CN106970495A - 阵列基板及其制作方法、显示面板、显示装置和电子设备 - Google Patents

阵列基板及其制作方法、显示面板、显示装置和电子设备 Download PDF

Info

Publication number
CN106970495A
CN106970495A CN201610875980.9A CN201610875980A CN106970495A CN 106970495 A CN106970495 A CN 106970495A CN 201610875980 A CN201610875980 A CN 201610875980A CN 106970495 A CN106970495 A CN 106970495A
Authority
CN
China
Prior art keywords
photoelectric sensor
array base
tft
base palte
thin film
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201610875980.9A
Other languages
English (en)
Inventor
江忠胜
刘安昱
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Beijing Xiaomi Mobile Software Co Ltd
Original Assignee
Beijing Xiaomi Mobile Software Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Beijing Xiaomi Mobile Software Co Ltd filed Critical Beijing Xiaomi Mobile Software Co Ltd
Publication of CN106970495A publication Critical patent/CN106970495A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14678—Contact-type imagers
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/13306—Circuit arrangements or driving methods for the control of single liquid crystal cells
    • G02F1/13318—Circuits comprising a photodetector
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/13338—Input devices, e.g. touch panels
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/133509—Filters, e.g. light shielding masks
    • G02F1/133512—Light shielding layers, e.g. black matrix
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/1368—Active matrix addressed cells in which the switching element is a three-electrode device
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F18/00—Pattern recognition
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06V—IMAGE OR VIDEO RECOGNITION OR UNDERSTANDING
    • G06V40/00—Recognition of biometric, human-related or animal-related patterns in image or video data
    • G06V40/10—Human or animal bodies, e.g. vehicle occupants or pedestrians; Body parts, e.g. hands
    • G06V40/12—Fingerprints or palmprints
    • G06V40/13—Sensors therefor
    • G06V40/1318—Sensors therefor using electro-optical elements or layers, e.g. electroluminescent sensing
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06V—IMAGE OR VIDEO RECOGNITION OR UNDERSTANDING
    • G06V40/00—Recognition of biometric, human-related or animal-related patterns in image or video data
    • G06V40/10—Human or animal bodies, e.g. vehicle occupants or pedestrians; Body parts, e.g. hands
    • G06V40/12—Fingerprints or palmprints
    • G06V40/13—Sensors therefor
    • G06V40/1324—Sensors therefor by using geometrical optics, e.g. using prisms
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1255—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs integrated with passive devices, e.g. auxiliary capacitors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
    • H01L27/1262—Multistep manufacturing methods with a particular formation, treatment or coating of the substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
    • H01L27/127—Multistep manufacturing methods with a particular formation, treatment or patterning of the active layer specially adapted to the circuit arrangement
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/14632—Wafer-level processed structures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
    • H01L27/14685—Process for coatings or optical elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
    • H01L27/14687—Wafer level processing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
    • H01L27/14692—Thin film technologies, e.g. amorphous, poly, micro- or nanocrystalline silicon
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/1336—Illuminating devices
    • G02F1/133626—Illuminating devices providing two modes of illumination, e.g. day-night
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2354/00—Aspects of interface with display user
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/34—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source
    • G09G3/3406—Control of illumination source
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
    • H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. phototransistors
    • H01L31/101—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
    • H01L31/102—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier or surface barrier
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
    • H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. phototransistors
    • H01L31/101—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
    • H01L31/11—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by two potential barriers or surface barriers, e.g. bipolar phototransistor
    • H01L31/1105—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by two potential barriers or surface barriers, e.g. bipolar phototransistor the device being a bipolar phototransistor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
    • H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. phototransistors
    • H01L31/101—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
    • H01L31/112—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by field-effect operation, e.g. junction field-effect phototransistor
    • H01L31/113—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by field-effect operation, e.g. junction field-effect phototransistor being of the conductor-insulator-semiconductor type, e.g. metal-insulator-semiconductor field-effect transistor
    • H01L31/1136—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by field-effect operation, e.g. junction field-effect phototransistor being of the conductor-insulator-semiconductor type, e.g. metal-insulator-semiconductor field-effect transistor the device being a metal-insulator-semiconductor field-effect transistor

Abstract

本公开是关于一种阵列基板及其制作方法、显示面板、显示装置和电子设备，该阵列基板包括：基底；薄膜晶体管，设置在所述基底的一侧的第一区域；光电传感器，设置在所述基底的一侧的第二区域，用于识别指纹；钝化层，设置在所述薄膜晶体管和所述光电传感器远离所述基底的一侧。根据本公开的技术方案，通过在阵列基板的基底上设置光电传感器，可以使得光电传感器集成在阵列基板中。在通过该阵列基板制作显示装置中，可以通过将手指放在对应阵列基板的第二区域的位置来进行指纹识别，无需在显示装置中额外设置指纹识别传感器，简化了制造工艺，提高了整体结构的稳定性和集成度。

Description

阵列基板及其制作方法、显示面板、显示装置和电子设备
技术领域
本公开涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板、一种显示面板、一种显示装置、一种阵列基板的制作方法和一种电子设备。
背景技术
随着智能终端加密/解密操作的多样化，指纹这个每个人都拥有，但是又因人而异的属性，越来越受到重视，因此指纹识别模块越来越普遍地集成在智能终端中。
目前智能终端(例如手机)中的指纹识别模块主要包括设置在智能终端背面和正面两种，设置在背面的指纹识别模块一般位于外壳的中上部区域，设置在正面的指纹识别模块则与HOME键集成在一起。
但是无论上述哪种方式，都需要单独制作指纹识别模块，然后再将其设置在智能终端中，制作工艺较为复杂。
发明内容
本公开提供一种阵列基板、显示面板、显示装置、阵列基板的制作方法和电子设备，以解决相关技术中的不足。
根据本公开实施例的第一方面，提供一种阵列基板，包括：
基底；
薄膜晶体管，设置在所述基底的一侧的第一区域；
光电传感器，设置在所述基底的一侧的第二区域，用于识别指纹；
钝化层，设置在所述薄膜晶体管和所述光电传感器远离所述基底的一侧。
可选地，上述阵列基板还包括：
平坦层，设置在所述钝化层远离所述薄膜晶体管的一侧。
可选地，所述光电传感器包括之下至少一种：
光电二极管、光电三极管、光电晶体管。
根据本公开实施例的第二方面，提供一种显示面板，包括权上述阵列基板。
可选地，上述显示面板还包括：
彩膜基板，与所述阵列基板相对设置；
其中，在所述彩膜基板中设置有黑矩阵，所述光电传感器与所述黑矩阵相对设置；
液晶层，设置在所述阵列基板和所述彩膜基板之间。
根据本公开实施例的第三方面，提供一种显示装置，包括上述显示面板，还包括：
背光模组，设置在所述阵列基板远离所述彩膜基板的一侧；
触控模组，设置在所述彩膜基板远离所述阵列基板的一侧，或设置在所述阵列基板与所述彩膜基板之间。
可选地，上述显示装置还包括：
控制芯片，电连接于所述薄膜晶体管、所述光电传感器和所述触控模组，
其中，当所述触控模组在对应所述光电传感器的位置感应到触控信号时，向所述控制芯片传输控制信号，以控制所述光电传感器以及与所述光电传感器相对应的薄膜晶体管启动。
可选地，上述显示装置还包括：
数据线和像素电极，所述薄膜晶体管电连接于所述数据线和所述像素电极，所述数据线通过所述薄膜晶体管向所述像素电极传输数据信号；
其中，所述控制芯片在接收到所述控制信号时，调整与所述光电传感器对应的数据线传输的数据信号，以使从所述背光源射出的光通过所述显示面板后为单色光或白光。
可选地，上述显示装置还包括：
状态检测单元，被配置为检测所述显示装置的工作状态，将检测到的工作状态传输至所述触控模组；
其中，所述触控模组在对应所述光电传感器的位置感应到触控信号时，确定所述显示装置是否处于待识别指纹的状态，若处于待识别指纹的状态，向所述控制芯片传输控制信号。
可选地，上述显示装置还包括：
第一芯片，电连接于所述光电传感器和所述触控模组；
第二芯片，电连接于所述薄膜晶体管和所述触控模组；
其中，当所述触控模组在对应所述光电传感器的位置感应到触控信号时，向所述第一芯片和所述第二芯片分别传输控制信号，以使所述第一芯片控制所述光电传感器启动，以及使所述第二芯片控制与所述光电传感器相对应的薄膜晶体管启动。
根据本公开实施例的第四方面，提供一种阵列基板的制作方法，包括：
在基底的一侧的第一区域，通过图案化工艺形成薄膜晶体管；
在所述基底的一侧的第二区域，通过图案化工艺形成用于识别指纹的光电传感器；
在所述薄膜晶体管和所述光电传感器远离所述基底的一侧形成钝化层。
可选地，上述制作方法还包括：
在所述钝化层远离所述薄膜晶体管的一侧形成平坦层。
根据本公开实施例的第五方面，提供一种电子设备，包括：
处理器；
用于存储处理器可执行指令的存储器；
其中，所述电子设备还包括显示装置，所述显示装置包括阵列基板，所述阵列基板包括：
基底；
薄膜晶体管，设置在所述基底的一侧的第一区域；
光电传感器，设置在所述基底的一侧的第二区域，用于识别指纹；
钝化层，设置在所述薄膜晶体管和所述光电传感器远离所述基底的一侧。
本公开的实施例提供的技术方案可以包括以下有益效果：
由上述实施例可知，本公开通过在阵列基板的基底上设置光电传感器，可以使得光电传感器集成在阵列基板中。在通过该阵列基板制作显示装置中，可以通过将手指放在对应阵列基板的第二区域的位置来进行指纹识别，无需在显示装置中额外设置指纹识别传感器，简化了制造工艺，提高了整体结构的稳定性和集成度。
应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本公开。
附图说明
此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本公开的实施例，并与说明书一起用于解释本公开的原理。
图1是根据一示例性实施例示出的一种阵列基板的结构示意图。
图2是根据一示例性实施例示出指纹识别的原理示意图。
图3是根据一示例性实施例示出的另一种阵列基板的结构示意图。
图4是根据一示例性实施例示出的一种显示面板的结构示意图。
图5是根据一示例性实施例示出的另一种显示面板的结构示意图。
图6是根据一示例性实施例示出的一种阵列基板的制作方法的示意流程图。
图7是根据一示例性实施例示出的另一种阵列基板的制作方法的示意流程图。
图8是根据一示例性实施例示出的一种显示装置的框图。
具体实施方式
这里将详细地对示例性实施例进行说明，其示例表示在附图中。下面的描述涉及附图时，除非另有表示，不同附图中的相同数字表示相同或相似的要素。以下示例性实施例中所描述的实施方式并不代表与本公开相一致的所有实施方式。相反，它们仅是与如所附权利要求书中所详述的、本公开的一些方面相一致的装置和方法的例子。
图1是根据一示例性实施例示出的一种阵列基板的结构示意图。如图1所示，该阵列基板包括：
基底1。
在一个实施例中，基底的材料可以是玻璃。而在该阵列基板适用于柔性显示装置时，那么基底的材料可以柔性树脂。
薄膜晶体管2，设置在所述基底1的一侧的第一区域。
在一个实施例中，如图1所示，薄膜晶体管2可以包括栅极21、有源层22、源极23和漏极24等结构，在栅极21和有源层22之间还可以设置有栅绝缘层5。
光电传感器3，设置在所述基底1的一侧的第二区域，用于识别指纹。
在一个实施例中，光电传感器可以采用与薄膜晶体管相同的工艺形成在基底上，例如通过图案化工艺。
在一个实施例中，光电传感器的结构并不限于图1所示的结构，其位置并不限于图1所示的位置，并且也不限于图1所示的直接形成在基底上。例如光电传感器可以形成在薄膜晶体管之上，也即在形成源极和漏极时或之后再形成光电传感器，在这种情况下，第一区域和第二区域可以存在重叠的区域。
图2是根据一示例性实施例示出指纹识别的原理示意图。如图2所示，光电传感器可以是光电二极管、光电三极管、光电晶体管等结构，当用户手指按压在屏幕表面时，光源射出的光线经过棱镜等结构可以照射在手指的指纹上，由于指纹的谷和脊高度不同，脊与屏幕接触，而谷则与屏幕之间存在充满空气的间隙，从而光线照射在谷和脊的位置后反射的光线也不同，进而通过透镜入射到光电传感器的光线也存在差异，光电传感器可以根据这种差异生成响应的信号，根据该信号即可确定手指中谷和脊的分布情况，从而确定用户的指纹。
钝化层4，设置在所述薄膜晶体管2和所述光电传感器3远离所述基底1的一侧。
在一个实施例中，钝化层可以由绝缘材料制成，例如氧化硅、氮化硅等材料。
在一个实施例中，通过在阵列基板的基底上设置光电传感器，可以使得光电传感器集成在阵列基板中。在通过该阵列基板制作显示装置中，可以通过将手指放在对应阵列基板的第二区域的位置来进行指纹识别，无需在显示装置中额外设置指纹识别传感器，简化了制造工艺，提高了整体结构的稳定性和集成度。
图3是根据一示例性实施例示出的另一种阵列基板的结构示意图。如图3所示，在图1所示实施例的基础上，阵列基板还包括：
平坦层6，设置在所述钝化层4远离所述薄膜晶体管2的一侧。
在一个实施例中，图1所示的钝化层4为理想情况，其上表面是较为平整的。实际上由于钝化层4下方的薄膜晶体管和光电传感器相对于基底是突出的，那么钝化层4的上表面实际会如图3所示，是非平整的。通过在钝化层4上进一步形成平坦层6，可以保证整体结构的上表面较为平整，以便在其上进一步形成其他结构。
可选地，所述光电传感器包括之下至少一种：
光电二极管、光电三极管、光电晶体管。
用户可以根据实际需要选择光电二极管和/或光电三极管作为光电传感器来感应指纹。
本公开还提出了一种显示面板，包括上述阵列基板。
图4是根据一示例性实施例示出的一种显示面板的结构示意图。如图4所示，其中简化地示意了薄膜晶体管2和光电传感器3的结构，该显示面板包括上述阵列基板，还包括：
彩膜基板，与所述阵列基板相对设置；
其中，在所述彩膜基板中设置有黑矩阵7，所述光电传感器3与所述黑矩阵7相对设置；
液晶层8，设置在所述阵列基板和所述彩膜基板之间。
在一个实施例中，彩膜基板除了包括黑矩阵，还包括设置在黑矩阵之间的色阻区，每个色阻区分别填充相应颜色的色阻材料，例如可以包括红色色阻区、绿色色阻区和蓝色色阻区，进一步还可以包括白色色阻区。
图5是根据一示例性实施例示出的另一种显示面板的结构示意图。如图5所示，显示面板可以包括多条数据线和多条栅线，栅线和数据线交叉界定了多个子像素，其中的字符R、G、B表示子像素分别对应红、绿、蓝子像素。在图5所示的结构中，黑矩阵(图5中未示出)可以设置在数据线、栅线和/或薄膜晶体管所在的位置，相应地，光电传感器(图5中未示出)也可以设置在这些位置，从而被黑矩阵所遮挡。
在一个实施例中，黑矩阵可以与薄膜晶体管对应设置，以降低薄膜晶体管中栅极中的扫描信号对液晶的影响，在这种情况下，光电传感器可以设置在薄膜晶体管之上，从而使得薄膜晶体管、光电传感器和黑矩阵三者的位置相对应。在一个实施例中，虽然可以通过透明材料来制作光电传感器，但是光电传感器仍会降低其对应区域的透光率，从而影响显示面板的开口率。通过将光电传感器与黑矩阵对应设置，由于黑矩阵的存在使得其对应的区域不透光，因此在该区域设置光电传感器也不会进一步降低透光率，从而相对于在其他位置设置光电传感器，可以提高显示面板的开口率。
本公开还提出了一种显示装置，包括上述显示面板，还包括：
背光模组，设置在所述阵列基板远离所述彩膜基板的一侧。
在一个实施例中，背光模组可以包括导光板和设置在导光板一侧的灯条，灯条发出的光射入导光板，并经过导光板的折射和反射形成面光源射向显示面板。
触控模组，设置在所述彩膜基板远离所述阵列基板的一侧，或设置在所述阵列基板与所述彩膜基板之间。
在一个实施例中，触控模组可以是自感式电容，也可以是互感式电容。当触控模组设置在所述彩膜基板远离所述阵列基板的一侧时，其结构可以是OGS结构(例如在彩膜基板外侧的保护玻璃上形成触控模组)。而当触控模组设置在所述阵列基板与所述彩膜基板之间时，其结构可以是On Cell结构(例如触控模组设置在彩膜基板一侧的偏振片和基底之间)，也可以是In Cell结构(例如触控模组设置在阵列基板上)。用户可以根据需要选择触控模组的具体结构。
可选地，上述显示装置还包括：
控制芯片，电连接于所述薄膜晶体管、所述光电传感器和所述触控模组，
其中，当所述触控模组在对应所述光电传感器的位置感应到触控信号时，向所述控制芯片传输控制信号，以控制所述光电传感器以及与所述光电传感器相对应的薄膜晶体管启动。
在一个实施例中，控制芯片可以包括第一集成电路、第二集成电路以及与上述两个集成电路分别电连接的信号生成器。
其中，信号生成器电连接于触控模组，在接收到来自触控模组的控制信号时，生成启动信号并发送至第一集成电路和第二集成电路。第一集成电路可以通过栅线与薄膜晶体管电连接，在接收到启动信号时向薄膜晶体管的栅极传输扫描信号，使得薄膜晶体管启动。而第二集成电路在接收到启动信号时，则可以通过与光电传感器相连的布线控制光电传感器启动。从而在用户对光电传感器对应的位置进行触控时，触发对用户指纹的识别操作。
在一个实施例中，通过一块控制芯片同时连接薄膜晶体管和光电传感器，可以通过该控制芯片来向所述薄膜晶体管传输扫描信号，以及根据所述电信号确定指纹信息，使得连接至薄膜晶体管的第一布线和连接至光电传感器的第二布线可以从一个芯片引出，便于将第一布线和第二布线平行设置，减少第一布线和第二布线的交叉，从而降低形成布线的复杂度。
其中，控制芯片可以是COG(Chip On Glass，玻璃衬底芯片)，也即将控制芯片直接形成在阵列基板的基底上，以便降低阵列基板所在显示装置的体积。
可选地，上述显示装置还包括：
数据线和像素电极，所述薄膜晶体管电连接于所述数据线和所述像素电极，所述数据线通过所述薄膜晶体管向所述像素电极传输数据信号；
其中，所述控制芯片在接收到所述控制信号时，调整与所述光电传感器对应的数据线传输的数据信号，以使从所述背光源射出的光通过所述显示面板后为单色光或白光。
在一个实施例中，数据线可以电连接于薄膜晶体管的源极，而像素电极可以通过钝化层中的过孔电连接于薄膜晶体管的漏极，从而在薄膜晶体管启动(也可以称为导通)时，数据线上的数据信号可以通过源极、有源层和漏极传输至像素电极。
在一个实施例中，由于光电传感器感应的光线是从导光板射入显示面板，并通过显示面板射向手指，再由手指反射到光电传感器的光线。而光电传感器对于不同颜色光感应生成的电流是不同的，因此当从显示面板射向手指的光是非白光的混合色光时，经过显示面板中的材料的分光作用，可能导致光电传感器不同区域接收到的反射光线的颜色不同，从而使得光电传感器产生不稳定的电流，影响检测结果。
而当从显示面板射向手指的光是白光时，即使经过显示面板中的材料的分光作用，最终到达光电传感器的光线仍会混合为白色光。当从显示面板射向手指的光是单色光时，其传播过程中并不会发生分光作用，最终到达光电传感器的光线仍会为该单色光。
从而控制芯片通过在接收到所述控制信号时调整数据信号，可以调整像素电极的电压，以改变光电传感器位置的液晶的偏转程度，使得该位置的红色子像素、绿色子像素、蓝色子像素全部开启，进而从背光模组射入显示面板的白光能够全部射出，并在透过显示面板后仍为白光，进而经过用户手指反射的光线也为白光，入射到光电传感器的光也为白光；或者使得仅有单色子像素开启，例如红色子像素开启，从而仅有该区域的白光能够通过，而白光经过红色色阻材料的滤光，只会剩下红光射出，从而射出显示面板的光为单色的红光，进而经过用户手指反射的光线也为红光，入射到光电传感器的光也为白光。
可选地，上述显示装置还包括：
状态检测单元，被配置为检测所述显示装置的工作状态，将检测到的工作状态传输至所述触控模组；
其中，所述触控模组在对应所述光电传感器的位置感应到触控信号时，确定所述显示装置是否处于待识别指纹的状态，若处于待识别指纹的状态，向所述控制芯片传输控制信号。
由于光电传感器设置在阵列基板中，也即位于显示面板的有效显示区域，因此用户在进行非指纹识别操作时，也可能点击到光电传感器对应的区域，而在这种情况下如果将光电传感器启动，则会造成电量浪费。
在一个实施例中，通过进一步检测显示装置的工作状态，可以在用户点击到光电传感器对应位置时，确定显示装置是否处于待识别指纹的状态，其中待识别指纹状态可包括锁屏状态、验证指纹付款状态等，而在显示装置处于该状态时，可以确定用户点击光电传感器对应位置的操作是进行指纹识别，进而再启动光电传感器可以有效地避免电量浪费和开关光电传感器造成的损耗。
可选地，上述显示装置还包括：
第一芯片，电连接于所述光电传感器和所述触控模组；
第二芯片，电连接于所述薄膜晶体管和所述触控模组；
其中，当所述触控模组在对应所述光电传感器的位置感应到触控信号时，向所述第一芯片和所述第二芯片分别传输控制信号，以使所述第一芯片控制所述光电传感器启动，以及使所述第二芯片控制与所述光电传感器相对应的薄膜晶体管启动。
在一个实施例中，可以通过不同的芯片分别向薄膜晶体管传输传输扫描信号以及处理光电传感器的电信号，相对于上述通过一个控制芯片向薄膜晶体管传输扫描信号以及根据处理光电传感器的电信号的实施例，第一芯片和第二芯片的由于分别实现部分功能，因此结构较为简单，易于制作。
具体通过不同的芯片分别连接薄膜晶体管和光电传感器，还是通过一个芯片同时连接薄膜晶体管和光电传感器，可以根据工艺需求进行调整。
与前述的阵列基板的实施例相对应，本公开还提供了阵列基板的制作方法的实施例。
图6是根据一示例性实施例示出的一种阵列基板的制作方法的示意流程图。如图6所示，该制作方法包括以下步骤：
在步骤S61中，在基底的一侧的第一区域，通过图案化工艺形成薄膜晶体管。
在步骤S62中，在所述基底的一侧的第二区域，通过图案化工艺形成用于识别指纹的光电传感器。
在步骤S63中，在所述薄膜晶体管和所述光电传感器远离所述基底的一侧形成钝化层。
在一个实施例中，若光电传感器也形成在基底上，那么步骤S61和步骤S62的可以同时执行，也即在形成薄膜晶体管的同时形成光电传感器。若光电传感器形成在薄膜晶体管之上，那么可以先执行步骤S61再执行步骤S62，并且在薄膜晶体管之上还可以进一步设置绝缘层，以将薄膜晶体管中的源极和漏极与光电传感器相绝缘。
图7是根据一示例性实施例示出的另一种阵列基板的制作方法的示意流程图。如图7所示，在图6所示实施例的基础上，上述制作方法还包括：
在步骤S64中，在所述钝化层远离所述薄膜晶体管的一侧形成平坦层。
关于上述实施例中的制作方法，其中各个步骤的具体方式已经在相关阵列基板的实施例中进行了详细描述，此处将不做详细阐述说明。
图8是根据一示例性实施例示出的一种显示装置800的框图。例如，装置800可以是移动电话，计算机，数字广播终端，消息收发设备，游戏控制台，平板设备，医疗设备，健身设备，个人数字助理等。
参照图8，装置800可以包括以下一个或多个组件：处理组件802，存储器804，电源组件808，多媒体组件808，音频组件810，输入/输出(I/O)的接口812，传感器组件814，以及通信组件818，还可以包括阵列基板，所述阵列基板包括：基底；薄膜晶体管，设置在所述基底的一侧；光电传感器，设置在所述薄膜晶体管远离所述基底的一侧，用于识别指纹；钝化层，设置在所述薄膜晶体管未设置所述光电传感器的区域，以及所述光电传感器远离所述薄膜晶体管的一侧。
处理组件802通常控制装置800的整体操作，诸如与显示，电话呼叫，数据通信，相机操作和记录操作相关联的操作。处理组件802可以包括一个或多个处理器820来执行指令。此外，处理组件802可以包括一个或多个模块，便于处理组件802和其他组件之间的交互。例如，处理组件802可以包括多媒体模块，以方便多媒体组件808和处理组件802之间的交互。
存储器804被配置为存储各种类型的数据以支持在装置800的操作。这些数据的示例包括用于在装置800上操作的任何应用程序，联系人数据，电话簿数据，消息，图片，视频等。存储器804可以由任何类型的易失性或非易失性存储设备或者它们的组合实现，如静态随机存取存储器(SRAM)，电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)，可擦除可编程只读存储器(EPROM)，可编程只读存储器(PROM)，只读存储器(ROM)，磁存储器，快闪存储器，磁盘或光盘。
电源组件808为装置800的各种组件提供电力。电源组件808可以包括电源管理系统，一个或多个电源，及其他与为装置800生成、管理和分配电力相关联的组件。
多媒体组件808包括在所述装置800和用户之间的提供一个输出接口的屏幕。在一些实施例中，屏幕可以包括液晶显示器(LCD)和触摸面板(TP)。如果屏幕包括触摸面板，屏幕可以被实现为触摸屏，以接收来自用户的输入信号。触摸面板包括一个或多个触摸传感器以感测触摸、滑动和触摸面板上的手势。所述触摸传感器可以不仅感测触摸或滑动动作的边界，而且还检测与所述触摸或滑动操作相关的持续时间和压力。在一些实施例中，多媒体组件808包括一个前置摄像头和/或后置摄像头。当装置800处于操作模式，如拍摄模式或视频模式时，前置摄像头和/或后置摄像头可以接收外部的多媒体数据。每个前置摄像头和后置摄像头可以是一个固定的光学透镜系统或具有焦距和光学变焦能力。
音频组件810被配置为输出和/或输入音频信号。例如，音频组件810包括一个麦克风(MIC)，当装置800处于操作模式，如呼叫模式、记录模式和语音识别模式时，麦克风被配置为接收外部音频信号。所接收的音频信号可以被进一步存储在存储器804或经由通信组件818发送。在一些实施例中，音频组件810还包括一个扬声器，用于输出音频信号。
I/O接口812为处理组件802和外围接口模块之间提供接口，上述外围接口模块可以是键盘，点击轮，按钮等。这些按钮可包括但不限于：主页按钮、音量按钮、启动按钮和锁定按钮。
传感器组件814包括一个或多个传感器，用于为装置800提供各个方面的状态评估。例如，传感器组件814可以检测到装置800的打开/关闭状态，组件的相对定位，例如所述组件为装置800的显示器和小键盘，传感器组件814还可以检测装置800或装置800一个组件的位置改变，用户与装置800接触的存在或不存在，装置800方位或加速/减速和装置800的温度变化。传感器组件814可以包括接近传感器，被配置用来在没有任何的物理接触时检测附近物体的存在。传感器组件814还可以包括光传感器，如CMOS或CCD图像传感器，用于在成像应用中使用。在一些实施例中，该传感器组件814还可以包括加速度传感器，陀螺仪传感器，磁传感器，压力传感器或温度传感器。
通信组件818被配置为便于装置800和其他设备之间有线或无线方式的通信。装置800可以接入基于通信标准的无线网络，如WiFi，2G或3G，或它们的组合。在一个示例性实施例中，通信组件818经由广播信道接收来自外部广播管理系统的广播信号或广播相关信息。在一个示例性实施例中，所述通信组件818还包括近场通信(NFC)模块，以促进短程通信。例如，在NFC模块可基于射频识别(RFID)技术，红外数据协会(IrDA)技术，超宽带(UWB)技术，蓝牙(BT)技术和其他技术来实现。
在示例性实施例中，装置800可以被一个或多个应用专用集成电路(ASIC)、数字信号处理器(DSP)、数字信号处理设备(DSPD)、可编程逻辑器件(PLD)、现场可编程门阵列(FPGA)、控制器、微控制器、微处理器或其他电子元件实现。
在示例性实施例中，还提供了一种包括指令的非临时性计算机可读存储介质，例如包括指令的存储器804，上述指令可由装置800的处理器820执行。例如，所述非临时性计算机可读存储介质可以是ROM、随机存取存储器(RAM)、CD-ROM、磁带、软盘和光数据存储设备等。
本领域技术人员在考虑说明书及实践这里公开的公开后，将容易想到本公开的其它实施方案。本申请旨在涵盖本公开的任何变型、用途或者适应性变化，这些变型、用途或者适应性变化遵循本公开的一般性原理并包括本公开未公开的本技术领域中的公知常识或惯用技术手段。说明书和实施例仅被视为示例性的，本公开的真正范围和精神由下面的权利要求指出。
应当理解的是，本公开并不局限于上面已经描述并在附图中示出的精确结构，并且可以在不脱离其范围进行各种修改和改变。本公开的范围仅由所附的权利要求来限制。

Claims (13)

1.一种阵列基板，其特征在于，包括：
基底；
薄膜晶体管，设置在所述基底的一侧的第一区域；
光电传感器，设置在所述基底的一侧的第二区域，用于识别指纹；
钝化层，设置在所述薄膜晶体管和所述光电传感器远离所述基底的一侧。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，还包括：
平坦层，设置在所述钝化层远离所述薄膜晶体管的一侧。
3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述光电传感器包括之下至少一种：
光电二极管、光电三极管、光电晶体管。
4.一种显示面板，其特征在于，包括权利要求1至3中任一项所述的阵列基板。
5.根据权利要求4所述的显示面板，其特征在于，还包括：
彩膜基板，与所述阵列基板相对设置；
其中，在所述彩膜基板中设置有黑矩阵，所述光电传感器与所述黑矩阵相对设置；
液晶层，设置在所述阵列基板和所述彩膜基板之间。
6.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求4或5所述的显示面板，还包括：
背光模组，设置在所述阵列基板远离所述彩膜基板的一侧；
触控模组，设置在所述彩膜基板远离所述阵列基板的一侧，或设置在所述阵列基板与所述彩膜基板之间。
7.根据权利要求6所述的显示装置，其特征在于，还包括：
控制芯片，电连接于所述薄膜晶体管、所述光电传感器和所述触控模组，
其中，当所述触控模组在对应所述光电传感器的位置感应到触控信号时，向所述控制芯片传输控制信号，以控制所述光电传感器以及与所述光电传感器相对应的薄膜晶体管启动。
8.根据权利要求7所述的显示装置，其特征在于，还包括：
数据线和像素电极，所述薄膜晶体管电连接于所述数据线和所述像素电极，所述数据线通过所述薄膜晶体管向所述像素电极传输数据信号；
其中，所述控制芯片在接收到所述控制信号时，调整与所述光电传感器对应的数据线传输的数据信号，以使从所述背光源射出的光通过所述显示面板后为单色光或白光。
9.根据权利要求7所述的显示装置，其特征在于，还包括：
状态检测单元，被配置为检测所述显示装置的工作状态，将检测到的工作状态传输至所述触控模组；
其中，所述触控模组在对应所述光电传感器的位置感应到触控信号时，确定所述显示装置是否处于待识别指纹的状态，若处于待识别指纹的状态，向所述控制芯片传输控制信号。
10.根据权利要求6所述的显示装置，其特征在于，还包括：
第一芯片，电连接于所述光电传感器和所述触控模组；
第二芯片，电连接于所述薄膜晶体管和所述触控模组；
其中，当所述触控模组在对应所述光电传感器的位置感应到触控信号时，向所述第一芯片和所述第二芯片分别传输控制信号，以使所述第一芯片控制所述光电传感器启动，以及使所述第二芯片控制与所述光电传感器相对应的薄膜晶体管启动。
11.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：
在基底的一侧的第一区域，通过图案化工艺形成薄膜晶体管；
在所述基底的一侧的第二区域，通过图案化工艺形成用于识别指纹的光电传感器；
在所述薄膜晶体管和所述光电传感器远离所述基底的一侧形成钝化层。
12.根据权利要求11所述的制作方法，其特征在于，还包括：
在所述钝化层远离所述薄膜晶体管的一侧形成平坦层。
13.一种电子设备，其特征在于，包括：
处理器；
用于存储处理器可执行指令的存储器；
其中，所述电子设备还包括显示装置，所述显示装置包括阵列基板，所述阵列基板包括：
基底；
薄膜晶体管，设置在所述基底的一侧的第一区域；
光电传感器，设置在所述基底的一侧的第二区域，用于识别指纹；
钝化层，设置在所述薄膜晶体管和所述光电传感器远离所述基底的一侧。
CN201610875980.9A 2016-09-14 2016-09-30 阵列基板及其制作方法、显示面板、显示装置和电子设备 Pending CN106970495A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201610827550 2016-09-14
CN201610827550X 2016-09-14

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN106970495A true CN106970495A (zh) 2017-07-21

Family

ID=59334765

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201610875980.9A Pending CN106970495A (zh) 2016-09-14 2016-09-30 阵列基板及其制作方法、显示面板、显示装置和电子设备

Country Status (7)

Country Link
US (1) US20180076256A1 (zh)
EP (1) EP3352221A3 (zh)
JP (1) JP2018533749A (zh)
KR (1) KR20180125170A (zh)
CN (1) CN106970495A (zh)
RU (2) RU2710515C2 (zh)
WO (1) WO2018049745A1 (zh)

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107657238A (zh) * 2017-09-29 2018-02-02 联想(北京)有限公司 一种指纹采集方法以及电子设备
CN108169943A (zh) * 2018-01-30 2018-06-15 武汉华星光电技术有限公司 液晶显示器
CN109145775A (zh) * 2018-08-02 2019-01-04 武汉华星光电技术有限公司 显示面板及显示装置
CN109215604A (zh) * 2018-11-07 2019-01-15 京东方科技集团股份有限公司 显示装置及其纹路识别方法、实现该方法的产品、纹路识别器件
CN109375412A (zh) * 2018-11-30 2019-02-22 武汉华星光电技术有限公司 液晶显示面板及液晶显示装置
CN109670466A (zh) * 2018-12-25 2019-04-23 厦门天马微电子有限公司 显示面板及其驱动方法和显示装置
CN110020644A (zh) * 2017-12-29 2019-07-16 乐金显示有限公司 指纹感测显示设备
CN110350012A (zh) * 2019-07-12 2019-10-18 广州新视界光电科技有限公司 一种显示面板的制作方法
WO2020034268A1 (zh) * 2018-08-17 2020-02-20 武汉华星光电技术有限公司 触控感应方法及其设备
CN111279357A (zh) * 2017-10-31 2020-06-12 指纹卡有限公司 控制电子装置的方法
CN111373313A (zh) * 2017-09-28 2020-07-03 深圳传音通讯有限公司 显示面板组件、移动终端、图像的生成方法和存储介质
WO2022047963A1 (zh) * 2020-09-03 2022-03-10 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 传感器组件及显示装置

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106815573B (zh) * 2017-01-06 2019-11-19 武汉华星光电技术有限公司 显示屏及电子装置
CN108335631B (zh) * 2018-03-30 2020-03-13 上海天马微电子有限公司 一种显示面板和显示装置
TWI734138B (zh) * 2018-07-10 2021-07-21 昇佳電子股份有限公司 接近感測器及接近感測方法
CN108898955A (zh) * 2018-07-31 2018-11-27 武汉天马微电子有限公司 一种显示面板及显示装置
JP7240151B2 (ja) * 2018-11-22 2023-03-15 株式会社ジャパンディスプレイ 検出装置及び表示装置
CN109801569B (zh) * 2019-03-28 2020-07-28 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板、其制作方法及显示装置
CN109948578B (zh) * 2019-03-28 2021-07-16 联想(北京)有限公司 控制方法、控制装置和电子设备
CN110046610B (zh) * 2019-04-28 2021-05-28 云谷（固安）科技有限公司 一种指纹识别显示装置及其制备方法、显示设备
DE112020001820T5 (de) * 2019-08-27 2022-01-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Halbleitervorrichtung und Herstellungsverfahren dafür
US10884273B1 (en) * 2019-09-05 2021-01-05 Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. Display panel comprising a photosensitive component that receives reflected light of a fingerprint and is connected to an underside of a second thin film transistor layer and display device
US11842002B2 (en) 2019-10-04 2023-12-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
US20230157123A1 (en) * 2020-04-16 2023-05-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device, display module, electronic device, and vehicle
CN111766974A (zh) * 2020-06-12 2020-10-13 惠州市华星光电技术有限公司 触控面板及触控显示装置
CN113314560B (zh) * 2021-05-26 2023-12-01 常州大学 搭载图像传感功能的基于vdmos器件的三极管显示器

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101285975A (zh) * 2008-06-06 2008-10-15 友达光电股份有限公司 光感测单元及具此光感测单元的像素结构与液晶显示面板
CN105095883A (zh) * 2015-08-28 2015-11-25 京东方科技集团股份有限公司 一种显示面板及其指纹识别的控制方法
CN105184247A (zh) * 2015-08-28 2015-12-23 京东方科技集团股份有限公司 一种指纹识别元件、其识别方法、显示器件及显示装置
US20160054844A1 (en) * 2014-08-19 2016-02-25 Pixart Imaging Inc. Touch display device and operating method thereof
CN105785617A (zh) * 2016-05-25 2016-07-20 京东方科技集团股份有限公司 一种显示装置及其驱动方法
CN105807521A (zh) * 2016-05-24 2016-07-27 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板、显示面板和显示装置

Family Cites Families (36)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100771258B1 (ko) * 2000-05-09 2007-10-29 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 본인 인증 시스템과 본인 인증 방법 및 휴대 전화 장치
KR100500692B1 (ko) * 2002-03-12 2005-07-12 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 화상 표시 모드와 지문 인식 모드를 모두 수행하는 액정디스플레이 장치
TWI272542B (en) * 2004-03-26 2007-02-01 Casio Computer Co Ltd A device for reading image, and system for reading image with device for reading image
JP4789515B2 (ja) * 2004-06-10 2011-10-12 三星電子株式会社 表示装置及びその駆動方法
US7924269B2 (en) * 2005-01-04 2011-04-12 Tpo Displays Corp. Display devices and methods forming the same
JP2006267967A (ja) * 2005-03-25 2006-10-05 Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd 平面表示装置
KR100663437B1 (ko) * 2005-11-01 2007-01-02 삼성전자주식회사 지문 인식 센서를 이용한 원격 입력 방법
KR101211345B1 (ko) * 2005-12-14 2012-12-11 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치 및 그 제조방법
JP2007310628A (ja) * 2006-05-18 2007-11-29 Hitachi Displays Ltd 画像表示装置
EP2027528B1 (en) * 2006-06-09 2012-08-01 Apple Inc. Touch screen liquid crystal display
JP4809783B2 (ja) * 2007-01-26 2011-11-09 株式会社 日立ディスプレイズ タッチパネル付き表示モジュール
JP5029048B2 (ja) * 2007-02-08 2012-09-19 カシオ計算機株式会社 光電変換装置及びそれを備えた表示パネル
JP4978224B2 (ja) * 2007-02-08 2012-07-18 カシオ計算機株式会社 光電変換装置及びそれを備えた表示パネル
JP5111327B2 (ja) * 2008-10-16 2013-01-09 株式会社ジャパンディスプレイウェスト 表示撮像装置および電子機器
WO2010084640A1 (ja) * 2009-01-20 2010-07-29 シャープ株式会社 エリアセンサ、およびエリアセンサ付き液晶表示装置
WO2010116556A1 (ja) * 2009-03-30 2010-10-14 シャープ株式会社 表示装置および表示装置の駆動方法
KR101678812B1 (ko) * 2010-05-06 2016-11-23 엘지전자 주식회사 휴대 단말기 및 그 동작 제어방법
TWI408437B (zh) * 2010-09-09 2013-09-11 液晶顯示器
JP2012174937A (ja) * 2011-02-22 2012-09-10 Sony Corp 半導体装置、半導体装置の製造方法、半導体ウエハの貼り合わせ方法及び電子機器
JP2013044867A (ja) * 2011-08-23 2013-03-04 Samsung Yokohama Research Institute Co Ltd タッチセンサ及びタッチセンサ内蔵液晶ディスプレイ
US9110320B2 (en) * 2012-08-14 2015-08-18 Apple Inc. Display with bent inactive edge regions
CN102955635B (zh) * 2012-10-15 2015-11-11 北京京东方光电科技有限公司 一种电容式内嵌触摸屏及显示装置
KR101376227B1 (ko) * 2013-09-17 2014-03-25 실리콘 디스플레이 (주) 광학식 지문센서
KR101407936B1 (ko) * 2013-09-27 2014-06-17 실리콘 디스플레이 (주) 광학식 박막 트랜지스터형 지문센서
US20150109214A1 (en) * 2013-10-22 2015-04-23 Weidong Shi Methods and Apparatuses of touch-fingerprinting Display
CN204203576U (zh) * 2014-10-09 2015-03-11 群创光电股份有限公司 显示装置
US9891746B2 (en) * 2014-11-12 2018-02-13 Crucialtec Co., Ltd. Display apparatus capable of image scanning and driving method thereof
KR102242652B1 (ko) * 2014-11-18 2021-04-21 엘지디스플레이 주식회사 포토 센싱 화소를 갖는 표시 장치
US20180017821A1 (en) * 2015-02-24 2018-01-18 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display device with touch sensor
CN104699320B (zh) * 2015-04-01 2018-08-21 上海天马微电子有限公司 一种阵列基板、彩膜基板以及触摸显示装置
CN104850292B (zh) * 2015-06-01 2017-09-29 京东方科技集团股份有限公司 一种内嵌式触摸屏、其驱动方法及显示装置
CN105139793A (zh) * 2015-08-28 2015-12-09 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板、其驱动方法、显示面板及显示装置
CN105184282B (zh) * 2015-10-14 2019-04-23 京东方科技集团股份有限公司 光学指纹检测装置及显示设备
CN105334657B (zh) * 2015-11-26 2019-12-03 小米科技有限责任公司 液晶显示组件及电子设备
CN105678255B (zh) * 2016-01-04 2019-01-08 京东方科技集团股份有限公司 一种光学式指纹识别显示屏及显示装置
CN105867696B (zh) * 2016-06-03 2020-11-17 京东方科技集团股份有限公司 一种触控显示面板、柔性显示面板以及显示装置

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101285975A (zh) * 2008-06-06 2008-10-15 友达光电股份有限公司 光感测单元及具此光感测单元的像素结构与液晶显示面板
US20160054844A1 (en) * 2014-08-19 2016-02-25 Pixart Imaging Inc. Touch display device and operating method thereof
CN105095883A (zh) * 2015-08-28 2015-11-25 京东方科技集团股份有限公司 一种显示面板及其指纹识别的控制方法
CN105184247A (zh) * 2015-08-28 2015-12-23 京东方科技集团股份有限公司 一种指纹识别元件、其识别方法、显示器件及显示装置
CN105807521A (zh) * 2016-05-24 2016-07-27 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板、显示面板和显示装置
CN105785617A (zh) * 2016-05-25 2016-07-20 京东方科技集团股份有限公司 一种显示装置及其驱动方法

Cited By (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111373313A (zh) * 2017-09-28 2020-07-03 深圳传音通讯有限公司 显示面板组件、移动终端、图像的生成方法和存储介质
CN111373313B (zh) * 2017-09-28 2023-06-16 深圳传音通讯有限公司 显示面板组件、移动终端、图像的生成方法和存储介质
US10679031B2 (en) 2017-09-29 2020-06-09 Lenovo (Beijing) Co., Ltd. Fingerprint acquisition method and electronic device thereof
CN107657238A (zh) * 2017-09-29 2018-02-02 联想(北京)有限公司 一种指纹采集方法以及电子设备
CN111279357B (zh) * 2017-10-31 2023-10-13 指纹卡安娜卡敦知识产权有限公司 控制电子装置的方法
CN111279357A (zh) * 2017-10-31 2020-06-12 指纹卡有限公司 控制电子装置的方法
CN110020644B (zh) * 2017-12-29 2023-09-01 乐金显示有限公司 指纹感测显示设备
CN110020644A (zh) * 2017-12-29 2019-07-16 乐金显示有限公司 指纹感测显示设备
US11024239B2 (en) 2018-01-30 2021-06-01 Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. Liquid crystal display
CN108169943A (zh) * 2018-01-30 2018-06-15 武汉华星光电技术有限公司 液晶显示器
CN108169943B (zh) * 2018-01-30 2020-09-01 武汉华星光电技术有限公司 液晶显示器
CN109145775B (zh) * 2018-08-02 2021-02-26 武汉华星光电技术有限公司 显示面板及显示装置
CN109145775A (zh) * 2018-08-02 2019-01-04 武汉华星光电技术有限公司 显示面板及显示装置
WO2020034268A1 (zh) * 2018-08-17 2020-02-20 武汉华星光电技术有限公司 触控感应方法及其设备
CN109215604A (zh) * 2018-11-07 2019-01-15 京东方科技集团股份有限公司 显示装置及其纹路识别方法、实现该方法的产品、纹路识别器件
US11386692B2 (en) 2018-11-07 2022-07-12 Boe Technology Group Co., Ltd. Display panel, display apparatus, texture recognition method and electronic device
CN109375412A (zh) * 2018-11-30 2019-02-22 武汉华星光电技术有限公司 液晶显示面板及液晶显示装置
US11366350B2 (en) 2018-11-30 2022-06-21 Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. Liquid crystal display panel and liquid crystal display device
CN109670466A (zh) * 2018-12-25 2019-04-23 厦门天马微电子有限公司 显示面板及其驱动方法和显示装置
CN110350012A (zh) * 2019-07-12 2019-10-18 广州新视界光电科技有限公司 一种显示面板的制作方法
WO2022047963A1 (zh) * 2020-09-03 2022-03-10 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 传感器组件及显示装置
US11775122B2 (en) 2020-09-03 2023-10-03 Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Sensor module and display device

Also Published As

Publication number Publication date
RU2676792C1 (ru) 2019-01-11
WO2018049745A1 (zh) 2018-03-22
KR20180125170A (ko) 2018-11-22
EP3352221A3 (en) 2018-11-28
JP2018533749A (ja) 2018-11-15
RU2710515C2 (ru) 2019-12-26
EP3352221A2 (en) 2018-07-25
RU2018136573A3 (zh) 2019-05-29
RU2018136573A (ru) 2019-03-22
US20180076256A1 (en) 2018-03-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN106970495A (zh) 阵列基板及其制作方法、显示面板、显示装置和电子设备
CN107886040A (zh) 显示装置及其控制方法和控制组件以及电子设备
CN107886038A (zh) 显示装置和电子设备
CN107886037A (zh) 显示装置和电子设备
CN107885002A (zh) 显示面板、显示装置、阵列基板的制作方法和电子设备
US10268861B2 (en) Screen module, fingerprint acquisition method, and electronic device
CN107885361A (zh) 显示装置和电子设备
US10002283B2 (en) Mobile device and screen module thereof, method and apparatus for acquiring fingerprint and electronic device
CN207217536U (zh) 阵列基板及移动终端
CN106815508B (zh) 移动设备及其屏幕模组、指纹认证方法、装置及电子设备
CN103699825A (zh) 显示设备和用于操作显示设备的方法
CN107884968A (zh) 阵列基板及其制作方法、显示面板、显示装置和电子设备
CN105657173A (zh) 音量调节方法、装置及移动终端
CN109917958A (zh) 触控面板、触控显示装置和触控面板的驱动控制方法
CN107886031A (zh) 显示装置和电子设备
CN106356394A (zh) 显示基板及其制作方法和电子设备
CN106372625A (zh) 显示基板及其制作方法和电子设备
CN105487805A (zh) 对象操作方法及装置
CN106503599A (zh) 显示方法及装置、电子设备
CN106817608A (zh) 实现局部显示的方法及装置
WO2023186011A1 (zh) 图像显示方法、装置及电子设备
CN107153448A (zh) 显示模组及其控制方法、电子设备和计算机可读存储介质
CN107168567A (zh) 应用程序处理方法、装置及终端电子设备
CN106383609B (zh) 显示面板和电子设备
CN112905100B (zh) 液晶显示屏及其控制方法、电子设备

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20170721

RJ01 Rejection of invention patent application after publication