TWI509855B - 有機電子發光器件及其製造方法 - Google Patents
有機電子發光器件及其製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- TWI509855B TWI509855B TW102114857A TW102114857A TWI509855B TW I509855 B TWI509855 B TW I509855B TW 102114857 A TW102114857 A TW 102114857A TW 102114857 A TW102114857 A TW 102114857A TW I509855 B TWI509855 B TW I509855B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- organic
- layer
- insulating layer
- organic layer
- electrode
- Prior art date
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 18
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 206
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 claims description 164
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 52
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 45
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 45
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 claims description 36
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 36
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 34
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 33
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 25
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 25
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 23
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 claims description 17
- 150000003384 small molecules Chemical class 0.000 claims description 13
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 claims description 12
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 claims description 10
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 6
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 claims description 6
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 claims description 6
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims description 5
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims description 5
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 4
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims description 4
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims description 4
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910000861 Mg alloy Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 3
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 claims description 3
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 claims description 3
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 3
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000005019 vapor deposition process Methods 0.000 claims description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 2
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 claims 5
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 7
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 7
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 7
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 6
- NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N ytterbium Chemical compound [Yb] NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 5
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 5
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 5
- 229920001621 AMOLED Polymers 0.000 description 4
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 4
- 239000001267 polyvinylpyrrolidone Substances 0.000 description 4
- 229920000036 polyvinylpyrrolidone Polymers 0.000 description 4
- 235000013855 polyvinylpyrrolidone Nutrition 0.000 description 4
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 4
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 3
- -1 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 3
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 2
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- RAPHUPWIHDYTKU-WXUKJITCSA-N 9-ethyl-3-[(e)-2-[4-[4-[(e)-2-(9-ethylcarbazol-3-yl)ethenyl]phenyl]phenyl]ethenyl]carbazole Chemical compound C1=CC=C2C3=CC(/C=C/C4=CC=C(C=C4)C4=CC=C(C=C4)/C=C/C=4C=C5C6=CC=CC=C6N(C5=CC=4)CC)=CC=C3N(CC)C2=C1 RAPHUPWIHDYTKU-WXUKJITCSA-N 0.000 description 1
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- HRQXKKFGTIWTCA-UHFFFAOYSA-L beryllium;2-pyridin-2-ylphenolate Chemical compound [Be+2].[O-]C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1.[O-]C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1 HRQXKKFGTIWTCA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 230000002457 bidirectional effect Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 1
- XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N copper(II) phthalocyanine Chemical compound [Cu+2].C12=CC=CC=C2C(N=C2[N-]C(C3=CC=CC=C32)=N2)=NC1=NC([C]1C=CC=CC1=1)=NC=1N=C1[C]3C=CC=CC3=C2[N-]1 XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 229910052743 krypton Inorganic materials 0.000 description 1
- DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N krypton atom Chemical compound [Kr] DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000002052 molecular layer Substances 0.000 description 1
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 1
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008092 positive effect Effects 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/125—Active-matrix OLED [AMOLED] displays including organic TFTs [OTFT]
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/30—Organic light-emitting transistors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
- H10K10/40—Organic transistors
- H10K10/46—Field-effect transistors, e.g. organic thin-film transistors [OTFT]
- H10K10/462—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs]
- H10K10/481—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs] characterised by the gate conductors
- H10K10/482—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs] characterised by the gate conductors the IGFET comprising multiple separately-addressable gate electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/10—Transparent electrodes, e.g. using graphene
- H10K2102/101—Transparent electrodes, e.g. using graphene comprising transparent conductive oxides [TCO]
- H10K2102/103—Transparent electrodes, e.g. using graphene comprising transparent conductive oxides [TCO] comprising indium oxides, e.g. ITO
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Description
本發明是關於一種有機電子發光器件及其製造方法。
自從20世紀80年代有機場效應電晶體和疊層結構有機發光二極體被報導以來,有機電子器件得到了廣泛的關注和快速的發展。由於有機半導體製備成本低、柔韌性好、可大面積製備等優點,所以有機光電器件在大面積平板顯示、柔性顯示以及照明領域將會有無限的應用空間。作為顯示器的應用元件有機發光二極體(OLED)已經被實用化。通過使用OLED,可以得到比LCD更高的色彩飽和度、更大的視角、更高的對比度、更省電的顯示面板。
在主動陣列有機發光二極體(Active-matrix organic light-emitting diode,AMOLED)顯示中,需要使用薄膜電晶體(TFT)陣列來控制OLED的開關狀態。所以AMOLED面板的製備過程需要先在玻璃基板上構建TFT陣列,然後再製備OLED發光器件。其製造工序相當複雜,而且TFT陣列佔據的圖元空間較大,使得顯示圖元的開口率較低,圖元密度很難做高。
本發明的一個目的在於提供一種集發光與控制開關功能於一體的有機電子發光器件,以解決現有技術中的問題。
為實現上述目的,本發明採用如下技術方案:
本發明提供一種有機電子發光器件,包括:基板、形成於所述基板上表面的第一柵電極、形成於所述基板上表面並覆蓋所述第一柵電極的第一絕緣層、形成於所述第一絕緣層上表面的有機層、形成於所述有機層上表面的第二絕緣層、形成於所述第二絕緣層上表面的第二柵電極,以及形成於所述第一絕緣層和所述第二絕緣層之間並分別位於有機層兩側的源電極和汲電極,所述有機層包括至少兩層導電類型不同的有機層。
根據本發明的一實施方式,所述有機層包括形成於第一絕緣層上表面的第一有機層和形成於所述第一有機層上表面的第二有機層。
根據本發明的一實施方式,所述源電極形成於所述第一絕緣層的上表面、第一有機層上表面、第二有機層下表面或第二絕緣層下表面。
根據本發明的一實施方式,所述汲電極形成於所述第一絕緣層的上表面、第一有機層上表面、第二有機層下表面或第二絕緣層下表面。
根據本發明的一實施方式,所述源電極和所述汲電極均形成於所述第一有機層上表面。
根據本發明的一實施方式,所述有機電子發光器件
還包括:設於所述第二有機層和所述第二絕緣層之間的緩衝層。
根據本發明的一實施方式,所述第一柵電極和所述第二柵電極各自是由ITO、Mo、Cr、Au、Mg、Ca、Ag、Al、Cu、W中的一種金屬形成的金屬層,或者由這些金屬中的兩種或多種形成的合金層,或者由至少兩層金屬層形成的疊層結構,或者由至少兩層合金層形成的疊層結構,或者由至少一種金屬層和至少一種合金層形成的疊層結構。
根據本發明的一實施方式,所述第一絕緣層和所述第二絕緣層各自是由SiO2、SiNx、Al2O3中的一種或多種形成的無機絕緣層,或者由PVA、PMMA、PS、PVP中的一種或多種形成的有機絕緣層,或者由至少兩種無機絕緣層形成的疊層結構,或者由至少兩種有機絕緣層形成的疊層結構,或者由至少一種無機絕緣層和至少一種有機絕緣層形成的疊層結構。
根據本發明的一實施方式,所述第一有機層和所述第二有機層各自是由有機小分子材料或有機小分子摻雜材料形成的有機小分子層,或者是由有機聚合物材料或由有機聚合物摻雜材料形成的有機聚合物層,或者由至少兩層有機小分子層形成的疊層結構,或者由至少兩層有機聚合物層形成的疊層結構,或者由至少一層有機小分子層和至少一層有機聚合物層形成的疊層結構。
根據本發明的一實施方式,所述源電極和汲電極各自是由Au、Mg、Ca、Ag、Al、Cu中的一種金屬形成的金
屬層,或者由這些金屬中的兩種或多種形成的合金層,或者由至少一金屬層和至少一合金層或者至少兩層金屬層或者至少兩層合金層形成的疊層結構。
根據本發明的一實施方式,由至少兩層金屬層形成的疊層結構中,至少有一種金屬的功函數低於4.3eV,至少有一種金屬的功函數高於4.3eV。
根據本發明的一實施方式,所述源電極和汲電極均為Mg/Ag合金。
根據本發明的一實施方式,所述有機層包括形成於第一絕緣層上表面的第一有機層、形成於所述第一有機層上表面的第三有機層和形成於所述第二有機層上表面的第三有機層。
根據本發明的一實施方式,所述源電極形成於所述第一絕緣層的上表面、第一有機層上表面、第二有機層下表面、第三有機層上表面、第三有機層下表面或第二絕緣層下表面。
根據本發明的一實施方式,所述汲電極形成於所述第一絕緣層的上表面、第一有機層上表面、第二有機層下表面第三有機層上表面、第三有機層下表面或第二絕緣層下表面。
根據本發明的一實施方式,所述基板是柔性基板。
根據本發明的一實施方式,所述基板是透明基板。
根據本發明的一實施方式,所述第一有機層是N型有機半導體和P型有機半導體中的一種,所述第二有機層
是N型有機半導體和P型有機半導體中的另一種。
根據本發明的一實施方式,所述第一有機層是N型有機半導體,所述第二有機層是P型有機半導體,用於向所述第二有機層注入電洞的源電極加正向偏壓,用於向所述第一有機層注入電子的汲電極加負向偏壓,所述第一柵電極加負向偏壓,所述第二柵電極加正向偏壓。
根據本發明的一實施方式,所述第三有機層是N型有機半導體、P型有機半導體、雙極型有機半導體或者包含主體和客體的摻雜材料型有機半導體。
本發明提供一種有機電子發光器件的製造方法,包括如下步驟:步驟S1:提供一基板;步驟S2:在基板上形成一導電層,並將該導電層圖形化形成第一柵電極;步驟S3:在第一柵電極上形成第一絕緣層;步驟S4:在第一絕緣層上形成有機層;步驟S5:在有機層上兩側形成源電極和汲電極;步驟S6:在源電極和汲電極上形成第二絕緣層;步驟S7:在第二絕緣層上形成第二柵電極。
根據本發明的一實施方式,所述步驟S2中,通過磁控濺射工藝或氣相沉積工藝或蒸鍍工藝形成所述導電層。
根據本發明的一實施方式,所述步驟S3中,採用電漿化學氣相沈積工藝或旋塗工藝在第一柵電極上製備第一絕緣層。
根據本發明的一實施方式,所述步驟S4中,在第一絕緣層上採用旋塗工藝或採用印刷工藝、轉印工藝、或採用漏掩膜板蒸鍍形成有機層。
根據本發明的一實施方式,所述步驟S5中,採用印刷工藝或轉印工藝或採用漏掩膜板在有機層上蒸鍍形成源電極和汲電極。
根據本發明的一實施方式,所述步驟S5中,依次採用印刷工藝或轉印工藝採用漏掩膜板在第一有機層上蒸鍍形成至少兩層金屬層,或至少兩層合金層,或至少一層金屬層和至少一層合金層而形成疊層結構的源電極和汲電極。
根據本發明的一實施方式,所述步驟S6中,先在有機層上形成緩衝層,然後再在緩衝層上形成第二絕緣層。
根據本發明的一實施方式,所述步驟S6中,採用電漿化學氣相沈積工藝或旋塗工藝在緩衝層上形成第二絕緣層。
根據本發明的一實施方式,所述步驟S7中,在第二絕緣層上採用漏掩膜板蒸鍍形成第二柵電極。
由上述技術方案可知,本發明的有機電子發光器件的優點和積極效果在於:本發明的有機電子發光器件包括至少兩層有機層、兩個柵電極、源電極和汲電極。源電極
和汲電極分別能持續地向兩個有機層注入電洞和電子,在柵電極的電場作用下,電洞和電子在兩層有機層的介面處複合發光,或者在位於中間的有機層中複合發光;同時通過斷開至少一個柵電極控制整個有機電子發光器件關閉不發光,而無須額外的器件控制開關狀態。因此本發明的有機電子發光器件集發光功能和控制開關功能於一體,不僅結構緊湊,顯著提高了圖元的開口率,而且制程工藝簡單,大幅降低成本。
通過以下參照附圖對優選實施例的說明,本發明的上述以及其它目的、特徵和優點將更加明顯。
100‧‧‧基板
1‧‧‧第一柵電極
2‧‧‧第一絕緣層
3‧‧‧第一有機層
4‧‧‧第二有機層
5‧‧‧第二絕緣層
6‧‧‧第二柵電極
7‧‧‧源電極
8‧‧‧汲電極
9‧‧‧第三有機層
圖1是本發明的有機電子發光器件第一實施例的結構示意圖。
圖2是本發明的有機電子發光器件第一實施例的工作原理示意圖。
圖3是本發明的有機電子發光器件第二實施例的結構示意圖。
圖4是本發明的有機電子發光器件第三實施例的結構示意圖。
下面將詳細描述本發明的具體實施例。應當注意,這裡描述的實施例只用於舉例說明,並不用於限制本發明。
本發明中,基板100的設置第一柵電極的一面為上表面,與之相反的另一面為下表面;其它結構的上表面、下表面與基板100的上表面、下表面一致。
實施例1
如圖1所示,本發明的有機電子發光器件第一實施例主要包含基板100、4個電極、兩個絕緣層和兩個有機層。詳細來說,該有機電子發光器件第一實施例包含基板100、形成於基板100上表面的第一柵電極1、形成於基板100上表面並覆蓋第一柵電極1的第一絕緣層2、形成於第一絕緣層2上表面的第一有機層3、形成於第一有機層3上表面兩側的源電極7和汲電極8、形成於第一有機層3剩餘部分上表面及源電極7和汲電極8上表面的第二有機層4、形成於第二有機層4上表面的第二絕緣層5以及形成於第二絕緣層5上表面的第二柵電極6。
基板100可以是透明基板,還可以是柔性基板。
第二有機層4的導電類型不同於第一有機層3,例如第一有機層3為N型,則第二有機層4為P型,反之亦可。第一柵電極1和第二柵電極6控制器件的開關狀態,源電極7和汲電極8提供載流子的輸運電壓。
第一柵電極1和第二柵電極6各自是由導電玻璃(Indium Tin Oxide,ITO)、Mo、Cr、Au、Mg、Ca、Ag、Al、Cu、W中的一種金屬形成的金屬層,或者由這些金屬中的兩種或多種形成的合金層,或者由至少兩種金屬層形成的疊層結構,或者由至少兩種合金層形成的疊層結構,或者由至少一種金屬層和至少一種合金層形成的疊層結構。第一柵電極1和第二柵電極6的結構、材料可以相同,也可不同。
第一絕緣層2和第二絕緣層5可以各自是由無機物SiO2、SiNx、Al2O3中的一種或多種形成的無機絕緣層,或者由有機物聚乙烯醇(Polyvinyl Alcohol,PVA)、聚甲基丙烯酸甲酯(Poly(methyl methacrylate)),PMMA)、聚苯乙烯(Polystyrene,PS)、聚乙烯吡咯烷酮(Polyvinylpyrrolidone,PVP)中的一種或多種形成的有機絕緣層,或者由至少兩種無機絕緣層形成的疊層結構,或者由至少兩種有機絕緣層形成的疊層結構,或者由至少一種無機絕緣層和至少一種有機絕緣層形成的疊層結構。第一絕緣層2和第二絕緣層5的結構、材料可以相同,也可不同。第一絕緣層2和第二絕緣層5分別是第一柵極1和第二柵極6的柵絕緣層,通過柵極電壓和柵電容調控第二有機層4和第一有機層3的載流子濃度(類似於TFT的柵電容的功能)。其中柵電極2採用疊層結構有兩個有益效果,一是雙層或多層絕緣結構起到更好的絕緣效果;二是上層絕緣層作為下層絕緣層的修飾層,使得在上層絕緣層上沉積的有機層更為有序,以提高有機薄膜的緻密性和遷移率水準。其中第二絕緣層5採用雙層絕緣層的主要效果是下層絕緣層充當緩衝(buffer)層,使得上層絕緣層製備時減少有機膜受到的傷害。
第一有機層3和第二有機層4可以各自是由有機小分子材料或有機小分子摻雜材料形成的有機小分子層,或者是由有機聚合物材料或由有機聚合物摻雜材料形成的有機聚合物層,或者由至少兩層有機小分子層形成的疊層結
構,或者由至少兩層有機聚合物層形成的疊層結構,或者由至少一有機小分子層和至少一有機聚合物層形成的疊層結構。第一有機層3和第二有機層4的結構、材料可以相同,也可不同。第一有機層3和第二有機層4分別是充當電子注入傳輸層和電洞注入傳輸層。電子和電洞在第一有機層3和第二有機層4相連的介面處傳輸以及複合發光。
源電極7和汲電極8可以各自是由Au、Mg、Ca、Ag、Al、Cu中的一種金屬形成的金屬層,或者由這些金屬中的兩種或多種形成的合金層,或者由至少兩層金屬層形成的疊層結構,或者由至少兩層合金層形成的疊層結構,或者由至少一金屬層和至少一層合金層形成的疊層結構。由至少兩層金屬層形成的疊層結構中,至少有一種金屬是由低功函數金屬,例如功函數低於4.3eV的金屬,至少有一種金屬是由高功函數,例如功函數高於4.3eV的金屬。並且,高功函數的金屬與P型有機半導體接觸,低功函數金屬與N型有機半導體接觸。
源電極7和汲電極8的作用是注入電子和電洞,並提供電子和電洞在傳輸和器件發光所需要的電壓(類似OLED陰陽極)。第一柵極1和第二柵極6的作用是積累電荷,控制電荷濃度,並拉動電子和電洞至第一有機層3和第二有機層4的介面處。如果第一有機層3是n型有機半導體,第二有機層4是p型有機半導體,則汲電極8選用低功函數例如低於4.4eV的材料製成,以有利於電子的注入;源電極7選用高功函數例如高於4.4eV的材料製成,以
有利於電洞的注入。
本實施例中,源電極和汲電極的材料、結構可以相同,例如均為Mg/Ag合金,也可以不相同。
該第一實施例中,源電極7和汲電極8同時形成於第一有機層3的上表面兩側,因此可以在同一制程中完成源電極7和汲電極8的製作,有利於簡化制程。第二絕緣層5和第二柵電極6不僅充當發光器件的功能層,而且起到對第一有機層3和第二有機層4的封裝作用。
參考圖2,下面以該有機電子發光器件第一實施例為例說明本發明的工作原理:
設定第一有機層3為n型有機半導體,第二有機層4為p型有機半導體,那麼第一柵電極1接負向偏壓,第二柵電極6接正向偏壓,源電極7接正向偏壓,汲電極8接負向偏壓。當第一柵電極1接負向電壓時,類似於有機薄膜電晶體(OTFT)的工作原理,由於第一柵電極1和源電極7的電場關係,則電洞會從源電極7注入到第二有機層4中,並由於第一柵電極1負電壓的電場影響,電洞會被下拉到第二有機層4和第一有機層3的介面處。同時第二柵電極6施加正向偏壓,那麼電子從汲電極8注入到第一有機層3中,並由於第二柵電極6的電場作用,電子會被上拉到第一有機層3和第二有機層4的介面處。同樣類似於場效應電晶體(field-effect transistor,FET)的工作原理,當第一柵電極1和第二柵電極6之間的偏壓值大於導通電壓閾值Vt,電荷積累達到一定程度後第一有機層3和第二
有機層4的導電溝道就會導通。這時,汲電極8和源電極7之間存在橫向電場,那麼第二有機層4中的電洞就會沿著電場方向從源電極7向汲電極8的方向流動,而第一有機層3中的電子就會沿著電場方向從汲電極8向源電極7的方向流動。由於兩個柵電極的強烈的上拉和下拉作用,電子和電洞則會在介面處複合發光。第一有機層3和第二有機層4均可充當電荷傳輸層,並可兼具發光層的功能。
該有機電子發光器件第一實施例中,若第一柵電極1採用透明電極,則該有機電子發光器件為底發光模式;若第二柵電極6採用透明電極,則有機電子發光器件為頂發光模式;若第一柵電極1和第二柵電極6均採用透明電極,則有機電子發光器件為雙向發光模式。
實施例2
如圖3所示,本發明的有機電子發光器件第二實施例與第一實施例的結構基本相同,不同之處僅在於:該第二實施例的有機電子發光器件中,源電極7形成於第二絕緣層4的右側,並位於第二絕緣層5的下表面。汲電極8形成於第一有機層3的左側。源電極7和汲電極8這種佈置方式的好處是:在這種結構下電子和電洞的注入都是頂電極注入方式,這樣注入效率會達到最優化。另外,在這種結構下電子和電洞傳輸路徑比較固定,電子和電洞只會在兩個電極之間傳輸,比較近似於OLED垂直結構,電荷的複合率會比較高,發光效率較好。
該第二實施例的有機電子發光器件的其它結構與
第一實施例相同,這裡不再贅述。
實施例3
如圖4所示,本發明的有機電子發光器件第三實施例與第一實施例的結構基本相同,不同之處僅在於:該第三實施例的有機電子發光器件還包括第三有機層9。第三有機層9是N型有機半導體、P型有機半導體、雙極型有機半導體或者包含主體(host)和客體(dopant)的摻雜材料型有機半導體,例如Alq3、TAZ、TPD、Bepp2、Bebp2、Zn(ODZ)2、Al(ODZ)3、Zn(BIZ)2、NPB、PyPySPyPy、BCzVBi、perylene以及其衍生物等。第三有機層9形成於第一有機層3和第二有機層4之間。源電極7和汲電極8位於第三有機層9的兩側。
該有機電子發光器件第三實施例中,第一有機層3和第二有機層4只有電荷傳輸的作用,而電子和電洞在第三有機層9複合發光。
本發明中,源電極7和汲電極8的位置並不限於前述第一、二、三實施例中所述的位置,源電極7和汲電極8形成於第一絕緣層2和第二絕緣層5之間的任何位置均可,但要位於有機層的兩側。例如,源電極7還可以形成於第二有機層4下表面、第三有機層9上表面、第三有機層9下表面或第二絕緣層下表面;汲電極8還可以形成於第二有機層4下表面、第三有機層9上表面、第三有機層9下表面或第二絕緣層下表面。
該第三實施例的有機電子發光器件的其它結構與
第一實施例相同,這裡不再贅述。
有機電子發光器件的製造方法
本發明提供的有機電子發光器件的製造方法,包括如下步驟:
步驟S1:提供一玻璃基板100,並將玻璃基板100洗淨。
步驟S2:在玻璃基板100上採用磁控濺射工藝濺射一層厚度為2000A的導電層,例如ITO層,並採用光刻制程圖形化形成第一柵電極1。其中導電層也可以採用氣相沉積工藝或蒸鍍工藝形成。
步驟S3:在第一柵電極1上採用電漿化學氣相沈積(PECVD)工藝製備150A厚度的SiNx充當第一絕緣層2,並採用光刻制程圖形化。第一絕緣層2的材料為無機物時,可以採用PECVD工藝製備,當第一絕緣層2的材料為有機聚合物時,也可以採用旋塗工藝形成。
步驟S4:在第一絕緣層上採用漏掩膜板蒸鍍Alq3充當第一有機層3,厚度300A。第一有機層3也可以採用旋塗工藝或採用印刷工藝或轉印工藝形成。
步驟S5:在第一有機層3上採用漏掩膜板依次蒸鍍厚度為200A的Al和厚度為200A的Au的疊層結構充當源電極7和汲電極8,溝道長度為50μm,當然溝道長度不以此為限,例如在5μm~200μm範圍內均是可行的。此步驟中形成的是Al和Au的疊層結構,當然Al和Au也可以分別由其它金屬或合金替換而形成其它材料的疊層結構,
並且疊層結構不限於只包括兩層結構,還可以是3層甚至更多層金屬或合金。另外,只採用一種金屬或合金,採用漏掩膜板蒸鍍一次形成單純材料的源電極7和汲電極8也是可行的。第一有機層3也可以採用印刷工藝或轉印工藝形成。
步驟S6:源電極7和汲電極8上及源電極7和汲電極8之間的溝道採用漏掩膜板蒸鍍厚度為500A的CuPc充當第二有機層4。第二有機層4也可以採用旋塗工藝或採用印刷工藝或轉印工藝形成。
步驟S7:在第二有機層4上塗布150A的PVA充當緩衝層,然後再在緩衝層上塗布5000A厚的PS充當第二絕緣層5。緩衝層也可以是其它有機聚合物材料。第二絕緣層5的材料為無機物時,例如SiO2、SiNx或Al2O3等,可以採用電漿化學氣相沈積(PECVD)工藝製備,當第二絕緣層5的材料為有機聚合物時,例如PVA、PMMA、PS、PVP等,也可以採用旋塗工藝形成。
步驟S8:在第二絕緣層5上採用漏掩膜板蒸鍍2000A的Al充當第二柵電極6。
此實施例製成的有機電子發光器件,汲電極8接地或者施加負向偏壓,源電極7施加正向偏壓+20V。第一柵電極1施加負向偏壓小於-10V,第二柵電極6施加正向偏壓大於+15V時發光器件即可開啟。即Vt1為-10V,Vt2為-15V。Vt1和Vt2同時高於閾值電壓時有機電子發光器件才會開啟,Vt越大,載流子濃度越大,有機電子發光器件的
亮度越高;另外,隨著源電極7的電壓的增大,溝道電流增加,有機電子發光器件的亮度也會增加。Vt1和Vt2低於閾值電壓時有機電子發光器件關斷。
本發明的有機電子發光器件,從結構上可近似看成將一個P型TFT和一個N型TFT交叉疊合而形成一個能發光的器件,第一實施例為例,參見圖1,其中的第二有機層4、第一絕緣層2、N型有機半導體的第一柵電極1以及源電極7和汲電極8構成一個類似N型TFT結構,第一有機層3、第二絕緣層5、P型有機半導體的第二柵電極6以及源電極7和汲電極8構成一個類似P型TFT結構,P型TFT和一個N型TFT共用源電極7和汲電極8,交叉疊合形成了本發明的有機電子發光器件。因此,本發明的有機電子發光器件也可稱為雙柵有機發光電晶體(Double Gate Organic Light Emitting Transistor,DGOLET)或者四電極發光器件。
本發明的有機電子發光器件,從功能上可相當於將傳統的TFT功能和OLED功能集成同一個器件上,一個獨立的器件可完成發光以及ON/OFF控制功能。本發明可應用於平板顯示、柔性顯示、透明顯示以及照明領域,實現了最大化集成,所以能更高密度的配置圖元,實現較高的發光效率,提高圖像的PPI,並適於製備更薄型化的產品。同時,由於制程中,不需要像傳統的製作AMOLED面板制程那樣先在玻璃基板上構建TFT陣列,然後再製備OLED發光器件,因此,可減少多道工序,大幅度簡化制程,不但
利於提高產品良率,而且能顯著降低生產成本。
雖然已參照幾個典型實施例描述了本發明,但應當理解,所用的術語是說明和示例性、而非限制性的術語。由於本發明能夠以多種形式具體實施而不脫離發明的精神或實質,所以應當理解,上述實施例不限於任何前述的細節,而應在隨附申請專利範圍所限定的精神和範圍內廣泛地解釋,因此落入申請專利範圍或其等效範圍內的全部變化和改型都應為隨附申請專利範圍所涵蓋。
100‧‧‧基板
1‧‧‧第一柵電極
2‧‧‧第一絕緣層
3‧‧‧第一有機層
4‧‧‧第二有機層
5‧‧‧第二絕緣層
6‧‧‧第二柵電極
7‧‧‧源電極
8‧‧‧汲電極
Claims (25)
- 一種有機電子發光器件,包括:基板;第一柵電極,形成於所述基板上表面;第一絕緣層,形成於所述基板上表面,並覆蓋所述第一柵電極;有機層,形成於第一絕緣層上表面,該有機層包括至少兩層導電類型不同的有機層;第二絕緣層,形成於所述有機層上表面;第二柵電極,形成於所述第二絕緣層上表面;源電極和汲電極,形成於所述第一絕緣層和所述第二絕緣層之間,並分別位於所述有機層的兩側;其中,所述有機層包括:第一有機層,形成於所述第一絕緣層上表面;第三有機層,形成於所述第一有機層上表面;第二有機層,形成於所述第三有機層上表面。
- 如請求項1所述的有機電子發光器件,還包括:緩衝層,設於所述第二有機層和所述第二絕緣層之間。
- 如請求項1所述的有機電子發光器件,其中,所述第一柵電極和所述第二柵電極各自是由ITO、Mo、Cr、Au、Mg、Ca、Ag、Al、Cu、W中的一種金屬形成的金屬層,或者由這些金屬中的兩種或多種形成的合金層,或者由至少兩層金屬層形成的疊層結構,或者由至少兩層合金層形成的疊層結構,或者由至少一種金屬層和至少一種合金層形 成的疊層結構。
- 如請求項1所述的有機電子發光器件,其中,所述第一絕緣層和所述第二絕緣層各自是由SiO2、SiNx、Al2O3中的一種或多種形成的無機絕緣層,或者由PVA、PMMA、PS、PVP中的一種或多種形成的有機絕緣層,或者由至少兩種無機絕緣層形成的疊層結構,或者由至少兩種有機絕緣層形成的疊層結構,或者由至少一種無機絕緣層和至少一種有機絕緣層形成的疊層結構。
- 如請求項1所述的有機電子發光器件,其中,所述第一有機層和所述第二有機層各自是由有機小分子材料或有機小分子摻雜材料形成的有機小分子層,或者是由有機聚合物材料或由有機聚合物摻雜材料形成的有機聚合物層,或者由至少兩層有機小分子層形成的疊層結構,或者由至少兩層有機聚合物層形成的疊層結構,或者由至少一層有機小分子層和至少一層有機聚合物層形成的疊層結構。
- 如請求項1所述的有機電子發光器件,其中,所述源電極和汲電極各自是由Au、Mg、Ca、Ag、Al、Cu中的一種金屬形成的金屬層,或者由這些金屬中的兩種或多種形成的合金層,或者由至少一金屬層和至少一合金層或者至少兩層金屬層或者至少兩層合金層形成的疊層結構。
- 如請求項6所述的有機電子發光器件,其中,由至少兩層金屬層形成的疊層結構中,至少有一種金屬的功函數低於4.3eV,至少有一種金屬的功函數高於4.3eV。
- 如請求項6所述的有機電子發光器件,其中,所述源 電極和汲電極均為Mg/Ag合金。
- 如請求項1所述的有機電子發光器件,其中,所述源電極形成於所述第一絕緣層的上表面、第一有機層上表面、第二有機層下表面、第三有機層上表面、第三有機層下表面或第二絕緣層下表面。
- 如請求項1所述的有機電子發光器件,其中,所述汲電極形成於所述第一絕緣層的上表面、第一有機層上表面、第二有機層下表面第三有機層上表面、第三有機層下表面或第二絕緣層下表面。
- 如請求項1所述的有機電子發光器件,其中,所述基板是柔性基板。
- 如請求項1所述的有機電子發光器件,其中,所述基板是透明基板。
- 如請求項1所述的有機電子發光器件,其中,所述第一有機層是N型有機半導體和P型有機半導體中的一種,所述第二有機層是N型有機半導體和P型有機半導體中的另一種。
- 如請求項13所述的有機電子發光器件,其中,所述第一有機層是N型有機半導體,所述第二有機層是P型有機半導體,用於向所述第二有機層注入電洞的源電極加正向偏壓,用於向所述第一有機層注入電子的汲電極加負向偏壓,所述第一柵電極加負向偏壓,所述第二柵電極加正向偏壓。
- 如請求項1所述的有機電子發光器件,其中,所述第三有機層是N型有機半導體、P型有機半導體、雙極型有機半導體或者包含主體和客體的摻雜材料型有機半導體。
- 一種如請求項1所述的有機電子發光器件的製造方法,包括:步驟S1:提供一基板;步驟S2:在基板上形成一導電層,並將該導電層圖形化形成第一柵電極;步驟S3:在第一柵電極上形成第一絕緣層;步驟S4:在第一絕緣層上形成有機層,其中,所述有機層包括:第一有機層,形成於所述第一絕緣層上表面;第三有機層,形成於所述第一有機層上表面;第二有機層,形成於所述第三有機層上表面。;步驟S5:在有機層上兩側形成源電極和汲電極;步驟S6:在源電極和汲電極上形成第二絕緣層;步驟S7:在第二絕緣層上形成第二柵電極。
- 根據請求項16所述的有機電子發光器件的製造方法,其中,所述步驟S2中,通過磁控濺射工藝或氣相沉積工藝或蒸鍍工藝形成所述導電層。
- 根據請求項16所述的有機電子發光器件的製造方法,其中,所述步驟S3中,採用電漿化學氣相沈積工藝或旋塗工藝在第一柵電極上製備第一絕緣層。
- 根據請求項16所述的有機電子發光器件的製造方法,其中,所述步驟S4中,在第一絕緣層上採用旋塗工藝或採用印刷工藝、轉印工藝、或採用漏掩膜板蒸鍍形成有機層。
- 根據請求項16所述的有機電子發光器件的製造方法,其中,所述步驟S5中,採用印刷工藝或轉印工藝或採用漏掩膜板在有機層上蒸鍍形成源電極和汲電極。
- 根據請求項16所述的有機電子發光器件的製造方法,其中,所述步驟S5中,依次採用印刷工藝或轉印工藝採用漏掩膜板在有機層上蒸鍍形成至少兩層金屬層,或至少兩層合金層,或至少一層金屬層和至少一層合金層而形成疊層結構的源電極和汲電極。
- 根據請求項16所述的有機電子發光器件的製造方法,其中,所述步驟S6中,先在有機層上形成緩衝層,然後再在緩衝層上形成第二絕緣層。
- 根據請求項16所述的有機電子發光器件的製造方法,其中,所述步驟S6中,採用電漿化學氣相沈積工藝或旋塗工藝在緩衝層上形成第二絕緣層。
- 根據請求項16所述的有機電子發光器件的製造方法,其中,所述步驟S7中,在第二絕緣層上採用漏掩膜板蒸鍍形成第二柵電極。
- 根據請求項16所述的有機電子發光器件的製造方法,其中,所述有機層包括至少兩層導電類型不同的有機層。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201310119757.8A CN103219463B (zh) | 2013-04-08 | 2013-04-08 | 有机电子发光器件及其制造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW201440275A TW201440275A (zh) | 2014-10-16 |
TWI509855B true TWI509855B (zh) | 2015-11-21 |
Family
ID=48817074
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW102114857A TWI509855B (zh) | 2013-04-08 | 2013-04-25 | 有機電子發光器件及其製造方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9105592B2 (zh) |
CN (1) | CN103219463B (zh) |
TW (1) | TWI509855B (zh) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN105304719B (zh) * | 2014-07-18 | 2020-04-14 | 上海和辉光电有限公司 | 柔性薄膜晶体管及其制造方法 |
EP3021373A1 (en) | 2014-11-14 | 2016-05-18 | E.T.C. S.r.l. | Display containing improved pixel architectures |
US10026911B2 (en) * | 2016-01-15 | 2018-07-17 | Corning Incorporated | Structure for transistor switching speed improvement utilizing polar elastomers |
CN108493229A (zh) * | 2018-05-31 | 2018-09-04 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及其制备方法、显示装置 |
CN109524564B (zh) * | 2018-11-23 | 2021-01-08 | 合肥鑫晟光电科技有限公司 | 一种有机发光晶体管、温感装置及其温度测试方法 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TW200308093A (en) * | 2002-05-21 | 2003-12-16 | Semiconductor Energy Lab | Organic field effect transistor |
TW200922935A (en) * | 2007-08-31 | 2009-06-01 | Idemitsu Kosan Co | Benzodithiophene derivative, and organic thin film transistor and organic thin film light-emitting transistor by using the same |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6229259B1 (en) * | 1998-12-22 | 2001-05-08 | Alton O. Christensen, Sr. | Woven polymer fiber video displays with improved efficiency and economy of manufacture |
US20120007064A1 (en) * | 1999-12-31 | 2012-01-12 | Lg Chem, Ltd. | Organic electroluminescent device and method for preparing the same |
JP5028723B2 (ja) * | 2001-08-16 | 2012-09-19 | 奇美電子股▲ふん▼有限公司 | 薄膜トランジスタ、該薄膜トランジスタの製造方法、該薄膜トランジスタを含むアレイ基板、表示装置および該表示装置の駆動方式 |
US6950454B2 (en) | 2003-03-24 | 2005-09-27 | Eastman Kodak Company | Electronic imaging system using organic laser array illuminating an area light valve |
US7655961B2 (en) * | 2003-10-02 | 2010-02-02 | Maxdem Incorporated | Organic diodes and materials |
JP4349307B2 (ja) * | 2005-03-16 | 2009-10-21 | セイコーエプソン株式会社 | 有機半導体装置の製造方法、有機半導体装置、電子デバイスおよび電子機器 |
KR20110037220A (ko) * | 2009-10-06 | 2011-04-13 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 박막 트랜지스터, 그의 제조 방법 및 박막 트랜지스터를 구비하는 유기전계발광 표시 장치 |
KR101680768B1 (ko) * | 2010-12-10 | 2016-11-29 | 삼성전자주식회사 | 트랜지스터 및 이를 포함하는 전자장치 |
CN102655118A (zh) * | 2012-01-10 | 2012-09-05 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种amoled器件及制作方法 |
CN102611558B (zh) | 2012-04-27 | 2014-12-17 | 西安电子科技大学 | 基于幻方的多人共管电子账户密钥分配和身份认证方法 |
-
2013
- 2013-04-08 CN CN201310119757.8A patent/CN103219463B/zh active Active
- 2013-04-25 TW TW102114857A patent/TWI509855B/zh active
- 2013-12-26 US US14/141,188 patent/US9105592B2/en active Active
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TW200308093A (en) * | 2002-05-21 | 2003-12-16 | Semiconductor Energy Lab | Organic field effect transistor |
TW200922935A (en) * | 2007-08-31 | 2009-06-01 | Idemitsu Kosan Co | Benzodithiophene derivative, and organic thin film transistor and organic thin film light-emitting transistor by using the same |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN103219463B (zh) | 2015-09-02 |
TW201440275A (zh) | 2014-10-16 |
US20140299852A1 (en) | 2014-10-09 |
CN103219463A (zh) | 2013-07-24 |
US9105592B2 (en) | 2015-08-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US9881985B2 (en) | OLED device, AMOLED display device and method for manufacturing same | |
KR101971102B1 (ko) | 유기 전계 발광 장치 | |
TWI509855B (zh) | 有機電子發光器件及其製造方法 | |
WO2015103837A1 (zh) | 薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板及有机发光显示面板 | |
WO2008093583A1 (en) | Active matrix display apparatus | |
KR20120061106A (ko) | 유기 발광 표시 장치 | |
TW200529695A (en) | Organic electroluminescence display device and its fabrication method | |
US20180286927A1 (en) | Series connected quantum dot light-emitting device, panel and display device | |
TW200533234A (en) | Organic electro luminescence device and fabrication method thereof | |
WO2021227115A1 (zh) | 一种显示面板及显示面板制程方法 | |
CN106654031A (zh) | 具有微腔结构的顶发射qled场效应晶体管及制备方法 | |
CN103782408A (zh) | 电致发光有机双栅晶体管 | |
KR101973207B1 (ko) | 금속 산화물이 함유된 양극 및 상기 양극을 포함하는 유기발광소자 | |
CN106711177A (zh) | 一种增强光提取率的qled场效应晶体管及其制备方法 | |
CN103370776A (zh) | 薄膜晶体管元件及其制造方法、有机el显示元件、以及有机el显示装置 | |
CN103370775A (zh) | 薄膜晶体管器件及其制造方法、有机el显示元件和有机el显示装置 | |
US20100155705A1 (en) | Display Device Including Organic Light-Emitting Transistor And Method Of Fabricating The Display Device | |
TWI610481B (zh) | 有機發光元件和製造有機發光元件的方法 | |
US10186678B2 (en) | Organic light-emitting diode component and organic light-emitting diode display | |
TWI321966B (en) | Organic electro-luminescence device and method of manufacturing the same | |
KR101908512B1 (ko) | 유기 전계 발광 표시 패널 및 그의 제조 방법 | |
US11690241B2 (en) | OLED with auxiliary electrode contacting electron transport layer | |
WO2017201776A1 (zh) | 三原色白光oled器件结构及其电致发光器件和显示器件 | |
CN108538905B (zh) | Oled发光器件及oled显示装置 | |
KR101404159B1 (ko) | 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 |