TWI503050B - 用於透光裝置的導電結構 - Google Patents
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Description
本發明廣義地是關於一種用於透光裝置的導電結構，以及一種形成用於透光裝置的導電結構之方法。
對於例如頂部發光型有機發光二極體(OLED)的裝置來說，一般使用超薄金屬薄膜作為透明陰極。然而，例如Mg：Ag、LiF/Al/Ag、Ca/Ag等的超薄金屬陰極，他們一般展現出很低的水氣與氧氣抵抗性，因而導致裝置的壽命很短。而且，超薄金屬陰極一般在電極與空氣的介面上產生相當大量的內反射，此乃由於在陰極與空氣的介面上折射率錯誤配合的緣故。此外，超薄金屬陰極一般在可見光的波長範圍內具有很高的吸附性，因而導致很低的透光率(transmittance)。
因此，已經著手研究許多技術用於在金屬陰極上形成由透明導電氧化物(TCO)所製成的覆蓋層，因而產生出金屬/TCO為主(metal/TCO-based)的陰極。
TCO薄膜具有很多種的應用方式，這是由於它具有高導電性，且在可見光譜的範圍內具有很高的光學透明度。攙雜氧化物材質(例如：ZnO、SnO2與In2O3)一般被個別地使用在多層中，或作為例如銦錫氧化物(ITO)與銦鋅氧化物(IZO)等混合物以便產生TCO薄膜。從多個TCO薄膜開始，ITO、攙有鋁的ZnO(AZO)及攙有氟的SnO2(FTO)，一般是經常被使用的TCO材質。TCO一般被用作為裝置的一
個整體部分，例如：抗靜電塗層、熱鏡、太陽能電池、平板顯示器、感應器、及有機發光二極體(OLED)等。
TCO層一般被用於頂部發光型有機/聚合體發光二極體(OLED/PLED)的陰極中，或作為在串聯結構有機光電電池的電荷重組區。TCO層可以被用來提供一個與有機材質和其他材質之間的介面，也可以作為一個電氣接點。因此，對於有機電子來說，最好將一個高性能TCO為主的透明電極沉澱於有機層上，而不會損害到底下的功能性材質。除了例如穿透性與導電性等典型TCO特性之外，最好能利用低處理溫度及增加的處理彈性(例如：高速製造、高導電性及低成本)而製造出電極。
然而，典型金屬/TCO為主的陰極遭遇到很多問題。對於在玻璃基底上製造高傳導性與透明的TCO膜來說，一般需要超過200℃的處理溫度。已經了解比起在200℃以上的基底溫度所產生的TCO膜來說，在低於100℃的處理溫度下所形成的TCO膜一般具有相當高的電阻率(resistivity)，且具有較低的光學透明度。一般來說，TCO為主的透明電極是沉澱在主動材料/層上，這些主動材料/層可能無法與高處理溫度相容。例如，由DC/RF磁電管濺射所製成的ITO薄膜，一般需要在薄膜製造期間以升高的溫度加熱基底，或者在200℃以上的溫度添加額外的後退火處理。其中一項問題在於高處理溫度並不適用於有機電子的應用情形中。例如，串聯式有機光電(PV)電池及頂部發光型OLED一般無法與高溫電漿處理相容。
而且，除了由於高處理溫度所引起的損傷之外，仍然具有與沉澱TCO有關的其他困難性。例如，其中一種TCO的ITO一般被用作為陽極/陰極材質。當ITO陰極接點被沉澱於串聯式光電電池的有機電子受體上，或頂部發光型OLED的電致發光材質上時，傳統濺射處理所形成的ITO電極可能遭遇到以下的問題。由於ITO沉澱對底下功能性聚合體/有機層所引起的損傷，因而導致裝置性能變差。而且，對於具有電子注射器與導電金屬層的半透明陰極來說，一般需要折射率配合層以增進電流散佈與光線輸出偶合效率。
此外，用於有機電子的透明陰極一般需要以相當高的沉澱速率、很低的處理溫度，且對底下的功能性材質具有很低(甚至毫無)損傷之方式製造。透明電極最好具有高光學透明度、高導電性、平滑的表面形態、及高穩定性等，而且，最好具有能夠以低成本大量製造的可調式處理。
因此，在上述的所有困難中，已經發現對於典型金屬/TCO為主的陰極來說，TCO沉澱會對底下的功能層產生損害。而且，典型金屬/TCO為主的陰極會遭受到低沉澱速率的影響。在G.Gu等人於「Appl.Phys.Lett.68」(19),1996,(2606-2608)所著之「RF濺射ITO陰極，Ar/O2」，已經發現陰極的成長速率低於1.0nm/min。而且，也發現金屬/ITO為主的陰極展現出相當高的薄膜電阻(sheet resistance)Rs。因此，對於典型的金屬/TCO為主的陰極來說，使用較厚的金屬層以補償很差的TCO導電
性，如此會更加降低光學透明度且可能增加成本。
在試圖解決因利用典型金屬/TCO為主的陰極所產生的問題之過程中，已經建議使用有機緩衝層/TCO陰極。一般來說，並未在有機-緩衝層/TCO陰極中使用金屬內層，這一點在以下的文件中早有研究：US6569697B2、US6420031B1B1、G.Parthasaeathy等人「Appl.Phys.Lett.76」(15),2000,(2128-2130)、Haiying Chen等人「IEEE電子裝置文件24」(5),2003,(315-317)、以及Ho Won Choi等人「Appl.Phys.Lett.76」(86),2005,(012104)。然而，製造有機-緩衝層/TCO陰極可能引發很多問題，這些問題包含如下：由於需要有機緩衝層，所以製造過程可能更加複雜。而且，由於諸如電氣特性、光學特性、及工作函數配合等因素，對於形成有機緩衝層的材料選擇就很有限。此外，已經發現有機-緩衝層/TCO陰極一般會引起接觸電阻的增加，因而導致在有機/陰極介面的載體收集/射出特性之缺陷。
因此，有鑒於上述缺點，確實需要一種用於透光裝置的導電結構，以及一種形成用於透光裝置的導電結構之方法，藉此解決上述問題。
根據本發明第一型態，提出一種用於透光裝置的導電結構，此結構包含：第一透明導電材質層，係利用第一處理條件而形成；至少另一透明導電材質層，其直接形成於第一層上，該至少另一透明導電材質層係利用不同於第一
處理條件的第二處理條件而形成；而且，其中第一層具有緩衝層的作用，以減少在該至少另一透明導電材質層的形成期間對於透光裝置的不良影響。
第一處理條件可以包含第一沉澱功率及第一沉澱溫度；第二處理條件可以包含第二沉澱功率及第二沉澱溫度，其中第一沉澱功率、第一沉澱溫度及第二沉澱溫度各可以被選擇成能減少由於溫度與沉澱功率對於透光裝置所引發的不良影響；且其中第二沉澱功率可以被選擇成可提供該至少另一透明導電材質層想要的薄膜品質
此結構可以另外包含一個或多個金屬層，其中第一層是形成於金屬層上方。
形成於第一層上的至少另一透明導電金屬層，可一起產生如折射率配合結構之功用，以增強此裝置的光線輸出。
形成於第一層上的該至少另一透明導電材質，可以一起產生作用，以增加此裝置的電流散佈。
第一層及該至少另一透明導電材質層，可以利用物理沉澱技術、化學沉澱技術或兩種方式而形成。
第一層可以利用直流(DC)磁電管濺射而形成。
第一沉澱功率可以大約為10W。
該至少另一透明導電材質層可以利用射頻(RF)磁電管濺射而形成。
第二沉澱功率可以大約為100W。
在第一層的沉澱期間之基底溫度大約可以是60℃以下。
在至少另一透明導電材質層的沉澱期間之基底溫度大約可以是60℃以下。
第一層與該至少另一透明導電材質層各包含選自SnO2、Ga-In-Sn-O(GITO)、Zn-In-Sn-O(ZITO)、Ga-In-O(GIO)、Zn-In-O(ZIO)、In-Sn-O(ITO)及其他透明導電材質所構成的群組其中一或多個材質。
第一層與該至少另一透明導電材質層可以包含相同的透明導電材質。
根據本發明的第二型態，提出一種形成用於透光裝置的導電結構之方法，此方法包含以下步驟：利用第一處理條件而形成第一透明導電材質層；利用與第一處理條件不同的第二處理條件而直接在第一層上形成至少另一透明導電材質層；而且，其中第一層具有如緩衝層的作用，以減少在形成該至少另一透明導電材質層的期間對於透光裝置的不良影響。
第一處理條件可包含第一沉澱功率及第一沉澱溫度，第二處理條件可以包含第二沉澱功率及第二處理溫度。而且此方法可以另外包含選擇第一沉澱功率、第一沉澱溫度及第二沉澱溫度，致使能減少由於溫度及沉澱功率對透光裝置所引起的不良影響，而且選擇第二沉澱功率以便對該至少另一透明導電材質層提供想要的薄膜品質。
此方法可以另外包含提供一或多個金屬層，且在金屬層上形成第一層。
形成於第一層上的至少另一透明導電金屬層，可一起
產生如折射率配合結構之功用，以增強此裝置的光線輸出。
形成於第一層上的該至少另一透明導電材質，可以一起產生出作用，以增加此裝置的電流散佈。
第一層及該至少另一透明導電材質層，可以利用物理沉澱技術、化學沉澱技術或兩種方式而形成。
第一層可以利用直流(DC)磁電管濺射而形成。
第一沉澱功率可以大約為10W。
該至少另一透明導電材質層可以利用射頻(RF)磁電管濺射而形成。
第二沉澱功率可以大約為100W。
在第一層的沉澱期間之基底溫度大約可以是60℃以下。
在至少另一透明導電材質層的沉澱期間之基底溫度大約可以是60℃以下。
第一層與該至少另一透明導電材質層各包含選自SnO2、Ga-In-Sn-O(GITO)、Zn-In-Sn-O(ZITO)、Ga-In-O(GIO)、Zn-In-O(ZIO)、In-Sn-O(ITO)及其他透明導電材質所構成的群組其中一或多個材質。
第一層與該至少另一透明導電材質層可以包含相同的透明導電材質。
對於熟知此項技術者來說，從以下僅作為範例之用的書面說明中且參考附圖，將能夠更加清楚地了解本發明的實施例。
以下文中所描述的範例性實施例提出一種透明導電分級結構，包含一個或多個透明導電材質，其應用情形包括作為電極或電荷重組內層。
圖1是顯示一個範例性實施例中的透光裝置102之示意圖。此裝置102包含一基底104、一堆106形成於基底104上的功能性層108、110、一金屬層(例如：形成於此堆106上的電洞/電子注射器/收集器112)、以及一透明分級結構(例如：形成於電洞/電子注射器/收集器112上的雙層或多層層TCO為主的透明電極114)。封裝層115係形成於此電極114上。
在此說明書中，為了便於說明，電極114包含兩個TCO層，此電極114是一種透光結構，其例如適用於單接點串聯結構的有機光電電池、頂部發光與倒置型OLED、及其他運用透明電極接點、覆蓋層或內層的有機/無機功能性零件。此電極114包含一導電TCO緩衝層116及一導電TCO覆蓋層118。在此範例性實施例，所使用的TCO材質是ITO。基底106可以是堅硬或具有撓性的，且/或可以是不透明的或透明的。功能性層108、110各可以包含有機或無機材質。電洞/電子注射器/收集器112可以包含有機或無機材質，或兩種材質的組合。封裝層115包含例如Al2O3、SiO2等的適當材質。
要知道的是例如分級ITO結構的透明分級導電材質層在空氣中很穩定，且本身可以作為暫時的封裝層。由於其導電性，一個單獨的封裝層(例如：115)較佳地形成於透明
分級導電材質層(例如：114)上方。為了說明起見，以下的範例性實施例中，省略掉關於形成封裝層的敘述。
已經承認TCO具有很高的工作函數。因此，一方面當電極114被用作為陽極時，電極114的透明分級結構本身可產生如陽極的功用。另一方面，假如透明陰極打算被用於諸如頂部發光型OLED、半透明PV電池、串聯式太陽能電池等裝置時，最好使用低工作函數的內層。此低工作函數內層可以包含低工作函數金屬、有機與無機化合物等。在這樣的情形中，使用透明分級結構(例如：高品質TCO薄膜)，以覆蓋低工作函數內層，藉此增進陰極系統的電氣與光學特性。
在此範例性實施例中，透明分級結構是由不同「等級」的材質所製成。例如，可以利用不同的沉澱條件而形成不同的「等級」。
在此範例性實施例中，緩衝層116是利用直流(DC)磁電管濺射法以例如大約10W的低功率而形成。此低功率可以防止濺射輻射對底下各層(例如：116)可能引起的損壞。要注意的是雖然所形成的緩衝層116具有很高的光學透明度，但是緩衝層116是多孔的，如此多孔的性質會使導電性的穩定受到限制。
覆蓋層118是利用射頻(RF)磁電管濺射以大約100W的高功率而直接形成於緩衝層116上。所形成的覆蓋層118具有相當高的密度，相當高的光學透明度，而且在空氣中具有穩定的薄膜導電性。具有分級結構的電極114被形成
為光學透明雙層式ITO電極，其具有相當高的導電性。再次要注意的是此雙層結構是透明導電材質分級結構的一個範例而已。換句話說，分級結構可以包含利用一個透明導電材質或不同透明導電材質的組合所形成的兩層以上之多層式結構。
在此範例性實施例中，具有重量比例9：1的In2O3與SnO2之氧化標靶被用於ITO沉澱。此沉澱過程包含在氧氣、氬氣與氫氣的氣體混合物中運用小於0.1%氧氣分壓。用於緩衝層116的ITO沉澱速率大約是2.0nm/min，而用於覆蓋層118的沉澱速率大約是4.2nm/min。在薄膜沉澱期間所引起的基底溫度大約是60℃。要知道的是分級ITO電極也可以利用其他物理與化學沉澱方法而形成。
已經承認ITO是一種以離子方式結合的半導電性氧化物，其相較於共價方式結合的材質很容易形成氧空洞(oxygen vacancy)。藉由DC/RF磁電管濺射所形成的ITO薄膜主要是非化學計量(non-stoichometric)。氧空洞的數量受到沉澱條件的影響，例如：濺射功率、基底溫度、濺射氣體壓力、標靶中的Sn/In組成，以及混合物中的氣體。錫摻雜物及離子化氧空洞施體所提供的自由電子包含用於導電的電荷載體。
而且，在濺射氣體混合物中存在有氫氣補償了薄膜內的氧氣損耗。當濺射氣體混合物中添加了氫氣時，在磁電管濺射期間的成長通量包括相當大量的激能氫物種，其可以去除沉澱薄膜時脆弱結合的氧。因此，在濺射氣體混合
物內添加氫氣會對氧化物產生還原效果，因而增加薄膜內氧空洞的數量，且因此增加電荷載體的數量。由於導電性與電荷載體濃度與移動性的乘積成正比，因此ITO薄膜內的載體濃度增加，有助於增進此範例性實施例中的薄膜導電性。
對於頂部發光型OLED及有機PV電池來說，上方的半透明陰極結構是很重要的。可以利用本範例性實施例而設置一個含有超薄金屬/TCO的化合物半透明陰極，可以設置一個具有適當TCO(例如：ICO)覆蓋層的化合物半透明陰極。良好品質分級的TCO層(例如：層114)係作為折射率配合層，由於它在可見光波長範圍內具有較佳的光學透明度(例如：具有很高的T(λ))以及高導電性之緣故，其可增強頂部發光型或倒置型OLED的光線輸出(例如：增強透光率T(λ))，且亦改善電流散佈。在此範例性實施例中，分級TCO為主的透明電極114是以低溫進行沉澱，其具有高導電性、薄膜導電性的穩定度很高、高沉澱速率，且可以與底下的有機/無機層(例如：112)具有很好的接觸。已經發現在室溫下氣體混合物中存在有氫氣而沉澱ITO時，可以達到最低的電阻率。
在此範例性實施例中，可以利用「低功率」與「低溫度」組合的ITO沉澱過程，而設置一個高性能分級的ITO結構，在此情形中為雙層式ITO陰極。緩衝層116能製造出具有以下特性的ITO為主陰極114，其具有高密度、高導電性、高穩定性，且對底下的材質具有很低或毫無傷害。
10W DC濺射製成的緩衝ITO層116及100W RF濺射製成的覆蓋ITO層118之組合(亦即：雙層式ITO電極114)亦具有很高的沉澱速率，且很穩定，但並非侷限於有機電子的應用情形中。所以，此範例性實施例提供一種有效的解決方案，可以在相當低的溫度下在功能性有機及/或無機層的表面上製造TCO為主的半透明陰極。
圖2是顯示含有此範例性實施例的ITO為主的電極204之有機光電裝置202之示意圖。此裝置202具有以下結構：玻璃/ITO/摻有聚(磺酸苯)聚(3,4-ethylenedioxythio-phere)(PEDOT：PSS)/聚(3-hexylthiophene)(P3HT)：1-(3-methoxycarbonyl)-propyl-1-phenyl-(6,6)C60(PCBM)(75nm)/Ca(10nm)/Ag(10nm)/ITO(60nm)。換句話說，ITO為主的電極204具有大約60nm的厚度。表1以列表方式顯示用於濺射過程中的成長速度。
圖3顯示裝置202的整體光線透光率(%)對上ITO陰極厚度(nm)，以及裝置202的P3HT：PCBM層206之整體光線吸收比(%)對上ITO陰極厚度(nm)之圖表。最大的透光率是以數字302表示，而最大的整體光線吸收比是以數字304表示。因此，陰極厚度感興趣的區域是以數字306表示。
圖4顯示針對利用DC與RF磁電管濺射，ITO成長速率(nm/min)對上濺射功率(W)，以及薄膜電阻(ohm/sq)對上濺射功率(W)之圖表。可以看出DC/RF濺射製成的ITO薄膜之成長速率隨著濺射功率的增加而增加，但薄膜電阻卻隨著功率而減少。
在此範例性實施例中，已經發現ITO為主的電極204之透光率T(λ)可以超過大約85%。圖3顯示與波長有關的薄膜透光率。薄膜電阻Rs(大約120nm的厚度)可以是大約25Ω/sq。而且，ITO為主的電極204(圖2)具有平滑的表面(亦即：小於大約1.0nm的測量值)。由於本身非結晶的特性，ITO為主的電極204(圖2)亦具有較小的應力以及很高的蝕刻速率。
要知道的是，不像底部發光型OLED在玻璃基底中以波導模式具有大約80%的光線損耗，頂部發光型OLED的波導模式受到抑制，導致光線輸出的增加。因此，頂部發光型OLED結構適用於OLED為主的顯示器及燈具應用情形。高品質的上透明電極有益於頂部發光型OLED。從光學的角度來看，OLED或頂部發光型OLED可以被認為是一種薄膜系統。利用此範例性實施例，可以根據所獲得的發射性材質及裝置構造，而使ITO層厚度及混合物頂部陰極結構(例如：圖1的分級電極114與金屬層112)達到最佳。
在另一個範例性實施例中，研究ITO薄膜的穩定性。60nm厚的分級ITO結構，在此範例中，雙層式ITO為主的上陰極是在室溫下沉澱於頂部發光型OLED與半透明聚合
PV電池上。此雙層式ITO為主的陰極具有以下特性：相當高的薄膜沉澱速率、相當高的導電性、以及相當高的光學透明度，而且對底下的有機層產生很少或毫無損壞。
圖5顯示針對具有不同層組合的分級ITO薄膜，薄膜電阻(ohm/sq)對上緩衝-ITOx/覆蓋-ITO60-x厚度之圖表。x值從0到60nm。緩衝ITO是指利用DC磁電管濺射以大約10W的功率而沉澱的內層ITO緩衝層，覆蓋ITO是指利用RF磁電管濺射以大約100W的功率在分級電極結構中所製造的ITO覆蓋層。
可以看出含有緩衝-ITOx/覆蓋-ITO60-x薄膜的60nm厚分級電極之薄膜電阻是從緩衝-ITO0/覆蓋-ITO60的大約67ohm/sq變化成緩衝-ITO60/覆蓋-ITO0的大約126ohm/sq。雖然緩衝-ITO0/覆蓋-ITO60組合就薄膜導電性來說是比較好的，直接使用緩衝-ITO0/覆蓋-ITO60作為頂部發光型OLED與有機PV電池的上電極，一般來說會使裝置的性能變差。這一點是由於在覆蓋層的ITO沉澱期間利用高濺射功率(例如：大約100W)而導致底下的有機材質可能受到損壞。也要知道的是增加緩衝ITO層的厚度(例如：增加至用於緩衝-ITO60/覆蓋-ITO0的60nm)也不適合，這是因為藉由DC磁電管濺射以大約10W與低溫(在此情形中為室溫)而製造的ITO薄膜(用於緩衝層)，並未具有穩定的薄膜導電性。這一點稍後將參考圖6加以說明。
圖6顯示針對具有緩衝-ITOx/覆蓋-ITO60-x厚度的不同層組合之分級ITO電極，薄膜電阻(ohm/sq)對上時間(天數)
之圖表，其顯示出具有緩衝-ITO0/覆蓋-ITO60、緩衝-ITO15/覆蓋-ITO45、緩衝-ITO30/覆蓋-ITO30、緩衝-ITO45/覆蓋-ITO15、緩衝-ITO60/覆蓋-ITO0的不同層組合之60nm厚雙層式ITO薄膜的薄膜電阻，在十八天的期間內被測量出來的結果。結果很清楚地顯示緩衝-ITO60/覆蓋-ITO0薄膜的導電性在空氣中不穩定。因此，結論是雖然相關的沉澱過程對底下的有機材質具有最少的損傷，但是藉由DC磁電管濺射以低功率所沉澱的單層ITO並不適用於作為有機電子中的陰極。從圖6可以看出，緩衝-ITO15/覆蓋-ITO45、緩衝-ITO30/覆蓋-ITO30、及緩衝-ITO45/覆蓋-ITO15的雙層式ITO電極可用於有機電子的情形中，這是因為其本身具有高薄膜成長速率，且在空氣中具有很高的薄膜穩定度之緣故。
圖7顯示針對具有緩衝-ITOx/覆蓋-ITO60-x厚度的不同層組合之分級ITO電極，透光率(%)對上波長(nm)之圖表，其顯示出沉澱於玻璃基底上的緩衝-ITO0/覆蓋-ITO60、緩衝-ITO15/覆蓋-ITO45、緩衝-ITO30/覆蓋-ITO30、緩衝-ITO45/覆蓋-ITO15、緩衝-ITO60/覆蓋-ITO0之60nm厚雙層式ITO薄膜中與波長有關的透光率T(λ)。與短波長區域有些微的偏差(亦即：對樣本來說小於大約400nm)，針對雙層式ITO薄膜所測量到的T(λ)在可見光的波長範圍內具有大致上相等的光線透光率。換句話說，圖7所描繪的結果表示此範例性實施例的雙層式ITO為主的透明電極具有類似的光學特性。
因此，這樣可以對有機電子的應用情形中之ITO為主的陰極其性能的最佳化提供自由度。
本範例性實施例的雙層式ITO陰極可以被用於頂部發光型OLED及半透明有機光電電池上，此高性能雙層式ITO電極可以有助於電極的側向導電性。此雙層式ITO電極也可以作為折射率配合層之用，以增強頂部發光型OLED的光線輸出，以及例如半透明有機PV電池的PV系統內次單元有機PV電池之總透明度。
圖8是顯示在另一個範例性實施例中的頂部發光型OLED 802之示意圖，此OLED 802是tris-(8-hydroxyquinoline)aluminum(Alq3)-為主的頂部發光型OLED。此OLED 802具有以下的結構：玻璃/ITO/N,N’-di(naphthalene-1-yl)-N,N’-diphenylbenzidine(NPB)/香豆素(coumarin)545：Alq3/alq3/LiF/Al/緩衝-ITO45/覆蓋-ITO15，其中NPB是電洞輸送層，Coumarin 545：Alq3/Alq3是分別作為發光與電子輸送層，LiF/Al/緩衝-ITO45/覆蓋-ITO15是上電極。
在此範例性實施例中，LiF(0.3nm)/Al(1-5nm)/緩衝-ITO45/覆蓋-ITO15的一薄膜堆被用作為頂部發光型OLED 802的上電極804。在806的此超薄LiF/Al層作為在元件符號808的有機/陰極介面之電子注射接點。雙層式ITO陰極808是利用具有In2O3與SnO2重量比9：1的6吋氧化ITO標靶且運用DC/RF濺射而沉澱。在濺射室內的基本壓力被維持成小於大約2x10-4Pa，濺射氣體的總壓力維持固
定在大約3x10-1Pa。在室溫下實施此沉澱過程，也就是說在薄膜沉澱的期間與之後均並未加熱基底。緩衝-ITO45/覆蓋-ITO15 ITO電極的組合具有大約90Ω/sq的薄膜電阻(比較圖5)。
為了證實具有緩衝-ITO0/覆蓋-ITO60的厚度之ITO陰極並不適合有機電子，因此檢查含有LiF(0.3nm)/Al(1.0nm)/緩衝-ITO0/覆蓋-ITO60層結構的樣本。所獲得的結果顯示出具有LiF(0.3nm)/Al(1.0nm)/緩衝-ITO0/覆蓋-ITO60結構的OLED作為上陰極是縮短的，這是因為藉由RF磁電管濺射以大約100w製造緩衝-ITO0/覆蓋-ITO60電極會對底下的有機材質造成損傷。因此，結果顯示最好使用緩衝ITO層，可以產生很少或毫無損傷。
接著，比較具有緩衝-ITO45/覆蓋-ITO15以及緩衝-ITO60/覆蓋-ITO0的陰極結構之OLED。
圖9是針對一組頂部發光型OLED所測量到的電流密度J(mA/cm2)對上伏特V(V)之圖表。此OLED包含在本範例性實施例中的LiF(0.3nm)/Al(1.0nm)/緩衝-ITO45/覆蓋-ITO15陰極以及LiF(0.3nm)/Al(1.0nm)/緩衝-ITO60/覆蓋-ITO0陰極。
圖10是針對此組頂部發光型OLED所測量到的亮度L(cd/cm2)對上伏特V(V)之圖表，此OLED是由在本範例性實施例中的LiF(0.3nm)/Al(1.0nm)/緩衝-ITO45/覆蓋-ITO15以及LiF(0.3nm)/Al(1.0nm)/緩衝-ITO60/覆蓋-ITO0陰極所製成。
根據圖9與圖10，具有兩種上陰極結構的頂部發光型OLED具有類似的J-V與L-V特性。然而，參考圖5與圖6，含有緩衝-ITO45/覆蓋-ITO15結構的分級電極是比含有緩衝-ITO60/覆蓋-ITO0結構的分級電極更優秀的選擇，可作為用於裝置的上透明電極，這是因為相較於緩衝-ITO60/覆蓋-ITO0結構的特性來說，緩衝-ITO45/覆蓋-ITO15結構的導電性更高且也很穩定。
為了研究範例性實施例的雙層式電極對照不具有緩衝層的ITO電極之性能，一般來說要注意的是金屬(例如：鋁)層厚度的增加可以抑制後續濺射所引起對有機層的損傷。然後，要知道的是厚金屬內層由於增加了內反射的緣故，所以會導致上電極側的光線輸出降低。
在另一個範例性實施例中，發現LiF(0.3nm)/Al/緩衝-ITO0/覆蓋-ITO60結構能夠產生如同具有超過5.0nm厚度的鋁層之頂部發光型OLED內的上陰極。含有LiF(0.3nm)/Al(5.0nm)/緩衝-ITO0/覆蓋-ITO60陰極結構的頂部發光型OLED，以及含有LiF(0.3nm)/Al(5.0nm)/緩衝-ITO45/覆蓋-ITO15陰極結構的頂部發光型OLED，兩者在此範例性實施例中進行比較。
圖11是電流密度J(mA/cm2)對上伏特V(V)之圖表，圖12是亮度L(cd/cm2)對上伏特V(V)之圖表。從圖11與圖12可以看出，由LiF(0.3nm)/Al(5.0nm)/緩衝-ITO0/覆蓋-ITO60結構以及LiF(0.3nm)/Al(5.0nm)/緩衝-ITO45/覆蓋-ITO15結構所製成的頂部發光型OLED，具有類似或可相比
的J-V與L-J特性。
圖13是發光效率(cd/A)對上電流密度(mA/cm2)之圖表，
圖14是正常化亮度對上操作時間(小時)之圖表。
從圖形可以看出，相較於LiF(0.3nm)/Al(5.0nm)/緩衝-ITO45/覆蓋-ITO15結構所製成具有相同結構的頂部發光型OLED(請看數字1304與1404)，含有LiF(0.3nm)/Al(5.0nm)/緩衝-ITO0/覆蓋-ITO60結構的OLED具有較小的發光效率(請看數字1302)，而且隨時間的亮度較不穩定(請看數字1402)。兩者性能上的差異可以歸因於底下有機材質的局部受損，此受損是由於RF磁電管濺射以大約100W製造緩衝-ITO0/覆蓋-ITO60時所引起的。
因此，在此範例性實施例中，已經展現出分級ITO陰極(例如：含有緩衝-ITO45/覆蓋-ITO15結構)適用於頂部發光型OLED的應用情形。
在參考OLED說明了上述範例性實施例之後，以下將說明光電(PV)電池。
薄膜有機PV電池可以提供低成本的發電。產生出PV裝置內主動零件的功能之有機半導體，其具有以下的優點，包含：大表面積、符合成本效益、化學保持性、及機械撓性。要注意的是：太陽光譜的有限吸收以及相當低的開放電路電壓是限制電流有機PV電池效率的兩個因素。因此，除了尋找適用於光電應用情形的低帶寬有機半導體材質之外，已經承認增進有機PV電池性能的一種方式是使用
串聯式結構。可以利用半透明陰極且堆疊子電池，而形成此串聯式PV電池。最好在有機PV電池內具有高性能的半透明陰極。
圖15是另一個範例性實施例的有機光電(PV)裝置1502之示意圖。此裝置1502是半聚合體PV電池且具有以下的結構：玻璃/ITO/摻有聚(磺酸苯)聚(3,4-ethylenedioxythiophere)(PEDOT：PSS)(40nm)/聚(3-hexylthiophene)(P3HT)：1-(3-methoxycarbonyl)-propyl-1-phenyl-(6,6)C60(PCBM)(75nm)/Ca(10nm)/Ag(10nm)緩衝-ITO45/覆蓋-ITO15，因此，此裝置1502包含緩衝-ITO45/覆蓋-ITO15結構1504，以作為上透明電極的一部分。
為了研究雙層式ITO結構1504對裝置1502性能的影響，製造出一控制裝置(未顯示)，此控制裝置具有如下的裝置結構：玻璃/ITO/PEDOT-PSS(40nm)/P3HT：PCBM(75nm)/Ca(10nm)/Ag(100nm)。要知道的是此控制裝置具有包含Ag大約100nm厚度的電極，而非緩衝-ITO45/覆蓋-ITO15結構1504。
圖16是入射光電轉化效率(IPCE)對上波長(nm)之圖表。平面圖1602顯示裝置1502的性能，而平面圖1604顯示控制裝置的性能。
圖17是針對裝置1502以及在大約100mW/cm2的模擬空氣質量(AMI.5)照射下的控制裝置，兩者所測量到光電流密度J(mA/cm2)對上電壓V(V)之圖表。平面圖1702顯示裝
置1502在暗色條件下的J-V特性，同時平面圖1704顯示裝置1502在AM 1.5條件下的J-V特性。平面圖1706顯示控制裝置在暗色條件下的J-V特性，同時平面圖1708顯示控制裝置在AM 1.5條件下的J-V特性。
以下表2顯示控制裝置與PV裝置1502的性能。
FF是填充因素，而PCE是功率轉換效率。
從上述圖表可以看出，PV裝置1502展現出大約48%的外部量子效率，及大約1.23%的轉換效率。半透明PV電池或裝置1502產生出可相比的FF，但是如表2所示，與控制裝置所測量到大約8.22mA/cm2相比，卻具有相當低的電路電流密度(Jsc)-只有大約5.8mA/cm2。當超過40%的入射光(與圖3作比較)被傳送通過頂部分級TCO電極或結構1504時，可預期在半透明聚合體PV電池或裝置1502中光電流密度的稍微降低。
在參考PV電池而說明上述範例性實施例之後，以下將說明串聯式有機太陽能電池。
在串聯式有機太陽能電池中，每個太陽能電池可以被
製作得非常薄(大約20-40nm)，如此對於電荷輸送具有以下的優點：可以增加串聯式PV電池的開放電路電壓；藉由堆積兩個或多個對應於大樣能光譜不同部位的太陽能電池，串聯式有機PV電池可以完全利用太陽能光譜。
在另一個範例性實施例中，使用高性能分級透明導電材質結構(例如：緩衝-ITO/覆蓋-ITO種類的分級結構)，以作為薄膜串聯式太陽能電池中的電荷重組內層。
本範例性實施例的透明導電材質分級結構之應用情形，包括作為陽極、陰極，及/或作為串聯式太陽能電池或任何其他利用光學透明與導電層之功能性有機/無機裝置中的電荷重組區域。
圖18是顯示在此範例性實施例中串聯式太陽能電池的示意圖。此串聯式太陽能電池1802具有以下的結構：ITO/PEDOT：PSS/P3HT：PCBM(75nm)/Ag(5nm)/緩衝-ITO45/覆蓋-ITO15/PEDOT：PSS/P3HT：PCBM(200nm)/Ca(20nm)/Ag(200nm)。因此，串聯式太陽能電池1802包含用於電荷重組的緩衝-ITO/覆蓋-ITO的分級TCO內層1804。
圖19是針對串聯式太陽能電池1802中IPCE(%)對上波長(nm)之圖表，圖20是針對串聯式太陽能電池1802中光電流密度J(mA/cm2)對上電壓V(V)之圖表。表3顯示串聯式大能電池1802的性能。
因此，相較於針對單接點半透明PV電池(例如：圖5的裝置1502)所測量到的大約0.5V，串聯式聚合體PV電池1802的主要結果顯示大約0.8V的增強開放電路(Voc)。
圖21是顯示形成用於一個範例性實施例的透光裝置之電極結構的方法之流程圖2100。在步驟2102中，利用第一處理條件而形成第一透明導電材質層。在步驟2104，利用與第一處理條件不同的第二處理條件而直接在第一層上形成至少另一透明導電材質層。在步驟2106中，第一層具有如緩衝層的作用，以減少在形成該至少另一透明導電材質層的期間對於透光裝置的不良影響。
在上述範例性實施例中，可以提供一種有機及/或無機裝置，其包含：一堅硬或撓性不透明或透明基底；一堆形成於基底上的無機及/或有機功能層；一形成於此堆無機及/或有機功能層上的有機或無機電洞/電子注射器/收集器；形成於有機或無機電洞/電子注射器/收集器上方的雙層式或多層式TCO為主的透明電極；以及一封裝層。
透明基底可以是玻璃或具有滲透障壁層的透明塑膠箔，此滲透障壁層適用於OLED/聚合體OLED(PLED)的應用情形。不透明基底可以是非透明無機與有機基底，其可以
是功能性有機與無機材質的赤裸基底或表面。可以藉由溶液法與真空法在室溫以上的處理溫度製造出雙層式或多層式TCO材質。
分級TCO為主的透明電極可以根據應用情形而形成導電與光學偶合層，TCO為主的電極可以包含一緩衝層，以防止對底下的功能層可能造成的損傷。透明電極材質是選自溶液或真空薄膜製造法所形成的缺氧TCO。材質可以選自含有銦錫氧化物(ITO)、鋅鋁氧化物、銦錫氧化物、錫氧化物、Ga-In-Sn-O(GITO)、Zn-In-Sn-O(ZITO)、Ga-In-O(GIO)、Zn-In-O(ZIO)、及其他適用於有機及/或無機裝置中的透明或半透明電極。這些材質可以被個別使用，或者與不同材質的組合一起使用。
可以調整TCO層的厚度，電子注射器可以由低工作函數的金屬或金屬合金所製成。此低工作函數的金屬與金屬合金是選自含有Ca、Li、Ba、Mg所構成的群組，電子注射器可以由LiF/Al或CsF/Al或Mg/Ag或Ca/Ag的薄雙層所形成。
上述範例性實施例可以提供緩衝-ITO45/覆蓋-ITO15雙層式ITO結構，以用於倒置型OLED、頂部發光型OLED、半透明聚合體光電(PV)電池、串聯式結構PV電池、及一些功能性零件中。此功能性零件包含一堆無機或有機二極體、電晶體或利用透明導電層的裝置。本案發明人已經承認可以使TCO為主的半透明陰極達到進一步最佳化，以便增強光主動層的光線獲得量以及串聯式結構薄膜光電裝置
中的子單元大陽能電池之傳送。
本範例性實施例的分級TCO電極可以被用作為發射性或非發射性平板顯示器、有機、無機與混合光電設備、感測器、熱鏡、電子屏蔽、透明二極體、電晶體、電路與其他光學電子應用情形中的透明接點或透明導電電極。它也可以被用於記憶體裝置、TCO為主的p-n接點、電子接點、透明電路、OLED聚合體LED(PLED)顯示器、汽車指示儀器/顯示器、戶外儀器顯示器、招牌或廣告顯示看板、戶外用電腦與電視螢幕、以及在含有撓性OLED(FOLED)、有機薄膜電晶體(OTFT)的有機電子中。
上述範例性實施例可以提供高品質TCO-為主的電極，其具有平滑表面、高導電性、高光學透明度、且在低處理溫度下對於底下的有機材質大致上沒有損傷。除了透明度與導電性之外，此範例性實施例可以提供其它優點，例如：不需要添加額外的新沉澱設備，且不需要事先或事後實施退火。本範例性實施例也可以適用於大面積堅硬且具有撓性的基底。
本範例性實施例可獲得一種串聯式OPV電池，其具有增加的Voc、較薄的主動層而更適合電荷輸送，且對太陽能光譜具有很寬的光譜反應。本範例性實施例也可以獲得TOLED或半透明OPV電池，其具有以下的特性：高導電性與光學透明性(例如：藉由折射率配合及電流散佈)、具有平滑表面以降低電子短路、具有低沉澱速率且對底下各層絲毫無損、在空氣中很穩定，且可以可調整的方式利用低
成本製程製造出來。
在上述範例性實施例中，使用分級ITO薄膜，這是因為其本身的高導電性以及在可見光譜區域內的光學透明度。磁電管濺射法被描述成沉澱ITO的技術，因為此技術具有能夠重複製造均勻ITO薄膜的優點。可以使用反應性與非反應性的DC/RF磁電管濺射法來製造薄膜，磁電管濺射看起來也能夠製造高品質的ITO薄膜。而且，要知道的是ITO薄膜也可以藉由其它技術製造出來，此技術包括但不侷限於熱蒸發沉澱、電子束蒸發、噴灑高溫分解、化學蒸氣沉澱、深塗鍍技術、脈衝雷射沉澱(PLD)法、不平衡磁電管濺射、及各種物理與化學沉澱法。要知道的是這些沉澱法類似於本範例性實施例中所描述的磁電管濺射技術，均具有可以控制/選擇的處理條件，致使利用第一透明導電材質層可以降低沉澱對透光裝置所引起的不良影響，而且在透光裝置的導電結構中至少另一透明導電材質層中，可以提供針對透光裝置的理想薄膜品質。這些處理條件包括但不侷限於溫度與沉澱功率。
本範例性實施例可以具有製造彈性，例如利用單一沉澱過程或不同製造技術的組合。
而且，也可以知道的是本範例性實施例並未侷限於利用ITO，但可以包括其它氧化物材質，包含SnO2、Ga-In-Sn-O(GITO)、Zn-In-Sn-O(ZITO)、Ga-In-O(GIO)、Zn-In-O(ZIO)、及其它用於有機電子的透明導電材質。他們也可以包括利用導電聚合體/有機物、透明導電氮化物，及其他透
明導電材質。這些材質可以個別使用或者與不同的材質組合一起使用。
要知道的是對於熟知此項技術者來說，在不背離本發明精神與範圍的前提下，仍可以對本發明的實施例產生出不同的變化及/或修改。因此，本發明的這些實施例應該被認為是說明性，而非限制性。
102‧‧‧透光裝置
104‧‧‧基底
106‧‧‧堆
108、110‧‧‧功能性層
112‧‧‧電洞/電子注射器/收集器
114‧‧‧透明電極
115‧‧‧封裝層
116‧‧‧緩衝層
118‧‧‧覆蓋層
202‧‧‧裝置
204‧‧‧電極
206‧‧‧P3HT：PCBM層
802‧‧‧OLED
804‧‧‧上電極
806‧‧‧超薄LiF/Al層
808‧‧‧陰極
1502‧‧‧裝置
1504‧‧‧雙層式ITO結構
1802‧‧‧串聯式太陽能電池
圖1是顯示一個範例性實施例的透光裝置之示意圖。
圖2是顯示含有此範例性實施例的ITO為主的電極之有機光電裝置之示意圖。
圖3顯示圖2的裝置之整體光線透光率(%)對上ITO陰極厚度(nm)，以及圖2的裝置之光線吸收層的整體光線吸收比(%)對上ITO陰極厚度(nm)之圖表。
圖4顯示針對利用DC與RF磁電管濺射所沉澱的薄膜，ITO成長速率(nm/min)對上濺射功率(W)，以及薄膜電阻(ohm/sq)對上濺射功率(W)之圖表。
圖5顯示針對具有不同層組合的分級ITO薄膜，薄膜電阻(ohm/sq)對上緩衝-ITOx/覆蓋-ITO60-x厚度之圖表。
圖6顯示針對具有緩衝-ITOx/覆蓋-ITO60-x厚度的不同層組合之分級ITO電極，薄膜電阻(ohm/sq)對上時間(天數)之圖表。
圖7顯示針對具有緩衝-ITOx/覆蓋-ITO60-x厚度的不同層組合之分級ITO電極，透光率(%)對上波長(nm)之圖表。
圖8是顯示在另一個範例性實施例中的頂部發光型有機發光二極體(OLED)之示意圖。
圖9是針對一組頂部發光型OLED所測量到的電流密度J(mA/cm2)對上伏特V(V)之圖表。
圖10是針對此組頂部發光型OLED所測量到的亮度L(cd/cm2)對上伏特V(V)之圖表。
圖11是電流密度J(mA/cm2)對上伏特V(V)之圖表。
圖12是亮度L(cd/cm2)對上伏特V(V)之圖表。
圖13是發光效率(cd/A)對上電流密度(mA/cm2)之圖表。
圖14是正常化亮度對上操作時間(小時)之圖表。
圖15是另一個範例性實施例的有機光電(OPV)裝置之示意圖。
圖16是入射光電轉化效率(IPCE)對上波長(nm)之圖表。
圖17是針對圖15的裝置以及在大約100mW/cm2的模擬空氣質量(AM1.5)照射下的控制裝置，兩者所測量到光電流密度J(mA/cm2)對上電壓V(V)之圖表。
圖18是顯示在另一個範例性實施例中串聯式太陽能電池的示意圖。
圖19是針對串聯式太陽能電池中IPCE(%)對上波長(nm)之圖表。
圖20是針對串聯式太陽能電池中光電流密度J(mA/cm2)對上電壓V(V)之圖表。
圖21是顯示形成用於一個範例性實施例的透光裝置之電極結構的方法之流程圖。
102‧‧‧透光裝置
104‧‧‧基底
106‧‧‧堆
108、110‧‧‧功能性層
112‧‧‧電洞/電子注射器/收集器
114‧‧‧透明電極
115‧‧‧封裝層
116‧‧‧緩衝層
118‧‧‧覆蓋層
Claims (28)
- 一種用於透光裝置的導電結構，此結構包含：第一透明導電材質層，係利用第一處理條件而形成於作用材料層上，第一處理條件包含一第一沈澱功率與一第一沈澱溫度；至少另一透明導電材質層，其直接形成於第一透明導電材質層上，該至少另一透明導電材質層係利用不同於第一處理條件的第二處理條件而形成，第二處理條件包含一第二沈澱功率與一第二沈澱溫度；而且其中第一透明導電材質層具有緩衝層的作用，係用以減少在該至少另一透明導電材質層的形成期間對於作用材料層的不良影響。
- 如申請專利範圍第1項之用於透光裝置的導電結構，其中第一沉澱功率、第一沉澱溫度及第二沉澱溫度各可以被選擇成能減少由於溫度與沉澱功率對於透光裝置所引發的不良影響；而且其中第二沉澱功率可以被選擇成可提供該至少另一透明導電材質層想要的薄膜品質。
- 如申請專利範圍第1項之用於透光裝置的導電結構，另外包含一個或多個金屬層，其中該第一透明導電材質層是形成於金屬層上方。
- 如申請專利範圍第1項之用於透光裝置的導電結構，其中，形成於該第一透明導電材質層上的至少另一透明導電材質層，可一起產生如折射率配合結構之功用，以增 強此裝置的光線輸出。
- 如申請專利範圍第1項之用於透光裝置的導電結構，其中，形成於第一透明導電材質層上的該至少另一透明導電材質層，可以一起產生出作用，以增加此裝置的電流散佈。
- 如申請專利範圍第1項之用於透光裝置的導電結構，其中，第一透明導電材質層及該至少另一透明導電材質層，可以利用物理沉澱技術、化學沉澱技術或兩種方式而形成。
- 如申請專利範圍第6項之用於透光裝置的導電結構，其中，第一透明導電材質層可以利用直流(DC)磁電管濺射而形成。
- 如申請專利範圍第1至7項中任一項之用於透光裝置的導電結構，其中，第一沉澱功率可以大約為10W。
- 如申請專利範圍第6或7項中任一項之用於透光裝置的導電結構，其中，該至少另一透明導電材質層可以利用射頻(RF)磁電管濺射而形成。
- 如申請專利範圍第1至7項中任一項之用於透光裝置的導電結構，其中，第二沉澱功率可以大約為100W。
- 如申請專利範圍第1至7項中任一項之用於透光裝置的導電結構，其中，在第一透明導電材質層的沉澱期間之基底溫度大約可以是60℃以下。
- 如申請專利範圍第1至7項中任一項之用於透光裝置的導電結構，其中，在至少另一透明導電材質層的沉澱期 間之基底溫度大約可以是60℃以下。
- 如申請專利範圍第1至7項中任一項之用於透光裝置的導電結構，其中，第一透明導電材質層與該至少另一透明導電材質層各包含選自SnO2、Ga-In-Sn-O(GITO)、Zn-In-Sn-O(ZITO)、Ga-In-O(GIO)、Zn-In-O(ZIO)、In-Sn-O(ITO)所構成的群組其中一或多個材質。
- 如申請專利範圍第13項之用於透光裝置的導電結構，其中，第一透明導電材質層與該至少另一透明導電材質層可以包含相同的透明導電材質。
- 一種形成用於透光裝置的導電結構之方法，此方法包含以下步驟：利用第一處理條件於作用材料層上形成第一透明導電材質層，第一處理條件包含一第一沈澱功率與一第一沈澱溫度；利用與第一處理條件不同的第二處理條件而直接在第一透明導電材質層上形成至少另一透明導電材質層，第二處理條件包含一第二沈澱功率與一第二沈澱溫度；以及其中第一透明導電材質層具有如緩衝層的作用，用以減少在形成該至少另一透明導電材質層的期間對於作用材料層的不良影響。
- 如申請專利範圍第15項之方法，另外包含以下步驟：選擇第一沉澱功率、第一沉澱溫度、及第二沉澱溫度，致使能減少由於溫度及沉澱功率對透光裝置所引起 的不良影響，以及選擇第二沉澱功率以便對該至少另一透明導電材質層提供想要的薄膜品質。
- 如申請專利範圍第15項之方法，另外包含提供一或多個金屬層，且在金屬層上形成第一透明導電材質層。
- 如申請專利範圍第15項之方法，其中，形成於第一透明導電材質層上的至少另一透明導電材質層，可一起產生如折射率配合結構之功用，以增強此裝置的光線輸出。
- 如申請專利範圍第15至18項中任一項之方法，其中，形成於第一透明導電材質層上的該至少另一透明導電材質層，可以一起產生出作用，以增加此裝置的電流散佈。
- 如申請專利範圍第15項之方法，其中，第一透明導電材質層及該至少另一透明導電材質層，可以利用物理沉澱技術、化學沉澱技術或兩種方式而形成。
- 如申請專利範圍第20項之方法，其中，第一透明導電材質層可以利用直流(DC)磁電管濺射而形成。
- 如申請專利範圍第15至18項中任一項之方法，其中，第一沉澱功率可以大約為10W。
- 如申請專利範圍第20或21項之方法，其中，該至少另一透明導電材質層可以利用射頻(RF)磁電管濺射而形成。
- 如申請專利範圍第15至18項中任一項之方法，其中， 第二沉澱功率可以大約為100W。
- 如申請專利範圍第15至18項中任一項之方法，其中，在第一透明導電材質層的沉澱期間之基底溫度大約可以是60℃以下。
- 如申請專利範圍第15至18項中任一項之方法，其中，在至少另一透明導電材質層的沉澱期間之基底溫度大約可以是60℃以下。
- 如申請專利範圍第15至18項中任一項之方法，其中，第一透明導電材質層與該至少另一透明導電材質層各包含選自SnO2、Ga-In-Sn-O(GITO)、Zn-In-Sn-O(ZITO)、Ga-In-O(GIO)、Zn-In-O(ZIO)、In-Sn-O(ITO)所構成的群組其中一或多個材質。
- 如申請專利範圍第27項之方法，其中，第一透明導電材質層與該至少另一透明導電材質層可以包含相同的透明導電材質。
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