CN106601922A - 一种量子点显示面板及其制作方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开一种量子点显示面板及其制作方法，所述量子点显示面板从下而上依次包括基板、位于基板像素电极图案区的像素电极、像素电极周边区域的像素bank层、像素电极上残留的像素bank层、电子传输层、量子点发光层、空穴传输层、空穴注入层及阳极层。本发明通过以像素bank制作时残留在像素电极上的bank薄膜为电子阻挡层制作倒置结构的QLED，由于bank薄膜的绝缘特性，其会降低像素电极到QLED器件中的电荷注入，从而平衡QLED中的电子、空穴注入平衡，提高器件性能，同时还能避免去除残留bank薄膜的工艺以及该工艺导致的易于混色的问题，降低制作成本，提高良率。

Description

一种量子点显示面板及其制作方法
技术领域
本发明涉及显示器技术领域，尤其涉及一种量子点显示面板及其制作方法。
背景技术
半导体量子点具有光色纯度高、发光量子效率高、发光颜色可调、使用寿命长等优良特性。这些特点使得以量子点材料作为发光层的量子点发光二极管（QLED）在固态照明、平板显示等领域具有广泛的应用前景，受到了学术界以及产业界的广泛关注。
近年来，通过量子点材料合成工艺的改善以及器件结构的优化，QLED的性能有了大幅提升，但由于量子点材料的能级较深，使得其空穴注入困难电子注入容易，导致载流子注入不平衡，影响器件性能，因此需要提高空穴注入或抑制电子注入。
量子点应用于量子点显示面板，只能通过湿法制备，因此需要制作像素bank，在像素bank制作完成后，像素电极表面会残留一层很薄的bank薄膜，无法被显影掉，如图1所示，图1中1为基板，2为像素电极，3为像素电极周边区域的像素bank层，4为像素电极上残留的像素bank层，由于bank材料为绝缘材料，因此在后期沉积薄膜之前需要进行UV和plasma（等离子体）处理，去除这层薄膜防止对后期器件性能的影响。但UV和plasma处理会导致bank表面亲液性增强，后期沉积墨水时容易发生墨水溢出，造成混色。此外，增加一道UV或plasma处理工艺也会增加制作成本。量子点显示面板因此，现有技术还有待于改进和发展。
发明内容
鉴于上述现有技术的不足，本发明的目的在于提供一种量子点显示面板及其制作方法，旨在解决现有方法去除残留像素bank层会影响后期器件性能，且去除残留像素bank层的工艺会增加制作成本及易于混色的问题。
本发明的技术方案如下：
一种量子点显示面板，其中，所述量子点显示面板从下而上依次包括基板、位于基板像素电极图案区的像素电极、像素电极周边区域的像素bank层、像素电极上残留的像素bank层、电子传输层、量子点发光层、空穴传输层、空穴注入层及阳极层。
所述的量子点显示面板，其中，所述基板为玻璃基板或柔性基板。
所述的量子点显示面板，其中，所述像素电极为导电膜层，所述导电膜层为透明导电膜层或反光导电膜层。
所述的量子点显示面板，其中，所述像素电极周边区域的像素bank层的厚度为0.8-1.5μm。
所述的量子点显示面板，其中，所述像素电极上残留的像素bank层的厚度为1-5nm。
所述的量子点显示面板，其中，所述电子传输层的材料为ZnO、TiO2、SnO、ZrO2、Ta2O3、AlZnO、ZnSnO和InSnO中的一种或多种。
所述的量子点显示面板，其中，所述量子点发光层的材料为Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体及其核壳结构、Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体及其核壳结构或Ⅳ-Ⅵ族化合物半导体及其核壳结构。
所述的量子点显示面板，其中，所述空穴传输层的材料为NPB、TPD、Poly-TPD、TFB、PVK、CBP、TCTA、PFB中的一种或多种。
所述的量子点显示面板，其中，所述空穴注入层的材料为PEDOT:PSS、CuPc、F4-TCNQ、HATCN、氧化钼、氧化钒、氧化钨、氧化铬、MoS2、WS2、MoSe2、WSe2中的一种或多种；所述阳极层为反射电极或透明电极，所述反射电极的材料为Al或Ag，所述透明电极的材料为ITO、IZO、石墨烯或导电聚合物。
一种如上任一所述的量子点显示面板的制作方法，其中，包括：
步骤A、在基板的像素电极图案区制作像素电极；
步骤B、在像素电极周边区域制作像素bank层；
步骤C、在像素电极残留的像素bank层上依次制作电子传输层、量子点发光层、空穴传输层、空穴注入层和阳极层，完成量子点显示面板的制作。
有益效果：本发明直接在像素电极残留的像素bank层上制作倒置结构的量子点发光器件，此层残留的像素bank层可以作为电子阻挡层，降低像素电极（阴极）到QLED器件中的电子注入，从而平衡QLED器件中的载流子注入平衡，提高器件性能，同时还能避免去除残留像素bank层的工艺以及该工艺导致的易于混色的问题。
附图说明
图1为现有量子点显示面板的截面示意图。
图2为本发明一种量子点显示面板较佳实施例的截面示意图。
图3为本发明QLED器件较佳实施例的截面示意图。
图4为本发明一种量子点显示面板的制作方法较佳实施例的流程图。
具体实施方式
本发明提供一种量子点显示面板及其制作方法，为使本发明的目的、技术方案及效果更加清楚、明确，以下对本发明进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
请参阅图2，图2为本发明的一种量子点显示面板较佳实施例的结构示意图，如图所示，所述量子点显示面板从下而上依次包括基板5、位于基板像素电极图案区的像素电极6、像素电极周边区域的像素bank层7、像素电极6上残留的像素bank层8、电子传输层9、量子点发光层10、空穴传输层11、空穴注入层12及阳极层13。
本发明在现有bank制作工艺基础上（像素电极表面残留一层很薄的像素bank层<5nm），直接在像素电极残留的像素bank层上制作倒置结构的量子点发光器件，由于像素电极上残留的像素bank层的绝缘特性，且厚度较薄，一般为单分子层，厚度为1-5nm，因此具有一定的电荷阻挡效应，因此在倒置结构的QLED器件中，此层残留的像素bank层可以作为电子阻挡层，降低像素电极（阴极）到QLED器件中的电子注入，从而平衡QLED器件中的载流子注入平衡，提高器件性能，同时还能避免去除残留像素bank层的工艺以及该工艺导致的易于混色的问题。
具体地，本发明所述基板可以为玻璃基板或柔性基板，所述基板上具有像素电极图案，所述像素电极图案区用于制作像素电极，当量子点显示面板为PM面板（无源面板）时，其不具有驱动TFT阵列，当量子点显示面板为AM面板（有源面板）时，基板上具有驱动TFT阵列。
具体地，本发明所述像素电极为高导电膜层，当量子点显示面板为底发射型面板时，该导电膜层为透明导电膜层，其可选用ITO、IZO等导电金属氧化物或石墨烯、导电聚合物等高导电有机导电材料；当量子点显示面板为顶发射型面板时，该导电膜层为反光导电膜层，其可选用Al或Ag等高导电金属薄膜。
具体地，本发明所述像素电极周边区域的像素bank层为本领域常规像素bank结构，用于定义显示面板的像素发光区，具有小角度tape角（倾斜角），厚度为0.8-1.5μm。
本发明量子点发光二极管（QLED）是以像素电极为阴极的倒置结构的量子点发光二极管，具体以像素电极上残留的像素bank层作为电子阻挡层，以平衡整个QLED器件的载流子注入平衡，QLED器件结构如图3所示，依次包括：像素电极（阴极）14、残留的像素bank层（电子阻挡层）15、电子传输层16、量子点发光层17、空穴传输层18、空穴注入层19和阳极层20。本发明所述残留的像素bank层（电子阻挡层）15为无法显影掉的附着在像素电极14上的bank材料单分子层，厚度为1-5nm，其能够减小像素电极（阴极）到电子传输层的电子注入，由于现有QLED器件中电子易于注入，空穴注入困难，因此减小电子的注入有利于载流子注入平衡，从而提高器件性能。
具体地，本发明所述电子传输层的材料可以为ZnO、TiO2、SnO、ZrO2、Ta2O3、AlZnO、ZnSnO和InSnO中的一种或多种。优选地，所述电子传输层的材料为ZnO。
具体地，本发明所述量子点发光层的材料可以为但不限于II-V族化合物半导体及其核壳结构，例如，可以为CdS、CdSe、CdS/ZnS、CdSe/ZnS或CdSe/CdS/ZnS等；III-V族或IV-VI族化合物半导体及其核壳结构，例如，可以为GaAs、InP、PbS/ZnS或PbSe/ZnS等。
具体地，本发明所述空穴传输层可选自具有空穴传输能力的有机材料，可以为但不限于N,N’-二苯基-N,N’-（1-萘基）-1,1’-联苯-4,4’-二胺（NPB）、N,N’-二苯基-N,N’-二(3-甲基苯基)-1,1’-联苯-4,4’-二胺（TPD）、聚(N, N'双(4-丁基苯基)-N,N'-双(苯基)联苯胺)（poly-TPD）、聚(9,9-二辛基芴-CO-N-(4-丁基苯基)二苯胺)（TFB）、聚乙烯咔唑（PVK）、4,4'-二(9-咔唑)联苯（CBP）、4,4’,4’’-三(咔唑-9-基)三苯胺（TCTA）、聚(9,9-二辛基芴-共-双-N,N-苯基-1,4-苯二胺)（PFB）或它们的混合物。
具体地，所述空穴注入层的材料为PEDOT:PSS、CuPc、F4-TCNQ、HATCN、氧化钼、氧化钒、氧化钨、氧化铬、MoS2、WS2、MoSe2、WSe2中的一种或多种。
具体地，所述阳极层根据量子点显示面板的出光类型可以为反射电极（底发射型）或透明电极（顶发射型），所述反射电极的材料为Al或Ag等高导电金属薄膜，所述透明电极的材料为ITO、IZO等导电金属氧化物或石墨烯、导电聚合物等高导有机导电材料。
基于上述量子点显示面板，本发明还提供一种如上任一所述的量子点显示面板的制备方法较佳实施例的流程图，如图4所示，包括：
步骤S100、在基板的像素电极图案区制作像素电极；
具体地，在制作像素电极之前，本发明先将该基板进行清洗、干燥。然后在基板的像素电极图案区制作像素电极。
步骤S200、在像素电极周边区域制作像素bank层；
步骤S300、在像素电极残留的像素bank层上依次制作电子传输层、量子点发光层、空穴传输层、空穴注入层和阳极层，完成量子点显示面板的制作。
本发明通过以像素bank制作时残留在像素电极上的bank薄膜为电子阻挡层制作倒置结构的QLED，由于bank薄膜的绝缘特性，其会降低像素电极到QLED器件中的电荷注入，从而平衡QLED中的电子、空穴注入平衡，提高器件性能，同时还能避免去除残留bank薄膜的工艺以及该工艺导致的易于混色的问题，降低制作成本，提高良率。
本发明在完成上述量子点显示面板的制作后，将量子点显示面板进行封装。封装的方法可以为手动封装或机器封装。
本发明上述各功能层的制备方法可以是化学法或物理法，其中物理法包括但不限于旋涂法、喷涂法、滚涂法、打印法、印刷法、喷墨法、浸渍提拉法、热蒸发镀膜法、电子束蒸发镀膜法、磁控溅射法、多弧离子镀膜法；化学法包括但不限于化学气相沉积法、连续离子层吸附与反应法、阳极氧化法、电解沉积法、共沉淀法。
综上所述，本发明提供的一种量子点显示面板及其制作方法，本发明通过以像素bank制作时残留在像素电极上的bank薄膜为电子阻挡层制作倒置结构的QLED，由于bank薄膜的绝缘特性，其会降低像素电极到QLED器件中的电荷注入，从而平衡QLED中的电子、空穴注入平衡，提高器件性能，同时还能避免去除残留bank薄膜的工艺以及该工艺导致的易于混色的问题，降低制作成本，提高良率。
应当理解的是，本发明的应用不限于上述的举例，对本领域普通技术人员来说，可以根据上述说明加以改进或变换，所有这些改进和变换都应属于本发明所附权利要求的保护范围。

Claims (10)

1.一种量子点显示面板，其特征在于，所述量子点显示面板从下而上依次包括基板、位于基板像素电极图案区的像素电极、像素电极周边区域的像素bank层、像素电极上残留的像素bank层、电子传输层、量子点发光层、空穴传输层、空穴注入层及阳极层。
2.根据权利要求1所述的量子点显示面板，其特征在于，所述基板为玻璃基板或柔性基板。
3.根据权利要求1所述的量子点显示面板，其特征在于，所述像素电极为导电膜层，所述导电膜层为透明导电膜层或反光导电膜层。
4.根据权利要求1所述的量子点显示面板，其特征在于，所述像素电极周边区域的像素bank层的厚度为0.8-1.5μm。
5.根据权利要求1所述的量子点显示面板，其特征在于，所述像素电极上残留的像素bank层的厚度为1-5nm。
6.根据权利要求1所述的量子点显示面板，其特征在于，所述电子传输层的材料为ZnO、TiO2、SnO、ZrO2、Ta2O3、AlZnO、ZnSnO和InSnO中的一种或多种。
7.根据权利要求1所述的量子点显示面板，其特征在于，所述量子点发光层的材料为Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体及其核壳结构、Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体及其核壳结构或Ⅳ-Ⅵ族化合物半导体及其核壳结构。
8.根据权利要求1所述的量子点显示面板，其特征在于，所述空穴传输层的材料为NPB、TPD、Poly-TPD、TFB、PVK、CBP、TCTA、PFB中的一种或多种。
9.根据权利要求1所述的量子点显示面板，其特征在于，所述空穴注入层的材料为PEDOT:PSS、CuPc、F4-TCNQ、HATCN、氧化钼、氧化钒、氧化钨、氧化铬、MoS2、WS2、MoSe2、WSe2中的一种或多种；所述阳极层为反射电极或透明电极，所述反射电极的材料为Al或Ag，所述透明电极的材料为ITO、IZO、石墨烯或导电聚合物。
10.一种如权利要求1~9任一所述的量子点显示面板的制作方法，其特征在于，包括：
步骤A、在基板的像素电极图案区制作像素电极；
步骤B、在像素电极周边区域制作像素bank层；
步骤C、在像素电极残留的像素bank层上依次制作电子传输层、量子点发光层、空穴传输层、空穴注入层和阳极层，完成量子点显示面板的制作。
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Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106972115A (zh) * 2017-05-27 2017-07-21 深圳市华星光电技术有限公司 Oled显示面板的制作方法及oled显示面板
CN108346749A (zh) * 2017-08-04 2018-07-31 广东聚华印刷显示技术有限公司 Qled器件及其制备方法
CN109545996A (zh) * 2018-11-28 2019-03-29 河南大学 一种量子点发光二极管及制备方法
CN109705663A (zh) * 2017-10-25 2019-05-03 Tcl集团股份有限公司 一种复合墨水及其制备方法、器件
CN109980113A (zh) * 2019-04-04 2019-07-05 上海大学 一种有机发光二极管及其制备方法
CN110176545A (zh) * 2018-06-22 2019-08-27 友达光电股份有限公司 量子点显示面板
CN110224071A (zh) * 2018-03-02 2019-09-10 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 发光器件及其制备方法、显示装置
CN110224074A (zh) * 2018-12-29 2019-09-10 华南理工大学 一种量子点电致发光器件及其制备方法
CN111276523A (zh) * 2020-02-12 2020-06-12 东南大学 一种用于流媒体后视镜的量子点显示器及其制备方法
TWI710832B (zh) * 2018-06-22 2020-11-21 友達光電股份有限公司 量子點顯示面板
WO2021226818A1 (zh) * 2020-05-12 2021-11-18 京东方科技集团股份有限公司 量子点发光结构及其制作方法、阵列基板和显示装置
WO2022087903A1 (zh) * 2020-10-28 2022-05-05 京东方科技集团股份有限公司 发光基板及其制备方法和发光装置

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1937276A (zh) * 2005-09-21 2007-03-28 三星电子株式会社 显示装置及其制造方法
CN101593727A (zh) * 2008-05-27 2009-12-02 乐金显示有限公司 制造有机发光显示器的方法及有机发光显示器
CN103347857A (zh) * 2011-02-07 2013-10-09 出光兴产株式会社 双咔唑衍生物及使用其的有机电致发光元件
CN103904178A (zh) * 2014-04-11 2014-07-02 浙江大学 量子点发光器件

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1937276A (zh) * 2005-09-21 2007-03-28 三星电子株式会社 显示装置及其制造方法
CN101593727A (zh) * 2008-05-27 2009-12-02 乐金显示有限公司 制造有机发光显示器的方法及有机发光显示器
CN103347857A (zh) * 2011-02-07 2013-10-09 出光兴产株式会社 双咔唑衍生物及使用其的有机电致发光元件
CN103904178A (zh) * 2014-04-11 2014-07-02 浙江大学 量子点发光器件

Cited By (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10355248B2 (en) 2017-05-27 2019-07-16 Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. Manufacturing method of organic light emitting diode display panel and organic light emitting diode display panel
WO2018218741A1 (zh) * 2017-05-27 2018-12-06 深圳市华星光电技术有限公司 Oled显示面板的制作方法及oled显示面板
CN106972115B (zh) * 2017-05-27 2019-03-12 深圳市华星光电技术有限公司 Oled显示面板的制作方法及oled显示面板
CN106972115A (zh) * 2017-05-27 2017-07-21 深圳市华星光电技术有限公司 Oled显示面板的制作方法及oled显示面板
CN108346749A (zh) * 2017-08-04 2018-07-31 广东聚华印刷显示技术有限公司 Qled器件及其制备方法
CN109705663A (zh) * 2017-10-25 2019-05-03 Tcl集团股份有限公司 一种复合墨水及其制备方法、器件
US10971693B2 (en) 2018-03-02 2021-04-06 Kunshan New Flat Panel Display Technology Center Co., Ltd. Light emitting devices, methods for preparing the same, and display devices
CN110224071B (zh) * 2018-03-02 2020-12-11 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 发光器件及其制备方法、显示装置
CN110224071A (zh) * 2018-03-02 2019-09-10 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 发光器件及其制备方法、显示装置
CN110176545A (zh) * 2018-06-22 2019-08-27 友达光电股份有限公司 量子点显示面板
CN110176545B (zh) * 2018-06-22 2021-03-16 友达光电股份有限公司 量子点显示面板
TWI710832B (zh) * 2018-06-22 2020-11-21 友達光電股份有限公司 量子點顯示面板
CN109545996A (zh) * 2018-11-28 2019-03-29 河南大学 一种量子点发光二极管及制备方法
CN110224074A (zh) * 2018-12-29 2019-09-10 华南理工大学 一种量子点电致发光器件及其制备方法
CN109980113A (zh) * 2019-04-04 2019-07-05 上海大学 一种有机发光二极管及其制备方法
CN111276523A (zh) * 2020-02-12 2020-06-12 东南大学 一种用于流媒体后视镜的量子点显示器及其制备方法
CN111276523B (zh) * 2020-02-12 2022-08-26 东南大学 一种用于流媒体后视镜的量子点显示器及其制备方法
WO2021226818A1 (zh) * 2020-05-12 2021-11-18 京东方科技集团股份有限公司 量子点发光结构及其制作方法、阵列基板和显示装置
CN114026703A (zh) * 2020-05-12 2022-02-08 京东方科技集团股份有限公司 量子点发光结构及其制作方法、阵列基板和显示装置
CN114026703B (zh) * 2020-05-12 2023-06-16 京东方科技集团股份有限公司 量子点发光结构及其制作方法、阵列基板和显示装置
WO2022087903A1 (zh) * 2020-10-28 2022-05-05 京东方科技集团股份有限公司 发光基板及其制备方法和发光装置

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