CN106711177A - 一种增强光提取率的qled场效应晶体管及其制备方法 - Google Patents

一种增强光提取率的qled场效应晶体管及其制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN106711177A
CN106711177A CN201611235572.3A CN201611235572A CN106711177A CN 106711177 A CN106711177 A CN 106711177A CN 201611235572 A CN201611235572 A CN 201611235572A CN 106711177 A CN106711177 A CN 106711177A
Authority
CN
China
Prior art keywords
qled
layer
light extraction
silicon layer
soi substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201611235572.3A
Other languages
English (en)
Inventor
辛征航
向超宇
李乐
张滔
张东华
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
TCL Corp
Original Assignee
TCL Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by TCL Corp filed Critical TCL Corp
Priority to CN201611235572.3A priority Critical patent/CN106711177A/zh
Publication of CN106711177A publication Critical patent/CN106711177A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
    • H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549—Organic PV cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

本发明公开一种增强光提取率的QLED场效应晶体管及其制备方法，QLED场效应晶体管依次包括：表面具有多个纳米坑的SOI衬底、位于SOI衬底表面的QLED器件，所述SOI衬底包括依次设置的第一硅层、绝缘层和第二硅层。本发明中，由于在SOI衬底表面含有多个纳米坑，从而使SOI衬底表面呈现凹凸不平的结构，使其上QLED器件形成凹凸不平的结构，这种结构相对于传统平面结构，可提高光提取率，从而提高器件的出光效率。

Description

一种增强光提取率的QLED场效应晶体管及其制备方法
技术领域
本发明涉及显示领域，尤其涉及一种增强光提取率的QLED场效应晶体管及其制备方法。
背景技术
近年来，量子点发光二极管（QLED）因具备高亮度、低功耗、广色域、易加工等诸多优点在照明和显示领域获得了广泛的关注与研究。另外在微电子技术的发展背景下，场效应晶体管（FET）是目前现代微电子学中应用最广泛的器件之一。随着小尺寸、被动驱动技术的日渐成熟，大尺寸、主动驱动技术显示成为研究主流，且大尺寸显示需要TFT驱动技术，通过结合发光器件和FET的技术，可考虑将QLED和FET集成的QLED-FET集成发光器件，实现充分利用QLED的巨大应用前景。因此QLED-FET集成发光器件需要将发光单元集成于Si基等非透明衬底的，一方面利用Si基衬底与电路更好的集成效果，另一方面可通过制备顶发射器件解决传统底发射器件难与TFT相结合的问题。
近年来，虽然QLED-FET集成发光器件发光效率取得了较大的突破，但受限于波导模、表面等离子体模等模式限制，发光器件出光率仍然较低。
因此，现有技术还有待于改进和发展。
发明内容
鉴于上述现有技术的不足，本发明的目的在于提供一种增强光提取率的QLED场效应晶体管及其制备方法，旨在解决现有QLED-FET集成发光器件出光率较低的问题。
本发明的技术方案如下：
一种增强光提取率的QLED场效应晶体管，其中，依次包括：表面具有多个纳米坑的SOI衬底、位于SOI衬底表面的QLED器件，所述SOI衬底包括依次设置的第一硅层、绝缘层和第二硅层。
所述的增强光提取率的QLED场效应晶体管，其中，所述QLED器件依次包括：空穴传输层、量子点发光层、电子传输层和顶电极。
所述的增强光提取率的QLED场效应晶体管，其中，所述QLED器件依次包括：电子传输层、量子点发光层、空穴传输层和顶电极。
所述的增强光提取率的QLED场效应晶体管，其中，所述第一硅层和第二硅层均为N型或P型掺杂硅层。
所述的增强光提取率的QLED场效应晶体管，其中，所述顶电极为具有双层结构的透明电极。
所述的增强光提取率的QLED场效应晶体管，其中，所述双层结构中的一层为Al，另一层为Ag。
所述的增强光提取率的QLED场效应晶体管，其中，所述顶电极为ITO或者IZO电极。
所述的增强光提取率的QLED场效应晶体管，其中，所述纳米坑的形状为圆柱状、圆锥状、锥台状、椭圆锥或者半球形。
一种如上所述的增强光提取率的QLED场效应晶体管的制备方法，其中，包括步骤：
A、在SOI衬底的表面制作多个纳米坑；所述SOI衬底包括依次设置的第一硅层、绝缘层和第二硅层
B、在SOI衬底表面制作QLED器件。
所述的制备方法，其中，所述步骤A中，采用纳米球刻蚀、聚焦离子束刻蚀或光刻方法制作纳米坑，使SOI衬底表面呈现凹凸不平的结构。
有益效果：本发明中，由于在SOI衬底表面含有周期性的纳米坑，从而使SOI衬底表面呈现出凹凸不平的结构，使其上QLED器件形成凹凸不平的结构，这种结构相对于传统平面结构，可提高光提取率，从而提高器件的出光效率。
附图说明
图1为本发明一种增强光提取率的QLED场效应晶体管较佳实施例的结构示意图。
图2为图1中SOI衬底的结构示意图。
图3为本发明一种增强光提取率的QLED场效应晶体管实施例一的结构示意图。
图4为本发明一种增强光提取率的QLED场效应晶体管实施例二的结构示意图。
具体实施方式
本发明提供一种增强光提取率的QLED场效应晶体管及其制备方法，为使本发明的目的、技术方案及效果更加清楚、明确，以下对本发明进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
请参阅图1，图1为本发明一种增强光提取率的QLED场效应晶体管较佳实施例的结构示意图，如图所示，其依次包括：表面具有多个纳米坑的SOI衬底1、位于SOI衬底1表面的QLED器件2，如图2所示，所述SOI衬底1包括依次设置的第一硅层10、绝缘层11和第二硅层12。
本发明采用SOI衬底1，相对于传统通过溶液法制备绝缘层及蒸镀电极形成“电容单元”的方式，本发明保留了FET（场效应晶体管）作为电容单元驱动QLED发光的功能，满足了器件集成度，且更易于适合进一步对SOI衬底1的处理及QLED器件2结构的处理。由于SOI衬底1表面纳米坑型的凹凸结构的存在，相对于平衬底上，其形成了亚波长光栅结构，从而增强器件出光效率。
如图2所示，所述SOI衬底1，包括硅层（第一硅层10）、绝缘层11及绝缘层上硅（第二硅层12）三层。在所述第二硅层12表面进行刻蚀处理，使第二硅层12表面呈现一定的凹凸结构（即形成多个纳米坑），相对比平衬底，该凹凸结构会影响在其上制备得到的QLED器件2的结构及性能，具体表现在增强光提取率，提高器件出光效率。
本发明中，所述纳米坑可以是周期性的分布在所述第二硅层12表面，也可以是非周期性的分布在所述第二硅层12表面，只要能形成凹凸不平的结构即可。当然优选的是，周期性的分布在所述第二硅层12表面。
具体来说，所述第一硅层10为N型或P型掺杂硅层。第一硅层10其作为第一电极，第一电极为FET栅极，并作为FET阳极或FET阴极。
所述第二硅层12为N型或P型掺杂硅层，所述第二硅层12为第二电极，对第二硅层12表面进行刻蚀处理，使其表面产生多个纳米坑，刻蚀方法可以是纳米球刻蚀（NSL）、聚焦离子束刻蚀（FIB）或光刻等，这些方法可以控制纳米坑的深度和大小。其中的第二电极为FET源极，并作为FET阴极或FET阳极，还作为QLED阴极或阳极。所述纳米坑的形状为圆柱状、圆锥状、锥台状、椭圆锥或者半球形，这些结构均为纳米级别。
所述绝缘层11优选为PMMA或PI。
进一步，所述QLED器件2依次包括：空穴传输层、量子点发光层、电子传输层和顶电极。其中，所述空穴传输层的厚度为1-100nm，优选为40-50nm。量子点发光层的厚度为优选10-100nm。电子传输层优选具有高的电子传输性能的n型氧化锌，其较佳的厚度为30-60nm，另外还可根据需要增加电子注入层，电子注入层材料可以选择CsF，LiF，CsCO3等化合物。另外还可根据需要增加空穴注入层，所述空穴注入层的材料可以但不限于PEDOT:PSS。
进一步，所述顶电极为具有双层结构的透明电极。所述双层结构中的一层为Al，另一层为Ag。除此之外，所述顶电极还可以为ITO或者IZO电极。所述顶电极作为FET漏极，并作为QLED阳极或QLED阴极，如通过蒸镀方式沉积双层结构为Al（10 nm）/Ag（2 nm）的透明电极，当然也可采用磁控溅射法制备ITO电极作为顶电极。总的来说，当第一硅层10作为FET阴极时，那么第二硅层12作为FET阳极，同时第二硅层12还作为QLED阳极，顶电极作为QLED阴极。当第一硅层10作为FET阳极时，那么第二硅层12作为FET阴极，同时第二硅层12还作为QLED阴极，顶电极作为QLED阳极。
进一步，所述QLED器件2的顺序还可进行调整，例如依次包括：电子传输层、量子点发光层、空穴传输层和顶电极。也即，将电子传输层和空穴传输层互换，从而形成不同结构的QLED器件。其中的各层材料与前述材料相同。另外还可根据需要增加电子注入层，电子注入层材料可以选择CsF，LiF，CsCO3等化合物。另外还可根据需要增加空穴注入层，所述空穴注入层的材料可以但不限于PEDOT:PSS。
本发明还提供一种如上所述的增强光提取率的QLED场效应晶体管的制备方法较佳实施例，其包括步骤：
S1、在SOI衬底的表面制作多个纳米坑；所述SOI衬底包括依次设置的第一硅层、绝缘层和第二硅层
S2、在SOI衬底表面制作QLED器件。
在制备过程中，先对SOI衬底SOI基片可采用标准Shiraki方法清洗，包括有机溶剂环境超声、多步强酸处理等以除去表面绝缘层及有机杂质和金属元素杂质。
优选的，所述步骤S1中，采用纳米球刻蚀、聚焦离子束刻蚀或光刻方法制作纳米坑，从而使第二硅层表面形成凹凸不平的结构，并使其上QLED器件结构呈现凹凸不平的结构，相对比平衬底，这种结构能够增强光提取率，从而提高出光效率。当然，本发明也不限于采用刻蚀方法制作纳米坑。
实施例一
如图3所示，SOI衬底采用标准Shiraki方法清洗，包括有机溶剂环境超声、多步强酸处理等以除去表面绝缘层及有机杂质和金属元素杂质。SOI衬底从下至上依次包括第一硅层30、绝缘层31和第二硅层32。
第一硅层30可做N型掺杂处理，第一硅层30作为第一电极，第一电极为FET阴极，同时为FET栅极。
绝缘层31可选择PMMA或聚酰亚胺（PI）材料，例如选择PI材料时，可将PI和N,N-二甲基甲酰胺（DMF）按体积比为1﹕1配比稀释后旋涂在第一硅层30上。然后在红外箱中干燥5分钟，再在氩气氛围以及220℃条件下退火处理3小时。
对第二硅层32表面作刻蚀处理，使表面产生多个纳米坑，刻蚀处理可以采用纳米球刻蚀（NSL），聚焦离子束刻蚀（FIB）或光刻等。第二硅层32作为第二电极，第二电极为FET阳极，同时作为FET源极，同时第二电极也作为QLED阳极。
在第二硅层32表面沉积一层空穴传输层33，此空穴传输层33的厚度为1-100nm，优选40-50nm，如45nm。由于所采用空穴传输层33材料为溶液，可采用喷涂法或喷墨打印法等方式沉积，如采用喷涂法将溶液喷涂到垂直旋转的第二硅层32上以沉积空穴传输层33，然后对进行热处理（退火处理，除去溶剂），后续各功能层均可采用类似方法制作。所述空穴传输层33的材料可以为但不限于poly-TPD、TFB等有机传输材料，或NiO、MoO3等无机传输材料或其复合物。另外，在沉积所述空穴传输层33之前，可先在第二硅层32上沉积一层空穴注入层，所述空穴注入层可以是PEDOT:PSS，所述空穴注入层的厚度为10-150nm，如75nm。
将量子点发光层34沉积在空穴传输层33表面，其厚度为10-100nm，如50nm。
沉积电子传输层35，其中电子传输层35优选具有高的电子传输性能的n型氧化锌，其较佳的厚度为30-60nm，如40nm，另外，还可根据需要在电子传输层35上沉积电子注入层，电子注入层材料可以选择CsF、LiF或CsCO3等化合物。
沉积顶电极36，所述顶电极36为透明电极，作为QLED阴极，同时作为FET漏极，如通过蒸镀方式沉积双层结构为Al（10 nm）/Ag（2 nm）的透明电极。或采用磁控溅射法制备ITO电极。
实施例二
如图4所示，SOI衬底采用标准Shiraki方法清洗，包括有机溶剂环境超声、多步强酸处理等以除去表面绝缘层及有机杂质和金属元素杂质。SOI衬底从下至上依次包括第一硅层40、绝缘层41和第二硅层42。
第一硅层40可做N型掺杂处理，第一硅层40作为第一电极，第一电极为FET阳极，同时为FET栅极。
绝缘层41可选择PMMA或聚酰亚胺（PI）材料，例如选择PI材料时，可将PI和N,N-二甲基甲酰胺（DMF）按体积比为1﹕1配比稀释后旋涂在第一硅层40上。然后在红外箱中干燥5分钟，再在氩气氛围以及220℃条件下退火处理3小时。
对第二硅层42表面作刻蚀处理，使表面产生多个纳米坑，刻蚀处理可以采用纳米球刻蚀（NSL），聚焦离子束刻蚀（FIB）或光刻等。第二硅层42作为第二电极，第二电极为FET阴极，同时作为FET源极，同时也作为QLED阴极。
在第二硅层42表面沉积一层电子传输层43，其中电子传输层43优选具有高的电子传输性能的n型氧化锌，其较佳的厚度为30-60nm，如55nm。另外，还可在沉积电子传输层43之前沉积电子注入层，电子注入层材料可以选择CsF、LiF或CsCO3等化合物。由于所采用电子传输层43材料为溶液，可采用喷涂法或喷墨打印法等方式沉积，如采用喷涂法将溶液喷涂到垂直旋转的第二硅层42上，以沉积电子传输层43，然后对进行热处理（退火处理，除去溶剂）。后续各功能层均可采用类似方法制作。
将量子点发光层44沉积在电子传输层43表面，其厚度为10-100nm，如50nm。
沉积空穴传输层45，此空穴传输层45的厚度为1-100nm，优选40-50nm，如45nm。所述空穴传输层45的材料可以为但不限于poly-TPD、TFB等有机传输材料，或NiO、MoO3等无机传输材料或其复合物。另外，在所述空穴传输层45上还可沉积一层空穴注入层，所述空穴注入层的厚度为10-150nm，如75nm，所述空穴注入层可以是PEDOT:PSS。
沉积顶电极46，所述顶电极46为透明电极，作为QLED阴极，同时作为FET漏极，如通过蒸镀方式沉积双层结构为Al（10 nm）/Ag（2 nm）的透明电极。或采用磁控溅射法制备ITO电极。
综上所述，本发明中，由于在SOI衬底表面含有多个纳米坑，从而使SOI衬底表面呈现出凹凸不平的结构，使其上QLED器件形成凹凸不平的结构，这种结构相对于传统平面结构，可提高光提取率，从而提高器件的出光效率。
应当理解的是，本发明的应用不限于上述的举例，对本领域普通技术人员来说，可以根据上述说明加以改进或变换，所有这些改进和变换都应属于本发明所附权利要求的保护范围。

Claims (10)

1.一种增强光提取率的QLED场效应晶体管，其特征在于，依次包括：表面具有多个纳米坑的SOI衬底、位于SOI衬底表面的QLED器件，所述SOI衬底包括依次设置的第一硅层、绝缘层和第二硅层。
2.根据权利要求1所述的增强光提取率的QLED场效应晶体管，其特征在于，所述QLED器件依次包括：空穴传输层、量子点发光层、电子传输层和顶电极。
3.根据权利要求1所述的增强光提取率的QLED场效应晶体管，其特征在于，所述QLED器件依次包括：电子传输层、量子点发光层、空穴传输层和顶电极。
4.根据权利要求1所述的增强光提取率的QLED场效应晶体管，其特征在于，所述第一硅层和第二硅层均为N型或P型掺杂硅层。
5.根据权利要求2或3所述的增强光提取率的QLED场效应晶体管，其特征在于，所述顶电极为具有双层结构的透明电极。
6.根据权利要求5所述的增强光提取率的QLED场效应晶体管，其特征在于，所述双层结构中的一层为Al，另一层为Ag。
7.根据权利要求2或3所述的增强光提取率的QLED场效应晶体管，其特征在于，所述顶电极为ITO或者IZO电极。
8.根据权利要求1所述的增强光提取率的QLED场效应晶体管，其特征在于，所述纳米坑的形状为圆柱状、圆锥状、锥台状、椭圆锥或者半球形。
9.一种如权利要求1所述的增强光提取率的QLED场效应晶体管的制备方法，其特征在于，包括步骤：
A、在SOI衬底的表面制作多个纳米坑；所述SOI衬底包括依次设置的第一硅层、绝缘层和第二硅层
B、在SOI衬底表面制作QLED器件。
10.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，所述步骤A中，采用纳米球刻蚀、聚焦离子束刻蚀或光刻方法制作纳米坑，使SOI衬底表面呈现凹凸不平的结构。
CN201611235572.3A 2016-12-28 2016-12-28 一种增强光提取率的qled场效应晶体管及其制备方法 Pending CN106711177A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201611235572.3A CN106711177A (zh) 2016-12-28 2016-12-28 一种增强光提取率的qled场效应晶体管及其制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201611235572.3A CN106711177A (zh) 2016-12-28 2016-12-28 一种增强光提取率的qled场效应晶体管及其制备方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN106711177A true CN106711177A (zh) 2017-05-24

Family

ID=58903587

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201611235572.3A Pending CN106711177A (zh) 2016-12-28 2016-12-28 一种增强光提取率的qled场效应晶体管及其制备方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN106711177A (zh)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107359262A (zh) * 2017-07-07 2017-11-17 安徽熙泰智能科技有限公司 一种透明oled微显示器件及其制作方法
CN108922984A (zh) * 2018-07-26 2018-11-30 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及其制备方法、显示设备
CN109980116A (zh) * 2017-12-27 2019-07-05 Tcl集团股份有限公司 一种场效应晶体管及其制备方法
WO2020020223A1 (zh) * 2018-07-25 2020-01-30 Tcl集团股份有限公司 集成发光器件及其制备方法
CN114965642A (zh) * 2022-05-24 2022-08-30 福州大学 一种基于原子层沉积半导体沟道的凹槽型场效应晶体管生物传感器

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1875496A (zh) * 2003-08-29 2006-12-06 加利福尼亚大学董事会 垂直有机场效应晶体管
CN105206641A (zh) * 2015-10-12 2015-12-30 Tcl集团股份有限公司 Qled与tft集成器件及其制备方法
US20160155970A1 (en) * 2013-06-27 2016-06-02 Samsung Electronics Co., Ltd. Vertical organic light-emitting transistor and organic led illumination apparatus having the same

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1875496A (zh) * 2003-08-29 2006-12-06 加利福尼亚大学董事会 垂直有机场效应晶体管
US20160155970A1 (en) * 2013-06-27 2016-06-02 Samsung Electronics Co., Ltd. Vertical organic light-emitting transistor and organic led illumination apparatus having the same
CN105206641A (zh) * 2015-10-12 2015-12-30 Tcl集团股份有限公司 Qled与tft集成器件及其制备方法

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107359262A (zh) * 2017-07-07 2017-11-17 安徽熙泰智能科技有限公司 一种透明oled微显示器件及其制作方法
CN109980116A (zh) * 2017-12-27 2019-07-05 Tcl集团股份有限公司 一种场效应晶体管及其制备方法
CN109980116B (zh) * 2017-12-27 2020-11-17 Tcl科技集团股份有限公司 一种场效应晶体管及其制备方法
WO2020020223A1 (zh) * 2018-07-25 2020-01-30 Tcl集团股份有限公司 集成发光器件及其制备方法
CN110767817A (zh) * 2018-07-25 2020-02-07 Tcl集团股份有限公司 集成发光器件及其制备方法
US11659731B2 (en) 2018-07-25 2023-05-23 Tcl Technology Group Corporation Integrated light-emitting device and fabricating method thereof
CN108922984A (zh) * 2018-07-26 2018-11-30 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及其制备方法、显示设备
CN114965642A (zh) * 2022-05-24 2022-08-30 福州大学 一种基于原子层沉积半导体沟道的凹槽型场效应晶体管生物传感器

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9881985B2 (en) OLED device, AMOLED display device and method for manufacturing same
CN106711177A (zh) 一种增强光提取率的qled场效应晶体管及其制备方法
CN106601778B (zh) Oled背板及其制作方法
WO2017161615A1 (zh) 量子点发光器件及其制备方法及液晶显示装置
CN105576139A (zh) 一种量子点电致发光二极管及其制备方法、显示器
CN105576145B (zh) 一种量子点发光二极管、显示器以及制备方法
CN104716091A (zh) 阵列基板的制备方法、阵列基板和有机发光显示器件
TW200529695A (en) Organic electroluminescence display device and its fabrication method
US9679953B2 (en) WOLED back panel and method of manufacturing the same
CN106654031A (zh) 具有微腔结构的顶发射qled场效应晶体管及制备方法
WO2018120362A1 (zh) Oled基板及其制作方法
CN106601783A (zh) Oled显示面板及其制备方法、显示装置
CN104701459A (zh) 一种有机发光二极管器件及显示面板、显示装置
CN105826483A (zh) 一种量子点发光二极管及其制备方法
CN105206641A (zh) Qled与tft集成器件及其制备方法
CN105355798A (zh) 有机电致发光器件及其制作方法、显示装置
CN105140361A (zh) 量子点发光二极管及其制备方法
CN110364559B (zh) Qled显示屏及制备方法
CN105355799A (zh) 一种量子点发光场效应晶体管及其制备方法
TWI239790B (en) Organic light-emitting device and fabrication method thereof
TWI509855B (zh) 有機電子發光器件及其製造方法
CN105304830A (zh) 量子点发光场效应晶体管及其制备方法
CN109378409B (zh) 一种电致发光器件及其制造方法
TWI610481B (zh) 有機發光元件和製造有機發光元件的方法
CN101304075B (zh) 有机发光二极管及其制造方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20170524

RJ01 Rejection of invention patent application after publication