CN114026703B - 量子点发光结构及其制作方法、阵列基板和显示装置 - Google Patents

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Abstract

一种量子点发光结构(100)及制作方法、阵列基板(200)和显示装置(300)。量子点发光结构(100)包括量子点发光层(110)、电极(140)和位于量子点发光层(110)和电极(140)之间的电子传输层(120)；量子点发光结构(100)还包括电子阻挡层(130)，位于电子传输层(120)之中。通过在电子传输层(120)中增加电子阻挡层(130)，可减少从电极(140)注入电子传输层(120)中的电子，进而可平衡量子点发光层(110)中的载流子浓度，提高量子点发光结构(100)的发光效率。

Description

量子点发光结构及其制作方法、阵列基板和显示装置
技术领域
本公开实施例涉及一种量子点发光结构及其制作方法、阵列基板和显示装置。
背景技术
随着显示技术的不断发展，显示装置的种类也越来越多。发光二极管(LightEmitting Diode，LED)显示装置由于其具有自发光、亮度高、工作电压低、功耗小、寿命长、耐冲击和性能稳定等优点受到业界广泛的关注。并且，由于发光二极管显示装置不需要额外设置背光模组，具有较轻的重量，从而利于显示装置的轻薄化，因此具有较好的市场前景。
量子点(Quantum Dot，QD)是一种新型的发光材料，具有光色纯度高、发光量子效率高、发光颜色可调、使用寿命长等优点，成为目前新型的LED发光材料的研究热点。因此，以量子点材料作为发光层的量子点发光二极管(Quantum Dot Light Emitting Diode，QLED)成为了目前新型显示器件研究的主要方向。
发明内容
本公开实施例提供一种量子点发光结构及其制作方法、阵列基板和显示装置。该量子点发光结构包括量子点发光层、电极和位于量子点发光层和电极之间的电子传输层；该量子点发光结构还包括电子阻挡层，位于电子传输层之中。由此，通过在电子传输层中增加电子阻挡层，从而可减少从电极注入电子传输层中的电子，进而可平衡量子点发光层中的载流子浓度，提高该量子点发光结构的发光效率。
本公开至少一个实施例提供一种量子点发光结构，其包括：量子点发光层；电极；以及电子传输层，位于所述量子点发光层和所述电极之间，所述量子点发光结构还包括电子阻挡层，所述电子阻挡层位于所述电子传输层中。
例如，在本公开一实施例提供的量子点发光结构中，所述电子传输层包括两个子电子传输层，所述电子阻挡层位于所述两个子电子传输层之间。
例如，在本公开一实施例提供的量子点发光结构中，所述电子传输层包括N+1个子电子传输层，所述电子阻挡层包括N个子电子阻挡层，所述N个子电子阻挡层分别夹设在所述N+1个子电子传输层之间，N为大于等于2的正整数。
例如，在本公开一实施例提供的量子点发光结构中，所述电子传输层包括氧化锌薄膜。
例如，在本公开一实施例提供的量子点发光结构中，各所述子电子传输层为氧化锌薄膜。
例如，在本公开一实施例提供的量子点发光结构中，所述电子阻挡层的导带底能级大于所述量子点发光层的导带底能级。
例如，在本公开一实施例提供的量子点发光结构中，所述电子阻挡层的材料包括氧化铝、氧化钽和氧化铪中的至少之一。
例如，在本公开一实施例提供的量子点发光结构中，所述量子点发光结构在7V的电压之下发光亮度大于500cd/m2。
例如，在本公开一实施例提供的量子点发光结构中，所述电子传输层靠近所述量子点发光层的均方根表面粗糙度的范围约为5-10纳米。
例如，在本公开一实施例提供的量子点发光结构中，所述电子阻挡层在垂直于所述衬底基板的方向上的厚度约为1-2纳米。
例如，在本公开一实施例提供的量子点发光结构中，所述电子传输层包括第一子电子传输层和第二子电子传输层，所述第二子电子传输层位于所述第一子电子传输层靠近所述量子点发光层的一侧，所述第二子电子传输层的导带底能级大于所述第一子电子传输层的导带底能级，且小于所述量子点发光层的导带底能级。
例如，在本公开一实施例提供的量子点发光结构中，所述电子阻挡层设置在所述第一子电子传输层和所述第二子电子传输层之间。
例如，在本公开一实施例提供的量子点发光结构中，所述电子阻挡层设置在所述第二子电子传输层之内。
例如，在本公开一实施例提供的量子点发光结构中，所述第一子电子传输层为溅射形成的氧化锌薄膜，所述第二子电子传输层为溅射形成的掺杂氧化锌薄膜。
例如，在本公开一实施例提供的量子点发光结构中，所述第二子电子传输层的掺杂材料可包括Mg、Al、Zr、Hf、Y中的至少之一。
例如，在本公开一实施例提供的量子点发光结构中，所述第二子电子传输层的掺杂材料为Mg，所述第二子电子传输层中Mg的摩尔百分比为1％-20％。
例如，在本公开一实施例提供的量子点发光结构中，所述第二子电子传输层的掺杂浓度从所述第二子电子传输层靠近所述第一子电子传输层的一侧到所述第二子电子传输层靠近所述量子点发光层的一侧逐渐增大。
例如，在本公开一实施例提供的量子点发光结构中，所述第二子电子传输层包括多个子掺杂电子传输层，所述多个子掺杂电子传输层的掺杂浓度从所述第一子电子传输层到所述量子点发光层的方向上逐渐增加。
本公开至少一个实施例还提供一种阵列基板，包括多个发光元件，至少一个所述发光元件采用上述任一项的量子点发光结构。
例如，在本公开一实施例提供的阵列基板中，所述电子传输层包括第一子电子传输层和第二子电子传输层，所述第二子电子传输层位于所述第一子电子传输层靠近所述量子点发光层的一侧，所述第二子电子传输层的导带底能级大于所述第一子电子传输层的导带底能级，且小于所述量子点发光层的导带底能级，所述第一子电子传输层为氧化锌薄膜，所述第二子电子传输层为掺杂氧化锌薄膜，所述多个发光元件包括不同颜色的所述发光元件，不同颜色的所述发光元件中所述第二子电子传输层的掺杂浓度不同。
例如，在本公开一实施例提供的阵列基板中，所述掺杂氧化锌薄膜的掺杂剂为Mg，所述多个发光元件包括红色发光元件、绿色发光元件和蓝色发光元件，所述红色发光元件中的所述第二子电子传输层中Mg的掺杂浓度为1-5％，所述红色发光元件中的所述第二子电子传输层中Mg的掺杂浓度为5-10％，所述蓝色发光元件中的所述第二子电子传输层中Mg的掺杂浓度为10-20％。
例如，本公开一实施例提供的阵列基板还包括：像素限定层，围绕各所述电子传输层设置，所述像素限定层包裹各所述电子传输层的边缘部分，并具有暴露各所述电子传输层的中间部分的开口。
本公开至少一个实施例还提供一种显示装置，包括上述任一项所述阵列基板。
本公开至少一个实施例还提供一种量子点发光结构的制作方法，其包括：形成第一电极；在所述第一电极上形成电子传输层；以及在所述电子传输层远离所述第一电极的一侧形成量子点发光层，该制作方法还包括在所述电子传输层中形成电子阻挡层。例如，在本公开一实施例提供的量子点发光结构的制作方法中，在所述第一电极上形成所述电子传输层包括：采用溅射工艺在所述第一电极上形成所述电子传输层。
例如，在本公开一实施例提供的量子点发光结构的制作方法中，所述电子传输层包括两个子电子传输层，在所述电子传输层中形成电子阻挡层包括：在所述两个子电子传输层之间形成所述电子阻挡层。
例如，在本公开一实施例提供的量子点发光结构的制作方法中，所述电子传输层包括N+1个子电子传输层，在所述电子传输层中形成电子阻挡层包括：在所述N+1个子电子传输层之间形成N个子电子阻挡层，N为大于等于2的正整数。
例如，在本公开一实施例提供的量子点发光结构的制作方法中，在所述电极上形成所述电子传输层包括：采用溅射工艺形成第一子电子传输层和第二子电子传输层，所述第二子电子传输层位于所述第一子电子传输层靠近所述量子点发光层的一侧，所述第二子电子传输层的导带底能级大于所述第一子电子传输层的导带底能级，且小于所述量子点发光层的导带底能级。
例如，在本公开一实施例提供的量子点发光结构的制作方法中，在所述电子传输层中形成所述电子阻挡层包括：采用溅射工艺在所述电子传输层中形成所述电子阻挡层。例如，在本公开一实施例提供的量子点发光结构的制作方法中，在所述电子传输层远离所述电极的一侧形成所述量子点发光层包括：采用喷墨打印工艺在所述电子传输层远离所述电极的一侧形成所述量子点发光层。
例如，在本公开一实施例提供的量子点发光结构的制作方法中，在所述第一电极上形成所述电子传输层和所述电子阻挡层之后，在所述电子传输层远离所述电极的一侧形成量子点发光层之前，所述制作方法还包括：在所述电子传输层远离所述第一电极的一侧形成像素限定层，所述像素限定层包括暴露所述电子传输层的开口，在所述电子传输层远离所述电极的一侧形成所述量子点发光层包括：采用喷墨打印工艺在所述开口中形成所述量子点发光层。
例如，本公开一实施例提供的量子点发光结构的制作方法还包括：采用蒸镀工艺在所述开口中和在所述量子点发光层远离所述第一电极的一侧形成空穴传输层、空穴注入层和第二电极。
例如，本公开一实施例提供的量子点发光结构的制作方法还包括：可采用等离子刻蚀或者喷砂处理工艺对所述电子传输层靠近所述量子点发光层的表面进行粗糙化处理，处理后的所述电子传输层靠近所述量子点发光层的均方根表面粗糙度的范围约为5-10纳米。本公开至少一个实施例还提供一种量子点发光结构的制作方法，其包括：形成电极；采用溅射工艺在所述电极上形成电子传输层；以及在所述电子传输层远离所述电极的一侧形成量子点发光层，所述电子传输层包括溅射形成的掺杂氧化锌薄膜。
例如，在本公开一实施例提供的量子点发光结构的制作方法中，采用溅射工艺在所述电极上形成所述电子传输层包括：在氩气流量的取值范围约为30-50sccm，溅射功率约为90-110W的条件下，采用氧化锌靶材在所述电极上形成氧化锌薄膜。
例如，在本公开一实施例提供的量子点发光结构的制作方法中，采用溅射工艺在所述电极上形成所述电子传输层包括：采用溅射工艺形成第一子电子传输层和第二子电子传输层，所述第二子电子传输层位于所述第一子电子传输层靠近所述量子点发光层的一侧，所述第二子电子传输层的导带底能级大于所述第一子电子传输层的导带底能级，且小于所述量子点发光层的导带底能级。
例如，在本公开一实施例提供的量子点发光结构的制作方法中，所述第一子电子传输层包括氧化锌薄膜，所述第二子电子传输层包括掺杂氧化锌薄膜。
例如，在本公开一实施例提供的量子点发光结构的制作方法中，所述第二子电子传输层的掺杂浓度从所述第二子电子传输层靠近所述第一子电子传输层的一侧到所述第二子电子传输层靠近所述量子点发光层的一侧逐渐增大。
例如，在本公开一实施例提供的量子点发光结构的制作方法中，采用溅射工艺形成所述第二子电子传输层包括：在所述第一子电子传输层靠近所述量子点发光层的一侧采用不同的掺杂浓度形成多个子掺杂电子传输层，多个子掺杂电子传输层形成所述第二子电子传输层，所述多个子掺杂电子传输层的掺杂浓度从所述第一子电子传输层到所述量子点发光层的方向上逐渐增加。
附图说明
为了更清楚地说明本公开实施例的技术方案，下面将对实施例的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅涉及本公开的一些实施例，而非对本公开的限制。
图1为根据本公开一实施例的一种量子点发光结构的示意图；
图2为根据本公开一实施例的另一种量子点发光结构的示意图；
图3为根据本公开一实施例的另一种量子点发光结构的示意图；
图4为根据本公开一实施例的另一种量子点发光结构的示意图；
图5为本公开提供的不同的量子点发光结构的发光亮度随电流密度变化的曲线的对比图；
图6为本公开提供的不同的量子点发光结构的发光亮度随电压变化的曲线的对比图；
图7为本公开一实施例提供的另一种量子点发光结构的示意图；
图8为本公开一实施例提供的另一种量子点发光结构的示意图；
图9为本公开一实施例提供的另一种量子点发光结构的示意图；
图10为本公开一实施例提供的另一种量子点发光结构的示意图；
图11为本公开提供的不同量子点发光结构的电流效率随电压变化的曲线的对比图；
图12为本公开一实施例提供的另一种量子点发光结构的示意图；
图13为根据本公开一实施例的一种阵列基板的示意图；
图14为根据本公开一实施例的另一种阵列基板的示意图；以及
图15为根据本公开一实施例的一种显示装置的示意图。
具体实施方式
为使本公开实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本公开实施例的附图，对本公开实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本公开的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本公开的实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其它实施例，都属于本公开保护的范围。
除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。
目前，有源量子点发光二极管(AMQLED)因其在宽色域、高寿命等方面的潜在优势也得到了越来越广泛的关注。并且，随着对AMQLED的研究日益深入，AMQLED产品的量子效率不断提升，基本达到产业化的水平。由于量子点材料本身的特性，量子点发光二极管一般采用印刷技术或者打印的方法进行制作，可有效地提高材料的利用率，并可成为大面积制备的有效途径。
当量子点发光二极管采用倒置结构时，在采用喷墨打印工艺制备量子点发光二极管时，在沉积发光元件的各个功能膜层之前，会预先制备像素定义层。然而，发光元件的各个功能膜层的墨水都存在向上攀爬的问题，甚至攀爬至像素定义层的顶部平台区域，从而极大地影响了各个功能膜层的薄膜形貌及厚度均匀性，进而对器件性能和均匀性会造成了极大的影响，并影响量子点发光二极管的量产。尤其是在高分辨率的产品中，上述的问题更加显著。若量子点发光二极管采用正置结构，量子点发光层之前的空穴注入层和空穴传输层也都存在不均匀的问题，各个功能膜层不均匀程度逐层累加，会进一步影响量子点发光层以及最终形成的发光元件的均匀性。
在量子点发光二极管采用倒置结构时，虽然可通过溅射工艺形成电子传输层(例如，溅射形成氧化锌薄膜)，从而可解决量产过程中膜层厚度不均匀的问题。但是，在采用溅射工艺形成氧化锌(ZnO)电子传输层时，形成的薄膜型ZnO的迁移率较大，因此电子注入较多，导带底能级(或LUMO能级)更深，与量子点发光层的导带底能级相差较大，从而导致注入的电子很难从电子传输层注入量子点发光层，进而影响量子点发光二极管的发光效率。
对此，本公开实施例提供一种量子点发光结构及其制作方法、阵列基板和显示装置。该量子点发光结构包括量子点发光层、电极和位于量子点发光层和电极之间的电子传输层；该量子点发光结构还包括电子阻挡层，位于电子传输层之中。由此，通过在电子传输层中增加电子阻挡层，从而可减少从电极注入电子传输层中的电子，进而可平衡量子点发光层中的载流子浓度，提高该量子点发光结构的发光效率。
下面，结合附图对本公开实施例提供的量子点发光结构及其制作方法、阵列基板和显示装置进行详细的说明。
本公开一实施例提供一种量子点发光结构。图1为根据本公开一实施例的一种量子点发光结构的示意图。如图1所示，该量子点发光结构100包括量子点发光层110、第一电极140和位于量子点发光层110和第一电极140之间的电子传输层120；该量子点发光结构100还包括电子阻挡层130，位于电子传输层120之中。
在本公开实施例提供的量子点发光结构中，通过在电子传输层之中增加电子阻挡层，从而可在电子传输层具有较高的迁移率时减少从电极注入电子传输层中的电子，进而可平衡量子点发光层中的载流子浓度，提高该量子点发光结构的发光效率。并且，当将电子阻挡层设置在电子传输层之中还可有效降低启亮电压。
在一些示例中，如图1所示，电子传输层120包括两个子电子传输层1200，电子阻挡层130位于两个子电子传输层1200之间。当然，本公开实施例包括但不限于此，电子阻挡层还可以其他方式形成在电子传输层之中。
图2为根据本公开一实施例的另一种量子点发光结构的示意图。如图2所示，电子传输层120包括N+1个子电子传输层1200，电子阻挡层130包括N个子电子阻挡层1300，N个子电子阻挡层1300分别夹设在N+1个子电子传输层1200之间。需要说明的是，图2示出了两个子电子阻挡层1300，即N＝2；然而，本公开实施例包括但不限于此，N可为大于等于2的正整数。
在一些示例中，电子阻挡层130包括的N个子电子阻挡层1300可为采用不同材料制作的电子阻挡层。例如，当电子阻挡层130包括两个子电子阻挡层1300，这两个子电子阻挡层1300中的一个可为氧化铝(Al2O3)材料的子电子阻挡层，另一个可为氧化钽(TaOx)材料的子电子阻挡层。当然，本公开实施例包括但不限于此，电子阻挡层包括的N个子电子阻挡层可优选为采用相同材料制作的电子阻挡层，此时还可降低制作工艺的复杂度，并且便于控制和实现。
在一些示例中，上述的电子传输层120可包括溅射形成的氧化锌(ZnO)薄膜。采用旋涂法制作的氧化锌薄膜通常具有杂质(杂质是有机配体等)；然而，由于采用溅射工艺形成的氧化锌薄膜是无定型态或者多晶态的薄膜，因此溅射形成的氧化锌薄膜没有杂质，并且具有较高的致密性和平坦度。由此，该电子传输层120可具有较高的致密性和平坦度，从而有利于提高之后形成的量子点发光层的平坦度，进而提高最终形成的量子点发光结构的平坦度和发光性能。也就是说，该量子点发光结构可在具有较高的平坦度和发光性能的同时，具有较高的发光效率。
例如，当电子传输层120包括至少两个子电子传输层1200时，各子电子传输层1200为溅射形成的氧化锌薄膜。
例如，普通的ZnO纳米颗粒的LUMO能级约为-4.2eV到-4.0eV之间，而采用溅射工艺制作的ZnO薄膜的LUMO能级约为-4.8到-4.6eV。可见，采用溅射工艺制作的ZnO薄膜的LUMO能级更深，与量子点发光层的LUMO能级相差较大。
在一些示例中，电子阻挡层130的导带底能级大于量子点发光层110的导带底能级，从而可在电子传输层具有较高的迁移率时减少从电极注入电子传输层中的电子。当然，电子阻挡层的导电底能级大于(或浅于)电子传输层的导带底能级。
在一些示例中，电子阻挡层130的材料包括氧化铝、氧化钽和氧化铪中的至少之一。当然，本公开实施例包括但不限于此，电子阻挡层的材料还可为其他材料。
在一些示例中，如图1和图2所示，电子传输层120与量子点发光层110直接接触。
在一些示例中，电子阻挡层130在垂直于衬底基板110的方向上的厚度范围为0.5纳米-5纳米。
例如，电子阻挡层130在垂直于衬底基板110的方向上的厚度可约1-2纳米。此时，该量子发光结构可具有较好的发光效率。需要说明的是，当电子阻挡层包括多个子电子阻挡层时，上述的厚度是指多个子电子阻挡层的厚度之和。需要说明的是，上述的“约为1-2纳米”是指电子阻挡层的厚度的下限值在5纳米的10％的误差范围之内，电子阻挡层的厚度的上限值在10纳米的10％的误差范围之内。
在一些示例中，电子传输层靠近量子点发光层的均方根表面粗糙度RMS的范围约为5-10纳米。由此，电子传输层靠近量子点发光层的表面粗糙度较高，从而增加量子点发光层中的量子点和电子传输层的接触，避免由于纳米颗粒状态的量子点堆积在平滑的氧化锌(ZnO)表面，从而避免接触面积小和避免倒置电子传输层部分与后续空穴传送层直接接触造成的漏电现象。需要说明的是，上述的“约为5-10纳米”是指均方根表面粗糙度RMS的范围的下限值在5纳米的10％的误差范围之内，均方根表面粗糙度RMS的范围的上限值在10纳米的10％的误差范围之内。
例如，可采用等离子刻蚀或者喷砂处理等方式对电子传输层靠近量子点发光层的表面进行粗糙化处理。
图3为根据本公开一实施例的另一种量子点发光结构的示意图。如图3所示，该量子点发光结构100包括量子点发光层110、第一电极140和位于量子点发光层110和第一电极140之间的电子传输层120；该量子点发光结构100还包括电子阻挡层130，位于电子传输层120与第一电极140之间。在该量子点发光结构中，通过在电子传输层与电极之间增加电子阻挡层，也可在电子传输层具有较高的迁移率时减少从电极注入电子传输层中的电子，进而可平衡量子点发光层中的载流子浓度，提高该量子点发光结构的发光效率。
图4为根据本公开一实施例的另一种量子点发光结构的示意图。如图4所示，该量子点发光结构100包括量子点发光层110、第一电极140和位于量子点发光层110和第一电极140之间的电子传输层120；该量子点发光结构100还包括电子阻挡层130，位于电子传输层120与量子点发光层110之间。在该量子点发光结构中，通过在电子传输层与量子点发光层之间增加电子阻挡层，也可在一定程度上减少从电极注入电子传输层中的电子，进而可平衡量子点发光层中的载流子浓度，提高该量子点发光结构的发光效率。
图5为本公开提供的不同的量子点发光结构的发光亮度随电流密度变化的曲线的对比图。
在图5中，示例一提供的量子点发光结构包括依次层叠的银(Ag)电极、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层(QD)、ZnO电子传输层和ITO电极；银电极的厚度为150纳米；空穴注入层的厚度为5纳米，空穴注入层的材料的HAT-CN(2,3,6,7,10,11-六氰基-1,4,5,8,9,12-六氮杂苯并菲)薄膜；空穴传输层包括第一子空穴传输层和第二子空穴传输层，第一子空穴传输层位于第二子空穴传输层靠近量子点发光层的一侧，第一子空穴传输层的厚度为10纳米，第二子空穴传输层的厚度为30纳米；上述的银电极、空穴注入层和空穴传输层均可采用蒸镀工艺制作；量子点发光层的材料可为硒化镉(CdSe)，量子点发光层的厚度为30纳米，量子点发光层可采用旋涂工艺制作；ZnO电子传输层的厚度为100纳米，ZnO电子传输层可采用溅射工艺制作，溅射可采用ZnO靶材，氩气流量为40sccm，功率为100W，溅射时间为25分钟；ITO电极的厚度为70纳米，ITO电极可采用溅射工艺制作，溅射可采用ITO靶材，氩气流量为40sccm，功率为100W，溅射时间为20分钟。
在图5中，示例二提供的量子点发光结构包括依次层叠的银(Ag)电极、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层(QD)、电子阻挡层、ZnO电子传输层和ITO电极；银电极的厚度为150纳米；空穴注入层的厚度为5纳米，空穴注入层的材料的HAT-CN(2,3,6,7,10,11-六氰基-1,4,5,8,9,12-六氮杂苯并菲)薄膜；空穴传输层包括第一子空穴传输层和第二子空穴传输层，第一子空穴传输层位于第二子空穴传输层靠近量子点发光层的一侧，第一子空穴传输层的厚度为10纳米，第二子空穴传输层的厚度为30纳米；上述的银电极、空穴注入层和空穴传输层均可采用蒸镀工艺制作；量子点发光层的材料可为硒化镉(CdSe)，量子点发光层的厚度为30纳米，量子点发光层可采用旋涂工艺制作；电子阻挡层的材料可为氧化铝(Al2O3)，电子阻挡层的厚度为2纳米，电子阻挡层可采用溅射工艺制作，溅射可采用氧化铝靶材，氩气流量为40sccm，功率为100W，溅射时间为1分钟；ZnO电子传输层的厚度为100纳米，ZnO电子传输层可采用溅射工艺制作，溅射可采用ZnO靶材，氩气流量为40sccm，功率为100W，溅射时间为25分钟；ITO电极的厚度为70纳米，ITO电极可采用溅射工艺制作，溅射可采用ITO靶材，氩气流量为40sccm，功率为100W，溅射时间为20分钟。在示例二中，Al2O3电子阻挡层设置在ZnO电子传输层和量子点发光层之间，可见示例二提供的量子点发光结构为图4提供的量子点发光结构。
在图5中，示例三提供的量子点发光结构包括依次层叠的银(Ag)电极、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层(QD)、ZnO电子传输层、电子阻挡层和ITO电极；银电极的厚度为150纳米；空穴注入层的厚度为5纳米，空穴注入层的材料的HAT-CN(2,3,6,7,10,11-六氰基-1,4,5,8,9,12-六氮杂苯并菲)薄膜；空穴传输层包括第一子空穴传输层和第二子空穴传输层，第一子空穴传输层位于第二子空穴传输层靠近量子点发光层的一侧，第一子空穴传输层的厚度为10纳米，第二子空穴传输层的厚度为30纳米；上述的银电极、空穴注入层和空穴传输层均可采用蒸镀工艺制作；量子点发光层的材料可为硒化镉(CdSe)，量子点发光层的厚度为30纳米，量子点发光层可采用旋涂工艺制作；ZnO电子传输层的厚度为100纳米，ZnO电子传输层可采用溅射工艺制作，溅射可采用ZnO靶材，氩气流量为40sccm，功率为100W，溅射时间为25分钟；电子阻挡层的材料可为氧化铝(Al2O3)，电子阻挡层的厚度为2纳米，电子阻挡层可采用溅射工艺制作，溅射可采用氧化铝靶材，氩气流量为40sccm，功率为100W，溅射时间为1分钟；ITO电极的厚度为70纳米，ITO电极可采用溅射工艺制作，溅射可采用ITO靶材，氩气流量为40sccm，功率为100W，溅射时间为20分钟。在示例三中，Al2O3电子阻挡层设置在ZnO电子传输层和ITO电极之间，可见示例三提供的量子点发光结构为图3提供的量子点发光结构。
如图5所示，在同样的电流密度下，相对于示例一提供的量子点发光结构，通过在电子传输层和量子点发光层之间增加电子阻挡层，示例二提供的量子点发光结构的发光亮度有所提高。例如，在电流密度为400mA/cm2时，示例一提供的量子点发光结构的发光亮度大约为500cd/m2，示例二提供的量子点发光结构的发光亮度大约为1200cd/m2。然而，由于量子点发光层和电子阻挡层的直接接触会导致光致发光量子产率(PLQY)降低，示例二提供的量子点发光结构的发光亮度的提升并不是很高。然而，相对于示例一提供的量子点发光结构，通过在电子传输层与电极之间增加电子阻挡层，示例三提供的量子点发光结构的发光亮度大大提高了。例如，在电流密度为400mA/cm2时，示例三提供的量子点发光结构的发光亮度大约为3000cd/m2，发光亮度提高了将近6倍。需要说明的是，上述的各个量子点发光结构还包括其他必须的功能膜层，本公开实施例在此不再赘述。
例如，如图5所示，示例三提供的量子点发光结构在400mA/cm2的电流密度下的发光亮度大于3000cd/m2。
图6为本公开提供的不同的量子点发光结构的发光亮度随电压变化的曲线的对比图。
在图6中，示例四提供的量子点发光结构包括依次设置的银(Ag)电极、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层(QD)、ZnO电子传输层、电子阻挡层和ITO电极；银电极的厚度为150纳米；空穴注入层的厚度为5纳米，空穴注入层的材料的HAT-CN(2,3,6,7,10,11-六氰基-1,4,5,8,9,12-六氮杂苯并菲)薄膜；空穴传输层包括第一子空穴传输层和第二子空穴传输层，第一子空穴传输层位于第二子空穴传输层靠近量子点发光层的一侧，第一子空穴传输层的厚度为10纳米，第二子空穴传输层的厚度为30纳米；上述的银电极、空穴注入层和空穴传输层均可采用蒸镀工艺制作；量子点发光层的材料可为硒化镉(CdSe)，量子点发光层的厚度为30纳米，量子点发光层可采用旋涂工艺制作；ZnO电子传输层的厚度为100纳米，ZnO电子传输层可采用溅射工艺制作，溅射可采用ZnO靶材，氩气流量为40sccm，功率为100W，溅射时间为25分钟；电子阻挡层的材料可为氧化铝(Al2O3)，电子阻挡层的厚度为2纳米，电子阻挡层可采用溅射工艺制作，溅射可采用氧化铝靶材，氩气流量为40sccm，功率为100W，溅射时间为1分钟；ITO电极的厚度为70纳米，ITO电极可采用溅射工艺制作，溅射可采用ITO靶材，氩气流量为40sccm，功率为100W，溅射时间为20分钟。在示例四中，Al2O3电子阻挡层设置在ZnO电子传输层和ITO电极之间，可见示例四提供的量子点发光结构为图3提供的量子点发光结构。
在图6中，示例五提供的量子点发光结构包括依次设置的银(Ag)电极、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层(QD)、第一子ZnO电子传输层、电子阻挡层、第二子ZnO电子传输层和ITO电极；银电极的厚度为150纳米；空穴注入层的厚度为5纳米，空穴注入层的材料的HAT-CN(2,3,6,7,10,11-六氰基-1,4,5,8,9,12-六氮杂苯并菲)薄膜；空穴传输层包括第一子空穴传输层和第二子空穴传输层，第一子空穴传输层位于第二子空穴传输层靠近量子点发光层的一侧，第一子空穴传输层的厚度为10纳米，第二子空穴传输层的厚度为30纳米；上述的银电极、空穴注入层和空穴传输层均可采用蒸镀工艺制作；量子点发光层的材料可为硒化镉(CdSe)，量子点发光层的厚度为30纳米，量子点发光层可采用旋涂工艺制作；第一子ZnO电子传输层的厚度为50纳米，第二子ZnO电子传输层的厚度为50纳米，上述的第一子ZnO电子传输层和第二子ZnO电子传输层均可采用溅射工艺制作，溅射可采用ZnO靶材，氩气流量为40sccm，功率为100W，溅射时间为12.5分钟；电子阻挡层的材料可为氧化铝(Al2O3)，电子阻挡层的厚度为2纳米，电子阻挡层可采用溅射工艺制作，溅射可采用氧化铝靶材，氩气流量为40sccm，功率为100W，溅射时间为1分钟；ITO电极的厚度为70纳米，ITO电极可采用溅射工艺制作，溅射可采用ITO靶材，氩气流量为40sccm，功率为100W，溅射时间为20分钟。在示例五中，Al2O3电子阻挡层设置在两个子ZnO电子传输层之间，可见示例五提供的量子点发光结构为图1提供的量子点发光结构。
在图6中，示例六提供的量子点发光结构包括依次设置的银(Ag)电极、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层(QD)、第一子ZnO电子传输层、第一子电子阻挡层、第二子ZnO电子传输层、第二子电子阻挡层、第三子ZnO电子传输层和ITO电极；银电极的厚度为150纳米；空穴注入层的厚度为5纳米，空穴注入层的材料的HAT-CN(2,3,6,7,10,11-六氰基-1,4,5,8,9,12-六氮杂苯并菲)薄膜；空穴传输层包括第一子空穴传输层和第二子空穴传输层，第一子空穴传输层位于第二子空穴传输层靠近量子点发光层的一侧，第一子空穴传输层的厚度为10纳米，第二子空穴传输层的厚度为30纳米；上述的银电极、空穴注入层和空穴传输层均可采用蒸镀工艺制作；量子点发光层的材料可为硒化镉(CdSe)，量子点发光层的厚度为30纳米，量子点发光层可采用旋涂工艺制作；第一子ZnO电子传输层的厚度为50纳米，第二子ZnO电子传输层的厚度为50纳米，第三子ZnO电子传输层的厚度为50纳米，上述的第一子ZnO电子传输层和第二子ZnO电子传输层均可采用溅射工艺制作，溅射可采用ZnO靶材，氩气流量为40sccm，功率为100W，溅射时间为12.5分钟；第一子电子阻挡层和第二子电子阻挡层的材料可为氧化铝(Al2O3)，第一子电子阻挡层的厚度为1纳米，第二子电子阻挡层的厚度为1纳米，第一子电子阻挡层和第二子电子阻挡层可采用溅射工艺制作，溅射可采用氧化铝靶材，氩气流量为40sccm，功率为100W，溅射时间为0.5分钟；ITO电极的厚度为70纳米，ITO电极可采用溅射工艺制作，溅射可采用ITO靶材，氩气流量为40sccm，功率为100W，溅射时间为20分钟。在示例六中，两个Al2O3电子阻挡层设置在三个ZnO电子传输层之间，可见示例六提供的量子点发光结构为图2提供的量子点发光结构。
如图6所示，在同样的电压下，相对于示例四提供的量子点发光结构，通过在电子传输层之中增加电子阻挡层，示例五和示例六提供的量子点发光结构不仅在相同的电压下具有更高的发光亮度，并且还具有较低的启亮电压。并且，如图6所示，相对于示例五提供的量子点发光结构，通过将单层的电子阻挡层拆分成厚度较薄的几个电子阻挡层，并设置在多个子电子传输层中，从而可进一步降低启亮电压。
例如，示例四提供的量子点发光结构在大约8V的电压下的发光亮度大于200cd/m2，示例五在大约6.5V的电压下的发光亮度就可大于200cd/m2，而示例六在大约6.2V的电压下的发光亮度就可大于200cd/m2。又例如，如图6所示，示例六提供的量子点发光结构在7V的电压之下发光亮度大于500cd/m2。
图7为本公开一实施例提供的另一种量子点发光结构的示意图。如图7所示，电子传输层120可包括第一子电子传输层121和第二子电子传输层122，第二子电子传输层122位于第一子电子传输层121靠近量子点发光层110的一侧。第二子电子传输层122的导带底能级大于第一子电子传输层121的导带底能级，且小于量子点发光层110的导带底能级。也就是说，第二子电子传输层122的导带底能级浅于第一子电子传输层121的导带底能级，且深于量子点发光层110的导带底能级。另外，如图7所示，该量子点发光结构100还包括电子阻挡层130，位于第一子电子传输层121和第二子电子传输层122之间。需要说明的是，上述的导带底能级为LUMO(最低未占分子轨道)能级。在该示例提供的量子点发光结构中，由于第二子电子传输层的导带底能级大于第一子电子传输层的导带底能级，且小于量子点发光层的导带底能级，从而可使得第二子电子传输层的LUMO能级更为接近量子点发光层的LUMO能级，从而可能够更好的达到能级匹配，有利于提高该量子点发光结构的发光效率。另外，由于该量子点发光结构还包括位于第一子电子传输层和第二子电子传输层之间的电子阻挡层，该量子点发光结构在达到较好的能级匹配和较高的发光效率的同时，还可通过在第一子电子传输层和第二子电子传输层之间增加电子阻挡层，从而在电子传输层具有较高的迁移率时减少从电极注入电子传输层中的电子，进而可平衡量子点发光层中的载流子浓度，提高该量子点发光结构的发光效率。
例如，第一子电子传输层121为溅射形成的氧化锌薄膜，第二子电子传输层122为溅射形成的掺杂氧化锌薄膜。由此，可通过将第二子电子传输层122形成为掺杂氧化锌薄膜来使得第二子电子传输层122的导带底能级大于第一子电子传输层121的导带底能级，且小于量子点发光层110的导带底能级。另外，由于采用溅射工艺形成的氧化锌薄膜是无定型态或者多晶态的薄膜，因此溅射形成的氧化锌薄膜或者掺杂氧化锌薄膜具有较高的致密性和平坦度。
例如，第二子电子传输层122的掺杂材料可包括Mg(镁)、Al(铝)、Zr(锆)、Hf(铪)、Y(钇)中的至少之一。
例如，第二子电子传输层122的掺杂材料为Mg，第二子电子传输层122中Mg的摩尔百分比为1％-20％。
例如，当量子点发光层为发红光的量子点发光层时，第二子电子传输层中的Mg的掺杂浓度可为1-5％；当量子点发光层为发绿光的量子点发光层时，第二子电子传输层中的Mg的掺杂浓度为5-10％；当量子点发光层为发蓝光的量子点发光层时，第二子电子传输层中Mg的掺杂浓度为10-20％。
在一些示例中，第二子电子传输层122靠近第一子电子传输层121的部分的掺杂浓度小于第二子电子传输层122靠近量子点发光层110的部分的掺杂浓度。也就是说，第二子电子传输层的掺杂浓度可逐渐变化。由于随着掺杂浓度的上升，掺杂的ZnO薄膜的LUMO能级会提高；通过将第二子电子传输层靠近第一子电子传输层的部分的掺杂浓度设置为小于第二子电子传输层靠近量子点发光层110的部分的掺杂浓度，从而可更好地达到能级匹配，进一步有利于提高该量子点发光结构的发光效率。
在一些示例中，第二子电子传输层122的掺杂浓度从第二子电子传输层122靠近第一子电子传输层121的一侧到第二子电子传输层122靠近量子点发光层110的一侧逐渐增大。
在一些示例中，第一子电子传输层121和第二子电子传输层122可均为溅射形成的掺杂氧化锌薄膜，并且，第一子电子传输层121的掺杂浓度小于第二子电子传输层122的掺杂浓度。由此，可通过将第一子电子传输层121的掺杂浓度小于第二子电子传输层122的掺杂浓度来使得第二子电子传输层122的导带底能级大于第一子电子传输层121的导带底能级，且小于量子点发光层110的导带底能级。
在一些示例中，当第一子电子传输层121和第二子电子传输层122均为溅射形成的掺杂氧化锌薄膜时，第一子电子传输层121和第二子电子传输层122可采用不同的掺杂材料，来使得第二子电子传输层122的导带底能级大于第一子电子传输层121的导带底能级，且小于量子点发光层110的导带底能级。
在一些示例中，如图7所示，量子点发光结构100还可包括空穴传输层150、空穴注入层160和第二电极170。第一电极140可为阴极，第二电极170可为阳极。
图8为本公开一实施例提供的另一种量子点发光结构的示意图。如图8所示，电子传输层120可包括第一子电子传输层121和第二子电子传输层122，第二子电子传输层122位于第一子电子传输层121靠近量子点发光层110的一侧，第二子电子传输层122的导带底能级大于第一子电子传输层121的导带底能级，且小于量子点发光层110的导带底能级。第二子电子传输层122包括多个子掺杂电子传输层1220，多个子掺杂电子传输层1220的掺杂浓度从第一子电子传输层121到量子点发光层110的方向上逐渐增加。例如，第二子电子传输层122包括两个子掺杂电子传输层1220，靠近第一子电子传输层121的子掺杂电子传输层1220的掺杂浓度小于靠近量子点发光层110的子掺杂电子传输层1220的掺杂浓度。
在该示例提供的量子点发光结构中，由于多个子掺杂电子传输层的掺杂浓度从第一子电子传输层到量子点发光层的方向上逐渐增加，随着掺杂浓度的上升，子掺杂电子传输层的LUMO能级会提高；通过将多个子掺杂电子传输层的掺杂浓度从第一子电子传输层到量子点发光层的方向上逐渐增加，从而可更好地达到能级匹配，进一步有利于提高该量子点发光结构的发光效率。
在本公开实施例提供的量子点发光结构中，电子阻挡层的位置不限于第一子电子传输层和第二子电子传输层之间，电子阻挡层也可设置在第二子电子传输层之中。如图8所示，电子阻挡层130设置在第二子电子传输层122之内，例如，电子阻挡层130设置在两个子掺杂电子传输层1220之间。由此，通过将电子阻挡层设置在第二子电子传输层之内，该量子点发光结构也可提高发光效率和电流效率，并且还可降低启亮电压。
在一些示例中，第一子电子传输层121和第二子电子传输层122可均为溅射形成的掺杂氧化锌薄膜，并且，第一子电子传输层121的掺杂浓度小于第二子电子传输层122的掺杂浓度。由此，可通过将第一子电子传输层121的掺杂浓度小于第二子电子传输层122的掺杂浓度来使得第二子电子传输层122的导带底能级大于第一子电子传输层121的导带底能级，且小于量子点发光层110的导带底能级。
在一些示例中，当第一子电子传输层121和第二子电子传输层122均为溅射形成的掺杂氧化锌薄膜时，第一子电子传输层121和第二子电子传输层122可采用不同的掺杂材料，来使得第二子电子传输层122的导带底能级大于第一子电子传输层121的导带底能级，且小于量子点发光层110的导带底能级。
图9为根据本公开一实施例的另一种量子点发光结构的示意图。如图9所示，电子阻挡层130包括第一子电子阻挡层131和第二子电子阻挡层132，第一电子阻挡层131位于第一子电子传输层121和第二子电子传输层122之间，第二子电子阻挡层132位于第二子电子传输层122中的两个掺杂电子传输层1220之间。由此，该量子点发光结构在达到较好的能级匹配和较高的发光效率的同时，通过在第一子电子传输层和第二子电子传输层之间和第二子电子传输层中掺杂电子传输层之间增加电子阻挡层，可在电子传输层具有较高的迁移率时有效地减少从电极注入电子传输层中的电子，进而可平衡量子点发光层中的载流子浓度，提高该量子点发光结构的发光效率。
例如，上述的第一子电子阻挡层131和第二子电子阻挡层132可为采用不同材料制作的电子阻挡层。例如，第一子电子阻挡层131可为氧化铝(Al2O3)材料的子电子阻挡层，第二子电子阻挡层132可为氧化钽(TaOx)材料的子电子阻挡层。当然，本公开实施例包括但不限于此，第一子电子阻挡层和第二子电子阻挡层可为采用相同材料制作的电子阻挡层，此时还可降低制作工艺的复杂度，并且便于控制和实现。
需要说明的是，当第二子电子传输层包括M(M为大于2的整数)个掺杂电子传输层时，电子阻挡层也可包括M个子电子阻挡层；M个子电子阻挡层中的一个可设置在第一子电子传输层和第二子电子传输层之间，而其他M-1个子电子阻挡层可夹设在M个子电子阻挡层，从而有效地减少从电极注入电子传输层中的电子，进而可平衡量子点发光层中的载流子浓度，提高该量子点发光结构的发光效率。
图10为根据本公开一实施例的另一种量子点发光结构的示意图。如图10所示，该量子点发光结构100包括量子点发光层110、第一电极140和位于量子点发光层110和第一电极140之间的电子传输层120。电子传输层120包括第一子电子传输层121和第二子电子传输层122，第二子电子传输层122位于第一子电子传输层121靠近量子点发光层110的一侧。第二子电子传输层122的导带底能级大于第一子电子传输层121的导带底能级，且小于量子点发光层110的导带底能级。也就是说，第二子电子传输层122的导带底能级浅于第一子电子传输层121的导带底能级，且深于量子点发光层110的导带底能级。需要说明的是，上述的导带底能级为LUMO(最低未占分子轨道)能级。
图11为本公开提供的不同量子点发光结构的电流效率随电压变化的曲线的对比图。
在图11中，示例七提供的量子点发光结构包括依次设置的银(Ag)电极、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层(QD)、ZnO电子传输层和ITO电极；银电极的厚度为150纳米；空穴注入层的厚度为5纳米，空穴注入层的材料的HAT-CN(2,3,6,7,10,11-六氰基-1,4,5,8,9,12-六氮杂苯并菲)薄膜；空穴传输层包括第一子空穴传输层和第二子空穴传输层，第一子空穴传输层位于第二子空穴传输层靠近量子点发光层的一侧，第一子空穴传输层的厚度为10纳米，第二子空穴传输层的厚度为30纳米；上述的银电极、空穴注入层和空穴传输层均可采用蒸镀工艺制作；量子点发光层的材料可为硒化镉(CdSe)，量子点发光层的厚度为30纳米，量子点发光层可采用旋涂工艺制作；ZnO电子传输层的厚度为100纳米，ZnO电子传输层可采用溅射工艺制作，溅射可采用ZnO靶材，氩气流量为40sccm，功率为100W，溅射时间为25分钟，制作出来的ZnO电子传输层的LUMO能级为-4.8eV；ITO电极的厚度为70纳米，ITO电极可采用溅射工艺制作，溅射可采用ITO靶材，氩气流量为40sccm，功率为100W，溅射时间为20分钟。
在图11中，示例八提供的量子点发光结构包括依次设置的银(Ag)电极、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层(QD)、第二子ZnO电子传输层、第一子ZnO电子传输层和ITO电极；银电极的厚度为150纳米；空穴注入层的厚度为5纳米，空穴注入层的材料的HAT-CN(2,3,6,7,10,11-六氰基-1,4,5,8,9,12-六氮杂苯并菲)薄膜；空穴传输层包括第一子空穴传输层和第二子空穴传输层，第一子空穴传输层位于第二子空穴传输层靠近量子点发光层的一侧，第一子空穴传输层的厚度为10纳米，第二子空穴传输层的厚度为30纳米；上述的银电极、空穴注入层和空穴传输层均可采用蒸镀工艺制作；量子点发光层的材料可为硒化镉(CdSe)，量子点发光层的厚度为30纳米，量子点发光层可采用旋涂工艺制作；第二子ZnO电子传输层的厚度为20纳米，第二子ZnO电子传输层可采用溅射工艺制作，溅射可采用ZnO和MgO靶材共溅射，氩气流量为40sccm，功率100W，溅射时间为5min，第二子ZnO电子传输层的LUMO能级测试为-4.6eV；第二子ZnO电子传输层的厚度为80纳米，第二子ZnO电子传输层可采用溅射工艺制作，溅射可采用ZnO靶材，氩气流量为40sccm，功率为100W，溅射时间为20分钟，制作出来的ZnO电子传输层的LUMO能级为-4.8eV；ITO电极的厚度为70纳米，ITO电极可采用溅射工艺制作，溅射可采用ITO靶材，氩气流量为40sccm，功率为100W，溅射时间为20分钟。
如图11所示，示例八提供的量子点发光结构中的溅射方式形成的第二子ZnO电子传输层的LUMO能级大于第一子ZnO电子传输层的LUMO能级。从图11可知，相对于示例七提供的量子点发光结构，通过设置将电子传输层包括第一子电子传输层和第二子电子传输层，并且第二子电子传输层的导带底能级大于第一子电子传输层的导带底能级，且小于量子点发光层的导带底能级，示例八提供的量子点发光结构在同样的电压下的电流效率更高。
例如，如图11所示，在电压为3V时，示例七提供的量子点发光结构的电流效率大约为1cd/A，而示例八提供的量子点发光结构的电流效率大约为2cd/A；在电压为5V时，示例七提供的量子点发光结构的电流效率大约为2cd/A，而示例八提供的量子点发光结构的电流效率大约为4cd/A。可见，示例八提供的量子点发光结构的电流效率为示例七提供的量子点发光结构的电流效率的2倍。
在一些示例中，如图11所示，电子阻挡层130设置在第一子电子传输层121和第二子电子传输层122之间。由此，该量子点发光结构可具有较高的发光效率和电流效率，并还具有较低的启亮电压。需要说明的是，电子阻挡层的LUMO能级大于第一子电子传输层和第二子电子传输层的LUMO能级，从而可在电子传输层具有较高的迁移率时减少从电极注入电子传输层中的电子，进而可平衡量子点发光层中的载流子浓度。
例如，第一子电子传输层121为溅射形成的氧化锌薄膜，第二子电子传输层122为溅射形成的掺杂氧化锌薄膜。由于采用溅射工艺形成的氧化锌薄膜是无定型态或者多晶态的薄膜，因此溅射形成的氧化锌薄膜或者掺杂氧化锌薄膜具有较高的致密性和平坦度。例如，第二子电子传输层122的掺杂材料可包括Mg(镁)、Al(铝)、Zr(锆)、Hf(铪)、Y(钇)中的至少之一。
例如，第二子电子传输层122的掺杂材料为Mg，第二子电子传输层122中Mg的摩尔百分比为1％-20％。
例如，当量子点发光层为发红光的量子点发光层时，第二子电子传输层中的Mg的掺杂浓度可为1-5％；当量子点发光层为发绿光的量子点发光层时，第二子电子传输层中的Mg的掺杂浓度为5-10％；当量子点发光层为发蓝光的量子点发光层时，第二子电子传输层中Mg的掺杂浓度为10-20％。
在一些示例中，第二子电子传输层122靠近第一子电子传输层121的部分的掺杂浓度小于第二子电子传输层122靠近量子点发光层110的部分的掺杂浓度。也就是说，第二子电子传输层的掺杂浓度可逐渐变化。由于随着掺杂浓度的上升，掺杂的ZnO薄膜的LUMO能级会提高；通过将第二子电子传输层靠近第一子电子传输层的部分的掺杂浓度设置为小于第二子电子传输层靠近量子点发光层110的部分的掺杂浓度，从而可更好地达到能级匹配，进一步有利于提高该量子点发光结构的发光效率。
在一些示例中，第二子电子传输层122的掺杂浓度从第二子电子传输层122靠近第一子电子传输层121的一侧到第二子电子传输层122靠近量子点发光层110的一侧逐渐增大。
在该示例提供的量子点发光结构中，由于第二子电子传输层的导带底能级大于第一子电子传输层的导带底能级，且小于量子点发光层的导带底能级，从而可使得第二子电子传输层的LUMO能级更为接近量子点发光层的LUMO能级，从而可能够更好的达到能级匹配，有利于提高该量子点发光结构的发光效率。
在一些示例中，第一子电子传输层121和第二子电子传输层122可均为溅射形成的掺杂氧化锌薄膜，并且，第一子电子传输层121的掺杂浓度小于第二子电子传输层122的掺杂浓度。由此，可通过将第一子电子传输层121的掺杂浓度小于第二子电子传输层122的掺杂浓度来使得第二子电子传输层122的导带底能级大于第一子电子传输层121的导带底能级，且小于量子点发光层110的导带底能级。
在一些示例中，当第一子电子传输层121和第二子电子传输层122均为溅射形成的掺杂氧化锌薄膜时，第一子电子传输层121和第二子电子传输层122可采用不同的掺杂材料，来使得第二子电子传输层122的导带底能级大于第一子电子传输层121的导带底能级，且小于量子点发光层110的导带底能级。
在一些示例中，如图10所示，量子点发光结构100还可包括空穴传输层150、空穴注入层160和第二电极170。第一电极140可为阴极，第二电极170可为阳极。
图12为根据本公开一实施例的另一种量子点发光结构的示意图。如图12所示，第二子电子传输层122包括多个子掺杂电子传输层1220，多个子掺杂电子传输层1220的掺杂浓度从第一子电子传输层121到量子点发光层110的方向上逐渐增加。也就是说，第二子电子传输层122包括多个掺杂浓度梯度变化的掺杂电子传输层1220，多个掺杂电子传输层1220的掺杂浓度从第一子电子传输层到量子点发光层的方向上逐渐增加。类似地，由于随着掺杂浓度的上升，掺杂的ZnO薄膜的LUMO能级会提高；通过将多个掺杂电子传输层的掺杂浓度从第一子电子传输层到量子点发光层的方向上逐渐增加，从而可更好地达到能级匹配，进一步有利于提高该量子点发光结构的发光效率。图13为根据本公开一实施例的一种阵列基板的示意图。如图13所示，该阵列基板200包括多个发光元件210；至少一个发光元件210采用上述实施例提供的量子点发光结构100。由此，由于该阵列基板中的至少一个发光元件采用上述实施例提供的量子点发光结构，该阵列基板具有较高的发光效率和电流效率，并且还具有较低的启亮电压。
例如，如图13所示，发光元件210包括电子阻挡层130，位于电子传输层120之中。例如，电子传输层120包括两个子电子传输层1200，电子阻挡层130位于两个子电子传输层1200之间。通过在电子传输层之中增加电子阻挡层，该发光元件可在电子传输层具有较高的迁移率时减少从电极注入电子传输层中的电子，进而可平衡量子点发光层中的载流子浓度，提高该量子点发光结构的发光效率。并且，当将电子阻挡层设置在电子传输层之中还可有效降低启亮电压。
在一些示例中，如图13所示，该阵列基板200还包括像素限定层220，围绕各发光元件210设置，像素限定层220包裹各发光元件210的电子传输层120的边缘部分，并具有暴露各电子传输层120的中间部分的开口；此时，像素限定层上的开口的面积小于各发光元件中的电子传输层的面积。在这种情况下，像素限定层220除了可以提供用于形成量子点发光层、空穴传输层、空穴注入层、量子点发光层等功能膜层的开口之外，还可对已经形成的电子传输层的边缘部分的缺陷(例如毛刺)进行遮挡，从而使得后续形成的膜层的平坦性更好。
例如，如图13所示，像素限定层220在衬底基板110上的正投影与各发光元件210的电子传输层120在衬底基板110上的正投影的交叠部分的宽度可为1微米-5微米的范围。当然，本公开实施例包括但不限于此，像素限定层上的开口的面积也可与各发光元件中的电子传输层的面积相等。
在一些示例中，如图13所示，该阵列基板200还包括衬底基板230。衬底基板可玻璃基板、石英基板、或者柔性PET(聚对苯二甲酸乙二醇酯)基板。
图14为根据本公开一实施例的另一种阵列基板的示意图。如图15所示，电子传输层120包括第一子电子传输层121和第二子电子传输层122，第二子电子传输层122位于第一子电子传输层121靠近量子点发光层110的一侧，第二子电子传输层122的导带底能级大于第一子电子传输层121的导带底能级，且小于量子点发光层110的导带底能级，第一子电子传输层121为溅射氧化锌薄膜，第二子电子传输层122为掺杂Mg的氧化锌薄膜，多个发光元件210包括不同颜色的发光元件，不同颜色的发光元件中第二子电子传输层的掺杂浓度不同，从而可更好地达到能级匹配。
在一些示例中，如图14所示，多个发光元件210包括红色发光元件211、绿色发光元件212和蓝色发光元件213，红色发光元件211中的第二子电子传输层122中Mg的掺杂浓度为1-5％，红色发光元件212中的第二子电子传输层122中Mg的掺杂浓度为5-10％，蓝色发光元件213中的第二子电子传输层122中Mg的掺杂浓度为10-20％，从而可更好地达到能级匹配。
图15为根据本公开一实施例的一种显示装置的示意图。如图15所示，该显示装置300包括上述的阵列基板。由此，由于该显示装置包括上述的阵列基板，该显示装置具有较高的发光效率和电流效率，并且还具有较低的启亮电压。
在一些示例中，该显示装置可为电视、电脑、智能手机、平板电脑、导航仪、电子画框等具有显示功能的电子装置。
本公开一实施例还提供一种量子点发光结构的制作方法。该量子点发光结构的制作方法包括：形成第一电极；在第一电极上形成电子传输层；在电子传输层远离第一电极的一侧形成量子点发光层。该制作方法还包括在电子传输层中形成电子阻挡层。
在本公开实施例提供的量子点发光结构的制作方法中，通过在电子传输层之中，或者电子传输层与第一电极之间形成电子阻挡层，从而可在电子传输层具有较高的迁移率时减少从电极注入电子传输层中的电子，进而可平衡量子点发光层中的载流子浓度，提高该制作方法制作的量子点发光结构的发光效率。并且，将电子阻挡层形成在电子传输层之中还可有效降低启亮电压。
在一些示例中，在第一电极上形成电子传输层包括：采用溅射工艺在第一电极上形成电子传输层。由于采用溅射工艺形成的电子传输层(例如氧化锌薄膜)杂质较少，甚至没有杂质，并且具有较高的致密性和平坦度。由此，这样形成的电子传输层可具有较高的致密性和平坦度，从而有利于提高之后形成的量子点发光层的平坦度，进而提高最终形成的量子点发光结构的平坦度和发光性能。也就是说，该量子点发光结构可在具有较高的平坦度和发光性能的同时，具有较高的发光效率。
在一些示例中，在电子传输层中形成电子阻挡层包括：采用溅射工艺在电子传输层中形成电子阻挡层。类似地，采用溅射工艺形成的电子阻挡层也具有较高的致密性和平坦度，从而有利于提高之后形成的量子点发光层的平坦度，进而提高最终形成的量子点发光结构的平坦度和发光性能。
在一些示例中，电子传输层包括两个子电子传输层，在电子传输层中形成电子阻挡层包括：在两个子电子传输层之间形成电子阻挡层。由此，该制作方法可降低启亮电压。当然，本公开实施例包括但不限于此，电子阻挡层还可以其他方式形成在电子传输层之中。
在一些示例中，电子传输层包括N+1个子电子传输层，在电子传输层中形成电子阻挡层包括：在N+1个子电子传输层之间形成N个子电子阻挡层，N为大于等于2的正整数。由此，通过将单层的电子阻挡层拆分成厚度较薄的几个子电子阻挡层，并设置在多个子电子传输层中，从而可进一步降低启亮电压。
在一些示例中，在电子传输层中形成电子阻挡层包括：采用不同材料形成N个子电子阻挡层。例如，当电子阻挡层包括两个子电子阻挡层时，可采用氧化铝(Al2O3)材料制作这两个子电子阻挡层中的一个，采用氧化钽(TaOx)材料制作两个子电子阻挡层中的另一个。
在一些示例中，在电极上形成电子传输层包括：采用溅射工艺形成第一子电子传输层和第二子电子传输层，第二子电子传输层位于第一子电子传输层靠近量子点发光层的一侧，第二子电子传输层的导带底能级大于第一子电子传输层的导带底能级，且小于量子点发光层的导带底能级。
在该示例提供的量子点发光结构的制作方法中，由于第二子电子传输层的导带底能级大于第一子电子传输层的导带底能级，且小于量子点发光层的导带底能级，从而可使得第二子电子传输层的LUMO能级更为接近量子点发光层的LUMO能级，从而可能够更好的达到能级匹配，有利于提高该制作方法制作的量子点发光结构的发光效率。另外，由于采用溅射工艺形成第一子电子传输层和第二子电子传输层。此时，第一子电子传输层和第二子电子传输层具有较高的平坦度，从而有利于提高之后形成的量子点发光层的平坦度，进而提高最终形成的量子点发光结构的平坦度和发光性能。也就是说，该量子点发光结构可在具有较高的平坦度和发光性能的同时，具有较高的发光效率。
在一些示例中，在电子传输层远离电极的一侧形成量子点发光层包括：采用喷墨打印工艺在电子传输层远离电极的一侧形成量子点发光层。当然，本公开实施例包括但不限于此，量子点发光层还可采用其他工艺形成，例如旋涂工艺或光刻工艺等。
在一些示例中，在第一电极上形成电子传输层和电子阻挡层之后，在电子传输层远离电极的一侧形成量子点发光层之前，该制作方法还包括：在电子传输层远离衬底基板的一侧形成像素限定层，像素限定层包括暴露电子传输层的开口，在电子传输层远离电极的一侧形成量子点发光层包括：采用喷墨打印工艺在开口中形成量子点发光层。由此，该制作方法可通过先形成具有开口的像素限定层，从而可更好地限定后续制作的量子点发光层的范围。并且，像素限定层除了可以提供用于形成量子点发光层的开口之外，还可对已经形成的电子传输层的边缘部分的缺陷(例如毛刺)进行遮挡，从而使得后续形成的膜层的平坦性更好。
在一些示例中，该量子点发光结构的制作方法还包括：采用蒸镀工艺在开口中和在量子点发光层远离衬底基板的一侧形成空穴传输层、空穴注入层和第二电极，从而形成发光结构。例如，第一电极可为阳极，第二电极可为阴极；当然，本公开实施例包括但不限于此，第一电极也可为阴极，第二电极可为阳极。
在一些示例中，该量子点发光结构的制作方法还包括：采用等离子刻蚀或者喷砂处理工艺对电子传输层靠近量子点发光层的表面进行粗糙化处理，处理后的电子传输层靠近量子点发光层的均方根表面粗糙度的范围为5-10纳米。由此，电子传输层靠近量子点发光层的表面粗糙度较高，从而增加量子点发光层中的量子点和电子传输层的接触，避免由于纳米颗粒状态的量子点堆积在平滑的氧化锌(ZnO)表面，从而避免接触面积小和避免倒置电子传输层部分与后续空穴传送层直接接触造成的漏电现象。
本公开一实施例还提供另一种量子点发光结构的制作方法。该量子点发光结构的制作方法包括：形成电极；采用溅射工艺在电极上形成电子传输层；以及在电子传输层远离电极的一侧形成量子点发光层；电子传输层包括溅射形成的掺杂氧化锌薄膜。如此设置，通过采用溅射工艺形成掺杂氧化锌薄膜，可以使得该电子传输层的导带底能级大于普通的采用溅射工艺形成的氧化锌薄膜的导带底能级。由此，该量子点发光结构的制作方法制作的量子点发光结构可使得电子传输层的导电底能级更为接近量子点发光层的LUMO能级，从而可能够更好的达到能级匹配，有利于提高该量子点发光结构的发光效率。另外，由于采用溅射工艺形成的氧化锌薄膜是无定型态或者多晶态的薄膜，因此溅射形成的掺杂氧化锌薄膜具有较高的致密性和平坦度，从而有利于提高之后形成的量子点发光层的平坦度，进而提高最终形成的量子点发光结构的平坦度和发光性能。也就是说，该量子点发光结构可在具有较高的平坦度和发光性能的同时，具有较高的发光效率。
在一些示例中，采用溅射工艺在电极上形成电子传输层包括：在氩气流量的范围约为30-50sccm，例如40sccm，溅射功率的范围约为90-110W，例如100W的条件下，采用氧化锌靶材在电极上形成氧化锌薄膜。当然，本公开实施例包括但不限于此，溅射工艺的具体参数可根据实际情况进行设置。需要说明的是，上述的“氩气流量的范围约为30-50sccm”是指氩气流量的下限值在30sccm的10％的误差范围之内，氩气流量的上限值在50sccm的10％的误差范围之内；上述的“溅射功率的范围约为90-110W”是指溅射功率的下限值在90W的10％的误差范围之内，溅射功率的上限值在110W的10％的误差范围之内。
在一些示例中，采用溅射工艺在电极上形成电子传输层包括：采用溅射工艺形成第一子电子传输层和第二子电子传输层，第二子电子传输层位于第一子电子传输层靠近量子点发光层的一侧，第二子电子传输层的导带底能级大于第一子电子传输层的导带底能级，且小于量子点发光层的导带底能级。由此，由于第二子电子传输层的导带底能级大于第一子电子传输层的导带底能级，且小于量子点发光层的导带底能级，从而可使得第二子电子传输层的LUMO能级更为接近量子点发光层的LUMO能级，从而可能够更好的达到能级匹配，有利于提高该量子点发光结构的发光效率。
例如，第一子电子传输层可为采用溅射工艺形成的ZnO薄膜；第二子电子传输层可为采用溅射工艺形成的掺杂ZnO薄膜。
在一些示例中，第二子电子传输层的掺杂浓度从第二子电子传输层靠近第一子电子传输层的一侧到第二子电子传输层靠近量子点发光层的一侧逐渐增大。由于随着掺杂浓度的上升，掺杂的ZnO薄膜的LUMO能级会提高；通过将第二子电子传输层的掺杂浓度从第二子电子传输层靠近第一子电子传输层的一侧到第二子电子传输层靠近量子点发光层的一侧设置地逐渐增大，从而可更好地达到能级匹配，进一步有利于提高该量子点发光结构的发光效率。
在一些示例中，采用溅射工艺形成第二子电子传输层包括：在第一子电子传输层靠近量子点发光层的一侧采用不同的掺杂浓度形成多个子掺杂电子传输层，多个子掺杂电子传输层形成第二子电子传输层，多个子掺杂电子传输层的掺杂浓度从第一子电子传输层到量子点发光层的方向上逐渐增加。由此，第二子电子传输层包括多个掺杂浓度梯度变化的掺杂电子传输层，多个掺杂电子传输层的掺杂浓度从第一子电子传输层到量子点发光层的方向上逐渐增加。类似地，由于随着掺杂浓度的上升，掺杂的ZnO薄膜的LUMO能级会提高；通过将多个掺杂电子传输层的掺杂浓度从第一子电子传输层到量子点发光层的方向上逐渐增加，从而可更好地达到能级匹配，进一步有利于提高该量子点发光结构的发光效率。
本公开一实施例还提供一种阵列基板的制作方法。该制作方法包括以下步骤S301-S305：
步骤S301：在衬底基板上形成第一电极。
例如，衬底基板可玻璃基板、石英基板、或者柔性PET(聚对苯二甲酸乙二醇酯)基板；第一电极可为透明电极，例如ITO(氧化铟锡)、FTO(氟掺杂的氧化锡)或者导电聚合物，也可为不透明的电极，例如，铝或银。
步骤S302：在第一电极上采用溅射工艺形成电子传输层。
例如，可采用磁控溅射工艺在电极上形成氧化锌薄膜或者经过Mg(镁)、Al(铝)、Zr(锆)、Hf(铪)、或Y(钇)掺杂氧化锌薄膜。另外，电子传输层的厚度范围可在50-300纳米。
步骤S303：在衬底基板和电子传输层上形成像素限定层，像素限定层包电子传输层的边缘部分，并具有暴露电子传输层的中间部分的开口。
步骤S304：在像素限定层的开口中，在电子传输层远离第一电极的一侧形成量子点发光层。
例如，采用喷墨打印工艺形成量子点发光层。
步骤S305：依次形成空穴传输层、空穴注入层。
步骤S306：在空穴注入层远离空穴传输层的一侧形成第二电极。
有以下几点需要说明：
(1)本公开的实施例附图中，只涉及到与本公开实施例涉及到的结构，其他结构可参考通常设计。
(2)在不冲突的情况下，本公开的同一实施例及不同实施例中的特征可以相互组合。
以上所述仅是本公开的示范性实施方式，而非用于限制本公开的保护范围，本公开的保护范围由所附的权利要求确定。

Claims (27)

1.一种量子点发光结构，包括：
量子点发光层；
电极；以及
电子传输层，位于所述量子点发光层和所述电极之间，
其中，所述量子点发光结构还包括电子阻挡层，所述电子阻挡层位于所述电子传输层中，
所述电子传输层包括第一子电子传输层和第二子电子传输层，所述第二子电子传输层位于所述第一子电子传输层靠近所述量子点发光层的一侧，所述第二子电子传输层的导带底能级大于所述第一子电子传输层的导带底能级，且小于所述量子点发光层的导带底能级，
所述第一子电子传输层为氧化锌薄膜，所述第二子电子传输层为掺杂氧化锌薄膜，
所述第二子电子传输层包括多个子掺杂电子传输层，所述多个子掺杂电子传输层的掺杂浓度从所述第一子电子传输层到所述量子点发光层的方向上逐渐增加，
所述电子阻挡层位于所述第一子电子传输层和所述第二子电子传输层之间，并且
所述电子阻挡层还位于所述第二子电子传输层内的所述多个子掺杂电子传输层之间。
2.根据权利要求1所述的量子点发光结构，其中，所述电子传输层包括N+1个子电子传输层，所述电子阻挡层包括N个子电子阻挡层，所述N个子电子阻挡层分别夹设在所述N+1个子电子传输层之间，N为大于等于2的正整数。
3.根据权利要求1或2所述的量子点发光结构，其中，所述电子传输层包括氧化锌薄膜。
4.根据权利要求1或2所述的量子点发光结构，其中，所述电子阻挡层的导带底能级大于所述量子点发光层的导带底能级。
5.根据权利要求1或2所述的量子点发光结构，其中，所述电子阻挡层的材料包括氧化铝、氧化钽和氧化铪中的至少之一。
6.根据权利要求1或2所述的量子点发光结构，其中，所述量子点发光结构在7V的电压之下发光亮度大于500cd/m2。
7.根据权利要求1或2所述的量子点发光结构，其中，所述电子传输层靠近所述量子点发光层的均方根表面粗糙度的范围为5-10纳米。
8.根据权利要求1或2所述的量子点发光结构，其中，所述电子阻挡层的厚度为1-2纳米。
9.根据权利要求1所述的量子点发光结构，其中，所述第二子电子传输层的掺杂材料包括Mg、Al、Zr、Hf、Y中的至少之一。
10.根据权利要求9所述的量子点发光结构，其中，所述第二子电子传输层的掺杂材料为Mg，所述第二子电子传输层中Mg的摩尔百分比为1％-20％。
11.根据权利要求1所述的量子点发光结构，其中，所述第二子电子传输层的掺杂浓度从所述第二子电子传输层靠近所述第一子电子传输层的一侧到所述第二子电子传输层靠近所述量子点发光层的一侧逐渐增大。
12.一种阵列基板，包括多个发光元件，
其中，至少一个所述发光元件采用根据权利要求1-11中任一项所述的量子点发光结构。
13.根据权利要求12所述的阵列基板，其中，所述多个发光元件包括不同颜色的所述发光元件，不同颜色的所述发光元件中所述第二子电子传输层的掺杂浓度不同。
14.根据权利要求12所述的阵列基板，其中，所述掺杂氧化锌薄膜的掺杂剂为Mg，所述多个发光元件包括红色发光元件、绿色发光元件和蓝色发光元件，所述红色发光元件中的所述第二子电子传输层中Mg的掺杂浓度为1-5％，所述绿色发光元件中的所述第二子电子传输层中Mg的掺杂浓度为5-10％，所述蓝色发光元件中的所述第二子电子传输层中Mg的掺杂浓度为10-20％。
15.根据权利要求12-14中任一项所述的阵列基板，还包括：
像素限定层，围绕各所述发光元件的所述电子传输层设置，
其中，所述像素限定层包裹各所述发光元件的所述电子传输层的边缘部分，并具有暴露各所述发光元件的所述电子传输层的中间部分的开口。
16.一种显示装置，包括根据权利要求12-15中任一项所述阵列基板。
17.一种量子点发光结构的制作方法，包括：
形成第一电极；
在所述第一电极上形成电子传输层；以及
在所述电子传输层远离所述第一电极的一侧形成量子点发光层，
其中，该制作方法还包括在所述电子传输层中形成电子阻挡层，
其中，在所述第一电极上形成所述电子传输层包括：采用溅射工艺形成第一子电子传输层和第二子电子传输层，
所述第二子电子传输层位于所述第一子电子传输层靠近所述量子点发光层的一侧，所述第二子电子传输层的导带底能级大于所述第一子电子传输层的导带底能级，且小于所述量子点发光层的导带底能级，
所述第一子电子传输层为氧化锌薄膜，所述第二子电子传输层为掺杂氧化锌薄膜，
所述第二子电子传输层包括多个子掺杂电子传输层，所述多个子掺杂电子传输层的掺杂浓度从所述第一子电子传输层到所述量子点发光层的方向上逐渐增加，
在所述电子传输层中形成电子阻挡层包括：
在所述两个子电子传输层之间形成所述电子阻挡层；以及
在所述第二子电子传输层内的所述多个子掺杂电子传输层之间形成所述电子阻挡层。
18.根据权利要求17所述的量子点发光结构的制作方法，其中，在所述第一电极上形成所述电子传输层包括：
采用溅射工艺在所述第一电极上形成所述电子传输层。
19.根据权利要求17所述的量子点发光结构的制作方法，其中，所述电子传输层包括N+1个子电子传输层，在所述电子传输层中形成电子阻挡层包括：
在所述N+1个子电子传输层之间形成N个子电子阻挡层，N为大于等于2的正整数。
20.根据权利要求17-19中任一项所述的量子点发光结构的制作方法，其中，在所述电子传输层中形成所述电子阻挡层包括：
采用溅射工艺在所述电子传输层中形成所述电子阻挡层。
21.根据权利要求17-19中任一项所述的量子点发光结构的制作方法，其中，在所述电子传输层远离所述第一电极的一侧形成所述量子点发光层包括：采用喷墨打印工艺在所述电子传输层远离所述第一电极的一侧形成所述量子点发光层。
22.根据权利要求21所述的量子点发光结构的制作方法，其中，在所述第一电极上形成所述电子传输层和所述电子阻挡层之后，在所述电子传输层远离所述第一电极的一侧形成量子点发光层之前，所述制作方法还包括：
在所述电子传输层远离所述第一电极的一侧形成像素限定层，所述像素限定层包括暴露所述电子传输层的开口，
其中，在所述电子传输层远离所述第一电极的一侧形成所述量子点发光层包括：采用喷墨打印工艺在所述开口中形成所述量子点发光层。
23.根据权利要求22所述的量子点发光结构的制作方法，还包括：
采用蒸镀工艺在所述开口中和在所述量子点发光层远离所述第一电极的一侧依次形成空穴传输层、空穴注入层和第二电极。
24.根据权利要求17-19中任一项所述的量子点发光结构的制作方法，还包括：
采用等离子刻蚀或者喷砂处理工艺对所述电子传输层靠近所述量子点发光层的表面进行粗糙化处理，处理后的所述电子传输层靠近所述量子点发光层的均方根表面粗糙度的范围为5-10纳米。
25.根据权利要求17所述的量子点发光结构的制作方法，包括：
在所述第一子电子传输层靠近所述量子点发光层的一侧采用不同的掺杂浓度形成所述多个子掺杂电子传输层，所述多个子掺杂电子传输层形成所述第二子电子传输层，所述多个子掺杂电子传输层的掺杂浓度从所述第一子电子传输层到所述量子点发光层的方向上逐渐增加。
26.根据权利要求18所述的量子点发光结构的制作方法，其中，采用溅射工艺在所述第一电极上形成所述电子传输层包括：
在氩气流量的取值范围为30-50sccm，溅射功率为90-110W的条件下，采用氧化锌靶材在所述第一电极上形成氧化锌薄膜。
27.根据权利要求17所述的量子点发光结构的制作方法，其中，所述第二子电子传输层的掺杂浓度从所述第二子电子传输层靠近所述第一子电子传输层的一侧到所述第二子电子传输层靠近所述量子点发光层的一侧逐渐增大。
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