JP2005530217A5 - - Google Patents
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- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 48
- 230000003287 optical Effects 0.000 description 30
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 15
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 12
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 12
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 8
- 230000000875 corresponding Effects 0.000 description 7
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 7
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 6
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 5
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 5
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 230000000051 modifying Effects 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 230000000903 blocking Effects 0.000 description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 2
- 230000004059 degradation Effects 0.000 description 2
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000005755 formation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000006011 modification reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating Effects 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 230000000717 retained Effects 0.000 description 1
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 description 1
- 230000002194 synthesizing Effects 0.000 description 1
- 230000001702 transmitter Effects 0.000 description 1
Description
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ヒューマン・マシーンインタフェース(HMI)での使用に適した複数の異なる入出力装置が存在する。ポピュラーな出力装置としてアクティブマトリクスフラットパネル表示装置がある。
図1は、表示マトリクス2、および、上記表示マトリクスを制御する制御回路4を備えた平面パネル表示装置を示す図である。本例の表示マトリクス2は単色であり、N行×M列のアレイから成る絵素(画素)回路15nmを含み、該回路の各々には1つの画素が含まれる。カラー表示は、個々の画素をサブピクセルに分画することにより達成されるが、このサブピクセルの数は三原色(通常、赤、緑、青のRGBの3色)の数と同じである。n=1,2,3およびm=1,2,3に対応する表示マトリクス2の部分が示されている。画素回路151m、152m、153m...5nm(m=1,2,3...M)からなるN行の個々の行は、関連する行選択ライン21nを有する。行選択ライン21nは、その関連する行内の画素回路15n1、15n2、15n3...15nmの各々と接続される。行選択ラインがオンにセットされた場合、関連する行内の画素回路のスイッチがオンになる。行選択ラインがオンにセットされない場合、関連する行内の画素回路のスイッチはオンにならない。画素回路15n1、15n2、15n3...15nmのM列(n=1,2,3...M)の各列には、関連するデータライン20mが含まれる。データライン20mは、その関連する列内の画素回路151m、152m、153m...15nmの各々と接続される。行選択ライン21nをオンにセットすることにより、画素回路15nmのスイッチがオンになり、スイッチをオンにする画素回路15nmの画素(n,m)のグレースケールは、データライン20mを介して供給される電圧、電流または電荷のいずれかにより決定される。
制御回路4はタイミング制御回路6、列駆動回路8および行選択回路10を備える。タイミング制御回路6は、1つの表示フレーム用の表示マトリクス2の個々の画素のグレースケール値を指示するコンピュータ(図示せず)からの入力を受け取り、列駆動回路8と行選択回路10とに出力を供給する。
表示マトリクスに画像を描くためには行選択ラインとデータラインとが連続的に走査される。行選択回路10は、選択ライン211をオンにセットし、その他のいずれの行選択ラインもオンにセットしない。これによって表示マトリクス2の第1の行内のM個の画素回路151m(m=1,2,3...)がオンにセットされる。列駆動回路は、コンピュータから出力された行n内のM個の画素に対するグレースケール値の各々を電圧値に変換し、次いでこの電圧をM個のデータライン20m(m=1,2,3...)の各々に印加する。データラインの電圧によって、データラインと関連するオンにされた画素のグレースケールが決定される。選択回路によって、次の行のための選択ライン212がオンにセットされ、上記処理が繰り返される。このようにして1行分の画素は一度に描かれ、フレームが完成するまで個々の行が順に描かれていく。次いで、コンピュータが表示マトリクス2の個々の画素のグレースケール値を次のフレームに出力し、個々の画素が1行ずつ一度に描かれていく。
表示装置はアクティブマトリクス(AM)表示装置またはパッシブマトリクス(PM)表示装置であってもよい。PMモードでは、画素の関連する行選択ラインがオンにセットされている間、画素のグレースケールは単に保持されるだけである。例えば、PMが240行を有する場合、個々の行はフレーム周期の1/240の間だけスイッチがオンになる。高い画素カウントを持つ、したがって多数の行を持つ表示装置の場合、画素のスイッチオン時間はより短くなり、したがってコントラストと輝度は低下する。この問題を解決するためにAMが導入される。今度は個々の画素はその走査後(すなわち、その関連する行選択ラインがスイッチオンを解除(de-assert)したとき)そのグレースケールを保持する手段を有することになる。
反射型表示装置は表示装置に入射する光を変調し、透過型表示装置は表示装置をバックライトから貫通する光を変調する。透過反射(transflective)型表示装置は反射型表示と透過型表示との組み合わせであり、暗闇の中のみならず明るい日光の中でも表示画面を見ることができるようにするものである。液晶表示装置(LCD)は上記タイプの表示装置で広く用いられている。LCDは、電場を用いて再配向液晶(LC)分子による画像形成を行うものである。この再配向により偏光-回転特性の変化が生じ、この変化と偏光子との組み合わせを利用して画素のオンとオフの切り替えを行うことが可能となる。LCD画素のマトリクスは、データライン20を介して行と列の選択された組み合わせに電圧を印加することにより制御される。
図2はアクティブマトリクスLCD(AMLCD)の一部を示す図である。図1に関して説明した画素回路15nmは図2では参照番号25nmにより指定され、これらの画素回路がAMLCD画素回路であることを示している。図2は、第1のデータライン201および第1の行走査線211と接続された第1の画素回路2511、並びに、データライン201および第2の行走査線212と接続された第2の画素回路2521を示す。第1と第2の画素回路は同一の画素回路である。第1の画素回路2511は、第1のスイッチング電界効果トランジスタ221と、固有の静電容量を持つ第1の液晶画像素子231と、第1の記憶キャパシタ241とを備える。第1のスイッチングトランジスタ221のゲートは、第1の行走査線211と接続され、上記トランジスタのソースは第1のデータライン201と接続され、上記トランジスタのドレインは第1の液晶画像素子231の端子および第1の記憶キャパシタ241のプレートと接続される。第1の記憶キャパシタ241の他方のプレートは第2の行走査線212と接続される。第1のスイッチングトランジスタ221はスイッチとして作動する。第1の行走査線211がオンにセットされているとき、トランジスタは導通し、オンにセットされていないときは導通しない。したがって、第1の行走査線211がオンにセットされているとき、第1の記憶キャパシタ241は第1のデータライン201を介して印加電圧により荷電されて、第1の液晶画像素子231のグレースケールが設定されることになる。第1の行走査線211がオンにセットされなくなると、荷電された第1の記憶キャパシタ241は第1の液晶画像素子231の両端にわたって正しい電圧を保持し、正しいグレースケールを保持する。このようにして、高解像度表示装置に対してもコントラストや輝度の低下は生じなくなる。
電界効果スイッチングトランジスタは、通常、半導体(ほとんどの場合水素添加アモルファスシリコン(a−Si:H)または低温多結晶シリコン(p−Si))から形成される薄膜トランジスタ(TFT)である。表示マトリクスを形成するデータライン、走査線、スイッチングトランジスタおよび記憶キャパシタを集積回路として単一基板上に集積することができる。基板は通常ガラスからつくられるが、次第にプラスチックからもつくられるようになってきている。
放射型表示装置はそれ自身の光を発光する。これらのタイプの表示装置には、電界放出表示装置(FED)と;有機発光ダイオード(OLED)表示装置と、薄膜電界発光表示装置(TFEL)とが含まれる。FED、OLEDおよびTFELはすべて受動的に駆動することが可能であるが、LCDの場合と同じ理由でAM駆動タイプの表示装置が望ましい。これら装置の相違点として、前者の表示装置が定電流で駆動されるのに対して、LCDは定電圧に依拠するという点が挙げられる。放出光の強さは電流によって制御され、この電流は、AM駆動を介して1つのフレームの間中一定に保たれる。この放出光の強さは、パルス幅変調と定電流とを介する電荷量により制御することも可能である。
図3はOLEDアクティブマトリクス表示装置の一部を示す。図1に関して説明した画素回路15nmは図3では参照番号35nmにより指定されて、これらの回路がOLED画素回路であることを示している。図3はデータライン201と接続された例示の放射型画素回路3511と、行走査線211と、列陽極36と、普通の陰極37とを示す。放射型画素回路3511は、スイッチング電界効果トランジスタ32と、発光ダイオード33と、記憶キャパシタ34と、駆動トランジスタ36とを備える。スイッチングトランジスタ32のゲートは行走査線211と接続され、スイッチングトランジスタ32のソースはデータライン201と接続され、スイッチングトランジスタ32のドレインは記憶キャパシタ34のプレートおよび駆動トランジスタ36のゲートと接続される。記憶キャパシタ34の他方のプレートは列陽極36と接続される。駆動トランジスタのドレインは列陽極36と接続され、発光ダイオード33は駆動トランジスタ36のソースと普通の陰極37との間で接続される。
スイッチングトランジスタ32はスイッチとして作動する。第1の行走査線211がオンにセットされると、スイッチングトランジスタ32は導通し、オンにセットされていないとき、スイッチングトランジスタ32は導通しない。したがって、第1の行走査線211がオンにセットされると、第1のデータライン201を介する印加電圧が、駆動トランジスタ36の中を流れる電流(したがってLED33の強度)を制御し、記憶キャパシタ34を荷電する。第1の行走査線211がオンにセットされなくなると、荷電された記憶キャパシタ34は駆動トランジスタ36のゲートで正しい電圧を保持し、それによってLED33を介して正しい電流を保持し、その結果正しいグレースケールが保持される。
電界効果スイッチングトランジスタと第1の駆動トランジスタ36とは通常薄膜トランジスタ(TFT)であり、この薄膜トランジスタは水素添加アモルファスシリコン(a−Si:H)または低温ポリシリコン(p−Si)などの半導体から形成される。表示マトリクスを形成するデータライン、走査線、スイッチングトランジスタおよび記憶キャパシタを集積回路として単一基板上に集積することができる。
フラットパネル表示装置により設けられている表示領域が出力用として使用されている間、この表示領域を光入力用として利用することが望ましい。従来、このような利用は、平面表示装置と組み合わされた、物理的に別個のタッチスクリーン装置を用いることにより通常行われている。抵抗タッチスクリーンは最も一般的なタッチスクリーンであり、ガラスまたはプラスチック基板、並びに、スペーサと可撓性フィルムを持つエアギャップとを備える。基板とフィルムとからなる対向面は透明電極(通常ITO)で被膜されている。この対向面に触れると、上面と下面とが接触してxy方向の抵抗値が測定される。上記タイプのタッチスクリーンは、基底を成すスクリーンからの光の透過を減らし、表示画像の中へ色ずれを生じさせ、比較的小型の寸法しか持たない場合がある。スペーサ粒子とガラス面とに対する光の散乱に起因して、基底を成す表示の画質低下が生じる。これらの問題点のいくつかは非常に手の込んだ、複雑な、コストのかかるタッチスクリーン技術の利用により処理することができる。例えば、表示面に対して平行に光を発生させ、表示面に触れる特別の指示用物体によって、検出される影を形成する光学タッチスクリーンを使用してもよい。しかし、上記技法は、レンズ、ミラー並びに送信機などの高価な光学部品を必要とし、さらに、その解像度は限定されている。別の技法によって、厚いフロントグラス上の表面弾性波の移動が検出されるが、この技法の解像度は限定されたものである。
したがって、表示用出力に関して、光入力を合成する満足のゆく回路は存在しない。現行の解決方法は、サイズ、重さおよびコストが追加される特別の部品を必要とする場合がある。現行の解決方法には不十分な解像度という欠点もあり、タッチスクリーンが表示装置の正面に配置された場合、視差が生じることになる。というのは、入力および出力平面が同一平面上に存在しないため、画質の低下が生じることになるからである。
サイズおよび/または重さおよび/またはコストの著しい増加を伴うことなく、平面パネル表示装置と組み合わされた光入力を提供することが本発明の実施形態の目的である。
表示装置と組み合わされた、より高い解像度の光入力を提供することが本発明の実施形態の目的である。
表示装置での画像品質の著しい低下を伴うことなく、表示装置と組み合わされた光入力を提供することが本発明の実施形態の目的である。
本発明の実施形態は、光センサと画素回路とが同じ基板上に集積された回路を提供するものである。この回路によって、画素回路に対する非常に良好な透過性が与えられ、光学的減損が大幅に減少し、視差が最小限にとどめられることになる。また、この回路によって装置のサイズ、コストおよび重さが減少する。フォトトランジスタなどの集積された光センサの利用によって、高い解像度が提供される。
本発明の実施形態は、光センサと画素回路とが同じ基板上に集積される回路を提供して、画素回路の制御に使用される制御ラインを光センサ用として好適に再使用するものである。これによって、回路の複雑さが減り、回路の駆動に用いる既存の駆動用ハードウェアが小さな変更だけで利用可能となる。
本発明の実施形態は複数の光センサのスイッチを一度にオンにし、それによって、身振りによる入力の識別を可能にする回路を提供するものである。
本発明をよりよく理解するために、また、同発明を実行できる方法を理解するために、以下の図面を単に例示として参照する。
図4は、入出力マトリクス102と、上記入出力マトリクスを制御する制御回路とを備えた組合せ入出力装置100を示す。上記入出力表示マトリクスは、マトリクスの形で配設された光センサが組み込まれた平面パネル表示マトリクスを備える。
入出力マトリクス102は絵素(画素)回路からなる表示マトリクスを備え、個々の回路は基板103上に集積された画素を有する。本例の表示マトリクスは単色であり、N行×M列のアレイから成る絵素(画素)回路15nmを含み、該回路の各々には1つの画素が含まれる。n=1,2,3およびm=1,2,3に対応する表示マトリクス102の部分が示されている。画素回路151m、152m、153m...15nm(m=1,2,3...M)からなるN行の個々の行は、基板103上に集積された、当該行自身の関連する行選択ライン21nを有する。行選択ライン21nは、この行選択ラインの関連する行内の画素回路15n1、15n2、15n3...15nmの各々と接続される。行選択ラインがオンにセットされると、関連する行内の画素回路のスイッチがオンにされる。行選択ラインがオンにセットされないと、関連する行内の画素回路のスイッチはオンにされない。画素回路15n1、15n2、15n3...15nmのM列(n=1,2,3...M)の各列には、基板103上に集積された関連するデータライン20mが含まれる。データライン20mは、このデータラインの関連する列内の画素回路151m、152m、153m...15nmの各々と接続される。行選択ライン21nをオンにセットすることにより、画素回路15nmのスイッチがオンにされ、スイッチがオンにされた画素回路15nmの画素(n,m)のグレースケールは、データライン20mを介して供給される電圧、電流または電荷のいずれかにより決定される。
入出力マトリクスは、基板103に集積されたN行とM列の形で配設された光センサ115nmのセンサマトリクスをさらに備える。n=1,2,3とm=1,2,3とに対応する光センサ115nmのマトリクス部分が図4に示されている。
光センサ115のN行の各々は異なる行選択ラインと関連づけられる。行選択ラインはその関連する行内の光センサの各々と接続される。光センサのM列の各々は、基板103上に集積された関連する列選択ライン120m(m=1,2...M)を備える。列選択ライン120mは、その関連する列内のN個の光センサ1151m、1152m、1153m...115nmの各々と接続される。光センサのM列の各々は関連するデータラインを備える。データラインは、このデータラインの関連する列内の光センサの各々と接続される。この光センサの関連する行選択ラインをオンにセットすることにより、並びに、この光センサの関連する列選択ライン120mをオンにセットすることにより、N×M個の光センサ115nmのうちの特定の1つの光センサをアドレスすることが可能となり、検知された光学値がその光センサの関連するデータラインにより提供される。
例えば、図4に例示のように、光センサのセンサマトリクスが、画素の表示マトリクスの構成要素のいくつかを共有することが望ましい。
図4では、光センサ1151m、1152m、1153m...115nm(m=1,2,3...M)のN行の各々が、基板103上に集積された、光センサ自身の関連する行選択ライン21nを有する。行選択ライン21nは、光センサ115n1、115n2、115n3...115nmと、画素回路15n1、15n2、15n3...15nmとによって共有される。
図4では、光センサ115n1、115n2、115n3、...115nm(n=1,2,3...N)のM列の各々は基板103上に集積された、光センサ自身の関連するデータライン20mを有する。データライン20mは、光センサ1151m、1152m、1153m...115nmと、画素回路151m、152m、153m...15nmとにより共有される。光センサと画素回路とは共有されたデータライン20mの1つの側部に沿って交番に配置される。したがって、光センサ115nは画素回路15n1に隣接することになる。
光センサの関連する行選択ライン21nと、光センサの関連する列選択ライン120mとを介して、N×M個の光センサ115nmのうちの特定の1つの光センサの処理を行うことが可能となり、光センサの関連するデータライン20mによって検知された光学値が出力される。
データライン20mが好ましい実施形態で共有されているため、画素回路による表示マトリクスと、光センサによるセンサマトリクスとは同時に作動しないことが望ましい。したがって、画素回路15nmが作動しているとき、光センサ115nmは作動しなくなる。
(a,b)における画素は、行選択ライン21a上のV1ボルトと、データライン20b上のグレースケール電圧値とを用いてアドレスされる。行a内の画素素子15のスイッチが行選択ライン21a上のV1により作動可能にされるのに対して、行a内の光センサ115は行選択ライン21a上のV1により作動不能にされる。行選択ライン21n(n=1,2...N(但しaを含まず))に印加される電圧V4は、当該行の画素素子と光センサの双方が作動不能となるようにセットされる。
(a,b)における光センサは、行選択ライン21aでV2ボルトを用いて、かつ、列選択ライン120bでV3ボルトをオンにセットしてアドレスされる。光センサの出力はデータライン20bで供給される。行選択ライン21aの電圧V2は、行a内の光センサのアドレス指定を可能にするが、行選択ライン21aの画素回路を作動不能にする。行選択ライン21n(n=1,2...N(但しaを含まない))に印加される電圧V5は、当該行の画素素子と光センサの双方が作動不能となるようにセットされる。
電圧V5は電圧V4と同じであることが望ましい。したがって、好ましい実施形態では、行選択ライン21nの個々の行選択ラインは、3つの可能な状態V1、V4/V5、V2を持つ3状態ラインとなる。表示モードでは、一対の組み合わせ(V1,V4)を用いて、画素素子の1行をそれぞれ作動可能と作動不能とにする。検知モードでは上記一対の組み合わせを用いて、光学素子の1行をそれぞれ作動可能と作動不能とにする。
図4を参照すると、制御回路は、タイミング制御回路106と、列制御回路108と、行選択回路110とを備え、検知回路112をさらに備える。表示モードのとき、制御回路は、図1に関して示した制御回路4の説明に従って作動する。行選択回路110と列制御回路108とは第1の行を描く。行選択回路110は行選択ライン211で電圧V1を出力し、次いで、その他の行選択ラインの個々の行選択ラインで電圧V4を出力する。それによってM個の画素回路151m(m=1,2,3...M)の第1行が作動可能にされる。列制御回路108は、コンピュータから得られる行n内のM個の画素に対するグレースケール値の個々の値を電圧値に変換し、M本のデータライン20m(m=1,2,3...M)の個々のデータラインにこの電圧を印加する。データラインの電圧は、作動可能にされた、該データラインと接続された画素のグレースケールを決定する。次いで、行選択回路110と列制御回路108とは第2の行を描く。行選択回路110は、次の行および列制御回路用の選択ライン212をオンにセットして当該行内の画素のグレースケールを制御する。したがって、画素の1行は一度に塗り潰され、個々の行は表示フレームが完成するまで順に塗り潰される。次いで、コンピュータは、次の表示フレームに対して表示マトリクスの個々の画素のグレースケール値を出力し、1行が一度に塗り潰される。
検知モードでは、行選択ライン21nと列選択ライン120nとが連続して走査され、出力がデータライン20nから受け取られる。行選択回路110と列制御回路とは光センサの第1の行を選択する。行選択回路110は行選択ライン211で電圧V2を出力し、次いで、その他の選択ラインの個々の選択ラインで電圧V5を出力する。列制御回路108は列選択ライン120nの個々の列選択ラインに対して電圧V3を出力する。第1の行内のM個の光センサ1151m(m=1,2,3...M)が作動可能にされ、それぞれデータライン20mで出力を供給する。検知回路112はデータライン20mでM個の出力の個々の出力をM個のデジタル値D1m(m=1,2,3...M)に変換する。このM個のデジタル値D1mの個々の値はM個の光センサ1151mの個々の光センサに対する入射光の強さを表す。検知回路112はタイミングコントローラ106を介してデジタル値をコンピュータへ出力する。行選択回路110は、選択ライン212で電圧V2を、そして、その他の行選択ラインで電圧V5を出力することにより光センサの第2の行を選択する。したがって、光センサの1行は一度に検知され、個々の行はフレームが完成するまで順に検知される。
表示処理と検知処理とを組み合わせるために、表示モードと検知モードとがオーバーラップしないようにすることが望ましい。表示モードが表示フレーム周波数fdで行われるのに対して、検知モードは検知フレーム周波数fsで行われる。fd=fsになったとき、1つの表示フレームが終了し、次いで、検知フレームが終了し、次いで、表示フレームが終了する、など。しかし、所望のサンプリング周波数と表示フレームレートとに応じて、表示フレーム周波数と検知フレーム周波数間の比を1:1から調整することも可能である。
個々の光学フレーム走査から得られるN×M個のデジタル値はN×M個のマトリクスの光センサに対する光入射の輝度を表す。上記の説明では単色画素と光センサのみについて説明した。しかし、当該三原色(例えば赤(R)、緑(G)、青(B))画素クラスタを用いてカラー画像の形成が可能であることを理解されたい。同様に、三原色光を検出する別個の光センサをまとめてクラスタ化することが可能である。したがって、個々の光学フレーム走査から得られる3NM個の光センサと画素および3NM個のデジタル値、三原色の各々に対するNM個の値が生じるという点を除いて、この配置構成は上記で説明した配置構成と同等のものである。三原色の数は任意であるが通常3(RGB)である。
"タッチ入力"
光センサ115nmの出力にそれぞれ対応し、光学フレーム走査から得られるデジタル値Dnmは、プログラムされたコンピュータにより(あるいは専用プログラムが施されたマイクロプロセッサすなわちASIC)により処理されて、ユーザが入出力マトリクス102の近くに指をもっていくことにより入力が行われたかどうかの判定が行われる。デジタル値Dnmが処理され、平均値Dが算出される。
光センサ115nmの出力にそれぞれ対応し、光学フレーム走査から得られるデジタル値Dnmは、プログラムされたコンピュータにより(あるいは専用プログラムが施されたマイクロプロセッサすなわちASIC)により処理されて、ユーザが入出力マトリクス102の近くに指をもっていくことにより入力が行われたかどうかの判定が行われる。デジタル値Dnmが処理され、平均値Dが算出される。
明るい環境では、入出力マトリクス102に近づく指が影を落すのに対して、暗い環境では、入出力マトリクス102に近づく指は出力表示マトリクスからの光を入力センサマトリクスの上へ反射する。上記明るい環境はDを所定のしきい値と比較することにより検出される。Dがしきい値X1より大きい(すなわち明るい環境)場合、所定のしきい値分だけDよりも小さい値Dxyが入力値として特定される。Dがしきい値X2よりも小さい(すなわち暗い環境)場合、所定のしきい値分だけDよりも大きい値Dxyがユーザ入力値として特定される。
オプションとして、代替または追加のいずれかとして、前回の光学フレーム走査の値Dnm(前回値)が現在の光学フレーム走査の値Dnm(現在値)と比較される。Dがしきい値X1より大きい(すなわち明るい環境)場合、Dxy(前回値)−Dxy(現在値)の方がしきい値よりも大きくなる対応する値Dxyが可能なユーザ入力値として特定される。Dがしきい値X2よりも小さい(すなわち暗い環境)場合、Dxy(現在値)−Dxy(前回値)の方がしきい値よりも大きくなる対応する値Dxyが可能なユーザ入力値として特定される。
X2<D<X1の場合、すなわち指から反射される光の強度が環境光と比較可能なとき、強度だけによって環境光の強度を比較することはできない。バックライトの光源のスペクトルはバックライト(一般に発光ダイオード(LED)すなわち冷陰極蛍光管(CCFL))の仕様から既知であり、指から光センサ内へ反射されるバックライトに対する相対RGB値は光センサの出力側から決定することができる。これらのRGB値は環境光に対して異なる比率を有するため、強度の代わりに、平均の相対RGB値を比較することにより指の位置を決定することが可能である。
"身振り入力"
光センサ115nmの出力にそれぞれ対応し、光学フレーム走査から得られるデジタル値Dnmは、プログラムされたコンピュータ(または専用プログラムが施されたマイクロプロセッサすなわちASIC)により処理されて、ユーザは入出力マトリクス102の正面で身振りを行うことにより入力が行われたかどうかの判定が行われる。入出力マトリクス102の正面での身振りによって、明るい環境ではセンサマトリクス上にシャドウパターンが作成され、あるいは暗い環境では、表示マトリクスにより照射された手から生じる反射光の空間分布が作成される。このシャドウパターンは"タッチ入力"に対して上述のように検出される。上記シャドウパターン内の時間分散値は入力された身振りとして画像認識エンジンにより特定される。
光センサ115nmの出力にそれぞれ対応し、光学フレーム走査から得られるデジタル値Dnmは、プログラムされたコンピュータ(または専用プログラムが施されたマイクロプロセッサすなわちASIC)により処理されて、ユーザは入出力マトリクス102の正面で身振りを行うことにより入力が行われたかどうかの判定が行われる。入出力マトリクス102の正面での身振りによって、明るい環境ではセンサマトリクス上にシャドウパターンが作成され、あるいは暗い環境では、表示マトリクスにより照射された手から生じる反射光の空間分布が作成される。このシャドウパターンは"タッチ入力"に対して上述のように検出される。上記シャドウパターン内の時間分散値は入力された身振りとして画像認識エンジンにより特定される。
輝度補正
光センサ115nmの出力にそれぞれ対応し、光学フレーム走査から得られるデジタル値Dnmが処理されて、平均値Dが算出される。照明が強いとき、照射された透過型表示または放射型表示が低コントラストで現れることはよく知られていることである。一般に、この低コントラストは、補正の必要がない表示領域内でも表示輝度全体のブーストを行うことにより補正される。この結果、消費電力が不必要に高くなり、耐用期間が不必要に短くなる。この実施形態によれば、Dnm>Dの場合、画素回路15ab内の画素の輝度は上昇する。
光センサ115nmの出力にそれぞれ対応し、光学フレーム走査から得られるデジタル値Dnmが処理されて、平均値Dが算出される。照明が強いとき、照射された透過型表示または放射型表示が低コントラストで現れることはよく知られていることである。一般に、この低コントラストは、補正の必要がない表示領域内でも表示輝度全体のブーストを行うことにより補正される。この結果、消費電力が不必要に高くなり、耐用期間が不必要に短くなる。この実施形態によれば、Dnm>Dの場合、画素回路15ab内の画素の輝度は上昇する。
図4に戻って参照すると、光センサ115nmは、光センサの光源が列選択ライン120mと接続され、光センサのドレインがデータライン20mと接続され、光センサのゲートが行選択ライン21nと接続されたnチャネルフォトトランジスタ114nmであることが望ましい(但しこれらに限定されるものではない)。図5は概略的に入出力マトリクス102を形成する集積回路の一部を例示する図である。集積回路のこの例示部分は、光センサ11511、11512、11521、11522と、画素回路1511、1512、1521、1522と、データライン201および202と、行選択ライン211および212と、列選択ライン1201および1202とを備える。上記画素回路はアクティブマトリクス表示装置(反射型、透過型または放射型)用回路であることが望ましく、本例では、図2と関連して説明したようにAMLCD用回路である。
フォトトランジスタ114はa−Siまたはp−Siを用いて好適に形成されたnチャネルTFTである。画素回路内のスイッチングトランジスタ22は、a−Siを用いて好適に形成されたnチャネルTFTである。したがって、同じ基板103上の同じ平面でフォトトランジスタと画素回路とを形成することが可能となる。特に、スイッチングトランジスタ22のソース/ドレインおよびチャネル成分は、フォトトランジスタ114のそれぞれのソース/ドレインおよびチャネル成分と同じ半導体層から形成することが可能である。スイッチングTFTとフォトトランジスタとのゲート電極は単一の導電層をエッチングした後に形成される。
全く同じトランジスタ設計を利用することにより、しかも、スイッチングトランジスタ22nm上にわたって存在する追加の光阻止層を用いて、スイッチングTFT22nmのゲート電圧に対するドレイン電流の依存をフォトトランジスタ114nmの暗特性と類似のものにする。文献"a−Si:H TFTアレイを利用する指紋スキャナ"(Jeong Kyun Kim, Jae Kyun Lee, Gyoung Chang, Beom Jin Moon著、論文24.1、技術論文、p.353〜355(2000年)のSID国際シンポジウムダイジェスト)に指紋スキャナについての記載があり、この指紋スキャナでは追加の光阻止層を持つセンサ薄膜トランジスタおよび同一のスイッチ薄膜トランジスタがa−Si:Hから形成される。
電圧V1が正であるのに対して、V2とV3とは負である。これらの値はTFTに依存し、TFTの作動範囲は最大の線形性に対して選択される。したがって、フォトトランジスタは、逆バイアスがかけられ、そのゲートで負電圧を持つときに作動することになる。スイッチングTFT22nmのゲート電圧に対するドレインの電流依存性がフォトトランジスタ114nmの暗特性に類似しているので、負のゲート電圧V2はスイッチングトランジスタ22nm をオン状態にせず、そのため該電圧V2が表示用のアドレス指定に影響を与えることはない。
nチャネル電界効果フォトトランジスタについて説明したが、別の光検出器やフォトトランジスタの利用も可能である。利用可能なフォトトランジスタの一般的な特性として、負のバイアスにおける暗電流が小さく、フォト電流と暗電流間の比率が大きいという点が挙げられる。
図6は、図4に示す検知回路112内に存在する光センサからの出力を検知する回路を示す。光センサ114nmがフォトトランジスタである場合、列選択ライン120mが−V3ボルトであり、行選択ライン21nが−V2ボルトであるとき、データライン20m上の電流がフォトトランジスタ114nmのコンダクタンスにより決定される。フォトトランジスタ114nmに逆バイアスがかけられ、該フォトトランジスタの導電率はこのフォトトランジスタに対して入射する光の強さに大きく依存する。データライン20mにおける電流の変動が、電流−電圧変換器によって個々の行に対して検出される。次いで、この電圧はデジタル化されて値Dnmが生成される。電流駆動表示装置用として、電圧変化が代わりに検知される。
上記回路は抵抗器、差動増幅器およびアナログ/デジタル変換器を備える。抵抗器はデータライン20mと直列に接続される。抵抗器の両端にわたる電圧は差動増幅器により測定され、次いで、アナログ/デジタル変換器によりデジタル値へ変換される。
種々の例を参照しながら、上記パラグラフで本発明について説明したが、本発明の精神と範囲から逸脱することなく、上記に示した例に対する修正と変更を行うことが可能であると理解すべきである。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US10/176,741 US7184009B2 (en) | 2002-06-21 | 2002-06-21 | Display circuit with optical sensor |
PCT/IB2003/002777 WO2004001712A1 (en) | 2002-06-21 | 2003-06-18 | Display circuit with optical sensor |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005530217A JP2005530217A (ja) | 2005-10-06 |
JP2005530217A5 true JP2005530217A5 (ja) | 2009-10-01 |
JP4571492B2 JP4571492B2 (ja) | 2010-10-27 |
Family
ID=29734208
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004515369A Expired - Fee Related JP4571492B2 (ja) | 2002-06-21 | 2003-06-18 | 光センサを備えた表示回路 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7184009B2 (ja) |
EP (1) | EP1516309B1 (ja) |
JP (1) | JP4571492B2 (ja) |
AT (1) | ATE527646T1 (ja) |
AU (1) | AU2003237036A1 (ja) |
DK (1) | DK1516309T3 (ja) |
WO (1) | WO2004001712A1 (ja) |
Families Citing this family (84)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7009663B2 (en) | 2003-12-17 | 2006-03-07 | Planar Systems, Inc. | Integrated optical light sensitive active matrix liquid crystal display |
AU2002336341A1 (en) * | 2002-02-20 | 2003-09-09 | Planar Systems, Inc. | Light sensitive display |
US7053967B2 (en) * | 2002-05-23 | 2006-05-30 | Planar Systems, Inc. | Light sensitive display |
US7184009B2 (en) | 2002-06-21 | 2007-02-27 | Nokia Corporation | Display circuit with optical sensor |
KR100537704B1 (ko) * | 2002-07-12 | 2005-12-20 | 도시바 마쯔시따 디스플레이 테크놀로지 컴퍼니, 리미티드 | 표시 장치 |
KR100466628B1 (ko) * | 2002-11-12 | 2005-01-15 | 삼성에스디아이 주식회사 | 평판표시장치 및 그의 제조방법 |
US20080048995A1 (en) * | 2003-02-20 | 2008-02-28 | Planar Systems, Inc. | Light sensitive display |
US20080084374A1 (en) * | 2003-02-20 | 2008-04-10 | Planar Systems, Inc. | Light sensitive display |
TWI363206B (en) * | 2003-02-28 | 2012-05-01 | Samsung Electronics Co Ltd | Liquid crystal display device |
GB0313460D0 (en) * | 2003-06-11 | 2003-07-16 | Koninkl Philips Electronics Nv | Colour electroluminescent display devices |
GB0319910D0 (en) * | 2003-08-23 | 2003-09-24 | Koninkl Philips Electronics Nv | Touch-input active matrix display device |
GB0319909D0 (en) * | 2003-08-23 | 2003-09-24 | Koninkl Philips Electronics Nv | Touch-input active matrix display device |
US7145152B2 (en) * | 2003-10-14 | 2006-12-05 | General Electric Company | Storage capacitor design for a solid state imager |
JP4383833B2 (ja) * | 2003-11-17 | 2009-12-16 | 東芝モバイルディスプレイ株式会社 | 表示装置 |
US7675501B2 (en) * | 2003-12-17 | 2010-03-09 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Liquid crystal display apparatus with light sensor |
JP2005284661A (ja) * | 2004-03-29 | 2005-10-13 | Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd | インプットセンサ内蔵ディスプレイ装置及びその駆動方法 |
US7612818B2 (en) | 2004-03-29 | 2009-11-03 | Toshiba Matsushita Display Technology Co., Ltd. | Input sensor containing display device and method for driving the same |
JP4763248B2 (ja) * | 2004-04-07 | 2011-08-31 | 株式会社 日立ディスプレイズ | 画像表示装置 |
US7773139B2 (en) * | 2004-04-16 | 2010-08-10 | Apple Inc. | Image sensor with photosensitive thin film transistors |
US7045974B2 (en) * | 2004-08-19 | 2006-05-16 | Radiant Opto-Electronics Corporation | LED optical energy detection and feedback system |
KR101100884B1 (ko) * | 2004-11-08 | 2012-01-02 | 삼성전자주식회사 | 표시 장치 및 표시 장치용 구동 장치 |
US7671833B2 (en) * | 2004-11-22 | 2010-03-02 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Touch sensible display device |
KR20060065333A (ko) * | 2004-12-10 | 2006-06-14 | 삼성전자주식회사 | 감지 소자를 내장한 표시판 및 표시 장치 |
KR101122233B1 (ko) * | 2004-12-23 | 2012-03-19 | 삼성전자주식회사 | 감지 소자를 내장한 표시 장치 |
JP4633536B2 (ja) * | 2005-05-19 | 2011-02-16 | 三菱電機株式会社 | 表示装置 |
JP2006323261A (ja) * | 2005-05-20 | 2006-11-30 | Mitsubishi Electric Corp | 表示装置の駆動方法 |
TWI261140B (en) * | 2005-05-31 | 2006-09-01 | Au Optronics Corp | Display panels |
US8748796B2 (en) * | 2005-10-07 | 2014-06-10 | Integrated Digital Technologies, Inc. | Interactive display panel having touch-sensing functions |
US9064772B2 (en) * | 2005-10-07 | 2015-06-23 | Integrated Digital Technologies, Inc. | Touch screen system having dual touch sensing function |
TWI291237B (en) | 2005-10-07 | 2007-12-11 | Integrated Digital Technologie | Photo detector array |
US8344313B2 (en) * | 2005-10-07 | 2013-01-01 | Integrated Digital Technologies, Inc. | Optical input type touch system and feedback control method thereof |
US20070109239A1 (en) * | 2005-11-14 | 2007-05-17 | Den Boer Willem | Integrated light sensitive liquid crystal display |
JP2007141799A (ja) * | 2005-11-22 | 2007-06-07 | Nec Lcd Technologies Ltd | 面照明光源、該面照明光源に用いられる輝度補正回路及び輝度補正方法 |
DE102005061336A1 (de) * | 2005-12-21 | 2007-06-28 | Rohde & Schwarz Gmbh & Co. Kg | Gehäuse zur Abschirmung von elektromagnetischen Störungen |
JP4557228B2 (ja) * | 2006-03-16 | 2010-10-06 | ソニー株式会社 | 電気光学装置および電子機器 |
JP2007256496A (ja) * | 2006-03-22 | 2007-10-04 | Fujifilm Corp | 液晶表示装置 |
US8610670B2 (en) * | 2006-08-31 | 2013-12-17 | Japan Display West Inc. | Imaging and display apparatus, information input apparatus, object detection medium, and object detection method |
KR101003170B1 (ko) * | 2006-09-25 | 2010-12-22 | 인테그레이티드 디지털 테크놀로지스, 인코포레이티드 | 광 검출기 어레이 |
JP4356026B2 (ja) * | 2006-10-10 | 2009-11-04 | ソニー株式会社 | 表示装置、受光方法、および情報処理装置 |
KR101365491B1 (ko) * | 2006-11-17 | 2014-02-24 | 삼성디스플레이 주식회사 | 디스플레이장치 |
JP4932526B2 (ja) * | 2007-02-20 | 2012-05-16 | 株式会社 日立ディスプレイズ | 画面入力機能付き画像表示装置 |
US8674949B2 (en) * | 2007-02-20 | 2014-03-18 | Japan Displays Inc. | Liquid crystal display apparatus |
US8319703B2 (en) | 2007-06-28 | 2012-11-27 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Rendering an image pixel in a composite display |
US20090323341A1 (en) * | 2007-06-28 | 2009-12-31 | Boundary Net, Incorporated | Convective cooling based lighting fixtures |
TWI352922B (en) * | 2007-08-22 | 2011-11-21 | Hannstar Display Corp | Display device and related positioning method |
US20090109359A1 (en) * | 2007-10-30 | 2009-04-30 | Po-Sheng Shih | Display device and related positioning method |
US8154523B2 (en) | 2007-12-13 | 2012-04-10 | Eastman Kodak Company | Electronic device, display and touch-sensitive user interface |
EP2075787A3 (en) | 2007-12-26 | 2010-07-07 | TPO Displays Corp. | Display devices with ambient light sensing |
US8451233B2 (en) * | 2008-02-13 | 2013-05-28 | Himax Technologies Limited | Sensor pixel and touch panel thereof |
JP4919094B2 (ja) * | 2008-04-18 | 2012-04-18 | ソニー株式会社 | 画像表示装置および画像表示装置の駆動方法 |
KR101286543B1 (ko) | 2008-05-21 | 2013-07-17 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시장치 |
US8629842B2 (en) * | 2008-07-11 | 2014-01-14 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light emitting display device |
US8928597B2 (en) * | 2008-07-11 | 2015-01-06 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light emitting display device |
US9342176B2 (en) * | 2008-07-21 | 2016-05-17 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light emitting display device |
US20100019993A1 (en) * | 2008-07-23 | 2010-01-28 | Boundary Net, Incorporated | Calibrating pixel elements |
JP4770906B2 (ja) * | 2008-10-07 | 2011-09-14 | ソニー株式会社 | 表示装置 |
JP4690473B2 (ja) * | 2009-03-06 | 2011-06-01 | シャープ株式会社 | 画像解析装置、画像解析方法、撮像装置、画像解析プログラムおよび記録媒体 |
KR101058106B1 (ko) * | 2009-08-06 | 2011-08-24 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 표시 장치 |
TWI425489B (zh) * | 2009-12-21 | 2014-02-01 | Innolux Corp | 液晶顯示裝置 |
TWI418908B (zh) | 2010-06-15 | 2013-12-11 | Ind Tech Res Inst | 主動式光感測畫素、主動式光感測陣列以及光感測方法 |
US9310923B2 (en) | 2010-12-03 | 2016-04-12 | Apple Inc. | Input device for touch sensitive devices |
US8638320B2 (en) | 2011-06-22 | 2014-01-28 | Apple Inc. | Stylus orientation detection |
US9329703B2 (en) | 2011-06-22 | 2016-05-03 | Apple Inc. | Intelligent stylus |
US8928635B2 (en) | 2011-06-22 | 2015-01-06 | Apple Inc. | Active stylus |
KR101854187B1 (ko) * | 2011-07-28 | 2018-05-08 | 삼성전자주식회사 | 광센싱 장치 및 그 구동 방법, 광센싱 장치를 포함하는 광터치 스크린 장치 |
KR101874034B1 (ko) * | 2012-02-10 | 2018-07-06 | 삼성디스플레이 주식회사 | 광 센서, 이를 포함하는 표시 장치 및 그 구동 방법 |
US20130287272A1 (en) * | 2012-04-29 | 2013-10-31 | Yang Lu | Methods and Apparatus of Integrating Fingerprint Imagers with Touch Panels and Displays |
US8918565B2 (en) * | 2012-05-19 | 2014-12-23 | Robert Dennis Kennedy | Tablet computer screen and mobile phone screen to digital I/O converter |
US9557845B2 (en) | 2012-07-27 | 2017-01-31 | Apple Inc. | Input device for and method of communication with capacitive devices through frequency variation |
US9176604B2 (en) | 2012-07-27 | 2015-11-03 | Apple Inc. | Stylus device |
US9652090B2 (en) | 2012-07-27 | 2017-05-16 | Apple Inc. | Device for digital communication through capacitive coupling |
US10048775B2 (en) | 2013-03-14 | 2018-08-14 | Apple Inc. | Stylus detection and demodulation |
CN105518861B (zh) * | 2013-06-20 | 2018-10-02 | 斯坦舍有限公司 | 用于cmos传感器的栅控电荷调制器件 |
US9459696B2 (en) | 2013-07-08 | 2016-10-04 | Google Technology Holdings LLC | Gesture-sensitive display |
US10845901B2 (en) | 2013-07-31 | 2020-11-24 | Apple Inc. | Touch controller architecture |
US10061449B2 (en) | 2014-12-04 | 2018-08-28 | Apple Inc. | Coarse scan and targeted active mode scan for touch and stylus |
KR101718476B1 (ko) * | 2015-09-17 | 2017-03-21 | 주식회사 비욘드아이즈 | 지문 인식 기능을 구비한 표시 장치 |
US10474277B2 (en) | 2016-05-31 | 2019-11-12 | Apple Inc. | Position-based stylus communication |
CN106940602B (zh) * | 2017-03-14 | 2020-04-03 | 合肥鑫晟光电科技有限公司 | 显示面板、感光触控电路及其控制方法 |
KR102470567B1 (ko) * | 2017-07-10 | 2022-11-24 | 엘지디스플레이 주식회사 | 광학센서 내장형 표시장치 |
CN109067942B (zh) * | 2018-08-03 | 2021-03-16 | Oppo广东移动通信有限公司 | 显示屏和具有其的电子装置 |
WO2021105561A1 (en) * | 2019-11-29 | 2021-06-03 | Beneq Oy | Display arrangement and method |
US11729345B2 (en) * | 2020-05-29 | 2023-08-15 | Uchicago Argonne, Llc | Digital encoding algorithm for pixelated detectors |
KR20230171053A (ko) * | 2022-06-10 | 2023-12-20 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
Family Cites Families (29)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4655552A (en) | 1984-03-17 | 1987-04-07 | Citizen Watch Co., Ltd. | Flat panel display device having on-screen data input function |
JPS6244796A (ja) * | 1985-08-23 | 1987-02-26 | 株式会社日立製作所 | 撮像表示装置 |
GB2223618A (en) * | 1988-10-07 | 1990-04-11 | Philips Electronic Associated | Display devices |
DE3834917A1 (de) | 1988-10-13 | 1990-04-19 | Kloeckner Ferromatik Desma | Duese fuer spritzgiessmaschinen |
JP2816979B2 (ja) | 1989-02-13 | 1998-10-27 | 日本フィリップス株式会社 | 入力機能付き表示装置 |
GB2245708A (en) * | 1990-06-29 | 1992-01-08 | Philips Electronic Associated | Touch sensor array systems |
GB9108226D0 (en) * | 1991-04-17 | 1991-06-05 | Philips Electronic Associated | Optical touch input device |
JPH05121715A (ja) * | 1991-10-25 | 1993-05-18 | Hitachi Ltd | 密着型2次元ホトセンサおよびその製造方法 |
JP3139134B2 (ja) * | 1992-06-03 | 2001-02-26 | カシオ計算機株式会社 | 液晶表示装置 |
US5861583A (en) * | 1992-06-08 | 1999-01-19 | Synaptics, Incorporated | Object position detector |
US5880411A (en) * | 1992-06-08 | 1999-03-09 | Synaptics, Incorporated | Object position detector with edge motion feature and gesture recognition |
JP3064737B2 (ja) * | 1993-03-19 | 2000-07-12 | 富士ゼロックス株式会社 | 画像入出力装置 |
JP3021282B2 (ja) * | 1994-05-31 | 2000-03-15 | シャープ株式会社 | 液晶ディスプレイ装置 |
US5812109A (en) * | 1994-08-23 | 1998-09-22 | Canon Kabushiki Kaisha | Image input/output apparatus |
US5536950A (en) | 1994-10-28 | 1996-07-16 | Honeywell Inc. | High resolution active matrix LCD cell design |
US5536932A (en) * | 1995-02-10 | 1996-07-16 | Xerox Corporation | Polysilicon multiplexer for two-dimensional image sensor arrays |
US6058223A (en) | 1996-06-27 | 2000-05-02 | The Johns Hopkins University | Video-centroid integrated circuit |
US5945972A (en) * | 1995-11-30 | 1999-08-31 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Display device |
JPH116991A (ja) * | 1997-04-22 | 1999-01-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 画像読み取り機能付き液晶表示装置、および画像読み取り方法 |
US6392636B1 (en) * | 1998-01-22 | 2002-05-21 | Stmicroelectronics, Inc. | Touchpad providing screen cursor/pointer movement control |
JPH11326954A (ja) * | 1998-05-15 | 1999-11-26 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
JP2000330090A (ja) * | 1999-05-17 | 2000-11-30 | Ind Technol Res Inst | インテグレーテッド・イメージセンサー及びlcdのアクティブマトリクスアレイ及びその半導体装置の構造 |
US6747638B2 (en) | 2000-01-31 | 2004-06-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Adhesion type area sensor and display device having adhesion type area sensor |
JP4112184B2 (ja) * | 2000-01-31 | 2008-07-02 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | エリアセンサ及び表示装置 |
US6661733B1 (en) * | 2000-06-15 | 2003-12-09 | Altera Corporation | Dual-port SRAM in a programmable logic device |
JP4797129B2 (ja) * | 2000-06-16 | 2011-10-19 | 株式会社 日立ディスプレイズ | アクティブマトリクス型表示装置 |
JP4929431B2 (ja) * | 2000-11-10 | 2012-05-09 | Nltテクノロジー株式会社 | パネル表示装置のデータ線駆動回路 |
US6587097B1 (en) * | 2000-11-28 | 2003-07-01 | 3M Innovative Properties Co. | Display system |
US7184009B2 (en) | 2002-06-21 | 2007-02-27 | Nokia Corporation | Display circuit with optical sensor |
-
2002
- 2002-06-21 US US10/176,741 patent/US7184009B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2003
- 2003-06-18 WO PCT/IB2003/002777 patent/WO2004001712A1/en active Application Filing
- 2003-06-18 AU AU2003237036A patent/AU2003237036A1/en not_active Abandoned
- 2003-06-18 JP JP2004515369A patent/JP4571492B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2003-06-18 EP EP03735937A patent/EP1516309B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2003-06-18 AT AT03735937T patent/ATE527646T1/de not_active IP Right Cessation
- 2003-06-18 DK DK03735937.9T patent/DK1516309T3/da active
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