CN103219463B - 有机电子发光器件及其制造方法 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 47
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 19
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 claims abstract description 170
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 109
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims abstract description 89
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 24
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 51
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 51
- 238000010276 construction Methods 0.000 claims description 43
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 33
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 24
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 21
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 claims description 18
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims description 16
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims description 15
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims description 15
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims description 10
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 claims description 10
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims description 9
- 238000010023 transfer printing Methods 0.000 claims description 9
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 6
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 6
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 6
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 6
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 claims description 6
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 claims description 6
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 claims description 5
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 claims description 4
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910000861 Mg alloy Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 claims description 3
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 150000003384 small molecules Chemical class 0.000 claims description 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 abstract description 3
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 9
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 7
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 7
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 7
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 7
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 6
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 6
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 6
- 235000019422 polyvinyl alcohol Nutrition 0.000 description 6
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 6
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 6
- 229920001621 AMOLED Polymers 0.000 description 5
- 239000010408 film Substances 0.000 description 5
- 229920000036 polyvinylpyrrolidone Polymers 0.000 description 5
- 235000013855 polyvinylpyrrolidone Nutrition 0.000 description 5
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 5
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 4
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 2
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 2
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 2
- 239000001267 polyvinylpyrrolidone Substances 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- RAPHUPWIHDYTKU-WXUKJITCSA-N 9-ethyl-3-[(e)-2-[4-[4-[(e)-2-(9-ethylcarbazol-3-yl)ethenyl]phenyl]phenyl]ethenyl]carbazole Chemical compound C1=CC=C2C3=CC(/C=C/C4=CC=C(C=C4)C4=CC=C(C=C4)/C=C/C=4C=C5C6=CC=CC=C6N(C5=CC=4)CC)=CC=C3N(CC)C2=C1 RAPHUPWIHDYTKU-WXUKJITCSA-N 0.000 description 1
- 208000027418 Wounds and injury Diseases 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HRQXKKFGTIWTCA-UHFFFAOYSA-L beryllium;2-pyridin-2-ylphenolate Chemical compound [Be+2].[O-]C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1.[O-]C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1 HRQXKKFGTIWTCA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 230000002457 bidirectional effect Effects 0.000 description 1
- 230000003139 buffering effect Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 1
- XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N copper(II) phthalocyanine Chemical compound [Cu+2].C12=CC=CC=C2C(N=C2[N-]C(C3=CC=CC=C32)=N2)=NC1=NC([C]1C=CC=CC1=1)=NC=1N=C1[C]3C=CC=CC3=C2[N-]1 XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 208000014674 injury Diseases 0.000 description 1
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 1
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 1
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 1
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 238000007634 remodeling Methods 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 238000013517 stratification Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/125—Active-matrix OLED [AMOLED] displays including organic TFTs [OTFT]
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/30—Organic light-emitting transistors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
- H10K10/40—Organic transistors
- H10K10/46—Field-effect transistors, e.g. organic thin-film transistors [OTFT]
- H10K10/462—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs]
- H10K10/481—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs] characterised by the gate conductors
- H10K10/482—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs] characterised by the gate conductors the IGFET comprising multiple separately-addressable gate electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/10—Transparent electrodes, e.g. using graphene
- H10K2102/101—Transparent electrodes, e.g. using graphene comprising transparent conductive oxides [TCO]
- H10K2102/103—Transparent electrodes, e.g. using graphene comprising transparent conductive oxides [TCO] comprising indium oxides, e.g. ITO
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Abstract
本发明提供了一种有机电子发光器件及其制造方法。有机电子发光器件包括：基板、形成于基板上表面的第一栅电极、形成于基板上表面并覆盖第一栅电极的第一绝缘层、形成于第一绝缘层上表面的有机层、形成于有机层上表面的第二绝缘层、形成于第二绝缘层上表面的第二栅电极，以及形成于第一绝缘层和第二绝缘层之间并分别位于有机层两侧的源电极和漏电极，其中有机层包括至少两层导电类型不同的有机层。本发明集发光功能和控制开关功能于一体，不仅结构紧凑，显著提高了像素的开口率，而且制程工艺简单，大幅降低成本。
Description
技术领域
本发明涉及一种有机电子发光器件及其制造方法。
背景技术
自从20世纪80年代有机场效应晶体管和叠层结构有机发光二极管被报道以来，有机电子器件得到了广泛的关注和快速的发展。由于有机半导体制备成本低、柔韧性好、可大面积制备等优点，所以有机光电器件在大面积平板显示、柔性显示以及照明领域将会有无限的应用空间。作为显示器的应用元件有机发光二极管（OLED）已经被实用化。通过使用OLED，可以得到比LCD更高的色彩饱和度、更大的视角、更高的对比度、更省电的显示面板。
在有源矩阵有机发光二极管（Active-matrix organic light-emitting diode，AMOLED）显示中，需要使用薄膜晶体管（TFT）阵列来控制OLED的开关状态。所以AMOLED面板的制备过程需要先在玻璃基板上构建TFT阵列，然后再制备OLED发光器件。其制造工序相当复杂，而且TFT阵列占据的像素空间较大，使得显示像素的开口率较低，像素密度很难做高。
发明内容
本发明的一个目的在于提供一种集发光与控制开关功能于一体的有机电子发光器件，以解决现有技术中的问题。
为实现上述目的，本发明采用如下技术方案：
本发明提供一种有机电子发光器件，包括：基板、形成于所述基板上表面的第一栅电极、形成于所述基板上表面并覆盖所述第一栅电极的第一绝缘层、形成于所述第一绝缘层上表面的有机层、形成于所述有机层上表面的第二绝缘层、形成于所述第二绝缘层上表面的第二栅电极，以及形成于所述第一绝缘层和所述第二绝缘层之间并分别位于有机层两侧的源电极和漏电极，所述有机层包括至少两层导电类型不同的有机层。
根据本发明的一实施方式，所述有机层包括形成于第一绝缘层上表面的第一有机层和形成于所述第一有机层上表面的第二有机层。
根据本发明的一实施方式，所述源电极形成于所述第一绝缘层的上表面、第一有机层上表面、第二有机层下表面或第二绝缘层下表面。
根据本发明的一实施方式，所述漏电极形成于所述第一绝缘层的上表面、第一有机层上表面、第二有机层下表面或第二绝缘层下表面。
根据本发明的一实施方式，所述源电极和所述漏电极均形成于所述第一有机层上表面。
根据本发明的一实施方式，所述有机电子发光器件还包括：设于所述第二有机层和所述第二绝缘层之间的缓冲层。
根据本发明的一实施方式，所述第一栅电极和所述第二栅电极各自是由ITO、Mo、Cr、Au、Mg、Ca、Ag、Al、Cu、W中的一种金属形成的金属层，或者由这些金属中的两种或多种形成的合金层，或者由至少两层金属层形成的叠层结构，或者由至少两层合金层形成的叠层结构，或者由至少一种金属层和至少一种合金层形成的叠层结构。
根据本发明的一实施方式，所述第一绝缘层和所述第二绝缘层各自是由SiO2、SiNx、Al2O3中的一种或多种形成的无机绝缘层，或者由PVA、PMMA、PS、PVP中的一种或多种形成的有机绝缘层，或者由至少两种无机绝缘层形成的叠层结构，或者由至少两种有机绝缘层形成的叠层结构，或者由至少一种无机绝缘层和至少一种有机绝缘层形成的叠层结构。
根据本发明的一实施方式，所述第一有机层和所述第二有机层各自是由有机小分子材料或有机小分子掺杂材料形成的有机小分子层，或者是由有机聚合物材料或由有机聚合物掺杂材料形成的有机聚合物层，或者由至少两层有机小分子层形成的叠层结构，或者由至少两层有机聚合物层形成的叠层结构，或者由至少一层有机小分子层和至少一层有机聚合物层形成的叠层结构。
根据本发明的一实施方式，所述源电极和漏电极各自是由Au、Mg、Ca、Ag、Al、Cu中的一种金属形成的金属层，或者由这些金属中的两种或多种形成的合金层，或者由至少一金属层和至少一合金层或者至少两层金属层或者至少两层合金层形成的叠层结构。
根据本发明的一实施方式，由至少两层金属层形成的叠层结构中，至少有一种金属的功函数低于4.3eV，至少有一种金属的功函数高于4.3eV。
根据本发明的一实施方式，所述源电极和漏电极均为Mg/Ag合金。
根据本发明的一实施方式，所述有机层包括形成于第一绝缘层上表面的第一有机层、形成于所述第一有机层上表面的第三有机层和形成于所述第二有机层上表面的第三有机层。
根据本发明的一实施方式，所述源电极形成于所述第一绝缘层的上表面、第一有机层上表面、第二有机层下表面、第三有机层上表面、第三有机层下表面或第二绝缘层下表面。
根据本发明的一实施方式，所述漏电极形成于所述第一绝缘层的上表面、第一有机层上表面、第二有机层下表面第三有机层上表面、第三有机层下表面或第二绝缘层下表面。
根据本发明的一实施方式，所述基板是柔性基板。
根据本发明的一实施方式，所述基板是透明基板。
根据本发明的一实施方式，所述第一有机层是N型有机半导体和P型有机半导体中的一种，所述第二有机层是N型有机半导体和P型有机半导体中的另一种。
根据本发明的一实施方式，所述第一有机层是N型有机半导体，所述第二有机层是P型有机半导体，用于向所述第二有机层注入空穴的源电极加正向偏压，用于向所述第一有机层注入电子的漏电极加负向偏压，所述第一栅电极加负向偏压，所述第二栅电极加正向偏压。
根据本发明的一实施方式，所述第三有机层是N型有机半导体、P型有机半导体、双极型有机半导体或者包含主体和客体的掺杂材料型有机半导体。
本发明提供一种有机电子发光器件的制造方法，包括如下步骤：
步骤S1：提供一基板；
步骤S2：在基板上形成一导电层，并将该导电层图形化形成第一栅电极；
步骤S3：在第一栅电极上形成第一绝缘层；
步骤S4：在第一绝缘层上形成有机层；
步骤S5：在有机层上两侧形成源电极和漏电极；
步骤S6：在源电极和漏电极上形成第二绝缘层；
步骤S7：在第二绝缘层上形成第二栅电极。
根据本发明的一实施方式，所述步骤S2中，通过磁控溅射工艺或气相沉积工艺或蒸镀工艺形成所述导电层。
根据本发明的一实施方式，所述步骤S3中，采用PECVD工艺或旋涂工艺在第一栅电极上制备第一绝缘层。
根据本发明的一实施方式，所述步骤S4中，在第一绝缘层上采用旋涂工艺或采用印刷工艺、转印工艺、或采用漏掩膜板蒸镀形成有机层。
根据本发明的一实施方式，所述步骤S5中，采用印刷工艺或转印工艺或采用漏掩膜板在有机层上蒸镀形成源电极和漏电极。
根据本发明的一实施方式，所述步骤S5中，依次采用印刷工艺或转印工艺或采用漏掩膜板在第一有机层上蒸镀形成至少两层金属层，或至少两层合金层，或至少一层金属层和至少一层合金层而形成叠层结构的源电极和漏电极。
根据本发明的一实施方式，所述步骤S6中，先在有机层上形成缓冲层，然后再在缓冲层上形成第二绝缘层。
根据本发明的一实施方式，所述步骤S6中，采用PECVD工艺或旋涂工艺在缓冲层上形成第二绝缘层。
根据本发明的一实施方式，所述步骤S7中，在第二绝缘层上采用漏掩膜板蒸镀形成第二栅电极。
由上述技术方案可知，本发明的有机电子发光器件的优点和积极效果在于：本发明的有机电子发光器件包括至少两层有机层、两个栅电极、源电极和漏电极。源电极和漏电极分别能持续地向两个有机层注入空穴和电子，在栅电极的电场作用下，空穴和电子在两层有机层的界面处复合发光，或者在位于中间的有机层中复合发光；同时通过断开至少一个栅电极控制整个有机电子发光器件关闭不发光，而无须额外的器件控制开关状态。因此本发明的有机电子发光器件集发光功能和控制开关功能于一体，不仅结构紧凑，显著提高了像素的开口率，而且制程工艺简单，大幅降低成本。
通过以下参照附图对优选实施例的说明，本发明的上述以及其它目的、特征和优点将更加明显。
附图说明
图1是本发明的有机电子发光器件第一实施例的结构示意图；
图2是本发明的有机电子发光器件第一实施例的工作原理示意图；图3
是本发明的有机电子发光器件第二实施例的结构示意图；
图4是本发明的有机电子发光器件第三实施例的结构示意图。
主要组件附图标记说明：
100：基板
1：第一栅电极
2：第一绝缘层
3：第一有机层
4：第二有机层
5：第二绝缘层
6：第二栅电极
7：源电极
8：漏电极
9：第三有机层
具体实施方式
下面将详细描述本发明的具体实施例。应当注意，这里描述的实施例只用于举例说明，并不用于限制本发明。
本发明中，基板100的设置第一栅电极的一面为上表面，与之相反的另一面为下表面；其它结构的上表面、下表面与基板100的上表面、下表面一致。
实施例1
如图1所示，本发明的有机电子发光器件第一实施例主要包含基板100、4个电极、两个绝缘层和两个有机层。详细来说，该有机电子发光器件第一实施例包含基板100、形成于基板100上表面的第一栅电极1、形成于基板100上表面并覆盖第一栅电极1的第一绝缘层2、形成于第一绝缘层2上表面的第一有机层3、形成于第一有机层3上表面两侧的源电极7和漏电极8、形成于第一有机层3剩余部分上表面及源电极7和漏电极8上表面的第二有机层4、形成于第二有机层4上表面的第二绝缘层5以及形成于第二绝缘层5上表面的第二栅电极6。
基板100可以是透明基板，还可以是柔性基板。
第二有机层4的导电类型不同于第一有机层3，例如第一有机层3为N型，则第二有机层4为P型，反之亦可。第一栅电极1和第二栅电极6控制器件的开关状态，源电极7和漏电极8提供载流子的输运电压。
第一栅电极1和第二栅电极6各自是由导电玻璃（Indium Tin Oxide，ITO）、Mo、Cr、Au、Mg、Ca、Ag、Al、Cu、W中的一种金属形成的金属层，或者由这些金属中的两种或多种形成的合金层，或者由至少两种金属层形成的叠层结构，或者由至少两种合金层形成的叠层结构，或者由至少一种金属层和至少一种合金层形成的叠层结构。第一栅电极1和第二栅电极6的结构、材料可以相同，也可不同。
第一绝缘层2和第二绝缘层5可以各自是由无机物SiO2、SiNx、Al2O3中的一种或多种形成的无机绝缘层，或者由有机物聚乙烯醇（PolyvinylAlcohol，PVA）、聚甲基丙烯酸甲酯（Poly(methyl methacrylate)）,PMMA)、聚苯乙烯（Polystyrene，PS）、聚乙烯吡咯烷酮（Polyvinylpyrrolidone，PVP）中的一种或多种形成的有机绝缘层，或者由至少两种无机绝缘层形成的叠层结构，或者由至少两种有机绝缘层形成的叠层结构，或者由至少一种无机绝缘层和至少一种有机绝缘层形成的叠层结构。第一绝缘层2和第二绝缘层5的结构、材料可以相同，也可不同。第一绝缘层2和第二绝缘层5分别是第一栅极1和第二栅极6的栅绝缘层，通过栅极电压和栅电容调控第二有机层4和第一有机层3的载流子浓度（类似于TFT的栅电容的功能）。其中栅电极2采用叠层结构有两个有益效果，一是双层或多层绝缘结构起到更好的绝缘效果；二是上层绝缘层作为下层绝缘层的修饰层，使得在上层绝缘层上沉积的有机层更为有序，以提高有机薄膜的致密性和迁移率水平。其中第二绝缘层5采用双层绝缘层的主要效果是下层绝缘层充当缓冲（buffer）层，使得上层绝缘层制备时减少有机膜受到的伤害。
第一有机层3和第二有机层4可以各自是由有机小分子材料或有机小分子掺杂材料形成的有机小分子层，或者是由有机聚合物材料或由有机聚合物掺杂材料形成的有机聚合物层，或者由至少两层有机小分子层形成的叠层结构，或者由至少两层有机聚合物层形成的叠层结构，或者由至少一有机小分子层和至少一有机聚合物层形成的叠层结构。第一有机层3和第二有机层4的结构、材料可以相同，也可不同。第一有机层3和第二有机层4分别是充当电子注入传输层和空穴注入传输层。电子和空穴在第一有机层3和第二有机层4相连的界面处传输以及复合发光。
源电极7和漏电极8可以各自是由Au、Mg、Ca、Ag、Al、Cu中的一种金属形成的金属层，或者由这些金属中的两种或多种形成的合金层，或者由至少两层金属层形成的叠层结构，或者由至少两层合金层形成的叠层结构，或者由至少一金属层和至少一层合金层形成的叠层结构。由至少两层金属层形成的叠层结构中，至少有一种金属是由低功函数金属，例如功函数低于4.3eV的金属，至少有一种金属是由高功函数，例如功函数高于4.3eV的金属。并且，高功函数的金属与P型有机半导体接触，低功函数金属与N型有机半导体接触。
源电极7和漏电极8的作用是注入电子和空穴，并提供电子和空穴在传输和器件发光所需要的电压(类似OLED阴阳极)。第一栅极1和第二栅极6的作用是积累电荷，控制电荷浓度，并拉动电子和空穴至第一有机层3和第二有机层4的界面处。如果第一有机层3是n型有机半导体，第二有机层4是p型有机半导体，则漏电极8选用低功函数例如低于4.4eV的材料制成，以有利于电子的注入；源电极7选用高功函数例如高于4.4eV的材料制成，以有利于空穴的注入。
本实施例中，源电极和漏电极的材料、结构可以相同，例如均为Mg/Ag合金，也可以不相同。
该第一实施例中，源电极7和漏电极8同时形成于第一有机层3的上表面两侧，因此可以在同一制程中完成源电极7和漏电极8的制作，有利于简化制程。第二绝缘层5和第二栅电极6不仅充当发光器件的功能层，而且起到对第一有机层3和第二有机层4的封装作用。
参考图2，下面以该有机电子发光器件第一实施例为例说明本发明的工作原理：
设定第一有机层3为n型有机半导体，第二有机层4为p型有机半导体，那么第一栅电极1接负向偏压，第二栅电极6接正向偏压，源电极7接正向偏压，漏电极8接负向偏压。当第一栅电极1接负向偏电时，类似于有机薄膜晶体管（OTFT）的工作原理，由于第一栅电极1和源电极7的电场关系，则空穴会从源电极7注入到第二有机层4中，并由于第一栅电极1负电压的电场影响，空穴会被下拉到第二有机层4和第一有机层3的界面处。同时第二栅电极6施加正向偏压，那么电子从漏电极8注入到第一有机层3中，并由于第二栅电极6的电场作用，电子会被上拉到第一有机层3和第二有机层4的界面处。同样类似于场效应晶体管（field-effecttransistor，FET）的工作原理，当第一栅电极1和第二栅电极6之间的偏压值大于导通电压阈值Vt，电荷积累达到一定程度后第一有机层3和第二有机层4的导电沟道就会导通。这时，漏电极8和源电极7之间存在横向电场，那么第二有机层4中的空穴就会沿着电场方向从源电极7向漏电极8的方向流动，而第一有机层3中的电子就会沿着电场方向从漏电极8向源电极7的方向流动。由于两个栅电极的强烈的上拉和下拉作用，电子和空穴则会在界面处复合发光。第一有机层3和第二有机层4均可充当电荷传输层，并可兼具发光层的功能。
该有机电子发光器件第一实施例中，若第一栅电极1采用透明电极，则该有机电子发光器件为底发光模式；若第二栅电极6采用透明电极，则有机电子发光器件为顶发光模式；若第一栅电极1和第二栅电极6均采用透明电极，则有机电子发光器件为双向发光模式。
实施例2
如图3所示，本发明的有机电子发光器件第二实施例与第一实施例的结构基本相同，不同之处仅在于：该第二实施例的有机电子发光器件中，源电极7形成于第二绝缘层4的右侧，并位于第二绝缘层5的下表面，漏电极8形成于第一有机层3的左侧。源电极7和漏电极8这种布置方式的好处是：在这种结构下电子和空穴的注入都是顶电极注入方式，这样注入效率会达到最优化。另外，在这种结构下电子和空穴传输路径比较固定,电子和空穴只会在两个电极之间传输，比较近似于OLED垂直结构，电荷的复合率会比较高，发光效率较好。
该第二实施例的有机电子发光器件的其它结构与第一实施例相同，这里不再赘述。
实施例3
如图4所示，本发明的有机电子发光器件第三实施例与第一实施例的结构基本相同，不同之处仅在于：该第三实施例的有机电子发光器件还包括第三有机层9。第三有机层9是N型有机半导体、P型有机半导体、双极型有机半导体或者包含主体（host）和客体（dopant）的掺杂材料型有机半导体，例如Alq3、TAZ、TPD、Bepp2、Bebp2、Zn(ODZ)2、Al(ODZ)3、Zn(BIZ)2、NPB、PyPySPyPy、BCzVBi、perylene以及其衍生物等。第三有机层9形成于第一有机层3和第二有机层4之间。源电极7和漏电极8位于第三有机层9的两侧。
该有机电子发光器件第三实施例中，第一有机层3和第二有机层4只有电荷传输的作用，而电子和空穴在第三有机层9复合发光。
本发明中，源电极7和漏电极8的位置并不限于前述第一、二、三实施例中所述的位置，源电极7和漏电极8形成于第一绝缘层2和第二绝缘层5之间的任何位置均可，但要位于有机层的两侧。例如，源电极7还可以形成于第二有机层4下表面、第三有机层9上表面、第三有机层9下表面或第二绝缘层下表面；漏电极8还可以形成于第二有机层4下表面、第三有机层9上表面、第三有机层9下表面或第二绝缘层下表面。
该第三实施例的有机电子发光器件的其它结构与第一实施例相同，这里不再赘述。
有机电子发光器件的制造方法
本发明提供的有机电子发光器件的制造方法，包括如下步骤：
步骤S1：提供一玻璃基板100，并将玻璃基板100洗净。
步骤S2：在玻璃基板100上采用磁控溅射工艺溅射一层厚度为2000A的导电层，例如ITO层，并采用光刻制程图形化形成第一栅电极1。其中导电层也可以采用气相沉积工艺或蒸镀工艺形成。
步骤S3：在第一栅电极1上采用PECVD工艺制备150A厚度的SiNx充当第一绝缘层2，并采用光刻制程图形化。第一绝缘层2的材料为无机物时，可以采用PECVD工艺制备，当第一绝缘层2的材料为有机聚合物时，也可以采用旋涂工艺形成。
步骤S4：在第一绝缘层上采用漏掩膜板蒸镀Alq3充当第一有机层3，厚度300A。第一有机层3也可以采用旋涂工艺或采用印刷工艺或转印工艺形成。
步骤S5：在第一有机层3上采用漏掩膜板依次蒸镀厚度为200A的Al和厚度为200A的Au的叠层结构充当源电极7和漏电极8，沟道长度为50μm，当然沟道长度不以此为限，例如在5μm～200μm范围内均是可行的。此步骤中形成的是Al和Au的叠层结构，当然Al和Au也可以分别由其它金属或合金替换而形成其它材料的叠层结构，并且叠层结构不限于只包括两层结构，还可以是3层甚至更多层金属或合金。另外，只采用一种金属或合金，采用漏掩膜板蒸镀一次形成单纯材料的源电极7和漏电极8也是可行的。第一有机层3也可以采用印刷工艺或转印工艺形成。
步骤S6：源电极7和漏电极8上及源电极7和漏电极8之间的沟道采用漏掩膜板蒸镀厚度为500A的CuPc充当第二有机层4。第二有机层4也可以采用旋涂工艺或采用印刷工艺或转印工艺形成。
步骤S7：在第二有机层4上涂布150A的PVA充当缓冲层，然后再在缓冲层上涂布5000A厚的PS充当第二绝缘层5。缓冲层也可以是其它有机聚合物材料。第二绝缘层5的材料为无机物时，例如SiO2、SiNx或Al2O3等，可以采用PECVD工艺制备，当第二绝缘层5的材料为有机聚合物时，例如PVA、PMMA、PS、PVP等，也可以采用旋涂工艺形成。
步骤S8：在第二绝缘层5上采用漏掩膜板蒸镀2000A的Al充当第二栅电极6。
此实施例制成的有机电子发光器件，漏电极8接地或者施加负向偏压，源电极7施加正向偏压+20V。第一栅电极1施加负向偏压小于-10V，第二栅电极6施加正向偏压大于+15V时发光器件即可开启。即Vt1为-10V，Vt2为-15V。Vt1和Vt2同时高于阈值电压时有机电子发光器件才会开启，Vt越大，载流子浓度越大，有机电子发光器件的亮度越高；另外，随着源电极7的电压的增大，沟道电流增加，有机电子发光器件的亮度也会增加。Vt1和Vt2低于阈值电压时有机电子发光器件关断。
本发明的有机电子发光器件，从结构上可近似看成将一个P型TFT和一个N型TFT交叉叠合而形成一个能发光的器件，第一实施例为例，参见图1，其中的第二有机层4、第一绝缘层2、N型有机半导体的第一栅电极1以及源电极7和漏电极8构成一个类似N型TFT结构，第一有机层3、第二绝缘层5、P型有机半导体的第二栅电极6以及源电极7和漏电极8构成一个类似P型TFT结构，P型TFT和一个N型TFT共用源电极7和漏电极8，交叉叠合形成了本发明的有机电子发光器件。因此，本发明的有机电子发光器件也可称为双栅有机发光晶体管（Double GateOrganic Light Emitting Transistor,DGOLET）或者四电极发光器件。
本发明的有机电子发光器件，从功能上可相当于将传统的TFT功能和OLED功能集成同一个器件上，一个独立的器件可完成发光以及ON/OFF控制功能。本发明可应用于平板显示、柔性显示、透明显示以及照明领域，实现了最大化集成，所以能更高密度的配置像素，实现较高的发光效率，提高图像的PPI，并适于制备更薄型化的产品。同时，由于制程中，不需要像传统的制作AMOLED面板制程那样先在玻璃基板上构建TFT阵列，然后再制备OLED发光器件，因此，可减少多道工序，大幅度简化制程，不但利于提高产品良率，而且能显著降低生产成本。
虽然已参照几个典型实施例描述了本发明，但应当理解，所用的术语是说明和示例性、而非限制性的术语。由于本发明能够以多种形式具体实施而不脱离发明的精神或实质，所以应当理解，上述实施例不限于任何前述的细节，而应在随附权利要求所限定的精神和范围内广泛地解释，因此落入权利要求或其等效范围内的全部变化和改型都应为随附权利要求所涵盖。
Claims (30)
1.一种有机电子发光器件，包括：
基板；
第一栅电极，形成于所述基板上表面；
第一绝缘层，形成于所述基板上表面，并覆盖所述第一栅电极；
有机层，形成于第一绝缘层上表面，该有机层包括至少两层导电类型不同的有机层；
第二绝缘层，形成于所述有机层上表面；
第二栅电极，形成于所述第二绝缘层上表面；
源电极和漏电极，形成于所述第一绝缘层和所述第二绝缘层之间，并分别位于所述有机层的两侧。
2.如权利要求1所述的有机电子发光器件，其中，所述有机层包括：
第一有机层，形成于所述第一绝缘层上表面；
第二有机层，形成于所述第一有机层上表面。
3.如权利要求2所述的有机电子发光器件，其中，所述源电极形成于所述第一绝缘层的上表面、第一有机层上表面、第二有机层下表面或第二绝缘层下表面。
4.如权利要求2所述的有机电子发光器件，其中，所述漏电极形成于所述第一绝缘层的上表面、第一有机层上表面、第二有机层下表面或第二绝缘层下表面。
5.如权利要求2所述的有机电子发光器件，其中，所述源电极和所述漏电极均形成于所述第一有机层上表面。
6.如权利要求2所述的有机电子发光器件，其中，所述有机电子发光器件还包括：
缓冲层，设于所述第二有机层和所述第二绝缘层之间。
7.如权利要求1所述的有机电子发光器件，其中，所述第一栅电极和所述第二栅电极各自是由ITO、Mo、Cr、Au、Mg、Ca、Ag、Al、Cu、W中的一种金属形成的金属层，或者由这些金属中的两种或多种形成的合金层，或者由至少两层金属层形成的叠层结构，或者由至少两层合金层形成的叠层结构，或者由至少一种金属层和至少一种合金层形成的叠层结构。
8.如权利要求1所述的有机电子发光器件，其中，所述第一绝缘层和所述第二绝缘层各自是由SiO2、SiNx、Al2O3中的一种或多种形成的无机绝缘层，或者由PVA、PMMA、PS、PVP中的一种或多种形成的有机绝缘层，或者由至少两种无机绝缘层形成的叠层结构，或者由至少两种有机绝缘层形成的叠层结构，或者由至少一种无机绝缘层和至少一种有机绝缘层形成的叠层结构。
9.如权利要求2所述的有机电子发光器件，其中，所述第一有机层和所述第二有机层各自是由有机小分子材料或有机小分子掺杂材料形成的有机小分子层，或者是由有机聚合物材料或由有机聚合物掺杂材料形成的有机聚合物层，或者由至少两层有机小分子层形成的叠层结构，或者由至少两层有机聚合物层形成的叠层结构，或者由至少一层有机小分子层和至少一层有机聚合物层形成的叠层结构。
10.如权利要求1所述的有机电子发光器件，其中，所述源电极和漏电极各自是由Au、Mg、Ca、Ag、Al、Cu中的一种金属形成的金属层，或者由这些金属中的两种或多种形成的合金层，或者由至少一金属层和至少一合金层或者至少两层金属层或者至少两层合金层形成的叠层结构。
11.如权利要求10所述的有机电子发光器件，其中，由至少两层金属层形成的叠层结构中，至少有一种金属的功函数低于4.3eV，至少有一种金属的功函数高于4.3eV。
12.如权利要求10所述的有机电子发光器件，其中，所述源电极和漏电极均为Mg/Ag合金。
13.如权利要求1所述的有机电子发光器件，其中，所述有机层包括：
第一有机层，形成于所述第一绝缘层上表面；
第三有机层，形成于所述第一有机层上表面；
第二有机层，形成于所述第三有机层上表面。
14.如权利要求13所述的有机电子发光器件，其中，所述源电极形成于所述第一绝缘层的上表面、第一有机层上表面、第二有机层下表面、第三有机层上表面、第三有机层下表面或第二绝缘层下表面。
15.如权利要求13所述的有机电子发光器件，其中，所述漏电极形成于所述第一绝缘层的上表面、第一有机层上表面、第二有机层下表面第三有机层上表面、第三有机层下表面或第二绝缘层下表面。
16.如权利要求1所述的有机电子发光器件，其中，所述基板是柔性基板。
17.如权利要求1所述的有机电子发光器件，其中，所述基板是透明基板。
18.如权利要求2所述的有机电子发光器件，其中，所述第一有机层是N型有机半导体和P型有机半导体中的一种，所述第二有机层是N型有机半导体和P型有机半导体中的另一种。
19.如权利要求18所述的有机电子发光器件，其中，所述第一有机层是N型有机半导体，所述第二有机层是P型有机半导体，用于向所述第二有机层注入空穴的源电极加正向偏压，用于向所述第一有机层注入电子的漏电极加负向偏压，所述第一栅电极加负向偏压，所述第二栅电极加正向偏压。
20.如权利要求13所述的有机电子发光器件，其中，所述第三有机层是N型有机半导体、P型有机半导体、双极型有机半导体或者包含主体和客体的掺杂材料型有机半导体。
21.一种如权利要求1所述的有机电子发光器件的制造方法，其中，包括如下步骤：
步骤S1：提供一基板；
步骤S2：在基板上形成一导电层，并将该导电层图形化形成第一栅电极；
步骤S3：在第一栅电极上形成第一绝缘层；
步骤S4：在第一绝缘层上形成有机层；
步骤S5：在有机层上两侧形成源电极和漏电极；
步骤S6：在源电极和漏电极上形成第二绝缘层；
步骤S7：在第二绝缘层上形成第二栅电极。
22.根据权利要求21所述的有机电子发光器件的制造方法，其中，所述步骤S2中，通过磁控溅射工艺或气相沉积工艺或蒸镀工艺形成所述导电层。
23.根据权利要求21所述的有机电子发光器件的制造方法，其中，所述步骤S3中，采用PECVD工艺或旋涂工艺在第一栅电极上制备第一绝缘层。
24.根据权利要求21所述的有机电子发光器件的制造方法，其中，所述步骤S4中，在第一绝缘层上采用旋涂工艺或采用印刷工艺、转印工艺、或采用漏掩膜板蒸镀形成有机层。
25.根据权利要求21所述的有机电子发光器件的制造方法，其中，所述步骤S5中，采用印刷工艺或转印工艺或采用漏掩膜板在有机层上蒸镀形成源电极和漏电极。
26.根据权利要求21所述的有机电子发光器件的制造方法，其中，所述步骤S5中，依次采用印刷工艺或转印工艺或采用漏掩膜板在有机层上蒸镀形成至少两层金属层，或至少两层合金层，或至少一层金属层和至少一层合金层而形成叠层结构的源电极和漏电极。
27.根据权利要求21所述的有机电子发光器件的制造方法，其中，所述步骤S6中，先在有机层上形成缓冲层，然后再在缓冲层上形成第二绝缘层。
28.根据权利要求21所述的有机电子发光器件的制造方法，其中，所述步骤S6中，采用PECVD工艺或旋涂工艺在缓冲层上形成第二绝缘层。
29.根据权利要求21所述的有机电子发光器件的制造方法，其中，所述步骤S7中，在第二绝缘层上采用漏掩膜板蒸镀形成第二栅电极。
30.根据权利要求21所述的有机电子发光器件的制造方法，其中，所述有机层包括至少两层导电类型不同的有机层。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201310119757.8A CN103219463B (zh) | 2013-04-08 | 2013-04-08 | 有机电子发光器件及其制造方法 |
| TW102114857A TWI509855B (zh) | 2013-04-08 | 2013-04-25 | 有機電子發光器件及其製造方法 |
| US14/141,188 US9105592B2 (en) | 2013-04-08 | 2013-12-26 | Organic electronic light emitting device and method of fabricating the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201310119757.8A CN103219463B (zh) | 2013-04-08 | 2013-04-08 | 有机电子发光器件及其制造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN103219463A CN103219463A (zh) | 2013-07-24 |
| CN103219463B true CN103219463B (zh) | 2015-09-02 |
Family
ID=48817074
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201310119757.8A Active CN103219463B (zh) | 2013-04-08 | 2013-04-08 | 有机电子发光器件及其制造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9105592B2 (zh) |
| CN (1) | CN103219463B (zh) |
| TW (1) | TWI509855B (zh) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105304719B (zh) * | 2014-07-18 | 2020-04-14 | 上海和辉光电有限公司 | 柔性薄膜晶体管及其制造方法 |
| EP3021373A1 (en) * | 2014-11-14 | 2016-05-18 | E.T.C. S.r.l. | Display containing improved pixel architectures |
| US10026911B2 (en) * | 2016-01-15 | 2018-07-17 | Corning Incorporated | Structure for transistor switching speed improvement utilizing polar elastomers |
| CN108493229A (zh) * | 2018-05-31 | 2018-09-04 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及其制备方法、显示装置 |
| CN109524564B (zh) * | 2018-11-23 | 2021-01-08 | 合肥鑫晟光电科技有限公司 | 一种有机发光晶体管、温感装置及其温度测试方法 |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6229259B1 (en) * | 1998-12-22 | 2001-05-08 | Alton O. Christensen, Sr. | Woven polymer fiber video displays with improved efficiency and economy of manufacture |
| US20120007064A1 (en) * | 1999-12-31 | 2012-01-12 | Lg Chem, Ltd. | Organic electroluminescent device and method for preparing the same |
| JP5028723B2 (ja) * | 2001-08-16 | 2012-09-19 | 奇美電子股▲ふん▼有限公司 | 薄膜トランジスタ、該薄膜トランジスタの製造方法、該薄膜トランジスタを含むアレイ基板、表示装置および該表示装置の駆動方式 |
| EP1367659B1 (en) * | 2002-05-21 | 2012-09-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Organic field effect transistor |
| US6950454B2 (en) | 2003-03-24 | 2005-09-27 | Eastman Kodak Company | Electronic imaging system using organic laser array illuminating an area light valve |
| US7655961B2 (en) * | 2003-10-02 | 2010-02-02 | Maxdem Incorporated | Organic diodes and materials |
| JP4349307B2 (ja) * | 2005-03-16 | 2009-10-21 | セイコーエプソン株式会社 | 有機半導体装置の製造方法、有機半導体装置、電子デバイスおよび電子機器 |
| JP5299807B2 (ja) * | 2007-08-31 | 2013-09-25 | 出光興産株式会社 | ベンゾジチオフェン誘導体並びにそれを用いた有機薄膜トランジスタ及び有機薄膜発光トランジスタ |
| KR20110037220A (ko) * | 2009-10-06 | 2011-04-13 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 박막 트랜지스터, 그의 제조 방법 및 박막 트랜지스터를 구비하는 유기전계발광 표시 장치 |
| KR101680768B1 (ko) * | 2010-12-10 | 2016-11-29 | 삼성전자주식회사 | 트랜지스터 및 이를 포함하는 전자장치 |
| CN102655118A (zh) * | 2012-01-10 | 2012-09-05 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种amoled器件及制作方法 |
| CN102611558B (zh) | 2012-04-27 | 2014-12-17 | 西安电子科技大学 | 基于幻方的多人共管电子账户密钥分配和身份认证方法 |
-
2013
- 2013-04-08 CN CN201310119757.8A patent/CN103219463B/zh active Active
- 2013-04-25 TW TW102114857A patent/TWI509855B/zh active
- 2013-12-26 US US14/141,188 patent/US9105592B2/en active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TWI509855B (zh) | 2015-11-21 |
| US9105592B2 (en) | 2015-08-11 |
| CN103219463A (zh) | 2013-07-24 |
| TW201440275A (zh) | 2014-10-16 |
| US20140299852A1 (en) | 2014-10-09 |
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|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CP01 | Change in the name or title of a patent holder | ||
| CP01 | Change in the name or title of a patent holder |
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|
| CP02 | Change in the address of a patent holder | ||
| CP02 | Change in the address of a patent holder |
Address after: 201506, No. nine, No. 1568, Jinshan Industrial Zone, Shanghai, Jinshan District Patentee after: Shanghai Hehui optoelectronic Co., Ltd Address before: 201500, building two, building 100, 1, Jinshan Industrial Road, 208, Shanghai, Jinshan District Patentee before: Shanghai Hehui optoelectronic Co., Ltd |