缓冲层220，如图5和图6所示。可以理解的是，该两种情况中，第一遮光分部131贯穿栅极绝缘层230和缓冲层220时，遮光结构130包围光感结构110的程度较大，遮光结构130能够阻挡更多从侧面照射在光感结构110上的串扰光线，有利于提高指纹识别精度。
需要说明的是，通过将第一遮光分部131与栅极层采用相同的制备工序制备，将第二遮光分部132与第二遮光层122采用相同的制备工序制备，可以保证第一遮光分部131以及第二遮光分部132的制备工艺与现有阵列基板的制备工艺相匹配，保证第一遮光分部131以及第二遮光分部132的制备工艺简单。
图7是本发明实施例提供的又一种阵列基板的结构示意图。图8是本发明实施例提供的再一种阵列基板的结构示意图。其中，图7是第一遮光层位于远离触摸主体的一侧时阵列基板的结构示意图，图8是第一遮光层位于靠近触摸主体的一侧时阵列基板的结构示意图。参见图7和图8，可选地，该阵列基板还包括缓冲层220、栅极绝缘层230、层间介质层240和平坦化层250；缓冲层220位于第一遮光层121背离衬底基板210的一侧；平坦化层250位于源漏电极层朝向第二遮光层122的一侧；层间介质层240位于平坦化层250和栅极绝缘层230之间；栅极绝缘层230位于栅极层朝向第一遮光层121的一侧。可选地，第二遮光分部132贯穿层间介质层240，且与源漏电极层采用相同的制备工序制备形成；第一遮光分部131至少贯穿栅极绝缘层230，且与栅极层采用相同的制备工序制备形成。
示例性的，第一遮光分部131可以贯穿栅极绝缘层230。或者，第一遮光分部131可以贯穿栅极绝缘层230和缓冲层220，如图7和图8所示。可以理解的是，该两种情况中，第一遮光分部131贯穿栅极绝缘层230和缓冲层220时，遮光结构130包围光感结构110的程度较大，遮光结构130能够阻挡更多从侧面照射在光感结构110上的串扰光线，有利于提高指纹识别精度。
需要说明的是，通过将第一遮光分部131与栅极层采用相同的制备工序制备，将第二遮光分部132与源漏电极层采用相同的制备工序制备，可以保证第一遮光分部131以及第二遮光分部132的制备工艺与现有阵列基板的制备工艺相匹配，保证第一遮光分部131以及第二遮光分部132的制备工艺简单。
接下来，对薄膜晶体管T为底栅结构且遮光分部包括第一遮光分部121和第二遮光分部122时，阵列基板的具体结构进行说明。
图9是本发明实施例提供的一种阵列基板的结构示意图。图10是本发明实施例提供的另一种阵列基板的结构示意图。图11是本发明实施例提供的又一种阵列基板的结构示意图。图12是本发明实施例提供的再一种阵列基板的结构示意图。其中，图9和图10是第一遮光层位于远离触摸主体的一侧时阵列基板的结构示意图，图11和图12是第一遮光层位于靠近触摸主体的一侧时阵列基板的结构示意图。参见图9-图12，可选地，该阵列基板还包括缓冲层220、栅极绝缘层230、层间介质层240和平坦化层250；缓冲层220位于第一遮光层121背离衬底基板210的一侧；平坦化层250位于源漏电极层朝向第二遮光层122的一侧；层间介质层240位于平坦化层250和栅极绝缘层230之间；栅极绝缘层230位于栅极层朝向第二遮光层122的一侧。可选地，第二遮光分部132贯穿平坦化层250，且与第二遮光层122采用相同的制备工序制备形成；第一遮光分部131贯穿层间介质层240，且与源漏电极层采用相同的制备工序制备形成。
示例性的，第一遮光分部131可以贯穿层间介质层240。或者，第一遮光分部131可以贯穿层间介质层240和栅极绝缘层230，如图9和图11所示。或者，第一遮光分部131可以贯穿层间介质层240、栅极绝缘层230以及缓冲层220，如图10和图12所示。可以理解的是，该三种情况中，第一遮光分部131贯穿层间介质层240、栅极绝缘层230以及缓冲层220时，遮光结构130包围光感结构110的程度最大，遮光结构130能够阻挡更多从侧面照射在光感结构110上的串扰光线，有利于提高指纹识别精度。
需要说明的是，通过将第一遮光分部131与源漏电极层采用相同的制备工序制备，将第二遮光分部132与第二遮光层122采用相同的制备工序制备，可以保证第一遮光分部131以及第二遮光分部132的制备工艺与现有阵列基板的制备工艺相匹配，保证第一遮光分部131以及第二遮光分部132的制备工艺简单。
图13是本发明实施例提供的一种阵列基板的结构示意图。图14是本发明实施例提供的另一种阵列基板的结构示意图。其中，图13是第一遮光层位于远离触摸主体的一侧时阵列基板的结构示意图，图14是第一遮光层位于靠近触摸主体的一侧时阵列基板的结构示意图。参见图13和图14，可选地，该阵列基板还包括缓冲层220、栅极绝缘层230、层间介质层240和平坦化层250；缓冲层220位于第一遮光层121背离衬底基板210的一侧；平坦化层250位于源漏电极层朝向第二遮光层122的一侧；层间介质层240位于平坦化层250和栅极绝缘层230之间；栅极绝缘层230位于栅极层朝向第二遮光层122的一侧。可选地，第二遮光分部132贯穿平坦化层250、层间介质层240以及栅极绝缘层230，与第二遮光层122采用相同的制备工序制备形成；第一遮光分部131贯穿缓冲层220，且与栅极层采用相同的制备工序制备形成。
需要说明的是，通过将第一遮光分部131与栅极层采用相同的制备工序制备，将第二遮光分部132与第二遮光层122采用相同的制备工序制备，可以保证第一遮光分部131以及第二遮光分部132的制备工艺与现有阵列基板的制备工艺相匹配，遮光结构130能够阻挡更多从侧面照射在光感结构110上的串扰光线，有利于提高指纹识别精度。
图15是本发明实施例提供的又一种阵列基板的结构示意图。图16是本发明实施例提供的再一种阵列基板的结构示意图。其中，图15是第一遮光层位于远离触摸主体的一侧时阵列基板的结构示意图，图16是第一遮光层位于靠近触摸主体的一侧时阵列基板的结构示意图。参见图15和图16，可选地，该阵列基板还包括缓冲层220、栅极绝缘层230、层间介质层240和平坦化层250；缓冲层220位于第一遮光层121背离衬底基板210的一侧；平坦化层250位于源漏电极层朝向第二遮光层122的一侧；层间介质层240位于平坦化层250和栅极绝缘层230之间；栅极绝缘层230位于栅极层朝向第二遮光层122的一侧。可选地，第二遮光分部132贯穿层间介质层240和栅极绝缘层230，且与源漏电极层采用相同的制备工序制备形成；第一遮光分部131贯穿缓冲层220，且与栅极层采用相同的制备工序制备形成。
需要说明的是，通过将第一遮光分部131与栅极层采用相同的制备工序制备，将第二遮光分部132与源漏电极层采用相同的制备工序制备，可以保证第一遮光分部131以及第二遮光分部132的制备工艺与现有阵列基板的制备工艺相匹配，保证第一遮光分部131以及第二遮光分部132的制备工艺简单。
图17是本发明实施例提供的一种阵列基板的结构示意图。图18是本发明实施例提供的另一种阵列基板的结构示意图。其中，图17是第一遮光层位于远离触摸主体的一侧时阵列基板的结构示意图，图18是第一遮光层位于靠近触摸主体的一侧时阵列基板的结构示意图。参见图17和图18，可选地，该阵列基板还包括：栅极绝缘层230、层间介质层240和平坦化层250；平坦化层250位于源漏电极层朝向第二遮光层122的一侧；层间介质层240位于平坦化层250和栅极绝缘层230之间；栅极绝缘层230位于栅极层背离衬底基板210的一侧；第二遮光分部132贯穿平坦化层250，且与第二遮光层122采用相同的制备工序制备形成；第一遮光分部131至少贯穿层间介质层240，且与源漏电极层采用相同的制备工序制备形成；栅极层中与光感结构110正对的部分复用为第一遮光层121。
具体的，当栅极G的材料为遮光金属时，栅极G不仅作为薄膜晶体管的一部分，还起到遮光作用，可以防止外界的光照射在薄膜晶体T中的沟道上。同时，栅极层中与光感结构110正对的部分复用为第一遮光层121，使得相对于图1-图16所示的阵列基板来说，图17和图18所述的阵列基板可以省去第一遮光层121，有利于实现阵列基板的薄型化。
示例性的，第一遮光分部131可以贯穿层间介质层240。或者，第一遮光分部131可以贯穿层间介质层240和栅极绝缘层230，如图17和图18所示。可以理解的是，该两种情况中，第一遮光分部131贯穿层间介质层240和栅极绝缘层230时，遮光结构130包围光感结构110的程度较大，遮光结构130能够阻挡更多从侧面照射在光感结构110上的串扰光线，有利于提高指纹识别精度。
需要说明的是，通过将第一遮光分部131与源漏电极层采用相同的制备工序制备，将第二遮光分部132与第二遮光层122采用相同的制备工序制备，可以保证第一遮光分部131以及第二遮光分部132的制备工艺与现有阵列基板的制备工艺相匹配，保证第一遮光分部131以及第二遮光分部132的制备工艺简单。
在上述技术方案的基础上，继续参见图1-图19，可选地，遮光结构130包括相邻设置的第一遮光分部131和第二遮光分部132；在垂直于衬底基板210的方向上，第一遮光分部131靠近第一遮光层121一侧的表面与第一遮光层121背离衬底基板210一侧的表面之间的距离小于光感结构110最靠近第一遮光层121的位置与第一遮光层121背离衬底基板210一侧的表面之间的距离，和/或，第二遮光分部132靠近第二遮光层122一侧的表面与第二遮光层122朝向衬底基板210一侧表面之间的距离小于光感结构110最靠近第二遮光层122的位置与第二遮光层122朝向衬底基板210一侧表面之间的距离。
具体的，光感结构110靠近第一遮光层121的一侧的表面上的每一个点，具有到第一遮光层121背离衬底基板210一侧的表面的第一垂直距离，所有点的第一垂直距离形成一个集合，该集合中的最小值对应的点即为光感结构110最靠近第一遮光层121的位置。同理，光感结构110靠近第二遮光层122的一侧的表面上的每一个点，具有到第二遮光层122朝向衬底基板210一侧的表面的第二垂直距离，所有点的第二垂直距离形成一个集合，该集合中的最小值对应的点即为光感结构110最靠近第二遮光层122的位置。
可以理解的是，通过上述设置方式可使第一遮光分部131比感光结构110更靠近第一遮光层121，和/或第二遮光分部132比光感结构120更靠近第二遮光层122，相比于感光结构110比第一遮光分部131更靠近第一遮光层121，并且光感结构120比第二遮光分部132更靠近第二遮光层122的情况，有利于提高遮光结构130包围光感结构110的程度，从而使光感结构130能够阻挡更多从侧面照射在光感结构110上的串扰光线，进而增强遮光结构130阻挡串扰光线的能力。
在上述技术方案的基础上，可选地，第一遮光分部131在衬底基板210上的垂直投影与第二遮光分部132在衬底基板210上的垂直投影至少部分重叠或者不重叠。
示例性的，第一遮光分部131在衬底基板210上的垂直投影与第二遮光分部132在衬底基板210上的垂直投影可以至少部分重叠，如图1、图3、图5、图6-图9、图11、和图13-图19所示。这样设置的好处在于，可以减小第一遮光分部131和第二遮光分部132整体(即遮光结构130)所占空间，有利于减小整个指纹识别单元(至少包括光感结构110和遮光结构130)所占空间，当指纹识别单元设置区面积一定时，有利于增加指纹识别单元的密度，进而提高指纹识别准确性。
示例性的，第一遮光分部131在衬底基板210上的垂直投影与第二遮光分部132在衬底基板210上的垂直投影不重叠，如图2、图4和图10所示。这样设置的好处在于，在现有的阵列基板结构中，第一遮光分部131和第二遮光分部132错开的位置处可能设置有器件或者走线，将第一遮光分部131和第二遮光分部132错开可以避免更改现有阵列基板中器件或走线的原本设置位置。
然后，对薄膜晶体管T为顶栅结构且遮光结构130包括第一遮光分部、第二遮光分部和第三遮光分部时，阵列基板的具体结构进行说明。
图19是本发明实施例提供的又一种阵列基板的结构示意图，图20是本发明实施例提供的再一种阵列基板的结构示意图。图21是本发明实施例提供的一种阵列基板的结构示意图。其中，图19和图20是第一遮光层位于远离触摸主体的一侧时阵列基板的结构示意图，图21是第一遮光层位于靠近触摸主体的一侧时阵列基板的结构示意图。参见图19-21，可选地，该阵列基板还包括：缓冲层220、栅极绝缘层230、层间介质层240和平坦化层250；缓冲层220位于第一遮光层121背离衬底基板210的一侧；平坦化层250位于源漏电极层朝向第二遮光层122的一侧；层间介质层240位于平坦化层250和栅极绝缘层230之间；栅极绝缘层230位于栅极层朝向第一遮光层121的一侧；第三遮光分部贯穿平坦化层250，且与第二遮光层122采用相同的制备工序制备形成；第二遮光分部132贯穿层间介质层240，且与源漏电极层采用相同的制备工序制备形成；第一遮光分部131至少贯穿栅极绝缘层230，且与栅极层采用相同的制备工序制备形成。
示例性的，第一遮光分部131可以贯穿栅极绝缘层230。或者，第一遮光分部131贯穿栅极绝缘层230和缓冲层220，如图19-21所示。可以理解的是，该两种情况中，第一遮光分部131贯穿栅极绝缘层230和缓冲层220时，遮光结构130包围光感结构110的程度较大，遮光结构130能够阻挡更多从侧面照射在光感结构110上的串扰光线，有利于提高指纹识别精度。
需要说明的是，通过将第一遮光分部131与栅极层采用相同的制备工序制备，将第二遮光分部132与源漏电极层采用相同的制备工序制备，将第三遮光分部133与第二遮光层122采用相同的制备工序制备，可以保证第一遮光分部131、第二遮光分部132以及第三遮光分部133的制备工艺与现有阵列基板的制备工艺相匹配，保证第一遮光分部131、第二遮光分部132以及第三遮光分部133的制备工艺简单。
最后，对薄膜晶体管T为底栅结构且遮光结构130包括第一遮光分部、第二遮光分部和第三遮光分部时，阵列基板的具体结构进行说明。
图22是本发明实施例提供的另一种阵列基板的结构示意图。图23是本发明实施例提供的又一种阵列基板的结构示意图。图24是本发明实施例提供的再一种阵列基板的结构示意图。其中，图22和图23是第一遮光层位于远离触摸主体的一侧时阵列基板的结构示意图，图24是第一遮光层位于靠近触摸主体的一侧时阵列基板的结构示意图。参见图22-图24，可选地，该阵列基板还包括：缓冲层220、栅极绝缘层230、层间介质层240和平坦化层250；缓冲层220位于第一遮光层121背离衬底基板210的一侧；平坦化层250位于源漏电极层朝向第二遮光层122的一侧；层间介质层240位于平坦化层250和栅极绝缘层230之间；栅极绝缘层230位于栅极层朝向第二遮光层122的一侧；第三遮光分部133贯穿平坦化层250，且与第二遮光层122采用相同的制备工序制备形成；第二遮光分部132贯穿层间介质层240和栅极绝缘层230，且与源漏电极层采用相同的制备工序制备形成；第一遮光分部131贯穿缓冲层220，且与栅极层采用相同的制备工序制备形成。
需要说明的是，通过将第一遮光分部131与栅极层采用相同的制备工序制备，将第二遮光分部132与源漏电极层采用相同的制备工序制备，将第三遮光分部133与第二遮光层122采用相同的制备工序制备，可以保证第一遮光分部131、第二遮光分部132以及第三遮光分部133的制备工艺与现有阵列基板的制备工艺相匹配，保证第一遮光分部131、第二遮光分部132以及第三遮光分部133的制备工艺简单。
在上述技术方案的基础上，继续参见图19-图24，可选地，在垂直衬底基板210的方向上，遮光结构130包括第一遮光分部131、第二遮光分部132以及第三遮光分部，第一遮光分部131与第二遮光分部132相邻设置，第二遮光分部132与第三遮光分部相邻设置；在垂直于衬底基板210的方向上，第一遮光分部131靠近第一遮光层121一侧的表面与第一遮光层121背离衬底基板210一侧的表面之间的距离小于光感结构110最靠近第一遮光层121的位置与第一遮光层121背离衬底基板210一侧的表面之间的距离，第三遮光分部靠近第二遮光层122一侧的表面与第二遮光层122朝向衬底基板210一侧表面之间的距离小于光感结构110最靠近第二遮光层122的位置与第二遮光层122朝向衬底基板210一侧表面之间的距离。
这样设置的好处在于，通过上述设置方式可使第一遮光分部131比感光结构110更靠近第一遮光层121，和/或第三遮光分部133比光感结构120更靠近第二遮光层122，相比于感光结构110比第一遮光分部131更靠近第一遮光层121，并且光感结构120比第三遮光分部133更靠近第二遮光层122的情况，有利于提高遮光结构130包围光感结构110的程度，从而使光感结构130能够阻挡更多从侧面照射在光感结构110上的串扰光线，进而增强遮光结构130阻挡串扰光线的能力。可以理解的是，相比于遮光结构130分为两个遮光分部，将遮光结构130分为三个遮光分部，有利于减小每个遮光分部的高度，降低遮光分部制备工艺中在显示面板中的打孔深度，进一步降低遮光分部的制备工艺难度，从而有利于提高阵列基板的制备良率。
在上述技术方案的基础上，可选地，第一遮光分部131、第二遮光分部132以及第三遮光分部133中的至少两个在衬底基板210上的垂直投影至少部分重叠；或者第一遮光分部131、第二遮光分部132以及第三遮光分部133在衬底基板210上的垂直投影均不重叠。
示例性的，第一遮光分部131、第二遮光分部132以及第三遮光分部133中的任意两个在衬底基板210上的垂直投影至少部分重叠。具体的，可以设置第二遮光分部132和第三遮光分部133至少部分重合，如图23所示，也可以设置第一遮光分部131和第三遮光分部133至少部分重合，还可以设置第一遮光分部131和第二遮光分部132至少部分重合，此处不作限定。这样设置的好处在于，可以减小遮光结构130所占空间，当指纹识别单元设置区面积一定时，有利于增加指纹识别单元的密度，进而提高指纹识别准确性。
示例性的，第一遮光分部131在衬底基板210上的垂直投影、第二遮光分部132在衬底基板210上的垂直投影以及第三遮光分部133在衬底基板210上的垂直投影可以至少部分重叠，如图19、图21、图22和图24所示。这样设置的好处在于，可以进一步减小遮光结构130所占空间，当指纹识别单元设置区面积一定时，有利于进一步增加指纹识别单元的密度，进而进一步提高指纹识别准确性。
示例性的，第一遮光分部131在衬底基板210上的垂直投影、第二遮光分部132在衬底基板210上的垂直投影以及第三遮光分部133在衬底基板210上的垂直投影均不重叠，如图20所示。这样设置的好处在于，在现有的阵列基板结构中，第一遮光分部131和第二遮光分部132错开的位置处以及第二遮光分部132与第三遮光分部133错开的位置处，可能设置有器件或者走线，将第一遮光分部131、第二遮光分部132以及第三遮光分部133错开可以避免更改现有阵列基板中器件或走线的原本设置位置。
继续参见图1-图2、图5、图7、图9、图11、图13、图15、图17、图19-图20和图22-图23，可选地，该阵列基板还包括：平坦化层250，位于光感结构110和第二遮光层122之间；平坦化层250上形成有第一电极过孔251，第二遮光层122上形成有第一透光孔1221；电极结构140，通过第一电极过孔251和第一透光孔1221与光感结构110电连接；其中，第一电极过孔251在衬底基板210上的垂直投影与光感结构110在衬底基板210上的垂直投影至少部分重叠；第一透光孔1221在衬底基板210上的垂直投影与光感结构110在衬底基板210上的垂直投影至少部分重叠。
具体的，电极结构140与光感结构110电连接，用于为光感结构110提供工作电压信号，电极连接结构140的材料可以为ITO(铟锡氧化物半导体透明导电膜，Indium TinOxides)或ATO(锑掺杂的二氧化锡，Antimony Doped Tin Oxide)中的任一种，也可为其他透明导电材质，此处不作限定。可选地，阵列基板还可以包括像素电极和公共电极，电极结构140可以与像素电极和/或公共电极同层设置且采用相同的材料。这样设置的好处在于，可以保证电极连接结构140的制备工艺与现有阵列基板的制备工艺相匹配，保证电极连接结构140制备工艺简单，还可以使得阵列基板膜层设置关系简单，易于实现薄型化阵列基板设计要求。
具体的，第一电极过孔251为电极结构140与光感结构110电连接提供通道，第一透光孔1221既为电极结构140与光感结构110电连接提供通道，又为经由触摸主体反射回的光线提供照射在光感结构110上的通道。
需要说明的是，为作图方便和清楚，仅在图1中对第一电极过孔121和第一透光孔1221设置了附图标记，其它附图中未对第一电极过孔121和第一透光孔1211设置附图标记，本领域技术人员可根据图1中的标记相应理解。
继续参见图1-图2、图5-图6、图9、图10、图13、图15、图17、图19-图20和图22-图23，可选地，第一遮光层在衬底基板上的垂直投影覆盖光感结构在阵列基板上的垂直投影。这样设置的好处在于，第一遮光层可以防止背光模组中的背光源出射的光直接照射到光感结构110上或者防止外界的光直接照射到光感结构110上。
继续参见图3-图4、图6、图8、图11-图12、图14、图16、图18、图21和图24，可选地，第一遮光层上形成有第二透光孔1211，第二透光孔1211在衬底基板上的垂直投影与光感结构在衬底基板上的垂直投影至少部分重叠。
具体的，第二透光孔1211为经由触摸主体反射回的光线提供照射在光感结构110上的通道。
需要说明的是，为作图方便和清楚，仅在图3中对第二透光孔1211设置了附图标记，其它附图中未对第二透光孔1211设置附图标记，本领域技术人员可根据图3中的标记相应理解。
继续参见图3-图4、图6、图8、图11-图12、图14、图16、图18、图21和图24，可选地，阵列基板还包括：平坦化层250和电极结构140；平坦化层250位于光感结构110和第二遮光层122之间；平坦化层250上形成有第二电极过孔252；电极结构140通过第二电极过孔252与光感结构110连接；其中，电极结构140为第二遮光层122复用。
具体的，第二电极过孔252为电极结构140与光感结构110电连接提供通道。电极结构140的材料可以采用铝、钼、银等中的至少一种，或者本领域技术人员可知的其它遮光金属材料，此处不作限定。如此，由于电极结构140导电，使得电极结构140可以将接收到工作电压信号传输至光感结构110，由于电极结构140不透光，使得电极结构140可以防止背光模组中的背光源出射的光直接照射到光感结构110上或者防止外界的光直接照射到光感结构110上。
需要说明的是，通过设置电极结构140为第二遮光层122复用，可以简化阵列基板的制备工序，降低阵列基板的成本。
继续参见图3-图4、图6、图8、图11-图12、图14、图16、图18、图21和图24，可选地，阵列基板还包括：触控引线层，位于平坦化层250远离衬底基板210的一侧；第二遮光层122与触控引线层采用相同的制备工序制备形成。
具体的，触控引线层包括多条触控引线，每条触控引线与阵列基板中的至少一块触控电极(未在本发明实施例提供的附图中示出)电连接。触控引线的材料可以采用铝、钼、银等中的至少一种，或者本领域技术人员可知的其它遮光金属材料，此处不作限定。可以理解的是，由于触控引线的材料为不透光金属，因此，第二遮光层122能够与触控引线采用相同的制备工序制备形成。
这样设置的好处在于，可以保证电极连接结构140的制备工艺与现有阵列基板的制备工艺相匹配，保证电极连接结构140制备工艺简单，还可以使得阵列基板膜层设置关系简单，易于实现薄型化阵列基板设计要求。
继续参见图3-图4、图6、图8、图11-图12、图14、图16、图18、图21和图24，可选地，第二遮光层在衬底基板上的垂直投影覆盖光感结构在衬底基板上的垂直投影。
这样设置的好处在于，第二遮光层可以防止背光模组中的背光源出射的光直接照射到光感结构110上或者防止外界的光直接照射到光感结构110上。
需要说明的是，图7、图8、图15、图16仅示例性的示出了，遮光结构130与第一遮光层121接触；图1、图3、图9仅示例性的示出了，遮光结构130与第二遮光层122接触；图2、图4-图6、图10、图12-图14、图17-图24仅示例性的示出了，遮光结构130与第一遮光层121以及第二遮光层122均接触，但并非对本申请中阵列基板的结构的限定，在其它实施方式中，还可以设置遮光结构130与第一遮光层121以及第二遮光层122均不接触，本领域技术人员可根据实际情况设置。
基于同上的发明构思，本发明实施例还提供了一种显示面板，该显示面板包括本发明实施例提供的任一种阵列基板，因此，该显示面板也具有上述实施方式提供的阵列基板所具有的有益效果，相同之处可参照上文理解，下文中不再赘述。
示例性的，图25是本发明实施例提供的一种显示面板的结构示意图。该显示面板包括：相对设置的彩膜基板20和阵列基板，阵列基板靠近背光模组(图25中未示出)。示例性的，该显示面板可以包括图1-图2、图5、图7、图9、图11、图13、图15、图17、图19-图20和图22-图23所示的阵列基板。图25示例性的示出了该显示面板包括图1所示的阵列基板。
示例性的，图25所示的显示面板中，彩膜基板20背离衬底基板一侧的表面为该显示面板的出光面，在指纹识别阶段，触摸主体将放置在彩膜基板20背离阵列基板的一侧，经由触摸主体反射回的光线穿过彩膜基板20、液晶30以及阵列基板中的相关膜层，照射在光感结构110上。第一遮光层121和遮光结构130可以防止背光模组中的背光源出射的光直接照射到光感结构110上。第二遮光层122和遮光结构130可以防止相邻指纹识别区域的串扰光线照射在光感结构110上。
示例性的，图26是本发明实施例提供的另一种显示面板的结构示意图。该显示面板包括：相对设置的彩膜基板20和阵列基板，彩膜基板20靠近背光模组。示例性的，该显示面板可以包括继续参见图3-图4、图6、图8、图11-图12、图14、图16、图18、图21和图24所示的阵列基板。图26示例性的示出了该显示面板包括图3所示的阵列基板。
示例性的，图26所示的显示面板中，阵列基板背离彩膜基板20一侧的表面为该显示面板的出光面，在指纹识别阶段，触摸主体将放置在阵列基板背离彩膜基板20的一侧，经由触摸主体反射回的光线穿过衬底基板和缓冲层即可到达光感结构110上，相比于图25所示的显示面板的架构，由于反射光穿过的膜层相对减少，可以降低反射光的损耗，有利于提高指纹识别精度。第一遮光层121和遮光结构130可以防止外界的光直接照射到光感结构110上，还可以防止相邻指纹识别区域的串扰光线照射在光感结构110上。第二遮光层122和遮光结构130可以防止相邻指纹识别区域的串扰光线照射在光感结构110上，还可以防止背光模组中的背光源出射的光直接照射到光感结构110上。
需要说明的是，图25和图26仅示例性的示出了显示面板为液晶30显示面板的情况，但并非对本发明实施中显示面板的限定，在其它实施方式中，显示面板还可以为有机发光显示面板，可根据实际情况设置。
基于同上的发明构思，本发明实施例还提供了一种显示装置。该显示装置包括本发明任一实施例所述的显示面板，因此，本发明实施例提供的显示装置具备本发明实施例提供的阵列基板相应的有益效果，这里不再赘述。示例性的，该显示装置可以是车载显示屏、手机、电脑或电视等电子显示设备，本申请对此均不作限定。
注意，上述仅为本发明的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解，本发明不限于这里所述的特定实施例，对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整和替代而不会脱离本发明的保护范围。因此，虽然通过以上实施例对本发明进行了较为详细的说明，但是本发明不仅仅限于以上实施例，在不脱离本发明构思的情况下，还可以包括更多其他等效实施例，而本发明的范围由所附的权利要求范围决定。

Claims (20)

1.一种阵列基板，其特征在于，包括：
衬底基板以及位于所述衬底基板一侧的第一遮光层；
光感结构，位于所述第一遮光层背离所述衬底基板的一侧；
第二遮光层，位于所述光感结构背离所述衬底基板的一侧；
遮光结构，位于所述第一遮光层和所述第二遮光层之间；在垂直于所述衬底基板的方向上，所述遮光结构包围所述光感结构，且所述遮光结构至少包括第一遮光分部和第二遮光分部，所述第一遮光分部位于靠近所述第一遮光层的一侧，所述第一遮光分部和所述第二遮光分部采用不同的制备工序制备形成。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，还包括：栅极层和源漏电极层；所述栅极层位于所述衬底基板和所述源漏电极层之间；所述源漏电极层位于所述第二遮光层靠近所述衬底基板的一侧；
多个驱动电路，所述驱动电路包括薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括栅极、源极和漏极，所述栅极位于所述栅极层，所述源极和所述漏极位于所述源漏电极层；
所述第一遮光分部与所述栅极层或者所述源漏电极层采用相同的制备工序制备形成。
3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述遮光结构包括相邻设置的第一遮光分部和第二遮光分部；
在垂直于所述衬底基板的方向上，所述第一遮光分部靠近所述第一遮光层一侧的表面与所述第一遮光层背离所述衬底基板一侧的表面之间的距离小于所述光感结构最靠近所述第一遮光层的位置与所述第一遮光层背离所述衬底基板一侧的表面之间的距离，和/或，所述第二遮光分部靠近所述第二遮光层一侧的表面与所述第二遮光层朝向所述衬底基板一侧表面之间的距离小于所述光感结构最靠近所述第二遮光层的位置与所述第二遮光层朝向所述衬底基板一侧表面之间的距离。
4.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，还包括：缓冲层、栅极绝缘层、层间介质层和平坦化层；
所述缓冲层位于所述第一遮光层背离所述衬底基板的一侧；所述平坦化层位于所述源漏电极层朝向所述第二遮光层的一侧；所述层间介质层位于所述平坦化层和所述栅极绝缘层之间；
所述栅极绝缘层位于所述栅极层朝向所述第一遮光层的一侧；或者，所述栅极绝缘层位于所述栅极层朝向所述第二遮光层的一侧。
5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述第二遮光分部贯穿所述平坦化层，且与所述第二遮光层采用相同的制备工序制备形成；所述第一遮光分部至少贯穿所述层间介质层，且与所述源漏电极层采用相同的制备工序制备形成。
6.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，
所述栅极绝缘层位于所述栅极层朝向所述第一遮光层的一侧时，所述第二遮光分部贯穿所述平坦化层和所述层间介质层，且与所述第二遮光层采用相同的制备工序制备形成；所述第一遮光分部至少贯穿所述栅极绝缘层，且与所述栅极层采用相同的制备工序制备形成；
所述栅极绝缘层位于所述栅极层朝向所述第二遮光层的一侧时，所述第二遮光分部贯穿所述平坦化层、所述层间介质层以及所述栅极绝缘层，与所述第二遮光层采用相同的制备工序制备形成；所述第一遮光分部贯穿所述缓冲层，且与所述栅极层采用相同的制备工序制备形成。
7.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，
所述栅极绝缘层位于所述栅极层朝向所述第一遮光层的一侧时，所述第二遮光分部贯穿所述层间介质层，且与所述源漏电极层采用相同的制备工序制备形成；所述第一遮光分部至少贯穿所述栅极绝缘层，且与所述栅极层采用相同的制备工序制备形成；
所述栅极绝缘层位于所述栅极层朝向所述第二遮光层的一侧时，所述第二遮光分部贯穿所述层间介质层和所述栅极绝缘层，且与所述源漏电极层采用相同的制备工序制备形成；所述第一遮光分部贯穿所述缓冲层，且与栅极层采用相同的制备工序制备形成。
8.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，还包括：栅极绝缘层、层间介质层和平坦化层；
所述平坦化层位于所述源漏电极层朝向所述第二遮光层的一侧；所述层间介质层位于所述平坦化层和所述栅极绝缘层之间；所述栅极绝缘层位于所述栅极层背离所述衬底基板的一侧；
所述第二遮光分部贯穿所述平坦化层，且与所述第二遮光层采用相同的制备工序制备形成；所述第一遮光分部至少贯穿所述层间介质层，且与所述源漏电极层采用相同的制备工序制备形成；
所述栅极层中与光感结构正对的部分复用为第一遮光层。
9.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述第一遮光分部在所述衬底基板上的垂直投影与所述第二遮光分部在所述衬底基板上的垂直投影至少部分重叠或者不重叠。
10.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，在垂直所述衬底基板的方向上，所述遮光结构包括第一遮光分部、第二遮光分部以及第三遮光分部，所述第一遮光分部与所述第二遮光分部相邻设置，所述第二遮光分部与所述第三遮光分部相邻设置；
在垂直于所述衬底基板的方向上，所述第一遮光分部靠近所述第一遮光层一侧的表面与所述第一遮光层背离所述衬底基板一侧的表面之间的距离小于所述光感结构最靠近所述第一遮光层的位置与所述第一遮光层背离所述衬底基板一侧的表面之间的距离，所述第三遮光分部靠近所述第二遮光层一侧的表面与所述第二遮光层朝向所述衬底基板一侧表面之间的距离小于所述光感结构最靠近所述第二遮光层的位置与所述第二遮光层朝向所述衬底基板一侧表面之间的距离。
11.根据权利要求10所述的阵列基板，其特征在于，还包括：缓冲层、栅极绝缘层、层间介质层和平坦化层；
所述缓冲层位于所述第一遮光层背离所述衬底基板的一侧；所述平坦化层位于所述源漏电极层朝向所述第二遮光层的一侧；所述层间介质层位于所述平坦化层和所述栅极绝缘层之间；
所述栅极绝缘层位于所述栅极层朝向所述第一遮光层的一侧；所述第三遮光分部贯穿所述平坦化层，且与所述第二遮光层采用相同的制备工序制备形成；所述第二遮光分部贯穿所述层间介质层，且与源漏电极层采用相同的制备工序制备形成；所述第一遮光分部至少贯穿所述栅极绝缘层，且与所述栅极层采用相同的制备工序制备形成；
或者，所述栅极绝缘层位于所述栅极层朝向所述第二遮光层的一侧；所述第三遮光分部贯穿所述平坦化层，且与第二遮光层采用相同的制备工序制备形成；所述第二遮光分部贯穿所述层间介质层和所述栅极绝缘层，且与所述源漏电极层采用相同的制备工序制备形成；所述第一遮光分部贯穿所述缓冲层，且与所述栅极层采用相同的制备工序制备形成。
12.根据权利要求10所述的阵列基板，其特征在于，所述第一遮光分部、所述第二遮光分部以及所述第三遮光分部中的至少两个在所述衬底基板上的垂直投影至少部分重叠；
或者所述第一遮光分部、所述第二遮光分部以及所述第三遮光分部在所述衬底基板上的垂直投影均不重叠。
13.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，还包括：
平坦化层，位于所述光感结构和所述第二遮光层之间；所述平坦化层形成有第一电极过孔，所述第二遮光层上形成有第一透光孔；
电极结构，通过所述第一电极过孔和所述第一透光孔与所述光感结构电连接；
其中，所述第一电极过孔在所述衬底基板上的垂直投影与所述光感结构在所述衬底基板上的垂直投影至少部分重叠；所述第一透光孔在所述衬底基板上的垂直投影与所述光感结构在所述衬底基板上的垂直投影至少部分重叠。
14.根据权利要求13所述的阵列基板，其特征在于，所述第一遮光层在所述衬底基板上的垂直投影覆盖所述光感结构在所述阵列基板上的垂直投影。
15.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一遮光层上形成有第二透光孔，所述第二透光孔在所述衬底基板上的垂直投影与所述光感结构在所述衬底基板上的垂直投影至少部分重叠。
16.根据权利要求15所述的阵列基板，其特征在于，还包括：
平坦化层，位于所述光感结构和所述第二遮光层之间；所述平坦化层上形成有第二电极过孔；
电极结构，所述电极结构通过所述第二电极过孔与所述光感结构连接；
其中，所述电极结构为所述第二遮光层复用。
17.根据权利要求16所述的阵列基板，其特征在于，还包括：
触控走线层，位于所述平坦化层远离所述衬底基板的一侧；
所述第二遮光层与所述触控走线层采用相同的制备工序制备形成。
18.根据权利要求15所述的阵列基板，其特征在于，所述第二遮光层在所述衬底基板上的垂直投影覆盖所述光感结构在所述衬底基板上的垂直投影。
19.一种显示面板，其特征在于，包括权利要求1-18任一项所述的阵列基板。
20.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求19所述的显示面板。
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