JP2006267967A - 平面表示装置 - Google Patents

Abstract

【課題】画像取り込み時に信号線からの影響を受け難い平面表示装置の提供。
【解決手段】互いに直交して配置される複数本の信号線２４及びゲート信号線２２ａと、この信号線２４とゲート信号線２２ａとの交点近傍に薄膜トランジスタ３２を介して配置される画素電極６１とを備えたアレイ基板を有し、信号線２４に極性反転する映像信号を供給すると共にゲート信号線２２ａにゲート信号を供給して映像を極性反転駆動によって表示し、アレイ基板に複数のホトセンサ画素２７を有し、ホトセンサ画素２７は、信号線２４からプリチャージ電圧が印加されて電荷が蓄積されるコンデンサ６３と、コンデンサ６３により蓄積された電荷を光の照射により放電するホトセンサ６４と、コンデンサ６３から放電されたプリチャージ電圧に対応して読み取り信号を出力するソースフォロワ回路６２ｂとを有し、映像信号がプリチャージ電圧の極性側になった時にプリチャージ電圧を印加する。
【選択図】 図６

Description

本発明は、画像取込み機能を備えた平面表示装置に関するものである。

液晶表示装置は、ソース信号線、ゲート信号線及び画素ＴＦＴが形成されたアレイ基板と、ソース信号線を駆動するソースドライバ回路及びゲート信号線を駆動するゲートドライバ回路とを備えている。そして、最近の集積回路技術の進歩発展により、駆動回路の一部をアレイ基板上に形成するプロセス技術が実用化されている。これにより、液晶表示装置全体を軽薄短小化することができ、携帯電話やノート型コンピュータなどの各種の携帯機器の表示装置として幅広く利用されている。

ところで、アレイ基板上に、画像取込みを行う密着型エリアセンサを配置した画像取込み機能を備えた表示装置が提案されている（例えば、特許文献１，２を参照）。この種の画像取込み機能を備えた従来の表示装置は、センサに接続されたキャパシタの電荷量をセンサでの受光量に応じて変化させるようにし、キャパシタの両端電圧を検出することで、画像取込みを行っている。
特開２００１−２９２２７６号公報 特開２００１−３３９６４０号公報

しかしながら、センサに流れる電流は微弱であるため、その電流によるキャパシタの両端電圧の変化を精度よく検出するのは困難であり、測定誤差が大きくなる。このため、取込画像にノイズが現れやすくなる。

特に、表示装置における表示画素に映像信号を供給する信号線がセンサの近くに配線されているときは、その信号線からの影響を受けやすいという問題点がある。

そこで、本発明は、画像取り込み時に信号線からの影響を受け難い平面表示装置を提供する。

本発明は、互いに直交して配置される複数本の信号線及びゲート信号線と、この信号線とゲート信号線との交点近傍に薄膜トランジスタを介して配置される画素電極とを備えたアレイ基板を有し、前記信号線に極性反転する映像信号を供給すると共に前記ゲート信号線にゲート信号を供給して映像を極性反転駆動によって表示する平面表示装置において、前記アレイ基板に複数のホトセンサ画素を有し、前記ホトセンサ画素は、前記信号線、または、前記信号線と平行に配されたプリチャージ電圧供給線から所定のプリチャージ電圧が印加されて電荷が蓄積されるコンデンサと、前記コンデンサにより蓄積された電荷を光の照射により放電するホトセンサと、前記コンデンサから放電されたプリチャージ電圧に対応して読み取り信号を出力するソースフォロワ回路と、を有し、前記映像信号が、前記プリチャージ電圧の極性側になった時に前記プリチャージ電圧を印加することを特徴とする平面表示装置である。

本発明によれば、信号線からの影響を受けないように画像を読み取りができる。

本発明の実施形態の平面表示装置について説明するにあたり、下記の順番で説明する。

［１］平面表示装置の構造の実施形態の説明
［２］平面表示装置の画像取り込み方法の実施形態の説明
［３］ブロック処理
［４］映像信号の影響の除去
［５］ホトセンサ６４の感度
［６］適用例
［１］平面表示装置の構造の実施形態の説明
（第１の実施形態）
以下、本発明の第１の実施形態の平面表示装置について説明する。

（１）平面表示装置の構成
図１は本実施形態に係る平面表示装置の概略構成図であり、少なくとも画像表示領域に配されたホトセンサ画素２７による画像取込み機能を有することを特徴としている。

図１の平面表示装置は、主としてアレイ基板１１からなるパネル部と回路基板１７とで構成されている。

（１−１）アレイ基板１１の構成
本実施形態の画素１６（表示画素２６＋ホトセンサ画素２７）は、水平方向３２０画素・垂直方向２４０画素の表示解像度を有する。画素は水平方向に赤、青、緑の部分に分割され、それぞれにソース信号線２１が設けられる。ソース信号線２１の総数は、３２０・３＝９６０本で、ゲート信号線２２の総数は２４０本である。

アレイ基板１１上には、ソース信号線２３及びゲート信号線２２が形成される画素１６（表示画素２６＋ホトセンサ画素２７）と、ソース信号線２３を駆動するＩＣよりなるソースドライバ回路１４と、ゲート信号線２２を駆動するＩＣよりなるゲートドライバ回路１２と、画像を取り込んで出力するホトセンサ出力処理回路１８とが設けられている。これらの回路は、例えば低温ポリシリコンＴＦＴにより形成されている。

なお、低温ポリシリコン技術に限定されるものではなく、プロセス温度が４５０度（摂氏）以上の高温ポリシリコン技術でも、固相（ＣＧＳ）成長させた半導体膜を用いてトランジスタなどを形成したものでもよい。また、アモルファスシリコン技術で形成または構成してもよい。画素１６はマトリックス上に形成されている。

また、画素１６の表示画素２６は液晶素子に限定されるものではなく、ＥＬ素子などから構成される自己発光素子で構成してもよい。

（１−２）各回路の構成
ソースドライバ回路１４は、入力デジタル画素データを表示素子の駆動に適したアナログ電圧に変換するＤ／Ａ変換回路を含む。また、ソースドライバ回路１４はＰＷＭ変調などを実施するデジタル出力を行うものであってもよい。この場合はデジタルデータをパルス的にソース信号線２３に印加する構成であるので、Ｄ／Ａ変換回路は不要である。好ましくは、ソースドライバ回路１４はシリコンなどのチップで形成したものをＣＯＧ（ガラスオンチップ）技術でアレイ基板１１に実装した構成を採用することが好ましい。メモリ機能などをＩＣ内に内蔵できコンパクト化を実現できるからである。

回路基板１７上には、アレイ基板１１上の各回路を制御するコントロールＩＣ（図示せず）、画像データ等を記憶するメモリ（図示せず）と、アレイ基板１１及び回路基板１７で使用する各種の直流電圧を出力する電源回路（図示せず）とを実装してもよい。なお、コントロールＩＣ（図示せず）とは別個にＣＰＵを設けてもよいし、メモリや電源回路をＩＣよりなる映像信号処理回路と一体化してもよいし、ディスクリート部品を回路基板１７上に実装してもよい。また、回路基板１７に実装される素子、ＩＣなどは、例えばポリシリコン技術で作製してもよい。また、アレイ基板１１に直接に形成してもよい。以上の事項はソースドライバ回路１４、信号処理回路にも適用される。

ゲートドライバ回路１２ａは、アレイ基板１１に直接に内蔵することが好ましい。狭額縁化を実現できるからである。ゲートドライバ回路１２ａはゲート信号線２２ａを順次選択し、ソースドライバ回路１４と同期をとって表示画素２６に映像データを書き込む動作を行う。ゲートドライバ回路１２ａはゲート信号線２２ｂ及びゲート信号線２２ｃを順次選択し、ソースドライバ回路１４と同期をとってホトセンサ画素２７に書き込み電圧（プリチャージ電圧）を印加し、また、ホトセンサ画素２７から出力電圧（センサ電圧）を取り出す動作を行う。

ホトセンサ画素２７に印加するプリチャージ電圧は、ＩＣからなるホトセンサ処理回路１８から出力される。プリチャージ電圧はプリチャージ電圧信号線２４に印加される。ホトセンサ画素２７からの出力電圧は、ホトセンサ出力信号線２５に出力されホトセンサ処理回路１８に取り込まれる。すなわち、印加される。ホトセンサ処理回路１８は、アレイ基板１１に直接形成されている。基本的な構成部品は、コンパレータ回路２３３をスイッチからなる選択回路である。

なお、ホトセンサ出力信号線２５には電圧が出力されるとして説明するが、これに限定するものではなく、電流あるいは電荷がホトセンサ出力信号線２５に出力あるいは入力されるとしてもよいことは言うまでもない。また、電流あるいは電圧が入出力されるだけで限定するものではなく、電流あるいは電圧などが流入出の方向が出力され、この変化をコンパレータ回路２３３などで検出される構成にしてもよいことは言うまでもない。

ホトセンサ信号処理回路１５はゲートドライバ回路１２ｂ及びホトセンサ処理回路１８を制御するともに、ホトセンサ処理回路１８からの出力データを演算あるいは比較処理などを施し、光が照射あるいは遮光されているホトセンサ位置を判断し、その座標位置を出力するものである。また、外部のマイコン（図示せず）と制御データの入出力を制御するものである。

ホトセンサ信号処理回路１５はシリコンなどのチップで形成したものをＣＯＧ（ガラスオンチップ）技術でアレイ基板１１に実装した構成を採用することが好ましい。メモリ機能などをＩＣ内に内蔵できコンパクト化を実現できるからである。

回路基板１７上には、表示制御及び画像取込制御を行う映像信号処理回路２１が実装されている。アレイ基板１１と回路基板１７とは、例えばフレキシブル基板（ＦＰＣ）２０を介して各種信号の送受を行う。映像信号処理回路２１からの出力映像信号はソースドライバ回路１４に印加される。

ホトセンサ６４の撮像データを取り出し、平均階調を検出するカウンタを付加してもよい。ここで「平均階調」とは、出力データの階調を複数画素１６にわたって平均したものをいう。最終的に２５６階調の画像を構成しようとする場合、１０画素中５画素が白、残り５画素が黒のデータの場合、平均階調は、２５６［階調］ｘ５［画素］／１０［画素］＝１２８［階調］とする。

（２）画素１６の構成
図２は画素１６（表示画素２６＋ホトセンサ画素２７）を中心として詳細に示した本実施形態の平面表示装置のブロック図である。なお、画素１６は１つしか図示していないが、図１に図示したように、画素はマトリックス状に形成されている。また、他の構成要素も説明を容易にするため省略をしている。

図２の画素１６は、表示画素２６とホトセンサ画素２７で構成される。

（２−１）表示画素２６の構成
表示画素２６は、縦横に列設されるソース信号線２３及びゲート信号線２２ａの各交点もしくは近傍に形成される。表示画素２６は、薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴという）３２（図３参照）と、ＴＦＴ３２の一端に形成された画素電極６１と対向電極３６間に構成される液晶容量３４、共通信号線３１との間に接続される補助容量３５から構成される。

（２−２）ホトセンサ画素２７の構成
ホトセンサ画素２７は図６に図示されるように、ホトダイオードとして動作するＴＦＴ６２と、プリチャージ電圧を保持する補助容量（コンデンサ）６３と、ソースフォロワとして動作するＴＦＴ６２ｂと、プリチャージ電圧を補助容量６３に印加するスイッチング素子として動作するＴＦＴ６２ａと、ＴＦＴ６２ｂのソースフォロワ出力をホトセンサ出力信号線２５に選択して出力するＴＦＴ６２ｃとから構成される。

ホトセンサ素子６４などの一端子は、共通信号線３１に接続されている。なお、補助容量３５の一端子を構成する共通信号線３１と、ホトセンサ素子（ホトダイオード）６４の一端子を構成する共通信号線３１とは分離し、同電位または別電位を印加できるように構成してもよい。

（２−３）ホトセンサ画素２７の配置
図３では、ホトセンサ画素２７は画素１６のそれぞれに形成されている。つまり、表示画素２６の形成数とホトセンサ画素２７の形成数とは同一である。

しかし、ホトセンサ画素２７は、図４に示すように、ＲＧＢの画素１６（１６Ｒ、１６Ｇ、１６Ｂ）に１つのホトセンサ画素２７を配してもよい。

また、図５に示すように、２画素に１つのホトセンサ画素２７を配置または形成してもよい。好ましくは、図５に示すように、偶数画素行の奇数画素列にホトセンサ画素２７を配置し、奇数画素行の偶数画素列にホトセンサ画素２７を配置するように構成する。

上記したように、ホトセンサ画素２７は全ての表示画素２６に対応して形成することには限定されない例を図３７について説明する。

図３７のように１画素１６は、ＲＧＢの３つの副画素２６Ｒ、２６Ｇ、２６Ｂからなる。各副画素２７は、ＴＦＴ３２と、コンデンサ６３に電荷を蓄積するか否かを制御するＴＦＴ６２ａと、画像取込ホトセンサ６４と、ホトセンサ６４の撮像結果を格納するコンデンサ６３と、コンデンサ６３の蓄積電荷に応じた２値データを出力するＴＦＴ６２ｂと、ＴＦＴ６２ｂの保持データを出力するＴＦＴ６２ｃとを具備する。

画素２６、２７にＳＲＡＭ（書き換え可能なメモリ）を形成してもよい。各画素１６の輝度は、補助容量３４に蓄積された電荷に基づいて決まる画素電極電位と、対向基板３６上に形成されたコモン電極の電位との差によって階調制御される。

また、奇数画素行または奇数画素列にホトセンサ画素２７を形成し、偶数画素行または偶数画素列にホトセンサ画素２７を形成しない構成でもよい。さらに、偶数画素行または偶数画素列にホトセンサ画素２７を形成し、奇数画素行または奇数画素列にホトセンサ画素２７を形成しない構成でもよい。

また、３画素行あるいは３画素列あるいは４画素以上おきにホトセンサ画素２７を形成してもよい。

また、表示領域１０にランダムにホトセンサ画素２７を形成してもよい。

また、一定間隔にホトセンサ画素２７を構成してもよい。

また、３ｘ３画素などのようにマトリックス状にホトセンサ画素２７を構成してもよい。

また、ホトセンサ画素２７の位置は、表示領域１０内に限定するものではなく、表示領域外に構成してもよい。

また、画素１６に形成するホトセンサ画素２７は１つに限定するものではなく、複数のホトセンサ画素２７を形成してもよい。

（３）ホトセンサ画素２７の等価回路の構成と動作内容
画素１６は図６に示すように、表示画素２６とホトセンサ画素２７から構成される。表示画素２６はソースドライバ回路１４により映像信号が印加される。印加タイミングはゲートドライバ回路１２ａで制御される。

（３−１）等価回路の説明
ホトセンサ画素２７の等価回路図を図７に図示する。

ホトセンサ画素２７は図６に図示されるように、ホトダイオードとして動作するＴＦＴ（ホトセンサ）６２を具備する。本実施形態ではホトセンサ６２をＴＦＴのＮチャンネルのダイオード接続で形成している。ＴＦＴをＮチャンネルのダイオード接続することにより、構成が容易になり、電荷の保持特性も向上する。

しかし、本実施形態はこの構成に限定するものではない。例えば、ホトセンサ６４をＰチャンネルのＴＦＴで形成してもよい。また、薄膜ダイオード（ＴＦＤ）で構成してもよい。また、ホトセンサ画素２７を構成するＴＦＴもＮチャンネルで構成しているがこれに限定するものではない。Ｐチャンネルトランジスタで構成してもよい。その他、転写技術等でホトセンサ画素２７などを転写してアレイ基板１１上に形成してもよいことは言うまでもない。

ホトセンサ６４に光が照射されると、ホトセンサ６４は光の強度に応じてリークする。このリークによりホトセンサ６４の両端子間の電位が低下する。したがって、ホトセンサ６４の両端子間電位を測定または検出することにより、ホトセンサに光が照射されたこと、ホトセンサに照射された光の相対的な強度を把握することができる。

プリチャージ電圧を保持する補助容量（コンデンサ）６３は、ゲート絶縁膜を用いて構成する。ゲート絶縁膜を利用することにより小面積で容量の大きな補助容量を構成できる。

ソースフォロワとして動作するＴＦＴ６２ｂのゲート端子にはホトセンサ６４の一端子が接続され、また、補助容量６３の一端子が接続される。ＴＦＴ６２ｂのゲート端子電圧が一定値以下（Ｖｔ電圧）になると、ＴＦＴ６２ｂはオフする。Ｖｔ電圧以上であると、ＴＦＴ６２ｃはオンする。

ＴＦＴ６２ａはプリチャージ電圧信号線２４に印加されたプリチャージ電圧をホトセンサ６４の一端子に印加する。ゲート信号線２２ｃにオン電圧が印加されると、ＴＦＴ６２ａがオンする。プリチャージ電圧は、ＴＦＴ６２ｂがオンする電圧（Ｖｔ電圧以上）である。ホトセンサ６４に光が照射されると、コンデンサ６３に保持された電荷がホトセンサ６４のチャンネル間を通じて放電される。好ましくは、プリチャージ電圧は、１フィールドもしくは１フレーム（１画面の書き換え周期）毎に印加される。もちろん、複数フィールドもしくはフレーム（複数画面の書き換え周期）に１回印加してもよい。

ホトセンサ画素２７には、ＴＦＴ６２ａにより、プリチャージ電圧がＴＦＴ６２ｂのゲート端子に印加される。ＴＦＴ６２ｂはソースフォロワ回路として動作する。ＴＦＴ６２ｃはゲートドライバ回路１２ｂで制御される。ＴＦＴ６２ｃのゲート端子はゲート信号線２２ｂに接続されている。ゲート信号線２２ｂにオン電圧が印加されると、ＴＦＴ６２ｃがオンする。ＴＦＴ６２ｂがオン状態であれば、ホトセンサ出力信号線２５の電荷は、ＴＦＴ６２ｃ、６２ｂを介して、共通信号線３１に放電される（共通信号線３１の電位によっては充電される場合もある）。ホトセンサ出力信号線２５の電荷の変化により、ホトセンサ出力信号線２５の電位が変化する。ＴＦＴ６２ｃがオンしても、ＴＦＴ６２ｂがオフ状態であれば、ホトセンサ出力信号線２５の電荷は変化しない。

以上のように、ホトセンサ出力信号線２５の電荷の変化を検出すれば、ＴＦＴ６２ｂがオン状態か、中間的なオン状態か、もしくはオフ状態かを検出することができる。つまり、この検出はＴＦＴ６２ｂのゲート端子の電位を検出していることになる。ＴＦＴ６２ｂのゲート端子電圧は、プリチャージ電圧の大きさと、ホトセンサ６４に照射された光の強度及び照射時間（露光時間）により変化する。

（３−２）動作のタイミング
ＴＦＴ６２ｃをオンさせる周期あるいはタイミングは、１フィールドもしくは１フレーム（１画面の書き換え周期）毎に実施される。また、プリチャージ電圧を印加する周期及びタイミングと同期をとって実施される。もちろん、ＴＦＴ６２ｃをオンさせるタイミング（選択タイミング）は複数フィールドもしくはフレーム（複数画面の書き換え周期）に１回印加してもよい。

したがって、プリチャージ電圧の大きさ、露光時間（ＴＦＴ６２ａをオン状態にしてＴＦＴ６２ｂのゲート端子にプリチャージ電圧を印加した時刻から、ＴＦＴ６２ｃをオン状態にしてホトセンサ出力信号線２５に出力を取り出した時刻）の長さ、ホトセンサ６４の光リーク量（感度）からホトセンサ６４に照射されている光の強弱を検出することができる。光の強弱は、イメージスキャナのように画像の読み取りに動作にほかならない。本実施形態は、マトリックス状にホトセンサ画素２７を形成している。したがって、各ホトセンサ画素２７のＴＦＴ６２ｂのオンオフ状態を検出（測定）することにより、表示領域１０に結像あるいは照明された画像イメージを取り込むことができる。また、物体の影、物体で反射した光を検出あるいはパネルに取り込むことができる。

ホトセンサ素子６４などの一端子は、共通信号線３１に接続されている。

なお、ＴＦＴ３２とＴＦＴ６２とはアレイプロセスの同一工程で形成する。

以降、ホトセンサ６４の端子電圧により動作が変化するＴＦＴ６２ｂを検出ＴＦＴ６２ｂと呼ぶ。また、スイッチング動作するＴＦＴ６２ｃ、ＴＦＴ６２ａをスイッチトランジスタ６２ａ、６２ｃと呼ぶ。

（３−３）第１の変更例
なお、補助容量３５の一端子を構成する共通信号線３１と、ホトセンサ素子（ホトダイオード）６４の一端子を構成する共通信号線３１とは分離し、同電位または別電位を印加できるように構成してもよい。

（３−４）第２の変更例
また、共通信号線３１に印加する電圧を可変できるように構成しておくことが好ましい。

共通信号線３１に印加する電圧により、ホトセンサ６４に保持された電圧がＴＦＴ６２ｂのＶｔ電圧以下になる時間を調整あるいは可変することができるからである。あるいは、Ｖｔ電圧の前後の一定範囲に調整あるいは設定することにより、ホトセンサ６４に保持された電圧がＴＦＴ６２ｂのＶｔ電圧以下になる時間を調整あるいは可変することができるからである。

なお、「Ｖｔ電圧」とは、この電圧以上の電圧をＴＦＴ６２ｂのゲート端子に印加することによりＴＦＴ６２ｂにオン状態あるいはオン状態に類似する状態に変化し、ＴＦＴ６２ｂのチャンネル間のインピーダンスが低下する、あるいはＴＦＴ６２ｂに電流が流れるあるいは流れやすくなる状態に変化する電圧である。

逆にＶｔ電圧以下の電圧をＴＦＴ６２ｂのゲート端子に印加することによりＴＦＴ６２ｂにオフ状態あるいはオフ状態に類似する状態に変化し、ＴＦＴ６２ｂのチャンネル間のインピーダンスが高くなる、あるいはＴＦＴ６２ｂに電流が流れないあるいは流れにくくなる状態に変化する電圧である。以上はＴＦＴ６２ｂがＮチャンネルの場合である。Ｐチャンネルの場合は動作が逆になる。

また、ＴＦＴ６２はＮチャンネルとＰチャンネルのいずれで形成してもよい。

また、ＴＦＴ６２ｂは印加されたＶｔ電圧を電流変換する動作、印加されたＶｔ電圧を増幅あるいは一定の電圧に変換する動作のいずれの動作でもよい。例えば、カレントミラー動作や、オフセットキャンセル動作を行う構成にしても本実施形態の技術的範疇である。

（３−５）第３の変更例
なお、ＴＦＴ６２ｃ、６２ｂ、６２ａなどはＴＦＴに限定するものではなく、ＴＦＤなどで形成してもよい。ＴＦＤの場合におけるＶｔ電圧とは、ＴＦＤの一端子に印加された電圧によりＴＦＤの動作状態（オン状態あるいはオン状態に類似する状態、オフ状態あるいはオフ状態に類似する状態）に変化する電圧を言う。

また、ＴＦＴ６２はＴＦＴに限定するものではなく、他のＦＥＴ、バイポーラトランジスタなどで形成してもよい。また、バイポーラトランジスタとＣＭＯＳトランジスタを混在して構成してもよい。

また、ＴＦＴ６２ａ、６２ｂ、６２ｃは１ホトセンサ画素２７に各１つに限定するものではなく、複数個を形成してもよい。

（４）周辺部の構成
図８は、画素１６の周辺部を図示した構成図である。

ホトセンサ出力信号線２５は、ホトセンサ処理回路１８と接続されている。ホトセンサ処理回路１８は、主として、コンパレータ回路２３３と選択回路８１から構成される。選択回路３１は一例としてアナログスイッチである。他にメカニカルなリレー回路、ＭＯＳリレーなどで構成あるいは形成してもよい。また、選択回路８１はスイッチングあるいは選択回路の他、シフトレジスタ回路などを有している。

ホトセンサ画素２７とコンパレータ回路２３３の接続状態は図２４に示している。コンパレータ回路２３３はオペアンプ回路あるいは差動アンプなどでもよい。つまり、一端子に比較電圧あるいは比較対照に対して回路２３３の出力が変化するものであればいずれでもよい。

図８ではコンパレータ回路２３３によりホトセンサ出力信号線２５に印加された電圧の変化などを検出するとしたがこれに限定するものでない。また、図９に示すようにコンパレータ回路などを構成せず、電圧（電流）出力をアナログ−デジタル変換回路（ＡＤ回路）９１でデジタルデータに変換して処理を実施するものであってもよい。また、出力されるアナログデータを直接処理するものであってもよい。

また、コンパレータ回路２３３などは全てのホトセンサ出力信号線２５の出力に配置または形成することに限定されるものではない。偶数が素列にのみにコンパレータ回路２３３などを形成する構成などでもよい。また、コンパレータ回路２３３の前段（ホトセンサ出力信号線とコンパレータ回路２３３間に選択回路８１を配置し、コンパレータ回路２３３の形成数を減少させてもよい。

コンパレータ回路２３３の特徴は、比較電圧Ｖｒｅｆに対して、大きいあるいは小さいかを判定し、ロジック的にＨまたはＬを出力（２値化）することに特徴ある。したがって、出力がロジック信号に変換されるため、以降のロジック処理が容易になる。

しかし、本実施形態はこれに限定するものではなく、アナログ的に出力するもの（オペアンプ回路などを使用する）であってもよい。また、コンパレータ回路２３３の出力が２値（大、小、一致）を出力するものであってもよい。また、コンパレータ回路、オペアンプ回路は一定の範囲内の電圧値あるいは電圧範囲では出力が変化しないようにヒステリシス特性を有するように構成あるいは形成することが好ましい。また、回路２３３は電流を電圧に変換する回路構成（例えば、オペアンプ素子を用いた電流−電圧変換回路などが例示される）であってもよい。

ゲートドライバ回路１２はアレイ基板１１のポリシリコン技術で直接に形成するとしたがこれに限定するものでなく、シリコンチップなどで構成し、アレイ基板１１にＣＯＧ技術で実装あるいは積載してもよい。また、ソースドライバ回路１４、ホトセンサ処理回路１８、信号処理回路１５にあっても同様である。

ゲートドライバ回路１２ａは表示画素２６のゲート信号線２２ａを制御する。ゲートドライバ回路１２ｂはホトセンサ画素２６のゲート信号線２２ｂ、ゲート信号線２２ｃを制御する。ゲートドライバ回路１２ａとゲートドライバ回路１２ｂは同期を取って動作する。したがって、ゲート信号線２２ａとゲート信号線２２ｂ、２２ｃの選択クロックは同一のクロックあるいはこのクロック信号を基準に発生する。

（４−１）コンパレータ回路２３３の機能
以降、説明を容易にするため回路２３３はコンパレータ回路として説明する。図８などに示すようにプリチャージ電圧信号線２４にはプリチャージ電圧端子８３からプリチャージ電圧Ｖｐｒが印加される。プリチャージ電圧はソースドライバ回路１４が出力する映像信号と同期をとって印加される。プリチャージ電圧は全てのプリチャージ電圧信号線２４に同一のプリチャージ電圧を印加するとして説明するがこれに限定するものではなく、変化あるいは調整してもよい。また、ホトセンサ６４の特性に対応させて変化あるいは調整してもよい。

図８では全てのコンパレータ回路２３３の入力端子の一端子には、コンパレータ電圧端子８３から比較電圧Ｖｒｅｆが印加される。比較電圧Ｖｒｅｆは全てのコンパレータ回路２３３に同一の電圧を印加するように示しているが、これに限定するものではなく、異ならせてもよい。例えば、偶数画素列と奇数画素列で印加するＶｒｅｆ電圧を変化あるいは調整してもよい。また、ホトセンサ６４の特性に対応させて変化あるいは調整してもよい。

図８に示すように、ホトセンサ出力信号線２５の一端にはコンパレータ回路２３３の入力端子に接続されている。また、コンパレータ回路２３３の出力端子には選択回路８１が接続されている。選択回路８１のスイッチＳｋ（ｋ＝１〜ｎ、ｎは画素列数）が形成され、一つのスイッチＳｋが選択される。選択されたコンパレータ回路２３３の出力は電圧出力端子に接続されている。したがって、出力電圧端子８２には出力電圧を出力する。スイッチＳｋ（ｋ＝１〜ｎ）は１水平走査期間に１回以上選択されるように構成されている。つまり、ゲートドライバ回路１２ｂが１水平走査期間（１Ｈ）クロックに同期してゲート信号線２２ｂを選択し、ホトセンサ出力信号線２５にＴＦＴ６２ｃの出力電圧を出力する（図１０参照）。

（５）表示と読み取り方法
図１０に示すように、映像信号は表示画像に対応して１Ｈ単位でソース信号線２３に印加される。映像信号の極性は１Ｈ毎に反転する。また、各画素行に印加される極性は１フレーム（もしくは１フィールド、つまり画面を書き換える周期）毎に反転される。一方、ゲート信号線２２ａは１Ｈのクロックに同期して画素行を順次選択し、選択された画素１６のＴＦＴ３２はソース信号線２３に印加された映像信号を画素電極６１に書き込む。

また、図１０に示すように、ゲートドライバ回路１２ｂは、１Ｈ周期でゲート信号線２２ａを選択し、また順次選択するゲート信号線２２ｃの位置をシフトさせる。シフトの方法は、ゲート信号線２２ａのシフト方向と一致させている。ゲート信号線２２ｃにオン電圧が印加されると、このゲート信号線２２ｃに接続された画素行に対応するスイッチング用ＴＦＴ６２ａはオンとなる。したがって、プリチャージ電圧信号線８３に印加されている。プリチャージ電圧がホトセンサ６４に印加される。プリチャージ電圧は１Ｈ毎に変化させてもよいが、一定電圧とすることが好ましい。

ホトセンサ６４に光が照射されると、ホトセンサ６４を介して電荷が放電し、ホトセンサ６４の端子電圧がプリチャージ電圧より低下していく。低下は、ホトセンサ６４に照射される光の強度と時間で決定される。印加されたプリチャージ電圧の低下が検出ＴＦＴ６２のＶｔ電圧以下であればＴＦＴ６２ｂはオフ動作となり、Ｖｔ電圧以上であればオン状態となる。

同様に、ゲートドライバ回路１２ｂはゲート信号線２２ｂを１Ｈのクロックに同期して画素行を順次選択し、選択されたホトセンサ画素２７のスイッチング用ＴＦＴ６２ｃは検出ＴＦＴ６２ｂの出力を電圧出力信号線２５に出力する。ホトセンサ６４に光が照射されると、ホトセンサ６４を介して電荷が放電し、ホトセンサ６４の端子電圧がプリチャージ電圧より低下していく。先にも説明したように、電圧低下（電荷の放電）は、ホトセンサ６４に照射される光の強度と時間で決定される。また、コンデンサ６３の容量で決定される。もちろん、プリチャージ電圧の大きさでも決定される。印加されたプリチャージ電圧が低下し、検出ＴＦＴ６２のＶｔ電圧以下であればＴＦＴ６２ｂはオフ動作となり、Ｖｔ電圧以上であればオン状態となる。したがって、スイッチング用ＴＦＴ６２ｃをオン状態にすることにより、ＴＦＴ６２ｂの動作状態を電圧出力信号線２５に出力することができる。

（６）露光時間
次に露光時間について説明する。

なお、ホトセンサ６４に印加するプリチャージ電圧、照射される光の強度と時間、コンデンサ６３の容量その他の条件の変化、可変、調整することは、撮像条件を変化、可変、調整するとして説明する。

図１０に示すようにゲート信号線２２ｃを選択してから、Ａ期間経過後にゲート信号線２２ｂを選択する。このＡ期間を「露光時間」と呼ぶ。つまり、露光時間とは、任意のホトセンサ画素２７にプリチャージ電圧を印加した時刻から、読み出すまでの時刻である。正確にはホトセンサ６４に印加したプリチャージ電圧が確定してからホトセンサ出力信号線８２に電圧などが出力され、その出力状態が安定となり、電圧出力端子８２から呼び出せるまでの時間である。しかし、一般的にはプリチャージ電圧がホトセンサ画素２７に印加されたタイミングから、この印加されたホトセンサ画素２７のホトセンサ６４の保持電圧が読み出すタイミングまでの時間を露光時間とする。ゲート信号線２２ｂとゲート信号線２２ｃの選択タイミングは同期を取っているため、露光時間を可変あるいは調整してもホトセンサ６４の端子電圧を検出する時間は相対的に比例する。したがって、精度よく、外光強度を把握することができる。また、ホトセンサ６４がアレイ基板１１のロットにより異なっていても問題ない。

露光時間は、図１２に示すように、変更できる。

図１２（ａ）は、ゲート信号線２２ｃの選択信号である。１Ｈの一定期間、ゲート信号線２２ｃにオン電圧が印加され、ホトセンサ画素２７にプリチャージ電圧が印加される。図１２（ｂ）は、ゲート信号線２２ｂの選択信号である。１Ｈの一定期間、ゲート信号線２２ｂにオン電圧が印加され、ホトセンサ画素２７からホトセンサ出力信号線２５に電圧などが取り出される。図１２（ｂ１）は、露光時間が１Ｈ以内の場合である。図１２（ｂ２）は露光時間が１Ｈ以上（図では２Ｈ近傍）の場合の実施形態である。図１２（ｂ３）は露光時間がｎＨ（ｎは整数）の場合の実施形態である。

図１２は１Ｈ単位であるが、１Ｈ以下単位でもよい。また、１フィールドあるいは１フレーム単位で露光時間を変化あるいは調整してもよい。プリチャージ電圧、露光時間は最適に電圧出力端子８２から出力されるように調整する。

露光時間を１Ｈ以内の時間設定を実現する図１３のようにゲートドライバ回路１２ｂにイネーブル（ＯＥＶ）回路を付加することが好ましい。イネーブル端子（ＯＥＶ）端子にＨロジック電圧が印加されている期間と、ゲートドライバ回路１２ｂがゲート信号線２２ｂを選択するＨロジック電圧を出力している期間がＡＮＤされる期間にのみ、ゲート信号線２２ｂにオン電圧が印加される。

図８などのゲートドライバ回路１２ｂの構成では、イネーブル端子（ＯＥＶ）端子がない。したがって、ゲートドライバ回路１２ｂがゲート信号線２２ｂを選択するＨロジック電圧を出力している期間がゲート信号線２２ｃにオン電圧（選択電圧）が印加される。

しかし、図１３の構成ではイネーブル端子（ＯＥＶ）のロジック電圧の制御により、ゲート信号線２２ｂにオン電圧を印加する期間を１Ｈ以下とすることができる。

したがって、ゲートドライバ回路２２ｂにより、１Ｈ期間において、同一ホトセンサ画素２７に形成されたゲート信号線２２ｂ、２２ｃを選択し、プリチャージ電圧を印加するときはゲート信号線２２ｂをＯＥＶ端子の制御により非選択状態にする。つまり、シフトレジスタ回路によりゲート信号線２２ｂを選択しているが、ＯＥＶ端子によりオフ電圧がゲート信号線２２ｂに印加されるようにする。ホトセンサ６４にプリチャージ電圧を印加後、１Ｈ以内の露光時間経過した後に、ゲート信号線２２ｂに接続されたＯＥＶ端子の制御により選択状態にする。つまり、ＯＥＶ端子によりオン電圧がゲート信号線２２ｂに印加されるようにする。したがって、ＴＦＴ６２ｃがオンし、ＴＦＴ６２ｂの出力がホトセンサ出力信号線２５に出力される。

以上のＯＥＶに関する構成あるいは動作は、ゲートドライバ回路１２に適用できる。また、ゲート信号線２２ａ、ゲート信号線２２ｃにも適用することが好ましい。また、本実施形態の他の実施形態にも適用できる。

（７）ホトセンサ６４の端子電圧
ホトセンサ６４の端子電圧は、ホトセンサ６４に印加するプリチャージ電圧の大きさと、ホトセンサ６４に照射される外光の強度などによって変化する。この変化を図１１に示している。図１１のＡ期間にプリチャージ電圧が印加される。

図１１（１）はプリチャージ電圧Ｖｐｒｃ＝３．５Ｖの場合である。プリチャージ電圧Ｖｐｒｃが３．５Ｖ印加した後、ホトセンサ６４に照射される外光が弱い場合は、ａの直線でホトセンサ６４の端子電圧が変化する。ホトセンサ６４に照射される外光が強い場合は、ｂの直線でホトセンサ６４の端子電圧が変化する。Ｂ期間後に、スイッチングＴＦＴ６２ｃがオンされ、ホトセンサ出力信号線２５に電圧などが取り出される。図１１（１）のｂ直線の場合は、１．０Ｖがホトセンサ出力信号線２５に取り出される。Ｂ期間が短ければ、ホトセンサ出力信号線２５の電圧は、１．０Ｖ以上となる。Ｂ期間が長ければ、ホトセンサ出力信号線２５の電圧は、１．０Ｖ以下となる。

図１１（２）はプリチャージ電圧Ｖｐｒｃ＝４．０Ｖの場合である。プリチャージ電圧Ｖｐｒｃが４．０Ｖ印加した後、ホトセンサ６４に照射される外光が弱い場合は、ａの直線でホトセンサ６４の端子電圧が変化する。ホトセンサ６４に照射される外光が強い場合は、ｂの直線でホトセンサ６４の端子電圧が変化する。Ｂ期間後に、スイッチングＴＦＴ６２ｃがオンされ、ホトセンサ出力信号線２５に電圧などが取り出される。光照射強度に対するホトセンサ６４のインピーダンス変化が比例するのであれば、図１１（１）のｂ直線の傾きと図１１（２）のｂ直線の傾きは同一である。図１１（１）のａ直線の傾きと図１１（２）のａ直線の傾きは同一である。但し、１．０Ｖがホトセンサ出力信号線２５に取り出される。

図１１（３）はプリチャージ電圧Ｖｐｒｃ＝４．５Ｖの場合であり、図１１（４）はプリチャージ電圧Ｖｐｒｃ＝５．０Ｖの場合である。

なお、ゲート信号線２２ｃを駆動するゲートドライバ回路２２ｂと、ゲート信号線２２ｂを駆動するゲートドライバ回路２２ｂとを別回路に構成してもよい。

（８）複数回の画像取込み動作
ホトセンサ６４には、撮像条件を変えて複数回にわたって画像取込む（ＴＦＴ６２ｃの出力信号を取り込み）。そして、これら複数回の画像取込みの結果に基づいて、最終的な取込画像データを生成してもよい。

具体的には、図７に示すように、コンデンサ６３へのプリチャージ電圧Ｖｐｒｃを４通りに変化させて、各電圧Ｖｐｒｃをコンデンサ６３に印加した状態でそれぞれ画像取込みを行うための制御信号をアレイ基板１１のゲートドライバ回路１２ｂに供給する。また、アレイ基板１１から出力される画像取り込みの結果のデジタルデータもしくはアナログデータの演算処理を行う。

（９）選択回路の分割
図８の構成では、選択スイッチＳｋが１Ｈ期間毎に１回選択される必要がある。したがって、比較的高速の動作させる必要がある。この課題を対策するためには、選択回路を分割する。

（９−１）２分割の場合
図９では、奇数画素列を選択回路８１ｂと接続し、偶数画素列を選択回路８１ａと接続している。選択回路８１ｂからの電圧などは電圧出力端子８２ｂから出力される。選択回路８１ａからの電圧などは電圧出力端子８２ａから出力される。したがって、図８に比較して、スイッチＳｋを選択する時間を２倍にすることができる。

図９は、プリチャージ電圧は１つの端子８３から、全てのプリチャージ電圧信号線２４に印加するように図示したが、これに限定するものではない。

例えば、複数のプリチャージ電圧端子８３を形成または配置し、各プリチャージ電圧信号線２４に印加するプリチャージ電圧を変化させてもよい。

例えば、奇数画素列と偶数画素列のホトセンサ６４に異なるプリチャージ電圧を印加することにより、外光強度に対して感度が高いプリチャージ電圧を印加した画素列を選択して座標検出処理を実施することができる。３画素列以上または２画素行以上周期で異なるプリチャージ電圧を印加するように構成してもよい。

（９−２）２分割以上の場合
図９は２つの選択回路８１を形成した構成であったが、これに限定するものではない。

例えば、図３０、図３１、図３２に示すようにｎ個の選択回路８１を構成してもよい。ｎ数が増加すれば、するほど１Ｈ期間での１つのホトセンサ出力信号線２５に印加された信号の処理時間が長くなる。したがって、安定した出力信号処理を実現できる。しかし、分割数が多くなるにつれ、出力データの再組み立て（並べなおし）が複雑になる。

図３０は画面の左端からｍ本のホトセンサ出力信号線２５を選択回路８１ａに接続し、次のｍ本のホトセンサ出力信号線２５を選択回路８１ｂに接続し、ｍ本のホトセンサ出力信号線２５を選択回路８１ｃに接続し、・・・・・とした構成である。

図３１は画面の左端から２ｎ本のホトセンサ出力信号線２５を選択回路８１ａ、８１ｂ、８１ｃ、８１ｄ・・・・８１ｎ、８１ａ、８１ｂ、８１ｃ、・・・・・・・８１ｎに接続し、次の２ｎ本のホトセンサ出力信号線２５を選択回路８１ａ、８１ｂ、８１ｃ、８１ｄ・・・・８１ｎ、８１ａ、８１ｂ、８１ｃ、・・・・・・・８１ｎ、次の２ｎ本のホトセンサ出力信号線２５を選択回路８１ａ、８１ｂ、８１ｃ、８１ｄ・・・・８１ｎ、８１ａ、８１ｂ、８１ｃ、・・・・・・・８１ｎに接続・・・・・した構成である。

図３２は画面の左端からｍ本のホトセンサ出力信号線２５を選択回路８１ａ、８１ｂ、８１ｃ、８１ｄ・・・・８１ｎ、８１ａ、８１ｂ、８１ｃ、・・・・・・・８１ｎに接続し、次のｍ本のホトセンサ出力信号線２５を選択回路８１ａ、８１ｂ、８１ｃ、８１ｄ・・・・８１ｎ、８１ａ、８１ｂ、８１ｃ、・・・・・・・８１ｎ、次のｍ本のホトセンサ出力信号線２５を選択回路８１ａ、８１ｂ、８１ｃ、８１ｄ・・・・８１ｎ、８１ａ、８１ｂ、８１ｃ、・・・・・・・８１ｎに接続・・・・・した構成である。

（１０）ソースドライバ回路１４における選択機能
図８は全てのソース信号線２３は、ソースドライバ回路１４と接続するように構成した実施形態である。しかし、図９に示すように、ソースドライバ回路１４は１水平走査期間に赤（Ｒ）の映像信号、緑（Ｇ）の映像信号、青（Ｂ）の映像信号を順次出力し、アレイ基板１１に直接形成した切り替え回路９２のスイッチＳＷでＲの映像信号はＲのソース信号線２３に、Ｇの映像信号はＧのソース信号線２３に、Ｂの映像信号はＢのソース信号線２３に振り分けてもよい。つまり、ソースドライバ回路１４は３選択回路の機能を有している。

図９の構成では、ソースドライバ回路１４の出力端子９３数が図８の実施形態に比較して１／３ですむ。したがって、アレイ基板１１とソースドライバ回路１４の接続数も１／３ですみ、実装不良も発生しにくくなる。

なお、図９の実施形態において、切り替え回路９２はポリシリコン技術でアレイ基板１１に形成するとしたが、これに限定するものではなく、シリコンチップで形成し、アレイ基板１１に実装してもよい。

（１１）図９の動作タイミング
図９の動作タイミングを図１８に示している。

１Hの期間で切り替え回路９２のSWが端子ａ、ｂ、ｃを切り替える。また、ホトセンサ画素２７のＴＦＴ６２ａ、ＴＦＴ６２ｃが動作する。

１Ｈ期間の最初にＳＷはａ端子を選択し、ソースドライバ回路１４からＲの映像信号が出力される。したがって、Ｒの映像信号はＲのソース信号線２３に印加される。

次に、切り替え回路９２のＳＷはｂ端子を選択し、ソースドライバ回路１４からＧの映像信号が出力される。したがって、Ｇの映像信号はＧのソース信号線２３に印加される。

次に、切り替え回路９２のＳＷはｃ端子を選択し、ソースドライバ回路１４からＢの映像信号が出力される。したがって、Ｂの映像信号はＢのソース信号線２３に印加される。

次のタイミングでは、ゲート信号線２２ｃにオン電圧が印加され、ＴＦＴ６２ａがオンし、プリチャージ電圧信号線２４に印加されたプリチャージ電圧がホトセンサ画素２７に印加される。

１Ｈの最後にゲート信号線２２ｂにオン電圧が印加され、ホトセンサ画素２７のＴＦＴ６２ｃがオンしてＴＦＴ６２ｂの出力をホトセンサ出力信号線２５に出力する.
図１８において、ｔ１の期間は、ＳＷがａ端子を選択し、ソースドライバ回路１４からＲの映像信号が出力されている期間である。

ｔ２の期間は、切り替え回路９２のＳＷはｂ端子を選択し、ソースドライバ回路１４からＧの映像信号が出力されている期間である。

ｔ３の期間は、切り替え回路９２のＳＷはｃ端子を選択し、ソースドライバ回路１４からＢの映像信号が出力される。したがって、Ｂの映像信号はＢのソース信号線２３に印加される。

次のタイミングでは、ゲート信号線２２ｃにオン電圧が印加され、ＴＦＴ６２ａがオンし、プリチャージ電圧信号線２４に印加されたプリチャージ電圧がホトセンサ画素２７に印加される。

１Ｈの最後にゲート信号線２２ｂにオン電圧が印加され、ホトセンサ画素２７のＴＦＴ６２ｃがオンしてＴＦＴ６２ｂの出力をホトセンサ出力信号線２５に出力する.
なお、ｔ１、ｔ２、ｔ３、ｔ４、ｔ５の期間は同一にすることにより、ホトセンサ処理回路１８などの回路構成が容易になるがこれに限定するものではない。例えば、映像信号を印加している期間ｔ１、ｔ２、ｔ３に比較してプリチャージ電圧を印加する期間ｔ４を長くすることが好ましい。特に、ＴＦＴ６２ｃをオンさせる期間ｔ５を最も長くすることが好ましい。安定した出力をコンパレータ回路２３３に供給できるからである。また、ｔ１、ｔ２、ｔ３、ｔ４、ｔ５の期間の間にはｔ６の期間を確保することが好ましい。各スイッチＳＷ、ＴＦＴ６２がオン状態からオフ状態になる期間、切り替える期間は不安定となるからである。

なお、図１０で説明したように、プリチャージ電圧を印加するホトセンサ画素２７と、ＴＦＴ６２ｃがホトセンサ出力信号線に出力するホトセンサ画素２７とは一致している必要はない。

（１２）露光時間を短くする方法
図１８では、プリチャージ電圧を印加した期間ｔ４から、ホトセンサ６４の出力期間ｔ５までの期間（露光時間）をきわめて短くすることができる。

図１８において、ｔ１の期間は、ＳＷがａ端子を選択し、ソースドライバ回路１４からＲの映像信号が出力されている期間である。

ｔ２の期間は、切り替え回路９２のＳＷはｂ端子を選択し、ソースドライバ回路１４からＧの映像信号が出力されている期間である。

ｔ３の期間は、切り替え回路９２のＳＷはｃ端子を選択し、ソースドライバ回路１４からＢの映像信号が出力される。したがって、Ｂの映像信号はＢのソース信号線２３に印加される。次のタイミングでは、ゲート信号線２２ｃにオン電圧が印加され、ＴＦＴ６２ａがオンし、プリチャージ電圧信号線２４に印加されたプリチャージ電圧がホトセンサ画素２７に印加される。

１Ｈの最後にゲート信号線２２ｂにオン電圧が印加され、ホトセンサ画素２７のＴＦＴ６２ｃがオンしてＴＦＴ６２ｂの出力をホトセンサ出力信号線２５に出力する.
（１３）露光時間を長くする方法
露光時間を比較的長くするには、図１９のように構成することがよい。

図１９では、まず、１Ｈの最初のプリチャージ電圧がホトセンサ６４に印加されている。１Ｈの最後にホトセンサ６４の出力がホトセンサ出力信号線２５に取り出されている。

１Ｈの最初のｔ４の期間は、ゲート信号線２２ｃが選択され、ＴＦＴ６２ａがオン状態となり、プリチャージ電圧がホトセンサ６４に印加される。

次のｔ１の期間は、ＳＷがａ端子を選択し、ソースドライバ回路１４からＲの映像信号が出力されている期間である。

次のｔ２の期間は、切り替え回路９２のＳＷはｂ端子を選択し、ソースドライバ回路１４からＧの映像信号が出力されている期間である。

次のｔ３期間は、切り替え回路９２のＳＷはｃ端子を選択し、ソースドライバ回路１４からＢの映像信号が出力される。したがって、Ｂの映像信号はＢのソース信号線２３に印加される。

１Ｈの最後のタイミングでは、ゲート信号線２２ｂにオン電圧が印加され、ＴＦＴ６２ｃがオンし、ホトセンサ画素２７のＴＦＴ６２ｃがオンしてＴＦＴ６２ｂの出力がホトセンサ出力信号線２５に出力される。

（１４）第１の変更例
上記実施形態は、個々のホトセンサ画素２７に対して、１Ｈの期間で、プリチャージ電圧の印加とホトセンサ出力の取り出しとを実施する。しかし、これに限定するものではない。そこで、図２０の第１の変更例を示す。

（１４−１）第１の変更例の動作
図２０では、第１番目の水平走査期間（第１Ｈ目、例えば１番目の画素行を選択している期間）と、次の第２番目の水平走査期間（第２Ｈ目、例えば２番目の画素行を選択している期間）とＴＦＴ６２ａ、ＴＦＴ６２ｃの動作が異なる。ソースドライバ回路１４が出力する映像信号Ｒ、Ｇ、Ｂに関する動作は同一である（１Ｈ毎に映像信号が出力される）。

図２０では第１Ｈ目の画素行に、ＴＦＴ６２ａがオンし、プリチャージ電圧が第１画素行目のホトセンサ画素２７に印加される。なお、図２０でも明らかなように、第１画素行目のホトセンサ画素２７のＴＦＴ６２ｃは選択されないから、第１画素行目のホトセンサ６４の出力は読み出されない。第２Ｈ目の画素行に、ゲート信号線２２ｃは選択されないからＴＦＴ６２ａはオフ状態が維持される。したがって、プリチャージ電圧は第２画素行目の画素２７には印加されない。図２０でも明らかなように、第２画素行目のゲート信号線２２ｂが選択されるから、ホトセンサ画素２７のＴＦＴ６２ｃは選択される。したがって、第２画素行目のホトセンサ６４の出力はホトセンサ出力信号線２５に読み出される。

以上の動作から、第１フィールド（フレーム）では、奇数画素行にプリチャージ電圧が印加される。偶数画素行はホトセンサ６４の出力が読み出される。第１フィールド（フレーム）の次の第２フィールド（フレーム）では、偶数画素行にプリチャージ電圧が印加される。奇数画素行はホトセンサ６４の出力が読み出される。したがって、露光時間は１フィールド（フレーム）以上の時間を設定することができる。

（１４−２）第１の変更例の変更例
第１の変更例は、各画素行に順次プリチャージ電圧を印加し、また、各画素行から順次ホトセンサ６４の出力を読み出すことに限定されるものではない。

例えば、１画素行飛ばし、あるいは、複数画素行飛ばしで実施してもよい。

また、ランダムな画素行飛ばしでプリチャージ電圧の印加と、ホトセンサ６４の出力の読み出しを実施してもよい。

その他、以上の動作は画素列を単位として実施してもよい。

（１５）第２の変更例
図２１に第２の変更例を示す。

図２１のように、１Ｈ（１水平走査期間）つまり１画素行単位で、プリチャージ電圧の印加（ＴＦＴ６２ａが動作）と、ホトセンサ６４の読み出し（ＴＦＴ６２ｃが動作）を実施することは本実施形態の技術的範疇である。

図２１（ａ）は、１Ｈ期間の時間において、ＴＦＴ６２ａによるプリチャージ電圧の印加と、ＴＦＴ６２ｃによるホトセンサ６４の状態出力までの時間ｔ１（露光時間）が比較的短い実施形態である。

図２１（ｂ）は、ＴＦＴ６２ａによるプリチャージ電圧の印加と、ＴＦＴ６２ｃによるホトセンサ６４の状態出力までの時間ｔ２（露光時間）が比較的長い実施形態である。以上のように本実施形態は、ゲートドライバ回路１２ｂの制御（ＯＥＶ端子制御を含む）により露光時間を自由に設定あるいは調整することができる。

（１６）第３の変更例
図２２に第３の変更例を示す。

図２２のように、１Ｆ（１フィールドあるいは１フレーム）単位で、プリチャージ電圧の印加（ＴＦＴ６２ａが動作）と、ホトセンサ６４の読み出し（ＴＦＴ６２ｃが動作）を実施することは本実施形態の技術的範疇である。

図２２（ａ）は、１Ｆ期間の時間において、ＴＦＴ６２ａによるプリチャージ電圧の印加と、ＴＦＴ６２ｃによるホトセンサ６４の状態出力までの時間をｎＨ（ｎ＜＝１Ｆの水平走査線数）で変化した実施形態である。

図２２（ｂ）は、ＴＦＴ６２ａによるプリチャージ電圧の印加と、ＴＦＴ６２ｃによるホトセンサ６４の状態出力までの時間ｍＦ（ｍは整数）を可変した実施形態である。

（第２の実施形態）
図２３は、第２の実施形態における画素構成である。なお、ＴＦＴ６２ａ、ＴＦＴ６２ｃ、ＴＦＴ２３２などは説明を容易にするためスイッチとして示している。また、共通信号線３１をグランド（ＧＮＤ）記号で示している。

（１）画素の構成
図２３において、ゲート信号線２２ｄはゲートドライバ回路１２ｂで制御される信号線である。ゲート信号線２２ｄのオン電圧が印加されると、ＴＦＴ２３２がオンする。ＴＦＴ２３２がオンするとＶｒ電位がホトセンサ出力信号線２５に印加される。Ｖｒ電位は一例としてＧＮＤ電位である。Ｖｔ電圧はリセット信号線２３１に供給する。

なお、以上の実施形態においてＴＦＴ２３２のよりＧＮＤ電位をホトセンサ出力信号線２５に印加するとしたが、ＧＮＤ電位に限定されるものではなく、他の電位でもよい。例えば、ＴＦＴ６２ｂのＶｔ電圧近傍の電圧が例示される。また、コンパレータ回路２３３の比較電圧Ｖｒｅｆ電圧が例示される。ＴＦＴ２３２で印加するＶｒ電位は可変あるいは調整できるように構成することが好ましい。可変は電子ボリウムを付加することによりデジタル制御することができる。

Ｖｒ電圧の印加することにより、ホトセンサ出力信号線２５の電位がＶｒ電位となる。Ｖｒ電位を印加した後、ホトセンサ画素２７のＴＦＴ６２ｃをオンし、ホトセンサ６４の電位を読み出す。したがって、ＴＦＴ６２ｃがオンされる出力変化がホトセンサ出力信号線２５に現れるが、変化は必ず、Ｖｔ電位から変化する。したがって、安定してコンパレータ回路２３３に印加される。

Ｖｔ電圧の印加は、平面表示装置の使用を開始する時に実施する。また、１フィールド（フレーム）の最初に実施する。また、１Ｈの最初に実施してもよい。つまり、一定の区切りの最初に実施することが好ましい。

なお、Ｖｒｅｆ電圧を印加するコンパレータ信号線２３４は、全てのコンパレータ回路２３３に共通に印加する。しかし、本実施形態はこれに限定するものではない。例えば、図９に示すように複数の電圧出力端子８２を有する場合は、複数のコンパレータ信号線２３４を形成または配置してもよい。以上のことは、リセット信号線２３１に対しても同様である。

（２）コンパレータ回路２３３の変更例
コンパレータ回路２３３も１つのホトセンサ出力信号線２５に対して複数個を形成してもよい。複数形成するコンパレータ回路２３３の特性は異ならせる。

一例として、２種類のホトセンサ画素２７を形成し、このホトセンサ画素２７のホトセンサ６４の特性を異ならせる。ホトセンサは光強度により感度が異なるものを構成する。このホトセンサの感度に対応して複数のコンパレータ回路２３３をそれぞれ割り与える。

また、ホトセンサ画素２７のＴＦＴ６２ｂの特性を異ならせる。この異なるＴＦＴ６２ｂに対応して複数のコンパレータ回路２３３をそれぞれ割り与える。

例えば、異なるホトセンサ画素２７のＴＦＴ６２ｂ、異なるホトセンサ６４を、表示領域１０に１画素行毎に異ならせて構成する。すると、ホトセンサ出力信号線２５には１Ｈ毎に異なる出力信号レベルが出力される。この出力信号レベルを異なるコンパレータ回路２３３を選択することにより、良好にレベル判定を実施することができる。

異なるホトセンサ画素２７のＴＦＴ６２ｂ、異なるホトセンサ６４を、表示領域１０の上下に振り分けて形成する構成も例示される。この場合は、ホトセンサ出力信号線２５には画面の上下（上半分の表示領域と下半分の表示領域）で異なる出力信号レベルが出力される。この出力信号レベルを異なるコンパレータ回路２３３を選択することにより、良好にレベル判定を実施することができる。

図２５（ａ）は１つのホトセンサ出力信号線２５に対して、２つのコンパレータ回路２３３ａ、２３３ｂを形成したものである。２つのコンパレータ回路２３３ａ、２３３ｂには共通のコンパレータ電圧Ｖｒｅｆを印加しているが、これに限定するものでなく、異ならせてもよい。２つのコンパレータ回路２３３ａと２３３ｂのいずれを選択し、電圧出力端子８２に出力するかはスイッチＳａ、Ｓｂにより選択する。スイッチＳａとＳｂの制御は信号処理回路１５で行う。スイッチＳａをクローズすると、コンパレータ回路２３３ａの出力が出力端子８２に出力される。スイッチＳｂをクローズすると、コンパレータ回路２３３ｂの出力が出力端子８２に出力される。

図２５（ｂ）は１つのホトセンサ出力信号線２５に対して、１つのコンパレータ回路２３３を形成したものである。図２４と異なる点は、２つのコンパレータ電圧Ｖｒｅｆを選択できることである。コンパレータ信号線２３４ａ、２３４ｂにコンパレータ電圧Ｖｒｅｆ１、Ｖｒｅｆ２が印加される。Ｖｒｅｆ電圧は６ビットの電子ボリウムで６４段階に可変することが可能である（図２６参照）。

図２６では電子ボリウム２６１ｂによりコンパレータ信号線２３４に印加するＶｒｅｆ電圧が６ビット（６４段階）で可変することができる。ホトセンサ６４、ＴＦＴ６２ｂの特性などに合わせて良好な値となるようにＶｒｅｆ電圧は調整される。また、スイッチＳａ、Ｓｂを選択することにより、最適なＶｒｅｆ電圧を瞬時にコンパレータ回路２３３に印加することができる。コンパレータ回路２３３に印加されるＶｒｅｆ電圧とホトセンサ出力信号線２５の電圧と比較されて出力端子８２に出力電圧が出力される。２つのＶｒｅｆ電圧のいずれを選択するかはセンサ処理回路１５により選択される。スイッチＳａをクローズすると、Ｖｒｅｆ１電圧がコンパレータ回路２３３に印加される。スイッチＳｂをクローズすると、Ｖｒｅｆ２電圧がコンパレータ回路２３３に印加される。

また、図５０は共通信号線３１の電位を変更できるように構成した実施形態である。図５０ではＲからなるボリウム回路で調整するように構成しているが、これに限定するものではなく、電子ボリウム２６１で調整あるいは可変できるように構成してもよい。

以上の実施形態は、Ｖｒｅｆ電圧を電子ボリウム２６１で変化するものであったが、プリチャージ電圧Ｖｐｒｃも電子ボリウムで変化してもよい。例えば、図２６に示すようにプリチャージ電圧信号線２４には、電子ボリウム２６１ａにより８ビット（２５６段階）のプリチャージ電圧が印加できるように構成されている。なお、プリチャージ電圧のほうが、コンパレータ電圧よりも刻みを小さくする。本実施形態において、プリチャージ電圧は８ビットであり、コンパレータ電圧は６ビットとしている。コンパレータ電圧Ｖｒｅｆは比較電圧であり精度は不要であるが、プリチャージ電圧Ｖｐｒｃはホトセンサ６４の感度、露光時間に合わせて微妙な調整あるいは設定が必要だからである。

（第３の実施形態）
以上の実施形態は、ホトセンサ６４の一方の電位をＧＮＤ（接地電位または所定の固定電位）とした実施形態であった。しかし、本実施形態はこれに限定するものではない。

例えば、図２７に示すように、共通信号線３１をゲートドライバ回路１２ｃに接続し、変化あるいは変更してもよい。例えば、ソースドライバ回路１４が出力する映像信号の極性（図１０参照）にあわせて共通信号線３１の電位を変化させてもよい。ソース信号線２３に印加される映像信号がホトセンサ出力信号線２５などとカップリングし、出力を変動させるからである。映像信号の極性に同期させてあるいは一致させて共通信号線３１の電位を変化させることにより、このカップリングの影響を軽減または除去することができる。

一例として、映像信号の極性が正極性のときは、共通信号線３１の電位をＶｃ１とし、映像信号の極性が負極性のときは、共通信号線３１の電位をＶｃ２とする。以上のように共通信号線３１に電位を設定すると、１画素行毎に共通信号線３１の電位はＶｃ１とＶｃ２とが繰り返して設定（印加）される。また、ホトセンサ６４の特性、ＴＦＴ６２ｂの特性が同一であっても、共通信号線３１の電位を変化させることにより、相対的にＴＦＴ６２ｂのＶｔ電圧を変化させることができる。ホトセンサ６４などのＧＮＤ電位が変化することになるからである。したがって、形成されたホトセンサ６４などの共通信号線３１の電位を複数に印加することにより、外光に対して複数の感度を持つホトセンサを形成したのと同一の状態となる。

また、図２６などの構成では、ＴＦＴ６２ｂと、ホトセンサ６４とは同一の電位（Ｖｒ）にしたように説明したが、本実施形態はこれに限定されるものではない。例えば、ＴＦＴ６２ｂの端子ａをＶｒ１電位とし、ホトセンサ６４の端子ｂをＶｒ２というように異ならせてもよい。Ｖｒ２の電位がＶｒ１に比較して高ければ、相対的にＴＦＴ６２ｂのＶｔが高くなったのと同一の効果がある。したがって、形成されたホトセンサ６４などが同一の特性であっても、外光に対して複数の感度を持つホトセンサを形成したのと同一の状態の効果がある。また、Ｖｒ１の電位を固定電位とし、Ｖｒ２を共通信号線３１から供給するように構成し、共通信号線３１をゲートドライバ１２ｃで駆動するように構成してもよい。

もちろん、ゲートドライバ回路１２ｃが出力する電位は複数とすることに限定されるものではない。例えば、共通信号線３１に印加する電圧は１つであり、この１つの電圧をホトセンサ６４の特性、露光時間、ＴＦＴ６２ｂの特性に対応させて変化させてもよい。他の構成は、図６などの構成と同一あるいは類似であるので説明を省略する。

（露光時間とプリチャージ電圧の関係）
上記各実施形態は主として、プリチャージ電圧を変化させることにより、外光に対する感度を調整している。また、露光時間に対してもプリチャージ電圧を変化させることにより感度を調整している。

図２８はこの説明図である。ホトセンサ６４のリーク量は、外光が強いほどリーク量が大きくなる。また、略露光時間に比例して電荷が放電する。プリチャージ電圧は一定の電圧を印加するとし、略ＴＦＴ６２ｂのＶｔに変化するように調整するためには、ホトセンサ６４への外光が強い時は、露光時間を短くする。ホトセンサ６４への外光が弱いときは露光時間を長くする。以上の関係は図２８に図示される。したがって、外光が非常に強い時は、露光時間をきわめて短くする。また、ホトセンサ６４の感度が外光に対して非常によいときは、露光時間をきわめて短くする。

露光時間を短くしてもＴＦＴ６２ｂのゲート端子電圧がＶｔ電圧以下にすぐに到達してしまい、ホトセンサ出力信号線２５への変化信号が判別できない（全画面のＴＦＴ６２ｂの出力がオフ状態として出力される場合、つまり、本実施形態の表示パネルからの出力が同一撮像データを得ることができない状態）場合は、プリチャージ電圧Ｖｐｒｃを電子ボリウム２６１ａにより高く設定する。プリチャージ電圧Ｖｐｒｃ電圧を高く設定することにより、ＴＦＴ６２ｂのＶｔ電圧に到達するまでの時間が長くなるから、撮像データ（撮像された画像データ、物体の影など）を得ることができる。

露光時間を長くしてもＴＦＴ６２ｂのゲート端子電圧がＶｔ電圧以下に全く遠く、ホトセンサ出力信号線２５への変化信号が判別できない（全画面のＴＦＴ６２ｂの出力がオン状態として出力される場合、つまり、本実施形態の表示パネルからの出力が同一撮像データを得ることができない状態）場合は、プリチャージ電圧Ｖｐｒｃを電子ボリウム２６１ａにより低く設定する。プリチャージ電圧Ｖｐｒｃ電圧を低く設定することにより、ＴＦＴ６２ｂのＶｔ電圧に到達するまでの時間が短くなるから、撮像データ（撮像された画像データ、物体の影など）を得ることができる。なお、露光時間は１フィールド（１フレーム）以内とする方が良好な結果が得られる。映像信号が印加されたソース信号線２３からのカップリングの影響を受けにくいためと思われる。映像データは１フィールド（１フレーム）毎に極性が反転し、この反転の影響によりホトセンサ６４の電位がゆれてしまうからである。

以上のように、本実施形態は、露光時間（ゲートドライバ回路１２ｂの制御）と、プリチャージ電圧を調整あるいは設定することにより、撮像データを得ることを特徴としている。また、基本的にコンパレータ電圧Ｖｒｅｆは固定値に設定することを特徴としている。

（マトリックス処理）
ホトセンサ６４は、画素２６と同一工程（同一プロセス）で形成される。使用するプロセスはポリシリコン技術である。ポリシリコン技術による半導体膜は、レーザーアニール技術で形成する。したがって、レーザー光の温度分布により特性が大きくばらつく。この課題に対して本実施形態は、図２９に示すように、マトリックス処理を実施している。

マトリックス処理とは、マトリックス内のホトセンサ画素２７の出力をカウントし、カウント値により信号処理を実施するものである。図２６などで説明したように、本実施形態はコンパレータ回路２３３などにより、２値化されているものとする。

レーザーアニ−ル方法などでは、ＴＦＴ６２ｂ、ホトセンサ６４の特性は表示領域の一方の方向から他方の方向に傾きを持った特性分布となる。この特性分布を補正するためには、ホトセンサ６４が形成された領域に均一な外光を照射し、露光時間を一定にし、かつプリチャージ電圧を一定にして、マトリックス毎にＴＦＴ６２ｂの出力をカウントして加算する。また、電圧出力端子８２からの出力はコンパレータ回路２３３により２値のデータ（オン（１）、オフ（０））に変換されているとする。例えば、１０ｘ１０のマトリックスでは、カウント値は０から１００までの範囲である。このカウント値をマトリックス内のホトセンサ６４毎に集計してメモリする（キャリブレーションしたカウント値）。本実施形態の表示装置で撮像したデータも同一のマトリックス区分で処理を行い、処理を行ったカウント値から、先のキャリブレーションしたカウント値を一定比率で差分処理を行う。この行ったデータには、ホトセンサなどの特性分布が減算されているため、良好な撮像データを得ることができる。

以上のように、差分処理を行った結果のデータは、ホトセンサ６４．ＴＦＴ６２ｂの分布の影響が除去あるいは軽減されている。また、小領域の特性分布によるバラツキは、マトリックス処理を行い、マトリックスの出力データを１つのデータとして取り扱うため（結果的に平均化されたことになる）、小領域の特性分布の影響を受けない。例えば、レーザーショットが弱く、Ｖｔ電圧が高いＴＦＴ６２ｂがマトリックス内に少数分布していても他のホトセンサ画素２７のＴＦＴ６２ｂが良好であれば、Ｖｔ電圧が高いＴＦＴ６２ｂが少数であれば、全体として影響はない。

マトリックス処理の区分は、図２９（ａ）に示すように、市松状にマトリックスする方式が例示される。図２９（ａ）は、３ｘ３のマトリックス処理の実施である。本実施形態では５ｘ５のようにホトセンサ６４数が２５以上となるようにする構成することが好ましい。さらには８ｘ８のように５０以上となるように構成することが好ましい。特に１０ｘ１０のように１００以上となるように構成することが好ましい。但し、３５ｘ３５のように、マトリックスに含まれるホトセンサ数が１０００を超えることがないようにする。

以上の実施形態はｎｘｎのマトリックスに区分して処理するとしたが、マトリックスの概念はこれに限定されるものではない。例えば、図２９（ｂ）に示すように、縦方向に区分している。この区分も本実施形態のマトリックスの技術的範疇である。図２９（ｂ）では、３画素列単位でマトリックス状に区分している。なお、横方向（画素行方向）にマトリックス状に区分してもよい。

もちろん、図９に示すように、コンパレータ回路２３３を使用せず、アナログデータを直接に、またはアナログデータを多ビットのデジタルデータとして信号処理を実施する場合は、アナログデータはローパスフィルタにより平均化（ＤＣ化）し、デジタルデータは加算することにより該当マトリックス範囲のデータとして処理してもよい。

（第４の実施形態）
以下、第４の実施形態として他の画素構成について説明をする。なお、画素構成について説明を行うが、他の構成は以前に説明した実施形態の構成、方式、動作が適用される。

図３３は第４の実施形態の画素の等価回路図である。

Ｖｔ電圧により動作するＴＦＴ６２ｂがＮチャンネルＴＦＴ６２ｂｎとＰチャンネルのＴＦＴ６２ｂｐで構成されている。つまり、ＴＦＴ６２ｂはＰチャンネルとＮチャンネルのＣＭＯＳ構成で構成されている。ａ点の電位により、ＰチャンネルのＴＦＴ６２ｂｐまたはＴＦＴ６２ｂｎが動作する。ＴＦＴ６２ｃがオンすると、ＰチャンネルのＴＦＴ６２ｂｐまたはＮチャンネルのＴＦＴ６２ｂｎが動作により変化したｂ点の電位が、ホトセンサ出力信号線２５に出力される。

なお、ＰチャンネルのＴＦＴ６２ｂｐ、ＴＦＴ６２ｂｎの特性によっては、ＰチャンネルのＴＦＴ６２ｂｐとＮチャンネルのＴＦＴ６２ｂｎの両方が動作する場合も本実施形態の技術的範疇である。ｂの電位変化がホトセンサ出力信号線２５に出力するという点では問題がないからである。他の構成は上記実施形態と同様あるいは類似であるので説明を省略する。

（第５の実施形態）
図３４は、ホトセンサ６４をＮチャンネルＴＦＴ６２ｂｎとＰチャンネルのＴＦＴ６２ｂｐで構成した第５の実施形態である。

つまり、ホトセンサ６４は、ＰチャンネルとＮチャンネルのダイオード接続したＴＦＴを直列に連結して構成されている。ＰチャンネルのＴＦＴ６４ｐ、ＴＦＴ６４ｎの特性のバラツキを補い、全体として特性バラツキが抑制される。

なお、図３４の構成では、ＰチャンネルのＴＦＴ６２４ｐとＮチャンネルのＴＦＴ６４ｎを各１個で構成しているが、本実施形態はこれに限定するものではなく、ＮチャンネルのＴＦＴ６４ｎとＰチャンネルのＴＦＴ６４ｐが各複数個を形成または配置してもよい。

また、ＮチャンネルのＴＦＴ６４ｎが複数個でホトセンサ６４を構成してもよい。また、ＰチャンネルのＴＦＴ６４ｐが複数個でホトセンサ６４を構成してもよい。

他の構成は上記実施形態と同様あるいは類似であるので説明を省略する。

（第６の実施形態）
図３５は、ホトセンサ出力信号線２５をＲの映像信号を印加するソース信号線２３Ｒと共通にした第６の実施形態である。

ソース信号線２３Ｒには、Ｒの映像信号と、ＴＦＴ６２ｃの出力（ホトセンサ出力）が多重される。ゲート信号線２２ｂの選択は映像信号がソース信号線２３に印加されていないタイミングで実施される。

また、図３５は、プリチャージ電圧信号線２４をＢの映像を印加するソース信号線２３Ｂと共通にした構成である。ソース信号線２３Ｂには、プリチャージ電圧と、Ｂの映像信号が多重される。ゲート信号線２２ｃの選択は映像信号がソース信号線２３に印加されていないタイミングで実施される。

他の構成は、上記他の実施形態と同様あるいは類似であるので説明を省略する。

（１）第１の変更例
上記実施形態では、ホトセンサ出力信号線２５と、Ｒの映像を印加するソース信号線２３Ｒと共通にしたとして説明したが、本実施形態はこれに限定するものではない。

例えば、ホトセンサ出力信号線２５をＧの映像を印加するソース信号線２３Ｇと共通にしてもよい。また、ホトセンサ出力信号線２５をＢの映像を印加するソース信号線２３Ｂと共通にしてもよい。つまり、本実施形態は、ホトセンサ出力信号線２５を映像信号線などの他の信号線と共通にし、共通にした信号線に、映像信号などとホトセンサ出力とを多重することに特徴がある。

（２）第２の変更例
上記実施形態は、ホトセンサ出力信号線２５と映像を印加するソース信号線２３と共通にするとした説明したがこれに限定するものではなく、例えば、ホトセンサ出力信号線２５と共通信号線３１などと共通にしてもよい。

（３）第３の変更例
図３７に、第５の実施形態と図２７の実施形態と組み合わせた実施形態を示している。

（４）第４の変更例
図４４はＴＦＴ６２ｂをＰチャンネルＴＦＴで構成した実施形態である。ＴＦＴ６２ｂの一端子は正側電源Ｖｄｄに接続し、他端をＴＦＴ６２ｃと接続している。他の構成は図２７、図３７の実施形態と同様であるので説明を省略する。

（５）第５の変更例
上記実施形態では、プリチャージ電圧信号線２４と、Ｂの映像を印加するソース信号線２３Ｂと共通にしたとして説明したが、本実施形態はこれに限定するものではない。

例えば、プリチャージ電圧信号線２４をＧの映像を印加するソース信号線２３Ｇと共通にしてもよい。また、プリチャージ電圧信号線２４をＢの映像を印加するソース信号線２３Ｂと共通にしてもよい。つまり、本実施形態は、プリチャージ電圧信号線２４を映像信号線などの他の信号線と共通にし、共通にした信号線に、映像信号などとプリチャージ電圧とを多重することに特徴がある。

（６）第６の変更例
上記実施形態は、プリチャージ電圧信号線２４と映像を印加するソース信号線２３と共通にするとした説明したがこれに限定するものではなく、例えば、プリチャージ電圧信号線２４と共通信号線３１などと共通にしてもよい。

（７）第７の変更例
プリチャージ電圧信号線２４、映像信号線を印加するソース信号線２３、ホトセンサ出力信号線２５を共通にし、映像信号とプリチャージ電圧とホトセンサ出力とを多重してもよい。

（８）第８の変更例
図３６は、ホトセンサ出力信号線２５をＲの映像を印加するソース信号線２３Ｒと共通にし、プリチャージ電圧信号線２４と映像を印加するソース信号線２３と共通にし、ホトセンサ６４のＧＮＤ電位の共通信号線３１をＧの映像を印加するソース信号線２３Ｇと共通にした構成である。

ソース信号線２３に印加される映像信号は、正極性と負極性が１Ｈ毎に交互に印加されるため、ホトセンサ６４のＧＮＤ電位がゆれても平均的にはＤＣ電位のように固定された電位に維持されていることになる。

ソース信号線２３Ｒには、Ｒの映像信号と、ＴＦＴ６２ｃの出力（ホトセンサ出力）が多重される。ゲート信号線２２ｂの選択は映像信号がソース信号線２３に印加されていないタイミングで実施される。プリチャージ電圧信号線２４をＢの映像を印加するソース信号線２３Ｂと共通にした構成である。ソース信号線２３Ｂには、プリチャージ電圧と、Ｂの映像信号が多重される。ゲート信号線２２ｃの選択は映像信号がソース信号線２３に印加されていないタイミングで実施される。他の構成は図３５で説明した実施形態と同様あるいは類似であるので説明を省略する。

図３８は図３６の画素構成でのタイミングチャートである。

１Ｈの最初のｔ４の期間は、ゲート信号線２２ｃが選択され、ＴＦＴ６２ａがオン状態となり、プリチャージ電圧がホトセンサ６４に印加される。

次のｔ１の期間は、ＳＷがａ端子を選択し、ソースドライバ回路１４からＲの映像信号が出力されている期間である。

次のｔ２の期間は、切り替え回路９２のＳＷはｂ端子を選択し、ソースドライバ回路１４からＧの映像信号が出力されている期間である。

次のｔ３期間は、切り替え回路９２のＳＷはｃ端子を選択し、ソースドライバ回路１４からＢの映像信号が出力される。したがって、Ｂの映像信号はＢのソース信号線２３に印加される。

１Ｈの最後のタイミングでは、ゲート信号線２２ｂにオン電圧が印加され、ＴＦＴ６２ｃがオンし、ホトセンサ画素２７のＴＦＴ６２ｃがオンしてＴＦＴ６２ｂの出力がホトセンサ出力信号線２５に出力される。

なお、ｔ１、ｔ２、ｔ３、ｔ４、ｔ５の期間は同一にすることにより、ホトセンサ処理回路１８などの回路構成が容易になる。

また、ｔ１、ｔ２、ｔ３、ｔ４、ｔ５の期間の間にはｔ６の期間を確保することが好ましい。各スイッチＳＷ、ＴＦＴ６２がオン状態からオフ状態になる期間、切り替える期間は不安定となるからである。

（９）第９の変更例
図３９は共通信号線３１をゲート信号線２２ａと共通にした構成である。

ゲート信号線２２ａは１フィールド（１フレーム）に１Ｈの期間オン電圧が印加される。他の期間はオフ電圧が印加される。したがって、ゲート信号線２２ａの電位は固定電位に維持されていると考えてよい。

図３９に示すように、共通信号線３１をゲート信号線２２ａと共通にしても、ホトセンサ６４及びＴＦＴ６２ｂの一端子はＧＮＤ接地状態である。そのため、電位変動によるホトセンサ出力にはほとんど影響を与えない。但し、表示画素２６とホトセンサ画素２７を有する画素１６もしくは、前記画素１６に隣接した画素行に位置する画素１６において、ゲート信号線２２ａとゲート信号線２２ｂ、ゲート信号線２２ｃが同時に選択されないようにタイミング処理を行う必要がある。好ましくは、前記画素１６において、ゲート信号線２２ａが選択する前後の２Ｈ以上の水平走査期間には、該当画素１６のゲート信号線２２ｂ及びゲート信号線２２ｃが選択されないようにタイミング処理を実施する。他の構成は図３５で説明した実施形態と同様あるいは類似であるので説明を省略する。

（第７の実施形態）
図４０は、ＴＦＴ６２ｂの特性バラツキを補償するため、オフセットキャンセルを実施する画素構成である。

オフセットキャンセルすることにより、ＴＦＴ６２ｂはカットオフ電圧を基準に動作させることができる。したがって、ＴＦＴ６２ｂのＶｔバラツキなどを補償することができ、安定したホトセンサ出力を得ることができる。ＴＦＴ６２ｂのドレイン端子ＤはＶｂｂ電圧とし、ホトセンサ６４に接続された共通信号線３１と分離している。分離によりＴＦＴ６２ｂのＶｂｂ電圧の電位を自由に設定あるいは調整できるようになり、ＴＦＴ６２ｂのリセット動作が容易になる。

図４０では、プリチャージ電圧を印加する前に、ゲート信号線２２ｄにオン電圧が印加され、ＴＦＴ６３ｄがオンする。ＴＦＴ６２ｄがオンすると、ＴＦＴ６２ｂのドレイン端子Ｄとゲート端子Ｇ間が短絡される。ゲート端子Ｇとドレイン端子Ｄの短絡によりＴＦＴ６２ｂはＶｔ電圧にリセットされる。つまり、ＴＦＴ６２ｂのゲート端子Ｇの電圧は、電流を流し始める電圧（基本的にはＶｔ電圧）に設定される。この電圧をＶ０電圧とする。このとき、プリチャージ電圧信号線は、所定の電位Ｖ１が印加される。

ゲート端子Ｇの電位は、ホトセンサ６４の電位である。次に、ゲート信号線２２ｃにオン電圧が印加されるとともに、プリチャージ電圧信号線２４にプリチャージ電圧Ｖｐｒｃが印加される。ＴＦＴ６２ａがオンし、プリチャージ電圧はカップリングコンデンサ４０１を介してホトセンサ６４に印加される。つまり、ＴＦＴ６２ｂのゲート端子には、Ｖ０電圧に加算された電圧Ｖ２が印加される。Ｖ２電圧は、基本的にはＶ１電圧に相関あるいは比例する。Ｖ１はコンデンサ４０１とコンデンサ６３などで分圧されてＶ２電圧となる。

以上の動作によりＴＦＴ６２ｂのゲート端子にはＶ２電圧が印加される。ゲート信号線２２ｃにオフ電圧が印加される。したがって、ＴＦＴ６２ａがオフされ、Ｖ２電圧がホトセンサ６４の一端子に保持される。

以降の動作は他の実施形態と同様である。つまり、外光によりホトセンサ６４がリークしＶ２電圧が低下していく。Ｖ２電圧が、ＴＦＴ６２ｂのＶｔ電圧以下になれば、ＴＦＴ６２ｂがオフ状態となる。ＴＦＴ６２ｃをオンさせることにより、ＴＦＴ６２ｂの状態をホトセンサ出力信号線２５に出力する。

（１）第１の変更例
図４５は図４０の変形例である。

ＴＦＴ６２ｂのドレイン端子Ｄと共通信号線３１と接続している。共通信号線３１はゲートドライバ回路１２ｃに接続している。

他の構成は図４０で説明した実施形態と同様あるいは類似であるので説明を省略する。

（２）第２の変更例
図４２は図４０の変形例である。

ＴＦＴ６２ｄをＰチャンネルＴＦＴで構成している。

他の構成は図４０で説明した実施形態と同様あるいは類似であるので説明を省略する。

（第８の実施形態）
次に第８の実施形態について説明する。

図４１は、図４０のＴＦＴ６２ｂを反転回路４１１に置き換えた第８の実施形態である。図４１は、ホトセンサ画素２７のＴＦＴ６２ｂの特性バラツキを補償するため、インバータオフセットキャンセル回路を構成した実施形態である。オフセットキャンセルすることにより、カットオフ電圧を基準に設定させることができるようになる。

（１）反転回路４１１の構成
反転回路４１１は、図３３に示すように、ＰチャンネルのＴＦＴとＮチャンネルのＴＦＴで構成する。反転回路４１１はＶｄｄとＶｓｓ電源で動作するとして説明するが、これに限定するものではなく、Ｖｄｄ電源と共通信号線３１電位で動作するとしてもよい。また、他の電位で動作するとしてもよい。

反転回路４１１のａ点の電位により、反転回路４１１のＰチャンネルＴＦＴまたはＮチャンネルＴＦＴが動作し、ｂ点に出力される。つまり、ａ点電位によりｂ点に出力される電圧が変化する。このｂ点の電圧は、ＴＦＴ６２ｃをオンさせることによりホトセンサ出力信号線２５に出力される。

（２）動作の内容
ゲート信号線２２ｃはゲートドライバ回路１２によって制御される。また、ゲート信号線２２ｄには、ＰチャンネルＴＦＴ６２ｄｐのゲート端子が接続されている。ゲート信号線２２ｄにオン電圧が印加されると、ＰチャンネルＴＦＴ６２ｄｐがオン（ＴＦＴ６２ｄｐのチャンネル間がクローズ）する。ゲート信号線２２ｄにオフ電圧が印加されると、ＰチャンネルＴＦＴ６２ｄｐがオフ（ＴＦＴ６２ｄｐのチャンネル間がオープン）する。

反転回路４１１をオフセット動作させるときは、ゲート信号線２２ｄにオン電圧が印加し、ＰチャンネルＴＦＴ６２ｄｐがオン（ＴＦＴ６２ｄｐのチャンネル間がクローズ）する。他の動作状態のときは、ゲート信号線２２ｄにオフ電圧が印加し、ＰチャンネルＴＦＴ６２ｄｐがオフ（ＴＦＴ６２ｄｐのチャンネル間がオープン）にする。

以上ように、ＴＦＴ６２ｄｐはゲート信号線２２ｄの印加されたオン電圧により動作する。ＴＦＴ６２ｄｐはオン電圧の印加により、チャンネル間のインピーダンスが低下し、反転回路４１１のａ端子とｂ端子間が短絡状態となる。したがって、反転回路４１１はリセットされる。

以上のリセット動作後、ゲート信号線２２ｄｐのオフ電圧が印加される。すると、ＴＦＴ６２ｄｐはオフ電圧の印加により、チャンネル間がオープンとなり、ａ端子とｂ端子間が切り離される。

図４１では、プリチャージ電圧を印加する前に、ゲート信号線２２ｄｐにオン電圧が印加され、ＴＦＴ６３ｄｐがオンする。ＴＦＴ６２ｄｐがオンすると、ＴＦＴ６２ｂｐのドレイン端子Ｄとゲート端子Ｇ間が短絡される。ゲート端子Ｇとドレイン端子Ｄの短絡により反転回路４１１はＶｔ電圧にリセットされる。つまり、反転回路４１１は、電流を流し始める電圧（基本的にはＶｔ電圧）に設定される。この電圧をＶ０電圧とする。このとき、プリチャージ電圧信号線は、所定の電位Ｖ１が印加される。

ゲート端子Ｇの電位は、ホトセンサ６４の電位である。次に、ゲート信号線２２ｃにオン電圧が印加されるとともに、プリチャージ電圧信号線２４にプリチャージ電圧Ｖｐｒｃが印加される。ＴＦＴ６２ａがオンし、プリチャージ電圧はカップリングコンデンサ４０１を介してホトセンサ６４に印加される。つまり、ＴＦＴ６２ｂのゲート端子には、Ｖ０電圧に加算された電圧Ｖ２が印加される。Ｖ２電圧は、基本的にはＶ１電圧に相関あるいは比例する。Ｖ１はコンデンサ４０１とコンデンサ６３などで分圧されてＶ２電圧となる。

以上の動作によりＴＦＴ６２ｂのゲート端子にはＶ２電圧が印加される。ゲート信号線２２ｃにオフ電圧が印加される。したがって、ＴＦＴ６２ａがオフされ、Ｖ２電圧がホトセンサ６４の一端子に保持される。

以降の動作は他の実施形態と同様である。つまり、外光によりホトセンサ６４がリークしＶ２電圧が低下していく。Ｖ２電圧が、反転回路４１１のＶｔ電圧の以上か以下になれば、それに対応してｂ点の電位が変化する。ＴＦＴ６２ｃをオンさせることにより、ＴＦＴ６２ｂの状態をホトセンサ出力信号線２５に出力する。他の構成は先に説明した実施形態と同様あるいは類似であるので説明を省略する。

（３）第１の変更例
図４１の変形例として、図４１の点線内で図示するＴＦＴ６２ｄｎを付加する構成を説明する。

この構成の場合は、ホトセンサ６４のＧＮＤ端子は必要ない。ＴＦＴ６２ｄｎによりＧＮＤに接地されるからである。ゲート信号線２２ｃはゲートドライバ回路１２によって制御される。

また、ゲート信号線２２ｄには、ＰチャンネルＴＦＴ６２ｄｐとＴＦＴ６２ｄｎのゲート端子が接続されている。ゲート信号線２２ｄにオン電圧が印加されると、ＰチャンネルＴＦＴ６２ｄｐがオン（ＴＦＴ６２ｄｐのチャンネル間がクローズ）し、ＮチャンネルＴＦＴ６２ｄｎがオフ（ＴＦＴ６２ｄｎのチャンネル間がオープン）する。ゲート信号線２２ｄにオフ電圧が印加されると、ＮチャンネルＴＦＴ６２ｄｎがオン（ＴＦＴ６２ｄｎのチャンネル間がクローズ）し、ＰチャンネルＴＦＴ６２ｄｐがオフ（ＴＦＴ６２ｄｐのチャンネル間がオープン）する。つまり、ＰチャンネルＴＦＴ６２ｄｐとＮチャンネルＴＦＴ６２ｄｎは逆動作する。

反転回路４１１をオフセット動作させるときは、ゲート信号線２２ｄにオン電圧が印加し、ＰチャンネルＴＦＴ６２ｄｐがオン（ＴＦＴ６２ｄｐのチャンネル間がクローズ）する。このとき、ＮチャンネルＴＦＴ６２ｄｎがオフ（ＴＦＴ６２ｄｎのチャンネル間がオープン）する。他の動作状態のときは、ゲート信号線２２ｄにオフ電圧が印加し、ＮチャンネルＴＦＴ６２ｄｎがオン（ＴＦＴ６２ｄｎのチャンネル間がクローズ）させ、ＰチャンネルＴＦＴ６２ｄｐがオフ（ＴＦＴ６２ｄｐのチャンネル間がオープン）にする。

以上ように、ＴＦＴ６２ｄｐ、ＴＦＴ６２ｄｎはゲート信号線２２ｄの印加されたオン電圧により動作する。ＴＦＴ６２ｄｐはオン電圧の印加により、チャンネル間のインピーダンスが低下し、反転回路４１１のａ端子とｂ端子間が短絡状態となる。したがって、反転回路４１１はリセットされ、ホトセンサ６４の両端子間も短絡されるとともに、コンデンサ６３の電荷も放電される。

以上のリセット動作後、ゲート信号線２２ｄｐのオフ電圧が印加される。すると、ＴＦＴ６２ｄｐはオフ電圧の印加により、チャンネル間がオープンとなり、ａ端子とｂ端子間が切り離される。一方、ＴＦＴ６２ｄｎがオン状態となり、ホトセンサ６４のｃ端子が共通信号線３１に接続され、共通信号線３１の電位が印加される。のインピーダンスが低下し、反転回路４１１のａ端子とｂ端子間が短絡状態となる。したがって、反転回路４１１はリセットされ、ホトセンサ６４の両端子間も短絡されるとともに、コンデンサ６３の電荷も放電される。他の構成は先に説明した実施形態と同様あるいは類似であるので説明を省略する。

（４）第２の変更例
図５３は図３９と同様に、図４１にインバータオフセット回路において、共通信号線３１をゲート信号線２２ａと共通にした変更例である。

他の構成は先に説明した実施形態と同様あるいは類似であるので説明を省略する。

（５）第３の変更例
図４３もオフセットキャンセル回路の第３の変更例である。

図４３では、プリチャージ電圧を印加する前に、ゲート信号線２２ｅにオン電圧が印加され、ＴＦＴ６２ｅをオンさせる。ＴＦＴ６２ｅはｂ点の電荷を放電する。

次に、ゲート信号線２２ｄのオン電圧を印加する。ＴＦＴ６２ｄがオンすると、ＴＦＴ６２ｂのドレイン端子Ｄとゲート端子Ｇ間が短絡される。ゲート端子Ｇとドレイン端子Ｄの短絡によりＴＦＴ６２ｂはＶｔ電圧にリセットされる。つまり、ＴＦＴ６２ｂのゲート端子Ｇの電圧は、電流を流し始める電圧（基本的にはＶｔ電圧）に設定される。この電圧をＶ０電圧とする。このとき、プリチャージ電圧信号線は、所定の電位Ｖ１が印加される。

ゲート端子Ｇの電位は、ホトセンサ６４の電位である。次に、ゲート信号線２２ｃにオン電圧が印加されるとともに、プリチャージ電圧信号線２４にプリチャージ電圧Ｖｐｒｃが印加される。ＴＦＴ６２ａがオンし、プリチャージ電圧はカップリングコンデンサ４０１を介してホトセンサ６４に印加される。つまり、ＴＦＴ６２ｂのゲート端子には、Ｖ０電圧に加算された電圧Ｖ２が印加される。Ｖ２電圧は、基本的にはＶ１電圧に相関あるいは比例する。Ｖ１はコンデンサ４０１とコンデンサ６３などで分圧されてＶ２電圧となる。

以上の動作によりＴＦＴ６２ｂのゲート端子にはＶ２電圧が印加される。ゲート信号線２２ｃにオフ電圧が印加される。したがって、ＴＦＴ６２ａがオフされ、Ｖ２電圧がホトセンサ６４の一端子に保持される。

以降の動作は他の実施形態と同様である。つまり、外光によりホトセンサ６４がリークしＶ２電圧が低下していく。Ｖ２電圧が、ＴＦＴ６２ｂのＶｔ電圧以下になれば、ＴＦＴ６２ｂがオフ状態となる。ＴＦＴ６２ｃをオンさせることにより、ＴＦＴ６２ｂの状態をホトセンサ出力信号線２５に出力する。他の構成は先に説明した実施形態と同様あるいは類似であるので説明を省略する。

（第９の実施形態）
外光の強度は１ルックス〜１０万ルックスまで広範囲である。アレイ基板１１にホトセンサ６４が作製される。ホトセンサ６４の感度はホトセンサのサイズ、半導体膜特性で決定されるため、広範囲の外光に対応させるためには、露光時間の調整、プリチャージ電圧の調整などにより行う。本実施形態は、より広範囲の外光に対応するための画素構成について説明する。

図４６に示す第９の実施形態は、プリチャージ電圧を印加するＴＦＴ６２ａを複数個形成している。

ＴＦＴ６２ａには直列に抵抗Ｒを形成している。抵抗Ｒは拡散抵抗で形成する。ＴＦＴ６２ａ１には直列に抵抗Ｒ１を形成し、ＴＦＴ６２ａ２には直列に抵抗Ｒ２を形成する。ＴＦＴ６２ａ１とＴＦＴ６２ａ２をオンする時間が同一であっても、抵抗Ｒ（Ｒ１、Ｒ２）のインピーダンスが高いほどホトセンサ６４に書き込まれるプリチャージ電圧は小さくなる。したがって、Ｒ１とＲ２の抵抗値を異ならせることによりＴＦＴ６２ａ１をオンさせたときのプリチャージ電圧とＴＦＴ６２ａ２をオンさせたときのプリチャージ電圧とを異ならせることができる。プリチャージ電圧により必要な露光時間を可変することができる。したがって、図４６により外光の感度範囲を拡大することができる。

（１）第１の変更例
ＴＦＴ６２ａ１のゲート端子に印加するオン電圧と、ＴＦＴ６２ａ２のゲート端子に印加するオン電圧とを異ならせることにより、等価的にＲ１とＲ２の抵抗値を異ならせることができる。

例えば、ＴＦＴ６２ａがＮチャンネルの場合、印加するオン電圧が高いほどチャンネル間のインピーダンスが低下する（抵抗Ｒは小さくなる）。印加するオン電圧がＶｔ電圧近傍になるほど、ＴＦＴ６２ａのチャンネル間のインピーダンスが高くなる（抵抗Ｒは高くなる）。この場合は、ＴＦＴ６２ａ１とＴＦＴ６２ａ２を駆動するゲート信号線２２ｃを別のゲート信号線に形成すれば容易に実現できる。

（２）第２の変更例
図４６の実施形態は、ＴＦＴ６２ａを複数形成して、プリチャージ電圧を可変する構成であった。しかし、ＴＦＴ６２ａの他に、別途スイッチを形成してもよい。例えば、図４７ではスイッチＳ１、Ｓ２を形成している。

（３）第３の変更例
図４７は、ＴＦＴ６２ｃの他に、スイッチＳ１、Ｓ２を形成し、抵抗Ｒ１、Ｒ２を形成した実施形態である。

スイッチＳ１の選択により抵抗Ｒ１がＴＦＴ６２ｃに直列に接続される。スイッチＳ２の選択により抵抗Ｒ２がＴＦＴ６２ｃに直列に接続される。ＴＦＴ６２ｃをオンする時間が同一であっても、抵抗Ｒ（Ｒ１、Ｒ２）のインピーダンスが高いほどホトセンサ出力信号線２５に出力される電荷は小さくなる。したがって、Ｒ１とＲ２の抵抗値を異ならせることによりＴＦＴ６２ｃをオンさせたときの出力を異ならせることができる。したがって、図４６により外光の感度範囲を拡大することができる。

他の構成などは図４６と同様であるので説明を省略する。

なお、本実施形態は、他の実施形態と組み合わせてよい。以上の事項は他の実施形態においての同様である。

（第１０の実施形態）
図４８（ａ）に示すように、ＴＦＴ６２ｂを複数個形成し、このＴＦＴ６２ｂのＷＬ比（チャンネル幅Ｗ、チャンネル長Ｌとの比）などを異ならせることにより、ＴＦＴ６２ｂのＶｔ電圧を異ならせることができる。Ｖｔ電圧が異なり、どのＴＦＴ６２ｂが動作しているかを検出できれば、外光の強度を相対的に知ることができる。

例えば、ＴＦＴ６２ｂ１のＶｔ電圧が１．５Ｖで、ＴＦＴ６２ｂ２のＶｔ電圧が２．０Ｖであるとする。また、露光時間は一定とする。ホトセンサ６４のａ点の端子電圧が低下し、１．５Ｖ以下となれば、ＴＦＴ６２ｂ１とＴＦＴ６２ｂ２の両方がオフ状態である。したがって、ホトセンサ６４のａ点の端子電圧は、１．５Ｖ以下であることを検出でき、外光が強く、ホトセンサ６４のリーク量が大きいことがわかる。ホトセンサ６４のａ点の端子電圧が低下し、１．５Ｖ以上２．０以下であれば、ＴＦＴ６２ｂ１はオン状態であるが、ＴＦＴ６２ｂ２はオフ状態である。したがって、ホトセンサ６４のａ点の端子電圧は、１．５Ｖ以上２．０Ｖ以下であることを検出でき、外光が比較的強いことがわかる。ホトセンサ６４のａ点の端子電圧が低下し、２．０Ｖ以上であれば、ＴＦＴ６２ｂ１とＴＦＴ６２ｂ２の両方がオン状態である。したがって、ホトセンサ６４のａ点の端子電圧は、２．０Ｖ以上であることを検出でき、外光が弱く、ホトセンサ６４がほとんどリークしなかったことがわかる。

また、図４８（ａ）に示すように、ＴＦＴ６２ｂを複数個形成し、この複数個のＴＦＴ６２ｂの特性が同一であっても、このＴＦＴ６２ｂのドレイン端子Ｄの電圧などを異ならせることにより、ホトセンサ６４の端子電圧に対する感度を異ならせることができる。

図４８（ａ）では、ＴＦＴ６２ｂ１のドレイン端子Ｄ電圧は、Ｖｇ１とし、ＴＦＴ６２ｂ２のドレイン端子Ｄ電圧は、Ｖｇ２としている。したがって、どのＴＦＴ６２ｂが動作しているかを検出できれば、外光の強度を相対的に知ることができる。選択するＴＦＴ６２ｂはスイッチＳ（Ｓ１、Ｓ２）で行う。

例えば、ＴＦＴ６２ｂ１のドレイン端子Ｄ電圧が０Ｖで、ＴＦＴ６２ｂ２のドレイン端子Ｄ電圧が−２．０Ｖであるとする。また、露光時間は一定とする。ホトセンサ６４のａ点の端子電圧が低下すれば、ＴＦＴ６２ｂ１がＴＦＴ６２ｂ２よりも先にオフする。外光が強く、ホトセンサ６４のａ端子電圧がさらに低下すれば、ＴＦＴ６２ｂ１とＴＦＴ６２ｂ２の両方がオフする。外光が全くないか、微弱の場合は、ＴＦＴ６２ｂ１、ＴＦＴ６２ｂ２の両方はオン状態を保持する。いずれのＴＦＴ６２ｂがオン状態であるかは、スイッチＳ（Ｓ１、Ｓ２）を切り替えることにより選択できる。

（１）第１の変更例
上記実施形態は、ＴＦＴ６２ｂのドレイン端子Ｄ電圧を異ならせるものであった。他に図４８（ｂ）に示すように、ホトセンサ６４を複数個形成し、この端子電圧を異ならせることによっても実現できる。ホトセンサ６４はＴＦＴをダイオード接続して形成する。

ホトセンサ６４を複数個形成し、この複数個のホトセンサ６４の特性が同一であっても、このホトセンサ６４の一端子の電圧を図４８（ｂ）に示すように、Ｖｇ２電圧と、共通信号線３１の電位のように異ならせる。スイッチＳ（Ｓ１、Ｓ２）の選択により、ホトセンサ６４の一端子に所定の電圧が印加される。ホトセンサ６４の端子電圧が異なれば、保持する電荷量が異なるから、外光に対する感度を異ならせることができる。したがって、どのホトセンサが動作しているかを検出できれば、外光の強度を相対的に知ることができる。選択するホトセンサ６４はスイッチＳ（Ｓ１、Ｓ２）で行う。

例えば、ホトセンサ６４ｂに印加する端子電圧が０Ｖで、ホトセンサ６４ａに印加する端子電圧が−２．０Ｖであるとする。また、露光時間は一定とする。外光によりホトセンサ６４（６４ａ、６４ｂ）のａ点の端子電圧が低下する。この低下の差は、ホトセンサ６４ａと６４ｂで異なる。スイッチＳ１とＳ２で選択することができる。もちろん、両方のホトセンサ６４ａ、６４ｂを選択してもよい。

（２）第２の変更例
また、図４９に示すように、ホトセンサ６４ａ、６４ｂの一端子の電圧を共通信号線３１の電位としておき、スイッチＳ１、Ｓ２によりホトセンサ６４ａと６４ｂのいずれかを選択してもよい。ホトセンサ６４ａ、ホトセンサ６４ｂのリーク特性は異ならせる。リーク特性を異ならせるには、ホトセンサ６４を形成するＴＦＴのＷＬ（Ｗ：チャンネル幅、Ｌ：チャンネル長）などを変化させればよい。

（３）第３の変更例
なお、図４６、図４７と同様に、ホトセンサ６４に直列に抵抗Ｒを形成してもよい。抵抗Ｒは拡散抵抗で形成する。ＴＦＴ６２ａ１には直列に抵抗Ｒ１を形成する。

例えば、ホトセンサセンサ６４ａに抵抗Ｒ１、ホトセンサ６４ｂには直列に抵抗Ｒ２を形成する。ホトセンサ６４ａとホトセンサ６４ｂに照射される外光が同一であり、ホトセンサ６４ａ、６４ｂの特性が略同一でリーク特性が一致していても、抵抗Ｒ（Ｒ１、Ｒ２）のインピーダンスが高いほどホトセンサ６４から放電される単位時間あたりの電荷量は異なる。したがって、Ｒ１とＲ２の抵抗値を異ならせることによりホトセンサ６４ａ、６４ｂの端子電圧を異ならせることができる。したがって、スイッチＳ１とＳ２の選択により、露光時間を可変することができる。したがって、外光の感度範囲を拡大することができる。

また、ホトセンサ６４はＴＦＴをダイオード接続したもので構成している。したがって、このＴＦＴのゲート端子を別途引出し、ゲート端子に印加する電圧を調整することにより、異なるダイオード特性のホトセンサを構成できる。前記ゲート電圧はボリウム回路で供給する。また、外光の強さにより調整あるいは設定するとよい。

（４）第４の変更例
本実施形態は、他の実施形態と組み合わせてよい。以上の事項は本実施形態の他の実施形態においての同様である。

（５）第５の変更例
また、共通信号線３１に印加する電圧はＤＣ電圧に限定するものではなく、交流電圧、矩形電圧でもよい。

（６）第６の変更例
また、矩形電圧などのレベルを変化させることによりホトセンサ６４の露光時間などを調整できる。

以上の事項は本実施形態の他の実施形態にも適用できることはいうまでもない。

（７）第７の変更例
また、図５２に示すように、複数のコンデンサ６３を形成し、一端子の電圧を共通信号線３１の電位としておき、スイッチＳ１、Ｓ２によりいずれかのコンデンサ６３をいずれかを選択してもよい。コンデンサ６３の容量によりａ点の電位変化は異なる。

なお、両方（複数）のコンデンサ６３を選択してもよい。したがって、スイッチＳ１とＳ２の選択により、露光時間を可変することができる。したがって、外光の感度範囲を拡大することができる。

（８）第８の変更例
また、図５１に示すように、複数のＴＦＴ６２ｂ（６２ｂ１、６２ｂ２）を形成し、一端子の電圧を共通信号線３１の電位としておき、スイッチＳ１、Ｓ２によりいずれかのＴＦＴ６２ｂをいずれかを選択してもよい。

ＴＦＴ６２ｂ（６２ｂ１、６２ｂ２）を形成するＴＦＴのＷＬ（Ｗ：チャンネル幅、Ｌ：チャンネル長）などを変化させる。スイッチＳ１とＳ２の選択により、露光時間を可変することができる。したがって、外光の感度範囲を拡大することができる。

以上の事項は本実施形態の他の実施形態にも適用できることはいうまでもない。

（平面表示装置の説明）
図１４は、本実施形態の表示パネル１４８を用いた平面表示装置の説明図である。

なお、表示パネル１４８は、上記で説明したアレイ基板１１を用いて構成される。また、アレイ基板１１、表示パネル１４８には本実施形態の駆動方法、駆動方式が適用される。

表示パネル１４８は、アレイ基板１１と対向基板１４４間に液晶層１４３が形成または挟持される。

なお、本実施形態の表示パネル１４８は、液晶層１４３に限定されるものではなく、ＥＬ（有機ＥＬ、無機ＥＬ）層であってもよい。つまり、画素１６にＥＬ層が形成されたＥＬ表示パネルであってもよい。

また、液晶層は、ＴＮ（Ｔｗｉｓｔｅｄ Ｎｅｍａｔｉｃ）、ＩＰＳ（Ｉｎ−Ｐｌａｎｅ Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）、ＦＬＣ（Ｆｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ）、ＯＣＢ（ＯｐｔｉｃａｌｌｙＣｏｍｐｅｎｓａｔｏｒｙ Ｂｅｎｄ）、ＳＴＮ（Ｓｕｐｐｅｒ Ｔｗｉｓｔｅｄ Ｎｅｍａｔｉｃ）、ＶＡ（ＶｅｒｔｉｃａｌｌｙＡｌｉｇｎｅｄ）、ＥＣＢ（Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｌｙ Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｄ Ｂｉｒｅｆｒｉｎｇｅｎｃｅ ）、高分子分散（ＰＤ）液晶、ＨＡＮ（Ｈｙｂｒｉｄ Ａｌｉｇｎｅｄ Ｎｅｍａｔｉｃ）モードなどのいずれでもよい。また、表示パネル１４８の画素は、微反射構成、反射構成、半透過構成のいずれでもよい。

以下、図１４を参照しながら、表示パネル１４８及び平面表示装置について説明をする。

（１）アレイ基板１１の構成
ガラスあるいは有機材料からなるアレイ基板１１には、画素電極などが形成されている。ガラス基板としては、ソーダガラス、石英ガラスが例示される。有機材料からなる基板としては板状のもの、フィルム状のいずれでもよく、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂から構成されたものが例示される。これらは加圧による一体成形で形成される。また、板厚としては０．２ｍｍ以上０．８ｍｍ以下で構成される。なお、アレイ基板１１は光透過性を有すればよく、対向基板１４４は光透過性を有する必要はなく、シリコンあるいはアルミなどの金属基板で構成されていても、着色されたプラスチック基板で構成されていてもよい。

なお、アレイ基板１１、１４４の放熱性を良くするためサファイアガラスで形成してもよい。その他、ダイヤモンド薄膜を形成した基板を使用したり、アルミナなどのセラミック基板を使用したり、銅などからなる金属板を使用してもよい。

また、アレイ基板１１などが空気と接する面には、反射防止膜（ＡＩＲコート）が形成される。アレイ基板１１に偏光板などが張り付けられていない場合はアレイ基板１１に直接に、偏光板（偏光フィルム）など他の構成材料が張り付けられている場合は、その構成材料の表面などにＡＩＲコートが形成される。ＡＩＲコートは誘電体単層膜もしくは多層膜で形成する構成が例示される。その他、１．３５〜１．４５の低屈折率の樹脂を塗布してもよい。また、ＡＩＲコートは３層の構成あるいは２層構成がある。なお、３層の場合は広い可視光の波長帯域での反射を防止するために用いられ、これをマルチコートと呼ぶ。２層の場合は特定の可視光の波長帯域での反射を防止するために用いられ、これをＶコートと呼ぶ。マルチコートとＶコートは液晶表示パネルの用途に応じて使い分ける。

マルチコートの場合は酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）を光学的膜厚がｎｄ＝λ／４、ジルコニウム（ＺｒＯ２）をｎｄ１＝λ／２、フッ化マグネシウム（ＭｇＦ２）をｎｄ１＝λ／４積層して形成する。通常、λとして５２０ｎｍもしくはその近傍の値として薄膜は形成される。Ｖコートの場合は一酸化シリコン（ＳｉＯ）を光学的膜厚ｎｄ１＝λ／４とフッ化マグネシウム（ＭｇＦ２）をｎｄ１＝λ／４、もしくは酸化イットリウム（Ｙ２Ｏ３）とフッ化マグネシウム（ＭｇＦ２）をｎｄ１＝λ／４積層して形成する。ＳｉＯは青色側に吸収帯域があるため青色光を変調する場合はＹ２Ｏ３を用いた方がよい。また、物質の安定性からもＹ２Ｏ３の方が安定しているため好ましい。また、２酸化シリコン薄膜を使用してもよい。もちろん、低屈折率の樹脂等を用いてＡＩＲコートとしてもよい。なお、液晶表示パネルに静電気がチャージされることを防止するため、表示パネル２１の表面に親水性の樹脂を塗布しておくことが好ましい。その他、表面反射を防止するため、エンボス加工を行ってもよい。

なお、アレイ基板１１としてプラスチック基板などの有機材料を使用する場合は、液晶層２４に接する面にもバリア層として無機材料からなる薄膜を形成する。この無機材料からなるバリア層は、ＡＩＲコートと同一材料で形成することが好ましい。

（２）カラーフィルタ、偏光板、位相フィルム
表示画素２６には、カラーフィルタが形成あるいは構成される。また、カラーフィルタの混色あるいは画素間からの光抜けによるコントラスト低下を防止するため、カラーフィルタ間にはブラックマトリックス（以下、ＢＭと呼ぶ）が形成あるいは配置される。

なお、カラーフィルタはゼラチン、アクリルを染色した樹脂からなるカラーフィルタの他、光学的誘電体多層膜により形成したカラーフィルタ、ホログラムによるカラーフィルタでもよい。また、液晶層自身を直接着色することにより代用してもよい。例えば、ＰＤ液晶であれば、樹脂を着色したりする構成、また、液晶層をゲストホストモードで使用したりすればよい。また、カラーフィルタは３色に限定するものではなく、２色あるいは単色、もしくは４色以上であってもよい。また、カラーフィルタは透過方式に限定するものではなく、誘電体多層膜で形成し、反射タイプにしてもよい。また、単純な反射ミラーでもよい。また、コレステリック液晶でカラーフィルタを構成してもよい。

アレイ基板１１と偏光板１４５間には１枚あるいは複数の位相フィルム（位相板、位相回転手段、位相差板、位相差フィルム）が配置される。位相フィルムとしてはポリカーボネートを使用することが好ましい。位相フィルム（図示せず）は入射光を出射光に位相差を発生させ、効率よく光変調を行うのに寄与する。

位相フィルムとして、ポリエステル樹脂、ＰＶＡ樹脂、ポリサルホン樹脂、塩化ビニール樹脂、ゼオネックス樹脂、アクリル樹脂、ポリスチレン樹脂等の有機樹脂板あるいは有機樹脂フィルムなどを用いてもよい。その他、水晶などの結晶を用いてもよい。１つの位相板２６の位相差は一軸方向に５０ｎｍ以上３５０ｎｍ以下とすることが好ましく、さらには８０ｎｍ以上２２０ｎｍ以下とすることが好ましい。

また、位相フィルムの一部もしくは全体を着色したり、一部もしくは全体に拡散機能をもたせたりしてもよい。また、表面をエンボス加工したり、反射防止のために反射防止膜を形成したりしてもよい。また、画像表示に有効でない箇所もしくは支障のない箇所に、遮光膜もしくは光吸収膜を形成し、表示画像の黒レベルをひきしめたり、ハレーション防止によるコントラスト向上効果を発揮させたりすることが好ましい。また、位相フィルムの表面に凹凸を形成することによりかまぼこ状あるいはマトリックス状にマイクロレンズを形成してもよい。マイクロレンズは１つの画素電極あるいは３原色の画素にそれぞれ対応するように配置する。また、位相フィルムの機能はカラーフィルタに持たせてもよい。例えば、カラーフィルタの形成時に圧延し、もしくは光重合により一定の方向に位相差が生じるようにすることにより位相差を発生させることができる。その他、液晶層に面する側に樹脂を塗布しあるいは形成し、この樹脂を光重合させることにより位相差を持たせてもよい。このように構成すれば位相フィルムを基板外に構成あるいは配置する必要がなくなり液晶表示パネルの構成が簡易になり、低コスト化が望める。なお、以上の事項は偏光板に適用してもよい。

（３）他の構成
アレイ基板１１には画素１６（表示画素２６、ホトセンサ画素２７）がマトリックス状に配置されている。アレイ基板１１と対向基板１４４とは、封止壁１４２を挟持されている。対向基板１４４には対向電極１４７（３６）が形成されている。アレイ基板１１には偏光板（偏光フィルム）１４５ａが配置されており、対抗基板１４４には偏光板１４５ｂが配置されている。バックライト１４６の光源としては、蛍光管、白色ＬＥＤが用いられる。バックライト１４６から放射（出射）された光１５１は対向基板１４４側から入射し、液晶層１４３で変調されてアレイ基板１１側から表示画素２６を透過して出射される。

（４）読み取り動作
図１５に示すように、アレイ基板１１側に指あるいはイメージスキャナ対象物（画像紙）などの物体１４１が配置されていると、物体１４１がない箇所から出射された光１５１ａはそのまま透過する。物体１４１があると物体で反射（光１５１ｂ）される。反射された光１５１ｂはＢ位置のホトセンサ画素２７に入射する。光１５１ｂが入射したホトセンサ画素２７は、光１５１ｂの強度及び露光時間に対応して電荷がリークする。電荷のリーク量に対応してＴＦＴ６２ｂのゲート端子電圧が変化し、ＴＦＴ６２ｂのオンオフ状態が決定される。物体１４１で反射される光は部分毎に強弱分布があるので、強弱にあわせて各ホトセンサ画素２７が反応し、物体１４１に対応するイメージ分布を形成できる。

以上は、バックライト（表示装置１４８に配置された光発生手段）１４６からの光１５１を物体１４１に照射してホトセンサ６４によるイメージ分布を形成する実施形態であった。図１６は、物体１４１で外光１５１ａを遮光し、ホトセンサ６４で影と、光照射部を形成し、物体１４１の影のイメージ分布を形成するものである。外光１５１とは室内光、太陽光などである。

図１６に示すように、物体１４１がない箇所の外光１５１ａはそのまま、ホトセンサ画素２７に入射する。入射したホトセンサ画素２７のホトセンサ６４は外光１５１ａの強度に応じて電荷をリークする。ほとんどの場合が、前記外光１５１ａが入射したホトセンサ画素２７は電荷を放電し、ＴＦＴ６２ｂはオフ状態となる。

一方、図１６に示すように、物体１４１がある箇所には外光１５１ａが入射しない（物体１４１で遮光される）。したがって、Ｂ位置には外光は入射しない。したがって、Ｂ位置のホトセンサ画素２７のホトセンサ６４はほとんど電荷をリークしない。ほとんどの場合が、前記ホトセンサ画素２７は電荷を保持し、ＴＦＴ６２ｂはオン状態（ＴＦＴ６２ｂがＮチャンネルトランジスタの場合である。Ｐチャンネルトランジスタの場合は逆である）となる。したがって、物体１４１で外光１５１ａを遮光し、ホトセンサ６４で影と、光照射部を形成し、物体１４１の影のイメージ分布を形成することができる。

（５）光ペンによる動作
図１７は光を発生するペン（光ペン）１７１の光発生手段からの光１５１ｂ１５１ｂをホトセンサ画素２７に照射し、照射された箇所をホトセンサ６４で座標検出するものである。以上のように本実施形態は、光発生手段１７１で光を照射してホトセンサ６４の挙動を引き起こすものであってもよい。他の構成、動作は以前に説明した実施形態と同様であるので説明を省略する。

なお、本実施形態は、アレイ基板１１を外光入射側に配置するとしたが（図１６の外光１５１ａ）、これに限定するものではない。対向基板１４４側を外光入射側に配置してもよい。

［２］平面表示装置の画像取り込み方法の実施形態の説明
以下、図面を参照しながら、上記実施形態の平面表示装置における画像取り込み方法の各実施形態について説明をする。なお、以下の実施形態において、画素１６は上記で説明したいずれの画素構成であってもよい。

（第１の実施形態）
本実施形態の画像取り込み方法では、平面表示装置のアレイ基板１１を指などの対象物で接触または覆った場合に、その位置に影ができる。そのため、この影をアレイ基板１１上のマトリクス状で配された複数のホトセンサ画素２７で検出して、その位置を特定する方法である。

（１）オン出力領域とオフ出力領域
まず、説明の前提となるオン出力領域とオフ出力領域について図１１８に基づいて説明する。

図１１８（ａ）に示すように、ホトセンサ画素２７が指などの対象物に覆われた時は影ができて、ホトセンサ６４からのリークがなくなりコンデンサ６３が充電され、ＴＦＴ６４ｂのゲート端子電圧が上昇して、ＴＦＴ６４ｂがオン状態となる。このようなオン状態となったＴＦＴ６４ｂを有するホトセンサ画素２７が集合した平面的な領域をオン出力領域という。

図１１８（ｂ）に示すように、ホトセンサ画素２７が指などの対象物に覆われておらす、外光が入射すると、ホトセンサ６４からリークがありコンデンサ６３からのプリチャージ電圧が放電され、ＴＦＴ６４ｂのゲート端子電圧が下降して、ＴＦＴ６４ｂがオフ状態となる。このようなオフ状態となったＴＦＴ６４ｂを有するホトセンサ画素２７が集合した平面的な領域をオフ出力領域という。

（２）オン出力領域と影
図６０は、図７５に図示するように対象物として指６７１で表示領域１０、すなわち、ホトセンサ画素２７の形成領域を触れた状態を示している。また、図１６のように、外光１５１を指６７１で遮光し、指の影を検出した状態を例として説明している。図６０（ａ１）では、オン出力領域６０１ａ、６０１ｂが発生している。一方、図６０（ｂ１）はオン出力領域６０１が全く発生していない。

図６０（ａ１）のオン出力領域６０１ａが実際の指６７１ａの影である。指６７１によりホトセンサ画素２７がマトリックス状に形成または配置された表示領域１０に、外光１５１が照射される領域と、指６７１による遮光領域が発生する。遮光された領域のホトセンサ画素２７のＮチャンネルトランジスタであるＴＦＴ６２ｂがオン状態となり、オン出力が出力されている。この範囲が前記したオン出力領域６０１となる。図６０（ａ１）では、本来の指６７１にも、外光１５１の強弱分布がありオン出力領域６０１ｂが発生している。オン出力領域６０１ａ、６０１ｂもほぼ円状であるため、オン出力領域６０１ａは中心座標６０２ａを持ち、オン出力領域６０１ｂは中心座標６０２ｂを持つ。中心座標６０２はオン出力領域６０１の輪郭を円として近似し、複数の直径の線分から求める。

（３）キャリブレーション
本実施形態では、オン出力領域６０１を１つにして、その位置を特定するため、キャリブレーションを実施する。図６０（ａ１）において、プリチャージ電圧Ｖｐｒｃを低下させる。露光時間は一定値を維持する。図２６に示すようにプリチャージ電圧Ｖｐｒｃは電子ボリウム２６１ａにより、ホトセンサ処理回路１８により制御する。プリチャージ電圧Ｖｐｒｃは０．１Ｖ刻みというように一定の刻みで変化させる。変化の割合はオン出力領域６０１の面積から判断する。

プリチャージ電圧Ｖｐｒｃの刻み数は６４段階以上にする。可変範囲は１Ｖ以上とする。また、３Ｖ以下にする。オン出力領域６０１が大きい場合は、１度に変化させるプリチャージ電圧Ｖｐｒｃの可変幅は大きくする。オン出力領域６０１が小さい場合は、１度に変化させるプリチャージ電圧Ｖｐｒｃの可変幅は小さくする。

オン出力領域６０１の面積は、表示領域１０内のホトセンサ画素２７のＴＦＴ６２ｂのオンしている個数である。つまり、オン出力領域６０１の面積は、表示領域１０内のホトセンサ画素２７のＴＦＴ６２ｂのオンしている個数をカウントすることにより得ることができる。オンしている個数をカウントすることは容易である。各ホトセンサ出力信号線２５のコンパレータ２３３の出力をカウントすればよいからである。

（４）コンパレータによるデータ化
本実施形態は、ホトセンサ出力信号線２５に印加されたデータ信号がコンパレータ２３３により出力が２値化されているため、個数カウントが容易になっている特徴がある。なお、コンパレータ２３３の代わりにオペアンプを配置し、アナログデータを直接処理し、オン出力領域６０１を構成あるいは発生させてもよい。また、図９で説明したようにＡＤ変換回路９１で多値のデジタルデータとして処理してオン出力領域６０１を発生させてもよい。

なお、図６０などの本実施形態において、表示領域１０にオン出力領域６０１が表示されているように図示しているが、これは説明を容易にするためである。図６０の表示領域１０とは、ホトセンサ２７の出力をマトリックス状に配置して処理を行ったデータ配列である。このデータ配列を表示領域１０と一致させて説明することにより、影の状況あるいは発生状態が理解しやすくなる。

（５）プリチャージ電圧による操作と処理
プリチャージ電圧Ｖｐｒｃを低下させて、オン出力領域６０１を測定する。プリチャージ電圧Ｖｐｒｃの低下によりオン出力領域６０１の面積は縮小する。プリチャージ電圧Ｖｐｒｃの低下は、オン出力領域６０１ｂが消去するまで実施する。また、好ましくは、図６０（ａ２）に図示するように、オン出力領域６０１ｂが消去し、オン出力領域６０１ａが単独孤立の略円状になるまで、プリチャージ電圧Ｖｐｒｃを低下させる。

例えば、図６２に示すように、オン出力領域６０１ａはプリチャージ電圧Ｖｐｒｃの大きさにより変化する。プリチャージ電圧Ｖｐｒｃが高い場合は、図６２（ａ）に図示するように、指６７１の影により、大きな面積のオン出力領域６０１ａが形成されている。また、オン出力領域６０１ａは表示領域１０の一辺に接触している。

プリチャージ電圧Ｖｐｒｃを低下させると、オン出力領域６０１ａの面積は縮小していく。オン出力領域６０１ａが縮小すると図６２（ｂ）のように、オン出力領域６０１ａは表示領域１０の一辺から離れ、孤立領域となる。図６２（ｂ）のオン出力領域６０１ａでは、座標中心は６０２ａと６０２ｂの２点が発生する。

さらにプリチャージ電圧Ｖｐｒｃを低下させると、オン出力領域６０１ａの面積はさらに縮小していく。オン出力領域６０１ａがさらに縮小すると図６２（ｃ）のように、オン出力領域６０１ａは円状に近くなり、座標中心は６０２ａの一点となる。

以上の図６２（ｃ）の状態までプリチャージ電圧Ｖｐｒｃを低下させて時点で、キャリブレーションが完了となる。以上の実施形態はプリチャージ電圧Ｖｐｒｃを変化させてキャリブレーションとする。

（５−１）プリチャージ電圧などの保持
なお、プリチャージ電圧Ｖｐｒｃは、図１１で説明したように、外光１５１の強さに対応して変化させる。特に初期値は外光の強さに基づいて設定する。また、前回のキャリブレーションでの値（プリチャージ電圧Ｖｐｒｃ、露光時間Ｔｃなど）をメモリしておき、この値を初期値として使用する。

（５−２）プリチャージ電圧の設定と最適化
オン出力領域６０１は、多種多様な発生状態になる。例えば、図６４（ａ）に図示するように、目的のオン出力領域６０１ｂ以外にオン出力領域６０１ａ、６０１ｃが発生したりする。また、図６４（ｂ）に図示するように、目的のオン出力領域６０１ａの周辺に円弧状にオン出力領域６０１ｂが発生する場合がある。図６４（ｂ）は光ペン１７１を使用した場合によく発生するオン出力領域６０１の分布である。以上の場合であっても、プリチャージ電圧Ｖｐｒｃを適正に設定あるいは調整することにより目的のオン出力領域６０１のみにすることができる。

オン出力領域６０１が１つであっても、プリチャージ電圧Ｖｐｒｃの設定により、オン出力領域６０１の形状は多種多様になる。例えば、図６５に図示するようになる。図６５（ａ）は、オン出力領域６０１が比較的大きく、中心座標６０２が１つの場合である。この場合は、オン出力領域６０１から中心座標を求めるときに中心座標６０２の位置が揺らぎやすい。そのため、中心座標６０２が指６７１の中心位置を示しているかの精度がない。したがって、図６５（ｂ）の状態となるように、プリチャージ電圧Ｖｐｒｃを低くするか、露光時間Ｔｃを長くする。

図６５（ｂ）は、オン出力領域６０１が狭く、中心座標６０２が１つの場合である。プリチャージ電圧Ｖｐｒｃあるいは露光時間Ｔｃが適正に設定され、最も好ましい状態である。この場合は、オン出力領域６０１から中心座標を求めるときに中心座標６０２の位置が固定される。したがって、中心座標６０２が指６７１の中心位置を示す。

図６５（ｃ）は、オン出力領域６０１が比較的大きく、形状が歪であるが、中心座標６０２が１つの場合である。この場合は、オン出力領域６０１から中心座標を求めるときに中心座標６０２の位置が揺らぎやすい。したがって、中心座標６０２が指６７１の中心位置を示しているかの精度がない。図６５（ｃ）の場合は、図６５（ａ）よりも、プリチャージ電圧Ｖｐｒｃを低く、または露光時間Ｔｃを長くする必要がある。

図６５（ｄ）は、オン出力領域６０１が比較的大きく、形状が歪であり、中心座標６０２が２つの場合である。図６５（ｄ）のように、オン出力領域６０１が１つで、中心座標６０２が複数ある場合は、キャリブレーションは必ず再設定（再調整）する必要がある。図６５（ｄ）の場合は、図６５（ｃ）よりも、さらにプリチャージ電圧Ｖｐｒｃを低く、または露光時間Ｔｃを長くする必要がある。

オン出力領域６０１は、領域６０１内のホトセンサ画素２７の全てＴＦＴ６２ｂがオン状態となっているのではない。図６１に図示するように、ホトセンサ画素２７が完全にオン状態が維持されている領域６０１ａの外側にオン状態とオフ状態のＴＦＴ６２ｂが混ざった混合オン出力領域６０１ｂが発生することが多い。

図６１（ａ）では、完全オン出力領域６０１ａの周辺に広い面積で、混合オン出力領域６０１ｂが取り囲んでいる。図６１（ｂ）では、完全オン出力領域６０１ａの周辺に狭い面積で、混合オン出力領域６０１ｂが取り囲んでいる。以上の場合は、単位面積あたりのホトセンサ画素２７にオン状態の個数をカウントし、設定以上のオン状態の個数がある範囲（単位面積）をオン出力領域６０１として処理すればよい。

（６）ホトセンサ処理回路
ホトセンサ処理回路１５は、表示領域１０からコンパレータ２３３を介してホトセンサ出力情報を入手し、オン出力領域６０１の面積、中心座標値６０２を検出する。また、キャリブレーションを実施する。図８６（ａ）に図示するように、ホトセンサ処理回路１５は中心座標値（Ｘ座標値、Ｙ座標値：Ｘ、Ｙは各８ビットである）をマイコン（図示せず）に送る。また、状態の信号ＩＳＴの８ビットをマイコンに送る。ＩＳＴの情報としては、図８６（ｂ）に図示するように、コード１のキャリブレーション中、コード２の座標検出中などである。

また、図８７（ｂ）に図示するように、オン出力領域６０１に関する情報もマイコンに送出する。例えば、コード０はオン出力領域６０１がなかったことである。コード１はオン出力領域６０１の面積が所定値よりも大きかったことである。コード２はオン出力領域６０１の面積が所定値の範囲内であったことを示す。コード３はオン出力領域６０１の面積が所定値よりも小さく、したがって、キャリブレーションを実施すべきという情報である。コード４は中心座標が複数存在するという情報である。

（７）第１の変更例
上記実施形態は、キャリブレーションにおいて、プリチャージ電圧Ｖｐｒｃを変化させる実施形態であった。しかし、本発明はこれに限定するものではない。例えば、図２８で説明したように、露光時間Ｔｃを調整しても図６２の変化を実現できる。

例えば、露光時間Ｔｃが短い場合は、図６２（ａ）に図示するように、指６７１の影により、大きな面積のオン出力領域６０１ａが形成されている。また、オン出力領域６０１ａは表示領域１０の一辺に接触している。

露光時間Ｔｃを長くすると、オン出力領域６０１ａの面積は縮小していく。オン出力領域６０１ａが縮小すると図６２（ｂ）のように、オン出力領域６０１ａは表示領域１０の一辺から離れ、孤立領域となる。図６２（ｂ）のオン出力領域６０１ａでは、座標中心は６０２ａと６０２ｂの２点が発生する。

さらに露光時間Ｔｃを長くすると、オン出力領域６０１ａの面積はさらに縮小していく。オン出力領域６０１ａがさらに縮小すると図６２（ｃ）のように、オン出力領域６０１ａは円状に近くなり、座標中心は６０２ａの一点となる。

露光時間Ｔｃも、図２８で説明したように、外光１５１の強さに対応して変化させる。特に初期値は外光の強さに基づいて設定する。また、前回のキャリブレーションでの値（プリチャージ電圧Ｖｐｒｃ、露光時間Ｔｃなど）をメモリしておき、この値を初期値として使用する。

例えば、図６０（ａ１）の状態において、露光時間が１００Ｈであるとする（水平走査期間（１Ｈ）の１００倍）。露光時間Ｔｃの調整または変化は、１Ｈ単位で実施することが好ましい。露光時間Ｔｃもホトセンサ処理回路１８で制御する。

ホトセンサ処理回路１８により、露光時間Ｔｃを長くし、オン出力領域６０１を測定する。プリチャージ電圧Ｖｐｒｃは一定電圧を維持する。露光時間Ｔｃの増大によりオン出力領域６０１の面積は縮小する。露光時間Ｔｃの増大は、オン出力領域６０１ｂが消去するまで実施する。露光時間Ｔｃを増大させると、ホトセンサ６４をリークする電荷量が増大し、ＴＦＴ６２ｂのゲート端子電圧が低下し、ＴＦＴ６２ｂがオフ状態となる。したがって、オン出力領域６０１は減少する。また、好ましくは、図６０（ａ２）に図示するように、オン出力領域６０１ｂが消去し、オン出力領域６０１ａが単独孤立の略円状になるまで、露光時間Ｔｃを増大させる。

（８）第３の変更例
オン出力領域６０１の変化は、露光時間Ｔｃ、プリチャージ電圧Ｖｐｒｃ単独の変化だけでなく、露光時間Ｔｃとプリチャージ電圧Ｖｐｒｃの両方を組み合わせて実施してもよい。その他、比較電圧（コンパレータ）Ｖｒｅｆを変化させてもオン出力領域６０１を変化あるいは調整できる。

（９）第３の変更例
オン出力領域６０１の変化あるいは変更は、露光時間Ｔｃ、プリチャージ電圧Ｖｐｒｃ単独の変化だけでなく、露光時間Ｔｃとプリチャージ電圧Ｖｐｒｃの両方を組み合わせて実施してもよい。

（１０）第４の変更例
比較電圧（コンパレータ）Ｖｒｅｆを変化させてもオン出力領域６０１を変化あるいは調整できる。

ホトセンサ出力信号線２５に出力されるＴＦＴ６２ｂの出力電圧は、ＴＦＴ６２ｂのゲート端子の電圧により変化するからである。ゲート端子電圧はホトセンサ６４のリーク量により変化する。したがって、ホトセンサ６４の端子電圧でホトセンサ出力信号線２５に出力するＴＦＴ６２ｂの電圧は異なる。コンパレータ２３３の比較電圧（コンパレータ電圧）Ｖｒｅｆを変化さることによりオン出力領域６０１を変化させることができる。

（１１）第５の変更例
ＴＦＴ６２ｂの出力の取り込みタイミング、ＩＣよりなるソースドライバ回路１４からの映像信号の大きさ／出力タイミング、表示画素２６の画像表示状態、感度の異なるホトセンサ６４の選択（図９で説明）によってもオン出力領域６０１を変化あるいは可変もしくは調整することができる。

（１２）第６の変更例
露光時間の長さ、プリチャージ電圧Ｖｐｒｃの大きさ、比較電圧Ｖｒｅｆの大きさ、ＴＦＴ６２ｂの出力の取り込みタイミング、ソースドライバ回路１４からの映像信号の大きさ／出力タイミング、表示画素２６の画像表示状態、感度の異なるホトセンサ６４の選択のうち、１つ以上を選択し、また複数を組み合わせて、オン出力領域６０１の範囲、大きさ、オン出力領域６０１の発生の有無などを調整あるいは可変してもよい。

（１３）第７の変更例
ホトセンサ画素２７のＴＦＴ６２ｂがＰチャンネルトランジスタの場合は、露光時間Ｔｃ、プリチャージ電圧Ｖｐｒｃの大きさ、比較電圧（コンパレータ電圧）Ｖｒｅｆの大きさなどの制御は、上記実施形態と逆の方向に制御すればよい。

（第２の実施形態）
図６０（ａ１）のように、本来の指６７１にも、外光１５１の強弱分布がありオン出力領域６０１ｂが発生している場合は、キャリブレーションを実施し、図６０（ａ２）のように、表示領域１０に１つの孤立領域となるように、かつ孤立領域６０１ａが略円状となるようにする。オン出力領域６０１ａの中心座標６０２ａはマイコン（図示せず）に指の検出座標として送出される。

図６０（ｂ１）も図６０（ａ１）と同様に表示領域１０に指６７１の影が発生している。しかし、表示領域１０にはオン出力領域６０１はない。この原因は、露光時間Ｔｃが長すぎること、プリチャージ電圧Ｖｐｒｃが低すぎることが主として考えられる。

（１）キャリブレーションとプリチャージ電圧
図６０（ｂ１）の場合は、オン出力領域６０１を発生させるために、キャリブレーションを実施する。図６０（ｂ１）において、プリチャージ電圧Ｖｐｒｃを上昇させる。露光時間は一定値を維持する。プリチャージ電圧Ｖｐｒｃは電子ボリウム２６１ａにより、ホトセンサ処理回路１８により制御する。プリチャージ電圧Ｖｐｒｃは０．１Ｖ刻みというように一定の刻みで変化させる。プリチャージ電圧Ｖｐｒｃを上昇させていくと、図６０（ｂ２）のようにオン出力領域６０１が出現する。プリチャージ電圧Ｖｐｒｃの刻み幅は、１刻みのプリチャージ電圧Ｖｐｒｃに対するオン出力領域６０１の面積の増大が大きいときは、変化するプリチャージ電圧Ｖｐｒｃは小刻みにする。１刻みのプリチャージ電圧Ｖｐｒｃに対するオン出力領域６０１の面積の増大が小さいときは、１度に変化させるプリチャージ電圧Ｖｐｒｃの変化は大きくする。

プリチャージ電圧Ｖｐｒｃを上昇することにより、表示領域１０のホトセンサ画素２７内におけるＴＦＴ６２ｂのオン個数は増大していく。オン出力領域６０１の面積は、表示領域１０内のホトセンサ画素２７のＴＦＴ６２ｂのオンしている個数である。オン個数の増大あるいは減少の割合（変化速度、変化比率）は、表示領域１０内のホトセンサ画素２７のＴＦＴ６２ｂのオンしている個数を、プリチャージ電圧Ｖｐｒｃの変化に同期してカウントすることにより得ることができる。オンしている個数をカウントすることは容易である。各ホトセンサ出力信号線２５のコンパレータ２３３の出力をカウントすればよいからである。以上の事項は図６０（ａ）の実施形態においても適用できる。

オン個数の割合（変化速度、変化比率）の検出は、ホトセンサ出力信号線２５に印加されたデータ信号がコンパレータ２３３により出力が２値化されているため、個数カウントが容易になる。なお、コンパレータ２３３の代わりにオペアンプを配置し、アナログデータを直接処理し、オン出力領域６０１を構成あるいは発生させてもよい。また、図９で説明したようにＡＤ変換回路９１で多値のデジタルデータとして処理してオン出力領域６０１を発生させてもよい。

プリチャージ電圧Ｖｐｒｃを上昇させて、オン出力領域６０１を測定する。プリチャージ電圧Ｖｐｒｃの上昇によりオン出力領域６０１の面積は拡大する。プリチャージ電圧Ｖｐｒｃの上昇は、オン出力領域６０１が複数になる直前か、オン出力領域６０１の面積が規定値の大きさとなるまで実施する。オン出力領域６０１が複数になれば、ホトセンサ処理回路１８により容易に検出できる。オン出力領域６０１が複数になれば、プリチャージ電圧Ｖｐｒｃを低下させて、オン出力領域６０１が１つとなるプリチャージ電圧Ｖｐｒｃに設定しなおす。

（２）オン出力領域の面積
オン出力領域６０１の面積の最大面積は予め規定しておく。オン出力領域６０１の面積は、表示領域１０内のホトセンサ画素２７のＴＦＴ６２ｂのオンしている個数である。オン個数をカウントし、カウント値と予め規定されたカウント値とを比較することにより、所定のオン出力領域６０１の面積が超えたかどうかを判断できる。オン出力領域６０１が最大面積を超えた場合は、プリチャージ電圧Ｖｐｒｃを低下させて、オン出力領域６０１が規定の面積以下となるようにする。

（３）中心座標
以上の動作により、図６０（ｂ２）に図示するように、オン出力領域６０１が単独孤立の略円状になるまで、プリチャージ電圧Ｖｐｒｃを低下させる。オン出力領域６０１の中心座標６０２ａマイコン（図示せず）に指の検出座標として送出される。

（４）第１の変更例
上記実施形態は、プリチャージ電圧Ｖｐｒｃを変化させて、オン出力領域６０１の面積、大きさを可変するものであった。しかし、本実施形態のキャリブレーションは、図６０（ａ）でも説明したように、露光時間Ｔｃを変化させてもよい。例えば、図６０（ｂ１）の状態において、露光時間が１００Ｈであるとする（水平走査期間（１Ｈ）の１００倍）。

露光時間Ｔｃを短縮し、オン出力領域６０１を測定する。露光時間Ｔｃの短縮によりオン出力領域６０１の面積が発生あるいは増大する。露光時間Ｔｃの短縮は、オン出力領域６０１ｂが消去するまで実施する。また、好ましくは、図６０（ｂ２）に図示するように、オン出力領域６０１が発生し、オン出力領域６０１が一定の面積を注する単独孤立の略円状になるまで、露光時間Ｔｃを短縮させる。

（５）第２の変更例
オン出力領域６０１の変化あるいは変更は、露光時間Ｔｃ、プリチャージ電圧Ｖｐｒｃ単独の変化だけでなく、露光時間Ｔｃとプリチャージ電圧Ｖｐｒｃの両方を組み合わせて実施してもよい。その他、比較電圧（コンパレータ）Ｖｒｅｆを変化させてもオン出力領域６０１を変化あるいは調整できる。

（６）第３の変更例
ＴＦＴ６２ｂの出力の取り込みタイミング、ソースドライバ回路１４からの映像信号の大きさ／出力タイミング、表示画素２６の画像表示状態、感度の異なるホトセンサ６４の選択（図９で説明）によってもオン出力領域６０１の出現あるいは面積の変化あるいは可変もしくは調整することができる。

（７）第４の変更例
また、露光時間の長さ、プリチャージ電圧Ｖｐｒｃの大きさ、比較電圧Ｖｒｅｆの大きさ、ＴＦＴ６２ｂの出力の取り込みタイミング、ソースドライバ回路１４からの映像信号の大きさ／出力タイミング、表示画素２６の画像表示状態、感度の異なるホトセンサ６４の選択のうち、１つ以上を選択し、また複数を組み合わせて、オン出力領域６０１の範囲、大きさ、オン出力領域６０１の発生の有無などを調整あるいは可変もよい。

（８）第５の変更例
ホトセンサ画素２７のＴＦＴ６２ｂがＰチャンネルトランジスタの場合は、露光時間Ｔｃ、プリチャージ電圧Ｖｐｒｃの大きさ、比較電圧（コンパレータ電圧）Ｖｒｅｆの大きさなどの制御は、上記実施形態と逆の方向に制御すればよい。

図６０（ｂ２）のように、表示領域１０に１つの孤立領域となるように、かつ孤立領域のオン出力領域６０１が略円状となるようにする。オン出力領域６０１の中心座標６０２はマイコン（図示せず）に指の検出座標として送出される。

（９）第２の実施形態の効果
以上のように、本実施形態は、オン出力領域６０１を操作（調整あるいは可変）することを目的としてキャリブレーションを実施することを特徴とする。また、キャリブレーションは、表示領域１０（あるいはホトセンサ画素２７の形成領域、この領域を本実施形態において表示領域１０と同一あるいは略一致するとしている）において、オン出力領域６０１が１つとなるようにすること、さらに好ましくは、オン出力領域６０１が単独の孤立領域となるように（図６０（ａ２）、（ｂ２）の状態）すること、さらに好ましくはオン出力領域６０１の単独の孤立状態の形状が略円状となり、前記略円状の中心座標（図６０（ａ２）、（ｂ２）の６０２）が１つに特定されるようにすることを特徴としている。

また、表示領域１０においてホトセンサ６４、ＴＦＴ６２ｂなどの特性バラツキに影響されないようにするため、表示領域１０をマトリックス状に区分し、前記マトリックス状の区分内において平均値、あるいはオン出力数をカウントし一定以上のカウント数でオンまたはオフ状態のマトリックス区分と判定することにより、マトリックスの区分で１つの判断データとして処理と行う。この判断データでオン出力領域６０１を構成する。なお、マトリックスの区分とはホトセンサ画素２７あるいは画素１６が縦１０個ｘ横１０個となるように区分して処理をすることを意味する。

（第３の実施形態）
上記実施形態は、入力対象物の位置座標を検出するとして説明しているが、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、表示領域１０に指が触れられたことを検出することも、本実施形態の目的である。

（１）指などが触れた位置の検出
指６７１で表示領域１０を触れ、触れた位置を検出する場合は、指６７１の先端座標を検出することが重要になる。指６７１で表示画面１０を触れた場合は、図６３（ａ）に図示するように、指６７１が最も遮光状態が強くなる。したがって、指６７１の先端部のオン出力領域６０１を検出する。しかし、指６７１の部分の一部は遮光状態である。したがって、この部分にもオン出力領域６０１となりやすい。そのため、プリチャージ電圧Ｖｐｒｃなどを調整し、オン出力領域６０１が円状になるように、またオン出力領域６０１の面積が小さくなるようにすることが重要である。

また、図６３（ｂ）に図示するように、画面１０の設定（配置）方向の情報も重要となる。図６３（ｂ）は携帯表示装置に本実施形態の表示パネル１４８を配置した構成である。図６３（ｂ１）は本実施形態の表示パネルを横長方向になるようにして、指６７１による入力を行った場合である。図６３（ｂ２）は本実施形態の表示パネルを縦長方向になるようにして、指６７１による入力を行った場合である。

（２）表示パネルの配置方向
図６３（ａ）に図示するように、指６７１の根元のＡの箇所は影になりやすい。したがって、オン出力領域６０１になりやすい。表示パネル１４８がどのような方向に配置されているかの情報を知ることができれば、指６７１の根元のＡの箇所を判断することができ、このＡ箇所のオン出力領域６０１を除外して指６７１の先端部のオン出力領域６０１を抽出できる。以上のように、本実施形態は、表示パネルの配置方向の情報（図６３（ｂ１）（ｂ２））を使用することにも特徴がある。

指６７１入力する箇所を表示領域１０内で特定できれば、さらに指入力の座標位置あるいは指入力されたことを検出することが容易となる。図６６はその実施形態である。

（第４の実施形態）
図６６（ａ）では、表示パネル１４８の表示領域１０に指６７１入力が可能な領域６６１を指定する表示部６６１を表示している。この表示部６６１のみが指入力が可能である。実際には、表示領域１０全体に指入力が可能なホトセンサ画素２７が形成されている。指６７１の影の検出は、図６６の表示部６６１に対してのみ行う。以上のように表示部６６１を設けることにより、指入力の座標検出処理が容易になり、また、高速処理を実現できる。

（１）複数の表示部６６１
図６６（ａ）は指６７１入力（対象物の入力）が可能な範囲（表示部）６６１が１つの場合であった。しかし、本実施形態はこれに限定するものではなく、図６６（ｂ）に図示するように、表示部６６１が複数形成あるいは配置してもよい。各表示部６６１に指６７１が触れた時に入力として判断あるいは処理される。他の領域に指が触れても入力として判断あるいは処理されない。入力は無効である。

（２）表示部６６１の形態
なお、表示部６６１は、黒表示、白表示など１色からなる表示とすることが好ましい。さらに好ましくは同一の色で、同一の階調で表示されることが好ましい。表示部６６１はバックライトからの放射された光が指などの対象物で反射し、反射される光をホトセンサ画素２７で検出する場合は白表示とする。バックライトなどからの光を最も減衰することなく、対象物を照明するためである。表示部６６１は、太陽光など外光を、指などの対象物で遮光し、影をホトセンサ画素２７で検出する場合は黒表示とする。バックライトからの光の影響を低減するためである。

なお、白表示、黒表示とは、完全な白ラスター、黒ラスター表示に限定するものではない。反射光を使用する場合はより白表示（液晶パネルの透過率が高い）の方がよい。外光の影を検出する場合は、より黒表示（液晶パネルの透過率が低い）の方がよい。また、白表示、黒表示とは行ってもアイコンなどの画像が表示されていてもよい。したがって、反射光を使用する場合は、検出する表示部６６１の平均輝度（照度）が最大輝度（照度）の１／２以上であればよい。外光の影を検出する場合は、検出する表示部６６１の平均輝度（照度）が最大輝度（照度）の１／２未満であればよい。

表示部６６１は、無地であることが好ましい。ホトセンサ６４の出力は映像信号の影響も受けやすいからである。１色の均一表示とすることにより映像信号の影響がなくなる。ただし、１色の均一表示とは、全く無地の表示に限定されるものではない。また、階調が異なっていてもよい。例えば、表示部６６１に数字などが他の色あるいは階調で表示されていてもよい。アイコン表示されていてもよい。本実施形態では、表示部６６１の１色の部分が大半を占めるという条件にかなえばよい。大半とは少なくも表示部６６１の５０％以上の部分が１色で占められていればよい。また、表示部６６１は、同一の階調が５０％以上で構成されていればよい。

また、図６６（ｂ）に図示するように、表示部６６１が複数ある場合も、複数の表示部６６１が同一の色、好ましくは同一の階調で表示する。各表示部６６１の５０％以上１００％以下が同一の色であればよい。

（第５の実施形態）
図１１、図２８で説明したように、外光１５１の強度にあわせてキャリブレーションを実施し、露光時間Ｔｃ、プリチャージ電圧Ｖｐｒｃなどを適正に調整する必要がある。このキャリブレーションを容易にする方式を図６７に図示している。

（１）表示領域１０の表示部の構成
表示領域１０は、表示部６６１ａ、表示部６６１ｂで構成されている。表示部６６１ａには、この領域に指６７１を押し当てることの指示と、指６７１を押し当てる輪郭などが表示されている。表示部６６１ｂは、指６７１の押圧した状態とキャリブレーション状態を表示する。表示部６６１ｂの表示は、ソースドライバ回路１４により行う。

（２）キャリブレーションとプリチャージ電圧
表示部６６１ａに指６７１を触れると、キャリブレーションを実施する。キャリブレーションはキー５４２を押さえることにより開始する。もしくは、指６７１が触れたことを検出して開始する。キー５４２を押さえるか、表示部６６１ａに指６７１が触れると、キャリブレーションが開始する。プリチャージ電圧Ｖｐｒｃを変化させ、オン出力領域６０１を検出する。検出されたオン出力領域６０１はオン出力画像６７２として、表示部６６１ｂに表示される。オン出力領域６０１のホトセンサ画素２７のＴＦＴ６２ｂのオン状態部は、表示部６６１ｂの黒で表示される。オフ状態部は表示部６６１ｂに白で表示される。

プリチャージ電圧Ｖｐｒｃを変化させると、プリチャージ電圧Ｖｐｒｃに応じてオン出力領域６０１の状態は変化する。プリチャージ電圧Ｖｐｒｃは低い電圧から高い電圧にゆっくりと変化し、また、プリチャージ電圧Ｖｐｒｃは高い電圧から低い電圧に変化する。つまり、プリチャージ電圧Ｖｐｒｃは所定の電圧範囲内で高低を繰り返す。

操作者は、表示領域６６１ｂの表示状態を見ながら、最もオン出力画像６７２が黒表示になる時点、表示部６６１ｂの白、黒（オン出力画像６７２）が最もはっきりと識別できる範囲で、指６７１を表示部６６１ａから離す。指６７１を離すことにより、プリチャージ電圧Ｖｐｒｃの変化を停止、停止した時のプリチャージ電圧Ｖｐｒｃを記憶する。または、キー５４２を押圧して終了させる。キー５４２の押圧により、プリチャージ電圧Ｖｐｒｃの変化を停止、停止した時のプリチャージ電圧Ｖｐｒｃを記憶する。また、必要に応じて、このプリチャージ電圧Ｖｐｒｃから一定の電圧を加算あるいは減算した値と真のプリチャージ電圧Ｖｐｒｃとして記憶する。

このプリチャージ電圧Ｖｐｒｃが最も指６７１の影を良好に検出でき、指６７１が押さえられた座標位置を正確に検出できる値である。以降は、キャリブレーションを実施せずとも良好に指６７１の入力を良好に検出できる。もしくは、このプリチャージ電圧Ｖｐｒｃから、必要に応じて一定間隔でキャリブレーションを実施すればよい。

（３）変更例
なお、上記実施形態は、プリチャージ電圧Ｖｐｒｃを変化させてキャリブレーションを実施するとしたが、露光時間Ｔｃを変化させてもよい。

また、図６０で説明したように、比較電圧（コンパレータ電圧）Ｖｒｅｆを変化あるいは調整してもよいし、他の調整項目（ＴＦＴ６２ｂの出力の取り込みタイミング、ソースドライバ回路１４からの映像信号の大きさ／出力タイミング、表示画素２６の画像表示状態、感度の異なるホトセンサ６４の選択など）を調整あるいは変化させて、キャリブレーションを実施してもよい。

また、組み合わせてキャリブレーションを実施してもよい。

以上の事項は本発明の他の実施形態にも適用できる。しかし、本明細書では説明を容易にするため、キャリブレーションはプリチャージ電圧Ｖｐｒｃを調整することを中心に説明する。露光時間Ｔｃなどの調整によるキャリブレーションも容易に置き換えて実施できるからである。

（第６の実施形態）
図６８は図６７に加えて表示部６６１ｃを表示した実施形態である。表示部６６１ｃは、オン出力画像６７２の状態を示す。表示部６６１ｃはレベルメーターの表示である。中央部のｂｅｓｔが最良の状態である。ｈｉｇｈはプリチャージ電圧Ｖｐｒｃが高すぎ、表示部６６１ａの全体がオン出力領域（ＴＦＴ６２ｂがオン状態）となっていることを示す。つまり、指６７１による影の領域を含め、外光が照射された領域までオン出力状態となっていることを示す。ｌｏｗはプリチャージ電圧Ｖｐｒｃが低すぎ、表示部６６１ａの全体のＴＦＴ６２ｂがオフ状態となっていることを示す。つまり、指６７１による影の領域を含め、外光が照射された領域までＴＦＴ６２ｂがオフ出力状態となっていることを示す。つまり、ホトセンサ６４に印加するプリチャージ電圧ＶｐｒｃがＴＦＴ６２ｂのオン電圧以下である。

（１）プリチャージ電圧とキャリブレーション
プリチャージ電圧Ｖｐｒｃはｌｏｗに該当する電圧から、ｈｉｇｈに該当する電圧間を変化する。プリチャージ電圧Ｖｐｒｃがｌｏｗ電圧（最小プリチャージ電圧Ｖｐｒｃ）の場合は、表示部６６１ｂの全体領域が白表示となる。プリチャージ電圧Ｖｐｒｃがｈｉｇｈ電圧（最大プリチャージ電圧Ｖｐｒｃ）の場合は、表示部６６１ｂの全体領域が黒表示となる。ｂｅｓｔは概略ｌｏｗとｈｉｇｈの中間電位の場合が多い。ｂｅｓｔ電圧の場合は、指６７１の影部分が黒表示となり、他の外光が照射された部分は白表示となる。

操作者が、表示部６６１ａに指６７１を触れると、キャリブレーションを実施する。キャリブレーションはキー５４２を押さえることにより開始する。もしくは、指６７１が触れたことを検出して開始する。キー５４２を押さえるか、表示部６６１ａに指６７１が触れると、キャリブレーションが開始する。プリチャージ電圧Ｖｐｒｃを変化させ、オン出力領域６０１を検出する。検出されたオン出力領域６０１はオン出力画像６７２として、表示部６６１ｂに表示される。また、表示部６６１ｃのレベルメーターを見ながら良好な位置（プリチャージ電圧Ｖｐｒｃ）を探る。

また、操作者は、指６７１が表示部６６１ｂのＡ、Ｂ範囲に入るように指６７１の位置調整を行う。指の位置を規定範囲内に配置することにより、表示部６６１ｂのオン状態部（黒表示）と白状態部（白表示）との比率が一定以内に入る。したがって、レベルメーター６６１ｃによる調整が容易になる。

プリチャージ電圧Ｖｐｒｃを変化させると、プリチャージ電圧Ｖｐｒｃに応じてオン出力領域６０１の状態は変化し、レベルメーター表示６６１ｃも変化する。プリチャージ電圧Ｖｐｒｃは低い電圧から高い電圧にゆっくりと変化し、また、プリチャージ電圧Ｖｐｒｃは高い電圧から低い電圧に変化する。つまり、プリチャージ電圧Ｖｐｒｃはレベルメーター表示６６１ｃの上下の電圧範囲内で繰り返す。

操作者は、表示領域６６１ｃの表示状態を見ながら、ｂｅｓｔ位置になった点で、指６７１を表示部６６１ａから離す。指６７１を離すことにより、プリチャージ電圧Ｖｐｒｃの変化を停止、停止した時のプリチャージ電圧Ｖｐｒｃを記憶する。または、キー５４２を押圧して終了させる。キー５４２の押圧により、プリチャージ電圧Ｖｐｒｃの変化を停止、停止した時のプリチャージ電圧Ｖｐｒｃを記憶する。また、必要に応じて、このプリチャージ電圧Ｖｐｒｃから一定の電圧を加算あるいは減算した値と真のプリチャージ電圧Ｖｐｒｃとして記憶する。

（２）キャリブレーションの初期電圧
キャリブレーションの初期電圧を求めるには、図６９のように表示装置を構成することがよい。筐体６４３に取り付けられて表示パネル１４８の一部に遮光部６９１を形成する。遮光部６９１は光を透過しない物体で構成される。例えば、金属板や、反射シートが例示される。光吸収部材で構成された樹脂フィルムなどでもよい。

（３）遮光部６９１
遮光部６９１のホトセンサ画素２７には、外光１５１は入射しない。したがって、前記ホトセンサ画素２７に印加されたプリチャージ電圧Ｖｐｒｃは、露光時間Ｔｃに関わらず保持される。高いプリチャージ電圧Ｖｐｒｃから低いプリチャージ電圧Ｖｐｒｃに変化させていくと、ＴＦＴ６２ｂがオン状態からオフ状態に変化する。オン状態かオフ状態から変化する電圧を最低のプリチャージ電圧Ｖｐｒｃとする。このプリチャージ電圧Ｖｐｒｃが図６８のｌｏｗに該当する。なお、露光時間Ｔｃによりキャリブレーションを実施する場合も同様である。以上のように、本実施形態は、完全遮光あるいはほとんど光が照射されない状態でプリチャージ電圧Ｖｐｒｃあるいは露光時間Ｔｃなどを調整し、ＴＦＴ６２ｂがオン状態からオフ状態に変化する、あるいはオフ状態からオン状態に変化するプリチャージ電圧Ｖｐｒｃ、露光時間Ｔｃなどを測定し、この値もしくはこの値から求められた値をキャリブレーションデータとして用いることを特徴とする。

（４）外光など強度の差異による制御
キャリブレーションには外光１５１の強度を把握することが重要である。外光１５１が弱い時は、例えば低いプリチャージ電圧Ｖｐｒｃからキャリブレーションを開始する。外光１５１が強い時は、例えば高いプリチャージ電圧Ｖｐｒｃからキャリブレーションを開始する。適正なプリチャージ電圧Ｖｐｒｃなどからキャリブレーションを開始することにより、対象物（指など）６７１を良好に検出できるようになり、また設定時間も短時間で実施できる。

（５）外光センサ７０１
図７０は、外光１５１の強度を検出する外光センサ７０１を携帯電話の表示領域１０近傍に配置した構成である。なお、符号７０２はスピーカ−である。外光センサとしてＰＩＮダイオードが例示される。外光センサは外光を電流信号に変換し、変換された電流信号はオペアンプ回路により電圧に変換される。外光センサは低い外光を検出する低外光センサ７０１ｂと強い外光を検出する高外光センサ７０１ａが配置されている。

外光が強い時は、低外光センサ７０１ｂは出力が飽和するので、高外光センサ７０１ａを使用する。外光が弱い時は、高外光センサ７０１ａの出力レベルが低いので、低外光センサ７０１ｂを使用する。外光センサ７０１の出力によりプリチャージ電圧Ｖｐｒｃあるいは露光時間Ｔｃなどの初期値を設定する。

外光センサ７０１は図７１に図示するように、少なくとも携帯電話（平面表示装置）の使用を開始する際、外光１５１を受けるようにして使用する。一度、キャリブレーションを実施し、プリチャージ電圧Ｖｐｒｃなどを設定すれば、以降は外光センサ７０１を使用する必要がない場合が多い。

（第７の実施形態）
以下、指６７１などの対象物がフォースセンサ７１２によって表示領域１０（ホトセンサ画素２７の形成領域）に触れたか否かを検出する方法を説明する。

（１）フォースセンサ７１２による接触検出
対象物の検出は、図７１に図示するように、フォースセンサ７１２を使用する。フォースセンサ７１２としては、例えば微小荷重を高精度で検出することができる。

なお、フォースセンサ７１２として、感圧導電ゴムなどでもよい。感圧導電ゴムは押圧されることにおり、抵抗値が低下し、押圧されたことを検出できる。その他、保護カバー７１１を触れた時に発生する振動、音によって動作するものであってもよい。例えば、振動センサ、小型マイクなどが例示される。また、光センサを具備し、対象物６７１が表示領域１０に触れた時に必ず光センサの光入射光をさえぎるように構成してもよい。

したがって、フォースセンサ７１２とは、圧力センサだけでなく、外部からの信号（押圧、振動、音、光）などにより、対象物６７１が表示領域（保護カバーなどの間接物も含む）１０に’触れた’ことを直接的にあるいは間接的に検出できるものであればいずれのものであってもよい。

以下の説明では説明を容易にするため、フォースセンサ７１２として説明するが、フォースセンサ７１２は検出手段としての広範囲なものが技術的範疇である。光の遮光により検出するホトセンサでもよいし、圧力導電ゴムなどを用いた接触センサでもよい。また、タッチパネルでもよい。

（２）接触検出方法
指６７１などの検出対象物は、表示パネル１４９の上方にあっても、その影が表示パネル１４８の表示領域１０に投影されることがある。当然、指６７１などの対象物が表示領域１０に触れられた時にも影が投影される。本実施形態で検出したいのは、指６７１などの対象物が表示領域１０に触れた時であり、その指の座標位置である。指６７１などの対象物が表示領域１０に触れた時を確実に検出するための方法を以下に説明する。

（２−１）押圧信号の検出
図７２の断面図に示すように、本実施形態の表示パネル１４８の上には、所定間隔離して、アクリル板などからなる透明の保護カバー７１１が配置されている。保護カバー７１１と筐体５４３間には、フォースセンサ７１２とスポンジあるいはゴムなどからなる緩衝材７２１が配置されている。

保護カバー７１１が押圧されると、保護カバー７１１を介してフォースセンサ７１２が押される。フォースセンサ７１２は押圧されると、押圧信号をホトセンサ処理回路１８に出力する。フォースセンサ７１２の押圧は、保護カバー７１１が押圧されると、押された位置に関わらず発生するように構成されている。

ホトセンサ処理回路１８は、押圧信号を受信すると、表示パネル１４８に対してキャリブレーションを実施する。このキャリブレーションの方法は以前に説明したので説明を省略する。なお、キャリブレーションは表示パネルあるいは本実施形態の平面表示装置の電源オン時などに予め実施しておいてもよいことは言うまでもない。また、随時、一定間隔で実施してもよい。また、フォースセンサ７１２などが動作したとき、指などの対象物６７１が表示領域１０（保護カバー７１１）を触れた時に実施してもよい。

（２−２）押圧位置の検出
次に、ホトセンサ処理回路１８は、表示領域１０のどの箇所に対象物（指）６７１が触れられているかを検出する。検出は図６０などで説明したようにオン出力領域６０１を検出し、オン出力領域６０１から中心座標６０２を検出あるいは演算することにより求まる。

以上のように、対象物６７１が’触れたこと’という情報を入手し、一方で、オン出力領域６０１が発生し、かつ中心座標６０２が発生していることとの一致をとる。したがって、確実な対象物６７１の中心座標を入手できる。

（２−３）フォースセンサ７１２の配置
図７２において、フォースセンサ７１２は１箇所であった。しかし、本実施形態はこれに限定するものではない。例えば、図７３に図示するように、表示パネル１４８の左右の２箇所（７１２ａ、７１２ｂ）に配置してもよい。２箇所にフォースセンサ７１２が配置され、保護カバー７１２に押圧された圧力が両方のホースセンサ（７１２ａ、７１２ｂ）に伝達される。図７４は図７３の平面図及びＡＡ’線での断面図である。図７４（ａ）に図示するように、突起７４１を介してフォースセンサ７１２に保護カバー７１１に印加されて圧力が伝達される。

フォースセンサ７１２ａの圧力値と、フォースセンサ７１２ｂの圧力値の差異から、保護カバー７１１のどの位置（Ａ，Ｂ，Ｃ）に対象物６７１が触れたかを検出することができる。したがって、オン出力領域６０１による座標位置検出と組み合わせることにより高精度の座標を確定できる。なお、フォースセンサ７１２は図７３の１、２位置にも配置してもよい。１、２位置に配置することにより、Ｄ、Ｅ位置に対象物６７１が触れたことのみならず、Ｆ、Ｇ、Ｈ、Ｉ位置に触れたことをも検出できる。

（第８の実施形態）
上記実施形態では、検出センサであるフォースセンサ７１２により、対象物（指）６７１が表示領域１０に触れたことを検出するものであった。したがって、センサ７１２などが必要であった。以下の本実施形態は、センサ７１２を使用せず、対象物７１２が表示領域（保護カバー７１１などの間接物も含む）１０に触れたことを検出する。

（１）クリックによる接触検出
以下の本実施形態は、ダブルクリック（トリプルクロック）など、特定の時間間隔あるいは特殊パターンを発生し、特定条件と一致あるいは合致することを検出することにより、外光や不要な影の影響を除外する。したがって、フォースセンサ７１２は不要である。

図７５はダブルクリックで入力があったことを検出するものである。ダブルクリックは、１回目に表示画面１０に指６７１が触れた後、一定間隔後、次に表示画面１０に指６７１が触れたことを検出する。つまり、同一表示領域１０の特定箇所に対して、１回目入力、特定間隔、２回目入力が一組をなり該当箇所に入力されたことを検出する。特定間隔は所定範囲を規定する。この所定範囲以外に２回目の入力があった場合は、入力とは判断されない。所定範囲（時間）は０．１秒以上１秒以下である。好ましくは所定範囲とは０．１秒以上０．５秒以下である。なお、キャリブレーションなどに関する事項は、以前に説明したので説明を省略する。

図７５（ａ）は１回目の入力（クリック）であり、図７５（ｂ）は特定間隔での状態を示す。図７５（ｃ）は２回目の入力の状態を示している。つまり、ダブルクリック入力である。図７５（ａ）のように、指６７１により保護カバー７１１（表示領域１０）に指６７１の影７５１ａができる。この影７５１ａにより発生するオン出力領域６０１を検出する。図７５（ｂ）の特定間隔では、指６７１が保護カバー７１１（表示領域１０）の上方にある（指６７１が保護カバー７１１（表示領域１０）に触れられていない）。したがって、指６７１の影７５１ｂは、保護カバー７１１に投影される。しかし、影７５１ｂは図７５（ａ）の影７５１ａより薄くなる。

図７５（ａ）（ｂ）（ｃ）でのキャリブレーションを同一にしておけば、図７５（ａ）でのオン出力領域６０１の面積と、７５（ｂ）でのオン出力領域６０１の面積が異なる。基本的には図７５（ａ）でのオン出力領域６０１の面積とよりも、７５（ｂ）でのオン出力領域６０１の面積の方が狭くなる。

図７５（ｂ）は２回目の入力（クリック）である。図７５（ｂ）のように、指６７１により保護カバー７１１（表示領域１０）に指６７１の影７５１ａができる。この影７５１ａにより発生するオン出力領域６０１を検出する。図７５（ｂ）の特定間隔では、指６７１が保護カバー７１１（表示領域１０）の上方にある。指６７１が保護カバー７１１（表示領域１０）に触れられていない。したがって、指６７１の影７５１ｂは、保護カバー７１１に投影される。しかし、影７５１ｂは図７５（ａ）の影７５１ａより薄くなる。

図７５（ａ）（ｂ）（ｃ）でのキャリブレーションを同一にしておけば、図７５（ａ）でのオン出力領域６０１の面積と、７５（ｂ）でのオン出力領域６０１の面積が異なる。基本的には図７５（ａ）でのオン出力領域６０１の面積よりも、７５（ｂ）でのオン出力領域６０１の面積の方が狭くなる。

（２）接触判断
以上のことから、図７５（ａ）のオン出力領域６０１の面積・・・図７５（ｂ）の所定間隔後のオン出力領域６０１の面積・・・図７５（ｃ）の所定間隔後のオン出力領域６０１の面積をホトセンサ処理回路１８で処理し、入力されたことを判断し、判断の結果、図７５（ａ）、図７５（ｃ）のオン出力領域６０１から中心座標６０２を検出し、マイコン（図示せず）に座標６０２を送出する。

以上のように、オン出力領域６０１の面積は、図７５（ａ）と図７５（ｃ）では一致し、図７５（ｂ）のオン出力領域６０１の面積は、図７５（ａ）のオン出力領域６０１の面積よりも狭くなる（以下、第１の要件という）。

また、図７５（ａ）と図７５（ｃ）とは一定の特定間隔（時間）があいている。この特定間隔（時間）は所定時間範囲である（以下、第２の要件という）。

対象物６７１で入力されたことは、第１の要件と第２の要件が整ったとき、判断される。

（第９の実施形態）
上記実施形態は、ダブルクリックで入力されたことを判断する実施形態であった。本実施形態は規定された特定パターンと一致するかを判定して入力されたことを判断するものである。したがって、複数のクリック入力であり、規定されたものであれば、いずれのパターンであってもよい。ホトセンサ処理回路１８とマイコンにより規定された特定パターンとの一致性を判断し、入力されたと判定する。

（１）特定パターンによる判断
図７６は特定パターンの実施形態である。図７５（ａ）のように指６７１が表示領域１０に触れている期間を斜線で示している。また、図７５（ｂ）のように、指６７１が表示領域１０に触れていない期間を白枠で示している。

なお、指を用いてクリック入力するとしているが、本実施形態はこれに限定するものではなく、入力ペン、ステックなどを用いて入力してもよい。また、光ペン１７１を複数回点滅させ、この点灯時あるいは消灯時を１回のクリック入力として座標入力を実施してもよい。

また、入力したこと、あるいは入力していることを認識するために、入力した時に、図７７（ａ）に図示するように、入力時に表示パネル１４８または保護カバー７１１が振動するように構成する。振動は、携帯電話のマナーモードのように振動を発生するモーターなどを制御することにより容易に実現できる。また、図７７（ｂ）に図示するように、入力した時に、発光するように制御することも有効である。これは、バックライト１４６を点滅させること、表示パネル１４８の印加映像信号を制御することにより容易に実現できる。

図７６（ａ）は図７５のダブルクリック入力の実施形態である。入力回数（入力番目）を１、２で示している。図７６（ａ）のように、最初１のｔａの期間が第１回目のクリック期間である（図７５（ａ）の状態）。クリック入力期間にオン出力領域６０１を検出し、中心座標６０２を検出する。また、必要に応じてキャリブレーションを実施する。以上の事項は本実施形態の他の実施形態においても同様である。次に、ｔ１の期間が特定間隔の期間である（図７６（ｂ）の状態）。次の２のｔａの期間が第２回目のクリック期間である（図７５（ｃ）の状態）。なお、特定間隔の期間にキャリブレーションを実施してもよい。

図７６（ｂ）はトリプルクリック入力の実施形態である。表示領域１０の同一入力箇所を３回指でクリックすることにより入力を行う。入力回数（入力番目）を１、２、３で示している。図７６（ｂ）のように、最初１のｔａの期間が第１回目のクリック入力期間である。次に、ｔ１の期間が特定間隔の期間である。次の２のｔａの期間が第２回目のクリック入力期間である。また、次のｔ１の期間が特定間隔の期間である。最後の２のｔａの期間が第３回目のクリック入力期間である。上記実施形態では、３回のクリック期間ｔａと、２回の特定期間ｔ１を検出あるいは一致あるいは略一致したとき、特定の表示領域１０への入力として判断する。

図７６（ｃ）はクリックの時間を変化させたダブルクリック入力の実施形態である。入力回数（入力番目）を１、２で示している。図７６（ｃ）のように、最初の第１のｔｂのクリック期間が第２のｔａのクリック期間よりも長くしている。最初の第１のｔｂの期間が第１回目のクリック期間である（図７５（ａ）の状態）。クリック入力期間にオン出力領域６０１を検出し、中心座標６０２を検出する。また、必要に応じてキャリブレーションを実施する。キャリブレーションで決定したプリチャージ電圧Ｖｐｒｃ、露光時間Ｔｃなどは一連の入力検出期間は同一の値が用いられる。つまり第１番目のクリック期間と第２番目のクリック期間のキャリブレーション条件は同一である。

以上の事項は他の実施形態においても同様である。次に、ｔ２の期間が特定間隔の期間である（図７６（ｂ）の状態）。特定間隔の期間は、クロックをカウントし、カウント値が予め設定された下限と上限の範囲に入っているかを判断する。次の２のｔａの期間が第２回目のクリック期間である（図７５（ｃ）の状態）。上記実施形態では、２回のクリック期間ｔｂ、ｔａと、１回の特定期間ｔ２を検出あるいは一致あるいは略一致したとき、特定の表示領域１０への入力として判断する。

図７６（ｄ）はダブルクリックを２回繰り返した場合に入力をして判断する実施形態である。入力回数（入力番目）を１、２で示している。１回目のダブルクリックと、２回目のダブルクリックとの間は、特定間隔ｔ３あけている（特定間隔ｔ３あけるように、入力する必要がある）。図７６（ｄ）のように、最初の１回目のダブルクリックと２回目のダブルクリックとは同一になるように入力する。最初の１回目のダブルクリックは、第１のｔａの期間が第１回目のクリック期間である。クリック入力期間にオン出力領域６０１を検出し、中心座標６０２を検出する。また、必要に応じてキャリブレーションを実施する。キャリブレーションで決定したプリチャージ電圧Ｖｐｒｃ、露光時間Ｔｃなどは一連の入力検出期間は同一の値が用いられる。また、少なくとも１回目のダブルクリックと２回目のダブルクリックにおけるキャリブレーション条件は同一である。

ｔ１の期間が特定間隔の期間である。特定間隔の期間は、クロックをカウントし、カウント値が予め設定された下限と上限の範囲に入っているかを判断する。次の２のｔａの期間が第２回目のクリック期間である。次のダブルクリックまでの特定間隔期間はｔ３である。ｔ３についても、クロックをカウントし、カウント値が予め設定された下限と上限の範囲に入っているかを判断する。

２回目のダブルクリックは、１回目のダブルクリックと同様である。第１のｔａの期間が第１回目のクリック期間である。ｔ１の期間が特定間隔の期間である。特定間隔の期間は、クロックをカウントし、カウント値が予め設定された下限と上限の範囲に入っているかを判断する。次の２のｔａの期間が第２回目のクリック期間である。次のダブルクリックまでの特定間隔期間はｔ３である。ｔ３についても、クロックをカウントし、カウント値が予め設定された下限と上限の範囲に入っているかを判断する。

上記実施形態では、２回のダブルクリックを実施し、２回のクリック期間などの期間ｔａ、ｔ１と、１回目のダブルクリックと２回目のダブルクリックの間の期間ｔ３を検出あるいは一致あるいは略一致したとき、特定の表示領域１０への入力として判断する。

また、図８１（ａ）はトリプルクリックの例であり、図８１（ｂ）は特殊な４回入力クリックパターンである。

（第１０の実施形態）
上記実施形態は入力パターンにより、入力を判断する実施形態であった。しかし、指入力を開始するという開始信号と、指入力が終了してという終了信号を特定できれば、その間隔間では、良好な指入力を実現できる場合が多い。つまり、指入力開始と終了を特定できればよい。

（１）入力開始及び終了判断
図８０の実施形態では、表示領域１０の表示部６６１ａにダブルクリックを実施することにより、指入力開始を認識する（図８０（ｂ））。表示領域１０の表示部６６１ｂにトリプルクリックを実施することにより、指入力終了を認識する（図８０（ｃ））。

本実施形態は特定パターンを実施することにより、入力したこと、入力されたこと、入力を開始すること、入力を終了することを判断する。したがって、特定パターンを実施することが重要である。また、特定パターンを入力する前または入力後にキャリブレーションを実施する。入力は指６７１などの遮光物、光ペン１７１のいずれでもよい。

（２）特殊パターン
特殊パターンは、図８２に図示するように、表示領域１０のＷ１からＷ２の方向に、指６７１をスライドさせ、また、光ペン１７１で線を描く。また、表示領域１０のＷ３からＷ４の方向に、指６７１をスライドさせ、また、光ペン１７１で線を描く。また、図８３に図示するように、表示領域１０の斜め方向ａからｂの方向、ｃからｄ方向に、指６７１をスライドさせ、また、光ペン１７１で線を描く。また、図８４に図示するように、上下、左右に複数の方向に指６７１をスライドさせ、また、光ペン１７１で線を描く。また、図８５（ａ）に図示するように、表示領域１０の端の上下、左右方向に指６７１をスライドさせ、また、光ペン１７１で線を描く。また、図８５（ｂ）の表示領域１０の端の上下、左右方向に指６７１をジグザグにスライドさせ、または、光ペン１７１でジグザグに線を描く。

図７５、図７６、図８１では多種多様な入力方法を説明した。以上のように本実施形態は、クリックの期間及びクリック間隔を特定すること、あるいは指定された特定間隔に入力することにより、外光あるいは対象物の不要な影などの外乱に左右されることなく、オン出力領域６０１あるいは中心座標６０２を精度よく取得するものである。

しかし、特定間隔（ｔ１、ｔ２、ｔ３）、クリック期間（ｔａ、ｔｂ）は操作者により個人差がある。この課題に対応するため、操作者に入力練習をさせて、この入力パターンを予め記憶し、記憶したパターンと、以降に入力する入力パターンとの一致性を判断する。

（３）練習モード
図７８は練習モードの説明図である。図７８（ａ）に図示するように、操作者は表示部６６１に指６７１でダブルクリックを行う。練習の開始時に、表示領域１０に開始のランプ表示７８１が表示される。ランプ表示７８１を操作者が認識すると、表示部６６１にクリック入力を行う。また、練習は複数回行う。そのため、回数を表示する回数表示７８２が表示領域１０に表示される。

図７８（ｂ）は入力されたパターンを図示している。３回の練習を実施している。第１回目の入力では、最初１のｔａ１の期間が第１回目のクリック期間である。ｔ１ａの期間が特定間隔の期間である。次の２のｔａ２の期間が第２回目のクリック期間である。第２回目の入力では、最初１のｔａ３の期間が第１回目のクリック期間である。ｔ１ｂの期間が特定間隔の期間である。次の２のｔａ４の期間が第２回目のクリック期間である。第３回目の入力では、最初１のｔａ５の期間が第１回目のクリック期間である。ｔ１ｃの期間が特定間隔の期間である。次の２のｔａ６の期間が第２回目のクリック期間である。

図７８（ｃ）は３回の練習を集約した結果である。１回目から３回目のクリック期間、間隔期間を平均する。結果は、最初１のｔａａの期間が第１回目のクリック期間である。ｔ１１の期間が特定間隔の期間である。次の２のｔａｂの期間が第２回目のクリック期間である。この期間と、以降の入力との一致性を判断する。また、この判断条件を記憶する。

上記実施形態は、複数回のダブルクリックを練習することにおり、ダブルクリックの入力判断を求めるものであったが、図７９（ａ）に図示するように、１回目の練習では、ダブルクリックとし、２回目の練習はトリプルクリックとして、図７９（ｂ）に図示するように、ダブルクリックの条件を求めてもよい。

［３］ブロック処理
（第１の実施形態）
上記で説明したホトセンサ画素２７のホトセンサ６４、ＴＦＴ６２ｂなどは特性バラツキが大きい。そのため、同一の外光がホトセンサ６４に照射されても、オフ状態となるＴＦＴ６２ｂもあれば、オフ状態を保持するＴＦＴ６２ｂもある。このばらつきを解消して均一な処理を行うために次のような第１の実施形態のブロック処理を説明する。

（１）基本的な実施形態
本実施形態では、図８８に示すように、ホトセンサ画素６４が形成された表示領域１０を複数の処理ブロック８８１に区分し、各処理ブロック８８１を１つの変化として処理している。例えば、横２４０ＲＧＢｘ３２０ドットからなる表示画面１０では、横１６ＲＧＢ、縦１６ドットずつの処理ブロックに分解する。つまり、２４０ＲＧＢ／１６ＲＧＢ＝１５、縦３２０／１６＝２０となるから、表示領域１０には１５ｘ２０＝３００の処理ブロック８８１が構成されていることになる。

したがって、１つの処理ブロック８８１には、１６ＲＧＢｘ１６ドットの画素がある。ホトセンサ２７をＲＧＢで１つ形成しているとすると、１つの処理ブロック８８１では、１６ｘ１６のホトセンサが形成されていることになる。

以下では、説明を容易にするため、ＲＧＢで１つのホトセンサ画素２７が形成されているとする。つまり、２４０ＲＧＢｘ３２０ドットであれば、ホトセンサは２４０ｘ３２０個のホトセンサが形成されていることになる。

処理ブロック８８１の画素数は、２の乗数となるようにすることが好ましい。例えば、処理ブロックが１６ｘ１６＝２５６であれば、これは２の乗数であり本実施形態の条件に適合する。また、１つの処理ブロックの縦横のドット数は、２の乗数となるようにすることが好ましい。特に４の倍数とすることが好ましい。例えば、４、８、１６である。つまり、１つの処理ブロック８８１は、４ｘ４、８ｘ８、１６ｘ１６のように分割する。もちろん、８ｘ４、１６ｘ８などでもよい。４の倍数とすることにより、表現するビット数の使用効率がよくなるからである。例えば、１６ｘ１６では、１６ｘ１６＝２５６であるので、オンまたはオフするホトセンサ６４の個数は、０〜２５５である。したがって、８ビットで表現することができる。また、８ｘ１６＝１２８であるので、７ビットで表現できる。各状態でのビット長に占める空きが少なくなるように構成することによりメモリサイズを削減でき、ＩＣサイズを小さくできる。

しかし、本実施形態はこれに限定するものではなく、場合によっては、１つの処理ブロック８８１は、４ｘ４、６ｘ６、８ｘ８、１０ｘ１０、１２ｘ１２、１６ｘ１６のように分割してもよい。

図８８（ｂ）は、処理ブロックが１６ｘ１６の大きさである。本実施形態では、この処理ブロックを１つの判断値として用いる。例えば、判断値が５０であり、１６ｘ１６構成の処理ブロック内でオン動作しているホトセンサ画素２７の個数が５０個以上あれば、この処理ブロック８８１はオンとして扱う。４９個以下であれば、この処理ブロック８８１はオフとして扱う。したがって、表示領域１０内に１５ｘ２０の処理ブロックが構成されていれば、オン数とオフ数を加えた個数が１５ｘ２０＝３００なる。また、各処理ブロック８８１単位で、指６７１が接触したか否かの判断をする。

ホトセンサ画素２７は特性がばらついているため、ホトセンサ画素単位では、同一の光が照射されてもオンとなるかオフになるかは、ホトセンサの特性に左右される。しかし、図８８に示すように処理ブロック８８１単位で処理することにすれば、各処理ブロック８８１内には多数のホトセンサ画素２７が形成されているため、平均化される。したがって、処理ブロック８８１単位では、ホトセンサ画素２７の特性に左右されず、安定したオン、オフ判断を行うことができる。

（２）第１の変更例
次に、第１の変更例のブロック処理について図８９に基づいて説明する。

本変更例は、処理ブロック８８１のホトセンサ数（あるいはホトセンサ画素数）を、検出する光（以下、外光強度と呼ぶ）により変化させるものである。

図８９に示すように、処理ブロック８８１のホトセンサ画素２７の最大数は１０ｘ１０、最少数は４ｘ４の実施形態である。外光強度が強くなるほど、１つの処理ブロック８８１を構成するホトセンサ数を低減させている。外光強度が弱くなるほど、１つの処理ブロック８８１を構成するホトセンサ数を増大させている。

処理ブロック８８１は仮想的なものであり、演算処理を変化させることにより、容易に処理ブロック８８１のホトセンサ画素２７の数を変化させることができる。

また、処理ブロック８８１のホトセンサ画素２７の数の変化により、表示領域１０の処理ブロック８８１の数は変化する。外光強度が強くなるほど、表示領域１０の処理ブロック８８１の数は多くなる。外光強度が弱くなるほど、表示領域１０の処理ブロック８８１は少なくなる。

（３）第２の変更例
次に、第２の変更例のブロック処理について説明する。

本変更例は、外光強度に依存せず、１つの処理ブロック８８１の数が占めるホトセンサ画素２７を変化させるものである。

例えば、光ペン１７１で入力を行う場合は、処理ブロック８８１を４ｘ４などのように小さくし、指６７１で入力を行う場合は、処理ブロック８８１を１６ｘ１６のように大きくする。

光ペン１７１の入力（図１７参照）の場合は、文字入力などを実施するため解像度が必要である。したがって、処理ブロック８８１の大きさを小さくして解像度を増大させる。

指６７１の入力（図１５、図１６参照）の場合は、指６７１の影あるいは反射光の有無を検出するだけであるから、解像度は不要である。確実に指６７１の有無を検出することが重要である。したがって、処理ブロック８８１を大きくしてホトセンサ６４の特性バラツキの影響を低減する。

光ペン１７１のように光１５１の照射により入力を行う場合は、処理ブロック８８１の大きさ（処理ブロック８１が保有するホトセンサ画素２７の数）Ｌ１を小さくし、指６７１のように影入力あるいは反射光の検出を行う場合は、処理ブロック８８１の大きさＬ２を大きくする。つまり、Ｌ１＜Ｌ２なる関係にする。なお、Ｌ１及びＬ２は外光などの強度により、可変できるようにすることが好ましい。

（４）第３の変更例
次に、第３の変更例のブロック処理について説明する。

本変更例は、表示領域１０の中央部と周辺部で処理ブロック８８１が占めるホトセンサ画素２７の数を変化させるものである。

例えば、表示領域１０の中央部では、処理ブロック８８１を４ｘ４（ホトセンサ画素数は１６個）とし、表示領域１０の周辺部では、処理ブロック８８１を１６ｘ１６（ホトセンサ画素数は２５６個）とする。表示領域１０の中央部では解像度が必要であり、表示領域１０の周辺部では解像度が必要でないからである。また、表示領域１０の周辺部ではバックライト１４６からの回りこみ光の影響があり、処理ブロック８１が占めるホトセンサ画素２７を多くする必要があるからである。

また、本変更例は、表示領域１０において、指６７１の入力が必要な領域の処理ブロック８８１の解像を高くし、他の箇所の処理ブロック８８１の解像度を低下させるように構成してもよい。つまり、必要な箇所と、重要でない箇所の処理ブロック８８１のサイズ、解像度などを変化させる。

以上のように、本変更例は、表示領域１０の中央部の処理ブロック８８１の大きさ、すなわち、処理ブロック８１が保有するホトセンサ画素２７の数Ｌ１を小さくし、表示領域１０の周辺部の処理ブロック８８１の大きさＬ２を大きくする。つまり、Ｌ１＜Ｌ２なる関係にする。

なお、Ｌ１、Ｌ２はＬ１とＬ２間に境目を有することなく、あるいは複数の境目を構成してもよい。

例えば、表示領域１０の中央部の処理ブロック８８１のホトセンサ画素２７の数を４ｘ４とし、表示領域１０の最周辺部の処理ブロック８８１のホトセンサ画素２７の数を１６ｘ１６とし、１６ｘ１６と４ｘ１４間の処理ブロック８８１が、１２ｘ１２、８ｘ８と変化させる。

また、Ｌ１及びＬ２は外光などの強度により、可変できるように構成することが好ましい。

（５）第４の変更例
次に、第４の変更例のブロック処理について説明する。

本変更例は、表示領域１０のホトセンサ画素２７の解像度を異ならせる。

例えば、表示領域１０の中央部は、図３のように、ＲＧＢそれぞれの画素１６にホトセンサ画素２７を形成する。表示領域１０の周辺部は、図４のように、ＲＧＢ画素１６で１つのホトセンサ画素２７を形成する。

処理ブロック８８１が占めるホトセンサ画素２７の数は、表示領域１０の画面の中央部と周辺部で一致させてもよいし、処理ブロック８８１の面積を一致させてもよい。

また、以上の事項を表示領域１０の各領域で変化させてもよい。但し、モアレの発生を防止するため、ホトセンサ画素２７を被覆するブラックマトリックスの配置、形状などは表示領域１０内で一致させる。ホトセンサ画素２７が形成されていない箇所にも他の箇所と同様にブラックマトリックスを形成する。

（６）第５の変更例
次に、第５の変更例のブロック処理について説明する。

本変更例は、表示領域１０のホトセンサ画素２７の光検出感度を異ならせる。

例えば、表示領域１０の中央部は、ホトセンサ画素２７のホトセンサ６４のサイズを大きくし、感度を高くする。表示領域１０の周辺部は、ホトセンサ画素２７のホトセンサ６４のサイズを小さくし、感度を低くする。

また、以上の事項を表示領域１０の各領域で変化させてもよい。また、ホトセンサ画素２７ごと、あるいは処理ブロック８８１毎に重み付け処理を行ってもよい。

以上の変更例は、単独で、あるいは組み合わせてに適用できる。また、以下に説明する実施形態も、単独で、あるいは組み合わせて適用できる。

（第２の実施形態）
次に、第２の実施形態のブロック処理について説明する。

外光が弱くなると、ホトセンサ画素２７に入射する光束量が低減し、外光に対するホトセンサ６４の特性バラツキが大きくなる。

したがって、本実施形態では、外光が弱い時は処理ブロック８８１のホトセンサ画素２７の数を増大させることにより、オンオフ判定は安定させる。外光が強くなると、ホトセンサ画素２７に入射する光束量が増大し、外光に対するホトセンサ６４の特性バラツキが小さくなる。したがって、外光が強い時は処理ブロック８８１のホトセンサ画素２７の数を減少させても、オンオフ判定は安定させることができる。

（１）基本の実施形態
本実施形態の処理ブロック８８１のオンオフ判断について図９１に基づいて説明する。

図９１（ａ）は、処理ブロック８８１は８ｘ８のホトセンサ画素２７から構成されている。つまり、ホトセンサのオン数は、０〜６４となる。０を例外とすれば、０〜６３の６ビットで表現できる。図９１（ａ）の各処理ブロック８８１に記載されている数字はホトセンサ画素２７がオン状態の個数である。図９１では、５５以上でオン（１）として判定している。つまり、オンしているホトセンサ画素２７が５５個以上で処理ブロック８８１としては、オン（１）である。それ以下ではオフ（０）である。なお、上記５５個などとしている値を「判断数」と呼ぶ。また、トランジスタ６２ｂがオンとなる判断数を「オン判断数」と呼び、トランジスタ６２ｂがオフとなる判断数を「オフ判断数」と呼ぶ。

（２）第１の変更例
オン判断数あるいはオフ判断数は１つではない。多段階に設定してもよい。

例えば、オン判断数が１０未満は、処理ブロック８８１の値は０とし、オン判断数１０以上２０未満は１とし、オン判断数２０以上３０未満は２とし、オン判断数３０以上４０未満は３とし、オン判断数４０以上６３以下は４とするなどが例示される。

つまり、図９１の各処理ブロック８１の値は、０〜４の値が設定される。また、各値により平面表示装置の処理を変更する。

（３）第２の変更例
処理ブロック８８１のオンまたはオフとして判定するホトセンサ画素２７の数も、外光強度により変化させることが好ましい。外光が強い時は、１つの処理ブロック８８１のオン判断数を小さく設定する。外光が弱い時は、１つの処理ブロック８８１のオン判断数を大きく設定する。

外光が強い時は、ホトセンサ６４のリークが大きく、トランジスタ６２ｂがオフとなるからである。したがって、外光が強くなるほど、オン判断数は小さく設定し、逆にオフ判断数は大きく設定する。外光が弱い時は、ホトセンサ６４のリークが少なく、トランジスタ６２ｂのオン状態が保持される。したがって、外光が弱くなるほど、オン判断数は大きく設定し、逆にオフ判断数は小さく設定する。

以上のように本実施形態は、外光、すなわち、バックライト１４６などの光、太陽光の強弱に対応して、オン判断数あるいはオフ判断数を可変する。

（第３の実施形態）
次に、第３の実施形態のブロック処理について説明する。

本実施形態は、ホトセンサ画素２７のオン状態あるいはオフ状態をカウントする領域を限定するものである。

（１）基本の実施形態
本実施形態は、図９２に示すように、処理ブロック８８１の中央部のホトセンサ画素２７ｂ（黒表示で示している）を検出画素とし、その周辺のホトセンサ画素２８ａ（白表示で示している）を非検出画素としている。つまり、処理ブロック８８１の中央部のホトセンサ画素２７ｂが反応し、他のホトセンサ画素２７ａは反応しない。反応するかしないかは制御用信号処理回路１５で指定する。

（２）第１の変更例
ホトセンサ画素２７ａは反応しないとしたが、これに限定するものではない。

例えば、ホトセンサ画素２７ａとホトセンサ画素２７ｂの感度を異ならせてもよい。ホトセンサ画素２７ａの感度を高感度に設定し、ホトセンサ画素２７ｂを低感度に設定する。感度の設定は、オン判断数あるいはオフ判断数をホトセンサ画素２７ａとホトセンサ画素２７ｂで異ならせることにより容易に設定できる。

また、ホトセンサ画素２７ａ、２７ｂでプリチャージ電圧Ｖｐｒｃを変化させてもよい。

また、コンパレータ電圧を変化させてもよい。

また、予めホトセンサ画素２７ａ、２７ｂでホトセンサ６４のサイズを変化させて形成してもよい。

本変更例であると、処理ブロック８８１の中央部のみに反応するホトセンサ画素２７ｂを配置しているので、指６７１が中央部に触れない限り反応しないようにすることができる。

（３）第２の変更例
図９３（ａ）（ｂ）（ｃ）に示すように、検出するホトセンサ画素２７ｂの形成範囲あるいはホトセンサを可変できるように構成することができる。

図９３（ａ）は、処理ブロック８８１の中央部の小領域のホトセンサ画素２７ｂが反応する。

図９３（ｂ）は、処理ブロック８８１の広範囲の領域のホトセンサ画素２７ｂを配置している。

図９３（ｃ）は、処理ブロック８８１の広範囲の領域のホトセンサ画素２７ｂを格子状に配置している。

図９３（ｄ）に示すように、反応するホトセンサ画素２７ｂを分散させて配置してもよい。

図９３（ｅ）に示すように、複数の処理ブロック８８１で反応箇所を形成する場合は、ある処理ブロック８８１の全ホトセンサ画素を反応するホトセンサ画素２７ｂとしてもよい。

（第４の実施形態）
次に、第４の実施形態のブロック処理について説明する。

（１）基本の実施形態
本実施形態は、図９４に示すように、入力を許可する処理ブロック８８１を信号処理回路１５で指定できるように構成する。

図９４では説明を容易にするため、処理ブロック８８１の横（列）方向にａ、ｂ、ｃ、・・・・・、ｈと番号を付加しており、縦（行）方向に１、２、３・・・・・１６と番号を付加している。図９４において、１の記載している箇所は、入力を許可の処理ブロック８８１を示している。０の記載している箇所は、入力を不許可の処理ブロック８８１を示している。

図９４では、列方向と行方向において、偶数番目に位置する処理ブロック８８１を入力を許可とし、他の処理ブロック８８１を不許可としている。許可と不許可は、外光強度、プリチャージ電圧Ｖｐｒｃの大きさ、検出対象物（光ペン、指など）によって変更する。

（２）変更例
処理ブロック８８１の入力を許可するか否かは、平面表示装置の動作状態でも変化させることが好ましい。本変更例を図９６に図示している。

なお、以下の実施形態では、キャリブレーションを例示して説明するがこれに限定するものではない。すなわち、外光強度などの他の要件にあわせて実施してもよい。

図９６（ａ）に示すように、キャリブレーションを実施しているときは、全ての処理ブロック８８１の入力を不許可（０）にする。キャリブレーション中の誤動作を防止するためである。図９６（ａ）では、キャリブレーション中は全ての処理ブロック８８１を不許可にしている。したがって、図９６（ａ）のモードでは、指６７１などが表示画面に触れられても、処理ブロック８８１は反応しない。

図９６（ｂ）はキャリブレーションが終了直前の状態である。少数の処理ブロック８８１は、入力が許可される。入力が許可された処理ブロック８８１は指６７１などの検出を試み、より良好にキャリブレーションが完了されるように、プリチャージ電圧Ｖｐｒｃなどが調整される。

図９６（ｃ）はキャリブレーションが完了した状態である。各選択された処理ブロック８８１は入力が可能な状態となる（図９４などを参照）。以降の動作は既に説明しているので説明を省略する。

（第５の実施形態）
表示領域１０におけるホトセンサ６４、トランジスタ６２ｂなどの特性ばらつきは、表示領域１０の面内で傾きを持っている。特性の傾きは、対象物（光ペン、指など）の検出に大きな影響を与えるため補正する必要がある。本実施形態は、この課題を解決するものであり、図９５に図示している。

（１）基本概念
図９５（ａ）では、ホトセンサ画素２７の特性の強度を数字で示している。数字が大きいほどトランジスタ６２ｂのＶｔ（立ち上がり電圧）が低いことを示している。また、数字が小さいほどトランジスタ６２ｂのＶｔ（立ち上がり電圧）が高いことを示している。Ｖｔは低いほど、トランジスタ６２ｂのゲート電圧が低くともオン出力を維持する。Ｖｔは高いほど、トランジスタ６２ｂのゲート電圧が低下するとすぐにオフ出力となる。

なお、図９５（ａ）の数字は、処理ブロック８８１毎にＶｔ電圧を平均化した値である。本実施形態はこれに限定するものではなく、ホトセンサ画素２７毎にＶｔ電圧を測定などし、メモリなどに結果を保持してもよい。また、ホトセンサ画素２７毎に実データ（図９５（ｂ））を補正してもよい。以下の説明は説明を容易にするため、処理ブロック８８１単位で実データなどを補正するとする。

図９５（ａ）において、５を記載された処理ブロック８８１のＶｔ電圧が低く、１を記載された処理ブロック８８１のＶｔが高い。図９５（ａ）の特性データは、予め測定して平面表示装置のメモリに格納される。メモリとしてはＥＥＰＲＯＭを採用し、書き換え可能なように構成する。また、図９５（ａ）のデータは、外光強度、プリチャージ電圧Ｖｐｒｃの大きさ、検出対象物（光ペン、指など）によって変更する。

図９５（ｂ）の１は、上記実施形態における図９１（ｂ）で説明した処理により、オン状態と判断された処理ブロック８８１である。０は図９１（ｂ）で説明した処理により、オフ状態と判断された処理ブロック８８１である。

図９５（ｃ）は、図９５（ｂ）の結果に対して、図９５（ａ）のメモリデータを考慮して補正した結果である。表示領域１０に均一な強度の光が照射されても、Ｖｔが低いとオン状態を維持する。例えば、図９５（ａ）に’５’と図示した処理ブロックは、図９５（ｂ）で’１’となる。しかし、前記と同一の強度の光が照射されても、図９５（ａ）に’１’と図示した処理ブロックは、図９５（ｂ）で’０’となる。このことを考慮し、差分などの処理を実施して図９５（ｃ）のデータを求める。なお、図９５（ｃ）の’１’は特性バラツキあるいは特性傾斜を考慮した結果（オン、オフ）である。

（２）補正処理方法
補正処理方法としては、例えば、図９５（ａ）の’３’を中心値として行う。図９５（ａ）の結果を用いて、図９５（ｂ）の実データを補正する。

一例として、図９５（ａ）の’４’以上は、図９５（ｂ）のデータ（ホトセンサ画素２７のオン数）をマイナス側に補正する。図９５（ａ）の’２’以下は、図９５（ｂ）のデータ（ホトセンサ画素２７のオン数）をプラス側に補正する。図９５（ａ）の’３’は、図９５（ｂ）のデータ（ホトセンサ画素２７のオン数）をそのまま補正せずに使用する。

補正は、各処理ブロック８８１のホトセンサ画素２７のオン状態の個数またはオフ状態の個数と用いて行ってもよいし、図９５（ｂ）の数値を小数点以下があるように処理して行ってもよい。

（３）第１の変更例
図８９、図９３などは、処理ブロック８８１単位で処理を行うとした。しかし、本実施形態はこれに限定されるものではない。単独あるいは複数の画素行単位あるいは単独あるいは複数の画素列単位で処理を行ってもよい。また、処理はフレーム毎に変化させてもよい。なお、以下の説明では、フレームはフィールドであってもよい。

図９７、図９８、図９９は一例として複数の画素行単位を１つの処理ブロック８８１として処理を実施した例である。

図９７において、１Ｆとは第１フレーム目を示し、２Ｆとは１Ｆの次の第２フレームを示している。また、３Ｆとは２Ｆの次の第２フレーム目を示し、４Ｆとは３Ｆの次の第４フレームを示している。

表の縦軸の１、２、３・・・・ｎは処理ブロック番号を示している。つまり、Ｎ＝１とは、第１の処理ブロック８８１である。１Ｆ目では、第１の処理ブロック８８１は画素行１、３、５、７に位置するホトセンサ画素２７が含まれる。同様に第２の処理ブロック８８１は画素行９、１１、１３、１５に位置するホトセンサ画素２７が含まれる。第３の処理ブロック８８１は画素行１７、１９、２１、２３に位置するホトセンサ画素２７が含まれる。以下同様であり、第ｎの処理ブロック８８１は画素行２３３、２３５、２３７、２３９に位置するホトセンサ画素２７が含まれる（画素行を２４０としている）。

以上のように、各処理ブロック８８１は４画素行を対応させており、この４画素行で平均処理などが実施される。平均化処理、補正処理などは、図８９〜９６と同様であるので説明を省略する。なお、画素行は複数である必要はなく、１画素行単位であってもよい。但し、処理ブロック８８１を構成する画素行数が増大するほど、ホトセンサ画素２７の特定ばらつきの影響を軽減できる。

図９７の１Ｆでは、複数の奇数画素行単位で処理ブロック８８１を構成する。次の２Ｆでは、複数の偶数画素行単位で処理ブロック８８１を構成する。以下同様に、奇数番目のフレームでは、複数の奇数画素行単位で処理ブロック８８１を構成して処理を実施する。偶数番目のフレームでは、複数の偶数画素行単位で処理ブロック８８１を構成して処理を実施する。

以上のように複数の画素行単位で処理を実施し、また、フレーム毎に処理する対象画素行を変化させることにより、ホトセンサ画素２７の特性ばらつきの影響を緩和できる。

（４）第２の変更例
以上の実施形態は、奇数番目のフレームでは、複数の奇数画素行単位で処理ブロック８８１を構成して処理を実施し、偶数番目のフレームでは、複数の偶数画素行単位で処理ブロック８８１を構成して処理を実施するとした。しかし、連続して画素行で処理ブロック８８１を構成してもよい。

図９８は、本変更例を示す図である。図９８において、図９７と同様に、１Ｆとは第１フレーム目を示し、２Ｆとは１Ｆの次の第２フレームを示している。また、３Ｆとは２Ｆの次の第２フレーム目を示し、４Ｆとは３Ｆの次の第４フレームを示している。

表の縦軸の１、２、３・・・・ｎは図９７と同様に処理ブロック番号を示している。つまり、Ｎ＝１とは、第１の処理ブロック８８１である。１Ｆ目では、第１の処理ブロック８８１は画素行１、２、３、４に位置するホトセンサ画素２７が含まれる。同様に第２の処理ブロック８８１は画素行５、６、７、８に位置するホトセンサ画素２７が含まれる。第３の処理ブロック８８１は画素行９、１０、１１、１２に位置するホトセンサ画素２７が含まれる。以下同様であり、第ｎの処理ブロック８８１は画素行２３７、２３８、２３９、２４０に位置するホトセンサ画素２７が含まれる（画素行を２４０としている）。

以上のように、各処理ブロック８８１は４画素行を対応させており、この４画素行で平均処理などが実施される。平均化処理、補正処理などは、図８９〜９６と同様であるので説明を省略する。なお、画素行は複数である必要はなく、１画素行単位であってもよい。但し、処理ブロック８８１を構成する画素行数が増大するほど、ホトセンサ画素２７の特定ばらつきの影響を軽減できる。

図９８において、第２Ｆ（２Ｆ）では、２画素行ずらせて処理ブロック８８１を構成している。２Ｆ目では、第１の処理ブロック８８１は画素行３、４、５、６に位置するホトセンサ画素２７が含まれる。同様に第２の処理ブロック８８１は画素行７、８、９、１０に位置するホトセンサ画素２７が含まれる。第３の処理ブロック８８１は画素行１１、１２、１３、１４に位置するホトセンサ画素２７が含まれる。以下同様であり、第ｎの処理ブロック８８１は画素行２３９、２４０、１、２に位置するホトセンサ画素２７が含まれる。なお、画素行を２４０としている。

なお、２Ｆで２画素行をずらせて処理を実施するとしたが、本変更例はこれに限定するものはなく、１画素行あるいは他の画素行分をずらせて処理を実施してもよい。ずらす画素行は、処理ブロック８８１を構成する画素行の１／２に設定することが好ましい。例えば、処理ブロック８８１を構成する画素行数が４画素行であれば、４／２＝２画素行である。

（５）第３の変更例
以上の実施形態では、フレーム単位で処理ブロック８８１を変化させるとしたが、本実施形態はフレーム単位に限定するものではない。特定の単位時間であればいずれの時間であってもよい。

例えば、２フレーム単位で処理ブロック８８１を変化させてもよい。

また、１０ｍｓｅｃなどの単位時間で処理ブロック８８１を変化させてもよい。

また、単位時間は固定値である必要はなく、外光の強度など他の要因によって変化さてもよい。

また、多少のランダム周期性を有していてもよい。

また、画素行単位の処理ブロック８８１であったが、画素列単位の処理ブロック８８１を構成してもよい。

また、処理ブロック８８１は図９３に示すようにマトリックス状であってもよい。

（６）第４の変更例
図９９に示すように、処理ブロック８８１をフレーム毎にあるいは一定の単位時間で、処理位置をずらせてもよい。

説明を容易にするため図９９（ａ）は第１Ｆ、（ｂ）は第２Ｆ、（ｃ）は第３Ｆとする。図９９（ａ）（ｂ）（ｃ）では、１画素行ずつ処理ブロック８８１をずらせている。

以上のように、処理位置をずられることによりホトセンサ画素２７の特性バラツキの影響が時間軸方向にも平均化処理され、特性バラツキなどの影響が軽減する。

（７）第５の変更例
図１００に示すように、奇数フレームと偶数フレームで平均処理を実施してもよい。図１００（ａ）は奇数フレームと偶数フレームで平均化している。

また、一定時間経過後は、図１００（ｂ）に示すように、平均化処理を実施するフレームは、偶数フレームと奇数フレームで行う。つまり、一定時間周期で、図１００（ａ）と図１００（ｂ）の処理は繰り返される。

（８）第５の変更例
なお、以上の実施形態は、奇数フレームと偶数フレームで平均化処理をするとした。しかし，平均化処理に限定されるものではない。

本変更例は、図１０２に示すように、奇数フレームと偶数フレームでＡＮＤ処理を実施する。また、ＯＲ処理を実施してもよい。

つまり、複数のフレーム間で何らかの処理を行い、ホトセンサ画素２７の特性バラツキの影響を低減する処理であれば、いずれの処理であってもよい。

ＡＮＤ処理、ＯＲ処理の他、加算処理、切捨て処理などが例示される。

また、処理はフレーム間に限定されるものではなく、１つのフレーム内で実施してもよい。また、偶数フレームと奇数フレーム間に限定されるものではなく、奇数フレームと次の奇数フレーム間の処理、偶数フレームと次の偶数フレーム処理であってもよい。つまり、いずれかのフレームのデータを処理するものであればよい。

処理は、処理ブロック８８１に限定されるものではなく、ホトセンサ画素２７単位で実施してもよい。あるいは複数のホトセンサ画素２７単位で実施してもよい。

図１００は、２フレームでの平均化処理であったが、これに限定するものではない。図１０１に示すように、３フレームで平均化処理を実施してもよい。

［４］映像信号の影響の除去
（映像信号の影響）
上記の各実施形態のホトセンサ画素２７の出力を検出することにより、対象物の座標位置などを把握し、表示領域１０にアイコンなどの表示を行う場合を考える。

表示パネルにアイコンなどを表示するには、ソース信号線２３などに映像信号を印加する必要がある。例えば、１Ｈ反転−対向反転駆動では、図１０３に示すように、ソース信号線２３に印加する信号と対向電極１４７に印加する信号を１Ｈ（１水平走査期間）毎に反転させる。

映像信号は、カップリングなどによりホトセンサ画素２７の出力に影響を与える。映像信号の影響があると、ホトセンサ画素２７の出力が変化する。例えば、２５５階調表示の場合，図１０４の０で示す０階調目の映像信号をソース信号線２３に印加したときのプリチャージ電圧Ｖｐｒｃに対するホトセンサ画素２７のオン出力数と、１２８で示す１２８階調目の映像信号をソース信号線２３に印加したときのプリチャージ電圧Ｖｐｒｃに対するホトセンサ画素２７のオン出力数と、２５５で示す２５５階調目の映像信号をソース信号線２３に印加したときのプリチャージ電圧Ｖｐｒｃに対するホトセンサ画素２７のオン出力数とは異なる。なお、図１０４において、外光強度は、０階調、１２８階調、２５５階調で同一としている。

（第１の実施形態）
映像信号の影響をキャンセルあるいは軽減などの除去するための第１の実施形態について説明する。第１の実施形態は、プリチャージ電圧Ｖｐｒｃを変化させるものである。

映像信号（階調信号）は、トランジスタ６２ｂなどの出力値に影響を与える。したがって、図９０に示すように、映像信号（図９０では横軸を階調番号としている）に対するプリチャージ電圧Ｖｐｒｃを変化させることが好ましい。

（第２の実施形態）
映像信号の影響を除去するための第２の実施形態について説明する。第２の実施形態は、処理ブロック８８１を図１０５に示すようにソース信号線２３に平行方向に区分する。また、処理単位をソース信号線２３に平行方向に実施する。

図１０５に示すように各処理ブロック８８１（８８１ａ、８８１ｂ、８８１ｃ・・・・）は、各処理ブロック８８１内で各ソース信号線２３は共通に形成される。画面１０の上下方向にソース信号線２３が形成されている。ソース信号線２３に印加された映像信号は、そのソース信号線２３に隣接し平行したホトセンサ画素２７に影響を与える。しかし、その影響は各ソース信号線２３に隣接した範囲である。したがって、ソース信号線２３に平行方向に処理ブロック８８１を構成すれば、各処理ブロック８８１内では影響を低減できる。すなわち、画面の上下方向で映像信号の影響が平均化されるからである。

（第３の実施形態）
映像信号の影響を除去するための第３の実施形態について説明する。

（１）基本の実施形態
第３の実施形態は、図１０６に示すように、映像信号の階調に対応してプリチャージ電圧Ｖｐｒｃを設定する。

図１０６では、０階調目はプリチャージ電圧ＶｐｒｃをＶ０とし、１階調目はプリチャージ電圧ＶｐｒｃをＶ１とし、以下同様に、２階調目はプリチャージ電圧ＶｐｒｃをＶ２とし、３階調目はプリチャージ電圧ＶｐｒｃをＶ３とし、・・・・・２５５階調目はプリチャージ電圧ＶｐｒｃをＶ２５５としている。各プリチャージ電圧Ｖｐｒｃは、実験などにより事前に決定しておく。

つまり、映像信号に対応してプリチャージ電圧Ｖｐｒｃを設定することが技術的思想である。

（２）変更例
図１０６では、各階調毎にプリチャージ電圧Ｖｐｒｃを設定するとしたが、これに限定するものではない。

低階調領域でのプリチャージ電圧ＶｐｒｃＶＬ、高階調領域でのプリチャージ電圧ＶｐｒｃＶＨなど、１つ以上の複数の区分のプリチャージ電圧Ｖｐｒｃの設定でもよい。

また、図１０７に示すように、液晶層１４３の映像信号に対応する印加電圧を透過率の関係から、各透過率に対応するプリチャージ電圧Ｖｐｒｃを設定してもよい。

また、各階調に対応してプリチャージ電圧Ｖｐｒｃを設定するものではなく、１フレームに印加される各ソース信号線２３への映像信号を平均化したものに対してプリチャージ電圧Ｖｐｒｃを設定してもよい。

（第４の実施形態）
第４の実施形態について説明する。

（１）基本の実施形態
表示部１０には、一例として図１０９（ａ）に示すように、入力区分１〜１２（表示部１０ｂ）が設定される。例えば、１の箇所に指６７１が触れられると、入力が検出され、１が入力されたとして処理がされる。同様に７の箇所に指６７１が触れられると、入力が検出され、７が入力されたとして処理がされる。

表示部１０ｂは、１つ以上の処理ブロック８８１で構成される。図１０９（ａ）はバックライト１４６から放射される光を対象物（例えば、指６７１）の反射光を検出する場合である。

図１０９（ａ）の反射光の場合は、表示部１０ｂはパネルの透過率が５０％以上になるように表示を設定する。バックライト１４８からの光１５１を多く対象物６７１に照射させるためである。

なお、透過率１００％とは、表示パネルに映像信号が印加され、透過率が変化させた場合の最大値、透過率０％とは、表示パネルに映像信号が印加され、透過率が変化させた場合の最小値である。透過率５０％は０％と１００％との中央値である。なお、透過率５０％は、階調の中央値としてもよい。すなわち、２５５階調の場合は、１２８または１２７階調目である。

但し、表示部１０ｂにはアイコン、数字などが表示される。したがって、透過率５０％以上とは、表示部１０ｂを平均化した透過率が５０％以上である。

図１０９（ｂ）の影入力（対象物で遮光し、遮光の有無を検出する場合）の場合は、表示部１０ｂはパネルの透過率が５０％以下になるように表示を設定する。バックライト１４８からの光１５１が液晶表示パネルなどを透過し、対象物６７１に照射されることを少なくするためである。表示部１０ｂにはアイコン、数字などが表示される。したがって、透過率５０％以下とは、表示部１０ｂを平均化した透過率が５０％以下である。

好ましくは、図１０９（ａ）の表示部１０ｂの透過率は８０％以上となるように構成することが好ましい。例えば、表示部１０ｂは白ラスター表示とする。図１０９（ｂ）の表示部１０ｂの透過率は２０％以下となるように構成することが好ましい。例えば、表示部１０ｂは黒ラスター表示とする。

（２）第１の変更例
図１０９はマトリックス状に表示部１０ｂを表示する実施形態であったが、これに限定するものではなく、図１０８に示すように構成してもよい。

図１０８はストライプ状に表示部１０ｂを構成した例である。図１０８のようにソース信号線２３と平行する方向に表示部１０ｂを表示することによりソース信号線２３に印加された映像信号の影響を軽減することができる。

図１０８（ａ）の反射光の場合は、表示部１０ｂはパネルの透過率が５０％以上になるように表示を設定する。バックライト１４８からの光１５１を多く対象物６７１に照射させるためである。但し、表示部１０ｂにはアイコン、数字などが表示される。したがって、透過率５０％以上とは、表示部１０ｂを平均化した透過率が５０％以上である。

図１０８（ｂ）の影入力（対象物で遮光し、遮光の有無を検出する場合）の場合は、表示部１０ｂはパネルの透過率が５０％以下になるように表示を設定する。バックライト１４８からの光１５１が液晶表示パネルなどを透過し、対象物６７１に照射されることを少なくするためである。表示部１０ｂにはアイコン、数字などが表示される。したがって、透過率５０％以下とは、表示部１０ｂを平均化した透過率が５０％以下である。

図１０８（ａ）においても、表示部１０ｂの透過率は８０％以上となるように構成することが好ましい。例えば、表示部１０ｂは白ラスター表示とする。図１０８（ｂ）の表示部１０ｂの透過率は２０％以下となるように構成することが好ましい。例えば、表示部１０ｂは黒ラスター表示とする。

（第５の実施形態）
次に、第５の実施形態について説明する。

図１０４では、映像信号によりプリチャージ電圧Ｖｐｒｃを変化させるとした。液晶表示パネルのソース信号線２３に印加する映像信号は、正極性の映像信号と負極性の映像信号が交互に印加される。映像信号は、カップリングによりプリチャージ電圧信号線２４に影響を与える。特に図３６で説明したように、ソース信号線２３とプリチャージ電圧を印加する信号線２４が共用されている場合にその影響が大きい。

この課題に対して、本実施形態は、図１１０に示すように、正極性または負極性の一方の映像信号が印加されているときを選択して、トランジスタ６２ｃをオンして、トランジスタ６２ｂのオンまたはオフ状態をホトセンサ出力信号線２５に取り出す。なお、正極性または負極性の一方の映像信号が印加されているときだけでなく、水平走査期間あるいは画素行選択期間でもよい。

例えば、正極性の映像信号がソース信号線２３に印加されているときに、トランジスタ６２ｃをオンして、トランジスタ６２ｂのオンまたはオフ状態をホトセンサ出力信号線２５に取り出す。

つまり、負極性の映像信号がソース信号線２３に印加されているときは、トランジスタ６２ｃはオフ状態を維持する。したがって、１Ｈ反転駆動では、第１フレームでは、偶数または奇数画素行のホトセンサ画素２７の出力を読み出し、第１フレームの次の第２フレームでは奇数または偶数画素行のホトセンサ画素２７の出力を読み出す。

この実施形態を図１１０に示している。

図１１０は、ある画素のホトセンサ画素２７に着目した映像信号の印加状態である。ＶＢとは、ホトセンサ６４のグランド電圧である。ある画素のホトセンサ画素２７には、第１Ｆ、第３Ｆ、・・・・・・の奇数フレームで正極性の映像信号が印加されている。第１Ｆ、第３Ｆ、・・・・・・の奇数番目のフレームの正極性の映像信号が印加されたときに、ホトセンサ画素２７の出力を読み出す。このとき、前記ホトセンサ画素２７は奇数画素行に位置しているとする。また、プリチャージ電圧Ｖｐｒｃは、第１Ｆ、第３Ｆ、・・・・・・のように奇数フレームで当該ホトセンサ画素２７に印加する。したがって、印加するプリチャージ電圧Ｖｐｒｃは、映像信号が正極性の場合の次のタイミングもしくは同時にホトセンサ画素２７に印加される。

偶数画素行に位置するホトセンサ画素２７は、第２Ｆ、第４Ｆ、・・・・・・の偶数のフレームの正極性の映像信号が印加されたときに、ホトセンサ画素２７の出力を読み出す。また、プリャージ電圧Ｖｐｒｃは、第２Ｆ、第４Ｆ、・・・・・・のように偶数フレームで当該ホトセンサ画素２７に印加する。したがって、印加するプリチャージ電圧Ｖｐｒｃは、映像信号が正極性の場合の次のタイミングもしくは同時にホトセンサ画素２７に印加される。

但し、印加するプリチャージ電圧Ｖｐｒｃは、映像信号が正極性の場合の前のタイミングもしくは同時にホトセンサ画素２７に印加される構成も実現できる。

（第６の実施形態）
次に、第６の実施形態について説明する。

上記実施形態では、ソース信号線２３に正極性の映像信号が印加されているときに、ホトセンサ画素２７の出力（オンオフ状態または、ホトセンサ６４の端子電圧など）を読み出すとしたが、これに限定するものではない。

（１）基本的な実施形態
本実施形態では、負極性の映像信号がソース信号線２３に印加されているタイミングでホトセンサ画素２７の出力を読み出すものである。すなわち、本実施形態の技術的思想は、ソース信号線２３に印加される映像信号の極性のうち、一方を選択してホトセンサ画素２７の出力を読み出すことである。なお、正極性または負極性の一方の映像信号が印加されているときだけでなく、水平走査期間あるいは画素行選択期間でもよい。

したがって、１つのフレームでは、偶数画素行あるいは奇数画素行を選択してプリチャージ電圧Ｖｐｒｃを該当するホトセンサ画素２７に順次印加し、また、偶数画素行あるいは奇数画素行のホトセンサ画素２７の出力を読み出す処理が実施される。つまり、１フレーム内では表示領域１０の１／２の画素行のホトセンサ画素２７にプリチャージ電圧Ｖｐｒｃを印加する。次のフレームでは、残りの１／２の画素行のホトセンサ画素２７にプリチャージ電圧Ｖｐｒｃを印加する。もちろん、表示領域１０の１／２の画素行の全てにプリチャージ電圧Ｖｐｒｃを印加することに限定されるものではなく、表示領域１０の１／２の画素行のうち、特定のあるいは選択した画素行にプリチャージ電圧Ｖｐｒｃを印加してもよい。

図１１１では、奇数画素行に正極性＋の映像信号が印加されており、偶数画素行に負極性−の映像信号が印加されている。この＋で示す画素行に対応するホトセンサ画素２７に正極性であるプリチャージ電圧Ｖｐｒｃを印加する。プリチャージ電圧Ｖｐｒｃが負極性の場合は、−で示す画素行に対応するホトセンサ画素２７に負極性のプリチャージ電圧Ｖｐｒｃを印加する。

もちろん、１フレーム内において、負極性の映像信号を印加する画素１６のホトセンサ画素２７には、負極性のプリチャージ電圧Ｖｐｒｃを印加し、正極性の映像信号を印加する画素１６のホトセンサ画素２７には、正極性のプリチャージ電圧Ｖｐｒｃを印加してもよい。

（２）第１の駆動方式
上記実施形態の第１の駆動方式について説明する。

図１１２は、第１の駆動方式を説明するための図である。

第１フレームでは、斜線で示す画素１６ｂが選択され、正極性のプリチャージ電圧Ｖｐｒｃが印加される。画素１６ｂには、次の第２フレームでは、画素１６ａが選択され、正極性のプリチャージ電圧Ｖｐｒｃが印加される。

ホトセンサ画素２７のトランジスタ６２ｂがＮチャンネルトランジスタの場合は、正極性の映像信号が印加されたタイミングで実施する。ホトセンサ画素２７のトランジスタ６２ｂがＰチャンネルトランジスタの場合は、負極性の映像信号が印加されたタイミングで実施する。映像信号とプリチャージ電圧Ｖｐｒｃとの極性が一致するからである。

なお、映像信号が印加されているときとしたが、このタイミングに限定するものではない。映像信号が印加された後のタイミングであってもよい。映像信号によるカップリングの影響は映像信号が印加されているときだけではなく、その後も継続されるからである。したがって、選択処理を行う期間とは、処理を行う画素行が選択されている期間もしくは水平走査期間あるいは画素行選択期間である。

本実施形態では、プリチャージ電圧Ｖｐｒｃは正極性電圧である。映像信号は正極性と負極性が１Ｈ毎に変化する。ソース信号線２３とプリチャージ電圧を印加する信号線２４が共用されている場合に、映像信号が負極性で、次のタイミングで印加されるプリチャージ電圧Ｖｐｒｃが正極性の場合は、共用するソース信号線２３の充放電が苦しい。したがって、映像信号が正極性で、次のタイミングで印加されるプリチャージ電圧Ｖｐｒｃが正極性とすることが好ましい。

以上のことから、上記駆動方式は、ホトセンサ画素２７のトランジスタ６２ｂがＮチャンネルトランジスタの場合は、ホトセンサ画素２７に印加されるプリチャージ電圧Ｖｐｒｃは正極性とする。ホトセンサ画素２７のトランジスタ６２ｂがＰチャンネルトランジスタの場合は、ホトセンサ画素２７に印加されるプリチャージ電圧Ｖｐｒｃは負極性とする。

（３）第１の駆動方式の変更例
ホトセンサ画素２７のトランジスタ６２ｂがＮチャンネルトランジスタの場合は映像信号の極性が正極性の時あるいは印加した次のタイミングで、ホトセンサ画素２７の出力を読み出す。

また、画素１６に正極性の映像信号が印加した後、正極性のプリチャージ電圧Ｖｐｒｃを印加するように制御する。また、正極性のプリチャージ電圧Ｖｐｒｃを印加した後に、印加する映像信号は正極性となるようにソース信号線２３などに印加する信号を制御する。

また、ホトセンサ画素２７のトランジスタ６２ｂがＰチャンネルトランジスタの場合は映像信号の極性が負極性の時あるいは印加した後のタイミングで、ホトセンサ画素２７の出力を読み出す。

また、画素１６に負極性の映像信号が印加した後、ホトセンサ画素２７には負極性のプリチャージ電圧Ｖｐｒｃを印加するように制御する。また、負極性のプリチャージ電圧Ｖｐｒｃを印加した後に、印加する映像信号は負極性となるように制御する。

以上のように駆動することにより、プリチャージ電圧Ｖｐｒｃを良好にホトセンサ画素２７に印加することができる。また、映像信号を画素１６の液晶層１４３に印加することができる。

（４）第２の駆動方式
上記実施形態の第２の駆動方式について説明する。

第１の駆動方式は、偶数画素行と奇数画素行を区別して駆動する方式であった。

しかし、図１１３（ａ）に示すように、奇数画素行と偶数画素行を同時に選択あるいは、順次処理をし、偶数画素行と奇数画素行の出力結果をＡＮＤ、ＯＲまたは平均化処理を行ってもよい。図１１３（ａ）は、奇数画素行と偶数画素行を平均化して１つの結果とする処理を示している。

また、図１１３（ｂ）に示すように、複数の奇数番目の画素行の出力結果をＡＮＤ、ＯＲまたは平均化処理を行ってもよい。また、複数の偶数番目の画素行の出力結果をＡＮＤ、ＯＲまたは平均化処理を行ってもよい。

［５］ホトセンサ６４の感度
ホトセンサ画素２７のホトセンサ６４の感度は表示領域１０内で異ならせてもよい。例えば、光感度が小さいホトセンサ画素２７ｂ（高照度用）と、光感度が大きいホトセンサ画素２７ａ（低照度用）を表示領域１０に形成してもよい。

（第１の実施形態）
第１の実施形態について図１１４に基づいて説明する。

図１１４（ａ）は、光感度が小さいホトセンサ画素２７ｂ（高照度用、強い外光で動作する）と、光感度が大きいホトセンサ画素２７ａ（低照度用、弱い外光でも動作する）を表示領域１０に、画素列方向に形成したものである。

図１１４（ｂ）は、光感度が小さいホトセンサ画素２７ｂ（高照度用、強い外光で動作する）と、光感度が大きいホトセンサ画素２７ａ（低照度用、弱い外光でも動作する）を表示領域１０に、画素行方向に形成したものである。

（第２の実施形態）
次に、第２の実施形態について説明する。

図１１４は、２種類の感度を有するホトセンサ画素２７を形成したものであるが、感度が異なるホトセンサ６４は２種類に限定されない。例えば、図１１５に示すように４種類であってもよい。図１１５〜図１１７において、ホトセンサ画素２７に記載している数字は、ホトセンサ画素２７のホトセンサ６４の感度を示している。数字が大きいほど、感度が高く、低照度でもリークなどが発生する。

図１１５のように、感度の異なるホトセンサ６４を構成することにより、広い外光の強度範囲を１つの表示パネルで網羅できる。例えば、所定期間（例えば、１フレーム期間）において、１と示すホトセンサ画素２７の感度範囲が１０００〜２０００ルックスとし、２と示すホトセンサ画素２７の感度範囲が５００〜１０００ルックスとし、３と示すホトセンサ画素２７の感度範囲が２００〜５００ルックスとし、４と示すホトセンサ画素２７の感度範囲が１００〜２００ルックスとすれば、図１１５の表示パネルでは、１００〜２０００ルックスの範囲で光検出を行うことができる。

なお、感度が異なるホトセンサは印加するプリチャージ電圧Ｖｐｒｃを異ならせることが好ましい。

（第３の実施形態）
次に、第３の実施形態について説明する。

（１）第３の実施形態の課題
ホトセンサ画素２７の感度は、ホトセンサ６４のサイズを変化させて形成する。もちろん、ホトセンサ６４の形成時に打ち込む半導体膜へのドーピィング量によって感度を異ならせてもよい。ホトセンサ６４のサイズを変化させると、ソース信号線２３とホトセンサ６４あるいはホトセンサ画素２７とのカップリング量も異なる。したがって、ソース信号線２３からみたホトセンサ画素とのカップリング量の大きさが一致するように形成する必要がある。

そこで、本実施形態は、この課題を解決するものであり図１１５に基づいて説明する。

（２）ホトセンサ画素２７の配置
図１１５は、画素行（１）は左からホトセンサ画素２７の感度が１、２、３、４、１、２、３、・・・・・・と配置し、画素行（２）は左からホトセンサ画素２７の感度が４、３、２、１、４、３、２、・・・・・・と配置している。画素行（３）は画素行（２）と同一に、左からホトセンサ画素２７の感度が４、３、２、１、４、３、２、・・・・・・と配置し、画素行（４）は、画素行（１）と同一に左からホトセンサ画素２７の感度が１、２、３、４、１、２、３、・・・・・・と配置している。

なお、説明を容易にするため、感度４のホトセンサ画素のシース信号線２３とのカップリング量は、感度１のホトセンサ画素のカップリング量の４倍であるとする。また、感度３のホトセンサ画素のシース信号線２３とのカップリング量は、感度１のホトセンサ画素のカップリング量の倍であるとする。感度２のホトセンサ画素のシース信号線２３とのカップリング量は、感度１のホトセンサ画素のカップリング量の２倍であるとする。したがって、カップリング量の大きさは、感度１のホトセンサ画素：感度２のホトセンサ画素：感度３のホトセンサ画素：感度４のホトセンサ画素＝１：２：３：４であるとする。

図１１５では、ソース信号線２３ａは、ホトセンサ画素２７の種類は、１、４、４、１、１、４、４、１・・・・と配置されている。また、ソース信号線２３ｂは、ホトセンサ画素２７の種類は、２、３、３、２、２、３、３、２・・・・と配置されている。ソース信号線２３ｃは、ホトセンサ画素２７の種類は、３、２、２、３、３、２、２、３・・・・・と配置されている。また、ソース信号線２３ｄは、ホトセンサ画素２７の種類は、４、１、１、４、４、１・・・・と配置されている。

以上の構成では、ソース信号線２３ａから見たホトセンサ画素との単位長さあたりのカップリングの大きさは１＋４＋４＋１＝１０である。

ソース信号線２３ｂから見たホトセンサ画素との単位長さあたりのカップリングの大きさは２＋３＋３＋２＝１０である。

ソース信号線２３ｃから見たホトセンサ画素との単位長さあたりのカップリングの大きさは３＋２＋２＋３＝１０である。

ソース信号線２３ｄから見たホトセンサ画素との単位長さあたりのカップリングの大きさは４＋１＋１＋４＝１０である。

以上のことから、各ソース信号線２３ａ、２３ｂ、２３ｃ、２３ｄから見たホトセンサ画素２７とのカップリング量は等しくなっている。したがって、映像信号は、各ソース信号線２３に接続されているホトセンサ画素２７あるいはソース信号線２３と隣接して形成されているホトセンサ画素２７の大きさ、種類に影響されず、画素１６に印加することができる。

また、図１１５は、奇数画素左からホトセンサ画素２７の感度が１、２、３、４、１、２、３、・・・・・・と配置されるか、左からホトセンサ画素２７の感度が４、３、２、１、４、３、２、１・・・と配置されている。したがって、前記２つの画素行は、感度が異なるホトセンサ画素２７が互いに逆順序に配置されているだけである。一方、偶数画素行は、ホセンサ画素２７の感度が４、３、２、１、４、３、２、・・・・・・と配置されるか、ホトセンサ画素２７の感度が１、２、３、４、１、２、３、・・・・・・と配置している。したがって、前記２つの画素行は、感度が異なるホトセンサ画素２７が互いに逆順序に配置されているだけである。

（３）１Ｈ反転駆動時での説明
１Ｈ反転駆動は、第１フレームでは偶数画素行では、正極性の映像信号が印加され、次の第２フレームでは負極性の映像信号が印加される。第１フレームでは奇数画素行では、負極性の映像信号が印加され、次の第２フレームでは正極性の映像信号が印加される。

この映像極性においても、図１１５では、奇数画素左からホトセンサ画素２７の感度が１、２、３、４、１、２、３、・・・・・・と配置されるか、左からホトセンサ画素２７の感度が４、３、２、１、４、３、２、１・・・と配置されている。

また、偶数画素行は、ホセンサ画素２７の感度が４、３、２、１、４、３、２、・・・・・・と配置されるか、ホトセンサ画素２７の感度が１、２、３、４、１、２、３、・・・・・・と配置している。

映像信号の極性を考慮した場合でも、各ソース信号線２３に接続されているホトセンサ画素２７あるいはソース信号線２３と隣接して形成されているホトセンサ画素２７のカップリング量が同一である。

したがって、ホトセンサ画素２７の大きさ、種類に影響されず、画素１６に良好に正極性及び負極性の映像信号を印加することができる。

（４）本実施形態の効果
図１１５で説明したように、画素行（１）（２）でのホトセンサ画素２７の配置を、画素行（３）（４）で折り返す。すなわち、画素行（１）と画素行（４）と同一配置、画素行（２）と画素行（３）は同一配置することにより良好な画像表示を実現でき、また、外光などに対する感度範囲を広くすることができる。

つまり、本実施形態は、各ソース信号線２３に平行したホトセンサ画素２７の配置状態を一定周期で折り返して配置する。好ましくは、２画素行の倍数で折り返すことにより、ソース信号線２３とホトセンサ画素２７などとのカップリング量などを均一化でき、正極性と負極性が交互に繰り返す映像信号を良好に画素１６に印加することができる。

（５）第１の変更例
図１１６は、上記実施形態の変更例を示している。

ソース信号線２３ａに平行して配置されたホトセンサは、上からホトセンサ画素２７の感度が１、２、３、４、１、２、３、・・・・・・と配置されている。

ソース信号線２３ｂに平行した画素列は、上から、ホトセンサ画素２７の感度が２、３、４、１、２、３、４、・・・・・・と配置されている。

ソース信号線２３ｃに平行して配置された画素列は、上からホトセンサ画素２７の感度が３、４、１、２、３、４、・・・・・・と配置されている。

ソース信号線２３ｄに平行して配置された画素列は、上からホトセンサ画素２７の感度が４、１、２、３、４、１、２、３・・・・・・と配置されている。

以上の構成では、ソース信号線２３ａから見たホトセンサ画素との単位長さあたりのカップリングの大きさは１＋２＋３＋４＝１０である。

ソース信号線２３ｂから見たホトセンサ画素との単位長さあたりのカップリングの大きさは２＋３＋４＋１＝１０である。

ソース信号線２３ｃから見たホトセンサ画素との単位長さあたりのカップリングの大きさは３＋４＋１＋２＝１０である。

ソース信号線２３ｄから見たホトセンサ画素との単位長さあたりのカップリングの大きさは４＋１＋２＋３＝１０である。

以上ことから、各ソース信号線２３ａ、２３ｂ、２３ｃ、２３ｄから見たホトセンサ画素２７とのカップリング量は等しくなっている。

したがって、映像信号は、各ソース信号線２３に接続されているホトセンサ画素２７あるいはソース信号線２３と隣接して形成されているホトセンサ画素２７の大きさ、種類に影響されず、画素１６に印加することができる。

また、図１１６では、画素行（１）（２）（３）（４）の配置関係が折り返して、画素行（５）（６）（７）（８）に配置した構成となっている。各画素列は、感度が異なるホトセンサ画素２７が４画素行周期で互いに逆順序に配置されている構成である。

図１１６で説明したように、画素行（１）（２）（３）（４）でのホトセンサ画素２７配置を、画素行（５）（６）（７）（８）で折り返す。すなわち、画素行（１）と画素行（８）と同一配置、画素行（２）と画素行（７）は同一配置、画素行（３）と画素行（６）と同一配置、画素行（４）と画素行（５）は同一配置することにより、良好な画像表示を実現でき、また、外光などに対する感度範囲を広くすることができる。

つまり、本変更例は、各ソース信号線２３に平行したホトセンサ画素２７の配置状態を一定周期で折り返して配置する。好ましくは、４画素行の倍数で折り返すことにより、ソース信号線２３とホトセンサ画素２７などとのカップリング量などを均一化でき、正極性と負極性が交互に繰り返す映像信号を良好に画素１６に印加することができる。

（６）第２の変更例
上記実施形態では、２の倍数あるいは４の倍数で異なるホトセンサ画素２７の形成を折り返すとした。しかし、以上はホトセンサ画素２７の種類が４種類の場合である。４種類以外の場合は、その周期は異なる。

ホトセンサ画素２７の種類がｎ種類の場合は、ｎ画素行周期で折り返す、または、周期性を有するように配置する。

また、ｎは２の倍数にすることが好ましい。映像信号が正極性と負極性があるから２画素行で１周期となるからである。

なお、ｎ周期に限定せず、２の倍数で周期性を持つように配置することにより、ほとんどソース信号線２３からみたカップリングは同一にできる。したがって、２の倍数周期でもよい。また、ホトセンサ画素２７の種類はｎ種類の場合は、ｎの最小公約数の２または３もしくは素数で折り返すまたは周期性を有するように配置する。

図１１７は、図１１５の変化させた実施形態である。図１１７の点線で示すように、感度１〜４のホトセンサ画素２７を配置する。

（７）第３の変更例
図１１７は、画素行（１）（２）の配置関係が折り返して、画素行（３）（４）に配置した構成となっている。

各画素列は、感度が異なるホトセンサ画素２７が４画素行周期で互いに逆順序に配置されている構成である。画素行（１）（２）でのホトセンサ画素２７の配置を、画素行（３）（４）で折り返す。すなわち、画素行（１）と画素行（４）と同一配置、画素行（２）と画素行（３）は同一配置することにより、良好な画像表示を実現でき、また、外光などに対する感度範囲を広くすることができる。

［６］適用例
以下、本発明の各実施形態の適用例について説明をする。以下の適用例は、以前に説明した本実施形態の装置または方法を実施する。

（１）携帯電話
図５４は情報端末装置の一例としての携帯電話の平面図である。

筐体５４３にアンテナ５４１、テンキー５４２などが取り付けられている。５４２などが表示色切換キーあるいは電源オンオフ、フレームレート切り換えキーである。

キー５４２を１度押さえると表示色は８色モードに、つづいて同一キー５４２を押さえると表示色は４０９６色モード、さらにキー５４２を押さえると表示色は２６万色モードとなるようにシーケンスを組んでもよい。キーは押さえる毎に表示色モードが変化するトグルスイッチとする。なお、別途表示色に対する変更キーを設けてもよい。この場合、キー５４２は３つ（以上）となる。

以上のキー５４２操作は、本実施形態の表示装置にあっては表示画面を指で触ることに実現できる。つまり、表示画面１０にはキー、プッシュスイッチなどを表示し、このキー、スイッチ画像を指で押さえることにより同様の動作を実現できる。

また、表示されたキーなどを押さえる回数で切り替える、あるいはクリックボールのように回転あるいは方向を指で指示することにより切り替えるように構成あるいは制御してもよい。

（２）小型スキャナ
図５５は、小型スキャナに適用した場合の断面図である。但し、説明を容易にするため模式的に描いている。また一部拡大あるいは縮小した箇所が存在し、また、省略した箇所もある。

筐体５４３の裏面は暗色あるいは黒色にされている。これは、表示パネル（表示装置）５４４から出射した迷光が筐体５４３の内面で乱反射し表示コントラストの低下を防止するためである。レンズ６６２側から入射した光は、レンズ５５２、正レンズ５５３で本実施形態の表示パネル５４４のホトセンサ６４の形成面で結像する。レンズホルダー５５１には結像レンズ５５２が取り付けられている。操作者はレンズホルダー５５１を筐体５４３内での挿入位置を可変して、表示装置の表示画面１０にピントがあうように調整する。

なお、本実施形態の表示装置において、アレイ基板１１の面を光入射側に配置している。通常、対向基板側にはカラーフィルタなどが構成され、対向基板側からの光入射とすると、カラーフィルタなどにより入射光が遮光されてしまうからである。アレイ基板１１に形成されたホトセンサ１１に直接に光が照射されるように構成することにより、外光の結像画像の読み取りを良好にするためである。つまり、本実施形態は、取り込む光が入射する側にアレイ基板１１を配置する。なお、取り込む画像が一定の強度を有する場合は、反対側にアレイ基板を配置してもよい。すなわち、取り込む光が入射する側に対向基板１４４を配置する。

なお、取り込みする光はパルス状に照射してもよい。また、ライン状に照射してもよい。ゲート信号線２２ｂの選択を外光にあわせて制御すれば、対応するホトセンサ６４を選択できるので容易に対応できる。また、ホトセンサ６４は青色近傍にピーク感度を有する。したがって、使用する外光の波長は、４００ｎｍ以上５００ｎｍ以下に主波長を有するものを用いることが好ましい。以上の事項は他の本実施形態において同様である。

図５５は、レンズなどの光学系を用いて本実施形態のホトセンサ６４を有する表示装置に結像させて画像を読み取るものである。しかし、本実施形態はこれに限定するものではない。例えば、図５９に示すように、密着型イメージスキャナも構成できる。

図５９（ａ）では筐体５４３の本実施形態の表示装置（画像取り込み装置）５４４がアレイ基板１１を上にして取り付けられている。図５９に示すように本実施形態の表示装置のアレイ基板１１面に、撮像データを取り込む画像読み取り対象（写真、画像あるいは文字などが表示された紙など）５９１を密着させて配置する。また、外光を遮光するため、ふた５９２を配置または構成する。ふた５９２は支点５６１を中心として移動あるいは回転できるように構成されている。

図５９（ａ）ではバックライト１４６からの光は本実施形態の表示装置５４４を透過して、画像読み取り対象５９１に照射され、画像読み取り対象５９１から反射した光がアレイ基板１１のホトセンサ６４に入射する。

画像読み取り対象５９１が透過型（写真ネガフィルム、透過型スライドフィルムなど）の場合は、図５９（ｂ）のように構成（配置）する。図５９（ｂ）では筐体５４３の本実施形態の表示装置（画像取り込み装置）５４４がアレイ基板１１面を上にして取り付けられている。図５９に示すように本実施形態の表示装置のアレイ基板１１面に、撮像データを取り込む画像読み取り対象（写真、画像あるいは文字などが表示された紙など）５９１を密着させて配置する。また、光は画像読み取り対象５９１の上方にバックライト１４６などを配置（かぶせる）する。バックライト１４６は外光を遮光する遮光物としても機能する。バックライトの端に支点５６１を形成し、図５９（ａ）のように支点５６１を中心として移動あるいは回転できるように構成してもよい。図５９（ｂ）ではバックライト１４６からの光は画像読み取り対象５９１を透過して、透過した光がアレイ基板１１のホトセンサ６４に入射する。

（３）ビデオカメラ
図５６はビデオカメラの斜視図である。ビデオカメラは撮影（撮像）レンズ部５６２とビデオかメラ本体５４３と具備し、撮影レンズ部５６２とビューファインダ部５４３とは背中合わせとなっている。本実施形態の表示パネルは表示モニターとしても使用されている。表示部６４は支点５６１で角度を自由に調整できる。表示部６４を使用しない時は、格納部５６３に格納される。

スイッチ５６４は以下の機能を実施する切り換えあるいは制御スイッチである。スイッチ５６４を操作することにより、表示画面１０に指で触ることにより操作できる表示モードとなる。

本実施形態の表示装置などはビデオカメラだけでなく、図５７に示すような電子カメラ、スチルカメラなどにも適用することができる。表示装置はカメラ本体５７１に付属されたモニターとして用いる。また、指入力装置として用いる。カメラ本体５７１にはシャッタ５７３の他、スイッチ５６４が取り付けられている。

（４）大型パネルの場合
以上は表示パネルの表示領域が比較的小型の場合であるが、３０インチ以上と大型となると表示画面１０がたわみやすい。その対策のため、本実施形態では図５８に示すように表示パネルに外枠５８１をつけ、外枠５８１をつりさげられるように固定部材５８４で取り付けている。この固定部材５８４を用いて、壁などに取り付ける。

しかし、本実施形態の表示パネル５４４の画面サイズが大きくなると重量も重たくなる。そのため、表示パネルの下側に脚取り付け部５８３を配置し、複数の脚５８２で表示パネルの重量を保持できるようにしている。

脚５８２はＡに示すように左右に移動でき、また、脚５８２はＢに示すように収縮できるように構成されている。そのため、狭い場所であっても表示装置を容易に設置することができる。

図５８のテレビでは、画面の表面を保護フィルム（保護板でもよい）で被覆している。これは、表示パネルの表面に物体があたって破損することを防止することが１つの目的である。保護フィルムの表面にはＡＩＲコートが形成されており、また、表面をエンボス加工することにより表示パネルに外の状況（外光）が写り込むことを抑制している。

保護フィルムと表示パネル間にビーズなどを散布することにより、一定の空間が配置されるように構成されている。また、保護フィルムの裏面に微細な凸部を形成し、この凸部で表示パネルと保護フィルム間に空間を保持させる。このように空間を保持することにより保護フィルムからの衝撃が表示パネルに伝達することを抑制する。

また、保護フィルムと表示パネル間にアルコール、エチレングリコールなど液体あるいはゲル状のアクリル樹脂あるいはエポキシなどの固体樹脂などの光結合剤を配置または注入することも効果がある。界面反射を防止できるとともに、前記光結合剤が緩衝材として機能するからである。

保護フィルムをしては、ポリカーボネートフィルム（板）、ポリプロピレンフィルム（板）、アクリルフィルム（板）、ポリエステルフィルム（板）、ＰＶＡフィルム（板）などが例示される。その他エンジニアリング樹脂フィルム（ＡＢＳなど）を用いることができる。また、強化ガラスなど無機材料からなるものでもよい。保護フィルムを配置するかわりに、表示パネルの表面をエポキシ樹脂、フェノール樹脂、アクリル樹脂で０．５ｍｍ以上２．０ｍｍ以下の厚みでコーティングすることも同様の効果がある。また、これらの樹脂表面にエンボス加工などをすることも有効である。

また、保護フィルムあるいはコーティング材料の表面をフッ素コートすることも効果がある。表面についた汚れを洗剤などで容易にふき落とすことができるからである。また、保護フィルムを厚く形成し、フロントライトと兼用してもよい。

なお、本発明は、上記各実施形態に限定されるものではなく、その実施の段階ではその要旨を逸脱しない範囲で種々な変形・変更が可能である。また、各実施形態は可能な限り適宜組み合わせて実施されてもよく、その場合は、その組み合わせによる特徴ある効果が得られる。

本発明は、液晶表示パネルだけでなく、他の表示パネルなどにも適用できる。

例えば、ＥＬ（有機、無機）表示パネル、フィールドエミッションディスプレイ（ＦＥＤ）、ＳＥＤ（商標）、ＰＤＰ（プラズマディスプレイパネル）、液晶表示デバイス、カーボンナノチューブ（Carbon nano tube、CNTと略されることがある）を用いたディスプレイ、陰極線管（CRT、Cathode Ray Tube)などの他のディスプレイにも適用できる。また、アクティブマトリックス表示パネルだけでなく、単純マトリックス表示パネルに本実施形態の技術的思想を用いてもよい。

本発明は、ビデオカメラ、プロジェクター、立体（３Ｄ）テレビ、プロジェクションテレビなどに適用できる。

また、ビューファインダ、携帯電話のメインモニター及びサブモニターあるいは時計表示部、ＰＨＳ、携帯情報端末及びそのモニター、デジタルカメラ、衛星テレビ、衛星モバイルテレビ及びそのモニターにも適用できる。

また、スキャナ、イメージセンサ、電子写真システム、ヘッドマウントディスプレイ、直視モニターディスプレイ、ノートパーソナルコンピュータ、ビデオカメラ、デジタルスチルカメラ、電子スチルカメラにも適用できる。

また、現金自動引き出し機のモニター、公衆電話、テレビ電話、パーソナルコンピュータ、腕時計及びその表示装置などにも適用できる。また、バーコードなどの情報の発生機器にも適用することができる。これらの技術的思想などは、一部あるいは全部を問わず相互に組み合わせることができる。

本発明は、炊飯器などの家庭電器機器の表示モニター、カーオーディオの表示部、車のスピードメーター、ひげそりの表示部、ポケットゲーム機器及びそのモニター、電話器の番号、工場の計測器のインジケーターなどの表示モニター、電車の行き先表示モニター、ネオン表示装置の置き換え、表示パネル用バックライトあるいは家庭用もしくは業務用の照明装置、天井灯、窓ガラス、車のヘッドライトなどの照明装置などにも適用あるいは応用展開できる。

また、広告あるいはポスターなどの表示装置、ＲＧＢの信号器、警報表示灯などにも応用できる。これらの技術的思想などは、一部あるいは全部を問わず相互に組み合わせることができる。

本発明の第１の実施形態の平面表示装置のブロック図である。 同じく画素の拡大説明図である。 同じくホトセンサ画素の配置を示す図である。 同じくホトセンサ画素の他の配置を示す図である。 同じくホトセンサ画素の他の配置を示す図である。 同じく画素の等価回路図である。 同じくホトセンサ画素の等価回路図である。 同じく周辺の回路を含めたブロック図である。 同じく周辺の回路を含めた他のブロック図である。 同じく表示パネルの駆動方法のタイミングチャートである。 プリチャージ電圧と時間の関係を示す図である。 同じく表示パネルの駆動方法の説明図である。 イネーブル信号線を設けた表示パネルの説明図である。 同じく平面表示装置の縦断面図である。 同じく平面表示装置の説明図である。 同じく平面表示装置の操作説明図である。 同じく光ペンを用いた平面表示装置の操作説明図である。 同じく表示パネルの他の駆動方法の説明図である。 同じく表示パネルの他の駆動方法の説明図である。 第１の実施形態の第１の変更例の表示パネルの駆動方法の説明図である。 第１の実施形態の第２の変更例の表示パネルの駆動方法の説明図である。 第１の実施形態の第３の変更例の表示パネルの駆動方法の説明図である。 第２の実施形態の表示パネルの説明図である。 ホトセンサ画素とコンパレータ回路の接続状態の説明図である。 ホトセンサ画素と他のコンパレータ回路の接続状態の説明図である。 ホトセンサ画素と他のコンパレータ回路の接続状態の説明図である。 ホトセンサ画素と他のコンパレータ回路の接続状態の説明図である。 露光時間と外光との関係を示すグラフである。 マトリックス処理の説明図である。 ２以上の選択回路を形成した説明図である。 ２以上の選択回路を形成した他の説明図である。 ２以上の選択回路を形成した他の説明図である。 第４の実施形態の表示パネルの説明図である。 第５の実施形態の表示パネルの説明図である。 第６の実施形態の表示パネルの説明図である。 第６の実施形態の第８の変更例の表示パネルの説明図である。 第１の実施形態のホトセンサ画素の他の配置を示す図である。 第６の実施形態の表示パネルの駆動方法の説明図である。 第６の実施形態の第９の変更例の表示パネルの説明図である。 第７の実施形態の表示パネルの説明図である。 第８の実施形態の表示パネルの説明図である。 第７の実施形態の第２の変更例の表示パネルの説明図である。 第８の実施形態の第３の変更例の表示パネルの説明図である。 第４の実施形態の第４の変更例の表示パネルの説明図である。 第７の実施形態の第１の変更例の表示パネルの説明図である。 第９の実施形態の表示パネルの説明図である。 第９の実施形態の第３の変更例の表示パネルの説明図である。 第１０の実施形態の表示パネルの説明図である。 第１０の実施形態の第２の変更例の表示パネルの説明図である。 第２の実施形態の変更例の表示パネルの説明図である。 第１０の実施形態の第８の変更例の表示パネルの説明図である。 第１０の実施形態の第３の変更例の表示パネルの説明図である。 第８の実施形態の第２の変更例の表示パネルの説明図である。 携帯電話に適用した平面表示装置の説明図である。 小型スキャナに適用した平面表示装置の説明図である。 ビデオカメラの説明図である。 電子カメラの説明図である。 テレビの説明図である。 読み取り状態を示す平面表示装置の説明図である。 本発明の実施形態の平面表示装置の説明図である。 本発明の実施形態の表示パネルの画像取り込み方法の説明図である。 本発明の実施形態の表示パネルの画像取り込み方法の説明図である。 本発明の実施形態の表示パネルの画像取り込み方法の説明図である。 本発明の実施形態の表示パネルの画像取り込み方法の説明図である。 本発明の実施形態の表示パネルの画像取り込み方法の説明図である。 本発明の実施形態の表示パネルの画像取り込み方法の説明図である。 本発明の実施形態の表示パネルの画像取り込み方法の説明図である。 本発明の実施形態の表示パネルの画像取り込み方法の説明図である。 本発明の実施形態の表示パネルの画像取り込み方法の説明図である。 本発明の実施形態の平面表示装置の説明図である。 本発明の実施形態の平面表示装置の説明図である。 本発明の実施形態の平面表示装置の説明図である。 本発明の実施形態の平面表示装置の説明図である。 本発明の実施形態の平面表示装置の説明図である。 本発明の実施形態の表示パネルの画像取り込み方法の説明図である。 本発明の実施形態の表示パネルの画像取り込み方法の説明図である。 本発明の実施形態の表示パネルの画像取り込み方法の説明図である。 本発明の実施形態の表示パネルの画像取り込み方法の説明図である。 本発明の実施形態の表示パネルの画像取り込み方法の説明図である。 本発明の実施形態の表示パネルの画像取り込み方法の説明図である。 本発明の実施形態の表示パネルの画像取り込み方法の説明図である。 本発明の実施形態の表示パネルの画像取り込み方法の説明図である。 本発明の実施形態の表示パネルの画像取り込み方法の説明図である。 本発明の実施形態の表示パネルの画像取り込み方法の説明図である。 本発明の実施形態の表示パネルの画像取り込み方法の説明図である。 本発明の実施形態の表示パネルの画像取り込み方法の説明図である。 本発明の実施形態の表示パネルの画像取り込み方法の説明図である。 本発明の実施形態の表示パネルの画像取り込み方法の説明図である。 本発明の実施形態の表示パネルの画像取り込み方法の説明図である。 本発明の実施形態の表示パネルの画像取り込み方法の説明図である。 本発明の実施形態の表示パネルの画像取り込み方法の説明図である。 本発明の実施形態の表示パネルの画像取り込み方法の説明図である。 本発明の実施形態の表示パネルの画像取り込み方法の説明図である。 本発明の実施形態の表示パネルの画像取り込み方法の説明図である。 本発明の実施形態の表示パネルの画像取り込み方法の説明図である。 本発明の実施形態の表示パネルの画像取り込み方法の説明図である。 本発明の実施形態の表示パネルの画像取り込み方法の説明図である。 本発明の実施形態の表示パネルの画像取り込み方法の説明図である。 本発明の実施形態の表示パネルの画像取り込み方法の説明図である。 本発明の実施形態の表示パネルの画像取り込み方法の説明図である。 本発明の実施形態の表示パネルの画像取り込み方法の説明図である。 本発明の実施形態の表示パネルの画像取り込み方法の説明図である。 本発明の実施形態の表示パネルの画像取り込み方法の説明図である。 本発明の実施形態の表示パネルの画像取り込み方法の説明図である。 本発明の実施形態の表示パネルの画像取り込み方法の説明図である。 本発明の実施形態の表示パネルの画像取り込み方法の説明図である。 本発明の実施形態の表示パネルの画像取り込み方法の説明図である。 本発明の実施形態の表示パネルの画像取り込み方法の説明図である。 本発明の実施形態の表示パネルの画像取り込み方法の説明図である。 本発明の実施形態の表示パネルの画像取り込み方法の説明図である。 本発明の実施形態の表示パネルの画像取り込み方法の説明図である。 本発明の実施形態の表示パネルの画像取り込み方法の説明図である。 本発明の実施形態の表示パネルの画像取り込み方法の説明図である。 本発明の実施形態の表示パネルの画像取り込み方法の説明図である。 本発明の実施形態の表示パネルの画像取り込み方法の説明図である。 本発明の実施形態の表示パネルの画像取り込み方法の説明図である。 本発明の実施形態の表示パネルの画像取り込み方法の説明図である。 オン出力領域とオフ出力領域の説明図である。

符号の説明

１０ 表示領域
１１ アレイ基板
１２ ゲートドライバ回路
１４ ソースドライバ回路
１５ 信号処理回路
１６ 画素
１７ 回路基板
１８ ホトセンサ処理回路
１９ 表示領域（＋ホトセンサ形成領域）
２０ フレキブル基板（FPC)
２１ 映像信号処理回路
２２ ゲート信号線
２３ ソース信号線
２４ プリチャージ電圧信号線
２５ ホトセンサ出力信号線
２６ 表示画素
２７ ホトセンサ画素
３１ 共通信号線
３２ ＴＦＴ
３４ 液晶容量
３５ 補助容量
３６ 対向電極
６１ 画素電極
６２ ＴＦＴ
６３ 補助容量（コンデンサ）
６４ ホトダイオード（ホトセンサ）
８１ 選択回路
８２ 電圧出力端子
８３ プリチャージ電圧端子
８４ コンパレータ電圧端子
９１ アナログ−デジタル変換回路（ＡＤ回路）
９２ 切り替え回路
９３ 接続端子
１３１ イネーブル信号線
１３２ ＡＮＤ回路
１４１ 物体（遮光物、反射物）
１４２ 封止壁
１４３ 液晶層
１４４ 対向基板
１４５ 偏光板（偏光フィルム）
１４６ バックライト（光発生手段）
１４７ 対向基板
１４８ 表示パネル
１５１ 光（光路）
１７１ 光ペン（光発生手段）
２３１ リセット信号線
２３２ リセットスイッチ（ＴＦＴ）
２３３ コンパレータ
２３４ コンパレータ信号線
４０１ コンデンサ（ＤＣカット手段）
４１１ 反転回路
５４１ アンテナ
５４２ キー
５４３ 筐体
５４４ 表示パネル
５５１ レンズホルダー
５５２ 結像レンズ
５５３ 凸レンズ（正レンズ）
５６１ 支点
５６２ 撮影レンズ
５６３ 格納部
５６４ スイッチ
５７１ 一体
５７２ 撮影部
５７３ シャッタスイッチ
５８１ 取り付け枠
５８２ 脚
５８３ 取り付け台
５８４ 固定部
５９１ 画像読み取り対象
５９２ ふた（外光遮断物）
６０１ オン出力領域
６０２ 中心座標
６６１ 表示部
６７１ 指（遮光物、測定対象物、光制御物）
６７２ オン出力画像
６９１ 遮光部
７０１ 外光センサ
７０２ スピーカ
７１１ 保護カバー（透明版）
７１２ フォースセンサ（入力検出手段）
７２１ 緩衝材（ダンパ）
７４１ 突起
７５１ 影
７８１ ランプ表示
７８２ 回数表示
８８１ 処理ブロック

Claims (15)

1. 互いに直交して配置される複数本の信号線及びゲート信号線と、この信号線とゲート信号線との交点近傍に薄膜トランジスタを介して配置される画素電極とを備えたアレイ基板を有し、
   前記信号線に極性反転する映像信号を供給すると共に前記ゲート信号線にゲート信号を供給して映像を極性反転駆動によって表示する平面表示装置において、
   前記アレイ基板に複数のホトセンサ画素を有し、
   前記ホトセンサ画素は、
   前記信号線、または、前記信号線と平行に配されたプリチャージ電圧供給線から所定のプリチャージ電圧が印加されて電荷が蓄積されるコンデンサと、
   前記コンデンサにより蓄積された電荷を光の照射により放電するホトセンサと、
   前記コンデンサから放電されたプリチャージ電圧に対応して読み取り信号を出力するソースフォロワ回路と、
   を有し、
   前記映像信号が、前記プリチャージ電圧の極性側になった時に前記プリチャージ電圧を印加する
   ことを特徴とする平面表示装置。
2. 前記プリチャージ電圧の極性側が正極性である
   ことを特徴とする請求項１記載の平面表示装置。
3. 前記プリチャージ電圧の極性側が負極性である
   ことを特徴とする請求項１記載の平面表示装置。
4. 互いに直交して配置される複数本の信号線及びゲート信号線と、この信号線とゲート信号線との交点近傍に薄膜トランジスタを介して配置される画素電極とを備えたアレイ基板を有し、
   前記信号線に極性反転する映像信号を供給すると共に前記ゲート信号線にゲート信号を供給して映像を極性反転駆動によって表示する平面表示装置において、
   前記アレイ基板に複数のホトセンサ画素を有し、
   前記ホトセンサ画素は、
   前記信号線、または、前記信号線と平行に配されたプリチャージ電圧供給線から所定のプリチャージ電圧が印加されて電荷が蓄積されるコンデンサと、
   前記コンデンサにより蓄積された電荷を光の照射により放電するホトセンサと、
   前記コンデンサから放電されたプリチャージ電圧に対応して読み取り信号を出力するソースフォロワ回路と、
   を有し、
   前記ホトセンサ画素を複数組み合わせて一つの処理ブロックを形成し、前記処理ブロック毎に前記読み取り信号を処理する
   前記処理ブロックが、前記信号線または前記プリチャージ電圧供給線と平行に形成されている
   ことを特徴とする平面表示装置。
5. 互いに直交して配置される複数本の信号線及びゲート信号線と、この信号線とゲート信号線との交点近傍に薄膜トランジスタを介して配置される画素電極とを備えたアレイ基板を有し、
   前記信号線に極性反転する映像信号を供給すると共に前記ゲート信号線にゲート信号を供給して映像を極性反転駆動によって表示する平面表示装置において、
   前記アレイ基板に複数のホトセンサ画素を有し、
   前記ホトセンサ画素は、
   前記信号線、または、前記信号線と平行に配されたプリチャージ電圧供給線から所定のプリチャージ電圧が印加されて電荷が蓄積されるコンデンサと、
   前記コンデンサにより蓄積された電荷を光の照射により放電するホトセンサと、
   前記コンデンサから放電されたプリチャージ電圧に対応して読み取り信号を出力するソースフォロワ回路と、
   を有し、
   前記映像信号の階調電圧に対応して前記プリチャージ電圧を設定する
   ことを特徴とする平面表示装置。
6. 表示パネルのアレイ基板にマトリックス状に表示画素が配されると共に、前記アレイ基板に複数のホトセンサ画素も配された平面表示装置において、
   前記ホトセンサ画素は、
   所定のプリチャージ電圧が印加されて電荷が蓄積されるコンデンサと、
   前記コンデンサにより蓄積された電荷を光の照射により放電するホトセンサと、
   前記コンデンサから放電されたプリチャージ電圧に対応して読み取り信号を出力するソースフォロワ回路と、
   を有し、
   前記ホトセンサ画素を複数組み合わせて一つの処理ブロックを形成し、前記処理ブロック毎に前記読み取り信号を処理する
   ことを特徴とする平面表示装置。
7. 前記処理ブロックにおける前記ホトセンサ画素の数は、２の乗数である
   ことを特徴とする請求項６記載の平面表示装置。
8. 前記処理ブロック内で読み取り信号を出力しているホトセンサ画素の数が基準値以上あれば、前記処理ブロックはオン状態であるとする
   ことを特徴とする請求項６記載の平面表示装置。
9. 前記処理ブロックにおけるホトセンサ画素の数を、外光強度により変化させる
   ことを特徴とする請求項６記載の平面表示装置。
10. 光ペンにより入力するときは、前記処理ブロックの大きさを小さくして解像度を増大させ、指などの対象物によって入力するときは前記処理ブロックの大きさを大きくして解像度を減少させる
    ことを特徴とする請求項６記載の平面表示装置。
11. 前記処理ブロック毎、または、前記ホトセンサ画素毎のホトセンサ画素の強度の特性データを記憶したメモリを有し、
    前記処理ブロック、または、前記ホトセンサ画素の読み取り信号を前記特性データに基づいて補正する
    ことを特徴とする請求項６記載の平面表示装置。
12. 基準値以上の特性データに対応するホトセンサ画素からの読み取り信号をマイナス側に補正し、前記基準値未満の特性データに対応するホトセンサ画素からの読み取り信号をプラス側に補正する
    ことを特徴とする請求項１１記載の平面表示装置。
13. フレーム毎または特定の単位時間毎に前記読み取り信号を補正する
    ことを特徴とする請求項１１記載の平面表示装置。
14. 表示パネルのアレイ基板にマトリックス状に表示画素が配されると共に、前記アレイ基板に複数のホトセンサ画素も配された平面表示装置において、
    前記ホトセンサ画素は、
    所定のプリチャージ電圧が印加されて電荷が蓄積されるコンデンサと、
    前記コンデンサにより蓄積された電荷を光の照射により放電するホトセンサと、
    前記コンデンサから放電されたプリチャージ電圧に対応して読み取り信号を出力するソースフォロワ回路と、
    を有し、
    前記アレイ基板の背面側にあるバックライトから放射される光を対象物によって反射させて、その反射光を前記ホトセンサ画素によって検出する場合には、前記表示パネルの透過率を５０％以上とする
    ことを特徴とする平面表示装置。
15. 表示パネルのアレイ基板にマトリックス状に表示画素が配されると共に、前記アレイ基板に複数のホトセンサ画素も配された平面表示装置において、
    前記ホトセンサ画素は、
    所定のプリチャージ電圧が印加されて電荷が蓄積されるコンデンサと、
    前記コンデンサにより蓄積された電荷を光の照射により放電するホトセンサと、
    前記コンデンサから放電されたプリチャージ電圧に対応して読み取り信号を出力するソースフォロワ回路と、
    を有し、
    前記ホトセンサ画素を対象物で遮光し、その遮光の有無を前記ホトセンサ画素によって検出する場合は、前記表示パネルの透過率を５０％以下にする
    ことを特徴とする平面表示装置。
    

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