CN106972115A - Oled显示面板的制作方法及oled显示面板 - Google Patents
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- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 41
- 239000002082 metal nanoparticle Substances 0.000 claims abstract description 88
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 79
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 45
- 238000007639 printing Methods 0.000 claims abstract description 39
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims abstract description 29
- 239000004034 viscosity adjusting agent Substances 0.000 claims abstract description 20
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims abstract description 16
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims abstract description 16
- 239000003607 modifier Substances 0.000 claims abstract description 16
- 238000012986 modification Methods 0.000 claims abstract description 14
- 230000004048 modification Effects 0.000 claims abstract description 14
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 27
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 25
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 21
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 19
- RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N imidazole Natural products C1=CNC=N1 RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 claims description 18
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 claims description 16
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 14
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 14
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 claims description 13
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 13
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical group [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 claims description 12
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 10
- -1 wherein Substances 0.000 claims description 10
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 7
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 235000013339 cereals Nutrition 0.000 claims description 6
- 239000006184 cosolvent Substances 0.000 claims description 6
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 claims description 6
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 6
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 claims description 6
- RXACYPFGPNTUNV-UHFFFAOYSA-N 9,9-dioctylfluorene Chemical compound C1=CC=C2C(CCCCCCCC)(CCCCCCCC)C3=CC=CC=C3C2=C1 RXACYPFGPNTUNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910000476 molybdenum oxide Inorganic materials 0.000 claims description 5
- PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N oxomolybdenum Chemical compound [Mo]=O PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 150000005208 1,4-dihydroxybenzenes Chemical class 0.000 claims description 4
- 235000007164 Oryza sativa Nutrition 0.000 claims description 4
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 4
- 235000009566 rice Nutrition 0.000 claims description 4
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 claims description 4
- 241000196324 Embryophyta Species 0.000 claims 1
- 240000007594 Oryza sativa Species 0.000 claims 1
- 230000003750 conditioning effect Effects 0.000 claims 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 abstract description 11
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 239000003446 ligand Substances 0.000 description 4
- 230000027756 respiratory electron transport chain Effects 0.000 description 4
- 241000209094 Oryza Species 0.000 description 3
- 150000003973 alkyl amines Chemical class 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- XKZQKPRCPNGNFR-UHFFFAOYSA-N 2-(3-hydroxyphenyl)phenol Chemical compound OC1=CC=CC(C=2C(=CC=CC=2)O)=C1 XKZQKPRCPNGNFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920001621 AMOLED Polymers 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical group [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 2
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 2
- WQPDQJCBHQPNCZ-UHFFFAOYSA-N cyclohexa-2,4-dien-1-one Chemical compound O=C1CC=CC=C1 WQPDQJCBHQPNCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N ethylene glycol Natural products OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 2
- WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N hydroxyacetaldehyde Natural products OCC=O WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 2
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003803 Gold(III) chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052792 caesium Inorganic materials 0.000 description 1
- TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N caesium atom Chemical compound [Cs] TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000004040 coloring Methods 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005034 decoration Methods 0.000 description 1
- 230000007850 degeneration Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000010494 dissociation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000005593 dissociations Effects 0.000 description 1
- 230000002500 effect on skin Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 150000002220 fluorenes Chemical class 0.000 description 1
- RJHLTVSLYWWTEF-UHFFFAOYSA-K gold trichloride Chemical compound Cl[Au](Cl)Cl RJHLTVSLYWWTEF-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MRNHPUHPBOKKQT-UHFFFAOYSA-N indium;tin;hydrate Chemical compound O.[In].[Sn] MRNHPUHPBOKKQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- JKQOBWVOAYFWKG-UHFFFAOYSA-N molybdenum trioxide Chemical compound O=[Mo](=O)=O JKQOBWVOAYFWKG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 238000005424 photoluminescence Methods 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 230000005476 size effect Effects 0.000 description 1
- 230000002269 spontaneous effect Effects 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 230000005641 tunneling Effects 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
- 238000010792 warming Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003313 weakening effect Effects 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
-
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
- H10K30/80—Constructional details
- H10K30/865—Intermediate layers comprising a mixture of materials of the adjoining active layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/17—Carrier injection layers
- H10K50/171—Electron injection layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/12—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
- H10K71/13—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating using printing techniques, e.g. ink-jet printing or screen printing
- H10K71/135—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating using printing techniques, e.g. ink-jet printing or screen printing using ink-jet printing
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/60—Forming conductive regions or layers, e.g. electrodes
- H10K71/611—Forming conductive regions or layers, e.g. electrodes using printing deposition, e.g. ink jet printing
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/321—Inverted OLED, i.e. having cathode between substrate and anode
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/331—Nanoparticles used in non-emissive layers, e.g. in packaging layer
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/82—Cathodes
- H10K50/828—Transparent cathodes, e.g. comprising thin metal layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/805—Electrodes
- H10K59/8052—Cathodes
- H10K59/80524—Transparent cathodes, e.g. comprising thin metal layers
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Abstract
本发明提供一种OLED显示面板的制作方法及OLED显示面板。本发明的OLED显示面板的制作方法,采用倒置型结构的OLED器件,并采用喷墨打印技术由界面修饰打印液在OLED器件的阴极与发光层之间制作界面修饰层,所述界面修饰打印液包括电子传输材料、表面经过修饰的金属纳米粒子、表面张力调节剂、及粘度调节剂,即该界面修饰层为包含电子传输材料与金属纳米粒子的材料层,其电子传输材料可以增强载流子从阴极的注入和传输,金属纳米粒子通过其表面等离子共振所产生的强大的局部电场,可以增强电子的注入效率,通过将该界面修饰层引入到OLED器件的阴极与发光层之间,可以有效提升OLED器件的综合性能,制作方法简单。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种OLED显示面板的制作方法及OLED显示面板。
背景技术
有机发光二极管显示装置(Organic Light Emitting Display,OLED)具有自发光、驱动电压低、发光效率高、响应时间短、清晰度与对比度高、近180°视角、使用温度范围宽,可实现柔性显示与大面积全色显示等诸多优点,被业界公认为是最有发展潜力的显示装置。
OLED器件通常包括:基板、设于基板上的阳极、设于阳极上的空穴注入层、设于空穴注入层上的空穴传输层、设于空穴传输层上的发光层、设于发光层上的电子传输层、设于电子传输层上的电子注入层、及设于电子注入层上的阴极。OLED器件的发光原理为半导体材料和有机发光材料在电场驱动下,通过载流子注入和复合导致发光。具体的,OLED器件通常采用ITO像素电极和金属电极分别作为器件的阳极和阴极,在一定电压驱动下,电子和空穴分别从阴极和阳极注入到电子传输层和空穴传输层,电子和空穴分别经过电子传输层和空穴传输层迁移到发光层,并在发光层中相遇,形成激子并使发光分子激发,后者经过辐射弛豫而发出可见光。
在有源矩阵(Active Matrix,AM)有机发光二极管显示装置中,控制OLED器件的薄膜晶体管(Thin film transistor,TFT)通常制作于阳极一侧,这就要求TFT必须是p型,而常规的非晶硅TFT和多晶硅TFT的n型迁移率明显大于其p型迁移率。若采用倒置型OLED器件结构便能够使性能优越的n型薄膜晶体管应用于AMOLED显示装置的像素电路中,增加了AMOLED显示装置驱动电路设计的选择。
喷墨打印(Ink-jet Printing,IJP)技术具有材料利用率高等优点,是解决大尺寸OLED显示器成本问题的关键技术,IJP技术在OLED器件发光层的制备中,相比于传统的真空蒸镀工艺,具有节省材料、制程条件温和、成膜更均匀等诸多优点,所以更具应用潜力。此方法是利用多个喷嘴将功能材料墨水滴入预定的像素区域,待溶剂挥发后形成所需图案。
金属纳米粒子以其特殊的体积效应、量子尺寸效应、表面效应和宏观量子隧道效应提供了诸多优异的光学和电学性能。
发明内容
本发明的目的在于提供一种OLED显示面板的制作方法,OLED器件采用倒置型结构,且阴极与发光层之间设有包含电子传输材料和金属纳米粒子的界面修饰层,可以有效提升OLED器件的综合性能,且制作方法简单。
本发明的目的还在于提供一种OLED显示面板,OLED器件采用倒置型结构,且阴极与发光层之间设有包含电子传输材料和金属纳米粒子的界面修饰层,可以有效提升OLED器件的综合性能,且制作方法简单。
为实现上述目的,本发明提供了一种OLED显示面板的制作方法,所述OLED显示面板包括衬底基板、及设于所述衬底基板上的数个OLED器件,所述OLED器件为倒置型OLED器件,包括由下至上依次设置的阴极、发光层、及阳极,所述阴极与发光层之间设有界面修饰层;
所述界面修饰层的制作方法为:
提供界面修饰打印液,所述界面修饰打印液包括电子传输材料、金属纳米粒子、表面张力调节剂、及粘度调节剂,其中,所述金属纳米粒子为表面经过修饰的金属纳米粒子,以抑制金属纳米粒子之间的团聚,并增强金属纳米粒子的溶解度,采用喷墨打印的方式将所述界面修饰打印液涂布在阴极上,形成包含电子传输材料与金属纳米粒子的界面修饰层。
所述金属纳米粒子为金纳米粒子、银纳米粒子、或铜纳米粒子;
所述界面修饰打印液中,所述金属纳米粒子为有机胺修饰的金属纳米粒子;
所述电子传输材料为氧化锌、或氧化钛。
所述表面张力调节剂为共溶剂、表面活性剂、咪唑及其衍生物、苯酚、对苯二酚中的一种或几种的组合;
所述粘度调节剂为醇、醚、酯、酚、胺中的一种或几种的组合。
所述OLED器件中,所述阳极与发光层之间设有空穴注入层、及空穴传输层中的至少一种;
所述阳极的材料包括金、及银中的至少一种。
本发明一优选实施例中,所述的OLED显示面板的制作方法,具体包括如下步骤:
步骤S1、提供一衬底基板,在所述衬底基板上形成像素定义层,所述像素定义层上设有间隔设置的数个通孔;在所述数个通孔中分别形成数个阴极;
步骤S2、提供界面修饰打印液,在所述数个阴极上采用喷墨打印的方式涂布所述界面修饰打印液,分别得到数个界面修饰层;
步骤S3、在所述数个界面修饰层上分别形成数个发光层;在所述数个发光层上分别形成数个空穴传输层;在所述数个空穴传输层上分别形成数个阳极;从而在所述像素定义层上的数个通孔内分别形成数个OLED器件。
所述步骤S1中,采用磁控溅射的方法形成所述阴极,所述阴极的材料为透明导电金属氧化物;
所述步骤S2中,所述界面修饰打印液中的电子传输材料为氧化锌,所述金属纳米粒子为金纳米粒子;
所述步骤S3中,采用喷墨打印的方法形成所述发光层;所述发光层的材料包括聚(9,9-二辛基芴-2,7-二基);
所述步骤S3中,采用真空蒸镀的方法形成所述空穴传输层与阳极;所述空穴传输层的材料为氧化钼;所述阳极的材料为银。
本发明还提供一种OLED显示面板,包括衬底基板、及设于所述衬底基板上的数个OLED器件,所述OLED器件为倒置型OLED器件,包括由下至上依次设置的阴极、发光层、及阳极,所述阴极与发光层之间设有界面修饰层;
所述界面修饰层由界面修饰打印液通过喷墨打印的方法制作形成,所述界面修饰打印液包括电子传输材料、金属纳米粒子、表面张力调节剂、及粘度调节剂,其中,所述金属纳米粒子为表面经过修饰的金属纳米粒子,以抑制金属纳米粒子之间的团聚,并增强金属纳米粒子的溶解度,即所述界面修饰层包含电子传输材料与金属纳米粒子。
所述金属纳米粒子为金纳米粒子、银纳米粒子、或铜纳米粒子;
所述界面修饰打印液中,所述金属纳米粒子为有机胺修饰的金属纳米粒子;
所述电子传输材料为氧化锌、或氧化钛;
所述表面张力调节剂为共溶剂、表面活性剂、咪唑及其衍生物、苯酚、对苯二酚中的一种或几种的组合;
所述粘度调节剂为醇、醚、酯、酚、胺中的一种或几种的组合;
所述阳极的材料包括金、及银中的至少一种。
所述的OLED显示面板,还包括设于所述衬底基板上的像素定义层,所述像素定义层上设有间隔设置的数个通孔,所述数个OLED器件分别设于所述数个通孔内。
所述OLED器件具体包括由下至上依次设置的阴极、界面修饰层、发光层、空穴传输层、及阳极。
所述阴极的材料为透明导电金属氧化物;所述界面修饰层中,电子传输材料为氧化锌,金属纳米粒子为金纳米粒子;所述发光层的材料包括聚(9,9-二辛基芴-2,7-二基);所述空穴传输层的材料为氧化钼;所述阳极的材料为银。
本发明的有益效果:本发明提供的一种OLED显示面板的制作方法,采用倒置型结构的OLED器件,并采用喷墨打印技术由界面修饰打印液在OLED器件的阴极与发光层之间制作界面修饰层,所述界面修饰打印液包括电子传输材料、金属纳米粒子、表面张力调节剂、及粘度调节剂,其中,所述金属纳米粒子为表面经过修饰的金属纳米粒子,可以抑制金属纳米粒子之间的团聚,并增强金属纳米粒子的溶解度,即该界面修饰层为包含电子传输材料与金属纳米粒子的材料层,其电子传输材料可以增强载流子从阴极的注入和传输,金属纳米粒子通过其表面等离子共振所产生的强大的局部电场,可以增强电子的注入效率,通过将该界面修饰层引入到OLED器件的阴极与发光层之间,可以有效提升OLED器件的综合性能,制作方法简单。本发明的OLED显示面板,OLED器件为倒置型OLED器件,且阴极与发光层之间还设有界面修饰层,所述界面修饰层由界面修饰打印液通过喷墨打印的方法制作形成,所述界面修饰打印液包括电子传输材料、表面修饰的金属纳米粒子、表面张力调节剂、及粘度调节剂,通过将界面修饰层应用到OLED器件当中,可以有效提升OLED器件的综合性能,且制作方法简单。
为了能更进一步了解本发明的特征以及技术内容,请参阅以下有关本发明的详细说明与附图,然而附图仅提供参考与说明用,并非用来对本发明加以限制。
附图说明
下面结合附图,通过对本发明的具体实施方式详细描述,将使本发明的技术方案及其它有益效果显而易见。
附图中,
图1为本发明的OLED显示面板的制作方法的优选实施例的流程图;
图2为本发明的OLED显示面板的制作方法的优选实施例的步骤S1的示意图;
图3为本发明的OLED显示面板的制作方法的优选实施例的步骤S2的示意图;
图4为本发明的OLED显示面板的制作方法的优选实施例的步骤S3的示意图暨本发明的OLED显示面板的优选实施例的结构示意图。
具体实施方式
为更进一步阐述本发明所采取的技术手段及其效果,以下结合本发明的优选实施例及其附图进行详细描述。
本发明首先提供一种OLED显示面板的制作方法,所述OLED显示面板包括衬底基板10、及设于所述衬底基板10上的数个OLED器件30,所述OLED器件30为倒置型OLED器件,包括由下至上依次设置的阴极31、发光层32、及阳极33,所述阴极31与发光层32之间设有界面修饰层34;
所述界面修饰层34的制作方法为:
提供界面修饰打印液,所述界面修饰打印液包括电子传输材料、金属纳米粒子、表面张力调节剂、及粘度调节剂,其中,所述金属纳米粒子为表面经过修饰的金属纳米粒子,以抑制金属纳米粒子之间的团聚,并增强金属纳米粒子的溶解度,然后采用喷墨打印的方式将所述界面修饰打印液涂布在阴极31上,从而形成包含电子传输材料与金属纳米粒子的界面修饰层34。
具体地,界面修饰层34中的电子传输材料,主要用来增强载流子从阴极31的注入和传输,其可以采用氧化锌(ZnO)、或氧化钛(TiOx)。
具体地,本发明将包含金属纳米粒子的界面修饰层34设置在阴极31与发光层32之间,主要在于利用金属纳米粒子表面等离子共振所产生的强大的局部电场,可以增强电子的注入效率,从而改善OLED器件30的性能,所述金属纳米粒优选为金、银、铜等高导电性惰性金属的纳米粒子。
具体地,所述界面修饰打印液中,所述金属纳米粒子的表面具有有机胺配体,即所述金属纳米粒子为有机胺修饰的金属纳米粒子,一方面长链的有机胺配体可以有效地抑制金属纳米粒子之间的团聚,从而减少金属纳米粒子上的载流子陷阱,同时减弱激子在金属纳米粒子上的解离;另一方面,有机胺配体的引入,能够增强金属纳米粒子在常见有机溶剂中的溶解度,使得制备的金属纳米粒子能够更好的应用于溶液加工制程当中。优选地,所述有机胺为长链烷基胺,其碳链长度大于等于16。
具体地,所述表面张力调节剂为共溶剂、表面活性剂、咪唑及其衍生物、苯酚、对苯二酚中的一种或几种的组合;
所述粘度调节剂为醇、醚、酯、酚、胺中的一种或几种的组合,例如,所述粘度调节剂为多羟基醇、或二醇醚。
具体地,所述OLED器件30中,所述阳极33与发光层32之间设有空穴注入层、及空穴传输层中的至少一种。
现有OLED器件一般采用低功函数的金属,如镁(Mg)、钙(Ca)、锂(Li)、铯(Cs)作为电极,然而这些金属的化学活泼性较高,容易使得器件性能退化,同时也增加了OLED器件量产时的工艺控制难度。而本发明采用倒置型结构的OLED器件30,并同时选择高功函数的金属,如金(Au)、银(Ag)等作为阳极33,则可有效提高OLED器件30电极的稳定性,从而有利于进一步提高器件的稳定性和寿命。
具体地,所述阳极33的材料为高功函数的金属,包括金、及银中的至少一种。
具体地,如图1所示,为本发明的OLED显示面板的制作方法的优选实施例,包括如下步骤:
步骤S1、如图2所示,提供一衬底基板10,在所述衬底基板10上形成像素定义层20,所述像素定义层20上设有间隔设置的数个通孔21;在所述数个通孔21中分别形成数个阴极31。
具体地,所述衬底基板10为带有TFT阵列的基板,且TFT阵列中的TFT为n型TFT。
所述步骤S1中,采用磁控溅射的方法形成所述阴极31,所述阴极31的材料为透明导电金属氧化物,优选为氧化铟锡(Indium Tin Oxide,ITO)。
具体地,所述阴极31的厚度为20nm-200nm。
步骤S2、如图3所示,提供界面修饰打印液,在所述数个阴极31上采用喷墨打印的方式涂布所述界面修饰打印液,分别得到数个界面修饰层34。
具体地,所述界面修饰层34的厚度为1nm-200nm。
具体地,所述步骤S2中界面修饰层34中的电子传输材料为氧化锌,金属纳米粒子为金纳米粒子。所述界面修饰打印液的具体制备过程为:
1、有机胺修饰的金纳米粒子及其溶液的制备:
1.1、将氯化金(AuCl3)溶解在烷基胺的溶剂中。
1.2、对体系先抽真空然后通氮气,反复操作三次,除掉体系中的水和氧气。
1.3、升温至体系回流,加热搅拌至反应完全,冷却至室温,即得到有机胺修饰的金纳米粒子及其溶液。
2、制备ZnO纳米粒子溶液,将ZnO纳米粒子溶液与上述制得的金纳米粒子溶液混合,在该混合液中加入表面张力调节剂、及粘度调节剂,调节其物理性质使其适用于喷墨打印,得到界面修饰打印液。
步骤S3、如图4所示,在所述数个界面修饰层34上分别形成数个发光层32;在所述数个发光层32上分别形成数个空穴传输层35;在所述数个空穴传输层35上分别形成数个阳极33;从而在所述像素定义层20上的数个通孔21内分别形成数个OLED器件30。
具体地,所述步骤S3中,采用喷墨打印的方法形成所述发光层32;所述发光层32的材料包括聚(9,9-二辛基芴-2,7-二基)(Poly(9,9-d i-noctylfluorenyl-2,7-diyl),PFO);所述聚(9,9-二辛基芴-2,7-二基)为蓝色发光材料。
具体地,所述发光层32的厚度为1nm-100nm。
具体地,所述步骤S3中,采用真空蒸镀的方法形成所述空穴传输层35与阳极33;所述空穴传输层35的材料为氧化钼(MoO3);所述阳极33的材料为银。
具体地,所述空穴传输层35的厚度为0.5nm-50nm,所述阳极33的厚度为10nm-2000nm。
本发明的OLED显示面板的制作方法,OLED器件采用倒置型结构,并采用喷墨打印技术由界面修饰打印液在阴极31与发光层32之间制作界面修饰层34,所述界面修饰打印液包括电子传输材料、金属纳米粒子、表面张力调节剂、及粘度调节剂,其中,所述金属纳米粒子为表面经过修饰的金属纳米粒子,可以抑制金属纳米粒子之间的团聚,并增强金属纳米粒子的溶解度,即该界面修饰层34为包含电子传输材料与金属纳米粒子的材料层,其电子传输材料可以增强载流子从阴极31的注入和传输,金属纳米粒子通过其表面等离子共振所产生的强大的局部电场,可以增强电子的注入效率,通过将界面修饰层34引入到OLED器件30的阴极31与发光层32之间,可以有效提升OLED器件的综合性能,制作方法简单。
基于上述的OLED显示面板的制作方法,本发明还提供一种OLED显示面板,采用如上所述的OLED显示面板的制作方法制得,包括衬底基板10及设于所述衬底基板10上的数个OLED器件30,所述OLED器件30为倒置型OLED器件,包括由下至上依次设置的阴极31、发光层32、及阳极33,所述阴极31与发光层32之间设有界面修饰层34;
所述界面修饰层34由界面修饰打印液通过喷墨打印的方法制作形成,所述界面修饰打印液包括电子传输材料、表面修饰的金属纳米粒子、表面张力调节剂、及粘度调节剂。
具体地,界面修饰层34中的电子传输材料为氧化锌、或氧化钛。
具体地,所述金属纳米粒子中的金属为金、银、或铜,即所述金属纳米粒子为金纳米粒子、银纳米粒子、或铜纳米粒子。
具体地,所述界面修饰打印液中,所述金属纳米粒子的表面具有有机胺配体,即所述金属纳米粒子为有机胺修饰的金属纳米粒子,以抑制金属纳米粒子之间的团聚,并增强金属纳米粒子的溶解度;优选地,所述有机胺为长链烷基胺,其碳链长度大于等于16。
具体地,所述表面张力调节剂为共溶剂、表面活性剂、咪唑及其衍生物、苯酚、对苯二酚中的一种或几种的组合;
所述粘度调节剂为醇、醚、酯、酚、胺中的一种或几种的组合,例如,所述粘度调节剂为多羟基醇、或二醇醚。
具体地,所述OLED器件30中,所述阳极33与发光层32之间设有空穴注入层、及空穴传输层中的至少一种。
具体地,所述阳极33的材料为高功函数的金属,包括金、及银中的至少一种,可有效提高OLED器件30电极的稳定性,从而有利于进一步提高器件的稳定性和寿命。
具体地,如图4所示,为本发明的OLED显示面板的优选实施例,包括衬底基板10、设于所述衬底基板10上的数个OLED器件30、及设于所述衬底基板10上的像素定义层20,所述像素定义层20上设有间隔设置的数个通孔21,所述数个OLED器件30分别设于所述数个通孔21内;所述OLED器件30具体包括由下至上依次设置的阴极31、界面修饰层34、发光层32、空穴传输层35、及阳极33。
具体地,所述阴极31的材料为透明导电金属氧化物;所述界面修饰层34中,电子传输材料为氧化锌,金属纳米粒子为金纳米粒子;所述发光层32的材料包括聚(9,9-二辛基芴-2,7-二基);所述空穴传输层35的材料为氧化钼;所述阳极33的材料为银。
本发明的OLED显示面板,OLED器件30采用倒置型结构,OLED器件30的阴极31与发光层32之间设有界面修饰层34,所述界面修饰层34由界面修饰打印液通过喷墨打印的方法制作形成,所述界面修饰打印液包括电子传输材料、表面修饰的金属纳米粒子、表面张力调节剂、及粘度调节剂,通过将界面修饰层34应用到OLED器件30当中,可以有效提升OLED器件30的综合性能,且制作方法简单。
综上所述,本发明的OLED显示面板的制作方法,OLED器件采用倒置型结构,并采用喷墨打印技术由界面修饰打印液在阴极与发光层之间制作界面修饰层,所述界面修饰打印液包括电子传输材料、金属纳米粒子、表面张力调节剂、及粘度调节剂,其中,所述金属纳米粒子为表面经过修饰的金属纳米粒子,可以抑制金属纳米粒子之间的团聚,并增强金属纳米粒子的溶解度,即该界面修饰层为包含电子传输材料与金属纳米粒子的材料层,其电子传输材料可以增强载流子从阴极的注入和传输,金属纳米粒子通过其表面等离子共振所产生的强大的局部电场,可以增强电子的注入效率,通过将该界面修饰层引入到OLED器件的阴极与发光层之间,可以有效提升OLED器件的综合性能,制作方法简单。本发明的OLED显示面板,OLED器件为倒置型OLED器件,且阴极与发光层之间还设有界面修饰层,所述界面修饰层由界面修饰打印液通过喷墨打印的方法制作形成,所述界面修饰打印液包括电子传输材料、表面修饰的金属纳米粒子、表面张力调节剂、及粘度调节剂,通过将界面修饰层应用到OLED器件当中,可以有效提升OLED器件的综合性能,且制作方法简单。
以上所述,对于本领域的普通技术人员来说,可以根据本发明的技术方案和技术构思作出其他各种相应的改变和变形,而所有这些改变和变形都应属于本发明权利要求的保护范围。
Claims (10)
1.一种OLED显示面板的制作方法,其特征在于,所述OLED显示面板包括衬底基板(10)、及设于所述衬底基板(10)上的数个OLED器件(30),所述OLED器件(30)为倒置型OLED器件,包括由下至上依次设置的阴极(31)、发光层(32)、及阳极(33),所述阴极(31)与发光层(32)之间设有界面修饰层(34);
所述界面修饰层(34)的制作方法为:
提供界面修饰打印液,所述界面修饰打印液包括电子传输材料、金属纳米粒子、表面张力调节剂、及粘度调节剂,其中,所述金属纳米粒子为表面经过修饰的金属纳米粒子,以抑制金属纳米粒子之间的团聚,并增强金属纳米粒子的溶解度,采用喷墨打印的方式将所述界面修饰打印液涂布在阴极(31)上,形成包含电子传输材料与金属纳米粒子的界面修饰层(34)。
2.如权利要求1所述的OLED显示面板的制作方法,其特征在于,所述金属纳米粒子为金纳米粒子、银纳米粒子、或铜纳米粒子;
所述界面修饰打印液中,所述金属纳米粒子为有机胺修饰的金属纳米粒子;
所述电子传输材料为氧化锌、或氧化钛。
3.如权利要求1所述的OLED显示面板的制作方法,其特征在于,所述表面张力调节剂为共溶剂、表面活性剂、咪唑及其衍生物、苯酚、对苯二酚中的一种或几种的组合;
所述粘度调节剂为醇、醚、酯、酚、胺中的一种或几种的组合。
4.如权利要求1所述的OLED显示面板的制作方法,其特征在于,所述OLED器件(30)中,所述阳极(33)与发光层(32)之间设有空穴注入层、及空穴传输层中的至少一种;
所述阳极(33)的材料包括金、及银中的至少一种。
5.如权利要求1所述的OLED显示面板的制作方法,其特征在于,具体包括如下步骤:
步骤S1、提供一衬底基板(10),在所述衬底基板(10)上形成像素定义层(20),所述像素定义层(20)上设有间隔设置的数个通孔(21);在所述数个通孔(21)中分别形成数个阴极(31);
步骤S2、提供界面修饰打印液,在所述数个阴极(31)上采用喷墨打印的方式涂布所述界面修饰打印液,分别得到数个界面修饰层(34);
步骤S3、在所述数个界面修饰层(34)上分别形成数个发光层(32);在所述数个发光层(32)上分别形成数个空穴传输层(35);在所述数个空穴传输层(35)上分别形成数个阳极(33);从而在所述像素定义层(20)上的数个通孔(21)内分别形成数个OLED器件(30)。
6.如权利要求5所述的OLED显示面板的制作方法,其特征在于,所述步骤S1中,采用磁控溅射的方法形成所述阴极(31),所述阴极(31)的材料为透明导电金属氧化物;
所述步骤S2中,所述界面修饰打印液中的电子传输材料为氧化锌,所述金属纳米粒子为金纳米粒子;
所述步骤S3中,采用喷墨打印的方法形成所述发光层(32);所述发光层(32)的材料包括聚(9,9-二辛基芴-2,7-二基);
所述步骤S3中,采用真空蒸镀的方法形成所述空穴传输层(35)与阳极(33);所述空穴传输层(35)的材料为氧化钼;所述阳极(33)的材料为银。
7.一种OLED显示面板,其特征在于,包括衬底基板(10)、及设于所述衬底基板(10)上的数个OLED器件(30),所述OLED器件(30)为倒置型OLED器件,包括由下至上依次设置的阴极(31)、发光层(32)、及阳极(33),所述阴极(31)与发光层(32)之间设有界面修饰层(34);
所述界面修饰层(34)由界面修饰打印液通过喷墨打印的方法制作形成,所述界面修饰打印液包括电子传输材料、金属纳米粒子、表面张力调节剂、及粘度调节剂,其中,所述金属纳米粒子为表面经过修饰的金属纳米粒子,以抑制金属纳米粒子之间的团聚,并增强金属纳米粒子的溶解度,即所述界面修饰层(34)包含电子传输材料与金属纳米粒子。
8.如权利要求7所述的OLED显示面板,其特征在于,所述金属纳米粒子为金纳米粒子、银纳米粒子、或铜纳米粒子;
所述界面修饰打印液中,所述金属纳米粒子为有机胺修饰的金属纳米粒子;
所述电子传输材料为氧化锌、或氧化钛;
所述表面张力调节剂为共溶剂、表面活性剂、咪唑及其衍生物、苯酚、对苯二酚中的一种或几种的组合;
所述粘度调节剂为醇、醚、酯、酚、胺中的一种或几种的组合;
所述阳极(33)的材料包括金、及银中的至少一种。
9.如权利要求7所述的OLED显示面板,其特征在于,还包括设于所述衬底基板(10)上的像素定义层(20),所述像素定义层(20)上设有间隔设置的数个通孔(21),所述数个OLED器件(30)分别设于所述数个通孔(21)内;
所述OLED器件(30)具体包括由下至上依次设置的阴极(31)、界面修饰层(34)、发光层(32)、空穴传输层(35)、及阳极(33)。
10.如权利要求9所述的OLED显示面板,其特征在于,所述阴极(31)的材料为透明导电金属氧化物;所述界面修饰层(34)中,电子传输材料为氧化锌,金属纳米粒子为金纳米粒子;所述发光层(32)的材料包括聚(9,9-二辛基芴-2,7-二基);所述空穴传输层(35)的材料为氧化钼;所述阳极(33)的材料为银。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201710393573.9A CN106972115B (zh) | 2017-05-27 | 2017-05-27 | Oled显示面板的制作方法及oled显示面板 |
US15/557,130 US10355248B2 (en) | 2017-05-27 | 2017-07-13 | Manufacturing method of organic light emitting diode display panel and organic light emitting diode display panel |
PCT/CN2017/092681 WO2018218741A1 (zh) | 2017-05-27 | 2017-07-13 | Oled显示面板的制作方法及oled显示面板 |
US16/427,297 US10505158B2 (en) | 2017-05-27 | 2019-05-30 | Manufacturing method of organic light emitting diode display panel and organic light emitting diode display panel |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201710393573.9A CN106972115B (zh) | 2017-05-27 | 2017-05-27 | Oled显示面板的制作方法及oled显示面板 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN106972115A true CN106972115A (zh) | 2017-07-21 |
CN106972115B CN106972115B (zh) | 2019-03-12 |
Family
ID=59326623
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201710393573.9A Active CN106972115B (zh) | 2017-05-27 | 2017-05-27 | Oled显示面板的制作方法及oled显示面板 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US10355248B2 (zh) |
CN (1) | CN106972115B (zh) |
WO (1) | WO2018218741A1 (zh) |
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US20180342705A1 (en) | 2018-11-29 |
US10505158B2 (en) | 2019-12-10 |
CN106972115B (zh) | 2019-03-12 |
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PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant | ||
CP01 | Change in the name or title of a patent holder | ||
CP01 | Change in the name or title of a patent holder |
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