CN107039486A - 有机发光显示装置及其制造方法 - Google Patents
有机发光显示装置及其制造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN107039486A CN107039486A CN201610947739.2A CN201610947739A CN107039486A CN 107039486 A CN107039486 A CN 107039486A CN 201610947739 A CN201610947739 A CN 201610947739A CN 107039486 A CN107039486 A CN 107039486A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- electrode
- auxiliary
- conductive member
- organic
- auxiliary electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 32
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 21
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 30
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 claims abstract description 19
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 89
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims description 50
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 17
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 17
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 17
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 14
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 12
- 230000005611 electricity Effects 0.000 claims description 8
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 8
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 7
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 7
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 5
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 4
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 4
- 239000000654 additive Substances 0.000 claims description 3
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 claims description 3
- 239000002671 adjuvant Substances 0.000 claims description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 48
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 18
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 13
- 239000010408 film Substances 0.000 description 11
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 9
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 7
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 7
- 206010068052 Mosaicism Diseases 0.000 description 6
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 6
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 6
- 210000003765 sex chromosome Anatomy 0.000 description 6
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 4
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 4
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 3
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 3
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 3
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- MRNHPUHPBOKKQT-UHFFFAOYSA-N indium;tin;hydrate Chemical compound O.[In].[Sn] MRNHPUHPBOKKQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000007767 bonding agent Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000000338 in vitro Methods 0.000 description 1
- 239000012774 insulation material Substances 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 230000027756 respiratory electron transport chain Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/805—Electrodes
- H10K59/8052—Cathodes
- H10K59/80522—Cathodes combined with auxiliary electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/81—Anodes
- H10K50/814—Anodes combined with auxiliary electrodes, e.g. ITO layer combined with metal lines
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
- H10K50/125—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light
- H10K50/13—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light comprising stacked EL layers within one EL unit
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/82—Cathodes
- H10K50/824—Cathodes combined with auxiliary electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
- H10K59/1315—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals comprising structures specially adapted for lowering the resistance
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/12—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/60—Forming conductive regions or layers, e.g. electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/60—Forming conductive regions or layers, e.g. electrodes
- H10K71/611—Forming conductive regions or layers, e.g. electrodes using printing deposition, e.g. ink jet printing
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/1201—Manufacture or treatment
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
公开了一种有机发光显示装置及其制造方法。有机发光显示装置包括:包括像素区域的基板;在所述基板上方位于所述像素区域中的第一电极;位于所述基板上方的辅助电极,所述辅助电极与所述第一电极间隔开并且所述辅助电极位于所述像素区域的边界处;位于所述第一电极和所述辅助电极上方的第二电极;设置在所述第一电极和所述辅助电极的每一个与所述第二电极之间的有机层;和导电构件,所述导电构件位于所述辅助电极与所述第二电极之间并且将所述第二电极电连接至所述辅助电极。因此,简化了有机发光显示装置的制造工艺并降低了生产成本。
Description
相关申请的交叉引用
本申请要求享有于2015年11月3日在韩国提交的韩国专利申请第10-2015-0154133号的优先权,通过引用将该专利申请结合在此。
技术领域
本公开内容涉及一种有机发光显示(OLED)装置,且更具体地,涉及一种能够防止亮度非均匀性问题的OLED。
背景技术
近来,诸如等离体显示面板(PDP)、液晶显示(LCD)装置和OLED装置之类的平板显示装置被广泛的研究和应用。
在这些平板显示装置中,由于作为自发光型显示装置的OLED装置不需要背光单元,所以OLED装置可具有重量轻和外形纤薄的优点。
此外,OLED装置具有优异的视角、对比度、功耗、响应时间、生产成本、产量等的特性。
OLED装置可包括连接至栅极线和数据线的开关薄膜晶体管(TFT)、连接至开关TFT的驱动TFT、以及有机发光二极管。有机发光二极管连接至驱动TFT并且有机发光二极管包括第一电极、有机发光层和第二电极。
第一电极可用作阳极并且第一电极可包括具有相对较高的功函数的透明导电材料。第二电极可用作阴极且第二电极可包括具有相对较低的功函数的金属材料。所述金属材料可具有不透明特性。
在顶部发光型OLED装置中,来自有机发光层的光穿过不透明的第二电极。因此,应当对第二电极的厚度进行控制,以使其具有透光特性。
然而,当第二电极的厚度降低时,第二电极的电阻增加,使得在第二电极中产生压降问题。也就是说,在OLED装置中产生亮度非均匀性问题。
特别是,上述亮度非均匀性问题在大尺寸OLED装置中很严重。
为了防止上述亮度非均匀性问题,可形成连接至第二电极的辅助线,以减小第二电极的电阻。
图1是相关技术的OLED装置的示意性平面图,图2是沿着图1中的线II-II截取的示意性截面图。
参照图1,相关技术的OLED装置包括:基板11,基板11包括多个像素区域P;设置在基板11上或上方且位于各个像素区域P中的第一电极50;设置在像素区域P的边界处的辅助电极53;以及设置在像素区域P的边界处的堤部(bank)57。辅助电极53与第一电极50间隔开。堤部57覆盖第一电极50的边缘和辅助电极53并且包括暴露辅助电极53的一部分的辅助接触孔55。
辅助电极53和辅助接触孔55具有与第一电极50大致相同的宽度并且分离地布置在各个像素区域P处。
参照图2,半导体层13形成在基板11上,半导体层13包括第一区域13a和位于第一区域13a两侧的第二区域13b。第一区域13a由本征多晶硅形成,第二区域13b由掺杂杂质的多晶硅形成。
栅极绝缘层15形成在半导体层13上,在栅极绝缘层15上形成与半导体层13的第一区域13a对应的栅极电极25。层间绝缘层17形成在栅极电极25上。
在这种情况下,穿过栅极绝缘层15和层间绝缘层17形成半导体接触孔21,以暴露半导体层13的第二区域13b。
在层间绝缘层17上形成彼此间隔开的源极电极33和漏极电极36。源极电极33和漏极电极36分别通过半导体接触孔21电连接至半导体层13的第二区域13b。
半导体层13、栅极电极25、源极电极33和漏极电极36构成驱动TFT DTr。
在驱动TFT DTr上或上方并且在基板11的整个表面上方形成可提供平坦顶表面的钝化层19。穿过钝化层19形成暴露驱动TFT DTr的漏极电极36的漏极接触孔43。
在钝化层19上在像素区域P中形成通过漏极接触孔43连接至漏极电极36的第一电极50,并且在钝化层19上在像素区域P的边界处形成与第一电极50间隔开的辅助电极53。
在像素区域P的边界处形成堤部57,堤部57包括暴露辅助电极53的辅助接触孔55并且堤部57覆盖第一电极50的边缘和辅助电极53。
堤部57具有围绕像素区域P的格子形状,有机发光层60形成在像素区域P中的第一电极50上。此外,第二电极70形成在包括堤部57和有机发光层60的基板11的整个表面上方。结果,第二电极70通过辅助接触孔55电连接至辅助电极53。
第一电极50和第二电极70以及二者之间的有机发光层60构成有机发光二极管E。
由于辅助电极53电连接至第二电极70,所以第二电极70的薄膜电阻(sheetresistance)降低。结果,能够防止或最小化亮度非均匀性问题。
另一方面,有机发光层60可包括按顺序堆叠在第一电极50上的空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、发光材料层(EML)、电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)。
有机发光层60的每一层可通过溶液工艺或沉积工艺形成。例如,由于用于有机发光层60的每一层的一些材料对溶液工艺具有较差的稳定性,所以通过溶液工艺来形成HIL、HTL和EML,而通过沉积工艺来形成ETL和EIL。
此外,由于溶液工艺,蓝色发光材料未提供期望的特性。因此,可通过沉积工艺在基板11的整个表面上方形成蓝色发光材料图案。也就是说,通过溶液工艺在各像素区域P中形成HIL、HTL、红色发光材料图案和绿色发光材料图案的每一个,而通过沉积工艺在基板11的整个表面上方形成蓝色发光材料图案、ETL和EIL的每一个。
发明内容
因此,实施方式涉及一种基本上克服了由于现有技术的限制和缺点而导致的一个或多个问题的OLED装置及其制造方法。
提供了一种OLED装置,该OLED装置包括具有降低的薄膜电阻的第二电极。
所要求保护的主题的目的是简化OLED装置的制造工艺并降低OLED装置的生产成本。
将在下面的描述中列出其它特征和优点,这些特征和优点的一部分根据这些描述将是显而易见的,或可以通过实践而获悉。可通过说明书、权利要求书以及附图中具体指出的构造来实现和获得这些目的和其它优点。本发明的各方面限定在所附的独立权利要求中。
提供了一种有机发光显示装置,包括:包括像素区域的基板;在所述基板上方位于所述像素区域中的第一电极;在所述基板上方位于所述像素区域的边界处的辅助电极;位于所述第一电极和所述辅助电极上方的第二电极;位于所述辅助电极与所述第二电极之间并且将所述第二电极电连接至所述辅助电极的导电构件;以及位于所述第一电极和所述辅助电极的每一个与所述第二电极之间的有机层,其中所述有机层被所述导电构件开口。
所述有机层可包括蓝色发光层。
所述有机层可进一步包括位于所述第一电极与所述第二电极之间的红色发光层和绿色发光层至少之一。
所述辅助电极可沿着所述像素区域的边界部分延伸。
所述有机发光显示装置可进一步包括堤部,所述堤部设置在所述第一电极的边缘上并且所述堤部包括暴露所述辅助电极的辅助接触孔。
所述导电构件可设置在所述辅助接触孔中并且所述导电构件可在所述有机层被开口的部分中接触所述辅助电极。
所述导电构件可与所述辅助电极、以及所述辅助接触孔中的所述堤部的侧表面接触。
进一步提供了一种有机发光显示装置,包括:包括像素区域的基板;在所述基板上方位于所述像素区域中的第一电极;在所述基板上方位于所述像素的边界处的辅助电极;位于所述第一电极的边缘上并且包括暴露所述辅助电极的辅助接触孔的堤部;位于所述堤部上的有机材料图案;位于所述第一电极上的有机发光层;位于所述辅助接触孔中的导电构件;以及位于所述导电构件和所述有机发光层上的第二电极,其中所述第二电极经由所述导电构件电连接至所述辅助电极。
所述有机材料图案可接触所述辅助电极的边缘,并且所述导电构件可接触所述辅助电极的中央。
所述导电构件可接触所述辅助接触孔中的所述堤部的侧表面、以及所述辅助电极的上表面。
所述有机材料图案可具有位于所述辅助电极上的较薄部分,并且所述导电构件可设置在所述有机材料图案的所述较薄部分上。
还提供了一种制造有机发光显示装置的方法,包括:在包括像素区域的基板上方形成第一电极和辅助电极,其中所述第一电极设置在所述像素区域中,所述辅助电极设置在所述像素区域的边界处;在所述第一电极的边缘上形成堤部,所述堤部包括暴露所述辅助电极的辅助接触孔;在所述堤部上形成有机材料图案并且在所述第一电极上形成有机发光层;在所述辅助接触孔中形成导电构件,所述导电构件电连接至所述辅助电极;和在所述导电构件和所述有机发光层上形成第二电极。
形成所述导电构件的步骤可包括:将金属膏滴到所述辅助接触孔中,使得所述辅助接触孔中的所述有机材料图案溶解;和将所述金属膏和溶解的有机材料图案干燥,以形成直接或间接接触所述辅助电极的所述导电构件。
所述金属膏可包括导电颗粒和粘合剂,所述粘合剂包括树脂、溶剂和添加剂。
形成所述有机材料图案和所述有机发光层的步骤可包括:通过溶液工艺形成所述有机发光层的下层;以及通过沉积工艺形成所述有机发光层的上层以及所述有机材料图案。
应该理解的是,前面的概括描述和下面的详细描述都是示例性和解释性的,意在提供对所要求保护的主题的进一步说明。
附图说明
被包括来给本公开内容提供进一步理解并结合在本申请文件中组成本申请文件一部分的附图图解了各个实施方式,并与说明书一起用于解释本公开内容的原理。
图1是相关技术的OLED装置的示意性平面图;
图2是沿着图1中的线II-II截取的示意性截面图;
图3是根据一实施方式的OLED装置的示意性平面图;
图4是沿着图3中的线IV-IV截取的示意性截面图;
图5A至图5F是图解根据一实施方式的OLED装置的制造工艺的示意性截面图。
具体实施方式
现在将详细描述各个实施方式,附图中图解了这些实施方式的一些例子。
在相关技术的OLED装置中,由于通过沉积工艺形成的蓝色发光材料图案、ETL和EIL形成在辅助电极53以及第一电极50上或上方,因此,为了使第二电极70通过辅助接触孔55电连接至辅助电极53,应当去除辅助接触孔55中的辅助电极53上或上方的上述层。
通过将激光束照射到辅助接触孔中的上述层上来去除上述层。然而,由于需要昂贵的激光照射设备,所以制造工艺复杂且生产成本增加。
图3是根据一实施方式的OLED装置的示意性平面图,图4是沿着图3中的线IV-IV截取的示意性截面图。
参照图3,根据一实施方式的OLED装置包括:基板101,基板101包括多个像素区域P;设置在基板101上或上方且位于各个像素区域P中的第一电极150;设置在像素区域P的边界处的辅助电极153;以及设置在像素区域P的边界处的堤部157。辅助电极153与第一电极150间隔开。堤部157覆盖第一电极150的边缘和辅助电极153并且堤部157包括暴露辅助电极153的一部分的辅助接触孔155。
辅助电极153和辅助接触孔155在相邻的像素区域P之间沿一方向延伸。
参照图4,半导体层113形成在基板101上,半导体层113包括第一区域113a和位于第一区域113a两侧的第二区域113b。第一区域113a由本征多晶硅形成,第二区域113b由掺杂杂质的多晶硅形成。
栅极绝缘层115形成在半导体层113上,在栅极绝缘层115上形成与半导体层113的第一区域113a对应的栅极电极125。在栅极电极125上形成层间绝缘层117。
在这种情况下,穿过栅极绝缘层115和层间绝缘层117形成半导体接触孔121,以暴露半导体层113的第二区域113b。
在层间绝缘层117上形成彼此间隔开的源极电极133和漏极电极136。源极电极133和漏极电极136分别通过半导体接触孔121电连接至半导体层113的第二区域113b。
半导体层113、栅极电极125、源极电极133和漏极电极136构成驱动TFT DTr。
在驱动TFT DTr上或上方并且在基板101的整个表面上方形成可提供平坦顶表面的钝化层119。穿过钝化层119形成暴露驱动TFT DTr的漏极电极136的漏极接触孔143。
在钝化层119上在像素区域P中形成通过漏极接触孔143连接至漏极电极136的第一电极150,并且在钝化层119上在像素区域P的边界处形成与第一电极150间隔开的辅助电极153。
在像素区域P的边界处形成堤部157,堤部157包括暴露辅助电极153的辅助接触孔155并且堤部157覆盖第一电极150的边缘和辅助电极153。堤部157具有围绕像素区域P的格子形状。
有机材料图案160a设置在辅助电极153的上表面上以及用于暴露辅助电极153的辅助接触孔155中的堤部157的侧表面上,有机发光层160b设置在第一电极150上。例如,有机材料图案160a可覆盖辅助接触孔155中的堤部157的侧表面并且可暴露辅助接触孔155中的辅助电极153的至少一部分。或者,有机材料图案160a可暴露辅助接触孔155中的辅助电极153的整个表面。
与有机材料图案160a和辅助电极153的暴露部分接触的导电构件165设置在辅助接触孔155中。例如,导电构件165为导电液滴、导电球或导电细长球体。
此外,第二电极170设置在基板101的整个表面上方。也就是说,第二电极170与第一电极150上的有机发光层160b和辅助接触孔155中的导电构件165接触。
第一电极150和第二电极170以及二者之间的有机发光层160b构成有机发光二极管E。
第二电极170经由导电构件165电连接至辅助电极153。结果,第二电极170的电阻或薄膜电阻由于辅助电极153而减小,使得能够防止或最小化亮度非均匀性问题。
例如,第一电极150上的有机发光层160b可包括按顺序堆叠在第一电极150上的HIL、HTL、EML、ETL和EIL。有机发光层160b的这些层中的一些层可通过溶液工艺形成,有机发光层160b的这些层中的剩余层可通过沉积工艺形成。
如上所述,由于通过溶液工艺形成的层中的发光特性和材料的稳定性,可通过溶液工艺在各像素区域P中形成HIL、HTL、红色发光材料图案和绿色发光材料图案的每一个,而可通过沉积工艺在基板101的整个表面上方形成蓝色发光材料图案、ETL和EIL的每一个。
在这种情况下,位于辅助接触孔155中且位于辅助电极153上的有机材料图案160a包括通过沉积工艺形成的材料图案。例如,有机材料图案160a可包括电子传输材料图案和电子注入材料图案。或者,有机材料图案160a可包括蓝色发光材料图案、电子传输材料图案和电子注入材料图案。
另一方面,当通过沉积工艺形成有机发光层160b的所有层时,有机材料图案160a可包括与有机发光层160b类似的结构,例如,空穴注入材料图案、空穴传输材料图案、电子传输材料图案和电子注入材料图案。
由于所沉积的材料层形成在辅助电极153以及第一电极150上,所以应当辅助电极153上的材料层去除,以实现第二电极170与辅助电极153之间的电连接。
在一个实施方式中,去除位于辅助电极153上的有机材料图案160a以暴露辅助电极153,并且在辅助电极153的暴露部分上形成导电构件165。此外,在导电构件165上形成第二电极170,使得第二电极170和辅助电极153经由导电构件165电连接至彼此。
导电构件165可以是导电液滴、导电球或导电细长球体。可通过在辅助接触孔155中的有机材料图案160a上滴加并干燥(图5D的)金属膏(matel paste)163而形成导电构件165,金属膏163包括导电颗粒(例如,银(Ag)、铝(Al)、镍(Ni)或金(Au))和粘合剂。所述粘合剂可包括树脂、溶剂和添加剂。
在这种情况下,辅助电极153上的材料被溶解到(图5D的)金属膏163中的溶剂中,使得在干燥步骤之后导电构件165与辅助接触孔155中的辅助电极153接触。因此,有机材料图案160a形成在辅助接触孔155中的堤部157的侧表面上并且暴露辅助电极153的至少一部分,使得导电构件165接触辅助电极153。
换句话说,包括有机材料图案160a和有机发光层160b的有机层覆盖除导电构件165的位置之外的基板101的整个表面。也就是说,有机层被导电构件165开口。
或者,可将辅助电极153上的以及辅助接触孔155中的堤部157的侧表面上的有机材料图案160a完全去除,以使导电构件165可接触堤部157的侧表面以及辅助电极153。
另一方面,辅助电极153上的材料可被金属膏中的溶剂部分地溶解。在这种情况下,有机材料图案160a可覆盖辅助电极153的边缘部分并且仅暴露辅助电极153的中央部分。或者,有机材料图案160a可以以较小的厚度覆盖辅助接触孔中的辅助电极153的整个表面。也就是说,有机材料图案160a的位于辅助电极153上的一部分比有机材料图案160a的位于堤部157的侧表面和/或上表面上的一部分薄。在这种情况下,有机材料图案160a在截面图中可在辅助接触孔155处为下部具有较薄厚度的“U”形。即使当辅助电极153部分地接触导电构件165或通过有机材料图案160a的较薄部分间接接触导电构件165时,也能够确保第二电极170与辅助电极153之间经由导电构件165的电连接。
也就是说,导电构件165的一端电连接至辅助电极153且导电构件165的另一端电连接至第二电极170,以使第二电极170电连接至辅助电极153。
在本公开内容的OLED装置中,由于无需昂贵的激光照射设备而将辅助接触孔155中的辅助电极153上的有机材料去除,所以简化了制造工艺并降低了生产成本。此外,由于第二电极170经由导电构件165电连接至辅助电极153,所以第二电极170的薄膜电阻降低。此外,由于辅助接触孔155中的第二电极170的阶梯差因导电构件165而降低,所以防止了在辅助接触孔的阶梯中第二电极170的断开问题。导电构件165可填充辅助接触孔155,以与位于堤部157上的有机材料图案160a的上表面一起提供平坦的顶表面。在这种情况下,第二电极170可在堤部157和辅助电极153上方具有平坦的顶表面。
辅助电极153和辅助接触孔155在相邻的像素区域P的边界处沿一方向延伸。结果,辅助接触孔155可被称为凹槽。
在图3中,辅助电极153和辅助接触孔155水平地延伸。或者,辅助电极153和辅助接触孔155可在垂直方向上延伸。或者,辅助电极153和辅助接触孔155可在水平方向和垂直方向上延伸,使得辅助电极153和辅助接触孔155可具有格子形状。
由于辅助电极153和辅助接触孔155沿水平方向和垂直方向中的至少一个方向延伸,所以用于滴加金属膏的面积增加。因此,导电构件165的导电颗粒的尺寸裕度(sizemargin)和金属膏的滴加工艺的对准裕度(aligning margin)增加,使得确保了第二电极170与辅助电极153之间的电连接。
图5A至图5F是图解根据一实施方式的OLED装置的制造工艺的示意性截面图。
根据本公开内容的OLED装置的制造方法包括:形成第一电极150和辅助电极153的步骤、形成覆盖辅助电极153的堤部157的步骤、形成有机材料图案160a和有机发光层160b的步骤、去除有机材料图案160a的一部分并形成导电构件165的步骤、以及形成第二电极170的步骤。
如图5A中所示,在形成有例如驱动TFT DTr、钝化层119等这些元件的基板101上方形成第一电极150和辅助电极153。第一电极150设置在像素区域P中并且通过漏极接触孔143电连接至驱动TFT DTr的漏极电极136。辅助电极153设置在像素区域P的边界处并且与第一电极150间隔开。第一电极150和辅助电极153的每一个可由相同的材料形成。例如,第一电极150和辅助电极153的每一个可由透明导电材料,例如氧化铟锡(ITO)和氧化铟锌(IZO)形成。
接下来,如图5B中所示,形成绝缘材料层(未示出)并将其构图以形成堤部157。堤部157包括辅助接触孔155和开口。通过辅助接触孔155暴露辅助电极153,并且通过所述开口暴露第一电极150。也就是说,堤部157覆盖辅助电极153和第一电极150的边缘。
接下来,如图5C中所示,在包括堤部157的基板101上方形成有机材料图案160a和有机发光层160b。有机材料图案160a形成在辅助接触孔155中的辅助电极153上以及堤部157的上表面和侧表面上。有机发光层160b形成在第一电极150上。
如上所述,有机发光层160b可包括按顺序堆叠在第一电极150上的HIL、HTL、EML、ETL和EIL。有机发光层160b的这些层中的一些层可由沉积工艺形成,或者有机发光层160b的这些层中的所有层可由沉积工艺形成。
由于通过溶液工艺形成的层中的发光特性和材料的稳定性,可通过溶液工艺在各像素区域P中形成HIL、HTL、红色发光材料图案和绿色发光材料图案的每一个,而可通过沉积工艺在基板101的整个表面上方形成蓝色发光材料图案、ETL和EIL的每一个。这种工艺可被称为溶液制造工艺(solution fabricating process)。
在溶液制造工艺中,通过沉积工艺形成的层形成在像素区域P的边界以及像素区域P的中央。也就是说,有机材料图案160a可具有电子传输材料图案和电子注入材料图案的双层结构或者蓝色发光材料图案、电子传输材料图案和电子注入材料图案的三层结构。或者,在沉积制造工艺中,有机材料图案160a可具有空穴注入材料图案、空穴传输材料图案、电子传输材料图案和电子注入材料图案的结构。
接下来,如图5D中所示,使用分配器180将金属膏163滴到辅助接触孔155中,以将辅助电极153上的有机材料图案160a溶解。在这种情况下,辅助电极153上的有机材料图案160a可被完全溶解或部分溶解。此外,辅助接触孔155中的堤部157的侧表面上的有机材料图案160a可被溶解。
将金属膏163和溶解的有机材料图案160a的有机材料干燥,使得在辅助接触孔155中形成导电构件165,如图5E中所示。
在图5E中,导电构件165的一端接触辅助电极153的中央。或者,导电构件165可接触辅助接触孔155中的辅助电极153的整个上表面。此外,导电构件165可间接接触辅助电极153,在二者之间具有薄的有机材料图案160a。此外,导电构件165可接触辅助接触孔155中的堤部157的侧表面。
导电构件165可以是导电液滴、导电球或导电细长球体。可通过在辅助接触孔155中的有机材料图案160a上滴加并干燥金属膏163而形成导电构件165,金属膏163包括导电颗粒(例如,银(Ag)、铝(Al)、镍(Ni)或金(Au))和粘合剂。所述粘合剂可包括树脂、溶剂和添加剂。
辅助电极153上的材料被溶解到金属膏163的溶剂中,并且通过干燥步骤去除这些材料和溶剂,使得在干燥步骤之后导电构件165接触辅助接触孔155中的辅助电极153。因此,有机材料图案160a形成在辅助接触孔155中的堤部157的侧表面上并且暴露辅助电极153的至少一部分,以使导电构件165接触辅助电极153。
接下来,如图5F中所示,在有机发光层160b、导电构件165、以及位于堤部157的上表面上的有机材料图案160a上形成第二电极170。第二电极170形成在基板101的整个表面上方,第一电极150、第二电极170和有机发光层160b构成有机发光二极管E。
第二电极170接触导电构件165,使得第二电极170和辅助电极153经由导电构件165电连接至彼此。
在本公开内容的OLED装置中,由于无需使用昂贵的激光照射设备而将辅助接触孔155中的辅助电极153上的有机材料去除,所以简化了制造工艺并且降低了生产成本。此外,由于第二电极170经由导电构件165电连接至辅助电极53,所以第二电极70的薄膜电阻降低。此外,由于辅助接触孔155中的第二电极170的阶梯差因导电构件165而降低,所以防止了在辅助接触孔的阶梯中第二电极170的断开问题。
在不背离所附权利要求的范围的情况下,能够对各实施方式进行各种修改和变化,对于本领域技术人员来说是显而易见的。因而,各实施方式并非意在限制性的,而是旨在涵盖落入所附权利要求范围及其等同范围内的修改和变化。
Claims (17)
1.一种有机发光显示装置,包括:
包括像素区域的基板;
在所述基板上方位于所述像素区域中的第一电极;
位于所述基板上方的辅助电极,所述辅助电极与所述第一电极间隔开并且所述辅助电极位于所述像素区域的边界处;
位于所述第一电极和所述辅助电极上方的第二电极;
设置在所述第一电极和所述辅助电极的每一个与所述第二电极之间的有机层;和
包括导电液滴的导电构件,所述导电构件位于所述辅助电极与所述第二电极之间并且将所述第二电极电连接至所述辅助电极。
2.根据权利要求1所述的有机发光显示装置,其中所述有机层包括蓝色发光层。
3.根据权利要求2所述的有机发光显示装置,其中所述有机层进一步包括位于所述第一电极与所述第二电极之间的红色发光层和绿色发光层至少之一。
4.根据权利要求1所述的有机发光显示装置,其中所述辅助电极沿着所述像素区域的边界部分延伸。
5.根据权利要求1所述的有机发光显示装置,进一步包括堤部,所述堤部位于所述第一电极的边缘上方,其中所述堤部包括暴露所述辅助电极的辅助接触孔。
6.根据权利要求5所述的有机发光显示装置,其中所述导电构件设置在所述辅助接触孔中并且所述导电构件通过所述有机层中的开口与所述辅助电极接触。
7.根据权利要求5所述的有机发光显示装置,其中所述导电构件与所述辅助电极、以及所述辅助接触孔中的所述堤部的侧表面接触。
8.根据权利要求5所述的有机发光显示装置,其中所述有机层包括:
位于所述堤部上方的有机材料图案部分;和
位于所述第一电极上方的有机发光层部分。
9.根据权利要求8所述的有机发光显示装置,其中所述有机材料图案部分接触所述辅助电极的边缘,并且所述导电构件接触所述辅助电极的中央。
10.根据权利要求8所述的有机发光显示装置,其中所述有机材料图案部分具有位于所述辅助电极上方的较薄部分,并且所述导电构件位于所述较薄部分上方。
11.根据权利要求8所述的有机发光显示装置,其中所述导电构件填充所述辅助接触孔,以与位于所述堤部上方的所述有机材料图案部分的上表面一起提供平坦的顶表面。
12.一种制造有机发光显示装置的方法,包括以下步骤:
在包括像素区域的基板上方形成第一电极和辅助电极,其中所述第一电极设置在所述像素区域中,所述辅助电极与所述第一电极间隔开并且所述辅助电极设置在所述像素区域的边界处;
在所述第一电极和所述辅助电极上方形成有机层;
在所述辅助电极的位置处的所述有机层上方形成包括导电液滴的导电构件;和
在所述有机层和所述导电构件上方形成第二电极。
13.根据权利要求12所述的方法,在所述第一电极和所述辅助电极上方形成有机层的步骤之前,进一步包括在所述第一电极的边缘上方形成堤部的步骤,所述堤部包括暴露所述辅助电极的辅助接触孔,
其中在所述第一电极和所述辅助电极上方形成有机层的步骤包括在所述堤部上方形成有机材料图案部分和在所述第一电极上方形成有机发光层部分,并且
其中在所述辅助电极的位置处的所述有机层上方形成导电构件的步骤包括在所述辅助接触孔中形成导电构件,以将所述导电构件电连接至所述辅助电极。
14.根据权利要求13所述的方法,其中所述导电构件填充所述辅助接触孔,以与位于所述堤部上方的所述有机材料图案部分的上表面一起提供平坦的顶表面。
15.根据权利要求13所述的方法,其中形成所述导电构件的步骤包括:
将金属膏滴到所述辅助接触孔中,使得所述辅助接触孔中的所述有机材料图案部分被溶解;和
将所述金属膏和溶解的有机材料图案部分干燥,以使所述导电构件直接或间接接触所述辅助电极。
16.根据权利要求15所述的方法,其中所述金属膏包括导电颗粒和粘合剂,所述粘合剂包括树脂、溶剂和添加剂。
17.根据权利要求15所述的方法,其中形成所述有机材料图案部分和所述有机发光层部分的步骤包括:
通过溶液工艺形成所述有机发光层部分的下层;和
通过沉积工艺形成所述有机发光层部分的上层以及所述有机材料图案部分。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2015-0154133 | 2015-11-03 | ||
KR1020150154133A KR102413365B1 (ko) | 2015-11-03 | 2015-11-03 | 유기발광다이오드표시장치 및 이의 제조방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN107039486A true CN107039486A (zh) | 2017-08-11 |
CN107039486B CN107039486B (zh) | 2020-12-25 |
Family
ID=56740108
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201610947739.2A Active CN107039486B (zh) | 2015-11-03 | 2016-10-26 | 有机发光显示装置及其制造方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10686156B2 (zh) |
EP (1) | EP3166155B1 (zh) |
KR (1) | KR102413365B1 (zh) |
CN (1) | CN107039486B (zh) |
Cited By (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN107393949A (zh) * | 2017-09-01 | 2017-11-24 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板、显示面板、阵列基板的制造方法和显示面板的制造方法 |
CN107731883A (zh) * | 2017-11-17 | 2018-02-23 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | Oled显示器及其制作方法 |
CN108615825A (zh) * | 2018-04-26 | 2018-10-02 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种有机发光显示面板及其制作方法 |
CN108919576A (zh) * | 2018-08-30 | 2018-11-30 | 上海天马微电子有限公司 | 一种面板和3d打印装置 |
CN109524443A (zh) * | 2018-12-17 | 2019-03-26 | 合肥鑫晟光电科技有限公司 | 一种oled基板及oled显示装置 |
CN109727998A (zh) * | 2019-01-02 | 2019-05-07 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板及其制备方法、显示装置 |
CN110148680A (zh) * | 2019-04-30 | 2019-08-20 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 有机发光显示面板及其制备方法 |
CN110176478A (zh) * | 2019-05-28 | 2019-08-27 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 有机发光二极管显示装置及其制作方法 |
CN110444696A (zh) * | 2018-05-02 | 2019-11-12 | 东京毅力科创株式会社 | 涂敷装置、涂敷方法和有机el显示器 |
CN110993642A (zh) * | 2019-11-01 | 2020-04-10 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及其制备方法 |
CN111063813A (zh) * | 2019-12-05 | 2020-04-24 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种oled器件结构及其制备方法 |
CN111146244A (zh) * | 2018-11-02 | 2020-05-12 | 乐金显示有限公司 | 电致发光显示装置 |
CN111596783A (zh) * | 2019-02-20 | 2020-08-28 | 三星显示有限公司 | 显示设备 |
CN112164757A (zh) * | 2020-09-24 | 2021-01-01 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及其制作方法 |
CN112259580A (zh) * | 2020-10-15 | 2021-01-22 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及其制备方法 |
WO2021164645A1 (zh) * | 2020-02-19 | 2021-08-26 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及显示装置 |
CN114050174A (zh) * | 2021-10-26 | 2022-02-15 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及其制备方法、电子设备 |
CN114141841A (zh) * | 2021-11-26 | 2022-03-04 | 合肥京东方卓印科技有限公司 | 显示基板及其制备方法、显示装置 |
WO2023097722A1 (zh) * | 2021-12-01 | 2023-06-08 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示基板、显示面板及显示基板的制作方法 |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102440237B1 (ko) * | 2015-11-03 | 2022-09-05 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광다이오드표시장치 |
CN108933154B (zh) * | 2017-05-26 | 2021-04-27 | 京东方科技集团股份有限公司 | 有机发光二极管显示基板的制备方法、显示基板及显示装置 |
KR20200049336A (ko) * | 2018-10-31 | 2020-05-08 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
CN110112194A (zh) * | 2019-04-30 | 2019-08-09 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 有机发光显示面板及其制备方法 |
CN110112201B (zh) * | 2019-05-22 | 2021-01-19 | 合肥鑫晟光电科技有限公司 | 显示基板及其制造方法、显示装置 |
CN111584761B (zh) * | 2020-05-28 | 2022-12-02 | 合肥京东方卓印科技有限公司 | 显示面板及其制作方法和显示装置 |
US11197384B1 (en) * | 2020-06-29 | 2021-12-07 | Quanta Computer Inc. | Tool-less latch system for a node sled |
KR20220084811A (ko) * | 2020-12-14 | 2022-06-21 | 엘지디스플레이 주식회사 | 발광 소자, 그의 제조 방법 및 발광 소자를 포함하는 표시 장치 및 그의 제조 방법 |
US11864402B2 (en) * | 2021-04-30 | 2024-01-02 | Sharp Kabushiki Kaisha | Combined auxiliary electrode and partially scattering bank for three-dimensional QLED pixel |
CN114141852B (zh) * | 2021-11-30 | 2023-05-05 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 柔性显示面板及柔性显示装置 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20120248472A1 (en) * | 2009-12-16 | 2012-10-04 | Koninklijke Philips Electronics, N.V. | Method for creating serially connected oled devices |
US20140346459A1 (en) * | 2013-05-21 | 2014-11-27 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light emitting display apparatus and method of manufacturing the same |
KR20150002422A (ko) * | 2013-06-28 | 2015-01-07 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광표시장치 및 그의 제조방법 |
US20150102294A1 (en) * | 2013-10-15 | 2015-04-16 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light emitting diode display and method for preparing the same |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7221095B2 (en) * | 2003-06-16 | 2007-05-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and method for fabricating light emitting device |
JP2005327674A (ja) * | 2004-05-17 | 2005-11-24 | Sharp Corp | 有機エレクトロルミネッセント表示素子、それを有する表示装置、及び、その製造方法 |
TWI585955B (zh) * | 2008-11-28 | 2017-06-01 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 光感測器及顯示裝置 |
TW201321871A (zh) * | 2011-11-29 | 2013-06-01 | Au Optronics Corp | 顯示面板及其製作方法 |
KR102090555B1 (ko) * | 2012-12-27 | 2020-03-18 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치 제조 방법 |
KR102020805B1 (ko) * | 2012-12-28 | 2019-09-11 | 엘지디스플레이 주식회사 | 투명 유기 발광 표시 장치 및 투명 유기 발광 표시 장치 제조 방법 |
JP6211873B2 (ja) * | 2013-09-30 | 2017-10-11 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 有機el表示装置及び有機el表示装置の製造方法 |
-
2015
- 2015-11-03 KR KR1020150154133A patent/KR102413365B1/ko active IP Right Grant
-
2016
- 2016-08-16 EP EP16184355.2A patent/EP3166155B1/en active Active
- 2016-10-26 CN CN201610947739.2A patent/CN107039486B/zh active Active
- 2016-10-26 US US15/334,997 patent/US10686156B2/en active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20120248472A1 (en) * | 2009-12-16 | 2012-10-04 | Koninklijke Philips Electronics, N.V. | Method for creating serially connected oled devices |
US20140346459A1 (en) * | 2013-05-21 | 2014-11-27 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light emitting display apparatus and method of manufacturing the same |
KR20150002422A (ko) * | 2013-06-28 | 2015-01-07 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광표시장치 및 그의 제조방법 |
US20150102294A1 (en) * | 2013-10-15 | 2015-04-16 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light emitting diode display and method for preparing the same |
Cited By (27)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN107393949A (zh) * | 2017-09-01 | 2017-11-24 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板、显示面板、阵列基板的制造方法和显示面板的制造方法 |
CN107731883A (zh) * | 2017-11-17 | 2018-02-23 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | Oled显示器及其制作方法 |
CN108615825B (zh) * | 2018-04-26 | 2020-03-10 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种有机发光显示面板及其制作方法 |
CN108615825A (zh) * | 2018-04-26 | 2018-10-02 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种有机发光显示面板及其制作方法 |
CN110444696A (zh) * | 2018-05-02 | 2019-11-12 | 东京毅力科创株式会社 | 涂敷装置、涂敷方法和有机el显示器 |
CN108919576A (zh) * | 2018-08-30 | 2018-11-30 | 上海天马微电子有限公司 | 一种面板和3d打印装置 |
CN108919576B (zh) * | 2018-08-30 | 2021-08-27 | 上海天马微电子有限公司 | 一种用于3d打印的面板和3d打印装置 |
CN111146244A (zh) * | 2018-11-02 | 2020-05-12 | 乐金显示有限公司 | 电致发光显示装置 |
CN109524443A (zh) * | 2018-12-17 | 2019-03-26 | 合肥鑫晟光电科技有限公司 | 一种oled基板及oled显示装置 |
WO2020124940A1 (en) * | 2018-12-17 | 2020-06-25 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Oled substrate and oled display apparatus |
CN109727998A (zh) * | 2019-01-02 | 2019-05-07 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板及其制备方法、显示装置 |
US11024825B2 (en) | 2019-01-02 | 2021-06-01 | Chengdu Boe Optoelectronics Technology Co., Ltd. | Array substrate, method for manufacturing the same, and display device |
CN111596783B (zh) * | 2019-02-20 | 2024-04-05 | 三星显示有限公司 | 显示设备 |
CN111596783A (zh) * | 2019-02-20 | 2020-08-28 | 三星显示有限公司 | 显示设备 |
CN110148680A (zh) * | 2019-04-30 | 2019-08-20 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 有机发光显示面板及其制备方法 |
CN110176478A (zh) * | 2019-05-28 | 2019-08-27 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 有机发光二极管显示装置及其制作方法 |
CN110993642A (zh) * | 2019-11-01 | 2020-04-10 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及其制备方法 |
CN111063813A (zh) * | 2019-12-05 | 2020-04-24 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种oled器件结构及其制备方法 |
US11322712B2 (en) | 2019-12-05 | 2022-05-03 | Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. | OLED device structure with reduced voltage drop and manufacturing method thereof |
WO2021164645A1 (zh) * | 2020-02-19 | 2021-08-26 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及显示装置 |
CN112164757A (zh) * | 2020-09-24 | 2021-01-01 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及其制作方法 |
CN112259580A (zh) * | 2020-10-15 | 2021-01-22 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及其制备方法 |
CN112259580B (zh) * | 2020-10-15 | 2022-08-02 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及其制备方法 |
CN114050174A (zh) * | 2021-10-26 | 2022-02-15 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及其制备方法、电子设备 |
WO2023070521A1 (zh) * | 2021-10-26 | 2023-05-04 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及其制备方法、电子设备 |
CN114141841A (zh) * | 2021-11-26 | 2022-03-04 | 合肥京东方卓印科技有限公司 | 显示基板及其制备方法、显示装置 |
WO2023097722A1 (zh) * | 2021-12-01 | 2023-06-08 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示基板、显示面板及显示基板的制作方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP3166155B1 (en) | 2023-05-03 |
EP3166155A1 (en) | 2017-05-10 |
US10686156B2 (en) | 2020-06-16 |
KR102413365B1 (ko) | 2022-06-27 |
US20170125725A1 (en) | 2017-05-04 |
CN107039486B (zh) | 2020-12-25 |
KR20170052767A (ko) | 2017-05-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN107039486A (zh) | 有机发光显示装置及其制造方法 | |
US10403845B2 (en) | Top-emissive organic light-emitting diode display | |
US11723239B2 (en) | Display device | |
CN103066212B (zh) | 有机发光显示装置及其制造方法 | |
CN106328677A (zh) | 有机发光显示装置 | |
CN100504998C (zh) | 平板显示装置 | |
CN107611162A (zh) | 柔性oled显示面板及其制作方法 | |
US20160064685A1 (en) | Protection structure and organic light emitting display device including the protection structure | |
CN104779269B (zh) | Oled显示器件 | |
CN109904211A (zh) | 一种阵列基板、其制作方法、显示面板及显示装置 | |
CN103794631A (zh) | 柔性有机电致发光装置及其制造方法 | |
CN209729911U (zh) | 一种阵列基板、显示面板及显示装置 | |
CN108074950A (zh) | 电致发光显示设备及其制造方法 | |
CN101626029A (zh) | 有机发光二极管显示器及其制造方法 | |
CN100456519C (zh) | 有机电致发光显示器及其制造方法 | |
WO2015000242A1 (zh) | Oled器件及其制造方法、显示装置 | |
CN1832225A (zh) | 有机el装置及电子机器 | |
KR102595445B1 (ko) | 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법 | |
CN109920923A (zh) | 有机发光二极管器件及制备方法、显示面板、显示装置 | |
KR102663140B1 (ko) | 디스플레이 장치 | |
CN107731754A (zh) | 一种有机电致发光显示面板及制备方法、显示装置 | |
CN108878500A (zh) | 显示基板及其制备方法、显示装置 | |
KR20110100439A (ko) | 유기전계 발광소자 | |
WO2020056887A1 (zh) | 有机发光二极管显示屏及电子设备 | |
CN1638567B (zh) | 有机电致发光显示器件及其制造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |