JP2005327522A - エレクトロルミネッセンス素子と照明装置および表示装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】 素子内部に損失光として閉じ込められる導波光を有効に取り出し、光の取り出し効率にすぐれたEL素子を提供する。
【解決手段】 光透過性基板4上に、少なくとも1層の薄膜層からなる発光層3を透明電極1と反射性電極3で挟持したEL層10を設けてなるEL素子において、光透過性基板4の表面を切り欠いて形成された斜面11を、素子内部の導波光を略空気層13を経て観察者側に到達させる反射面として構成したことを特徴とするEL素子、とくに、光透過性基板4上にEL層10を複数の画素Pに分割して設け、画素P毎に光透過性基板4の表面を切り欠いて素子内部の導波光を略空気層13を経て観察者側に到達させる反射面11を設けてなる上記構成のEL素子。
【選択図】 図1
Description
本発明は、エレクトロルミネッセンス素子に関し、またこのエレクトロルミネッセンス素子を備えた照明装置および表示装置に関する。
電極間に発光層を設け、電気的に発光を得るエレクトロルミネッセンス(以下、ELという)素子は、ディスプレイ表示装置としての利用はもちろん、平面型照明、光ファイバー用光源、液晶ディスプレイ用バックライト、液晶プロジェクタ用バックライトなどの各種光源としても、注目されており、盛んに研究開発が進んでいる。とくに、有機EL素子は、発光効率、低電圧駆動、高速応答性、高視野角、軽量、低コストという点で、すぐれており、近年、非常に注目を浴びている。
有機EL素子は、陽極より注入される正孔と陰極より注入される電子とが再結合することにより励起子を形成し、その励起子が基底状態に戻るときにエネルギーを放出し発光すると言われている。ここで、生成する励起子のうち、発光に寄与するのは1重項励起子のみであり、その生成確率は1/4であったが、近年、発光層自体の発光効率を上げる方法として、3重項励起子からの燐光からも発光が得られる発光材料の開発(特許文献1参照)も進んでおり、飛躍的に量子効率が向上できる可能性も見出されている。
しかしながら、有機EL素子のように発光層自体から発光を取り出す固体内発光素子においては、発光層の屈折率と出射媒質の屈折率により決まる臨界角以上の発光光は全反射し内部に閉じ込められ、導波光として失われる。
古典論的な屈折の法則(スネルの法則)による計算では、発光層の屈折率をnとすると、発生した光が外部に取り出される光取り出し効率ηは、η=1/2n2 で近似される。仮に発光層の屈折率が1.7である場合、η≒17%程度となり、80%以上の光は導波光として素子側面方向の損失光として失われていることになる。前述したような3重項励起子を利用したとしても20%程度しか取り出すことができない。言い換えると、取り出し効果が改善されれば、飛躍的に効率を向上できる余地があることになる。
古典論的な屈折の法則(スネルの法則)による計算では、発光層の屈折率をnとすると、発生した光が外部に取り出される光取り出し効率ηは、η=1/2n2 で近似される。仮に発光層の屈折率が1.7である場合、η≒17%程度となり、80%以上の光は導波光として素子側面方向の損失光として失われていることになる。前述したような3重項励起子を利用したとしても20%程度しか取り出すことができない。言い換えると、取り出し効果が改善されれば、飛躍的に効率を向上できる余地があることになる。
導波光を外部に取り出すには、発光層と出射面との間に、光の反射・屈折角を乱れさせる領域を形成し、スネルの法則を崩し、本来、導波光として全反射される光の伝送角を変化させてやる必要がある。このような構造を有機EL素子に形成し、取り出し効率を向上させる方法については、既に多数案出されている。
たとえば、基板表面に凹凸構造を設けたもの(特許文献2参照)、基板における光取り出し側をレンズ構造としたもの(特許文献3参照)、EL素子自体に立体構造や傾斜面を形成したもの(特許文献4参照)、EL素子内に回析格子を形成したもの(特許文献5参照)、EL素子内に反射部を形成したもの(特許文献6参照)が、それぞれ、開示されている。このほかにも、基板の形状を物理的に変化させ、EL素子内部に閉じ込まれた導波光を取り出すという試みは、多数なされている。
たとえば、基板表面に凹凸構造を設けたもの(特許文献2参照)、基板における光取り出し側をレンズ構造としたもの(特許文献3参照)、EL素子自体に立体構造や傾斜面を形成したもの(特許文献4参照)、EL素子内に回析格子を形成したもの(特許文献5参照)、EL素子内に反射部を形成したもの(特許文献6参照)が、それぞれ、開示されている。このほかにも、基板の形状を物理的に変化させ、EL素子内部に閉じ込まれた導波光を取り出すという試みは、多数なされている。
しかし、これらの導波光をすべて外部に出射させることができるような領域を形成することは容易ではなく、今なお、多くの検討がなされている。
そのような中で、たとえば、導波光を用いて光の取り出し効率を上げるものが開示されている(特許文献7参照)。
そのような中で、たとえば、導波光を用いて光の取り出し効率を上げるものが開示されている(特許文献7参照)。
有機EL素子において、光の取り出し効率が20%程度であるというのは、屈折率の高い物質から低い物質へ光が通過しようとする際、ある入射角以上で発現する全反射の現象に由来するものである。つまり、発生した光のうちの残り80%は、理論的にはITOからなる透明電極と光透過性基板との界面、または上記基板と素子外部との界面において全反射し、閉じ込められて損失光となっている。
この損失光を用いることで、従来に比べて、外部への取り出し効率が高い、すなわち、発光効率の高い有機EL素子を作製することが可能となるが、側面より光の取り出しを行うため、その実施のための構成を工夫する必要がある。
この損失光を用いることで、従来に比べて、外部への取り出し効率が高い、すなわち、発光効率の高い有機EL素子を作製することが可能となるが、側面より光の取り出しを行うため、その実施のための構成を工夫する必要がある。
加えて、有機EL素子のように、少なくとも1層の有機薄膜層を持つ発光層を透明電極と反射性電極で挟持した発光素子は、発光層自体から発光を取り出す固体内発光素子のため、出射までに各層で屈折率が生じ、その屈折率差により全反射が生じる。
ここで、発光光が外部に出射されるまでの様子を、図4を例にとり、説明する。発光層3の屈折率を1.7、ITOからなる透明電極1の屈折率を1.9、支持基板4としてのガラス基板の屈折率を1.52、空気層の屈折率を1と仮定して、説明する。
ここで、発光光が外部に出射されるまでの様子を、図4を例にとり、説明する。発光層3の屈折率を1.7、ITOからなる透明電極1の屈折率を1.9、支持基板4としてのガラス基板の屈折率を1.52、空気層の屈折率を1と仮定して、説明する。
発光層3で発生した発光光は、全空間に放射される。発光層3から透明電極1へ光が伝わるときは、発光層3より透明電極1の屈折率の方が高いため、全反射は起こらず、表面反射する光を除いたすべての光は透明電極1に入る。
しかし、透明電極1に入射した光は、発光層3の屈折率が支持基板4(ガラス基板)の屈折率よりも高いため、臨界角が存在する。よって、臨界角以上の伝送角を持つ光は、透明電極1と光透過性基板4との界面で全反射され、素子内部に閉じ込められる。さらに、上記基板4に入った光は、空気との界面で全反射され、素子内部に閉じ込まれる。これらの割合を立体角を考慮して計算すると、上記基板4と空気層界面で反射される光が約35%で、透明電極1と上記基板4との界面で反射される光が約45%となる。
しかし、透明電極1に入射した光は、発光層3の屈折率が支持基板4(ガラス基板)の屈折率よりも高いため、臨界角が存在する。よって、臨界角以上の伝送角を持つ光は、透明電極1と光透過性基板4との界面で全反射され、素子内部に閉じ込められる。さらに、上記基板4に入った光は、空気との界面で全反射され、素子内部に閉じ込まれる。これらの割合を立体角を考慮して計算すると、上記基板4と空気層界面で反射される光が約35%で、透明電極1と上記基板4との界面で反射される光が約45%となる。
一般に、発光層3は、光透過性基板4に比べて、その厚さが著しく小さいことから、透明電極1と上記基板4との界面で反射される光は、導波光として素子の厚さ方向と直交する方向の端面に取り出されるまでの反射回数が多く、反射性電極2での吸収により発光強度が大きく減衰してしまうという問題がある。
以上説明したように、今日まで、導波光を利用して取り出し効率を向上させる検討については、数多くなされているが、導波光のロスのないEL素子の提案についてはなされていない。つまり、導波光を利用した取り出し効率の改善方法としては未だ不十分であり、高効率なEL素子の出現が強く切望されている。
以上説明したように、今日まで、導波光を利用して取り出し効率を向上させる検討については、数多くなされているが、導波光のロスのないEL素子の提案についてはなされていない。つまり、導波光を利用した取り出し効率の改善方法としては未だ不十分であり、高効率なEL素子の出現が強く切望されている。
本発明は、このような実情に鑑み、素子内部に損失光として閉じ込められる導波光を有効に取り出し、光の取り出し効率にすぐれたEL素子と、このEL素子を備えた照明装置および表示装置を提供することを課題としている。
本発明者らは、上記の課題を解決するため、鋭意検討を重ねた結果、EL素子に関し、以下のような作用に着目した。
まず、図4に示すように、屈折率が高い物質から低い物質へ光が透過しようとするときに、ある入射角以上(臨界角)で全反射が生じる現象である。実際には、反射性電極2の方向の発光光も存在するが、図4では省略している。
まず、図4に示すように、屈折率が高い物質から低い物質へ光が透過しようとするときに、ある入射角以上(臨界角)で全反射が生じる現象である。実際には、反射性電極2の方向の発光光も存在するが、図4では省略している。
透明電極1が通常用いられるITOとすると、この透明電極1と光透過性基板4として通常用いられるガラス基板の屈折率差により決まる臨界角は約50度である。発光光は、全方位に放射されるため、立体角の関係から、より広角度の成分になるほどその光量が大きくなる。よって、発光層3・透明電極には45%の光が閉じ込められる。
さらに、55%の光が光透過性基板4であるガラス基板に出られたとしても、この基板4と空気層の屈折率差により、さらに臨界角が約40度で存在し、その結果、上述の古典論的計算で、導波光として80%が閉じ込められ損失光として存在することになる。
そこで、図1に示すように、発光面上は従来と同じ構成とし、光透過性基板4に部分的に厚さ方向に沿った端面12を形成して、この端面12から出射した導波光を空気層13を介してから反射面11で観察者方向に向けるようにすることにより、従来の方法に比べて、大幅に発光効率を高められることがわかった。
さらに、55%の光が光透過性基板4であるガラス基板に出られたとしても、この基板4と空気層の屈折率差により、さらに臨界角が約40度で存在し、その結果、上述の古典論的計算で、導波光として80%が閉じ込められ損失光として存在することになる。
そこで、図1に示すように、発光面上は従来と同じ構成とし、光透過性基板4に部分的に厚さ方向に沿った端面12を形成して、この端面12から出射した導波光を空気層13を介してから反射面11で観察者方向に向けるようにすることにより、従来の方法に比べて、大幅に発光効率を高められることがわかった。
ところで、従来でも、図6に示すように、有機EL素子内に反射面200を形成したものが提案されている(特許文献6参照)。
しかしながら、このように内部に反射面200を形成したものでは、導波光の一部が光透過性基板4の臨界角を破り、この基板4から取り出されても、大部分は上記基板4と空気層の屈折率の差により全反射が起きてしまい、折角反射させても光透過性基板4内に閉じ込められ、大幅な取り出し効率が期待できない。
したがって、図7に示すように、一度空気層に出た光を反射板120などで反射させることが必要となってくる。
しかしながら、このように内部に反射面200を形成したものでは、導波光の一部が光透過性基板4の臨界角を破り、この基板4から取り出されても、大部分は上記基板4と空気層の屈折率の差により全反射が起きてしまい、折角反射させても光透過性基板4内に閉じ込められ、大幅な取り出し効率が期待できない。
したがって、図7に示すように、一度空気層に出た光を反射板120などで反射させることが必要となってくる。
このことから、図1に示すように、光透過性基板4の表面を切り欠いて形成された端面12より光を一度空気層に出射させてから、斜面11で反射させることにより、あらゆる角度の光を観測者側に向けることが可能となり、これにより輝度を大幅に向上できるものであることがわかった。
すなわち、本発明(請求項1の発明)は、光透過性基板上に、少なくとも1層の薄膜層からなる発光層を透明電極と反射性電極で挟持したEL層を設けてなるEL素子において、光透過性基板の表面を切り欠いて形成された斜面を、素子内部の導波光を略空気層を経て観察者側に到達させる反射面として構成したことを特徴とするEL素子に係るものである。
また、本発明(請求項2の発明)は、光透過性基板上にEL層を複数の画素に分割して設け、画素毎に光透過性基板の表面を切り欠いて素子内部の導波光を略空気層を経て観察者側に到達させる反射面を設けてなる上記構成のEL素子に係るものである。
すなわち、本発明(請求項1の発明)は、光透過性基板上に、少なくとも1層の薄膜層からなる発光層を透明電極と反射性電極で挟持したEL層を設けてなるEL素子において、光透過性基板の表面を切り欠いて形成された斜面を、素子内部の導波光を略空気層を経て観察者側に到達させる反射面として構成したことを特徴とするEL素子に係るものである。
また、本発明(請求項2の発明)は、光透過性基板上にEL層を複数の画素に分割して設け、画素毎に光透過性基板の表面を切り欠いて素子内部の導波光を略空気層を経て観察者側に到達させる反射面を設けてなる上記構成のEL素子に係るものである。
また、図4に示すように、一般的に用いられている有機EL層の厚さは、光透過性基板4の厚さに比べて大変小さく(a>>b)、古典論的な計算において、有機EL層である発光層3・透明電極1に45%も閉じ込められた導波光が存在するにも関わらず、有機EL層の厚さが極端に小さいため、発光層3・透明電極1内での多重反射における反射性電極2での吸収により減衰され、実際には導波光のうちの光透過性基板4内まで出てこられた光のみが素子端面において取り出されている。
そこで、光透過性基板4を、屈折率が1.6以上の高屈折率層で形成することにより、発光層・透明電極における導波光のうちの一部が、高屈折率層まで出てくることができ、発光層・透明電極内で起きていた多重反射での光の減衰分を減らすことができ、導波光の取り出し効率を大幅に高められるものであることがわかった。
さらに、上記の高屈折率層を発光層以上の屈折率とすることで、古典論的計算における透明電極・高屈折率層での全反射光は無くなり、すべての光が高屈折率層まで出てこられるようになり、多重反射による反射性電極での光の吸収を大幅に低減できるため、導波光の取り出し効率を大幅に高められることがわかった。
すなわち、本発明(請求項3の発明)は、光透過性基板の屈折率を1.6以上に設定した上記構成のEL素子に係るものである。また、本発明(請求項4の発明)は、上記光過性基板の屈折率を発光層の屈折率よりも大きく設定した上記構成のEL素子に係るものである。
さらに、上記の高屈折率層を発光層以上の屈折率とすることで、古典論的計算における透明電極・高屈折率層での全反射光は無くなり、すべての光が高屈折率層まで出てこられるようになり、多重反射による反射性電極での光の吸収を大幅に低減できるため、導波光の取り出し効率を大幅に高められることがわかった。
すなわち、本発明(請求項3の発明)は、光透過性基板の屈折率を1.6以上に設定した上記構成のEL素子に係るものである。また、本発明(請求項4の発明)は、上記光過性基板の屈折率を発光層の屈折率よりも大きく設定した上記構成のEL素子に係るものである。
さらに、図2に示すように、光透過性基板4の端面12、または、図3に示すように、反射面上部に、光拡散層14やレンズのような光の反射・屈折角に乱れを生じさせる領域を設けることで、さらに効率よく導波光を出射でき、取り出し効率を高められ、加えて、色ムラを低減できる効果が得られることがわかった。
すなわち、本発明(請求項5の発明)は、発光層からの光が光透過性基板から出射するまでの間に、光の反射・屈折角に乱れを生じさせる領域を設けた上記構成のEL素子に係るものである。
また、本発明(請求項6の発明)は、上記構成のEL素子を用いたことを特徴とする照明装置に係るものである。さらに、本発明(請求項7の発明)は、上記構成のEL素子を用いたことを特徴とする表示装置に係るものである。
すなわち、本発明(請求項5の発明)は、発光層からの光が光透過性基板から出射するまでの間に、光の反射・屈折角に乱れを生じさせる領域を設けた上記構成のEL素子に係るものである。
また、本発明(請求項6の発明)は、上記構成のEL素子を用いたことを特徴とする照明装置に係るものである。さらに、本発明(請求項7の発明)は、上記構成のEL素子を用いたことを特徴とする表示装置に係るものである。
このように、本発明のEL素子により、光透過性基板の表面側に形成した反射面により素子内部の導波光が有効に観察者側に反射され、発光効率の顕著な向上をはかることができる。また、従来提案されている伝送角を変化させて導波光を正面側に集光させるものと異なり、伝送角を変化させるものに依存しなくても、導波光をそのまま簡単に外部に取り出すことができるという利点が得られる。さらに、光透過性基板の屈折率を特定することで、光の取り出し効率を一層高めることができる。また、このようなEL素子を備えることで、低消費電力で高輝度の照明装置や表示装置を容易に提供できる。
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。
図1は、本発明の実施形態に係るEL素子を示す概略構成図である。
図1において、このEL素子は、ガラス基板のような光透過性基板4と、この光透過性基板4の入光面側に設けられたEL層10とを備えている。
EL層10は、光透過性基板4の入射面側に設けれた、陽極としてのITOからなる透明電極1と、この透明電極1に対向配設された陰極としての反射性電極2と、これら透明電極1と反射性電極2とで挟持された発光層(薄膜層)3とからなる。
図1は、本発明の実施形態に係るEL素子を示す概略構成図である。
図1において、このEL素子は、ガラス基板のような光透過性基板4と、この光透過性基板4の入光面側に設けられたEL層10とを備えている。
EL層10は、光透過性基板4の入射面側に設けれた、陽極としてのITOからなる透明電極1と、この透明電極1に対向配設された陰極としての反射性電極2と、これら透明電極1と反射性電極2とで挟持された発光層(薄膜層)3とからなる。
このEL層10は、光透過性基板4の入射面に沿った方向で複数に分割配置されて、それぞれ、画素Pを構成している。もちろん、本発明のEL素子は、このような分割配置して画素Pを構成するものに限定されるものではない。
光透過性基板4の表面には、画素Pの両端にそれぞれ対応して、切り欠かれており、切り欠かれた空間は略空気層13を構成している。また、切り欠きによる斜面11は、素子内部の損失光となる導波光を略空気層13を経て観測者側に到達させる反射面として構成されている。略空気層13は、略同等の低屈折率層で代用できる。
切り欠きにより形成された端面12には、図2に拡大して示すように、光の反射・屈折角に乱れを生じさせる領域として光拡散層14が形成されている。この光拡散層14は、図3に示すように、光透過性基板4の表面側に設けてもよい。
光透過性基板4の表面には、画素Pの両端にそれぞれ対応して、切り欠かれており、切り欠かれた空間は略空気層13を構成している。また、切り欠きによる斜面11は、素子内部の損失光となる導波光を略空気層13を経て観測者側に到達させる反射面として構成されている。略空気層13は、略同等の低屈折率層で代用できる。
切り欠きにより形成された端面12には、図2に拡大して示すように、光の反射・屈折角に乱れを生じさせる領域として光拡散層14が形成されている。この光拡散層14は、図3に示すように、光透過性基板4の表面側に設けてもよい。
光透過性基板4としては、可視光領域に十分な光透過性さえあれば、どのようなものでも使用できる。たとえば、一般的なガラス基板のほか、ポリマーフィルムのように可撓性のある材料を使用することができる。とくに好ましくは、前記した切り込みなどを形成するに当たり、ハンドリングのよいものがよい。
また、この光透過性基板4は、その屈折率が1.6以上の高屈折率層からなるものであるのが望ましい。これは、古典論的に発光層3・透明電極1内で閉じ込められた光を上記高屈折率層まで取り出すことができ、反射性電極2で吸収される導波光を減らすことになり、光の取り出し効率の高いものが得られるからである。
一般に、発光層3の屈折率は有機EL素子では1.6〜1.75程度である。この発光層3の屈折率より上記高屈折率層の屈折率が大きくなると、透明電極1と高屈折率層との界面で生ずる全反射がなくなり、発光光のすべてを高屈折率層まで取り出せる。よって、光透過性基板4の屈折率は、発光層3の屈折率より大きい方が好ましい。
また、この光透過性基板4は、その屈折率が1.6以上の高屈折率層からなるものであるのが望ましい。これは、古典論的に発光層3・透明電極1内で閉じ込められた光を上記高屈折率層まで取り出すことができ、反射性電極2で吸収される導波光を減らすことになり、光の取り出し効率の高いものが得られるからである。
一般に、発光層3の屈折率は有機EL素子では1.6〜1.75程度である。この発光層3の屈折率より上記高屈折率層の屈折率が大きくなると、透明電極1と高屈折率層との界面で生ずる全反射がなくなり、発光光のすべてを高屈折率層まで取り出せる。よって、光透過性基板4の屈折率は、発光層3の屈折率より大きい方が好ましい。
このような光透過性基板4としては、たとえば、酸化チタン、窒化シリコン、酸化インジウム、酸化錫、酸化亜鉛、高屈折率ガラスなど、十分な透過性を維持できる各種無機物が挙げられる。また、ポリエステル、ポリエーテル、ポリエーテルケトン、ポリイミド、ポリアミド、ポリイミドアミド、エポキシ、ポリウレタン、ポリウレタンアクリレート、ポリカーボネートや、これらの主構造にフルオレン、ナフタレン、ビフェニルなどの芳香族構造や塩素、臭素のハロゲンや硫黄を導入した、比較的屈折率の高いエンジニアリングプラスチック、さらには紫外線硬化型樹脂や電子線硬化型樹脂などの放射線硬化樹脂といった各種の樹脂が用いられる。また、無機超微粒子などを樹脂中に分散させて、屈折率を調整した材料なども使用することができる。
本発明にいう空気層13と略同等の低屈折率層とは、その屈折率が空気層13にできるだけ近い値、すなわち、1.3以下、好ましくは1.2以下、さらに好ましくは1.1以下、理想的には空気層と同じ1.0である層を意味する。すなわち、導波光が、一旦、空気層13と同等の低屈折率を有する領域に入射ししさえすれば、もはやこの光は全反射を受けることなく、外部に出射することができる。また、このような低屈折率層は、シリカエアロゲルなどを用いたナノポーラス材料を用いて形成してもよく、とくにその形態については限定するものではない。
発光層3は、有機EL素子では、たとえば図4に示すように、正孔輸送層5と電子輸送性発光層6とからなっている。有機EL素子だけでなく、無機EL素子の両方が適用可能であるが、とくに有機EL素子を用いた表示装置に好適に応用できる。その形成方法や構造には限定はなく、従来技術に基づいて、形成できる。
反射性電極2には、導電性および可視光反射性の観点から、種々の金属薄膜を用いることができる。たとえば、マグネシウム、銀、リチウム、アルミニウム、白金、銅、ニッケルなどが挙げられる。仕事関数化による効率向上のため、マグネシウムと銀をおよそ10:1の原子比で共蒸着したものや、カルシウム電極、リチウムを微量ドープしたアルミニウム電極などが、好ましく用いられる。
透明電極1の材料は、可視光域に十分な透明性があり、かつ必要な電気伝導性を持ち合わせていれば、とくに制限はない。通常は、酸化インジウム錫(ITO)が用いられる。そのほか、酸化インジウムに酸化亜鉛をドープしたもの、酸化錫、酸化錫にアンチモンやフッ素などをドープしたもの、酸化亜鉛にガリウムをドープしたものなども用いられる。また、有機層界面から厚さ数nm〜十数nmの透光性を維持できる薄さの金属電極を形成し、その後ITOを形成するなどして、透明電極としてもよい。
光反射面11の材料には、光を反射させるものなら、どのようなものでも適応できる。たとえば、可視光領域で反射性に富み、吸収の少ない、マグネシウム、銀、リチウム、アルミニウム、白金、銅、ニッケルなどの各種金属膜が挙げられる。
光拡散層14は、光の反射・伝送角に乱れを生じさせる領域として設けられ、その構造に関しては、とくに限定はない。光の伝送角を変化させられるような構造であれば、どのようなものでも適用できる。具体的には、物理的な凹凸面を形成したり、ある層内にそれとは屈折率の異なる散乱粒子を分散分布させるなどしてもよい。
物理的な凹凸面の構造には、とくに限定はなく、たとえば、三角錐や四角錐などのピラミッド構造、半球状のマイクロレンズ構造、矩形構造、ロッド状の構造など、光の伝送角を乱すことができる構造であれば、どのようなものも適用できる。
凹凸面の形成方法にも、限定はなく、既存の方法を用いることができる。たとえば、材料の表面を直接レーザー加工してもよいし、凹凸構造が形成された金型を用い、レプリカ法によりそれらを転写するなどしてもよい。
このように、本発明においては、略空気層を介して反射面を形成することで輝度向上を可能としたものであり、上記光の反射・伝送角に乱れを生じさせる領域は、あくまでも、上記本発明の構成に基づく効果を高めるために形成するものであり、したがって、上記領域の構造やその形成方法などは、従来公知の技術を利用できる。
物理的な凹凸面の構造には、とくに限定はなく、たとえば、三角錐や四角錐などのピラミッド構造、半球状のマイクロレンズ構造、矩形構造、ロッド状の構造など、光の伝送角を乱すことができる構造であれば、どのようなものも適用できる。
凹凸面の形成方法にも、限定はなく、既存の方法を用いることができる。たとえば、材料の表面を直接レーザー加工してもよいし、凹凸構造が形成された金型を用い、レプリカ法によりそれらを転写するなどしてもよい。
このように、本発明においては、略空気層を介して反射面を形成することで輝度向上を可能としたものであり、上記光の反射・伝送角に乱れを生じさせる領域は、あくまでも、上記本発明の構成に基づく効果を高めるために形成するものであり、したがって、上記領域の構造やその形成方法などは、従来公知の技術を利用できる。
EL層10は、有機EL素子では、具体的な構成として、陽極/発光層/陰極、陽極/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/陰極、陽極/正孔輸送層/電子輸送性発光層/陰極、陽極/発光層/電子輸送層/陰極などが挙げられるが、とくに制限はなく、そのほかに、陽極の界面に正孔注入層や陰極の界面に電子注入層を設けたり、再結合効率を高めるための電子ブロック層、正孔ブロック層を挿入した構成としてもよい。
本発明にいう発光層には、発光層単独だけでなく、有機EL素子では上述したような正孔輸送層、電子輸送層、電子輸送性発光層、正孔注入層、電子注入層、電子ブロック層、正孔ブロック層などを含めた層全体を総称したものである。
本発明にいう発光層には、発光層単独だけでなく、有機EL素子では上述したような正孔輸送層、電子輸送層、電子輸送性発光層、正孔注入層、電子注入層、電子ブロック層、正孔ブロック層などを含めた層全体を総称したものである。
また、上記構成の有機EL素子では、上記の各有機層間または有機層と電極間に、電荷注入特性の向上や絶縁破壊を抑制または発光効率を向上させる目的で、弗化リチウム、弗化マグネシウム、酸化珪素、二酸化珪素、窒化珪素などの無機の誘電体、絶縁体からなる薄膜層、あるいは有機層と電極材料または金属との混合層、さらにはポリアニリン、ポリアセチレン誘導体、ポリジアセチレン誘導体、ポリビニルカルバゾール誘導体、ポリパラフェニレンビニレン誘導体などの有機高分子薄膜を挿入してもよい。
基本的には、発光効率がより高くなる構成、材料、形成方法を選択すると、少ない消費電力で強度のEL発光が得られ、本発明の効果を一層高めることができる。
基本的には、発光効率がより高くなる構成、材料、形成方法を選択すると、少ない消費電力で強度のEL発光が得られ、本発明の効果を一層高めることができる。
また、有機EL素子に用いられる有機材料、電極材料、層構成や各層の膜厚に関してはとくに限定はなく、従来技術による有機EL素子を適用できる。
有機発光層3は、低分子系の材料を真空蒸着して形成してもよいし、高分子系の材料を塗布法などにより形成してもよく、とくに制限はない。たとえば、トリス(8−キリノール)アルミニウム錯体(Alq3)、ビスジフェニルビニルビフェニル(BDPVBi)、1,3−ビス(p−t−ブチルフェニル−1,3,4−オキサジアゾールイル)フェニル(OXD−7)、N,N′−ビス(2,5−ジ−t−ブチルフェニル)ペリレンテトラカルボン酸ジイミド(BPPC)、1,4ビス〔N−p−トリル−N−4−(4−メチルスチリル)フェニルアミノ〕ナフタレンなどの低分子発光材料や、ポリフェニレンビニレン系ポリマーなどの高分子系発光材料などを利用できる。
有機発光層3は、低分子系の材料を真空蒸着して形成してもよいし、高分子系の材料を塗布法などにより形成してもよく、とくに制限はない。たとえば、トリス(8−キリノール)アルミニウム錯体(Alq3)、ビスジフェニルビニルビフェニル(BDPVBi)、1,3−ビス(p−t−ブチルフェニル−1,3,4−オキサジアゾールイル)フェニル(OXD−7)、N,N′−ビス(2,5−ジ−t−ブチルフェニル)ペリレンテトラカルボン酸ジイミド(BPPC)、1,4ビス〔N−p−トリル−N−4−(4−メチルスチリル)フェニルアミノ〕ナフタレンなどの低分子発光材料や、ポリフェニレンビニレン系ポリマーなどの高分子系発光材料などを利用できる。
このように構成される本発明のEL素子は、これを発光源として利用することにより、低消費電力で高輝度の照明装置や表示装置を容易に得ることができる。
図5は、その例を示したもので、図1に示す構成のEL素子に対面して、表示セルの一例である液晶セル20を配備させた表示装置を示したものであり、上記EL素子の特性により低消費電力で高輝度の表示装置として機能させることができる。
図5は、その例を示したもので、図1に示す構成のEL素子に対面して、表示セルの一例である液晶セル20を配備させた表示装置を示したものであり、上記EL素子の特性により低消費電力で高輝度の表示装置として機能させることができる。
ところで、有機EL素子では、薄型の面状発光素子で直流の低電圧駆動、高輝度発光が可能であるため、バックライトや照明といった大面積の用途に用いることが期待できる。この大面積に有機EL素子を作製する場合、発光層は一面ベタ成形で作製可能であるが、発光面積が大きくなると、透明電極として用いられるITOの抵抗に起因する電圧降下により、電極面内で電界の不均一化が生じ、電極入り口が明るく、離れるほど暗くなる現象が生じたり、有機層膜厚が大変薄いため、僅かな異物の混入により、電極周のショートが生じてしまい歩留りが低下する。
その解決策の一つとして、発光部分を格子状に分割し、その周縁に金属配線による補助電極を施し、縦線と横線の組み合わせで発光させる方式が考えられる。そうすることで、ITOによる電圧降下や発光輝度の面内バラツキを抑えることができ、しかも異物による不良率を改善でき、実用上より好ましい形態が実現できる。
この格子状電線を用いる場合に、配線間に本発明の構成(ミラー構造)を採用すると、導波光として失われる損失光も取り出すことができ、大幅な輝度向上の効果を発揮させることができる。さらに、このような格子状の電極を用いる場合、配線間のギャップを埋めたり、一部分のショートを見えなくするために、光の反射・伝送角に乱れを生じる領域として前記した光拡散層を形成すると、本発明の効果をいかんなく発揮させることができ、有機EL素子の消費電力を低下できる。
この格子状電線を用いる場合に、配線間に本発明の構成(ミラー構造)を採用すると、導波光として失われる損失光も取り出すことができ、大幅な輝度向上の効果を発揮させることができる。さらに、このような格子状の電極を用いる場合、配線間のギャップを埋めたり、一部分のショートを見えなくするために、光の反射・伝送角に乱れを生じる領域として前記した光拡散層を形成すると、本発明の効果をいかんなく発揮させることができ、有機EL素子の消費電力を低下できる。
つぎに、本発明の実施例を記載して、より具体的に説明する。ただし、本発明は以下の実施例のみに限定されるものではない。なお、以下において、部とあるのは重量部を意味する。また、以下の実施例および比較例で採用した反射面は、それぞれ、下記「参考例」および「比較参考例」において、作製したものである。
参考例
ノルボルネン系樹脂(JSR社製の「アートン」、ガラス転移温度182℃)950部と、つぎの式(1)で表わされる3−(2−ベンゾチアゾリル)−7−ジエチルアミノクマリン(クマリン6)2部を溶解させた、20重量%ジクロロメタン溶液を調製した。この溶液を用いて、キャスト法により、厚さが150μmの発光フィルムを形成した。このフィルムは、光散乱のない透き通ったフィルムであり、これを、一辺が20mm角の立方体状に切り出したガラス基板の底面に、アクリル系粘着剤を介して、貼り合わせた。
ノルボルネン系樹脂(JSR社製の「アートン」、ガラス転移温度182℃)950部と、つぎの式(1)で表わされる3−(2−ベンゾチアゾリル)−7−ジエチルアミノクマリン(クマリン6)2部を溶解させた、20重量%ジクロロメタン溶液を調製した。この溶液を用いて、キャスト法により、厚さが150μmの発光フィルムを形成した。このフィルムは、光散乱のない透き通ったフィルムであり、これを、一辺が20mm角の立方体状に切り出したガラス基板の底面に、アクリル系粘着剤を介して、貼り合わせた。
このように作製したサンプル素子に、ブラックライト蛍光灯(中心波長360nm)を照射すると、中心波長505nmの緑色の発光が確認された。市販の輝度計(トプコン社製の「品名BM9」、測定角0.2°、最小測定径0.95mm)を用いて、正面輝度を測定したところ、104cd/m2 であった。
つぎに、厚さが125μmのポリエチレンテレフタレート(PET)フィルムの片面にAgターゲットからDCスパッタリング法で厚さが150nmのAg膜を形成し、反射面とした。これを上底30mm、下底20mm、高さ25mmの台形に4枚切り出し、Ag面を内面にして、各斜辺を粘着テープで接着し、中空筒状の反射面(内面)を形成した。
この反射面を上記のサンプル素子の外周側に設置し、これにより素子外周に上記反射面を空気層を介して配置した。このサンプル素子を、前記と同様にブラックライト蛍光灯を用いて、発光させた。このときの上記反射面の輝度を測定したところ、224cd/m2 であった。正面輝度は104cd/m2 であった。
つぎに、厚さが125μmのポリエチレンテレフタレート(PET)フィルムの片面にAgターゲットからDCスパッタリング法で厚さが150nmのAg膜を形成し、反射面とした。これを上底30mm、下底20mm、高さ25mmの台形に4枚切り出し、Ag面を内面にして、各斜辺を粘着テープで接着し、中空筒状の反射面(内面)を形成した。
この反射面を上記のサンプル素子の外周側に設置し、これにより素子外周に上記反射面を空気層を介して配置した。このサンプル素子を、前記と同様にブラックライト蛍光灯を用いて、発光させた。このときの上記反射面の輝度を測定したところ、224cd/m2 であった。正面輝度は104cd/m2 であった。
比較参考例
上記の参考例において、一辺が20mm角の立方体状のガラス基板に代えて、底面が20×20mm、上面が30×30mm、高さが25mmに切り出したガラス基板を使用し、この基板の底面側に発光フィルムを接着して、サンプル素子を作製した。
さらに、このサンプル素子を構成するガラス基板の各斜面に、粘着剤を用いて、参考例で形成した台形状の4枚の反射面を、接着させた。これにより、素子外周に空気層を介さないで反射面を形成したサンプル素子を作製した。
このサンプル素子を、前記と同様にブラックライト蛍光灯を用いて、発光させた。その結果、正面輝度は104cd/m2 、反射面での輝度は116cd/m2 となり、反射面での輝度向上はそれほど大きくならなかった。これは、反射面において導波光が反射しても、一部は基板表面で全反射が起こったためである。
上記の参考例において、一辺が20mm角の立方体状のガラス基板に代えて、底面が20×20mm、上面が30×30mm、高さが25mmに切り出したガラス基板を使用し、この基板の底面側に発光フィルムを接着して、サンプル素子を作製した。
さらに、このサンプル素子を構成するガラス基板の各斜面に、粘着剤を用いて、参考例で形成した台形状の4枚の反射面を、接着させた。これにより、素子外周に空気層を介さないで反射面を形成したサンプル素子を作製した。
このサンプル素子を、前記と同様にブラックライト蛍光灯を用いて、発光させた。その結果、正面輝度は104cd/m2 、反射面での輝度は116cd/m2 となり、反射面での輝度向上はそれほど大きくならなかった。これは、反射面において導波光が反射しても、一部は基板表面で全反射が起こったためである。
一辺が20mmの立方体状のガラス基板の底面に、ITOセラミックターゲット(In2 O3 :SnO2 =90重量%:10重量%)から、DCスパッタリング法により、厚さが100nmのITO膜を形成し、透明電極(陽極)を形成した。このとき、ガラス基板の上面側は、粘着テープにより保護した。
その後、フォトレジストを用い、ITOをエッチングして、発光面積が15mm×15mmとなるようにパターンを形成した。有機溶剤(アセトンとイソプロピルアルコール)と純水で超音波洗浄を行ったのち、低圧紫外線ランプを用いて、オゾン洗浄した。つぎに、ITO面上に、真空蒸着法により、下記のように有機薄膜層を順次形成した。
その後、フォトレジストを用い、ITOをエッチングして、発光面積が15mm×15mmとなるようにパターンを形成した。有機溶剤(アセトンとイソプロピルアルコール)と純水で超音波洗浄を行ったのち、低圧紫外線ランプを用いて、オゾン洗浄した。つぎに、ITO面上に、真空蒸着法により、下記のように有機薄膜層を順次形成した。
まず、正孔注入層として、下記の式(2)で表されるCuPcを、蒸着速度0.3nm/sで15nmの厚さに形成した。つぎに、正孔輸送層として、下記の式(3)で表されるα−NPDを、蒸着速度0.3nm/sで50nmの厚さに形成した。最後に、電子輸送性発光層として、下記の式(4)で表されるAlqを、蒸着速度0.3nm/sで60nmの厚さに形成した。
その後、LiFを1nmの厚さで形成したのち、Alを150nmの厚さで形成して、反射性電極(陰極)とした。真空蒸着装置から取り出したのち、陰極電極側に紫外線硬化性エポキシ樹脂を滴下し、十分にエポキシ樹脂が広がった時点で、高圧紫外線ランプを用いてエポキシ樹脂を硬化させ、素子を封止した。
その後、LiFを1nmの厚さで形成したのち、Alを150nmの厚さで形成して、反射性電極(陰極)とした。真空蒸着装置から取り出したのち、陰極電極側に紫外線硬化性エポキシ樹脂を滴下し、十分にエポキシ樹脂が広がった時点で、高圧紫外線ランプを用いてエポキシ樹脂を硬化させ、素子を封止した。
このように有機EL層を形成し、エポキシ樹脂で素子を封止したのち、保護していたガラス基板上面の粘着テープを剥がした。ついで、ガラス基板の側面に参考例で作製した中空筒状の反射面(内面)を配置した。これにより素子側面に上記反射面を空気層を介して配置した構成の有機EL素子を作製した。この有機EL素子に対し、5.0mA/cm2 の電流密度で電流を流したところ、発光が観測された。
比較例1
実施例1において、一辺が20mmの立方体状のガラス基板に代えて、底面が20×20mm、上面が30×30mm、高さが25mmに切り出したガラス基板を使用し、この基板の底面に、実施例1と同様にして有機EL層を形成し、エポキシ樹脂で素子を封止したのち、保護していたガラス基板上面の粘着テープを剥がした。
ついで、この素子のガラス基板の各斜面に、粘着剤を用いて、参考例で形成した台形状の4枚の反射面を、接着させた。これにより、素子外周に空気層を介さないで反射面を形成した有機EL素子を作製した。この有機EL素子に対し、実施例1と同様に5.0mA/cm2 の電流密度で電流を流したところ、発光が観測された。
実施例1において、一辺が20mmの立方体状のガラス基板に代えて、底面が20×20mm、上面が30×30mm、高さが25mmに切り出したガラス基板を使用し、この基板の底面に、実施例1と同様にして有機EL層を形成し、エポキシ樹脂で素子を封止したのち、保護していたガラス基板上面の粘着テープを剥がした。
ついで、この素子のガラス基板の各斜面に、粘着剤を用いて、参考例で形成した台形状の4枚の反射面を、接着させた。これにより、素子外周に空気層を介さないで反射面を形成した有機EL素子を作製した。この有機EL素子に対し、実施例1と同様に5.0mA/cm2 の電流密度で電流を流したところ、発光が観測された。
実施例1において、有機薄膜層のうち、電子輸送性発光層(Alq層)の厚さを60nmから140nmに変更した以外は、実施例1と同様にして、有機EL素子を作製した。この有機EL素子に対し、実施例1と同様に5.0mA/cm2 の電流密度で電流を流したところ、発光が観測された。
上記の実施例1,2および比較例1の各有機EL素子について、観測した発光の輝度の結果を、表1にまとめて示した。
この結果から、実施例1では、正面輝度に関しては比較例1とあまり差はないが、空気層を介して反射させた反射光の輝度は、比較例1に比べて高輝度が得られていた。また、実施例2では、有機EL層を導波光成分の光を増幅するように構成させたものであり、この場合、上記反射光の輝度をさらに増大させることができた。
この結果から、実施例1では、正面輝度に関しては比較例1とあまり差はないが、空気層を介して反射させた反射光の輝度は、比較例1に比べて高輝度が得られていた。また、実施例2では、有機EL層を導波光成分の光を増幅するように構成させたものであり、この場合、上記反射光の輝度をさらに増大させることができた。
表1
┌────┬───────┬───────┬───────┐
│ │Alq層の膜厚│ 正面輝度 │ 反射面輝度 │
│ │ (nm) │(cd/m2 )│(cd/m2 )│
├────┼───────┼───────┼───────┤
│ │ │ │ │
│実施例1│ 60 │ 338 │ 186 │
│ │ │ │ │
├────┼───────┼───────┼───────┤
│ │ │ │ │
│比較例1│ 60 │ 334 │ 81 │
│ │ │ │ │
├────┼───────┼───────┼───────┤
│ │ │ │ │
│実施例2│ 140 │ 86 │ 243 │
│ │ │ │ │
└────┴───────┴───────┴───────┘
┌────┬───────┬───────┬───────┐
│ │Alq層の膜厚│ 正面輝度 │ 反射面輝度 │
│ │ (nm) │(cd/m2 )│(cd/m2 )│
├────┼───────┼───────┼───────┤
│ │ │ │ │
│実施例1│ 60 │ 338 │ 186 │
│ │ │ │ │
├────┼───────┼───────┼───────┤
│ │ │ │ │
│比較例1│ 60 │ 334 │ 81 │
│ │ │ │ │
├────┼───────┼───────┼───────┤
│ │ │ │ │
│実施例2│ 140 │ 86 │ 243 │
│ │ │ │ │
└────┴───────┴───────┴───────┘
塩化メチレン15gに、屈折率1.43、粒子径0.5μmのシリコーン粒子を加え、よく撹拌した。さらに、屈折率が1.49であるポリメチルメタクリレート(PMMA)樹脂を、濃度が25重量%となるように、塩化メチレンにシリコーン粒子を加えた溶液に加えて、溶解させた。このときのシリコーン粒子の配合量は、PMMAに対して、60重量%とした。その後、PMMA層の厚さが約60μmとなるように、アプリケーターを用いてコーティングして、光拡散層を作製した。
実施例1において、ガラス基板の側面に、上記の光拡散層をアクリル系粘着剤を用いて貼り合わせた以外は、実施例1と同様に、有機EL素子を作製した。
この有機EL素子に対して、実施例1と同様に5.0mA/cm2 の電流密度で電流を流したところ、発光が観測された。観測した発光の輝度の結果を、実施例1の結果と対比して、表2にまとめて示した。
この結果から明らかなように、素子側面に光の反射・屈折角に乱れを生じさせる領域として光拡散層を形成することで、ガラス基板内の導波光の取り出し効率が向上し、空気層を介して反射させた反射光の輝度をより増大させることができた。
この有機EL素子に対して、実施例1と同様に5.0mA/cm2 の電流密度で電流を流したところ、発光が観測された。観測した発光の輝度の結果を、実施例1の結果と対比して、表2にまとめて示した。
この結果から明らかなように、素子側面に光の反射・屈折角に乱れを生じさせる領域として光拡散層を形成することで、ガラス基板内の導波光の取り出し効率が向上し、空気層を介して反射させた反射光の輝度をより増大させることができた。
表2
┌────┬───────┬──────┬───────┬────────┐
│ │Alq層の膜厚│ 光拡散層 │ 正面輝度 │ 反射面輝度 │
│ │ (nm) │ │(cd/m2 )│ (cd/m2 )│
├────┼───────┼──────┼───────┼────────┤
│ │ │ │ │ │
│実施例1│ 60 │ な し │ 338 │ 186 │
│ │ │ │ │ │
├────┼───────┼──────┼───────┼────────┤
│ │ │ │ │ │
│実施例3│ 60 │ あ り │ 341 │ 226 │
│ │ │ │ │ │
└────┴───────┴──────┴───────┴────────┘
┌────┬───────┬──────┬───────┬────────┐
│ │Alq層の膜厚│ 光拡散層 │ 正面輝度 │ 反射面輝度 │
│ │ (nm) │ │(cd/m2 )│ (cd/m2 )│
├────┼───────┼──────┼───────┼────────┤
│ │ │ │ │ │
│実施例1│ 60 │ な し │ 338 │ 186 │
│ │ │ │ │ │
├────┼───────┼──────┼───────┼────────┤
│ │ │ │ │ │
│実施例3│ 60 │ あ り │ 341 │ 226 │
│ │ │ │ │ │
└────┴───────┴──────┴───────┴────────┘
1 透明電極(陽極)
2 反射性電極(陰極)
3 発光層(薄膜層)
4 光透過性基板
5 正孔輸送層
6 電子輸送性発光層
10 EL層
11 反射面
12 端面
13 略空気層
14 光拡散層
20 液晶セル
P 画素
2 反射性電極(陰極)
3 発光層(薄膜層)
4 光透過性基板
5 正孔輸送層
6 電子輸送性発光層
10 EL層
11 反射面
12 端面
13 略空気層
14 光拡散層
20 液晶セル
P 画素
Claims (7)
- 光透過性基板上に、少なくとも1層の薄膜層からなる発光層を透明電極と反射性電極で挟持したエレクトロルミネッセンス層を設けてなるエレクトロルミネッセンス素子において、光透過性基板の表面を切り欠いて形成された斜面を、素子内部の導波光を略空気層を経て観察者側に到達させる反射面として構成したことを特徴とするエレクトロルミネッセンス素子。
- 光透過性基板上にエレクトロルミネッセンス層を複数の画素に分割して設け、画素毎に光透過性基板の表面を切り欠いて素子内部の導波光を略空気層を経て観察者側に到達させる反射面を設けてなる請求項1に記載のエレクトロルミネッセンス素子。
- 光透過性基板の屈折率を1.6以上に設定した請求項1または2に記載のエレクトロルミネッセンス素子。
- 光透過性基板の屈折率を発光層の屈折率よりも大きく設定した請求項3に記載のエレクトロルミネッセンス素子。
- 発光層からの光が光透過性基板から出射するまでの間に光の反射・屈折角に乱れを生じさせる領域を設けた請求項1〜4のいずれかに記載のエレクトロルミネッセンス素子。
- 請求項1〜5のいずれかに記載のエレクトロルミネッセンス素子を用いたことを特徴とする照明装置。
- 請求項1〜5のいずれかに記載のエレクトロルミネッセンス素子を用いたことを特徴とする表示装置。
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Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009266429A (ja) * | 2008-04-22 | 2009-11-12 | Nippon Zeon Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス光源装置 |
JP2010092866A (ja) * | 2008-10-13 | 2010-04-22 | Novaled Ag | 発光素子およびその製造方法 |
JP2011233288A (ja) * | 2010-04-26 | 2011-11-17 | Konica Minolta Holdings Inc | 有機発光素子 |
JP2012503300A (ja) * | 2008-09-25 | 2012-02-02 | エルジー・ケム・リミテッド | 高効率有機発光素子およびその製造方法 |
JP2012099466A (ja) * | 2010-10-07 | 2012-05-24 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 照明装置 |
JP2013524438A (ja) * | 2010-03-31 | 2013-06-17 | ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ | 発光デバイスおよび物品 |
JP2016520247A (ja) * | 2013-05-21 | 2016-07-11 | エルジー・ケム・リミテッド | 封止フィルム及びそれを用いた有機電子デバイスの封止方法 |
-
2004
- 2004-05-13 JP JP2004143096A patent/JP2005327522A/ja active Pending
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009266429A (ja) * | 2008-04-22 | 2009-11-12 | Nippon Zeon Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス光源装置 |
JP2012503300A (ja) * | 2008-09-25 | 2012-02-02 | エルジー・ケム・リミテッド | 高効率有機発光素子およびその製造方法 |
JP2014060170A (ja) * | 2008-09-25 | 2014-04-03 | Lg Chem Ltd | 高効率有機発光素子およびその製造方法 |
US9722209B2 (en) | 2008-09-25 | 2017-08-01 | Lg Display, Co., Ltd. | Organic light-emitting diodes (OLEDS) with high efficiency and its manufacturing method |
JP2010092866A (ja) * | 2008-10-13 | 2010-04-22 | Novaled Ag | 発光素子およびその製造方法 |
DE102008051012B4 (de) * | 2008-10-13 | 2015-07-16 | Novaled Ag | Lichtemittierende Vorrichtung und Verfahren zum Herstellen |
JP2013524438A (ja) * | 2010-03-31 | 2013-06-17 | ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ | 発光デバイスおよび物品 |
EP2553745B1 (en) * | 2010-03-31 | 2019-11-27 | BOE Technology Group Co., Ltd. | Light-emitting device and article |
JP2011233288A (ja) * | 2010-04-26 | 2011-11-17 | Konica Minolta Holdings Inc | 有機発光素子 |
JP2012099466A (ja) * | 2010-10-07 | 2012-05-24 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 照明装置 |
JP2016520247A (ja) * | 2013-05-21 | 2016-07-11 | エルジー・ケム・リミテッド | 封止フィルム及びそれを用いた有機電子デバイスの封止方法 |
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