CN109801569B - 一种阵列基板、其制作方法及显示装置 - Google Patents

一种阵列基板、其制作方法及显示装置 Download PDF

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Abstract

本发明公开了一种阵列基板、其制作方法及显示装置，该阵列基板包括：衬底基板，位于衬底基板上的多个顶发射型发光器件，位于发光器件与衬底基板之间的感光器件，以及位于感光器件与发光器件之间的折射层；折射层与感光器件具有设定距离，折射层至少覆盖各发光器件之间的间隙区域，折射层的折射率大于间隙区域内折射层靠近衬底基板一侧相邻膜层的折射率；感光器件在衬底基板上的正投影与发光器件在衬底基板上的正投影至少部分重叠。通过在发光器件之间设置高折射率的折射层可以使外界反射光能够照射更大的面积，从而可以将部分感光器件设置在发光器件所在区域，即增大了感光器件接收光的面积，从而可以提高感光器件输出信号的强度。

Description

一种阵列基板、其制作方法及显示装置
技术领域
本发明涉及显示面板技术领域，尤其涉及一种阵列基板、其制作方法及显示装置。
背景技术
随着显示技术的发展，人们日益追求全面屏显示，因此屏下指纹识别技术的研究显得尤为重要。
相关技术中，为了实现屏下指纹识别，会在阵列基板中设置感光元件以对指纹反射光进行采集，但是由于在阵列基板中各发光器件存在遮光阳极层，会对外界反射光产生一定的遮挡，因此感光元件只能设置在阵列基板中各发光器件的间隙处，以获取到光信号，从而实现指纹信号的传输与识别。但是为了保证显示面板的开口率，阵列基板中各发光器件之间的间隙的面积较小，这就会限制感光元件的受光面积，从而导致指纹识别信号较弱。
因此，如何提高感光元件接受光的面积以提高信号强度是本领域技术人员亟待解决的技术问题。
发明内容
本发明提供一种阵列基板、其制作方法及显示装置，用以解决相关技术中感光元件接受光的面积较小导致信号强度较弱的技术问题。
本发明实施例提供了一种阵列基板，包括衬底基板，位于所述衬底基板上的多个顶发射型发光器件，位于所述发光器件与所述衬底基板之间的感光器件，以及位于所述感光器件与所述发光器件之间的折射层；
所述折射层与所述感光器件具有设定距离，所述折射层至少覆盖各所述发光器件之间的间隙区域，所述折射层的折射率大于所述间隙区域内所述折射层靠近所述衬底基板一侧相邻膜层的折射率；
所述感光器件在所述衬底基板上的正投影与所述发光器件在所述衬底基板上的正投影至少部分重叠。
在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，在所述发光器件指向所述衬底基板的方向上，位于所述发光器件与所述感光器件之间的各膜层的折射率依次降低。
在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，所述感光器件部分位于所述间隙区域，部分位于所述发光器件的下方。
在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，所述感光器件在所述衬底基板的正投影完全覆盖所述间隙区域。
在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，所述感光器件包括：与所述折射层呈第一预设距离的第一感光元件，以及与所述折射层呈第二预设距离的第二感光元件，其中，所述第一预设距离小于所述第二预设距离；
所述第一感光元件在所述衬底基板上的正投影仅覆盖所述间隙区域，所述第二感光元件至少部分位于所述发光器件的下方；
其中，所述第一感光元件与所述第二感光元件并联设置。
在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，所述第二感光元件在所述衬底基板上的正投影位于所述间隙区域。
在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，所述第二感光元件在所述衬底基板上的正投影覆盖所述第一感光元件在所述衬底基板上的正投影。
在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，所述第一预设距离的取值范围为0.5μm～1μm；
所述第一感光元件与所述第二感光元件之间的垂直距离的取值范围为0.5μm～1μm。
在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，还包括：位于所述第二感光器件与所述衬底基板之间的读取晶体管；
所述第一感光元件和所述第二感光元件均包括上电极和下电极；
所述第一感光元件的下电极和所述第二感光元件的下电极均与所述读取晶体管的源电极相连；
所述第一感光元件的上电极和所述第二感光元件的上电极均与偏置信号线相连。
在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，还包括：位于所述第一感光元件与所述第二感光元件之间的第一绝缘层，以及位于所述第一感光元件与所述折射层之间的第二绝缘层；
所述第二绝缘层的折射率大于所述第一绝缘层的折射率。
在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，还包括：位于所述折射层背离所述衬底基板一侧的像素界定层；
所述像素界定层的折射率大于所述第二绝缘层的折射率。
在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，所述折射层的材料包括：Si3N4和/或环氧树脂。
在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，所述感光元件包括光电二极管。
另一方面，本发明实施例提供了一种阵列基板的制作方法，包括：
提供一衬底基板；
在所述衬底基板上形成感光器件，其中，所述感光器件在所述衬底基板上的正投影与所述发光器件在所述衬底基板上的正投影至少部分重叠；
在所述感光器件背离所述衬底基板的一侧形成至少覆盖所述间隙区域的折射层，其中，所述折射层的折射率大于所述间隙区域内所述折射层靠近所述衬底基板一侧相邻膜层的折射率。
在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述阵列基板的制作方法中，当所述感光器件包括第一感光元件和第二感光元件时；所述方法包括：
在所述衬底基板上形成所述第二感光元件，其中，所述第二感光元件至少部分位于所述发光器件的下方；
在所述第二感光元件背离所述衬底基板一侧形成第一绝缘层的图形；
在所述第一绝缘层背离所述衬底基板的一侧形成所述第一感光元件，其中，所述第一感光元件在所述衬底基板上的正投影仅覆盖所述间隙区域；
在所述第一感光元件背离所述衬底基板一侧形成第二绝缘层图形；
在所述第二绝缘层背离所述衬底基板一侧形成所述折射层。
另一方面，本发明实施例还提供了一种显示装置，包括上述任一实施例所述的阵列基板。
本发明有益效果如下：
本发明实施例提供了一种阵列基板、其制作方法及显示装置，该阵列基板包括：衬底基板，位于所述衬底基板上的多个顶发射型发光器件，位于所述发光器件与所述衬底基板之间的感光器件，以及位于所述感光器件与所述发光器件之间的折射层；所述折射层与所述感光器件具有设定距离，所述折射层至少覆盖各所述发光器件之间的间隙区域，所述折射层的折射率大于所述间隙区域内所述折射层靠近所述衬底基板一侧相邻膜层的折射率；所述感光器件在所述衬底基板上的正投影与所述发光器件在所述衬底基板上的正投影至少部分重叠。通过在发光器件之间设置高折射率的折射层可以使外界反射光能够照射更大的面积，从而可以将部分感光器件设置在发光器件所在区域，即增大了感光器件接收光的面积，从而可以提高感光器件输出信号的强度。
附图说明
图1为相关技术中阵列基板的结构示意图；
图2为本发明实施例提供的阵列基板的结构示意图之一；
图3为本发明实施例提供的阵列基板的结构示意图之二；
图4为本发明实施例提供的阵列基板的结构示意图之三；
图5为本发明实施例提供的阵列基板的结构示意图之四；
图6为本发明实施例提供的阵列基板的结构示意图之五；
图7a-图7e为本发明实施例提供的阵列基板的制作过程的结构示意图；
图8为本发明实施例提供的显示装置的结构示意图。
具体实施方式
相关技术中，如图1所示，为了实现屏下指纹识别，会在阵列基板中设置感光元件02以对指纹反射光进行采集。具体为，依次在衬底基板01上形成感光元件02、绝缘层图形03、发光器件的阳极层04以及像素界定层05，由于位于衬底基板01上的各发光器件存在遮光阳极层04，会对外界反射光产生一定的遮挡，因此感光元件02只能设置在衬底基板01中各发光器件的间隙处，以获取到光信号，从而实现指纹信号的传输与识别。但是为了保证显示面板的开口率，衬底基板01中各发光器件之间的间隙的面积较小，这就会限制感光元件02的受光面积，从而导致指纹识别信号较弱。
针对相关技术中的阵列基板存在的上述技术问题，本发明实施例提供了一种阵列基板、其制作方法及显示装置。为了使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明作进一步地详细描述，显然，所描述的实施例仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明保护的范围。
附图中各部件的形状和大小不反应真实比例，目的只是示意说明本发明内容。
本发明实施例提供了一种阵列基板，如图2所示，该阵列基板包括：衬底基板1，位于衬底基板1上的多个顶发射型发光器件2，位于发光器件2与衬底基板1之间的感光器件3，以及位于感光器件3与发光器件2之间的折射层4；
折射层4与感光器件3具有设定距离，折射层4至少覆盖各发光器件2之间的间隙区域A，折射层4的折射率大于间隙区域A内折射层4靠近衬底基板1一侧相邻膜层的折射率；
感光器件3在衬底基板1上的正投影与发光器件2在衬底基板1上的正投影至少部分重叠。
其中，该发光器件包括依次位于衬底基板上的阳极、发光层和阴极，其中，本发明中的发光器件为顶发射型发光器件，该顶发射型发光器件是指阳极为不透光层。其中，该发光器件所在的区域为阳极所在的区域，间隔区域指的是相邻两个发光器件的阳极层之间的区域。
由于在感光器件与发光器件之间设置有具有高折射率的折射层，可以使经过折射的光线的出射角大于外界反射光的入射角，即可以使外界光的照射面积更大，从而可以将感光器件的面积设置的比相关技术中的感光元件的面积更大，可以使感光器件的部分位于发光器件所在的区域，部分位于各发光器件之间的间隙区域，从而实现了在不影响开口率的同时，提高了感光器件的受光面积。
具体地，在本发明实施例提供的阵列基板中，该阵列基板包括：衬底基板，位于衬底基板上的多个顶发射型发光器件，位于发光器件与衬底基板之间的感光器件，以及位于感光器件与发光器件之间的折射层；折射层与感光器件具有设定距离，折射层至少覆盖各发光器件之间的间隙区域，折射层的折射率大于间隙区域内折射层靠近衬底基板一侧相邻膜层的折射率；感光器件在衬底基板上的正投影与发光器件在衬底基板上的正投影至少部分重叠。通过在发光器件之间设置高折射率的折射层可以使外界反射光能够照射更大的面积，从而可以将部分感光器件设置在发光器件所在区域，即增大了感光器件接收光的面积，从而可以提高感光器件输出信号的强度。
以5.46FHD为例，发光器件占显示区面积比为65％，感光器件占显示区面积比为15％，暗区即发光器件下方全部设置感光器件后感光器件总占比可由15％提升为80％。
除了上述实施例中提到通过折射层的设置可以增加折射角从而提高感光器件的受光面积外，由于感光器件与发光器件之间存在狭缝，在该狭缝可以使光发生衍射进入感光器件。
可选地，在本发明实施例提供的阵列基板中，在发光器件指向衬底基板的方向上，位于发光器件与感光器件之间的各膜层的折射率依次降低。
具体地，在本发明实施例提供的阵列基板中，将发光器件与感光器件之间的各膜层的折射率设置为依次递减，从阳极层边缘入射的光每经过一次折射，光线照射在发光器件下方的面积则增加一定面积，从而可以保证从阳极层边缘入射的光可以最大限度的照射在感光器件上，增加感光器件的感光面积。
可选地，在本发明实施例提供的阵列基板中，如图2所示，该感光器件3部分(b区域)位于间隙区域A，部分(a区域)位于发光器件2的下方。
具体地，在本发明实施例提供的阵列基板中，由于发光器件下方的区域的面积要比间隙区域的面积大，因此该感光元件可以全部位于发光器件的下方，该种设置也可以增加感光器件的感光面积。当然该感光器件同时位于感光器件的下方和间隙区域可以进一步的增加感光器件的感光面积。
可选地，在本发明实施例提供的阵列基板中，感光器件在衬底基板的正投影可以完全覆盖间隙区域，以最大限度的提高外界光通过间隙区域照射在感光器件上的面积。
可选地，在本发明实施例提供的阵列基板中，如图3所示，感光器件包括：与折射层4呈第一预设距离的第一感光元件31，以及与折射层4呈第二预设距离的第二感光元件32，其中，第一预设距离小于第二预设距离；
第一感光元件31在衬底基板1上的正投影仅覆盖间隙区域(b区域)，第二感光元件32至少部分位于发光器件的下方(a区域)；
其中，第一感光元件31与第二感光元件32并联设置。
具体地，在本发明实施例提供的阵列基板中，将第一感光元件和第二感光元件设置在不同的层，第二感光元件距离折射层的距离更远，增加了折射光的传播路径，从而折射光照射在第二感光元件上的面积会更大，并且通过第一感光元件与第二感光元件的并联，可以使第一感光元件和第二感光元件转化后的电信号之和作为感应信号，有效提高了信号的强度。
以第二感光器件距离折射层为2μm，折射角为45°为例，将第一感光元件与第二感光元件垂直设置相比于同层设置，可以使第二感光器件的受光面积增加两倍。
可选地，在本发明实施例提供的阵列基板中，如图4所示，第二感光元件在衬底基板上的正投影位于间隙区域。
具体地，在本发明实施例提供的阵列基板中，第二感光元件的部分可以位于间隙区域处，该种设置第二感光元件可以吸收第一感光元件未完全吸收的光，增加了光的利用率，可以进一步提高信号的强度。
可选地，在本发明实施例提供的阵列基板中，第二感光元件在衬底基板上的正投影可以覆盖第一感光元件在衬底基板上的正投影，从而可以完全吸收第一感光元件未吸收的光。
可选地，在本发明实施例提供的阵列基板中，第一预设距离的取值范围为0.5μm～1μm；
第一感光元件与第二感光元件之间的垂直距离的取值范围为0.5μm～1μm。
具体地，在本发明实施例提供的阵列基板中，虽然增加第一感光元件和第二感光元件与折射层之间的距离可以增加折射光的传播路径，从而能够增加折射光照射在第二感光元件上的范围，但是随着层间距离的增加，层间厚度越厚，折射光在层间传播损失也就越大，因此将第一感光元件与折射层之间的距离，第一感光元件与第二感光元件之间的距离均设置为0.5μm～1μm，可以保证第二感光元件接收光的面积的同时，也降低了光在层间介质中的损失。
可选地，在本发明实施例提供的阵列基板中，如图3和图5所示，还包括：位于第二感光器件32与衬底基板1之间的读取晶体管6；
第一感光元件31和第二感光元件32均包括上电极(312/322)和下电极(311/321)；
第一感光元件31的下电极311和第二感光元件32的下电极321均与读取晶体管的源电极相连；
第一感光元件31的上电极312和第二感光元件32的上电极322均与偏置信号线8相连。
具体地，在本发明实施例提供的阵列基板中，偏置信号线8可以与发光器件的阳极层21同层设置；在阳极层背离衬底基板的一侧还设置有像素界定层7，以限定发光器件的其他膜层(在图中未具体示出)的位置；第一感光元件和第二感光元件除了包括上电极和下电极之外，还均包括位于上电极与下电极之间PIN结构，以实现光电转换。
其中，第一感光元件和第二感光元件的上电极和下电极的厚度可以均为40～70nm。
需要说明的是，在图5中，仅示出了第二感光器件PIN2的上电极322与偏置信号线8相连，但是未示出第一感光器件PIN1的上电极312与偏置信号线8相连；在实际设置过程中第一感光器件与第二感光器件与偏置信号线连接的过孔是设置在不同位置的，如图6所示，第一感光器件PIN1的上电极312也通过所设置的过孔与偏置信号线8相连，其中，图5与图6分别示出了阵列基板的不同位置处的剖面图。
可选地，在本发明实施例提供的阵列基板中，如图3和图5所示，还包括：位于第一感光元件31与第二感光元件32之间的第一绝缘层51，以及位于第一感光元件31与折射层4之间的第二绝缘层52；
第二绝缘层52的折射率大于第一绝缘层51的折射率。
具体地，在本发明实施例提供的阵列基板中，当第二绝缘层的折射率与第一绝缘层的折射率不同时，在第一绝缘层与第二绝缘层的交界面处，经过折射层射出的遮光会再次产生折射，而当第二绝缘层的折射率大于第一绝缘层的折射率时，在第一绝缘层与第二绝缘层的交界面处，入射光的入射角会小于折射光的折射角，从而进一步增加了光照的范围，也就是增加了第二感光元件接受光的面积。
可选地，在本发明实施例提供的阵列基板中，如图5所示，还包括：位于折射层4背离衬底基板1一侧的像素界定层7；
像素界定层7的折射率大于第二绝缘层52的折射率。
具体地，在本发明实施例提供的阵列基板中，当像素界定层的折射率大于第二绝缘层的折射率时，经过折射层产生折射时，折射角与入射角之间的差会大于像素界定层与第二绝缘层的折射率相同时折射角与入射角之间的差，即当像素界定层的折射率大于第二绝缘层的折射率时，可以增加折射角的角度，从而增加第二感光器件接收光的面积。其中，像素界定层的厚度为1.5～2μm。
可选地，在本发明实施例提供的阵列基板中，折射层的材料包括：Si3N4和/或环氧树脂。
当然，本发明实施例提供的折射层的材料并不仅限于此，还可以是其他任何能够实现本发明功能的高折射率材料，根据实际使用情况进行选择，在此不做具体限定。
可选地，在本发明实施例提供的阵列基板中，感光元件包括光电二极管。
下面以图5所示的阵列基板的结构为例对阵列基板的制作过程进行说明，具体如下：
如图7a所示，在制作有读取晶体管6的衬底基板1上形成第二感光元件32(包括依次在读取晶体管6背离衬底基板1一侧形成下电极321，PIN1结构以及上电极322)，其中第二感光元件32与衬底基板1之间还设置有用于驱动发光器件的晶体管，该用于驱动发光器件的晶体管的各膜层可与读取晶体管6的各膜层同层设置，另外，驱动发光器件的晶体管还可以包括两个栅极和位于两个栅极之间的绝缘层，两个栅极在衬底基板1上的正投影存在交叠面积，从而形成电容。其中形成读取晶体管的工艺及原理与相关技术中形成晶体管的工艺和原理相同，在此不再赘述。
其中，PIN1结构包括依次沉积N(n型Si)、I(本征Si)、P(p型硅)层，N层的厚度为20～50nm、I层的厚度为500～900nm、P层的厚度为5～50nm。
如图7b所示，在第二感光元件32背离衬底基板1一侧形成第一绝缘层51的图形，其中，第一绝缘层的厚度为1.5～2.5μm，保障PIN1结构被平坦化。
如图7c所示，在第一绝缘层51的图形背离衬底基板1的一侧形成第一感光元件31(包括依次在第一绝缘层51的图形背离衬底基板1一侧形成下电极311，PIN2结构以及上电极312)。
如图7d所示，在第一感光元件31背离衬底基板1一侧形成第二绝缘层52的图形；其中，第二绝缘层的厚度为1.5～2.5μm，保障PIN1结构被平坦化。
如图7e所示，在第二绝缘层52背离衬底基板1一侧形成发光器件的阳极层21以及偏置信号线8，其中该偏置信号线8与发光器件的阳极层21通过一次构图工艺形成。
然后在阳极层21背离衬底基板1一侧形成像素界定层7的图形，形成如图5所示的阵列基板，在形成像素界定层的图形后，在像素区域形成发光器件的其他膜层，例如有机发光层和阴极层等。
基于同一发明构思，本发明实施例还提供了一种阵列基板的制作方法，包括：提供一衬底基板；
在衬底基板上形成感光器件，其中，感光器件部分位于各发光器件之间的间隙区域，部分位于发光器件的下方；
在感光器件背离衬底基板的一侧形成至少覆盖间隙区域的折射层，其中，折射层与感光器件具有设定距离，且折射层的折射率大于间隙区域内相邻膜层的折射率。
可选地，在本发明实施例提供的阵列基板的制作方法中，当感光器件包括第一感光元件和第二感光元件时；方法包括：
在衬底基板上形成第二感光元件，其中，第二感光元件至少部分位于发光器件的下方；
在第二感光元件背离衬底基板一侧形成第一绝缘层的图形；
在第一绝缘层背离衬底基板的一侧形成第一感光元件，其中，第一感光元件在衬底基板上的正投影仅覆盖间隙区域；
在第一感光元件背离衬底基板一侧形成第二绝缘层图形；
在第二绝缘层背离衬底基板一侧形成折射层。
其中，该阵列基板的制作方法，在阵列基板的结构的实施例中已经进行了说明，该阵列基板的制作方法的原理和工艺与上述实施例中的阵列基板实施例中提及的相同，该阵列基板的制作方法可以参考上述阵列基板的实施例进行实施，在此不再赘述。
基于同一发明构思，如图8所示，本发明实施例还提供了一种显示装置，包括上述任一实施例中的阵列基板。由于该显示装置解决问题的原理与前述阵列基板相似，因此该显示装置的实施可以参见前述阵列基板的实施，重复之处不再赘述。
其中，该显示装置适用于有机电致发光显示器、无机电致发光显示器、有源矩阵有机发光二极管显示器(Active Matrix/Organic Light Emitting Diode，AMOLED)等多种类型的显示器。该显示装置可以为：手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件，在此不作限定。
本发明实施例提供了一种阵列基板、其制作方法及显示装置，该阵列基板包括：衬底基板，位于所述衬底基板上的多个顶发射型发光器件，位于所述发光器件与所述衬底基板之间的感光器件，以及位于所述感光器件与所述发光器件之间的折射层；所述折射层与所述感光器件具有设定距离，所述折射层至少覆盖各所述发光器件之间的间隙区域，所述折射层的折射率大于所述间隙区域内所述折射层靠近所述衬底基板一侧相邻膜层的折射率；所述感光器件在所述衬底基板上的正投影与所述发光器件在所述衬底基板上的正投影至少部分重叠。通过在发光器件之间设置高折射率的折射层可以使外界反射光能够照射更大的面积，从而可以将部分感光器件设置在发光器件所在区域，即增大了感光器件接收光的面积，从而可以提高感光器件输出信号的强度。
显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (15)

1.一种阵列基板，其特征在于，包括衬底基板，位于所述衬底基板上的多个顶发射型发光器件，位于所述发光器件与所述衬底基板之间的感光器件，以及位于所述感光器件与所述发光器件之间的折射层；
所述折射层与所述感光器件具有设定距离，所述折射层至少覆盖各所述发光器件之间的间隙区域，所述折射层的折射率大于所述间隙区域内所述折射层靠近所述衬底基板一侧相邻膜层的折射率；
所述感光器件在所述衬底基板上的正投影与所述发光器件在所述衬底基板上的正投影至少部分重叠；
所述感光器件部分位于所述间隙区域，部分位于所述发光器件的下方，所述感光器件包括：与所述折射层呈第一预设距离的第一感光元件，以及与所述折射层呈第二预设距离的第二感光元件，其中，所述第一预设距离小于所述第二预设距离；
所述第一感光元件在所述衬底基板上的正投影仅覆盖所述间隙区域，所述第二感光元件至少部分位于所述发光器件的下方；
其中，所述第一感光元件与所述第二感光元件并联设置。
2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，在所述发光器件指向所述衬底基板的方向上，位于所述发光器件与所述感光器件之间的各膜层的折射率依次降低。
3.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述感光器件在所述衬底基板的正投影完全覆盖所述间隙区域。
4.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第二感光元件在所述衬底基板上的正投影位于所述间隙区域。
5.如权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述第二感光元件在所述衬底基板上的正投影覆盖所述第一感光元件在所述衬底基板上的正投影。
6.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一预设距离的取值范围为0.5μm～1μm；
所述第一感光元件与所述第二感光元件之间的垂直距离的取值范围为0.5μm～1μm。
7.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，还包括：位于所述第二感光元件与所述衬底基板之间的读取晶体管；
所述第一感光元件和所述第二感光元件均包括上电极和下电极；
所述第一感光元件的下电极和所述第二感光元件的下电极均与所述读取晶体管的源电极相连；
所述第一感光元件的上电极和所述第二感光元件的上电极均与偏置信号线相连。
8.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，还包括：位于所述第一感光元件与所述第二感光元件之间的第一绝缘层，以及位于所述第一感光元件与所述折射层之间的第二绝缘层；
所述第二绝缘层的折射率大于所述第一绝缘层的折射率。
9.如权利要求8所述的阵列基板，其特征在于，还包括：位于所述折射层背离所述衬底基板一侧的像素界定层；
所述像素界定层的折射率大于所述第二绝缘层的折射率。
10.如权利要求1-9任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述折射层的材料包括：Si3N4和/或环氧树脂。
11.如权利要求1或6-9任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述感光元件包括光电二极管。
12.如权利要求10所述的阵列基板，其特征在于，所述感光元件包括光电二极管。
13.一种如权利要求1-12任一项所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：
提供一衬底基板；
在所述衬底基板上形成感光器件，其中，所述感光器件在所述衬底基板上的正投影与所述发光器件在所述衬底基板上的正投影至少部分重叠；
在所述感光器件背离所述衬底基板的一侧形成至少覆盖所述间隙区域的折射层，其中，所述折射层的折射率大于所述间隙区域内所述折射层靠近所述衬底基板一侧相邻膜层的折射率。
14.如权利要求13所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，当所述感光器件包括第一感光元件和第二感光元件时；所述方法包括：
在所述衬底基板上形成所述第二感光元件，其中，所述第二感光元件至少部分位于所述发光器件的下方；
在所述第二感光元件背离所述衬底基板一侧形成第一绝缘层的图形；
在所述第一绝缘层背离所述衬底基板的一侧形成所述第一感光元件，其中，所述第一感光元件在所述衬底基板上的正投影仅覆盖所述间隙区域；
在所述第一感光元件背离所述衬底基板一侧形成第二绝缘层图形；
在所述第二绝缘层背离所述衬底基板一侧形成所述折射层。
15.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1-12任一项所述的阵列基板。
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