CN208422959U - 一种新型oled器件及其显示、照明装置 - Google Patents

一种新型oled器件及其显示、照明装置 Download PDF

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陈文勇
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Abstract

本实用新型公开了一种新型OLED器件及其显示、照明装置，按照光出射方向依次包括：玻璃基板、反射阳极、反射阴极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层，且所述反射阳极和所述反射阴极均位于所述发光层的同侧；该结构中由于光出射面没有金属层阻挡，电场通过电子传输层(ETL)横向施加，且电子传输层采用N型掺杂或金属掺杂材料，可以有效避免反射阴极出射光发生的等离子体效应，从而提高OLED器件的发光效率。

Description

一种新型OLED器件及其显示、照明装置
技术领域
本实用新型涉及一种新型OLED器件及其显示、照明装置。
背景技术
自从C.W.Tang 1987年在应用物理快报上发表文章以来，有机发光显示器件(OLED)已经得到显著进展，OLED器件是主动发光器件，相比现有的主流显示技术薄膜晶体管液晶显示器(TFT-LCD)，OLED具有广视角、高亮、高对比度、低能耗和体积更轻薄等优点，是目前平板显示技术关注的焦点。目前，OLED顶发射器件的结构主要包括反射阳极(RE)、空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、发光层(EML)、电子传输层(ETL)、电子注入层(EIL)、以及阴极(Cathode)依次堆叠构成，如附图1所示，OLED顶发射器件的反射阳极和阴极分别在OLED发光层的两侧，但该结构的OLED顶发射器件缺点在于OLED效率过低。
实用新型内容
为克服现有技术的上述缺陷，本实用新型的目的在于提供一种新型OLED器件，通过结构设计消除表面等离子体效应，提高OLED器件的发光效率，还提供含有上述新型OLED器件的显示装置和照明装置。
本实用新型的上述目的通过以下技术方案实现：
第一方面，一种新型OLED器件，按照光出射方向依次包括：玻璃基板、反射阳极、反射阴极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层；其中，所述反射阳极和所述反射阴极均位于所述发光层的同侧。
优选的，所述反射阴极置于所述玻璃基板和所述电子传输层相连，并与所述反射阳极、所述空穴注入层、所述空穴传输层和所述发光层相邻。
优选的，所述反射阳极置于所述玻璃基板上，其上依次堆叠有所述空穴注入层、所述空穴传输层、所述发光层，且所述发光层和所述电子传输层相连。
优选的，所述反射阴极为金属或金属合金，所述反射阳极为金属或金属合金，且所述反射阴极的厚度大于所述反射阳极。
优选的，所述新型OLED器件为方形结构。
优选的，所述电子传输层的厚度为
第二方面，一种OLED显示装置，包括上述新型OLED器件。
第三方面，一种OLED照明装置，包括上述新型OLED器件。
与现有技术相比，本实用新型的有益效果在于：
一、本实用新型的新型OLED器件中，反射阳极和反射阴极都位于发光层的同侧，光出射面没有金属层阻挡，可以有效避免阴极出射光发生的等离子体效应，从而提高OLED器件的发光效率。
二、本实用新型中电场通过电子传输层(ETL)横向施加，且电子传输层采用N型掺杂或金属掺杂材料，具有很高的迁移率，大于1×10-3cm2/Vs，没有等离子体损耗掉，OLED器件效率可以提高一倍以上。
附图说明
图1是现有的OLED器件结构示意图；
图2是本实用新型的新型OLED器件结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图详细说明本实用新型的技术方案，但本实用新型的保护范围不限于下述的实施例。
参见附图1，为传统OLED器件，包括发射阳极(RE)、空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、发光层(EML)、电子传输层(ETL)、电子注入层(EIL)、以及阴极(Cathode)依次堆叠构成，反射阳极和阴极分别在发光层的两侧，该结构的OLED器件缺点在于OLED效率过低，底部发射OLED器件的出光耦合效率很低，小于20％。
参见附图2，新型OLED器件按照光出射方向依次包括：玻璃基板、反射阳极、反射阴极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层；其中，反射阳极和反射阴极均位于发光层的同侧，整体为方形结构。其中，反射阴极为金属或金属合金，置于玻璃基板和电子传输层相连，并与反射阳极、空穴注入层、空穴传输层和发光层相邻；反射阳极为金属或金属合金，置于玻璃基板上，其上依次堆叠有空穴注入层、空穴传输层、发光层，且发光层和电子传输层相连，电子传输层的厚度为
按照上述结构设计ITO/TPD/AlQ/Ag器件，采用在550nm条件下反射率大于85％的Ag作为反射阴极和反射阳极，具有良好机械强度、热稳定性、透明度、表面柔软度、易处理性和耐水性的玻璃衬底或透明塑料衬底作为基体材料。先将Ag沉积或喷镀到基底材料上形成反射阳极和反射阴极，再通过真空蒸发法在反射阳极上形成空穴注入层，其中，真空蒸发的工艺条件包括：沉积温度为50-500℃，真空度为10-8-10-3托，沉积速率为沉积厚度为按照上述相同的工艺条件在空穴注入层上依次形成空穴传输层和发光层和电子传输层。上述结构的器件中，由于反射阳极和反射阴极都位于发光层的同侧，光出射面没有金属层阻挡，可以有效避免阴极出射光发生的等离子体效应，从而提高OLED器件的发光效率。
以上所述为本实用新型的较佳实施例而已，但本实用新型不应该局限于该实施例所公开的内容。所以凡是不脱离本实用新型所公开的精神下完成的等效或修改，都落入本实用新型保护的范围。

Claims (10)

1.一种新型OLED器件，其特征在于，按照光出射方向依次包括：玻璃基板、反射阳极、反射阴极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层；其中，所述反射阳极和所述反射阴极均位于所述发光层的同侧。
2.如权利要求1所述的新型OLED器件，其特征在于，所述反射阴极置于所述玻璃基板和所述电子传输层相连，并与所述反射阳极、所述空穴注入层、所述空穴传输层和所述发光层相邻。
3.如权利要求1所述的新型OLED器件，其特征在于，所述反射阳极置于所述玻璃基板上，其上依次堆叠有所述空穴注入层、所述空穴传输层、所述发光层，且所述发光层和所述电子传输层相连。
4.如权利要求1或2或3所述的新型OLED器件，其特征在于，所述反射阴极的厚度大于所述反射阳极。
5.如权利要求1所述的新型OLED器件，其特征在于，所述新型OLED器件为方形结构。
6.如权利要求1所述的新型OLED器件，其特征在于，所述反射阴极为金属或金属合金。
7.如权利要求1所述的新型OLED器件，其特征在于，所述反射阳极为金属或金属合金。
8.如权利要求1所述的新型OLED器件，其特征在于，所述电子传输层的厚度为
9.一种OLED显示装置，其特征在于，包括如权利要求1-8任一项所述新型OLED器件。
10.一种OLED照明装置，其特征在于，包括如权利要求1-8任一项所述新型OLED器件。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109004098A (zh) * 2018-08-03 2018-12-14 上海钥熠电子科技有限公司 一种新型oled器件及其显示、照明装置
CN110085755A (zh) * 2019-05-09 2019-08-02 陕西科技大学 一种新型倒置型顶发射oled器件及其制备方法

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