CN110085765B - 显示面板及其制作方法 - Google Patents

显示面板及其制作方法 Download PDF

Info

Publication number
CN110085765B
CN110085765B CN201910350196.XA CN201910350196A CN110085765B CN 110085765 B CN110085765 B CN 110085765B CN 201910350196 A CN201910350196 A CN 201910350196A CN 110085765 B CN110085765 B CN 110085765B
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
cathode
light emitting
light
display panel
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201910350196.XA
Other languages
English (en)
Other versions
CN110085765A (zh
Inventor
史婷
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd
Original Assignee
Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd filed Critical Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd
Priority to CN201910350196.XA priority Critical patent/CN110085765B/zh
Publication of CN110085765A publication Critical patent/CN110085765A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN110085765B publication Critical patent/CN110085765B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/82—Cathodes
    • H10K50/824—Cathodes combined with auxiliary electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

本申请提出了一种显示面板及其制作方法，该显示面板包括包括衬底、位于该衬底上的发光器件层、及位于该发光器件层上的封装层；该发光器件层包括阳极层、位于该阳极层上的发光层、位于该发光层上的阴极层、以及位于该发光层与该阴极层之间的阴极修饰层。本申请通过发光层与阴极层之间增加阴极修饰层，该阴极修饰层能改善高功函阴极能级不匹配带来的能级势垒、及器件中的电子注入和载流子传输平衡的技术问题，提高了发光器件的发光效率，提高了产品的品质。

Description

显示面板及其制作方法
技术领域
本申请涉及显示领域，特别涉及一种显示面板及其制造方法。
背景技术
有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode，OLED)显示器具有轻薄、主动发光、响应速度快、可视角大、色域宽、亮度高和功耗低等众多优点，逐渐成为继液晶显示器后的第三代显示技术。
现有的OLED器件一般采用低功函数的金属(例如Mg，Ca， Li，Cs)作为电极，低功函数金属的化学活泼性较高，使得器件性能容易劣化，也增加了OLED器件量产时的工艺控制难度。而采用高功函数的金属(Ag，Au等)作为电极时，高功函数金属能够提高OLED器件电极的稳定性，并且提高器件的稳定性和寿命。但是选择高功函金属时，阴极层的高功函很难与发光层材料的能级匹配，造成较大的电子注入势垒，影响器件的发光效率，
发明内容
本申请提供了一种显示面板及其制作方法，以改善现有阴极层与发光层能级不匹配的技术问题。
为实现上述目的，本申请提供的技术方案如下：
本申请提供一种显示面板的制作方法，其包括：
提供一衬底，在所述衬底上形成阳极层；
在所述阳极层上形成发光层；
在所述发光层上形成阴极层；
在所述阴极层上形成封装层；
其中，所述显示面板的制作方法还包括：
在所述发光层与所述阴极层之间形成阴极修饰层。
在本申请的制作方法中，
在形成所述阴极修饰层之前，还包括：
利用蒸镀工艺，在所述发光层上形成界面增强层；
所述界面增强层的材料包括卟啉或酞箐中的一种。
在本申请的制作方法中，
所述阴极层通过蒸镀工艺形成；
所述阴极层的材料包括铜、银或金中的一种；
所述阴极层的厚度为10nm～2000nm。
在本申请的制作方法中，
所述阴极修饰层通过蒸镀工艺形成；
所述阴极修饰层的材料包括有机异质结层。
在本申请的制作方法中，
在形成发光层之前，还包括：
利用喷墨打印工艺，在所述阳极层上形成空穴传输层；
所述空穴传输层的厚度为10nm～100nm。
本申请还提出了一种显示面板，其包括衬底、位于所述衬底上的发光器件层、及位于所述发光器件层上的封装层；
所述发光器件层包括阳极层、位于所述阳极层上的发光层、位于所述发光层上的阴极层、以及位于所述发光层与所述阴极层之间的阴极修饰层。
在本申请的显示面板中，所述显示面板还包括：
位于所述发光层与所述阴极修饰层之间的界面增强层；
所述界面增强层通过蒸镀工艺形成；
所述界面增强层的材料包括卟啉或酞箐中的一种。
在本申请的显示面板中，所述阴极层通过蒸镀工艺形成；
所述阴极层的材料包括铜、银或金中的一种；
所述阴极层的厚度为10nm～2000nm。
在本申请的显示面板中，所述阴极修饰层通过蒸镀工艺形成；
所述阴极修饰层的材料包括有机异质结层。
在本申请的显示面板中，所述显示面板还包括：
位于所述阳极层与所述发光层之间的空穴传输层；
所述空穴传输层通过喷墨打印等工艺在所述阳极层上形成；
所述空穴传输层的厚度为10nm～100nm。
有益效果：本申请通过发光层与阴极层之间增加阴极修饰层，该阴极修饰层能改善高功函阴极能级不匹配带来的能级势垒、及器件中的电子注入和载流子传输平衡的技术问题，提高了发光器件的发光效率，提高了产品的品质。
附图说明
为了更清楚地说明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本申请显示面板制作方法的步骤图；
图2A～2F为本申请显示面板制作方法的工艺步骤图；
图3为本申请显示面板的结构图。
具体实施方式
以下各实施例的说明是参考附加的图示，用以例示本申请可用以实施的特定实施例。本申请所提到的方向用语，例如[上]、[下]、[前]、[后]、[左]、[右]、[内]、[外]、[侧面]等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本申请，而非用以限制本申请。在图中，结构相似的单元是用以相同标号表示。
请参阅图1，图1为本申请显示面板100制作方法的步骤图。
请参阅图2A～2F，图2A～2F为本申请显示面板100制作方法的工艺步骤图。
所述显示面板100制作方法包括：
S 10、提供一衬底10，在所述衬底10上形成阳极层20；
请参阅图2A，所述衬底10可以为阵列基板。
所述衬底10包括基板和位于所述基板上的薄膜晶体管层。
所述基板的原材料可以为玻璃基板、石英基板、树脂基板等中的一种。当所述基板为柔性基板时，所述柔性基板的材料可以为PI(聚酰亚胺)。
所述薄膜晶体管层包括多个薄膜晶体管单元。所述薄膜晶体管单元可以为蚀刻阻挡层型、背沟道蚀刻型或顶栅薄膜晶体管型等，本实施例具体没有限制。
本申请以顶栅薄膜晶体管型为例进行说明。
例如，所述薄膜晶体管单元可以包括：遮光层、缓冲层、有源层、栅绝缘层、栅极、间绝缘层、源漏极、钝化层及平坦层。
所述阳极层20形成于所述平坦层上。
形成所述阳极层20的步骤包括：
在所述衬底10上通过磁控溅射等工艺形成第一金属薄膜层；
使用第一光罩工艺，对所述第一金属薄膜层进行图案化处理，使所述第一金属薄膜层形成阳极层20。
所述阳极层20主要用于提供吸收电子的空穴。
在本实施例中，所述阳极层20的材料可以为铟锡氧化物 (ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、铟镓氧化物(IGO)或氧化锌铝(AZO)中的至少一种。
在本实施例中，所述阳极层20的厚度可以为20nm～200nm。
在形成所述阳极层20之后，还包括步骤：
利用喷墨打印等工艺，在所述阳极层20上形成空穴传输层30。
所述空穴传输层30用于传输所述阳极层20产生的空穴，将该空穴传输至所述发光层40中。
在本实施例中，空穴传输层30的材料可以为PEDOT/PSS。
在本实施例中，空穴传输层30的厚度可以为10nm～100nm。
在本实施例中，还可以包括步骤：
在所述空穴传输层30与所述阳极层20之间形成空穴注入层。
所述空穴注入层用于将所述阳极层20产生的空穴注入至所述空穴传输层30中。
由于所述空穴注入层和所述空穴传输层30的功能相近，因此二者可以统称为空穴传输功能层。
S20、在所述阳极层20形成发光层40；
请参阅图2B，所述发光层40被像素定义层90分割成多个发光单元。所述像素定义层90由有机材料构成，所述像素定义层90 的工艺在所述发光层40之前形成。
所述发光层40包括有机发光材料，该种材料属于有机半导体。其具有特殊的能带结构，可以在吸收所述阳极迁移过来的电子后，再散发出来一定波长的光子，而这些光子进入我们眼睛就是我们看到的色彩。
本申请的所述发光层40可以通过喷墨打印法等工艺形成。
在本实施例中，所述发光层40的厚度可以为10nm～100nm。
在本实施例中，请参阅图2C，还可以包括：
利用蒸镀工艺等，在所述发光层40上形成界面增强层50。
所述界面增强层50的材料包括卟啉或酞箐等中的一种。
所述界面增强层50的厚度可以为0.1nm～10nm。
在本实施例中，所述界面增强层50的引入能够改善溶液制程中薄膜和蒸镀薄膜膜层状态带来的界面缺陷。例如发光层40(由喷墨工艺形成)和阴极层70(由蒸镀工艺形成)等。
在本实施例中，请参阅图2D，还可以包括：
利用蒸镀工艺等，在所述界面增强层50上形成阴极修饰60 层。
所述阴极修饰层60的材料可以包括有机异质结层。
在本实施例中，该有机异质结层可以为但不限定于共轭大环聚合物/富勒烯等双层有机异质结构。
S30、在所述发光层40上形成阴极层70；
请参阅图2E，所述阴极层70覆盖所述发光层40。
所述阴极层70用于提供被所述空穴吸收的电子。
在本实施例中，所述阴极层70的材料可以包括铜、银、金等高功函数金属中的至少一种。
由于阴极层70中的高功函金属很难与发光层40材料的能级匹配，本实施例将阴极修饰层60引入。所述阴极修饰层60改善了发光器件中电子注入和载流子传输平衡的问题，使得阴极层70 中的高功函金属能良好的与发光层40材料的能级匹配，提高了器件的稳定性和寿命。
在本实施例中，还可以包括：
在所述发光层40与所述界面增强层50之间形成电子 注入层。
所述空穴传输层30用于传输所述阴极层70产生的电子，将该电子传输至所述发光层40中。
S40、在所述阴极层70上形成封装层80；
请参阅图2F，所述封装层80可以为薄膜封装层，主要用于阻水阻氧，防止外部水汽对有机发光层40的侵蚀。所述封装层80 可以由至少一有机层与至少一无机层交错层叠而成。有机层通常位于所述封装层80的中间，无机层位于所述封装层80的两侧，将有机层包裹在中间。
在上述实施例中，本申请是以顶发光型OLED器件为例进行的说明。当OLED器件为底发光时，同样适用，此时只需要改变阳极层20与阴极层70的材料就行，或者将反射层的位置放置在阴极层70上即可。
本申请通过发光层40与阴极层70之间增加阴极修饰层60，该阴极修饰层60能改善高功函阴极能级不匹配带来的能级势垒、及器件中的电子注入和载流子传输平衡的技术问题，提高了发光器件的发光效率，提高了产品的品质
请参阅图3，图3为本申请显示面板100的结构图。
所述显示面板100包括衬底10、位于所述衬底10上的发光器件层、及位于所述发光器件层上的封装层80。
所述衬底10包括基板和位于所述基板上的薄膜晶体管层。
所述基板的原材料可以为玻璃基板、石英基板、树脂基板等中的一种。当所述基板为柔性基板时，所述柔性基板的材料可以为PI(聚酰亚胺)。
所述薄膜晶体管层包括多个薄膜晶体管单元。所述薄膜晶体管单元可以为蚀刻阻挡层型、背沟道蚀刻型或顶栅薄膜晶体管型等，本实施例具体没有限制。
本申请以顶栅薄膜晶体管型为例进行说明。
例如，所述薄膜晶体管单元可以包括：遮光层、缓冲层、有源层、栅绝缘层、栅极、间绝缘层、源漏极、钝化层及平坦层。
所述发光器件层包括阳极层20、阴极层70、及位于所述阳极层20与所述阴极层70之间的发光层40。
所述阳极层20形成于所述平坦层上。
所述阳极层20主要通过以下步骤形成：
在所述衬底10上通过磁控溅射等工艺形成第一金属薄膜层；
使用第一光罩工艺，对所述第一金属薄膜层进行图案化处理，使所述第一金属薄膜层形成阳极层20。
所述阳极层20主要用于提供吸收电子的空穴。
在本实施例中，所述阳极层20的材料可以为铟锡氧化物 (ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、铟镓氧化物(IGO)或氧化锌铝(AZO)中的至少一种。
在本实施例中，所述阳极层20的厚度可以为20nm～200nm。
所述发光器件还可以包括：
位于所述阳极层20与所述发光层40之间的空穴传输层30。
所述空穴传输层30可以通过喷墨打印等工艺在所述阳极层20 上形成。所述空穴传输层30用于传输所述阳极层20产生的空穴，将该空穴传输至所述发光层40中。
在本实施例中，空穴传输层30的材料可以为PEDOT/PSS。
在本实施例中，空穴传输层30的厚度可以为10nm～100nm。
所述发光器件还可以包括：
位于所述空穴传输层30与所述发光层40之间的空穴注入层。
所述空穴注入层用于将所述阳极层20产生的空穴注入至所述空穴传输层30中。
由于所述空穴注入层和所述空穴传输层30的功能相近，因此二者可以统称为空穴传输功能层。
所述发光层40被像素定义层90分割成多个发光单元。
在本实施例中，所述像素定义层90由有机材料构成，所述像素定义层90的工艺在所述发光层40之前形成。
所述发光层40包括有机发光材料，该种材料属于有机半导体。其具有特殊的能带结构，可以在吸收所述阳极迁移过来的电子后，再散发出来一定波长的光子，而这些光子进入我们眼睛就是我们看到的色彩。
本申请的所述发光层40可以通过喷墨打印法等工艺形成。
在本实施例中，所述发光层40的厚度可以为10nm～100nm。
所述发光器件还可以包括：
位于所述发光层40上的界面增强层50。
所述界面增强层50可以通过蒸镀工艺等工艺在所述发光层40 上形成。
在本实施例中，所述界面增强层50的材料包括卟啉或酞箐等中的一种。所述界面增强层50的厚度可以为0.1nm～10nm。
在本实施例中，所述界面增强层50的引入能够改善溶液制程中薄膜和蒸镀薄膜膜层状态带来的界面缺陷。例如发光层40(由喷墨工艺形成)和阴极层70(由蒸镀工艺形成)等。
所述发光器件还可以包括：
位于所述界面增强层50上的阴极修饰层60。
所述阴极修饰层60可以通过蒸镀工艺等工艺在所述界面增强层50上形成。
在本实施例中，所述阴极修饰层60的材料可以包括有机异质结层。该有机异质结层可以为但不限定于共轭大环聚合物/富勒烯等双层有机异质结构。
所述阴极层70位于所述发光层40上，也可以认为所述阴极层70位于所述阴极修饰层60上。
所述阴极层70用于提供被所述空穴吸收的电子。
在本实施例中，所述阴极层70的材料可以包括铜、银、金等高功函数金属中的至少一种。
由于阴极层70中的高功函金属很难与发光层40材料的能级匹配，本实施例将阴极修饰层60引入。所述阴极修饰层60改善了发光器件中电子注入和载流子传输平衡的问题，使得阴极层70 中的高功函金属能良好的与发光层40材料的能级匹配，提高了器件的稳定性和寿命。
所述发光器件还可以包括：
位于所述发光层40与所述界面增强层50之间的空穴注入层。
所述空穴传输层30用于传输所述阴极层70产生的电子，将该电子传输至所述发光层40中。
在本实施例中，所述封装层80可以为薄膜封装层80，主要用于阻水阻氧，防止外部水汽对有机发光层40的侵蚀。所述封装层 80可以由至少一有机层与至少一无机层交错层叠而成。有机层通常位于所述封装层80的中间，无机层位于所述封装层80的两侧，将有机层包裹在中间。
在上述实施例中，本申请是以顶发光型OLED器件为例进行的说明。当OLED器件为底发光时，同样适用，此时只需要改变阳极层20与阴极层70的材料就行，或者将反射层的位置放置在阴极层70上即可。
本申请提出了一种显示面板及其制作方法，所述显示面板包括包括衬底、位于所述衬底上的发光器件层、及位于所述发光器件层上的封装层；所述发光器件层包括阳极层、位于所述阳极层上的发光层、位于所述发光层上的阴极层、以及位于所述发光层与所述阴极层之间的阴极修饰层。本申请通过发光层与阴极层之间增加阴极修饰层，该阴极修饰层能改善高功函阴极能级不匹配带来的能级势垒、及器件中的电子注入和载流子传输平衡的技术问题，提高了发光器件的发光效率，提高了产品的品质
综上所述，虽然本申请已以优选实施例揭露如上，但上述优选实施例并非用以限制本申请，本领域的普通技术人员，在不脱离本申请的精神和范围内，均可作各种更动与润饰，因此本申请的保护范围以权利要求界定的范围为准。

Claims (8)

1.一种显示面板的制作方法，其特征在于，包括：
提供一衬底，在所述衬底上形成阳极层；
在所述阳极层上形成发光层；
在所述发光层上形成阴极层；
在所述阴极层上形成封装层；
其中，所述显示面板的制作方法还包括：
在所述发光层上形成界面增强层，在所述界面增强层上形成阴极修饰层，所述阴极层形成于所述阴极修饰层上；
所述界面增强层的材料包括卟啉。
2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，
所述阴极层通过蒸镀工艺形成；
所述阴极层的材料包括铜、银或金中的一种；
所述阴极层的厚度为10nm～2000nm。
3.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，
所述阴极修饰层通过蒸镀工艺形成；
所述阴极修饰层的材料包括有机异质结层。
4.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，
在形成发光层之前，还包括：
利用喷墨打印工艺，在所述阳极层上形成空穴传输层；
所述空穴传输层的厚度为10nm～100nm。
5.一种显示面板，其特征在于，包括衬底、位于所述衬底上的发光器件层、及位于所述发光器件层上的封装层；
所述发光器件层包括阳极层、位于所述阳极层上的发光层、位于所述发光层上的阴极层、以及位于所述发光层与所述阴极层之间的阴极修饰层；
所述显示面板还包括：
位于所述发光层与所述阴极修饰层之间的界面增强层；
所述界面增强层的材料包括卟啉。
6.根据权利要求5所述的显示面板，其特征在于，
所述阴极层通过蒸镀工艺形成；
所述阴极层的材料包括铜、银或金中的一种；
所述阴极层的厚度为10nm～2000nm。
7.根据权利要求5所述的显示面板，其特征在于，
所述阴极修饰层通过蒸镀工艺形成；
所述阴极修饰层的材料包括有机异质结层。
8.根据权利要求5所述的显示面板，其特征在于，
所述显示面板还包括：
位于所述阳极层与所述发光层之间的空穴传输层；
所述空穴传输层通过喷墨打印工艺在所述阳极层上形成；
所述空穴传输层的厚度为10nm～100nm。
CN201910350196.XA 2019-04-28 2019-04-28 显示面板及其制作方法 Active CN110085765B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201910350196.XA CN110085765B (zh) 2019-04-28 2019-04-28 显示面板及其制作方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201910350196.XA CN110085765B (zh) 2019-04-28 2019-04-28 显示面板及其制作方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN110085765A CN110085765A (zh) 2019-08-02
CN110085765B true CN110085765B (zh) 2021-08-24

Family

ID=67417379

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201910350196.XA Active CN110085765B (zh) 2019-04-28 2019-04-28 显示面板及其制作方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN110085765B (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110514652B (zh) * 2019-08-28 2022-02-22 京东方科技集团股份有限公司 一种ph传感器及其制备方法

Citations (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101055921A (zh) * 2006-04-12 2007-10-17 统宝光电股份有限公司 有机电致发光元件及显示器和电子装置
CN102169966A (zh) * 2011-04-28 2011-08-31 中国科学院长春应用化学研究所 一种有机发光二极管
CN106159108A (zh) * 2016-09-05 2016-11-23 Tcl集团股份有限公司 一种qled及其制备方法
CN106784387A (zh) * 2017-01-16 2017-05-31 京东方科技集团股份有限公司 一种有机发光二极管、显示基板及显示装置
CN106910843A (zh) * 2017-04-10 2017-06-30 电子科技大学 蓝色发光oled器件及其制备方法
CN106920895A (zh) * 2017-05-11 2017-07-04 安徽熙泰智能科技有限公司 一种顶发射有机电致发光器件的阴极及其制备方法
CN106972115A (zh) * 2017-05-27 2017-07-21 深圳市华星光电技术有限公司 Oled显示面板的制作方法及oled显示面板
CN107123742A (zh) * 2017-05-15 2017-09-01 华南理工大学 一种倒置型底发射有机发光二极管及其制备方法
CN108258133A (zh) * 2018-01-22 2018-07-06 苏州大学 钙钛矿发光二极管及其制备方法
CN108269940A (zh) * 2018-01-22 2018-07-10 苏州大学 碱金属卤化物掺杂的钙钛矿发光二极管及其制备方法
CN108428801A (zh) * 2018-03-13 2018-08-21 华南理工大学 一种有机上转换器件
CN108832008A (zh) * 2018-05-24 2018-11-16 苏州大学 激基复合物在有机发光二极管中的应用
CN109585694A (zh) * 2018-11-21 2019-04-05 苏州大学 一种全无机卤化铅钙钛矿发光二极管及其制备方法和活性发光层

Patent Citations (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101055921A (zh) * 2006-04-12 2007-10-17 统宝光电股份有限公司 有机电致发光元件及显示器和电子装置
CN102169966A (zh) * 2011-04-28 2011-08-31 中国科学院长春应用化学研究所 一种有机发光二极管
CN106159108A (zh) * 2016-09-05 2016-11-23 Tcl集团股份有限公司 一种qled及其制备方法
CN106784387A (zh) * 2017-01-16 2017-05-31 京东方科技集团股份有限公司 一种有机发光二极管、显示基板及显示装置
CN106910843A (zh) * 2017-04-10 2017-06-30 电子科技大学 蓝色发光oled器件及其制备方法
CN106920895A (zh) * 2017-05-11 2017-07-04 安徽熙泰智能科技有限公司 一种顶发射有机电致发光器件的阴极及其制备方法
CN107123742A (zh) * 2017-05-15 2017-09-01 华南理工大学 一种倒置型底发射有机发光二极管及其制备方法
CN106972115A (zh) * 2017-05-27 2017-07-21 深圳市华星光电技术有限公司 Oled显示面板的制作方法及oled显示面板
CN108258133A (zh) * 2018-01-22 2018-07-06 苏州大学 钙钛矿发光二极管及其制备方法
CN108269940A (zh) * 2018-01-22 2018-07-10 苏州大学 碱金属卤化物掺杂的钙钛矿发光二极管及其制备方法
CN108428801A (zh) * 2018-03-13 2018-08-21 华南理工大学 一种有机上转换器件
CN108832008A (zh) * 2018-05-24 2018-11-16 苏州大学 激基复合物在有机发光二极管中的应用
CN109585694A (zh) * 2018-11-21 2019-04-05 苏州大学 一种全无机卤化铅钙钛矿发光二极管及其制备方法和活性发光层

Also Published As

Publication number Publication date
CN110085765A (zh) 2019-08-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9252398B2 (en) Organic light emitting diode display device and method of fabricating the same
US11049917B2 (en) OLED display panel, a method for fabricating the same, and a display device
US7816161B2 (en) Dual panel type organic electroluminescent display device and method of fabricating the same
CN1722924B (zh) 电致发光显示器件
US8017950B2 (en) Organic electro-luminescence display device and method of manfacturing the same
US8536778B2 (en) Dual panel type organic electroluminescent display device and method of fabricating the same
KR102595445B1 (ko) 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법
US20150171153A1 (en) Organic light emitting display device
KR20110035049A (ko) 유기전계발광소자 및 이의 제조방법
US20210193954A1 (en) Display device and manufacturing method of same
KR101560233B1 (ko) 유기전계발광 표시장치 및 그 제조방법
US9490447B2 (en) Organic light emitting diode display device and method of fabricating the same
KR101874448B1 (ko) 유기전계발광 표시 장치
CN110085765B (zh) 显示面板及其制作方法
KR101808528B1 (ko) 박막 트랜지스터 기판 및 이의 제조 방법
WO2021184441A1 (zh) 显示面板及其制备方法
KR20070087905A (ko) 발광 장치
US20220109125A1 (en) Display panel and display device
CN108538905B (zh) Oled发光器件及oled显示装置
KR101493222B1 (ko) 발광 표시 패널의 제조 방법
US11856830B2 (en) Display device and method of manufacturing same
US20240023362A1 (en) Display panel and method of manufacturing same
KR20070069225A (ko) 유기 전계 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법
CN113948661A (zh) 显示基板和显示装置
KR20240083005A (ko) 표시장치

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant