CN106469788B - 一种有机发光二极管及其制作方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供了一种有机发光二极管及其制作方法，所述有机发光二极管包括：阳极层、空穴注入层、空穴传输层、有机发光层，所述有机发光二极管还包括：金属网栅层，其中，金属网栅层位于阳极层和空穴注入层之间；空穴注入层、空穴传输层中分别包含与金属网栅层的栅格对应的独立单元。在空穴注入层和/或空穴传输层所使用的材料的迁移率大于设定阈值时，空穴注入层、空穴传输层中分别包含与金属网栅层的栅格对应的独立单元能够避免电子或空穴的横向漂移，有效解决有机发光二极管横向导通的问题，在使有机发光二极管产生的单色画面时不会有其他颜色的画面出现。

Description

一种有机发光二极管及其制作方法

技术领域

本发明涉及平板显示技术领域，尤其涉及一种有机发光二极管及其制作方法。

背景技术

有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode，OLED)不仅具有自发光特性，而且结构简单、轻薄、响应速度快、可视角度大、发光效率高以及可实现柔性显示，是一种极具发展前景的平板显示技术。

有机发光二极管通常包括：玻璃基板、位于玻璃基板上的阳极层，位于阳极层上的空穴注入层(Hole Injection Layer，HIL)，位于空穴注入层上的空穴传输层(HoleTransport Layer，HTL)，位于空穴传输层上的有机发光层(Emitting Material Layer，EML)，位于有机发光层上的电子传输层(Electron Transport Layer，ETL)，位于电子传输层上的电子注入层(Electron Injection Layer，EIL)以及位于电子注入层上的阴极。有机发光层中依次排列的是由有机发光材料构成的发光单元。

当阳极层中产生的空穴经过空穴注入层和空穴传输层到达有机发光层的发光单元，阴极层中产生的电子经过电子注入层和电子传输层到达有机发光层的发光单元时，有机发光二极管被导通，电子和空穴在有机发光层的发光单元中复合释放能量，激发发光单元中的有机材料发光。

由于有机发光二极管的空穴注入层和/或空穴传输层所使用的材料的迁移率大于设定数值，在激发有机发光二极管的发光层的发光单元中的有机材料发光时，容易导致有机发光二极管横向导通，在使有机发光二极管产生单色画面时同时还有其他颜色出现。

例如：假设使有机发光二极管发红光时，需要激发有机发光二极管中能够产生红光的发光单元被导通。但是由于有机发光二极管的空穴注入层和/或空穴传输层所使用的材料的迁移率大于设定数值，空穴在经过空穴注入层和空穴传输层到达有机发光层的发光单元时发生横向漂移，使得产生红光的发光单元在被导通的同时，导致临近的产生红光的发光单元的能够产生绿光的发光单元也部分被导通，此时，在有机发光二极管中既能够看到红色画面，也能够看到微弱的绿色画面。

发明内容

有鉴于此，本发明提供了一种有机发光二极管及其制作方法，用于解决有机发光二极管横向导通的问题。

本发明提供了一种有机发光二极管，所述有机发光二极管包括：阳极层、空穴注入层、空穴传输层、有机发光层，其特征在于，所述有机发光二极管还包括：金属网栅层，其中：

所述金属网栅层位于所述阳极层和所述空穴注入层之间；

所述空穴注入层、所述空穴传输层中分别包含与所述金属网栅层的栅格对应的独立单元。

可选地，所述空穴注入层中的所述独立单元是通过对所述金属网栅层通电使得所述金属网栅层达到第一设定温度后所述空穴注入层被加热分隔得到的。

可选地，所述空穴传输层中的所述独立单元是通过对所述金属网栅层通电使得所述金属网栅层达到第二设定温度后所述空穴传输层被加热分隔得到的。

可选地，所述金属网栅层包含金属网栅结构，所述金属网栅的线宽为5～40μm，宽方向的周期为单个像素的宽度值，长方向的周期为单个像素的长度值，厚度为0.1～15μm。

可选地，所述金属网栅层中栅格的位置与所述有机发光层中的发光单元的位置对应，且所述金属网栅层中栅格的大小大于所述有机发光层中的发光单元的大小，所述独立单元与所述有机发光层中的发光单元对应。

本发明提供了一种有机发光二极管的制作方法，包括：

在有机发光二极管的阳极层上沉积金属网栅层；

在所述金属网栅层上依次沉积空穴注入层、空穴传输层；

对所述金属网栅层通电，使所述金属网栅层达到设定温度。

可选地，在有机发光二极管的阳极层上沉积金属网栅层，包括：

在所述有机发光二极管的阳极层上蚀刻金属网栅层。

可选地，在所述金属网栅层上沉积空穴传输层之后，所述方法还包括：

在所述空穴传输层上沉积有机发光层，其中，所述有机发光层中的发光单元的位置与所述金属网栅层中栅格的位置一一对应，且所述发光单元的大小小于所述金属网栅层栅格的大小。

可选地，在所述空穴传输层上沉积所述有机发光层之后，所述方法还包括：

在所述有机发光层上依次沉积电子传输层、电子注入层。

可选地，在对金属网栅层通电，使所述金属网栅层达到设定温度之后，所述方法还包括：

在所述有机发光二极管的电子注入层上沉积所述有机发光二极管的阴极层。

本发明有益效果如下：

本发明提供了一种有机发光二极管，所述有机发光二极管包括：阳极层、空穴注入层、空穴传输层、有机发光层，所述有机发光二极管还包括：金属网栅层，所述金属网栅层位于所述阳极层和所述空穴注入层之间；所述空穴注入层、空穴传输层中分别包含与所述金属网栅层的栅格对应的独立单元，所述独立单元与所述有机发光层中的发光单元对应。在空穴注入层和/或空穴传输层所使用的材料的迁移率大于设定数值时，所述空穴注入层、空穴传输层中分别包含与所述金属网栅层的栅格对应的独立单元，能够避免电子或空穴的横向漂移，有效解决了有机发光二极管横向导通的问题，在使有机发光二极管产生单色画面时不会有其他颜色的画面出现。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简要介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域的普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明提供的一种有机发光二极管的制作方法的流程示意图；

图2为空穴注入层被分隔成独立单元结构的示意图；

图3为有机发光二极管中有机发光层的示意图；

图4(a)为本发明提供的一种有机发光二极管的结构示意图；

图4(b)为本发明提供的一种有机发光二极管的结构示意图。

具体实施方式

目前，解决有机发光二极管横向导通的方法主要有两种，一种是有机发光二极管中每个发光单元对应的空穴注入层和空穴传输层采用透过金属遮罩(Fine Metal ShadowMask，FMM)方法蒸镀，当阳极产生的空穴经过空穴注入层、空穴传输层进入有机发光层时能够避免出现横向漂移，解决了有机发光二极管横向导通的问题，但是采用金属遮罩方法完成有机发光二极管不同膜层的蒸镀使得有机发光二极管的生产工艺比较复杂，在实际应用中使用率极低；另一种方法是空穴注入层和空穴传输层选用迁移率小于设定数值的材料来解决有机发光二极管横向导通的问题，但是这样会导致有机发光二极管的运行速度降低、性能下降、功耗增加。

为了实现本发明的目的，本发明提供了一种有机发光二极管，所述有机发光二极管包括：阳极层、空穴注入层、空穴传输层、有机发光层，其特征在于，所述有机发光二极管还包括：金属网栅层，所述金属网栅层位于所述有机发光二极管的所述阳极层和所述空穴注入层之间；所述空穴注入层、空穴传输层中分别包含与所述金属网栅层的栅格对应的独立单元，所述独立单元与所述有机发光层中的发光单元对应。

由于空穴注入层和/或空穴传输层所使用的材料的迁移率大于设定数值，所述阳极层产生的空穴经过所述空穴注入层、所述空穴传输层到达所述有机发光层，采用本发明实施例中所记载的技术方案在阳极层和空穴注入层之间增加金属网栅层，使得所述空穴注入层、空穴传输层中分别包含与所述金属网栅层的栅格对应的独立单元，能够避免电子或空穴的横向漂移，有效解决有机发光二极管横向导通的问题，在使有机发光二极管产生单色画面时不会有其他颜色的画面出现。

下面结合说明书附图对本发明各个实施例作进一步地详细描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明保护的范围。

图1为本发明提供的一种有机发光二极管的制作方法的流程示意图，所述方法可以如下所示。

步骤101：在有机发光二极管的阳极层上沉积金属网栅层。

在步骤101中，采用真空蒸镀的方法在玻璃基板上沉积阳极层，在所述阳极层上采用干刻或湿刻的蚀刻方法沉积金属网栅层。

具体地，在所述阳极层之上采用干刻或湿刻的方法沉积金属网栅层，该金属网栅层为三维或者四维的，本文中优选三维金属网栅层。

所述三维金属网栅层的线宽为5～40μm，宽方向的周期为单个像素的宽度值，长方向的周期为单个像素的长度值，厚度为0.1～15μm。

其中，本发明实施例中所记载的所述线宽指的是所述三维金属网栅的栅线的宽度，本发明实施例中所记载的所述周期指的是所述三维金属网栅的栅线之间的间距。

需要说明的是，所述三维金属网栅层中三维的意思是指所述金属网栅层的结构是具有一定厚度的网格状。在后续过程中可以通过所述网格状的三维金属网栅层将空穴注入层和空穴传输层分隔为与有机发光层中的发光单元对应的独立单元。

步骤102：在所述金属网栅层上依次沉积空穴注入层、空穴传输层。

在步骤102中，采用真空蒸镀的方法在所述金属网栅层上依次沉积空穴注入层、空穴传输层。

步骤103：对所述金属网栅层通电，使所述金属网栅层达到设定温度。

在步骤103中，对所述金属网栅层通电，使加热后的所述金属网栅层达到设定温度。

在本发明实施例中对于设定温度的大小值不做具体限定。一般所述设定温度满足：高于所述空穴注入层、空穴传输层所使用的材料的玻璃化温度(Glass TransitionTemperature，TG温度)。

当加热后的所述金属网栅层达到设定温度时，空穴注入层中与金属网栅的栅线接触的部分以及空穴传输层中与金属网栅的栅线对应的部分，同时被加热到设定温度。

当所述设定温度为高于所述空穴注入层所使用的材料的TG温度的第一设定温度时，空穴注入层中与金属网栅的栅线接触的部分失效，使得所述空穴注入层被分隔成与所述金属网栅层的栅格对应的独立单元，如图2所示，图2为空穴注入层被分隔成独立单元结构的示意图。

从图2中可以看出，在对所述金属网栅层通电之前，图2中的A、B、C三部分在所述空穴注入层中是连续的。对所述金属网栅层通电，使所述金属网栅层达到高于所述空穴注入层所使用的材料的TG温度的第一设定温度时，空穴注入层中与金属网栅的栅线接触部分，也即图2中所示的B部分，同时被加热到所述第一设定温度，由于所述第一设定温度超过了所述空穴注入层所使用的材料的TG温度，使B部分失效，那么在B部分将无法实现空穴注入的功能。B部分的失效使得所述空穴注入层中的有效部分A、C分隔成与所述金属网栅层的栅格对应的独立单元。

例如：有机发光二极管中空穴注入层所使用的材料的TG温度为110℃，在蒸镀完成有机发光二极管的阳极层、金属网栅层、空穴注入层、空穴传输层之后，对金属网栅层通电，使所述金属网栅加热至120℃，此时，空穴注入层中与金属网栅的栅线接触的部分被加热至120℃，由于120℃超过了所述空穴注入层所使用的材料的TG温度110℃，使空穴注入层中与金属网栅的栅线接触的部分失效，不能再实现空穴注入的功能，使得所述空穴注入层被分隔成与所述金属网栅层的栅格对应的独立单元。

当所述设定温度为高于所述空穴传输层所使用的材料的TG温度的第二设定温度时，空穴传输层中与金属网栅的栅线对应的部分失效，使得所述空穴传输层被分隔成与所述金属网栅层的栅格对应的独立单元。

需要说明的是，所述第一设定温度可以大于所述第二设定温度，可以小于所述第二设定温度，还可以等于所述第二设定温度，这里不做具体限定。

由于空穴注入层和/或空穴传输层所使用的材料迁移率高于设定数值，空穴注入层和空穴传输层在被加热后分隔成独立单元，能够避免电子或空穴的横向漂移。

在所述金属网栅层上沉积空穴注入层、空穴传输层后，所述方法还包括：

在所述空穴传输层上沉积有机发光层，其中，所述有机发光层中的发光单元的位置与所述金属网栅层中栅格的位置一一对应，并且所述发光单元的大小小于所述金属网栅层栅格的大小。

在所述空穴传输层上沉积所述有机发光层之后，所述方法还包括：

在所述有机发光层上依次沉积电子传输层、电子注入层。

在对金属网栅层通电，使所述金属网栅层达到设定温度后，所述方法还包括：

在所述有机发光二极管的电子注入层上沉积所述有机发光二极管的阴极层。

其中，对所述有机发光层、所述电子传输层、所述电子注入层、所述阴极层进行沉积以及对所述金属网栅层执行通电操作的先后顺序不做具体限定。

在本发明实施例中对所述有机发光层、所述电子传输层、所述电子注入层、所述阴极层进行沉积以及对所述金属网栅层执行通电操作的先后顺序的实现方式可以包括但不限于以下几种：

方式一：

在对所述金属网栅层通电，使所述金属网栅层达到设定温度之后，所述方法还包括：

采用真空蒸镀的方法在所述空穴传输层上依次沉积有机发光层、电子传输层、电子注入层、阴极层。

具体地，在所述空穴传输层之上蒸镀所述有机发光层，其中，所述有机发光层中的发光单元的位置与所述金属网栅层中栅格的位置一一对应，且所述发光单元的大小小于所述金属网栅层中的栅格的大小。

图3为有机发光二极管中有机发光层的示意图。在所述有机发光层上依次蒸镀电子传输层、电子注入层、阴极层。

由于空穴注入层和空穴传输层被金属网栅层加热后分隔成的独立单元与所述金属网栅层中的栅格一一对应，所述有机发光层中的发光单元与所述金属网栅层中的栅格也一一对应，所以所述有机发光层中的发光单元与所述空穴注入层和空穴传输层被分隔后的独立单元一一对应。

阳极产生的空穴经过发光单元对应的空穴注入层和空穴传输层的独立单元后到达有机发光层中的所述发光单元，阴极产生的电子经过电子注入层和电子传输层到达有机发光层中的所述发光单元，所述发光单元被导通，电子和空穴在有机发光层中的所述发光单元中复合释放能量，激发所述发光单元发光。

由于空穴注入层和/或空穴传输层所使用的材料迁移率大于设定数值，所述空穴注入层、空穴传输层被分隔成独立单元，能够避免电子或空穴的横向漂移，所述发光单元之外的其他发光单元不会被导通发光，解决了有机发光二极管的横向导通问题，在使有机发光二极管产生单色画面时不会有其他颜色出现。

有机发光层中的发光单元与所述空穴注入层和空穴传输层被分隔后的独立单元一一对应，实现了有机发光二极管的像素分离，有助于柔性显示的弯曲，使得在柔性显示时有机发光二极管不容易脱落，并且有机发光二极管可以具有更长的弯曲次数和寿命。

方式二：

在对所述金属网栅层通电，使所述金属网栅达到设定温度之前，所述方法还包括：

在所述空穴传输层上沉积有机发光层。

具体地，采用真空蒸镀的方法在所述空穴传输层上沉积有机发光层，其中，所述有机发光层中的发光单元的位置与所述金属网栅层中的栅格的位置一一对应，且所述发光单元的大小小于所述金属网栅层中栅格的大小。

需要说明的是，所述有机发光层所使用的材料的TG温度高于所述空穴注入层、空穴传输层所使用的材料的TG温度，在蒸镀所述有机发光层之后，对金属网栅层通电，使所述金属网栅层达到的设定温度要高于所述空穴注入层和空穴传输层所使用的材料的TG温度且低于所述有机发光层所使用的材料的TG温度。

在对所述金属网栅层通电，使所述金属网栅层达到设定温度之后，所述方法还包括：

采用真空蒸镀的方法在所述有机发光层上依次沉积电子传输层、电子注入层、阴极层。

方式三：

在对所述金属网栅层通电，使所述金属网栅层达到设定温度之前，所述方法还包括：

在所述空穴传输层上依次沉积有机发光层、电子传输层。

具体地，采用真空蒸镀的方法在所述空穴传输层上沉积有机发光层，其中，所述有机发光层中的发光单元的位置与所述金属网栅层中栅格的位置一一对应，且所述发光单元的大小小于所述金属网栅层中栅格的大小。采用真空蒸镀的方法在所述有机发光层上沉积电子传输层。

需要说明的是，所述有机发光层、电子传输层所使用的材料的TG温度高于所述空穴注入层、空穴传输层所使用的材料的TG温度，在蒸镀所述有机发光层、电子传输层之后，对金属网栅层通电，使所述金属网栅层达到的设定温度要高于所述空穴注入层和空穴传输层所使用的材料的TG温度且低于所述有机发光层和电子传输层所使用的材料的TG温度。

在对所述金属网栅层通电，使所述金属网栅层达到设定温度之后，所述方法还包括：

采用真空蒸镀的方法在所述电子传输层上依次沉积电子注入层、阴极层。

方式四：

在对所述金属网栅层通电，使所述金属网栅层达到设定温度之前，所述方法还包括：

在所述空穴传输层上依次沉积有机发光层、电子传输层、电子注入层。

具体地，采用真空蒸镀的方法在所述空穴传输层上沉积有机发光层，其中，所述有机发光层中的发光单元的位置与所述金属网栅层中栅格的位置一一对应，且所述发光单元的大小小于所述金属网栅层中栅格的大小。采用真空蒸镀的方法在所述有机发光层上依次沉积电子传输层、电子注入层。

需要说明的是，所述有机发光层、电子传输层、电子注入层所使用的材料的TG温度高于所述空穴注入层、空穴传输层所使用的材料的TG温度，在蒸镀所述有机发光层、电子传输层、电子注入层之后，对金属网栅层通电，使所述金属网栅层达到的设定温度要高于所述空穴注入层和空穴传输层所使用的材料的TG温度且低于所述有机发光层、电子传输层和电子注入层所使用的材料的TG温度。

在对所述金属网栅层通电，使所述金属网栅层达到设定温度之后，所述方法还包括：

采用真空蒸镀的方法在所述电子注入层上沉积阴极层。

通过本发明提供的有机发光二极管的制作方法，在有机发光二极管的阳极层上沉积金属网栅层；在所述金属网栅层上依次沉积空穴注入层、空穴传输层；对所述金属网栅层通电，使所述金属网栅层达到设定温度，使得所述空穴注入层和空穴传输层被加热后分隔成与所述金属网栅层中的栅格一一对应的独立单元。由于空穴注入层和/或空穴传输层所使用的材料迁移率大于设定数值，所述阳极层产生的空穴经过所述空穴注入层、所述空穴传输层到达所述有机发光层，采用本发明实施例中所记载的技术方案在阳极层和空穴注入层之间增加金属网栅层，使得所述空穴注入层、空穴传输层中分别包含与所述金属网栅层的栅格对应的独立单元，能够避免电子或空穴的横向漂移，有效解决有机发光二极管横向导通的问题，在使有机发光二极管产生单色画面时不会有其他颜色的画面出现，同时有助于有机发光二极管柔性显示的弯曲。

图4(a)为本发明提供的一种有机发光二极管的结构示意图，所述有机发光二极管是根据图1所示的有机发光二极管的制作方法制作而成的。所述有机发光二极管的结构包括：阳极层401、金属网栅层402、空穴注入层403、空穴传输层404、有机发光层405、。

在本发明的可选实施例中，所述有机发光二极管还包括玻璃基板406、电子传输层407、电子注入层408、阴极层409。图4(b)为本发明提供的一种有机发光二极管的结构示意图。

由图4(b)可知，在所述有机发光二极管中，所述阳极层401蒸镀在所述玻璃基板406之上，所述金属网栅层402蒸镀在所述阳极层401之上；所述空穴注入层403蒸镀在所述金属网栅层402之上；所述空穴传输层404蒸镀在所述空穴注入层403之上；所述有机发光层405蒸镀在所述空穴传输层404之上；所述电子传输层407蒸镀在所述有机发光层405之上；所述电子注入层408蒸镀在所述电子传输层407之上；所述阴极层409蒸镀在所述电子注入层408之上。

所述空穴注入层403、空穴传输层404中分别包含与所述金属网栅层402的栅格对应的独立单元，所述独立单元与所述有机发光层405中的发光单元对应。

所述空穴注入层403中的所述独立单元是通过对所述金属网栅层402通电使得所述金属网栅层402达到第一设定温度后所述空穴注入层403被加热分隔得到的。

所述空穴传输层404中的所述独立单元是通过对所述金属网栅层402通电使得所述金属网栅层402达到第二设定温度后所述空穴传输层404被加热分隔得到的。

所述金属网栅层402包含三维金属网栅结构，所述三维金属网栅的线宽为5～40μm，宽方向的周期为单个像素的宽度值，长方向的周期为单个像素的长度值，厚度为0.1～15μm。所述金属网栅层402中栅格的位置与所述有机发光层405中的发光单元的位置对应，且所述金属网栅层402中栅格的大小大于所述有机发光层405中的发光单元的大小。

需要说明的是，所述三维金属网栅结构中三维的意思是指所述金属网栅层的结构是具有一定厚度的网格状。可以通过所述网格状的三维金属网栅层402将所述空穴注入层403和空穴传输层404分隔为与所述有机发光层405中的发光单元对应的独立单元。

本发明提供的有机发光二极管包括：阳极层、空穴注入层、空穴传输层、有机发光层，所述有机发光二极管还包括：金属网栅层，其中，所述金属网栅层位于所述阳极层和所述空穴注入层之间；所述空穴注入层、空穴传输层中分别包含与所述金属网栅层的栅格对应的独立单元，所述独立单元与所述有机发光层中的发光单元对应。由于空穴注入层和/或空穴传输层所使用的材料迁移率大于设定数值，采用本发明实施例中所记载的有机发光二极管在阳极层和空穴注入层之间增加金属网栅层，使得所述空穴注入层、空穴传输层中分别包含与所述金属网栅层的栅格对应的独立单元，能够避免电子或空穴的横向漂移，有效解决了有机发光二极管横向导通的问题，在有机发光二极管产生单色画面时不会有其他颜色的画面出现。

本发明是参照根据本发明实施例的方法、装置(设备)的流程图和/或方框图来描述的。尽管已描述了本发明的优选实施例，但本领域内的技术人员一旦得知了基本创造性概念，则可对这些实施例作出另外的变更和修改。所以，所附权利要求意欲解释为包括优选实施例以及落入本发明范围的所有变更和修改。

显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (10)

1.一种有机发光二极管，所述有机发光二极管包括：阳极层、空穴注入层、空穴传输层、有机发光层，其特征在于，所述有机发光二极管还包括：金属网栅层，其中：

所述金属网栅层位于所述阳极层和所述空穴注入层之间；

所述空穴注入层、所述空穴传输层中分别包含与所述金属网栅层的栅格对应的独立单元；

其中，所述空穴注入层、所述空穴传输层中包括的所述独立单元是通过对所述金属网栅层通电使得所述金属网栅层达到设定温度后所述空穴注入层、所述空穴传输层被加热分隔得到的，所述设定温度高于所述空穴注入层、所述空穴传输层所使用的材料的玻璃化温度。

2.如权利要求1所述的有机发光二极管，其特征在于，所述空穴注入层中的所述独立单元是通过对所述金属网栅层通电使得所述金属网栅层达到第一设定温度后所述空穴注入层被加热分隔得到的。

3.如权利要求1或2所述的有机发光二极管，其特征在于，所述空穴传输层中的所述独立单元是通过对所述金属网栅层通电使得所述金属网栅层达到第二设定温度后所述空穴传输层被加热分隔得到的。

4.如权利要求1所述的有机发光二极管，其特征在于，所述金属网栅层包含金属网栅结构，所述金属网栅的线宽为5～40μm，宽方向的周期为单个像素的宽度值，长方向的周期为单个像素的长度值，厚度为0.1～15μm。

5.如权利要求1所述的有机发光二极管，其特征在于，所述金属网栅层中栅格的位置与所述有机发光层中的发光单元的位置对应，并且所述金属网栅层中栅格的大小大于所述有机发光层中的发光单元的大小，所述独立单元与所述有机发光层中的发光单元对应。

6.一种有机发光二极管的制作方法，其特征在于，包括：

在有机发光二极管的阳极层上沉积金属网栅层；

在所述金属网栅层上依次沉积空穴注入层、空穴传输层；

对所述金属网栅层通电达到设定温度，以使所述空穴注入层、所述空穴传输层分别被加热分隔得到与所述金属网栅层的栅格对应的独立单元；

其中，所述设定温度高于所述空穴注入层、所述空穴传输层所使用的材料的玻璃化温度。

7.如权利要求6所述的有机发光二极管的制作方法，其特征在于，在所述有机发光二极管的阳极层上沉积金属网栅层，包括：

在所述有机发光二极管的阳极层上蚀刻金属网栅层。

8.如权利要求6所述的有机发光二极管的制作方法，其特征在于，在所述金属网栅层上沉积空穴传输层后，所述方法还包括：

在所述空穴传输层上沉积有机发光层，其中，所述有机发光层中的发光单元的位置与所述金属网栅层中栅格的位置一一对应，并且所述发光单元的大小小于所述金属网栅层中栅格的大小。

9.如权利要求8所述的有机发光二极管的制作方法，其特征在于，在所述空穴传输层上沉积所述有机发光层之后，所述方法还包括：

在所述有机发光层上依次沉积电子传输层、电子注入层。

10.如权利要求6或9所述的有机发光二极管的制作方法，其特征在于，在对金属网栅层通电，使所述金属网栅层达到设定温度后，所述方法还包括：

在所述有机发光二极管的电子注入层上沉积所述有机发光二极管的阴极层。