CN104752612B - 一种oled器件及其制造方法 - Google Patents

一种oled器件及其制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN104752612B
CN104752612B CN201310734417.6A CN201310734417A CN104752612B CN 104752612 B CN104752612 B CN 104752612B CN 201310734417 A CN201310734417 A CN 201310734417A CN 104752612 B CN104752612 B CN 104752612B
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
insulated column
film
shape
mesh shape
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201310734417.6A
Other languages
English (en)
Other versions
CN104752612A (zh
Inventor
祝晓钊
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kunshan Guoxian Photoelectric Co Ltd
Original Assignee
Kunshan Guoxian Photoelectric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Kunshan Guoxian Photoelectric Co Ltd filed Critical Kunshan Guoxian Photoelectric Co Ltd
Priority to CN201310734417.6A priority Critical patent/CN104752612B/zh
Publication of CN104752612A publication Critical patent/CN104752612A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN104752612B publication Critical patent/CN104752612B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/82—Cathodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

本发明公开了一种OLED器件及其制造方法，该OLED器件包括有基板及镀于该基板上的阳极，该阳极上方沉积有网格形状的隔离柱层，该隔离柱层上沉积一层网格形状或条纹形状的导电膜，在该阳极上方位于该隔离柱层所限定的网格内蒸镀有有机层，该有机层及导电膜上方蒸镀有阴极。本发明中在Pillar层上方形成透明的非金属导电网格或者不透明金属导电网格，并与阴极接触导通，从而降低阴极的电阻，有效防止或者减轻由于阴极薄导致的IR压降问题，同时可以使阴极做的更薄。

Description

一种OLED器件及其制造方法
技术领域
本发明有关一种有源矩阵有机发光显示器（AMOLED）器件及其制造方法，尤其涉及一种可有效降低阴极电阻的OLED（有机发光显示器）器件及其制造方法。
背景技术
有机发光显示器件由于其色饱和度高、对比度高、响应速度快而被认为是下一代平板显示装置。有机发光显示器件按照以下原理产生光：对器件施加电信号后，从阳极注入的空穴移动到发光层，从阴极注入的电子也移动到发光层，在发光层中，空穴和电子结合以形成激子，当激子从激发态变化到基态时，会发射光子，从而产生光。
AMOLED显示器件具有两种结构，一种是底发光器件，仅仅朝底部基板发射光，另一种是顶发光器件，朝顶部非基板侧发射光。由于用于控制各个像素的薄膜晶体管布置在有机发光器件下面，所以顶发光OLED结构具有更大的开口率，所以越来越多的OLED器件采用顶发光结构。然而在顶发光OLED器件中，为了保证出光率，要求阴极透光率较高，因此阴极一般比较薄，所以阴极具有较高的电阻，从而会造成IR压降（阴极电阻导致的电压降）。
发明内容
有鉴于此，本发明的主要目的在于提供一种能有效降低阴极电阻的OLED器件及其制造方法。
为达到上述目的，本发明提供一种OLED器件，其包括有基板及镀于该基板上的阳极，该阳极上方沉积有网格形状的隔离柱层，该隔离柱层上沉积一层网格形状或条纹形状的导电膜，在该阳极上方位于该隔离柱层所限定的网格内蒸镀有有机层，该有机层及导电膜上方蒸镀有阴极。
所述导电膜为非金属导电膜或金属导电膜。
所述非金属导电膜的材料为石墨烯、碳纳米管膜、导电高分子、氧化铟锡或氧化铟锌透明导电材料。
所述金属导电膜的材料为银、铜、金、铝、纳、钼、钨、锌、镍、铁、铂、锡或铅或其中至少两者的合金。
本发明还提供一种OLED器件制造方法，该方法包括：
（1）在基板上方镀上阳极；
（2）在阳极上方沉积一层网格形状的隔离柱层，在隔离柱层上方沉积一层网格形状或条纹形状的导电膜；
（3）在隔离柱层所限定的网格内蒸镀有机层；
（4）在所述有机层与网格形状或条纹形状的导电膜上方蒸镀一层阴极。
所述步骤（2）具体包括：
在所述阳极上沉积一层隔离柱层，在该隔离柱层上方沉积一层导电膜；
对导电膜进行刻蚀，形成导电网格或者导电条纹，之后利用光刻技术将隔离柱层刻蚀成网格形状，刻蚀后的导电膜沉积在刻蚀后的隔离柱层上方。
所述步骤（2）具体包括：
在所述阳极上沉积一层隔离柱层；
将隔离柱层刻蚀成网格形状；
在网格形状的隔离柱层上沉积一层导电膜；
将导电膜刻蚀成网格形状或者条纹形状，网格形状或者条纹形状的导电膜覆盖在刻蚀后的隔离柱层上。
所述导电膜为金属导电膜或非金属导电膜。
所述非金属导电膜的材料为石墨烯、碳纳米管膜、导电高分子、氧化铟锡或氧化铟锌透明导电材料。
所述金属导电膜的材料为银、铜、金、铝、纳、钼、 钨、锌、镍、铁、铂、锡或铅或其中至少两者的合金。
本发明中在Pillar层上方形成透明的非金属导电网格或者不透明金属导电网格，并与阴极接触导通，从而降低阴极的电阻，有效防止或者减轻由于阴极薄导致的IR压降问题，同时可以使阴极做的更薄。
附图说明
图1为本发明中导电网格形成在Pillar层上的结构示意图；
图2为本发明的OLED器件实施例一结构示意图；
图3为本发明的OLED器件实施例二结构示意图；
图4为本发明的OLED器件制造方法流程图。
具体实施方式
为便于对本发明的结构及方法及达到的效果有进一步的了解，现结合附图并举较佳实施例详细说明如下。
结合图1、图2与图4所示，本发明OLED器件制造方法的实施例一：
首先在基板上利用磁控溅射的方法镀上一层阳极反射层银和氧化铟锡（ITO，Indium Tin Oxides）膜层，该阳极反射层银和ITO膜层作为阳极，然后在阳极上沉积一层Pillar（隔离柱）材料，该Pillar材料为聚酰亚胺类材料，在Pillar层上方沉积一层厚度为0.1nm~500nm的非金属导电膜，此处非金属导电膜的材料可为石墨烯、碳纳米管膜、导电高分子、ITO或IZGO（氧化铟锌）等导电性较好的透明导电材料。
利用光刻技术或者激光刻蚀技术将非金属导电膜进行图案化刻蚀，形成非金属导电网格，之后利用光刻技术对Pillar层进行图案化刻蚀，如图1与图2所示，将非金属导电膜与Pillar层刻蚀为形状相同或相似的网格形状，非金属导电膜沉积在Pillar层上方。
对OLED器件进行蒸镀，在刻蚀后的Pillar所限定的网格内蒸镀有机层，有机层的各层有机材料均用精密金属MASK（掩膜），各层有机材料限制在Pillar所围范围以内，不会覆盖到非金属导电网格上。
利用Open MASK（通用金属掩膜）蒸镀阴极，该阴极将有机层及非金属导电网格覆盖，保证阴极和非金属导电网格的接触导通。
在上述实施例中，也可以先将Pillar层图案化后再在Pillar层上沉积并图案化非金属导电膜。
结合图1、图3与图4所示，本发明OLED器件制造方法的实施例二：
首先在基板上利用磁控溅射的方法镀上一层阳极反射层银和一层氧化铟锡（ITO，Indium Tin Oxides）膜层，该阳极反射层银和ITO膜层作为阳极，然后在阳极上沉积一层Pillar材料，再在Pillar层上方蒸镀或者溅射一层厚度为30nm~500nm的金属导电膜，此处金属导电膜的材料可为银（Ag）、铜(Cu)、金(Au)、铝(Al)、纳(Na)、钼(Mo)、钨(W)、锌(Zn)、镍(Ni)、铁(Fe)、铂(Pt)、锡(Sn)或铅（Pb）等导电性较好的金属材料或者其中至少两者的合金。
利用光刻技术将金属导电膜进行图案化刻蚀，形成金属导电网格，并利用金属导电网格的图案作为光刻 MASK对Pillar层进行曝光，形成Pillar图案，如图1与图3所示，将金属导电膜与Pillar层刻蚀为形状相同或相似的网格形状，金属导电膜覆盖在Pillar层上方。
蒸镀OLED器件时，在刻蚀后的Pillar所限定的网格内蒸镀有机层，有机层的各层有机材料均用精密金属MASK，将各层有机材料限制在Pillar所围范围以内，不会覆盖到金属网格上。
利用Open MASK 蒸镀阴极，保证阴极和金属网格的接触导通。
在上述实施例中，也可以将Pillar层先图案化后再在Pillar层上沉积以及图案化金属导电膜。
本发明中的刻蚀后的导电膜除为网格形状外，还可以为条纹形状。
在传统阴极中，为了保证较低的电阻，一般厚度在30nm左右，本发明通过导电网格降低了阴极的电阻，阴极可以做的更薄，由于更薄，透光性更好，因此阴极可以选用透光性不如MgAg合金，但是更廉价的阴极材料，如Al/LiF（铝/氟化锂）、AlLi（铝锂合金）或Al/Ca（铝钙合金）等材料，从而降低成本。
本发明中在Pillar层上方形成透明的非金属导电网格或者不透明金属导电网格，并与阴极接触导通，从而降低阴极的电阻，有效防止或者减轻由于阴极薄导致的IR压降问题，同时可以使阴极做的更薄。其中透明的非金属导电网格不反射外界光，不会影响器件的对比度。
以上所述，仅为本发明的较佳实施例而已，并非用于限定本发明的保护范围。

Claims (4)

1.一种OLED器件制造方法，其特征在于，该方法包括：
（1）在基板上方镀上阳极；
（2）在阳极上方沉积一层网格形状的隔离柱层，在隔离柱层上方沉积一层网格形状或条纹形状的导电膜；
（3）在隔离柱层所限定的网格内蒸镀有机层；
（4）在所述有机层与网格形状或条纹形状的导电膜上方蒸镀一层阴极；
其中，步骤（2）包括：
在所述阳极上沉积一层隔离柱层，在该隔离柱层上方沉积一层导电膜；
对导电膜进行刻蚀，形成导电网格或者导电条纹，之后利用光刻技术将隔离柱层刻蚀成网格形状，刻蚀后的导电膜沉积在刻蚀后的隔离柱层上方；
或者，步骤（2）包括：
在所述阳极上沉积一层隔离柱层；
将隔离柱层刻蚀成网格形状；
在网格形状的隔离柱层上沉积一层导电膜；
将导电膜刻蚀成网格形状或者条纹形状，网格形状或者条纹形状的导电膜覆盖在刻蚀后的隔离柱层上。
2.如权利要求1所述的OLED器件制造方法，其特征在于，所述导电膜为金属导电膜或非金属导电膜。
3.如权利要求2所述的OLED器件制造方法，其特征在于，所述非金属导电膜的材料为石墨烯、碳纳米管膜、导电高分子、氧化铟锡或氧化铟锌透明导电材料。
4.如权利要求2所述的OLED器件制造方法，其特征在于，所述金属导电膜的材料为银、铜、金、铝、纳、钼、 钨、锌、镍、铁、铂、锡或铅或其中至少两者的合金。
CN201310734417.6A 2013-12-27 2013-12-27 一种oled器件及其制造方法 Active CN104752612B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201310734417.6A CN104752612B (zh) 2013-12-27 2013-12-27 一种oled器件及其制造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201310734417.6A CN104752612B (zh) 2013-12-27 2013-12-27 一种oled器件及其制造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN104752612A CN104752612A (zh) 2015-07-01
CN104752612B true CN104752612B (zh) 2017-02-08

Family

ID=53591987

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201310734417.6A Active CN104752612B (zh) 2013-12-27 2013-12-27 一种oled器件及其制造方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN104752612B (zh)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106469788B (zh) * 2016-08-31 2018-04-20 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 一种有机发光二极管及其制作方法
CN107180925B (zh) 2017-07-20 2019-07-16 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板的制作方法及显示装置的制作方法
CN109037463A (zh) * 2018-07-21 2018-12-18 戚明海 一种具有荧光粒子的oled及其制造方法
CN109166979A (zh) * 2018-08-09 2019-01-08 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 一种电致发光显示装置及其制备方法
CN110581229B (zh) * 2019-09-11 2021-12-14 云谷（固安）科技有限公司 显示面板、显示装置及显示面板的制备方法
CN114203890B (zh) * 2021-12-10 2024-01-26 Tcl华星光电技术有限公司 显示面板及显示面板的制备方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002056987A (ja) * 2000-08-09 2002-02-22 Korai Kagi Kofun Yugenkoshi 自動放熱型有機エレクトロルミネッセンスデバイス、及びその製造方法
CN101009304A (zh) * 2007-01-09 2007-08-01 友达光电股份有限公司 像素结构及有机电激发光组件
JP2009053609A (ja) * 2007-08-29 2009-03-12 Canon Inc 表示装置
JP2009170115A (ja) * 2008-01-10 2009-07-30 Panasonic Corp 表示装置およびその製造方法
CN101800293A (zh) * 2010-03-15 2010-08-11 彩虹集团公司 有机发光二极管及其绝缘层和隔离柱的制作方法

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4708934B2 (ja) * 2005-09-14 2011-06-22 ローム株式会社 有機ｅｌパネル

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002056987A (ja) * 2000-08-09 2002-02-22 Korai Kagi Kofun Yugenkoshi 自動放熱型有機エレクトロルミネッセンスデバイス、及びその製造方法
CN101009304A (zh) * 2007-01-09 2007-08-01 友达光电股份有限公司 像素结构及有机电激发光组件
JP2009053609A (ja) * 2007-08-29 2009-03-12 Canon Inc 表示装置
JP2009170115A (ja) * 2008-01-10 2009-07-30 Panasonic Corp 表示装置およびその製造方法
CN101800293A (zh) * 2010-03-15 2010-08-11 彩虹集团公司 有机发光二极管及其绝缘层和隔离柱的制作方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN104752612A (zh) 2015-07-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN104752612B (zh) 一种oled器件及其制造方法
USRE45235E1 (en) Organic light emitting diode display and fabricating method thereof
CN110137381B (zh) 一种oled显示面板
KR102059962B1 (ko) 유기 발광 표시 장치 및 그 제조방법
US7545097B2 (en) Organic electroluminescence device and method for manufacturing same
WO2016176886A1 (zh) 柔性oled及其制作方法
US11227999B2 (en) Array substrate having a layer of magnetic material, display panel having the same and manufacturing method the same thereof
CN106997893B (zh) 有机发光显示装置及其制造方法
CN106856203B (zh) 一种顶发射显示发光器件及其制备方法
KR20110138787A (ko) 유기전계발광소자 및 이의 제조방법
CN109244107B (zh) Oled背板及其制作方法
US8698177B2 (en) Organic light-emitting display device and method of manufacturing the same
US7589462B2 (en) Organic electro-luminescence display device and fabricating method thereof
JP2006113571A5 (zh)
CN108649060A (zh) Oled器件及其制备方法、显示装置
CN109755286A (zh) 一种oled显示面板及其制备方法
JP2005056846A (ja) 有機電界発光素子及びその製造方法
CN105742332A (zh) 一种电致发光显示器件及其制作方法
CN110534660A (zh) 一种显示基板及制备方法、显示装置
TW201324888A (zh) 有機發光二極體與其所組成之有機發光二極體顯示器
CN110931524A (zh) 显示面板及其制备方法、显示装置
KR100501427B1 (ko) 능동 매트릭스형 유기 이엘 디스플레이 패널의 제조방법
CN111584758B (zh) 显示基板及其制作方法、显示装置
CN102427113A (zh) 一种有机电致发光点阵显示屏基板结构及其制备方法
CN112164757A (zh) 显示面板及其制作方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant