CN114141841A - 显示基板及其制备方法、显示装置 - Google Patents

Abstract

一种显示基板，包括：衬底基板、电路结构层、发光结构层以及至少一个导电结构。电路结构层位于显示区域的衬底基板上，包括像素电路和辅助电源走线。发光结构层位于电路结构层远离衬底基板的一侧。发光结构层包括多个发光元件。至少一个发光元件包括叠设的第一电极、有机发光层以及第二电极。第一电极与像素电路电连接，第二电极位于第一电极远离衬底基板的一侧。导电结构位于电路结构层远离衬底基板的一侧。导电结构位于至少两个相邻发光元件各自用于发光的部分之间的间隔。发光元件的第二电极通过导电结构与辅助电源走线电连接。

Description

显示基板及其制备方法、显示装置

技术领域

本文涉及但不限于显示技术领域，尤指一种显示基板及其制备方法、显示装置。

背景技术

有机发光二极管(OLED，Organic Light Emitting Diode)和量子点发光二极管(QLED，Quantum-dot Light Emitting Diode)为主动发光显示器件，具有自发光、广视角、高对比度、低耗电、极高反应速度、轻薄、可弯曲和成本低等优点。

发明内容

以下是对本文详细描述的主题的概述。本概述并非是为了限制权利要求的保护范围。

本公开实施例提供一种显示基板及其制备方法、显示装置。

一方面，本公开实施例提供一种显示基板，包括：衬底基板、电路结构层、发光结构层以及至少一个导电结构。衬底基板包括显示区域。电路结构层位于所述显示区域的衬底基板上，所述电路结构层包括像素电路和辅助电源走线。发光结构层位于所述电路结构层远离所述衬底基板的一侧，所述发光结构层包括多个发光元件，至少一个发光元件包括：叠设的第一电极、有机发光层以及第二电极，所述第一电极与所述像素电路电连接，所述第二电极位于所述第一电极远离所述衬底基板的一侧。至少一个导电结构位于所述电路结构层远离所述衬底基板的一侧，所述至少一个导电结构位于至少两个相邻发光元件各自用于发光的部分之间的间隔，所述发光元件的第二电极通过所述至少一个导电结构与所述辅助电源走线电连接。

在一些示例性实施方式中，所述显示基板还包括：与所述发光元件的第一电极同层设置的连接电极，所述至少一个导电结构通过所述连接电极与所述辅助电源走线电连接。

在一些示例性实施方式中，所述显示基板还包括：像素定义层，位于所述电路结构层远离所述衬底基板的一侧。所述像素定义层开设有第一开口和第二开口，所述发光元件的位于所述第二开口的部分用于发光，所述至少一个导电结构位于所述第一开口内。

在一些示例性实施方式中，所述至少一个导电结构位于所述像素定义层远离所述衬底基板的一侧，或者，所述至少一个导电结构位于所述第一电极远离所述衬底基板的一侧。

在一些示例性实施方式中，所述有机发光层位于所述至少一个导电结构远离所述衬底基板的一侧，且所述有机发光层暴露出所述至少一个导电结构远离所述衬底基板的至少部分，所述有机发光层暴露出的导电结构与所述第二电极直接接触。

在一些示例性实施方式中，在垂直于所述显示基板的方向上，所述导电结构的剖面为梯形。

在一些示例性实施方式中，所述导电结构远离所述衬底基板一侧的表面与所述衬底基板所在平面平行，或者，向远离所述衬底基板一侧凸出。

在一些示例性实施方式中，所述导电结构远离所述衬底基板一侧的表面具有至少一个凸起。

另一方面，本公开实施例提供一种显示装置，包括如前所述的显示基板。

另一方面，本公开实施例提供一种显示基板的制备方法，包括：在显示区域的衬底基板上形成电路结构层，所述电路结构层包括：像素电路和辅助电源走线；在所述电路结构层远离所述衬底基板一侧形成至少一个导电结构以及发光结构层。其中，所述发光结构层包括多个发光元件，至少一个发光元件包括：叠设的第一电极、有机发光层以及第二电极，所述第一电极与所述像素电路电连接，所述第二电极位于所述第一电极远离所述衬底基板的一侧；所述导电结构位于至少两个相邻发光元件各自用于发光的部分之间的间隔，所述发光元件的第二电极通过所述导电结构与所述辅助电源走线电连接。

在一些示例性实施方式中，所述在所述电路结构层远离所述衬底基板一侧形成至少一个导电结构以及发光结构层，包括：在所述电路结构层远离所述衬底基板一侧形成发光元件的第一电极、像素定义层以及导电结构；蒸镀有机材料，其中，所述有机材料覆盖所述第一电极和导电结构；采用有机溶剂对覆盖所述导电结构的有机材料进行溶解，形成有机发光层，所述有机发光层暴露出所述导电结构远离所述衬底基板的至少部分；形成第二电极，所述第二电极与所述有机发光层暴露出的导电结构直接接触。

在一些示例性实施方式中，所述有机发光层暴露出的导电结构远离衬底基板的至少部分包括：所述导电结构远离所述衬底基板的顶面以及至少部分侧面。

在一些示例性实施方式中，所述在所述电路结构层远离所述衬底基板一侧形成发光元件的第一电极、像素定义层以及导电结构，包括：在所述电路结构层远离所述衬底基板的一侧形成依次形成发光元件的第一电极、导电结构；形成像素定义层，所述像素定义层开设有第一开口和第二开口，所述发光元件的位于所述第二开口的部分用于发光，所述导电结构位于所述第一开口内。

在一些示例性实施方式中，所述在所述电路结构层远离所述衬底基板一侧形成发光元件的第一电极、像素定义层以及导电结构，包括：在所述电路结构层远离所述衬底基板一侧形成发光元件的第一电极；形成像素定义层，所述像素定义层开设有第一开口和第二开口，所述发光元件的位于所述第二开口的部分用于发光；在所述像素定义层的第一开口内形成导电结构。

在阅读并理解了附图和详细描述后，可以明白其他方面。

附图说明

附图用来提供对本公开技术方案的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本公开的实施例一起用于解释本公开的技术方案，并不构成对本公开的技术方案的限制。附图中一个或多个部件的形状和大小不反映真实比例，目的只是示意说明本公开内容。

图1为本公开至少一实施例的显示基板的示意图；

图2为本公开至少一实施例的显示基板的显示区域的局部示意图；

图3为图2中沿P-P’方向的局部剖面示意图；

图4为本公开至少一实施例的显示基板的制备流程示意图；

图5为本公开至少一实施例的显示基板的另一制备流程示意图；

图6为图2中沿P-P’方向的另一局部剖面示意图；

图7A和图7B为本公开至少一实施例的导电结构的另一剖面示意图；

图8为本公开至少一实施例的显示装置的示意图。

具体实施方式

下面将结合附图对本公开的实施例进行详细说明。实施方式可以以多个不同形式来实施。所属技术领域的普通技术人员可以很容易地理解一个事实，就是方式和内容可以在不脱离本公开的宗旨及其范围的条件下被变换为其他形式。因此，本公开不应该被解释为仅限定在下面的实施方式所记载的内容中。在不冲突的情况下，本公开中的实施例及实施例中的特征可以相互任意组合。

在附图中，有时为了明确起见，夸大表示了一个或多个构成要素的大小、层的厚度或区域。因此，本公开的一个方式并不一定限定于该尺寸，附图中一个或多个部件的形状和大小不反映真实比例。此外，附图示意性地示出了理想的例子，本公开的一个方式不局限于附图所示的形状或数值等。

本说明书中的“第一”、“第二”、“第三”等序数词是为了避免构成要素的混同而设置，而不是为了在数量方面上进行限定的。本公开中的“多个”表示两个及以上的数量。

在本说明书中，为了方便起见，使用“中部”、“上”、“下”、“前”、“后”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示方位或位置关系的词句以参照附图说明构成要素的位置关系，仅是为了便于描述本说明书和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本公开的限制。构成要素的位置关系根据描述的构成要素的方向适当地改变。因此，不局限于在说明书中说明的词句，根据情况可以适当地更换。

在本说明书中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解。例如，可以是固定连接，或可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，或连接；可以是直接相连，或通过中间件间接相连，或两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据情况理解上述术语在本公开中的含义。

在本说明书中，“电连接”包括构成要素通过具有某种电作用的元件连接在一起的情况。“具有某种电作用的元件”只要可以进行连接的构成要素间的电信号的传输，就对其没有特别的限制。“具有某种电作用的元件”的例子不仅包括电极和布线，而且还包括晶体管等开关元件、电阻器、电感器、电容器、其它具有多种功能的元件等。

在本说明书中，晶体管是指至少包括栅极、漏极以及源极这三个端子的元件。晶体管在漏极(漏电极端子、漏区域或漏电极)与源极(源电极端子、源区域或源电极)之间具有沟道区域，并且电流能够流过漏极、沟道区域以及源极。在本说明书中，沟道区域是指电流主要流过的区域。

在本说明书中，第一极可以为漏极、第二极可以为源极，或者第一极可以为源极、第二极可以为漏极。在使用极性相反的晶体管的情况或电路工作中的电流方向变化的情况等下，“源极”及“漏极”的功能有时互相调换。因此，在本说明书中，“源极”和“漏极”可以互相调换。另外，栅极还可以称为控制极。

在本说明书中，“平行”是指两条直线形成的角度为-10°以上且10°以下的状态，因此，也包括该角度为-5°以上且5°以下的状态。另外，“垂直”是指两条直线形成的角度为80°以上且100°以下的状态，因此，也包括85°以上且95°以下的角度的状态。

本公开中的“光透过率”指的是光线透过介质的能力，是透过透明或半透明体的光通量与其入射光通量的百分率。

本公开中的“约”、“大致”，是指不严格限定界限，允许工艺和测量误差范围内的情况。在本公开中，“大致相同”是指数值相差10％以内的情况。

OLED发光元件包括：依次叠设的阳极(Anode)、有机发光层以及阴极(Cathode)。针对大尺寸的OLED显示基板，采用开放式掩膜版(Open Mask)蒸镀有机材料制备发光元件的有机发光层，有机材料会覆盖整个显示区域，导致电路结构层的辅助电源走线无法与发光元件的阴极接触，无法实现降低压降的效果。针对上述问题，在一些实现方式中，在有机发光层蒸镀完成后，采用激光手段将部分有机发光层烧掉，实现辅助电源走线与阴极的搭接。然而，该实现方式的成本较高，而且对去除烧结完的有机发光层有较高的工艺要求，容易产生材料残留从而造成显示不良。另外，如果在显示基板的透明显示区进行上述激光烧结会占用透明显示区的面积，从而影响显示基板的光透过率。

本公开实施例提供一种显示基板，包括：衬底基板、电路结构层、发光结构层以及至少一个导电结构。电路结构层位于显示区域的衬底基板上，电路结构层包括像素电路和辅助电源走线。发光结构层位于电路结构层远离衬底基板的一侧。发光结构层包括多个发光元件，至少一个发光元件包括：叠设的第一电极、有机发光层以及第二电极。第一电极与像素电路电连接，第二电极位于第一电极远离衬底基板的一侧。至少一个导电结构位于电路结构层远离衬底基板的一侧，至少一个导电结构位于至少两个相邻发光元件各自用于发光的部分之间的间隔。发光元件的第二电极通过至少一个导电结构与辅助电源走线电连接。

本实施例提供的显示基板，通过设置导电结构，并设置导电结构与辅助电源走线和发光元件的第二电极电连接，从而实现辅助电源走线和发光元件的第二电极电连接，从而可以降低压降和功耗，改善显示基板的显示效果。

在一些示例性实施方式中，本实施例的显示基板可以为大尺寸的顶发射结构的OLED显示基板。例如，显示基板的分辨率可以为3840×2160、或者7680×4320。然而，本实施例对此并不限定。

在一些示例性实施方式中，显示基板还可以包括：与发光元件的第一电极同层设置的连接电极。至少一个导电结构通过连接电极与辅助电源走线电连接。例如，导电结构与连接电极可以为一对一或者多对一的关系。然而，本实施例对此并不限定。例如，导电结构可以直接与辅助电源走线电连接。

在一些示例性实施方式中，显示基板还可以包括：像素定义层。像素定义层位于电路结构层远离衬底基板的一侧。像素定义层开设有第一开口和第二开口，发光元件的位于第二开口的部分用于发光，至少一个导电结构位于第一开口内。在一些示例中，一个第一开口内可以设置一个导电结构，或者设置多个导电结构。然而，本实施例对此并不限定。

在一些示例性实施方式中，至少一个导电结构位于像素定义层远离衬底基板的一侧，或者，至少一个导电结构位于第一电极远离衬底基板的一侧。然而，本实施例对此并不限定。

在一些示例性实施方式中，有机发光层位于至少一个导电结构远离衬底基板的一侧，且有机发光层暴露出至少一个导电结构远离衬底基板的至少部分，有机发光层暴露出的导电结构与第二电极直接接触。在本示例性实施方式中，通过发光元件的第二电极与有机发光层暴露出的导电结构实现面面接触，有利于确保第二电极与导电结构的电连接效果。

在一些示例性实施方式中，在垂直于显示基板的方向上，导电结构的剖面为梯形。在一些示例中，导电结构远离衬底基板一侧的表面与衬底基板所在平面平行，或者，向远离衬底基板一侧凸出。然而，本实施例对此并不限定。

下面通过一些示例对本实施例的显示基板进行举例说明。

图1为本公开至少一实施例的显示基板的示意图。图2为本公开至少一实施例的显示基板的显示区域的局部示意图。在一些示例性实施方式中，如图1所示，本实施例的显示基板可以包括：显示区域A和位于显示区域A周边的非显示区域B。非显示区域B包括位于显示区域外围的周边区域、以及位于显示区域一侧的绑定区域。显示区域A至少设置有多个子像素PX。多个子像素中的至少一个子像素PX包括：发光元件以及驱动发光元件发光的像素电路。例如，像素电路配置为提供驱动电流以驱动发光元件发光。像素电路可以包括多个晶体管和至少一个电容，例如，像素电路可以为3T1C(3个晶体管和1个电容)结构、7T1C(7个晶体管和1个电容)结构或者5T1C(5个晶体管和1个电容)结构等。在一些示例中，发光元件可以为有机发光二极管(OLED)，发光元件在其对应的像素电路的驱动下发出红光、绿光、蓝光、或者白光等。发光元件发光的颜色可根据需要而定。在一些示例中，发光元件可以包括：阳极、阴极以及位于阳极和阴极之间的有机发光层。发光元件的阳极可以与对应的像素电路电连接。然而，本实施例对此并不限定。

在一些示例性实施方式中，显示区域的一个像素单元可以包括三个子像素，三个子像素可以分别为红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素。然而，本实施例对此并不限定。在一些示例中，一个像素单元可以包括四个子像素，四个子像素可以分别为红色子像素、绿色子像素、蓝色子像素和白色子像素。

在一些示例性实施方式中，发光元件的形状可以是矩形、菱形、五边形或六边形。一个像素单元包括三个子像素时，三个子像素的发光元件可以采用水平并列、竖直并列或品字方式排列；一个像素单元包括四个子像素时，四个子像素的发光元件可以采用水平并列、竖直并列或正方形方式排列。然而，本实施例对此并不限定。

在一些示例性实施方式中，如图2所示，在平行于显示基板的平面内，显示区域A还设置有多个导电结构30。导电结构30可以位于至少两个相邻发光元件各自用于发光的部分之间的间隔。发光元件位于像素定义层的第一开口的部分用于发光。发光元件用于发光的部分可以称为发光元件的发光区域，在发光元件的发光区域以外的区域即为非发光区域。导电结构30位于非发光区域，可以避免对发光元件产生影响。

在一些示例性实施方式中，如图2所示，导电结构30与像素单元可以一一对应，即一个导电结构30可以位于一个像素单元的非发光区域内。然而，本实施例对此并不限定。例如，导电结构与子像素可以为一对一或者一对多的关系。比如，一个子像素的非发光区域可以设置一个导电结构，或者相邻两个子像素之间的非发光区域可以设置一个导电结构。

图3为图2中沿P-P’方向的局部剖面示意图。在一些示例性实施方式中，如图3所示，在垂直于显示基板的方向上，显示区域包括：衬底基板100、设置在衬底基板100上的电路结构层、位于电路结构层远离衬底基板100一侧的发光结构层以及导电结构30。电路结构层可以包括像素电路和辅助电源走线31。发光结构层可以包括多个发光元件。至少一个发光元件可以包括：叠设的第一电极211、有机发光层212和第二电极213。第一电极211与像素电路电连接，第二电极213位于第一电极211远离衬底基板100的一侧。在本示例中，第一电极211可以为阳极，第二电极213可以为阴极。

在一些示例性实施方式中，如图3所示，在垂直于显示基板的方向上，电路结构层可以包括：依次设置在衬底基板100的半导体层、第一导电层、第二导电层以及第三导电层。半导体层和第一导电层之间设置第一绝缘层101，第一导电层与第二导电层之间设置第二绝缘层102，第二导电层和第三导电层之间设置第三绝缘层103。第三导电层远离衬底基板100一侧设置有第四绝缘层104和第五绝缘层105。在一些示例中，第一绝缘层101至第四绝缘层104可以为无机绝缘层，第五绝缘层105可以为有机绝缘层。然而，本实施例对此并不限定。

图4为本公开至少一实施例的显示基板的制备流程示意图。下面参照图3和图4通过显示基板的制备过程对本实施例的显示基板的结构进行示例性说明。本公开所说的“图案化工艺”，对于金属材料、无机材料或透明导电材料，包括涂覆光刻胶、掩模曝光、显影、刻蚀、剥离光刻胶等处理，对于有机材料，包括涂覆有机材料、掩模曝光和显影等处理。沉积可以采用溅射、蒸镀、化学气相沉积中的任意一种或多种，涂覆可以采用喷涂、旋涂和喷墨打印中的任意一种或多种，刻蚀可以采用干刻和湿刻中的任意一种或多种，本公开不做限定。“薄膜”是指将某一种材料在衬底基板上利用沉积、涂覆或其它工艺制作出的一层薄膜。若在整个制作过程当中该“薄膜”无需图案化工艺，则该“薄膜”还可以称为“层”。若在整个制作过程当中该“薄膜”需图案化工艺，则在图案化工艺前称为“薄膜”，图案化工艺后称为“层”。经过图案化工艺后的“层”中包含至少一个“图案”。

本公开中所说的“A1和A2同层设置”是指，A1和A2通过同一次构图工艺同时形成。“相同层”不总是意味着层的厚度或层的高度在截面图中是相同的。“A1的投影包含A2的投影”是指，A2的投影落入A1的投影范围内，或者A1的投影覆盖A2的投影。

在一些示例性实施方式中，本实施例的显示基板的制备过程可以包括以下步骤。

(1)、在衬底基板上制备电路结构层。

在一些示例性实施方式中，电路结构层可以包括多个像素电路，每个像素电路包括多个晶体管和至少一个存储电容，例如2T1C、3T1C或7T1C设计。如图3和图4所示，以一个子像素为例进行示意，且该子像素的像素电路仅以一个第一晶体管和一个第一存储电容为例进行示意。

在一些示例性实施方式中，电路结构层的制备过程包括以下步骤。

在衬底基板100上沉积半导体薄膜，通过图案化工艺对半导体薄膜进行图案化，形成半导体层。半导体层至少包括：第一有源层。

随后，依次沉积第一绝缘薄膜和第一导电薄膜，通过图案化工艺对第一导电薄膜进行图案化，形成覆盖半导体层的第一绝缘层101、以及设置在第一绝缘层101上的第一导电层。第一导电层至少包括：第一栅电极和第一电容电极。

随后，依次沉积第二绝缘薄膜和第二导电薄膜，通过图案化工艺对第二导电薄膜进行图案化，形成覆盖第一导电层的第二绝缘层102、以及设置在第二绝缘层102上的第二导电层。第二导电层至少包括：第二电容电极。第二电容电极的位置与第一电容电极的位置相对应。

随后，沉积第三绝缘薄膜，通过图案化工艺对第三绝缘薄膜进行图案化，形成覆盖第二导电层的第三绝缘层103。第三绝缘层103上开设有至少两个第一过孔，第一过孔内的第三绝缘层103、第二绝缘层102和第一绝缘层101被刻蚀掉，暴露出第一有源层的表面。

随后，沉积第三导电薄膜，通过图案化工艺对第三导电薄膜进行图案化，在第三绝缘层103上形成第三导电层。第三导电层至少包括：第一源电极和第一漏电极、以及辅助电源走线31。第一源电极和第一漏电极可以分别通过第一过孔与第一有源层连接。辅助电源走线31配置为传输低电平信号(VSS)。

如图3所示，第一有源层、第一栅电极、第一源电极和第一漏电极可以组成第一晶体管201，第一电容电极和第二电容电极可以组成第一存储电容202。

在一些示例性实施方式中，衬底基板100可以为刚性基板，例如玻璃基板。然而，本实施例对此并不限定。例如衬底基板可以为柔性基板。

在一些示例性实施方式中，第一绝缘层101、第二绝缘层102和第三绝缘层103可以采用硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)和氮氧化硅(SiON)中的任意一种或更多种，可以是单层、多层或复合层。第一绝缘层101和第二绝缘层102可以称之为栅绝缘(GI，GateInsulator)层；第三绝缘层103可以称之为层间绝缘(ILD，Interlayer Dielectric)层。第一金属薄膜、第二金属薄膜和第三金属薄膜采用金属材料，如银(Ag)、铜(Cu)、铝(Al)、钛(Ti)和钼(Mo)中的任意一种或更多种，或上述金属的合金材料，如铝钕合金(AlNd)或钼铌合金(MoNb)，可以是单层结构，或者多层复合结构，如Ti/Al/Ti等。半导体薄膜可以采用非晶态氧化铟镓锌材料(a-IGZO)、氮氧化锌(ZnON)、氧化铟锌锡(IZTO)、非晶硅(a-Si)、多晶硅(p-Si)、六噻吩、聚噻吩等一种或多种材料，即本公开适用于基于氧化物(Oxide)技术、硅技术以及有机物技术制造的晶体管。然而，本实施例对此并不限定。

(2)、在形成前述图案的衬底基板上形成第四绝缘层和第五绝缘层。

在一些示例性实施方式中，在形成前述图案的衬底基板100沉积第四绝缘薄膜，通过图案化工艺形成第四绝缘层104。随后，涂覆第一平坦薄膜，通过图案化工艺对第一平坦薄膜进行图案化，形成第五绝缘层105。第五绝缘层105开设有多个第一转接孔和多个第二转接孔，第一转接孔和第二转接孔内的第四绝缘层104和第五绝缘层105被去掉，暴露出第三导电层。例如，第一转接孔暴露出第三导电层的辅助电源走线31的表面，第二转接孔暴露出像素电路的第一晶体管201的第一漏电极的表面。

在一些示例性实施方式中，第四绝缘层104可以采用硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)和氮氧化硅(SiON)中的任意一种或更多种，可以是单层、多层或复合层。第五绝缘层105可以采用聚酰亚胺、亚克力或聚对苯二甲酸乙二醇酯等有机材料。第四绝缘层104可以称为钝化层，第五绝缘层105可以称为平坦层。

(3)、在形成前述图案的衬底基板上，形成第一电极和连接电极。在一些示例中，第一电极211可以为反射阳极。

在一些示例性实施方式中，在形成前述图案的衬底基板100上沉积第四导电薄膜，通过图案化工艺对第四导电薄膜进行图案化，形成第一电极211和连接电极32。例如，连接电极32可以通过第一转接孔与辅助电源走线31电连接，第一电极211可以通过第二转接孔与像素电路的第一晶体管201的第一漏电极电连接。

在一些示例性实施方式中，第四导电薄膜可以采用金属材料，如镁(Mg)、银(Ag)、铜(Cu)、铝(Al)、钛(Ti)和钼(Mo)中的任意一种或更多种，或上述金属的合金材料，如铝钕合金(AlNd)或钼铌合金(MoNb)，可以是单层结构，或者多层复合结构，如Ti/Al/Ti等，或者，是金属和透明导电材料形成的堆栈结构，如ITO/Ag/ITO、Mo/AlNd/ITO等反射型材料。

(4)、在形成前述图案的衬底基板上，形成像素定义层图案。

在一些示例性实施方式中，在形成前述图案的衬底基板100上涂覆像素定义薄膜，通过图案化工艺对像素定义薄膜进行图案化，形成像素定义层214。像素定义层214开设有第一开口K1和第二开口K2。第一开口K1内的像素定义层214被去掉，暴露出连接电极32的至少部分表面，第二开口K2内的像素定义层214被去掉，暴露出第一电极211的至少部分表面。

在一些示例中，像素定义层214可以采用聚酰亚胺、亚克力或聚对苯二甲酸乙二醇酯等。

(5)、在形成前述图案的衬底基板上，形成导电结构。

在一些示例性实施方式中，在形成前述图案的衬底基板100上形成导电结构30。导电结构30可以位于像素定义层214的第一开口K1内，并与连接电极32电连接。在一些示例中，导电结构30可以采用金属材料，如银(Ag)、铜(Cu)、铝(Al)、钛(Ti)和钼(Mo)中的任意一种或更多种，或上述金属的合金材料，如铝钕合金(AlNd)或钼铌合金(MoNb)，可以是单层结构，或者多层复合结构，如Ti/Al/Ti等。

在一些示例性实施方式中，像素定义层214形成的一个第一开口K1内可以设置一个导电结构30。然而，本实施例对此并不限定。例如，一个第一开口内可以设置多个导电结构。多个导电结构可以与一个连接电极电连接，或者，可以与多个连接电极电连接，从而实现与辅助电源走线电连接。

在一些示例中，在垂直于显示基板的方向上，导电结构30的剖面可以为梯形，且导电结构30远离衬底基板100一侧的表面可以与衬底基板100所在平面平行。换言之，导电结构30的远离衬底基板100的顶面可以为平坦表面。然而，本实施例对此并不限定。

在一些示例中，导电结构30在衬底基板100的正投影可以为矩形或者圆形。然而，本实施例对此并不限定。

(6)、在形成前述图案的衬底基板上，形成有机发光层。

在一些示例性实施方式中，在形成前述图案的衬底基板100上采用开放式掩模版蒸镀有机材料215；随后，在第一开口K1内滴入有机溶剂，溶解覆盖导电结构30远离衬底基板100一侧的顶部的有机材料215，以形成有机发光层212。其中，覆盖导电结构30顶部的有机材料215可以被有机溶剂溶解，从而流入第一开口K1内，暴露出导电结构30远离衬底基板100的顶部和至少部分侧面。在本示例中，有机材料在第一开口K1内固定之后可以暴露出导电结构30的顶部和至少部分侧边。在一些示例中，第一开口K1内的有机发光层的厚度可以大于第二开口K2内的有机发光层的厚度，第一开口K1内的有机发光层的厚度可以小于导电结构30的厚度。然而，本实施例对此并不限定。例如，有机发光层可以仅暴露出导电结构30远离衬底基板100一侧的顶面。

在本公开中，厚度为远离衬底基板一侧的表面与靠近衬底基板一侧表面之间的垂直距离。

在本示例中，有机发光层可以包括空穴注入层、空穴传输层、发光层以及电子传输层。例如，空穴注入层、空穴传输层和电子传输层中的至少一个可以为多个子像素的共通层。然而，本实施例对此并不限定。

在一些示例中，有机溶剂固化后的体积可以小于第一开口内的导电结构的体积的四分之三，例如可以为导电结构的体积的五分之三。如此一来，可以实现对有机材料的溶解，并避免溶解后的体积过大，覆盖导电结构的顶面。然而，本实施例对此并不限定。

(7)、在形成前述图案的衬底基板上，形成发光元件的第二电极。

在一些示例中，第二电极213可以为透明阴极。发光元件可以通过透明阴极从远离衬底基板100一侧出光，实现顶发射。在一些示例中，本实施例的显示基板可以出射白光，通过彩膜基板实现彩色显示。然而，本实施例对此并不限定。

在一些示例性实施方式中，在形成前述图案的衬底基板100上，沉积形成发光元件的第二电极213。多个发光元件的第二电极213可以为一体结构。

在一些示例性实施方式中，发光元件的第二电极213可以采用镁(Mg)、银(Ag)、铝(Al)中的任意一种或更多种，或采用上述金属中任意一种或多种制成的合金，或者采用透明导电材料，例如，氧化铟锡(ITO)，或者，金属与透明导电材料的多层复合结构。本实施例对于发光元件的第二电极213的厚度没有限定。例如，采用较薄的第二电极可以提高显示基板的光透过率，而且，通过第二电极与导电结构直接接触实现与辅助电源走线电连接，可以降低功耗，从而改善显示效果。

在本示例中，虽然有机发光层在显示区域是整面蒸镀的，但是在制备过程中，可以利用有机溶剂对覆盖导电结构的有机材料进行溶解，暴露出导电结构的顶部，使得导电结构与第二电极可以直接接触，从而实现发光元件的第二电极和辅助电源走线的电连接。由于导电结构的顶部和至少部分侧面均可以与第二电极接触，可以实现面面搭接，从而提高搭接效果。而且，由于显示区域设置有多个导电结构，即使少数导电结构的顶部存在有机材料残留，仍可以确保显示基板的第二电极和辅助电源走线的整体电连接效果。

在一些示例中，在发光元件的第二电极远离衬底基板一侧可以形成封装层。封装层可以采用无机/有机/无机的三层叠设结构，或者，可以采用无机/有机/无机/有机/无机的五层结构。然而，本实施例对此并不限定。

本公开实施例的显示基板的结构及其制备过程仅仅是一种示例性说明。在一些示例性实施方式中，可以根据实际需要变更相应结构以及增加或减少构图工艺。例如，可以不设置连接电极，导电结构可以通过设置在第五绝缘层的过孔直接与辅助电源走线电连接。然而，本实施例对此并不限定。

本示例性实施例的制备工艺可以利用目前成熟的制备设备即可实现，可以很好地与已有制备工艺兼容，工艺实现简单，易于实施，生产效率高，生产成本低，良品率高。

图5为本公开至少一实施例的显示基板的另一制备流程示意图。在一些示例性实施方式中，如图5所示，在形成第一电极32和连接电极211之后，可以先形成导电结构30，导电结构30与连接电极32电连接。随后，形成像素定义层214，像素定义层214开设有第一开口K1和第二开口K2。第二开口K2暴露出第一电极211的至少部分表面，第一开口K1暴露出导电结构30以及连接电极32的至少部分表面。在一些示例中，第一开口K1在衬底基板100的正投影可以覆盖导电结构30在衬底基板100的正投影，以使得第一开口K1可以具有容纳后续溶解的有机材料的空间。

关于本实施例的显示基板的其余制备过程可以参照前一实施例的说明，故于此不再赘述。

图6为图2中沿P-P’方向的另一局部剖面示意图。在一些示例性实施方式中，如图6所示，连接电极32下方的第五绝缘层105远离衬底基板100一侧的表面向远离衬底基板100一侧凸出，使得连接电极32远离衬底基板100一侧的表面向远离衬底基板100一侧凸出。导电结构30远离衬底基板100一侧表面301向远离衬底基板100一侧凸出。例如，导电结构30远离衬底基板100一侧表面301可以为圆弧面。如此一来，覆盖导电结构30远离衬底基板100一侧表面301的有机材料被有机溶剂溶解之后，可以顺着导电结构30的圆弧面向第一开口K1内流动，从而有利于溶解后的有机材料流入第一开口K1内，可以有效改善导电结构30的顶部的有机材料残留情况。

关于本实施例的显示基板的其余结构可以参照前述实施例的说明，故于此不再赘述。

图7A和图7B为本公开至少一实施例的显示基板的导电结构的另一剖面示意图。在一些示例性实施方式中，如图7A所示，导电结构远离衬底基板一侧表面301可以具有一个凸起302。在另一些示例中，如图7B所示，导电结构远离衬底基板一侧表面301可以具有两个凸起302。然而，本实施例对此并不限定。

本示例性实施例中的显示区域的结构与前述实施例中描述的相应结构类似，故于此不再赘述。本实施方式所示的结构(或方法)可以与其它实施方式所示的结构(或方法)适当地组合。

本公开实施例还提供一种显示基板的制备方法，包括：在显示区域的衬底基板上形成电路结构层，电路结构层包括：像素电路和辅助电源走线；在电路结构层远离衬底基板一侧形成至少一个导电结构以及发光结构层。其中，发光结构层包括多个发光元件，至少一个发光元件包括：叠设的第一电极、有机发光层以及第二电极，第一电极与像素电路电连接，第二电极位于第一电极远离衬底基板的一侧。导电结构位于至少两个相邻发光元件各自用于发光的部分之间的间隔。发光元件的第二电极通过导电结构与辅助电源走线电连接。

在一些示例性实施方式中，在电路结构层远离衬底基板一侧形成至少一个导电结构以及发光结构层，包括：在电路结构层远离衬底基板一侧形成发光元件的第一电极、像素定义层以及导电结构；蒸镀有机材料，其中，有机材料覆盖第一电极和导电结构；采用有机溶剂对覆盖导电结构的有机材料进行溶解，形成有机发光层，有机发光层暴露出导电结构远离衬底基板的至少部分；形成第二电极，第二电极与有机发光层暴露出的导电结构直接接触。

在一些示例性实施方式中，有机发光层暴露出的导电结构远离衬底基板的至少部分包括：导电结构远离衬底基板的顶面以及至少部分侧面。

在一些示例性实施方式中，在电路结构层远离衬底基板一侧形成发光元件的第一电极、像素定义层以及导电结构，包括：在电路结构层远离衬底基板的一侧形成依次形成发光元件的第一电极、导电结构；形成像素定义层，像素定义层开设有第一开口和第二开口，发光元件的位于第二开口的部分用于发光，导电结构位于第一开口内。

在一些示例性实施方式中，在电路结构层远离衬底基板一侧形成发光元件的第一电极、像素定义层以及导电结构，包括：在电路结构层远离衬底基板一侧形成发光元件的第一电极；形成像素定义层，像素定义层开设有第一开口和第二开口，发光元件的位于第二开口的部分用于发光；在像素定义层的第一开口内形成导电结构。

关于本实施例的显示基板的制备过程可以参照前述实施例的说明，故于此不再赘述。

图8为本公开至少一实施例的显示装置的示意图。如图8所示，本实施例提供一种显示装置91，包括：显示基板910。显示基板910为前述实施例提供的显示基板。在一些示例中，显示基板910可以为OLED显示基板。显示装置91可以为：OLED显示装置、手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪、车载显示器、手表、手环等任何具有显示功能的产品或部件。然而，本实施例对此并不限定。

本公开中的附图只涉及本公开涉及到的结构，其他结构可参考通常设计。在不冲突的情况下，本公开的实施例即实施例中的特征可以相互组合以得到新的实施例。

本领域的普通技术人员应当理解，可以对本公开的技术方案进行修改或者等同替换，而不脱离本公开技术方案的精神和范围，均应涵盖在本公开的权利要求的范围当中。

Claims (14)

1.一种显示基板，其特征在于，包括：

衬底基板，包括显示区域；

电路结构层，位于所述显示区域的衬底基板上，所述电路结构层包括像素电路和辅助电源走线；

发光结构层，位于所述电路结构层远离所述衬底基板的一侧，所述发光结构层包括多个发光元件，至少一个发光元件包括：叠设的第一电极、有机发光层以及第二电极，所述第一电极与所述像素电路电连接，所述第二电极位于所述第一电极远离所述衬底基板的一侧；

至少一个导电结构，位于所述电路结构层远离所述衬底基板的一侧，所述至少一个导电结构位于至少两个相邻发光元件各自用于发光的部分之间的间隔，所述发光元件的第二电极通过所述至少一个导电结构与所述辅助电源走线电连接。

2.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板还包括：与所述发光元件的第一电极同层设置的连接电极，所述至少一个导电结构通过所述连接电极与所述辅助电源走线电连接。

3.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板还包括：像素定义层，位于所述电路结构层远离所述衬底基板的一侧；

所述像素定义层开设有第一开口和第二开口，所述发光元件的位于所述第二开口的部分用于发光，所述至少一个导电结构位于所述第一开口内。

4.根据权利要求3所述的显示基板，其特征在于，所述至少一个导电结构位于所述像素定义层远离所述衬底基板的一侧，或者，所述至少一个导电结构位于所述第一电极远离所述衬底基板的一侧。

5.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述有机发光层位于所述至少一个导电结构远离所述衬底基板的一侧，且所述有机发光层暴露出所述至少一个导电结构远离所述衬底基板的至少部分，所述有机发光层暴露出的导电结构与所述第二电极直接接触。

6.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，在垂直于所述显示基板的方向上，所述导电结构的剖面为梯形。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的显示基板，其特征在于，所述导电结构远离所述衬底基板一侧的表面与所述衬底基板所在平面平行，或者，向远离所述衬底基板一侧凸出。

8.根据权利要求1至6中任一项所述的显示基板，其特征在于，所述导电结构远离所述衬底基板一侧的表面具有至少一个凸起。

9.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1至8中任一项所述的显示基板。

10.一种显示基板的制备方法，其特征在于，包括：

在显示区域的衬底基板上形成电路结构层，所述电路结构层包括：像素电路和辅助电源走线；

在所述电路结构层远离所述衬底基板一侧形成至少一个导电结构以及发光结构层；

其中，所述发光结构层包括多个发光元件，至少一个发光元件包括：叠设的第一电极、有机发光层以及第二电极，所述第一电极与所述像素电路电连接，所述第二电极位于所述第一电极远离所述衬底基板的一侧；所述导电结构位于至少两个相邻发光元件各自用于发光的部分之间的间隔，所述发光元件的第二电极通过所述导电结构与所述辅助电源走线电连接。

11.根据权利要求10所述的制备方法，其特征在于，所述在所述电路结构层远离所述衬底基板一侧形成至少一个导电结构以及发光结构层，包括：

在所述电路结构层远离所述衬底基板一侧形成发光元件的第一电极、像素定义层以及导电结构；

蒸镀有机材料，其中，所述有机材料覆盖所述第一电极和导电结构；

采用有机溶剂对覆盖所述导电结构的有机材料进行溶解，形成有机发光层，其中，所述有机发光层暴露出所述导电结构远离所述衬底基板的至少部分；

形成第二电极，所述第二电极与所述有机发光层暴露出的导电结构直接接触。

12.根据权利要求11所述的制备方法，其特征在于，所述有机发光层暴露出的导电结构远离衬底基板的至少部分包括：所述导电结构远离所述衬底基板的顶面以及至少部分侧面。

13.根据权利要求11所述的制备方法，其特征在于，所述在所述电路结构层远离所述衬底基板一侧形成发光元件的第一电极、像素定义层以及导电结构，包括：

在所述电路结构层远离所述衬底基板的一侧形成依次形成发光元件的第一电极、导电结构；

形成像素定义层，所述像素定义层开设有第一开口和第二开口，所述发光元件的位于所述第二开口的部分用于发光，所述导电结构位于所述第一开口内。

14.根据权利要求11所述的制备方法，其特征在于，所述在所述电路结构层远离所述衬底基板一侧形成发光元件的第一电极、像素定义层以及导电结构，包括：

在所述电路结构层远离所述衬底基板一侧形成发光元件的第一电极；

形成像素定义层，所述像素定义层开设有第一开口和第二开口，所述发光元件的位于所述第二开口的部分用于发光；

在所述像素定义层的第一开口内形成导电结构。

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