CN115172383A - 一种发光面板及其制备方法、显示装置和背光模组 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种发光面板及其制备方法、显示装置和背光模组，通过在在发光面板的驱动基板上增设分隔结构，在驱动基板的表面设置第一连接电极，在分隔结构的至少部分侧壁设置第二连接电极；将发光元件限制在分隔结构之间，且重新设置发光元件的连接电极的结构和位置，使得发光元件的第一电极位于发光主体靠近驱动基板的一侧且与第一连接电极电连接，第二电极覆盖发光主体的至少部分发光侧壁且与第二连接电极电连接，利用发光元件的第二电极做遮光挡墙对其侧壁出光进行遮挡，避免发光元件侧面出光泄露，提高了发明面板的显示效果；利用分隔结构限定发光元件的转移位置，提高了转移对位精度；利用分隔结构至少部分侧壁上的第二连接电极，保证了发光元件的电极与驱动基板的电连接，提高了转移成功率低，保证了发光面板的显示效果。

Description

一种发光面板及其制备方法、显示装置和背光模组
技术领域
本发明实施例涉及显示技术领域，尤其涉及一种发光面板及其制备方法、显示装置和背光模组。
背景技术
随着信息时代的进步，MiniLED、microLED在显示行业中应用越来越广泛，通常将其作为背光或者直接作为发光面板应用。
LED制造、应用和转移技术在LED显示领域对制造可行性有着至关重要的影响，目前LED存在漏光的问题，其快速转移技术、转移精度还有很大发展空间。
发明内容
本发明提供一种发光面板及其制备方法、发光面板和显示装置，通过在发光面板的驱动基板上采用与发光元件互补的挖槽结构，形成分隔结构，发光元件位于分隔结构限定的区域，发光元件的第一电极位于发光主体靠近驱动基板的一侧且与第一连接电极电连接，第二电极覆盖发光主体的至少部分发光侧壁且与第二连接电极电连接，利用发光元件的第二电极做遮光挡墙对其侧壁出光进行遮挡，结合晶片切割离形工艺进行点对点定位转移，解决了发光元件侧向漏光、快速转移、精准对位问题，保证了发光面板的显示效果。
第一方面，本发明实施例提供了一种发光面板，包括驱动基板以及位于所述驱动基板一侧的发光元件；
所述驱动基板包括分隔结构、第一连接电极和第二连接电极，所述分隔结构位于所述驱动基板表面，所述第一连接电极位于所述驱动基板表面且位于相邻两个所述分隔基板之间，所述第二连接电极覆盖所述分隔结构的至少部分分隔侧壁；
所述发光元件包括发光主体、第一电极和第二电极，所述第一电极位于所述发光主体靠近所述驱动基板的一侧且与所述第一连接电极电连接，所述第二电极覆盖所述发光主体的至少部分发光侧壁且与所述第二连接电极电连接。
第二方面，本发明实施例提供了一种发光面板的制备方法，包括：
提供驱动基板；所述驱动基板包括分隔结构、第一连接电极和第二连接电极，所述分隔结构位于所述驱动基板表面，所述第一连接电极位于所述驱动基板表面且位于相邻两个所述分隔基板之间，所述第二连接电极覆盖所述分隔结构的至少部分分隔侧壁；
制备发光元件；所述发光元件包括发光主体、第一电极和第二电极，所述第一电极位于所述发光主体靠近所述驱动基本的一侧，所述第二电极覆盖所述发光主体的至少部分发光侧壁；
转移所述发光元件至所述提供驱动基板的一侧；所述第一电极与所述第一连接电极电连接，所述第二电极与所述第二连接电极电连接。
第三方面，本发明实施例提供了一种显示装置，包括第一方面提供的发光面板。
第四方面，本发明实施例提供了一种背光模组，包括第一方面提供的发光面板。
本发明实施例提供的发光面板，通过在在发光面板的驱动基板上增设分隔结构，在驱动基板的表面设置第一连接电极，在分隔结构的至少部分侧壁设置第二连接电极；将发光元件限制在分隔结构之间，且重新设置发光元件的连接电极的结构和位置，使得发光元件的第一电极位于发光主体靠近驱动基板的一侧且与第一连接电极电连接，第二电极覆盖发光主体的至少部分发光侧壁且与第二连接电极电连接，利用发光元件的第二电极做遮光挡墙对其侧壁出光进行遮挡，避免发光元件侧面出光泄露，提高了发明面板的显示效果；利用分隔结构限定发光元件的转移位置，提高了转移对位精度；利用分隔结构至少部分侧壁上的第二连接电极，保证了发光元件的电极与驱动基板的电连接，提高了转移成功率低，保证了发光面板的显示效果。
附图说明
图1是现有技术提供的一种发光面板的结构示意图；
图2是本发明实施例提供的一种发光面板的俯视结构示意图；
图3是图2中沿AA’方向的一种发光面板的截面示意图；
图4是图2中沿AA’方向的另一种发光面板的截面示意图；
图5是图2中沿AA’方向的另一种发光面板的截面示意图；
图6是图4中提供的一种第二电极的截面放大示意图；
图7是图4中提供的一种第二连接电极的截面放大示意图；
图8是图2中沿AA’方向的另一种发光面板的截面结构示意图；
图9是图2中沿AA’方向的另一种发光面板的截面结构示意图；
图10是图2中沿AA’方向的另一种发光面板的截面结构示意图；
图11是本发明实施例提供的另一种发光面板的俯视结构示意图；
图12是本发明实施例提供的另一种发光面板的俯视结构示意图；
图13是本发明实施例提供的一种发光面板的制备方法的流程示意图；
图14-图15为与图13提供的发光面板对应的制备工艺流程示意图；
图16是本发明实施例提供的一种发光元件的制备方法的流程示意图；
图17-图25为与图16提供的发光元件对应的制备工艺流程示意图；
图26是本发明实施例提供的一种发光面板的制备方法的流程示意图；
图27-图28为与图26提供的发光面板对应的制备工艺流程示意图；
图29是本发明实施例提供的一种发光面板的制备方法的流程示意图；
图30-图31为与图29提供的发光面板对应的制备工艺流程示意图；
图32是本发明实施例提供的一种显示装置的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明，而非对本发明的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部结构。
图1是现有技术提供的一种发光面板的结构示意图。如图1所示，现有技术中的一种发光面板100包括驱动基板10以及位于驱动基板10一侧的发光元件11，发光元件11包括传统倒装LED、MiniLED、microLED，其连接电极位通常位于发光元件11的同一侧，当发光元件11向驱动基板10快速转移中，存在转移速度慢，发光元件11的电极110与驱动基板10电连接存在对位精度低、转移成功率低的问题，晶片贴合稳定性相对较差的技术问题；同时，发光元件11的侧壁存在漏光，影响显示面板的显示效果。
基于上述技术问题，发明人研究发现，可以在发光面板的驱动基板上增设分隔结构，在驱动基板的表面设置第一连接电极，在分隔结构的至少部分侧壁设置第二连接电极；将发光元件限制在分隔结构之间，且重新设置发光元件的连接电极的结构和位置，使得发光元件的第一电极位于发光主体靠近驱动基板的一侧且与第一连接电极电连接，第二电极覆盖发光主体的至少部分发光侧壁且与第二连接电极电连接，利用第二电极做遮光挡墙对发光元件侧壁出光进行遮挡，以减小侧面出光，提高发明面板的显示效果；利用分隔结构限定发光元件的转移位置，提高转移对位精度，利用分隔结构的第二连接电极，保证发光元件的电极与驱动基板的电连接面积，提高贴合稳定性和转移成功率，降低驱动基板的设计难度。基于此，发明人进一步研究出本发明实施例的技术方案。具体的，本发明实施例提供一种发光面板，该发光面板包括驱动基板以及位于驱动基板一侧的发光元件；驱动基板包括分隔结构、第一连接电极和第二连接电极，分隔结构位于驱动基板表面，第一连接电极位于驱动基板表面且位于相邻两个分隔基板之间，第二连接电极覆盖分隔结构的至少部分分隔侧壁；发光元件包括发光主体、第一电极和第二电极，第一电极位于发光主体靠近驱动基板的一侧且与第一连接电极电连接，第二电极覆盖发光主体的至少部分发光侧壁且与第二连接电极电连接。
采用上述技术方案，利用发光元件的第二电极做遮光挡墙对其侧壁出光进行遮挡，避免发光元件侧面出光泄露，提高了发明面板的显示效果；利用分隔结构限定发光元件的转移位置，提高了转移对位精度；利用分隔结构至少部分侧壁上的第二连接电极，保证了发光元件的电极与驱动基板的电连接，提高了转移成功率，保证了发光面板的显示效果。
以上是本发明的核心思想，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下，所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
图2是本发明实施例提供的一种发光面板的俯视结构示意图；图3是图2中沿AA’方向的一种发光面板的截面示意图；图4是图2中沿AA’方向的另一种发光面板的截面示意图；图5是图2中沿AA’方向的另一种发光面板的截面示意图。结合图2-图5所示，本发明实施例提供的发光面板200包括驱动基板20以及位于驱动基板20一侧的发光元件30；驱动基板20包括分隔结构21、第一连接电极22和第二连接电极23，分隔结构21位于驱动基板20表面，第一连接电极22位于驱动基板20表面且位于相邻两个分隔结构21之间，第二连接电极23覆盖分隔结构21的至少部分分隔侧壁；发光元件30包括发光主体31、第一电极32和第二电极33，第一电极32位于发光主体31靠近驱动基板20的一侧且与第一连接电极22电连接，第二电极33覆盖发光主体31的至少部分发光侧壁且与第二连接电极23电连接。
具体的，结合图2-图5所示，本发明实施例提供的发光面板200包括驱动基板20以及位于驱动基板20一侧的发光元件30。在驱动基板20的表面设置多个分隔结构21，发光元件30位于分隔结构21限定的空间内，分隔结构21形成挡墙，用于精准固定发光元件30。利用分隔结构21限定发光元件30的转移位置，提高转移对位精度。在相邻分隔结构21限定的驱动基板20的表面设置第一连接电极22，在分隔结构21的部分侧壁或者全部侧壁设置第二连接电极23，其材料可以采用Au、Ag、Cu、Ni、Pt、Pd、Al、Mo、W和Ti中的至少一种等金属导电材料，或者氧化铟锡(ITO)、铟镓锌氧化物(IGZO)、GZO、IZO(InZnO)、AZO(AlZnO)等透明导电材料。
发光元件30均可为本领域技术人员可知的任一种LED发光元件，例如可以包括Mini-LED(次微型发光二极管)、Micro-LED(微型发光二极管)等。调整发光元件30的第一电极32和第二电极33的位置和面积，将发光元件30的第一电极32设置在发光主体31靠近驱动基板20的一侧，将发光元件30的第二电极33覆盖发光主体31全部侧壁或者部分覆盖发光主体的侧壁，由于两个电极位于发光主体31的下底(倒装结构)和侧壁，使得发光元件30转移贴片过程中无需识别LED正负极，提高了转移效率和转移成功率；同时可以利用第二电极做遮光挡墙对发光元件30的侧壁出光进行遮挡，减小侧面出光，提高发明面板的显示效果；进一步，设置发光元件30的第一电极32与分隔结构21表面的第一连接电极22电连接，设置发光元件30的第二电极33与分隔结构21侧壁的第二连接电极23电连接，保证发光元件30的电极与驱动基板20的电连接面积，提高贴合稳定性，驱动基板20通过第一连接电极22和第二连接电极23驱动发光元件30发光，降低了驱动基板的设计难度，保证了发光面板的正常显示效果。
具体的，下面以发光元件为Micro-LED为例进行说明。结合图2所示，驱动基板20包括衬底基板201以及依次位于衬底基板201一侧缓冲层202和像素电路层40。衬底基板201可为柔性基板，也可为刚性基板，例如，采用具有柔性的任意合适的绝缘材料形成，用于阻挡氧和湿气，防止湿气或杂质通过衬底基板向发光面板200内部扩散，本发明实施例对衬底基板的材料类型不作限定。像素电路层40用于驱动多个发光元件30发光。
具体的，像素电路层40可以包括多个周期性排布的薄膜晶体管50(Thin FilmTransistor，TFT)以及由薄膜晶体管50构成的像素电路，像素电路用于驱动发光元件30发光。示例性的，本实施例以顶栅型的薄膜晶体管50为例进行结构说明，像素电路层40的结构包括位于缓冲层202上的有源层51，位于有源层51上的栅极绝缘层401，位于栅极绝缘层401上的栅极层52，位于栅极层52上的层间绝缘层402，位于层间绝缘层402上的源电极53和漏电极54，源电极53和漏电极54分别通过接触孔电连接到有源层51上的源极区域和漏极区域，位于源电极53和漏电极54上的平坦化层403，具有平坦化作用，位于平坦化层403上的第一连接电极22，第一连接电极22与发光元件30的第一电极32电极电连接，用于提供发光电压。其中，图2中，第一电极32为发光元件30的阳极；在其他实施例中，第一连接电极22也可以与发光元件30的第二电极33电连接(图中未示出)，第二电极33为发光元件30的阴极。栅极绝缘层401和层间绝缘层402可以由氧化硅或氮化硅等的无机绝缘层形成，平坦化层403可以由有机绝缘层形成。图2中仅仅示出了三个薄膜晶体管50与其对应的三个发光元件30，更多的薄膜晶体管50结构这里不再做一一示出。
需要说明的是，发光面板200还包括其他结构，例如位于发光元件远离驱动基板一侧的薄膜封装层等，多个膜层结构共同工作实现发光面板的图像显示，这里不再做一一列举。
综上，发明实施例提供的发光面板，通过在在发光面板的驱动基板上增设分隔结构，在驱动基板的表面设置第一连接电极，在分隔结构的至少部分侧壁设置第二连接电极；将发光元件限制在分隔结构之间，且重新设置发光元件的连接电极的结构和位置，使得发光元件的第一电极位于发光主体靠近驱动基板的一侧且与第一连接电极电连接，第二电极覆盖发光主体的至少部分发光侧壁且与第二连接电极电连接，利用发光元件的第二电极做遮光挡墙对其侧壁出光进行遮挡，避免发光元件侧面出光泄露，提高了发明面板的显示效果；利用分隔结构限定发光元件的转移位置，提高了转移对位精度；利用分隔结构至少部分侧壁上的第二连接电极，保证了发光元件的电极与驱动基板的电连接，提高了转移成功率低，保证了发光面板的显示效果。
在上述实施例的基础上，继续参照图3-图5所示，可选的，发光主体31包括叠层设置的第一半导体层311、发光复合层312和第二半导体层313，第一半导体层311位于靠近驱动基板20的一侧；第一半导体层311与第一电极32电连接，第二半导体层313与第二电极33电连接；沿发光面板的厚度方向(如图中Z方向所示)，发光复合层312覆盖第一半导体层311，且发光复合层312的投影面积大于第一半导体层311的投影面积，第二半导体层313覆盖发光复合层312，且第二半导体层313的投影面积大于发光复合层312的投影面积。
具体的，继续参照图2所示，沿图中Z方向，发光主体31包括叠层设置的第一半导体层311、发光复合层312和第二半导体层313，第一半导体层311可以是P型半导体层，第一连接电极22可以为P端焊盘；第二半导体层313可以是N型半导体层，第二连接电极23可以为N端焊盘；发光复合层312包括多量子阱发光层。沿图中Z方向，设置第一半导体层311的投影面积、发光复合层312的投影面积和第二半导体层313的投影面积依次增大，构成形成倒金字塔形状的发光元件30，可以降低发光主体31的制备工艺难度，有利于发光元件30转移至分隔结构21限制的区域内；通过增大发光主体31的侧壁面积，使得第二电极33的制备方式简单。其中，发光主体31还包缓冲层314，用于解决半导体层与衬底之间晶格失配的问题。
作为一种可行的实施例方式，继续参照图3-图5所示，可选的，分隔结构21限定发光元件的设置区域，设置区域包括靠近驱动基板20一侧的第一开口D1以及远离驱动基板20一侧的第二开口D2；沿发光元件的厚度方向(如图中Z方向所示)，第二开口D2覆盖第一开口D1且第二开口D2的投影面积大于第一开口D1的投影面积。
具体的，分隔结构21限定发光元件30的设置区域，相邻分隔结构21之间形成凹槽，发光元件30嵌于凹槽内。考虑到设置区域的厚度，沿图中Z方向，将设置区域设置成贯通的第一开口D1和第二开口D2，第二开口D2覆盖第一开口D1且第二开口D2的投影面积大于第一开口D1的投影面积，使得设置区域的凹槽形状与发光元件30的倒金字塔形状结构匹配，便于对位贴合，提高发光元件30的对位精度。
作为一种可行的实施例方式，继续参照图3所示，可选的，第二电极33覆盖发光主体31的全部发光侧壁。
具体的，将发光元件30的第二电极33整面覆盖发光主体31的全部发光侧壁，第二电极33复用为遮光挡墙，可以对发光元件30的侧面出光进行遮挡，避免侧面出光泄露，提高了显示面板正视角出光的成像效果。
在上述实施例的基础上，继续参照图3所示，可选的，分隔侧壁包括相互连接的第一侧面分部P1和第二侧面分部P2，第一侧面分部P1位于第二侧面分部P2远离驱动基板20的一侧；第二连接电极23覆盖第二侧面分部P2。
具体的，分隔结构21形成如图3所示的凹槽结构，沿图中Z方向，设置分隔结构21的分隔侧壁包括相互连接的第二侧面分部P2和第一侧面分部P1，将第二连接电极23覆盖第二侧面分部P2的表面，有利于发光元件30的第二电极33与第二连接电极23电连接。
在上述实施例的基础上，继续参照图3所示，通过合理控制分隔结构21第一开口D1和第二开口D2的尺寸，精准控制发光元件30的嵌入分隔结构21限定的设置区域内，使得第一电极32与驱动基板20表面的第一连接电极22接触电连接以及第二电极33与分隔结构21第二侧面分部P2的第二连接电极23接触电连接。
图6是图4中提供的一种第二电极的截面放大示意图；图7是图4中提供的一种第二连接电极的截面放大示意图。在上述实施例的基础上，继续参照4、图6和图7所示，第二电极33包括相互连接的第一电极分部331和第二电极分部332，第一电极分部331覆盖发光主体31的至少部分侧壁，第二电极分部332部分覆盖发光主体31靠近驱动基板20的一侧的表面；第二连接电极23包括相互连接的第一连接分部231和第二连接分部232，第一连接分部231覆盖第二侧面分部P2，第二连接分部232部分覆盖分隔结构21靠近发光元件30一侧的表面；至少第二电极分部332与第二连接分部232电连接。
具体的，如图4、图6和图7所示，实际生产中，发光元件30的尺寸通常小于分隔结构21限定的设置区域，即凹槽尺寸，为了保证发光元件30与驱动基板20电连接，可以沿水平方向(如中图X方向)延长第二电极分部332和第二连接分部232的长度，增大水平接触面积，利用发光元件30自身的重力，确保电连接。设置第二电极33的第一电极分部331覆盖发光主体31的至少部分侧壁，如图4中示出了第一电极分部331覆盖发光主体31的全部侧壁，与第一电极分部331连接的第二电极分部332部分覆盖发光主体31靠近驱动基板20的一侧的表面；与之相对的，设置第二连接电极23的第一连接分部231覆盖第二侧面分部P2，与第一连接分部231连接的第二连接分部232部分覆盖驱动基板20靠近发光元件30一侧的表面，以便于发光元件30的第二电极33与第二连接电极23电连接。
可选的，第一电极32与第一连接电极22通过第一焊接部61电连接，第二电极分部332与第二连接分部232通过第二焊接部62电连接。第一焊接部61和第二焊接部62可以采用导电性好、电阻率小的材料，如锡膏、银胶、导电胶等，保证第一电极32与第一连接电极22的电连接，第二电极分部332与第二连接分部232的电连接，同时可以降低电阻损耗，保证发光元件30的发光亮度。
在上述实施例的基础上，继续参照4所示，发光面板200还包括位于第一焊接部61和第二焊接部62之间的第一绝缘部71。第一绝缘部71采用低熔点绝缘材料，起到第一焊接部61和第二焊接部62之间电绝缘，保证发光元件30的正常显示。
作为一种可行的实施例方式，继续参照图4所示，沿发光面板的厚度方向(如图中Z方向所示)，发光主体31包括叠层设置的第一半导体层311、发光复合层312和第二半导体层313，第一半导体层311位于靠近驱动基板20的一侧；第一电极分部331覆盖第二半导体层313的至少部分侧壁且与第二半导体层313电连接；发光主体31还包括第一绝缘层315，第一绝缘层315位于第一电极分部331和发光主体31之间，且还覆盖第一半导体层311靠近驱动基板20的一侧的部分表面；发光面板200还包括第二绝缘层316，第二绝缘层316位于驱动基板20的一侧且位于第二连接分部232和第一连接电极22之间。
具体的，沿图4中Z方向，发光主体31包括叠层设置的第一半导体层311、发光复合层312和第二半导体层313，第一半导体层311位于靠近驱动基板20的一侧。在第一电极分部331和发光主体31之间设置第一绝缘层315，第一绝缘层315沿图中X方向延伸覆盖第一半导体层311靠近驱动基板20的一侧的部分表面，避免第一电极分部331与第一半导体层311和发光复合层312接触；在第一绝缘层315覆盖第二半导体层313的侧壁区域预留出间断的空隙D3，使得第一电极分部331通过间断的空隙D3覆盖第二半导体层313的至少部分侧壁或表面，形成与第二半导体层313的电连接，保证发光元件30的驱动显示。进一步，在驱动基板20的一侧且在第二连接分部232和第一连接电极22之间设置第二绝缘层316，可以避免第二连接分部232和第一连接电极22电连接，其中第一绝缘层315和第二绝缘层316可以由氧化硅或氮化硅等的无机绝缘层形成。
作为一种可行的实施例方式，结合图5所示，分隔结构21包括第一分隔结构211和第二分隔结构212，沿发光面板的厚度方向(如图中Z方向所示)，第一分隔结构211的高度小于第二分隔结构212的高度；第二连接电极23覆盖第一分隔结构211靠近第二分隔结构212的全部侧壁和第二分隔结构212靠近第一分隔结构211的全部侧壁。
具体的，结合图5所示，设置分隔结构21包括相邻的第一分隔结构211和第二分隔结构212，形成如图中第一分隔结构211-第二分隔结构212-第一分隔结构211的结构，同时设置第一分隔结构211的高度小于第二分隔结构212的高度，形成倒置金字塔型，以使发光元件30的金字塔型结构嵌入；在第一分隔结构211和第二分隔结构212相邻侧面设置第二连接电极23，使得第二连接电极23覆盖第一分隔结构211靠近第二分隔结构212的全部侧壁和第二分隔结构212靠近第一分隔结构211的全部侧壁，第二连接电极23采用反光材料，作为遮光挡墙，阻挡发光元件30之间的侧面出光的串扰；同时，第二连接电极23采用整面设置，还可以降低第二连接电极23的制备工艺难度，为第二电极33提供面积较大的电连接点，降低第二电极33与第二连接电极23之前电连接难度。
在上述实施例的基础上，继续参照图5所示，可选的，发光主体31包括第二半导体层313，发光侧面包括相互连接的第三侧面分部P3和第四侧面分部P4，第三侧面分部P3位于第四侧面分部P4远离驱动基板20的一侧，且第三侧面分部P3包括与第二半导体层313对应的发光侧面；第二电极33覆盖第三侧面分部P3。
具体的，沿图5中Z方向所示，发光主体31包括叠层设置的第一半导体层311、发光复合层312和第二半导体层313，第一半导体层311位于靠近驱动基板20的一侧，将发光主体31的发光侧面划分成相互连接的第三侧面分部P3和第四侧面分部P4，第三侧面分部P3包括与第二半导体层313对应的发光侧面，第四侧面分部P4包括与第一半导体层311、发光复合层312对应的发光侧面，至少在第二半导体层313对应的发光侧面覆盖第二电极33，以形成第二电极33与第二半导体层313的电连接，向第二半导体层313提供驱动电压。
图8是图2中沿AA’方向的另一种发光面板的截面结构示意图；图9是图2中沿AA’方向的另一种发光面板的截面结构示意图；图10是图2中沿AA’方向的另一种发光面板的截面结构示意图。作为一种可行的实施例方式，参照图8-图10所示，可选的，发光元件30还包括第一电极端34和第二电极端35；沿发光面板的厚度方向(如图中Z方向所示)，发光主体31包括第一半导体层311和第二半导体层313，第一电极端34位于第一半导体层311与第一电极32之间，分别与第一半导体层311和第一电极32电连接；第二电极端35位于第二电极33和第二半导体层313的侧壁之间且至少部分覆盖第二半导体层313的侧壁，分别与第二半导体层313和第二电极33电连接。
具体的，在第一半导体层311与第一电极32之间设置第一电极端34，保证第一电极32与第一半导体层311的电连接；在第二电极33和第二半导体层313的侧壁之间且在至少部分第二半导体层313的侧壁覆盖第二电极端35，如图8-图10所示，第二电极端35的覆盖面积可以灵活调整，可以增加第二电极33与第二半导体层313之间的粘附力，保证第二电极33与第二半导体层313的电连接，提高驱动电流扩展能力。
在上述实施例的基础上，继续参照图5和图8所示，可选的，发光面板200还包括覆盖第四侧面分部P4的第三绝缘层317。
具体的，在发光元件30的第四侧面分部P4设置第三绝缘层317，可以对第一半导体层311、发光复合层312的发光侧面进行保护，避免第二电极33和/或第二连接电极23与其电连接，造成驱动电压短路。
在上述实施例的基础上，继续参照图5和图8所示，可选的，至少部分第二电极33和第二连接电极23通过第三焊接部63电连接；第一电极32与第一连接电极22通过第四焊接部64电连接。
具体的，在第二分隔结构212的侧壁区域覆盖的第二连接电极23的至少部分表面设置第三焊接部63，第三焊接部63用于电连接第二电极33和第二连接电极23；在第一连接电极22的表面设置第四焊接部64，第四焊接部64用于电连接第一电极32与第一连接电极22；第三焊接部63和第四焊接部64可以采用导电性好、电阻率小的材料，如锡膏、银胶、导电胶等，保证第一电极32与第一连接电极22的电连接，第二电极分部332与第二连接分部232的电连接，保证发光元件30的正常发光。
在上述实施例的基础上，继续参照图5和图8所示，可选的，发光面板200还包括位于第三焊接部63和第四焊接部64之间的第二绝缘部72。
具体的，第二绝缘部72采用低熔点绝缘材料，可以是有机绝缘材料，例如：聚酰亚胺、聚酞亚胺、聚酞胺、丙烯酸树脂、苯并环丁烯或酚醛树脂等；或者无机绝缘材料，例如氧化硅SiO2、氮化硅SiN、氮氧化硅SiON等，此处不作限定。第二绝缘部72位于第三焊接部63和第四焊接部64之间，如图5和图8所示，第二绝缘部72填充第一连接电极22、第四焊接部64、部分第三绝缘层317和第一分隔结构211的部分侧壁形成的区间，以使第三焊接部63和第四焊接部64电绝缘，避免第一电极32和第二电极33的短路，保证驱动电压的传输和发光元件30的正常显示。
图11是本发明实施例提供的另一种发光面板的俯视结构示意图；图12是本发明实施例提供的另一种发光面板的俯视结构示意图。在上述实施例的基础上，结合图2-图11和图12所示，发光元件30的投影形状包括多边形或者圆形。
具体的，沿垂直发光面板的厚度方向，发光元件30的投影形状包括多边形(图2、图11所示)或者圆形(如图12所示)，发光元件30排列方式可以按四边形排布或蜂窝状排布。其中，发光元件30的截面使用圆形结构可以规避发光元件30转移中由于旋转造成的与分隔结构21的限定区域匹配不佳的问题，提高发光元件30的转移成功率；发光元件30的截面使用六边形(六棱台)，六边形结构相对圆形结构可以提高LED晶片利用率，同时由于其各个角为120°，可以降低其切割工艺难度，切割缺陷优于正方形结构。优选的，六边形结构采用蜂窝状排布，可以提高发光面板200的排布密度和发光亮度。
基于同样的发明构思，本发明实施例还提供了一种发光面板的制备方法，用于制备上述实施例提供的发光面板。图13是本发明实施例提供的一种发光面板的制备方法的流程示意图；图14-图15为与图13提供的发光面板对应的制备工艺流程示意图。结合图13-图15所示，本发明实施例提供的发光面板的制备方法包括：
S101、提供驱动基板。
其中，驱动基板20包括分隔结构21、第一连接电极22和第二连接电极23，分隔结构21位于驱动基板20表面，第一连接电极22位于驱动基板20表面且位于相邻两个分隔结构21之间，第二连接电极23覆盖分隔结构21的至少部分分隔侧壁。
具体的，结合图14所示，提供衬底基板201，在衬底基板201的一侧依次制备缓冲层202和像素电路层40，像素电路层40用于驱动多个发光元件30发光。像素电路层40的结构和连接关系可参照图3所示，这里不再赘述。
像素电路层40的电极制备完成后，在驱动基板20的一侧制备具有挡墙功能的分隔结构21，一种可行的实施例方式，可以在在驱动基板20的一侧定点挖槽，相邻的分隔结构21之间形成凹槽，可以精准固定发光元件30。在相邻两个分隔结构21之间的驱动基板20表面沉积第一连接电极22，在分隔结构21的至少部分分隔侧壁沉积第二连接电极23。
S102、制备发光元件。
其中，发光元件30包括发光主体31、第一电极32和第二电极33，第一电极32位于发光主体31靠近驱动基板20的一侧，第二电极33覆盖发光主体31的至少部分发光侧壁。
具体的，结合图15所示，采用晶片切割离形工艺制备发光元件的发光主体31，在发光主体31靠近驱动基板20的一侧制备第一电极32，在发光主体31全部侧壁或者部分覆盖发光主体的侧壁制备第二电极33。
S103、转移发光元件至提供驱动基板的一侧。
具体的，结合图21和图15所示，将制备好的发光元件30点对点转移至提供驱动基板20的分隔结构21限定的区域内，使得分隔结构21与发光元件30一一对应设置。由于两个电极位于发光主体31的下底(倒装结构)和侧壁，使得发光元件30转移贴片过程中无需识别LED正负极，提高了转移效率和转移成功率；同时利用第二电极做遮光挡墙对发光元件30的侧壁出光进行遮挡，减小侧面出光，提高发明面板的显示效果。
S104、电连接第一电极与第一连接电极，电连接第二电极与第二连接电极。
具体的，结合图3和图15所示，电连接第一电极32与第一连接电极22，电连接第二电极33与第二连接电极23。进一步，设置发光元件30的第一电极32与分隔结构21表面的第一连接电极22电连接，设置发光元件30的第二电极33与分隔结构21侧壁的第二连接电极23电连接，驱动基板20通过第一连接电极22和第二连接电极23驱动发光元件30发光，保证了发光面板的正常显示效果。
图16是本发明实施例提供的一种发光元件的制备方法的流程示意图；图17-图25为与图16提供的发光元件对应的制备工艺流程示意图。在上述实施例的基础上，步骤S102包括：
S21、提供转移基板。
S22、在转移基板的一侧制备离型层。
具体的，结合图17所示，提供转移基板301，转移基板301作为支撑衬底，在转移基板301的一侧沉积离型层302，当对发光元件30进行转移时，有利于发光元件30与转移基板301的分离。
S23、在离型层远离转移基板的一侧制备发光主体。
具体的，结合图18所示，在离型层302远离转移基板20的一侧依次沉积缓冲层314、第二半导体层313、发光复合层312和第一半导体层311，可以采用激光切割工艺进行切割，得到多个发光主体31，其中，沿图中Z方向，发光复合层312覆盖第一半导体层311且发光复合层312的投影面积大于第一半导体层311的投影面积，第二半导体层313覆盖发光复合层312且第二半导体层313的投影面积大于发光复合层312的投影面积，形成金字塔形状的发光主体31，在此基础上，还可以将第二半导体层313和发光复合层312的投影面积进一步缩小，以保证第一电极32与第一连接电极22电连接。
一种可行的发光元件的制备方法，结合图18-图20所示，在发光主体31的侧壁沉积第一绝缘层315，对覆盖第二半导体层313侧壁的第一绝缘层315部分去除，裸漏出的第二半导体层313的至少部分侧壁，如图19所示；在第一半导体层311远离转移基板301的一侧剩余表面覆盖第一电极32，第一电极32与第一半导体层311电连接，在发光主体31的侧壁覆盖第二电极33，第二电极33通过去除形成的空隙与第二半导体层313电连接，形成金字塔形状的发光元件30。
另一种可行的发光元件的制备方法，结合图22和图23所示，在发光主体31的侧壁以及第一半导体层311靠近驱动基板20的一侧的部分表面沉积第一绝缘层315，对覆盖第二半导体层313侧壁的第一绝缘层315部分去除，裸漏出的第二半导体层313的至少部分侧壁，如图22所示；在第一半导体层311远离转移基板301的一侧剩余表面覆盖第一电极32，第一电极32与第一半导体层311电连接，在发光主体31的侧壁以及延伸至第一绝缘层315远离第一半导体层311的一侧表面覆盖第二电极33，第二电极33包括相互连接的第一电极分部331和第二电极分部332，第一电极分部331覆盖发光主体31的全部侧壁，第二电极分部332部分覆盖发光主体31靠近驱动基板20的一侧的表面，第二电极33通过去除形成的空隙与第二半导体层313电连接，形成金字塔形状的发光元件30，如图23所示。
另一种可行的发光元件的制备方法，结合图24和图25所示，在发光主体31的侧壁沉积第一绝缘层315，对覆盖第二半导体层313侧壁的第一绝缘层315部分去除，裸漏出的第二半导体层313的侧壁，在第一半导体层311远离转移基板301的一侧表面覆盖第一电极32，第一电极32与第一半导体层311电连接，如图24所示；在发光主体31的侧壁以及延伸至第一绝缘层315远离第一半导体层311的一侧表面覆盖第二电极33，第二电极33通过去除形成的空隙与第二半导体层313电连接，形成金字塔形状的发光元件30，如图25所示。
S24、激光分离转移基板和发光主体。
具体的，结合图20、图21和图15所示，采用激光分离或者其他技术将发光元件30与驱动基板20上的离型层302分离，由于发光元件30按照驱动基板20内的分隔结构21进行切割和设计，将携带发光元件30的转移基板301与驱动基板20对位后直接分离，发光元件30利用重力作用接落入分隔结构21限定的区间中，如图15所示。采用该结构设计可以省去常规发光元件30从晶圆上分离后翻转-传输-拾取-对位-贴合一系列动作，由于发光元件30是金字塔形，仅需初步对位就能依靠重力达到较高的贴合精度，提高了转移效率，以及对位精度。
图26是本发明实施例提供的一种发光面板的制备方法的流程示意图；图27-图28为与图26提供的发光面板对应的制备工艺流程示意图。在上述实施例的基础上，结合图4、图26-图28所示，本发明实施例提供的另一种发光面板的制备方法包括：
S401、提供驱动基板。
如图27所示，驱动基板20包括分隔结构21、第一连接电极22和第二连接电极23，分隔结构21位于驱动基板20表面，第一连接电极22位于驱动基板20的部分表面且位于相邻两个分隔结构21之间，第二连接电极23包括相互连接的第一连接分部231和第二连接分部232，第一连接分部231覆盖分隔结构21的第二侧面分部P2，第二连接分部232部分覆盖分隔结构21靠近发光元件30一侧的表面，在第二连接分部232和第一连接电极22之间沉积第二绝缘层316，用于电绝缘。
S402、制备发光元件。
继续参照图17、图18、图22和图23所示。
S403、在第二绝缘层远离驱动基板的一侧的至少部分表面设置第一绝缘部。
参照图27所示，在第二绝缘层316远离驱动基板20的一侧的至少部分表面沉积第一绝缘部71，第一绝缘部71采用低熔点绝缘材料。
S404、在第一连接电极远离驱动基板的一侧的至少部分表面且在第一绝缘部远离第二连接分部的一侧制备第一焊接部。
S405、在第二连接分部远离驱动基板的一侧的至少部分表面且在第一绝缘部远离第一焊接部的一侧制备第二焊接部。
其中，结合图27所示，步骤S404和S405可一道工艺制备，采用锡膏、银胶、导电胶等低熔点导电材料，在第一连接电极22远离驱动基板20的一侧的至少部分表面且在第一绝缘部71远离第二连接分部232的一侧制备第一焊接部61；在第二连接分部232远离驱动基板20的一侧的至少部分表面且在第一绝缘部71远离第一焊接部61的一侧制备第二焊接部62，第一绝缘部71用于电绝缘第一焊接部61和第二焊接部62。
S406、转移发光元件至提供驱动基板的分隔结构限定的设置区域内。
结合图28所示，将发光元件30从驱动基板20上的离型层302分离，利用发光元件30自身重力划入分隔结构21限定的设置区域内，实现发光元件30与分隔结构21的精准对位。
S407、热处理第一焊接部和第二焊接部，以使第一焊接部电连接第一电极和第一连接电极，以及第二焊接部电连接第二电极和第二连接分部。
结合图28所示，热处理第一焊接部61和第二焊接部62，以使第一焊接部61融化后电连接第一电极32和第一连接电极22，以及第二焊接部62融化后电连接第二电极33和第二连接分部232，其中，至少第二电极33分部与第二连接分部232通过第二焊接部62电连接，形成如图4所示的发光面板。
图29是本发明实施例提供的一种发光面板的制备方法的流程示意图；图30-图31为与图29提供的发光面板对应的制备工艺流程示意图。在上述实施例的基础上，结合图5、图29-图31所示，本发明实施例提供的另一种发光面板的制备方法包括：
S501、提供驱动基板。
如图30所示，驱动基板20包括分隔结构21、第一连接电极22和第二连接电极23，驱动基板20表面制备分隔结构21，分隔结构21包括第一分隔结构211和第二分隔结构212，沿图中Z方向，第一分隔结构211的高度小于第二分隔结构212的高度。在第一分隔结构211和第二分隔结构212相邻侧面设置第二连接电极23，如图28所示；在相邻分隔结构21之间驱动基板20的表面制备第一连接电极22。还可以扩大相邻分隔结构21之间的距离，增大分隔结构21靠近驱动基板20的凹槽口径，防止发光元件30的尺寸因制程偏差大于凹槽口径，保证发光元件30能触及到驱动基板20上的第一连接电极22，提高转移成功率。
S502、制备发光元件。
继续参照图15、图16、图22和图23所示。
S503、在第一分隔结构的部分侧壁沉积第二绝缘部，且预留出发光元件的位置。
结合图28所示，在第一分隔结构211部分侧壁涂覆一层较薄的第二绝缘部72，且预留出发光元件30的位置。第二绝缘部72采用低熔点绝缘材料，如松香。
S504、在第一连接电极远离驱动基板的一侧表面制备第四焊接部。
S505、在第二绝缘部的表面以及第二连接电极的部分表面制备第三焊接部。
如图30所示，在第一连接电极22远离驱动基板20的一侧表面涂覆第四焊接部64，利用第四焊接部64连接第一电极32和第一连接电极22；在第二绝缘部72的远离驱动基板20的一侧表面以及第二连接电极23的部分表面涂覆第三焊接部63，其中，第三焊接部63采用部分表面涂覆，既可以保证第二电极33和第二连接电极23电连接，又可以避免发光元件30被卡住，从而提高转移对位精度。第三焊接部63和第四焊接部64可以采用锡膏、银胶、导电胶等低熔点导电材料。
第二绝缘部72可以环绕第二侧面分部P2的部分侧壁，起到电绝缘第一电极32、第一连接电极22、第二电极33和第二连接电极23的作用。
S506、转移发光元件至提供驱动基板的分隔结构限定的设置区域内。
结合图32所示，将发光元件30从驱动基板20上的离型层302分离，利用发光元件30自身重力划入分隔结构21限定的设置区域内，实现发光元件30与分隔结构21的精准对位。
S507、热处理第三焊接部和第四焊接部，以使第三焊接部电连接第一电极和第一连接电极，以及第四焊接部电连接第二电极和第二连接分部。
结合图32所示，热处理第三焊接部63和第四焊接部64，以使第三焊接部63融化后加固第一电极32和第一连接电极22的电连接，以及第四焊接部64融化后加固第二电极33和第二连接电极23的电连接，形成如图5所示的发光面板。
本发明实施例提供的发光面板的制备方法，在发光面板的驱动基板上设置分隔结构，发光元件位于分隔结构限定的区域内，结合晶片切割离形工艺进行点对点定位转移，解决了发光元件侧向漏光、快速转移、精准对位问题，保证了发光面板的显示效果。
基于同样的发明构思，本发明实施例还提供了一种显示装置。图32为本发明实施例提供的显示装置的结构示意图，如图32所示，该显示装置包括上述实施方式提供的任一种发光面板。示例性的，如图32所示，该显示装置300包括发光面板200。因此，该显示装置也具有上述实施方式中的发光面板所具有的有益效果，相同之处可参照上文对发光面板的解释说明进行理解，下文不再赘述。
本发明实施例提供的显示装置300可以为图32所示的手机，也可以为任何具有显示功能的电子产品，包括但不限于以下类别：平板电脑、电视机、笔记本电脑、桌上型显示器、数码相机、智能手环、智能眼镜、车载显示器、工控设备、医用显示屏、触摸交互终端等，本发明实施例对此不作特殊限定。
基于同样的发明构思，本发明实施例还提供了一种背光模组，包括发光面板。本发明实施例提供的背光模组可用向液晶显示面板提供背光源，液晶显示面板还包括阵列基板和设置于阵列基板背离背光模组一侧的彩膜基板，阵列基板上设置用于驱动显示区内的子像素出光的阵列电路，例如薄膜晶体管TFT电路，彩膜基板包括滤光片、黑矩阵等结构，阵列基板与彩膜基板之间设置有液晶层，液晶本身不能发光，液晶显示面板的工作原理为通过施加驱动电压控制液晶层内液晶分子旋转，背光模组发出的光线透过液晶显示面板的TFT阵列基板，从液晶显示面板的液晶层折射出来，并经由彩膜基板产生彩色画面。
注意，上述仅为本发明的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解，本发明不限于这里所述的特定实施例，对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整和替代而不会脱离本发明的保护范围。因此，虽然通过以上实施例对本发明进行了较为详细的说明，但是本发明不仅仅限于以上实施例，在不脱离本发明构思的情况下，还可以包括更多其他等效实施例，而本发明的范围由所附的权利要求范围决定。

Claims (22)

1.一种发光面板，其特征在于，包括驱动基板以及位于所述驱动基板一侧的发光元件；
所述驱动基板包括分隔结构、第一连接电极和第二连接电极，所述分隔结构位于所述驱动基板表面，所述第一连接电极位于所述驱动基板表面且位于相邻两个所述分隔基板之间，所述第二连接电极覆盖所述分隔结构的至少部分分隔侧壁；
所述发光元件包括发光主体、第一电极和第二电极，所述第一电极位于所述发光主体靠近所述驱动基板的一侧且与所述第一连接电极电连接，所述第二电极覆盖所述发光主体的至少部分发光侧壁且与所述第二连接电极电连接。
2.根据权利要求1所述的发光面板，其特征在于，所述发光主体包括叠层设置的第一半导体层、发光复合层和第二半导体层，所述第一半导体层位于靠近所述驱动基板的一侧；所述第一半导体层与所述第一电极电连接，所述第二半导体层与所述第二电极电连接；
沿所述发光面板的厚度方向，所述发光复合层覆盖所述第一半导体层且所述发光复合层的投影面积大于所述第一半导体层的投影面积，所述第二半导体层覆盖所述发光复合层且所述第二半导体层的投影面积大于所述发光复合层的投影面积。
3.根据权利要求2所述的发光面板，其特征在于，所述分隔结构限定所述发光元件的设置区域，所述设置区域包括靠近所述驱动基板一侧的第一开口以及远离所述驱动基板一侧的第二开口；
沿所述发光元件的厚度方向，所述第二开口覆盖所述第一开口且第二开口的投影面积大于所述第一开口的投影面积。
4.根据权利要求1所述的发光面板，其特征在于，所述第二电极覆盖所述发光主体的全部所述发光侧壁。
5.根据权利要求4所述的发光面板，其特征在于，所述分隔侧壁包括相互连接的第一侧面分部和第二侧面分部，所述第一侧面分部位于所述第二侧面分部远离所述驱动基板的一侧；
所述第二连接电极覆盖所述第二侧面分部。
6.根据权利要求5所述的发光面板，其特征在于，所述第二连接电极与所述第二电极接触电连接。
7.根据权利要求5所述的发光面板，其特征在于，所述第二电极包括相互连接的第一电极分部和第二电极分部，所述第一电极分部覆盖所述发光主体的至少部分侧壁，所述第二电极分部部分覆盖所述发光主体靠近所述驱动基板的一侧的表面；
所述第二连接电极包括相互连接的第一连接分部和第二连接分部，所述第一连接分部覆盖所述第二侧面分部，所述第二连接分部部分覆盖所述分隔结构靠近所述发光元件一侧的表面；
至少所述第二电极分部与所述第二连接分部电连接。
8.根据权利要求7所述的发光面板，其特征在于，所述第一电极与所述第一连接电极通过第一焊接部电连接，所述第二电极分部与所述第二连接分部通过第二焊接部电连接。
9.根据权利要求8所述的发光面板，其特征在于，所述发光面板还包括位于所述第一焊接部和所述第二焊接部之间的第一绝缘部。
10.根据权利要求7所述的发光面板，其特征在于，沿所述发光面板的厚度方向，所述发光主体包括叠层设置的第一半导体层、发光复合层和第二半导体层，所述第一半导体层位于靠近所述驱动基板的一侧；
所述第一电极分部覆盖所述第二半导体层的至少部分侧壁且与所述第二半导体层电连接；所述发光主体还包括第一绝缘层，所述第一绝缘层位于所述第一电极分部和所述发光主体之间，且还覆盖所述第一半导体层靠近所述驱动基板的一侧的部分表面；
所述发光面板还包括第二绝缘层，所述第二绝缘层位于所述驱动基板的一侧且位于所述第二连接分部和所述第一连接电极之间。
11.根据权利要求1所述的发光面板，其特征在于，所述分隔结构包括第一分隔结构和第二分隔结构，沿所述发光面板的厚度方向，所述第一分隔结构的高度小于所述第二分隔结构的高度；
所述第二连接电极覆盖所述第一分隔结构靠近所述第二分隔结构的全部侧壁和所述第二分隔结构靠近所述第一分隔结构的全部侧壁。
12.根据权利要求11所述的发光面板，其特征在于，所述发光主体包括第二半导体层，所述发光侧面包括相互连接的第三侧面分部和第四侧面分部，所述第三侧面分部位于所述第四侧面分部远离所述驱动基板的一侧，且所述第三侧面分部包括与所述第二半导体层对应的发光侧面；
所述第二电极覆盖所述第三侧面分部。
13.根据权利要求12所述的发光面板，其特征在于，所述发光元件还包括第一电极端和第二电极端；沿所述发光面板的厚度方向，所述发光主体包括第一半导体层和第二半导体层，
所述第一电极端位于所述第一半导体层与所述第一电极之间，分别与所述第一半导体层和所述第一电极电连接；所述第二电极端位于所述第二电极和所述第二半导体层的侧壁之间且至少部分覆盖所述第二半导体层的侧壁，分别与所述第二半导体层和所述第二电极电连接。
14.根据权利要求12所述的发光面板，其特征在于，所述发光面板还包括覆盖所述第四侧面分部的第三绝缘层。
15.根据权利要求11所述的发光面板，其特征在于，至少部分所述第二电极和所述第二连接电极通过第三焊接部电连接；
所述第一电极与所述第一连接电极通过第四焊接部电连接。
16.根据权利要求15所述的发光面板，其特征在于，所述发光面板还包括位于所述第三焊接部和所述第四焊接部之间的第二绝缘部。
17.根据权利要求1所述的发光面板，其特征在于，沿所述发光面板的厚度方向，所述发光元件的投影形状包括多边形或者圆形。
18.一种发光面板的制备方法，其特征在于，包括：
提供驱动基板；所述驱动基板包括分隔结构、第一连接电极和第二连接电极，所述分隔结构位于所述驱动基板表面，所述第一连接电极位于所述驱动基板表面且位于相邻两个所述分隔基板之间，所述第二连接电极覆盖所述分隔结构的至少部分分隔侧壁；
制备发光元件；所述发光元件包括发光主体、第一电极和第二电极，所述第一电极位于所述发光主体靠近所述驱动基本的一侧，所述第二电极覆盖所述发光主体的至少部分发光侧壁；
转移所述发光元件至所述提供驱动基板的一侧；所述第一电极与所述第一连接电极电连接，所述第二电极与所述第二连接电极电连接。
19.根据权利要求18所述的制备方法，其特征在于，制备发光元件包括：
提供转移基板；
在所述转移基板的一侧制备离型层；
在所述离型层远离所述转移基板的一侧制备发光主体；所述发光主体包括叠层设置的第一半导体层、发光复合层和第二半导体层，所述第一半导体层位于靠近所述驱动基板的一侧；所述第一半导体层与所述第一电极电连接，所述第二半导体层与所述第二电极电连接；沿所述发光面板的厚度方向，所述发光复合层覆盖所述第一半导体层且所述发光复合层的覆盖面积大于所述第一半导体层的覆盖面积，所述第二半导体层覆盖所述发光复合层且所述第二半导体层的覆盖面积大于所述发光复合层的覆盖面积；
激光分离所述转移基板和所述发光主体。
20.根据权利要求19所述的制备方法，其特征在于，所述第二电极包括相互连接的第一电极分部和第二电极分部，所述第一电极分部覆盖所述发光主体的全部侧壁，所述第二电极分部部分覆盖所述发光主体靠近所述驱动基板的一侧的表面；
所述分隔侧壁包括相互连接的第一侧面分部和第二侧面分部，所述第一侧面分部位于所述第二侧面分部远离所述驱动基板的一侧；
所述第二连接电极包括相互连接的第一连接分部和第二连接分部，所述第一连接分部覆盖所述第二侧面分部，所述第二连接分部部分覆盖所述分隔结构靠近所述发光元件一侧的表面；
至少所述第二电极分部与所述第二连接分部电连接；
所述发光面板还包括第二绝缘层，所述第二绝缘层位于所述驱动基板的一侧且位于所述第二连接分部和所述第一连接电极之间；在转移所述发光元件至所述提供驱动基板的一侧之前，还包括：
在所述第二绝缘层远离所述驱动基板的一侧的至少部分表面制备第一绝缘部；
在所述第一连接电极远离所述驱动基板的一侧的至少部分表面且在所述第一绝缘部远离所述第二连接分部的一侧制备第一焊接部；
在所述第二连接分部远离所述驱动基板的一侧的至少部分表面且在所述第一绝缘部远离所述第一焊接部的一侧制备第二焊接部；
转移所述发光元件至所述提供驱动基板，包括：
转移所述发光元件至所述提供驱动基板的分隔结构限定的设置区域内；
热处理所述第一焊接部和所述第二焊接部，以使所述第一焊接部电连接所述第一电极和所述第一连接电极，以及所述第二焊接部电连接所述第二电极和所述第二连接分部。
21.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1-17任一项所述的发光面板。
22.一种背光模组，其特征在于，包括权利要求1-17任一项所述的发光面板。
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