CN101281887A - 制作光感应器的方法 - Google Patents
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Abstract
一种制作光感应器的方法。该方法包括：提供一基板，其包括一薄膜晶体管区域以及一光感应区域；于该基板上形成一图案化第一导电层；于该基板与该栅极表面形成一栅极介电层；于该栅极上方的该栅极介电层表面形成一图案化非晶硅层；于该基板上形成一图案化第二导电层；于该基板上形成一图案化富硅介电层；以及于该基板上形成一图案化透光导电层，其至少包括该光感应器的一上电极，设于该光感应区域。该光感应器包括下电极、含有富硅材料的介电层与上电极，能有效提高光感应器的器件可靠性，且能整合薄膜晶体管的制造工艺而降低产品的整体制造工艺成本。
Description
技术领域
本发明是有关于一种制作光感应器于非晶硅薄膜晶体管(thin filmtransistor，TFT)面板的方法，尤指一种制作含有富硅(silicon-rich，Si-rich)介电材料的光感应器于非晶硅薄膜晶体管面板的方法。
背景技术
光感应器已逐渐广泛应用于各类型TFT显示器中，现行的光感应器是以利用三A族与五A族材料形成的PIN(p-intrinsic-n)二极管(photodiode)为主，然而PIN二极管的光接收效率偏低，且容易受到非目标光源的影响，因此具有信噪比较差等缺点。此外，对于TFT显示器内而言，PIN二极管使用的三A族与五A族材料与TFT制造工艺亦具有相容性的问题，因此传统PIN二极管在应用上与产能上皆有其发展限制。另一方面，业界亦研发利用非晶硅材料的强烈光敏感性，而以非晶硅材料制作薄膜晶体管感应器(TFTsensor)。然而，非晶硅薄膜晶体管感应器具有光电流稳定性较低的缺点，即使在没有操作感应器的情况下，光电流也会随着时间而衰减，因此有严重的可靠度问题。
基于上述种种原因，目前业界所使用的光感应器已无法满足其在光电领域上的应用，因此新一代的光感应器已成为研发的重点。
发明内容
本发明的目的之一在于提供一种将光感应器整合于非晶是薄膜晶体管(a-si TFT)器件制造工艺的方法，其中本发明光感应器是使用富硅介电材料，以大幅提高光感应器的产品可靠度。
本发明提供一种制作光感应器于非晶硅TFT面板的方法。首先提供基板，其包括非晶硅TFT区域以及光感应区域，然后于基板上形成图案化第一导电层，其包括非晶硅TFT的栅极，设于该非晶硅TFT区域。接着，在基板与栅极表面形成栅极介电层，再于栅极上方的栅极介电层表面形成图案化非晶硅层。之后，于基板上形成图案化第二导电层，其包括TFT的源极与漏极以及光感应器的下电极，其中源极与漏极是设于栅极的上方，而该下电极是设于光感应区域。在基板上形成图案化富硅介电层，其中富硅介电层至少设于光感应区域，并电性连接于下电极。此外，该图案化富硅介电层至少暴露部分漏极。最后，在基板上形成图案化透光导电层，其至少包括上电极设于光感应区域上，以形成光感应器。
由于本发明是将富硅介电材料应用于光感应器中，并整合光感应器与非晶硅TFT器件的制造工艺，因此可以有效降低非晶硅TFT显示面板的整体制造工艺成本，同时提高产品的可靠度。
附图说明
图1为本发明光感应器应用于一TFT显示面板上的示意图。
图2至图7为本发明于非晶硅TFT面板上制作光感应器的第一实施例的剖面示意图。
图8为本发明制作光感应器于非晶硅TFT面板的第二实施例的剖面示意图。
图9至图10为本发明制作光感应器的第三实施例的示意图。
图11为本发明制作光感应器的第四实施例的示意图。
图12至图13为本发明制作光感应器的第五实施例的示意图。
图14至图19为本发明制作光感应器的第六实施例的示意图。
图20至图23为本发明整合光感应器与非晶硅TFT器件制造工艺的第七实施例的示意图。
图24为包括本发明光感应器的光学触控式面板200的电路示意图。
附图标号
10 TFT显示面板 12 周边电路区
14、202 显示区 16、208 像素
18、204 信号线 20、206 扫瞄线
22、24、26 环境光感应器件
28 光感应区 30 导线
32 连接垫 34 下基板
36 上基板 38 基板
50 TFT区域 52 光感应区域
54 图案化第一导电层 56 栅极
58 栅极介电层 60 图案化非晶硅层
62 掺杂非晶硅层 64 第二导电层
64’ 图案化第二导电层 66 富硅介电层
66a 富硅介电层的第一部份
66b 富硅介电层的第二部份
68 半导体通道层 70 源极
72 漏极 74 下电极
76、214 薄膜晶体管器件 78 保护层
80、92、94 接触洞 82、134’图案化透光导电层
84 像素电极 86 上电极
88、210 光感应器 90 平坦层
96 富硅介电层 98 导线
100 非晶硅层 102、218 光刻胶层
104 三掩模 104a 半透光区
104b 全透光区 106、122 接触洞图案
108、120 开口图案 110、130 接触洞
112、128 开口 114 连接垫区域
116 连接垫底层 118、118’光刻胶层
124 连接垫图案 126 第三掩模
126a 不透光区 126b 半透光区
126c 全透光区 132 连接垫开口
134 透光导电层 136 连接垫顶层
200 光学触控式面板 212 信号读取线
216 第二掩模 216a 不透光区
216b 半透光区 216c 全透光区
具体实施方式
请参考图1，图1为本发明光感应器应用于非晶硅TFT显示面板上的示意图。非晶硅TFT显示面板10包括下基板34与上基板36，当非晶硅TFT显示面板10为液晶显示面板时，下基板34与上基板36通常又分别称为阵列基板与彩色滤光片基板。然而，TFT显示面板10亦可为其他类型的平面显示面板，例如有机发光显示面板。非晶硅TFT显示面板10另包括显示区14与周边电路区12，其中显示区14内设置有复数条扫瞄线20与信号线18，定义出呈阵列排列的像素16，各像素16皆包含一TFT器件76电性连接于扫瞄线20与信号线18。此外，TFT显示面板10另包括至少一光感应器，设置于显示区14外围的光感应区28，例如图中所示的环境光感应器件(ambient light sensor，ALS)22、24、26，并可分别通过导线30而电性连接下基板34表面上的连接垫32。
图2至图7显示本发明于非晶硅TFT面板上制作光感应器的第一实施例的剖面示意图。首先如图2所示，提供基板38，其可为平面显示面板的阵列基板，包括至少一TFT区域50与至少一光感应区域52。然后于基板38上全面沉积第一导电层，以第一道掩模进行光刻暨刻蚀制造工艺而形成图案化第一导电层54，其包括栅极56设于TFT区域50，其中图案化第一导电层54较佳包含金属材料。接着，如图3所示，在基板38与栅极56表面沉积形成栅极介电层58，再依序于栅极介电层58的上形成非晶硅层与掺杂非晶硅层。对该非晶硅层与掺杂非晶硅层以第二道掩模进行光刻暨刻蚀制造工艺，以形成图案化非晶硅层60与图案化的掺杂非晶硅层62设于栅极56上方的栅极介电层58表面，其中图案化非晶硅层60包括TFT器件的半导体通道区域。
请参考图4，接着于基板38上依序形成第二导电层64与含有富硅原子的富硅介电层66，其中富硅介电层66是为感光性佳的介电层，其材料包括硅、氧、氮、碳或氢的组合。然后，在基板38表面上涂布第一光刻胶层(图未示)，再通过第三道掩模进行光刻暨刻蚀制造工艺于第一光刻胶层上定义出对应于光感应区域52的图案，经干式或湿式刻蚀移除部分富硅介电层66，以在光感应区域52内形成包括图案化的富硅介电层66，再移除剩下的第一光刻胶层。值得注意的是，富硅介电层66的分子式包括SiOC、SiC、SiOx、SiNx、SiONy、SiOH或上述材料的组合，而形成富硅介电层66的方法是可通过通入含有硅、氧、氮、碳、氢或上述原子组合的气体，进行化学气相沉积制造工艺，例如通入含有SiH4/N2O的气体进行沉积制造工艺可制作含SiOx材料的富硅介电层66，或者通入SiH4/N2O/H2气体制作含SiOH的富硅介电层66。此外，由于富硅介电层66在本发明中是用来当作感光材料，因此在形成富硅介电层66时可通过调整其材料的组成而用来感测不同颜色的彩色光线。再者，在形成富硅介电层66时，亦可对富硅材料进行激光退火步骤，以形成硅纳米晶粒(silicon nanocrystal)于富硅介电层66中。
请参考图5，接着于基板38表面另形成第二光刻胶层(图未示)，并通过第四道掩模而进行第四光刻暨刻蚀制造工艺。首先在曝光显影之后，再经由干式刻蚀或湿式刻蚀移除没有被第二光刻胶层覆盖的部分第二导电层64，以形成图案化第二导电层64’，其包括设于TFT区域50内且互不相连的源极70与漏极72以及设于光感应区域52内的光感应器的下电极74。值得注意的是，在第四光刻暨刻蚀制造工艺中，亦移除部分掺杂非晶硅层62，而源极70与漏极72可分别经由剩下的掺杂非晶硅层62而电性连接于图案化非晶硅层60，如此便完成基板38上一TFT器件76的制作。另一方面，设于光感应区域52的下电极74是设于图案化的富硅介电层66的下方，且电性连接于富硅介电层66。值得注意的是，在本发明的其他实施例中，前述第三、第四光刻暨刻蚀制造工艺的进行顺序亦可互相对调，例如在形成第二导电层64之后，直接进行前述第四光刻暨刻蚀制造工艺而形成图案化第二导电层64’，制作源极70、漏极72与下电极74，之后再形成富硅介电层66，并进行前述第三光刻暨刻蚀制造工艺以图案化富硅介电层66，设于光感应区域52内。
接着，如图6所示，在基板38上全面沉积一层抗水性佳的保护层78，其可包含无机材料，例如氮化硅或氧化硅材料。随后由第五道掩模进行光刻暨刻蚀制造工艺，移除部分保护层78而形成接触洞80，同时暴露出部分漏极72与大部分的图案化富硅介电层66。请参考图7，最后沉积一透光导电层，例如包含氧化铟锡(indium tin oxide，ITO)或氧化铟锌(indium zinc oxide，IZO)材料，再经由第六道掩模进行光刻暨刻蚀制造工艺而形成图案化透光导电层82，其包括像素电极84与光感应器的上电极86，分别设于TFT区域50与光感应区域52，其中像素电极84是经由填入接触洞80的图案化透光导电层82而电性连接漏极72，而上电极86是设于富硅介电层66的上表面，与富硅介电层66和下电极74形成光感应器88。
图8为本发明制作光感应器于非晶硅TFT面板的第二实施例的剖面示意图，其中图8绘示了接续前述实施例图5后的步骤。本发明的第二实施例是以有机光刻胶材料取代第一实施例中的保护层78。如图8所示，在形成源极70、漏极72、下电极74与富硅介电层66之后，于基板38上形成平坦层90覆盖TFT器件76与富硅介电层66，作为TFT器件76的保护层。平坦层90是包含光刻胶材料，例如为包含有机材料的光刻胶层。然后，进行曝光与显影制造工艺以图案化平坦层90，于平坦层90中形成接触洞80、92，分别暴露出部分漏极72与部分富硅介电层66。之后，再如第一实施例所述形成图案化透光导电层82，在TFT区域50覆盖于接触洞80暴露出的漏极72上，并于光感应区域52覆盖于接触洞92暴露出的富硅介电层66上，且图案化透光导电层82电性连接富硅介电层66的部分是当作上电极56，便完成光感应器88整合于非晶硅TFT器件76的制作。
图9至图10为本发明制作光感应器的第三实施例的示意图，其中图9是接续图3。如图9所示，在形成图案化非晶硅层60与掺杂非晶硅层62之后，在基板38上形成图案化第二导电层64’，包括源极70、漏极72与下电极74。其形成方式可先全面沉积一第二导电层(如图4所示的第二导电层64)与光刻胶层(图未示)，然后进行光刻暨刻蚀制造工艺，经曝光与刻蚀步骤而移除部分第二导电层64与部分掺杂非晶硅层62。接着，在基板38上形成图案化的保护层78，其包括形成接触洞80以暴露出部分漏极72与接触洞92以暴露出大部分下电极74。
然后如图10所示，在基板38表面形成富硅介电层66，经由光刻暨刻蚀制造工艺以移除部分富硅介电层66，使图案化的富硅介电层66设于光感应区域52内。在其他实施例中，可包含同时形成富硅介电层66于光感应区域52以及TFT区域50。随后，于基板38上形成图案化透光导电层，包括像素电极84与光感应器88的上电极86，分别电性连接漏极72与富硅介电层66。因此，本实施例与本发明第一实施例不同之处在于是先形成保护层78，再形成富硅介电层66于基板38上。
在本发明的其他实施例中，部分富硅介电层66亦可同时形成于TFT区域50。请参考图11，图11为本发明制作光感应器的第四实施例的示意图，且图11是延续前述实施例图9的制造工艺。根据本实例中，是在形成TFT器件76与保护层78之后，接着在基板38上形成图案化的富硅介电层66，其包括设于光感应区域52的第一部份66a以及设于TFT区域50的第二部分66b，其中富硅介电层66的第一部份66a可当作光感应器88中的感光材料，而第二部分66b亦可作为TFT器件76或源极70、漏极72上的另一保护层。图案化的富硅介电层66的形成方法是可先在基板38上全面沉积富硅介电层66，然后进行光刻暨刻蚀制造工艺，移除部分富硅介电层66而分别留下富硅介电层66的第一部份66a与第二部份66b于光感应区域52与TFT区域50内。接着，再于基板38上形成图案化透光导电层82，其包括设于光感应区域52的上电极86与设于TFT区域50的像素电极84。
图12至图13为本发明制作光感应器的第五实施例的示意图。本实施例是以富硅介电层66取代第三实施例中的保护层78。首先请参考图12，其是接续图3后的制造工艺，如第三实施例所述，在形成图案化非晶硅层60与掺杂非晶硅层62之后，进行沉积、光刻、刻蚀等制造工艺，而在基板38上形成图案化第二导电层64’，包括源极70、漏极72与下电极74，同时移除部分掺杂非晶硅层62，以形成TFT器件76。然后，在基板38上全面沉积富硅介电层96，经由光刻暨刻蚀制造工艺移除部分富硅介电层96，使剩下的富硅介电层96覆盖大部分的TFT器件76与下电极74，并且形成接触洞94以暴露出部分漏极72。然后如图13所示，在基板38上形成图案化透光导电层82，包括电性连接漏极72的像素电极84与设于光感应区域52的上电极86，便完成本发明第五实施例的光感应器88整合于非晶硅TFT器件76的制作。
请参考图14至图19，图14至19为本发明于非晶硅TFT面板上制作光感应器的第六实施例的示意图。在本实施例中，制作本发明光感应器于非晶硅TFT面板的方法仅需使用四道掩模即可完成，为简化说明，与前述实施例相同的器件是使用一样的器件符号来表示。首先如图14所示，提供基板38，其上定义有TFT区域50与光感应区域52。然后在基板38上沉积第一导电层，使用第一道掩模进行光刻暨刻蚀制造工艺，而形成图案化第一导电层54，包括栅极56设于TFT区域50。在本实施例中，图案化第一导电层54另包括设于光感应区域52内的导线98，然而，在其他实施例中，图案化第一导电层54亦可不包括设于光感应区域52内的导线98。接着，在基板38上全面形成栅极介电层58覆盖栅极56与导线98。
接着请参考图15，依序于基板38上形成非晶硅层100、掺杂非晶硅层62、第二导电层64与富硅介电层66。然后在基板38表面形成光刻胶层218，使用第二掩模216于该光刻胶层中定义出源极70、漏极72、半导体通道层68(即半导体区域)、光感应器的感光材料图案和下电极74的图案预定位置，其中第二掩模可为灰阶掩模、半色调掩模或相位移掩模。以半色调掩模为例，第二掩模216的不透光区216a是对应于预定的源极70、漏极72与下电极74的位置，半透光区216b是对应于预定的半导体通道层68的位置，而全透光区216c则对应于TFT区域50和光感应区域52以外的部分。接着，如图16所示，进行刻蚀制造工艺，移除没有被光刻胶层218覆盖的部分富硅介电层66、第二导电层64、掺杂非晶硅层62与非晶硅层100，以形成半导体通道层68、源极70、漏极72、下电极74与图案化的富硅介电层66，并完成TFT器件76的制作。此时富硅介电层66包括第一部份66a设于光感应区域52内并位于下电极74的上表面，具有感光材料图案，且另包括第二部分66b设于源极70与漏极72的上表面。
请参考图17，接着移除光刻胶层218，在基板38表面依序形成保护层78与光刻胶层102。使用第三掩模104对光刻胶层102进行一光刻制造工艺，类似地，第三掩模104可为灰阶掩模、半色调掩模或相位移掩模，例如当第三掩模104为半色调掩模时，其半透光区104a是可约略对应于光感应区域52内富硅介电层66的第一部份66a，而全透光区104b则对应于漏极74上的预定接触洞图案。然后进行显影制造工艺，图案化光刻胶层102而使其包含接触洞图案106与开口图案108，其中介层洞图案106是暴露出部分保护层78。
然后如图18所示，以图案化的光刻胶层102当作刻蚀遮罩，进行非等向性刻蚀制造工艺，移除部分介电层78与富硅介电层66，在TFT区域50和光感应区域52分别形成接触洞110与开口112，分别暴露出部分漏极72与富硅介电层66的第一部份66a。
接着，请参考图19，在基板38上形成图案化透光导电层82，其形成方法包括先在基板38上全面形成透光导电层与光刻胶层(图未示)，然后使用第四掩模进行光刻暨刻蚀制造工艺，移除部分透光导电层，而在TFT区域50形成像素电极84填于接触洞110内，电性连接漏极72，并在光感应区域52内形成上电极86填于开口112，设于富硅介电层66的第一部份66a上表面，以完成本发明光感应器88整合于非晶硅TFT器件76的制作。
图20至图23为本发明整合光感应器与非晶硅TFT器件制造工艺的第七实施例的示意图。在本实施例中，本发明方法仅需使用三道掩模与三道光刻制造工艺即可制作非晶硅TFT面板上的TFT器件与本发明光感应器。首先，请参考图20，提供基板38，其表面定义有TFT区域50、光感应区域52与连接垫114区域，然后如前述实施例图14至16所述的方法，制作TFT器件76与富硅介电层66，并于形成栅极56时，同时在连接垫区域114制作连接垫底层116，且在进行栅极介电层58制造工艺时也一并将栅极介电层58覆盖在连接垫底层116上。然后，完成图16的步骤且移除光刻胶层218后，在基板38上依序形成保护层78与光刻胶层118，再使用第三掩模126并进行光刻、显影制造工艺来图案化光刻胶层118，于光刻胶层118中定义出开口图案120、接触洞图案122及连接垫图案124，其中第三掩模126的不透光区126a是对应于需要留下的部分保护层78，全透光区126c可对应于连接垫图案124与接触洞图案122，而半透光区126b则可对应于开口图案120与选择性对应于接触洞图案122的一侧与光感应区域52的边缘部分。
然后如图21所示，以图案化的光刻胶层118当作刻蚀遮罩，进行刻蚀制造工艺，移除部分保护层78、富硅介电层66及栅极介电层58，分别在光感应区域52的保护层78形成开口128，在漏极72上方形成接触洞130暴露出部分漏极72，以及在连接垫区域114形成连接垫开口132，暴露出连接垫底层116，并留下对应于不透光区126a的部分光刻胶层118’。接着，如图22所示，在基板38上全面形成透光导电层134。最后，请参考图23，进行剥离(1ift-off)制造工艺，在去除光刻胶层118’时，同时移除形成在光刻胶层118’的上的透光导电层134，而未形成在光刻胶层118’上的透明导电层134则被保留下来，其剩下的部分则分别在光感应区域52、TFT区域50与连接垫区域114形成上电极86、和漏极72电性连接的像素电极84及连接垫顶层136，其中连接垫顶层136与连接垫底层116互相电性连接，可形成如图1所示的连接垫32。
如前所述，本发明光感应器可仅使用三至六道掩模，并配合TFT器件的制造工艺而制作于非晶硅TFT面板上，能有效简化整体制造工艺成本。此外，本发明光感应器不仅可设置于显示面板的显示区外围当作环境光源感应器，亦可设置于显示区的各像素内，配合面板上的彩色滤光片或调整富硅介电层的感光材料图案而作为彩色影像感测器，或者也可利用其所产生的光感应电流与电路设计，将非晶硅TFT面板制作为光学触控式面板(optical touch panel)或指纹辨识器(finger print sensor)。
请参考图24，图24为包括本发明光感应器的光学触控式面板200或指纹辨识器的电路示意图。光学触控式面板200包括显示区202，其上设置有复数条互相平行的信号线204与信号读取线212以及复数条垂直于信号线204的扫瞄线206，定义出复数个呈矩阵排列的像素208，各像素208分别包括至少一TFT器件214与至少一光感应器210，分别电性连接信号线204与信号读取线212。在操作光学触控式面板200时，若使用者触控光学触控式面板200的任一位置，便会遮住该位置所对应像素208的表面，使得这些像素208内的光感应器210的光感应电流发生变化，而光学触控式面板200便可依据由信号读取线212所得到的电流变化进而判断出使用者触控了面板上的那些位置，进而对光学触控式面板200发出指令。
相较于已知技术，本发明提供了包含富硅介电材料的光感应器，其具有良好的产品可靠性，应用在如紫外光蓝光(UV-blue)等侦测器时，信噪比(N/Sratio)可达到200至300，亦具有良好的光灵敏度(photosensitivity)。特别是本发明方法是将含有富硅介电材料的光感应器整合于非晶硅TFT器件的制造工艺，通过掩模与薄膜沉积顺序的特殊设计，可以有效降低制造工艺步骤、成本与时间。再者，本发明含富硅介电材料的光感应器另可应用于触控式面板，能同时降低传统触控式面板的制造成本，并能提高产品附加价值。
虽然本发明已以实施例揭露如上，然其并非用以限定本发明，任何具有本发明所属技术领域的通常知识者，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作各种更动与润饰，并可思揣其他不同的实施例，因此本发明的保护范围当视前附权利要求所界定者为准。
Claims (23)
1.一种于非晶硅薄膜晶体管面板上制作光感应器的方法，该方法包括：
提供一基板，其包括一薄膜晶体管区域以及一光感应区域；
于所述的基板上形成一图案化第一导电层，该图案化第一导电层包括一薄膜晶体管的一栅极，设于该薄膜晶体管区域；
于所述的基板与所述的栅极表面形成一栅极介电层；
于所述的栅极上方的所述的栅极介电层表面形成一图案化非晶硅层；
于所述的基板上形成一图案化第二导电层，其包括所述的薄膜晶体管的一源极与一漏极以及一光感应器的一下电极，且该源极与该漏极是设于所述的栅极的上方，而所述的下电极是设于所述的光感应区域；
于所述的基板上形成一图案化富硅介电层，该图案化富硅介电层包括设于所述的光感应区域且电性连接所述的下电极，且所述的图案化富硅介电层至少暴露部分所述的漏极；以及
于所述的基板上形成一图案化透光导电层，其至少包括所述的光感应器的一上电极，设于所述的光感应区域。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述的图案化富硅介电层的材料包括硅、氧、氮、碳或氢的组合。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述的图案化富硅介电层的分子式为SiOC、SiC、SiOx、SiNx、SiONy、SiOH或上述材料的组合。
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，形成所述的图案化富硅介电层的方法包括先于所述的基板上形成一富硅介电层，再进行一光刻暨刻蚀制造工艺以图案化所述的富硅介电层，且形成所述的富硅介电层的方法包括进行一化学气相沉积制造工艺。
5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，在进行所述的化学气相沉积制造工艺时，是通入含有硅、氧、氮、碳、氢或上述原子组合的气体。
6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述的图案化富硅介电层覆盖于所述的源极与所述的漏极的部分表面。
7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，该方法另包括在形成所述的图案化富硅介电层的后，于所述的基板上形成一图案化保护层，覆盖所述的薄膜晶体管并暴露部分所述的漏极与所述的图案化富硅介电层。
8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，所述的图案化保护层包括有机光刻胶材料。
9.如权利要求8所述的方法，其特征在于，所述的图案化保护层的形成方法包括：
在形成所述的图案化富硅介电层之后，于所述的基板上全面沉积一有机光刻胶层；
进行一曝光制造工艺，于所述的有机光刻胶层上定义出一接触洞图案与一开口图案，分别设于所述的薄膜晶体管区域与所述的光感应区域；以及
进行一显影制造工艺，移除包括所述的接触洞图案与所述的开口图案的部分所述的有机光刻胶层，以形成所述的图案化保护层。
10.如权利要求7所述的方法，其特征在于，形成所述的图案化第二导电层、所述的图案化富硅介电层与所述的图案化保护层的步骤包括：
依序于所述的基板上全面形成一第二导电层与一富硅介电层；
同时移除部分所述的第二导电层与部分所述的富硅介电层，以形成所述的图案化第二导电层，并使所述的富硅介电层与所述的图案化第二导电层在所述的光感应区域具有相同的图案；
于所述的基板上全面形成一介电层；以及
使用一半色调掩模，进行一光刻暨刻蚀制造工艺，同时移除部分所述的介电层与部分所述的富硅介电层，以形成所述的图案化富硅介电层，并使得所述的介电层形成所述的图案化保护层并暴露部分所述的漏极与所述的图案化富硅介电层。
11.如权利要求10所述的方法，其特征在于，所述的半色调掩模的部分半透光区是对应于所述的富硅介电层或所述的光感应区域。
12.如权利要求1所述的方法，其特征在于，形成所述的图案化非晶硅层与所述的图案化第二导电层的方法包括：
在形成所述的栅极介电层之后，依序在所述的基板上形成一非晶硅层、一第二导电层、一富硅介电层及一光刻胶层；
使用一半色调掩模，于所述的光刻胶层上定义出所述的源极、所述的漏极、所述的下电极与所述的薄膜晶体管的一半导体通道区域的图案；
以所述的光刻胶层当作刻蚀遮罩，进行一刻蚀制造工艺，以同时移除部分所述的富硅介电层、部分所述的第二导电及部分所述的非晶硅层，使剩下的所述的富硅介电层与所述的图案化第二导电层具有约略相同的图案，且在所述的薄膜晶体管区域暴露出部分所述的非晶硅层。
13.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述的半色调掩模的一半透光区是对应于所述的半导体通道区域，而所述的半色调掩模的一不透光区是对应于所述的漏极、所述的源极与所述的下电极。
14.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述的方法另包括在形成所述的图案化富硅介电层之前，于所述的基板上形成一保护层，覆盖所述的薄膜晶体管并暴露部分所述的漏极与所述的下电极。
15.如权利要求1所述的方法，其特征在于，该方法包括利用五道掩模来分别定义所述的栅极、所述的图案化非晶硅层、所述的源极与所述的漏极、所述的图案化富硅介电层以及所述的图案化透明导电层的图案。
16.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述的图案化透光导电层包括一像素电极，电性连接于所述的漏极。
17.如权利要求1所述的方法，其特征在于，制作所述的图案化非晶硅层、所述的图案化第二导电层与所述的图案化富硅介电层的方法包括：
依序于所述的基板上全面形成一非晶硅层、一第二导电层以及一富硅介电层；以及
进行一光刻暨刻蚀制造工艺，同时移除部分所述的非晶硅层、部分所述的第二导电层以及部分所述的富硅介电层，以于所述的薄膜晶体管区域形成一半导体通道区域、于所述的栅极上形成所述的源极与所述的漏极以及于所述的光感应区域形成所述的下电极与所述的图案化富硅介电层。
18.如权利要求17所述的方法，其特征在于，该方法另包含在形成所述的图案化透光导电层之前，先进行下列步骤：
于所述的基板上依序沉积一保护层与一光刻胶层；
使用一半色调掩模以进行一光刻制造工艺，图案化所述的光刻胶层，使图案化的所述的光刻胶层包括一接触洞图案与一开口图案；以及
以图案化的所述的光刻胶层当作刻蚀遮罩，进行一刻蚀制造工艺，移除位于所述的薄膜晶体管区域的部分所述的保护层与所述的富硅介电层，且同时移除位于所述的光感应区域的部分所述的保护层，分别于所述的薄膜晶体管区域与所述的光感应区域形成一接触洞与一开口。
19.如权利要求18所述的方法，其特征在于，所述的半色调掩模的一半透光区是对应于所述的开口图案，而所述的半色调掩模的一全透光区是对应于所述的接触洞图案。
20.如权利要求18项所述的方法，其特征在于，该方法另包括：
于所述的基板上形成一透光导电层，全面覆盖于所述的基板上；以及
进行一剥离制造工艺，同时移除图案化的所述的光刻胶层与位于所述的光刻胶层之上的所述的透光导电层，以形成所述的图案化透光导电层。
21.如权利要求1项所述的方法，其特征在于，所述的基板另包括一连接垫区域，且所述的方法另包括：
在形成所述的栅极时，同时于所述的连接垫区域形成一连接垫底层；以及
在形成所述的图案化透光导电层时，同时形成一连接垫顶层设于所述的连接垫底层的表面。
22.如权利要求1项所述的方法，其特征在于，所述的富硅介电层包括硅纳米晶粒材料。
23.如权利要求1项所述的方法，其特征在于，所述的下电极包括金属材料。
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