KR20220084811A - 발광 소자, 그의 제조 방법 및 발광 소자를 포함하는 표시 장치 및 그의 제조 방법 - Google Patents

발광 소자, 그의 제조 방법 및 발광 소자를 포함하는 표시 장치 및 그의 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20220084811A
KR20220084811A KR1020200174661A KR20200174661A KR20220084811A KR 20220084811 A KR20220084811 A KR 20220084811A KR 1020200174661 A KR1020200174661 A KR 1020200174661A KR 20200174661 A KR20200174661 A KR 20200174661A KR 20220084811 A KR20220084811 A KR 20220084811A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
light emitting
layer
region
conductive ball
emitting device
Prior art date
Application number
KR1020200174661A
Other languages
English (en)
Inventor
민경원
윤재경
김상규
Original Assignee
엘지디스플레이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지디스플레이 주식회사 filed Critical 엘지디스플레이 주식회사
Priority to KR1020200174661A priority Critical patent/KR20220084811A/ko
Priority to US17/520,921 priority patent/US20220190302A1/en
Publication of KR20220084811A publication Critical patent/KR20220084811A/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/868—Arrangements for polarized light emission
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H01L51/5012—
    • H01L27/3246—
    • H01L27/326—
    • H01L51/0014—
    • H01L51/56—
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/805—Electrodes
    • H10K59/8051—Anodes
    • H10K59/80515—Anodes characterised by their shape
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/20—Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/20—Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning
    • H10K71/231—Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning by etching of existing layers
    • H10K71/233—Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning by etching of existing layers by photolithographic etching
    • H01L2251/5369—
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301—Details of OLEDs
    • H10K2102/331—Nanoparticles used in non-emissive layers, e.g. in packaging layer
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/1201—Manufacture or treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/12—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
    • H10K71/13—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating using printing techniques, e.g. ink-jet printing or screen printing
    • H10K71/135—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating using printing techniques, e.g. ink-jet printing or screen printing using ink-jet printing

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

실시 예들은 전도성을 갖는 금속 물질로 구성된 구형의 도전볼, 상기 도전볼의 표면의 일 영역을 커버하는 발광층, 상기 발광층 상에 형성된 금속층 및 상기 도전볼의 상기 표면의 나머지 영역 중 적어도 일부를 커버하는 절연층을 포함하는, 발광 소자 및 그의 제조 방법에 관한 것이다.

Description

발광 소자, 그의 제조 방법 및 발광 소자를 포함하는 표시 장치 및 그의 제조 방법{LIGHT EMITTING ELEMENT MANUFACTURING METHOD THEREOF, DISPLAY DEVICE INCLUDING THE LIGHT EMITTING ELEMENT AND MANUFACTURING METHOD THEREOF}
본 발명은 발광 소자, 그의 제조 방법 및 발광 소자를 포함하는 표시 장치 및 그의 제조 방법에 관한 것이다.
정보화 사회가 발전함에 따라 다양한 형태의 표시 장치가 개발되고 있다. 최근에는 액정 표시 장치(Liquid Crystal Display; LCD), 플라즈마 표시 장치(Plasma Display Panel; PDP), 유기 발광 표시 장치(Organic Light Emitting Display; OLED)와 같은 여러 가지 표시 장치가 활용되고 있다.
유기 발광 표시 장치를 구성하는 유기 발광 소자는 자체 발광형으로서, 별도의 광원을 필요로 하지 않으므로 표시 장치의 두께와 무게를 줄일 수 있다. 또한, 유기 발광 표시 장치는 낮은 소비 전력, 높은 휘도 및 높은 반응 속도 등의 고품위 특성을 나타낸다.
최근에는 잉크젯 장비 등을 이용한 용액 공정을 통해 유기 발광 소자의 발광층을 형성하는 기술이 개발되고 있다. 용액 공정은 설정된 영역에 발광층 형성을 위한 용액을 도포한 후 건조하는 방식으로 이루어진다.
실시 예들은 도전볼의 표면에 발광층 및 캐소드 전극이 순차로 적층된 구조의 발광 소자, 그의 제조 방법을 제공한다.
또한, 실시 예들은, 상술한 발광 소자를 포함하는 표시 장치 및 그의 제조 방법을 제공한다.
일 실시 예에 따른 발광 소자는, 전도성을 갖는 금속 물질로 구성된 구형의 도전볼, 상기 도전볼의 표면의 일 영역을 커버하는 발광층, 상기 발광층 상에 형성된 금속층 및 상기 도전볼의 상기 표면의 나머지 영역 중 적어도 일부를 커버하는 절연층을 포함할 수 있다.
상기 도전볼은, 단면이 원 또는 타원일 수 있다.
상기 도전볼은, 알루미늄, 구리 및 투명 도전 물질 중 적어도 하나로 구성되고, 상기 금속층은, 상기 알루미늄 또는 상기 투명 도전 물질 중 적어도 하나로 구성될 수 있다.
상기 도전볼은, 상기 일 영역이 양극 또는 음극 중 어느 하나의 극성을 띄고, 상기 나머지 영역이 상기 양극 또는 상기 음극 중 다른 하나의 극성을 띌 수 있다.
상기 발광층 및 상기 금속층은, 상기 일 영역을 커버하고, 상기 절연층은, 상기 나머지 영역을 띠 형태로 커버할 수 있다.
일 실시 예에 따른 발광 소자의 제조 방법은, 플레이트 상에, 도전볼들을 배치된 베이스층을 형성하는 단계, 상기 베이스층 상에 절연층을 형성하는 단계, 상기 절연층 상에 발광층 및 금속층을 형성하는 단계 및 상기 도전볼들을 서로 분리하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 도전볼은, 일 영역이 양극의 극성을 띄고, 나머지 영역이 양극의 극성을 띄며, 상기 방법은, 상기 도전볼들을 배치하는 단계 이후에, 상기 플레이트 주변에 전계를 형성하여 상기 발광 소자의 회전 방향을 제어하는 단계를 더 포함할 수 있다.
상기 도전볼들을 서로 분리하는 단계는, 상기 플레이트를 제거하는 단계 및 상기 도전볼들 사이에 형성된 상기 베이스층, 상기 절연층, 상기 발광층 및 상기 금속층을 제거하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 베이스층을 형성하는 단계는, 상기 플레이트 상에 용융된 폴리머 수지를 도포하는 단계, 상기 폴리머 수지 상에 상기 도전볼들을 배치하는 단계 및 상기 폴리머 수지를 경화시키는 단계를 포함할 수 있다.
상기 발광층 및 상기 금속층을 패터닝하는 단계는, 상기 절연층 상에 포토 레지스트를 도포하는 단계, 상기 플레이트의 하부에 광을 조사하여 상기 포토 레지스트의 일 영역을 노광하는 단계, 노광되지 않은 포토 레지스트의 나머지 영역 및 상기 도전볼의 상부 표면에 형성된 절연층의 일 영역을 에칭하는 단계 및
상기 절연층 및 상기 에칭에 의해 노출된 상기 도전볼의 상부 표면 상에 상기 발광층 및 상기 금속층을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
일 실시 예에 따른 표시 장치는, 적어도 하나의 회로 소자들을 포함하는 회로 소자층이 배치된 기판, 상기 회로 소자층 상에 형성된 애노드 전극, 상기 애노드 전극의 가장자리를 커버하도록 형성되고, 발광 영역을 정의하는 뱅크, 상기 발광 영역에 대응하여 상기 애노드 전극 상에 배치된 적어도 하나의 발광 소자 및 상기 적어도 하나의 발광 소자 및 상기 뱅크를 커버하는 캐소드 전극을 포함하되, 상기 발광 소자는, 전도성을 갖는 금속 물질로 구성된 구형의 도전볼, 상기 도전볼의 표면의 일 영역을 커버하는 발광층, 상기 발광층 상에 형성된 금속층 및 상기 도전볼의 상기 표면의 나머지 영역 중 적어도 일부를 커버하는 절연층을 포함할 수 있다.
상기 도전볼은, 단면이 원 또는 타원일 수 있다.
상기 발광 영역은, 상기 발광 소자의 형태 및 직경에 대응하는 적어도 하나의 원 또는 적어도 하나의 타원이 인접하게 배치된 형태를 가질 수 있다.
상기 애노드 전극은, 상기 적어도 하나의 발광 소자 각각에 대응하는 적어도 하나의 돌출 영역을 포함할 수 있다.
상기 뱅크는, 상기 발광 영역을 복수 개의 구역들로 분할하고, 상기 각각의 발광 소자들의 사이에 배치된 보조 뱅크를 더 포함할 수 있다.
일 실시 예에 따른 표시 장치의 제조 방법은, 기판 상에 적어도 하나의 회로 소자를 포함하는 회로 소자층을 형성하는 단계, 상기 회로 소자층 상에 애노드 전극을 형성하는 단계, 상기 애노드 전극의 가장자리를 커버하고, 발광 영역을 정의하는 뱅크를 형성하는 단계, 상기 애노드 전극 상에 접착제를 도포하는 단계, 상기 발광 영역에 대응하여 상기 애노드 전극 상에 적어도 하나의 발광 소자를 배치하는 단계 및 상기 적어도 하나의 발광 소자 및 상기 뱅크를 커버하는 캐소드 전극을 형성하는 단계를 포함하되, 상기 발광 소자는, 전도성을 갖는 금속 물질로 구성된 구형의 도전볼, 상기 도전볼의 표면의 일 영역을 커버하는 발광층, 상기 발광층 상에 형성된 금속층 및 상기 도전볼의 상기 표면의 나머지 영역 중 적어도 일부를 커버하는 절연층을 포함할 수 있다.
상기 적어도 하나의 발광 소자를 배치하는 단계는, 용매 상에 상기 적어도 하나의 발광 소자가 혼합된 용액을 상기 발광 영역 내에 도포하는 단계 및 상기 용액을 건조시키는 단계를 포함할 수 있다.
상기 도전볼은, 상기 발광층 및 상기 금속층으로 커버된 일 영역이 양극 또는 음극 중 어느 하나의 극성을 띄고, 나머지 영역이 상기 양극 또는 상기 음극 중 다른 하나의 극성을 띄며, 상기 방법은, 상기 용액을 상기 발광 영역 내에 도포하는 단계 이후에, 상기 기판 주변에 전계를 형성하여 상기 적어도 하나의 발광 소자의 회전 방향을 제어하는 단계를 더 포함할 수 있다.
상기 방법은, 상기 일 영역이 상기 기판을 향하도록 상기 회전 방향이 제어될 때, 상기 방법은, 상기 캐소드 전극을 형성하는 단계 이전에, 상기 적어도 하나의 발광 소자 및 상기 뱅크를 커버하는 버퍼층을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
상기 접착제를 도포하는 단계는, 상기 접착제와 용매의 혼합액을 상기 애노드 전극 상에 도포하는 단계를 포함하고, 상기 적어도 하나의 발광 소자를 배치하는 단계는, 잉크젯 장비를 통해 상기 적어도 하나의 발광 소자를 상기 발광 영역 내에 제팅하는 단계를 포함할 수 있다.
실시 예들에 따른 발광 소자는 용액 공정으로 제조되는 표시 장치에 있어서 소자 특성을 유지하여, 수명 및 발광 효율을 향상시키고 소비 전력을 감소시킬 수 있다.
또한, 실시 예들에 따른 발광 소자는 용액 공정으로 발광 다이오드의 발광층을 생성함에 있어서, 용액 건조 시 발생하는 파일 업(pile up) 현상에 의해 발광 특성이 저하되는 문제를 해소할 수 있다.
또한, 실시 예들에 따른 표시 장치 및 그의 제조 방법은, 발광 다이오드의 발광층 및 캐소드 증착을 위한 마스크를 사용하지 않음으로써, 제조 공정을 단순하고 용이하게 할 수 있다.
도 1은 일 실시 예에 따른 표시 장치의 구성을 나타낸 블록도이다.
도 2는 일 실시 예에 따른 화소의 회로도이다.
도 3은 일 실시 예에 따른 발광 다이오드의 구조를 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 4는 일 실시 예에 따른 발광 다이오드의 형성 방법을 나타낸 도면이다.
도 5는 일 실시 예에 따른 발광 소자의 구조를 나타낸 도면이다.
도 6a 내지 도 6i는 일 실시 예에 따른 발광 소자의 제조 방법을 나타낸 도면들이다.
도 7a 내지 7g는 일 실시 예에 따른 표시 장치의 제조 방법을 나타낸 도면들이다.
도 8a 내지 도 8d는 다른 실시 예에 따른 표시 장치의 제조 방법을 나타낸 도면들이다.
도 9는 또 다른 실시 예에 따른 표시 장치를 나타낸 도면이다.
이하, 도면을 참조하여 실시 예들을 설명한다. 본 명세서에서, 어떤 구성 요소(또는 영역, 층, 부분 등)가 다른 구성 요소 "상에 있다.", "연결된다.", 또는 "결합된다."고 언급되는 경우에 그것은 다른 구성 요소 상에 직접 연결/결합될 수 있거나 또는 그들 사이에 제3의 구성 요소가 배치될 수도 있다는 것을 의미한다.
동일한 도면 부호는 동일한 구성 요소를 지칭한다. 또한, 도면들에 있어서, 구성요소들의 두께, 비율, 및 치수는 기술적 내용의 효과적인 설명을 위해 과장된 것이다. "및/또는"은 연관된 구성들이 정의할 수 있는 하나 이상의 조합을 모두 포함한다.
제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성 요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성 요소들은 상기 용어들에 의해 한정되지 않는다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 실시 예들의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성 요소는 제2 구성 요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성 요소도 제1 구성 요소로 명명될 수 있다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.
"아래에", "하측에", "위에", "상측에" 등의 용어는 도면에 도시된 구성들의 연관관계를 설명하기 위해 사용된다. 상기 용어들은 상대적인 개념으로, 도면에 표시된 방향을 기준으로 설명된다.
"포함하다." 또는 "가지다." 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성 요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
도 1은 일 실시 예에 따른 표시 장치의 구성을 나타낸 블록도이다.
도 1을 참조하면, 표시 장치(1)는 타이밍 제어부(10), 게이트 구동부(20), 데이터 구동부(30), 전원 공급부(40) 및 표시 패널(50)을 포함한다.
타이밍 제어부(10)는 외부로부터 영상 신호(RGB) 및 제어 신호(CS)를 수신할 수 있다. 영상 신호(RGB)는 복수의 계조 데이터를 포함할 수 있다. 제어 신호(CS)는 예를 들어, 수평 동기 신호, 수직 동기 신호 및 메인 클럭 신호를 포함할 수 있다.
타이밍 제어부(10)는 영상 신호(RGB) 및 제어 신호(CS)를 표시 패널(50)의 동작 조건에 적합하도록 처리하여, 영상 데이터(DATA), 게이트 구동 제어 신호(CONT1), 데이터 구동 제어 신호(CONT2) 및 전원 공급 제어 신호(CONT3)를 생성 및 출력할 수 있다.
게이트 구동부(20)는 복수의 제1 게이트 라인들(GL11~GL1n)을 통해 표시 패널(50)의 화소(PX)들과 연결될 수 있다. 게이트 구동부(20)는 타이밍 제어부(10)로부터 출력되는 게이트 구동 제어 신호(CONT1)에 기초하여, 게이트 신호들을 생성할 수 있다. 게이트 구동부(20)는 생성된 게이트 신호들을 복수의 제1 게이트 라인들(GL11~GL1n)을 통해 화소(PX)들에 제공할 수 있다.
다양한 실시 예에서, 게이트 구동부(20)는 복수의 제2 게이트 라인들(GL21~GL2n)을 통해 표시 패널(50)의 화소(PX)들과 더 연결될 수 있다. 게이트 구동부(20)는 복수의 제2 게이트 라인들(GL21~GL2n)을 통해 센싱 신호를 화소(PX)들에 제공할 수 있다. 센싱 신호는 화소(PX)들 내부에 마련되는 구동 트랜지스터 및/또는 발광 다이오드의 특정을 측정하기 위해 공급될 수 있다.
데이터 구동부(30)는 복수의 데이터 라인들(DL1~DLm)을 통해 표시 패널(50)의 화소(PX)들과 연결될 수 있다. 데이터 구동부(30)는 타이밍 제어부(10)로부터 출력되는 영상 데이터(DATA) 및 데이터 구동 제어 신호(CONT2)에 기초하여, 데이터 신호들을 생성할 수 있다. 데이터 구동부(30)는 생성된 데이터 신호들을 복수의 데이터 라인들(DL1~DLm)을 통해 화소(PX)들에 제공할 수 있다.
다양한 실시 예에서, 데이터 구동부(30)는 복수의 센싱 라인들(또는, 레퍼런스 라인들)(SL1~SLm)을 통해 표시 패널(50)의 화소(PX)들과 더 연결될 수 있다. 데이터 구동부(30)는 복수의 센싱 라인들(SL1~SLm)을 통해 기준 전압(또는, 센싱 전압, 초기화 전압)을 화소(PX)들에 제공하거나, 화소(PX)들로부터 피드백되는 전기적 신호에 기초하여 화소(PX)들의 상태를 센싱할 수 있다.
전원 공급부(40)는 복수의 전원 라인들(PL1, PL2)을 통해 표시 패널(50)의 화소(PX)들과 연결될 수 있다. 전원 공급부(40)는 전원 공급 제어 신호(CONT3)에 기초하여 표시 패널(50)에 제공될 구동 전압을 생성할 수 있다. 구동 전압은 예를 들어 고전위 구동 전압(ELVDD) 및 저전위 구동 전압(ELVSS)을 포함할 수 있다. 전원 공급부(40)는 생성된 구동 전압들(ELVDD, ELVSS)을 대응되는 전원 라인(PL1, PL2)을 통해 화소(PX)들에 제공할 수 있다.
표시 패널(50)에는 복수의 화소(PX)(또는, 서브 화소로 명명됨)들이 배치된다. 화소(PX)들은 예를 들어, 표시 패널(50) 상에 매트릭스 형태로 배열될 수 있다.
각각의 화소(PX)는 대응되는 게이트 라인 및 데이터 라인에 전기적으로 연결될 수 있다. 이러한 화소(PX)들은 제1 게이트 라인들(GL11~GL1n) 및 데이터 라인들(DL1~DLm)을 통해 공급되는 게이트 신호 및 데이터 신호에 대응하는 휘도로 발광할 수 있다.
각각의 화소(PX)는 제1 내지 제3 색 중 어느 하나의 색을 표시할 수 있다. 일 실시 예에서, 각각의 화소(PX)는 레드, 그린 및 블루 중 어느 하나의 색을 표시할 수 있다. 다른 실시 예에서, 각각의 화소(PX)는 시안, 마젠타 및 옐로우 중 어느 하나의 색을 표시할 수 있다. 다양한 실시 예에서, 화소(PX)들은 4개 이상의 색들 중 어느 하나를 표시하도록 구성될 수 있다. 예를 들어, 각각의 화소(PX)는 레드, 그린, 블루 및 화이트 중 어느 하나의 색을 표시할 수도 있다.
타이밍 제어부(10), 게이트 구동부(20), 데이터 구동부(30) 및 전원 공급부(40)는 각각 별개의 집적 회로(Integrated Circuit; IC)로 구성되거나 적어도 일부가 통합된 집적 회로로 구성될 수 있다. 예를 들어, 데이터 구동부(30) 및 전원 공급부(40) 중 적어도 하나가 타이밍 제어부(10)와 통합된 집적 회로로 구성될 수 있다.
또한, 도 1에서는 게이트 구동부(20)와 데이터 구동부(30)가 표시 패널(50)과 별개의 구성 요소로써 도시되지만, 게이트 구동부(20) 및 데이터 구동부(30) 중 적어도 하나는 표시 패널(50)과 일체로 형성되는 인 패널(In Panel) 방식으로 구성될 수 있다. 예를 들어, 게이트 구동부(20)는 게이트 인 패널(Gate In Panel; GIP) 방식에 따라 표시 패널(50)과 일체로 형성될 수 있다.
도 2는 도 1에 도시된 화소의 일 실시 예를 나타낸 회로도이다. 도 2는 i번째 제1 게이트 라인(GL1i)과 j번째 데이터 라인(DLj)에 연결되는 화소(PXij)를 예로써 도시한다.
도 2를 참조하면, 화소(PX)는 스위칭 트랜지스터(ST), 구동 트랜지스터(DT), 센싱 트랜지스터(SST), 스토리지 커패시터(Cst) 및 발광 다이오드(LD)를 포함한다.
스위칭 트랜지스터(ST)의 제1 전극(예를 들어, 소스 전극)은 j번째 데이터 라인(DLj)과 전기적으로 연결되고, 제2 전극(예를 들어, 드레인 전극)은 제1 노드(N1)와 전기적으로 연결된다. 스위칭 트랜지스터(ST)의 게이트 전극은 i번째 제1 게이트 라인(GL1i)과 전기적으로 연결된다. 스위칭 트랜지스터(ST)는 i번째 제1 게이트 라인(GL1i)으로 게이트 온 레벨의 게이트 신호가 인가될 때 턴 온되어, j번째 데이터 라인(DLj)으로 인가되는 데이터 신호를 제1 노드(N1)로 전달한다.
스토리지 커패시터(Cst)의 제1 전극은 제1 노드(N1)와 전기적으로 연결되고, 제2 전극은 발광 다이오드(LD)의 제1 전극에 연결된다. 스토리지 커패시터(Cst)는 제1 노드(N1)에 인가되는 전압과 발광 다이오드(LD)의 제1 전극에 인가되는 전압의 차이에 대응하는 전압을 충전할 수 있다.
구동 트랜지스터(DT)의 제1 전극(예를 들어, 소스 전극)은 고전위 구동 전압(ELVDD)을 제공받도록 구성되고, 제2 전극(예를 들어, 드레인 전극)은 발광 다이오드(LD)의 제1 전극(예를 들어, 제1 전극)에 전기적으로 연결된다. 구동 트랜지스터(DT)의 게이트 전극은 제1 노드(N1)에 전기적으로 연결된다. 구동 트랜지스터(DT)는 제1 노드(N1)를 통해 게이트 온 레벨의 전압이 인가될 때 턴 온되고, 게이트 전극에 제공되는 전압에 대응하여 발광 다이오드(LD)를 흐르는 구동 전류의 양을 제어할 수 있다.
센싱 트랜지스터(SST)의 제1 전극(예를 들어, 소스 전극)은 j번째 센싱 라인(SLj)과 전기적으로 연결되고, 제2 전극(예를 들어, 드레인 전극)은 발광 다이오드(LD)의 제1 전극(예를 들어, 제1 전극)에 전기적으로 연결된다. 센싱 트랜지스터(SST)의 게이트 전극은 i번째 제2 게이트 라인(GL2i)에 전기적으로 연결된다. 센싱 트랜지스터(SST)는 i번째 제2 게이트 라인(GL2i)으로 게이트 온 레벨의 센싱 신호가 인가될 때 턴 온되어, j번째 센싱 라인(SLj)으로 인가되는 기준 전압을 발광 다이오드(LD)의 제1 전극으로 전달한다.
발광 다이오드(LD)는 구동 전류에 대응하는 광을 출력한다. 발광 다이오드(LD)는 레드, 그린, 블루 및 화이트 중 어느 하나의 색에 대응하는 광을 출력할 수 있다. 발광 다이오드(LD)는 유기 발광 다이오드(Organic Light Emitting Diode; OLED), 또는 마이크로 내지 나노 스케일 범위의 크기를 가지는 초소형 무기 발광 다이오드일 수 있으나, 본 실시 예가 이에 한정되지 않는다. 이하에서는, 발광 다이오드(LD)가 유기 발광 다이오드로 구성되는 실시 예를 참조하여 본 실시 예의 기술적 사상을 설명한다.
본 실시 예에서 화소(PXij)들의 구조가 도 2에 도시된 것으로 한정되지 않는다. 실시 예에 따라, 화소(PXij)들은 구동 트랜지스터(DT)의 문턱 전압을 보상하거나, 구동 트랜지스터(DT)의 게이트 전극의 전압 및/또는 발광 다이오드(LD)의 제1 전극의 전압을 초기화하기 위한 적어도 하나의 소자를 더 포함할 수 있다.
도 2에서는 스위칭 트랜지스터(ST), 구동 트랜지스터(DT) 및 센싱 트랜지스터(SST)가 NMOS 트랜지스터인 예가 도시되지만, 본 발명은 이로써 한정되지 않는다. 예를 들어, 각각의 화소(PX)를 구성하는 트랜지스터들 중 적어도 일부 또는 전부는 PMOS 트랜지스터로 구성될 수 있다. 다양한 실시 예에서, 스위칭 트랜지스터(ST), 구동 트랜지스터(DT) 및 센싱 트랜지스터(SST) 각각은 저온 폴리 실리콘(Low Temperature Poly Silicon; LTPS) 박막 트랜지스터, 산화물 박막 트랜지스터 또는 저온 폴리 옥사이드(Low Temperature Polycrystalline Oxide; LTPO) 박막 트랜지스터로 구현될 수 있다.
도 3은 일 실시 예에 따른 발광 다이오드의 구조를 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 3을 참조하면, 일 실시 예에 따른 발광 다이오드(LD)는 애노드 전극(410), 캐소드 전극(420) 및 애노드 전극(410)과 캐소드 전극(420)에 개재된 발광층(430)을 포함할 수 있다.
애노드 전극(410)은 ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide) 또는 ZnO(Zinc Oxide) 등의 투명 도전 물질로 구성될 수 있다. 애노드 전극(410)이 반사형 전극일 때, 애노드 전극(410)은 반사층을 포함할 수 있다. 반사층은 알루미늄(Al), 구리(Cu), 은(Ag), 니켈(Ni) 또는 이들의 합금과 같은 금속 물질로 이루어질 수 있다. 일 실시 예에서, 반사층은 APC(은/팔라듐/구리 합금)로 구성될 수 있다.
애노드 전극(410)은 투명 도전층/반사층/투명 도전층으로 구성된 삼중층으로 형성될 수 있다. 예를 들어, 애노드 전극(410)은 ITO/Ag/ITO를 포함하는 삼중층으로 구성될 수 있다.
캐소드 전극(420)은 광을 투과시킬 수 있는 투명한 금속 물질(Transparent Conductive Material; TCO) 또는 몰리브덴(Mo), 텅스텐(W), 은(Ag), 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 크롬(Cr), 리튬(Li), 칼슘(Ca) 및 이들의 합금과 같은 반투과 금속 물질(Semi-transmissive Conductive Material)로 형성될 수 있다. 캐소드 전극(420)이 반투과 금속물질로 형성되는 경우, 미세 공진(micro cavity)에 의해 출광 효율이 높아질 수 있다.
발광층(430)은 유기 발광층으로, 인광 또는 형광 물질을 포함하는 유기 물질로 형성될 수 있다. 발광층(430)에서 생성되는 광의 색상은 레드, 그린 및 블루 중 하나일 수 있으나, 본 발명이 이로써 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 발광층(430)에서 생성되는 광의 색상은 마젠타, 시안, 옐로 중 하나일 수 있다.
일 실시 예에서, 발광층(430)과 애노드 전극(410) 사이에는 정공 수송층(412, Hole Transport Layer), 정공 주입층(411, Hole Injection Layer) 등이 배치될 수 있다. 정공 수송층(412)과 정공 주입층(411)은 애노드 전극(410)으로부터 주입된 정공을 발광층(430)으로 원활하게 전달하는 역할을 한다.
캐소드 전극(420)과 발광층(430) 사이에 전자 주입층(421, Electron Injection Layer)이 배치될 수 있다. 전자 주입층(421)은 캐소드 전극(420)으로부터 주입된 전자를 발광층(430)으로 원활하게 전달하는 역할을 한다.
일 실시 예에서, 발광 다이오드(LD)는 잉크젯 장비 등을 이용한 용액 공정으로 형성될 수 있다. 이하에서, 발광 다이오드의 형성 방법을 설명한다.
도 4는 일 실시 예에 따른 발광 다이오드의 형성 방법을 나타낸 도면이다.
도 3과 도 4를 함께 참조하면, 기판(200) 상에 뱅크(500)를 형성할 수 있다. 뱅크(500)는 화소(PX)의 발광 영역을 정의하는 정의막일 수 있다. 일 실시 예에서, 친수성 및/또는 소수성을 갖는 적어도 두 층의 뱅크들로 형성될 수 있다. 예를 들어, 뱅크(500)는 친수성을 갖는 제1 뱅크 및 소수성을 갖는 제2 뱅크가 적층된 형태를 가질 수 있다.
일 실시 예에서, 애노드 전극(410)은 뱅크(500)가 형성되기 이전에 기판(200) 상에 패터닝될 수 있다. 이러한 실시 예에서, 뱅크(500)는 애노드 전극(410)의 가장자리 일부를 커버하도록 배치되어, 발광 영역을 정의할 수 있다.
이후에, 발광 영역 내에 발광층(430)을 형성하기 위한 용액이 도포될 수 있다. 용액은 용매(solvant)에 발광층(430)을 구성하는 유기 재료를 혼합하여 제조될 수 있다. 용액은 잉크젯 헤드에 실장된 노즐을 구비하는 잉크젯 장비 등을 통해 발광 영역에 제팅될 수 있다. 도포된 잉크가 건조되어 발광층(430)을 형성한다.
다양한 실시 예에서, 뱅크(500)가 형성된 이후에, 정공 주입층(411), 정공 수송층(412), 발광층(430) 및 전자 주입층(421)을 형성하기 위한 용액이 순차로 제팅 및 건조될 수 있다.
캐소드 전극(420)은 발광층(430)과 뱅크(500) 상에 넓게 형성될 수 있다. 발광층 내에서 애노드 전극(410), 발광층(430) 및 캐소드 전극(420)은 직접 접촉되도록 적층된다.
상기와 같이 용액 공정을 통해 발광 다이오드(LD)가 형성될 때, 용매가 섞이기 때문에, 유기 물질의 특성이 변질되어 발광 다이오드(LD)의 수명 및 발광 효율이 저하될 수 있다.
이러한 문제를 해결하기 위하여 도전볼의 표면에 발광층이 도포된 구조의 발광 소자가 제공될 수 있다. 이하에서, 일 실시 예에 따른 발광 소자의 구조를 구체적으로 설명한다.
도 5는 일 실시 예에 따른 발광 소자의 구조를 나타낸 도면이다.
도 5를 참조하면, 일 실시 예에 따른 발광 소자(1)는 도전볼(2) 및 도전볼(2)의 표면에 적층된 발광층(430)과 금속층(3)을 포함할 수 있다.
도전볼(2)은 단면이 원인 구(또는, 원구) 또는 단면이 타원인 타원구 형태를 가질 수 있다. 그러나 도전볼(2)의 형태가 이로써 한정되지 않는다.
도전볼(2)은 직경이 수 마이크로 미터(㎛)인 마이크로 볼일 수 있다. 도전볼(2)의 직경은 도 4를 참조하여 설명한 발광 영역의 면적에 대응하여 결정될 수 있다. 예를 들어, 도전볼(2)의 직경은 발광 영역의 폭의 약 1/2배일 수 있다.
일 실시 예에서, 도전볼(2)은 전도성이 높은 금속 재료로 형성될 수 있다. 일 예로, 도전볼(2)은 반사율 향상에 유리한 알루미늄, 전도성 향상 및 제작 공정에 유리한 구리 또는 ITO, IZO 등의 투명 도전 물질로 형성될 수 있다. 그러나 도전볼(2)을 구성하는 물질은 이로써 한정되지 않는다. 다양한 실시 예에서, 도전볼(2)은 유리로 구성된 볼에 상술한 금속 재료를 코팅함으로써 제조될 수 있다.
일 실시 예에서, 도전볼(2) 내부에는 자성체가 포함될 수 있다. 예를 들어, 도전볼(2) 내부에 자성을 띄는 물질 또는 자력에 영향을 받는 편광 물질이 적용될 수 있다. 그에 따라, 도전볼(2)은 적어도 일 영역이 양극을 띄고 나머지 영역이 음극을 띄도록 구성될 수 있다.
도전볼(2)의 표면의 일 영역은 발광층(430)으로 커버될 수 있다. 예를 들어, 발광층(430)은 도전볼(2) 표면의 약 절반을 커버하도록 형성될 수 있다. 그러나 본 실시 예가 이로써 한정되지 않는다.
발광층(430) 상에는 금속층(3)이 형성될 수 있다. 금속층(3)은 예를 들어, ITO와 같은 투명 도전 물질 또는 알루미늄과 같은 금속으로 구성될 수 있다. 금속층(3)은 발광층(430)의 전면 또는 적어도 일 영역을 커버할 수 있다.
일 실시 예에서, 도전볼(2)의 표면의 나머지 영역 중 적어도 일부는 절연층(4)으로 더 커버될 수 있다. 예를 들어, 절연층(4)은 발광층(430)으로 커버되지 않은 나머지 영역 중 적어도 일부를 띠 형태로 커버할 수 있다. 절연층(4)은 산화막(oxide)으로 구성될 수 있으나, 이로써 한정되지 않는다.
이하에서, 상기와 같은 형태의 발광 소자(1)를 제조하는 방법을 구체적으로 설명한다.
도 6a 내지 도 6i는 일 실시 예에 따른 발광 소자의 제조 방법을 나타낸 도면들이다.
먼저, 도 6a를 참조하면, 플레이트(100) 상에 용융된 상태의 폴리머 수지를 도포할 수 있다. 폴리머 수지는 예를 들어, 폴리이미드(polyimide) 등을 포함할 수 있다. 또한, 폴리머 수지 상에 도전볼(2)들을 배치한다. 이후에 폴리머 수지를 경화(bake)시키면, 도 6a에 도시된 것과 같이, 폴리머 수지 내에 도전볼(2)들이 일부 함몰된 형태의 베이스층(110)이 형성될 수 있다.
폴리머 수지 상에 도전볼(2)들이 배치될 때, 도 6b에 도시된 것과 같이 도전볼(2)의 회전 방향을 제어할 수 있다. 예를 들어, 도전볼(2)이 자성체를 포함하여 구성되는 경우, 도전볼(2)이 배치된 플레이트(100) 주변에 전계를 형성할 수 있다. 그러면, 전계에 대응하는 방향을 도전볼(2)이 기립할 수 있다. 예를 들어, 플레이트(100)의 상부에 양극의 전계 전극이 배치되고 하부에 음극의 전계 전극이 배치되는 경우, 도전볼(2)은 음극의 영역이 상부에 위치하고 양극의 영역이 하부에 위치하도록 회전할 수 있다. 도전볼(2)의 회전 상태에 따라, 발광 소자(1)의 발광 방향이 결정될 수 있다.
이후, 도 6c에 도시된 것과 같이, 플레이트(100) 상에 절연층(4)이 형성된다. 절연층(4)은 베이스층(110)의 표면 및 베이스층(110) 내부로 함몰되지 않은 도전볼(2)들의 표면들을 커버할 수 있다. 일 실시 예에서, 절연층(4)은 화학 기상 증착법(Chemical Vapor Deposition; CVD) 등을 통해 플레이트(100) 상에 형성될 수 있다. 이러한 절연층(4)은 발광 소자(1)가 표시 패널(50) 상에 실장될 때, 금속층(3)과 표시 패널(50)에 배치된 도전층 사이의 쇼트를 방지할 수 있다.
이후, 도전볼(2) 상에 발광층(430) 및 금속층(3)을 형성할 수 있다. 이를 위해, 먼저 플레이트(100) 상에 포토 레지스트가 패터닝될 수 있다.
구체적으로, 도 6d에 도시된 것과 같이, 플레이트(100)의 전면에 포토 레지스트(Photo resist; PR)를 도포하고, 경화 및 세정(린스) 공정을 수행하여 포토 레지스트층(120)을 형성한다. 플레이트(100)의 하부에 광을 조사하면, 도전볼(2)이 배치된 영역에서 광은 반사되고, 도전볼(2)이 배치되지 않은 영역에서 광은 포토 레지스트층(120)에 도달할 수 있다.
노광되지 않은 포토 레지스트는, 도 6e에 도시된 것과 같이, 산화물 에칭(Oxide etching) 공정 등을 통해 제거될 수 있다. 노광되지 않은 잔여 포토 레지스트를 제거한 이후에, 포토 레지스트층(120)은 도전볼(2)들의 사이에만 배치될 수 있다.
포토 레지스트가 제거되는 동안, 절연층(4)의 일부가 함께 제거될 수 있다. 예를 들어, 절연층(4)은 노광된 포토 레지스트에 의해 커버된 영역 및 노광된 포토 레지스트 주변 영역을 제외하고, 나머지 영역이 제거될 수 있다. 그러면, 절연층(4)은 도전볼(2)의 둘레를 띠 형태로 감싸도록 패터닝된다.
이후, 도 6f에 도시된 것과 같이, 플레이트(100)의 전면에 발광층(430) 및 금속층(3)을 형성할 수 있다. 발광층(430)은 e-빔 증착(e-beam evaporation) 등의 공정을 통해 형성될 수 있다. 이때, 스텝 커버리지(step coverage) 특성에 의해 발광층(430)은 도전볼(2)의 양측에서 끊어지고, 금속층(3)은 연속적으로 형성될 수 있다.
이후, 도전볼들을 서로 분리할 수 있다. 이를 위해 먼저, 도 6g에 도시된 것과 같이, 플레이트(100)를 제거할 수 있다. 또한, 도 6h에 도시된 것과 같이, 도전볼(2)들 사이에 형성된 베이스층(110), 절연층(4), 발광층(430) 및 금속층(3)을 제거하여 도전볼(2)들을 서로 분리한다. 일 실시 예에서, 도전볼(2)들 사이에 형성된 발광층(430)은 산화물 에칭 등을 통해 제거될 수 있고, 나머지 잔류물들은 볼밀법(ball-mill) 등을 통해 제거될 수 있다.
잔류물들을 제거하고 나면, 도 6h 도시된 것과 같이, 도전볼(2)의 일 표면에 발광층(430) 및 금속층(3)이 적층되고, 나머지 표면의 일부에 절연층(4)이 형성된 형태의 발광 소자(1)가 제조될 수 있다.
발광 소자(1)의 도전볼(2)은 회전된 방향에 따라, 양극의 영역 또는 음극의 영역이 발광층(430) 및 금속층(3)으로 커버될 수 있다. 도시된 실시 예에서, 도 6b와 같이 음극의 영역이 도전볼(2)의 상부에 배치되었을 때, 음극의 영역이 발광층(430) 및 금속층(3)으로 커버될 수 있다. 이러한 실시 예에서, 절연층(4)은 양극의 영역 일부를 커버하도록 형성될 수 있다. 그러나 본 실시 예가 이로써 한정되지 않는다.
도 6a 내지 도 6h의 실시 예에서, 도전볼(2)은 구형이지만, 본 실시 예가 이로써 한정되지 않는다. 즉, 다른 실시 예에서, 도전볼(2)은 도 6i에 도시된 것과 같이 타원구일 수 있다.
다양한 실시 예에서, 상기와 같이 제작된 도전볼(2)을 이용하여 표시 패널(50)을 제조할 수 있다. 이하에서, 표시 패널(50)의 제조 방법을 보다 구체적으로 설명한다.
도 7a 내지 7g는 일 실시 예에 따른 표시 장치의 제조 방법을 나타낸 도면들이다.
도 7a의 상단에 도시된 도면은 표시 패널(50)의 일 영역에 대한 단면도이고, 하단에 도시된 도면은 상기 단면도에 대응하는 일 영역의 평면도이다. 도 7a를 참조하면, 기판(200) 상에 발광 다이오드(LD)의 구동을 위한 적어도 하나의 회로 소자들이 배치된 백 플레이트가 제공될 수 있다. 예를 들어, 백 플레이트는 기판(200) 및 기판(200) 상에 배치되고 적어도 하나의 회로 소자들이 배치된 회로 소자층을 포함할 수 있다.
기판(200)은 표시 패널(50)의 베이스 기재로서, 투광성 기판일 수 있다. 기판(200)은 유리 또는 강화 유리를 포함하는 경성 기판(rigid substrate) 또는 플라스틱 재질의 가요성 기판(flexible substrate)일 수 있다.
회로 소자층은 기판(200) 상에 형성되며, 화소(PX)를 구성하는 회로 소자들(예를 들어, 트랜지스터 및 커패시터 등) 및 배선들을 포함할 수 있다.
먼저 기판(200) 상에 버퍼층(210)이 형성될 수 있다. 버퍼층(210)은 기판(200)으로부터 이온이나 불순물이 확산되는 것을 방지하고, 수분 침투를 차단할 수 있다.
버퍼층(210) 상에 액티브층(310)이 형성될 수 있다. 액티브층(310)은 실리콘계 반도체 물질 또는 산화물계 반도체 물질로 형성될 수 있다. 이러한 액티브층(310)은 p형 불순물을 포함하는 소스 영역, n형 불순물을 포함하는 드레인 영역 및 소스 영역과 드레인 영역 사이에 형성된 채널 영역을 포함할 수 있다.
액티브층(310) 상에는 게이트 절연층(220)이 형성될 수 있다. 게이트 절연층(220)은 액티브층(310)의 채널 영역 상에 형성될 수 있다. 게이트 절연층(220)은 실리콘 산화물(SiOx), 실리콘 질화물(SiNx) 또는 이들의 다중층일 수 있다.
게이트 절연층(220) 상에는 게이트 전극(320)이 형성될 수 있다. 게이트 전극(320)은 액티브층(310)의 채널 영역에 대응하는 위치에 배치될 수 있다.
게이트 전극(320) 상에는 층간 절연층(230)이 형성될 수 있다. 층간 절연층(230)은 게이트 전극(320)과 게이트 전극(320)으로 커버되지 않은 액티브층(310)의 영역들 및 액티브층(310)이 형성되지 않은 버퍼층(210)의 영역들을 커버할 수 있다. 층간 절연층(230)은 실리콘 산화막(SiOx), 실리콘 질화막(SiNx) 또는 이들의 다중층일 수 있다.
층간 절연층(230) 상에는 소스 전극(330) 및 드레인 전극(340)이 형성될 수 있다. 소스 전극(330) 및 드레인 전극(340)은 층간 절연층(230)을 관통하는 컨택홀을 통해 액티브층(310)의 소스 영역 및 드레인 영영과 각각 연결될 수 있다.
게이트 전극(320), 소스 전극(330), 드레인 전극(340), 및 이들에 대응되는 액티브층(310)은 트랜지스터(T)를 구성할 수 있다. 트랜지스터(T)는 예를 들어, 구동 트랜지스터(DT) 또는 스위칭 트랜지스터(ST)일 수 있다. 도 7a에서는, 드레인 전극(340)이 발광 다이오드(LD)의 애노드 전극(410)에 연결되는 구동 트랜지스터(DT)가 예로써 도시되었다.
패시베이션층(240)은 층간 절연층(230) 상에 형성된 소스 전극(330) 및 드레인 전극(340)을 커버할 수 있다. 패시베이션층(240)은 하부의 소자들을 보호하기 위한 절연막으로, 무기물 또는 유기물로 형성될 수 있다.
패시베이션층(240) 상에는 오버코트층(250)이 형성될 수 있다. 오버코트층(250)은 하부 구조의 단차를 완화시키기 위한 평탄화막일 수 있다. 오버코트층(250)은 폴리이미드(polyimide), 벤조사이클로부틴계 수지(benzocyclobutene series resin), 아크릴레이트(acrylate) 등의 유기물로 구성될 수 있다.
백 플레이트 상에 발광 다이오드층이 형성될 수 있다. 발광 다이오드층은 오버코트층(250) 상에 형성되며, 발광 다이오드(LD)들을 포함한다. 발광 다이오드(LD)는 애노드 전극(410) 및 후술될 발광 소자(1) 및 캐소드 전극(420)을 포함한다.
애노드 전극(410)은 오버코트층(250) 상에 형성된다. 애노드 전극(410)은 오버코트층(250)과 패시베이션층(240)을 관통하는 비아홀(VIA)을 통해 트랜지스터(T)의 드레인 전극(340)과 연결된다. 애노드 전극(410)이 반사층을 포함할 때, 애노드 전극(410)은 투명 도전층/반사층/투명 도전층으로 구성된 삼중층으로 형성될 수 있다. 예를 들어, 애노드 전극(410)은 ITO/Ag/ITO를 포함하는 삼중층으로 구성될 수 있다.
일 실시 예에서, 애노드 전극(410)은 적어도 하나의 돌출 영역(P)을 갖도록 패터닝될 수 있다. 각각의 돌출 영역(P)은 발광 소자(1)에 대응하는 형태로서, 예를 들어, 원형 또는 타원형을 가질 수 있다. 또한, 돌출 영역(P)의 크기는 발광 소자(1)의 크기에 대응할 수 있다. 이러한 실시 예에서, 돌출 영역(P)을 구성하는 각각의 원 또는 각각의 타원은 하나의 발광 소자(1)에 대응할 수 있다. 따라서, 돌출 영역(P)의 개수는 본 실시 예는 이로써 한정되지 않으며, 애노드 전극(410)은 상면이 평편한 형태를 가질 수도 있다.
오버코트층(250) 상에 뱅크(500)가 더 형성된다. 뱅크(500)는 화소(PX)의 발광 영역을 정의하는 정의막일 수 있다. 뱅크(500)는 애노드 전극(410)의 가장자리 일부를 커버하도록 형성되며, 뱅크(500)에 의해 커버되지 않은 애노드 전극(410)의 노출 영역이 화소(PX)의 발광 영역으로 정의될 수 있다. 발광 영역 내에서 애노드 전극(410), 발광 소자(1) 및 캐소드 전극(420)은 직접 접촉되도록 적층된다.
일 실시 예에서, 뱅크(500)에 의해 정의되는 발광 영역은, 발광 영역에 배치할 발광 소자(1)의 개수에 대응하는 크기를 가질 수 있다. 예를 들어, 도시된 실시 예들에서, 발광 다이오드(LD)는 하나의 발광 영역에 2개의 발광 소자(1)가 배치된다. 그러나 본 실시 예가 이로써 한정되지 않는다.
또한, 이러한 발광 영역은 발광 소자(1)에 대응하는 형태를 가질 수 있다. 예를 들어, 발광 소자(1)가 구형인 경우, 발광 영역은 도 7a에 도시된 것과 같이 적어도 하나의 원들이 인접하게 배치된 형태를 가질 수 있다. 또는, 발광 소자(1)가 타원구인 경우, 발광 영역은 적어도 하나의 타원들이 인접하게 배치된 형태를 가질 수 있다. 일 실시 예에서, 발광 영역을 구성하는 각각의 원 또는 각각의 타원은 하나의 발광 소자(1)에 대응할 수 있다.
일 실시 예에서, 이러한 뱅크(500)의 두께는, 발광 소자(1)의 직경에 대응하여 결정될 수 있다. 예를 들어, 뱅크(500)의 두께는 발광 소자(1)의 직경보다 작을 수 있다. 예를 들어, 뱅크(500)의 두께는 발광 소자(1)의 직경의 약 1/2배일 수 있다. 그러나, 본 실시 예가 이로써 한정되지 않는다.
도 7b의 상단에 도시된 도면은 도 7a에 도시된 표시 패널(50)의 일 영역에 대한 단면도이고, 하단에 도시된 도면은 상기 단면도에 대응하는 일 영역의 평면도이다. 도 7b를 참조하면, 애노드 전극(410) 상에 접착제(610)를 도포할 수 있다. 접착제(610)는 도전성을 갖는 것으로 예를 들어, 은 페이스트(Ag paste)로 구성될 수 있다. 일 실시 예에서, 접착제(610)는 잉크젯 장비 등을 통해 발광 영역 내에 선택적으로 도포될 수 있다.
이후에, 도 7c에 도시된 것과 같이, 접착제(610)가 도포된 애노드 전극(410) 상에 발광 소자(1)를 배치할 수 있다. 발광 소자(1)를 배치하기 위해, 용매(solvent) 내에 발광 소자(1)가 혼합된 용액이 준비될 수 있다. 용액은 도 7c에 도시된 것과 같이, 잉크젯 장비 등을 통해 발광 영역 내에 선택적으로 제팅될 수 있다. 일 실시 예에서, 잉크젯 장비의 노즐은 화소 열을 따라 이동하면서 용액을 제팅할 수 있다.
도 7d 및 도 7c의 상단에 도시된 도면들은 도 7a에 도시된 표시 패널(50)의 일 영역에 대한 단면도이고, 하단에 도시된 도면들은 상기 단면도에 대응하는 일 영역의 평면도이다. 도 7d 및 도 7e는 용액이 제팅된 이후의 상태를 도시한다. 뱅크로 둘러싸인 발광 영역 내에서, 용매 내에 발광 소자(1)가 잠겨 있다. 일 실시 예에서, 발광 소자(1)가 배치된 기판(200)의 주변에 전계를 형성하여, 발광 소자(1)의 회전 방향을 조절할 수 있다.
예를 들어, 도 7d에 도시된 것과 같이, 플레이트(100)의 상부에 양극의 전계 전극이 배치되고 하부에 음극의 전계 전극이 배치되는 경우, 도전볼(2)은 음극의 영역이 상부에 위치하고 양극의 영역이 하부에 위치하도록 회전할 수 있다. 반대로, 도 7e에 도시된 것과 같이 상부에 음극의 전계 전극이 배치되고 하부에 양극의 전계 전극이 배치되는 경우, 도전볼(2)은 양극의 영역이 상부에 위치하고 음극의 영역이 하부에 위치하도록 회전할 수 있다.
상기와 같은 발광 소자(1)의 회전 방향 제어에 따라 표시 패널(50)이 상부 발광 또는 하부 발광 방식으로 동작할 수 있다. 표시 패널(50)을 상부 발광 방식으로 제조하는 경우, 도 7d에 도시된 것과 같이, 발광층(430) 및 금속층(3)이 적층된 영역이 기판(200)의 상부를 향하도록 발광 소자(1)의 회전 방향이 조절될 수 있다. 이때, 도전볼(2)의 표면 상에서, 발광층(430), 금속층(3) 및 절연층(4)에 의해 커버되지 않은 영역이 기판(200)의 하부를 향할 수 있다. 반대로, 표시 패널(50)을 하부 발광 방식으로 제조하는 경우, 도 7e에 도시된 것과 같이, 발광층(430) 및 금속층(3)이 적층된 영역이 기판(200)의 하부를 향하도록 발광 소자(1)의 화전 방향이 조절될 수 있다. 이때, 발광층(430) 및 금속층(3)에 의해 커버된 영역이 기판의 하부를 향할 수 있다. 도 7e의 상단에 도시된 도면은 도 7a에 도시된 표시 패널(50)의 일 영역에 대한 단면도이고, 하단에 도시된 도면은 상기 단면도에 대응하는 일 영역의 평면도이다.
용액이 건조되면, 용매는 증발하고 발광 소자(1)만이 발광 영역 내에 남는다. 그러면, 발광 소자(1)가 애노드 전극(410)과 접속될 수 있다. 발광 소자(1)는 접착제(610)에 의해 애노드 전극(410) 상에 견고하게 고정될 수 있다.
발광 소자(1)의 회전 방향에 따라, 금속층(3) 또는 도전볼(2)의 노출된 표면이 애노드 전극(410)과 접하여 전기적으로 컨택될 수 있다. 이때, 각각의 발광 소자(1)는 애노드 전극(410)의 돌출 영역(P)에 접할 수 있다. 뱅크(500)에 의해 정의되는 발광 영역의 형태 및 크기가 발광 소자(1)의 형태 및 크기에 대응하여 결정되므로, 발광 소자(1)는 적절한 위치에 올바르게 정렬될 수 있고, 결과적으로 애노드 전극(410)의 돌출 영역(P) 상에 각각 배치될 수 있다.
그러나 본 실시 예가 이로써 한정되지 않는다. 즉, 다른 실시 예에서, 애노드 전극(410)의 상면은 평편하게 형성될 수 있고, 발광 소자(1)는 발광 영역 내에 랜덤한 간격으로 배치될 수도 있다.
이후에, 도 7f 및 도 7g에 도시된 것과 같이, 캐소드 전극(420)이 표시 패널(50)의 전면에 형성될 수 있다. 즉, 캐소드 전극(420)은 발광 소자(1)와 뱅크(500)를 커버하도록 형성될 수 있다. 캐소드 전극(420)은 발광 소자(1)의 회전 방향에 따라, 발광 소자(1)의 금속층(3) 또는 도전볼(2)의 노출된 표면과 접하여 전기적으로 컨택될 수 있다.
상술한 바와 같이 제조된 표시 패널(50)에서 애노드 전극(410), 발광 소자(1) 및 캐소드 전극(420)은 발광 다이오드(LD)를 구성한다. 도 7f에 도시된 것과 같이, 발광 소자(1)의 발광층(430)이 표시 패널(50)의 상부를 향할 때, 표시 패널(50)은 상부 발광 방식으로 동작할 수 있다. 반대로 도 7g에 도시된 것과 같이, 발광 소자(1)의 발광층(430)이 표시 패널(50)의 상부를 향할 때, 표시 패널(50)은 하부 발광 방식으로 동작할 수 있다.
표시 패널(50)을 하부 발광 방식으로 구현할 때, 발광 소자(1)와 캐소드 전극(420) 사이에 버퍼층(260)이 개재될 수 있다. 즉, 캐소드 전극(420)이 형성되기 이전에 버퍼층(260)이 표시 패널(50)의 전면에 형성될 수 있다. 이러한 버퍼층(260)은 발광 소자(1)를 요구되는 위치에 고정하고, 캐소드 전극(420)과 금속층(3) 사이의 쇼트를 방지할 수 있다.
도 8a 내지 도 8d는 다른 실시 예에 따른 표시 장치의 제조 방법을 나타낸 도면들이다.
도 8a 내지 도 8d의 실시 예와 비교하여, 용액 공정 단계에서 용매를 섞지 않은 발광 소자(1)만을 제팅하는 것을 제외하면 대체로 도 7a 내지 도 7g를 참조하여 설명한 것과 유사한 바, 중복되는 상세한 설명은 생략한다.
먼저, 도 8a를 참조하면, 기판(200) 상에 발광 다이오드(LD)의 구동을 위한 적어도 하나의 회로 소자들이 배치된 백 플레이트가 제공될 수 있다. 백 플레이트 상에 발광 다이오드층이 형성될 수 있다. 발광 다이오드층은 발광 다이오드(LD)들을 포함하고, 발광 다이오드(LD)는 애노드 전극(410), 발광 소자(1) 및 캐소드 전극(420)을 포함한다.
이후에, 애노드 전극(410) 상에 접착제(610)와 용매의 혼합액을 도포할 수 있다. 접착제(610)는 도전성을 갖는 것으로 예를 들어, 은 페이스트(Ag paste)로 구성될 수 있다. 일 실시 예에서, 혼합액은 잉크젯 장비 등을 통해 발광 영역 내에 선택적으로 도포될 수 있다. 이후에 용매가 증발하면, 접착제(610)만이 발광 영역 내에 도포될 수 있다.
이후에, 도 8b에 도시된 것과 같이, 접착제(610)가 도포된 애노드 전극(410) 상에 발광 소자(1)를 배치할 수 있다. 발광 소자(1)는 잉크젯 장비 등을 통해 발광 영역 내에 선택적으로 제팅될 수 있다. 도 8b의 실시 예와 상이하게, 본 실시 예에서는, 용매와 섞이지 않은 발광 소자(1)만이 발광 영역 내에 제팅된다. 발광 소자(1)가 노즐로부터 일정한 속도로 제팅될 때, 노즐 단부와 뱅크(500) 사이의 거리는 발광 소자(1)의 직경의 약 3/4에 대응할 수 있다. 그러면, 뱅크(500)와 애노드 전극(410)의 상부 표면 사이의 단차에 의해, 발광 소자(1)가 발광 영역 내로 올바르게 배치될 수 있다. 그러나 본 실시 예가 이로써 한정되지 않는다.
발광 소자(1)가 제팅된 이후에, 도 7d 및 도 7e를 참조하여 설명한 것과 같이, 발광 소자(1)의 회전 방향이 제어될 수 있다.
이후에, 도 8c 및 도 8d에 도시된 것과 같이, 캐소드 전극(420)이 표시 패널(50)의 전면에 형성될 수 있다. 즉, 캐소드 전극(420)은 발광 소자(1)와 뱅크(500)를 커버하도록 형성될 수 있다. 캐소드 전극(420)은 발광 소자(1)의 회전 방향에 따라, 발광 소자(1)의 금속층(3) 또는 도전볼(2)의 노출된 표면과 접하여 전기적으로 컨택될 수 있다.
도 9는 또 다른 실시 예에 따른 표시 장치를 나타낸 도면이다.
도 9를 참조하면, 일 실시 예에 따른 표시 패널(50)은 발광 영역의 다수 개의 영역으로 분할하는 보조 뱅크(510)를 더 포함할 수 있다. 보조 뱅크(510)에 의하여 발광 영역은 복수 개의 구역들로 분할될 수 있다. 각각의 구역은 하나의 발광 소자(1)에 대응하는 크기 및 형태를 가질 수 있다. 또한, 일 실시 예에서는, 각각의 구역 내에 애노드 전극(410)의 돌출 영역(P)이 각각 배치될 수 있다.
이러한 실시 예에서, 용액이 발광 영역 내에 도포되면, 용액 내의 발광 소자(1)들이 보조 뱅크(510)에 의해 구획된 각각의 영역들에 포획 및 고정될 수 있다. 즉, 보조 뱅크(510)는 발광 소자(1)들의 사이에 배치된다. 그에 따라, 발광 소자(1)는 요구된 위치에 올바르게 정렬 및 배치될 수 있다.
본 발명이 속하는 기술분야의 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시 예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구의 범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구의 범위의 의미 및 범위 그리고 그 균등 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.
1: 표시 장치
10: 타이밍 제어부
20: 게이트 구동부
30: 데이터 구동부
40: 전원 공급부
50: 표시 패널

Claims (20)

  1. 전도성을 갖는 금속 물질로 구성된 구형의 도전볼;
    상기 도전볼의 표면의 일 영역을 커버하는 발광층;
    상기 발광층 상에 형성된 금속층; 및
    상기 도전볼의 상기 표면의 나머지 영역 중 적어도 일부를 커버하는 절연층을 포함하는, 발광 소자.
  2. 제1항에 있어서, 상기 도전볼은,
    단면이 원 또는 타원인, 발광 소자.
  3. 제1항에 있어서, 상기 도전볼은,
    알루미늄, 구리 및 투명 도전 물질 중 적어도 하나로 구성되고,
    상기 금속층은,
    상기 알루미늄 또는 상기 투명 도전 물질 중 적어도 하나로 구성되는, 발광 소자.
  4. 제1항에 있어서, 상기 도전볼은,
    상기 일 영역이 양극 또는 음극 중 어느 하나의 극성을 띄고, 상기 나머지 영역이 상기 양극 또는 상기 음극 중 다른 하나의 극성을 띄는, 발광 소자.
  5. 제4항에 있어서, 상기 발광층 및 상기 금속층은,
    상기 일 영역을 커버하고,
    상기 절연층은,
    상기 나머지 영역을 띠 형태로 커버하는, 발광 소자.
  6. 발광 소자의 제조 방법으로,
    플레이트 상에, 도전볼들을 배치된 베이스층을 형성하는 단계;
    상기 베이스층 상에 절연층을 형성하는 단계;
    상기 절연층 상에 발광층 및 금속층을 형성하는 단계; 및
    상기 도전볼들을 서로 분리하는 단계를 포함하는, 방법.
  7. 제6항에 있어서, 상기 도전볼은,
    일 영역이 양극의 극성을 띄고, 나머지 영역이 양극의 극성을 띄며,
    상기 도전볼들을 배치하는 단계 이후에,
    상기 플레이트 주변에 전계를 형성하여 상기 발광 소자의 회전 방향을 제어하는 단계를 더 포함하는, 방법.
  8. 제6항에 있어서, 상기 도전볼들을 서로 분리하는 단계는,
    상기 플레이트를 제거하는 단계; 및
    상기 도전볼들 사이에 형성된 상기 베이스층, 상기 절연층, 상기 발광층 및 상기 금속층을 제거하는 단계를 포함하는, 방법.
  9. 제6항에 있어서, 상기 베이스층을 형성하는 단계는,
    상기 플레이트 상에 용융된 폴리머 수지를 도포하는 단계;
    상기 폴리머 수지 상에 상기 도전볼들을 배치하는 단계; 및
    상기 폴리머 수지를 경화시키는 단계를 포함하는, 방법.
  10. 제6항에 있어서, 상기 발광층 및 상기 금속층을 패터닝하는 단계는,
    상기 절연층 상에 포토 레지스트를 도포하는 단계;
    상기 플레이트의 하부에 광을 조사하여 상기 포토 레지스트의 일 영역을 노광하는 단계;
    노광되지 않은 포토 레지스트의 나머지 영역 및 상기 도전볼의 상부 표면에 형성된 절연층의 일 영역을 에칭하는 단계; 및
    상기 절연층 및 상기 에칭에 의해 노출된 상기 도전볼의 상부 표면 상에 상기 발광층 및 상기 금속층을 형성하는 단계를 포함하는, 방법.
  11. 적어도 하나의 회로 소자들을 포함하는 회로 소자층이 배치된 기판;
    상기 회로 소자층 상에 형성된 애노드 전극;
    상기 애노드 전극의 가장자리를 커버하도록 형성되고, 발광 영역을 정의하는 뱅크;
    상기 발광 영역에 대응하여 상기 애노드 전극 상에 배치된 적어도 하나의 발광 소자; 및
    상기 적어도 하나의 발광 소자 및 상기 뱅크를 커버하는 캐소드 전극을 포함하되,
    상기 발광 소자는,
    전도성을 갖는 금속 물질로 구성된 구형의 도전볼;
    상기 도전볼의 표면의 일 영역을 커버하는 발광층;
    상기 발광층 상에 형성된 금속층; 및
    상기 도전볼의 상기 표면의 나머지 영역 중 적어도 일부를 커버하는 절연층을 포함하는, 표시 장치.
  12. 제11항에 있어서, 상기 도전볼은,
    단면이 원 또는 타원인, 표시 장치.
  13. 제12항에 있어서, 상기 발광 영역은,
    상기 발광 소자의 형태 및 직경에 대응하는 적어도 하나의 원 또는 적어도 하나의 타원이 인접하게 배치된 형태를 갖는, 표시 장치.
  14. 제12항에 있어서, 상기 애노드 전극은,
    상기 적어도 하나의 발광 소자 각각에 대응하는 적어도 하나의 돌출 영역을 포함하는, 표시 장치.
  15. 제12항에 있어서, 상기 뱅크는,
    상기 발광 영역을 복수 개의 구역들로 분할하고, 상기 각각의 발광 소자들의 사이에 배치된 보조 뱅크를 더 포함하는, 표시 장치.
  16. 표시 장치의 제조 방법으로,
    기판 상에 적어도 하나의 회로 소자를 포함하는 회로 소자층을 형성하는 단계;
    상기 회로 소자층 상에 애노드 전극을 형성하는 단계;
    상기 애노드 전극의 가장자리를 커버하고, 발광 영역을 정의하는 뱅크를 형성하는 단계;
    상기 애노드 전극 상에 접착제를 도포하는 단계;
    상기 발광 영역에 대응하여 상기 애노드 전극 상에 적어도 하나의 발광 소자를 배치하는 단계; 및
    상기 적어도 하나의 발광 소자 및 상기 뱅크를 커버하는 캐소드 전극을 형성하는 단계를 포함하되,
    상기 발광 소자는,
    전도성을 갖는 금속 물질로 구성된 구형의 도전볼;
    상기 도전볼의 표면의 일 영역을 커버하는 발광층;
    상기 발광층 상에 형성된 금속층; 및
    상기 도전볼의 상기 표면의 나머지 영역 중 적어도 일부를 커버하는 절연층을 포함하는, 방법.
  17. 제16항에 있어서, 상기 적어도 하나의 발광 소자를 배치하는 단계는,
    용매 상에 상기 적어도 하나의 발광 소자가 혼합된 용액을 상기 발광 영역 내에 도포하는 단계; 및
    상기 용액을 건조시키는 단계를 포함하는, 방법.
  18. 제17항에 있어서, 상기 도전볼은,
    상기 발광층 및 상기 금속층으로 커버된 일 영역이 양극 또는 음극 중 어느 하나의 극성을 띄고, 나머지 영역이 상기 양극 또는 상기 음극 중 다른 하나의 극성을 띄며,
    상기 용액을 상기 발광 영역 내에 도포하는 단계 이후에,
    상기 기판 주변에 전계를 형성하여 상기 적어도 하나의 발광 소자의 회전 방향을 제어하는 단계를 더 포함하는, 방법.
  19. 제18항에 있어서, 상기 일 영역이 상기 기판을 향하도록 상기 회전 방향이 제어될 때, 상기 캐소드 전극을 형성하는 단계 이전에,
    상기 적어도 하나의 발광 소자 및 상기 뱅크를 커버하는 버퍼층을 형성하는 단계를 더 포함하는, 방법.
  20. 제16항에 있어서, 상기 접착제를 도포하는 단계는,
    상기 접착제와 용매의 혼합액을 상기 애노드 전극 상에 도포하는 단계를 포함하고,
    상기 적어도 하나의 발광 소자를 배치하는 단계는,
    잉크젯 장비를 통해 상기 적어도 하나의 발광 소자를 상기 발광 영역 내에 제팅하는 단계를 포함하는, 방법.
KR1020200174661A 2020-12-14 2020-12-14 발광 소자, 그의 제조 방법 및 발광 소자를 포함하는 표시 장치 및 그의 제조 방법 KR20220084811A (ko)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020200174661A KR20220084811A (ko) 2020-12-14 2020-12-14 발광 소자, 그의 제조 방법 및 발광 소자를 포함하는 표시 장치 및 그의 제조 방법
US17/520,921 US20220190302A1 (en) 2020-12-14 2021-11-08 Light emitting element, manufacturing method thereof, display device including light emitting element, and manufacturing method thereof

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020200174661A KR20220084811A (ko) 2020-12-14 2020-12-14 발광 소자, 그의 제조 방법 및 발광 소자를 포함하는 표시 장치 및 그의 제조 방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20220084811A true KR20220084811A (ko) 2022-06-21

Family

ID=81943551

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020200174661A KR20220084811A (ko) 2020-12-14 2020-12-14 발광 소자, 그의 제조 방법 및 발광 소자를 포함하는 표시 장치 및 그의 제조 방법

Country Status (2)

Country Link
US (1) US20220190302A1 (ko)
KR (1) KR20220084811A (ko)

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101097333B1 (ko) * 2010-02-11 2011-12-23 삼성모바일디스플레이주식회사 액정표시장치
KR20130013515A (ko) * 2011-07-28 2013-02-06 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR102272214B1 (ko) * 2015-01-14 2021-07-02 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
TWI590433B (zh) * 2015-10-12 2017-07-01 財團法人工業技術研究院 發光元件以及顯示器的製作方法
KR102413365B1 (ko) * 2015-11-03 2022-06-27 엘지디스플레이 주식회사 유기발광다이오드표시장치 및 이의 제조방법
CN108074962A (zh) * 2018-02-11 2018-05-25 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制作方法、显示面板、显示装置
CN111902957B (zh) * 2018-03-29 2023-08-29 夏普株式会社 发光元件及发光器件
KR102643651B1 (ko) * 2019-03-26 2024-03-06 삼성디스플레이 주식회사 발광 소자, 이의 제조 방법 및 이를 포함하는 표시 장치
WO2021100104A1 (ja) * 2019-11-19 2021-05-27 シャープ株式会社 発光素子、発光デバイス

Also Published As

Publication number Publication date
US20220190302A1 (en) 2022-06-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US11158700B2 (en) Display device having multiple buffer layers
US10672339B2 (en) Organic light-emitting display device
CN109309101B (zh) 显示面板及显示装置
US7990047B2 (en) Organic light emitting diode display and method of manufacturing the same
JP4953166B2 (ja) 表示パネルの製造方法
US20090170230A1 (en) Manufacturing method of display apparatus and manufacturing apparatus
KR20070055087A (ko) 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
EP3840052B1 (en) Display device and manufacturing method of same
KR20160054720A (ko) 유기발광다이오드 표시장치
US11158681B2 (en) OLED display device and method of manufacturing OLED display device
US8629857B2 (en) Organic electro-luminescent display apparatus and imaging apparatus including the same
KR20170080242A (ko) 유기발광소자 표시장치
KR20060057945A (ko) 유기전계 발광소자 및 그 제조 방법
JP5257828B2 (ja) 回路基板及びその接続方法
KR20220084811A (ko) 발광 소자, 그의 제조 방법 및 발광 소자를 포함하는 표시 장치 및 그의 제조 방법
KR20220096302A (ko) 표시 장치 및 그의 제조 방법
KR20220096524A (ko) 표시 장치 및 그의 제조 방법
KR20090041871A (ko) 유기발광다이오드 표시장치 및 이의 제조 방법
KR102467218B1 (ko) 표시장치 및 그 제조방법
CN113130570B (zh) 显示装置及其制造方法
US11991893B2 (en) Display device having an auxiliary electrode including a concave portion or a convex portion
KR20180013469A (ko) 유기발광다이오드 표시장치
KR101143006B1 (ko) 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
US20220208908A1 (en) Display device and manufacturing method thereof
KR102503745B1 (ko) 전계발광 표시장치

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination