CN106356394A - 显示基板及其制作方法和电子设备 - Google Patents

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Abstract

本公开是关于一种显示基板及其制作方法和电子设备，该显示基板包括：基底；薄膜晶体管，形成在所述基底的一侧；有机发光层，形成在所述薄膜晶体管远离所述基底的一侧；触控电极层，形成在所述有机发光层中。根据本公开的技术方案，通过将触控电极层形成在有机发光层中，可以提高显示基板的集成度，并且由于有机发光层的面积可以设置的较大，甚至可以设置在薄膜晶体管的正上方，从而在其中形成触控电极层，便于将触控电极层也设置的较大，进而感应更大范围内的触控信号。

Description

显示基板及其制作方法和电子设备
技术领域
本公开涉及终端技术领域，尤其涉及一种显示基板、一种显示基板的制作方法和一种电子设备。
背景技术
随着触控功能的应用越来越广泛，用于识别触控操作的触控电极的结构也越来越多样化，以便设置在显示装置的不同位置。但是目前的多数触控电极仍然独立于显示装置制作，与显示装置的集成度较低，导致工艺流程较为繁琐，产品占用空间较大。
发明内容
本公开提供一种显示基板及其制作方法和电子设备，以解决相关技术中的不足。
根据本公开实施例的第一方面，提供一种显示基板，包括：
基底；
薄膜晶体管，形成在所述基底的一侧；
有机发光层，形成在所述薄膜晶体管远离所述基底的一侧；
触控电极层，形成在所述有机发光层中。
可选地，所述有机发光层包括：
阳极层，形成在所述薄膜晶体管远离所述基底的一侧；
空穴注入层，形成在所述阳极层远离所述薄膜晶体管的一侧；
空穴传输层，形成在所述空穴注入层远离所述阳极层的一侧；
有机材料层，形成在所述空穴传输层远离所述空穴注入层的一侧；
电子传输层，形成在所述有机材料层远离所述空穴传输层的一侧；
电子注入层，形成在所述电子传输层远离所述有机材料层的一侧；
阴极层，形成在所述电子注入层远离所述电子传输层的一侧。
阳极层，所述触控电极层形成在所述阳极层和空穴注入层之间，或所述空穴注入层和空穴传输层之间，或所述空穴传输层和有机材料层之间，或所述有机材料层和电子传输层之间，或所述电子传输层和电子注入层之间，或所述电子注入层和阴极层之间。
可选地，上述显示基板还包括：
绝缘层，设置在所述触控电极层和与其相邻的层结构之间。
可选地，所述触控电极层为自感式电容。
根据本公开实施例的第二方面，提供一种显示基板制作方法，包括：
在基底上形成薄膜晶体管；
在所述薄膜晶体管远离所述基底的一侧形成有机发光层；
其中，在形成所述有机发光层时，在所述有机发光层中形成触控电极层。
可选地，在所述薄膜晶体管远离所述基底的一侧形成有机发光层包括：
在所述薄膜晶体管远离所述基底的一侧形成阳极层；
在所述阳极层远离所述薄膜晶体管的一侧形成空穴注入层；
在所述空穴注入层远离所述阳极层的一侧形成空穴传输层；
在所述空穴传输层远离所述空穴注入层的一侧形成有机材料层；
在所述有机材料层远离所述空穴传输层的一侧形成电子传输层；
在所述电子传输层远离所述有机材料层的一侧形成电子注入层；
在所述电子注入层远离所述电子传输层的一侧形成阴极层。
可选地，在所述有机发光层中形成触控电极层包括：
在所述阳极层和空穴注入层之间形成所述触控电极层；
或在所述空穴注入层和空穴传输层之间形成所述触控电极层；
或在所述空穴传输层和有机材料层之间形成所述触控电极层；
或在所述有机材料层和电子传输层之间形成所述触控电极层；
或在所述电子传输层和电子注入层之间形成所述触控电极层；
或在所述电子注入层和阴极层之间形成所述触控电极层。
可选地，上述制作方法还包括：
在所述触控电极层和与其相邻的层结构之间形成绝缘层。
可选地，所述触控电极层为自感式电容。
根据本公开实施例的第三方面，提供一种电子设备，包括：
处理器；
用于存储处理器可执行指令的存储器；
其中，所述电子设备还包括显示基板，所述显示基板包括：
基底；
薄膜晶体管，形成在所述基底的一侧；
有机发光层，形成在所述薄膜晶体管远离所述基底的一侧；
触控电极层，形成在所述有机发光层中。
本公开的实施例提供的技术方案可以包括以下有益效果：
由上述实施例可知，本公开通过将触控电极层形成在有机发光层中，可以提高显示基板的集成度，并且由于有机发光层的面积可以设置的较大，甚至可以设置在薄膜晶体管的正上方，从而在其中形成触控电极层，便于将触控电极层也设置的较大，进而感应更大范围内的触控信号。
应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本公开。
附图说明
此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本公开的实施例，并与说明书一起用于解释本公开的原理。
图1是根据一示例性实施例示出的一种显示基板的结构示意图。
图2是根据一示例性实施例示出的一种有机发光层的结构示意图。
图3是根据一示例性实施例示出的另一种有机发光层的结构示意图。
图4是根据一示例性实施例示出的一种显示基板制作方法的示意流程图。
图5是根据一示例性实施例示出的另一种显示基板制作方法的示意流程图。
图6是根据一示例性实施例示出的又一种显示基板制作方法的示意流程图。
图7是根据一示例性实施例示出的一种显示装置的结构示意图。
具体实施方式
这里将详细地对示例性实施例进行说明，其示例表示在附图中。下面的描述涉及附图时，除非另有表示，不同附图中的相同数字表示相同或相似的要素。以下示例性实施例中所描述的实施方式并不代表与本公开相一致的所有实施方式。相反，它们仅是与如所附权利要求书中所详述的、本公开的一些方面相一致的装置和方法的例子。
图1是根据一示例性实施例示出的一种显示基板的结构示意图，如图1所示，显示基板包括：
基底1。
在一个实施例中，基底的材料可以是玻璃。而在该显示基板适用于柔性显示装置时，那么基底的材料可以柔性树脂。
薄膜晶体管2，形成在所述基底1的一侧。
在一个实施例中，如图2所示，薄膜晶体管2可以包括栅极21、有源层22、源极23和漏极24等结构，在栅极21和有源层22之间还可以设置有栅绝缘层5。
有机发光层3，形成在所述薄膜晶体管2远离所述基底1的一侧。
在一个实施例中，有机发光层形成在薄膜晶体远离基底的一侧是指有机发光层是在形成薄膜晶体管之后形成的，在有机发光层3与薄膜晶体管2之间可以设置有钝化层6，有机发光层3通过钝化层6中的过孔与薄膜晶体管电连接。其中，可以通过图案化工艺形成薄膜晶体管，可以通过蒸镀工艺形成有机发光层。
需要说明的是，图1中有机发光层与薄膜晶体管的尺寸和位置关系仅是一种示意，可以根据需要进行调整，例如增大有机发光层的面积，以使薄膜晶体管的上方也存在有机发光层。并且在有机发光层构成的子像素和子像素之间还可以设置有像素界定层，对此，本公开不再赘述。
触控电极层4，形成在所述有机发光层3中。
在一个实施例中，有机发光层可以包括多层结构，而触控电极层则可以形成在其中相邻的两层结构之间。其中，触控电极层可以通过图案化工艺形成，并且在显示基板中形成有与触控电极层电连接的布线，在此不再赘述。
在一个实施例中，通过将触控电极层形成在有机发光层中，可以提高显示基板的集成度，并且由于有机发光层的面积可以设置的较大，甚至可以设置在薄膜晶体管的正上方，从而在其中形成触控电极层，便于将触控电极层也设置的较大，进而感应更大范围内的触控信号。
图2是根据一示例性实施例示出的一种有机发光层的结构示意图，所述有机发光层包括：
阳极层31，形成在所述薄膜晶体管2远离所述基底1的一侧；
空穴注入层32，形成在所述阳极层31远离所述薄膜晶体管2的一侧；
空穴传输层33，形成在所述空穴注入层32远离所述阳极层31的一侧；
有机材料层34，形成在所述空穴传输层33远离所述空穴注入层32的一侧；
电子传输层35，形成在所述有机材料层34远离所述空穴传输层33的一侧；
电子注入层36，形成在所述电子传输层35远离所述有机材料层34的一侧；
阴极层37，形成在所述电子注入层36远离所述电子传输层35的一侧。
可选地，所述触控电极层形成在所述阳极层和空穴注入层之间，或所述空穴注入层和空穴传输层之间，或所述空穴传输层和有机材料层之间，或所述有机材料层和电子传输层之间，或所述电子传输层和电子注入层之间，或所述电子注入层和阴极层之间。
在一个实施例中，如图2所示，触控电极层4可以设置在空穴注入层32和空穴传输层33之间，触控电极层的具体位置可以根据需要进行设置。其中，可以为阳极层通以正电压，为阴极层通以负电压，从而形成阳极层到阴极层的电流，来自阴极层的电子依次通过电子注入层、电子传输层、有机材料层、空穴传输层、空穴注入层到达阳极层，并在经过有机材料层时激发其中的有机材料发光。
在一个实施例中，所有子像素中的有机材料层在受到激发时发出白光，那么与该显示基板对应设置的基板中需要设置彩色滤光片，例如红色滤光片、绿色滤光片和蓝色滤光片，以使在不同颜色的滤光片对应的子像素射出的光为不同的颜色，进而可以通过调整子像素的出光强度来改变对应像素的出光颜色。
在一个实施例中，不同子像素中的有机材料层在受到激发时发出不同颜色的光，例如可以分别发出红光、绿光和蓝光，以使在不同的子像素射出的光为不同颜色，进而可以通过调整子像素的出光强度来改变对应像素的出光颜色。
在一个实施例中，若显示基板应用于底发射结构的显示装置中，那么可以通过透明导电材料形成阳极，并通过反射率较高的导电材料形成阴极，以使光线能够从底部射出。若显示基板应用于顶发射结构的显示装置中，那么可以通过透明导电材料形成阴极，并通过反射率较高的导电材料形成阳极，以使光线能够从顶部射出。其中，透明导电材料可以是ITO(氧化铟锡)，反射率较高的导电材料则可以是铝、银等金属。
图3是根据一示例性实施例示出的另一种有机发光层的结构示意图，还包括：
绝缘层7，设置在所述触控电极层4和与其相邻的层结构之间。
在一个实施例中，例如在图2所示的基础上，绝缘层可以设置在触控电极层4和空穴注入层32之间，以及触控电极层4和空穴传输层33之间。由于有机发光层中的各层结构中存在由阴极层至阳极层方向的电子流，并且在与触控电极层相邻的层结构中，电子可能存在滞留的情况，从而影响触控电极层产生的触控信号，通过在触控电极层和与其相邻的层结构之间设置绝缘层，可以降低触控电极层受到其他层结构的影响，从而提高触控电极感应触控操作的准确度。
可选地，所述触控电极层为自感式电容。
在一个实施例中，当用户接触上述显示基板所在的显示装置时，阴极层会位于手指和触控电极层之间，从而对触控电极层感应生成的触控信号产生屏蔽作用，而自感式电容感应触控操作生成的触控信号强度较大，更有利于得到准确的触控结果。
与前述的显示基板的实施例相对应，本公开还提供了显示基板制作方法的实施例。
图4是根据一示例性实施例示出的一种显示基板制作方法的示意流程图，如图4所示，该制作方法包括：
在步骤S41中，在基底上形成薄膜晶体管；
在步骤S42中，在所述薄膜晶体管远离所述基底的一侧形成有机发光层；
在步骤S43中，在形成所述有机发光层时，在所述有机发光层中形成触控电极层。
图5是根据一示例性实施例示出的另一种显示基板制作方法的示意流程图，在图4所示实施例的基础上，在所述薄膜晶体管远离所述基底的一侧形成有机发光层包括：
在步骤S421中，在所述薄膜晶体管远离所述基底的一侧形成阳极层；
在步骤S422中，在所述阳极层远离所述薄膜晶体管的一侧形成空穴注入层；
在步骤S423中，在所述空穴注入层远离所述阳极层的一侧形成空穴传输层；
在步骤S424中，在所述空穴传输层远离所述空穴注入层的一侧形成有机材料层；
在步骤S425中，在所述有机材料层远离所述空穴传输层的一侧形成电子传输层；
在步骤S426中，在所述电子传输层远离所述有机材料层的一侧形成电子注入层；
在步骤S427中，在所述电子注入层远离所述电子传输层的一侧形成阴极层。
可选地，在所述有机发光层中形成触控电极层包括：
在所述阳极层和空穴注入层之间形成所述触控电极层；
或在所述空穴注入层和空穴传输层之间形成所述触控电极层；
或在所述空穴传输层和有机材料层之间形成所述触控电极层；
或在所述有机材料层和电子传输层之间形成所述触控电极层；
或在所述电子传输层和电子注入层之间形成所述触控电极层；
或在所述电子注入层和阴极层之间形成所述触控电极层。
图6是根据一示例性实施例示出的又一种显示基板制作方法的示意流程图，在图5所示实施例的基础上，上述制作方法还包括：
在步骤S44中，在所述触控电极层和与其相邻的层结构之间形成绝缘层。
需要说明的是，上述制作方法中的步骤可以根据需要调整执行顺序，例如步骤S43可以在步骤S422和步骤S423之间执行，而步骤S44可以在步骤S422与步骤S44之间，以及步骤S423与步骤S44之间执行。
可选地，所述触控电极层为自感式电容。
关于上述实施例中的制作方法，其中各个步骤的具体方式已经在相关显示基板的实施例中进行了详细描述，此处将不做详细阐述说明。
图7是根据一示例性实施例示出的一种显示装置700的框图。例如，装置700可以是移动电话，计算机，数字广播终端，消息收发设备，游戏控制台，平板设备，医疗设备，健身设备，个人数字助理等。
参照图7，装置700可以包括以下一个或多个组件：处理组件702，存储器704，电源组件706，多媒体组件708，音频组件710，输入/输出(I/O)的接口712，传感器组件714，以及通信组件716。
处理组件702通常控制装置700的整体操作，诸如与显示，电话呼叫，数据通信，相机操作和记录操作相关联的操作。处理组件702可以包括一个或多个处理器720来执行指令。此外，处理组件702可以包括一个或多个模块，便于处理组件702和其他组件之间的交互。例如，处理组件702可以包括多媒体模块，以方便多媒体组件708和处理组件702之间的交互。
存储器704被配置为存储各种类型的数据以支持在装置700的操作。这些数据的示例包括用于在装置700上操作的任何应用程序或方法的指令，联系人数据，电话簿数据，消息，图片，视频等。存储器704可以由任何类型的易失性或非易失性存储设备或者它们的组合实现，如静态随机存取存储器(SRAM)，电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)，可擦除可编程只读存储器(EPROM)，可编程只读存储器(PROM)，只读存储器(ROM)，磁存储器，快闪存储器，磁盘或光盘。
电源组件706为装置700的各种组件提供电力。电源组件706可以包括电源管理系统，一个或多个电源，及其他与为装置700生成、管理和分配电力相关联的组件。
多媒体组件708包括在所述装置700和用户之间的提供一个输出接口的屏幕。在一些实施例中，屏幕可以包括液晶显示器(LCD)和触摸面板(TP)。如果屏幕包括触摸面板，屏幕可以被实现为触摸屏，以接收来自用户的输入信号。触摸面板包括一个或多个触摸传感器以感测触摸、滑动和触摸面板上的手势。所述触摸传感器可以不仅感测触摸或滑动动作的边界，而且还检测与所述触摸或滑动操作相关的持续时间和压力。在一些实施例中，多媒体组件708包括一个前置摄像头和/或后置摄像头。当装置700处于操作模式，如拍摄模式或视频模式时，前置摄像头和/或后置摄像头可以接收外部的多媒体数据。每个前置摄像头和后置摄像头可以是一个固定的光学透镜系统或具有焦距和光学变焦能力。
音频组件710被配置为输出和/或输入音频信号。例如，音频组件710包括一个麦克风(MIC)，当装置700处于操作模式，如呼叫模式、记录模式和语音识别模式时，麦克风被配置为接收外部音频信号。所接收的音频信号可以被进一步存储在存储器704或经由通信组件716发送。在一些实施例中，音频组件710还包括一个扬声器，用于输出音频信号。
I/O接口712为处理组件702和外围接口模块之间提供接口，上述外围接口模块可以是键盘，点击轮，按钮等。这些按钮可包括但不限于：主页按钮、音量按钮、启动按钮和锁定按钮。
传感器组件714包括一个或多个传感器，用于为装置700提供各个方面的状态评估。例如，传感器组件714可以检测到装置700的打开/关闭状态，组件的相对定位，例如所述组件为装置700的显示器和小键盘，传感器组件714还可以检测装置700或装置700一个组件的位置改变，用户与装置700接触的存在或不存在，装置700方位或加速/减速和装置700的温度变化。传感器组件714可以包括接近传感器，被配置用来在没有任何的物理接触时检测附近物体的存在。传感器组件714还可以包括光传感器，如CMOS或CCD图像传感器，用于在成像应用中使用。在一些实施例中，该传感器组件714还可以包括加速度传感器，陀螺仪传感器，磁传感器，压力传感器或温度传感器。
通信组件716被配置为便于装置700和其他设备之间有线或无线方式的通信。装置700可以接入基于通信标准的无线网络，如WiFi，2G或3G，或它们的组合。在一个示例性实施例中，通信组件716经由广播信道接收来自外部广播管理系统的广播信号或广播相关信息。在一个示例性实施例中，所述通信组件716还包括近场通信(NFC)模块，以促进短程通信。例如，在NFC模块可基于射频识别(RFID)技术，红外数据协会(IrDA)技术，超宽带(UWB)技术，蓝牙(BT)技术和其他技术来实现。
在示例性实施例中，装置700可以被一个或多个应用专用集成电路(ASIC)、数字信号处理器(DSP)、数字信号处理设备(DSPD)、可编程逻辑器件(PLD)、现场可编程门阵列(FPGA)、控制器、微控制器、微处理器或其他电子元件实现。
在示例性实施例中，还提供了一种包括指令的非临时性计算机可读存储介质，例如包括指令的存储器704，上述指令可由装置700的处理器720执行。例如，所述非临时性计算机可读存储介质可以是ROM、随机存取存储器(RAM)、CD-ROM、磁带、软盘和光数据存储设备等。
本领域技术人员在考虑说明书及实践这里公开的公开后，将容易想到本公开的其它实施方案。本申请旨在涵盖本公开的任何变型、用途或者适应性变化，这些变型、用途或者适应性变化遵循本公开的一般性原理并包括本公开未公开的本技术领域中的公知常识或惯用技术手段。说明书和实施例仅被视为示例性的，本公开的真正范围和精神由下面的权利要求指出。
应当理解的是，本公开并不局限于上面已经描述并在附图中示出的精确结构，并且可以在不脱离其范围进行各种修改和改变。本公开的范围仅由所附的权利要求来限制。

Claims (11)

1.一种显示基板，其特征在于，包括：
基底；
薄膜晶体管，形成在所述基底的一侧；
有机发光层，形成在所述薄膜晶体管远离所述基底的一侧；
触控电极层，形成在所述有机发光层中。
2.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述有机发光层包括：
阳极层，形成在所述薄膜晶体管远离所述基底的一侧；
空穴注入层，形成在所述阳极层远离所述薄膜晶体管的一侧；
空穴传输层，形成在所述空穴注入层远离所述阳极层的一侧；
有机材料层，形成在所述空穴传输层远离所述空穴注入层的一侧；
电子传输层，形成在所述有机材料层远离所述空穴传输层的一侧；
电子注入层，形成在所述电子传输层远离所述有机材料层的一侧；
阴极层，形成在所述电子注入层远离所述电子传输层的一侧。
3.根据权利要求2所述的显示基板，其特征在于，所述触控电极层形成在所述阳极层和空穴注入层之间，或所述空穴注入层和空穴传输层之间，或所述空穴传输层和有机材料层之间，或所述有机材料层和电子传输层之间，或所述电子传输层和电子注入层之间，或所述电子注入层和阴极层之间。
4.根据权利要求3所述的显示基板，其特征在于，还包括：
绝缘层，设置在所述触控电极层和与其相邻的层结构之间。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的显示基板，其特征在于，所述触控电极层为自感式电容。
6.一种显示基板制作方法，其特征在于，包括：
在基底上形成薄膜晶体管；
在所述薄膜晶体管远离所述基底的一侧形成有机发光层；
其中，在形成所述有机发光层时，在所述有机发光层中形成触控电极层。
7.根据权利要求6所述的制作方法，其特征在于，在所述薄膜晶体管远离所述基底的一侧形成有机发光层包括：
在所述薄膜晶体管远离所述基底的一侧形成阳极层；
在所述阳极层远离所述薄膜晶体管的一侧形成空穴注入层；
在所述空穴注入层远离所述阳极层的一侧形成空穴传输层；
在所述空穴传输层远离所述空穴注入层的一侧形成有机材料层；
在所述有机材料层远离所述空穴传输层的一侧形成电子传输层；
在所述电子传输层远离所述有机材料层的一侧形成电子注入层；
在所述电子注入层远离所述电子传输层的一侧形成阴极层。
8.根据权利要求7所述的制作方法，其特征在于，在所述有机发光层中形成触控电极层包括：
在所述阳极层和空穴注入层之间形成所述触控电极层；
或在所述空穴注入层和空穴传输层之间形成所述触控电极层；
或在所述空穴传输层和有机材料层之间形成所述触控电极层；
或在所述有机材料层和电子传输层之间形成所述触控电极层；
或在所述电子传输层和电子注入层之间形成所述触控电极层；
或在所述电子注入层和阴极层之间形成所述触控电极层。
9.根据权利要求8所述的制作方法，其特征在于，还包括：
在所述触控电极层和与其相邻的层结构之间形成绝缘层。
10.根据权利要求6至9中任一项所述的制作方法，其特征在于，所述触控电极层为自感式电容。
11.一种电子设备，其特征在于，包括：
处理器；
用于存储处理器可执行指令的存储器；
其中，所述电子设备还包括显示基板，所述显示基板包括：
基底；
薄膜晶体管，形成在所述基底的一侧；
有机发光层，形成在所述薄膜晶体管远离所述基底的一侧；触控电极层，形成在所述有机发光层中。
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106851942A (zh) * 2017-03-02 2017-06-13 武汉金石微电子技术有限公司 一种自感应节能智能发光墙纸及其应用方法
CN107561721A (zh) * 2017-08-30 2018-01-09 京东方科技集团股份有限公司 透明真3d显示器
CN108183121A (zh) * 2017-12-15 2018-06-19 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 柔性显示面板及其制作方法
CN112286398A (zh) * 2020-11-18 2021-01-29 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 触控面板及显示装置
US10930893B2 (en) 2017-02-14 2021-02-23 Boe Technology Group Co., Ltd. Organic light-emitting diode device, manufacturing method thereof, and display device

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110518146B (zh) 2019-08-30 2022-02-25 京东方科技集团股份有限公司 薄膜封装结构及显示面板
CN112785927B (zh) * 2021-01-28 2024-01-19 维沃移动通信有限公司 电子设备及显示模组

Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1649456A (zh) * 2005-03-01 2005-08-03 友达光电股份有限公司 具有触控功能的平面显示器及其形成方法
CN1652651A (zh) * 2005-03-23 2005-08-10 友达光电股份有限公司 触控式有机发光显示器
CN101894856A (zh) * 2009-05-22 2010-11-24 上海天马微电子有限公司 有机发光二极管显示屏
CN102150113A (zh) * 2008-09-09 2011-08-10 娜我比可隆株式会社 显示装置、包括该显示装置的移动设备以及显示控制方法
CN102902395A (zh) * 2011-07-28 2013-01-30 宸鸿光电科技股份有限公司 触控显示装置
CN103050506A (zh) * 2012-12-28 2013-04-17 南京中电熊猫液晶显示科技有限公司 一种oled显示器
CN104752466A (zh) * 2013-12-30 2015-07-01 昆山国显光电有限公司 一种整合触屏功能的有机发光显示装置及其制造方法
CN104795425A (zh) * 2015-03-30 2015-07-22 京东方科技集团股份有限公司 有机发光二极管触控显示屏及其制作方法
CN104850268A (zh) * 2015-06-10 2015-08-19 京东方科技集团股份有限公司 一种触控显示面板、触控显示装置及制作方法
CN105243993A (zh) * 2015-09-22 2016-01-13 京东方科技集团股份有限公司 Oled显示基板及其驱动方法和oled显示装置
CN105446554A (zh) * 2014-05-27 2016-03-30 上海和辉光电有限公司 有机电激发光装置

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3284259B2 (ja) 1996-03-14 2002-05-20 松下電工株式会社 Ｅｌ照光式タッチスイッチ
KR100573154B1 (ko) * 2004-06-26 2006-04-24 삼성에스디아이 주식회사 전계 발광 디스플레이 장치 및 이의 제조 방법
FR2913146B1 (fr) * 2007-02-23 2009-05-01 Saint Gobain Electrode discontinue, dispositif electroluminescent organique l'incorporant, et leurs fabrications
JP4464985B2 (ja) 2007-04-27 2010-05-19 ビステオン・ジャパン株式会社 Ｅｌ発光式タッチスイッチ
JP5157825B2 (ja) * 2008-10-29 2013-03-06 ソニー株式会社 有機ｅｌディスプレイの製造方法
KR101633104B1 (ko) * 2009-08-27 2016-06-24 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광표시장치
KR101588450B1 (ko) * 2009-10-23 2016-01-25 엘지디스플레이 주식회사 터치 센서 인셀 타입 유기전계 발광소자
KR101696483B1 (ko) * 2010-12-06 2017-01-13 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 다이오드 표시장치
JP5726804B2 (ja) * 2012-04-19 2015-06-03 株式会社東芝 表示パネル及び表示装置
KR101967290B1 (ko) * 2012-11-14 2019-04-09 엘지디스플레이 주식회사 인셀-터치 타입 유기발광다이오드 표시장치
KR102096622B1 (ko) * 2013-08-19 2020-04-03 삼성디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치
KR102124906B1 (ko) * 2013-12-26 2020-07-07 엘지디스플레이 주식회사 터치스크린을 구비한 유기전계 발광소자 및 이의 제조 방법
KR101828721B1 (ko) 2014-06-06 2018-02-12 코니카 미놀타 가부시키가이샤 유기 일렉트로루미네센스 모듈, 스마트 디바이스 및 조명 장치
CN104409467B (zh) * 2014-10-13 2018-04-24 上海天马有机发光显示技术有限公司 一种触控面板及其制作方法和显示装置
CN105590951B (zh) * 2014-11-10 2019-04-09 乐金显示有限公司 具有多模腔结构的有机发光二极管显示器
KR102269919B1 (ko) * 2014-12-12 2021-06-28 삼성디스플레이 주식회사 터치 센서를 포함하는 표시 장치
CN106033765B (zh) * 2015-03-17 2019-06-11 上海和辉光电有限公司 有机发光二极管触控显示面板
KR102341352B1 (ko) * 2015-04-08 2021-12-20 삼성디스플레이 주식회사 터치 센서를 포함하는 표시 장치
CN104881179B (zh) * 2015-06-23 2017-07-28 京东方科技集团股份有限公司 一种内嵌式触摸显示屏、其驱动方法及显示装置
CN104898887B (zh) * 2015-06-23 2017-10-17 京东方科技集团股份有限公司 一种内嵌式触摸显示屏、其驱动方法及显示装置
US10234979B2 (en) * 2015-09-15 2019-03-19 Boe Technology Group Co., Ltd. Array substrate, related display panels, and related display apparatus

Patent Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1649456A (zh) * 2005-03-01 2005-08-03 友达光电股份有限公司 具有触控功能的平面显示器及其形成方法
CN1652651A (zh) * 2005-03-23 2005-08-10 友达光电股份有限公司 触控式有机发光显示器
CN102150113A (zh) * 2008-09-09 2011-08-10 娜我比可隆株式会社 显示装置、包括该显示装置的移动设备以及显示控制方法
CN101894856A (zh) * 2009-05-22 2010-11-24 上海天马微电子有限公司 有机发光二极管显示屏
CN102902395A (zh) * 2011-07-28 2013-01-30 宸鸿光电科技股份有限公司 触控显示装置
CN103050506A (zh) * 2012-12-28 2013-04-17 南京中电熊猫液晶显示科技有限公司 一种oled显示器
CN104752466A (zh) * 2013-12-30 2015-07-01 昆山国显光电有限公司 一种整合触屏功能的有机发光显示装置及其制造方法
CN105446554A (zh) * 2014-05-27 2016-03-30 上海和辉光电有限公司 有机电激发光装置
CN104795425A (zh) * 2015-03-30 2015-07-22 京东方科技集团股份有限公司 有机发光二极管触控显示屏及其制作方法
CN104850268A (zh) * 2015-06-10 2015-08-19 京东方科技集团股份有限公司 一种触控显示面板、触控显示装置及制作方法
CN105243993A (zh) * 2015-09-22 2016-01-13 京东方科技集团股份有限公司 Oled显示基板及其驱动方法和oled显示装置

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10930893B2 (en) 2017-02-14 2021-02-23 Boe Technology Group Co., Ltd. Organic light-emitting diode device, manufacturing method thereof, and display device
CN106851942A (zh) * 2017-03-02 2017-06-13 武汉金石微电子技术有限公司 一种自感应节能智能发光墙纸及其应用方法
CN106851942B (zh) * 2017-03-02 2019-08-23 武汉金石微电子技术有限公司 一种自感应节能智能发光墙纸及其应用方法
CN107561721A (zh) * 2017-08-30 2018-01-09 京东方科技集团股份有限公司 透明真3d显示器
CN108183121A (zh) * 2017-12-15 2018-06-19 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 柔性显示面板及其制作方法
WO2019114090A1 (zh) * 2017-12-15 2019-06-20 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 柔性显示面板及其制作方法
CN112286398A (zh) * 2020-11-18 2021-01-29 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 触控面板及显示装置

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