CN110176545A - 量子点显示面板 - Google Patents
量子点显示面板 Download PDFInfo
- Publication number
- CN110176545A CN110176545A CN201910342630.XA CN201910342630A CN110176545A CN 110176545 A CN110176545 A CN 110176545A CN 201910342630 A CN201910342630 A CN 201910342630A CN 110176545 A CN110176545 A CN 110176545A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- quantum dot
- layer
- display panel
- fluorine
- dot display
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 title claims abstract description 196
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 120
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims abstract description 105
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims abstract description 105
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 103
- 230000027756 respiratory electron transport chain Effects 0.000 claims abstract description 80
- 229920002313 fluoropolymer Polymers 0.000 claims abstract description 22
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 22
- 150000004706 metal oxides Chemical group 0.000 claims abstract description 22
- 239000004811 fluoropolymer Substances 0.000 claims abstract description 21
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 32
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 28
- 238000005192 partition Methods 0.000 claims description 16
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 claims description 15
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 claims description 15
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 11
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- WUPHOULIZUERAE-UHFFFAOYSA-N 3-(oxolan-2-yl)propanoic acid Chemical compound OC(=O)CCC1CCCO1 WUPHOULIZUERAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- MARUHZGHZWCEQU-UHFFFAOYSA-N 5-phenyl-2h-tetrazole Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=NNN=N1 MARUHZGHZWCEQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N Indium phosphide Chemical compound [In]#P GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052980 cadmium sulfide Inorganic materials 0.000 claims description 6
- UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);selenium(2-) Chemical compound [Se-2].[Cd+2] UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 claims description 5
- 230000005611 electricity Effects 0.000 claims description 5
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 5
- 125000005931 tert-butyloxycarbonyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(OC(*)=O)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 claims description 5
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 claims description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 4
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 claims description 2
- 239000010406 cathode material Substances 0.000 claims 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 88
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 25
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 22
- 229960001296 zinc oxide Drugs 0.000 description 14
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 9
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 description 9
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 9
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 9
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 9
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 8
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 7
- 230000008569 process Effects 0.000 description 6
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 6
- 230000008859 change Effects 0.000 description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 5
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 5
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 4
- -1 halide ion Chemical class 0.000 description 4
- 239000006193 liquid solution Substances 0.000 description 4
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 4
- 108091006149 Electron carriers Proteins 0.000 description 3
- 238000001237 Raman spectrum Methods 0.000 description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 description 3
- 230000003760 hair shine Effects 0.000 description 3
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 3
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 3
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 3
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 3
- 230000003679 aging effect Effects 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 2
- 230000002035 prolonged effect Effects 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-M Bromide Chemical compound [Br-] CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- RLHDVQONAFUIOI-UHFFFAOYSA-N C(C)(C)(C)C=C(C(=O)O)C.C(C(=C)C)(=O)OC(C)(C)C Chemical compound C(C)(C)(C)C=C(C(=O)O)C.C(C(=C)C)(=O)OC(C)(C)C RLHDVQONAFUIOI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical group [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 241000549556 Nanos Species 0.000 description 1
- 240000007594 Oryza sativa Species 0.000 description 1
- 235000007164 Oryza sativa Nutrition 0.000 description 1
- 230000001154 acute effect Effects 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 230000005274 electronic transitions Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 150000002221 fluorine Chemical class 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 1
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZEWMZYKTKNUFEF-UHFFFAOYSA-N indium;oxozinc Chemical compound [In].[Zn]=O ZEWMZYKTKNUFEF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-M iodide Chemical group [I-] XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229940006461 iodide ion Drugs 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000010606 normalization Methods 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 238000005424 photoluminescence Methods 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000008439 repair process Effects 0.000 description 1
- 238000012552 review Methods 0.000 description 1
- 235000009566 rice Nutrition 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 238000009738 saturating Methods 0.000 description 1
- 238000010129 solution processing Methods 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001052 transient effect Effects 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
- H10K50/115—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers comprising active inorganic nanostructures, e.g. luminescent quantum dots
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/14—Carrier transporting layers
- H10K50/16—Electron transporting layers
- H10K50/165—Electron transporting layers comprising dopants
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
- H10K85/615—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene
- H10K85/624—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene containing six or more rings
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
本发明公开一种量子点显示面板，包括控制基板、多个电洞载体层、多个量子点发光层、多个电子传输层、阴极以及含氟改质材料。控制基板具有平面以及多个形成于此平面的阳极。这些电洞载体层分别覆盖这些阳极。这些量子点发光层分别形成于这些电洞载体层上。这些电子传输层分别形成于这些量子点发光层上。各个量子点发光层位于电子传输层与电洞载体层之间，而各个电子传输层为金属氧化物层。阴极覆盖这些电子传输层。含氟改质材料覆盖阴极，且含氟改质材料含有半氟聚合物。本发明可提升量子点显示面板的效能。
Description
技术领域
本发明涉及一种显示面板，且特别是有关于一种量子点显示面板。
背景技术
目前的显示器技术已发展出量子点显示面板，其具有比一般显示器(例如传统的液晶显示器)较广的色域(gamut)，因此量子点显示器能提供色饱和度(saturation)较佳的鲜艳影像。此外，目前有的量子点显示面板属于电致发光型(Electroluminescence，EL)显示器，并具有发光层(Emitting Layer，EML)。当量子点显示面板通电并运作时，电子与电洞会在发光层再结合(recombination)而产生光子，以使发光层发光，从而让量子点显示器显示影像。
发明内容
本发明提供一种量子点显示面板，其利用含氟改质材料(fluorinated treatmentmaterial)来提升量子点显示面板的效能(efficiency)。
本发明所提供的量子点显示面板包括包括控制基板、多个电洞载体层、多个量子点发光层、多个电子传输层、阴极以及含氟改质材料。控制基板具有平面以及多个形成于此平面的阳极。这些电洞载体层分别覆盖这些阳极。这些量子点发光层分别形成于这些电洞载体层上。这些电子传输层分别形成于这些量子点发光层上。各个量子点发光层位于电子传输层与电洞载体层之间，而各个电子传输层为金属氧化物层。阴极覆盖这些电子传输层。含氟改质材料覆盖阴极，且含氟改质材料含有半氟聚合物(semi-fluorinated polymer)。
在本发明至少一实施例中，上述含氟改质材料含有重量百分浓度(wt％)30％至50％的氟。
在本发明至少一实施例中，上述半氟聚合物包括以下化学结构：
其中R1为半过氟烷基(semi-perfluoroalkyl)，而R2为氢(H)或叔丁氧羰基(tert-butoxycarbonyl)。
在本发明至少一实施例中，各个量子点发光层具有第一中央区以及围绕第一中央区的第一边缘区。第一中央区相对于控制基板的平面的高度小于第一边缘区相对于此平面的高度。
在本发明至少一实施例中，各个电子传输层具有第二中央区以及围绕第二中央区的第二边缘区。第二中央区相对于平面的高度小于第二边缘区相对于平面的高度。
在本发明至少一实施例中，各个电子传输层的材料选自于由氧化锌(ZnO)、铟锡氧化物(Indium Tin Oxide，ITO)以及铟锌氧化物(Indium Zinc Oxide，IZO)所组成的族群。
在本发明至少一实施例中，各个电子传输层包含多个金属氧化物纳米颗粒。这些金属氧化物纳米颗粒彼此堆叠，且各个金属氧化物纳米颗粒的粒径小于或等于10纳米。
在本发明至少一实施例中，上述阴极为金属层，且阴极的材料包括铝、镁或银。
在本发明至少一实施例中，各个量子点发光层的材料选自于钙钛矿(perovskite)、硫化镉、硒化镉、碲化镉以及磷化铟所组成的族群。
在本发明至少一实施例中，上述量子点显示面板还包括网状隔墙与透明基板。网状隔墙形成于控制基板的平面上，并具有多个网格，其中这些电洞载体层、这些量子点发光层以及这些电子传输层分别位于这些网格内，而阴极更覆盖网状隔墙。透明基板配置于含氟改质材料上，其中含氟改质材料位于透明基板与阴极之间。
本发明因采用含氟改质材料来改善量电子传输层以及与其邻近的膜层(例如量子点发光层与阴极其中至少一者)之间的界面(interface)，以减少被局限(trapped)的电子，从而提升量子点显示面板的效能。
为让本发明的特征和优点能更明显易懂，以下结合附图和具体实施例对本发明进行详细描述，但不作为对本发明的限定。
附图说明
图1A是本发明至少一实施例的量子点显示面板的剖面示意图。
图1B是图1A中的量子点显示面板的放大示意图。
图2A是图1A中的量子点显示面板与对照量子点显示面板两者的电压与电流密度(current density)之间的关系示意图。
图2B是图1A中的量子点显示面板与对照量子点显示面板两者的电压与亮度(luminance)之间的关系示意图。
图2C是图1A中的量子点显示面板与对照量子点显示面板两者的电流密度与电流效率(current efficiency)之间的关系示意图。
图2D是图1A中的量子点显示面板与对照量子点显示面板两者的光谱示意图。
图3A是图1A中的量子点显示面板的瞬时电激发光分析(TransientElectroluminescence Analysis，TrEL Analysis)的示意图。
图3B是对照量子点显示面板的瞬时电激发光分析的示意图。
图4A是用于研究阴极与电子传输层之间界面的多层膜结构的剖面示意图。
图4B是图4A中的多层膜结构的能隙(energy gap)示意图。
图4C是图4A中的多层膜结构与对照多层膜结构两者的电压与电流密度之间的关系示意图。
图4D是图4A中的多层膜结构与对照多层膜结构两者光激发光(Photoluminescence，PL)的光谱示意图。
图5A是用于研究电子传输层与量子点发光层之间界面的多层膜结构的剖面示意图。
图5B是图5A中的多层膜结构的能隙示意图。
图5C是图5A中的多层膜结构与对照多层膜结构两者的电压与电流密度之间的关系示意图。
图5D是图5A中的多层膜结构与对照多层膜结构两者光激发光的光谱示意图。
其中，附图标记：
40c、41c、50c、51c、A10、A11、B10、B11、C10、C11、V070、V075、V080、V170、V175、V180：曲线
40d、41d、50d、51d：光谱
100：量子点显示面板
101：第一侧
102：第二侧
110：控制基板
110s：平面
111：阳极
120：电洞载体层
121：第一电洞传输层
122：第二电洞传输层
123：电洞注入层
130：量子点发光层
131：第一中央区
132：第一边缘区
140：电子传输层
141：第二中央区
142：第二边缘区
143：金属氧化物纳米颗粒
150：阴极
160：含氟改质材料
170：透明基板
180：网状隔墙
181：网格
190：挡墙
400、500：多层膜结构
410：基板
D1、U1：方向
D10、D11：光谱
D30：光谱图
H21、H22、H31、H32、H41、H42：高度
W1：最小宽度
W2：最大宽度
具体实施方式
在以下的内文中，将以相同的元件符号表示相同的元件。其次，为了清楚呈现本案的技术特征，图式中的元件(例如层、膜、基板以及区域等)的尺寸(例如长度、宽度、厚度与深度)会以不等比例的方式放大。因此，下文实施例的说明与解释不受限于图式中的元件所呈现的尺寸与形状，而应涵盖如实际工艺及/或公差所导致的尺寸、形状以及两者的偏差。例如，图式所示的平坦表面可以具有粗糙及/或非线性的特征，而图式所示的锐角可以是圆的。所以，本案图式所呈示的元件主要是用于示意，并非旨在精准地描绘出元件的实际形状，也非用于限制本案的权利要求范围。
其次，本案内容中所出现的「约」、「近似」或「实质上」等这类用字不仅涵盖明确记载的数值与数值范围，而且也涵盖发明所属技术领域中具有通常知识者所能理解的可允许偏差范围，其中此偏差范围可由测量时所产生的误差来决定，而此误差例如是起因于测量系统或工艺条件两者的限制。此外，「约」可表示在上述数值的一个或多个标准偏差内，例如±30％、±20％、±10％或±5％内。本案文中所出现的「约」、「近似」或「实质上」等这类用字可依光学性质、蚀刻性质、机械性质或其它性质来选择可以接受的偏差范围或标准偏差，并非单以一个标准偏差来套用以上光学性质、蚀刻性质、机械性质以及其它性质等所有性质。
图1A是本发明至少一实施例的量子点显示面板的剖面示意图。请参阅图1A，量子点显示面板100包括控制基板110以及多个电洞载体层120，其中这些电洞载体层120皆形成于控制基板110的一侧。详细而言，控制基板110具有平面110s以及多个形成于平面110s的阳极111。这些电洞载体层120分别覆盖这些阳极111，且可以接触这些阳极111，但不限制于本发明至少一实施例。这些阳极111可呈阵列排列，并且可以是金属层或透明导电膜(Transparent Conductive Film，TCF)，其中阳极111可以是金属层与透明导电膜至少一种彼此组合而成。例如，阳极111可以是由至少两种膜层堆叠而成，其中这些膜层可皆为金属层或透明导电膜，或者这些膜层可包括金属层与透明导电膜。阳极111可以是透明(tranparent)或不透光(opaque)。阳极111可利用物理气相沉积(Physical VaporDeposition，PVD)来形成，例如溅镀(sputtering)或蒸镀(evaporation)。
上述透明导电膜的材料可以是透明金属氧化物(Transparent ConductiveOxide，TCO)，例如氧化锌(ZnO)、铟锡氧化物(ITO)或铟锌氧化物(IZO)，或是这些透明金属氧化物的任意组合。例如，阳极111可以是氧化锌层或铟锡氧化物层，或是氧化锌与铟锌氧化物混合而成的膜层。当然，阳极111也可由其它透明导电材料所形成，所以构成阳极111的材料不限定是氧化锌、铟锡氧化物与铟锌氧化物其中至少一者。
控制基板110例如是元件阵列基板(component array substrate)，并具有多个控制元件(未绘示)，其中控制元件可为二极管或晶体管，例如薄膜晶体管(Thin FilmTransistor，TFT)。所以，控制基板110可为主动元件阵列基板(控制元件例如是晶体管)或被动元件阵列基板(控制元件例如是二极管)。
控制基板110的结构实质上可相同于液晶显示面板(Liquid Cryatal DisplayPanel，LCD Panel)与有机发光二极管显示面板(Organic Light-Emitting Diode DisplayPanel，OLED Display Panel)两者元件阵列基板的结构，且控制基板110的制造方法也相似于液晶显示面板与有机发光二极管显示面板两者元件阵列基板的制造方法。所以，即使图1A未绘示出控制元件，本发明所属技术领域中具有通常知识者也知晓控制基板110的结构与制造方法。
量子点显示面板100还包括多个量子点发光层130以及多个电子传输层140，其中这些量子点发光层130分别形成于这些电洞载体层120上，而这些多个电子传输层140分别形成于这些量子点发光层130上。所以，各个量子点发光层130会位于电子传输层140与电洞载体层120之间，其中各个量子点发光层130可以接触电子传输层140与电洞载体层120，但不限制于本发明至少一实施例。电子传输层140为无机材料层。例如，各个电子传输层140为金属氧化物层，其材料可以是透明金属氧化物。
例如，各个电子传输层140的材料可选自于由氧化锌、铟锡氧化物以及铟锌氧化物所组成的族群。也就是说，电子传输层140可以是氧化锌层、铟锡氧化物层或铟锌氧化物层，或是氧化锌、铟锡氧化物与铟锌氧化物其中至少两者混合而成。当然，电子传输层140也可含有氧化锌、铟锡氧化物与铟锌氧化物以外的材料，所以构成电子传输层140的材料不限定是以上透明金属氧化物。
量子点显示面板100还包括阴极150，其中阴极150覆盖这些电子传输层140。阴极150也可接触这些电子传输层140，如图1A所示，但不限制于本发明至少一实施例。阴极150的材料可以包括铝、镁或银，其中镁以及银能制作成可透光的薄金属层，以使阴极150成为半透明(translucent)或透明的膜层。或者，阴极150也可以是由铝所制成的不透光的厚金属层。或者，阴极150也可以是由金属氧化物所制成的透明导电电极。换句话说，阴极150可以是透明、半透明或不透光。此外，阴极150可以利用物理气相沉积(例如溅镀或蒸镀)来形成。
电子传输层140的主要载子为电子，而电洞载体层120的主要载子为电洞。阴极150与阳极111能接收外部电源所输入的电能，以使电子传输层140能注入电子至量子点发光层130，电洞载体层120能注入电洞至量子点发光层130。如此，电子与电洞可在量子点发光层130内再结合而产生光子，以使量子点显示面板100发光，从而能显示影像。
由于阴极150可为透明、半透明或不透光，因此量子点发光层130所发出的光线可从阴极150与阳极111其中至少一者出射。当阴极150透明或半透明时，量子点发光层130的光线可沿着方向U1传递，以使影像能显示于量子点显示面板100的第一侧101。当阴极150不透光时，量子点发光层130的光线可沿着方向D1传递，以使影像能显示于量子点显示面板100的第二侧102，其中第一侧101相对于第二侧102。此外，当阴极150透明或半透明时，量子点发光层130的多道光线可以沿着方向U1与方向D1传递，以使影像能同时显示于量子点显示面板100的第一侧101与第二侧102，即量子点显示面板100可以制作成透明显示器。
各个量子点发光层130含有多个量子点，且为无机材料层。各个量子点发光层130的材料可选自于钙钛矿、硫化镉、硒化镉、碲化镉以及磷化铟所组成的族群。也就是说，量子点发光层130内的量子点材料可包括钙钛矿、硫化镉、硒化镉、碲化镉以及磷化铟其中至少一种。此外，除了以上材料之外，量子点发光层130也可包括其它材料，所以量子点发光层130的材料不限定包括钙钛矿、硫化镉、硒化镉、碲化镉与磷化铟其中任一种。
当量子点发光层130的材料为硫化镉、硒化镉或碲化镉、磷化铟或这些材料的任意结合时，可改变量子点发光层130内的量子点尺寸来得到预定的能隙，以使量子点发光层130能发出具预定波长的光线。当量子点发光层130的材料为钙钛矿时，量子点发光层130内的量子点可具有键结的卤素离子(halogen ion)，而量子点发光层130的能隙可由不同种类的卤素离子来决定，以使量子点发光层130能发出预定波长的光线。举例而言，具有氯离子的钙钛矿(CsPbCl3)能发出蓝光，具有溴离子的钙钛矿(CsPbBr3)能发出绿光，而具有碘离子的钙钛矿(CsPbI3)能发出红光。
量子点显示面板100还包括含氟改质材料160，其覆盖阴极150。图1A所示的含氟改质材料160可以全面性覆盖阴极150，并可接触阴极150，但不限制于本发明至少一实施例。含氟改质材料160可以是一种光刻胶材料，其基本上不会伤害有机发光二极管(OLED)的膜层。含氟改质材料160含有半氟聚合物，其中半氟聚合物是指部分氢原子被氟原子取代的聚合物。如果聚合物内的所有氢原子都被氟原子取代，则此聚合物为全氟聚合物(perfluorinated polymer)。
一般而言，半氟聚合物可以具有碳-氢键与碳-氟键。然而，全氟聚合物可以具有碳-氟键，但通常不具有碳-氢键。因此，半氟聚合物与全氟聚合物两者的化学键(chemicalbond)理应不相同，所以化学主结构都一样的半氟聚合物与全氟聚合物两者的拉曼光谱(Raman spectrum)会呈现彼此不同的结果。换句话说，在半氟聚合物与全氟聚合物两者化学主结构相同的条件下，可以利用拉曼光谱来分辨半氟聚合物以及全氟聚合物。
在本实施例中，上述半氟聚合物可以包括以下化学式(一)所示的化学结构。在化学式(一)中，R1为半过氟烷基，例如(CH2)n(CF2)mCF3，其中碳(C)的个数可为1至12，而n与m为正整数。R2为氢(H)、叔丁氧羰基(tert-butoxycarbonyl)或甲基丙烯酸叔丁酯(tert-butyl methacrylate)。
此外，上述半氟聚合物还可包括共聚物(copolymer)，其具有以下化学式(二)的化学主结构，其中R3可为氢氧根(OH-)或以下化学式(三)或化学式(四)的化学结构。
在本实施例中，量子点显示面板100的效能可随着含氟改质材料160中的氟的重量百分浓度变化而改变，如以下表格(一)所示。
表格(一)
样品A、B以及C分别代表三种不同量子点显示面板100的蓝色画素(blue pixel)，且在样品A、B与C中，三者的电子传输层140的材料皆为氧化锌，而三者的含氟改质材料160含有不同重量百分浓度的氟，其中样品A含有重量百分浓度约37％的氟，样品B含有重量百分浓度小于30％的氟，而样品C含有重量百分浓度大于50％的氟。所以，样品C中的氟的重量百分浓度最高，而样品B中的氟的重量百分浓度最低。样品A中的氟的重量百分浓度介于样品B与C之间。
另外，在表格(一)中，「起始电压」是指当样品A、B与C的亮度达到1000坎德拉/每平方米(cd/m2)时，输入至样品A、B与C的电压值，其中坎德拉/每平方米也可称为尼特(nit)。「CIE1931色度图x」与「CIE1931色度图y」分别代表CIE1931色度图中的坐标X值与Y值，并且表示样品A、B与C所发出的光线的颜色(其为蓝色)在CIE1931色度图上的坐标。「电流效率(LE)」所示的单位cd/A是指「坎德拉/安培」，而「电流效率/y值(LE/y)」是指「电流效率(LE)」与「CIE1931色度图y」之间的比值。
从表格(一)来看，样品A、B以及C三者的峰值波长与半高宽((Full Width at HalfMaximum，FWHM))十分相近，差异甚小。这表示含氟改质材料160的氟的重量百分浓度实质上不会影响量子点显示面板100所发出的光线的波长，即上述氟的重量百分浓度实质上不会影响电子与电洞之间的再结合。其次，在样品A、B与C中，样品A具有最低的起始电压以及最大的电流效率、电流效率/y值与外部量子效率。可见，样品A的效能比样品B与C佳。
由此可知，含氟改质材料160所含的氟的重量百分浓度越多(例如样品C)或越少(例如样品B)并不能使量子点显示面板100达到最佳化的效能，而在本实施例中，含氟改质材料160可以含有重量百分浓度30％至50％的氟，例如重量百分浓度约37％的氟，以使量子点显示面板100在起始电压、电流效率、电流效率/y值以及外部量子效率方面能有好的表现。不过，必须说明的是，含氟改质材料160也可含有上述重量百分浓度范围以外的氟，所以含氟改质材料160内的氟不限定只能介于以上重量百分浓度的范围内。
量子点显示面板100可以还包括网状隔墙180。网状隔墙180形成于控制基板110的平面110s上，并具有多个网格181，其中这些网格181是从网状隔墙180的一侧(例如上侧)延伸至相对侧(例如下侧)，所以网格181为贯孔。这些网格181分别对准(aligning to)这些阳极111，所以这些网格181可呈阵列排列。这些电洞载体层120、这些量子点发光层130及这些电子传输层140分别位于这些网格181内，并在这些网格181内堆叠。
由于各个网格181为贯孔，并且对准阳极111，所以网状隔墙180不会全面覆盖阳极111。以图1A为例，网状隔墙180仅覆盖阳极111的边缘区域，但不覆盖阳极111的中央区域。此外，这些网格181能定义量子点显示面板100的次画素(sub-pixel)，例如红色画素、绿色画素及蓝色画素，而阴极150更全面性地覆盖网状隔墙180。
量子点显示面板100可以还包括透明基板170，其可以是蓝宝石基板、玻璃板或透明塑料板，其中透明塑料板例如是由聚甲基丙烯酸甲酯(Poly(methyl methacrylate)，PMMA，即压克力)所制成。透明基板170配置于含氟改质材料160上，而含氟改质材料160位于透明基板170与阴极150之间，其中含氟改质材料160会填满透明基板170与阴极150之间的空间。此外，量子点显示面板100可还包括挡墙(dam)190，其连接于透明基板170与控制基板110之间，其中挡墙190可位于控制基板110的边缘区域，并且围绕网状隔墙180。
图1B是图1A中的量子点显示面板的放大示意图。请参阅图1A与图1B，电洞载体层120、量子点发光层130以及电子传输层140皆可采用溶液工艺(soluble process)来形成。也就是说，电洞载体层120、量子点发光层130与电子传输层140可用液态溶液来形成。例如，在形成网状隔墙180之后，可将多种液态溶液依序喷入或滴入于这些网格181内，以依序形成电洞载体层120、量子点发光层130以及电子传输层140。由于这些液态溶液的内聚力(cohesion)小于这些液态溶液与网状隔墙180之间的附着力(adhesion)，因此这些用溶液制程所形成的膜层会出现中央区域较周围区域凹下的特征。
具体而言，在同一个电洞载体层120中，电洞载体层120的中央相对于控制基板110平面110s的高度H21小于该电洞载体层120的边缘相对于平面110s的高度H22，如图1B所示。同理，量子点发光层130与电子传输层140也具有中央比周围低的特征。各个量子点发光层130具有第一中央区131以及围绕第一中央区131的第一边缘区132，其中第一中央区131相对于平面110s的高度H31小于第一边缘区132相对于平面110s的高度H32。各个电子传输层140具有第二中央区141以及围绕第二中央区141的第二边缘区142，其中第二中央区141相对于平面110s的高度H41小于第二边缘区142相对于平面110s的高度H42。
特别一提的是，网状隔墙180可由光阻材料来形成，所以网状隔墙180可经过曝光与显影之后的光刻胶，其中网格181是在曝光与显影之后而形成，而各个网格181的宽度并不均匀。以图1B为例，网格181的最小宽度W1位于邻近阳极111的底部，而网格181的最大宽度W2位于阴极150处，其中网格181是从阴极150朝向阳极111逐渐变窄。所以，从图1B来看，网格181具有下窄上宽的结构。
另外，各个电子传输层140可包含多个金属氧化物纳米颗粒143，其中这些金属氧化物纳米颗粒143彼此堆叠。各个金属氧化物纳米颗粒143的粒径小于或等于10纳米，例如5纳米，所以这些金属氧化物纳米颗粒143具有量子局限效应(quantum confinementeffect)。因此，金属氧化物纳米颗粒143具有明显不同于一般金属氧化物薄膜的特征。例如，当电子传输层140的材料为氧化锌时，电子传输层140可由多个彼此堆叠的氧化锌纳米颗粒所形成，所以电子传输层140与一般物理气相沉积或化学气相沉积(Chemical VaporDeposition，CVD)所形成氧化锌薄膜两者的物理及化学特征明显不相同。换句话说，即使材料相同，由多个金属氧化物纳米颗粒143所形成的电子传输层140实质上不等同于一般物理气相沉积或化学气相沉积所形成的金属氧化物薄膜。
在本实施例中，电洞载体层120可包括有机材料层，且可为多层膜，即电洞载体层120可包括多层彼此堆叠的膜层。以图1B为例，各个电洞载体层120包括第一电洞传输层121、第二电洞传输层122以及电洞注入层123，而在同一层电洞载体层120中，第一电洞传输层121、第二电洞传输层122以及电洞注入层123彼此堆叠，其中第一电洞传输层121、第二电洞传输层122与电洞注入层123皆可采用溶液工艺来形成。此外，在图1B所示的实施例中，第一电洞传输层121与第二电洞传输层122可皆为有机材料层，所以电洞载体层120可包括至少两层有机材料层，但在其它实施例中，电洞载体层120可包括三层或三层以上的有机材料层。所以，图1B所示的电洞载体层120仅供举例说明，并非用于限制电洞载体层120所包括的有机材料层的数量。
值得一提的是，含氟改质材料160能产生正向老化效应(positvie aging)，以使在不实质改变量子点显示面板100的发光波长的条件下，含氟改质材料160能提升量子点显示面板100的效能，例如提升亮度、电流密度以及电流效率，如图2A至图2D所示，其中图2A至图2D皆是采用相同的材料组成与相同的制造方法所制成的量子点显示面板100来进行测量。
图2A是图1A中的量子点显示面板与对照量子点显示面板两者的电压与电流密度之间的关系示意图。请参阅图1B与图2A，在图2A中，曲线A10代表量子点显示面板100，而曲线A11代表对照量子点显示面板，其中量子点显示面板100与对照量子点显示面板两者之间的差异仅在于含氟改质材料160的有无。换句话说，曲线A10代表包括含氟改质材料160的量子点显示面板100，而曲线A11代表未包括含氟改质材料160的量子点显示面板100。
从图2A来看，在输入相同电压的条件下，量子点显示面板100能达到较大的电流密度，而对照量子点显示面板却达到较小的电流密度。换句话说，在达到相同电流密度的条件下，量子点显示面板100所需的电压会低于对照量子点显示面板所需的电压。以图2A为例，在同样达到电流密度为10毫安/平方厘米(mA/cm2)的条件下，量子点显示面板100(曲线A10)需要约5.8伏特电压，但是对照量子点显示面板(曲线A11)却需要7.3伏特电压。
由此可见，包括含氟改质材料160的量子点显示面板100显然具有较佳的电流密度特性，即含氟改质材料160能改善电流密度。此外，图2A所示的曲线A10是在含氟改质材料160完成后经过至少3分钟所测量得到。也就是说，在形成含氟改质材料160之后，无须经过长时间的等待(例如1小时，甚至是超过1天)，量子点显示面板100在电流密度方面就有不错的表现。
图2B是图1A中的量子点显示面板与对照量子点显示面板两者的电压与亮度之间的关系示意图。请参阅图1B与图2B，图2B所示的曲线B10与B11分别代表量子点显示面板100以及对照量子点显示面板，其中曲线B10所代表的量子点显示面板100包括含氟改质材料160，且曲线B10也是在含氟改质材料160完成后经过至少3分钟所测量得到。曲线B11所代表的对照量子点显示面板未包括含氟改质材料160，而图2A与图2B所测量的对照量子点显示面板皆采用相同的材料组成以及相同的制造方法。从图2B来看，在输入相同电压的条件下，量子点显示面板100能达到较高的亮度，而对照量子点显示面板却达到较低的亮度。因此，含氟改质材料160可以在短时间内(至少3分钟)改善量子点显示面板100的亮度，从而提升量子点显示面板100的发光效能。
图2C是图1A中的量子点显示面板与对照量子点显示面板两者的电流密度与电流效率之间的关系示意图，其中图2C所示的曲线C10与C11分别代表量子点显示面板100与对照量子点显示面板。与图2A相同，曲线C10所代表的量子点显示面板100包括含氟改质材料160，而曲线C11所代表的对照量子点显示面板未包括含氟改质材料160。此外，图2C所示的曲线C10也是在含氟改质材料160完成后经过至少3分钟所测量得到，而图2A与图2C所表示的对照量子点显示面板也是采用相同的材料组成以及相同的制造方法。
从图2C来看，在相同的电流密度下，相较于对照量子点显示面板，量子点显示面板100具有较高的电流效率。以图2C为例，量子点显示面板100(曲线C10)的最大电流效率为2.21cd/A，而对照量子点显示面板(曲线C11)的最大电流效率为1.62cd/A。由此可见，含氟改质材料160也能在短时间内(至少3分钟)改善量子点显示面板100的电流效率。
图2D是图1A中的量子点显示面板与对照量子点显示面板两者的光谱示意图。请参阅图1B与图2D，图2D所示的光谱D10与D11分别代表量子点显示面板100以及对照量子点显示面板，其中图2D所示的对照量子点显示面板所采用的材料组成与制造方法皆相同于图2A所示的对照量子点显示面板。另外，光谱D10也是在含氟改质材料160完成后经过至少3分钟所测量得到。
从图2D来看，量子点显示面板100与对照量子点显示面板两者的光谱D10与D11相似。即使将位于峰值处的光谱放大成光谱图D30，仍可以发现光谱D10与D11两者差异很小。这表示含氟改质材料160实质上不会影响电子与电洞之间的再结合。因此，量子点显示面板100所发出的光线的波长实质上是不受含氟改质材料160的影响。此外，特别一提的是，以上图2A至图2D中的曲线A10、B10、C10以及光谱D10所代表的量子点显示面板100，其含氟改质材料160含有重量百分浓度约37％的氟，如同表格(一)的样品A。
图3A是图1A中的量子点显示面板的瞬时电激发光分析的示意图，而图3B是对照量子点显示面板的瞬时电激发光分析的示意图。请参阅图3A与图3B，图3A的瞬时电激发光分析是针对包括含氟改质材料160的量子点显示面板100，其中此含氟改质材料160可含有重量百分浓度约37％的氟，而图3A也是在含氟改质材料160完成后经过至少3分钟所测量得到。图3B的瞬时电激发光分析是针对未包括含氟改质材料160的量子点显示面板100，且图3A所表示的量子点显示面板100与图3B所表示的对照量子点显示面板两者差异仅在于含氟改质材料160的有无。此外，图3A所表示的量子点显示面板100所采用的材料组成与制造方法皆相同于图2A所表示的量子点显示面板100。
在图3A中，曲线V070、V075与V080分别代表为启动量子点显示面板100发光所输入的不同电压，其中曲线V070意指输入7伏特电压至量子点显示面板100，曲线V075意指输入7.5伏特电压至量子点显示面板100，而曲线V080意指输入8伏特电压至量子点显示面板100。同理，在图3B中，曲线V170意指输入7伏特电压至对照量子点显示面板，曲线V175意指输入7.5伏特电压至对照量子点显示面板，而曲线V180意指输入8伏特电压至对照量子点显示面板。
比较图3A与图3B，在输入相同电压的条件下，不论是输入电压是7伏特、7.5伏特或8伏特，量子点显示面板100从开始到发出饱和强度的光线的时间明显少于对照量子点显示面板从开始到发出饱和强度的光线的时间，其中饱和强度是指最大强度的光线，即饱和强度是指图3A与图3B中等于1的规一化光强度(normalized intensity)。以图3A为例，当以7至8伏特电压启动量子点显示面板100发光时，量子点显示面板100在启动后5微秒内所发出的光线的强度可大于50％的饱和强度，其中50％的饱和强度是指图3A中等于0.5的规一化光强度。
反观，在图3B中，当以7至8伏特电压启动对照量子点显示面板发光时，对照量子点显示面板在启动后5微秒内所发出的光线的强度仍不及50％的饱和强度。也就是说，与未包括含氟改质材料160的对照量子点显示面板相比，包括含氟改质材料160的量子点显示面板100能较快速地发出饱和强度的光线。由此可知，含氟改质材料160确实能缩短量子点显示面板100发出饱和强度的光线的时间，以加速量子点显示面板100的光线达到饱和强度。
根据以上图2A至图2D、图3A以及图3B，含氟改质材料160确实能在实质上不改变量子点显示面板100光谱的条件下，提升电流密度、发光功率以及电流效率，并能缩短达到饱和强度的时间。因此，合理推测含氟改质材料160有改善电子载体层(即阴极150与电子传输层140)界面的功效。例如，含氟改质材料160的半氟聚合物所扩散出来的离子或原子能修补阴极150与电子传输层140之间以及电子传输层140与量子点发光层130之间其中至少一处界面的缺陷(defect)，以减少被局限的电子。图4A与图5A提出两种多层膜结构400与500来分别形成以上两处的界面，以研究含氟改质材料160对上述两处界面的影响。
图4A是用于研究阴极与电子传输层之间界面的多层膜结构的剖面示意图，而图4B是图4A中的多层膜结构的能隙示意图。请参阅图4A与图4B，多层膜结构400是一种纯电子载体元件(electron only device)，即多层膜结构400内的主要载子为电子。多层膜结构400包括基板410、电子传输层140、阴极150以及含氟改质材料160。与图1B所示的量子点显示面板100相似，在图4A所示的多层膜结构400中，电子传输层140、阴极150以及含氟改质材料160也是依序堆叠于基板410上，而电子传输层140位于基板410与阴极150之间。
在图4A所示的实施例中，电子传输层140是由多个彼此堆叠的氧化锌纳米颗粒所形成，而阴极150为铝金属层，其中电子传输层140(氧化锌)具有较高的能阶，而阴极150(铝)具有较低的能阶，如图4B所示。由于多层膜结构400为纯电子载体元件，所以图4B仅绘示上半部供电子跃迁的能隙，省略绘示下半部供电洞跃迁的能隙。基板410为金属氧化物基板，其具有一层金属氧化物薄膜，而图4A所示的基板410为铟锡氧化物基板，并具有一层铟锡氧化物薄膜(未绘示)，其可以与电子传输层140接触。从图4B来看，基板410的能阶(即铟锡氧化物的能阶)低于阴极150的能阶。此外，铟锡氧化物(基板410)的能阶约为-5.2eV，而铝金属层(阴极150)的能阶约为-4.3eV。
图4C是图4A中的多层膜结构与对照多层膜结构两者的电压与电流密度之间的关系示意图。请参阅图4A与图4C，图4C中的曲线40c代表图4A中的多层膜结构400，而曲线41c代表对照多层膜结构。对照多层膜结构与多层膜结构400相似，惟两者差异仅在于含氟改质材料160的有无，即多层膜结构400包括含氟改质材料160，但对照多层膜结构未包括含氟改质材料160。从图4C来看，对照多层膜结构与多层膜结构400两者的电压与电流密度之间的变化相似，即两者在电流密度方面的表现没有很大的差异，因此推测含氟改质材料160对于电子传输层140与阴极150之间的界面较无显著的影响。
图4D是图4A中的多层膜结构与对照多层膜结构两者光激发光的光谱示意图，其中图4D是用紫外光激光束照射于图4A中的多层膜结构400与上述对照多层膜结构来达到光激发光的现象，而上述紫外光激光束的波长可介于380纳米至400纳米之间。请参阅图4A与图4D，图4D中的光谱40d代表图4A中的多层膜结构400，而光谱41d代表上述对照多层膜结构。从图4D来看，光谱40d与光谱41d相似，甚至两者大部分区段彼此重叠。这表示含氟改质材料160实质上不会影响阴极150与电子传输层140之间界面的能阶。
图5A是用于研究电子传输层与量子点发光层之间界面的多层膜结构的剖面示意图，而图5B是图5A中的多层膜结构的能隙示意图。请参阅图5A与图5B，多层膜结构500也是纯电子载体元件，并包括基板410、两层电子传输层140、量子点发光层130、阴极150以及含氟改质材料160，其中这两层电子传输层140、量子点发光层130以及阴极150皆配置于基板410上。量子点发光层130形成于这两层电子传输层140之间，其中一层电子传输层140形成在基板410上，而阴极150形成在另一层电子传输层140上。此外，除了量子点发光层130外，图5A中的多层膜结构500与图4A中的多层膜结构400两者膜层的构成材料都相同。
图5C是图5A中的多层膜结构与对照多层膜结构两者的电压与电流密度之间的关系示意图。请参阅图5A与图5C，图5C中的曲线50c代表图5A中的多层膜结构500，而曲线51c代表对照多层膜结构，其中多层膜结构500包括含氟改质材料160，而对照多层膜结构未包括含氟改质材料160，即多层膜结构500与对照多层膜结构两者差异仅在于含氟改质材料160的有无。
从图5C来看，当输入相同电压至多层膜结构500与对照多层膜结构时，多层膜结构500所达到的电流密度明显大于对照多层膜结构所达到的电流密度。由此可见，含氟改质材料160确实能改善电子传输层140与量子点发光层130之间的界面。例如，含氟改质材料160可能会修复存在于电子传输层140与量子点发光层130之间界面的缺陷，以减少被局限的电子，从而提升电流密度。
图5D是图5A中的多层膜结构与对照多层膜结构两者光激发光的光谱示意图，其中图5D是用紫外光激光束照射于图5A中的多层膜结构500与上述对照多层膜结构来达到光激发光，而图5D所采用的紫外光激光束相同于图4D所采用的紫外光激光束。请参阅图5A与图5D，图5D中的光谱50d代表图5A中的多层膜结构500，而光谱51d代表上述对照多层膜结构。从图5D来看，光谱50d的峰值波长与光谱51d的峰值波长两者实质上相同，且在峰值以外的区段，光谱50d与光谱51d相当相似，甚至重叠。换句话说，含氟改质材料160实质上也不会影响电子传输层140以及量子点发光层130之间界面的能阶。
不过，光谱50d的峰值强度明显高于光谱51d的峰值强度。这表示在多层膜结构500中，对应峰值强度的能隙可被紫外光激光束激发出更多的光子。相较于对照多层膜结构，在多层膜结构500中，电子传输层140与量子点发光层130之间的界面存有较多未被局限的电子，所以紫外光激光束能激发出较多电子，以产生更多光子，从而提高光谱50d的峰值强度。由此可知，含氟改质材料160能改善电子传输层140与量子点发光层130之间的界面，例如修复上述界面内的缺陷，以减少被局限的电子，从而提升电流密度等效能。
根据以上图4C、图4D、图5C以及图5D所示的结果，含氟改质材料160确实能改善电子传输层140与量子点发光层130之间的界面，但对于电子传输层140与阴极150之间的界面没有显著的影响。然而，必须强调的是，图4C、图4D、图5C与图5D所示的结果是基于电子传输层140由多个彼此堆叠的氧化锌纳米颗粒所形成以及阴极150为铝金属层的前提下。
倘若电子传输层140与阴极150两者采用其它材料，含氟改质材料160也能影响并改善电子传输层140与阴极150之间的界面。因此，在图4A至图5D的实施例中，含氟改质材料160能改善电子传输层140与量子点发光层130之间的界面，但在其它实施例中，含氟改质材料160也能改善电子传输层140与阴极150之间的界面，或是一起改善这两界面。所以，含氟改质材料160不限定只能改善电子传输层140与量子点发光层130之间的界面。
综上所述，利用上述含氟改质材料，能产生正向老化效应，以改善量电子传输层以及与其邻近的膜层之间的界面，例如修补存在于电子传输层与量子点发光层之间界面的缺陷，以减少被局限(trapped)的电子。如此，上述含氟改质材料得以提升量子点显示面板的效能。
虽然本发明已以实施例揭露如上，然其并非用以限定本发明。当然，本发明还可有其它多种实施例，在不背离本发明精神及其实质的情况下，熟悉本领域的技术人员可根据本发明作出各种相应的改变和变形，但这些相应的改变和变形都应属于本发明权利要求的保护范围。
Claims (10)
1.一种量子点显示面板，其特征在于，包括：
一控制基板，具有一平面以及多个形成于该平面的阳极；
多个电洞载体层，分别覆盖所述阳极；
多个量子点发光层，分别形成于所述电洞载体层上；
多个电子传输层，分别形成于所述量子点发光层上，其中各该量子点发光层位于该电子传输层与该电洞载体层之间，而各该电子传输层为金属氧化物层；
一阴极，覆盖所述电子传输层；以及
一含氟改质材料，覆盖该阴极，其中该含氟改质材料含有一半氟聚合物。
2.根据权利要求1所述的量子点显示面板，其特征在于，该含氟改质材料含有重量百分浓度30％至50％的氟。
3.根据权利要求1所述的量子点显示面板，其特征在于，该半氟聚合物包括以下化学结构：
其中R1为半过氟烷基，而R2为氢或叔丁氧羰基。
4.根据权利要求1所述的量子点显示面板，其特征在于，各该量子点发光层具有一第一中央区以及一围绕该第一中央区的第一边缘区，该第一中央区相对于该控制基板的该平面的高度小于该第一边缘区相对于该平面的高度。
5.根据权利要求4所述的量子点显示面板，其特征在于，各该电子传输层具有一第二中央区以及一围绕该第二中央区的第二边缘区，该第二中央区相对于该平面的高度小于该第二边缘区相对于该平面的高度。
6.根据权利要求1所述的量子点显示面板，其特征在于，各该电子传输层的材料选自于由氧化锌、铟锡氧化物以及铟锌氧化物所组成的族群。
7.根据权利要求1所述的量子点显示面板，其特征在于，各该电子传输层包含多个金属氧化物纳米颗粒，所述金属氧化物纳米颗粒彼此堆叠，且各该金属氧化物纳米颗粒的粒径小于或等于10纳米。
8.根据权利要求1所述的量子点显示面板，其特征在于，该阴极为金属层，且该阴极的材料包括铝、镁或银。
9.根据权利要求1所述的量子点显示面板，其特征在于，各该量子点发光层的材料选自于钙钛矿、硫化镉、硒化镉、碲化镉以及磷化铟所组成的族群。
10.根据权利要求1所述的量子点显示面板，其特征在于，还包括：
一网状隔墙，形成于该控制基板的该平面上，并具有多个网格，其中所述电洞载体层、所述量子点发光层以及所述电子传输层分别位于所述网格内，而该阴极更覆盖该网状隔墙；以及
一透明基板，配置于该含氟改质材料上，其中该含氟改质材料位于该透明基板与该阴极之间。
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US201862688635P | 2018-06-22 | 2018-06-22 | |
| US62/688,635 | 2018-06-22 | ||
| TW108109084A TWI710832B (zh) | 2018-06-22 | 2019-03-18 | 量子點顯示面板 |
| TW108109084 | 2019-03-18 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN110176545A true CN110176545A (zh) | 2019-08-27 |
| CN110176545B CN110176545B (zh) | 2021-03-16 |
Family
ID=67690191
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201910342630.XA Active CN110176545B (zh) | 2018-06-22 | 2019-04-26 | 量子点显示面板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN110176545B (zh) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2021051493A1 (zh) * | 2019-09-16 | 2021-03-25 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板和显示面板的制作方法 |
| WO2022143834A1 (zh) * | 2020-12-31 | 2022-07-07 | Tcl科技集团股份有限公司 | 量子点发光二极管及其制备方法 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102931352A (zh) * | 2012-11-07 | 2013-02-13 | 天津理工大学 | 一种以三氟乙酸铯为阴极修饰层的有机光伏电池及其制备 |
| US20140110689A1 (en) * | 2012-10-18 | 2014-04-24 | Gwangju Institute Of Science And Technology | Semi-fluoroalkyl group substituted organic semiconductor polymer and organic thin film transistor including the same |
| CN103928627A (zh) * | 2013-01-11 | 2014-07-16 | 海洋王照明科技股份有限公司 | 一种修饰氧化铟锡阳极及其制备方法和有机电致发光器件 |
| CN103928615A (zh) * | 2014-05-05 | 2014-07-16 | 华北电力大学 | 一种自组装型聚合物太阳电池阴极修饰材料及其修饰方法 |
| CN106601922A (zh) * | 2016-12-15 | 2017-04-26 | Tcl集团股份有限公司 | 一种量子点显示面板及其制作方法 |
-
2019
- 2019-04-26 CN CN201910342630.XA patent/CN110176545B/zh active Active
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20140110689A1 (en) * | 2012-10-18 | 2014-04-24 | Gwangju Institute Of Science And Technology | Semi-fluoroalkyl group substituted organic semiconductor polymer and organic thin film transistor including the same |
| CN102931352A (zh) * | 2012-11-07 | 2013-02-13 | 天津理工大学 | 一种以三氟乙酸铯为阴极修饰层的有机光伏电池及其制备 |
| CN103928627A (zh) * | 2013-01-11 | 2014-07-16 | 海洋王照明科技股份有限公司 | 一种修饰氧化铟锡阳极及其制备方法和有机电致发光器件 |
| CN103928615A (zh) * | 2014-05-05 | 2014-07-16 | 华北电力大学 | 一种自组装型聚合物太阳电池阴极修饰材料及其修饰方法 |
| CN106601922A (zh) * | 2016-12-15 | 2017-04-26 | Tcl集团股份有限公司 | 一种量子点显示面板及其制作方法 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2021051493A1 (zh) * | 2019-09-16 | 2021-03-25 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板和显示面板的制作方法 |
| US11329112B2 (en) * | 2019-09-16 | 2022-05-10 | Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. | Display panel and manufacturing method of display panel |
| WO2022143834A1 (zh) * | 2020-12-31 | 2022-07-07 | Tcl科技集团股份有限公司 | 量子点发光二极管及其制备方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN110176545B (zh) | 2021-03-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI710832B (zh) | 量子點顯示面板 | |
| US8963414B2 (en) | Organic electroluminescent device, lighting apparatus, and method for manufacturing the organic electroluminescent device | |
| US9484545B2 (en) | Organic electroluminescent element and lighting device | |
| TWI495175B (zh) | 有機電致發光元件 | |
| JP5603897B2 (ja) | 有機電界発光素子及び照明装置 | |
| TW200427366A (en) | Light-emitting apparatus and method for forming the same | |
| JP2021533520A (ja) | Ｏｌｅｄ表示基板及びその製造方法、表示装置 | |
| JP2005317548A (ja) | マルチカラー電子発光ディスプレイ | |
| JP2013037138A (ja) | 自発光型表示装置 | |
| TW200305351A (en) | Organic electroluminescence device and the manufacturing method, and the display device | |
| CN110176545A (zh) | 量子点显示面板 | |
| US8901810B2 (en) | Transparent OLED device with high intensity | |
| KR20160035363A (ko) | 플렉서블 기판 및 그 제조방법 | |
| US10094534B2 (en) | Surface-emitting unit having dimming regions | |
| KR101619139B1 (ko) | 전기발광 기능이 부여된 스마트윈도우 | |
| JP2004311421A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
| US20160312964A1 (en) | Surface Emitting Unit | |
| JP6151845B1 (ja) | 有機エレクトロルミネッセント素子、照明装置、ディスプレイ装置 | |
| JP2005327522A (ja) | エレクトロルミネッセンス素子と照明装置および表示装置 | |
| JP2005093074A (ja) | 発光素子及びその製造方法、並びに、その発光素子を用いた表示装置及び照明装置 | |
| CN114531923A (zh) | 发光器件及其制备方法、发光基板及其制备方法和发光装置 | |
| Gärditz et al. | OLED lighting based on white broadband copolymer emitters | |
| Feng et al. | Structure and characterization of a white up-emitting OLED on silicon for microdisplays | |
| JPH11176580A (ja) | 有機ｅｌ素子 | |
| TWI244878B (en) | Optical modulation layer, optical modulation substrate and organic electroluminescent display panel thereof |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |