CN109521590B - 显示装置和显示装置的制作方法 - Google Patents

显示装置和显示装置的制作方法 Download PDF

Info

Publication number
CN109521590B
CN109521590B CN201811532633.1A CN201811532633A CN109521590B CN 109521590 B CN109521590 B CN 109521590B CN 201811532633 A CN201811532633 A CN 201811532633A CN 109521590 B CN109521590 B CN 109521590B
Authority
CN
China
Prior art keywords
substrate
fingerprint identification
layer
display device
light
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201811532633.1A
Other languages
English (en)
Other versions
CN109521590A (zh
Inventor
史晓琪
黄志鹏
刘博智
蔡寿金
陈国照
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Xiamen Tianma Microelectronics Co Ltd
Original Assignee
Xiamen Tianma Microelectronics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Xiamen Tianma Microelectronics Co Ltd filed Critical Xiamen Tianma Microelectronics Co Ltd
Priority to CN201811532633.1A priority Critical patent/CN109521590B/zh
Publication of CN109521590A publication Critical patent/CN109521590A/zh
Priority to US16/556,688 priority patent/US11062109B2/en
Application granted granted Critical
Publication of CN109521590B publication Critical patent/CN109521590B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/13338—Input devices, e.g. touch panels
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/133509—Filters, e.g. light shielding masks
    • G02F1/133512—Light shielding layers, e.g. black matrix
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/133509—Filters, e.g. light shielding masks
    • G02F1/133514—Colour filters
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136209—Light shielding layers, e.g. black matrix, incorporated in the active matrix substrate, e.g. structurally associated with the switching element
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136286—Wiring, e.g. gate line, drain line
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/1368—Active matrix addressed cells in which the switching element is a three-electrode device
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06V—IMAGE OR VIDEO RECOGNITION OR UNDERSTANDING
    • G06V10/00—Arrangements for image or video recognition or understanding
    • G06V10/10—Image acquisition
    • G06V10/12—Details of acquisition arrangements; Constructional details thereof
    • G06V10/14—Optical characteristics of the device performing the acquisition or on the illumination arrangements
    • G06V10/147—Details of sensors, e.g. sensor lenses
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06V—IMAGE OR VIDEO RECOGNITION OR UNDERSTANDING
    • G06V40/00—Recognition of biometric, human-related or animal-related patterns in image or video data
    • G06V40/10—Human or animal bodies, e.g. vehicle occupants or pedestrians; Body parts, e.g. hands
    • G06V40/12—Fingerprints or palmprints
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06V—IMAGE OR VIDEO RECOGNITION OR UNDERSTANDING
    • G06V40/00—Recognition of biometric, human-related or animal-related patterns in image or video data
    • G06V40/10—Human or animal bodies, e.g. vehicle occupants or pedestrians; Body parts, e.g. hands
    • G06V40/12—Fingerprints or palmprints
    • G06V40/13—Sensors therefor
    • G06V40/1318—Sensors therefor using electro-optical elements or layers, e.g. electroluminescent sensing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14678—Contact-type imagers
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/13306—Circuit arrangements or driving methods for the control of single liquid crystal cells
    • G02F1/13318—Circuits comprising a photodetector

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Human Computer Interaction (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Vascular Medicine (AREA)
  • Image Input (AREA)
  • Measurement Of The Respiration, Hearing Ability, Form, And Blood Characteristics Of Living Organisms (AREA)

Abstract

本发明公开了一种显示装置和显示装置的制作方法，包括：相对设置的背光模组和显示面板；显示面板包括相对设置的阵列基板和彩膜基板，阵列基板位于彩膜基板背离背光模组的一侧；彩膜基板包括黑矩阵；阵列基板包括多个指纹识别元件，指纹识别元件在背光模组上的正投影位于黑矩阵在背光模组上的正投影内。通过将阵列基板和彩膜基板倒置，减少了光线经过的膜层结构，降低了光线的损耗，减少了液晶和色阻对光线的干扰作用，提高了指纹识别的精度。

Description

显示装置和显示装置的制作方法
技术领域
本发明涉及显示技术领域，更具体地，涉及一种显示装置和显示装置的制作方法。
背景技术
现有技术提供的显示装置中，采用光敏二极管等光电传感器识别指纹。通常情况下，光敏二极管设置在阵列基板上，在光线从显示面板射出再经手指反射回光敏二极管的过程中，需要穿过比较多的膜层，造成光线的损失，从而导致指纹识别精度不高。
发明内容
有鉴于此，本发明提供了一种显示装置，包括：相对设置的背光模组和显示面板；显示面板包括相对设置的阵列基板和彩膜基板，阵列基板位于彩膜基板背离背光模组的一侧；彩膜基板包括黑矩阵；阵列基板包括多个指纹识别元件，指纹识别元件在背光模组上的正投影位于黑矩阵在背光模组上的正投影内。
本发明还提供一种显示装置的制作方法，包括：提供彩膜基板，彩膜基板包括黑矩阵；提供阵列基板，提供阵列基板包括在阵列基板上形成指纹识别元件；封装彩膜基板和阵列基板形成显示面板；提供背光模组；组装显示面板和背光模组，其中，组装时将彩膜基板朝向背光模组的出光面；并且使指纹识别元件在背光模组上的正投影位于黑矩阵在背光模组上的正投影内。
与现有技术相比，本发明提供的显示装置和显示装置的制作方法，至少实现了如下的有益效果：
本发明提供的显示装置中，将指纹识别元件设置在阵列基板上、且彩膜基板与阵列基板倒置，从而使得背光模组发出的光线在反射至指纹识别元件时，不需要再次经过液晶、色阻等膜层，减少了光线经过的膜层结构，降低了光线的损耗；其次，本发明提供的显示装置中，光线只在出射过程中需要经过液晶和色阻，反射过程中不需要经过液晶和色阻，减少了液晶和色阻对光线的干扰作用，提高了指纹识别的精度。
当然，实施本发明的任一产品不必特定需要同时达到以上所述的所有技术效果。
通过以下参照附图对本发明的示例性实施例的详细描述，本发明的其它特征及其优点将会变得清楚。
附图说明
被结合在说明书中并构成说明书的一部分的附图示出了本发明的实施例，并且连同其说明一起用于解释本发明的原理。
图1是现有技术提供的一种显示装置的剖面结构示意图；
图2是本发明实施例提供的一种显示面板的平面结构示意图；
图3是图2提供的显示装置沿剖面线OO’的一种剖面结构示意图；
图4是图2提供的显示装置沿剖面线OO’的另一种剖面结构示意图；
图5是图2提供的显示装置沿剖面线OO’的又一种剖面结构示意图；
图6是图2提供的显示装置沿剖面线OO’的又一种剖面结构示意图；
图7是图6提供的剖面图在区域P的立体分解示意图；
图8是图2提供的显示装置沿剖面线OO’的又一种剖面结构示意图；
图9是本发明实施例提供的一种阵列基板的平面结构示意图；
图10是图9提供的阵列基板沿剖面线XX’的一种剖面结构示意图；
图11是本发明实施例提供的又一种显示装置的剖面结构示意图；
图12是本发明提供的一种显示装置的制作方法的流程图；
图13是本发明实施例提供的一种阵列基板的制作方法的流程图。
具体实施方式
现在将参照附图来详细描述本发明的各种示例性实施例。应注意到：除非另外具体说明，否则在这些实施例中阐述的部件和步骤的相对布置、数字表达式和数值不限制本发明的范围。
以下对至少一个示例性实施例的描述实际上仅仅是说明性的，决不作为对本发明及其应用或使用的任何限制。
对于相关领域普通技术人员已知的技术、方法和设备可能不作详细讨论，但在适当情况下，所述技术、方法和设备应当被视为说明书的一部分。
在这里示出和讨论的所有例子中，任何具体值应被解释为仅仅是示例性的，而不是作为限制。因此，示例性实施例的其它例子可以具有不同的值。
应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步讨论。
为了提升指纹识别的精度，发明人对现有技术中的显示装置进行了如下的研究：
请参见图1，图1是现有技术提供的一种显示装置的剖面结构示意图。如图1所示，现有技术提供的显示装置包括：背光模组01、阵列基板02、液晶层03和彩膜基板04，阵列基板02包括阵列衬底基板021和光电传感器022，彩膜基板04包括彩膜衬底基板041和色阻层042。背光模组01的光线L’经过手指反射后到达光电传感器022，在此过程中，光线L’需要两次经过液晶层03、两次经过色阻层042，经过的膜层结构较多，降低了光线的透过率，会造成光线L’存在较大的损耗；并且液晶层03和色阻层042会对反射的光线造成干扰，从而影响光电传感器022的精度。
针对上述技术问题，本发明提出了一种显示装置和显示装置的制作方法，关于本发明提供的显示装置和显示装置的制作方法的实施例，以下将详细描述。
请参见图2-图3，图2是本发明实施例提供的一种显示面板的平面结构示意图，图3是图2提供的显示装置沿剖面线OO’的一种剖面结构示意图。如图2-3所示，本发明提供一种显示装置，包括：相对设置的背光模组1和显示面板2；显示面板2包括相对设置的阵列基板3和彩膜基板4，阵列基板3位于彩膜基板4背离背光模组1的一侧；彩膜基板4包括黑矩阵41；阵列基板3包括多个指纹识别元件31，指纹识别元件31在背光模组1上的正投影位于黑矩阵41在背光模组1上的正投影内。可选的，显示面板2还包括液晶层5，彩膜基板4还包括第二衬底40以及多个色阻42。需要说明的是，本实施例仅以显示面板2为液晶显示面板为例进行示例性说明，本发明提供的显示装置还可以是其他类型的显示面板，本发明对显示面板的具体类型不作限制。
在此对本发明出现的“倒置”进行解释：本发明所说的“倒置”是指显示面板中的阵列基板与彩膜基板的膜层位置互相调换，背光模组的出光面与彩膜基板相邻设置，背光模组射出的光线先到达彩膜基板，后到达阵列基板。
具体的，如图2-3所示，指纹识别元件31位于阵列基板3，黑矩阵41位于彩膜基板4，且彩膜基板4位于背光模组1和阵列基板3之间，即彩膜基板4与阵列基板3的膜层位置倒置。背光模组1发出的光线L从显示面板2出射后，经过手指反射后形成反射光，反射光传输至显示面板2上的指纹识别元件31，指纹识别元件31对入射到其上的光信号进行采集，由于指纹上存在特定的纹路，在手指的脊和谷各位置处形成反射光强度不同，最终使得各指纹识别元件31所采集到的光信号不同，从而进行指纹识别。本实施例提供的显示装置中，指纹识别元件31仍然设置在阵列基板3上，但是，由于阵列基板3和彩膜基板4倒置，因此，背光模组1发出的光线L在从显示面板2出射的过程中，需要经过色阻42和液晶层23，但是光线L在反射回指纹识别元件31的过程中，不需要再次经过液晶层23和色阻42，即本实施例提供的显示装置中，光线L需要经过的膜层结构较少，并且光线L只需要从液晶层23和色阻42经过一次，减少了液晶层23和色阻42对光线的干扰。
本实施例提供的显示装置中，将指纹识别元件设置在阵列基板上、且彩膜基板与阵列基板倒置，从而使得背光模组发出的光线在反射至指纹识别元件时，不需要再次经过液晶、色阻等膜层，减少了光线经过的膜层结构，降低了光线的损耗；其次，本实施例提供的显示装置中，光线只在出射过程中需要经过液晶和色阻，反射过程中不需要经过液晶和色阻，减少了液晶和色阻对光线的干扰作用，提高了指纹识别的精度。
可选的，请继续参见图2-3，彩膜基板4包括多个色阻42，至少部分色阻42的颜色为白色。
本实施例提供的显示装置中，至少部分色阻42的颜色为白色，则在背光模组1发出的光在经过色阻42时，在通过白色色阻时，光线L的损耗较小，光线的透过率较强，则从手指反射回指纹识别元件31的光线的强度也更强，指纹识别元件31接收的光信号的强度越强，有利于提高指纹识别的精度。
可选的，请参见图4，图4是图2提供的显示装置沿剖面线OO’的另一种剖面结构示意图。如图4所示，阵列基板3包括衬底30、以及多个薄膜晶体管32，薄膜晶体管32位于衬底30靠近彩膜基板的一侧，薄膜晶体管32包括栅极G、源极S、漏极D和有源层AC，指纹识别元件31为光敏二极管，光敏二极管包括第一半导体部311、第二半导体部312和电极部313，第一半导体部311与有源层AC同层设置、第二半导体部312位于第一半导体部311背离衬底30的一侧、电极部313位于第二半导体部312背离第一半导体部311的一侧。
具体的，如图4所示，本实施例提供的显示装置中，指纹识别元件31可以为光敏二极管，光敏二极管又叫光电二极管(photodiode)，是一种能够将光转换成电流或者电压信号的光探测器。光敏二极管常使用一个具有光敏特征的PN结，对光的变化非常敏感，具有单向导电性，而且光强不同的时候会改变电学特性，因此，可以利用光照强弱来改变电路中的电流。可以理解的是，本实施例仅以指纹识别元件31为光敏二极管为例进行示例性说明，也可以采用其他光电传感器，本发明在此不再一一赘述。
可以理解的是，本实施例仅以图4所示的底栅结构(即为，栅极G位于有源层AC靠近衬底30的一侧)的薄膜晶体管32为例进行示意性说明，也可以采用顶栅结构(栅极G位于有源层AC背离衬底30的一侧)的薄膜晶体管，本发明对此不作具体限制。
本实施例提供的显示装置中，指纹识别元件为光敏二极管，光敏二极管的第一半导体部与有源层同层设置、第二半导体部位于第一半导体部背离衬底的一侧、电极部位于第二半导体部背离第一半导体部的一侧，也就是说，指纹识别元件所在的膜层是显示面板中现有的膜层，设置指纹识别元件不需要额外增加膜层，能够降低显示装置的厚度，提升显示装置的品质。
可选的，请参见图5，图5是图2提供的显示装置沿剖面线OO’的又一种剖面结构示意图。如图5所示，阵列基板3包括遮光层33，遮光层33位于指纹识别元件31靠近衬底30的一侧，遮光层33包括多个第一镂空部Q1，指纹识别元件31在衬底30的正投影与第一镂空部Q1在衬底30的正投影重叠。
为了清楚的说明本实施例的有益效果，在此说明现有设计中指纹识别可能存在的问题：采用光电转换的方式进行指纹识别时，手指不同位置反射的光线有可能照射至同一个指纹识别单元上，举例来说，经由手指的脊和相邻的谷发射的光线有可能照射至同一指纹识别单元，这样接收光线的指纹识别单元就无法检测指纹的脊和谷的准确位置，造成指纹识别过程存在严重的串扰现象，影响指纹识别单元指纹识别的准确性和精度。
为了减少或者避免这种串扰情况的发生，本实施例提供的显示装置在遮光层33上设置多个第一镂空部Q1。具体的，如图5所示，本实施例提供的显示装置中，遮光层33与指纹识别元件31重叠的区域包括第一镂空部Q1，当背光模组1的光线L从显示面板出射经过手指反射回指纹识别元件31时，能够过滤一部分其他相邻的谷或脊的串扰光，减少其他无关的光线对光线L的反射造成串扰，相当于通过第一镂空部Q1进入指纹识别元件31的光线L经过了一次准直校正。可选的，沿垂直于显示装置的方向上，遮光层33除了第一镂空部Q1以外的区域与黑矩阵41重叠，以避免对显示装置的透光率造成影响。
本实施例提供的显示装置中，在显示装置的遮光层上设置第一镂空部，沿垂直于显示装置的方向上，第一镂空部与指纹识别元件重叠，则光线在反射到指纹识别元件时，遮光层能够过滤一部分串扰光线，增强指纹识别元件接收光线的准确性，进而提高指纹识别元件识别指纹的精度，改善显示装置的指纹识别效果。
可选的，请参见图6-图8，图6是图2提供的显示装置沿剖面线OO’的又一种剖面结构示意图，图7是图6提供的剖面图在区域P的立体分解示意图，图8是图2提供的显示装置沿剖面线OO’的又一种剖面结构示意图。如图6-7所示，阵列基板3包括光路准直系统34，光路准直系统34包括第一准直层341和第二准直层342，遮光层33复用为第一准直层341，第二准直层342与栅极G同层设置，第二准直层342在衬底30的正投影位于黑矩阵41在衬底30的正投影内，且第二准直层342包括第二镂空部Q2，第二镂空部Q2在衬底30的正投影与第一镂空部Q1在衬底30的正投影重叠。或者，如图8所示，第二准直层342也可以与源极S同层设置。
具体的，如图6-7所示，本实施例提供的显示面板中，光路准直系统34包括两层，第一准直层341复用遮光层33，第二准直层342与栅极G同层设置。可选的，遮光层33具有第一镂空部Q1，因此沿垂直于显示装置的方向上遮光层33与指纹识别元件31不重叠；第二准直层342也只在指纹识别元件31对应的区域才需要设置，第二准直层具有第二镂空部Q2，因此沿垂直于显示装置的方向上，第二准直层342与指纹识别元件31也不重叠。或者，如图8所示，第二准直层342也可以与源极S同层设置，其他膜层的设置方式参照图6中膜层的设置方式，本发明对此不再一一赘述。可选的，光路准直系统34还可以包括第一准直层341、第二准直层342和第三准直层(图中未示出)，遮光层33复用为第一遮光层341、第二准直层342与栅极G同层设置、第三准直层与源极S同层设置，其他膜层结构参照本发明其他实施例的设置方式，本发明对此不再一一赘述。
本实施例提供的显示装置中，光路准直系统包括第一准直层和第二准直层，第一准直层复用遮光层，第二准直层复用栅极或者源极所在膜层，不需要额外增加膜层，也不需要额外增加制造流程，利用现有的膜层结构就能构造一个双层或者多层校正的光路准直系统，不仅不需要增加显示装置的厚度、节约显示装置的制造成本、简化显示装置的制造工艺、提高显示装置的制作效率，而且双层或者多层的光路准直系统能够对反射到指纹识别元件的光线进一步进行校正，进一步过滤其他相邻的谷脊的串扰光线，增强指纹识别元件接收光线的准确性，进而提高指纹识别元件识别指纹的精度，改善显示装置的指纹识别效果。
可选的，请参见图9-图10，图9是本发明实施例提供的一种阵列基板的平面结构示意图，图10是图9提供的阵列基板沿剖面线XX’的一种剖面结构示意图。如图9所示，阵列基板3还包括多个像素电极35、多条第一栅极线36、多条第二栅极线37、多条第一数据线38和多条第二数据线39，薄膜晶体管32包括第一薄膜晶体管321和第二薄膜晶体管322，第一薄膜晶体管321的栅极G1与第一栅极线36电连接，第一薄膜晶体管321的源极S1与第一数据线38电连接，第一薄膜晶体管321的漏极D1与像素电极35电连接，第二薄膜晶体管322的栅极G2与第二栅极线37电连接，第二薄膜晶体管322的源极S2与第二数据线39电连接，第二薄膜晶体管322的漏极D2与指纹识别元件31电连接。可以理解的是，为了清楚示意本实施例的技术方案，图9-图10仅示意了阵列基板3的结构，没有示出彩膜基板4和背光模组1，彩膜基板4和背光模组1可以参照本发明其他实施例的设置方式。可以理解的是，还包括多个层间绝缘层(图中未示出)，用于避免栅极G、源极S、漏极D以及像素电极35之间出现短路。可选的，像素电极35的表面也覆盖有绝缘层，避免像素电极35与其他相邻的电子组件出现短路。
具体的，如图9-10所示，第一薄膜晶体管321用于控制像素电极35，第二薄膜晶体管322用于控制指纹识别元件31。需要注意的是，本实施例仅以图8为例对指纹识别元件31的电连接关系进行示意性说明，对指纹识别元件31的个数等不作具体限制。
本实施例提供的显示装置中，采用第一薄膜晶体管控制像素电极、采用第二薄膜晶体管控制指纹识别元件，分开控制能够提高信号传输的准确率，改善显示装置的性能。
可选的，请继续参见图9-图10，指纹识别元件31的电极部313为金属材料、且电极部313与像素电极35同层设置。
具体的，如图9-10所示，指纹识别元件31为不透光金属，避免背光模组1出射的光直接照射到指纹识别元件31上、从而对指纹识别元件31造成干扰。
本实施例提供的显示装置中，采用不透光金属作为指纹识别元件的电极部，金属作为电极部具有较好的导电性，并且采用不透光的金属能够阻挡从背光模组出射的光线直接照射到指纹识别元件上，避免对指纹识别元件造成干扰，改善了指纹识别元件的指纹识别精度。
可选的，请参见图11，图11是本发明实施例提供的又一种显示装置的平面结构示意图。如图11所示，背光模组1包括灯条7和红外光模块6，灯条7向显示面板提供光源，指纹识别元件31通过红外光模块6发出的红外光线进行指纹识别。
具体的，如图11所示，增加了红外模块6作为指纹识别元件31的光源。本实施例提供的显示装置中，指纹识别元件31通过红外光进行指纹识别，受外部环境光以及显示装置内部的光的影响更小，并且具有更小的功耗、更高的识别精度高等优点。
请参见图3、图12，图12是本发明提供的一种显示装置的制作方法的流程图。如图3、图12所示，本发明还提供一种显示装置的制作方法，包括：
S1：提供彩膜基板4，彩膜基板4包括黑矩阵41；
S2：提供阵列基板3，提供阵列基板3包括在阵列基板3上形成指纹识别元件31；
S3：封装彩膜基板4和阵列基板3形成显示面板2；
S4：提供背光模组1；
S5：组装显示面板2和背光模组1，其中，组装时将彩膜基板4朝向背光模组1的出光面；并且使指纹识别元件31在背光模组1上的正投影位于黑矩阵41在背光模组1上的正投影内。
本实施例提供的显示装置的制作方法中，将彩膜基板与阵列基饭倒装，从而使得背光模组发出的光线在反射至指纹识别元件时，不需要再次经过液晶、色阻等膜层，减少了光线经过的膜层结构，降低了光线的损耗；其次，本实施例提供的制作方法中，光线只在出射过程中需要经过液晶和色阻，反射过程中不需要经过液晶和色阻，减少了液晶和色阻对光线的干扰作用，提高了指纹识别的精度。
可选的，请参见图10、图13，图13是本发明实施例提供的一种阵列基板的制作方法的流程图。如图10、图13所示，提供阵列基板包括：
S21：提供衬底30；
S22：形成遮光层33，遮光层33包括多个第一镂空部Q1，在垂直于显示面板2的方向上，指纹识别元件31与第一镂空部Q1重叠；
S23：沉积栅极材料层，图案化栅极材料层，形成多个栅极G；
S24：沉积第一半导体材料层，图案化第一半导体材料层，形成多个有源层AC和多个指纹识别元件31的第一半导体部311；
S25：沉积源漏极材料层，图案化源漏极材料层，形成多个源极S、多个漏极D；
S26：沉积第二半导体材料层，图案化第二半导体材料层，形成多个指纹识别元件31的第二半导体部312；
S27：沉积金属材料层，图案化金属材料层，形成多个指纹识别元件31的电极部313；
S28：形成绝缘层300。
可以理解的是，在对栅极G图案化后、沉积第一半导体材料层前，需要对先设置层间绝缘层(图中未示出)，以避免栅极G与其他膜层出现电连接或者短路的情况；同样的，制作完源极S和漏极D之后，也需要设置绝缘层，本发明对此不再一一赘述。
本实施例提供的显示装置的制作方法中，指纹识别元件为光敏二极管，光敏二极管的第一半导体部与有源层同层设置、第二半导体部位于第一半导体部背离衬底的一侧、电极部位于第二半导体部背离第一半导体部的一侧，也就是说，指纹识别元件所在的膜层是显示面板中现有的膜层，设置指纹识别元件不需要额外增加膜层，能够降低显示装置的厚度，提升显示装置的品质。
通过上述实施例可知，本发明提供的显示装置和显示装置的制作方法，至少实现了如下的有益效果：
本发明提供的显示装置中，将指纹识别元件设置在阵列基板上、且彩膜基板与阵列基板倒置，从而使得背光模组发出的光线在反射至指纹识别元件时，不需要再次经过液晶、色阻等膜层，减少了光线经过的膜层结构，降低了光线的损耗；其次，本发明提供的显示装置中，光线只在出射过程中需要经过液晶和色阻，反射过程中不需要经过液晶和色阻，减少了液晶和色阻对光线的干扰作用，提高了指纹识别的精度。
虽然已经通过例子对本发明的一些特定实施例进行了详细说明，但是本领域的技术人员应该理解，以上例子仅是为了进行说明，而不是为了限制本发明的范围。本领域的技术人员应该理解，可在不脱离本发明的范围和精神的情况下，对以上实施例进行修改。本发明的范围由所附权利要求来限定。

Claims (9)

1.一种显示装置，其特征在于，包括：
相对设置的背光模组和显示面板；
所述显示面板包括相对设置的阵列基板和彩膜基板，所述阵列基板位于所述彩膜基板背离所述背光模组的一侧；
所述彩膜基板包括黑矩阵；
所述阵列基板包括多个指纹识别元件，所述指纹识别元件在所述背光模组上的正投影位于所述黑矩阵在所述背光模组上的正投影内；
所述阵列基板还包括衬底和遮光层，所述指纹识别元件位于所述衬底靠近所述彩膜基板的一侧，所述遮光层位于所述指纹识别元件靠近所述衬底的一侧，所述遮光层包括多个第一镂空部，所述指纹识别元件在所述衬底的正投影与所述第一镂空部在所述衬底的正投影重叠。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，
所述阵列基板包括多个薄膜晶体管，所述薄膜晶体管位于所述衬底靠近所述彩膜基板的一侧，所述薄膜晶体管包括栅极、源极、漏极和有源层，所述指纹识别元件为光敏二极管，所述光敏二极管包括第一半导体部、第二半导体部和电极部，所述第一半导体部位于与所述有源层同层设置、所述第二半导体部位于所述第一半导体部背离所述衬底的一侧、所述电极部位于所述第二半导体部背离所述第一半导体部的一侧。
3.根据权利要求2所述的显示装置，其特征在于，
所述阵列基板包括光路准直系统，所述光路准直系统包括第一准直层和第二准直层，所述遮光层复用为所述第一准直层，所述第二准直层与所述栅极和/或所述源极同层设置，所述第二准直层在所述衬底的正投影位于所述黑矩阵在所述衬底的正投影内，且所述第二准直层包括第二镂空部，所述第二镂空部在所述衬底的正投影与所述第一镂空部在所述衬底的正投影重叠。
4.根据权利要求2所述的显示装置，其特征在于，
所述阵列基板还包括多个像素电极、多条第一栅极线、多条第二栅极线、多条第一数据线和多条第二数据线，所述薄膜晶体管包括第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管的栅极与所述第一栅极线电连接，所述第一薄膜晶体管的源极与所述第一数据线电连接，所述第一薄膜晶体管的漏极与所述像素电极电连接，所述第二薄膜晶体管的栅极与所述第二栅极线电连接，所述第二薄膜晶体管的源极与所述第二数据线电连接，所述第二薄膜晶体管的漏极与所述指纹识别元件电连接。
5.根据权利要求4所述的显示装置，其特征在于，
所述指纹识别元件的所述电极部为金属材料、且所述电极部与所述像素电极同层设置。
6.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，
所述彩膜基板包括多个色阻，至少部分色阻的颜色为白色。
7.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，
所述背光模组包括灯条和红外光模块，所述灯条向所述显示面板提供光源，所述指纹识别元件通过所述红外光模块发出的红外光线进行指纹识别。
8.一种显示装置的制作方法，其特征在于，包括：
提供彩膜基板，所述彩膜基板包括黑矩阵；
提供阵列基板，所述提供阵列基板包括：提供衬底；形成遮光层，所述遮光层包括多个第一镂空部；形成指纹识别元件，在垂直于所述显示面板的方向上，所述指纹识别元件与所述第一镂空部重叠；
封装所述彩膜基板和所述阵列基板形成所述显示面板；
提供背光模组；
组装所述显示面板和所述背光模组，其中，组装时将所述彩膜基板朝向所述背光模组的出光面；并且使所述指纹识别元件在所述背光模组上的正投影位于所述黑矩阵在所述背光模组上的正投影内。
9.根据权利要求8所述的制作方法，其特征在于，
提供所述阵列基板包括：
沉积栅极材料层，图案化所述栅极材料层，形成多个栅极；
沉积第一半导体材料层，图案化所述第一半导体材料层，形成多个有源层和多个所述指纹识别元件的第一半导体部；
沉积源漏极材料层，图案化所述源漏极材料层，形成多个源极、多个漏极；
沉积第二半导体材料层，图案化所述第二半导体材料层，形成多个所述指纹识别元件的第二半导体部；
沉积金属材料层，图案化所述金属材料层，形成多个所述指纹识别元件的电极部；
形成绝缘层。
CN201811532633.1A 2018-12-14 2018-12-14 显示装置和显示装置的制作方法 Active CN109521590B (zh)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201811532633.1A CN109521590B (zh) 2018-12-14 2018-12-14 显示装置和显示装置的制作方法
US16/556,688 US11062109B2 (en) 2018-12-14 2019-08-30 Display apparatus with fingerprint identification and fabrication method thereof

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201811532633.1A CN109521590B (zh) 2018-12-14 2018-12-14 显示装置和显示装置的制作方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN109521590A CN109521590A (zh) 2019-03-26
CN109521590B true CN109521590B (zh) 2021-05-14

Family

ID=65795265

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201811532633.1A Active CN109521590B (zh) 2018-12-14 2018-12-14 显示装置和显示装置的制作方法

Country Status (2)

Country Link
US (1) US11062109B2 (zh)
CN (1) CN109521590B (zh)

Families Citing this family (39)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109445160B (zh) * 2018-12-27 2021-09-28 厦门天马微电子有限公司 显示模组及显示装置
CN109801569B (zh) * 2019-03-28 2020-07-28 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板、其制作方法及显示装置
CN110008885B (zh) * 2019-03-29 2021-04-30 厦门天马微电子有限公司 显示面板和显示装置
CN110221466B (zh) * 2019-04-29 2021-11-19 厦门天马微电子有限公司 显示面板和显示装置
CN110309705B (zh) * 2019-04-30 2022-04-19 厦门天马微电子有限公司 显示面板和显示装置
CN110045534B (zh) * 2019-04-30 2022-02-25 厦门天马微电子有限公司 一种显示面板及显示装置
US11410452B2 (en) 2019-05-21 2022-08-09 Boe Technology Group Co., Ltd. Texture recognition device and manufacturing method thereof, color filter substrate and manufacturing method thereof
CN110119046B (zh) * 2019-05-31 2022-01-14 厦门天马微电子有限公司 一种显示面板和显示装置
CN110275341B (zh) * 2019-06-28 2022-04-12 厦门天马微电子有限公司 显示面板和显示装置
CN110426888A (zh) * 2019-07-23 2019-11-08 武汉华星光电技术有限公司 显示面板及显示装置
CN110488519B (zh) * 2019-07-31 2021-02-12 华为技术有限公司 液晶显示装置、电子设备和电子设备的控制方法
CN110471208A (zh) * 2019-08-05 2019-11-19 厦门天马微电子有限公司 显示装置及其制作方法
CN110441968B (zh) * 2019-08-14 2022-07-12 京东方科技集团股份有限公司 一种液晶显示面板和显示装置
CN110472617B (zh) * 2019-08-29 2021-10-12 维沃移动通信有限公司 显示模组及电子设备
CN110647861B (zh) * 2019-09-29 2022-06-03 京东方科技集团股份有限公司 一种液晶显示面板及显示装置
CN110955083B (zh) * 2019-09-30 2022-10-11 厦门天马微电子有限公司 显示装置
CN110737132B (zh) * 2019-10-16 2021-01-01 上海交通大学 一种基于准直背光源的屏下指纹识别液晶显示装置
CN112749588A (zh) * 2019-10-30 2021-05-04 中兴通讯股份有限公司 显示屏模组及终端
CN110750021B (zh) 2019-10-31 2022-04-12 厦门天马微电子有限公司 一种阵列基板、显示面板及显示装置
CN110941117B (zh) * 2019-11-28 2021-09-03 武汉华星光电技术有限公司 一种显示面板及电子装置
CN110865490A (zh) * 2019-11-29 2020-03-06 上海天马微电子有限公司 一种阵列基板、显示面板及显示装置
CN111308768B (zh) * 2019-11-29 2023-02-07 武汉华星光电技术有限公司 显示面板及显示装置
CN110991400B (zh) * 2019-12-18 2023-08-18 京东方科技集团股份有限公司 一种显示基板及其制备方法、显示装置
CN110909720B (zh) * 2019-12-18 2023-08-25 京东方科技集团股份有限公司 一种彩膜基板、显示面板及显示装置
CN111291710B (zh) * 2020-02-25 2024-01-23 京东方科技集团股份有限公司 指纹识别模组及显示装置
CN111178335A (zh) * 2020-02-27 2020-05-19 武汉华星光电技术有限公司 显示面板
CN111507273B (zh) * 2020-04-20 2024-02-02 京东方科技集团股份有限公司 显示面板、显示装置和显示面板的制作方法
CN111474755B (zh) * 2020-05-20 2022-05-20 京东方科技集团股份有限公司 显示模组及其制作方法、显示装置
CN111650782B (zh) * 2020-06-29 2022-08-30 厦门天马微电子有限公司 背光模组和显示装置
US20220050988A1 (en) * 2020-08-17 2022-02-17 Au Optronics Corporation Fingerprint sensing device
CN112001337A (zh) * 2020-08-27 2020-11-27 京东方科技集团股份有限公司 一种指纹识别基板及显示装置
CN112034650A (zh) * 2020-09-23 2020-12-04 京东方科技集团股份有限公司 一种彩膜基板、显示面板及显示装置
CN112083593B (zh) * 2020-09-29 2021-12-03 Tcl华星光电技术有限公司 显示面板及显示装置
CN112596294B (zh) * 2020-12-23 2023-10-24 京东方科技集团股份有限公司 显示装置、显示面板及其制造方法
US11678042B2 (en) * 2021-01-27 2023-06-13 Qualcomm Incorporated In-display camera activation
CN113093425A (zh) * 2021-03-31 2021-07-09 武汉华星光电技术有限公司 显示面板和显示装置
CN113506514B (zh) * 2021-07-08 2023-08-25 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制作方法、显示面板、显示装置
CN113594216B (zh) * 2021-07-29 2022-05-31 惠科股份有限公司 Oled显示面板、显示装置
CN114360379B (zh) * 2021-12-31 2023-11-21 厦门天马微电子有限公司 显示面板及显示装置

Citations (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1689025A (zh) * 2002-10-17 2005-10-26 三星电子株式会社 内置指纹识别装置的液晶显示装置及其制造方法
CN101826345A (zh) * 2009-03-04 2010-09-08 Tdk股份有限公司 光检测器、光检测器的制造方法以及光检测系统
CN106055162A (zh) * 2016-06-30 2016-10-26 京东方科技集团股份有限公司 显示组件和显示装置
CN106605169A (zh) * 2014-09-05 2017-04-26 凸版印刷株式会社 液晶显示装置以及显示装置用基板
CN106611170A (zh) * 2017-01-03 2017-05-03 京东方科技集团股份有限公司 指纹识别装置及电子设备
CN206331451U (zh) * 2016-12-27 2017-07-14 广东欧珀移动通信有限公司 指纹识别模块及终端
CN107133613A (zh) * 2017-06-06 2017-09-05 上海天马微电子有限公司 一种显示面板及显示装置
WO2017155319A2 (ko) * 2016-03-09 2017-09-14 삼성전자주식회사 센싱 기능을 포함하는 디스플레이 및 그것을 포함하는 전자 장치
WO2017172461A1 (en) * 2016-03-29 2017-10-05 Microsoft Technology Licensing, Llc Pressure sensing display
CN107341472A (zh) * 2017-07-04 2017-11-10 京东方科技集团股份有限公司 一种光学指纹识别装置及其指纹识别方法、显示装置
CN107799541A (zh) * 2016-09-07 2018-03-13 李美燕 集成化感测模块及其制造方法以及集成化感测组件
CN108182872A (zh) * 2016-12-08 2018-06-19 群创光电股份有限公司 具有光感测单元的显示装置
CN108227230A (zh) * 2018-02-05 2018-06-29 京东方科技集团股份有限公司 一种准直结构、其制作方法及显示装置
CN108428725A (zh) * 2018-03-30 2018-08-21 上海天马有机发光显示技术有限公司 阵列基板、阵列基板的制造方法、显示面板及显示装置

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040252867A1 (en) * 2000-01-05 2004-12-16 Je-Hsiung Lan Biometric sensor
TWI408437B (zh) * 2010-09-09 2013-09-11 液晶顯示器
CN202870432U (zh) 2012-10-31 2013-04-10 京东方科技集团股份有限公司 一种液晶显示装置
WO2017147614A1 (en) * 2016-02-26 2017-08-31 Essential Products, Inc. Image capture with a camera integrated display
CN106773219B (zh) 2017-02-07 2019-11-05 京东方科技集团股份有限公司 一种显示装置
CN108899344B (zh) * 2018-06-29 2021-02-09 京东方科技集团股份有限公司 一种oled显示面板、其驱动方法及显示装置

Patent Citations (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1689025A (zh) * 2002-10-17 2005-10-26 三星电子株式会社 内置指纹识别装置的液晶显示装置及其制造方法
CN101826345A (zh) * 2009-03-04 2010-09-08 Tdk股份有限公司 光检测器、光检测器的制造方法以及光检测系统
CN106605169A (zh) * 2014-09-05 2017-04-26 凸版印刷株式会社 液晶显示装置以及显示装置用基板
WO2017155319A2 (ko) * 2016-03-09 2017-09-14 삼성전자주식회사 센싱 기능을 포함하는 디스플레이 및 그것을 포함하는 전자 장치
WO2017172461A1 (en) * 2016-03-29 2017-10-05 Microsoft Technology Licensing, Llc Pressure sensing display
CN106055162A (zh) * 2016-06-30 2016-10-26 京东方科技集团股份有限公司 显示组件和显示装置
CN107799541A (zh) * 2016-09-07 2018-03-13 李美燕 集成化感测模块及其制造方法以及集成化感测组件
CN108182872A (zh) * 2016-12-08 2018-06-19 群创光电股份有限公司 具有光感测单元的显示装置
CN206331451U (zh) * 2016-12-27 2017-07-14 广东欧珀移动通信有限公司 指纹识别模块及终端
CN106611170A (zh) * 2017-01-03 2017-05-03 京东方科技集团股份有限公司 指纹识别装置及电子设备
CN107133613A (zh) * 2017-06-06 2017-09-05 上海天马微电子有限公司 一种显示面板及显示装置
CN107341472A (zh) * 2017-07-04 2017-11-10 京东方科技集团股份有限公司 一种光学指纹识别装置及其指纹识别方法、显示装置
CN108227230A (zh) * 2018-02-05 2018-06-29 京东方科技集团股份有限公司 一种准直结构、其制作方法及显示装置
CN108428725A (zh) * 2018-03-30 2018-08-21 上海天马有机发光显示技术有限公司 阵列基板、阵列基板的制造方法、显示面板及显示装置

Also Published As

Publication number Publication date
US20200193126A1 (en) 2020-06-18
CN109521590A (zh) 2019-03-26
US11062109B2 (en) 2021-07-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN109521590B (zh) 显示装置和显示装置的制作方法
US10185861B2 (en) Display panel and electronic device
CN108153027B (zh) 一种显示装置
KR101264728B1 (ko) 액정 표시 장치
WO2018126644A1 (zh) 指纹识别装置及电子设备
TWI675245B (zh) 顯示面板
CN101241250B (zh) 光电转换装置及具备该光电转换装置的显示面板
CN107919059B (zh) 显示基板、显示面板和显示装置
CN108052930B (zh) 一种阵列基板、其制作方法、显示面板及显示装置
US11495048B2 (en) Fingerprint sensing module
KR101834560B1 (ko) 표시패널 및 표시패널용 표시기판의 제조방법
KR102497438B1 (ko) 전자 패널 및 이를 포함하는 전자 장치
CN101840290A (zh) 反射式触控显示面板及其制造方法
CN112698746A (zh) 一种触控显示面板及其驱动方法、触控显示装置
KR20230156401A (ko) 디스플레이 패널, 디스플레이 모듈 및 전자 장치
CN111258448B (zh) 触控面板
US11075240B2 (en) Texture recognition assembly and method of manufacturing the same, and display apparatus
CN113690271A (zh) 显示基板及显示装置
US20230142687A1 (en) Display panel and display apparatus
US20220376006A1 (en) Display panel and display apparatus
WO2021238138A1 (zh) 传感器、显示面板及显示装置
CN115088025A (zh) 光学传感器阵列基板及光学指纹采集器
CN111339962A (zh) 识别基板、显示面板及其制作方法、显示装置
WO2021100294A1 (ja) 検出装置及び表示装置
CN112861651B (zh) 显示面板和显示装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant