CN112164757A - 显示面板及其制作方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种显示面板及其制作方法,通过在制备阳极组的同一制程制备具有亲水性的第一辅助电极,且在具有疏水性的第一挡墙中开设沟槽以暴露所述第一辅助电极的上表面,并于所述第一辅助电极的上表面制备第二辅助电极,相比于现有技术,本发明通过结合第一辅助电极的亲水性与第一挡墙的疏水性,使得在制备第二辅助电极时,其墨水材料不易溢至沟槽之外,进而提高了产品良率,且通过第一辅助电极、第二辅助电极与阴极层的并联,降低了阴极层的电阻,防止了显示面板的压降现象,提高了显示面板显示的均一性,降低了显示面板的功耗,且第一辅助电极与阳极组同一制程制备,不需要额外增加工艺工序,节省了工艺时间和工艺成本,简化了工艺流程。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种显示面板及其制作方法。
背景技术
有机电致发光(OLED)显示装置主要包括底发光型(相对基板向下出光)和顶发光型(相对基板向上出光)。相较于底发光型OLED,顶发光OLED发光不经过基板,光线从器件上方发出,基板上像素线路设计不会影响器件发光面积,避免TFT和金属线路面积与发光面积的竞争,能有效提高面板开口率,制备高亮度、高分辨率OLED显示面板。同时,顶发光型OLED在相同亮度下其工作电压更低,从而器件使用寿命更长,并且功耗更低。
目前,在顶发光OLED显示装置中,由于光线需穿过器件阴极,为保证出光率,需增大阴极透明度。顶发光OLED器件的阴极,一般采用低功函金属、或合金(如Ag或MgAg合金)、或透明导电氧化物(Transparent conductive oxide,简称TCO,如IZO(氧化铟锌))制成,但以上阴极的制作都无可避免会出现阴极层电阻过大这一问题。
对于大尺寸顶发光OLED显示面板,器件阴极层电阻过大,面板电压降(IR-Drop)严重,面板上离电源供给处越远处电压降越严重,导致面板四周与中心亮度差异大,使得面板产生严重的亮度不均匀的现象。在面板过亮处,面板发热过大,易影响TFT基板正常工作。并且,阴极方块电阻过大,OLED器件驱动电压大,面板功耗增高。
发明内容
本发明提供一种显示面板及其制作方法,能够解决现有技术中,由于阴极层的电阻过大,从而产生电压降,使得显示面板出现供电不均的现象,进而导致显示面板显示不均的问题。
为解决上述技术问题,本发明提供了一种显示面板的制作方法,所述方法包括:
制备第一导通层于阵列基板上,且所述第一导通层包括沿第一方向排列的多列阳极组,以及位于相邻两列阳极组之间且沿第一方向延伸并具有亲水性的第一辅助电极;
于相邻两列阳极组之间制备沿所述第一方向延伸且具有疏水性的第一挡墙,且所述第一挡墙中设置有沿所述第一方向延伸的沟槽,以暴露所述第一辅助电极的上表面;
制备发光功能层于多列所述阳极组上;
制备第二辅助电极于所述沟槽内,并覆盖所述第一辅助电极;以及
依次制备电子传输层以及阴极层于所述阵列基板上,以连续地覆盖所述发光功能层以及所述第二辅助电极。
优选的,所述第一导通层的材料包括亲水性金属和金属氧化物其中之一。
优选的,所述方法还包括:
当所述第一导通层的材料为金属氧化物时,在形成所述第一挡墙后,对所述第一辅助电极进行等离子处理,以提高所述第一辅助电极的亲水性。
优选的,多列所述阳极组中的每一者皆包括多个阳极,且于相邻两列阳极组之间制备沿所述第一方向延伸的第一挡墙时,还包括于相邻的两个所述阳极之间制备第二挡墙,所述第二挡墙与所述第一挡墙相连接,以限定出呈阵列排布的多个像素开口。
优选的,所述发光功能层对应设置于多个所述像素开口内并覆盖多个所述阳极。
优选的,所述第一挡墙以及所述第二挡墙的材料均包括疏水性材料。
优选的,所述第二辅助电极的材料包括纳米银材料、纳米金材料或碳纳米管材料。
本发明还提供了一种显示面板,包括:
阵列基板;
第一导通层,设置于所述阵列基板上,且所述第一导通层包括沿第一方向排列的多列阳极组,以及位于相邻两列所述阳极组之间且沿所述第一方向延伸并具有亲水性的第一辅助电极;
像素定义层,设置于所述第一导通层上,且所述像素定义层包括设置于相邻两列所述阳极组之间且具有疏水性的第一挡墙,且所述第一挡墙具有沿所述第一方向延伸的沟槽,以暴露所述第一辅助电极的上表面;
发光功能层,对应设置于多列所述阳极组上;
第二辅助电极,设置于所述沟槽内并覆盖所述第一辅助电极;以及
电子传输层以及阴极层,依次设置于所述像素定义层上,并连续地覆盖所述发光功能层以及所述第二辅助电极。
优选的,多列所述阳极组中的每一者皆包括多个阳极,所述像素定义层还包括位于相邻的两个所述阳极之间的第二挡墙,且所述第二挡墙与所述第一挡墙相连接,以限定出呈阵列排布的多个像素开口,所述发光功能层对应设置于多个所述像素开口内并覆盖多个所述阳极。
优选的,所述第一导通层的材料包括亲水性金属和金属氧化物其中之一;
所述第一挡墙以及所述第二挡墙的材料均包括疏水性材料。
本发明的有益效果:相比于现有技术,本发明通过在制备阳极组的同一制程制备具有亲水性的第一辅助电极,且在具有疏水性的第一挡墙中开设沟槽以暴露所述第一辅助电极的上表面,使得所述沟槽的底部与侧壁的亲疏水性不同,从而在制备第二辅助电极时,其墨水材料在所述沟槽的底部与侧壁的表面能不同,不易溢至沟槽之外,有利于控制第二辅助电极的宽度,进而提高产品良率。且通过第一辅助电极、第二辅助电极与阴极层的并联,降低了阴极层的电阻,防止了显示面板的压降现象,提高了显示面板显示的均一性,降低了显示面板的功耗,且第一辅助电极与阳极组同一制程制备,不需要额外增加工艺工序,节省了工艺时间和工艺成本,简化了工艺流程。
附图说明
下面结合附图,通过对本发明的具体实施方式详细描述,将使本发明的技术方案及其它有益效果显而易见。
图1A为本发明实施例提供的显示面板的结构示意图;
图1B为本发明实施例提供的显示面板平面分布结构示意图;
图2为现有的一种显示面板结构示意图;
图3为现有的另一种显示面板结构示意图;
图4为本发明实施例提供的显示面板的制作方法流程图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
在本发明的描述中,需要理解的是,术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本发明和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本发明的限制。此外,术语“第一”、“第二”仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此,限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本发明的描述中,“多个”的含义是两个或两个以上,除非另有明确具体的限定。
在本发明的描述中,需要说明的是,除非另有明确的规定和限定,术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解,例如,可以是固定连接,也可以是可拆卸连接,或一体地连接;可以是机械连接,也可以是电连接或可以相互通讯;可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连,可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言,可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
在本发明中,除非另有明确的规定和限定,第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触,也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且,第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方,或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方,或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
下文的公开提供了许多不同的实施方式或例子用来实现本发明的不同结构。为了简化本发明的公开,下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然,它们仅仅为示例,并且目的不在于限制本发明。此外,本发明可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母,这种重复是为了简化和清楚的目的,其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的关系。此外,本发明提供了的各种特定的工艺和材料的例子,但是本领域普通技术人员可以意识到其他工艺的应用和/或其他材料的使用。
本发明针对现有的显示面板,由于阴极层的电阻过大,从而产生电压降,使得显示面板出现供电不均的现象,进而导致显示面板显示不均的问题。
为解决上述技术问题,本发明提供了一种显示面板的制作方法,参见图1A、图1B以及图4所示,所述方法包括:
步骤S101、制备第一导通层102于阵列基板101上,且所述第一导通层102包括沿第一方向排列的多列阳极组1021,以及位于相邻两列阳极组1021之间且沿第一方向延伸并具有亲水性的第一辅助电极1022。
步骤S102、于相邻两列阳极组之间制备沿所述第一方向延伸且具有疏水性的第一挡墙103,且所述第一挡墙103中设置有沿所述第一方向延伸的沟槽104,以暴露所述第一辅助电极1022的上表面。
步骤S103、制备发光功能层105于多列所述阳极组1021上。
步骤S104、制备第二辅助电极106于所述沟槽104内,并覆盖所述第一辅助电极1022。
步骤S105、依次制备电子传输层107以及阴极层108于所述阵列基板101上,以连续地覆盖所述发光功能层105以及所述第二辅助电极106。
在现有的OLED显示面板中,由于器件阴极层电阻过大,面板电压降(IR-Drop)严重,面板上离电源供给处越远处电压降越严重,导致面板四周与中心亮度差异大,使得面板产生严重的亮度不均匀现象,并增加了显示面板的功耗,使得显示面板显示异常。参见图2所示,其中包括阵列基板201、阳极202、挡墙203、有机发光层205、辅助电极204、电子传输层206以及阴极层207。通过在挡墙203上设置辅助电极204,以降低面板的压降,但是,由于辅助电极制备过程中墨水具有流动性,因此,图2中所示的方案难以控制辅助电极的线宽,甚至使得墨水流动至像素开口内。另外,参见图3所示,为现有技术的另一种技术方案,其中包括阵列基板301、阳极302、挡墙303、沟槽304、有机发光层305、辅助电极306、电子传输层307以及阴极层308。通过在挡墙303内设置沟槽304,以限制辅助电极306的线宽,但是挡墙303为疏水性材料,墨水滴入后易溢出槽口边缘,甚至溢流至两侧像素开口内,影响其正常发光。而本发明实施例提供的显示面板的制作方法,通过在制备阳极组1021的同时,制备具有亲水性的第一辅助电极1022于沟槽104内,然后于所述第一辅助电极1022上制备第二辅助电极106,且可通过提高所述第一辅助电极1022的亲水性,以使得在制备所述第二辅助电极106时,墨水在所述沟槽104内聚集,不会溢至像素开口内,且所述第一辅助电极1022与所述阳极组1021在同一制程进行制备,不需要额外新增工艺工序,节省了工艺时间以及工艺成本,同时解决了面板压降的技术问题,提高了产品良率。
具体地,参见图1A、图1B以及图4所示,所述方法包括:
步骤S101、制备第一导通层102于阵列基板101上,且所述第一导通层102包括沿第一方向排列的多列阳极组1021,以及位于相邻两列阳极组1021之间且沿第一方向延伸并具有亲水性的第一辅助电极1022。
提供阵列基板101,且所述阵列基板101包括基板以及设置于所述基板上的TFT(薄膜晶体管)阵列层,以上可参见现有技术实现,在此不再赘述。
于所述阵列基板101上制备具有图案化的第一导通层102,且所述第一导通层102包括第一方向排列的多列阳极组1021,以及位于相邻两列阳极组1021之间且沿第一方向延伸并具有亲水性的第一辅助电极1022,且多列所述阳极组中的每一者皆包括多个阳极,多个所述阳极沿所述第一方向排列。
其中,所述第一导通层103的材料包括金属氧化物或亲水性金属,金属氧化物可包括ITO、IZO、MoO3,亲水性金属可包括Al、Mo、Cu。
步骤S102、于相邻两列阳极组之间制备沿所述第一方向延伸且具有疏水性的第一挡墙103,且所述第一挡墙103中设置有沿所述第一方向延伸的沟槽104,以暴露所述第一辅助电极1022的上表面。
在两列相邻的阳极组1021之间制备沿所述第一方向延伸且具有疏水性的第一挡墙103并覆盖所述第一辅助电极1022,并于所述第一挡墙103中开设沿所述第一方向延伸的沟槽104,以暴露所述第一辅助电极1022的上表面。
在制备所述第一挡墙103的同时,于相邻的两个阳极之间制备第二挡墙109,且所述第二挡墙109与所述第一挡墙103相连接,以限定出呈阵列排布的多个像素开口,且每个像素开口对应暴露一个阳极的上表面,且所述第一挡墙103以及所述第二挡墙109均采用疏水性材料制得。
进一步地,根据本发明的一变形实施例,其中所述第一导通层102的材料为金属氧化物,即所述第一辅助电极1022由金属氧化物制成。由于金属氧化物亲水性不佳,因此在制备完成所述第一挡墙103与所述第二挡墙109后,需要对所述第一辅助电极1022进行等离子处理,以提高所述第一辅助电极1022的亲水性,以利于后续制程的进行。具体地,可利用氧等离子体处理所述第一辅助电极1022,一方面使得所述第一辅助电极1022进一步氧化,另一方面使得所述第一辅助电极1022的表面极性度增加、表面能增大以及接触角减小,从而所述第一辅助电极1022的表面湿润性得到很大改善,提高了所述第一辅助电极1022的亲水性。且所述第一辅助电极1022经氧等离子处理后,还可以提高其功函,有利于提高所述OLED器件的电学性能,而亲水性金属本身具有优良的亲水性,则不需要进行等离子处理。
步骤S103、制备发光功能层105于多列所述阳极组1021上。
于所述多个像素开口制备所述发光功能层105于所述阳极组1021上,即制备所述发光功能层105于所述阳极的上表面。
步骤S104、制备第二辅助电极106于所述沟槽104内,并覆盖所述第一辅助电极1022。
采用墨水材料对应在所述沟槽104内制备所述第二辅助电极106,即制备所述第二辅助电极106于所述第一辅助电极1022上表面。由于所述第一辅助电极具有较佳的亲水性,所述第一挡墙103和所述第二挡墙109具有疏水性,故而所述墨水材料在所述沟槽104的底部与侧壁的表面能不同,使得所述墨水材料将在所述沟槽104内聚集,不易溢至所述沟槽104外,提高了产品良率。
所述墨水材料可以包括纳米银材料、纳米金材料或碳纳米管材料。
在实际的生产过程中,纳米银材料作为辅助电极时难以控制宽度,而采用本发明实施例提供的方法,纳米银材料在所述沟槽104的底部与侧壁的表面能不同,使得纳米银材料将在所述沟槽104内聚集,不易溢至所述沟槽104外,宽度易于控制,从而使纳米银材料作为辅助电极存在量产性。
步骤S105、依次制备电子传输层107以及阴极层108于所述阵列基板101上,以连续地覆盖所述发光功能层105以及所述第二辅助电极106。
依次制备电子传输层107以及所述阴极层108于所述阵列基板101上,以连续地覆盖所述发光功能层105以及所述第二辅助电极106,本发明实施例通过在显示面板内设置所述第一辅助电极1022、所述第二辅助电极106与所述阴极层108并联,降低了阴极层的电阻,以解决所述阴极层108电阻过大进而产生电压降的技术问题,提高了显示面板的显示均一性,避免了显示面板发热影响所述阵列基板101的正常工作,降低了显示面板的功耗。
进一步地,本发明实施例通过在所述像素定义层的所述第一挡墙103内设置所述沟槽104,并将所述第二辅助电极106设置于所述沟槽104内,进而限制了所述第二辅助电极106的宽度,提高了显示面板的开口率,且在所述第二辅助电极106的下方设置具有亲水性的所述第一辅助电极1022,进一步地防止了所述第二辅助电极106的溢流,且所述第一辅助电极1022与所述阳极组1021在同一工序进行制备,降低了生产成本,简化了生产流程。
另外,本发明实施例还提供了一种上述实施例所述的制作方法制得的显示面板,具体地,参见图1A以及图1B所示,所述显示面板包括阵列基板101;第一导通层102,设置于所述阵列基板101上,且所述第一导通层102包括沿第一方向排列的多列阳极组1021,以及位于相邻两列所述阳极组1021之间且沿所述第一方向延伸并具有亲水性的第一辅助电极1022;像素定义层,设置于所述第一导通层102上,且所述像素定义层包括设置于相邻两列所述阳极组1021之间且具有疏水性的第一挡墙103,且所述第一挡墙103具有沿所述第一方向延伸的沟槽104,以暴露所述第一辅助电极1022的上表面;发光功能层105,对应设置于多列所述阳极组1021上;第二辅助电极106,设置于所述沟槽104内并覆盖所述第一辅助电极1022;以及电子传输层107以及阴极层108,依次设置于所述像素定义层上,并连续地覆盖所述发光功能层105以及所述第二辅助电极106。
更进一步地,多列所述阳极组1021中的每一者皆包括多个阳极,所述像素定义层还包括位于相邻的两个所述阳极之间的第二挡墙109,且所述第二挡墙109与所述第一挡墙103相连接,以限定出呈阵列排布的多个像素开口,所述发光功能层105对应设置于多个所述像素开口内并覆盖多个所述阳极。
在本发明实施例中,所述第一导通层102的材料包括亲水性金属和金属氧化物,所述第一挡墙103以及所述第二挡墙109的材料包括疏水性材料。
所述显示面板的其他结构和材料组成均与上述实施例中所述相同,在此不再赘述。
综上所述,本发明实施例提供的显示面板及其制作方法,通过在制备阳极组的同时,制备具有亲水性的第一辅助电极,且在具有疏水性的第一挡墙中开设沟槽以暴露所述第一辅助电极的上表面,使得所述沟槽的底部与侧壁的亲疏水性不同,从而在第一辅助电极上制备第二辅助电极时,其墨水材料在所述沟槽的底部与侧壁的表面能不同,不易溢至沟槽之外,有利于控制第二辅助电极的宽度,进而提高产品良率。且通过第一辅助电极、第二辅助电极与阴极层的并联,降低了阴极层的电阻,避免了显示面板的压降现象,提高了显示面板的显示均一性,降低了显示面板的功耗,且第一辅助电极与阳极组同一制程制备,不需要额外增加工艺工序,节省了工艺时间和工艺成本,简化了工艺流程。
以上对本发明实施例所提供的一种显示面板及其制作方法进行了详细介绍,本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述,以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的技术方案及其核心思想;本领域的普通技术人员应当理解:其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改,或者对其中部分技术特征进行等同替换;而这些修改或者替换,并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例的技术方案的范围。
Claims (10)
1.一种显示面板的制作方法,其特征在于,所述方法包括:
制备第一导通层于阵列基板上,且所述第一导通层包括沿第一方向排列的多列阳极组,以及位于相邻两列阳极组之间且沿第一方向延伸并具有亲水性的第一辅助电极;
于相邻两列阳极组之间制备沿所述第一方向延伸且具有疏水性的第一挡墙,且所述第一挡墙中设置有沿所述第一方向延伸的沟槽,以暴露所述第一辅助电极的上表面;
制备发光功能层于多列所述阳极组上;
制备第二辅助电极于所述沟槽内,并覆盖所述第一辅助电极;以及
依次制备电子传输层以及阴极层于所述阵列基板上,以连续地覆盖所述发光功能层以及所述第二辅助电极。
2.根据权利要求1所述的显示面板的制作方法,其特征在于,所述第一导通层的材料包括亲水性金属和金属氧化物其中之一。
3.根据权利要求2所述的显示面板的制作方法,其特征在于,所述方法还包括:
当所述第一导通层的材料为金属氧化物时,在形成所述第一挡墙后,对所述第一辅助电极进行等离子处理,以提高所述第一辅助电极的亲水性。
4.根据权利要求1所述的显示面板的制作方法,其特征在于,多列所述阳极组中的每一者皆包括多个阳极,且于相邻两列阳极组之间制备沿所述第一方向延伸的第一挡墙时,还包括于相邻的两个所述阳极之间制备第二挡墙,所述第二挡墙与所述第一挡墙相连接,以限定出呈阵列排布的多个像素开口。
5.根据权利要求4所述的显示面板的制作方法,其特征在于,所述发光功能层对应设置于多个所述像素开口内并覆盖多个所述阳极。
6.根据权利要求4所述的显示面板的制作方法,其特征在于,所述第一挡墙以及所述第二挡墙的材料均包括疏水性材料。
7.根据权利要求1所述的显示面板的制作方法,其特征在于,所述第二辅助电极的材料包括纳米银材料、纳米金材料或碳纳米管材料。
8.一种显示面板,其特征在于,包括:
阵列基板;
第一导通层,设置于所述阵列基板上,且所述第一导通层包括沿第一方向排列的多列阳极组,以及位于相邻两列所述阳极组之间且沿所述第一方向延伸并具有亲水性的第一辅助电极;
像素定义层,设置于所述第一导通层上,且所述像素定义层包括设置于相邻两列所述阳极组之间且具有疏水性的第一挡墙,且所述第一挡墙具有沿所述第一方向延伸的沟槽,以暴露所述第一辅助电极的上表面;
发光功能层,对应设置于多列所述阳极组上;
第二辅助电极,设置于所述沟槽内并覆盖所述第一辅助电极;以及
电子传输层以及阴极层,依次设置于所述像素定义层上,并连续地覆盖所述发光功能层以及所述第二辅助电极。
9.根据权利要求8所述的显示面板,其特征在于,多列所述阳极组中的每一者皆包括多个阳极,所述像素定义层还包括位于相邻的两个所述阳极之间的第二挡墙,且所述第二挡墙与所述第一挡墙相连接,以限定出呈阵列排布的多个像素开口,所述发光功能层对应设置于多个所述像素开口内并覆盖多个所述阳极。
10.根据权利要求9所述的显示面板,其特征在于,所述第一导通层的材料包括亲水性金属和金属氧化物其中之一;
所述第一挡墙以及所述第二挡墙的材料均包括疏水性材料。
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2022237017A1 (zh) * | 2021-05-13 | 2022-11-17 | Tcl华星光电技术有限公司 | 显示面板及其制作方法、显示装置 |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20090215350A1 (en) * | 2008-02-26 | 2009-08-27 | Seiko Epson Corporation | Method of manufacturing organic electroluminescence device |
CN106328677A (zh) * | 2015-06-30 | 2017-01-11 | 乐金显示有限公司 | 有机发光显示装置 |
CN107039486A (zh) * | 2015-11-03 | 2017-08-11 | 乐金显示有限公司 | 有机发光显示装置及其制造方法 |
CN206947384U (zh) * | 2017-10-13 | 2018-01-30 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | Oled面板 |
CN108417726A (zh) * | 2018-03-20 | 2018-08-17 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | Oled器件及其制作方法 |
CN110211994A (zh) * | 2019-05-17 | 2019-09-06 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 阵列基板及其制造方法、有机发光二极管显示器 |
CN110277431A (zh) * | 2019-06-26 | 2019-09-24 | 云谷(固安)科技有限公司 | 一种显示面板及显示装置 |
CN110993812A (zh) * | 2019-11-08 | 2020-04-10 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 有机发光二极体面板及其制作方法 |
-
2020
- 2020-09-24 CN CN202011014883.3A patent/CN112164757A/zh active Pending
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20090215350A1 (en) * | 2008-02-26 | 2009-08-27 | Seiko Epson Corporation | Method of manufacturing organic electroluminescence device |
CN106328677A (zh) * | 2015-06-30 | 2017-01-11 | 乐金显示有限公司 | 有机发光显示装置 |
CN107039486A (zh) * | 2015-11-03 | 2017-08-11 | 乐金显示有限公司 | 有机发光显示装置及其制造方法 |
CN206947384U (zh) * | 2017-10-13 | 2018-01-30 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | Oled面板 |
CN108417726A (zh) * | 2018-03-20 | 2018-08-17 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | Oled器件及其制作方法 |
CN110211994A (zh) * | 2019-05-17 | 2019-09-06 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 阵列基板及其制造方法、有机发光二极管显示器 |
CN110277431A (zh) * | 2019-06-26 | 2019-09-24 | 云谷(固安)科技有限公司 | 一种显示面板及显示装置 |
CN110993812A (zh) * | 2019-11-08 | 2020-04-10 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 有机发光二极体面板及其制作方法 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2022237017A1 (zh) * | 2021-05-13 | 2022-11-17 | Tcl华星光电技术有限公司 | 显示面板及其制作方法、显示装置 |
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